特開 2023-18165 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023018165

(43)【公開日】2023-02-08

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230201BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20230201BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

H01L25/04 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020006372

(22)【出願日】2020-01-17

(71)【出願人】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002527

【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】岡坂 翔太

(72)【発明者】

【氏名】松林 良

(57)【要約】

【課題】課題は、バスバーによる電気的接続の信頼性を向上できる、半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体装置１０は、回路部２０と、バスバー５０とを備える。回路部２０は、搭載面３０ａを有する実装基板３０と、実装基板３０の搭載面３０ａに配置された半導体チップ４０（４１，４２）とを有する。バスバー５０は、搭載面３０ａ上にある複数の接続対象Ｐ１０（Ｐ１１～Ｐ１３）に導電性を有する複数の接合部材６０（６１～６３）を介して接続される複数の接続部５１（５１１～５１３）と、複数の接続部５１（５１１～５１３）を連結する連結部５２とを有する。複数の接続部５１（５１１～５１３）は、第１接続部５１１と、連結部５２の長さ方向において第１接続部５１１の両側にある第２及び第３接続部５１２，５１３を含む。第１接続部５１１は、第２及び第３接続部５１２，５１３よりも搭載面３０ａから遠い。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

搭載面を有する実装基板、及び前記実装基板の搭載面に配置された半導体チップを有する回路部と、
前記搭載面上にある複数の接続対象に導電性を有する複数の接合部材を介して接続される複数の接続部、及び前記複数の接続部を連結する連結部を有するバスバーと、
を備え、
前記複数の接続部は、第１接続部と、前記連結部の長さ方向において前記第１接続部の両側にある第２及び第３接続部とを含み、
前記第１接続部は、前記第２及び第３接続部よりも前記搭載面から遠い、
半導体装置。

【請求項2】

前記複数の接続部は、前記連結部の長さ方向において、前記第２又は第３接続部における前記第１接続部とは反対側にある外側接続部を含む、
請求項１の半導体装置。

【請求項3】

前記複数の接続部は、前記連結部の長さ方向において、前記第２及び第３接続部の間にある内側接続部を含む、
請求項１又は２の半導体装置。

【請求項4】

前記連結部は、直線状である、
請求項１～３のいずれか一つの半導体装置。

【請求項5】

前記実装基板は、長さを有し、
前記連結部の長さ方向は、前記実装基板の長さ方向に一致する、
請求項１～４のいずれか一つの半導体装置。

【請求項6】

前記実装基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の厚さ方向の第１面に形成される第１導体層と、
前記絶縁基板の厚さ方向の第２面に形成される第２導体層と、
を含み、
前記第１導体層における前記絶縁基板とは反対側の面が前記搭載面を構成し、
前記第１導体層は、前記第２導体層よりも体積が小さい、
請求項１～５のいずれか一つの半導体装置。

【請求項7】

前記第１接続部の前記連結部から前記搭載面側への突出量をＤ１、
前記第２接続部の前記連結部から前記搭載面側への突出量をＤ２とすると、
Ｄ１＜Ｄ２である、
請求項１～６のいずれか一つの半導体装置。

【請求項8】

前記第３接続部の前記連結部から前記搭載面側への突出量をＤ３とすると、
Ｄ１＜Ｄ３である、
請求項７の半導体装置。

【請求項9】

前記複数の接続対象は、前記第１接続部に接合される第１接続対象と、前記第２接続部に接合される第２接続対象とを含み、
前記第１接続部の前記連結部から前記搭載面側への突出量をＤ１、
前記第１接続対象の前記搭載面からの突出量をＨ１、
前記第２接続部の前記連結部から前記搭載面側への突出量をＤ２、
前記第２接続対象の前記搭載面からの突出量をＨ２とすると、
Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ２＋Ｈ２である、
請求項１～６のいずれか一つの半導体装置。

【請求項10】

前記回路部は、前記搭載面に配置された複数の前記半導体チップを有し、
前記複数の半導体チップは、前記第１接続対象となる第１半導体チップと、前記第２接続対象となる第２半導体チップとを含み、
Ｈ１は、前記搭載面から、前記第１半導体チップにおいて前記第１接続部に接合される面までの距離であり、
Ｈ２は、前記搭載面から、前記第２半導体チップにおいて前記第２接続部に接合される面までの距離である、
請求項９の半導体装置。

【請求項11】

前記複数の接続対象は、前記第３接続部に接合される第３接続対象を含み、
前記第３接続部の前記連結部からの前記搭載面側への突出量をＤ３、
前記第３接続対象の前記搭載面からの突出量をＨ３とすると、
Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ３＋Ｈ３である、
請求項９又は１０の半導体装置。

【請求項12】

前記第３接続対象は、前記搭載面に露出する電極であり、
Ｈ３は、０である、
請求項１１の半導体装置。

【請求項13】

前記複数の接続対象は、前記第１接続部に接合される第１接続対象と、前記第２接続部に接合される第２接続対象とを含み、
前記複数の接合部材は、前記第１接続部と前記第１接続対象とを接合する第１接合部材と、前記第２接続部と前記第２接続対象とを接合する第２接合部材とを含み、
前記第１接合部材の厚さをＴ１、
前記第２接合部材の厚さをＴ２とすると、
Ｔ１＞Ｔ２である、
請求項１～６のいずれか一つの半導体装置。

【請求項14】

前記複数の接続対象は、前記第３接続部に接合される第３接続対象を含み、
前記複数の接合部材は、前記第３接続部と前記第３接続対象とを接合する第３接合部材を含み、
前記第３接合部材の厚さをＴ３とすると、
Ｔ１＞Ｔ３である、
請求項１３の半導体装置。

【請求項15】

前記回路部及び前記バスバーを収容するボディを更に備え、
前記バスバーは、前記ボディには支持されていない、
請求項１～１４のいずれか一つの半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、一般に半導体装置に関する。本開示は、特に、バスバー（ブスバー）を備える半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、半導体装置を開示する。特許文献１の半導体装置は、第１～第３半導体チップをそれぞれ搭載した第１～第３絶縁回路基板と、第１～第３絶縁回路基板を内側に収納するケースと、ケースの内側で２個の側壁の間に延び両端が架け渡される端子接続部材とを備える。端子接続部材（バスバー）は、第１～第３半導体チップのそれぞれと電気的に接続される３個の第１～第３接続端子（接続部）を有する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１８６２４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のような半導体装置では、端子接続部材（バスバー）を固定あるいは保持するケースの寸法精度が不十分となったときに、端子接続部材（バスバー）が傾いたりする可能性が生じる。このとき、端子接続部材の３個の第１～第３接続端子が第１～第３半導体チップのそれぞれと正しく電気的に接続されない場合がある。これは、電気的接続の信頼性に影響を及ぼす一因となり得る。

【0005】

課題は、バスバーによる電気的接続の信頼性を向上できる、半導体装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様の半導体装置は、回路部と、バスバーとを備える。前記回路部は、搭載面を有する実装基板と、前記実装基板の搭載面に配置された半導体チップとを有する。前記バスバーは、前記搭載面上にある複数の接続対象に導電性を有する複数の接合部材を介して接続される複数の接続部と、前記複数の接続部を連結する連結部とを有する。前記複数の接続部は、第１接続部と、前記連結部の長さ方向において前記第１接続部の両側にある第２及び第３接続部とを含む。前記第１接続部は、前記第２及び第３接続部よりも前記搭載面から遠い。

【発明の効果】

【0007】

本開示の態様によれば、バスバーによる電気的接続の信頼性を向上できる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態の半導体装置の概略平面図である。

【図2】図２は、図１のＸ－Ｘ線断面図である。

【図3】図３は、一変形例の半導体装置の概略断面図である。

【図4】図４は、一変形例の半導体装置の概略断面図である。

【図5】図５は、一変形例の半導体装置の概略断面図である。

【図6】図６は、一変形例の半導体装置の概略平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（１）実施形態
（１－１）概要
図１及び図２は、一実施形態の半導体装置１０を示す。なお、図１及び図２は、模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。この点は、図３～図６においても同様である。

【0010】

半導体装置１０は、回路部２０と、バスバー５０とを備える。回路部２０は、搭載面３０ａを有する実装基板３０と、実装基板３０の搭載面３０ａに配置された半導体チップ４０（複数の半導体チップ４１，４２）とを有する。バスバー５０は、搭載面３０ａ上にある複数の接続対象Ｐ１０（Ｐ１１～Ｐ１３）に導電性を有する複数の接合部材６０（６１～６３）を介して接続される複数の接続部５１（５１１～５１３）と、複数の接続部５１（５１１～５１３）を連結する連結部５２とを有する。複数の接続部５１（５１１～５１３）は、第１接続部５１１と、連結部５２の長さ方向（図２の左右方向）において第１接続部５１１の両側にある第２及び第３接続部５１２，５１３を含む。第１接続部５１１は、第２及び第３接続部５１２，５１３よりも搭載面３０ａから遠い。

【0011】

ところで、半導体装置１０では、例えば、第２接続部５１２よりも先に第１及び第３接続部５１１，５１３が回路部２０に接合されると、バスバー５０が、回路部２０に対する所望の位置から過度に傾いてしまう可能性がある。バスバー５０が過度に傾くと、第２接続部５１２又は第３接続部５１３が回路部２０から浮き上がって、第２接続部５１２又は第３接続部５１３と回路部２０との接続不良が生じて電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。また、第２接続部５１２又は第３接続部５１３と回路部２０との間の接合部材が薄くなりすぎて、第２接続部５１２又は第３接続部５１３と回路部２０との間の接合強度が小さくなることで機械的接続の信頼性が低下する可能性がある。これに対して、本実施形態の半導体装置１０では、第１接続部５１１が、第２及び第３接続部５１２，５１３よりも搭載面３０ａから遠い。そのため、第１接続部５１１よりも第２及び第３接続部５１２，５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高い。これによって、バスバー５０が、回路部２０に対する所望の位置から過度に傾いてしまう可能性が低減される。その結果、本実施形態の半導体装置１０によれば、バスバー５０による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0012】

（１－２）詳細
以下、本実施形態の半導体装置１０について図１及び図２を参照して説明する。半導体装置１０は、回路部２０と、バスバー５０と、接合部材６０と、端子部７１，７２と、ボディ８０と、封止部９０とを備える。なお、図１では、図示の簡略化のために、封止部９０が省略されている。

【0013】

ボディ８０は、回路部２０と、バスバー５０と、接合部材６０とを収容する。図２に示すように、ボディ８０は、ヒートシンク８１０と、枠部８２０とを備える。

【0014】

ヒートシンク８１０は、板部８１１と、複数のフィン８１２と、を有する。板部８１１は、矩形板状であり、第１主面８１１ａと、第１主面８１１ａとは反対側の第２主面８１１ｂと、を有する。複数のフィン８１２は、板部８１１の第２主面８１１ｂから板部８１１の厚さ方向に突出している。ヒートシンク８１０の材料は、銅やアルミニウムが主に用いられる。ここで、ヒートシンク８１０の材料は、純粋な銅やアルミニウムに限らず、例えば、ＡｌＳｉ、Ｃｕ－Ｍｏ、ＣＭＣ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ Ｃｏｐｐｅｒ）、ＣＩＣ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｉｎｖｅｒ Ｃｏｐｐｅｒ）等の銅合金やアルミニウム合金であってもよい。

【0015】

枠部８２０は、枠状（矩形枠状）であり、ヒートシンク８１０の板部８１１の第１主面８１１ａ上に配置されている。枠部８２０は、回路部２０及びバスバー５０を囲んでいる。枠部８２０は、電気絶縁性を有する。枠部８２０の材料は、例えば、ＰＢＴ（Ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＢＩ（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）である。

【0016】

端子部７１，７２は、外部接続用の端子部である。端子部７１，７２は、枠部８２０に一体に設けられている。例えば、端子部７１，７２は、インサート成形によって、枠部８２０と一体に設けられる。端子部７１，７２の各々は、一端が枠部８２０上に露出し、他端が回路部２０に電気的に接続される。また、端子部７１，７２は、枠部８２０の長さ方向（図１における左右方向）の両側にあって、枠部８２０の長さ方向において一直線上に並ぶ。端子部７１，７２の材料としては、銅や、Ｃｕ－Ｍｏ、ＣＭＣ、ＣＩＣ等の銅合金が挙げられる。

【0017】

回路部２０は、実装基板３０と、半導体チップ４０とを含む。本実施形態では、回路部２０は、複数の半導体チップ４０を含む。

【0018】

実装基板３０は、搭載面３０ａと、実装基板３０の厚さ方向において搭載面３０ａとは反対側の接合面３０ｂとを有する。実装基板３０の厚さ方向からの平面視における実装基板３０の外周形状は、例えば、長方形状である。つまり、実装基板３０は長さを有する。

【0019】

本実施形態では、実装基板３０は、絶縁基板３１０と、第１導体層３２０と、第２導体層３３０とを有する。絶縁基板３１０は、その厚さ方向の両面である、第１面３１０ａ及び第２面３１０ｂを有する。絶縁基板３１０の厚さ方向からの平面視における絶縁基板３１０の外周形状は、例えば、長方形状である。絶縁基板３１０の外周形状は、実装基板３０の外周形状と同じである。絶縁基板３１０は、例えば、窒化ケイ素基板である。絶縁基板３１０は、窒化ケイ素基板に限らず、例えば、窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、又は樹脂基板であってもよい。第１導体層３２０は、絶縁基板３１０の第１面３１０ａ上に設けられている。第１導体層３２０の厚さ方向において絶縁基板３１０とは反対側の面が、実装基板３０の搭載面３０ａを構成する。搭載面３０ａは、平坦な面である。本実施形態では、第１導体層３２０は、第１部位３２０ａと、第２部位３２０ｂとで構成される。図１に示すように、第１部位３２０ａの外周形状は、長方形状であり、第２部位３２０ｂの外周形状は、Ｌ字状である。第２部位３２０ｂの一部は、電極３４０として用いられる。第１部位３２０ａの厚さ方向において絶縁基板３１０とは反対側の面と第２部位３２０ｂの厚さ方向において絶縁基板３１０とは反対側の面とは同一平面上にあって、これらが搭載面３０ａを構成する。第２導体層３３０は、絶縁基板３１０の第２面３１０ｂ上に設けられている。第２導体層３３０の厚さ方向において絶縁基板３１０とは反対側の面が、実装基板３０の接合面３０ｂを構成する。第１導体層３２０及び第２導体層３３０の材料は、例えば、Ｃｕ又はＡｌである。

【0020】

本実施形態では、実装基板３０とヒートシンク８１０とが接合部３５０により接合されている。接合部３５０は、実装基板３０の接合面３０ｂとヒートシンク８１０における板部８１１の第１主面８１１ａとの間に介在している。接合部３５０には、はんだや焼結金属が用いられる。また、耐熱性の観点から、接合部３５０が焼結金属であるのが好ましい。焼結金属は、焼結銀や焼結銅等である。

【0021】

複数の半導体チップ４０は、実装基板３０の搭載面３０ａ上に配置される。本実施形態では、複数の半導体チップ４０は、第１半導体チップ４１及び第２半導体チップ４２を含む。第１半導体チップ４１及び第２半導体チップ４２は、第１部位３２０ａ上に配置される。第１半導体チップ４１及び第２半導体チップ４２は、電極３４０、第１半導体チップ４１及び第２半導体チップ４２が実装基板３０の長さに沿って一列に並ぶように、配置される。本実施形態では、半導体チップ４０と実装基板３０とが接合部３６０により接合されている。より詳細には、第１半導体チップ４１と実装基板３０の第１部位３２０ａとが接合部３６０（３６１）により接合されている。また、第２半導体チップ４２と実装基板３０の第１部位３２０ａとが接合部３６０（３６２）により接合されている。接合部３６０（３６１，３６２）には、はんだや焼結金属が用いられる。また、耐熱性の観点から、接合部３６０（３６１，３６２）が焼結金属であるのが好ましい。焼結金属は、焼結銀や焼結銅等である。焼結銀は、銀粒子同士が焼結により結合された焼結体である。焼結銀は、多孔質銀である。

【0022】

ここで、半導体装置１０は、例えば、直流電圧を３相交流電圧に変換するインバータ、マルチレベルインバータ、交流－交流電力変換を行うマトリクスコンバータ等の電気装置に適用できるパワー半導体モジュールである。パワー半導体モジュールを構成する半導体装置１０では、複数の半導体チップ４０の各々は、例えば、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＧａＮ系パワートランジスタのいずれかを含む。ＧａＮ系パワートランジスタは、例えば、デュアルゲート型のＧａＮ系ＧＩＴ（ＧＩＴ：Ｇａｔｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。なお、半導体装置１０は、複数の半導体チップ４０の他に、チップキャパシタ、チップインダクタ、チップ抵抗等の電子部品を備えていてもよい。

【0023】

バスバー５０は、回路部２０の搭載面３０ａ上にある複数の接続対象Ｐ１０を電気的に接続するために用いられる。バスバー５０は、金属材料の板材に機械的な加工を施すことによって形成され得る。ここで、金属材料の板材は厚さ寸法が実質的に均一であるから、バスバー５０も、厚さ寸法が実質的に均一となる。バスバー５０の材料としては、銅や、Ｃｕ－Ｍｏ、ＣＭＣ、ＣＩＣ等の銅合金が挙げられる。本実施形態では、複数の接続対象Ｐ１０は、第１接続対象Ｐ１１と、第２接続対象Ｐ１２と、第３接続対象Ｐ１３とを含む。第１接続対象Ｐ１１は、回路部２０の第１半導体チップ４１である。第２接続対象Ｐ１２は、回路部２０の第２半導体チップ４２である。第３接続対象Ｐ１３は、回路部２０の電極３４０である。図１及び図２に示すように、バスバー５０は、複数の接続部５１と、連結部５２とを備える。連結部５２は、複数の接続部５１を連結する。連結部５２は、直線状である。より詳細には、連結部５２の厚さ方向からの平面視における連結部５２の外周形状は、長方形状である。連結部５２における搭載面３０ａとは反対側は、平坦な面であって、この面が、バスバー５０において搭載面３０ａから最も離れた面５０１となる。複数の接続部５１は、複数の接続対象Ｐ１０に導電性を有する複数の接合部材６０を介して接続される。本実施形態では、複数の接続部５１は、第１接続部５１１と、第２接続部５１２と、第３接続部５１３とを含む。ここで、第２接続部５１２と第３接続部５１３とは、連結部５２の長さ方向において第１接続部５１１の両側にある。第１接続部５１１は、バスバー５０の中央部にあって、搭載面３０ａ側に突出している。第１接続部５１１は、バスバー５０の重心位置近傍にあるとよい。第１接続部５１１は、接合部材６０（第１接合部材６１）によって、第１接続対象Ｐ１１である第１半導体チップ４１に接合される。第２接続部５１２は、バスバー５０の長さ方向の第１端側（図１及び図２における右端側）にあって、搭載面３０ａ側に突出している。第２接続部５１２は、接合部材６０（第２接合部材６２）によって、第２接続対象Ｐ１２である第２半導体チップ４２に接合される。第３接続部５１３は、バスバー５０の長さ方向の第２端側（図１及び図２における左端側）にあって、搭載面３０ａ側に突出している。第３接続部５１３は、接合部材６０（第３接合部材６３）によって、第３接続対象Ｐ１３である電極３４０に接合される。ここで、接合部材６０（第１～第３接合部材６１～６３）には、はんだや焼結金属が用いられる。また、耐熱性の観点から、接合部材６０（第１～第３接合部材６１～６３）が焼結金属であるのが好ましい。焼結金属は、焼結銀や焼結銅等である。

【0024】

バスバー５０では、第１～第３接続部５１１～５１３が、接合部材６０（第１～第３接合部材６１～６３）によって、回路部２０の第１～第３接続対象Ｐ１１～Ｐ１３に接合される。これによって、バスバー５０は、回路部２０に接合され、回路部２０で支持される。上述したように、電極３４０、第１半導体チップ４１及び第２半導体チップ４２が実装基板３０の長さに沿って一列に並ぶ。そして、第１～第３接続部５１１～５１３は、バスバー５０の長さ方向（つまり、連結部５２の長さ方向）に沿って一列に並ぶ。よって、バスバー５０は、連結部５２の長さ方向が実装基板３０の長さ方向に一致するようにして、回路部２０に接合される。本実施形態では、バスバー５０は、ボディ８０の枠部８２０には直接的には接触していない。よって、バスバー５０は、ボディ８０には支持されていない。つまり、バスバー５０は、ボディ８０とは独立している。これによって、ボディ８０と回路部２０との位置の変化、特に、半導体装置１０の厚さ方向（図２又は図３における上下方向）の位置の変化に起因する影響をバスバー５０が受けにくくなる。

【0025】

ここで、半導体装置１０においては、バスバー５０は、図２に示すように、第１接続部５１１が第２及び第３接続部５１２，５１３よりも搭載面３０ａから遠くなるように構成されている。ここでは、バスバー５０は、搭載面３０ａから最も離れた面５０１が平面であって、搭載面３０ａと平行するように配置される。更に、バスバー５０は、厚さ寸法が実質的に均一である。よって、図２に示すように、Ｄ１＜Ｄ２である。Ｄ１は、第１接続部５１１の連結部５２から搭載面３０ａ側への突出量である。言い換えれば、Ｄ１は、第１接続部５１１において搭載面３０ａに最も近い部位と連結部５２の搭載面３０ａ側の面（図２では下面）との間の距離ともいえる。Ｄ２は、第２接続部５１２の連結部５２から搭載面３０ａ側への突出量である。言い換えれば、Ｄ２は、第２接続部５１２において搭載面３０ａに最も近い部位と連結部５２の搭載面３０ａ側の面（図２では下面）との間の距離ともいえる。これによって、第１接続部５１１よりも第２接続部５１２のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。更に、図２に示すように、Ｄ１＜Ｄ３である。Ｄ３は、第３接続部５１３の連結部５２から搭載面３０ａ側への突出量である。言い換えれば、Ｄ３は、第３接続部５１３において搭載面３０ａに最も近い部位と連結部５２の搭載面３０ａ側の面（図２では下面）との間の距離ともいえる。これによって、第１接続部５１１よりも第３接続部５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。なお、Ｄ２とＤ３との関係については特に限定されない。

【0026】

また、半導体装置１０においては、バスバー５０は、第１接続部５１１、第２接続部５１２、及び第３接続部５１３が、第１接続対象Ｐ１１、第２接続対象Ｐ１２、及び第３接続対象Ｐ１３にそれぞれ接合されている。特に、図２に示すように、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ２＋Ｈ２である。Ｈ１は、第１接続対象Ｐ１１の搭載面３０ａからの突出量である。本実施形態では、第１接続対象Ｐ１１は、第１半導体チップ４１である。Ｈ１は、搭載面３０ａから、第１半導体チップ４１において第１接続部５１１に接合される面までの距離である。ここで、第１半導体チップ４１は、接合部３６１によって搭載面３０ａに取り付けられている。よって、Ｈ１は、第１半導体チップ４１の厚さと、接合部３６１の厚さとで決まる。Ｈ２は、第２接続対象Ｐ１２の搭載面３０ａからの突出量である。本実施形態では、第２接続対象Ｐ１２は、第２半導体チップ４２である。Ｈ２は、搭載面３０ａから、第２半導体チップ４２において第２接続部５１２に接合される面までの距離である。ここで、第２半導体チップ４２は、接合部３６２によって搭載面３０ａに取り付けられている。よって、Ｈ２は、第２半導体チップ４２の厚さと、接合部３６２の厚さとで決まる。これによって、第１接続部５１１よりも第２接続部５１２のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。更に、図２に示すように、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ３＋Ｈ３である。Ｈ３は、第３接続対象Ｐ１３の搭載面３０ａからの突出量である。本実施形態では、第３接続対象Ｐ１３は、搭載面３０ａに露出する電極３４０である。Ｈ３は、搭載面３０ａから、電極３４０において第３接続部５１３に接合される面までの距離である。これによって、第１接続部５１１よりも第３接続部５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。よって、Ｈ３は０である。なお、Ｄ２＋Ｈ２とＤ３＋Ｈ３との関係については特に限定されない。

【0027】

また、半導体装置１０においては、バスバー５０は、第１接合部材６１、第２接合部材６２、及び第３接合部材６３によって、回路部２０に接合されている。特に、図２に示すように、Ｔ１＞Ｔ２である。Ｔ１は、第１接合部材６１の厚さである。Ｔ２は、第２接合部材６２の厚さである。更に、図２に示すように、Ｔ１＞Ｔ３である。Ｔ３は、第３接合部材６３の厚さである。これによって、第１接続部５１１よりも第２接続部５１２のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなり、かつ、第１接続部５１１よりも第３接続部５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。なお、Ｔ２とＴ３との関係については特に限定されない。

【0028】

封止部９０は、ボディ８０に収容される回路部２０及びバスバー５０を覆って封止している。封止部９０は、電気絶縁性及び遮光性を有する。封止部９０の材料としては、エポキシ系樹脂、マレイミド樹脂、シリコーンゲル等が挙げられる。エポキシ系樹脂は、耐熱性の観点から、ガラス転移温度が高いのが好ましい。

【0029】

（２）変形例
本開示の実施形態は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に、上記実施形態の変形例を列挙する。

【0030】

図３は、一変形例の半導体装置１０Ａを示す。半導体装置１０Ａは、バスバー５０Ａが、半導体装置１０のバスバー５０と異なる。バスバー５０Ａでは、第１接続部５１１が第２及び第３接続部５１２，５１３よりも搭載面３０ａから遠くなるように構成されている。ここでは、バスバー５０Ａは、搭載面３０ａから最も離れた面５０１が平面であって、搭載面３０ａと平行するように配置される。更更に、バスバー５０Ａは、厚さ寸法が実質的に均一である。ここで、Ｄ１＜Ｄ２であり、Ｄ１＜Ｄ３である。ただし、バスバー５０Ａでは、Ｄ１の値がバスバー５０の場合よりも大きい。Ｄ１の増加は、第１接合部材６１の厚さであるＴ１の減少によって相殺されている。よって、半導体装置１０Ａにおいても、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ２＋Ｈ２であり、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ３＋Ｈ３である。この結果として、Ｔ１＞Ｔ２であり、Ｔ１＞Ｔ３である。よって、半導体装置１０Ａにおいても、第１接続部５１１よりも第２及び第３接続部５１２，５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高い。これによって、バスバー５０が、回路部２０に対する所望の位置から過度に傾いてしまう可能性が低減される。その結果、半導体装置１０Ａによれば、バスバー５０Ａによる電気的接続の信頼性を向上できる。

【0031】

図３の変形例においても、実装基板３０は、絶縁基板３１０と、絶縁基板３１０の厚さ方向の第１面３１０ａに形成される第１導体層３２０と、絶縁基板３１０の厚さ方向の第２面３１０ｂに形成される第２導体層３３０とを含む。そして、第１導体層３２０における絶縁基板３１０とは反対側の面が搭載面３０ａを構成している。ここで、第１導体層３２０と第２導体層３３０とは、全体として、厚さ及び外周形状が等しい。そして、第１導体層３２０及び第２導体層３３０は、絶縁基板３１０の厚さ方向において重複する位置にある。ただし、第１導体層３２０は、第１部位３２０ａと、第２部位３２０ｂとで構成されている。よって、第１導体層３２０の体積は、第１部位３２０ａの体積と第２部位３２０ｂの体積との合計である。この場合、第１導体層３２０は、第２導体層３３０よりも体積が小さい。そして、この場合に、実装基板３０に熱が加えられた際には、第１導体層３２０よりも第２導体層３３０のほうが変形の度合いが大きくなる。これによって、図４のように、実装基板３０は、第１導体層３２０側が凹面となるように反りやすくなる。この場合には、第１接続対象Ｐ１１よりも第２及び第３接続対象Ｐ１２，Ｐ１３がバスバー５０Ａに近付くことになる。よって、第１接続部５１１よりも第２及び第３接続部５１２，５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。これによって、バスバー５０Ａが、回路部２０に対する所望の位置から過度に傾いてしまう可能性が低減される。その結果、半導体装置１０Ａによれば、バスバー５０Ａによる電気的接続の信頼性を向上できる。

【0032】

なお、第１導体層３２０は必ずしも、第１部位３２０ａと第２部位３２０ｂ都のように複数の部位で構成されている必要はない。第１導体層３２０が複数の部位で構成されるか単一の部位で構成されるかは、半導体装置１０Ａの回路構成によって適宜決定され得る。ここで、第１導体層３２０が単一の部位で構成される場合であっても、第１導体層３２０は、第２導体層３３０よりも体積が小さいとよい。例えば、図５に示すように、第２導体層３３０は、第１導体層３２０よりも外周形状が大きくてよく、これによって第２導体層３３０の体積が、第１導体層３２０より大きくなっていてもよい。この場合も、実装基板３０に熱が加えられた際には、実装基板３０は、第１導体層３２０側が凹面となるように反りやすくなる。そのため、同様に、第１接続部５１１よりも第２及び第３接続部５１２，５１３のほうが先に回路部２０に接合される可能性が高くなる。これによって、バスバー５０Ａが、回路部２０に対する所望の位置から過度に傾いてしまう可能性が低減される。その結果、半導体装置１０Ａによれば、バスバー５０Ａによる電気的接続の信頼性を向上できる。

【0033】

図６は、一変形例の半導体装置１０Ｂを示す。半導体装置１０Ｂは、バスバー５０Ｂが、半導体装置１０のバスバー５０と異なる。バスバー５０Ｂは、回路部２０の搭載面３０ａ上にある複数の接続対象Ｐ１０を電気的に接続するために用いられる。半導体装置１０Ｂでは、複数の接続対象Ｐ１０は、第１接続対象Ｐ１１と、第２接続対象Ｐ１２と、第３接続対象Ｐ１３と、第４接続対象Ｐ１４と、第５接続対象Ｐ１５とを含む。第１接続対象Ｐ１１は、回路部２０の第１半導体チップ４１である。第２接続対象Ｐ１２は、回路部２０の第２半導体チップ４２である。第３接続対象Ｐ１３は、回路部２０の電極３４０である。また、第４接続対象Ｐ１４及び第５接続対象Ｐ１５は回路部２０の電極３４０（３４３，３４３）である。電極３４２は、第１導体層３２０の第２部位３２０ｂにあって、実装基板３０の幅方向（図６の上下方向）において、第２接続対象Ｐ１２と一列に並んでいる。電極３４３は、第１導体層３２０の第１部位３２０ａにあって、実装基板３０の長さ方向において第１接続対象Ｐ１１、第２接続対象Ｐ１２、及び第３接続対象Ｐ１３と一列に並んでいる。電極３４３は、第２接続対象Ｐ１２における第１接続対象Ｐ１１と反対側にある。

【0034】

バスバー５０Ｂは、複数の接続部５１と、連結部５２，５３とを備える。複数の接続部５１は、複数の接続対象Ｐ１０に導電性を有する複数の接合部材６０を介して接続される。複数の接続部５１は、第１接続部５１１と、第２接続部５１２と、第３接続部５１３と、第４接続部５１４と、第５接続部５１５とを含む。ここで、連結部５２は、複数の接続部５１のうち、第１接続部５１１、第２接続部５１２、第３接続部５１３、及び、第５接続部５１５を連結する。連結部５３は、連結部５２の幅方向に延び、連結部５２と第４接続部５１４とを連結する。よって、バスバー５０Ｂは、全体として、Ｌ字形である。

【0035】

このように、バスバー５０Ｂは、第１～第３接続部５１１，５１２，５１３に加えて、更に、追加の接続部（第４接続部５１４及び第５接続部５１５）を備える。つまり、バスバー５０Ｂは、必ずしも、第１～第３接続部５１１，５１２，５１３のみを有する構成に限定されない。ここで、第５接続部５１５は、連結部５２の長さ方向において、第２接続部５１２における第１接続部５１１とは反対側にある外側接続部となる。つまり、複数の接続部５１は、連結部５２の長さ方向において、第２又は第３接続部における第１接続部とは反対側にある外側接続部を含んでいてもよい。一方で、接続部５１５が第２接続部として機能するとすれば、接続部５１２は、連結部５２の長さ方向において、第２及び第３接続部５１５，５１３の間にある内側接続部となる。つまり、複数の接続部５１は、連結部５２の長さ方向において、第２及び第３接続部の間にある内側接続部を含んでいてもよい。更に、複数の接続部５１は、連結部５２の長さ方向に交差する方向（例えば、幅方向）おいて、第１～第３接続部の何れかと並ぶ隣接接続部（接続部５１４）を含んでいてもよい。

【0036】

一変形例では、半導体装置１０は、バスバー５０の他にも、回路部２０の回路部品や電極等を電気的に接続する導電部材を含んでいてもよい。このような導電部材は、バスバーにより構成されてもよいし、導電端子とＣｕワイヤとを含んでもよいし、ワイヤであってもよい。なお、導電部材の材料としては、Ｃｕ－Ｍｏ、ＣＭＣ、ＣＩＣが挙げられる。

【0037】

上記実施形態では、実装基板３０の厚さ方向からの平面視における実装基板３０の外周形状は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。

【0038】

上記実施形態の半導体装置１０の構成は、バスバーを備える電気装置にも適用可能である。つまり、半導体チップを備えていなくてもバスバーを備える装置であれば、本開示の技術的思想は適用可能である。

【0039】

（３）態様
上記実施形態及び変形例から明らかなように、本開示は、下記の態様を含む。以下では、実施形態との対応関係を明示するためだけに、符号を括弧付きで付している。

【0040】

第１の態様は、半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）であって、回路部（２０）と、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）とを備える。前記回路部（２０）は、搭載面（３０ａ）を有する実装基板（３０）、及び前記実装基板（３０）の搭載面（３０ａ）に配置された半導体チップ（４０）を有する。前記バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）は、前記搭載面（３０ａ）上にある複数の接続対象（Ｐ１０）に導電性を有する複数の接合部材（６０）を介して接続される複数の接続部（５１）、及び前記複数の接続部（５１）を連結する連結部（５２）を有する。前記複数の接続部（５１）は、第１接続部（５１１）と、前記連結部（５２）の長さ方向において前記第１接続部（５１１）の両側にある第２及び第３接続部（５１２，５１３）とを含む。前記第１接続部（５１１）は、前記第２及び第３接続部（５１２，５１３）よりも前記搭載面（３０ａ）から遠い。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0041】

第２の態様は、第１の態様に基づく半導体装置（１０Ｂ）である。第２の態様では、前記複数の接続部（５１）は、前記連結部（５２）の長さ方向において、前記第２又は第３接続部（５１２，５１３）における前記第１接続部（５１１）とは反対側にある外側接続部（５１５）を含む。この態様によれば、バスバー（５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0042】

第３の態様は、第１又は第２の態様に基づく半導体装置（１０Ｂ）である。第３の態様では、前記複数の接続部（５１）は、前記連結部（５２）の長さ方向において、前記第２及び第３接続部（５１２，５１３）の間にある内側接続部（５１２）を含む。この態様によれば、バスバー（５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0043】

第４の態様は、第１～第３の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第４の態様では、前記連結部（５２）は、直線状である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0044】

第５の態様は、第１～第４の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第５の態様では、前記実装基板（３０）は、長さを有する。前記連結部（５２）の長さ方向は、前記実装基板（３０）の長さ方向に一致する。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0045】

第６の態様は、第１～第５の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０Ａ）である。第６の態様では、前記実装基板（３０）は、絶縁基板（３１０）と、前記絶縁基板（３１０）の厚さ方向の第１面（３１０ａ）に形成される第１導体層（３２０）と、前記絶縁基板（３１０）の厚さ方向の第２面（３１０ｂ）に形成される第２導体層（３３０）とを含む。前記第１導体層（３２０）における前記絶縁基板（３１０）とは反対側の面が前記搭載面（３０ａ）を構成する。前記第１導体層（３２０）は、前記第２導体層（３３０）よりも体積が小さい。この態様によれば、バスバー（５０Ａ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0046】

第７の態様は、第１～第６の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第７の態様では、前記第１接続部（５１１）の前記連結部（５２）から前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ１、前記第２接続部（５１２）の前記連結部（５２）から前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ２とすると、Ｄ１＜Ｄ２である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0047】

第８の態様は、第７の態様に基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第８の態様では、前記第３接続部（５１３）の前記連結部（５２）から前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ３とすると、Ｄ１＜Ｄ３である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0048】

第９の態様は、第１～第６の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第９の態様では、前記複数の接続対象（Ｐ１０）は、前記第１接続部（５１１）に接合される第１接続対象（Ｐ１１）と、前記第２接続部（５１２）に接合される第２接続対象（Ｐ１２）とを含む。前記第１接続部（５１１）の前記連結部（５２）から前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ１、前記第１接続対象（Ｐ１１）の前記搭載面（３０ａ）からの突出量をＨ１、前記第２接続部（５１２）の前記連結部（５２）から前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ２、前記第２接続対象（Ｐ１２）の前記搭載面（３０ａ）からの突出量をＨ２とすると、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ２＋Ｈ２である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0049】

第１０の態様は、第９の態様に基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１０の態様では、前記回路部（２０）は、前記搭載面（３０ａ）に配置された複数の前記半導体チップ（４０）を有する。前記複数の半導体チップ（４０）は、前記第１接続対象（Ｐ１１）となる第１半導体チップ（４１）と、前記第２接続対象（Ｐ１２）となる第２半導体チップ（４２）とを含む。Ｈ１は、前記搭載面（３０ａ）から、前記第１半導体チップ（４１）において前記第１接続部（５１１）に接合される面までの距離である。Ｈ２は、前記搭載面（３０ａ）から、前記第２半導体チップ（４２）において前記第２接続部（５１２）に接合される面までの距離である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0050】

第１１の態様は、第９又は第１０の態様に基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１１の態様では、前記複数の接続対象（Ｐ１０）は、前記第３接続部（５１３）に接合される第３接続対象（Ｐ１３）を含む。前記第３接続部（５１３）の前記連結部（５２）からの前記搭載面（３０ａ）側への突出量をＤ３、前記第３接続対象（Ｐ１３）の前記搭載面（３０ａ）からの突出量をＨ３とすると、Ｄ１＋Ｈ１＜Ｄ３＋Ｈ３である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0051】

第１２の態様は、第１１の態様に基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１２の態様では、前記第３接続対象（Ｐ１３）は、前記搭載面（３０ａ）に露出する電極（３４０）である。Ｈ３は、０である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0052】

第１３の態様は、第１～第６の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１３の態様では、前記複数の接続対象（Ｐ１０）は、前記第１接続部（５１１）に接合される第１接続対象（Ｐ１１）と、前記第２接続部（５１２）に接合される第２接続対象（Ｐ１２）とを含む。前記複数の接合部材（６０）は、前記第１接続部（５１１）と前記第１接続対象（Ｐ１１）とを接合する第１接合部材（６１）と、前記第２接続部（５１２）と前記第２接続対象（Ｐ１２）とを接合する第２接合部材（６２）とを含む。前記第１接合部材（６１）の厚さをＴ１、前記第２接合部材（６２）の厚さをＴ２とすると、Ｔ１＞Ｔ２である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0053】

第１４の態様は、第１３の態様に基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１４の態様では、前記複数の接続対象（Ｐ１０）は、前記第３接続部（５１３）に接合される第３接続対象（Ｐ１３）を含む。前記複数の接合部材（６０）は、前記第３接続部（５１３）と前記第３接続対象（Ｐ１３）とを接合する第３接合部材（６３）を含む。前記第３接合部材（６３）の厚さをＴ３とすると、Ｔ１＞Ｔ３である。この態様によれば、バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）による電気的接続の信頼性を向上できる。

【0054】

第１５の態様は、第１～第１４の態様のいずれか一つに基づく半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）である。第１５の態様では、前記半導体装置（１０；１０Ａ；１０Ｂ）は、前記回路部（２０）及び前記バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）を収容するボディ（８０）を更に備える。前記バスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）は、前記ボディ（８０）には支持されていない。この態様によれば、ボディ（８０）と回路部（２０）との位置の変化（特に、半導体装置の厚さ方向の位置の変化に起因する影響をバスバー（５０；５０Ａ；５０Ｂ）が受けにくくなる。

【符号の説明】

【0055】

１０，１０Ａ，１０Ｂ 半導体装置
２０ 回路部
３０ 実装基板
３０ａ 搭載面
３１０ 絶縁基板
３１０ａ 第１面
３１０ｂ 第２面
３２０ 第１導体層
３３０ 第２導体層
３４０ 電極
４０ 半導体チップ
４１ 第１半導体チップ
４２ 第２半導体チップ
Ｐ１０ 接続対象
Ｐ１１ 第１接続対象
Ｐ１２ 第２接続対象
Ｐ１３ 第３接続対象
５０，５０Ａ，５０Ｂ バスバー
５１ 接続部
５１１ 第１接続部
５１２ 第２接続部（内側接続部）
５１３ 第３接続部
５１５ 外側接続部
５２ 連結部
６０ 接合部材
６１ 第１接合部材
６２ 第２接合部材
６３ 第３接合部材
８０ ボディ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】