特開 2023-181048 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023181048

(43)【公開日】2023-12-21

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651H

H01L21/304 651G

H01L21/304 648L

H01L21/304 648A

H01L21/304 648G

H01L21/304 651K

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022152834

(22)【出願日】2022-09-26

(31)【優先権主張番号】P 2022094117

(32)【優先日】2022-06-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】山本 滋

(72)【発明者】

【氏名】岩田 敬次

(72)【発明者】

【氏名】西野 陽祐

(72)【発明者】

【氏名】枝光 建治

(72)【発明者】

【氏名】川井 侑哉

(72)【発明者】

【氏名】合田 和樹

(72)【発明者】

【氏名】藤井 大樹

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AB03

5F157AB13

5F157AB34

5F157AC03

5F157AC24

5F157BB05

5F157BB09

5F157CB14

5F157CB28

5F157CE10

5F157CE51

5F157CE62

5F157CF04

5F157CF22

5F157CF42

5F157CF44

5F157DB32

5F157DB33

5F157DB36

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】パーティクルの付着を防止することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、チャンバ３内に設けられ、かつ処理槽２よりも高い位置に配置された溶剤蒸気ノズル３１，３２と、処理槽２の上面よりも低い位置に配置された排気口４７からチャンバ３内を排気する排気ポンプ５１と、所定間隔を空けて鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数の基板Ｗを保持する保持部材７および、保持部材７の基端部７Ｂを支持する背板９を有する基板保持部５であって、チャンバ３内でかつ処理槽２内の位置Ｈ２と処理槽２の上方の位置Ｈ１とに亘って移動可能な基板保持部５と、基板保持部５が処理槽２の上方の位置Ｈ１にある状態で、複数の基板Ｗのうちの背板９から最も離れた先端基板ＷＴと、保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間に設けられた遮蔽板７１とを備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽を囲うチャンバと、
前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された溶剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する前記溶剤蒸気ノズルと、
前記処理槽の上面よりも低い位置に配置された排気口から前記チャンバ内を排気する排気ポンプと、
所定間隔を空けて鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数の基板を保持する保持部材および、前記保持部材の基端部を支持する背板を有する基板保持部であって、前記チャンバ内でかつ前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動可能な前記基板保持部と、
前記基板保持部が前記処理槽の上方の位置にある状態で、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に設けられた遮蔽板と、を備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記溶剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる管部と、前記管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の吐出口とを備え、
前記溶剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の吐出口の上流の前記管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された液排出口を備え、
前記複数の吐出口は各々、前記チャンバ内に前記溶剤蒸気を吐出し、
前記液排出口は、前記溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することを特徴とする基板処理装置。

【請求項3】

請求項２に記載の基板処理装置において、
前記液排出口は、前記複数の吐出口とは異なる方向を向いていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項4】

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板の上端は、前記先端基板の上端よりも高い位置に配置されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項5】

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板の上端は、前記チャンバの天井面に到達するように配置されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する前記撥水剤蒸気ノズルを更に備え、
前記撥水剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる第２管部と、前記第２管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の第２吐出口とを備え、
前記撥水剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の第２吐出口の上流の前記第２管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された第２液排出口を備え、
前記複数の第２吐出口は各々、前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を吐出し、
前記第２液排出口は、前記撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することを特徴とする基板処理装置。

【請求項7】

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板は、前記処理槽に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項8】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記遮蔽板は、前記保持部材で保持されたダミー基板であることを特徴とする基板処理装置。

【請求項9】

請求項８に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
を更に備え、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板用キャリアから前記姿勢変換機構に前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、鉛直姿勢の前記複数の基板を保持すると共に、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に位置するように前記ダミー基板を保持し、
前記基板保持部は、前記複数の基板と前記ダミー基板とを保持した状態で前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動し、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。

【請求項10】

請求項９に記載の基板処理装置において、
複数のキャリアを保管する保管棚と、
前記保管棚に保管された任意のキャリアを前記キャリア載置棚に搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、
前記ダミー基板用キャリアは、前記保管棚に予め保管されていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項11】

請求項８に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
前記キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、
を更に備え、
前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、
前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、
前記基板検出センサ部が前記先端保持溝に対応する対応基板が前記キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記複数の基板の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。

【請求項12】

請求項８に記載の基板処理装置において、
２枚以上の基板からなる第１基板群の水平姿勢で収納する第１キャリアを載置するキャリア載置棚と、
前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、
前記第１基板群を搬送し、２枚以上からなる第２基板群を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、
水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を姿勢変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成する姿勢変換機構と、
鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、
前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、
を更に備え、
前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、
前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された、前記第２基板群を水平姿勢で収納する第２キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第２キャリアに収納される基板の有無を検出し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアから前記姿勢変換機構に前記第１基板群を搬送し、
前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアから前記姿勢変換機構に前記第２基板群を搬送し、
前記基板検出センサ部が、前記先端保持溝に対応する対応基板が前記第１キャリアまたは前記第２キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記第１基板群または前記第２基板群の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成し、
前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、
前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、
前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、
前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板を前記第１基板群と前記第２基板群とに分け、また、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換し、
前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに水平姿勢の前記第１基板群を戻し、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアに水平姿勢の前記第２基板群を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことを特徴とする基板処理装置。

【請求項13】

請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記複数の基板は、前記第１基板群の基板と前記第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項14】

請求項１１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記先端基板は、前記チャンバの前記側壁を向いていることを特徴とする基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。

【背景技術】

【0002】

従来の基板処理装置は、鉛直姿勢の複数の基板を保持する基板保持部と、純水を貯留し、基板保持部で保持された複数の基板を収容する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気ノズルと、チャンバ内を排気する排気ポンプと、を備えている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

なお、特許文献２の基板処理装置は、外槽内に設けられた遮蔽部材（板状部材）を備える。この遮蔽部材は、ドライエアの露点を低く保つために外槽上でドライエアが多量の水分を含むことを防止する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－０７０１４８号公報

【特許文献2】特開２００６－２７８７３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、従来の基板処理装置は、特定の基板で多くのパーティクルが付着するという問題を有する。例えば、チャンバ内において、複数の基板が処理槽の上方に位置する時に、排気ポンプによりチャンバ下部に設けられた排気口を介してチャンバ内を排気するとする。この場合、基板保持部の保持部材の先端部側で気流が悪くなり、それにより、雰囲気が滞留しやすくなる。その結果、雰囲気に混在するパーティクルが基板に付着する場合がある。

【0006】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パーティクルの付着を防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を囲うチャンバと、前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された溶剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する前記溶剤蒸気ノズルと、前記処理槽の上面よりも低い位置に配置された排気口から前記チャンバ内を排気する排気ポンプと、所定間隔を空けて鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数の基板を保持する保持部材および、前記保持部材の基端部を支持する背板を有する基板保持部であって、前記チャンバ内でかつ前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動可能な前記基板保持部と、前記基板保持部が前記処理槽の上方の位置にある状態で、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に設けられた遮蔽板と、を備えるものである。

【0008】

本発明に係る基板処理装置によれば、遮蔽板が設けられていることで、保持部材の先端部側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板を保護する。また、先端基板と遮蔽板との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。

【0009】

また、上述の基板処理装置は、前記溶剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる管部と、前記管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の吐出口とを備え、前記溶剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の吐出口の上流の前記管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された液排出口を備え、前記複数の吐出口は各々、前記チャンバ内に前記溶剤蒸気を吐出し、前記液排出口は、前記溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することが好ましい。

【0010】

従来の基板処理装置は、溶剤の液体（液滴）が基板に付着し、その液体がパーティクルの原因になるおそれがある問題を有する。すなわち、溶剤蒸気ノズルの上流側で配管温度の低下により溶剤蒸気が結露し、溶剤蒸気ノズルの上流側の所定の吐出口から、結露した溶剤の液体が例えばミスト状に吐出される場合がある。ミスト状の溶剤が基板に付着すると、付着した溶剤の液体がパーティクルの原因になるおそれがある。

【0011】

本発明によれば、溶剤蒸気ノズルの上流側で結露して生じた溶剤の液体が、複数の吐出口の上流の管部に設けられた液排出口から排出される。液排出口は、遮蔽板とチャンバの保持部材の先端部側の側壁との間に対応する領域に配置される。そのため、液排出口から排出された溶剤の液体が基板（先端基板）に付着することを防止できる。そのため、パーティクルが基板に付着することを防止できる。また、複数の吐出口のうちの所定の吐出口から溶剤の液体が基板に供給されることを防止できる。そのため、複数の吐出口の全てから溶剤蒸気を供給することができる。

【0012】

また、上述の基板処理装置において、前記液排出口は、前記複数の吐出口とは異なる方向を向いていることが好ましい。結露した溶剤の液体をパーティクル付着の問題などの基板に影響がない方向に向けることができる。

【0013】

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板の上端は、前記先端基板の上端よりも高い位置に配置されることが好ましい。溶剤蒸気ノズルの液排出口から吐出されたミスト状の溶剤が、先端基板の上端よりも高い遮蔽板を乗り越えて複数の基板に向かうことを防止できる。

【0014】

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板の上端は、前記チャンバの天井面に到達するように配置されることが好ましい。溶剤蒸気ノズルの液排出口から吐出されたミスト状の溶剤が、チャンバの天井面に到達する遮蔽板を乗り越えて複数の基板に向かうことを防止できる。

【0015】

また、上述の基板処理装置は、前記チャンバ内に設けられると共に前記処理槽よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズルであって、前記チャンバ内に撥水剤蒸気を供給する前記撥水剤蒸気ノズルを更に備え、前記撥水剤蒸気ノズルは、前記チャンバ内で水平に直線状に延びる第２管部と、前記第２管部に設けられると共に管軸に沿って配置された複数の第２吐出口とを備え、前記撥水剤蒸気ノズルは、更に、前記複数の第２吐出口の上流の前記第２管部に設けられ、前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間に対応する領域に配置された第２液排出口を備え、前記複数の第２吐出口は各々、前記チャンバ内に前記撥水剤蒸気を吐出し、前記第２液排出口は、前記撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を前記遮蔽板と前記チャンバの前記側壁との間の領域に排出することが好ましい。

【0016】

撥水剤蒸気ノズルの上流側で結露して生じた撥水剤の液体が、複数の第２吐出口の上流の第２管部に設けられた第２液排出口から排出される。第２液排出口は、遮蔽板とチャンバの保持部材の先端部側の側壁との間に対応する領域に配置される。そのため、第２液排出口から排出された撥水剤の液体が基板（先端基板）に付着することを防止できる。そのため、パーティクルが基板に付着することを防止できる。また、複数の第２吐出口のうちの所定の第２吐出口から撥水剤の液体が基板に供給されることを防止できる。そのため、複数の第２吐出口の全てから撥水剤蒸気を供給することができる。

【0017】

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記処理槽に取り付けられていることが好ましい。処理槽に取り付けられた遮蔽板によって、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。

【0018】

また、上述の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記保持部材で保持されたダミー基板であることが好ましい。遮蔽板としてのダミー基板が設けられていることで、保持部材の先端部側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板を保護する。また、先端基板とダミー基板との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。

【0019】

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、を更に備え、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板用キャリアから前記姿勢変換機構に前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、鉛直姿勢の前記複数の基板を保持すると共に、前記複数の基板のうちの前記背板から最も離れた先端基板と、前記保持部材の先端部側が対向する前記チャンバの側壁との間に位置するように前記ダミー基板を保持し、前記基板保持部は、前記複数の基板と前記ダミー基板とを保持した状態で前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方の位置とに亘って移動し、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。

【0020】

基板保持部は、鉛直姿勢の複数の基板を保持すると共に、複数の基板のうちの先端基板とチャンバの側壁との間に位置するようにダミー基板を保持する。そのため、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板毎に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。

【0021】

また、上述の基板処理装置において、複数のキャリアを保管する保管棚と、前記保管棚に保管された任意のキャリアを前記キャリア載置棚に搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、前記ダミー基板用キャリアは、前記保管棚に予め保管されていることが好ましい。ダミー基板用キャリアは、予め保管されている保管棚からキャリア載置棚にキャリア搬送機構によって搬送される。水平基板搬送機構は、キャリア載置棚に載置されたダミー基板用キャリアからダミー基板を搬送することができる。

【0022】

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板を水平姿勢で収納するキャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記複数の基板を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記複数の基板および前記ダミー基板を姿勢変換する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、前記キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、を更に備え、前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアから前記姿勢変換機構に前記複数の基板を搬送し、前記基板検出センサ部が前記先端保持溝に対応する対応基板が前記キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記複数の基板の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記水平基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板および前記ダミー基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記キャリアに水平姿勢の前記複数の基板を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。

【0023】

基板保持部の保持部材の複数の保持溝は、保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有する。基板検出センサ部が先端保持溝に対応する対応基板がキャリアに無いことを検出したときは、水平基板搬送機構は、姿勢変換機構に搬送された複数の基板の列の対応基板がない部分にダミー基板を搬送する。これにより、先端基板と、保持部材の先端部側が対向するチャンバの側壁との間にダミー基板を自動的に配置することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板に選択的に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。

【0024】

また、上述の基板処理装置において、２枚以上の基板からなる第１基板群の水平姿勢で収納する第１キャリアを載置するキャリア載置棚と、前記ダミー基板を収納するダミー基板用キャリアと、前記第１基板群を搬送し、２枚以上からなる第２基板群を搬送し、また、前記ダミー基板を搬送する水平基板搬送機構と、水平姿勢と鉛直姿勢との間で前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を姿勢変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成する姿勢変換機構と、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を搬送するバッチ基板搬送機構と、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出する基板検出センサ部と、を更に備え、前記保持部材は、一列に整列された、前記複数の基板を保持する複数の保持溝を備え、前記複数の保持溝は、前記保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第１キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記基板検出センサ部は、前記キャリア載置棚に載置された、前記第２基板群を水平姿勢で収納する第２キャリアに対して上下方向に移動しながら、前記第２キャリアに収納される基板の有無を検出し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアから前記姿勢変換機構に前記第１基板群を搬送し、前記水平基板搬送機構は、前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアから前記姿勢変換機構に前記第２基板群を搬送し、前記基板検出センサ部が、前記先端保持溝に対応する対応基板が前記第１キャリアまたは前記第２キャリアに無いことを検出したときは、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構に搬送された前記第１基板群または前記第２基板群の列の前記対応基板が無い部分に前記ダミー基板用キャリアから前記ダミー基板を搬送し、前記姿勢変換機構は、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を水平姿勢から鉛直姿勢に変換し、また、前記第１基板群と前記第２基板群とを組み合わせて鉛直姿勢の前記複数の基板を形成し、前記バッチ基板搬送機構は、鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記姿勢変換機構から搬送し、前記基板保持部は、前記保持部材の前記複数の保持溝で鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記バッチ基板搬送機構から受け取り、前記バッチ基板搬送機構は、前記処理槽で処理された鉛直姿勢の前記複数の基板および前記ダミー基板を前記基板保持部から前記姿勢変換機構に搬送し、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送された前記複数の基板を前記第１基板群と前記第２基板群とに分け、また、前記第１基板群、前記第２基板群および前記ダミー基板を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換し、前記水平基板搬送機構は、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第１キャリアに水平姿勢の前記第１基板群を戻し、前記姿勢変換機構から前記キャリア載置棚に載置された前記第２キャリアに水平姿勢の前記第２基板群を戻し、また、前記姿勢変換機構から前記ダミー基板用キャリアに水平姿勢の前記ダミー基板を戻すことが好ましい。

【0025】

基板保持部の保持部材の複数の保持溝は、保持部材の先端部側の最も端に位置する先端保持溝を有する。基板検出センサ部が先端保持溝に対応する対応基板が第１キャリアまたは第２キャリアに無いことを検出したときは、水平基板搬送機構は、姿勢変換機構に搬送された第１基板群または第２基板群の列の対応基板がない部分にダミー基板を搬送する。これにより、先端基板と、保持部材の先端部側が対向するチャンバの側壁との間にダミー基板を自動的に配置することができる。また、基板処理装置は、ダミー基板用キャリアを備え、ダミー基板用キャリアは、遮蔽用のダミー基板を収納する。ダミー基板は、処理槽で一括して処理される複数の基板に選択的に加えられる。そして、処理槽で処理された後、ダミー基板は、複数の基板とは別に、ダミー基板用キャリアに戻される。そのため、処理槽を囲うチャンバ内に遮蔽板を常設することなく、パーティクルが先端基板に付着することを防止することができる。

【0026】

また、上述の基板処理装置において、前記複数の基板は、前記第１基板群の基板と前記第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されていることが好ましい。複数の基板は、第１基板群の基板と第２基板群の基板とが１枚ずつ交互に配置されている場合において、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。

【0027】

また、上述の基板処理装置において、前記先端基板は、前記チャンバの前記側壁を向いていることが好ましい。先端基板がチャンバの側壁を向いている場合において、パーティクルが基板（先端基板）に付着することを防止することができる。

【発明の効果】

【0028】

本発明に係る基板処理装置によれば、パーティクルの付着を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】実施例１に係る基板処理装置の正面の概略構成を示す縦断面図である。

【図2】（ａ）は、リフタの基板保持部を示す左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。

【図3】基板処理装置の左側面の概略構成を示す縦断面図である。

【図4】（ａ）は、複数の基板を図示しないときの基板処理装置の左側面の概略構成を示す縦断面図であり、（ｂ）は、溶剤蒸気ノズル（撥水剤蒸気ノズル）を示す図である。

【図5】基板処理装置の正面の概略構成を示す縦断面図である。

【図6】基板処理装置の動作を説明するための図である。

【図7】基板処理装置の課題を説明するための図である。

【図8】（ａ）～（ｃ）は、基板処理装置の課題を説明するための図である。

【図9】実施例２に係る洗浄処理部の左側面の概略構成を示す縦断面図である。

【図10】実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

【図11】基板ハンドリング機構の側面図である。

【図12】（ａ）～（ｆ）は、姿勢変換機構（姿勢変換部およびプッシャ機構）の構成および動作を説明するための側面図である。

【図13】（ａ）は、実施例２に係るリフタの基板保持部を示す左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。

【図14】実施例２の基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。

【図15】実施例３に係る洗浄処理部の左側面の概略構成を示す縦断面図である。

【図16】（ａ）は、オープナの構成を示す側面図であり、（ｂ）は、基板検出センサの検出状態を示す平面図である。

【図17】実施例３の基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。

【図18】（ａ）～（ｆ）は、実施例３に係る姿勢変換機構の動作を説明するための側面図である。

【図19】リフタの基板保持部を示す左側面図である。

【図20】（ａ）～（ｆ）は、実施例４に係る姿勢変換機構の動作を説明するための側面図である。

【図21】（ａ）は、変形例に係る遮蔽板を説明するための左側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向に見た図である。

【図22】変形例に係る溶剤蒸気ノズル（撥水剤蒸気ノズル）を示す図である。

【図23】変形例に係るダミー基板を説明するための左側面図である。

【実施例0030】

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置１の正面の概略構成を示す縦断面図である。図２（ａ）は、リフタ４の基板保持部５を示す左側面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の平面図である。

【0031】

＜１．基板処理装置１の構成＞
図１を参照する。基板処理装置１は、複数の基板Ｗを一括して処理する装置である。基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、リフタ４とを備える。処理槽２は、略鉛直姿勢とされた複数の基板Ｗを収容可能に構成される。処理槽２は、チャンバ３内の側面および底面から離れて配置される。

【0032】

リフタ４は、複数の基板Ｗを保持する基板保持部５と、基板保持部５を上下方向（Ｚ方向）に昇降させる昇降機構６とを備える。昇降機構６は、処理槽２の上方でかつチャンバ３内の「乾燥位置Ｈ１」と、処理槽２の内部の「処理位置Ｈ２」との間で、基板Ｗを昇降させることが可能である。図１では、基板保持部５は、チャンバ３内でかつ処理槽２の上方の乾燥位置Ｈ１に位置する。昇降機構６は、基板保持部５を昇降させるために、電動モータまたはエアシリンダを備える。

【0033】

基板保持部５は、３つの保持部材７と背板９を備える。保持部材７は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、水平方向（Ｙ方向）に直線状に延びるように形成される。保持部材７は、所定間隔を空けて略鉛直姿勢で対向するように一列に整列配置された複数（例えば５０枚）の基板Ｗを保持する。言い換えると、保持部材７は、水平方向に延びるＹ軸に沿って一列に配置された複数の基板Ｗを保持する。保持部材７は、略鉛直姿勢の複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、互いに平行に配置される。保持部材７は、所定のピッチ（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））でＹ方向に並んで形成された複数（例えば５０個）の溝部を有する。

【0034】

５０個の溝はそれぞれ、スロット（slot）１～５０と呼ばれる。図２（ａ）および、後述する図８（ａ）～図８（ｃ）において、例えば、スロット１を「ＳＬ１」と示し、スロット４９を「ＳＬ４９」と示す。背板９に最も近い溝は、スロット１である。背板９から離れるほど、スロット２、スロット３およびスロット４のように、スロットの番号が増えていく。そして、背板９から最も離れた溝は、スロット５０である。例えば５０枚の基板Ｗを５０個の溝部に収めることで、保持部材７は、５０枚の基板Ｗを保持することができる。

【0035】

なお、図１、図２（ｂ）に示すように、基板保持部５は、３つの保持部材７を有する。この点、基板保持部５は、１つ又は複数の保持部材７を有していればよい。

【0036】

背板９は、３つの保持部材７の基端部７Ｂを支持する。すなわち、３つの保持部材７は、背板９の下端部に連結される。例えば図２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、背板９側から複数の基板Ｗを見たときに、背板９は、例えば、各基板Ｗを覆うように形成される。なお、３つの保持部材７の先端部７Ａは、連結部材１１で連結される（図２（ｂ）参照）。

【0037】

図１に戻る。処理槽２内の底部には、処理槽２内に処理液を供給する２本の噴出管１３が設けられる。各噴出管１３は、複数の基板Ｗが整列されるＹ方向に沿って直線状に形成される。各噴出管１３は、Ｙ方向（管軸）に並ぶ複数の吐出口（図示しない）を有する。

【0038】

処理液配管１５は、２本の噴出管１３と処理液供給源１７とを結ぶ。処理液供給源１７は、処理液として純水を処理液配管１５に送る。純水として、例えば脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）が用いられる。処理液配管１５には、開閉弁Ｖ１が設けられる。開閉弁Ｖ１は、純水の供給およびその停止を行う。開閉弁Ｖ１が開状態のとき、２本の噴出管１３から処理槽２に純水が供給される。また、開閉弁Ｖ１が閉状態のとき、２本の噴出管１３からの純水の供給が停止される。

【0039】

また、２本の噴出管１３と開閉弁Ｖ１の間の処理液配管１５には、処理液配管１９の先端が接続される。処理液配管１９の基端は、第２処理液供給源２１に接続される。第２処理液供給源２１は、純水（例えばＤＩＷ）で希釈されたイソプロピルアルコール液（以下、「希釈ＩＰＡ液」と呼ぶ）を処理液配管１９に送る。開閉弁Ｖ２は、処理液配管１９に設けられる。開閉弁Ｖ２は、希釈ＩＰＡ液の供給およびその停止を行う。２つの開閉弁Ｖ１，Ｖ２により、各噴出管１３から純水と希釈ＩＰＡ液との一方が選択的に供給される。

【0040】

処理槽２の底部には、処理槽２内の処理液をチャンバ３内の底面に放出するＱＤＲ弁（開閉弁）２３が設けられている。ＱＤＲ弁２３を開状態にすると、処理槽２内の処理液がチャンバ３内の底面に急速放出される。ＱＤＲ弁２３を閉状態にすると、処理槽２に処理液を貯留することができる。

【0041】

チャンバ３は、処理槽２を収容する。チャンバ３は、その上面に開閉自在の上部カバー２５を備えている。上部カバー２５が閉じているとき、上部カバー２５はチャンバ３の天井壁として機能する。

【0042】

チャンバ３内には、２本の不活性ガスノズル２７、４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２および２本の撥水剤蒸気ノズル３３が設けられる。８本のノズル２７，３１，３２，３３は、処理槽２（または処理槽２の上面）よりも高い位置に配置される。また、２本の不活性ガスノズル２７、２本の溶剤蒸気ノズル３１、２本の溶剤蒸気ノズル３２および２本の撥水剤蒸気ノズル３３は、この順番で上から配置される。

【0043】

また、基板保持部５が乾燥位置Ｈ１に位置するときに、各基板Ｗの上端付近の高さには、２本の溶剤蒸気ノズル３１が配置される。また、各基板Ｗの中心付近の高さには、２本の溶剤蒸気ノズル３２が配置される。更に、各基板Ｗの下端付近の高さには、２本の撥水剤蒸気ノズル３３が配置される。

【0044】

２本の不活性ガスノズル２７は各々、チャンバ３内に不活性ガスを供給する。各不活性ガスノズル２７には、供給管３５の先端が接続される。供給管３５の基端は、不活性ガス供給源３７に接続される。不活性ガス供給源３７は、不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給管３５に送る。供給管３５には、開閉弁Ｖ４が設けられる。開閉弁Ｖ４は、不活性ガスの供給およびその停止を行う。

【0045】

２本の不活性ガスノズル２７は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。各不活性ガスノズル２７は、水平（Ｙ方向）に直線状に延びる管部２７Ａを備えている（後述する図４（ａ）参照）。管部２７Ａには、管軸（Ｙ方向）に沿って複数の吐出口２７Ｂが形成される。

【0046】

４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を供給する。各溶剤蒸気ノズル３１，３２には、供給管３９の先端が接続される。供給管３９の基端は、溶剤蒸気供給源４１に接続される。溶剤蒸気供給源４１は、溶剤蒸気として例えばイソプロピルアルコール蒸気（以下「ＩＰＡ蒸気」と呼ぶ）を供給管３９に送る。溶剤蒸気は、ヒータによって溶剤の液体を蒸発させて生成される。溶剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管３９には、開閉弁Ｖ５が設けられる。開閉弁Ｖ５は、溶剤蒸気の供給およびその停止を行う。

【0047】

２本の溶剤蒸気ノズル３１は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。同様に、２本の溶剤蒸気ノズル３２は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。４本の溶剤蒸気ノズル３１，３２の更なる構成は後述する。

【0048】

２本の撥水剤蒸気ノズル３３は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する。各撥水剤蒸気ノズル３３には、供給管４３の先端が接続される。供給管４３の基端は、撥水剤蒸気供給源４５に接続される。撥水剤蒸気供給源４５は、撥水剤蒸気を供給管４３に送る。撥水剤蒸気は、ヒータによって撥水剤（シリル化剤）の液体を蒸発させて生成される。撥水剤蒸気は、キャリアガスとして不活性ガス（窒素ガス）を含んでいてもよい。供給管４３には、開閉弁Ｖ６が設けられる。開閉弁Ｖ６は、撥水剤蒸気の供給およびその停止を行う。

【0049】

２本の撥水剤蒸気ノズル３３は、複数の基板Ｗの移動経路ＲＴを挟み込むように水平に配置される。２本の撥水剤蒸気ノズル３３の更なる構成は後述する。

【0050】

チャンバ３の側壁には、排気口４７が設けられている。排気口４７は、処理槽２の上面よりも低い位置に配置される。例えば、排気口４７は、処理槽２の外側面２Ａに対向するような高さに配置される。また、排気口４７は、後述するシールド板５５よりも低い位置に配置される。排気口４７には、排気管４９が接続される。排気管４９には、排気口４７側から順番に、開閉弁Ｖ７および排気ポンプ５１が設けられる。排気ポンプ５１は、排気口４７からチャンバ３内の気体を排気する。これにより、チャンバ３内を大気圧よりも低い圧力に減圧する。

【0051】

なお、図１において、図示の便宜上、排気口４７は、側壁３Ｃに設けられている。この点、後述する図３に示すように、排気口４７は、側壁３Ａに設けられる。

【0052】

さらに、チャンバ３の底壁には、排出管５３が接続される。排出管５３には、開閉弁Ｖ８が設けられる。開閉弁Ｖ８が開状態のとき、チャンバ３内の処理液をチャンバ３の外部に排出することができる。開閉弁Ｖ８が閉状態のとき、チャンバ３内の底部に処理液を貯留させることができる。

【0053】

また、チャンバ３は、シールド板５５を備える。シールド板５５は、処理槽２の上縁（または開口）からやや下方に、かつ、処理槽２の外側面２Ａの全周にわたって設けられる。言い換えると、シールド板５５は、処理槽２の外側壁とチャンバ３の内側壁との間に設けられる。シールド板５５は、チャンバ３内の上部（上部空間）とチャンバ３内の下部（下部空間）との間で雰囲気を遮蔽する。シールド板５５は、処理槽２から溢れた処理液をチャンバ３内の下部に流通させる隙間Ｇ１，Ｇ２（開口）を有する。すなわち、シールド板５５は、処理槽２の外側壁との間に隙間Ｇ１を有すると共に、チャンバ３の内側壁との間に隙間Ｇ２を有する。なお、必要により、隙間Ｇ１，Ｇ２の一方は設けられていなくてもよい。

【0054】

基板処理装置１は、制御部６１と記憶部（図示しない）を備えている。制御部６１は、基板処理装置１の各構成を制御する。制御部６１は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つ以上のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。

【0055】

＜２．遮蔽板７１＞
次に、本実施例の特徴部分の１つである遮蔽板７１について説明する。図３は、基板処理装置１の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図４（ａ）は、複数の基板Ｗを図示しないときの基板処理装置１の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図４（ｂ）は、溶剤蒸気ノズル３１，３２（撥水剤蒸気ノズル３３）を示す図である。図５は、基板処理装置１の正面の概略構成を示す縦断面図である。

【0056】

基板処理装置１は、遮蔽板７１を備える。遮蔽板７１は、パーティクルおよびミストなどが、後述する先端基板ＷＴのデバイス面に付着することを防止する。遮蔽板７１は、図示しない取付部材を介して処理槽２に取り付けられる。遮蔽板７１は、上下方向（Ｚ方向）に延びるように形成される。なお、遮蔽弁７１は、チャンバ３に取り付けられてもよい。

【0057】

遮蔽板７１は、「先端基板ＷＴ」と、保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間に設けられる。先端基板ＷＴは、複数（例えば４９枚）の基板Ｗのうちの背板９から最も離れた基板Ｗである。なお、保持部材７の基端部７Ｂ側および背板９側のチャンバ３の側壁は、符号３Ｂで示される。

【0058】

図５において、遮蔽板７１は、保持部材７の先端部７Ａ側から基端部７Ｂ側に向かう方向（＋Ｙ方向）に見たときに、各基板Ｗの全体を覆うように配置される。先端基板ＷＴのデバイス面（表面）は、保持部材７の基端部７Ｂ側から先端部７Ａ側に向かう方向（－Ｙ方向）を向いている。図２（ａ）に示すスロット４９（ＳＬ４９）が先端基板ＷＴであるとする。図２（ａ）の矢印ＡＲ２が示すように、先端基板ＷＴのデバイス面は、遮蔽板７１と対向する。

【0059】

スロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面と遮蔽板７１との間の距離Ｋ１は、例えば１３ｍｍである（図３参照）。なお、遮蔽板７１と側壁３Ａとの間の距離を距離Ｋ２と仮定する。距離Ｋ１は、距離Ｋ２よりも小さい（距離Ｋ１＜距離Ｋ２）。

【0060】

なお、先端基板ＷＴを含む基板Ｗのデバイス面とは、電子回路が形成される面であり、「表面」と呼ばれる。また、基板Ｗの裏面とは、電子回路が形成されない面をいう。デバイス面の反対側の面が裏面である。

【0061】

また、図３、図５に示すように、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバ３の天井面３Ｅに到達するように配置される。すなわち、遮蔽板７１の上端７２は、チャンバ３の天井面３Ｅと略同じ高さに配置される（例えば遮蔽板７１の上端７２と天井面３Ｅの間には、隙間を有する）。例えば溶剤蒸気ノズル３１，３２の後述する液排出口７６から吐出されたミスト状の溶剤が、チャンバ３の天井面３Ｅに到達するような遮蔽板７１を乗り越えて複数の基板Ｗに向かうことを防止できる。なお、遮蔽板７１の下端側は、気流が比較的速いので、ミスト状の溶剤が複数の基板Ｗ側に向かわないと考えられる。撥水剤蒸気ノズル３３の後述する第２液排出口８６から吐出されたミスト状の撥水剤の場合も同様である。

【0062】

＜３．溶剤蒸気ノズル３１，３２および撥水剤蒸気ノズル３３の液排出口７６，８６＞
次に、本実施例の他の特徴部分である各溶剤蒸気ノズル３１，３２および撥水剤蒸気ノズル３３の液排出口７６，８６について説明する。

【0063】

図３、図４（ａ）、図４（ｂ）を参照する。各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、水平に（Ｙ方向）直線状に延びる管部７３と、管部７３に設けられた複数（例えば５０個）の吐出口７５を備える。５０個の吐出口７５は、予め設定された間隔で管軸ＡＸ（図４（ｂ）参照）に沿って配置される。例えば、５０個の吐出口７５は、５ｍｍ間隔（ピッチ）で配置される。５０個の吐出口７５は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を吐出する。

【0064】

５０個の吐出口７５は互いに同じ直径Ｄ１の円状の開口を有する。５０個の吐出口７５は、基板保持部５が保持可能な例えば５０枚の基板Ｗに対応するように配置される。すなわち、５０個の吐出口７５は、基板保持部５で保持された５０枚の基板Ｗの領域に対応する領域に配置される。各吐出口７５は、溶剤蒸気を基板Ｗに向けて吐出するために、例えば、水平方向（Ｘ方向）または、斜め下方向（ＸＺ方向）に向いている。

【0065】

また、従来の基板処理装置は、溶剤の液体（液滴）が基板Ｗに付着し、その液体がパーティクルの原因になるおそれがある問題を有する。すなわち、各溶剤蒸気ノズル３１，３２の上流側で配管温度の低下により溶剤蒸気が結露し、各溶剤蒸気ノズル３１，３２の上流側の１以上の吐出口から、結露した溶剤の液体が例えばミスト状に吐出される場合がある。ミスト状の溶剤がスロット４９側の基板Ｗに付着すると、付着した溶剤の液体がパーティクルの原因になるおそれがある。なお、撥水剤蒸気ノズル３３も同様である。

【0066】

そこで、本実施例において、各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、更に、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられた液排出口７６を備える。液排出口７６は、溶剤蒸気が結露して生じた溶剤の液体をチャンバ３内に排出する。液排出口７６は、図３、図４（ａ）に示すように、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。液排出口７６は、例えば、溶剤の液体を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域（すなわち、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとで挟まれた空間）に排出する。

【0067】

５０個の吐出口７５のうちの保持部材７の先端部７Ａ側の吐出口７５を「吐出口７５Ａ」とする。この場合、吐出口７５Ａから液排出口７６までの距離ＬＮ１は、２つの吐出口７５の間隔ＬＮ２よりも長くなるように構成される。液排出口７６は、直径Ｄ２の円状の開口を有する。液排出口７６の直径Ｄ２は、各吐出口７５の直径Ｄ１と同じである（直径Ｄ１＝直径Ｄ２）。また、例えば溶剤蒸気ノズル３２の各吐出口７５が水平方向（Ｘ方向）に溶剤蒸気を吐出する場合、液排出口７６も、各吐出口７５と同じ方向である水平方向（Ｘ方向）に結露した溶剤を排出する。

【0068】

各撥水剤蒸気ノズル３３も、溶剤蒸気ノズル３１と略同様に構成される。すなわち、各撥水剤蒸気ノズル３３は、水平（Ｙ方向）に直線状に延びる第２管部８３と、第２管部８３に設けられた複数（例えば５０個）の第２吐出口８５を備える。５０個の第２吐出口８５は、予め設定された間隔（例えば５ｍｍ）で管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置される。第２吐出口８５は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を吐出する。各第２吐出口８５も、例えば、水平方向（Ｘ方向）または、斜め下方向（ＸＺ方向）に向いている。

【0069】

撥水剤蒸気ノズル３３は、更に、５０個の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられた第２液排出口８６を備える。第２液排出口８６は、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。図４（ａ）において、５０個の第２吐出口８５のうちの保持部材７の先端部７Ａ側の第２吐出口８５を「第２吐出口８５Ａ」とする。この場合、第２吐出口８５Ａから第２液排出口８６までの距離ＬＮ１は、２つの第２吐出口８５の間隔ＬＮ２（例えば５ｍｍ）よりも大きい。第２液排出口８６は、撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤の液体（液滴）をチャンバ３内に排出する。第２液排出口８６は、例えば、撥水剤の液体を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。第２液排出口８６は、例えば、撥水剤の液体をミスト状に排出する。

【0070】

本実施例において、各溶剤蒸気ノズル３１，３２は、１つの液排出口７６を備えるが、Ｙ方向に並ぶ２以上の液排出口７６を備えてもよい。これと同様に、撥水剤蒸気ノズル３３は、１つの第２液排出口８６を備えるが、Ｙ方向に並ぶ２以上の第２液排出口８６を備えてもよい。

【0071】

＜４．基板処理装置１の動作＞
図６を参照しながら、基板処理装置１の動作について説明する。なお、図６において、基板保持部５の図示を省略する。図６において、排気ポンプ５１および開閉弁Ｖ７による排気動作を符号「ＶＡＣ」で示す。

【0072】

処理槽２には、噴出管１３により処理液として純水が貯留されている。基板保持部５は、乾燥位置Ｈ１に位置する。図示しない搬送ロボットは、例えば４９枚の基板Ｗを基板保持部５に搬送する。基板保持部５は、鉛直姿勢の例えば４９枚の基板Ｗを保持している。リフタ４は、乾燥位置Ｈ１から処理位置Ｈ２に基板保持部５を下降させることで、予め設定された期間、４９枚の基板Ｗを処理槽２の純水に浸漬させる（ステップＳ０１）。これにより、基板Ｗは洗浄される。基板保持部５を下降させた後、上部カバー２５を閉じる。

【0073】

なお、４９枚の基板Ｗについて、奇数のスロット（例えばスロット１，３，５，・・・，４７，４９）の基板Ｗのデバイス面は、遮蔽板７１側（－Ｙ方向）を向いており、偶数のスロット（例えばスロット２，４，６，・・・，４６，４８）の基板Ｗのデバイス面は、背板９側を向いている。すなわち、４９枚の基板Ｗは、フェース・ツー・フェース（face to face）方式で配置される。スロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗは、先端基板ＷＴである（図２（ａ）、図３参照）。

【0074】

その後、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する。また、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、排気口４７からチャンバ３内を排気してチャンバ３内を大気圧よりも低い圧力に減圧する（ステップＳ０２）。その後、排気ポンプ５１等によりチャンバ３内の排気を継続する。また、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ０３）。

【0075】

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、ＩＰＡ蒸気の供給は継続される。リフタ４は、処理位置Ｈ２から乾燥位置Ｈ１に基板保持部５を移動させることで、処理槽２の純水から４９枚の基板Ｗを引き上げる（ステップＳ０４）。これにより、基板Ｗのデバイス面に付着した純水をＩＰＡに置換する。

【0076】

ここで、液排出口７６および遮蔽板７１の効果を説明する。結露した溶剤の液体（液滴）は、液排出口７６から排出されるので、スロット４９の基板Ｗ側にミスト状の溶剤を吐出することを防止する。そのため、５０個の吐出口７５から４９枚の基板ＷにＩＰＡ蒸気を均等に供給することができる。また、遮蔽板７１により、液排出口７６から排出された溶剤の液体が基板Ｗに付着することを防止することができる。後述するステップＳ０７，Ｓ１２も同様である。

【0077】

ステップＳ０４の後、ＱＤＲ弁２３を開き、処理槽２内の純水をチャンバ３の底面に放出する（ステップＳ０５）。その後、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内を排気する。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する共に、撥水剤蒸気ノズル３３からチャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する（ステップＳ０６）。これにより、基板Ｗに付着したＩＰＡを撥水剤に置換する。撥水剤により基板Ｗのデバイス面は改質される。

【0078】

ここでも、複数の第２吐出口８５から４９枚の基板Ｗに撥水剤蒸気を均等に供給することができる。また、遮蔽板７１により、第２液排出口８６から排出された撥水剤の液体が基板Ｗに付着することを防止することができる。

【0079】

ステップＳ０６の後、排気ポンプ５１等によりチャンバ３内の排気を継続する。また、撥水剤蒸気ノズル３３からの撥水剤蒸気の供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ０７）。これにより、基板Ｗに付着した撥水剤をＩＰＡに置換しつつ、例えば撥水剤および撥水剤由来のパーティクルを洗い流す。

【0080】

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止すると共に、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する（ステップＳ０８）。これにより、減圧状態のチャンバ３内を大気圧に戻す。その後、排出管５３を通じて、チャンバ３内の下部の純水をチャンバ３の外部に排出する（ステップＳ０８）。

【0081】

ここで、遮蔽板７１の効果を説明する。図７は、遮蔽板７１が設けられていない基板処理装置２０１を示す。なお、基板処理装置２０１の各構成は、図３に示す基板処理装置１と同じ符号を付けているものとする。図７において、排気ポンプ５１は、側壁３Ａに設けられた排気口４７からチャンバ３内を排気して、チャンバ３内を減圧する。このとき、保持部材７の先端部７Ａ側の領域９１は、気流が遅い領域である。それにより、雰囲気が滞留しやすくなる。例えば、ステップＳ０６で生じたパーティクル（汚れ）、およびステップＳ０７で生じたパーティクル（汚れ）が領域９１に集まって滞留する場合がある。なお、パーティクルには、パーティクルの原因になる例えばミストを含む。

【0082】

そして、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻す際に、排気ポンプ５１が停止され、窒素ガスによって領域９１に滞留するパーティクルが巻き上げられて、そのパーティクルがスロット４９の基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着する場合がある。

【0083】

なお、図８（ａ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された５０枚の基板Ｗを保持する場合、スロット５０（ＳＬ５０）の基板Ｗのデバイス面は、背板９側を向く。なお、矢印ＡＲ２は、デバイス面の向きを示す。すなわち、スロット５０の基板Ｗの裏面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。この場合、スロット５０の基板Ｗの裏面で遮蔽されるためか、領域９１の気流が遅くなることによるデバイス面へのパーティクル付着の問題は生じない。

【0084】

図８（ｂ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された４９枚の基板Ｗを保持する場合、スロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗのデバイス面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。そのため、スロット４９の基板Ｗのデバイス面は領域９１に対向するため、そのデバイス面にはパーティクルが付着しやすい。

【0085】

また、図８（ｃ）に示すように、基板保持部５がフェース・ツー・フェース式で配置された２５枚の基板Ｗを保持する場合、スロット２５（ＳＬ２５）の基板Ｗのデバイス面は、保持部材７の先端部７Ａ側（－Ｙ方向）を向く。そのため、スロット２５の基板Ｗのデバイス面は、領域９１に対向するためパーティクルが付着しやすい。しかし、スロット２５の基板Ｗは、領域９１から離れているため、図８（ｃ）のスロット２５の基板Ｗに付着するパーティクル数は、図８（ｂ）のスロット４９の基板Ｗに付着するパーティクル数よりも少ない。

【0086】

なお、図８（ａ）～図８（ｃ）において、「良」は、デバイス面へのパーティクルの付着が確認されないことを示す。また、「不良」は、デバイス面へのパーティクルの付着が確認されることを示す。また、スロット１の基板Ｗは、背板９が存在し、かつ背板９側にデバイス面が向いていないので、デバイス面へのパーティクルの付着の問題が生じないと考えられる。

【0087】

遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した領域９１の雰囲気に混在するパーティクルからスロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面を保護する。また、先端基板ＷＴと遮蔽板７１との間の気体の流れを改善させることでできる。これにより、領域９１のように、先端基板ＷＴに対向して雰囲気が滞留することを防止する。これらにより、パーティクルが基板Ｗのデバイス面に付着することを防止することができる。

【0088】

ステップＳ０８の後、ステップＳ０９，Ｓ１０において、噴出管１３から処理槽２に純水を供給することで処理槽２内の洗浄を行い、その後、ＱＤＲ弁２３および開閉弁Ｖ８により、処理槽２内の純水を処理槽２およびチャンバ３の外部に排出する。なお、ステップＳ０９～Ｓ１１において、窒素ガスの供給が継続される。

【0089】

その後、噴出管１３から処理槽２に第２処理液として予め設定された量の希釈ＩＰＡ液を供給する。その後、リフタ４は、予め設定された期間、４９枚の基板Ｗを処理槽２の希釈ＩＰＡ液に浸漬させる（ステップＳ１１）。これにより、ステップＳ０７で残ったパーティクル等を除去する基板Ｗの追加の洗浄を行う。

【0090】

その後、排気ポンプ５１を作動させながら開閉弁Ｖ７を開くことで、チャンバ３内を排気する。また、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止すると共に、溶剤蒸気ノズル３１，３２からチャンバ３内にＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ１２）。その後、リフタ４は、４９枚の基板Ｗを上昇させて、処理槽２の希釈ＩＰＡ液から４９枚の基板Ｗを引き上げる（ステップＳ１２）。これにより、基板Ｗに付着した希釈ＩＰＡ液をＩＰＡに置換させる。その後、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止して、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１２）。

【0091】

その後、排気ポンプ５１を停止すると共に開閉弁Ｖ７を閉じる。また、溶剤蒸気ノズル３１，３２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止すると共に、不活性ガスノズル２７からチャンバ３内に窒素ガスを供給する（ステップＳ１３）。これにより、減圧状態のチャンバ３内を大気圧に戻す。

【0092】

ここで、ステップＳ１２で生じたパーティクル（汚れ）が領域９１（図７参照）に集まって滞留する場合がある。そして、窒素ガスを供給してチャンバ３内を大気圧に戻す際に、排気ポンプ５１が停止され、窒素ガスによって領域９１に滞留するパーティクルがスロット４９（ＳＬ４９）の基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着する場合がある。しかし、遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した領域９１の雰囲気に混在するパーティクルからスロット４９の先端基板ＷＴのデバイス面を保護する。

【0093】

ステップＳ１３の後、不活性ガスノズル２７からの窒素ガスの供給を停止する。その後、上部カバー２５を開いて、図示しない搬送ロボットは、４９枚の基板Ｗを次の目的地に搬送する（ステップＳ１４）。

【0094】

本実施例によれば、遮蔽板７１が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。また、先端基板ＷＴと遮蔽板７１との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。

【0095】

また、基板処理装置１は、溶剤蒸気ノズル３１，３２は、チャンバ３内で水平（Ｙ方向）に沿って直線状に延びる管部７３と、管部７３に設けられると共に管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置された複数の吐出口７５とを備える。溶剤蒸気ノズル３１．３２は、更に、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられ、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置された液排出口７６を備える。複数の吐出口７５は各々、チャンバ３内に溶剤蒸気を吐出する。液排出口７６は、溶剤蒸気が結露して生じた溶剤を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。

【0096】

溶剤蒸気ノズル３１、３２の上流側で結露して生じた溶剤の液体が、複数の吐出口７５の上流の管部７３に設けられた液排出口７６から排出される。液排出口７６は、遮蔽板７１とチャンバ３の保持部材７の先端部７Ａ側の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。そのため、液排出口７６から排出された溶剤の液体が基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。また、複数の吐出口７５のうちの所定の吐出口７５（例えば吐出口７５Ａ）から溶剤の液体が基板Ｗに供給されることを防止できる。そのため、複数の吐出口の全てから溶剤蒸気を供給することができる。

【0097】

また、基板処理装置１は、チャンバ３内に設けられると共に処理槽２よりも高い位置に配置された撥水剤蒸気ノズル３３であって、チャンバ３内に撥水剤蒸気を供給する撥水剤蒸気ノズル３３を更に備える。撥水剤蒸気ノズル３３は、チャンバ３内で水平（Ｙ方向）に沿って直線状に延びる第２管部８３と、第２管部８３に設けられると共に管軸ＡＸ（Ｙ方向）に沿って配置された複数の第２吐出口８５とを備える。撥水剤蒸気ノズル３３は、更に、複数の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられ、遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置された第２液排出口８６を備える。複数の第２吐出口８５は各々、チャンバ３内に撥水剤蒸気を吐出する。第２液排出口８６は、撥水剤蒸気が結露して生じた撥水剤を遮蔽板７１とチャンバ３の側壁３Ａとの間の領域に排出する。

【0098】

撥水剤蒸気ノズル３３の上流側で結露して生じた撥水剤の液体が、複数の第２吐出口８５の上流の第２管部８３に設けられた第２液排出口８６から排出される。第２液排出口８６は、遮蔽板７１とチャンバ３の保持部材７の先端部７Ａ側の側壁３Ａとの間に対応する領域７８に配置される。そのため、第２液排出口８６から排出された撥水剤の液体が基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。また、複数の第２吐出口８５のうちの所定の第２吐出口８５（例えば第２吐出口８５Ａ）から撥水剤の液体が基板Ｗに供給されることを防止できる。そのため、複数の第２吐出口８５の全てから撥水剤蒸気を供給することができる。

【実施例0099】

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。

【0100】

図９は、実施例２に係る各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の左側面の概略構成を示す縦断面図である。図１０は、実施例２に係る基板処理装置１Ａの概略構成を示す平面図である。図１１は、基板ハンドリング機構ＨＴＲの側面図である。

【0101】

実施例１の遮蔽板７１は、図示しない取付部材を介して処理槽２に取り付けられた。この点、実施例２の遮蔽板は、図９に示すように、保持部材７で保持された、パターンが形成されていないダミー基板（ダミーウエハ）１００であってもよい。ダミー基板１００は、パーティクルを遮蔽するための遮蔽用のダミー基板である。ダミー基板１００は、シリコンで形成される。また、ダミー基板１００は、セラミックで形成されていてもよい。

【0102】

なお、実施例１の基板処理装置１は、本実施例では、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４として説明する。なお、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は、図３に示される遮蔽板７１を備えていない。

【0103】

＜５．基板処理装置の構成＞
図１０を参照する。本実施例の基板処理装置１Ａは、ダミー基板１００を自動的にセッティングする機能を備える。基板処理装置１Ａは、ストッカーブロック１０３、移載ブロック１０５および処理ブロック１０７を備える。

【0104】

＜５－１．ストッカーブロック＞
ストッカーブロック１０３は、少なくとも１個のキャリアＣを収容するものである。ストッカーブロック１０３は、少なくとも１個のロードポート１０９を備える。また、ストッカーブロック１０３は、キャリア搬送機構（ロボット）１１１と、複数の保管棚１１３とを備える。複数の保管棚１１３は、ダミー基板用キャリアＣＤを含む複数のキャリアＣをそれぞれ保管する。キャリア搬送機構１１１は、保管棚１１３に保管された任意のキャリアＣを載置棚１１９（後述する）に搬送する。キャリア搬送機構１１１は、ロードポート１０９、複数の保管棚１１３および載置棚１１９（後述する）の間でキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構１１１は、キャリアＣの上面の突起部を把持する把持部、あるいは、キャリアＣの底面に接触しつつキャリアＣを支持するハンドを備える。

【0105】

ストッカーブロック１０３は、１枚以上のダミー基板１００を水平姿勢で収納するダミー基板用キャリアＣＤを備える。ダミー基板用キャリアＣＤは、保管棚１１３に予め保管されている。キャリア搬送機構１１１は、通常、保管棚１１３と、後述する載置棚１１９との間で、ダミー基板用キャリアＣＤを搬送する。

【0106】

＜５－２．移載ブロック＞
移載ブロック１０５は、ストッカーブロック１０３に隣接して配置される。移載ブロック１０５は、オープナ１１５、基板ハンドリング機構（ロボット）ＨＴＲおよび姿勢変換機構１１７を備える。オープナ１１５は、キャリアＣを載置する載置棚１１９を備える。載置棚１１９は、複数のキャリアＣを１個ずつ順番に載置する。なお、移載ブロック１０５は、複数のオープナ１１５を備えていてもよい。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、本発明の水平基板搬送機構に相当する。載置棚１１９は、本発明のキャリア載置棚に相当する。

【0107】

キャリアＣは、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを水平姿勢で所定間隔（例えば１０ｍｍ間隔（フルピッチ））を空けて鉛直方向Ｚに収納する。なお、基板Ｗは、基板Ｗの厚み方向に整列される。例えば、キャリアＣは、最大で２５枚の基板Ｗを収納することができる。キャリアＣとして、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）が用いられる。ＦＯＵＰは、密閉型容器である。キャリアＣは、開放型容器でもよく、種類を問わない。ダミー基板用キャリアＣＤは、キャリアＣと同様に構成される。

【0108】

＜５－２－１．基板ハンドリング機構＞
図１０、図１１を参照する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣから複数の基板Ｗを取り出して搬送する。すなわち、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣと姿勢変換機構１１７の間で水平姿勢の複数（例えば２５枚）の基板Ｗを一括して搬送することができる。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたキャリアＣと姿勢変換機構１１７との間で水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。そのため、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、載置棚１１９に載置されたダミー基板用キャリアＣＤから１枚のダミー基板１００を取り出して搬送することができる。

【0109】

基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５と枚葉ハンド１２７を備える。
バッチハンド１２５は、複数個（例えば２５個）のハンド１２５Ａを備える。図１１において、図示の便宜上、バッチハンド１２５は、３個のハンド１２５Ａを備えるものとする。各ハンド１２５Ａは、１枚の基板Ｗを保持する。また、枚葉ハンド１２７は、１枚の基板Ｗを保持する。

【0110】

また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド支持部１２９、枚葉ハンド支持部１３１、進退部１３３および昇降回転部１３５を備える。バッチハンド支持部１２９は、バッチハンド１２５（複数個のハンド１２５Ａ）を支持する。これにより、複数個のハンド１２５Ａは、一体的に移動する。枚葉ハンド支持部１３１は、枚葉ハンド１２７を支持する。

【0111】

進退部１３３は、バッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を独立して前進および後退させることができる。具体的には、進退部１３３は、枚葉ハンド１２７と独立して、バッチハンド支持部１２９を介して、複数個のハンド１２５Ａを前進および後退させる。また、進退部１３３は、バッチハンド１２５と独立して、枚葉ハンド１２７を前進および後退させることができる。昇降回転部１３５は、鉛直軸ＡＸ１周りに進退部１３３を回転させることで、鉛直軸ＡＸ１周りにバッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を回転させる。また、昇降回転部１３５は、進退部１３３を昇降させることで、バッチハンド１２５および枚葉ハンド１２７を昇降させる。なお、進退部１３３および昇降回転部１３５は各々、電動モータを備える。

【0112】

＜５－２－２．姿勢変換機構＞
図１０を参照する。姿勢変換機構１１７は、水平姿勢と鉛直姿勢との間で複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を姿勢変換する。例えば、姿勢変換機構１１７は、基板ハンドリング機構ＨＴＲで搬送された複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。また、姿勢変換機構１１７は、後述する搬送機構ＷＴＲで搬送された複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。

【0113】

また、複数の基板Ｗは、第１基板群および第２基板群を有する。そのため、姿勢変換機構１１７は、第１基板群の２枚以上の基板Ｗ１と第２基板群の２枚以上の基板Ｗ２とを組み合わせて複数の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）を形成する。

【0114】

姿勢変換機構１１７は、姿勢変換部１３７とプッシャ機構１３９を備える。図１０において、基板ハンドリング機構ＨＴＲ、姿勢変換部１３７およびプッシャ機構１３９は、この順番で幅方向Ｙに配置される。図１２（ａ）～図１２（ｆ）は、移載ブロック１０５の姿勢変換機構１１７（姿勢変換部１３７およびプッシャ機構１３９）を説明するための図である。

【0115】

図１２（ａ）を参照する。姿勢変換部１３７は、支持台１３７Ａ、１対の水平保持部１３７Ｂ、１対の鉛直保持部１３７Ｃ、および回転駆動部１３７Ｄを備える。１対の水平保持部１３７Ｂおよび１対の鉛直保持部１３７Ｃは、支持台１３７Ａに設けられる。水平保持部１３７Ｂおよび鉛直保持部１３７Ｃは、基板ハンドリング機構ＨＴＲよって搬送された複数の基板Ｗを受け取る。基板Ｗが水平姿勢であるとき、１対の水平保持部１３７Ｂは、各基板Ｗの下面に接触しつつ、基板Ｗを下方から支持する。

【0116】

また、基板Ｗが鉛直姿勢であるとき、１対の鉛直保持部１３７Ｃは、基板Ｗを保持する。各鉛直保持部１３７Ｃは、複数（例えば２６枚）の基板Ｗを保持するための複数（例えば２６個）の保持溝と、複数（例えば２６枚）の基板を通過させるための複数（例えば２６個）の通過溝を備える。複数の保持溝と複数の通過溝は、１個ずつ交互に設けられる。

【0117】

回転駆動部１３７Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台１３７Ａを回転可能に支持する。また、回転駆動部１３７Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台１３７Ａを回転させることで、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃに保持された複数の基板Ｗの姿勢を水平から鉛直に変換する。

【0118】

図１２（ｆ）を参照する。プッシャ機構１３９は、プッシャ１３９Ａ、昇降回転部１３９Ｂ、水平移動部１３９Ｃおよびレール１３９Ｄを備える。プッシャ１３９Ａは、複数（例えば５２個）の保持溝を備える。プッシャ１３９Ａは、鉛直姿勢の複数（例えば５２枚）の基板Ｗおよびダミー基板１００の各々の下部を支持する。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）において、図示の便宜上、プッシャ１３９Ａは、ダミー基板１００を含む８枚の基板Ｗを保持できるように構成される。なお、後述する図１８（ａ）、図２０（ａ）において、図示の便宜上、プッシャ１３９Ａは、６枚の基板Ｗを保持できるように構成される。

【0119】

昇降回転部１３９Ｂは、プッシャ１３９Ａの下面に連結される。昇降回転部１３９Ｂは、伸縮することでプッシャ１３９Ａを上下方向に昇降させる。また、昇降回転部１３９Ｂは、鉛直軸ＡＸ３周りにプッシャ１３９Ａを回転させる。水平移動部１３９Ｃは、昇降回転部１３９Ｂを支持する。水平移動部１３９Ｃは、プッシャ１３９Ａおよび昇降回転部１３９Ｂをレール１３９Ｄに沿って水平移動させる。レール１３９Ｄは、幅方向Ｙに延びるように形成される。なお、回転駆動部１３７Ｄ、昇降回転部１３９Ｂおよび水平移動部１３９Ｃは各々、電動モータを備える。

【0120】

＜５－３．処理ブロック＞
図１０を参照する。処理ブロック１０７は、移載ブロック１０５に隣接する。処理ブロック１０７は、移載ブロック１０５を介してストッカーブロック１０３の反対側に配置される。処理ブロック１０７は、４つのバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４と搬送機構ＷＴＲとを備える。

【0121】

４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は、この順番で前後方向Ｘに沿って配置される。図１０において、バッチ処理部ＢＴ１は、移載ブロック１０５から最も遠い位置に配置される。４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は各々、複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を一括して処理する。例えば、４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４は、２つの薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３と、２つの洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４とで構成される。薬液処理部ＢＴ１と洗浄処理部ＢＴ２を１組とし、薬液処理部ＢＴ３と洗浄処理部ＢＴ４を他の１組とする。なお、１組のバッチ処理部は、１個以上の薬液処理部と１個以上の洗浄処理部とを備えていればよい。

【0122】

２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は各々、処理槽１４１を備える。２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は各々、薬液によるエッチング処理を行う。薬液として、例えば燐酸が用いられる。薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３の２個の処理槽１４１は各々、図示しない薬液噴出管から供給された薬液を貯留する。薬液噴出管は、各処理槽１４１の内壁に設けられる。

【0123】

２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３は、２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３をそれぞれ備える。２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３は各々、所定間隔（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））で配置された鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を保持する。また、各リフタＬＦ１，ＬＦ３は、処理槽１４１の内部の処理位置と、処理槽１４１の上方の受け渡し位置との間で、複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を昇降させる。

【0124】

なお、上述のように、洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、遮蔽板７１を除いて、図１、図３に示す実施例１の構成を備える。洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４は各々、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２を囲うチャンバ３と、リフタ４とを備える。リフタ４は、基板保持部５と、基板保持部５を昇降させる昇降機構６とを備える。基板保持部５は、３つの保持部材７と背板９を備える。

【0125】

図１３（ａ）、図１３（ｂ）を参照する。各保持部材７は、所定のピッチ（例えば５ｍｍ（ハーフピッチ））でＹ方向に並んで形成された複数（例えば５１個）の溝部を有する。５１個の溝はそれぞれ、スロット１～５１（ＳＬ１～ＳＬ５１）と呼ばれる。背板９に最も近い溝は、スロット１であり、背板９から最も離れた溝は、スロット５１である。

【0126】

言い換えると、各保持部材７は、複数（例えば５０個）の基板Ｗを保持する複数（例えば５０個）の溝ＳＬ１～ＳＬ５０および、ダミー基板１００を保持する溝ＳＬ５１を有する。溝ＳＬ５１（ダミー基板用保持溝）は、溝ＳＬ１～ＳＬ５０に対して各保持部材７の先端部７Ａ側に配置される。すなわち、溝ＳＬ５１は、溝ＳＬ５０を介して溝ＳＬ４９の反対側に配置される。また、溝ＳＬ１～ＳＬ５０および溝ＳＬ５１は、所定間隔（ハーフピッチ）を空けて一列に整列配置される。なお、各溝ＳＬ１～ＳＬ５０は、本発明の保持溝に相当する。

【0127】

本実施例では、各洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４で複数の基板Ｗを処理するために、毎回、複数の基板Ｗにダミー基板１００が加えられる。そのため、溝ＳＬ５１には、遮蔽用のダミー基板１００以外の基板Ｗが配置されないように構成される。また、図９に示すように、液排出口７６および第２液排出口８６は、ダミー基板１００よりもチャンバ３の側壁３Ａの近くに配置される。

【0128】

搬送機構ＷＴＲは、鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を一括して搬送する。搬送機構ＷＴＲは、姿勢変換機構１１７と４個のバッチ処理部ＢＴ１～ＢＴ４との間で鉛直姿勢の複数の基板Ｗおよびダミー基板１００を搬送する。搬送機構ＷＴＲは、１対のチャック１４３，１４５、ガイドレール１４７および昇降部（図示しない）を備える。チャック１４３，１４５は各々、例えば、５０枚の基板Ｗおよび１枚のダミー基板１００を保持するために５１個の保持溝を備える。搬送機構ＷＴＲは、２つのチャック１４３，１４５を開いたり閉じたりする。搬送機構ＷＴＲは、一対のチャック１４３，１４５をガイドレール１４７に沿って移動させる。昇降部は、１対のチャック１４３，１４５を昇降させる。搬送機構ＷＴＲは、電動モータで駆動される。

【0129】

基板処理装置１Ａは、制御部６１と記憶部（図示しない）を備えている。制御部６１は、基板処理装置１Ａの各構成を制御する。記憶部は、基板処理装置１Ａの各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。

【0130】

＜６．基板処理装置の動作＞
図１４のフローチャートを参照しながら、基板処理装置１Ａの動作について説明する。図１０を参照する。図示しない外部搬送ロボットは、２個のキャリアＣをロードポート１０９に順番に搬送する。

【0131】

基板処理装置１Ａは、第１キャリアＣの第１基板群の２枚以上の基板Ｗ１と第２キャリアＣの第２基板群の２枚以上の基板Ｗ２とを組み合わせて、フェース・ツー・フェース方式でかつハーフピッチで整列された基板Ｗである処理基板群を形成する。また、基板処理装置１Ａは、例えば第１薬液処理部ＢＴ１、第２洗浄処理部ＢＴ２に順番に処理基板群を搬送して、処理基板群を一括して処理する。これらの詳細を説明する。

【0132】

〔ステップＳ２１〕姿勢変換機構への第１基板群の搬送
ストッカーブロック１０３のキャリア搬送機構１１１は、ロードポート１０９から載置棚１１９に第１キャリアＣを搬送する。ここで、第１キャリアＣは、２５枚の基板Ｗ１からなる第１基板群を収納する。なお、２個のキャリアＣは、保管棚１１３を介して、ロードポート１０９から載置棚１１９に搬送されてもよい。

【0133】

図１２（ａ）を参照する。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）において、図示の便宜上、第１基板群は３枚の基板Ｗ１で構成され、第２基板群は３枚の基板Ｗ２で構成される。また、基板Ｗ１と基板Ｗ２とを特に区別しない場合、基板Ｗ１および基板Ｗ２は「基板Ｗ」と記載される。

【0134】

基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第１キャリアＣから姿勢変換部１３７に第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を一括して搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示される奇数番号の２５個の溝ＳＬ１，ＳＬ３，ＳＬ５，・・・ＳＬ４７，ＳＬ４９に対応するように、２５枚の基板Ｗ１を姿勢変換部１３７に搬送する。姿勢変換部１３７は、２対の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃと用いて、基板ハンドリング機構ＨＴＲから２５枚の基板Ｗ１を受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ１は、水平姿勢であり、デバイス面は上向きである。２５枚の基板Ｗ１は、所定の間隔（フルピッチ）で配置される。フルピッチは、例えば１０ｍｍ間隔である。フルピッチは、ノーマルピッチとも呼ばれる。なお、ハーフピッチは、フルピッチの半分の間隔（例えば５ｍｍ）である。

【0135】

〔ステップＳ２２〕ダミー基板の挿入
基板ハンドリング機構ＨＴＲが第１キャリアＣから２５枚の基板Ｗ１を取り出した後、キャリア搬送機構１１１は、載置棚１１９から保管棚１１３に空の第１キャリアＣを搬送し、その後、保管棚１１３から載置棚１１９にダミー基板用キャリアＣＤを搬送する（図１０参照）。

【0136】

その後、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１２（ａ）に示すように、枚葉ハンド１２７を用いて、ダミー基板用キャリアＣＤから姿勢変換部１３７にダミー基板１００を搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、溝ＳＬ５１に対応するように、ダミー基板１００を姿勢変換部１３７に搬送する。姿勢変換部１３７は、図１２（ａ）に示すように、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１の上方の保持溝で水平姿勢のダミー基板１００を受け取る。図１２（ａ）において、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００は、フルピッチ（例えば１０ｍｍ）で鉛直方向Ｚに整列される。

【0137】

基板ハンドリング機構ＨＴＲがダミー基板用キャリアＣＤから１枚のダミー基板１００を取り出した後、キャリア搬送機構１１１は、載置棚１１９から保管棚１１３にダミー基板用キャリアＣＤを搬送し、その後、ロードポート１０９から載置棚１１９に第２キャリアＣを搬送する（図１０参照）。

【0138】

〔ステップＳ２３〕第１基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
図１２（ｂ）を参照する。姿勢変換部１３７にダミー基板１００が搬送された後、回転駆動部１３７Ｄは、支持台１３７Ａに設けられた２対の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃを水平軸ＡＸ２周りに９０度回転させる。これにより、姿勢変換部１３７は、２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。

【0139】

図１２（ｃ）を参照する。その後、プッシャ機構１３９の昇降回転部１３９Ｂは、姿勢変換部１３７の保持部１３７Ｂ，１３７Ｃよりも高い位置にプッシャ１３９Ａを上昇させる。これにより、プッシャ１３９Ａは、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃから２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を受け取る。プッシャ１３９Ａで保持された２５枚の基板Ｗ１は、左方Ｙを向く。なお、図１２（ａ）～図１２（ｆ）中、基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）に付された矢印ＡＲ２は、基板Ｗのデバイス面の向きを示す。

【0140】

図１２（ｄ）を参照する。プッシャ機構１３９は、鉛直軸ＡＸ３周りに鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を１８０度回転させる。これにより、２５枚の基板Ｗ１は、反転されて右方Ｙを向く。更に、反転された２５枚の基板Ｗ１は、回転前の位置から左方Ｙにハーフピッチ分（例えば５ｍｍ）移動する。また、姿勢変換部１３７は、保持部１３７Ｂ，１３７Ｃを水平軸ＡＸ２周りに－９０度回転させて、次の基板Ｗ２を受け取ることができる状態にする。なお、姿勢変換部１３７とプッシャ機構１３９は互いに干渉しないように動作される。

【0141】

〔ステップＳ２４〕姿勢変換機構への第２基板群の搬送
第２キャリアＣは、載置棚１１９に載置されている。第２キャリアＣは、２５枚の基板Ｗ２からなる第２基板群を収納している。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、載置棚１１９に載置された第２キャリアＣから姿勢変換部１３７に第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を一括して搬送する。ここで、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示される偶数番号の２５個の溝ＳＬ２，ＳＬ４，ＳＬ６，・・・ＳＬ４８，ＳＬ５０に対応するように、２５枚の基板Ｗ２を姿勢変換部１３７に搬送する。図１２（ｄ）に示すように、姿勢変換部１３７は、２つの保持部１３７Ｂ，１３７Ｃで、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ２を受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ２の各々のデバイス面は上向きである。

【0142】

〔ステップＳ２５〕第２基板群の鉛直姿勢への姿勢変換
図１２（ｅ）を参照する。プッシャ機構１３９は、２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を保持するプッシャ１３９Ａを退避位置に下降させる。その後、姿勢変換部１３７は、２５枚の基板Ｗ２の姿勢を水平から鉛直に変換する。姿勢変換後の２５枚の基板Ｗ２は、左方Ｙを向く。図１２（ｆ）を参照する。その後、プッシャ機構１３９は、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を保持するプッシャ１３９Ａを上昇させる。これにより、プッシャ機構１３９は、姿勢変換部１３７から２５枚の基板Ｗ２を更に受け取る。

【0143】

そのため、第１基板群と第２基板群とダミー基板１００とが組み合わされて、処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２およびダミー基板１００）が形成される。処理基板群は、ハーフピッチで整列される。５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１と第２基板群の２５枚の基板Ｗ２とが１枚ずつ交互に配置される。２５枚の基板Ｗ１は、２５枚の基板Ｗ２と逆方向を向いている。そのため、５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、フェース・ツー・フェース方式で配置される。すなわち、隣接する２枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、２つのデバイス面（または２つの裏面）が向き合っている。

【0144】

その後、プッシャ機構１３９は、移載ブロック１０５内に定められた基板受け渡し位置ＰＰにレール１３９Ｄに沿って処理基板群を搬送する。基板受け渡し位置ＰＰは、搬送機構ＷＴＲの１対のチャック１４３，１４５の下方に定められている。

【0145】

〔ステップＳ２６〕薬液処理
搬送機構ＷＴＲは、基板受け渡し位置ＰＰでプッシャ機構１３９から鉛直姿勢の処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）を搬送する。すなわち、搬送機構ＷＴＲは、基板受け渡し位置ＰＰで鉛直姿勢の処理基板群を受け取り、２個の薬液処理部ＢＴ１，ＢＴ３の２個のリフタＬＦ１，ＬＦ３の一方に処理基板群を搬送する。例えば、リフタＬＦ１は、薬液処理部ＢＴ１の処理槽１４１の上方の位置で、搬送機構ＷＴＲによって搬送された処理基板群を受け取る。リフタＬＦ１は、処理槽１４１に貯留された燐酸（処理液）に処理基板群を浸漬させる。これにより、５０枚の基板Ｗは、エッチング処理が行われる。この処理の際に、ダミー基板１００はカウントせずに、５０枚の基板Ｗに応じた燐酸を補充する。

【0146】

エッチング処理後、リフタＬＦ１は、処理基板群を処理槽１４１内の燐酸から引き上げる。なお、リフタＬＦ３に処理基板群が搬送された場合も、薬液処理部ＢＴ３は、処理基板群に対して薬液処理部ＢＴ１と同様の処理を行う。

【0147】

〔ステップＳ２７〕洗浄処理および乾燥処理
搬送機構ＷＴＲは、例えばリフタＬＦ１から鉛直姿勢の処理基板群（５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２と１枚のダミー基板１００）を受け取り、図１、図９、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示す洗浄処理部ＢＴ２のリフタ４の基板保持部５にその処理基板群を搬送する。処理基板群を受け取るとき、昇降機構６（図１参照）は、基板保持部５を乾燥位置Ｈ１に位置させる。基板保持部５は、鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２を保持すると共に、５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２のうちの背板９から最も離れた先端基板ＷＴと、各保持部材７の先端部７Ａ側が対向するチャンバ３の側壁３Ａとの間に位置するようにダミー基板１００を保持する。具体的には、基板保持部５は、各保持部材７の５０個の溝ＳＬ１～ＳＬ５０と１個の溝ＳＬ５１で５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２とダミー基板１００を受け取って保持する。なお、基板保持部５は、処理基板群を保持した状態で処理槽２内の処理位置Ｈ２と処理槽２の上方の乾燥位置Ｈ１とに亘って移動する。

【0148】

洗浄処理部ＢＴ２は、処理基板群に対して図６に示すステップＳ０１～Ｓ１４の洗浄処理および乾燥処理を行う。この際、遮蔽用のダミー基板１００が設けられていることで、各保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気を遮蔽する。そのため、その雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。

【0149】

なお、処理基板群が薬液処理部ＢＴ３で処理された場合、搬送機構ＷＴＲは、薬液処理部ＢＴ３から洗浄処理部ＢＴ４に処理基板群を搬送する。洗浄処理部ＢＴ４は、処理基板群に対して洗浄処理部ＢＴ２と同様の処理を行う。

【0150】

〔ステップＳ２８〕水平姿勢への姿勢変換
その後、搬送機構ＷＴＲは、処理槽２等で処理された鉛直姿勢の処理基板群を２個の基板保持部５の一方から姿勢変換機構１１７に搬送する。すなわち、搬送機構ＷＴＲは、２個の洗浄処理部ＢＴ２，ＢＴ４の２個の基板保持部５の一方から処理基板群を受け取り、その処理基板群を姿勢変換機構１１７に搬送する。プッシャ１３９Ａは、水平移動部１３９Ｃによって、基板受け渡し位置ＰＰに移動されている。プッシャ１３９Ａは、搬送機構ＷＴＲによって搬送された処理基板群の５０枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）とダミー基板１００とを鉛直姿勢で保持する。

【0151】

姿勢変換機構１１７は、搬送機構ＷＴＲで搬送された５０枚の基板Ｗ１，Ｗ２を第１基板群の２５枚の基板Ｗ１と第２基板群の２５枚の基板Ｗ２とに分ける。また、姿勢変換機構１１７は、第１基板群、第２基板群およびダミー基板１００を鉛直姿勢から垂直姿勢に変換する。具体的に説明する。

【0152】

姿勢変換機構１１７は、例えば、図１２（ｆ）から図１２（ａ）に向かう順番で動作する。すなわち、姿勢変換機構１１７は、処理基板群から第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を抜き出し、これらを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。その後、姿勢変換機構１１７は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。なお、姿勢変換機構１１７は、第２基板群よりも先に空のキャリアＣに第１基板群を戻すために、処理基板群から第１基板群の２５枚の基板Ｗ１およびダミー基板１００を抜き出してもよい。

【0153】

〔ステップＳ２９〕キャリアへの基板搬送
キャリア搬送機構１１１は、第１キャリアＣ、第２キャリアＣおよびダミー基板用キャリアＣＤのいずれか１つを載置棚１１９に選択的に搬送する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第２キャリアＣに第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を搬送する。また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、枚葉ハンド１２７を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９のダミー基板用キャリアＣＤにダミー基板１００を搬送する。また、更に、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッチハンド１２５を用いて、姿勢変換部１３７から載置棚１１９の第１キャリアＣに第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を搬送する。

【0154】

キャリア搬送機構１１１は、ダミー基板１００が収納されたダミー基板用キャリアＣＤを載置棚１１９から保管棚１１３に搬送する。また、キャリア搬送機構１１１は、処理済の基板Ｗ１が収納された第１キャリアＣと、処理済の基板Ｗ２が収納された第２キャリアＣとを載置棚１１９からロードポート１０９に各々搬送する。外部搬送ロボットは、ロードポート１０９に各々搬送された２個のキャリアＣを次の目的地に順番に搬送する。

【0155】

本実施例によれば、遮蔽板としてのダミー基板１００が設けられていることで、保持部材７の先端部７Ａ側で滞留した雰囲気に混在するパーティクルから基板Ｗを保護する。また、先端基板ＷＴとダミー基板１００との間で気体の流れを改善させることができる。これらにより、パーティクルが基板Ｗ（先端基板ＷＴ）に付着することを防止することができる。

【0156】

基板保持部５は、鉛直姿勢の複数の基板Ｗを保持すると共に、複数の基板Ｗのうちの先端基板ＷＴとチャンバ３の側壁３Ａとの間に位置するようにダミー基板１００を保持する。そのため、パーティクルが先端基板ＷＴに付着することを防止することができる。また、基板処理装置１Ａは、ダミー基板用キャリアＣＤを備え、ダミー基板用キャリアＣＤは、遮蔽用のダミー基板１００を収納する。ダミー基板１００は、処理槽２で一括して処理される複数の基板Ｗ毎に加えられる。そして、処理槽２で処理された後、ダミー基板１００は、複数の基板Ｗとは別に、ダミー基板用キャリアＣＤに戻される。そのため、処理槽２を囲うチャンバ３内に遮蔽板７１を常設することなく、パーティクルが先端基板ＷＴに付着することを防止することができる。

【0157】

なお、図１２（ｆ）において、符号ＥＥ１で示される第２基板群の基板Ｗ２が先端基板ＷＴであった。この状態からプッシャ１３９Ａを鉛直軸ＡＸ３周りに１８０度回転させると、符号ＥＥ２で示される第１基板群の基板Ｗ１が先端基板ＷＴになる。そのため、５０枚の基板Ｗの形成手法によって、先端基板ＷＴが変化する。この場合、ダミー基板１００は、図１２（ａ）において、姿勢変換部１３７に搬送されず、図１２（ｄ）において、姿勢変換部１３７に搬送されてもよい。その後、姿勢変換部１３７は、第２基板群とダミー基板１００とを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。