特開 2023-181785 表示パネル、表示装置、および、情報処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023181785

(43)【公開日】2023-12-25

(54)【発明の名称】表示パネル、表示装置、および、情報処理装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20231218BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20231218BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20231218BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20231218BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20231218BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20231218BHJP

【ＦＩ】

G09F9/302 C

G09F9/30 365

G09F9/00 366Z

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/12 B

【審査請求】有

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022095127

(22)【出願日】2022-06-13

(71)【出願人】

【識別番号】505205731

【氏名又は名称】レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100161207

【弁理士】

【氏名又は名称】西澤 和純

(74)【代理人】

【識別番号】100169764

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 雄一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100175824

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 淳一

(74)【代理人】

【識別番号】100206081

【弁理士】

【氏名又は名称】片岡 央

(72)【発明者】

【氏名】杉山 真人

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 亮吏

(72)【発明者】

【氏名】肖 利民

(72)【発明者】

【氏名】土橋 守幸

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC33

3K107EE03

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE61

3K107FF15

3K107HH05

5C094AA02

5C094BA27

5C094CA20

5C094HA08

5G435AA01

5G435BB05

5G435EE49

5G435LL07

5G435LL08

(57)【要約】

【課題】画質の低下を緩和または解消することができる表示パネル、表示装置および情報処理装置を提供する。
【解決手段】基板と複数の画素を備え、前記画素ごとに１個以上の発光素子を備え、前記複数の画素は、前記基板の表面の異なる位置に配置され前記表面の一部である第１領域において、当該第１領域の周囲の領域である第２領域よりも発光素子の占有率が低く、かつ、前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記占有率が高くなるように前記画素が配置される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と複数の画素を備え、
前記画素ごとに１個以上の発光素子を備え、
前記複数の画素は、前記基板の表面の異なる位置に配置され、
前記表面の一部である第１領域において、当該第１領域の周囲の領域である第２領域よりも発光素子の占有率が低く、かつ、
前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記占有率が高くなるように前記画素が配置される
表示パネル。

【請求項2】

前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記発光素子が大きい
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記画素の密度が高い
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

基板と複数の画素を備え、
前記画素ごとに１個以上の発光素子と前記発光素子に電流を供給する駆動素子を備え、
前記複数の画素は、前記基板の表面の異なる位置に配置され、
前記表面の一部である第１領域には、当該第１領域の周囲の領域である第２領域よりも発光素子の占有率が低くなるように前記画素が配置され、
前記第１領域に配置された画素の発光素子に、当該発光素子に対する駆動素子は、前記第２領域に配置された画素の発光素子よりも多くの電流を供給する
表示パネル。

【請求項5】

前記第１領域に配置された画素の発光素子に対する駆動素子の長さに対する幅のアスペクト比が、前記第２領域に配置された画素の発光素子に対する駆動素子の前記アスペクト比よりも大きい
請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記発光素子は、有機発光ダイオードである
請求項１または請求項４に記載の表示パネル。

【請求項7】

請求項１または請求項４に記載の表示パネルと、
前記第１領域の裏面に画像を撮像する撮像部と、を備える
表示装置。

【請求項8】

請求項７に記載の表示装置と、
画素ごとの輝度値を示すデータ信号に基づいて当該表示装置に画像を出力させ、
前記撮像部に画像を撮像させる制御部と、を備える
情報処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、カメラが設置された表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置には、カメラを備えるものがある。カメラは、画面の表示領域の一部の領域（本願では、「第１領域」と呼ぶ）の裏面に設置されることがある。第１領域を透過した光は、カメラに入射される。カメラは、入射される光に表れる画像を撮像する。例えば、特許文献１には、ＯＬＥＤアレイ基板を含む表示パネルについて記載されている。表示パネルは、透光機能と表示機能を実現することができる。表示パネルは、後面にカメラ、光センサ、光送信器の少なくとも１つを含む感光素子が設けられる表示領域を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特表２０１７－５２１８１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

第１領域では、その周囲の領域（本願では、「第２領域」と呼ぶ）よりも画素を間引いて配置されることがある。第１領域の透過率を高め、カメラに入射される光量を増加するためである。他方、第１領域では、画素が間引かれるため第２領域よりも輝度が低くなりがちである。第１領域と第２領域との境界では、輝度が空間的に急激に変化するため、境界線として視認されることがある。この境界線は、ユーザに対して違和感を与え、主観的な画質を低下させる原因となりうる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の一態様に係る表示パネルは、基板と複数の画素を備え、前記画素ごとに１個以上の発光素子を備え、前記複数の画素は、前記基板の表面の異なる位置に配置され前記表面の一部である第１領域において、当該第１領域の周囲の領域である第２領域よりも発光素子の占有率が低く、かつ、前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記占有率が高くなるように前記画素が配置される。

【0006】

上記の表示パネルの前記第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記発光素子が大きくてもよい。

【0007】

上記の表示パネルの第２領域において、前記第１領域から離れた位置ほど前記画素の密度が高くてもよい。

【0008】

本発明の第２態様に係る表示パネルは、基板と複数の画素を備え、前記画素ごとに１個以上の発光素子と前記発光素子に電流を供給する駆動素子を備え、前記複数の画素は、前記基板の表面の異なる位置に配置され、前記表面の一部である第１領域には、当該第１領域の周囲の領域である第２領域よりも発光素子の占有率が低くなるように前記画素が配置され、前記第１領域に配置された画素の発光素子に、当該発光素子に対する駆動素子は、前記第２領域に配置された画素の発光素子よりも多くの電流を供給する。

【0009】

上記の表示パネルにおいて、前記第１領域に配置された画素の発光素子に対する駆動素子の長さに対する幅のアスペクト比が、前記第２領域に配置された画素の発光素子に対する駆動素子の前記アスペクト比よりも大きくてもよい。

【0010】

上記の表示パネルにおいて、前記発光素子は、有機発光ダイオードであってもよい。

【0011】

本発明の第３態様に係る表示装置は、上記の表示パネルと、前記第１領域の裏面に画像を撮像する撮像部と、を備える。

【0012】

本発明の第４態様に係る情報処理装置は、上記の表示装置と、画素ごとの輝度値を示すデータ信号に基づいて当該表示装置に画像を出力させ、前記撮像部に画像を撮像させる制御部と、を備える。

【発明の効果】

【0013】

本実施形態によれば、画質の低下を緩和または解消することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示す正面図である。

【図2】第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示す側面図である。

【図3】第１の実施形態に係る画素回路を例示する回路図である。

【図4】第１の実施形態に係る発光素子駆動用トランジスタの構成例を示す斜視図である。

【図5】第１の実施形態に係る画素の第１分布例を示す説明図である。

【図6】第１の実施形態に係る画素の第２分布例を示す説明図である。

【図7】第２の実施形態に係る表示装置の構成例を示す正面図である。

【図8】駆動電流の信号電圧依存性の例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

＜第１の実施形態＞
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。まず、第１の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１０の構成例を示す正面図である。図２は、本実施形態に係る表示装置１０の構成例を示す側面図である。
表示装置１０は、表示パネル１２と、ベゼル１４、カメラ２０、コントローラ３０、および、入力インタフェース４０を備える。

【0016】

表示パネル１２は、平板の形状を有する。表示パネル１２の厚みは、幅または高さよりも十分に小さい。表示パネル１２の正面の形状は、ほぼ矩形である。図１の例では、垂直方向の高さよりも水平方向の幅が大きい。表示パネル１２は、複数の画素と基板を備える。基板の表面には、複数の画素が異なる位置に互いに重なり合わないように配置される。個々の画素の輝度の分布により、表示パネル１２の正面から視認できるように画像が表示される。表示パネル１２は、ベゼル１４により支持される。ベゼル１４は、表示パネル１２の正面の外周を取り囲むように設置される。この配置により、表示パネル１２の正面のほぼ全体が露出される。本願では、「画像」とは、視認できる模様、図形、文字、記号、などのいずれか１個、または、いずれか複数個の組み合わせを指す。

【0017】

個々の画素は、１個以上の発光素子を備える。図５ならびに図６の例では、個々の画素は、３個の発光素子を備える。３個の発光素子は、赤色、青色、緑色の光を発光する。発光素子間の輝度の組み合わせにより、画素ごとの色と明るさが表現される。発光素子は、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）である。基板は、透明かつ絶縁性を有する材料を含んで構成される。発光素子の表面は、透明な材料からなる保護膜を用いて被覆されてもよい。基板および保護膜の材料として、例えば、ガラス、プラスチック、などが用いられる。かかる材料として、絶縁性を有する材料を用いることで、基板および保護膜は、絶縁材としても機能する。

【0018】

表示パネル１２の典型的な大きさとして、対角線の長さは、例えば、１２～１６インチである。表示パネル１２の厚みは、例えば、０．３～５ｍｍである。画面アスペクト比は、例えば、１６：９～３：２である。表示パネル１２に配置される画素の個数、即ち解像度は、例えば、１２８０×７２０～３８４０×２１６０である。

【0019】

表示パネル１２の表面には、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡが設けられている。第１領域ＲＡは、表示パネル１２の表面の一部を占める。第２領域ＰＡは、表示パネル１２の表面のうち第１領域ＲＡを除いた、残りの領域である。通例、第１領域ＲＡの大きさは、第２領域ＰＡの大きさよりも十分に小さい。図１の例では、第１領域ＲＡは、表示パネル１２の表面の中心部よりも長辺の一方（上方）に偏った位置に設けられる。第１領域ＲＡの形状は、ほぼ円形である。第１領域ＲＡの直径は、例えば、表示パネル１２の短辺の長さ（高さ）の１／８～１／２０となる。以下の説明では、表示パネル１２表面の長辺の方向を「水平方向」または「ｘ方向」と呼ぶ。その面の短辺の方向を「垂直方向」または「ｙ方向」と呼ぶ。表示パネル１２の厚みの方向を「厚み方向」または「ｚ方向」と呼ぶ。

【0020】

第１領域ＲＡと第２領域ＰＡとでは、個々の画素に備わる発光素子の占有率が異なる。発光素子の占有率は、発光素子の面積の該当領域の面積に対する比に相当する。該当領域は、その発光素子を備える画素が配置される領域に相当する。図１において、発光素子の占有率が濃淡で表されている。暗い部分ほど発光素子の占有率が高く、明るい部分ほど発光素子の占有率が低いことを示す。第１領域ＲＡにおける発光素子の占有率は、第２領域ＰＡにおける発光素子の占有率よりも低い。第１領域ＲＡでは、発光素子の占有率および画素の密度は、空間的に均一である。本願では、第１領域ＲＡにおける発光素子の占有率を「第１占有率」と呼ぶ。第１占有率は、表示パネル１２の表面において最小となる占有率に相当する。

【0021】

第２領域ＰＡでは、発光素子の占有率が位置により異なる。第２領域ＰＡのうち第１領域ＲＡの外周からの距離が大きい位置ほど発光素子の占有率が高くなるように画素が配置される。第１領域ＲＡから十分に離れた位置では、発光素子の占有率は、表示パネル１２の表面において最大となる。また、この位置における発光素子の占有率および画素の密度は、空間的に均一である。本願では、第１領域ＲＡから十分に離れた位置における発光素子の占有率を「第２占有率」と呼ぶ。第２占有率は、表示パネル１２を代表する標準的な発光素子の占有率に相当する。第２占有率は、第１占有率よりも有意に高い。第２占有率は、例えば、第１占有率の２～１０倍程度である。

【0022】

本願では、第２領域ＰＡのうち発光素子の占有率が一定の第２占有率となる領域を「標準領域ＮＡ」と呼ぶ。これに対し、第２領域ＰＡのうち発光素子の占有率が第２占有率とならない領域を「遷移領域ＳＡ」と呼ぶ。遷移領域ＳＡでは、発光素子の占有率は位置により異なりうる。第１領域ＲＡおよび標準領域ＮＡでは、それぞれ水平方向ならびに垂直方向に対して、一定間隔で画素が配置される。図１において、遷移領域ＳＡは、第１領域ＲＡの周囲を取り囲む領域である。標準領域ＮＡは、遷移領域ＳＡの周囲を取り囲む領域である。遷移領域ＳＡでは、第１領域ＲＡとの境界から標準領域ＮＡとの境界にかけて、第１領域ＲＡとの境界からの距離が大きくなるほど発光素子の占有率が第１占有率から第２占有率に漸近する。

【0023】

例えば、遷移領域ＳＡでは、発光素子の占有率が第１占有率から第２占有率まで第１領域ＲＡとの境界からの距離に対して線形に変化するように画素が配置されてもよい。発光素子の占有率は、第１領域ＲＡとの境界からの距離に対して非線形に変化するように画素が配置されてもよい。その場合、第１領域ＲＡとの境界と標準領域ＮＡとの境界のそれぞれにおいて、第１領域ＲＡとの境界からの距離に対する発光素子の占有率の変化率がゼロとなってもよい。これにより、第１領域ＲＡと標準領域ＮＡとの輝度の空間変化が緩和される。なお、画素の分布例については、後述する。

【0024】

カメラ２０は、表示パネル１２の裏面に設置される。カメラ２０は、表示パネル１２の第１領域ＲＡを透過した光を受光し、受光した光に現れる像を画像として撮像する。カメラ２０は、撮像した画像を示す撮像画像信号を外部機器に出力する。カメラ２０は、撮像素子と対物レンズを備える。撮像素子は、自器の撮像面に配置され、撮像面に入射される光に現れる画像を撮像し、撮像した画像を表す撮像画像信号を生成する。対物レンズは、第１領域ＲＡの裏面に対向した位置に配置され、第１領域ＲＡを透過した光を撮像面に収束する。

【0025】

コントローラ３０は、表示パネル１２に対して、入力インタフェース４０から入力されるデータ信号で指示される画像を表示させる。コントローラ３０は、演算回路を備えるマイクロコンピュータであってもよい。演算回路は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などの、いずれであってもよい。コントローラ３０は、データ信号が指示する画素の発光素子ごとの輝度値に対応する電力を供給し、輝度値で指示される輝度で該当する画素の発光素子を発光させる。

【0026】

データ信号は、例えば、画素ごとにＲＧＢ表色系に基づく色信号値を有する。ＲＧＢ表色系に基づく色信号値は、赤色、青色、緑色のそれぞれに対する輝度値を有する。動画を表すデータ信号は、動画を構成する各フレームについて、画素ごとに輝度値を示す。コントローラ３０は、データ信号と同期して、各フレームについて個々の画素に対応する時刻において、その画素への電力の供給を指示し、それ以外の画素への電力供給を停止するためのゲート信号を生成する。コントローラ３０は、データ信号で指示されるフレームレートと表示パネル１２における画素の位置に応じて、画素ごとに発光させる時刻を定めることができる。コントローラ３０は、データ信号とゲート信号を画素ごとに出力する。個々の画素において、発光素子は、コントローラ３０から入力されたゲート信号で指示される時刻において、データ信号で指示される輝度値で指示される輝度で発光する。

【0027】

入力インタフェース４０には、表示パネル１２とは別個の外部機器からデータ信号が入力され、入力されたデータ信号をコントローラ３０に出力する。入力インタフェース４０は、外部機器と有線または無線で各種の信号を入出力できるように接続する。入力インタフェース４０には、例えば、DisplayPort（登録商標）、Miracast（登録商標）など、いずれの規格に規定された伝送方式が採用されてもよい。

【0028】

次に、本実施形態に係る画素回路の例について説明する。図３は、本実施形態に係る画素回路５０を例示する回路図である。図３の例では、発光素子５８が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）素子である。表示パネル１２（図１）は、発光素子５８ごとに画素回路５０を備える。画素回路５０は、コントローラ３０（図１）から入力されるゲート信号とデータ信号に基づいて発光素子５８を発光させる。データ信号により発光素子５８ごとの輝度値が指示される。ゲート信号により画素ごとに発光の要否が指示される。

【0029】

画素回路５０は、信号書込用トランジスタ５２と、容量素子５４と、発光素子駆動用トランジスタ５６と、発光素子５８とを備える。
信号書込用トランジスタ５２は、ゲート信号で指示される時刻において、データ信号で指示される輝度値に対応する電力を発光素子駆動用トランジスタ５６に供給させる。信号書込用トランジスタ５２は、例えば、薄膜トランジスタである。信号書込用トランジスタ５２のソース電極、ゲート電極には、それぞれデータ信号、ゲート信号が入力される。データ信号は、輝度値に対応する信号電圧Ｖ_ｓｉｇを有する多値の電気信号である。ゲート信号は、高電圧と低電圧のいずれかを有する２値の電気信号である。電圧が高電圧か低電圧かにより、発光の要否が指示される。信号書込用トランジスタ５２は、ゲート信号に印加される電圧が高電圧であるとき、ソース電極に入力されるデータ信号をドレイン電極に導通し、ゲート信号に印加される電圧が低電圧であるとき、ソース電極に入力されるデータ信号を遮断する。

【0030】

容量素子５４は、電気容量Ｃ_ｓを有し、一端が電源に接続され、他端が信号書込用トランジスタ５２のドレイン電極ならびに発光素子駆動用トランジスタ５６のゲート電極に接続される。容量素子５４は、例えば、画素回路内の層間絶縁膜で形成される。容量素子５４の他端には、信号電圧Ｖ_ｓｉｇが印加される。そのため、電源電圧Ｖ_ｃｃと信号電圧Ｖ_ｓｉｇとの電位差Ｖ_ｃｃ－Ｖ_ｓｉｇが保持される。

【0031】

発光素子駆動用トランジスタ５６は、そのソース電極に電源が接続され、そのゲート電極に信号書込用トランジスタのドレイン電極が接続され、そのドレイン電極に発光素子５８が接続される。発光素子駆動用トランジスタ５６は、例えば、薄膜トランジスタである。発光素子駆動用トランジスタ５６は、ゲート電極に信号書込用トランジスタ５２から信号電圧Ｖ_ｓｉｇが印加されるとき、電位差Ｖ_ｃｃ－Ｖ_ｓｉｇに対応する電流Ｉ_ｅｌを発光素子に供給する。よって、データ信号で指示される輝度値が発光素子に供給される電流Ｉ_ｅｌに変換される。

【0032】

発光素子５８は、その一端、他端にそれぞれ陽極、陰極を備える。発光素子５８は、一端から他端に流れる電流に応じた輝度で発光する（電流駆動）。発光素子５８の陽極には、発光素子駆動用トランジスタ５６のドレイン電極が接続される。発光素子５８の陰極は接地されている。発光素子５８は、発光素子駆動用トランジスタ５６からの電流Ｉ_ｅｌで供給される電力を消費する。よって、発光素子５８は、データ信号で指示される輝度値に対応する輝度で発光する。

【0033】

次に、本実施形態に係る発光素子駆動用トランジスタ５６の構成例について説明する。図４は、本実施形態に係る発光素子駆動用トランジスタ５６の構成例を示す斜視図である。発光素子駆動用トランジスタ５６は、ガラス基板５６ｂ、ソース領域５６ｓ、ＬＤＤ（
Light Doped Drain）領域５６ｏ１、チャネル領域５６ｃ、ＬＤＤ領域５６ｏ２、ドレイン領域５６ｄ、ゲート絶縁膜５６ｍ、および、ゲート電極５６ｇを備える。ソース領域５６ｓ、ＬＤＤ領域５６ｏ１、チャネル領域５６ｃ、ＬＤＤ領域５６ｏ２、および、ドレイン領域５６ｄは、ガラス基板５６ｂの表面に同じ厚みで形成されている。ソース領域５６ｓ、ＬＤＤ領域５６ｏ１、チャネル領域５６ｃ、ＬＤＤ領域５６ｏ２、および、ドレイン領域５６ｄは、それぞれ一辺の長さが他辺の長さよりも長い直方体の形状を有し、それらの幅方向にその順に配列されている。

【0034】

以下の説明では、ソース領域５６ｓ、ＬＤＤ領域５６ｏ１、チャネル領域５６ｃ、ＬＤＤ領域５６ｏ２、および、ドレイン領域５６ｄ、それぞれの長手方向をｘ方向と呼び、それらが配列されている方向をｙ方向と呼び、それらがガラス基板５６ｂ上に積み重なる方向をｚ方向と呼ぶ。また、ｙ方向の逆方向を、逆ｙ方向と呼ぶ。なお、発光素子駆動用トランジスタ５６は、さらにソース電極とドレイン電極を有する。ソース電極とドレイン電極は、それぞれソース領域５６ｓとドレイン領域５６ｄに接続されている（図示せず）。

【0035】

ガラス基板５６ｂの表面にはポリシリコン膜が形成されている。ソース領域５６ｓおよびドレイン領域５６ｄは、それぞれポリシリコン膜に対して不純物を高濃度にドープした領域である。ＬＤＤ領域５６ｏ１および５６ｏ２は、それぞれポリシリコン膜に対して不純物を低濃度にドープした領域である。チャネル領域５６ｃは、不純物をドープしていないポリシリコン膜の領域である。

【0036】

ゲート電極５６ｇは、チャネル領域５６ｃの表面においてゲート絶縁膜５６ｍを挟んでｚ方向に積み重ねて設置される。ゲート絶縁膜５６ｍは、ソース領域５６ｓ、ＬＤＤ領域５６ｏ１、チャネル領域５６ｃ、ＬＤＤ領域５６ｏ２、および、ドレイン領域５６ｄの表面の全体を覆う。ＬＤＤ領域５６ｏ１、５６ｏ２を設けることで、ソース/ドレイン端の電界集中を緩和し、ＴＦＴのホットキャリア劣化を防止するとともにオフ電流を低減させる。但し、ＬＤＤ領域５６ｏ１、５６ｏ２は、必須ではなく省略されてもよい。

【0037】

かかる構成のもとでは、ゲート電極５６ｇに印加される信号電圧Ｖ_ｓｉｇが一定の値を超えるとソース電極からドレイン電極に導通し始める。信号電圧Ｖ_ｓｉｇが高くなるほど、ソース電極からドレイン電極への伝導性が高くなる。図８の例では、ソース電極とドレイン電極の間の電位差が一定値である電源電圧Ｖ_ｃｃに設定される場合、信号電圧Ｖ_ｓｉｇが０ＶからＶ_ｃｃ－Ｖ_ｔｈまでは、発光素子５８には電流Ｉ_ｅｌが流れない。Ｖ_ｔｈは、発光素子駆動用トランジスタ５６の閾値電圧を示す。電源電圧Ｖ_ｃｃは、閾値電圧Ｖ_ｔｈよりも高くなるように予め設定しておく。信号電圧Ｖ_ｓｉｇがＶ_ｃｃ－Ｖ_ｔｈを超え、かつ、信号電圧Ｖ_ｓｉｇが高くなるほど、発光素子５８には電流Ｉ_ｅｌが多くなる。

【0038】

具体的には、電流Ｉ_ｅｌは、式（１）に示すように電源電圧Ｖ_ｃｃから信号電圧Ｖ_ｓｉｇおよび閾値電圧Ｖ_ｔｈの差分（Ｖ_ｃｃ－Ｖ_ｓｉｇ）－Ｖ_ｔｈの二乗に比例する。式（１）において、μは、発光素子駆動用トランジスタ５６の移動度、Ｃ_ＯＸは、ゲート絶縁膜５６ｍの単位容量、Ｌは、ゲート電極５６ｇの長さ、および、Ｗは、ゲート電極５６ｇの幅を示す。長さＬは、電流Ｉ_ｅｌの方向であるｙ方向への発光素子駆動用トランジスタ５６の素子サイズに相当する。幅Ｗは、電流Ｉ_ｅｌの方向に直交するｘ方向への発光素子駆動用トランジスタ５６の素子サイズに相当する。電流Ｉ_ｅｌは、長さＬに反比例し、幅Ｗに比例する。

【0039】

【数1】

【0040】

次に、本実施形態に係る画素の分布例について説明する。図５は、本実施形態に係る画素の第１分布例を示す説明図である。図５は、第１分布例として、第１領域ＲＡから遷移領域ＳＡを経て標準領域ＮＡに分布する画素ｐｘを左右方向に例示する。個々の画素ｐｘには、３個の発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂを含んで構成される。発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂは、それぞれ赤色、緑色、青色の光を発光する。第１分布例では、遷移領域ＳＡにおいて第１領域ＲＡから離れた位置の画素ほど、その画素に備わる発光素子が大きくなるように配置される。第１領域ＲＡにおける画素ｐｘの発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂの大きさは、それぞれ第２領域ＰＡにおける画素ｐｘの発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂの大きさよりも有意に小さい。遷移領域ＳＡでは、個々の画素ｐｘにおける発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂの大きさは、第１領域ＲＡから位置が離れた画素ほど大きくなる。

【0041】

よって、第１分布例では、発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂの大きさに基づいて第１領域ＲＡから離れた位置ほど発光素子の占有率が高くなるように画素が配置される。但し、第１分布例では、第１領域ＲＡ、遷移領域ＳＡ、および、標準領域ＮＡのいずれに配置されるかに関わらず、画素の密度は一定である。画素を一定間隔で規則的に配置させておくことで、コントローラ３０は、個々の画素の発光素子を発光させる時刻を簡便に定めることができる。

【0042】

図６は、本実施形態に係る画素の第２分布例を示す説明図である。図６は、第２分布例として、第１領域ＲＡから遷移領域ＳＡを経て標準領域ＮＡに分布する画素ｐｘを左右方向に例示する。第２分布例では、遷移領域ＳＡにおいて第１領域ＲＡから離れた位置ほど、密度が高くなるように個々の画素が配置される。第１領域ＲＡにおける画素の密度は、第２領域ＰＡにおける画素の密度よりも有意に小さい。

【0043】

よって、第２分布例では、画素の密度に基づいて第１領域ＲＡから離れた位置ほど発光素子の占有率が高くなるように画素が配置される。第２分布例では、第１領域ＲＡ、遷移領域ＳＡ、および、標準領域ＮＡのいずれに配置されるかに関わらず、個々の画素に備わる発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂの大きさは一定である。そのため、表示パネル１２の生産段階において、発光素子の大きさが異なる画素を予め準備することも、個々の画素の配置を発光素子の大きさに基づいて定めることも要しない。

【0044】

＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。以下の説明では、上記の実施形態との差異点を主とし、特に断らない限り、上記の実施形態と共通の事項については、共通の符号を付して、その説明を援用する。

【0045】

図７は、本実施形態に係る表示装置１０の構成例を示す正面図である。
表示パネル１２の表面には、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡが設けられている。第１領域ＲＡにおける発光素子の占有率は第１占有率であり、第２領域ＰＡにおける発光素子の占有率は第２占有率である。但し、第２領域ＰＡは標準領域ＮＡを有し、遷移領域ＳＡを有しない。第１領域ＲＡでの発光素子の占有率は、第２領域ＰＡでの発光素子の占有率よりも有意に低い。従って、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡとの境界を跨いで、発光素子の占有率が急激に変化する。

【0046】

本実施形態では、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子に対する発光素子駆動用トランジスタ５６は、当該発光素子に対し、ある一定の輝度値について第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子５８に供給される電流よりも多くの電流を供給する。一定の輝度値のもとでは、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子５８は、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子５８よりも高い輝度で発光する。そのため、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡとの発光素子５８の占有率の差により生ずる輝度差が低減または解消される。例えば、ある輝度値に対し、第１領域ＲＡにおける発光素子５８の占有率と輝度の積が、第２領域ＰＡにおける発光素子５８の占有率と輝度の積が等しくなるように、個々の発光素子駆動用トランジスタ５６から対応する発光素子５８に供給する電流を供給できるように発光素子駆動用トランジスタ５６のパラメータが設定されればよい。

【0047】

式（１）に示すように、発光素子５８を流れる電流Ｉ_ｅｌは、一定の信号電圧Ｖ_ｓｉｇかのもとで、発光素子駆動用トランジスタ５６のパラメータとして、移動度μ、単位容量Ｃ_ＯＸ、幅Ｗおよび長さＬに依存する。これらのパラメータのうち、幅Ｗと長さＬは比較的容易に調整することができる。幅Ｗと長さＬは、発光素子駆動用トランジスタ５６の素子サイズを特徴づける。図８の例では、幅ＷをＷ_０から２Ｗ_０と２倍に拡大することで、電流Ｉ_ｅｌを２倍に増加することができる。また、長さＬを短縮することでも、電流Ｉ_ｅｌを増加することもできる。

【0048】

本実施形態では、例えば、アスペクト比Ｗ／Ｌが異なる発光素子駆動用トランジスタ５６が、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子と、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子との間で使い分けられてもよい。ここで、第１領域ＲＡでのアスペクト比Ｗ／Ｌが、第２領域ＰＡでのアスペクト比Ｗ／Ｌよりも大きくなるように設定しておく。

【0049】

本実施形態でも、発光素子の占有率は、個々の画素における発光素子の大きさと画素の密度のいずれを用いて設定されてもよい。即ち、第１領域ＲＡにおける画素ごとの発光素子の大きさは、第２領域ＰＡにおける画素ごとの発光素子の大きさよりも小さくてもよい。第１領域ＲＡにおける画素の密度は、第２領域ＰＡにおける画素の密度よりも低くてもよい。

【0050】

＜変形例＞
次に、上記の実施形態の変形例について説明する。各実施形態の特徴は組み合わされてもよいし、一部が省略または変形されてもよい。例えば、第２の実施形態に係る表示パネル１２の第２領域ＰＡにおいて、第１の実施形態と同様に遷移領域ＳＡが設けられてもよい。遷移領域ＳＡにおいて、第１領域ＲＡの外周からの距離が大きい位置ほど発光素子の占有率が高くなるように画素が配置されるとともに、その画素の発光素子に対して供給される電流が少なくなるように個々の発光素子に対する発光素子駆動用トランジスタのパラメータを設定させておく。そして、第１領域ＲＡでの発光素子の占有率は、標準領域ＮＡでの発光素子の占有率よりも有意に低く、かつ、第１領域ＲＡでの発光素子に対して供給される電流が、標準領域ＮＡでの発光素子に対して供給される電流よりも有意に多くなるように個々の発光素子に対する発光素子駆動用トランジスタのパラメータを設定させておく。ここで、ある輝度値に対し、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡの全領域において、発光素子５８の占有率と輝度の積が等しくなるように、個々の発光素子に対する発光素子駆動用トランジスタ５６のパラメータが設定されてもよい。

【0051】

上記の実施形態において、表示装置１０は、撮像部の例としてカメラ２０に代え、撮像素子を備えてもよい。撮像素子は、第１領域ＲＡの裏面に配置され、第１領域ＲＡを透過した光に現れる画像を撮像する。撮像素子は、撮像した画像を示すデータ信号を生成し、生成したデータ信号を外部機器に出力する。
撮像部は、生成した撮像画像信号を外部機器に代えて、コントローラ３０に出力してもよい。コントローラ３０は、撮像部から入力される撮像画像信号をデータ信号として表示パネル１２に出力し、撮像された画像を表示させてもよい。

【0052】

表示パネル１２の基板として、例えば、ポリカーボネートフィルムなどの柔軟な材料が用いられてもよい。ベゼル１４を省略することで、表示パネル１２は、折り曲げが可能となる。また、ベゼル１４の省略は、表示パネル１２または表示装置１０の小型化または軽量化にも寄与する。
上記の説明では、個々の画素が３個の発光素子を用いる場合を主としたが、これには限られない。個々の画素の発光素子の数は、１個、２個、または、４個以上であってもよい。例えば、個々の画素は、輝度を表現し、色度を表現しないモノクロの画素であってもよい。その場合には、個々の画素の発光素子の数は、１個で足りる。

【0053】

また、表示装置１０は、情報処理装置の一部として設置されてもよい。情報処理装置は、表示装置１０の他、制御部を備える。制御部は、例えば、演算処理装置を備える。演算処理装置は、例えば、ＣＰＵである。制御部は、自部が取得したデータ信号を表示装置１０に出力し、データ信号に基づく画像を表示パネル１２に表示させてもよい。制御部は、そのデータ信号を生成することも、外部機器から取得することもある。制御部は、撮像部に画像を撮像させ、撮像した画像を示す撮像画像信号を取得してもよい。制御部は、ユーザの操作に応じて入力デバイスから入力される操作信号に応じて撮像部に画像を撮像させてもよい。制御部は、所定のプログラムに記述される指令を実行して、表示パネル１２への画像の表示、撮像部に対する画像の撮像、表示または撮像対象の画像の生成、受信、読み出し、などの処理を制御してもよい。情報処理装置は、パーソナルコンピュータ、多機能携帯電話機（いわゆる、スマートフォンを含む）、タブレット端末装置、などのいずれの形態で実現されてもよい。

【0054】

以上に説明したように、上記の実施形態に係る表示パネル１２は、基板と複数の画素（例えば、画素ｐｘ）を備え、画素ごとに１個以上の発光素子（例えば、発光素子ｓｒ、ｓｇ、ｓｂ）を備える。複数の画素は、基板の表面の異なる位置に配置される。基板の表面の一部である第１領域ＲＡにおいて、第１領域ＲＡの周囲の領域である第２領域ＰＡよりも発光素子の占有率が低く、かつ、第２領域ＰＡにおいて、第１領域ＲＡから離れた位置ほど発光素子の占有率が高くなるように画素が配置される。
一般に、一定の面積当たりの輝度のもとで、発光素子の占有率が高いほど画面の輝度が高くなる。この構成によれば、第１領域ＲＡから離れた位置ほど画面の輝度が高くなるので、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡとの境界における輝度の急激な変化が緩和される。そのため、輝度の変化による画質の低下が緩和または解消することができる。

【0055】

また、第２領域ＰＡにおいて、第１領域ＲＡから離れた位置ほど発光素子が大きくてもよい。この構成により、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡで画素の密度が共通であっても、第１領域ＲＡから離れた位置ほど画面の輝度を高くすることができる。画素を一定間隔で配置させておくことで、画素ごとの発光タイミングをその画素の位置に応じて容易に定めることができる。

【0056】

また、第２領域ＰＡにおいて、第１領域ＲＡから離れた位置ほど画素の密度が高くてもよい。
この構成により、第１領域ＲＡと第２領域ＰＡで発光素子の大きさが共通であっても、第１領域ＲＡから離れた位置ほど画面の輝度を高くすることができる。そのため、発光素子の大きさが異なる画素を用いずに済む。

【0057】

上記の実施形態に係る表示パネル１２は、基板と複数の画素を備え、画素ごとに１個以上の発光素子と発光素子に電流を供給する駆動素子を備る。複数の画素は記基板の表面の異なる位置に配置される。基板の表面の一部である第１領域ＲＡには、第１領域ＲＡの周囲の領域である第２領域ＰＡよりも発光素子の占有率が低くなるように画素が配置される。また、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子に対する駆動素子（例えば、発光素子駆動用トランジスタ５６）は、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子よりも多くの電流を供給する。
一般に発光素子は、自器を流れる電流が大きいほど高い輝度で発光する。この構成により、一定の輝度値のもとで、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子は、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子よりも高い輝度で発光する。そのため、第１領域ＲＡにおける発光素子の密度が、第２領域ＰＡにおける発光素子の密度が低くても、第１領域ＲＡにおける輝度の低下が緩和または解消される。

【0058】

また、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子に対する駆動素子の長さＬに対する幅Ｗのアスペクト比Ｗ／Ｌが、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子に対する駆動素子のアスペクト比Ｗ／Ｌよりも大きくてもよい。
この構成により、一定の輝度値に対応する信号電圧Ｖ_ｓｉｇに対して、第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子に対して、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子よりも多くの電流を流すことができる。第１領域ＲＡに配置された画素の発光素子を、第２領域ＰＡに配置された画素の発光素子よりも高い輝度で発光させるができるため、第１領域ＲＡにおける発光素子の密度が、第２領域ＰＡにおける発光素子の密度が低くても、第１領域ＲＡにおける輝度の低下が緩和または解消される。

【0059】

上記の発光素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であってもよい。
自器を流れる電流に応じて広範な輝度を実現し、高いコントラストで画像を表現することができる。発光のためにバックライトを要しないため、薄く、かつ、柔軟に構成することができる。

【0060】

上記の表示パネル１２は、第１領域ＲＡの裏面に、さらに撮像部（例えば、カメラ２０）を備え、表示装置１０として構成されてもよい。
また、情報処理装置（図示せず、例えば、ＰＣ、スマートフォン、タブレット端末装置など）は、表示装置１０を備え、画素ごとの輝度値を示すデータ信号を表示パネル１２に出力する制御部（例えば、ＣＰＵ）を備えてもよい。制御部は、カメラ２０に対して撮影の要否を制御することができる。

【0061】

以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は上述の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。上述の実施形態において説明した各構成は、任意に組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0062】

１０…表示装置、１２…表示パネル、１４…ベゼル、２０…カメラ、３０…コントローラ、４０…入力インタフェース、５０…画素回路、５８（ｓｒ、ｓｇ、ｓｂ）…発光素子、ＲＡ…第１領域、ＰＡ…第２領域、ＳＡ…遷移領域、ＮＡ…標準領域、ｐｘ…画素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】