特開 2023-180974 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023180974

(43)【公開日】2023-12-21

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20231214BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Z

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022094683

(22)【出願日】2022-06-10

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

(72)【発明者】

【氏名】足立 武馬

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316BB03

5E316BB04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の上に形成され、上面１Ｂ１が研磨により平坦化されている配線パターン１Ｂと、上面１Ａ１、１Ａ２が配線パターン１Ｂの上面１Ｂ１よりも粗い導体パッド１Ａと、を備えている第一導体層１１と、第一導体層１１の表面を覆っている被膜層５と、被膜層５に接触して第一導体層１１を覆っている第二絶縁層２２と、第二絶縁層２２及び被膜層５を貫通し導体パッド１Ａの上面１Ａ１、１Ａ２に接触している接続導体４と、を有する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一絶縁層と、
前記第一絶縁層の上に形成され、上面が研磨により平坦化されている配線パターンと、上面が前記配線パターンの上面よりも粗い導体パッドと、を備えている第一導体層と、
前記第一導体層の表面を覆っている被膜層と、
前記被膜層に接触して前記第一導体層を覆っている第二絶縁層と、
前記第二絶縁層及び前記被膜層を貫通し前記導体パッドの上面に接触している接続導体と、
を有する配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、前記配線パターンの上面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下である。

【請求項3】

請求項２に記載の配線基板であって、前記導体パッドの上面において、前記接続導体が接触している部分よりも前記第二絶縁層に覆われている部分が粗い。

【請求項4】

第一絶縁層の上に配線パターン及び導体パッドを備えた第一導体層を形成することと、
前記配線パターンの上面と、前記導体パッドの上面と、を研磨により平坦化することと、
前記導体パッドの上面を粗化することと、
前記第一導体層の表面を覆う被膜層を形成することと、
前記被膜層に接触させて前記第一導体層を覆う第二絶縁層を形成することと、
前記第二絶縁層及び前記被膜層を貫通し前記導体パッドの上面に達する貫通孔を形成することと、
前記導体パッドの上面に接触する接続導体を前記貫通孔に形成することと、
を含む配線基板の製造方法。

【請求項5】

請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、前記導体パッドの上面を粗化する場合に、前記配線パターンをレジスト膜で覆うことをさらに含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願の開示する技術は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁基板上に絶縁層を積層する工程と、絶縁層上に無電解銅めっき層を被着させる工程と、無電解銅めっき層上に耐めっき樹脂層を被着させる工程と、耐めっき樹脂層に、無電解銅めっき層を部分的に露出させる開口部を形成する工程と、開口部内に露出した無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を耐めっき樹脂層の厚みより厚く被着させる工程と、電解銅めっき層の上面と耐めっき樹脂の上面とが同一面をなすように機械的に研磨する工程と、耐めっき樹脂層を剥離した後、電解銅めっき層が被着している部位以外の無電解銅めっき層を除去する工程と、を順次行なう、配線基板の製造方法が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－２５８４１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

絶縁層の上に形成された導体層をさらに絶縁層で覆う構造の配線基板では、導体層の上面が平坦化されていると、絶縁層との密着性が低下する。このため、導体層と絶縁層との密着性を向上させるために、導体層と絶縁層との間に被膜層を設けた構造を採り得る。そして、導体層の導体パッドが、その上層の絶縁層に形成された貫通孔の接続導体と接触する構造を採り得る。この場合、導体パッドの上面が平坦化されていると、貫通孔の形成時に、導体パッドを覆っている被膜層の一部が溶出することがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の配線基板は、第一絶縁層と、前記第一絶縁層の上に形成され、上面が研磨により平坦化されている配線パターンと、上面が前記配線パターンの上面よりも粗い導体パッドと、を備えている第一導体層と、前記第一導体層の表面を覆っている被膜層と、前記被膜層に接触して前記第一導体層を覆っている第二絶縁層と、前記第二絶縁層及び前記被膜層を貫通し前記導体パッドの上面に接触している接続導体と、を有する。

【0006】

本開示の配線基板の製造方法は、第一絶縁層の上に配線パターン及び導体パッドを備えた第一導体層を形成することと、前記配線パターンの上面と、前記導体パッドの上面と、を研磨により平坦化することと、前記導体パッドの上面を粗化することと、前記第一導体層の表面を覆う被膜層を形成することと、前記被膜層に接触させて前記第一導体層を覆う第二絶縁層を形成することと、前記第二絶縁層及び前記被膜層を貫通し前記導体パッドの上面に達する貫通孔を形成することと、前記導体パッドの上面に接触する接続導体を前記貫通孔に形成することと、を含む。

【0007】

本開示の実施形態によれば、配線パターンと第一絶縁層との密着性を確保し、且つ、被膜層の溶出を抑制し得る。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の第一実施形態の配線基板を示す断面図である。

【図2】本開示の第一実施形態における第一導体層の導体パターンの一例を示す平面図である。

【図3】図１のＩＩＩ部の拡大図である。

【図4】図３のＩＶ部の拡大図である。

【図5】本開示の第二実施形態の配線基板を示す断面図である。

【図6A】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6B】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6C】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6D】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6E】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6F】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6G】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6H】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6I】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6J】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6K】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6L】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6M】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図6N】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図である。

【図7】本開示の第一実施形態の配線基板の製造工程の途中の状態を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示の実施形態の一例を詳細に説明する。

【0010】

図１は、本開示の第一実施形態の配線基板１００を示す断面図であり、図２は、第一実施形態の配線基板１００を示す平面図である。なお、図１は図２におけるＩ－Ｉ線断面図である。配線基板１００は、本開示の技術の配線基板の一例である。各図面における配線基板１００の向きは、実際の配線基板１００の使用状態を制限するものではない。

【0011】

図１に示すように、配線基板１００は、コア基板３を備えている。コア基板３における２つの主面のうち、図１における上側の面は第一面３Ａであり、下側の面は第二面３Ｂである。

【0012】

コア基板３は、絶縁層３２と導体層３１とを備えている。導体層３１は、絶縁層３２の両面に形成されている。以下では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」、「上方」、又は「上」、絶縁層３２に近い側は「下側」、「下方」、又は「下」と称される。さらに、絶縁層３２の両面に設けられた各層において、絶縁層３２と反対側を向く面は「上面」、絶縁層３２側を向く面は「下面」と称される。

【0013】

配線基板１００は、さらに、第一絶縁層２１、第一導体層１１、第二絶縁層２２、及び第二導体層１２を備えている。第一絶縁層２１、第一導体層１１、第二絶縁層２２、及び第二導体層１２は、コア基板３の第一面３Ａの上に、第一面３Ａ側から順に積層されている。

【0014】

第一絶縁層２１はコア基板３の第一面３Ａを覆っている。第一導体層１１は、第一絶縁層２１の上に導体によって所定のパターンで形成されている。第二絶縁層２２は、第一導体層１１を覆うと共に、第一絶縁層２１において第一導体層１１に覆われていない部分を覆っている。第二導体層１２は、第二絶縁層２２の上に導体によって所定のパターンで形成されている。

【0015】

配線基板１００は、さらに、コア基板３の第二面３Ｂの上に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３を備えている。２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３は、第二面３Ｂ側から交互に積層されている。

【0016】

コア基板３の絶縁層３２は接続導体３３を含んでいる。接続導体３３は、コア基板３の両面それぞれの導体層３１どうしを接続している。接続導体３３は、所謂スルーホール導体である。

【0017】

第一絶縁層２１、第二絶縁層２２、及び２つの絶縁層２３は、それぞれ、接続導体４を含んでいる。第一絶縁層２１に含まれる接続導体４は、導体層３１と第一導体層１１とを接続している。第二絶縁層２２に含まれる接続導体４は、第一導体層１１と第二導体層１２とを接続している。２つの絶縁層２３それぞれに含まれる接続導体４は、導体層３１と導体層１３とを、又は導体層１３どうしを接続している。接続導体４は、各絶縁層（第一絶縁層２１、第二絶縁層２２、及び絶縁層２３）内に形成されている所謂ビア導体である。

【0018】

第一絶縁層２１、第二絶縁層２２、絶縁層２３、及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成されている。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂などを挙げることができる。

【0019】

図１に示される例では、絶縁層３２は、芯材３２Ａを含んでいる。芯材３２Ａは、たとえば、ガラス繊維及びアラミド繊維などで形成されている。芯材３２Ａは、絶縁層３２を補強する補強材でもある。なお、図１では図示を省略しているが、絶縁層３２以外の各絶縁層（第一絶縁層２１、第二絶縁層２２、及び絶縁層２３）も、ガラス繊維等で形成された芯材を含んでいてもよい。第一絶縁層２１、第二絶縁層２２、絶縁層２３、及び絶縁層３２、さらに、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子によって形成される無機フィラーを含んでいてもよい。

【0020】

第一導体層１１、第二導体層１２、導体層１３、導体層３１、接続導体４、及び接続導体３３は、たとえば銅又はニッケル等の任意の金属を用いて形成されている。導体層３１は、金属箔３１Ａ、金属膜３１Ｂ、及びめっき膜３１Ｃを含んでいる。図１に示される例では、接続導体３３は導体層３１と一体的に形成されている。第一導体層１１、第二導体層１２、導体層１３、及び接続導体４は、それぞれ、金属膜１０Ｂ及びめっき膜１０Ｃを含んでいる。接続導体４は、第一導体層１１、第二導体層１２、又は導体層１３と一体的に形成されている。めっき膜３１Ｃ及びめっき膜１０Ｃは例えば電解めっき膜である。金属膜３１Ｂ及び金属膜１０Ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜である。金属膜３１Ｂ及び金属膜１０Ｂはそれぞれ、めっき膜３１Ｃ及びめっき膜１０Ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。

【0021】

第二絶縁層２２及び第二導体層１２の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。コア基板３の第二面３Ｂ側の表層の絶縁層２３及び導体層１３の上にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、第二導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６Ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成されている。

【0022】

第一導体層１１、第二導体層１２、２つの導体層１３、及び２つの導体層３１は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第一導体層１１は、導体パッド１Ａ、配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃを含んでいる。

【0023】

導体パッド１Ａは、第二絶縁層２２を貫通する接続導体４と接している。すなわち、導体パッド１Ａの上に接続導体４が形成されている。導体パッド１Ａは、第二絶縁層２２を貫通する接続導体４に対する、所謂受けパッドである。そのため、導体パッド１Ａの第二絶縁層２２側の表面の一部は、第二絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている。換言すると、導体パッド１Ａの第二絶縁層２２側の表面の一部は、第二絶縁層２２を貫通する接続導体４の底面に対向している。図１に示される例では、第一絶縁層２１を貫通する接続導体４と第二絶縁層２２を貫通する接続導体４とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体が形成されている。導体パッド１Ａは、第一絶縁層２１を貫通する接続導体４（ビア導体）の所謂ビアパッドとして設けられている。

【0024】

配線パターン１Ｂは、第一絶縁層２１を向く面以外の面を第二絶縁層２２に覆われている。配線パターン１Ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する配線パターンである。配線パターン１Ｂは、例えば電気信号の所定の送信元と送信先とを単独で又は他の導体パターンと連携して接続していてもよい。配線パターン１Ｂは、電力の所定の給電元と給電先とを接続していてもよい。配線パターン１Ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよい。

【0025】

図１には、２つの配線パターン１Ｂが現れている。これら２つの配線パターン１Ｂは、図２に示されるように、第一導体層１１内の２つの導体パッド１Ｄどうしを接続している。なお、図２に示される導体パッド１Ａ、１Ｄにおいて二点鎖線で囲まれている部分１Ａ２、１Ｄ２は、導体パッド１Ａ、１Ｄそれぞれの表面のうちで第二絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている部分である。部分１Ａ２は、導体パッド１Ａにおける接続導体４に覆われている表面１Ａ２でもある。

【0026】

図１及び図２に示される例では、第一導体層１１はさらに、導体パターン１Ｃを含んでいる。導体パターン１Ｃは、第一絶縁層２１の上において、導体パッド１Ａ及び配線パターン１Ｂが形成されていない領域の一部に広がっている。導体パターン１Ｃは、所謂ベタパターンであってもよい。導体パターン１Ｃは、例えば、グランド電位又は特定の電源の電位が印加されるグランドプレーン、又は電源プレーンとして用いられる。

【0027】

図３には、図１のＩＩＩ部が拡大して示されている。図４には図３のＩＶ部がさらに拡大して示されている。図３及び図４に示されるように、第一導体層１１の表面には、被覆膜５が形成されている。すなわち、配線基板１００は、第一導体層１１と第二絶縁層２２との間の被覆膜５を備えている。なお「第一導体層１１の表面」は、第一導体層１１の表面のうちの第二絶縁層２２と向かい合っている領域である。

【0028】

なお、被覆膜５は、第一導体層１１における第二絶縁層２２と向かい合う表面の一部だけに形成されていてもよい。

【0029】

被覆膜５は、第一導体層１１と第二絶縁層２２との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、第二絶縁層２２を構成する樹脂などの有機材料、及び第一導体層１１を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、第一導体層１１の上に第二絶縁層２２が直接形成される場合と比べて、第一導体層１１と第二絶縁層２２との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。被覆膜５により、第一導体層１１と第二絶縁層２２とが、第一導体層１１の上に第二絶縁層２２が直接形成される場合と比較して、高い強度で密着する。

【0030】

図３に示されるように、本実施形態では、第一導体層１１の配線パターン１Ｂにおいて第二絶縁層２２と向かい合う表面１Ｂ１は、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて配線パターン１Ｂと第二絶縁層２２との密着性が高められている。従って、配線パターン１Ｂからの第二絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は、本開示の技術の「配線パターンの上面」の一例である。

【0031】

図３に示される例では、導体パッド１Ａにおける第二絶縁層２２と向かい合う表面１Ａ１及び平板状の導体パターン１Ｃにおける第二絶縁層２２と向かい合う表面１Ｃ１それぞれも、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて導体パッド１Ａ及び導体パターン１Ｃそれぞれと第二絶縁層２２との密着性が高められている。従って、導体パッド１Ａ及び導体パターン１Ｃそれぞれからの第二絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。導体パッド１Ａの表面１Ａ１は、本開示の技術の「導体パッドの上面」の一例である。

【0032】

図３に示されるように、第一導体層１１の各導体パターン（導体パッド１Ａ、配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃ）は、第一絶縁層２１と接していない表面に、互いに程度の異なる凹凸を有している。換言すると、第一導体層１１は、第二絶縁層２２と向かい合う表面（表面１Ａ１、表面１Ｂ１、及び表面１Ｃ１）及び接続導体４に覆われる表面１Ａ２において互いに面粗度の異なる複数の領域を有している。

【0033】

本実施形態では、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１、及び導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１は、後述されるように、研磨によって平坦化されている。これに対し、導体パッド１Ａの表面１Ａ１は、研磨後に例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。したがって、第一導体層１１では、導体パッド１Ａの表面１Ａ１上の凹凸の高低差は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１上の凹凸の高低差よりも大きい。以下、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の面粗度は「第一面粗度」、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の面粗度は「第二面粗度」、導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１の面粗度は「第三面粗度」と称される。これらの面粗度は、たとえば、ＩＳＯ ２５１７８に規定される面粗さとして数値化可能である。面粗度を示すパラメータとしては、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）を用いることが可能である。

【0034】

本実施形態の配線基板１００では、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の面粗度（第一面粗度）は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の面粗度（第二面粗度）よりも高い。そのため、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。具体的には、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第一面粗度を有する導体パッド１Ａの表面１Ａ１の凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。

【0035】

詳述すると、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために第二絶縁層２２に設けられた貫通孔４Ａの内壁が、各種の処理溶液やめっき液になどに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４Ａの内壁から導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面に侵入し、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との剥離を引き起こすことがある。しかし、本実施形態では、そのような剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い面粗度を有する導体パッド１Ａの表面１Ａ１の凹凸によって防がれる。

【0036】

一方、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は研磨によって平坦化されている。配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の面粗度（第二面粗度）は、導体パッド１Ａの表面１Ａ１が有する面粗度（第一面粗度）よりも低い。一例として、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下である。例えば粗化された表面を有する配線パターンでは、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響を受けて実質的なインピーダンスが増加して伝送特性が低下することがある。また、例えば配線幅が１０μｍ以下で、且つ配線間隔が１０μｍ以下であるような微細な配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の形状が得られないことがある。しかし本実施形態では、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は研磨によって平坦化されており、研磨されない場合と比較して低い面粗度を有している。このため、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１が高い面粗度を有することに起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。一例として、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１５μｍ以下であれば、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１５μｍ超である場合と比較して、高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。また、一例として、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上であれば、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ未満である場合と比較して、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１を過度に研磨する必要がないと考えられる。

【0037】

そして配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は、配線パターン１Ｂと第二絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５に覆われている。このように、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１が被覆膜５に覆われていることにより、配線パターン１Ｂと第二絶縁層２２との間の剥離が生じ難いと考えられる。

【0038】

このように、配線基板１００では、配線パターン１Ｂにおいて良好な伝送特性及び第二絶縁層２２との十分な密着性が得られ、しかも、接続導体４と接する導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との剥離などによる品質劣化が抑制される。

【0039】

配線パターン１Ｂにおける高周波伝送特性を良好にし、且つ、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への液体の浸入を防止するためには、導体パッド１Ａの表面１Ａ１と配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１との面粗度の差は大きい方が好ましいと考えられる。例えば、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の面粗度（第一面粗度）は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の面粗度（第二面粗度）よりも１００％以上高い。その場合、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への液体の浸入を略確実に防ぎながら、配線パターン１Ｂにおいて、数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性が得られると考えられる。

【0040】

第一面粗度は、第二面粗度の２００％以上、１２００％以下であってもよい。その場合、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の粗化工程が過剰な時間を必要とせず、また、粗化工程中の第一絶縁層２１などへのダメージも少ないと考えられる。

【0041】

導体パッド１Ａの表面１Ａ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。また、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下である。すなわち、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上１２倍以下である。

【0042】

図３に示される例では、導体パッド１Ａの表面１Ａ１を覆う被覆膜５において第二絶縁層２２と向かい合う表面は、表面１Ａ１の凹凸に基づく起伏を有している。被覆膜５の表面が平坦な場合と比べて、被覆膜５と第二絶縁層２２との接触面積が増大していると考えられる。被覆膜５による密着性向上作用に加えて、接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。

【0043】

一方、導体パッド１Ａにおいて接続導体４が接触している表面１Ａ２と接続導体４との間には被覆膜５は介在していない。すなわち、導体パッド１Ａと接続導体４とが直接接している。例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、導体パッド１Ａを構成する銅などの金属と接続導体４を構成する銅などの金属とが導体パッド１Ａと接続導体４との界面において接触している。従って、導体パッド１Ａと接続導体４との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。

【0044】

図３に示される例では、導体パターン１Ｃにおいて第二絶縁層２２と向かい合う表面１Ｃ１は、研磨により平坦化されている。導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１は、導体パッド１Ａの表面１Ａ１が有する第一面粗度よりも低い面粗度（第三面粗度）を有している。

【0045】

図３に示される導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１の面粗度（第二面粗度）と略同じ（±１０％以内の）面粗度（第三面粗度）を有している。従って、導体パターン１Ｃにおいても、良好な高周波伝送特性が得られると考えられる。また、導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１は、前述したように被覆膜５に覆われている。被覆膜５によって密着性を高められている導体パターン１Ｃと第二絶縁層２２との間の界面剥離は生じ難いと考えられる。

【0046】

配線基板１００では、図４に示されるように、導体パッド１Ａにおいて接続導体４に覆われている表面１Ａ２は、導体パッド１Ａの表面１Ａ１が有する第一面粗度よりも低い面粗度を有している。以下、表面１Ａ２の面粗度は「第四面粗度」と称される。第四面粗度は、図３に示される配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１が有する面粗度（第二面粗度）よりも高い。

【0047】

具体的には、導体パッド１Ａの表面１Ａ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。これに対し、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために第二絶縁層２２に貫通孔４Ａを形成する場合に、導体パッド１Ａの表面１Ａ２は、面粗度が低くなることがある。たとえば、導体パッド１Ａの表面１Ａ２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である。

【0048】

表面１Ａ２は、第二絶縁層２２と接しておらず、また、表皮効果によって電流の集中が生じる「伝送路の表面」でもない。従って、表面１Ａ２には、大きな凹凸及び平坦性のいずれも特に求められない。このため、図３及び図４に示されるように、導体パッド１Ａの表面１Ａ２は、導体パッド１Ａの表面１Ａ１が有する第一面粗度と配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１が有する第二面粗度との間の任意の面粗度（第四面粗度）を有し得る。

【0049】

図５には、第二実施形態の配線基板２００が示されている。図５は、図１のＩＩＩ部に相当する部分の拡大図である。第二実施形態において、第一実施形態と同様の要素、部材等については第一実施形態と同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

【0050】

第二実施形態では、被覆膜５は、第一絶縁層２１の表面も覆っている。詳細には、被覆膜５は、導体パッド１Ａの表面１Ａ１、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１及び導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１に加えて、第一導体層１１に覆われていない第一絶縁層２１の表面２１Ａも覆っている。被覆膜５は、このように第一絶縁層２１の露出面を覆っていてもよい。

【0051】

また、第一実施形態及び第二実施形態において、被覆膜５は、第一絶縁層２１全体にわたってその露出面の全面を覆っていてもよい。被覆膜５は、第一導体層１１の露出面の全面、及び、第一導体層１１における第二絶縁層２２と向かい合う表面の全面を覆っていてもよい。その場合、第一絶縁層２１上に被覆膜５の端面が存在しないので、例えば端面を起点とする被覆膜５の剥離が生じ難いと考えられる。また、導体パッド１Ａにおける第二絶縁層２２と向かい合う表面１Ａ１は、被覆膜５に覆われていてもよく、覆われていなくてもよい。また、導体パターン１Ｃの表面１Ｃ１も、被覆膜５に覆われていてもよく、覆われていなくてもよい。

【0052】

次に、本開示の技術の配線基板の製造方法を、図１に示される第一実施形態の配線基板１００を例に用い、図６Ａ～図６Ｎを参照しつつ説明する。

【0053】

図６Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１Ａと、を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が準備される。この出発基板に、例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザ光の照射がなされ、接続導体３３の形成位置に貫通孔が形成される。貫通孔内及び金属箔３１Ａ上には、無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜３１Ｂが形成される。そして金属膜３１Ｂを給電層として用いる電解めっきによって、めっき膜３１Ｃが形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及び２層構造の接続導体３３が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって、導体層３１及び接続導体３３を備えるコア基板３が得られる。

【0054】

次に、図６Ｂにも示されるように、第一絶縁層２１が、コア基板３の導体層３１を覆うように第一面３Ａ（図１参照）上に形成される。さらに、絶縁層２３が、コア基板３の第二面３Ｂ上に形成される（図１参照）。第一絶縁層２１及び絶縁層２３の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、ラミネート加工によってコア基板３上へ積層され、加熱及び加圧される。その結果、第一絶縁層２１及び絶縁層２３が形成される。第一絶縁層２１及び絶縁層２３は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。

【0055】

次に、図６Ｃに示されるように、第一絶縁層２１には、接続導体４を形成するための貫通孔４Ａが、例えば炭酸ガスレーザ光の照射などによって形成される。また、絶縁層２３にも、接続導体４を形成するための貫通孔４Ａが、例えば炭酸ガスレーザ光の照射などによって形成される。貫通孔４Ａを形成する際に生じた残渣は、アルカリ性過マンガン酸溶液を用いた湿式デスミア処理、又は、プラズマ等の気体を用いたドライデスミア等によって除去される。

【0056】

次に、図６Ｄに示されるように、第一絶縁層２１上及び貫通孔４Ａ内に、金属膜１０Ｂが形成される。金属膜１０Ｂは、例えば、銅ニッケル合金等により、スパッタリング法等によって形成される。金属膜１０Ｂは、配線基板の製造方法において、電解めっきを行う際のシード層として作用する。

【0057】

次に、図６Ｅに示されるように、金属膜１０Ｂの上に、レジスト膜Ｒ１が形成される。レジスト膜Ｒ１には、露光及び現像などのフォトリソグラフィ技術を用いて、導体パッド１Ａ、配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃを形成する部分に開口Ｒ１Ａが設けられている。また、レジスト膜Ｒ１は、前述した第一導体層１１の形成に用いられるめっきレジスト（図示せず）と同様の材料で形成されてもよい。本実施形態では、レジスト膜Ｒ１の厚みは、一例として７μｍ以上２５μｍ以下である。

【0058】

そして、図６Ｆに示されるように、金属膜１０Ｂを給電層として用いる電解めっきによって、レジスト膜Ｒ１の開口内にめっき膜１０Ｃが形成される。その結果、金属膜１０Ｂ及びめっき膜層１０Ｃを含む第一導体層１１及び導体層１３（図１参照）がそれぞれ形成される。また、貫通孔４Ａ内には、金属膜１０Ｂ及びめっき膜層１０Ｃを含む接続導体４が形成される。この段階では、めっき膜１０Ｃの上面が、レジスト膜Ｒ１の上面よりも上側に湾曲した形状で膨出するようにめっきする。

【0059】

次に、図６Ｇに示されるように、めっき膜層１０Ｃの上部が研磨される。研磨により、めっき膜層１０Ｃの上面は、レジスト膜Ｒ１の上面と同一面に位置する。そして、研磨により、めっき膜１０Ｃの上面は平坦化される。研磨により、レジスト膜Ｒ１の上部が研磨されてもよい。一例として図７に示されるように、めっき膜層１０Ｃの厚みＴ１は、７μｍとなり得る。本実施形態におけるめっき膜１０Ｃの厚みは、たとえば、めっき膜１０Ｃを形成する際にレジスト膜Ｒ１の厚みよりも薄くめっきした場合と比較して、厚い。めっき膜１０Ｃの厚みが確保されていることで、めっき膜１０Ｃにより形成される配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃ（図１参照）では、電流の流れ方向と直交する断面積が広くなり、電気抵抗が低減され得る。めっき膜１０Ｃの厚みＴ１は、一例として、７μｍ以上であれば、７μｍ未満の場合と比較して、電気抵抗を低減させる効果が高いと考えられる。また、めっき膜層１０Ｃの厚みＴ１は、一例として、２０μｍ以下であれば、２０μｍ超の場合と比較して、めっき膜１０Ｃの形成が容易である。

【0060】

このように、研磨により平坦化されためっき膜１０Ｃの上面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、一例として、０．０３μｍ以上０．１μｍ以下となっている。研磨の方法は特に制限されないが、一例として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)を挙げることができる。

【0061】

次に、図６Ｈに示されるように、レジスト膜Ｒ１が、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去される。その後、金属膜１０Ｂにおいてめっき膜１０Ｃに覆われずに露出している部分がエッチングなどによって除去される。この段階で、コア基板３の第一面３Ａ側には、導体パッド１Ａ、配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃを有する第一導体層１１が形成されている。

【0062】

めっき膜１０Ｃが平坦化されることなくレジスト膜Ｒ１が除去された場合は、図７に二点鎖線で示されるように、めっき膜１０Ｃの上面が上側に湾曲した形状となっている。すなわち、めっき膜１０Ｃの上部が研磨によって上部が平坦化されていることは、めっき膜１０Ｃを視認することにより確認可能である。

【0063】

なお、コア基板３の第二面３Ｂ側には導体層１３が形成される。第一絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれには接続導体４が形成される。

【0064】

第一導体層１１、導体層１３、及び接続導体４は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、貫通孔４Ａ内、並びに、第一絶縁層２１及び絶縁層２３の表面上に、例えば無電解めっき又はスパッタリングによって金属膜１０Ｂが形成される。

【0065】

次に、図６Ｉに示されるように、配線パターン１Ｂ及び導体パターン１Ｃを覆うレジスト膜Ｒ２が形成される。レジスト膜Ｒ２は、導体パッド１Ａは覆わない形状である。このため、導体パッド１Ａにおいて下面以外は露出している。そして、導体パッド１Ａに対し粗化処理を行う。この粗化処理により、導体パッド１Ａにおける露出面は粗化される。これに対し、配線パターン１Ｂ及び導体パターン１Ｃは粗化されない。

【0066】

導体パッド１Ａの露出面の粗化は任意の方法で行われ得る。例えば、黒化処理又はブラウン処理と呼ばれる表面酸化処理や、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理によって、導体パッド１Ａの露出面、すなわち導体パッド１Ａにおいて下面以外の部分が粗化される。

【0067】

導体パッド１Ａの表面１Ａ１は、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１が有する面粗度（第二面粗度）よりも高い面粗度を有するように粗化される。導体パッド１Ａの表面１Ａ１は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。その後、レジスト膜Ｒ２は除去される。

【0068】

次に、図６Ｊに示されるように、第一絶縁層２１の露出面及び第一導体層１１の露出面に被覆膜５が設けられる。具体的には、第一導体層１１の露出面とは、導体パッド１Ａの露出面、配線パターン１Ｂの露出面、及び導体パターン１Ｃの露出面を含む。また、第一絶縁層２１の露出面とは、第一絶縁層２１において、第一導体層１１が設けられていない部分である。すなわち、被覆膜５は、導体パッド１Ａの露出面、配線パターン１Ｂの露出面、及び導体パターン１Ｃの露出面を含む、第一導体層１１の露出面の全部に設けられる。なお、本実施形態において被覆膜５は、後述されるように第一導体層１１の露出面の一部、及び第一絶縁層２１の露出面の一部に設けられてもよい。

【0069】

被覆膜５は、第一導体層１１と、後工程で形成される第二絶縁層２２（図６Ｋ参照）との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への第一導体層１１の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成される。しかし、被覆膜５の形成方法は任意であり、被覆膜５を構成する材料への浸漬や、そのような材料の噴霧に限定されない。

【0070】

次に、図６Ｋに示されるように、さらに、第一導体層１１を覆う第二絶縁層２２が、被覆膜５の上に形成される。第二絶縁層２２は、被覆膜５も覆っている。第二絶縁層２２の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、ラミネート加工によって第一導体層１１の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、第二絶縁層２２が形成される。第二絶縁層２２は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。

【0071】

さらに、コア基板３の第二面３Ｂ側には、絶縁層２３（図１参照）が形成される。

【0072】

次に、図６Ｌに示されるように、第二絶縁層２２及び絶縁層２３には、後工程で第二絶縁層２２に接続導体４を形成するための貫通孔４Ａが、例えば炭酸ガスレーザ光の照射などによって形成される。第二絶縁層２２における貫通孔４Ａは、導体パッド１Ａ上の領域に形成される。貫通孔４Ａは導体パッド１Ａの表面の一部（表面１Ａ２）に達する。貫通孔４Ａによって導体パッド１Ａの表面の一部（表面１Ａ２）が露出する。また、絶縁層２３にも、後工程で絶縁層２３に接続導体４（図１参照）を形成するための貫通孔が形成される。

【0073】

図６Ｌに示される例では、貫通孔４Ａ内に露出する導体パッド１Ａの表面１Ａ２上に形成されていた被覆膜５が、貫通孔４Ａの形成によって除去されている。表面１Ａ２上に形成されていた被覆膜５は、例えば、貫通孔４Ａの形成時のレーザ光の照射を受けて、溶解及び気化するか、又は昇華する。その結果、表面１Ａ２上に形成されていた被覆膜５が除去され得る。表面１Ａ２から被覆膜５を除去することによって、後工程で導体パッド１Ａ上に形成される接続導体４と導体パッド１Ａとを、金属同士で強固に、且つ小さな電気抵抗で接合させることができる。

【0074】

被覆膜５の除去時の被覆膜５の溶解液による導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への浸透が、粗化されている導体パッド１Ａの表面１Ａ１の凹凸によって妨げられる。また、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面剥離が防止されるとも考えられる。

【0075】

また、貫通孔４Ａの形成時のレーザ光の照射によって、導体パッド１Ａの表面１Ａ２の凹凸の凸部の高さが、貫通孔４Ａの形成前と比べて低くなっている。例えば、貫通孔４Ａの形成時のレーザ光の照射によって、表面１Ａ２の凹凸の凸部が丸められるか、又は溶解している。その結果、表面１Ａ２の面粗度が、貫通孔４Ａの形成前と比べて低下している。表面１Ａ２は、導体パッド１Ａの表面のうちの、後述する接続導体４に接続される部分である。

【0076】

貫通孔４Ａの形成後、好ましくは、貫通孔４Ａの形成によって生じた樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔４Ａの内壁を晒すことによって貫通孔４Ａ内のスミアが除去される。

【0077】

このデスミア処理のための処理液が導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面へ浸入することは、導体パッド１Ａの粗化された表面１Ａ１の凹凸によって妨げられる。処理液による表面１Ａ１上の被覆膜５の溶解や、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

【0078】

貫通孔４Ａは、導体パッド１Ａの上面に対応する位置に形成される。導体パッド１Ａの上面において、貫通孔４Ａが形成された表面１Ａ２は、貫通孔４Ａが形成されていない表面１Ａ１よりも平滑化され、低い面粗度となる。貫通孔４Ａが形成された表面１Ａ２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、一例として、０．１μｍ以上０．３μｍ以下である。

【0079】

次に、図６Ｍに示されるように、第二絶縁層２２の貫通孔４Ａ及び第二絶縁層２２の上面の全面に第二導体層１２の金属膜１０Ｂが形成される。

【0080】

次に、図６Ｎに示されるように、第二絶縁層２２の貫通孔４Ａに接続導体４を形成する。この接続導体４は、第二絶縁層２２を貫通して導体パッド１Ａと第二導体層１２とを接続する。なお、図６Ｍ及び図６Ｎでは図示を省略しているが、第二絶縁層２２の上面には、第二導体層１２の形状に対応した開口部を有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜は、第二導体層１２の形成後に除去される。

【0081】

第二導体層１２は、例えば、前述した第一導体層１１の形成方法と同様の方法、例えばセミアディティブ法によって形成される。第二導体層１２の上面は、第一導体層１１の上面、すなわちめっき層膜１０Ｃの上部と同様に研磨されてもよい。第二絶縁層２２を貫通する接続導体４は、例えば、前述した第一絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法、例えばセミアディティブ法によって形成される。コア基板３の第二面３Ｂ側にさらに形成される導体層１３及び接続導体４は、例えばセミアディティブ法によって形成される。

【0082】

次に、第二絶縁層２２の露出部分及び第二導体層１２の露出部分を覆うように、ソルダーレジスト６（図１参照）が形成される。ソルダーレジスト６には第二導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６Ａが設けられる。ソルダーレジスト６及び開口６Ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像と、によって形成される。

【0083】

セミアディティブ法による第二絶縁層２２への接続導体４の形成では、貫通孔４Ａ内に例えば無電解めっきによって金属膜１０Ｂが形成され、さらに電解めっきによってめっき膜１０Ｃが形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、金属膜１０Ｂの形成時の導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面へのめっき液の浸入が、導体パッド１Ａの粗化された表面１Ａ１の凹凸によって妨げられる。表面１Ａ１上の被覆膜５のめっき液による溶解や、溶解に伴う界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

【0084】

以上の工程を経る事によって、図１に示される例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト６の開口６Ａ内に露出する第二導体層１２又は導体層１３の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0085】

なお、本開示の各実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第二絶縁層２２の形成（図６Ｋ参照）の前に、導体パッド１Ａを覆っている被覆膜５を除去することを含んでいてもよい。第二絶縁層２２の形成の前に導体パッド１Ａ上の被覆膜５を除去することによって、貫通孔４Ａ（図６Ｌ参照）の形成時における被覆膜５の溶解液による導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への浸入を防ぐことができる。

【0086】

被覆膜５の除去に用いるレーザ光としては、炭酸ガスレーザ光、ＹＡＧレーザ光などが例示されるが、これらに限定されない。また、導体パッド１Ａ上の被覆膜５を除去する方法はレーザ光の照射に限定されず、例えばプラズマ処理でもよい。なお、導体パッド１Ａ上の被覆膜５が除去される際には、導体パッド１Ａ以外の第一導体層１１の導体パターン（配線パターン１Ｂ及び導体パターン１Ｃ）を覆うレジスト膜が設けられてもよい。

【0087】

本実施形態の配線基板の製造方法によれば、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は研磨により平坦化され、導体パッド１Ａの表面は粗化される。そのため、導体パッド１Ａに接する接続導体４の形成用の貫通孔４Ａの内壁から導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面への各種の液体の浸入が、導体パッド１Ａの表面の凹凸によって防がれる。従って、導体パッド１Ａと第二絶縁層２２との界面剥離が防がれることがある。一方、配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１は平坦化されており、良好な高周波伝送特性などを有し得る。配線パターン１Ｂの表面１Ｂ１には、第一導体層１１と第二絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５が形成される。従って、配線パターン１Ｂでは、例えば、良好な高周波伝送特性と共に、第二絶縁層２２との間の十分な密着性が得られる。このように本実施形態の配線基板の製造方法によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【0088】

本開示の技術の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第一導体層１１は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。第一導体層１１は、電解めっき膜で構成されためっき膜１０Ｃを含まなくてもよく、例えば無電解めっき膜で構成された金属膜１０Ｂだけを含んでいてもよい。また、配線基板に含まれる複数の導体層の全部又は一部の複数の導体層が、第一導体層１１に含まれているような導体パッド１Ａ、配線パターン１Ｂ、及び導体パターン１Ｃを含んでいてもよい。また、導体パッド１Ａは、第一導体層１１の下層の絶縁層（配線基板１００における第一絶縁層２１）を貫通する接続導体のビアパッドでなくてもよい。

【0089】

本開示の技術の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第一導体層１１及び第二導体層１２はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また、第一絶縁層２１及び第二絶縁層２２は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。また、第二絶縁層２２以外の絶縁層には、接続導体が形成されなくてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0090】

１１ 第一導体層
１Ａ 導体パッド
１Ａ１ 表面（導体パッドの表面、第二絶縁層に覆われている部分）
１Ａ２ 表面（導体パッドの表面、接続導体が接触している部分）
１Ｂ 配線パターン
１Ｂ１ 表面（配線パターンの上面）
１Ｃ 導体パターン
３ コア基板
３Ａ 第一面
３Ｂ 第二面
４ 接続導体
４Ａ 貫通孔
５ 被覆膜
６ ソルダーレジスト
６Ａ 開口
１０Ｂ 金属膜
１０Ｃ めっき膜
１２ 第二導体層
１３ 導体層
２１ 第一絶縁層
２１Ａ 表面
２２ 第二絶縁層
２３ 絶縁層
３１ 導体層
３１Ａ 金属箔
３１Ｂ 金属膜
３１Ｃ めっき膜
３２ 絶縁層
３２Ａ 芯材
３３ 接続導体
１００ 配線基板
２００ 配線基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】

【図6J】

【図6K】

【図6L】

【図6M】

【図6N】

【図7】