特開 2023-180719 ウエハ載置台

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023180719

(43)【公開日】2023-12-21

(54)【発明の名称】ウエハ載置台

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20231214BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20231214BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20231214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H01L21/31 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022094256

(22)【出願日】2022-06-10

(71)【出願人】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 玲雄

(72)【発明者】

【氏名】常川 大介

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 寛人

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB26

5F004BB29

5F004BD04

5F045DP02

5F045EK07

5F045EM02

5F045EM05

5F045EM09

5F131AA02

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131CA17

5F131EA03

5F131EA04

5F131EB11

5F131EB78

5F131EB81

(57)【要約】

【課題】雌ネジ付き端子の雌ネジに対して雄ネジ付き接続部材の雄ネジが緩むのを防止する。
【解決手段】ウエハ載置台は、セラミック基材２０、埋設部材３２、雌ネジ付き端子４０、アダプタ５０及び雄ネジ付き接続部材６０を備える。セラミック基材２０は、ヒータ電極２２を内蔵する。埋設部材３２は、導電性を有し、ヒータ電極２２に電気的に接続される。雌ネジ付き端子４０は、埋設部材３２に電気的に接続され、突出部４１の端面に雌ネジ４２を有する導電性端子である。アダプタ５０は、導電性を有し、突出部４１の端面に取り付けられ、雌ネジ４２に連通する連通部５２ｂを有し、雌ネジ付き端子４０に対して回転不能である。雄ネジ付き接続部材６０は、導電性を有し、連通部５２ｂを介して雌ネジ４２に螺合された雄ネジ６２を有し、アダプタ５０に一体化されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、
前記電極に電気的に接続された導電性の埋設部材と、
前記埋設部材に電気的に接続され、前記セラミック基材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面から突き出た突出部を有し、前記突出部の端面に雌ネジを有する導電性の雌ネジ付き端子と、
前記雌ネジ付き端子の前記突出部の端面に取り付けられ、前記雌ネジに連通する連通孔を有し、前記雌ネジ付き端子に対して回転不能な導電性のアダプタと、
前記連通孔を介して前記雌ネジに螺合された雄ネジを有し、前記アダプタに一体化された導電性の雄ネジ付き接続部材と、
を備えたウエハ載置台。

【請求項2】

前記アダプタと前記雄ネジ付き接続部材とは、溶接部を介して一体化されている、
請求項１に記載のウエハ載置台。

【請求項3】

前記アダプタは、前記雌ネジ付き端子の前記突出部を挿入可能な凹部を有し、前記凹部の断面形状は、円以外の形状であり、
前記突出部のうち前記アダプタに挿入されるアダプタ挿入部の断面形状は、前記凹部の断面形状と一致する、
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。

【請求項4】

前記凹部の断面形状は、円を直径と平行な１以上の弦で切断した形状、円の円周に突起を設けた形状、又は、多角形である、
請求項３に記載のウエハ載置台。

【請求項5】

前記アダプタは、前記雌ネジ付き端子と当接しているが接合されていない、
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。

【請求項6】

前記セラミック基材の材料は、窒化アルミニウムを主成分とする材料であり、前記埋設部材及び前記雌ネジ付き端子の材料は、モリブデンを主成分とする材料であり、前記アダプタ及び前記雄ネジ付き接続部材の材料は、ニッケルを主成分とする材料である、
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウエハ載置台に関する。

【背景技術】

【0002】

エッチング装置やＣＶＤ装置等の半導体製造装置の分野において、ウエハ載置面を有し電極を内蔵するセラミック基材を備えたウエハ載置台が使用されている。例えば、特許文献１には、こうしたウエハ載置台として、セラミック基材内の電極に電気的に接続された導電性の埋設部材と、その埋設部材に電気的に接続された導電性の雌ネジ付き端子とを備えたものが開示されている。雌ネジ付き端子の雌ネジには、電力供給用の雄ネジ付き接続部材の雄ネジがねじ込まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－１８８３９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１のウエハ載置台では、高温と低温との間で繰り返し使用すると、雌ネジ付き端子の雌ネジに対して雄ネジ付き接続部材の雄ネジが緩むことがあった。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、雌ネジ付き端子の雌ネジに対して雄ネジ付き接続部材の雄ネジが緩むのを防止することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

［１］本発明のウエハ載置台は、
ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、
前記電極に電気的に接続された導電性の埋設部材と、
前記埋設部材に電気的に接続され、前記セラミック基材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面から突き出た突出部を有し、前記突出部の端面に雌ネジを有する導電性の雌ネジ付き端子と、
前記雌ネジ付き端子の前記突出部の端面に取り付けられ、前記雌ネジに連通する連通孔を有し、前記雌ネジ付き端子に対して回転不能な導電性のアダプタと、
前記連通孔を介して前記雌ネジに螺合された雄ネジを有し、前記アダプタに一体化された導電性の雄ネジ付き接続部材と、
を備えたものである。

【0007】

このウエハ載置台では、アダプタは、雌ネジ付き端子の突出部の端面に取り付けられ、雌ネジ付き端子に対して回転不能となっている。雄ネジ付き接続部材の雄ネジは、アダプタの連通孔を介して雌ネジ付き端子の雌ネジに螺合されている。この雄ネジ付き接続部材は、アダプタに一体化されているため、アダプタを介して雌ネジ付き端子に回転不能になっている。そのため、雌ネジ付き端子の雌ネジに対して雄ネジ付き接続部材の雄ネジが緩むのを防止することができる。

【0008】

［２］本発明のウエハ載置台（前記［１］に記載のウエハ載置台）において、前記アダプタと前記雄ネジ付き接続部材とは、溶接部を介して一体化されていてもよい。こうすれば、アダプタと雄ネジ付き接続部材とを比較的容易に一体化することができる。

【0009】

［３］本発明のウエハ載置台（前記［１］又は［２］に記載のウエハ載置台）において、前記アダプタは、前記雌ネジ付き端子の前記突出部を挿入可能な凹部を有していてもよく、前記凹部の断面形状は、円以外の形状であってもよく、前記突出部のうち前記アダプタに挿入されるアダプタ挿入部の断面形状は、前記凹部の断面形状と一致するようにしてもよい。こうすれば、雌ネジ付き端子に対してアダプタを回転不能にする構造を比較的容易に実現することができる。なお、「アダプタ挿入部の断面形状は、前記凹部の断面形状と一致する」とは、アダプタ挿入部の断面形状が凹部の断面形状よりも僅かに小さな形状（アダプタ挿入部と凹部との間にアダプタ挿入部を凹部に挿入可能な隙間ができる形状）であることをいう。

【0010】

［４］本発明のウエハ載置台（前記［３］に記載のウエハ載置台）において、前記凹部の断面形状は、円を直径と平行な１以上の弦で切断した形状であってもよいし、円の円周に突起を設けた形状であってもよいし、多角形であってもよい。

【0011】

［５］本発明のウエハ載置台（前記［１］～［４］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記アダプタは、前記雌ネジ付き端子と当接しているが接合されていなくてもよい。こうすれば、アダプタを雌ネジ付き端子に接合する必要がないため、ウエハ載置台の製造工程が簡素化される。

【0012】

［６］本発明のウエハ載置台（前記［１］～［５］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記セラミック基材の材料は、窒化アルミニウムを主成分とする材料であってもよく、前記埋設部材及び前記雌ネジ付き端子の材料は、モリブデンを主成分とする材料であってもよく、前記アダプタ及び前記雄ネジ付き接続部材の材料は、ニッケルを主成分とする材料であってもよい。こうすれば、窒化アルミニウムとモリブデンとは熱膨張係数が近いため、ウエハ載置台が高温と低温との間で繰り返し使用されたとしても、セラミック基材と埋設部材との間やセラミック基材と雌ネジ付き端子との間で破損が発生するのを防止できる。また、ニッケルは高温での電気抵抗が低く融点が高く耐酸化性が高いため、ウエハ載置台の使用環境においても長期にわたって使い続けることができる。なお、「主成分」とは、全成分のうち最も質量割合の高い成分のことをいう。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】ウエハ載置台１０の縦断面図。

【図2】図１の部分拡大図。

【図3】Ａ－Ａ断面図。

【図4】Ｂ－Ｂ断面図。

【図5】雌ネジ付き端子４０の説明図。

【図6】アダプタ５０の説明図。

【図7】ウエハ載置台１０の製造工程の一例を示す説明図。

【図8】ウエハ載置台１０の製造工程の一例を示す説明図。

【図9】別例のＢ－Ｂ断面図。

【図10】別例のＢ－Ｂ断面図。

【図11】別例のＢ－Ｂ断面図。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はウエハ載置台１０の縦断面図（ウエハ載置台１０の中心軸を含む面で切断したときの断面図）、図２は図１の部分拡大図、図３はＡ－Ａ断面図、図４はＢ－Ｂ断面図である。図５は雌ネジ付き端子４０の説明図で、図５Ａは平面図、図５Ｂは正面図、図５Ｃは底面図、図５Ｄは右側面図である。図６はアダプタ５０の説明図で、図６Ａは平面図、図６Ｂは正面図、図６Ｃは底面図である。

【0015】

ウエハ載置台１０は、ＣＶＤやエッチングなどを行うウエハＷを載置して加熱するために用いられるセラミックヒータであり、図示しない半導体プロセス用のチャンバの内部に取り付けられる。ウエハ載置台１０は、セラミック基材２０と、中空のセラミックシャフト７０とを備えている。

【0016】

セラミック基材２０は、円板部材である。セラミック基材２０の一方の面は、ウエハＷを載置可能なウエハ載置面２０ａとなっている。セラミック基材２０の他方の面（ウエハ載置面２０ａとは反対側の面）の中央には、筒状のセラミックシャフト７０が接合されている。セラミックシャフト７０の材料は、セラミック基材２０の材料と同じであることが好ましい。セラミック基材２０は、ヒータ電極２２及び埋設部材３２を内蔵している。ヒータ電極２２は、帯状又はコイル状の抵抗発熱体をセラミック基材２０の全面にわたって一端から他端まで一筆書きの要領で配線したものである。埋設部材３２は、ヒータ電極２２の一端及び他端のそれぞれに電気的に接続された導電性部材である。埋設部材３２は、セラミック基材２０の他方の面（ウエハ載置面２０ａとは反対側の面）から埋設部材３２に向かって設けられた穴２１の底面に露出している。

【0017】

セラミック基材２０は、一対の通電アセンブリ３０を有している。各通電アセンブリ３０は、埋設部材３２に接続されている。通電アセンブリ３０は、セラミックシャフト７０の内部を通過して図示しない外部ヒータ電源に接続され、埋設部材３２を介してヒータ電極２２に電力を供給可能となっている。

【0018】

通電アセンブリ３０は、雌ネジ付き端子４０と、アダプタ５０と、雄ネジ付き接続部材６０とを備えている。

【0019】

雌ネジ付き端子４０は、導電性の円柱部材である。図２に示すように、雌ネジ付き端子４０の一方の端面４０ａは、セラミック基材２０の穴２１に挿入されて埋設部材３２にロウ接合層３４を介して電気的に接続されている。雌ネジ付き端子４０は、セラミック基材２０のうちウエハ載置面２０ａとは反対側の面から突き出た突出部４１を有している。この突出部４１の端面４０ｂには、雌ネジ４２が設けられている。雌ネジ付き端子４０の突出部４１には、アダプタ５０に挿入されるアダプタ挿入部４１ａが設けられている。アダプタ挿入部４１ａを水平面で切断した断面形状は、円を直径と平行な２つの同じ長さの弦で切断した形状となっている(図４及び図５）。

【0020】

アダプタ５０は、導電性の円板部材であり、図２に示すように中央孔５２を有している。中央孔５２は、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部４１ａを挿入する凹部５２ａと、雌ネジ４２に連通する連通部５２ｂ（連通孔）とを備えている。アダプタ５０の凹部５２ａと連通部５２ｂとの間の段差面は、雌ネジ付き端子４０の端面４０ｂに当接している。凹部５２ａを水平面で切断した断面形状は、円を直径と平行な２つの同じ長さの弦で切断した形状であり（図４及び図６）、アダプタ挿入部４１ａを水平面で切断した断面形状と一致している。具体的には、アダプタ挿入部４１ａの断面形状は、凹部５２ａの断面形状よりも僅かに小さな形状となっており、アダプタ挿入部４１ａと凹部５２ａとの間にアダプタ挿入部４１ａを凹部５２ａに挿入可能な隙間ができる。そのため、アダプタ５０の凹部５２ａに雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部４１ａが挿入されると、アダプタ５０は雌ネジ付き端子４０に対して構造的に回転不能となる。

【0021】

雄ネジ付き接続部材６０は、導電性の棒状部材であり、図２に示すように細長い円柱部６６の先端に雄ネジ６２を有する。円柱部６６と雄ネジ６２との境界には、フランジ部６４が設けられている。雄ネジ６２は、アダプタ５０の中央孔５２の連通部５２ｂを経て（図３）、雌ネジ付き端子４０の雌ネジ４２に螺合されている。フランジ部６４のうちアダプタ５０に対向する面とアダプタ５０とは、溶接部６８で溶接されて一体化されている。これにより、雄ネジ付き接続部材６０は、雄ネジ６２が雌ネジ４２に螺合した状態で、雌ネジ付き端子４０に回転不能となっている。溶接部６８は、電子ビーム溶接（ＥＢＷ）によって形成してもよいし、レーザビーム溶接（ＬＢＷ）によって形成してもよい。

【0022】

セラミック基材２０の材料は、特に限定するものではないが、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの群から選ばれた１種を主成分とする材料が好ましい。

【0023】

ヒータ電極２２や埋設部材３２は、セラミック基材２０を作製する際にセラミック成形体と同時に焼成される。そのため、ヒータ電極２２の材料や埋設部材３２の材料（以下、「埋設部材３２等の材料」という）は、セラミック基材２０の材料と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属を主成分とする材料であることが好ましい。埋設部材３２等の材料とセラミック基材の材料との熱膨張係数差は、１．５ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましく、１．０ｐｐｍ／Ｋ以下がより好ましく、０．５ｐｐｍ／Ｋ以下が更に好ましい。セラミック基材２０の材料の主成分と埋設部材３２等の材料の主成分との好適な組合せとしては、窒化アルミニウムとモリブデン、窒化アルミニウムと白金、アルミナとニオブ、アルミナとチタン、窒化ケイ素とタングステン、窒化ホウ素とタングステンなどの組合せが好ましく、このうち窒化アルミニウムとモリブデンの組合せが特に好ましい。

【0024】

雌ネジ付き端子４０は、雌ネジ付き端子４０が埋設部材３２やセラミック基材２０に接合される。そのため、雌ネジ付き端子４０の材料は、埋設部材３２の材料と同じものを用いるのが好ましい。例えば、セラミック基材２０の材料として窒化アルミニウムを主成分とする材料を用いる場合には、埋設部材３２の材料や雌ネジ付き端子４０の材料としてモリブデンを主成分とする材料を用いることが好ましい。

【0025】

アダプタ５０の材料や雄ネジ付き接続部材６０の材料は、特に限定するものではないが、ウエハ載置台１０の使用環境を考慮すると、高温での電気抵抗が低く融点が高く耐酸化性の高い金属を主成分とする材料が好ましい。例えば、ニッケルを主成分とする材料を用いることが好ましい。

【0026】

ロウ接合層３４の材料としては、特に限定するものではないが、例えば金ロウを用いることが好ましい。

【0027】

次に、ウエハ載置台１０の製造例について説明する。図７はウエハ載置台１０の製造工程の一例を示す説明図である。

【0028】

まず、雌ネジ付き端子４０を用意する（図７Ａ）。次に、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部４１ａをアダプタ５０の中央孔５２の凹部５２ａを差し込む（図７Ｂ）。これにより、アダプタ５０は雌ネジ付き端子４０に対して回転不能な状態で雌ネジ付き端子４０に取り付けられる。次に、雄ネジ付き接続部材６０の雄ネジ６２を、アダプタ５０の中央孔５２の連通部５２ｂを経て雌ネジ付き端子４０の雌ネジ４２に螺合し、その後フランジ部６４とアダプタ５０とを溶接して溶接部６８を形成する（図７Ｃ）。これにより、雌ネジ付き端子４０とアダプタ５０と雄ネジ付き接続部材６０とが一体化されて通電アセンブリ３０となる。

【0029】

これと並行して、ヒータ電極２２と埋設部材３２を内蔵したセラミック粉末の成形体を作製し、この成形体をホットプレス焼成することによりセラミック基材２０を作製する（図７Ｄ）。次に、セラミック基材２０のウエハ載置面になる面とは反対側の面から埋設部材３２に向かって円柱状の穴２１を設ける（図７Ｅ）。これにより、穴２１の底面には埋設部材３２が露出する。その後、図示しないが、セラミック基材２０にセラミックシャフト７０を取り付ける。

【0030】

続いて、穴２１の底面にロウ材（例えば金ロウ材）を配置し、通電アセンブリ３０の雌ネジ付き端子４０の端面４０ａを穴２１に入れてロウ材と接触させ、その状態で加熱した後冷却し、通電アセンブリ３０の雌ネジ付き端子４０を埋設部材３２に接合層３４を介して接合する（図７Ｆ）。これにより、ウエハ載置台１０が得られる。

【0031】

以上詳説したウエハ載置台１０では、アダプタ５０は、雌ネジ付き端子４０の突出部４１の端面４０ｂに取り付けられ、雌ネジ付き端子４０に対して回転不能となっている。雄ネジ付き接続部材６０の雄ネジ６２は、アダプタ５０の中央孔５２の連通部５２ｂを介して雌ネジ付き端子４０の雌ネジ４２に螺合されている。この雄ネジ付き接続部材６０は、アダプタ５０に一体化されているため、アダプタ５０を介して雌ネジ付き端子４０に回転不能になっている。そのため、雌ネジ付き端子４０の雌ネジ４２に対して雄ネジ付き接続部材６０の雄ネジ６２が緩むのを防止することができる。

【0032】

また、アダプタ５０と雄ネジ付き接続部材６０とは、溶接部６８を介して一体化されている。そのため、アダプタ５０と雄ネジ付き接続部材６０とを比較的容易に一体化することができる。また、溶接部６８を切断することにより、雄ネジ付き接続部材６０やアダプタ５０を雌ネジ付き端子４０から取り外すことができる。そのため、雄ネジ付き接続部材６０やアダプタ５０に何らかの支障が生じたとき、雌ネジ付き端子４０を温存したまま、雄ネジ付き接続部材６０とアダプタ５０を交換することができる。

【0033】

更に、アダプタ５０は、雌ネジ付き端子４０の突出部４１を挿入可能な凹部５２ａを有し、凹部５２ａの断面形状は、円以外の形状であり、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部４１ａの断面形状は、凹部５２ａの断面形状と一致している。そのため、雌ネジ付き端子４０に対してアダプタ５０を回転不能にする構造を比較的容易に実現できる。

【0034】

更にまた、アダプタ５０の中央孔５２の凹部５２ａは、雌ネジ付き端子４０の端面４０ｂと当接しているが接合されていない。つまり、アダプタ５０を雌ネジ付き端子４０に接合する必要がない。したがって、製造工程が簡素化される。なお、アダプタ５０の材料がニッケルを主成分とする材料で、雌ネジ付き端子４０の材料がモリブデンを主成分とする材料の場合、ニッケルとモリブデンとの溶接は困難であるため、アダプタ５０と雌ネジ付き端子４０との溶接は行わない方が好ましい。

【0035】

セラミック基材２０の材料は、窒化アルミニウムを主成分とする材料が好ましく、埋設部材３２及び雌ネジ付き端子４０の材料は、モリブデンを主成分とする材料が好ましく、アダプタ５０及び雄ネジ付き接続部材６０の材料は、ニッケルを主成分とする材料が好ましい。こうすれば、窒化アルミニウムとモリブデンとは熱膨張係数が近いため、ウエハ載置台１０が高温と低温との間で繰り返し使用されたとしても、セラミック基材２０と埋設部材３２との間やセラミック基材２０と雌ネジ付き端子４０との間で破損が発生するのを防止できる。また、ニッケルは高温での電気抵抗が低く融点が高く耐酸化性も高いため、ウエハ載置台１０の使用環境においてもアダプタ５０や雄ネジ付き接続部材６０を長期にわたって使い続けることができる。また、図７のように通電アセンブリ３０を埋設部材３２にロウ接合する際、通電アセンブリ３０はモリブデンやニッケルといった高融点金属を主成分とする材料で形成されているため、ロウ材を用いて高温で接合する場合であっても耐えられる。

【0036】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0037】

上述した実施形態では、図７に示す製造工程を採用したが、特にこれに限定されない。例えば、図８に示す製造工程を採用してもよい。この場合、まず、セラミック基材２０のウエハ載置面になる面とは反対側の面から埋設部材３２に向かって円柱状の穴２１を設ける（図８Ａ（図７Ｅと同じ））。次に、穴２１の底面にロウ材（例えば金ロウ材）を配置し、雌ネジ付き端子４０の端面４０ａを穴２１に入れてロウ材と接触させ、その状態で加熱した後冷却し、雌ネジ付き端子４０を埋設部材３２に接合層３４を介して接合する（図８Ｂ）。次に、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部４１ａをアダプタ５０の中央孔５２の凹部５２ａに差し込む（図８Ｃ）。次に、雄ネジ付き接続部材６０の雄ネジ６２を、アダプタ５０の中央孔５２の連通部５２ｂを経て雌ネジ付き端子４０の雌ネジ４２に螺合し、その後フランジ部６４とアダプタ５０とを溶接して溶接部６８を形成する（図８Ｄ）。このようにしても、ウエハ載置台１０が得られる。この製造方法では、アダプタ５０や雄ネジ付き接続部材６０はロウ接合の温度に晒されることがないため、これらの材料はニッケルよりも低融点の金属を主成分とする材料としてもよい。

【0038】

上述した実施形態では、アダプタ５０の凹部５２ａを水平面で切断した断面形状を、円を直径と平行な２つの同じ長さの弦で切断した形状（図４）としたが、特にこれに限定されない。例えば、図９に示すように、アダプタ５０の凹部１５２ａの断面形状を、円を１つの弦で切断した形状とし、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部１４１ａの断面形状を、それと一致する形状としてもよい。あるいは、図１０に示すように、アダプタ５０の凹部２５２ａの断面形状を、円の円周に突起を設けた形状とし、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部２４１ａの断面形状を、それと一致する形状としてもよい。あるいは、図１１に示すように、アダプタ５０の凹部３５２ａの断面形状を、多角形（ここでは四角形）とし、雌ネジ付き端子４０のアダプタ挿入部３４１ａを、それと一致する形状としてもよい。

【0039】

上述した実施形態では、雄ネジ付き接続部材６０は、細長い円柱部６６を備えるものとしたが、円柱部６６の代わりに、二つの導電性の円柱体の間を導電性のケーブルで連結したものを用いてもよい。ケーブルの材料は、ニッケルが好ましい。

【0040】

上述した実施形態では、雄ネジ付き接続部材６０のフランジ部６４とアダプタ５０とを溶接部６８を介して一体化したが、溶接部６８の代わりにロウ接合部で一体化したりビスなどを利用して一体化したりしてもよい。

【0041】

上述した実施形態では、アダプタ５０の中央孔５２の凹部５２ａは、雌ネジ付き端子４０の端面４０ｂと接合しなかったが、接合してもよい。接合は、溶接やロウ接、ビス止めなどで行うことができる。例えば、ニッケル製のアダプタ５０とモリブデン製の雌ネジ付き端子４０の場合、溶接は困難であるが、溶接可能な金属同士の組合せであれば溶接してもよい。

【0042】

上述した実施形態では、ウエハ載置台１０のセラミック基材２０にヒータ電極２２を内蔵した例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、ヒータ電極２２に代えて又は加えて、静電電極を内蔵したりＲＦ電極を内蔵したりしてもよい。また、ウエハ載置台１０のセラミックシャフト７０を省略してもよい。あるいは、セラミック基材２０を上下方向に貫通する穴を設けてもよい。そうした穴としては、例えば、ウエハ載置面２０ａに載置されたウエハＷを持ち上げるリフトピンを挿通するためのリフトピン穴やウエハＷの裏面にガスを供給するためのガス穴などが挙げられる。

【0043】

上述した実施形態では、セラミック基材２０をセラミック粉末の成形体をホットプレス焼成することにより作製したが、そのときの成形体は、テープ成形体を複数枚積層して作製してもよいし、モールドキャスト法によって作製してもよいし、セラミック粉末を押し固めることによって作製してもよい。

【符号の説明】

【0044】

１０ ウエハ載置台、２０ セラミック基材、２０ａ ウエハ載置面、２１ 穴、２２ ヒータ電極、３０ 通電アセンブリ、３２ 埋設部材、３４ ロウ接合層、３４ 接合層、４０ 雌ネジ付き端子、４０ａ，４０ｂ 端面、４１ 突出部、４１ａ アダプタ挿入部、４２ 雌ネジ、５０ アダプタ、５２ 中央孔、５２ａ 凹部、５２ｂ 連通部、６０ 接続部材、６２ 雄ネジ、６４ フランジ部、６６ 円柱部、６８ 溶接部、７０ セラミックシャフト、１４１ａ アダプタ挿入部、１５２ａ 凹部、２４１ａ アダプタ挿入部、２５２ａ 凹部、３４１ａ アダプタ挿入部、３５２ａ 凹部、Ｗ ウエハ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】