特開 2023-182011 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023182011

(43)【公開日】2023-12-26

(54)【発明の名称】炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/78 20060101AFI20231219BHJP

   H01L 29/12 20060101ALI20231219BHJP

   H01L 29/06 20060101ALI20231219BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20231219BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20231219BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652N

H01L29/78 652T

H01L29/06 301M

H01L29/06 301V

H01L29/78 653A

H01L29/78 652K

H01L29/78 652M

H01L29/78 658G

H01L21/78 Q

H01L21/78 S

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020185849

(22)【出願日】2020-11-06

(71)【出願人】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】堀井 拓

【テーマコード（参考）】

5F063

【Ｆターム（参考）】

5F063AA04

5F063AA06

5F063BA07

5F063BB01

5F063BB12

5F063CB02

5F063CB08

5F063CB24

5F063DD42

5F063DD46

5F063DD51

5F063DD64

5F063DF02

5F063EE21

(57)【要約】

【課題】端面を経由して表面と裏面との間を流れるリーク電流を低減できる炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ端面を有し、前記端面は、前記第２主面との境界から連続し、前記第２主面に対して傾斜した傾斜面を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する炭化珪素基板を備え、
前記炭化珪素基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ端面を有し、
前記端面は、前記第２主面との境界から連続し、前記第２主面に対して傾斜した傾斜面を含む炭化珪素半導体装置。

【請求項2】

前記炭化珪素基板は、
前記第２主面を含む炭化珪素単結晶基板と、
前記第１主面を含む炭化珪素エピタキシャル層と、
を有する請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項3】

前記傾斜面は、前記第２主面側ほど広がるように傾斜している請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項4】

前記傾斜面は、前記第１主面側ほど広がるように傾斜している請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項5】

前記傾斜面と前記第２主面とのなす角度は、５０°以上６５°以下である請求項３または請求項４に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項6】

前記傾斜面は、｛０－３３－８｝面を含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項7】

前記傾斜面の一辺１００ｎｍの正方形領域内における表面粗さはＲＭＳで１．０ｎｍ以下である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項8】

前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記第２主面は、少なくとも１つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。

【請求項9】

第１主面と、前記第１主面と反対側の第３主面とを有し、前記第１主面にダイシングラインを備えた炭化珪素ウェハを準備する工程と、
前記ダイシングラインに対してハロゲンガスを含む雰囲気で熱エッチングを行って前記ダイシングラインに溝を形成する工程と、
前記炭化珪素ウェハを前記第３主面から薄化して前記炭化珪素ウェハを個片化する工程と、
を有する炭化珪素半導体装置の製造方法。

【請求項10】

前記炭化珪素ウェハを個片化する工程は、前記炭化珪素ウェハを前記第３主面側から研削する工程を有する請求項９に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

【請求項11】

前記炭化珪素ウェハを準備する工程は、前記第３主面を含む炭化珪素単結晶基板の上に、前記第１主面を含む炭化珪素エピタキシャル層を形成する工程を有する請求項９または請求項１０に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

【請求項12】

前記ダイシングラインに対して熱エッチングを行う工程は、前記第１主面の一部を覆う被覆部と、前記第１主面の残部を露出する開口部とを備えたエッチングマスクを前記第１主面の上に形成する工程を有し、
前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記被覆部は、少なくとも１つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有する請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体Ｓｉウェハの表面からスクライブラインに対し異方性エッチングを行って段差を形成し、その後に半導体Ｓｉウェハの裏面全体に対して段差まで等方性エッチングを行う半導体Ｓｉウェハのチップ化方法が開示されている（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－３２４８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の方法に準じて炭化珪素半導体装置を製造すると、端面を経由して表面と裏面との間をリーク電流が流れるおそれがある。

【0005】

本開示は、端面を経由して表面と裏面との間を流れるリーク電流を低減できる炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ端面を有し、前記端面は、前記第２主面との境界から連続し、前記第２主面に対して傾斜した傾斜面を含む。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、端面を経由して表面と裏面との間を流れるリーク電流を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれるトランジスタを示す断面図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図5】図５は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図（その１）である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図（その２）である。

【図7】図７は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図（その３）である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図10】図１０は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図11】図１１は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図12】図１２は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図13】図１３は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図14】図１４は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図15】図１５は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図16】図１６は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図17】図１７は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図18】図１８は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図19】図１９は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１２）である。

【図20】図２０は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１３）である。

【図21】図２１は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１４）である。

【図22】図２２は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１５）である。

【図23】図２３は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１６）である。

【図24】図２４は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１７）である。

【図25】図２５は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１８）である。

【図26】図２６は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１９）である。

【図27】図２７は、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す平面図である。

【図28】図２８は、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図（その１）である。

【図29】図２９は、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図（その２）である。

【図30】図３０は、第１実施形態の変形例に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

実施するための形態について、以下に説明する。

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、"－"（バー）を数字の上に付すことによって表現されるが、本明細書中では数字の前に負の符号を付している。

【0011】

〔１〕 本開示の一態様に係る炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有する炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ端面を有し、前記端面は、前記第２主面との境界から連続し、前記第２主面に対して傾斜した傾斜面を含む。

【0012】

炭化珪素はシリコンと比較して高い耐圧を得ることができるため、炭化珪素半導体装置はシリコン系半導体装置よりも薄くできる。その一方で、薄い炭化珪素半導体装置では２つの主面の間の距離が短く、２つの主面の間でリーク電流が流れるおそれがある。これに対し、本開示の一態様に係る炭化珪素半導体装置では、端面に傾斜面が含まれているため、端面が第１主面、第２主面に垂直になっている場合よりもリーク電流が流れる経路を長くできる。従って、端面を経路として第１主面と第２主面との間を流れるリーク電流を低減できる。

【0013】

〔２〕 〔１〕において、前記炭化珪素基板は、前記第２主面を含む炭化珪素単結晶基板と、前記第１主面を含む炭化珪素エピタキシャル層と、を有してもよい。この場合、炭化珪素エピタキシャル層の結晶性が良好であり、優れた特性を得やすい。

【0014】

〔３〕 〔１〕又は〔２〕において、前記傾斜面は、前記第２主面側ほど広がるように傾斜していてもよい。この場合、第２主面がはんだを用いて導電層等に接続されると、はんだが傾斜面にせり上がりやすく、良好な接合強度を得やすい。また、トランスファモールドにより炭化珪素半導体装置を封止する場合に、端面の近傍から気泡を排出させやすく、気泡の残留に伴う実装不良を抑制しやすい。

【0015】

〔４〕 〔１〕又は〔２〕において、前記傾斜面は、前記第１主面側ほど広がるように傾斜していてもよい。この場合も、リーク電流の低減及び放熱性の向上の効果が得られる。

【0016】

〔５〕 〔３〕又は〔４〕において、前記傾斜面と前記第２主面とのなす角度は、５０°以上６５°以下であってもよい。この場合、傾斜面に良好な結晶性を得やすい。

【0017】

〔６〕 〔１〕～〔５〕において、前記傾斜面は、｛０－３３－８｝面を含んでもよい。この場合、傾斜面に良好な結晶性を得やすい。

【0018】

〔７〕 〔１〕～〔６〕において、前記傾斜面の一辺１００ｎｍの正方形領域内における表面粗さはＲＭＳで１．０ｎｍ以下であってもよい。この場合、チッピングを抑制しやすい。

【0019】

〔８〕 〔１〕～〔７〕において、前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記第２主面は、少なくとも１つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有してもよい。この場合、平面形状における隅部での応力集中を緩和しやすい。

【0020】

〔９〕 本開示の他の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第１主面と、前記第１主面と反対側の第３主面とを有し、前記第１主面にダイシングラインを備えた炭化珪素ウェハを準備する工程と、前記ダイシングラインに対してハロゲンガスを含む雰囲気で熱エッチングを行って前記ダイシングラインに溝を形成する工程と、前記炭化珪素ウェハを前記第３主面から薄化して前記炭化珪素ウェハを個片化する工程と、を有する。

【0021】

本開示の他の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、請求項１に記載の傾斜面を容易に形成できる。

【0022】

〔１０〕 〔９〕において、前記炭化珪素ウェハを個片化する工程は、前記炭化珪素ウェハを前記第３主面側から研削する工程を有してもよい。この場合、溝の形成後に研削が行われるため、炭化珪素ウェハにかかる圧力を分散しやすい。

【0023】

〔１１〕 〔９〕又は〔１０〕において、前記炭化珪素ウェハを準備する工程は、前記第３主面を含む炭化珪素単結晶基板の上に、前記第１主面を含む炭化珪素エピタキシャル層を形成する工程を有してもよい。この場合、炭化珪素エピタキシャル層の結晶性が良好であり、優れた特性を得やすい。

【0024】

〔１２〕 〔９〕～〔１１〕において、前記ダイシングラインに対して熱エッチングを行う工程は、前記第１主面の一部を覆う被覆部と、前記第１主面の残部を露出する開口部とを備えたエッチングマスクを前記第１主面の上に形成する工程を有し、前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記被覆部は、少なくとも１つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有してもよい。この場合、平面形状における隅部での応力集中を緩和しやすい。

【0025】

［第１実施形態］
本開示の第１実施形態は、トランジスタを含む炭化珪素半導体装置に関する。図１は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す断面図である。図３は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれるトランジスタを示す断面図である。図２は、図１中のII-II線に沿った断面図に相当する。

【0026】

図１及び図２に示されるように、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００は炭化珪素基板１０を含み、炭化珪素基板１０は、炭化珪素単結晶基板５０と、炭化珪素単結晶基板５０上にある炭化珪素エピタキシャル層４０とを含む。炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第１主面１と反対側の第２主面２とを有する。炭化珪素エピタキシャル層４０は第１主面１を構成し、炭化珪素単結晶基板５０は第２主面２を構成する。炭化珪素単結晶基板５０及び炭化珪素エピタキシャル層４０は、例えばポリタイプ４Ｈの六方晶炭化珪素から構成されている。炭化珪素単結晶基板５０は、例えば窒素（Ｎ）などのｎ型不純物を含みｎ型（第１導電型）を有する。炭化珪素基板１０に半導体素子が形成されている。例えば、第１主面１と第２主面２との間の距離Ｌ１、すなわち炭化珪素基板１０の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下程度である。

【0027】

第１主面１は、｛０００１｝面または｛０００１｝面がオフ方向に８°以下のオフ角だけ傾斜した面である。好ましくは、第１主面１は、（０００－１）面または（０００－１）面がオフ方向に８°以下のオフ角だけ傾斜した面である。オフ方向は、例えば＜１１－２０＞方向であってもよいし、＜１－１００＞方向であってもよい。オフ角は、例えば１°以上であってもよいし、２°以上であってもよい。オフ角は、６°以下であってもよいし、４°以下であってもよい。

【0028】

図１に示されるように、例えば、炭化珪素基板１０は矩形状の平面形状を有する。すなわち、炭化珪素基板１０の平面形状は、第１方向に平行に延びる２辺と、第１方向に垂直な第２方向に延びる２辺とを備える。図２に示されるように、炭化珪素基板１０は、これら４辺に相当する位置のそれぞれに第１主面１と第２主面２とをつなぐ端面２０を有する。端面２０は、第２主面２との境界から連続し、第２主面２に対して傾斜した傾斜面２１を有する。本実施形態では、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、第１主面１の輪郭が第２主面２の輪郭の内側にある。傾斜面２１は、第２主面２側ほど広がるように傾斜している。すなわち、傾斜面２１は、第１主面１に近づくほど、第１主面１の内側に入るように傾斜している。傾斜面２１と第２主面２とのなす角度θ１は、例えば５０°以上６５°以下である。角度θ１は、例えば５５°以上であってもよい。角度θ１は、例えば６０°以下であってもよい。傾斜面２１は、好ましくは、｛０－３３－８｝面を有する。角度θ１が５０°以上６５°以下であると、傾斜面２１に良好な結晶性を得やすい。

【0029】

４つの傾斜面２１の間で角度θ１が共通していなくてもよい。例えば、第１方向に平行な辺に相当する位置に設けられた２つの傾斜面２１が｛０－３３－８｝面を有し、第２方向に平行な辺に相当する位置に設けられた２つの傾斜面２１が｛０－３３－８｝面とは異なる結晶面を有してもよい。傾斜面２１が｛０－３３－８｝面を有していると、傾斜面２１に良好な結晶面を得やすい。

【0030】

端面２０が、第１主面１との境界から連続する面２３と、傾斜面２１と面２３とをつなぐ面２２とを有してもよい。例えば、面２３は、第１主面１に対して実質的な垂直であってもよく、面２２は、第１主面１及び第２主面２に実質的に平行であってもよい。例えば、第１主面１と面２２との間の距離Ｌ２は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下程度であり、距離Ｌ１と比べると極めて小さい。

【0031】

本実施形態では、炭化珪素基板１０に半導体素子の一例としてＭＯＳＦＥＴが形成されている。図３に示されるように、炭化珪素エピタキシャル層４０は、ドリフト領域１１と、ボディ領域１２と、ソース領域１３と、コンタクト領域１８とを主に有する。

【0032】

ドリフト領域１１は、例えば窒素またはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が添加されていることでｎ型を有する。ドリフト領域１１へのｎ型不純物の添加は、イオン注入によってではなく、ドリフト領域１１のエピタキシャル成長時の不純物添加によって行われていることが好ましい。

【0033】

ボディ領域１２はドリフト領域１１上に設けられている。ボディ領域１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などのｐ型不純物が添加されていることでｐ型（第２導電型）を有する。

【0034】

ソース領域１３は、ボディ領域１２によってドリフト領域１１から隔てられるようにボディ領域１２上に設けられている。ソース領域１３は、例えば窒素またはリンなどのｎ型不純物が添加されていることでｎ型を有する。ソース領域１３は、第１主面１を構成している。

【0035】

コンタクト領域１８は、例えばアルミニウムなどのｐ型不純物が添加されていることでｐ型を有する。コンタクト領域１８は、第１主面１を構成する。コンタクト領域１８は、ソース領域１３を貫通し、ボディ領域１２に接する。

【0036】

第１主面１には、複数のゲートトレンチ５が設けられている。ゲートトレンチ５は、例えば第１主面１に平行な第１方向に延びており、複数のゲートトレンチ５が第２方向に並んでいる。ゲートトレンチ５は、ドリフト領域１１からなる底面４を有する。ゲートトレンチ５は、コンタクト領域１８、ソース領域１３及びボディ領域１２を貫通して底面４に連なる側面３を有する。底面４は、例えば第２主面２と平行な平面である。底面４を含む平面に対する側面３の角度は、例えば５０°以上６５°以下である。この角度は、例えば５５°以上であってもよい。この角度は、例えば６０°以下であってもよい。側面３は、好ましくは、｛０－３３－８｝面を有する。｛０－３３－８｝面は、優れた移動度が得られる結晶面である。

【0037】

側面３及び底面４に接するゲート絶縁膜８１が設けられている。ゲート絶縁膜８１は、例えば酸化膜である。ゲート絶縁膜８１は、例えば二酸化珪素を含む材料により構成されている。ゲート絶縁膜８１は、底面４においてドリフト領域１１と接する。ゲート絶縁膜８１は、側面３においてソース領域１３、ボディ領域１２及びドリフト領域１１の各々と接している。ゲート絶縁膜８１は、第１主面１においてソース領域１３と接していてもよい。

【0038】

ゲート絶縁膜８１上にゲート電極８２が設けられている。ゲート電極８２は、例えば導電性不純物を含むポリシリコン（ポリＳｉ）から構成されている。ゲート電極８２は、ゲートトレンチ５の内部に配置されている。

【0039】

ゲート電極８２及びゲート絶縁膜８１に接する層間絶縁膜８３が設けられている。層間絶縁膜８３は、例えば二酸化珪素を含む材料から構成されている。層間絶縁膜８３は、ゲート電極８２とソース電極６０とを電気的に絶縁している。

【0040】

層間絶縁膜８３及びゲート絶縁膜８１には、第２方向に一定の間隔でコンタクトホール９０が形成されている。コンタクトホール９０は、第２方向で隣り合うコンタクトホール９０の間にゲートトレンチ５が位置するように設けられている。コンタクトホール９０は、第１方向に延びる。コンタクトホール９０を通じて、ソース領域１３及びコンタクト領域１８が層間絶縁膜８３及びゲート絶縁膜８１から露出している。

【0041】

第１主面１に接するソース電極６０が設けられている。ソース電極６０は、コンタクトホール９０内に設けられたコンタクト電極６１と、ソース配線６２とを有する。コンタクト電極６１は、第１主面１において、ソース領域１３及びコンタクト領域１８に接している。コンタクト電極６１は、例えばニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む材料から構成されている。コンタクト電極６１が、チタン（Ｔｉ）と、Ａｌと、Ｓｉとを含む材料から構成されていてもよい。コンタクト電極６１は、ソース領域１３及びコンタクト領域１８とオーミック接合している。ソース配線６２は、例えばＡｌを含む材料から構成されている。

【0042】

ソース配線６２の上面を覆うパッシベーション膜８５が設けられている。パッシベーション膜８５は、ソース配線６２と接している。パッシベーション膜８５は、例えばポリイミドを含む材料から構成されている。

【0043】

第２主面２に接するドレイン電極７０が設けられている。ドレイン電極７０は、第２主面２において炭化珪素単結晶基板５０と接している。ドレイン電極７０は、ドリフト領域１１と電気的に接続されている。ドレイン電極７０は、例えばＮｉＳｉを含む材料から構成されている。ドレイン電極７０がＴｉと、Ａｌと、Ｓｉとを含む材料から構成されていてもよい。ドレイン電極７０は、炭化珪素単結晶基板５０とオーミック接合している。

【0044】

本実施形態では、端面２０に傾斜面２１が含まれているため、端面２０が第１主面１及び第２主面２に垂直になっている場合よりもリーク電流が流れる経路を長くできる。従って、端面２０を経路として第１主面１と第２主面２との間を流れるリーク電流を低減できる。また、端面２０が第１主面１及び第２主面２に垂直になっている場合よりも端面２０の面積が大きくなるため、放熱性を向上できる。

【0045】

また、炭化珪素基板１０が、第２主面２を含む炭化珪素単結晶基板５０と、第１主面１を含む炭化珪素エピタキシャル層４０とを有する。つまり、炭化珪素基板１０は、いわゆるエピタキシャル基板である。このため、炭化珪素エピタキシャル層の結晶性が良好であり、優れた特性を得やすい。

【0046】

また、傾斜面２１が第２主面２側ほど広がるように傾斜している。このため、絶縁基板の表面に形成された導電層等にはんだを介してドレイン電極７０が接続される場合、溶融したはんだが傾斜面２１にせり上がりやすく、ドレイン電極７０と導電層等との間に良好な接合強度を得やすい。また、トランスファモールドにより炭化珪素半導体装置１００を封止する場合に、端面２０の近傍から気泡を排出させやすく、気泡の残留に伴う実装不良を抑制しやすい。

【0047】

傾斜面２１の表面粗さは一辺１００ｎｍの正方形領域において算出するような微視的な範囲においてＲＭＳで１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．８ｎｍ以下であることがより好ましい。炭化珪素半導体装置１００におけるチッピングの抑制のためである。このような微視的な表面粗さは、例えば原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）を用いて測定することができる。

【0048】

傾斜面２１は｛０－３３－８｝面を有していることが好ましいが、｛０－３３－８｝面とは異なる炭化珪素の特定の結晶面を有してもよい。ここで、｛０－３３－８｝面を有しているとは、傾斜面２１の加工精度などを考慮して実質的に面方位が｛０－３３－８｝とみなせるオフ角の範囲に傾斜面２１の面方位が含まれていることを意味する。この場合のオフ角の範囲は、例えば｛０－３３－８｝に対してオフ角が±２°の範囲である。

【0049】

例えば、傾斜面２１のオフ方位と＜０１－１０＞方向とのなす角は５°以下となっていてもよい。これによりオフ方位がほぼ＜０１－１０＞方向となり、その結果、傾斜面２１の面方位が｛０－３３－８｝面に近くなる。傾斜面２１の、＜０１－１０＞方向における｛０－３３－８｝面に対するオフ角は－３°以上５°以下であってもよい。

【0050】

「＜０１－１０＞方向における｛０－３３－８｝面に対するオフ角」とは、＜０１－１０＞方向及び＜０００１＞方向を含む平面への傾斜面２１の法線の正射影と、｛０－３３－８｝面の法線とのなす角度である。当該角度の符号は、上記正射影が＜０１－１０＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。

【0051】

なお、ゲートトレンチ５が垂直トレンチであってもよい。つまり、底面４を含む平面に対する側面３の角度が９０°であってもよい。また、ゲートトレンチ５を含まないトランジスタが炭化珪素基板１０に形成されていてもよい。また、炭化珪素基板１０に形成される半導体素子はＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタに限定されず、ショットキーバリアダイオード等の他の半導体素子が炭化珪素基板１０に形成されていてもよい。

【0052】

次に、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００の製造方法について説明する。図４は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図５～図７は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図である。図８～図２６は、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１７～図２６は、図３に示す断面の変化を示す。

【0053】

まず、工程Ｓ１において、図８及び図１７に示されるように、炭化珪素単結晶基板５０が準備される。例えば昇華法によって製造された炭化珪素インゴット（図示せず）がスライスされることにより、炭化珪素単結晶基板５０が準備される。炭化珪素単結晶基板５０上にバッファ層（図示せず）が形成されてもよい。バッファ層は、例えば原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）とプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）との混合ガスを用い、キャリアガスとして例えば水素（Ｈ_２）を用いた化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成することができる。バッファ層のエピタキシャル成長の際に、例えば窒素などのｎ型不純物がバッファ層に導入されてもよい。

【0054】

次に、炭化珪素単結晶基板５０上に炭化珪素エピタキシャル層４０が形成される。例えば原料ガスとしてシランとプロパンとの混合ガスを用い、キャリアガスとして例えば水素を用いたＣＶＤ法により、炭化珪素単結晶基板５０上に炭化珪素エピタキシャル層４０が形成される。炭化珪素エピタキシャル層４０の際、例えば窒素などのｎ型不純物が炭化珪素エピタキシャル層４０に導入される。炭化珪素エピタキシャル層４０は、ｎ型の導電型を有する。このようにして、炭化珪素単結晶基板５０及び炭化珪素エピタキシャル層４０を備えた炭化珪素ウェハ５１が準備される。炭化珪素ウェハ５１は、第１主面１と、第１主面１とは反対側の第３主面５５とを有する。例えば、第１主面１と第３主面５５との間の距離Ｌ３、すなわち炭化珪素ウェハ５１の厚さは、炭化珪素半導体装置１００の厚さよりも大きく、例えば３５０μｍ以上５００μｍ以下程度である。

【0055】

次に、工程Ｓ２において、第１主面１にマーカ９１が形成される。マーカ９１の形成では、まず、図５に示されるように、炭化珪素ウェハ５１の第１主面１に、炭化珪素半導体装置１００を形成する予定のチップ領域５２と、隣り合うチップ領域５２とを分離するダイシングライン５３とが設定される。例えば、ダイシングライン５３は、第１方向及び第２方向に延びる。次いで、図８に示されるように、例えばフォトレジストをエッチングマスクとして用い、炭化珪素エピタキシャル層４０のエッチングが行われる。エッチングの方法としては、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）、特に誘導結合プラズマ（Inductive Coupled Plasma：ＩＣＰ）ＲＩＥを用いることができる。具体的には、例えば反応ガスとしてＳＦ_６またはＳＦ_６とＯ_２との混合ガスを用いたＩＣＰ－ＲＩＥを用いることができる。例えば、マーカ９１の幅は１０μｍ程度であり、深さは距離Ｌ２と等しく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下程度である。

【0056】

次に、工程Ｓ３において、図１８に示されるように、炭化珪素エピタキシャル層４０へのイオン注入が行われる。例えば、イオン注入により、ボディ領域１２、ソース領域１３及びコンタクト領域１８が形成される。炭化珪素エピタキシャル層４０の残部がドリフト領域１１として機能する。ボディ領域１２又はコンタクト領域１８を形成するためのイオン注入においては、例えばアルミニウム（Ａｌ）などのｐ型不純物がイオン注入される。ソース領域１３を形成するためのイオン注入においては、例えばリン（Ｐ）などのｎ型不純物がイオン注入される。

【0057】

次に、工程Ｓ４において、図９に示されるように、炭化珪素エピタキシャル層４０の表面の熱酸化を行うことにより、炭化珪素エピタキシャル層４０の表面に絶縁膜９２を形成する。絶縁膜９２は、例えば二酸化珪素を含む材料から構成される。

【0058】

次に、工程Ｓ５において、図６及び図１０に示されるように、絶縁膜９２にマーカ９１の底面を部分的に露出する開口部９２Ｘを形成する。開口部９２Ｘの形成では、例えばフォトレジストをエッチングマスクとして用いた絶縁膜９２のドライエッチングを行う。絶縁膜９２から、第１主面１の一部を覆う被覆部９２Ｙと、第１主面１の残部を露出する開口部９２Ｘとを備えたエッチングマスク９２Ｚが形成される。被覆部９２Ｙは、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、長方形状の平面形状を有する。

【0059】

次に、工程Ｓ６において、図６及び図１１に示されるように、エッチングマスク９２Ｚを用いて、平面視でマーカ９１の内側に、ダイシング溝９５が形成される。ダイシング溝９５の形成では、まず、開口部９２Ｘにおいて、ＩＣＰ－ＲＩＥ等のＲＩＥにより炭化珪素ウェハ５１の一部がエッチングにより除去される。具体的には、例えば反応ガスとしてＳＦ_６またはＳＦ_６とＯ_２との混合ガスを用いたＩＣＰ－ＲＩＥを用いることができる。このようなエッチングにより、側面が第１主面１に対してほぼ垂直な内面を有する凹部を形成することができる。次いで、エッチングマスク９２Ｚを用いて、炭化珪素ウェハ５１に対して、凹部の内面において熱エッチングが行われる。熱エッチングは、例えば、少なくとも１種類以上のハロゲン原子を有するハロゲン系の反応性ガスを含む雰囲気中で、炭化珪素ウェハ５１を加熱することによって行い得る。少なくとも１種類以上のハロゲン原子は、塩素（Ｃｌ）原子及びフッ素（Ｆ）原子の少なくともいずれかを含む。この雰囲気は、例えば、Ｃｌ_２、ＢＣＬ_３、ＳＦ_６、またはＣＦ_４である。例えば、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を、例えば７００℃以上１０００℃以下として、熱エッチングが行われる。なお、反応ガスは、塩素ガスと酸素ガスとに加えてキャリアガスを含んでいてもよい。キャリアガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いることができる。そして、上述のように熱処理温度を７００℃以上１０００℃以下とした場合、ＳｉＣのエッチング速度は例えば約７０μｍ／時になる。エッチングマスクとして用いられる二酸化珪素を含む材料から構成される絶縁膜９２は、炭化珪素に対する選択比が極めて大きいため、炭化珪素のエッチング中に実質的にエッチングされない。

【0060】

上記の熱エッチングにより炭化珪素ウェハ５１に、側面９３と、底面９４とを有するダイシング溝９５が形成される。ダイシング溝９５の形成の際、炭化珪素ウェハ５１は、開口部９２Ｘからサイドエッチングされるようにエッチングされる。また、熱エッチングの際、エッチング速度の最も遅い結晶面である｛０－３３－８｝面がダイシング溝９５の側面９３として自己形成される。例えば、ダイシング溝９５の底面９４とマーカ９１の底面との間の距離Ｌ４は、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下程度である。第１主面１とダイシング溝９５の底面９４と間の距離は、距離Ｌ２と距離Ｌ４との和に等しく、製造しようとする炭化珪素半導体装置１００における第１主面１と第２主面２との間の距離Ｌ２よりも大きくする。

【0061】

次に、工程Ｓ７において、図１２に示されるように、エッチングマスク９２Ｚが第１主面１から除去される。

【0062】

次に、工程Ｓ８において、イオン注入により添加された不純物を活性化するための活性化熱処理が行われる。この熱処理の温度は、好ましくは１５００℃以上１９００℃以下であり、例えば１７００℃程度である。熱処理の時間は、例えば３０分程度である。熱処理の雰囲気は、好ましくは不活性ガス雰囲気であり、例えばＡｒ雰囲気である。

【0063】

次に、工程Ｓ９において、図１９に示されるように、炭化珪素ウェハ５１にゲートトレンチ５が形成される。ゲートトレンチ５は、ダイシング溝９５と同様に、開口部が形成された二酸化珪素を含む材料から構成される絶縁膜をエッチングマスクとした、ＲＩＥ及び熱エッチングにより形成できる。熱エッチングの際、｛０－３３－８｝面が側面３として自己形成される。

【0064】

次に、工程Ｓ１０において、図２０に示されるように、ゲート絶縁膜８１が形成される。例えば炭化珪素ウェハ５１を熱酸化することにより、ソース領域１３と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１１と、コンタクト領域１８とに接するゲート絶縁膜８１が形成される。具体的には、炭化珪素ウェハ５１が、酸素を含む雰囲気中において、例えば１３００℃以上１４００℃以下の温度で加熱される。これにより、第１主面１と、側面３及び底面４に接するゲート絶縁膜８１が形成される。なお、ゲート絶縁膜８１が熱酸化により形成された場合、厳密には、炭化珪素ウェハ５１の一部がゲート絶縁膜８１に取り込まれる。このため、以降の処理では、熱酸化後のゲート絶縁膜８１と炭化珪素ウェハ５１との間の界面に第１主面１、側面３及び底面４が若干移動したものとする。

【0065】

次に、一酸化窒素（ＮＯ）ガス雰囲気中において炭化珪素ウェハ５１に対して熱処理（ＮＯアニール）が行われてもよい。ＮＯアニールにおいて、炭化珪素ウェハ５１が、例えば１１００℃以上１４００℃以下の条件下で１時間程度保持される。これにより、ゲート絶縁膜８１とボディ領域１２との界面領域に窒素原子が導入される。その結果、界面領域における界面準位の形成が抑制されることで、チャネル移動度を向上させることができる。

【0066】

次に、工程Ｓ１１において、図２１に示されるように、ゲート電極８２が形成される。ゲート電極８２は、ゲート絶縁膜８１上に形成される。ゲート電極８２は、例えば減圧ＣＶＤ（Low Pressure - Chemical Vapor Deposition：ＬＰ－ＣＶＤ）法により形成される。ゲート電極８２は、ソース領域１３と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１１との各々に対面するように形成される。

【0067】

次に、工程Ｓ１２において、図２２に示されるように、層間絶縁膜８３が形成される。具体的には、ゲート電極８２を覆い、かつゲート絶縁膜８１と接するように層間絶縁膜８３が形成される。層間絶縁膜８３は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。層間絶縁膜８３は、例えば二酸化珪素を含む材料から構成される。層間絶縁膜８３の一部は、ゲートトレンチ５の内部に形成されてもよい。

【0068】

次に、工程Ｓ１３において、図２３に示されるように、層間絶縁膜８３及びゲート絶縁膜８１のエッチングが行われることで、層間絶縁膜８３及びゲート絶縁膜８１にコンタクトホール９０が形成される。この結果、ソース領域１３及びコンタクト領域１８が層間絶縁膜８３及びゲート絶縁膜８１から露出する。次に、第１主面１においてソース領域１３及びコンタクト領域１８に接するコンタクト電極６１用の金属膜（図示せず）が形成される。コンタクト電極６１用の金属膜は、例えばスパッタリング法により形成される。コンタクト電極６１用の金属膜は、例えばＮｉを含む材料から構成される。次に、合金化アニールが実施される。コンタクト電極６１用の金属膜が、例えば９００℃以上１１００℃以下の温度で５分程度保持される。これにより、コンタクト電極６１用の金属膜の少なくとも一部が、炭化珪素ウェハ５１が含む珪素と反応してシリサイド化する。これにより、ソース領域１３及びコンタクト領域１８とオーミック接合するコンタクト電極６１が形成される。コンタクト電極６１が、Ｔｉと、Ａｌと、Ｓｉとを含む材料から構成されてもよい。

【0069】

次に、工程Ｓ１４において、図２４に示されるように、ソース配線６２が形成される。具体的には、コンタクト電極６１及び層間絶縁膜８３を覆うソース配線６２が形成される。ソース配線６２は、例えばスパッタリング法による成膜及びＲＩＥにより形成される。ソース配線６２は、例えばアルミニウムを含む材料から構成される。このようにして、コンタクト電極６１とソース配線６２とを有するソース電極６０が形成される。

【0070】

次に、工程Ｓ１５において、図２５に示されるように、パッシベーション膜８５が形成される。具体的には、ソース配線６２を覆うパッシベーション膜８５が形成される。パッシベーション膜８５は、例えばポリイミドを含む材料から構成される。パッシベーション膜８５は、例えば塗布法により形成される。パッシベーション膜８５をプラズマＣＶＤ法により形成してもよい。

【0071】

次に、工程Ｓ１６において、図１３に示されるように、パッシベーション膜８５の上に接着テープ９６が貼り付けられる。なお、図１３～図１６では、炭化珪素ウェハ５１の第１主面１の上に形成されているパッシベーション膜８５等の図示を省略してある。

【0072】

次に、工程Ｓ１７において、炭化珪素ウェハ５１のバックグラインドが行われる。具体的には、炭化珪素ウェハ５１が第３主面５５側から研削により薄化される。炭化珪素ウェハ５１の研磨は、炭化珪素ウェハ５１の厚さが、炭化珪素半導体装置１００における第１主面１と第２主面２との間の距離Ｌ２に等しくなるまで行う。第１主面１とダイシング溝９５の底面９４と間の距離が第１主面１と第２主面２との間の距離Ｌ２よりも大きいため、第３主面５５の研磨の結果、図７及び図１４に示されるように、炭化珪素ウェハ５１がチップ領域５２毎に個片化される。この結果、チップ領域５２毎に、第１主面１と第２主面２とを備えた炭化珪素基板１０が形成される。

【0073】

次に、工程Ｓ１８において、図１５及び図２６に示されるように、第２主面２において炭化珪素単結晶基板５０に接するドレイン電極７０が形成される。このようにして、各チップ領域５２に炭化珪素半導体装置１００が形成される。ダイシング溝９５の側面３が傾斜面２１となり、マーカ９１の側面が面２３となり、マーカ９１の底面が面２２となる。

【0074】

次に、工程Ｓ１９において、図１６に示されるように、接着テープ９６が炭化珪素半導体装置１００から剥離される。

【0075】

このようにして、第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００が完成する。

【0076】

この製造方法では、ダイシングライン５３に対してハロゲンガスを含む雰囲気で熱エッチングを行ってダイシングライン５３にダイシング溝９５を形成し、炭化珪素ウェハ５１を第３主面５５側から薄化して炭化珪素ウェハ５１を個片化している。このため、ダイシング溝９５の側面９３を第３主面５５に対して傾斜した傾斜面とすることができ、この傾斜面が傾斜面２１となる。従って、傾斜面２１を備えた端面２０を容易に形成できる。

【0077】

また、傾斜面２１が熱エッチングにより形成されるため、傾斜面２１及びその近傍には機械的なダメージが生じにくく、チッピング等の欠陥が生じにくい。従って、炭化珪素半導体装置１００の機械的強度が高く、信頼性を向上できる。例えば、傾斜面２１の表面粗さを、一辺１００ｎｍの正方形領域において算出するような微視的な範囲においてＲＭＳで１．０ｎｍ以下としやすい。

【0078】

また、第３主面５５側からの研削の進行に伴って炭化珪素ウェハ５１がチップ領域５２毎に個片化される。このため、バックグラインドの後にダイサー等を用いてウェハを個片化する場合と比較して、炭化珪素基板１０に作用する圧力を分散でき、機械加工時の割れを低減できる。

【0079】

なお、熱エッチングは、傾斜面２１が｛０－３３－８｝面となる前に停止してもよい。つまり、傾斜面２１が｛０－３３－８｝面となっていなくてもよい。

【0080】

［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主に外形の点で第１実施形態と相違する。図２７は、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す平面図である。

【0081】

図２７に示されるように、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置２００では、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、第２主面２が、４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有する。第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、第１主面１が、４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有してもよい。

【0082】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0083】

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第２実施形態では、第２主面２が４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有するため、第２主面２の近傍において４隅でのチッピングをより抑制できる。更に、第１主面１が４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有すれば、第１主面１の近傍において４隅でのチッピングをより抑制できる。また、４隅における応力の集中を緩和し、応力集中に伴うクラックを抑制できる。また、トランスファモールドにより炭化珪素半導体装置１００を封止する場合に、端面２０の近傍から気泡をより排出させやすく、気泡の残留に伴う実装不良をより抑制しやすい。

【0084】

次に、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置２００の製造方法について説明する。図２８～図２９は、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す平面図である。

【0085】

まず、第１実施形態と同様にして、炭化珪素ウェハ５１の準備（工程Ｓ１）から絶縁膜９２の形成（工程Ｓ４）までの処理が行われる。次いで、図２８に示されるように、絶縁膜９２にマーカ９１の底面を部分的に露出する開口部２９２Ｘを形成する。開口部２９２Ｘの形成では、例えばフォトレジストをエッチングマスクとして用いた絶縁膜２９２のドライエッチングを行う。絶縁膜９２から、第１主面１の一部を覆う被覆部２９２Ｙと、第１主面１の残部を露出する開口部２９２Ｘとを備えたエッチングマスク２９２Ｚが形成される。被覆部２９２Ｙは、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有する。

【0086】

次に、エッチングマスク２９２Ｚを用いて、平面視でマーカ９１の内側に、ダイシング溝２９５が形成される。ダイシング溝２９５は、ダイシング溝９５と同様に、エッチングマスク２９２Ｚとした、ＲＩＥ及び熱エッチングにより形成できる。次に、エッチングマスク２９２Ｚが第１主面１から除去される。

【0087】

その後、第１実施形態と同様に、活性化熱処理（工程Ｓ８）から接着テープ９６の剥離（工程Ｓ１９）までの処理が行われる。

【0088】

このようにして、第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置２００が完成する。

【0089】

この製造方法によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状を有する被覆部２９２Ｙを含むエッチングマスク２９２Ｚを用いた熱エッチングを経てダイシング溝２９５が形成されるため、第２主面２の平面形状を、容易に４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状とすることができる。また、第１主面１の平面形状を、容易に４つの角が丸まった角丸長方形状の平面形状とすることもできる。

【0090】

なお、４隅のすべてが角丸形状となっている必要はなく、１隅だけでも角丸形状となっていれば、当該隅において上記の効果が得られる。

【0091】

［変形例］
次に、第１実施形態の変形例について説明する。変形例は、主に外形の点で第１実施形態と相違する。図３０は、第１実施形態の変形例に係る炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素基板の概要を示す断面図である。

【0092】

図３０に示されるように、第１実施形態の変形例に係る炭化珪素半導体装置１００Ａでは、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、第１主面１の輪郭が第２主面２の輪郭の外側にある。傾斜面２１は、第１主面１側ほど広がるように傾斜している。すなわち、傾斜面２１は、第２主面２に近づくほど、第２主面２の内側に入るように傾斜している。傾斜面２１と第２主面２とのなす角度θ２は、例えば５０°以上６５°以下である。角度θ２は、例えば５５°以上であってもよい。角度θ２は、例えば６０°以下であってもよい。傾斜面２１は、好ましくは、｛０－３３－８｝面を有する。

【0093】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0094】

第１実施形態の変形例に係る炭化珪素半導体装置１００Ａによっても、第１実施形態と同様に、端面２０を経路として第１主面１と第２主面２との間を流れるリーク電流を低減でき、放熱性を向上できる。

【0095】

第２実施形態の変形例として、第１実施形態の変形例と同様に、傾斜面２１が第１主面１側ほど広がるように傾斜していてもよい。

【0096】

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

【符号の説明】

【0097】

１ 第１主面
２ 第２主面
３ 側面
４ 底面
５ ゲートトレンチ
１０ 炭化珪素基板
１１ ドリフト領域
１２ ボディ領域
１３ ソース領域
１８ コンタクト領域
２０ 端面
２１ 傾斜面
２２、２３ 面
４０ 炭化珪素エピタキシャル層
５０ 炭化珪素単結晶基板
５１ 炭化珪素ウェハ
５２ チップ領域
５３ ダイシングライン
５５ 第３主面
６０ ソース電極
６１ コンタクト電極
６２ ソース配線
７０ ドレイン電極
８１ ゲート絶縁膜
８２ ゲート電極
８３ 層間絶縁膜
８４ ゲートパッド
８５ パッシベーション膜
９０ コンタクトホール
９１ マーカ
９２、２９２ 絶縁膜
９２Ｘ、２９２Ｘ 開口部
９２Ｙ、２９２Ｙ 被覆部
９２Ｚ、２９２Ｚ エッチングマスク
９３ 側面
９４ 底面
９５、２９５ ダイシング溝
９６ 接着テープ
１００、１００Ａ、２００ 炭化珪素半導体装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】