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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023181003
(43)【公開日】2023-12-21
(54)【発明の名称】電子回路
(51)【国際特許分類】
H01Q 1/52 20060101AFI20231214BHJP
H01Q 21/28 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
H01Q1/52
H01Q21/28
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022094722
(22)【出願日】2022-06-10
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317015294
【氏名又は名称】東芝エネルギーシステムズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100118876
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 順生
(72)【発明者】
【氏名】佐野 誠
【テーマコード（参考）】
5J021
5J046
【Ｆターム（参考）】
5J021AA02
5J021AA11
5J021AA13
5J021AB02
5J021AB03
5J021AB05
5J021AB06
5J021HA10
5J021JA03
5J046AA03
5J046AB06
5J046AB07
5J046AB08
5J046AB13
5J046UA02
(57)【要約】
【課題】少ない回路素子数で放射素子間の電磁界結合を低減可能にする電子回路を提供する。
【解決手段】本実施形態の電子回路は、第１放射素子と、第２放射素子と、前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】本実施形態の電子回路は、第１放射素子と、第２放射素子と、前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１放射素子と、
第２放射素子と、
前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、
前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、
を備えた電子回路。
第２放射素子と、
前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、
前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、
を備えた電子回路。
【請求項2】
前記第１回路素子のリアクタンスまたはサセプタンス、および前記第２回路素子のリアクタンスまたはサセプタンスは、
前記いずれか一方の放射素子から前記他方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記第１回路素子の前記第２端から前記第２回路素子を介して前記他方の放射素子の前記一端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺され、
前記他方の放射素子から前記一方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記他方の放射素子の前記一端から前記第２回路素子を介して前記第１回路素子の前記第２端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される値にそれぞれ設定されている、
請求項１に記載の電子回路。
前記いずれか一方の放射素子から前記他方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記第１回路素子の前記第２端から前記第２回路素子を介して前記他方の放射素子の前記一端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺され、
前記他方の放射素子から前記一方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記他方の放射素子の前記一端から前記第２回路素子を介して前記第１回路素子の前記第２端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される値にそれぞれ設定されている、
請求項１に記載の電子回路。
【請求項3】
前記第１回路素子および前記第２回路素子のそれぞれは、コイル、キャパシタ、コイルとキャパシタとの直列接続、または、コイルとキャパシタとの並列接続を含む
請求項１に記載の電子回路。
請求項１に記載の電子回路。
【請求項4】
前記第１回路素子および前記第２回路素子はチップ部品である
請求項１に記載の電子回路。
請求項１に記載の電子回路。
【請求項5】
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
【請求項6】
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続された
請求項５に記載の電子回路。
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続された
請求項５に記載の電子回路。
【請求項7】
前記第１整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
請求項５に記載の電子回路。
請求項５に記載の電子回路。
【請求項8】
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
【請求項9】
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は基準電圧に接続された
請求項８に記載の電子回路。
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は基準電圧に接続された
請求項８に記載の電子回路。
【請求項10】
前記第２整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
請求項８に記載の電子回路。
請求項８に記載の電子回路。
【請求項11】
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路と
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路と
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路と
をさらに備えた請求項１に記載の電子回路。
【請求項12】
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続され、
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は前記基準電圧に接続された
請求項１１に記載の電子回路。
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続され、
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は前記基準電圧に接続された
請求項１１に記載の電子回路。
【請求項13】
前記第１整合回路および前記第２整合回路のそれぞれは１つ以上のチップ部品を含む
請求項１１に記載の電子回路。
請求項１１に記載の電子回路。
【請求項14】
前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに接続された無線回路をさらに備えた
請求項１に記載の電子回路。
請求項１に記載の電子回路。
【請求項15】
前記無線回路を前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに選択的に接続するスイッチをさらに備えた
請求項１４に記載の電子回路。
請求項１４に記載の電子回路。
【請求項16】
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して測定対象物に測定信号を送信し、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して前記測定対象物からの反射信号を受信することにより、前記測定対象物のセンシングを行う
請求項１４に記載の電子回路。
請求項１４に記載の電子回路。
【請求項17】
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して無線信号を送受信することにより、他の無線通信装置と無線通信を行う
請求項１４に記載の電子回路。
請求項１４に記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、電子回路に関する。
【背景技術】
【0002】
放射素子として複数のアンテナを備えた無線機器では、アンテナ間の電磁界結合が大きいとアンテナの動作利得が低減する問題がある。アンテナ間の結合を低減する減結合回路として、３個の回路素子を用いて２つのアンテナ間の電磁界結合を低減する構成が知られている。
【0003】
この構成では、３個の回路素子を調整する必要があるため、回路素子の調整に煩雑な作業が必要になる。例えば、回路素子としてチップ部品を用いる場合は、アンテナ間の電磁界結合を測定しながら、３個のチップ部品を入れ替える調整作業が必要になる。また製造コストが高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第５８７１６４７号公報
【特許文献2】国際公開２０１３／１７５９０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本実施形態は、少ない回路素子数で放射素子間の電磁界結合を低減可能にする電子回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本実施形態の電子回路は、第１放射素子と、第２放射素子と、前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係る電子回路である減結合回路の構成例を示す図。
【図2】リアクタンス素子およびサセプタンス素子の構成例を示す図。
【図3】リアクタンス素子およびサセプタンス素子の回路定数を決定する例を説明する図。
【図4】第１の実施形態に係る減結合回路の他の構成例を示す成図。
【図5】第１の実施形態に係る減結合回路のアンテナ間結合の周波数特性を示す図。
【図6】第１の実施形態に係る減結合回路のリアクタンス素子のリアクタンスを変化させたときのアンテナ間結合の周波数特性を示す図。
【図7】第１の実施形態に係る減結合回路のサセプタンス素子のサセプタンスを変化させたときのアンテナ間結合の周波数特性を示す図。
【図8】第１の実施形態に係る減結合回路により得られる効果を説明する図。
【図9】第２の実施形態に係る減結合回路の構成例を示す図。
【図10】第１整合回路の構成例を示す図。
【図11】第２の実施形態に係る減結合回路の他の構成例を示す図。
【図12】第２の実施形態に係る減結合回路のさらに他の構成例を示す図。
【図13】第３の実施形態に係る無線装置の構成例を示す図。
【図14】第３の実施形態に係る無線装置の他の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照しながら、本実施の形態について説明する。
【0009】
図１は、第１の実施形態に係る電子回路である減結合回路１００の構成を示す図である。
減結合回路１００は、２つの放射素子（アンテナ）１０１ａ、１０１ｂ間の電磁界結合（以下、結合と呼ぶ）を低減する技術に関する。
減結合回路１００は、２つの放射素子（アンテナ）１０１ａ、１０１ｂ間の電磁界結合（以下、結合と呼ぶ）を低減する技術に関する。
【0010】
減結合回路１００は、第１放射素子１０１ａ、第２放射素子１０１ｂ、回路素子１０２（第１回路素子）、回路素子１０３（第２回路素子）を備える。回路素子１０２は主にリアクタンスを回路定数（回路パラメータ）として調整する対象となる素子であり、リアクタンス素子１０２と記載することがある。回路素子１０３は主にサセプタンスを回路定数（回路パラメータ）として調整する対象となる素子であり、以下ではサセプタンス素子１０３と記載することがある。
【0011】
第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂは、無線信号である高周波信号を空間に電磁波として送信し、または空間から受信した電磁波を高周波信号として出力するアンテナである。
【0012】
第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの例として、ダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、逆Ｌアンテナ、逆Ｆアンテナ、パッチアンテナ、スロットアンテナ、ノッチアンテナ、誘電体共振器アンテナ等が挙げられる。高周波信号を送受信できればアンテナの種類は問わない。
【0013】
第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂは同じ構造のアンテナでもよいし、異なる構造のアンテナであってもよい。
【0014】
また、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂは、それぞれ単一の周波数で動作するアンテナでもよいし、複数の周波数帯で動作するアンテナでもよい。
【0015】
第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂは動作周波数帯で整合がとれていなくてもよい。第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂは、それぞれ単一の周波数で動作するアンテナでもよいし、複数の周波数帯で動作するアンテナでもよい。
【0016】
第１放射素子１０１ａと第２放射素子１０１ｂはそれぞれ同じ偏波の高周波信号を送受信するアンテナでもよいし、異なる偏波の高周波信号を送受信するアンテナでもよい。
【0017】
第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子の位置および向きは任意である。例えば、第１放射素子１０１ａと第２放射素子１０１ｂの放射指向性の相関係数が小さくなるように位置および向きを決定することで、通信品質等を向上させることができる。
【0018】
リアクタンス素子１０２の一端（第１端）は放射素子１０１ａの一端に接続されている。サセプタンス素子１０３の一端は、リアクタンス素子１０２の他端（第２端）に接続され、サセプタンス素子１０３の他端は、放射素子１０１ｂの一端に接続されている。サセプタンス素子１０３は、リアクタンス素子１０２の他端（第２端）及び放射素子１０１ｂの他端間に接続されている。
【0019】
リアクタンス素子１０２は、サセプタンス素子１０３およびリアクタンス素子１０２間の接続点１０４ａと、放射素子１０１ａとの間に位置する。リアクタンス素子１０２の他端は、無線回路（図１３および図１４参照）との間で信号が入出力されるポート１に接続されている。接続点１０４ａは、例えばリアクタンス素子１０２の他端をポート１に接続する配線におけるノードである。
【0020】
放射素子１０１ｂの一端は、無線回路との間で信号が入出力されるポート２に接続されている。放射素子１０１ｂおよびサセプタンス素子１０３間の接続点１０４ｂ（ノード）は、放射素子１０１ｂの他端とポート２との間に位置する。接続点１０４ｂは、例えば放射素子１０１ｂの一端をポート２に接続する配線におけるノードである。
【0021】
図２に、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３の構成例を示す。
図２（Ａ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタで構成してもよい。
図２（Ｂ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、キャパシタで構成してもよい。
図２（Ｃ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタとキャパシタを直列に接続したものとして構成してもよい。
図２（Ｄ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタとキャパシタを並列に接続したものとして構成してもよい。
図２（Ａ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタで構成してもよい。
図２（Ｂ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、キャパシタで構成してもよい。
図２（Ｃ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタとキャパシタを直列に接続したものとして構成してもよい。
図２（Ｄ）のように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、インダクタとキャパシタを並列に接続したものとして構成してもよい。
【0022】
リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３は、同じ構成でもよいし、異なる構成でもよい。例えば両方ともインダクタでもよいし、一方がインダクタで、他方がキャパシタでもよい。
【0023】
図１の減結合回路１００ではリアクタンス素子１０２のリアクタンス、サセプタンス素子１０３のサセプタンスを適切に調整されている。これによって、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの間の結合を低減させることが可能になっている。本実施形態では結合を低減させるために調整する必要のある回路素子が２つであるため、調整作業が容易である。
【0024】
また、図２（Ａ）または図２（Ｂ）のように、回路素子として、単一のインダクタまたはキャパシタを用いることで、リアクタンス素子１０２のリアクタンスおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスの調整作業が容易になる。また、製造コストを低減できる。
【0025】
また、図２（Ｃ）または図２（Ｄ）のように、回路素子として、インダクタとキャパシタを直列または並列に接続した構成を用いることで、複数の周波数帯で第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの間の結合を低減させることができる。
【0026】
【0027】
リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３がインダクタの場合、チップインダクタまたはリード型インダクタ等のチップ部品を用いてよい。また、基板の導体パターンをメアンダ状またはスパイラル状などにすることで、インダクタを構成してもよい。基板のビアを用いてインダクタを構成してもよい。また、スタブをインダクタとして用いてもよい。インダクタは、固定インダクタおよび可変インダクタのどちらでもよい。
【0028】
リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３がキャパシタの場合、チップキャパシタ、リード型のキャパシタ等のチップ部品を用いてよい。インターデジタルキャパシタ等のように基板上に形成した２本の導体パターンのギャップをキャパシタとして用いてもよい。基板の導体パターンと基材とで構成したＭＩＭ（metal-insulator-metal）キャパシタを用いてもよい。キャパシタは、固定キャパシタおよび可変キャパシタのどちらでもよい。バラクタダイオードを可変キャパシタとして用いてもよい。
【0029】
図３は、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの間の結合を低減させるためのリアクタンス素子１０２のリアクタンスおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスを決定する例を説明するための図である。以下、図３を参照しつつ、数式を用いてリアクタンス素子１０２のリアクタンスおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスを導出する例を示す。
【0030】
図３に示すように、リアクタンス素子１０２のリアクタンスをＸ、サセプタンス素子のサセプタンスをＢと表す。また、図３のｔ０面から見た第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂのインピーダンス行列を、以下の式（１）で表す。このインピーダンスは第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂのアンテナ特性を表す。
Ｚ１１は、第１放射素子１０１ａの入力インピーダンス、Ｚ２２は、第２放射素子１０１ｂの入力インピーダンスである。Ｚ２１およびＺ１２は、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の相互インピーダンスであり、同じ値である。Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１、Ｚ２２は複素数である。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２は実部、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ２１、Ｘ２２は虚部である。式（１）のインピーダンス行列は、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂに何も接続されていない場合を仮定したインピーダンス行列である。
【数1】
【0031】
第１放射素子１０１ａ、第２放射素子１０１ｂおよびリアクタンス素子１０２を含めたｔ１面から見たインピーダンス行列は、以下の式（２）で表される。Ｚ１１+ｊＸは、リアクタンス素子１０２を含めた第１放射素子１０１ａの入力インピーダンスである。Ｘは、リアクタンス素子１０２のリアクタンスである。
【数2】
【0032】
また、アドミタンス行列は以下の式（３）で表される。
【数3】
【0033】
サセプタンス素子１０３を含めたｔ２面から見たアドミタンス行列は、以下の式（４）で表される。式（４）のアドミタンス行列は、第１放射素子１０１ａ、第２放射素子１０１ｂ、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３の全部を含む全体の特性を表す。Ｂは、サセプタンス素子１０３のサセプタンスである。
の（１，２）成分である
がゼロのとき、ポート１から入力した高周波信号がポート２側に出力されなくなる。すなわち、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の結合がなくなる。
【数4】
【0034】
したがって、
から導かれる、以下の式（５）で示されるリアクタンスＸにリアクタンス素子１０２のリアクタンスを調整し、式（６）で示されるサセプタンスＢにサセプタンス素子１０３のサセプタンスを調整する。これにより、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の結合をなくすまたは低減ことができる。式（６）におけるＩｍは、カッコ内の複素数の虚部を表す。
は、複数の周波数ｆで実現可能であり、したがって、複数の周波数帯域、または広周波数帯域で第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の結合をなくす、または低減することができる。
【数5】
【数6】
【0035】
リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸ、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢは、必ずしも式（５）および式（６）で導出される値と等しい必要はない。式（５）および式（６）で導出される値と概ね近い値であれば、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の結合は十分に小さくなる。例えば回路のはんだの影響または配線の影響などにより、実際には式（５）および式（６）の値からずれた値の方が、放射素子間の結合を低減できる場合もあり得る。回路定数のＥ系列（標準数列）の中から、式（５）および式（６）に近い値を選んでもよい。回路定数の公差または製造誤差などによって、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸ、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢが、式（５）および（６）の値から離れても問題ない。
【0036】
サセプタンスとリアクタンスは逆数の関係にあるため、回路素子１０２（リアクタンス素子１０２）のリアクタンスの調整は、回路素子１０２のサセプタンスの調整と読み替えることもできる。同様に、回路素子１０３（サセプタンス素子１０３）のサセプタンスの調整は、回路素子１０３のリアクタンスの調整と読み替えることもできる。
【0037】
図４は、図１の減結合回路１００を変形した減結合回路１１０を示す図である。
減結合回路１１０では、リアクタンス素子１０２が第２放射素子１０１ｂと第２接続点１０４ｂとの間に接続されている。リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスＢがそれぞれ以下の式（７）および式（８）で示す値のときに、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの間の結合をゼロにすることができる。
減結合回路１１０では、リアクタンス素子１０２が第２放射素子１０１ｂと第２接続点１０４ｂとの間に接続されている。リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスＢがそれぞれ以下の式（７）および式（８）で示す値のときに、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂの間の結合をゼロにすることができる。
【数7】
【数8】
【0038】
図１の減結合回路１００の場合と同様、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸ、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢは、必ずしも式（７）および式（８）と等しい必要はない。式（７）および（８）と概ね近い値であれば、第１放射素子１０１ａおよび第２放射素子１０１ｂ間の結合を十分に小さくできる。
【0039】
図５は、図１の減結合回路１００におけるアンテナ間結合の周波数特性を示す実線のグラフＧ１と、図１の減結合回路１００からリアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３を除去した構成（比較例）におけるアンテナ間結合の周波数特性を示す破線のグラフＧ２とを示す。
【0040】
より詳細には、実線のグラフＧ１は、動作周波数帯域の中心周波数において、式（５）で与えられる値をリアクタンスＸとしてリアクタンス素子１０２に適用し、式（６）で与えられる値をサセプタンスＢとしてサセプタンス素子１０３に適用した場合の第１接続点１０４ａおよび第２接続点１０４ｂから見たアンテナ間結合を示している。破線のグラフＧ２は、リアクタンス素子１０２を接続せず第１放射素子１０１ａと第１接続点１０４ａの間を直結し、かつ、サセプタンス素子１０３を接続せず第１接続点１０４ａと第２接続点１０４ｂの間を開放した場合のアンテナ間結合を示す。
【0041】
グラフＧ２に示すように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３を接続しない場合は、中心周波数においてアンテナ間結合が大きく、－７ｄＢである。これに対して、グラフＧ１に示すように、リアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３を接続することで、アンテナ間結合を－４０ｄＢ以下に抑圧できる。
【0042】
図６は、図１の減結合回路１００において、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸを式（５）で与えられる値から変化させた場合のアンテナ間結合の周波数特性を説明する図である。サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢは式（６）で与えられる値を用いている。
【0043】
グラフ＿Ｘは、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸを式（５）で与えられる値にした場合の周波数特性を表す。グラフ＿０．５Ｘは、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸを式（５）で与えられる値の０．５倍とした場合の周波数特性を表す。グラフ＿２Ｘは、リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸを式（５）で与えられる値の２倍とした場合の周波数特性を表す。図６に示す通り、式（５）で与えられるリアクタンスＸの０．５倍、２倍の値を用いた場合でも、中心周波数におけるアンテナ間結合が－３２ｄＢ以下と小さい。
【0044】
図７は、図１の減結合回路１００において、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢを式（６）で与えられる値から変化させた場合のアンテナ間結合の周波数特性を説明する図である。リアクタンス素子１０２のリアクタンスＸは式（５）で与えられる値を用いている。
【0045】
グラフ＿Ｂは、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢを式（６）で与えられる値にした場合の周波数特性を表す。グラフ＿０．５Ｂは、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢを式（５）で与えられる値の０．５倍にした場合の周波数特性を表す。グラフ＿２Ｂは、サセプタンス素子１０３のサセプタンスＢを式（５）で与えられる値の２倍にした場合の周波数特性を表す。図７に示す通り、式（６）で与えられるサセプタンスＢの０．５倍、２倍の値を用いた場合でも、中心周波数におけるアンテナ間結合が－３２ｄＢ以下と小さい。
【0046】
図６および図７からも理解できるように、減結合回路１００のリアクタンス素子１０２のリアクタンスＸおよびサセプタンス素子１０３のサセプタンスＢは、必ずしも式（５）および（６）で与えられた値と同一である必要はない。式（５）および式（６）で与えられた値の０．５倍または２倍の値など、式（５）および式（６）で与えられる値から離れた値を用いても、アンテナ間結合を低減できる。
【0047】
図３の減結合回路１１０のリアクタンス素子１０２およびサセプタンス素子１０３についても同様であり、式（７）および式（８）で与えられたリアクタンスＸおよびサセプタンスＢのそれぞれの値と必ずしも同一である必要はない。式（７）および式（８）で与えられる値の０．５倍または２倍の値など、式（７）および式（８）で与えられる値から離れた値を用いてもアンテナ間結合を低減できる。
【0048】
図８は、本実施形態における第１放射素子１０１ａと第２放射素子１０１ｂ間の結合を低減する効果を説明する図である。前述した方法により決定された値が、リアクタンス素子１０２のリアクタンス、サセプタンス素子１０３のサセプタンスとして設定されている。
【0049】
これにより図８（Ａ）に示すように、第１放射素子１０１ａを用いてポート１から送信信号を送信する場合に、第１放射素子１０１ａから第２放射素子１０１ｂへ結合（電磁界結合）を介して入力される信号と、リアクタンス素子１０２（第１回路素子）の第２端からサセプタンス素子１０３（第２回路素子）を介して第２放射素子１０１ｂの一端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される。より詳細には両信号の振幅が等しくまたは振幅の差が許容範囲で、かつ位相差が逆相（１８０度）または許容範囲内のときに両信号が少なくとも部分的に相殺される。これにより第１放射素子１０１ａから第２放射素子１０１ｂへの結合が低減される。
【0050】
また図８（Ｂ）に示すように、第２放射素子１０１Ｂを用いてポート２から送信信号を送信する場合も同様に、第２放射素子１０１ｂから第１放射素子１０１ａへ結合を介して入力される信号と、第２放射素子１０１ｂの一端からサセプタンス素子１０３（第２回路素子）を介してリアクタンス素子１０２（第１回路素子）の第２端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される。より詳細には両信号の振幅が等しくまたは振幅の差が許容範囲で、かつ位相差が逆相（１８０度）または許容範囲内のときに両信号が少なくとも部分的に相殺される。これにより第２放射素子１０１Ｂから第１放射素子１０１ａへの結合が低減される。
【0051】
以上、本実施形態によれば、第１放射素子１０１ａと第２放射素子１０１ｂ間の結合を低減するために用いる回路素子が２個のみであり、２個の回路素子のリアクタンスおよびサセプタンスを上述した方法により設定する。これにより、減結合回路の構成を簡単にしつつ、第１放射素子１０１ａと第２放射素子１０１ｂ間の結合を低減することができる。よって、アンテナの動作利得の低減を抑制し、周波数特性を向上させることができる。また回路素子の構成としてチップ部品を用いる場合に、回路素子の回路定数（リアクタンスまたはサセプタンス等）の調整作業が容易になる。また、減結合回路の製造コストを低減させることができる。
【0052】
［第２の実施形態］
図９は、第２の実施形態に係る減結合回路２００の構成を示す図である。減結合回路２００は、減結合回路１００においてさらに第１整合回路２０５ａを備えている。第１整合回路２０５ａを備えることで、第１放射素子２０１ａからの反射を低減（抑圧）する。これにより、不整合による損失を低減できるため、通信品質などを向上させることができる。第１整合回路２０５ａは、例えば、１つ以上のチップ部品で構成することができる。
図９は、第２の実施形態に係る減結合回路２００の構成を示す図である。減結合回路２００は、減結合回路１００においてさらに第１整合回路２０５ａを備えている。第１整合回路２０５ａを備えることで、第１放射素子２０１ａからの反射を低減（抑圧）する。これにより、不整合による損失を低減できるため、通信品質などを向上させることができる。第１整合回路２０５ａは、例えば、１つ以上のチップ部品で構成することができる。
【0053】
図１０は第１整合回路２０５ａの具体例を示す。図１０（Ａ）のように、第１整合回路２０５ａは、例えば、サセプタンス素子２０６とリアクタンス素子２０７とを含むＬ型回路である。L型回路は第１接続点２０４ａとポート１との間に接続されている。リアクタンス素子２０７の一端は、第１接続点２０４aに接続され、リアクタンス素子２０７の他端はポート１に接続されている。サセプタンス素子２０６の一端は、リアクタンス素子２０７の第１接続点２０４a側の一端に接続されている。サセプタンス素子２０６の他端は基準電圧に接続されている。図１０（Ｂ）のように、図１０（Ａ）におけるサセプタンス素子２０６の一端を、リアクタンス素子２０７の他端に接続しもよい。リアクタンス素子２０７は、回路素子（第４回路素子または第６回路素子）によって構成され、サセプタンス素子２０６は、回路素子（第３回路素子または第５回路素子）によって構成される。リアクタンス素子２０７を構成する回路素子とサセプタンス素子２０６を構成する回路素子とは同じ構成の回路素子でも、異なる構成の回路素子でもよい。
【0054】
例えば、サセプタンス素子２０６およびリアクタンス素子２０７は、上述した図２（Ａ）のインダクタで構成してもよいし、図２（Ｂ）のキャパシタで構成してもよい。サセプタンス素子２０６およびリアクタンス素子２０７は、図２（Ｃ）のようにインダクタとキャパシタを直列に接続することにより構成してもよいし、図２（Ｄ）のように、インダクタとキャパシタを並列に接続することにより構成してもよい。リアクタンス素子２０７およびサセプタンス素子２０６がインダクタの場合、チップインダクタまたはリード型インダクタ等のチップ部品を用いてよいし、上述した基板を用いて形成する方法などで構成してもよい。リアクタンス素子２０７およびサセプタンス素子２０６がインダクタの場合、チップインダクタまたはリード型インダクタ等のチップ部品を用いてよいし、上述した基板を用いて形成する方法などで構成してもよい。サセプタンス素子２０６およびリアクタンス素子２０７の両方を含む１つのチップ部品を用いてもよい。
【0055】
また、図１０（Ａ）または図１０（Ｂ）の整合回路２０５ａを複数個直列に接続したものを図９の整合回路２０５ａとして用いてもよい。図１０（Ａ）または図１０（Ｂ）の整合回路２０５ａを複数個直列に接続することで、広い周波数範囲で第１放射素子２０１ａからの反射を抑圧することができる。第１整合回路はＬ型回路ではなく、Π型回路またはＴ型回路で構成してもよいし、スタブなどで構成してもよい。
【0056】
図１１は、減結合回路２００の変形例２１０を示す図である。減結合回路２１０は、第２接続点２０４ｂとポート２の間に接続された第２整合回路２０５ｂを備える。第２整合回路２０５ｂを備えることで、第２放射素子２０１ｂからの反射を抑圧することができる。第２整合回路２０５ｂの構成は、第１整合回路２０５ａと同様でよい（図１０参照）。
【0057】
図１２は、減結合回路２００の変形例２２０を示す図である。減結合回路２２０は、第１整合回路２０５ａおよび第２整合回路２０５ｂの両方を備える。第１整合回路２０５ａおよび第２整合回路２０５ｂの両方を備えることで、第１放射素子２０１ａおよび第２放射素子２０１ｂからの反射をそれぞれ抑圧することができる。
【0058】
【0059】
無線装置３００は、例えば第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂを介して電磁波を放射および受信し、他の無線通信装置と通信を行うことができる。
【0060】
無線装置３００が他の無線通信装置と無線通信を行う場合、無線回路３０８は無線通信に用いる高周波信号を無線信号として生成する。無線回路３０８は、無線信号を変調し、変調信号を第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂに供給することにより、空間に電波を放射する。また、無線回路３０８は、他の無線通信装置からの電波が第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂで受信され、無線回路３０８に無線信号である高周波信号が供給される。無線回路３０８は、供給された高周波信号を復調することにより他の無線通信装置からデータを取得する。無線装置３００は、伝搬環境などに応じて第１放射素子３０１ａと第２放射素子３０１ｂの一方を選択して無線通信を行ってもよいし、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子の高周波信号にそれぞれ重み係数を乗じて無線通信を行ってもよい。
【0061】
第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂのうち一方を用いて無線通信を行ってもよい。この場合の無線装置の構成例を図１４に示す。
【0062】
図１４は、無線回路３０８にスイッチを設けた例を示す。スイッチ３０９がポート１およびポート２のいずれか一方に選択的に接続される。無線回路３０８は第１放射素子３０１ａを用いる場合は、スイッチ３０９をポート１側に接続し、第２放射素子３０１Ｂを用いる場合は、スイッチ３０９をポート２側に接続する。
【0063】
また、無線装置３００は、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂを用いてセンシングを行ってもよい。例えば、無線装置３００は、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂから放射された電磁波を測定対象物に照射し、測定対象物で反射した電磁波を第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂで受信し、測定対象物の位置、形状、移動速度などを推定する。
【0064】
無線装置３００が測定対象物のセンシングを行う場合、無線回路３０８はセンシングに使用する高周波信号を測定信号として生成する。無線回路３０８は、測定信号を第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂに供給することにより、空間に電波を放射する。この際、無線回路３０８は高周波信号を変調してもよいし、変調しなくてもよい。無線回路３０８は、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂに供給する高周波信号に重み係数を乗じてもよい。測定対象物からの反射波が第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂで受信され、無線回路３０８に高周波信号が供給される。無線回路３０８は、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂから受信した高周波信号の電力、位相、周波数の少なくとも１つなどに基づき、測定対象物の位置、形状、移動速度の少なくとも１つなどを推定してもよい。
【0065】
第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂのうち一方を用いてセンシングを行ってもよい。この場合、ポート１およびポート２のいずれか一方に選択的に接続するスイッチを無線回路３０８が備えていてもよい。無線装置の構成例は図１４と同様でよい。
【0066】
また、無線装置３００は、第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂで受信された電磁波を利用して発電してもよい。例えば、無線回路３０８は、受信された電磁波を整流し、整流した電磁波を蓄電池に蓄積したり、電子機器に入力して電源として使用したりする。第１放射素子３０１ａおよび第２放射素子３０１ｂのうち一方を用いて電磁波を受信し、発電してもよい。この場合、ポート１およびポート２のいずれか一方に選択的に接続するスイッチを無線回路３０８が備えていてもよい。無線装置の構成例は図１４と同様でよい。
【0067】
（応用技術分野）
本実施形態は、複数のアンテナを搭載した無線機器に応用できる。特に小型な無線機器では複数のアンテナが近接することでアンテナの特性が変化し、アンテナ間の電磁界結合によって無線通信の通信品質などが劣化する。本実施形態の減結合回路を用いることで、アンテナ間の結合を低減し、通信品質などを向上させることができる。本実施形態の減結合回路は２つの回路素子のみを用いるため、回路定数の調整が容易な上、製造コストを低減することができる。
本実施形態は、複数のアンテナを搭載した無線機器に応用できる。特に小型な無線機器では複数のアンテナが近接することでアンテナの特性が変化し、アンテナ間の電磁界結合によって無線通信の通信品質などが劣化する。本実施形態の減結合回路を用いることで、アンテナ間の結合を低減し、通信品質などを向上させることができる。本実施形態の減結合回路は２つの回路素子のみを用いるため、回路定数の調整が容易な上、製造コストを低減することができる。
【0068】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【0069】
なお、本実施形態は以下のような構成を取ることもできる。
［項目１］
第１放射素子と、
第２放射素子と、
前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、
前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、
を備えた電子回路。
［項目２］
前記第１回路素子のリアクタンスまたはサセプタンス、および前記第２回路素子のリアクタンスまたはサセプタンスは、
前記いずれか一方の放射素子から前記他方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記第１回路素子の前記第２端から前記第２回路素子を介して前記他方の放射素子の前記一端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺され、
前記他方の放射素子から前記一方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記他方の放射素子の前記一端から前記第２回路素子を介して前記第１回路素子の前記第２端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される値にそれぞれ設定されている、
項目１に記載の電子回路。
［項目３］
前記第１回路素子および前記第２回路素子のそれぞれは、コイル、キャパシタ、コイルとキャパシタとの直列接続、または、コイルとキャパシタとの並列接続を含む
項目１または２に記載の電子回路。
［項目４］
前記第１回路素子および前記第２回路素子はチップ部品である
項目１～３のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目５］
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路
をさらに備えた項目１～４のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目６］
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続された
項目５に記載の電子回路。
［項目７］
前記第１整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
項目５または６に記載の電子回路。
［項目８］
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路
をさらに備えた項目１～７のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目９］
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は基準電圧に接続された
項目８に記載の電子回路。
［項目１０］
前記第２整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
項目８または９に記載の電子回路。
［項目１１］
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路と
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路と
をさらに備えた項目１～１０のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目１２］
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続され、
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は前記基準電圧に接続された
項目１１に記載の電子回路。
［項目１３］
前記第１整合回路および前記第２整合回路のそれぞれは１つ以上のチップ部品を含む
項目１１または１２に記載の電子回路。
［項目１４］
前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに接続された無線回路をさらに備えた
項目１～１３のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目１５］
前記無線回路を前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに選択的に接続するスイッチをさらに備えた
項目１４に記載の電子回路。
［項目１６］
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して測定対象物に測定信号を送信し、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して前記測定対象物からの反射信号を受信することにより、前記測定対象物のセンシングを行う
項目１４または１５に記載の電子回路。
［項目１７］
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して無線信号を送受信することにより、他の無線通信装置と無線通信を行う
項目１４～１６のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目１］
第１放射素子と、
第２放射素子と、
前記第１放射素子および前記第２放射素子のいずれか一方の一端に第１端が接続された第１回路素子と、
前記第１回路素子の第２端と、前記第１放射素子および前記第２放射素子の他方の一端との間に接続された第２回路素子と、
を備えた電子回路。
［項目２］
前記第１回路素子のリアクタンスまたはサセプタンス、および前記第２回路素子のリアクタンスまたはサセプタンスは、
前記いずれか一方の放射素子から前記他方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記第１回路素子の前記第２端から前記第２回路素子を介して前記他方の放射素子の前記一端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺され、
前記他方の放射素子から前記一方の放射素子へ電磁界結合を介して入力される信号と、前記他方の放射素子の前記一端から前記第２回路素子を介して前記第１回路素子の前記第２端に入力される信号とが少なくとも部分的に相殺される値にそれぞれ設定されている、
項目１に記載の電子回路。
［項目３］
前記第１回路素子および前記第２回路素子のそれぞれは、コイル、キャパシタ、コイルとキャパシタとの直列接続、または、コイルとキャパシタとの並列接続を含む
項目１または２に記載の電子回路。
［項目４］
前記第１回路素子および前記第２回路素子はチップ部品である
項目１～３のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目５］
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路
をさらに備えた項目１～４のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目６］
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続された
項目５に記載の電子回路。
［項目７］
前記第１整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
項目５または６に記載の電子回路。
［項目８］
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路
をさらに備えた項目１～７のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目９］
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は基準電圧に接続された
項目８に記載の電子回路。
［項目１０］
前記第２整合回路は、１つ以上のチップ部品を含む
項目８または９に記載の電子回路。
［項目１１］
前記第１回路素子の前記第２端に接続され、前記一方の放射素子からの反射波を低減する第１整合回路と
前記他方の放射素子の前記一端に接続され、前記他方の放射素子からの反射波を低減する第２整合回路と
をさらに備えた項目１～１０のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目１２］
前記第１整合回路は、少なくとも第３回路素子および第４回路素子を含み、
前記第４回路素子の一端は前記第１回路素子の前記第２端に接続され、
前記第３回路素子の一端は、前記第４回路素子の前記一端または前記第４回路素子の他端に接続され、前記第３回路素子の他端は基準電圧に接続され、
前記第２整合回路は、少なくとも第５回路素子および第６回路素子を含み、
前記第６回路素子の一端は前記他方の放射素子の前記一端に接続され、
前記第５回路素子の一端は、前記第６回路素子の前記一端または前記第６回路素子の他端に接続され、前記第５回路素子の他端は前記基準電圧に接続された
項目１１に記載の電子回路。
［項目１３］
前記第１整合回路および前記第２整合回路のそれぞれは１つ以上のチップ部品を含む
項目１１または１２に記載の電子回路。
［項目１４］
前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに接続された無線回路をさらに備えた
項目１～１３のいずれか一項に記載の電子回路。
［項目１５］
前記無線回路を前記第１回路素子の前記第２端と、前記他方の放射素子の一端とに選択的に接続するスイッチをさらに備えた
項目１４に記載の電子回路。
［項目１６］
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して測定対象物に測定信号を送信し、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して前記測定対象物からの反射信号を受信することにより、前記測定対象物のセンシングを行う
項目１４または１５に記載の電子回路。
［項目１７］
前記無線回路は、前記第１放射素子および前記第２放射素子の少なくとも一方を介して無線信号を送受信することにより、他の無線通信装置と無線通信を行う
項目１４～１６のいずれか一項に記載の電子回路。
【符号の説明】
【0070】
１ ポート
２ ポート
１００ 減結合回路
１０１ａ 第１放射素子
１０１ａ 放射素子（アンテナ）
１０１ｂ 第２放射素子
１０１ｂ 放射素子（アンテナ）
１０２ 回路素子
１０２ リアクタンス素子
１０３ 回路素子
１０３ サセプタンス素子
１０４ａ 第１接続点（ノード）
１０４ｂ 第２接続点（ノード）
１１０ 減結合回路
２００ 減結合回路
２０１ａ 第１放射素子
２０１ｂ 第２放射素子
２０４ａ 第１接続点
２０４ｂ 第２接続点
２０５ａ 第１整合回路
２０５ａ 整合回路
２０５ｂ 第２整合回路
２０６ サセプタンス素子
２０７ リアクタンス素子
２１０ 減結合回路
２２０ 減結合回路
３００ 無線装置
３０１ａ 第１放射素子
３０１ｂ 第２放射素子
３０８ 無線回路
３０９ スイッチ
２ ポート
１００ 減結合回路
１０１ａ 第１放射素子
１０１ａ 放射素子（アンテナ）
１０１ｂ 第２放射素子
１０１ｂ 放射素子（アンテナ）
１０２ 回路素子
１０２ リアクタンス素子
１０３ 回路素子
１０３ サセプタンス素子
１０４ａ 第１接続点（ノード）
１０４ｂ 第２接続点（ノード）
１１０ 減結合回路
２００ 減結合回路
２０１ａ 第１放射素子
２０１ｂ 第２放射素子
２０４ａ 第１接続点
２０４ｂ 第２接続点
２０５ａ 第１整合回路
２０５ａ 整合回路
２０５ｂ 第２整合回路
２０６ サセプタンス素子
２０７ リアクタンス素子
２１０ 減結合回路
２２０ 減結合回路
３００ 無線装置
３０１ａ 第１放射素子
３０１ｂ 第２放射素子
３０８ 無線回路
３０９ スイッチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】