ホーム > 特許ランキング > 株式会社ジャパンディスプレイ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023180831
(43)【公開日】2023-12-21
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/22 20060101AFI20231214BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231214BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20231214BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20231214BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20231214BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20231214BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
H05B33/22 Z
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/02
H05B33/04
H05B33/12 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022094446
(22)【出願日】2022-06-10
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】今井 信雄
(72)【発明者】
【氏名】小川 浩
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD44X
3K107DD44Y
3K107DD89
3K107DD95
3K107EE03
3K107EE07
3K107EE21
3K107EE46
3K107EE48
3K107FF15
5C094BA27
5C094EA07
5C094EC04
5C094FA03
5C094FB02
5C094FB12
5C094JA09
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である。
【選択図】図３
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、
前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、
前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、
前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、
前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である、表示装置。
【請求項2】
前記第１直線部及び前記第２直線部の各々の長さは、前記曲線部の曲率半径以上である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記開口のエッジは、さらに、前記第２直線部から離間した第３直線部を含み、
前記第２直線部及び前記第３直線部は、互いに平行であり、同一直線上に位置し、
前記下電極と画素回路とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、前記第２直線部と前記第３直線部との間に位置している、請求項１に記載の表示装置。
前記第２直線部及び前記第３直線部は、互いに平行であり、同一直線上に位置し、
前記下電極と画素回路とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、前記第２直線部と前記第３直線部との間に位置している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第２直線部及び前記第３直線部は、前記下電極の長辺に沿って延出している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第２直線部及び前記第３直線部は、前記下電極の短辺に沿って延出している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項6】
前記リブは、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１つで形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記有機層の一部、前記上電極の一部、及び、前記キャップ層の一部は、前記隔壁の前記上部の上に配置され、前記上部よりも下方に位置する部分とは離間している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記封止層は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１つで形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記上電極は、マグネシウム及び銀の合金で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記キャップ層は、前記上電極の上に配置された透明層と、前記透明層の上に配置された無機層と、を有し、
前記無機層は、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
前記無機層は、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記開口のエッジは、第１直線部と、第２直線部と、前記第１直線部及び前記第２直線部に繋がる曲線部と、を含み、前記第１直線部と前記第２直線部とのなす角度は、９０°以上である。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0008】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0009】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0010】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0011】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0012】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0013】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0014】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0015】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0016】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0017】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
【0018】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0019】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0020】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の各々の形状については後述する。
【0021】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0022】
図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
【0024】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0025】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。
【0026】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0028】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0029】
例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
【0030】
【0031】
まず、開口ＡＰ１について説明する。
開口ＡＰ１のエッジは、直線部Ｌ１１乃至Ｌ１８と、曲線部Ｃ１１乃至Ｃ１８と、を有している。
開口ＡＰ１のエッジは、直線部Ｌ１１乃至Ｌ１８と、曲線部Ｃ１１乃至Ｃ１８と、を有している。
【0032】
直線部Ｌ１１及びＬ１７は、互いに平行であり、第１方向Ｘに沿って延出し、下電極ＬＥ１の短辺ＬＳとほぼ平行である。直線部Ｌ１２、Ｌ１４、Ｌ１６、Ｌ１８は、互いに平行であり、第２方向Ｙに沿って延出し、下電極ＬＥ１の長辺ＬＬとほぼ平行である。特に、直線部Ｌ１２、Ｌ１６は、同一直線上に位置している。コンタクトホールＣＨ１は、直線部Ｌ１２と直線部Ｌ１６との間に位置し、しかも、直線部Ｌ１２、Ｌ１６とともに同一直線上に位置している。直線部Ｌ１４は、第１方向ＸにおいてコンタクトホールＣＨ１と直線部Ｌ１８との間に位置している。直線部Ｌ１３及びＬ１５は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる斜め方向に延出している。
【0033】
曲線部Ｃ１１乃至Ｃ１８の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ１１は、直線部Ｌ１１及びＬ１２に繋がっている。曲線部Ｃ１２は、直線部Ｌ１２及びＬ１３に繋がっている。曲線部Ｃ１３は、直線部Ｌ１３及びＬ１４に繋がっている。曲線部Ｃ１４は、直線部Ｌ１４及びＬ１５に繋がっている。曲線部Ｃ１５は、直線部Ｌ１５及びＬ１６に繋がっている。曲線部Ｃ１６は、直線部Ｌ１６及びＬ１７に繋がっている。曲線部Ｃ１７は、直線部Ｌ１７及びＬ１８に繋がっている。曲線部Ｃ１８は、直線部Ｌ１８及びＬ１１に繋がっている。
【0034】
１つの曲線部を挟んで隣接する２つの直線部のなす角度は、９０°以上である。なお、ここでのなす角度とは、各直線部の延長線を図中に点線で示したとき、互いに交差する延長線のなす角度に相当する。
【0035】
例えば、直線部Ｌ１１と直線部Ｌ１２とのなす角度θ１１は、９０°である。直線部Ｌ１２と直線部Ｌ１３とのなす角度θ１２、直線部Ｌ１３と直線部Ｌ１４とのなす角度θ１３、直線部Ｌ１４と直線部Ｌ１５とのなす角度θ１４、及び、直線部Ｌ１５と直線部Ｌ１６とのなす角度θ１５は、いずれも９０°より大きい鈍角である。直線部Ｌ１６と直線部Ｌ１７とのなす角度θ１６、直線部Ｌ１７と直線部Ｌ１８とのなす角度θ１７、及び、直線部Ｌ１８と直線部Ｌ１１とのなす角度θ１８は、いずれも９０°である。
次に、開口ＡＰ２について説明する。
開口ＡＰ２のエッジは、直線部Ｌ２１乃至Ｌ２４と、曲線部Ｃ２１乃至Ｃ２４と、を有している。
次に、開口ＡＰ２について説明する。
開口ＡＰ２のエッジは、直線部Ｌ２１乃至Ｌ２４と、曲線部Ｃ２１乃至Ｃ２４と、を有している。
【0036】
直線部Ｌ２１及びＬ２３は、互いに平行であり、第１方向Ｘに沿って延出している。直線部Ｌ２２及びＬ２４は、互いに平行であり、第２方向Ｙに沿って延出している。
曲線部Ｃ２１乃至Ｃ２４の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ２１は、直線部Ｌ２１及びＬ２２に繋がっている。曲線部Ｃ２２は、直線部Ｌ２２及びＬ２３に繋がっている。曲線部Ｃ２３は、直線部Ｌ２３及びＬ２４に繋がっている。曲線部Ｃ２４は、直線部Ｌ２４及びＬ２１に繋がっている。
直線部Ｌ２１と直線部Ｌ２２とのなす角度θ２１、直線部Ｌ２２と直線部Ｌ２３とのなす角度θ２２、直線部Ｌ２３と直線部Ｌ２４とのなす角度θ２３、及び、直線部Ｌ２４と直線部Ｌ２１とのなす角度θ２４は、いずれも９０°である。
曲線部Ｃ２１乃至Ｃ２４の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ２１は、直線部Ｌ２１及びＬ２２に繋がっている。曲線部Ｃ２２は、直線部Ｌ２２及びＬ２３に繋がっている。曲線部Ｃ２３は、直線部Ｌ２３及びＬ２４に繋がっている。曲線部Ｃ２４は、直線部Ｌ２４及びＬ２１に繋がっている。
直線部Ｌ２１と直線部Ｌ２２とのなす角度θ２１、直線部Ｌ２２と直線部Ｌ２３とのなす角度θ２２、直線部Ｌ２３と直線部Ｌ２４とのなす角度θ２３、及び、直線部Ｌ２４と直線部Ｌ２１とのなす角度θ２４は、いずれも９０°である。
【0037】
次に、開口ＡＰ３について説明する。
開口ＡＰ３のエッジは、直線部Ｌ３１乃至Ｌ３４と、曲線部Ｃ３１乃至Ｃ３４と、を有している。
開口ＡＰ３のエッジは、直線部Ｌ３１乃至Ｌ３４と、曲線部Ｃ３１乃至Ｃ３４と、を有している。
【0038】
直線部Ｌ３１及びＬ３３は、互いに平行であり、第１方向Ｘに沿って延出している。直線部Ｌ３２及びＬ３４は、互いに平行であり、第２方向Ｙに沿って延出している。
曲線部Ｃ３１乃至Ｃ３４の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ３１は、直線部Ｌ３１及びＬ３２に繋がっている。曲線部Ｃ３２は、直線部Ｌ３２及びＬ３３に繋がっている。曲線部Ｃ３３は、直線部Ｌ３３及びＬ３４に繋がっている。曲線部Ｃ３４は、直線部Ｌ３４及びＬ３１に繋がっている。
直線部Ｌ３１と直線部Ｌ３２とのなす角度θ３１、直線部Ｌ３２と直線部Ｌ３３とのなす角度θ３２、直線部Ｌ３３と直線部Ｌ３４とのなす角度θ３３、及び、直線部Ｌ３４と直線部Ｌ３１とのなす角度θ３４は、いずれも９０°である。
曲線部Ｃ３１乃至Ｃ３４の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ３１は、直線部Ｌ３１及びＬ３２に繋がっている。曲線部Ｃ３２は、直線部Ｌ３２及びＬ３３に繋がっている。曲線部Ｃ３３は、直線部Ｌ３３及びＬ３４に繋がっている。曲線部Ｃ３４は、直線部Ｌ３４及びＬ３１に繋がっている。
直線部Ｌ３１と直線部Ｌ３２とのなす角度θ３１、直線部Ｌ３２と直線部Ｌ３３とのなす角度θ３２、直線部Ｌ３３と直線部Ｌ３４とのなす角度θ３３、及び、直線部Ｌ３４と直線部Ｌ３１とのなす角度θ３４は、いずれも９０°である。
【0039】
開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の形状は、図示した例に限らない。例えば、開口ＡＰ２、ＡＰ３の各々エッジは、図示した例よりも多くの直線部及び曲線部を含んでいてもよい。
【0040】
図４は、図３に示した開口のエッジに含まれる直線部の好ましい長さを説明するための平面図である。
図４では、開口ＡＰ１のエッジのうち、直線部Ｌ１１及び直線部Ｌ１２のそれぞれの一部と、曲線部Ｃ１１とが示されている。
図４では、開口ＡＰ１のエッジのうち、直線部Ｌ１１及び直線部Ｌ１２のそれぞれの一部と、曲線部Ｃ１１とが示されている。
【0041】
曲線部Ｃ１１は、上記の通り円弧状に形成されており、半径ａの円の円周の一部に相当する。つまり、曲線部Ｃ１１の曲率半径は、「ａ」として表される。
直線部Ｌ１１の第１方向Ｘに沿った長さＬｘは、直線部Ｌ１１に隣接する曲線部Ｃ１１の曲率半径ａと同等以上であることが望ましい。同様に、直線部Ｌ１２の第２方向Ｙに沿った長さＬｙは、直線部Ｌ１２に隣接する曲線部Ｃ１１の曲率半径ａと同等以上であることが望ましい。また、開口ＡＰ１に含まれる他の直線部の長さも、それぞれの直線部に隣接する曲線部の曲率半径と同等以上であることが望ましい。
さらに、他の開口ＡＰ２，ＡＰ３に含まれる直線部の長さも、それぞれの直線部に隣接する曲線部の曲率半径と同等以上であることが望ましい。
直線部Ｌ１１の第１方向Ｘに沿った長さＬｘは、直線部Ｌ１１に隣接する曲線部Ｃ１１の曲率半径ａと同等以上であることが望ましい。同様に、直線部Ｌ１２の第２方向Ｙに沿った長さＬｙは、直線部Ｌ１２に隣接する曲線部Ｃ１１の曲率半径ａと同等以上であることが望ましい。また、開口ＡＰ１に含まれる他の直線部の長さも、それぞれの直線部に隣接する曲線部の曲率半径と同等以上であることが望ましい。
さらに、他の開口ＡＰ２，ＡＰ３に含まれる直線部の長さも、それぞれの直線部に隣接する曲線部の曲率半径と同等以上であることが望ましい。
【0042】
図５は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0043】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。
【0044】
隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。
【0045】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。
【0046】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。
【0047】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。
【0048】
図示した例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0049】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
【0050】
図示した例では、有機層ＯＲ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
【0051】
絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。
【0052】
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
【0053】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２も導電材料によって形成されてもよい。
【0054】
リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ以上である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ以上である。
【0055】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。
【0056】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。
【0057】
発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
【0058】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。
【0059】
保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。
【0060】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0061】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ。
【0062】
図６は、表示素子２０１の構成の一例を示す図である。なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
【0063】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロッキング層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロッキング層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
なお、有機層ＯＲ１は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロッキング層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロッキング層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
なお、有機層ＯＲ１は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0064】
キャップ層ＣＰ１は、透明層ＴＬ１及び無機層ＩＬ１を含む。透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。無機層ＩＬ１は、透明層ＴＬ１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、無機層ＩＬ１の上に配置されている。
透明層ＴＬ１は、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥ１よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。無機層ＩＬ１は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）によって形成された透明な薄膜であり、透明層ＴＬ１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、キャップ層ＣＰ１は、３層以上の積層体であってもよい。
透明層ＴＬ１は、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥ１よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。無機層ＩＬ１は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）によって形成された透明な薄膜であり、透明層ＴＬ１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、キャップ層ＣＰ１は、３層以上の積層体であってもよい。
【0065】
ここでは、表示素子２０１の構成の一例について説明したが、他の表示素子２０２及び２０３についても、表示素子２０１と同様の構成が適用可能であり、あるいは、表示素子２０１とは異なる構成が適用される場合もあり得る。
【0066】
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。
【0067】
図７は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
【0068】
ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図５に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。
【0069】
ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図５に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。
【0070】
ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図５に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。
【0071】
ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図５に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。
【0072】
なお、第２薄膜３２、第２レジスト４２、第３薄膜３３、及び、第３レジスト４３の詳細な図示は省略する。
【0073】
【0074】
まず、ステップＳＴ１においては、図８に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。
【0075】
リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成する。リブ５を形成する工程は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上にシリコン窒化物層を形成する工程と、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３に対応してパターニングされたレジストを形成する工程と、レジストをマスクとしたドライエッチングによりシリコン窒化物層を除去する工程と、レジストを除去する工程と、を含む。
【0076】
レジストを形成する工程では、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の各々のエッジが図３を参照して説明したような形状となるように、レジストがパターニングされる。
シリコン窒化物層を除去する工程では、処理基板ＳＵＢが搬入されたチャンバー内にエッチング反応ガスとしてフッ素系ガスが導入される。フッ素系ガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ６）が適用される。なお、上記の通り、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の各々のエッジに含まれる直線部同士のなす角度がすべて９０°以上である場合、フッ素系ガスとして、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）が適用されてもよい。
これにより、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の各々の内側でのシリコン窒化物の残渣の生成が抑制される。
シリコン窒化物層を除去する工程では、処理基板ＳＵＢが搬入されたチャンバー内にエッチング反応ガスとしてフッ素系ガスが導入される。フッ素系ガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ６）が適用される。なお、上記の通り、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の各々のエッジに含まれる直線部同士のなす角度がすべて９０°以上である場合、フッ素系ガスとして、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）が適用されてもよい。
これにより、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の各々の内側でのシリコン窒化物の残渣の生成が抑制される。
【0077】
隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。
【0078】
開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する工程は、隔壁６を形成する前に行ってもよいし、隔壁６を形成した後に行ってもよい。
【0079】
【0080】
続いて、ステップＳＴ２１においては、図９に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１を含む。
【0081】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、各下電極の上に形成された部分から離間している。有機層ＯＲ１の各種機能層及び発光層ＥＭ１は、蒸着法により形成される。
【0082】
上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。上電極ＵＥ１は、蒸着法により形成される。
【0083】
キャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成されている。キャップ層ＣＰ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。キャップ層ＣＰ１に含まれる透明層及び無機層は、蒸着法により形成される。
【0084】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６を覆うように形成されている。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ法により形成される。上電極ＵＥ１はリブ５と封止層ＳＥ１との間に介在し、封止層ＳＥ１はリブ５から離間している。
【0085】
続いて、ステップＳＴ２２においては、図１０に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の右側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。
【0086】
その後、ステップＳＴ２３においては、図１１に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。
【0087】
第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１の無機層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、無機層から露出したキャップ層ＣＰ１の透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、透明層から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１の無機層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、無機層から露出したキャップ層ＣＰ１の透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、透明層から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
【0088】
その後、ステップＳＴ２４においては、図１２に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。
【0089】
副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。なお、図１２に示した隔壁６上の積層体は、完全に除去される場合があり得る。
【0090】
図７に示したステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、図５に示した副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0091】
図７に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４も、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図５に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。
【0092】
以上説明したように、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成される際に、シリコン窒化物の残渣の生成が抑制される。例えば、開口ＡＰ１のエッジの近傍に残渣が生成された場合、この残渣の影響で有機層ＯＲ１にクラックが生じ、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との短絡を招くおそれがある。
【0093】
本実施形態によれば、シリコン窒化物の残渣の生成が抑制されるため、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との短絡が抑制される。また、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との短絡に起因した表示素子２０１の滅点化が抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
【0094】
また、シリコン窒化物の残渣に起因した上電極ＵＥ１やキャップ層ＣＰ１のクラックも抑制される。このため、封止層ＳＥ１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１をそれぞれ除去するエッチング工程において、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、及び、リブ５へのダメージを回避することができる。
【0095】
次に、変形例について説明する。
【0096】
図１３は、リブ５の開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の各々の形状の他の例を説明するための平面図である。
【0097】
開口ＡＰ１のエッジは、直線部Ｌ１１乃至Ｌ１８と、曲線部Ｃ１１乃至Ｃ１８と、を有している。
【0098】
直線部Ｌ１１及びＬ１７は、互いに平行であり、第２方向Ｙに沿って延出し、下電極ＬＥ１の長辺ＬＬとほぼ平行である。直線部Ｌ１２、Ｌ１４、Ｌ１６、Ｌ１８は、互いに平行であり、第１方向Ｘに沿って延出し、下電極ＬＥ１の短辺ＬＳとほぼ平行である。特に、直線部Ｌ１２、Ｌ１６は、同一直線上に位置している。コンタクトホールＣＨ１は、直線部Ｌ１２と直線部Ｌ１６との間に位置し、しかも、直線部Ｌ１２、Ｌ１６とともに同一直線上に位置している。直線部Ｌ１４は、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ１と直線部Ｌ１８との間に位置している。直線部Ｌ１３及びＬ１５は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる斜め方向に延出している。
【0099】
曲線部Ｃ１１乃至Ｃ１８の各々は、ほぼ円弧状に形成されている。曲線部Ｃ１１は、直線部Ｌ１１及びＬ１２に繋がっている。曲線部Ｃ１２は、直線部Ｌ１２及びＬ１３に繋がっている。曲線部Ｃ１３は、直線部Ｌ１３及びＬ１４に繋がっている。曲線部Ｃ１４は、直線部Ｌ１４及びＬ１５に繋がっている。曲線部Ｃ１５は、直線部Ｌ１５及びＬ１６に繋がっている。曲線部Ｃ１６は、直線部Ｌ１６及びＬ１７に繋がっている。曲線部Ｃ１７は、直線部Ｌ１７及びＬ１８に繋がっている。曲線部Ｃ１８は、直線部Ｌ１８及びＬ１１に繋がっている。
【0100】
【0101】
なお、開口ＡＰ２及びＡＰ３については、図３に示した例の形状と同様の形状であり、説明を省略する。
【0102】
【0103】
このような例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【0104】
次に、比較例について説明する。
【0105】
図１４は、リブ５の開口ＡＰの形状の比較例を説明するための平面図である。
【0106】
開口ＡＰのエッジは、直線部Ｌ４１と、直線部Ｌ４２と、曲線部Ｃ４１と、を含んでいる。曲線部Ｃ４１は、直線部Ｌ４１及び直線部Ｌ４２に繋がっている。比較例においては、直線部Ｌ４１と直線部Ｌ４２とのなす角度θ４０は、９０°より小さい鋭角である。
【0107】
このようなエッジを含む開口ＡＰを形成する工程について説明する。
まず、シリコン窒化物層を形成し、シリコン窒化物層の上にレジストを形成し、その後、レジストをマスクとしたドライエッチングによりシリコン窒化物層を除去する。
まず、シリコン窒化物層を形成し、シリコン窒化物層の上にレジストを形成し、その後、レジストをマスクとしたドライエッチングによりシリコン窒化物層を除去する。
【0108】
ここで、エッチング反応ガスとして四フッ化メタン（ＣＦ４）を適用したドライエッチングを行い、シリコン窒化物の残渣の有無を確認する実験を行った。複数の処理基板について、同一条件でドライエッチングを行ったところ、いくつかの処理基板において、曲線部Ｃ４１の内側に、シリコン窒化物の残渣が発生することが確認された。
【0109】
また、エッチング反応ガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）を適用したドライエッチングを行い、シリコン窒化物の残渣の有無を確認する実験を行った。複数の処理基板について、同一条件でドライエッチングを行ったところ、ほとんどの処理基板において、シリコン窒化物の残渣が発生しないことが確認された。
【0110】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置を提供することができる。
【0111】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0112】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0113】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0114】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
Ｌ１１～Ｌ１８…直線部 Ｃ１１～Ｃ１８…曲線部
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
Ｌ１１～Ｌ１８…直線部 Ｃ１１～Ｃ１８…曲線部
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】