特開 2023-182191 電子部品およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023182191

(43)【公開日】2023-12-26

(54)【発明の名称】電子部品およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 27/146 20060101AFI20231219BHJP

   G01J 1/02 20060101ALI20231219BHJP

   H01L 31/02 20060101ALI20231219BHJP

【ＦＩ】

H01L27/146 D

G01J1/02 S

H01L27/146 A

H01L31/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022095663

(22)【出願日】2022-06-14

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】桑原 英治

【テーマコード（参考）】

2G065

4M118

5F149

5F849

【Ｆターム（参考）】

2G065AA03

2G065AB02

2G065AB04

2G065BA07

2G065BA09

2G065BB26

2G065BE08

2G065CA27

4M118AB01

4M118CA02

4M118CA09

4M118FA06

4M118GC07

4M118GC08

4M118GC14

5F149AA01

5F149EA02

5F149JA06

5F149JA13

5F149LA01

5F149LA02

5F149XB02

5F849AA01

5F849EA02

5F849JA06

5F849JA13

5F849LA01

5F849LA02

5F849XB02

(57)【要約】

【課題】信頼性を向上できる電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１Ａは、第１無機膜２１と、第１無機膜２１を被覆する第２無機膜２２と、第１無機膜２１を部分的に露出させるように第２無機膜２２に形成され、平面視で波線状に湾曲した壁面３１を有する開口３０と、を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１無機膜と、
前記第１無機膜を被覆する第２無機膜と、
前記第１無機膜を部分的に露出させるように前記第２無機膜に形成され、平面視で波線状に湾曲した壁面を有する開口と、を含む、電子部品。

【請求項2】

有機膜をさらに含み、
前記第１無機膜は、前記有機膜を直接被覆している、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第１無機膜は、前記有機膜よりも薄い、請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

チップと、
前記チップに形成された機能デバイスと、
前記機能デバイスを被覆する層間絶縁膜と、さらに含み、
前記有機膜は、前記層間絶縁膜を被覆している、請求項３に記載の電子部品。

【請求項5】

前記有機膜は、透明樹脂膜を含み、
前記第１無機膜は、前記透明樹脂膜を被覆している、請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記壁面は、平面視において第１方向に延びる第１壁面、および、平面視において前記第１方向に交差する第２方向に延びる第２壁面を含み、
前記第１壁面は、平面視において、前記第２方向の一方側に窪んだ第１リセス部および前記第２方向の他方側に突出した第１突出部を有し、
前記第２壁面は、平面視において、前記第１方向の一方側に窪んだ第２リセス部および前記第１方向の他方側に突出した第２突出部を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記第１壁面は、前記第１リセス部によって形成された端部を有し、
前記第２壁面は、前記第２リセス部によって形成され、前記第１壁面の前記端部に接続された端部を有している、請求項６に記載の電子部品。

【請求項8】

前記壁面は、平面視において一定の波長を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項9】

前記壁面は、平面視において一定の波幅を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項10】

前記第２無機膜は、前記第１無機膜よりも厚い、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項11】

前記第２無機膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の厚さを有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項12】

前記第２無機膜は、前記開口の周囲に位置する部分おいて前記開口に向けて膜厚が漸減する膜厚漸減部を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項13】

前記第２無機膜は、複数の無機膜を含む積層構造を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項14】

前記第２無機膜は、酸化シリコン膜および酸化チタン膜を含む積層構造を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項15】

前記第２無機膜は、光学フィルタ膜として形成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項16】

前記第２無機膜は、前記壁面を区画する部分において前記第１無機膜とは反対側に向けて突出した突起部を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項17】

第１無機膜を部分的に被覆するように平面視において波線状に湾曲した側壁を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の前記側壁の少なくとも一部を露出させるように前記第１無機膜および前記レジスト膜を被覆する第２無機膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去することにより、平面視で波線状に湾曲した壁面を有し、前記第１無機膜を部分的に露出させる開口を前記第２無機膜に形成する工程と、を含む、電子部品の製造方法。

【請求項18】

前記レジスト膜の除去工程は、前記レジスト膜をレジスト剥離液に浸漬する工程を含む、請求項１７に記載の電子部品の製造方法。

【請求項19】

前記レジスト膜の除去工程は、前記レジスト膜に超音波を付与する工程を含む、請求項１７に記載の電子部品の製造方法。

【請求項20】

有機膜の上に前記第１無機膜を形成する工程をさらに含む、請求項１７～１９のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電子部品およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、リフトオフ法によって被パターニング膜をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－２９６７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一実施形態は、信頼性を向上できる電子部品およびその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態は、第１無機膜と、前記第１無機膜を被覆する第２無機膜と、前記第１無機膜を部分的に露出させるように前記第２無機膜に形成され、平面視で波線状に湾曲した壁面を有する開口と、を含む、電子部品を提供する。

【0006】

一実施形態は、第１無機膜を部分的に被覆するように平面視において波線状に湾曲した側壁を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の前記側壁の少なくとも一部を露出させるように前記第１無機膜および前記レジスト膜を被覆する第２無機膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去することにより、平面視で波線状に湾曲した壁面を有し、前記第１無機膜を部分的に露出させる開口を前記第２無機膜に形成する工程と、を含む、電子部品の製造方法を提供する。

【0007】

上述のまたはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面の参照によって説明される実施形態により明らかにされる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施形態に係る電子部品を示す平面図である。

【図2】図２は、図１に示す受光領域を示す拡大平面図である。

【図3】図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。

【図4】図４は、図２に示す開口を含む領域を示す拡大断面図である。

【図5】図５は、図３に示す開口の一要部を示す拡大平面図である。

【図6A】図６Ａは、図１に示す電子部品の製造方法の一部を示す断面図である。

【図6B】図６Ｂは、図６Ａの後の工程を示す断面図である。

【図6C】図６Ｃは、図６Ｂの後の工程を示す断面図である。

【図6D】図６Ｄは、図６Ｃの後の工程を示す断面図である。

【図6E】図６Ｅは、図６Ｄの後の工程を示す断面図である。

【図7】図７は、図６Ｃに示すレジスト膜のレイアウトを示す拡大平面図である。

【図8】図８は、図７に示すレジスト膜の一要部を示す拡大平面図である。

【図9】図９は、図７に示すレジスト膜を示す拡大断面図である。

【図10A】図１０Ａは、開口の形成工程を説明するための拡大平面図である。

【図10B】図１０Ｂは、開口の形成工程を説明するための拡大平面図である。

【図10C】図１０Ｃは、開口の形成工程を説明するための拡大平面図である。

【図10D】図１０Ｄは、開口の形成工程を説明するための拡大平面図である。

【図11A】図１１Ａは、開口の形成工程を説明するための拡大断面図である。

【図11B】図１１Ｂは、開口の形成工程を説明するための拡大断面図である。

【図11C】図１１Ｃは、開口の形成工程を説明するための拡大断面図である。

【図11D】図１１Ｄは、開口の形成工程を説明するための拡大断面図である。

【図12】図１２は、参考レジスト膜を示す拡大平面図である。

【図13】図１３は、参考レジスト膜を用いた製造工程を示す拡大断面図である。

【図14】図１４は、第２実施形態に係る電子部品の一要部を示す断面図である。

【図15】図１５は、図１４に示す開口を含む領域を示す拡大断面図である。

【図16】図１６は、図１４に示す第２無機膜の形成工程を示す拡大断面図である。

【図17】図１７は、第３実施形態に係る電子部品の一要部を示す拡大平面図である。

【図18】図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。

【図19】図１９は、第１変形例に係る開口の一要部を示す拡大平面図である。

【図20】図２０は、第２変形例に係る開口の一要部を示す拡大平面図である。

【図21】図２１は、第３変形例に係る開口の一要部を示す拡大平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して、実施形態が詳細に説明される。添付図面は、模式図であり、厳密に図示されたものではなく、縮尺等は必ずしも一致しない。また、添付図面の間で対応する構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は省略または簡略化される。説明が省略または簡略化された構造については、省略または簡略化される前になされた説明が適用される。

【0010】

比較対象（comparison target）が存する説明において「ほぼ（substantially）等しい」等の文言が使用される場合、この文言は、比較対象の数値（形態）と等しい数値（形態）を含む他、比較対象の数値（形態）を基準とする±１０％の範囲の数値誤差（形態誤差）も含む。実施形態では「第１」、「第２」、「第３」等の文言が使用されるが、これらは説明順序を明確にするために各構造の名称に付された記号であり、各構造の名称を限定する趣旨で付されていない。

【0011】

図１は、第１実施形態に係る電子部品１Ａを示す平面図である。図２は、図１に示す受光領域６を示す拡大平面図である。図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図２に示す開口３０を含む領域を示す拡大断面図である。図５は、図３に示す開口３０の一要部を示す拡大平面図である。

【0012】

電子部品１Ａは、光を検知する照度センサ（半導体受光装置）である。たとえば、照度センサは、テレビ、パソコン、カーナビゲーション、タブレット端末（たとえばスマートフォン等）等のディスプレイ装置の表示明度を制御するために当該ディスプレイ装置のセンサ回路部に組み込まれる。

【0013】

図１～図５を参照して、電子部品１Ａは、この形態（this embodiment）では、直方体形状に形成されたチップ２を含む。チップ２は、Ｓｉ単結晶を含むＳｉチップ（半導体チップ）からなる。むろん、チップ２は、ワイドバンドギャップ半導体の単結晶を含むワイドバンドギャップ半導体チップ（たとえばＧａＮチップまたはＳｉＣチップ）からなっていてもよい。

【0014】

チップ２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する第１～第４側面５Ａ～５Ｄを有している。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（具体的には長方形状）に形成されている。むろん、チップ２は、平面視において正方形状に形成されていてもよい。

【0015】

第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、チップ２の長辺を形成している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、チップ２の短辺を形成している。

【0016】

電子部品１Ａは、第１主面３に設けられた受光領域６を含む。受光領域６は、平面視において第１主面３の長手方向一方側（第３側面５Ｃ側）に設けられている。受光領域６は、外部からの入射光を電流に変換する少なくとも１つ（この形態では複数）の受光デバイス７（機能デバイス）を含む。図３等では、複数の受光デバイス７が破線によって簡略化して示されている。

【0017】

複数の受光デバイス７は、入射光に応じた電流を独立して生成するように互いに電気的に独立してチップ２（第１主面３）に形成されている。複数の受光デバイス７は、第１主面３の表層部や第１主面３上の領域を利用して形成される。複数の受光デバイス７は、フォトダイオードおよびフォトトランジスタのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。

【0018】

複数の受光デバイス７は、この形態では、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて配列されている。この形態では、平面視において１６個の受光デバイス７が４行４列の行列状に配列され、１個の受光デバイス７が１６個のデバイス群に対して第１主面３の長手方向他方側（第４側面５Ｄ側）に配置されている。受光デバイス７のレイアウト（個数、配置箇所、平面積等）は、検知すべき入射光の波長域や入射光の検知精度等に応じて適宜調節される。

【0019】

複数の受光デバイス７は、この形態では、赤色光の第１波長域λ１を検知する少なくとも１つ（この形態では複数）の第１受光デバイス７Ａ、緑色光の第２波長域λ２を検知する少なくとも１つ（この形態では複数）の第２受光デバイス７Ｂ、青色光の第３波長域λ３を検知する少なくとも１つ（この形態では複数）の第３受光デバイス７Ｃ、および、赤外光の第４波長域λ４を検知する少なくとも１つ（この形態では１つ）の第４受光デバイス７Ｄを含む。

【0020】

第１受光デバイス７Ａは、赤色光に対応した電流を生成する。第２受光デバイス７Ｂは、緑色光に対応した電流を生成する。第３受光デバイス７Ｃは、青色光に対応した電流を生成する。第４受光デバイス７Ｄは、赤外光に対応した電流を生成する。第４受光デバイス７Ｄで生成された電流は、第１～第３受光デバイス７Ａ～７Ｃで生成された電流に対するリファレンス電流として使用されてもよい。

【0021】

複数の第１受光デバイス７Ａは、第１行および第２行の第１列目および第４列目、ならびに、第３行および第４行の第２列目に配置されている。複数の第２受光デバイス７Ｂは、第１行および第２行の第２列目、ならびに、第３行および第４行の第３列目に配置されている。複数の第３受光デバイス７Ｃは、第１行および第２行の第３列目、ならびに、第３行および第４行の第１列目および第４列目に配置されている。

【0022】

第４受光デバイス７Ｄは、第１～第３受光デバイス７Ｃを含むデバイス群に対して第１主面３の長手方向他方側（第４側面５Ｄ側）に配置され、第１方向Ｘに当該デバイス群に対向している。第４受光デバイス７Ｄは、第１～第３受光デバイス７Ａ～７Ｃの平面積よりも大きい平面積を有している。

【0023】

電子部品１Ａは、第１主面３において受光領域６とは異なる領域に設けられた回路領域８を含む。回路領域８は、平面視において受光領域６に対して第１主面３の長手方向他方側（第４側面５Ｄ側）に設けられ、第１方向Ｘに受光領域６に対向している。回路領域８は、ロジック回路を含む。ロジック回路は、各受光デバイス７に電気的に接続され、各受光デバイス７の電流を入射光の成分に応じた出力信号に変換するように構成されている。ロジック回路は、絶縁ゲート型のトランジスタ（たとえばＣＭＯＳ）等を含む電子回路によって構成されていてもよい。

【0024】

電子部品１Ａは、第１主面３を被覆する層間絶縁膜９を含む。層間絶縁膜９は、受光領域６において複数の受光デバイス７を被覆し、回路領域８においてロジック回路を被覆している。層間絶縁膜９は、平坦な絶縁主面を有していることが好ましい。層間絶縁膜９は、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なる絶縁側壁を有していてもよい。

【0025】

層間絶縁膜９は、この形態では、複数の絶縁膜が積層された積層構造を有している。複数の絶縁膜は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。層間絶縁膜９は、この形態では、複数の酸化シリコン膜を含む積層構造を有している。層間絶縁膜９の厚さ（総厚さ）は、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。層間絶縁膜９の厚さは、４μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0026】

電子部品１Ａは、層間絶縁膜９内に配置された複数の配線１０を含む。複数の配線１０は、層間絶縁膜９内において多層配線を形成するように複数のビア電極（図示せず）を介して多段に積層配置されている。複数の配線１０は、複数の受光デバイス７への光の入射を助長するように平面視において複数の受光デバイス７の間の領域に引き回されている。

【0027】

つまり、複数の配線１０は、平面視において複数の受光デバイス７を露出させている。複数の配線１０は、複数の受光デバイス７およびロジック回路に選択的に電気的に接続されている。複数の配線１０は、複数の受光デバイス７で生成された電流をロジック回路に伝達する配線１０を含む。また、複数の配線１０は、外部からの電気信号を複数の受光デバイス７やロジック回路に伝達する配線１０を含む。また、複数の配線１０は、ロジック回路で生成された出力信号を他の領域に伝達する配線１０を含む。

【0028】

電子部品１Ａは、層間絶縁膜９内に配置された複数のパッド電極１１を含む。複数のパッド電極１１は、多層配線構造の最上配線としてそれぞれ形成されている。パッド電極１１は、複数の配線１０の一構成要素とみなされてもよい。複数のパッド電極１１は、この形態では、平面視において受光領域６に対して第１主面３の長手方向一方側（第３側面５Ｃ側）に設けられている。

【0029】

複数のパッド電極１１は、平面視において第２方向Ｙに間隔を空けて配列され、第１方向Ｘに受光領域６を挟んで回路領域８に対向している。複数のパッド電極１１は、平面視において多角形状（この形態では四角形状）にそれぞれ形成されている。複数のパッド電極１１は、ビア電極（図示せず）を介して層間絶縁膜９内の対応する配線１０にそれぞれ電気的に接続されている。

【0030】

各パッド電極１１は、ライン状に延びる配線１０に接続され、当該ライン状の配線１０にビア電極が接続される構成を有していてもよい。複数のパッド電極１１は、対応する配線１０を介して外部からの電気信号をロジック回路等に伝達し、対応する配線１０を介してロジック回路等からの出力信号を外部に伝達する。

【0031】

電子部品１Ａは、層間絶縁膜９を被覆する下地無機絶縁膜１２を含む。下地無機絶縁膜１２は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。下地無機絶縁膜１２は、層間絶縁膜９（具体的には層間絶縁膜９の最上絶縁膜）とは異なる絶縁体からなることが好ましい。下地無機絶縁膜１２は、この形態では、窒化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0032】

下地無機絶縁膜１２は、層間絶縁膜９の絶縁主面の全面を被覆していることが好ましい。下地無機絶縁膜１２は、平坦な絶縁主面を有していることが好ましい。下地無機絶縁膜１２は、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なる絶縁側壁を有していてもよい。下地無機絶縁膜１２は、０．１μｍ以上２μｍ以下の厚さを有していてもよい。下地無機絶縁膜１２の厚さは、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。

【0033】

電子部品１Ａは、複数のパッド電極１１を露出させる複数のパッド開口１３を含む。複数のパッド開口１３は、複数のパッド電極１１を露出させるように下地無機絶縁膜１２および層間絶縁膜９の一部を貫通している。つまり、複数のパッド開口１３の壁面は、下地無機絶縁膜１２および層間絶縁膜９の一部によってそれぞれ区画されている。複数のパッド開口１３は、平面視において多角形状（この形態では四角形状）にそれぞれ形成されている。複数のパッド電極１１には複数のパッド開口１３を介してボンディングワイヤ等の導線が接続される。

【0034】

電子部品１Ａは、下地無機絶縁膜１２の上に形成された有機膜１４を含む。具体的には、有機膜１４は、有機絶縁膜からなる。有機膜１４は、この形態では、有色透明の複数のカラーフィルタ膜１５（有色の透明樹脂膜）および無色透明のクリアフィルタ膜１６（無色の透明樹脂膜）を含む積層構造を有している。

【0035】

複数のカラーフィルタ膜１５は、着色料（顔料）を含有する有色透明の樹脂膜によってそれぞれ形成されている。複数のカラーフィルタ膜１５は、ポリイミド膜、ポリアミド膜、ポリベンゾオキサゾール膜、アクリル膜およびゼラチン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0036】

カラーフィルタ膜１５のレイアウト（個数、配置箇所、平面積等）は、検知すべき入射光の波長域や入射光の検知精度等に応じて適宜調節される。複数のカラーフィルタ膜１５は、層間絶縁膜９の厚さ方向に複数の受光デバイス７に１対１対応の関係で対向するように、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて配列されている。この形態では、平面視において１６個のカラーフィルタ膜１５が４行４列の行列状に配列され、１個のカラーフィルタ膜１５が１６個のフィルタ群に対して第１主面３の長手方向他方側（第４側面５Ｄ側）に配置されている。

【0037】

複数のカラーフィルタ膜１５は、この形態では、少なくとも１つ（この形態では複数）の第１カラーフィルタ膜１５Ａ、少なくとも１つ（この形態では複数）の第２カラーフィルタ膜１５Ｂ、少なくとも１つ（この形態では複数）の第３カラーフィルタ膜１５Ｃ、および、少なくとも１つ（この形態では１つ）の第４カラーフィルタ膜１５Ｄを含む。

【0038】

第１カラーフィルタ膜１５Ａは、赤色の外観を有し、赤色光の第１波長域λ１を透過させ、緑色光の第２波長域λ２および青色光の第３波長域λ３を減衰させる。第２カラーフィルタ膜１５Ｂは、緑色の外観を有し、緑色光の第２波長域λ２を透過させ、第１波長域λ１および第３波長域λ３を減衰させる。

【0039】

第３カラーフィルタ膜１５Ｃは、青色の外観を有し、青色光の第３波長域λ３を透過させ、第１波長域λ１および第２波長域λ２を減衰させる。第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、黒色の外観を有し、赤外光の第４波長域λ４を透過させ、第１波長域λ１、第２波長域λ２および第３波長域λ３を減衰させる。

【0040】

複数の第１カラーフィルタ膜１５Ａは、第１行および第２行の第１列目および第４列目、ならびに、第３行および第４行の第２列目に配置され、層間絶縁膜９の厚さ方向に複数の第１受光デバイス７Ａに１対１対応の関係で対向している。複数の第２カラーフィルタ膜１５Ｂは、第１行および第２行の第２列目、ならびに、第３行および第４行の第３列目に配置され、層間絶縁膜９の厚さ方向に複数の第２受光デバイス７Ｂに１対１対応の関係で対向している。

【0041】

複数の第３カラーフィルタ膜１５Ｃは、第１行および第２行の第３列目、ならびに、第３行および第４行の第１列目および第４列目に配置され、層間絶縁膜９の厚さ方向に複数の第３受光デバイス７Ｃに１対１対応の関係で対向している。第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを含むフィルタ群に対して第１主面３の長手方向他方側（第４側面５Ｄ側）に配置され、層間絶縁膜９の厚さ方向に第４受光デバイス７Ｄに１対１対応の関係で対向している。

【0042】

第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃは、平面視において四角形状（この形態では正方形状）にそれぞれ形成されている。むろん、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃは、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに延びる長方形状に形成されていてもよい。

【0043】

第１方向Ｘに関して、第１カラーフィルタ膜１５Ａは第１サイズＳ１を有し、第２カラーフィルタ膜１５Ｂは第２サイズＳ２を有し、第３カラーフィルタ膜１５Ｃは第３サイズＳ３を有している。第１～第３サイズＳ１～Ｓ３は、互いにほぼ等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。

【0044】

第１～第３サイズＳ１～Ｓ３は、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。第１～第３サイズＳ１～Ｓ３は、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。複数の第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃの間のフィルタ間隔ＩＦは、１μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。フィルタ間隔ＩＦは、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

【0045】

第１カラーフィルタ膜１５Ａは第１厚さＴ１を有し、第２カラーフィルタ膜１５Ｂは第２厚さＴ２を有し、第３カラーフィルタ膜１５Ｃは第３厚さＴ３を有している。第１～第３厚さＴ１～Ｔ３は、互いにほぼ等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。この形態では、第２厚さＴ２は第１厚さＴ１未満であり、第３厚さＴ３は第２厚さＴ２よりも大きい。第３厚さＴ３は、第１厚さＴ１とほぼ等しくてもよい。

【0046】

第１厚さＴ１は、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１厚さＴ１は、１．５μｍ以上２．５μｍ以下であることが好ましい。第２厚さＴ２は、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第２厚さＴ２は、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。第３厚さＴ３は、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３厚さＴ３は、１．５μｍ以上２．５μｍ以下であることが好ましい。

【0047】

第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに延びる長方形状）に形成され、第１方向Ｘに第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを含むフィルタ群に対向している。むろん、第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、正方形状に形成されていてもよい。第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを含むフィルタ群から前述のフィルタ間隔ＩＦを空けて配置されている。

【0048】

第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、第１方向Ｘの第４サイズＳ４および第２方向Ｙの第５サイズＳ５を有している。第４サイズＳ４は、第１～第３サイズＳ１～Ｓ３以上であることが好ましい。第４サイズＳ４は、第１～第３サイズＳ１～Ｓ３の１倍以上１０倍以下であってもよい。第４サイズＳ４は、第１～第３サイズＳ１～Ｓ３の２倍以上であることが好ましい。第４サイズＳ４は、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第４サイズＳ４は、１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。

【0049】

第５サイズＳ５は、第４サイズＳ４以上である。第５サイズＳ５は、第４サイズＳ４の１倍以上４倍以下であってもよい。むろん、第５サイズＳ５は、第４サイズＳ４未満であってもよい。この場合、第５サイズＳ５は、第４サイズＳ４の１／２以上であることが好ましい。第４カラーフィルタ膜１５Ｄの平面積は、各パッド開口１３の開口面積よりも大きいことが好ましい。第４カラーフィルタ膜１５Ｄの平面積は、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃの平面積よりも大きいことが好ましい。

【0050】

第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、第４厚さＴ４を有している。第４厚さＴ４は、第１～第３厚さＴ１～Ｔ３以上であってもよいし、第１～第３厚さＴ１～Ｔ３未満であってもよい。この形態では、第４厚さＴ４は、第１～第３厚さＴ１～Ｔ３よりも大きい。第４厚さＴ４は、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第４厚さＴ４は、３μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

【0051】

第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、この形態では、下地無機絶縁膜１２側からこの順に積層された第３カラーフィルタ膜１５Ｃおよび第１カラーフィルタ膜１５Ａを含む積層構造を有している。したがって、第４厚さＴ４は、第１厚さＴ１および第３厚さＴ３の合計値である。

【0052】

むろん、第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、下地無機絶縁膜１２側からこの順に積層された第１カラーフィルタ膜１５Ａおよび第３カラーフィルタ膜１５Ｃを含む積層構造を有していてもよい。また、第４カラーフィルタ膜１５Ｄは、単一の樹脂膜からなる単層構成を有していてもよい。

【0053】

クリアフィルタ膜１６は、着色料（顔料）を含有しない無色透明の樹脂膜によって形成されている。クリアフィルタ膜１６は、ポリイミド膜、ポリアミド膜、ポリベンゾオキサゾール膜、アクリル膜およびゼラチン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。クリアフィルタ膜１６は、下地無機絶縁膜１２の上で複数のカラーフィルタ膜１５（第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄ）を一括して被覆している。クリアフィルタ膜１６は、複数のパッド開口１３を露出させるように下地無機絶縁膜１２を被覆している。

【0054】

クリアフィルタ膜１６は、この形態では、平面視において受光領域６を被覆し、回路領域８を露出させている。むろん、クリアフィルタ膜１６は、平面視において回路領域８を被覆していてもよい。この場合、クリアフィルタ膜１６は、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なる有機側壁を有していてもよい。クリアフィルタ膜１６は、第５厚さＴ５を有している。第５厚さＴ５は、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第５厚さＴ５は、２μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。

【0055】

有機膜１４の有機厚さＴＯ（総厚さ）は、第１～第４厚さＴ１～Ｔ４のいずれか１つと第５厚さＴ５の合計値となる。この形態では、有機厚さＴＯは、最も厚い第４厚さＴ４と第５厚さＴ５の合計値によって定義される。

【0056】

電子部品１Ａは、有機膜１４を被覆する第１無機膜２１を含む。第１無機膜２１は、無色透明の無機絶縁膜からなり、有機膜１４の弾性率よりも大きい弾性率を有している。第１無機膜２１は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第１無機膜２１は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0057】

第１無機膜２１は、クリアフィルタ膜１６の外面の全域を被覆している。第１無機膜２１は、有機膜１４外の領域において下地無機絶縁膜１２を被覆していてもよい。第１無機膜２１は、平面視において回路領域８を露出させていてもよい。むろん、第１無機膜２１は、平面視において回路領域８を被覆していてもよい。この場合、第１無機膜２１は、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なる無機側壁を有していてもよい。

【0058】

第１無機膜２１は、第１無機厚さＴＩ１を有している。第１無機厚さＴＩ１は、有機膜１４の有機厚さＴＯ未満である。第１無機厚さＴＩ１は、クリアフィルタ膜１６の第５厚さＴ５未満であってもよい。第１無機厚さＴＩ１は、第４カラーフィルタ膜１５Ｄの第４厚さＴ４未満であってもよい。第１無機厚さＴＩ１は、第１～第３厚さＴ１～Ｔ３未満であってもよい。

【0059】

第１無機膜２１は、０．０５μｍ以上２μｍ以下の厚さを有していてもよい。第１無機膜２１の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１無機膜２１の厚さは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。

【0060】

電子部品１Ａは、第１無機膜２１を被覆する第２無機膜２２を含む。第２無機膜２２は、無色透明の無機絶縁膜からなり、有機膜１４の弾性率よりも大きい弾性率を有している。第２無機膜２２は、この形態では、特定波長域の光（第１～第４波長域λ１～λ４のいずれか）を選択的に減衰させる光学フィルタ膜として形成されている。

【0061】

第２無機膜２２は、この形態では、異なる屈折率を有する複数の無機膜を積層させた積層構造を有している。具体的には、第２無機膜２２は、酸化シリコン膜および酸化チタン膜を含む積層構造を有している。さらに具体的には、第２無機膜２２は、複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜を交互に積層させた多層積層構造を有している。

【0062】

酸化シリコン膜および酸化チタン膜の積層数や厚さは、減衰すべき波長域に応じて調節される。酸化シリコン膜および酸化チタン膜の総積層数は、５０層以下であることが好ましい。酸化シリコン膜の厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。酸化チタン膜の厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。

【0063】

第２無機膜２２は、この形態では、赤外光の第４波長域λ４を選択的に減衰させる赤外光カットフィルタ膜として形成され、平面視において第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを被覆している。むろん、第２無機膜２２は、第１～第３波長域λ１～λ３の少なくとも１つを選択的に減衰させる可視光カットフィルタ膜として形成され、第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄのうちの少なくとも１つを選択的に露出させていてもよい。

【0064】

第２無機膜２２は、平面視において回路領域８を露出させていてもよい。むろん、第２無機膜２２は、平面視において回路領域８を被覆していてもよい。この場合、第２無機膜２２は、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なる無機側壁を有していてもよい。

【0065】

第２無機膜２２は、第２無機厚さＴＩ２（総厚さ）を有している。第２無機厚さＴＩ２は、この形態では、第１無機膜２１の厚さよりも大きい。むろん、第２無機厚さＴＩ２は、第１無機膜２１の厚さ以下であってもよい。第２無機厚さＴＩ２は、この形態では、有機膜１４の厚さ（総厚さ）未満である。むろん、第２無機厚さＴＩ２は、有機膜１４の厚さ以上であってもよい。

【0066】

第２無機厚さＴＩ２は、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。第２無機厚さＴＩ２は、１μｍ以上２．５μｍ以下、２．５μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上７．５μｍ以下、７．５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１２．５μｍ以下、または、１２．５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。第２無機厚さＴＩ２は、３μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

【0067】

電子部品１Ａは、第１無機膜２１（無機絶縁膜）を露出させるように第２無機膜２２に形成された開口３０を含む。開口３０は、第２無機膜２２の一構成要素とみなされてもよい。開口３０は、この形態では、入射光の全ての波長域を通過させる光取り込み開口として形成されている。つまり、開口３０は、パッド電極１１（電極）を露出させるパッド開口１３ではない。

【0068】

開口３０は、この形態では、第１無機膜２１のうち第４カラーフィルタ膜１５Ｄを被覆する部分を露出させている。したがって、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃに向かう赤外光（第４波長域λ４）は第２無機膜２２によって減衰され、第４カラーフィルタ膜１５Ｄに向かう赤外光（第４波長域λ４）は開口３０を介して第４カラーフィルタ膜１５Ｄに入射される。

【0069】

開口３０は、この形態では、平面視において第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁から内方に間隔を空けて第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁によって取り囲まれた領域を露出させている。つまり、第２無機膜２２のうち開口３０を区画する部分は、平面視において第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁部を全周に亘って被覆している。開口３０は、平面視において多角形状に区画されている。開口３０は、この形態では、平面視において四角形状（具体的に第２方向Ｙに延びる長方形状）に区画されている。

【0070】

開口３０は、第１方向Ｘの第１開口幅ＷＯ１および第２方向Ｙの第２開口幅ＷＯ２を有している。第１開口幅ＷＯ１は、各パッド開口１３のパッド開口幅よりも大きい。第１開口幅ＷＯ１は、第１～第３サイズＳ１～Ｓ３（１０μｍ以上２００μｍ以下）よりも大きく、かつ、第４サイズＳ４（５０μｍ以上５００μｍ以下）よりも小さい。つまり、第１開口幅ＷＯ１は、１０μｍよりも大きく５００μｍよりも小さい。

【0071】

第１開口幅ＷＯ１は、１０μｍよりも大きく５０μｍ以下、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上３５０μｍ以下、３５０μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上４５０μｍ以下、または、４５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第１開口幅ＷＯ１は、５０μｍ以上であることが好ましい。第１開口幅ＷＯ１は、３００μｍ以下であることが好ましい。

【0072】

第２開口幅ＷＯ２は、第１開口幅ＷＯ１以上である。第２開口幅ＷＯ２は、第５サイズＳ５よりも小さい。第２開口幅ＷＯ２は、第１開口幅ＷＯ１の１倍以上４倍以下であってもよい。むろん、第２開口幅ＷＯ２は、第１開口幅ＷＯ１未満であってもよい。この場合、第２開口幅ＷＯ２は、第１開口幅ＷＯ１の１／２以上であることが好ましい。開口３０の開口面積は、各パッド開口１３の開口面積よりも大きいことが好ましい。開口３０の開口面積は、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃの平面積よりも大きく、かつ、第４カラーフィルタ膜１５Ｄの平面積よりも小さいことが好ましい。

【0073】

開口３０は、第２無機膜２２によって区画された壁面３１を有している。具体的には、壁面３１は、第２無機膜２２を構成する複数の無機膜のうちの一部または全部によって区画されている。この形態では、壁面３１は、第２無機膜２２の一部を構成する複数の無機膜（複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜）を含む絶縁積層構造によって区画されている。壁面３１は、この形態では、平面視において第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁に沿って延びている。

【0074】

壁面３１は、この形態では、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを含む。第１壁面３１Ａは、平面視において第１方向Ｘに延び、開口３０の短辺を形成している。第１壁面３１Ａは、第１方向Ｘの一方側の一端部および第１方向Ｘの他方側の他端部を有している。

【0075】

第２壁面３１Ｂは、平面視において第１壁面３１Ａの一端部から第２方向Ｙに延び、開口３０の長辺を形成している。第２壁面３１Ｂは、第２方向Ｙの一方側の一端部および第２方向Ｙの他方側の他端部を有している。第２壁面３１Ｂの一端部は、第１壁面３１Ａの一端部と１つの開口角部を形成している。

【0076】

第３壁面３１Ｃは、平面視において第２壁面３１Ｂの他端部から第１方向Ｘに延び、開口３０の短辺を形成している。第３壁面３１Ｃは、第２方向Ｙに第１壁面３１Ａに対向している。第３壁面３１Ｃは、第１方向Ｘの一方側の一端部および第１方向Ｘの他方側の他端部を有している。第３壁面３１Ｃの一端部は、第２壁面３１Ｂの他端部と１つの開口角部を形成している。

【0077】

第４壁面３１Ｄは、平面視において第１壁面３１Ａの他端部および第３壁面３１Ｃの他端部の間の領域を第２方向Ｙに延び、開口３０の長辺を形成している。第４壁面３１Ｄは、第１方向Ｘに第２壁面３１Ｂに対向している。第４壁面３１Ｄは、第２方向Ｙの一方側の一端部および第２方向Ｙの他方側の他端部を有している。第４壁面３１Ｄの一端部は第１壁面３１Ａの他端部と１つの開口角部を形成し、第４壁面３１Ｄの他端部は第３壁面３１Ｃの他端部と１つの開口角部を形成している。

【0078】

図１、図２および図５を参照して、開口３０は、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄの少なくとも１つにおいて波線状に湾曲した部分を有している。開口３０は、この形態では、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄの全てにおいて波線状に湾曲した部分を有している。つまり、開口３０の壁面３１は、平面視において全周に亘って波線状に湾曲している。以下、第１壁面３１Ａの構成および第２壁面３１Ｂの構成が具体的に説明される。

【0079】

第１壁面３１Ａは、平面視において、第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙの一方側（開口３０の外方側）および第２方向Ｙの他方側（開口３０の内方側）に蛇行した波線状に形成されている。具体的には、第１壁面３１Ａは、平面視において、第２方向Ｙの一方側に弧線状に窪んだ少なくとも１つ（この形態では複数）の第１リセス部３２、および、第２方向Ｙの他方側に弧線状に突出した少なくとも１つ（この形態では複数）の第１突出部３３を含む。第１突出部３３は、第１リセス部３２と第１方向Ｘに隣り合っている。具体的には、複数の第１突出部３３は、複数の第１リセス部３２と第１方向Ｘに交互に形成されている。

【0080】

第１壁面３１Ａの一端および他端を第１方向Ｘに結ぶ第１仮想ラインＸＬを設定した時、複数の第１リセス部３２は第１仮想ラインＸＬに対して第２方向Ｙの一方側に窪み、複数の第１突出部３３は第１仮想ラインＸＬに対して第２方向Ｙの他方側に突出している。第１仮想ラインＸＬを基準とする第１突出部３３の第２方向Ｙの突出幅は、第１仮想ラインＸＬを基準とする第１リセス部３２の第２方向Ｙのリセス幅とほぼ等しいことが好ましい。

【0081】

このように、第１壁面３１Ａは、平面視において第１正弦曲線ＳＣ１を描く波線状に形成されている。つまり、複数の第１リセス部３２は第１正弦曲線ＳＣ１の複数の谷部をそれぞれ形成し、複数の第１突出部３３は第１正弦曲線ＳＣ１の複数の山部をそれぞれ形成している。

【0082】

第１壁面３１Ａの一端部および他端部は、この形態では、第１リセス部３２（つまり、第１正弦曲線ＳＣ１の谷部）によってそれぞれ形成されている。第１壁面３１Ａの一端および他端は、第１正弦曲線ＳＣ１の零地点（第１リセス部３２のリセス起点）に設定されていることが好ましい。

【0083】

第１壁面３１Ａは、この形態では、平面視において一定の第１波長Ｌ１を有している。第１波長Ｌ１は、第１壁面３１Ａのうち互いに隣り合う第１リセス部３２および第１突出部３３を含む部分の第１方向Ｘの距離によって定義される。第１波長Ｌ１は、互いに隣り合う２つの第１リセス部３２の中央部間の第１方向Ｘの距離、または、互いに隣り合う２つの第１突出部３３の中央部間の第１方向Ｘの距離によって定義されてもよい。

【0084】

第１波長Ｌ１は、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１波長Ｌ１は、５μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、または、７５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１波長Ｌ１は、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

【0085】

第１壁面３１Ａは、この形態では、平面視において一定の第１波幅Ｗ１を有している。第１波幅Ｗ１は、第１リセス部３２の中央部および第１突出部３３の中央部の間の第２方向Ｙに沿う距離によって定義される。第１波幅Ｗ１は、突出幅およびリセス幅の合計値でもある。

【0086】

第１波幅Ｗ１は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第１波幅Ｗ１は、１μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上４０μｍ以下、または、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第１波幅Ｗ１は、５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

【0087】

たとえば、第１波長Ｌ１が２０μｍ以上３０μｍ以下であり、第１波幅Ｗ１が５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。たとえば、第１波長Ｌ１が３５μｍ以上４５μｍ以下であり、第１波幅Ｗ１が８μｍ以上１４μｍ以下であってもよい。たとえば、第１波長Ｌ１が５０μｍ以上６０μｍ以下であり、第１波幅Ｗ１が１２μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

【0088】

第２壁面３１Ｂは、平面視において、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘの一方側（開口３０の外方側）および第１方向Ｘの他方側（開口３０の内方側）に蛇行した波線状に形成されている。具体的には、第２壁面３１Ｂは、平面視において、第１方向Ｘの一方側に弧線状に窪んだ少なくとも１つ（この形態では複数）の第２リセス部３４、および、第１方向Ｘの他方側に弧線状に突出した少なくとも１つ（この形態では複数）の第２突出部３５を含む。第２突出部３５は、第２リセス部３４と第２方向Ｙに隣り合っている。具体的には、複数の第２突出部３５は、複数の第２リセス部３４と第２方向Ｙに交互に形成されている。

【0089】

第２壁面３１Ｂの一端および他端を第２方向Ｙに結ぶ第２仮想ラインＹＬを設定した時、複数の第２リセス部３４は第２仮想ラインＹＬに対して第１方向Ｘの一方側に窪み、複数の第２突出部３５は第２仮想ラインＹＬに対して第１方向Ｘの他方側に突出している。第２仮想ラインＹＬを基準とする第２突出部３５の第１方向Ｘの突出幅は、第２仮想ラインＹＬを基準とする第２リセス部３４の第１方向Ｘのリセス幅とほぼ等しいことが好ましい。

【0090】

このように、第２壁面３１Ｂは、平面視において第２正弦曲線ＳＣ２を描く波線状に形成されている。つまり、複数の第２リセス部３４は第２正弦曲線ＳＣ２の複数の谷部をそれぞれ形成し、複数の第２突出部３５は第２正弦曲線ＳＣ２の複数の山部をそれぞれ形成している。

【0091】

第２壁面３１Ｂの一端部および他端部は、この形態では、第２リセス部３４（つまり、第２正弦曲線ＳＣ２の谷部）によってそれぞれ形成されている。第２壁面３１Ｂの一端および他端は、第２正弦曲線ＳＣ２の零地点（第２リセス部３４のリセス起点）に設定されていることが好ましい。

【0092】

第２壁面３１Ｂの一端部の第２リセス部３４は、第１壁面３１Ａの一端部の第１リセス部３２に接続されている。つまり、開口３０の開口角部は、第２方向Ｙに向けて窪んだ第１リセス部３２および第１方向Ｘに向けて窪んだ第２リセス部３４によって区画されている。これにより、開口角部における第１突出部３３および第２突出部３５の接触（レイアウト不良）が抑制されている。

【0093】

第２壁面３１Ｂは、この形態では、平面視において一定の第２波長Ｌ２を有している。第２波長Ｌ２は、第２壁面３１Ｂのうち互いに隣り合う第２リセス部３４および第２突出部３５を含む部分の第２方向Ｙの距離によって定義される。第２波長Ｌ２は、互いに隣り合う２つの第２リセス部３４の中央部間の第２方向Ｙの距離、または、互いに隣り合う２つの第２突出部３５の中央部間の第２方向Ｙの距離によって定義されてもよい。

【0094】

第２波長Ｌ２は、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第２波長Ｌ２は、５μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上５０μｍ以下、５０μｍ以上７５μｍ以下、または、７５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第２波長Ｌ２は、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

【0095】

第２壁面３１Ｂは、この形態では、平面視において一定の第２波幅Ｗ２を有している。第２波幅Ｗ２は、第２リセス部３４の中央部および第２突出部３５の中央部の間の第１方向Ｘに沿う距離によって定義される。第２波幅Ｗ２は、突出幅およびリセス幅の合計値でもある。

【0096】

第２波幅Ｗ２は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第２波幅Ｗ２は、１μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上４０μｍ以下、または、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第２波幅Ｗ２は、５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

【0097】

たとえば、第２波長Ｌ２が２０μｍ以上３０μｍ以下であり、第２波幅Ｗ２が５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。たとえば、第２波長Ｌ２が３５μｍ以上４５μｍ以下であり、第２波幅Ｗ２が８μｍ以上１４μｍ以下であってもよい。たとえば、第２波長Ｌ２が５０μｍ以上６０μｍ以下であり、第２波幅Ｗ２が１２μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

【0098】

第２波長Ｌ２は、第１波長Ｌ１よりも大きくてもよいし、第１波長Ｌ１よりも小さくてもよい。第２波長Ｌ２は、第１波長Ｌ１とほぼ等しいことが好ましい。第２波幅Ｗ２は、第１波幅Ｗ１よりも大きくてもよいし、第１波幅Ｗ１よりも小さくてもよい。第２波幅Ｗ２は、第１波幅Ｗ１とほぼ等しいことが好ましい。

【0099】

第２壁面３１Ｂは、第１突出部３３の突出幅よりも大きい突出幅を有する１つまたは複数の第２突出部３５を含んでいてもよい。第２壁面３１Ｂは、第１突出部３３の突出幅よりも小さい突出幅を有する１つまたは複数の第２突出部３５を含んでいてもよい。第２壁面３１Ｂは、第１突出部３３の突出幅とほぼ等しい突出幅を有する１つまたは複数の第２突出部３５を含んでいてもよい。

【0100】

第２壁面３１Ｂは、第１リセス部３２のリセス幅よりも大きいリセス幅を有する１つまたは複数の第２リセス部３４を含んでいてもよい。第２壁面３１Ｂは、第１リセス部３２のリセス幅よりも小さいリセス幅を有する１つまたは複数の第２リセス部３４を含んでいてもよい。第２壁面３１Ｂは、第１リセス部３２のリセス幅とほぼ等しいリセス幅を有する１つまたは複数の第２リセス部３４を含んでいてもよい。

【0101】

第３壁面３１Ｃは、第１壁面３１Ａと同様、第１リセス部３２および第１突出部３３を含む。第３壁面３１Ｃに係る第１リセス部３２の個数は、第１壁面３１Ａに係る第１リセス部３２の個数と等しい。また、第３壁面３１Ｃに係る第１突出部３３の個数は、第１壁面３１Ａに係る第１突出部３３の個数と等しい。

【0102】

第３壁面３１Ｃに係る複数の第１リセス部３２は、第２方向Ｙに第１壁面３１Ａに係る複数の第１リセス部３２に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。また、第３壁面３１Ｃに係る複数の第１突出部３３は、第２方向Ｙに第１壁面３１Ａに係る複数の第１突出部３３に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。第３壁面３１Ｃの一端部の第１リセス部３２は、第２壁面３１Ｂの他端部の第２リセス部３４に接続されている。

【0103】

むろん、第３壁面３１Ｃに係る第１リセス部３２および第１突出部３３のレイアウト（個数、第１波長Ｌ１、第１波幅Ｗ１等）は、第１壁面３１Ａに係る第１リセス部３２および第１突出部３３のレイアウトと異なっていてもよい。たとえば、第３壁面３１Ｃに係る第１リセス部３２は、第２方向Ｙに第１壁面３１Ａに係る少なくとも１つの第１突出部３３に対向していてもよい。たとえば、第３壁面３１Ｃに係る第１突出部３３は、第２方向Ｙに第１壁面３１Ａに係る少なくとも１つの第１リセス部３２に対向していてもよい。

【0104】

その他、第３壁面３１Ｃの構成は、第１壁面３１Ａの構成と同様である。第３壁面３１Ｃに係る他の説明は、第１壁面３１Ａに係る上記の説明において「第１壁面３１Ａ」を「第３壁面３１Ｃ」に置き換えることによって得られる。

【0105】

第４壁面３１Ｄは、第２壁面３１Ｂと同様、第２リセス部３４および第２突出部３５を含む。第４壁面３１Ｄに係る第２リセス部３４の個数は、第２壁面３１Ｂに係る第２リセス部３４の個数と等しい。また、第４壁面３１Ｄに係る第２突出部３５の個数は、第２壁面３１Ｂに係る第２突出部３５の個数と等しい。

【0106】

第４壁面３１Ｄに係る複数の第２リセス部３４は、第２方向Ｙに第２壁面３１Ｂに係る複数の第２リセス部３４に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。また、第４壁面３１Ｄに係る複数の第２突出部３５は、第２方向Ｙに第２壁面３１Ｂに係る複数の第２突出部３５に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。第４壁面３１Ｄの一端部の第２リセス部３４は、第１壁面３１Ａの他端部の第１リセス部３２に接続されている。第４壁面３１Ｄの他端部の第２リセス部３４は、第３壁面３１Ｃの他端部の第１リセス部３２に接続されている。

【0107】

むろん、第４壁面３１Ｄに係る第２リセス部３４および第２突出部３５のレイアウト（個数、第２波長Ｌ２、第２波幅Ｗ２等）は、第２壁面３１Ｂに係る第２リセス部３４および第２突出部３５のレイアウトと異なっていてもよい。たとえば、第４壁面３１Ｄに係る第２リセス部３４は、第１方向Ｘに第２壁面３１Ｂに係る少なくとも１つの第２突出部３５に対向していてもよい。たとえば、第４壁面３１Ｄに係る第２突出部３５は、第１方向Ｘに第２壁面３１Ｂに係る少なくとも１つの第２リセス部３４に対向していてもよい。

【0108】

その他、第４壁面３１Ｄの構成は、第２壁面３１Ｂの構成と同様である。第４壁面３１Ｄに係る他の説明は、第２壁面３１Ｂに係る上記の説明において「第２壁面３１Ｂ」を「第４壁面３１Ｄ」に置き換えることによって得られる。

【0109】

電子部品１Ａは、この形態では、第２無機膜２２において開口３０の周囲に形成された膜厚漸減部３６を含む。膜厚漸減部３６は、第２無機膜２２の一構成要素とみなされてもよい。膜厚漸減部３６は、開口３０の周囲において第２無機膜２２の膜厚が開口３０に向けて徐々に小さくなる部分である。

【0110】

膜厚漸減部３６は、この形態では、第２無機膜２２のうち第４カラーフィルタ膜１５Ｄを被覆する部分に形成され、第２無機膜２２のうち第４カラーフィルタ膜１５Ｄ外の領域を被覆する部分（たとえば第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを被覆する部分）の厚さよりも小さい厚さを有している。

【0111】

膜厚漸減部３６は、平面視において開口３０の壁面３１に沿って帯状に延びている。具体的には、膜厚漸減部３６は、平面視において開口３０の第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄに沿って環状に延びている。膜厚漸減部３６は、この形態では、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを区画している。つまり、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄは、第２無機膜２２のうち比較的小さい厚さを有する部分によって区画されている。

【0112】

図６Ａ～図６Ｅは、図１に示す電子部品１Ａの製造方法の一部を示す断面図である。図６Ａを参照して、まず、ウエハ構造物４１が用意される。ウエハ構造物４１は、チップ２のベースとなるウエハ４２を含む。ウエハ４２は、一方側の第１ウエハ主面４３および他方側の第２ウエハ主面４４を有している。第１ウエハ主面４３および第２ウエハ主面４４は、チップ２の第１主面３および第２主面４にそれぞれ対応している。

【0113】

ウエハ構造物４１は、ウエハ４２に設定された複数の部品領域４５を含む。複数の部品領域４５は、電子部品１Ａにそれぞれ対応する領域である。複数の部品領域４５は、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて行列状に設定されていてもよい。

【0114】

ウエハ構造物４１は、各部品領域４５において受光領域６、回路領域８、層間絶縁膜９、複数の配線１０（多層配線）、下地無機絶縁膜１２および複数の有機膜１４を含む。図６Ａ～図６Ｅでは、１つの部品領域４５内の受光領域６の構成が示されている。受光領域６は、第１ウエハ主面４３に形成された複数の受光デバイス７（第１～第４受光デバイス７Ａ～７Ｄ）を含む。回路領域８は、第１ウエハ主面４３に形成されたロジック回路を含む。

【0115】

層間絶縁膜９は、第１ウエハ主面４３の上において複数の部品領域４５を一括して被覆している。複数の配線１０は、層間絶縁膜９のうち各部品領域４５を被覆する部分にそれぞれ形成されている。下地無機絶縁膜１２は、平面視において複数の部品領域４５を一括している。複数の有機膜１４は、下地無機絶縁膜１２のうち複数の部品領域４５を被覆する部分にそれぞれ形成されている。各有機膜１４は、各部品領域４５において複数のカラーフィルタ膜１５（第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄ）およびクリアフィルタ膜１６を含む。

【0116】

次に、図６Ｂを参照して、下地無機絶縁膜１２の上において複数の有機膜１４を被覆する第１無機膜２１が形成される。第１無機膜２１は、スパッタ法によって形成されてもよい。第１無機膜２１の成膜後、第１無機膜２１は、所定のレイアウトを有するマスクを介するエッチング法によって所望のレイアウトに成形されてもよい。むろん、第１無機膜２１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。

【0117】

次に、図６Ｃを参照して、第１無機膜２１の被覆対象部の上に所定のレイアウトを有するレジスト膜５０が形成される。レジスト膜５０は、フォトレジスト膜（つまりネガティブタイプまたはポジティブタイプの感光性樹脂膜）からなる。レジスト膜５０は、ポリイミド膜、ポリアミド膜、ポリベンゾオキサゾール膜およびアクリル膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0118】

レジスト膜５０は、感光性樹脂の塗布工程、感光性樹脂の露光工程および感光性樹脂の現像工程を経て所定のレイアウトに成形される。レジスト膜５０は、開口３０を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させている。レジスト膜５０は、この形態では、第１無機膜２１のうち第４カラーフィルタ膜１５Ｄを被覆する部分を被覆し、それ以外の領域を露出させている。

【0119】

次に、図６Ｄを参照して、第１無機膜２１およびレジスト膜５０を被覆する第２無機膜２２が形成される。第２無機膜２２は、レジスト膜５０の厚さ未満の厚さを有し、レジスト膜５０の一部を露出させるように形成される。この形態では、第２無機膜２２の形成工程は、複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜を交互に形成する工程を含む。酸化シリコン膜および酸化チタン膜は、スパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。むろん、第２無機膜２２は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

【0120】

次に、図６Ｅを参照して、レジスト膜５０が除去される。この工程では、第２無機膜２２のうちレジスト膜５０を被覆する部分がレジスト膜５０と共に除去される。これにより、レジスト膜５０の除去部からなる開口３０が第２無機膜２２に区画される。その後、複数の部品領域４５に沿ってウエハ構造物４１が切断され、複数の電子部品１Ａが製造される。

【0121】

図７は、図６Ｃに示すレジスト膜５０のレイアウトを示す拡大平面図である。図８は、図７に示すレジスト膜５０の一要部を示す拡大平面図である。図９は、図７に示すレジスト膜５０を示す拡大断面図である。

【0122】

図７～図９を参照して、レジスト膜５０の形成工程では、開口３０に対応したレイアウトを有するレジスト膜５０が形成される。すなわち、レジスト膜５０は、この形態では、平面視において第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁から内方に間隔を空けて第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁によって取り囲まれた領域を被覆している。

【0123】

レジスト膜５０は、この形態では、平面視において四角形状（具体的に第２方向Ｙに延びる長方形状）に形成されている。レジスト膜５０は、第１方向Ｘの第１レジスト幅ＷＲ１および第２方向Ｙの第２レジスト幅ＷＲ２を有している。第１レジスト幅ＷＲ１は、前述の第１開口幅ＷＯ１とほぼ等しい。第２レジスト幅ＷＲ２は、前述の第２開口幅ＷＯ２とほぼ等しい。

【0124】

レジスト膜５０のレジスト面積は、開口３０の開口面積とほぼ等しい。つまり、レジスト面積は、各パッド開口１３のパッド開口面積よりも大きいことが好ましい。また、レジスト面積は、第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃの平面積よりも大きく、かつ、第４フィルタ膜の平面積よりも小さいことが好ましい。

【0125】

レジスト膜５０は、第４カラーフィルタ膜１５Ｄの周縁に沿って延びるレジスト側壁５１を有している。レジスト側壁５１は、この形態では、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄを含む。第１レジスト側壁５１Ａは、平面視において第１方向Ｘに延び、レジスト膜５０の短辺を形成している。第１レジスト側壁５１Ａは、第１方向Ｘの一方側の一端部および第１方向Ｘの他方側の他端部を有している。

【0126】

第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において第１レジスト側壁５１Ａの一端部から第２方向Ｙに延び、レジスト膜５０の長辺を形成している。第２レジスト側壁５１Ｂは、第２方向Ｙの一方側の一端部および第２方向Ｙの他方側の他端部を有している。第２レジスト側壁５１Ｂの一端部は、第１レジスト側壁５１Ａの一端部と１つのレジスト角部を形成している。

【0127】

第３レジスト側壁５１Ｃは、平面視において第２レジスト側壁５１Ｂの他端部から第１方向Ｘに延び、レジスト膜５０の短辺を形成している。第３レジスト側壁５１Ｃは、第２方向Ｙに第１レジスト側壁５１Ａに対向している。第３レジスト側壁５１Ｃは、第１方向Ｘの一方側の一端部および第１方向Ｘの他方側の他端部を有している。第３レジスト側壁５１Ｃの一端部は、第２レジスト側壁５１Ｂの他端部と１つのレジスト角部を形成している。

【0128】

第４レジスト側壁５１Ｄは、平面視において第１レジスト側壁５１Ａの他端部および第３レジスト側壁５１Ｃの他端部の間の領域を第２方向Ｙに延び、レジスト膜５０の長辺を形成している。第４レジスト側壁５１Ｄは、第１方向Ｘに第２レジスト側壁５１Ｂに対向している。第４レジスト側壁５１Ｄは、第２方向Ｙの一方側の一端部および第２方向Ｙの他方側の他端部を有している。第４レジスト側壁５１Ｄの一端部は第１レジスト側壁５１Ａの他端部と１つのレジスト角部を形成し、第４レジスト側壁５１Ｄの他端部は第３レジスト側壁５１Ｃの他端部と１つのレジスト角部を形成している。

【0129】

図７および図８を参照して、レジスト膜５０は、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの少なくとも１つにおいて波線状に湾曲した部分を有している。レジスト膜５０は、この形態では、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの全てにおいて波線状に湾曲した部分を有している。つまり、レジスト側壁５１は、平面視において全周に亘って波線状に湾曲している。以下、第１レジスト側壁５１Ａの構成および第２レジスト側壁５１Ｂの構成が具体的に説明される。

【0130】

第１レジスト側壁５１Ａは、平面視において、第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙの一方側（レジスト膜５０の外方側）および第２方向Ｙの他方側（レジスト膜５０の内方側）に蛇行した波線状に形成されている。具体的には、第１レジスト側壁５１Ａは、平面視において、第２方向Ｙの一方側に弧線状に突出した少なくとも１つ（この形態では複数）の第１レジスト突出部５２、および、第２方向Ｙの他方側に弧線状に窪んだ少なくとも１つ（この形態では複数）の第１レジストリセス部５３を含む。

【0131】

第１レジストリセス部５３は、第１レジスト突出部５２と第２方向Ｙに隣り合っている。具体的には、複数の第１レジストリセス部５３は、複数の第１レジスト突出部５２と第１方向Ｘに交互に形成されている。第１レジスト側壁５１Ａの一端および他端を第１方向Ｘに結ぶ第１仮想ラインＸＬを設定した時、複数の第１レジスト突出部５２は第１仮想ラインＸＬに対して第２方向Ｙの一方側に突出し、複数の第１レジストリセス部５３は第１仮想ラインＸＬに対して第２方向Ｙの他方側に窪んでいる。

【0132】

第１仮想ラインＸＬを基準とする第１レジストリセス部５３の第２方向Ｙのリセス幅は、第１仮想ラインＸＬを基準とする第１レジスト突出部５２の第２方向Ｙの突出幅とほぼ等しいことが好ましい。第１レジスト突出部５２の突出幅は開口３０の第１リセス部３２のリセス幅に相当し、第１レジストリセス部５３のリセス幅は開口３０の第１突出部３３の突出幅に相当する。

【0133】

このように、第１レジスト側壁５１Ａは、平面視において第１正弦曲線ＳＣ１を描く波線状に形成されている。つまり、複数の第１レジスト突出部５２は第１正弦曲線ＳＣ１の複数の山部をそれぞれ形成し、複数の第１レジストリセス部５３は第１正弦曲線ＳＣ１の複数の谷部をそれぞれ形成している。

【0134】

第１レジスト側壁５１Ａの一端部および他端部は、この形態では、第１レジスト突出部５２（つまり、第１正弦曲線ＳＣ１の山部）によってそれぞれ形成されている。第１レジスト側壁５１Ａの一端および他端は、第１正弦曲線ＳＣ１の零地点（第１レジスト突出部５２の突出起点）に設定されていることが好ましい。

【0135】

第１レジスト側壁５１Ａは、この形態では、平面視において一定の第１波長Ｌ１を有している。第１波長Ｌ１は、第１レジスト側壁５１Ａのうち互いに隣り合う第１レジスト突出部５２および第１レジストリセス部５３を含む部分の第１方向Ｘの距離によって定義される。第１波長Ｌ１は、互いに隣り合う２つの第１レジスト突出部５２の中央部間の第１方向Ｘの距離、または、互いに隣り合う２つの第１レジストリセス部５３の中央部間の第１方向Ｘの距離によって定義されてもよい。レジスト膜５０の第１波長Ｌ１は、開口３０の第１波長Ｌ１に相当する。

【0136】

第１レジスト側壁５１Ａは、平面視において一定の第１波幅Ｗ１を有している。第１波幅Ｗ１は、第１レジスト突出部５２の中央部および第１レジストリセス部５３の中央部の間の第２方向Ｙに沿う距離によって定義される。レジスト膜５０の第１波幅Ｗ１は、開口３０の第１波幅Ｗ１に相当する。

【0137】

第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘの一方側（レジスト膜５０の外方側）および第１方向Ｘの他方側（レジスト膜５０の内方側）に蛇行した波線状に形成されている。具体的には、第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において、第１方向Ｘの一方側に弧線状に突出した少なくとも１つ（この形態では複数）の第２レジスト突出部５４、および、第１方向Ｘの他方側に弧線状に窪んだ少なくとも１つ（この形態では複数）の第２レジストリセス部５５を含む。

【0138】

第２レジストリセス部５５は、第２レジスト突出部５４と第２方向Ｙに隣り合っている。具体的には、複数の第２レジストリセス部５５は、複数の第２レジスト突出部５４と第２方向Ｙに交互に形成されている。第２レジスト側壁５１Ｂの一端および他端を第２方向Ｙに結ぶ第２仮想ラインＹＬを設定した時、複数の第２レジスト突出部５４は第２仮想ラインＹＬに対して第１方向Ｘの一方側に突出し、複数の第２レジストリセス部５５は第２仮想ラインＹＬに対して第１方向Ｘの他方側に窪んでいる。

【0139】

第２仮想ラインＹＬを基準とする第２レジストリセス部５５の第１方向Ｘのリセス幅は、第２仮想ラインＹＬを基準とする第２レジスト突出部５４の第１方向Ｘの突出幅とほぼ等しいことが好ましい。第２レジスト突出部５４の突出幅は開口３０の第２リセス部３４のリセス幅に相当し、第２レジストリセス部５５のリセス幅は開口３０の第２突出部３５の突出幅に相当する。

【0140】

このように、第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において第２正弦曲線ＳＣ２を描く波線状に形成されている。つまり、複数の第２レジスト突出部５４は第２正弦曲線ＳＣ２の複数の山部をそれぞれ形成し、複数の第２レジストリセス部５５は第２正弦曲線ＳＣ２の複数の谷部をそれぞれ形成している。

【0141】

第２レジスト側壁５１Ｂの一端部および他端部は、この形態では、第２レジスト突出部５４（つまり、第２正弦曲線ＳＣ２の山部）によってそれぞれ形成されている。第２レジスト側壁５１Ｂの一端および他端は、第２正弦曲線ＳＣ２の零地点（第２レジスト突出部５４の突出起点）に設定されていることが好ましい。

【0142】

第２レジスト側壁５１Ｂの一端部の第２レジスト突出部５４は、第１レジスト側壁５１Ａの一端部の第１レジスト突出部５２に接続されている。つまり、レジスト角部は、第２方向Ｙに突出した第１レジスト突出部５２および第１方向Ｘに突出した第２レジスト突出部５４によって区画されている。これにより、レジスト角部における第１レジストリセス部５３および第２レジストリセス部５５の連通（レイアウト不良）が抑制されている。

【0143】

第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において一定の第２波長Ｌ２を有している。第２波長Ｌ２は、第２レジスト側壁５１Ｂのうち互いに隣り合う第２レジスト突出部５４および第２レジストリセス部５５を含む部分の第２方向Ｙの距離によって定義される。第２波長Ｌ２は、互いに隣り合う２つの第２レジスト突出部５４の中央部間の第２方向Ｙの距離、または、互いに隣り合う２つの第２レジストリセス部５５の中央部間の第２方向Ｙの距離によって定義されてもよい。レジスト膜５０の第２波長Ｌ２は、開口３０の第２波長Ｌ２に相当する。

【0144】

第２レジスト側壁５１Ｂは、平面視において一定の第２波幅Ｗ２を有している。第２波幅Ｗ２は、第２レジスト突出部５４の中央部および第２レジストリセス部５５の中央部の間の第１方向Ｘに沿う距離によって定義される。レジスト膜５０の第２波幅Ｗ２は、開口３０の第２波幅Ｗ２に相当する。

【0145】

第３レジスト側壁５１Ｃは、第１レジスト側壁５１Ａと同様、第１レジスト突出部５２および第１レジストリセス部５３を含む。第３レジスト側壁５１Ｃに係る第１レジスト突出部５２の個数は、第１レジスト側壁５１Ａに係る第１レジスト突出部５２の個数と等しい。また、第３レジスト側壁５１Ｃに係る第１レジストリセス部５３の個数は、第１レジスト側壁５１Ａに係る第１レジストリセス部５３の個数と等しい。

【0146】

第３レジスト側壁５１Ｃに係る複数の第１レジスト突出部５２は、第２方向Ｙに第１レジスト側壁５１Ａに係る複数の第１レジスト突出部５２に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。また、第３レジスト側壁５１Ｃに係る複数の第１レジストリセス部５３は、第２方向Ｙに第１レジスト側壁５１Ａに係る複数の第１レジストリセス部５３に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。第３レジスト側壁５１Ｃの一端部の第１レジスト突出部５２は、第２レジスト側壁５１Ｂの他端部の第２レジスト突出部５４に接続されている。

【0147】

むろん、第３レジスト側壁５１Ｃに係る第１レジスト突出部５２および第１レジストリセス部５３のレイアウト（個数、第１波長Ｌ１、第１波幅Ｗ１等）は、第１レジスト側壁５１Ａに係る第１レジスト突出部５２および第１レジストリセス部５３のレイアウトと異なっていてもよい。

【0148】

たとえば、第３レジスト側壁５１Ｃに係る第１レジスト突出部５２は、第２方向Ｙに第１レジスト側壁５１Ａに係る少なくとも１つの第１レジストリセス部５３に対向していてもよい。たとえば、第３レジスト側壁５１Ｃに係る第１レジストリセス部５３は、第２方向Ｙに第１レジスト側壁５１Ａに係る少なくとも１つ第１レジスト突出部５２に対向していてもよい。

【0149】

その他、第３レジスト側壁５１Ｃの構成は、第１レジスト側壁５１Ａの構成と同様である。第３レジスト側壁５１Ｃに係る他の説明は、第１レジスト側壁５１Ａに係る上記の説明において「第１レジスト側壁５１Ａ」を「第３レジスト側壁５１Ｃ」に置き換えることによって得られる。

【0150】

第４レジスト側壁５１Ｄは、第２レジスト側壁５１Ｂと同様、第２レジスト突出部５４および第２レジストリセス部５５を含む。第４レジスト側壁５１Ｄに係る第２レジスト突出部５４の個数は、第２レジスト側壁５１Ｂに係る第２レジスト突出部５４の個数と等しい。また、第４レジスト側壁５１Ｄに係る第２レジストリセス部５５の個数は、第２レジスト側壁５１Ｂに係る第２レジストリセス部５５の個数と等しい。

【0151】

第４レジスト側壁５１Ｄに係る複数の第２レジスト突出部５４は、第２方向Ｙに第２レジスト側壁５１Ｂに係る複数の第２レジスト突出部５４に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。また、第４レジスト側壁５１Ｄに係る複数の第２レジストリセス部５５は、第２方向Ｙに第２レジスト側壁５１Ｂに係る複数の第２レジストリセス部５５に１対１の対応関係でそれぞれ対向している。

【0152】

第４レジスト側壁５１Ｄの一端部の第２レジスト突出部５４は、第１レジスト側壁５１Ａの他端部の第１レジスト突出部５２に接続されている。第４レジスト側壁５１Ｄの他端部の第２レジスト突出部５４は、第３レジスト側壁５１Ｃの他端部の第１レジスト突出部５２に接続されている。

【0153】

むろん、第４レジスト側壁５１Ｄに係る第２レジスト突出部５４および第２レジストリセス部５５のレイアウト（個数、第２波長Ｌ２、第２波幅Ｗ２等）は、第２レジスト側壁５１Ｂに係る第２レジスト突出部５４および第２レジストリセス部５５のレイアウトと異なっていてもよい。

【0154】

たとえば、第４レジスト側壁５１Ｄに係る第２レジスト突出部５４は、第１方向Ｘに第２レジスト側壁５１Ｂに係る少なくとも１つの第２レジスト突出部５４に対向していてもよい。たとえば、第４レジスト側壁５１Ｄに係る第２レジストリセス部５５は、第１方向Ｘに第２レジスト側壁５１Ｂに係る少なくとも１つの第２レジスト突出部５４に対向していてもよい。

【0155】

その他、第４レジスト側壁５１Ｄの構成は、第２レジスト側壁５１Ｂの構成と同様である。第４レジスト側壁５１Ｄに係る他の説明は、第２レジスト側壁５１Ｂに係る上記の説明において「第２レジスト側壁５１Ｂ」を「第４レジスト側壁５１Ｄ」に置き換えることによって得られる。

【0156】

図９を参照して、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄは、断面視において第１無機膜２１の外面との間で鋭角を成す逆テーパ形状にそれぞれ形成されていてもよい。この場合、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄは、積層方向（法線方向Ｚ）に間隙を介して第１無機膜２１に対向していてもよい。断面視において第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄがレジスト膜５０の外方に向けて弧線状（たとえば円弧状）に湾曲している形態も、ここに言う「逆テーパ形状」に含まれる。

【0157】

第１無機膜２１の外面に対する第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの傾斜角度θ１は、４５°以上９０°未満であってもよい。第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの傾斜角度θ１は、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの下端および上端を結ぶ直線が第１無機膜２１の外面との間で成す角度である。

【0158】

図１０Ａ～図１０Ｄは、開口３０の形成工程を具体的に説明するための拡大平面図である。図１１Ａ～図１１Ｄは、開口３０の形成工程を具体的に説明するための拡大断面図である。図１０Ａ～図１０Ｄおよび図１１Ａ～図１１Ｄでは、開口３０の形成工程が経時的に示されている。

【0159】

図１０Ａおよび図１１Ａを参照して、第２無機膜２２の形成工程（図６Ｄ参照）では、前記レイアウト（図７および図８参照）を有するレジスト膜５０を被覆するように第２無機膜２２が第１無機膜２１の上に形成される。第２無機膜２２は、レジスト膜５０の厚さ未満の厚さを有し、レジスト膜５０の第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄの一部または全部を露出させるように第１無機膜２１およびレジスト膜５０を被覆している。

【0160】

第２無機膜２２のうちレジスト膜５０外の領域を被覆する部分は、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄに倣って波線状に湾曲するように第１無機膜２１を被覆する。これにより、第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄに倣って波線状に湾曲した第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを有する開口３０が区画される。

【0161】

つまり、開口３０の複数の第１リセス部３２はレジスト膜５０の複数の第１レジスト突出部５２に倣って形成され、開口３０の複数の第１突出部３３はレジスト膜５０の複数の第１レジストリセス部５３に倣って形成される。また、開口３０の複数の第２リセス部３４はレジスト膜５０の複数の第２レジスト突出部５４に倣って形成され、開口３０の複数の第２突出部３５はレジスト膜５０の複数の第２レジストリセス部５５に倣って形成される。

【0162】

第２無機膜２２の形成工程後、レジスト膜５０の除去工程が実施される（図６Ｅも併せて参照）。レジスト膜５０の除去工程では、レジスト膜５０を除去するためのレジスト剥離液（薬液）が満たされた剥離槽が使用される。レジスト剥離液は、たとえば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）を含むレジスト溶解液であってもよい。むろん、環境負荷を考慮して、ＮＭＰを含まない有機溶剤系のレジスト剥離液が使用されてもよい。

【0163】

ウエハ構造物４１は、少なくともレジスト膜５０および第２無機膜２２がレジスト剥離液に浸漬されるように剥離槽内に配置される。むろん、ウエハ構造物４１の全体がレジスト剥離液に浸漬されてもよい。さらにこの工程では、レジスト膜５０の剥離を促すため、レジスト膜５０に超音波が付与される。超音波は、たとえば、剥離槽に備えられた超音波振動器からウエハ構造物４１およびレジスト剥離液を介してレジスト膜５０に付与される。

【0164】

図１０Ｂおよび図１１Ｂを参照して、レジスト膜５０がレジスト剥離液に浸漬されると、レジスト膜５０は第１無機膜２１および第２無機膜２２の間から露出した第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄから内方に向けて徐々に溶解される。これにより、開口３０の第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄが露出し、開口３０内にレジスト膜５０の残存部が配置された構成となる。レジスト膜５０へのレジスト剥離液の侵入速度は、超音波振動によって高められる。

【0165】

図１０Ｃおよび図１１Ｃを参照して、レジスト膜５０が一定のサイズ（第２無機膜２２の開放サイズ）まで縮小すると、第２無機膜２２がレジスト膜５０から開放される。これにより、レジスト膜５０の残存部単体からなるレジスト残部６０が開口３０内において第１無機膜２１の上に形成される。超音波振動は、レジスト残部６０に対して継続的に付与される。

【0166】

図１０Ｄおよび図１１Ｄを参照して、レジスト残部６０は、第１無機膜２１の上においてレジスト剥離液によって完全に溶解されるか、または、超音波振動によって第１無機膜２１から物理的に剥離された後、レジスト剥離液中で溶解される。このような経時ステップを経て、レジスト膜５０の除去部からなる開口３０が第２無機膜２２に形成される。

【0167】

図１２は、参考レジスト膜６１を示す拡大平面図である。図１３は、参考レジスト膜６１を用いた製造工程を示す拡大平面図である。図１２を参照して、参考レジスト膜６１は、平面視において直線状に延びる第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄを有している点を除き、レジスト膜５０と同様の構成を有している。

【0168】

図１３を参照して、参考レジスト膜６１の除去工程では、図１０Ａ～図１０Ｄ（図１１Ａ～図１１Ｄ）と同様の経時ステップを経て、直線状に延びる第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを有する開口３０が第２無機膜２２に形成され、レジスト残部６０が開口３０内において第１無機膜２１の上に形成される。超音波振動は、レジスト残部６０に対して継続的に付与される。

【0169】

第１無機膜２１のうち開口３０から露出した部分（露出部）は、外力としての超音波振動に起因して上下方向に振動する。この時、直線状に延びる第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄは、第１無機膜２１の露出部に対する固定端としてそれぞれ機能し、第１無機膜２１の露出部の振動を増幅させる。その結果、第１無機膜２１の露出部にクラック等のダメージが生じる。特に、製造工程中では、第１無機膜２１の露出部はレジスト残部６０と共に上下方向に振動する期間を有しており、第１無機膜２１の露出部のダメージはレジスト残部６０を支持する部分に生じる傾向がある。

【0170】

このような構成において、開口３０は、第１無機膜２１よりも厚く、かつ、第１無機膜２１よりも変形し難い第２無機膜２２に区画されている。つまり、第１無機膜２１の露出部に対する第２無機膜２２の固定端としての機能は、このような第２無機膜２２の構成によっても高められている。

【0171】

さらに、第１無機膜２１の露出部の直下には有機膜１４が形成されている。有機膜１４は、第１無機膜２１の弾性率および第２無機膜２２の弾性率よりも小さい弾性率を有している。したがって、有機膜１４は、超音波振動に起因して変形し易く、第１無機膜２１の振動に起因して変形し易い。つまり、有機膜１４は第１無機膜２１の変形を許容しており、これによって、第１無機膜２１の露出部が有機膜１４および第２無機膜２２によって上下方向に振動可能に挟持された構成になっている。

【0172】

このような構成の下で、第１無機膜２１の露出部が上下方向に振動した場合、有機膜１４の上において第１無機膜２１の剥離や第１無機膜２１のクラック等の問題が生じる虞がある。第１無機膜２１の剥離が生じた場合、有機膜１４および第１無機膜２１の間に間隙が形成され、当該間隙に起因して入射光に対する屈折率が変動する。第１無機膜２１のクラック等が生じた場合、当該クラック等に起因して入射光に対する屈折率が変動する。これらの問題は、外観観察によって視認される外観不良の一類型でもある。

【0173】

これに対して、電子部品１Ａの製造方法では、レジスト膜５０の形成工程において平面視において波線状に湾曲したレジスト側壁５１を有するレジスト膜５０が第１無機膜２１を部分的に被覆するように形成される。第２無機膜２２の形成工程では、レジスト側壁５１の少なくとも一部を露出させるように第１無機膜２１およびレジスト膜５０を被覆する第２無機膜２２が形成される。そして、レジスト膜５０の除去工程では、レジスト膜５０が除去されることによって、第１無機膜２１を部分的に露出させるように平面視で波線状に湾曲した壁面３１を有する開口３０が第２無機膜２２に形成される。

【0174】

この製造方法によれば、波線状に湾曲した開口３０の壁面３１によって、固定端振動の位相を分散させることができる。これにより、固定端振動に起因する第１無機膜２１の振動増幅を抑制できる。その結果、第１無機膜２１のクラック等のダメージを抑制できる。よって、信頼性を向上できる電子部品１Ａを製造し、提供できる。

【0175】

レジスト膜５０の除去工程は、レジスト剥離液にレジスト膜５０を浸漬する工程を含んでいてもよい。この製造方法によれば、レジスト剥離液中における第１無機膜２１の振動増幅を抑制しながら、レジスト剥離液にレジスト膜５０を溶解できる。

【0176】

レジスト膜５０の除去工程は、レジスト膜５０に超音波を付与する工程を含んでいてもよい。この製造方法によれば、超音波を利用してレジスト膜５０を除去できる。また、超音波に起因する第１無機膜２１の固定端振動の増幅を抑制できる。よって、超音波に起因する第１無機膜２１のクラック等を抑制できる。レジスト膜５０の除去工程は、超音波を付与しながらレジスト剥離液によってレジスト膜５０を除去する工程を含むことが好ましい。この場合、レジスト膜５０の剥離時間を短縮できると同時にレジスト膜５０を適切に除去できる。

【0177】

電子部品１Ａの製造方法は、有機膜１４の上に第１無機膜２１を形成する工程を含んでいてもよい。この製造方法によれば、有機膜１４の上において、固定端振動に起因する第１無機膜２１の振動増幅を抑制できる。これにより、有機膜１４の上において、第１無機膜２１の剥離やクラック等を抑制できる。有機膜１４に対して光が照射される構造の場合、第１無機膜２１において剥離やクラック等に起因する屈折率の変動を抑制できるため、第１無機膜２１を介して有機膜１４に光を適切に照射できる。

【0178】

一方、電子部品１Ａは、第１無機膜２１、第２無機膜２２および開口３０を含む。第２無機膜２２は、第１無機膜２１を被覆している。開口３０は、第１無機膜２１を部分的に露出させるように第２無機膜２２に形成され、平面視で波線状に湾曲した壁面３１を有している。この構造によれば、波線状に湾曲した開口３０の壁面３１によって、固定端振動の位相を分散させることができる。

【0179】

これにより、固定端振動に起因する第１無機膜２１の振動増幅を抑制できる。その結果、第１無機膜２１のクラック等のダメージを抑制できる。よって、信頼性を向上できる電子部品１Ａを提供できる。電子部品１Ａに加えられる外力としては、ハンドリング時における振動や、電子部品１Ａが搭載されるアプリケーションからの振動や、ボンディングワイヤ接続時にキャピラリから電子部品１Ａに加えられる超音波振動等が例示される。

【0180】

電子部品１Ａは、有機膜１４を含んでいてもよい。この場合、第１無機膜２１は、有機膜１４を直接被覆していてもよい。この構造によれば、有機膜１４の上において、固定端振動に起因する第１無機膜２１の振動増幅を抑制できる。これにより、有機膜１４の上において、第１無機膜２１の剥離やクラック等を抑制できる。第１無機膜２１は、有機膜１４よりも薄くてもよい。

【0181】

電子部品１Ａは、チップ２、当該チップ２に形成された受光デバイス７（機能デバイス）、および、受光デバイス７を被覆する層間絶縁膜９を含んでいてもよい。この場合、有機膜１４は、層間絶縁膜９を被覆していてもよい。この構造によれば、有機膜１４および第１無機膜２１を介して受光デバイス７に光を適切に照射できる。

【0182】

有機膜１４は、クリアフィルタ膜１６（透明樹脂膜）を含んでいてもよい。この構造において、第１無機膜２１は、クリアフィルタ膜１６を被覆していてもよい。この構造によれば、第１無機膜２１を介してクリアフィルタ膜１６に光を適切に照射できる。

【0183】

有機膜１４は、少なくとも１つのカラーフィルタ膜１５を含んでいてもよい。この場合、クリアフィルタ膜１６はカラーフィルタ膜１５を被覆していてもよい。また、この場合、開口３０は第１無機膜２１のうちのカラーフィルタ膜１５を被覆する部分を露出させていてもよい。この構造によれば、第１無機膜２１およびクリアフィルタ膜１６を介してカラーフィルタ膜１５に光を適切に照射できる。

【0184】

開口３０の壁面３１は、平面視において第１方向Ｘに延びる第１壁面３１Ａ、および、平面視において第２方向Ｙに延びる第２壁面３１Ｂを有していることが好ましい。この場合、第１壁面３１Ａは、平面視において第２方向Ｙの一方側に窪んだ第１リセス部３２および第２方向Ｙの他方側に突出した第１突出部３３を有していることが好ましい。

【0185】

また、第２壁面３１Ｂは、平面視において第１方向Ｘの一方側に窪んだ第２リセス部３４および第１方向Ｘの他方側に突出した第２突出部３５を有していることが好ましい。この構造によれば、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの２方向にそれぞれ波線状に蛇行した第１壁面３１Ａおよび第２壁面３１Ｂによって固定端振動に起因する第１無機膜２１の振動増幅を抑制できる。

【0186】

第１壁面３１Ａは、第１リセス部３２によって形成された端部を有していることが好ましい。また、第２壁面３１Ｂは、第２リセス部３４によって形成され、第１壁面３１Ａの端部に接続された端部を有していることが好ましい。この構造によれば、開口３０の角部において第１壁面３１Ａの第１突出部３３および第２壁面３１Ｂの第２突出部３５が接触することを抑制できる。これにより、開口３０を適切なレイアウトで形成できる。

【0187】

開口３０の壁面３１は、平面視において一定の波長を有していてもよい。開口３０の壁面３１は、平面視において一定の波幅を有していてもよい。第２無機膜２２は、第１無機膜２１よりも厚いことが好ましい。この構造によれば、第１無機膜２１を第２無機膜２２によって適切に保護できる。第２無機膜２２は、１μｍ以上１５μｍ以下の厚さを有していてもよい。

【0188】

第２無機膜２２は、開口３０の周囲において開口３０に向けて膜厚が漸減する膜厚漸減部３６を有していてもよい。この構造によれば、開口３０の壁面３１の固定端としての機能を弱めることができる。

【0189】

第２無機膜２２は、複数の無機膜を含む積層構造を有していてもよい。この場合、第２無機膜２２は、酸化シリコン膜および酸化チタン膜を含む積層構造を有していてもよい。さらに、これらの場合、第２無機膜２２は、光学フィルタ膜として形成されていてもよい。この場合、開口３０は光学フィルタ膜に形成された光取り込み開口として形成されていてもよい。これらの構造によれば、第１無機膜２１のうち光学フィルタ膜から露出した部分において、クラック等に起因する屈折率の変動を抑制できる。

【0190】

図１４は、第２実施形態に係る電子部品１Ｂを示す断面図である。図１５は、図１４に示す開口３０を含む領域を示す拡大断面図である。図１６は、図１４に示す第２無機膜２２の形成工程を示す拡大断面図である。

【0191】

図１４および図１５を参照して、電子部品１Ｂは、第２無機膜２２のうちの開口３０の壁面３１を区画する部分において第１無機膜２１とは反対側に向けて突出した突起部６２を含む。突起部６２は、この形態では、波線状に湾曲した開口３０の壁面３１の少なくとも一部を区画している。突起部６２は、第２無機膜２２の一構成要素および／または開口３０の一構成要素とみなされてもよい。

【0192】

突起部６２は、断面視において第１無機膜２１の外面との間で鈍角を成す逆テーパ形状に形成されていてもよい。断面視において突起部６２が開口３０の外方に向けて弧線状（たとえば円弧状）に湾曲している形態も、ここに言う「逆テーパ形状」に含まれる。第１無機膜２１の外面に対する突起部６２の傾斜角度θ２は、９０°よりも大きく１３５°以下であってもよい。突起部６２の傾斜角度θ２は、突起部６２の下端および上端を結ぶ直線が第１無機膜２１の外面との間で成す角度である。

【0193】

突起部６２は、平面視において開口３０の壁面３１に沿って帯状に延びている。突起部６２は、この形態では、平面視において壁面３１の全周（つまり第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄ）に沿って環状に延びている。つまり、突起部６２は、この形態では、波線状に湾曲した第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを区画している。突起部６２は、法線方向Ｚに関して、膜厚漸減部３６の中間部の厚さよりも大きい突出量を有していてもよい。突起部６２の突出量は、第２無機膜２２の厚さよりも大きくてもよい。突起部６２の幅は、膜厚漸減部３６の幅未満であることが好ましい。

【0194】

突起部６２は、この形態では、鉛直方向（法線方向Ｚ）にそれぞれ膜状に延びる酸化シリコン膜および酸化チタン膜を水平方向（第１方向Ｘ／第２方向Ｙ）に積層させた積層構造を有している。突起部６２は、この形態では、複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜を交互に積層させた多層積層構造を有している。突起部６２の複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜は、第２無機膜２２の複数の酸化シリコン膜の一部および複数の酸化チタン膜の一部から連続的に延びている。

【0195】

図１６を参照して、突起部６２は、第２無機膜２２の形成工程時（図６Ｄ参照）において、第２無機膜２２（複数の酸化シリコン膜および複数の酸化チタン膜）のうちレジスト膜５０外の領域に成膜される部分を第１～第４レジスト側壁５１Ａ～５１Ｄに接するように形成することによって形成される。

【0196】

以上、電子部品１Ｂの製造方法によっても電子部品１Ａの製造方法に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、電子部品１Ｂによっても電子部品１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0197】

図１７は、第３実施形態に係る電子部品１Ｃの一要部を示す拡大平面図である。図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。電子部品１Ｃは、照度センサ（半導体受光装置）以外のデバイス（たとえば半導体装置）からなる。電子部品１Ｃは、電子部品１Ａと同様、チップ２、層間絶縁膜９、複数の配線１０（多層配線）、下地無機絶縁膜１２、有機膜１４、第１無機膜２１、第２無機膜２２、開口３０および膜厚漸減部３６を含む。

【0198】

電子部品１Ｃは、チップ２の第１主面３に形成された機能デバイス６３を含む。図１８では、機能デバイス６３が破線によって簡略化して示されている。機能デバイス６３は、第１主面３の表層部や第１主面３上の領域を利用して形成される。機能デバイス６３は、半導体スイッチングデバイス、半導体整流デバイスおよび受動デバイスのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。機能デバイス６３は、半導体スイッチングデバイス、半導体整流デバイスおよび受動デバイスのうちの少なくとも２つが組み合わされた集積回路を含んでいてもよい。

【0199】

半導体スイッチングデバイスは、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）、ＣＭＩＳ（Complementary MISFET）、ＢＪＴ（Bipolar Junction Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Junction Transistor）およびＪＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor）のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0200】

半導体整流デバイスは、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオードおよびファストリカバリーダイオードのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。受動デバイスは、抵抗、コンデンサ、インダクタおよびヒューズのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0201】

層間絶縁膜９は、第１主面３の上で機能デバイス６３を被覆している。複数の配線１０は、機能デバイス６３に電気的に接続されるように層間絶縁膜９内に配置されている。機能デバイス６３の仕様に依っては、複数の配線１０は層間絶縁膜９の上に配置されていてもよい。この場合、複数の配線１０は、層間絶縁膜９を貫通して機能デバイス６３に電気的に接続されていてもよい。この場合、たとえば、複数の配線１０は、層間絶縁膜９に埋設された複数のビア電極を介して機能デバイス６３に電気的に接続されていてもよい。

【0202】

下地無機絶縁膜１２は、層間絶縁膜９を被覆している。層間絶縁膜９の上に複数の配線１０が配置されている場合、下地無機絶縁膜１２は複数の配線１０の一部を露出させるように層間絶縁膜９の上で複数の配線１０を被覆する。

【0203】

有機膜１４は、下地無機絶縁膜１２を被覆している。層間絶縁膜９の上に複数の配線１０が配置されている場合、有機膜１４は複数の配線１０の一部を露出させるように下地無機絶縁膜１２を被覆する。有機膜１４は、この形態では、透明樹脂膜からなる単層構造を有している。

【0204】

有機膜１４は、ネガティブタイプまたはポジティブタイプの感光性樹脂膜からなることが好ましい。有機膜１４は、ポリイミド膜、ポリアミド膜、ポリベンゾオキサゾール膜またはアクリル膜からなっていてもよい。有機膜１４の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

【0205】

第１無機膜２１は、有機膜１４を被覆している。第１無機膜２１は、この形態では、無機導体膜（たとえば金属膜）からなり、有機膜１４の弾性率よりも大きい弾性率を有している。第１無機膜２１は、有機膜１４の上で複数の配線１０の少なくとも１つに電気的に接続された再配線であってもよい。図１７では、第１無機膜２１が、パッド部２１Ａおよびライン部２１Ｂを含む形態例が示されている。

【0206】

パッド部２１Ａは、平面視において比較的大きいサイズを有する多角形状（この形態では四角形状）に形成されている。ライン部２１Ｂは、平面視においてパッド部２１Ａのサイズよりも小さいサイズを有し、パッド部２１Ａからパッド部２１Ａ外の領域に選択的にライン状に引き回されている。

【0207】

第１無機膜２１は、単一の金属膜からなる単層構造、または、複数の金属膜を含む積層構造を有していてもよい。第１無機膜２１は、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、Ｗ膜、Ａｌ膜、Ｃｕ膜、Ａｌ合金膜、Ｃｕ合金膜および導電性ポリシリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0208】

第２無機膜２２は、有機膜１４の上で第１無機膜２１を被覆している。第２無機膜２２は、無機絶縁膜からなり、有機膜１４の弾性率よりも大きい弾性率を有している。第２無機膜２２は、単一の無機絶縁膜からなる単層構造、または、複数の無機絶縁膜を含む積層構造を有していてもよい。第２無機膜２２は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２無機膜２２は、第１無機膜２１の厚さ以上の厚さを有していてもよい。第２無機膜２２は、第１無機膜２１の厚さ未満の厚さを有していてもよい。

【0209】

開口３０は、第１無機膜２１（無機導体膜）を露出させるように第２無機膜２２に形成されている。開口３０は、この形態では、第１無機膜２１のパッド部２１Ａを露出させるパッド開口として形成されている。開口３０は、この形態では、平面視においてパッド部２１Ａの周縁から内方に間隔を空けてパッド部２１Ａの周縁によって取り囲まれた領域を露出させている。開口３０は、この形態では、平面視において多角形状（この形態では四角形状）に区画されている。

【0210】

開口３０は、パッド部２１Ａの周縁に沿って延びる壁面３１を有している。壁面３１は、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄを含む。開口３０は、電子部品１Ａの場合と同様、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄの少なくとも１つにおいて波線状に湾曲した部分を有している。開口３０は、この形態では、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄの全てにおいて波線状に湾曲した部分を有している。つまり、開口３０の壁面３１は、平面視において全周に亘って波線状に湾曲している。開口３０（第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄ）の構成は、電子部品１Ａの場合と同様であるため、それらの具体的な説明は省略される。

【0211】

膜厚漸減部３６は、第２無機膜２２において開口３０の周囲に形成されている。膜厚漸減部３６は、この形態では、第２無機膜２２のうち第１無機膜２１を被覆する部分に形成され、第２無機膜２２のうち第１無機膜２１外の領域を被覆する部分の厚さよりも小さい厚さを有している。

【0212】

電子部品１Ｃは、機能デバイス６３の仕様によっては、チップ２の第２主面４を被覆する主面電極（金属膜）を含んでいてもよい。この場合、主面電極は、機能デバイス６３に電気的に接続されていてもよい。

【0213】

電子部品１Ｃは、電子部品１Ａの製造方法において、チップ２側の構成を変更し、有機膜１４、第１無機膜２１および第２無機膜２２等の材質を変更することによって製造される。以上、電子部品１Ｃの製造方法によっても電子部品１Ａの製造方法に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、電子部品１Ｃによっても電子部品１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。第２実施形態に係る突起部６２は、電子部品１Ｃに係る開口３０に適用されてもよい。

【0214】

以下、前述の各実施形態に適用される開口３０の変形例が示される。図１９は、第１変形例に係る開口３０の一要部を示す拡大平面図である。前述の各実施形態では、一定の第１波長Ｌ１で波線状に湾曲した第１壁面３１Ａ（第３側面５Ｃ）および一定の第２波長Ｌ２で波線状に湾曲した第２壁面３１Ｂ（第４側面５Ｄ）が示された。

【0215】

しかし、図１９に示されるように、第１壁面３１Ａおよび第３側面５Ｃのいずれか一方または双方は、互いに異なる波長で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。図１９では、第１壁面３１Ａ（第３側面５Ｃ）が比較的長い第１波長ＬＡで波線状に湾曲した部分、および、第１波長ＬＡよりも短い第２波長ＬＢで波線状に湾曲した部分を含む形態例が示されている。第１波長ＬＡおよび第２波長ＬＢのレイアウト（位置、範囲、長さ）は任意である。第１波長ＬＡおよび第２波長ＬＢは、前述の第１波長Ｌ１と同様の数値範囲（５μｍ以上１００μｍ以下）で調節されてもよい。

【0216】

同様に、第２壁面３１Ｂおよび第４側面５Ｄのいずれか一方または双方は、互いに異なる波長で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。図１９では、第２壁面３１Ｂ（第４側面５Ｄ）が比較的長い第３波長ＬＣで波線状に湾曲した部分、および、第３波長ＬＣよりも短い第４波長ＬＤで波線状に湾曲した部分を含む形態例が示されている。第３波長ＬＣおよび第４波長ＬＤのレイアウト（位置、範囲、長さ）は任意である。第３波長ＬＣおよび第４波長ＬＤは、前述の第２波長Ｌ２と同様の数値範囲（５μｍ以上１００μｍ以下）で調節されてもよい。

【0217】

第３波長ＬＣは、第１波長ＬＡよりも長くてもよいし、第１波長ＬＡよりも短くてもよい。第３波長ＬＣは、第１波長ＬＡとほぼ等しくてもよい。第３波長ＬＣは、第２波長ＬＢよりも長くてもよいし、第２波長ＬＢよりも短くてもよい。第３波長ＬＣは、第２波長ＬＢとほぼ等しくてもよい。

【0218】

第４波長ＬＤは、第１波長ＬＡよりも長くてもよいし、第１波長ＬＡよりも短くてもよい。第４波長ＬＤは、第１波長ＬＡとほぼ等しくてもよい。第４波長ＬＤは、第２波長ＬＢよりも長くてもよいし、第２波長ＬＢよりも短くてもよい。第４波長ＬＤは、第２波長ＬＢとほぼ等しくてもよい。第１～第４波長ＬＡ～ＬＤの大小関係の組み合わせは任意である。

【0219】

むろん、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄのうちの少なくとも１つは、互いに異なる波長で波線状に湾曲した３つ以上の部分を有していてもよい。また、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが複数の波長を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが１つの波長（前述の第２波長Ｌ２）を有する構成が採用されてもよい。これとは反対に、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが１つの波長（前述の第１波長Ｌ１）を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが２つ以上の波長を有する構成が採用されてもよい。

【0220】

図２０は、第２変形例に係る開口３０の一要部を示す拡大平面図である。前述の各実施形態では、一定の第１波幅Ｗ１で波線状に湾曲した第１壁面３１Ａ（第３側面５Ｃ）および一定の第２波幅Ｗ２で波線状に湾曲した第２壁面３１Ｂ（第４側面５Ｄ）が示された。

【0221】

しかし、図２０に示されるように、第１壁面３１Ａおよび第３側面５Ｃのいずれか一方または双方は、互いに異なる波幅で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。図２０では、第１壁面３１Ａ（第３側面５Ｃ）が比較的幅広の第１波幅ＷＡで波線状に湾曲した部分、および、第１波幅ＷＡよりも幅狭の第２波幅ＷＢで波線状に湾曲した部分を含む形態例が示されている。第１波幅ＷＡおよび第２波幅ＷＢのレイアウト（位置、範囲、幅）は任意である。第１波幅ＷＡおよび第２波幅ＷＢは、前述の第１波幅Ｗ１と同様の数値範囲（１μｍ以上５０μｍ以下）で調節されてもよい。

【0222】

同様に、第２壁面３１Ｂおよび第４側面５Ｄのいずれか一方または双方は、互いに異なる波幅で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。図２０では、第２壁面３１Ｂ（第４側面５Ｄ）が比較的幅広の第３波幅ＷＣで波線状に湾曲した部分、および、第３波幅ＷＣよりも幅狭の第４波幅ＷＤで波線状に湾曲した部分を含む形態例が示されている。第３波幅ＷＣおよび第４波幅ＷＤのレイアウト（位置、範囲、幅）は任意である。第３波幅ＷＣおよび第４波幅ＷＤは、前述の第２波幅Ｗ２と同様の数値範囲（１μｍ以上５０μｍ以下）で調節されてもよい。

【0223】

第３波幅ＷＣは、第１波幅ＷＡよりも大きくてもよいし、第１波幅ＷＡよりも小さくてもよい。第３波幅ＷＣは、第１波幅ＷＡとほぼ等しくてもよい。第３波幅ＷＣは、第２波幅ＷＢよりも大きくてもよいし、第２波幅ＷＢよりも小さくてもよい。第３波幅ＷＣは、第２波幅ＷＢとほぼ等しくてもよい。

【0224】

第４波幅ＷＤは、第１波幅ＷＡよりも大きくてもよいし、第１波幅ＷＡよりも小さくてもよい。第４波幅ＷＤは、第１波幅ＷＡとほぼ等しくてもよい。第４波幅ＷＤは、第２波幅ＷＢよりも大きくてもよいし、第２波幅ＷＢよりも小さくてもよい。第４波幅ＷＤは、第２波幅ＷＢとほぼ等しくてもよい。第１～第４波幅ＷＡ～ＷＤの大小関係の組み合わせは任意である。

【0225】

むろん、第１～第４壁面３１Ａ～３１Ｄの少なくとも１つは、互いに異なる波幅で波線状に湾曲した３つ以上の部分を有していてもよい。また、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが複数の波幅を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが１つの波幅（前述の第２波幅Ｗ２）を有する構成が採用されてもよい。これとは反対に、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが１つの波幅（前述の第１波幅Ｗ１）を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが複数の波幅を有する構成が採用されてもよい。

【0226】

図２１は、第３変形例に係る開口３０の一要部を示す拡大平面図である。図２１に示されるように、開口３０は、前述の第１変形例に係る開口３０および第２変形例に係る開口３０を組み合わせた形態を有していてもよい。

【0227】

つまり、第１壁面３１Ａおよび第３側面５Ｃのいずれか一方または双方は、互いに異なる波長で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有し、かつ、互いに異なる波幅で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。同様に、第２壁面３１Ｂおよび第４側面５Ｄのいずれか一方または双方は、互いに異なる波長で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有し、かつ、互いに異なる波幅で波線状に湾曲した複数（２つ以上）の部分を有していてもよい。

【0228】

むろん、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが複数の波長および複数の波幅を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが１つの波長（前述の第２波長Ｌ２）および１つの波幅（前述の第２波幅Ｗ２）を有する構成が採用されてもよい。これとは反対に、第１壁面３１Ａおよび／または第３側面５Ｃが１つの波長（前述の第１波長Ｌ１）および１つの波幅（前述の第１波幅Ｗ１）を有している一方、第２壁面３１Ｂおよび／または第４側面５Ｄが複数の波長および複数の波幅を有する構成が採用されてもよい。

【0229】

前述の各実施形態は、さらに他の形態で実施可能である。前述の第１～第２実施形態では、第２無機膜２２が赤外光の第４波長域λ４を選択的に減衰させる赤外光カットフィルタ膜として第１～第３カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｃを被覆していた。むろん、第２無機膜２２は、赤色光の第１波長域λ１を選択的に減衰させる赤色光カットフィルタ膜として第１カラーフィルタ膜１５Ａ以外のカラーフィルタ膜１５（第２～第４カラーフィルタ膜１５Ｂ～１５Ｄ）を選択的に被覆してもよい。

【0230】

また、第２無機膜２２は、緑色光の第２波長域λ２を選択的に減衰させる緑色光カットフィルタ膜として第２カラーフィルタ膜１５Ｂ以外のカラーフィルタ膜１５（第１、第３および第４カラーフィルタ膜１５Ａ、１５Ｃ、１５Ｄ）を選択的に被覆してもよい。また、第２無機膜２２は、青色光の第３波長域λ３を選択的に減衰させる青色光カットフィルタ膜として第３カラーフィルタ膜１５Ｃ以外のカラーフィルタ膜１５（第１、第２および第４カラーフィルタ膜１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｄ）を選択的に被覆してもよい。

【0231】

前述の実施形態では、開口３０が第１無機膜２１のうち第４カラーフィルタ膜１５Ｄを被覆する部分を露出させていた。しかし、開口３０は、第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄの少なくとも１つを選択的に露出させていてもよい。また、開口３０は、第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄの少なくとも２つを選択的に露出させていてもよい。また、開口３０は、第１～第４カラーフィルタ膜１５Ａ～１５Ｄの少なくとも３つを選択的に露出させていてもよい。

【0232】

前述の各実施形態で開示された特徴は、それらの間で適宜組み合わされることができる。すなわち、前述の第１～第３実施形態で開示された特徴のうちの少なくとも２つの特徴を同時に含む形態が採用されてもよい。

【0233】

前述の各実施形態では、チップ２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄの延在方向に基づいて第１方向Ｘおよび第２方向Ｙが設定されたが、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは互いに交差（直交する）関係を維持する限り、第１～第４側面５Ａ～５Ｄの延在方向から切り離して設定されてもよい。

【0234】

以下、この明細書および図面から抽出される特徴例が示される。以下、括弧内の英数字等は前述の各実施形態における対応構成要素等を表すが、各項目（Clause）の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下の項目に係る「電子部品」は、必要に応じて「照度センサ」、「半導体受光装置」、「半導体装置」等に置き換えられてもよい。

【0235】

［Ａ１］第１無機膜（２１）と、前記第１無機膜（２１）を被覆する第２無機膜（２２）と、前記第１無機膜（２１）を部分的に露出させるように前記第２無機膜（２２）に形成され、平面視で波線状に湾曲した壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）を有する開口（３０）と、を含む、電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0236】

［Ａ２］有機膜（１４）をさらに含み、前記第１無機膜（２１）は、前記有機膜（１４）を直接被覆している、Ａ１に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0237】

［Ａ３］前記第１無機膜（２１）は、前記有機膜（１４）よりも薄い、Ａ２に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0238】

［Ａ４］チップ（２）と、前記チップ（２）に形成された機能デバイス（７、７Ａ～７Ｄ、６３）と、前記機能デバイス（７、７Ａ～７Ｄ、６３）を被覆する層間絶縁膜（９）と、さらに含み、前記有機膜（１４）は、前記層間絶縁膜（９）を被覆している、Ａ２またはＡ３に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0239】

［Ａ５］前記有機膜（１４）は、透明樹脂膜（１５、１６）を含み、前記第１無機膜（２１）は、前記透明樹脂膜（１５、１６）を被覆している、Ａ２～Ａ４のいずれか一つに記載の電子部品。

【0240】

［Ａ６］前記壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）は、平面視において第１方向（Ｘ）に延びる第１壁面（３１、３１Ａ、３１Ｃ）、および、平面視において前記第１方向（Ｘ）に交差する第２方向（Ｙ）に延びる第２壁面（３１、３１Ｂ、３１Ｄ）を含み、前記第１壁面（３１、３１Ａ、３１Ｃ）は、平面視において、前記第２方向（Ｙ）の一方側に窪んだ第１リセス部（３２）および前記第２方向（Ｙ）の他方側に突出した第１突出部（３３）を有し、前記第２壁面（３１、３１Ｂ、３１Ｄ）は、平面視において、前記第１方向（Ｘ）の一方側に窪んだ第２リセス部（３４）および前記第１方向（Ｘ）の他方側に突出した第２突出部（３５）を有している、Ａ１～Ａ５のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0241】

［Ａ７］前記第１壁面（３１、３１Ａ、３１Ｃ）は、前記第１リセス部（３２）によって形成された端部を有し、前記第２壁面（３１、３１Ｂ、３１Ｄ）は、前記第２リセス部（３４）によって形成され、前記第１壁面（３１、３１Ａ、３１Ｃ）の前記端部に接続された端部を有している、Ａ６に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0242】

［Ａ８］前記壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）は、平面視において一定の波長（Ｌ１、Ｌ２）を有している、Ａ１～Ａ７のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0243】

［Ａ９］前記壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）は、平面視において一定の波幅（Ｗ１、Ｗ２）を有している、Ａ１～Ａ８のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0244】

［Ａ１０］前記第２無機膜（２２）は、前記第１無機膜（２１）よりも厚い、Ａ１～Ａ９のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0245】

［Ａ１１］前記第２無機膜（２２）は、１μｍ以上１５μｍ以下の厚さを有している、Ａ１～Ａ１０のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0246】

［Ａ１２］前記第２無機膜（２２）は、前記開口（３０）の周囲に位置する部分おいて前記開口（３０）に向けて膜厚が漸減する膜厚漸減部（３６）を含む、Ａ１～Ａ１１のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0247】

［Ａ１３］前記第２無機膜（２２）は、複数の無機膜を含む積層構造を有している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0248】

［Ａ１４］前記第２無機膜（２２）は、酸化シリコン膜および酸化チタン膜を含む積層構造を有している、Ａ１～Ａ１３のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0249】

［Ａ１５］前記第２無機膜（２２）は、光学フィルタ膜として形成されている、Ａ１～Ａ１４のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0250】

［Ａ１６］前記第２無機膜（２２）は、前記壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）を区画する部分において前記第１無機膜（２１）とは反対側に向けて突出した突起部（６２）を含む、Ａ１～Ａ１５のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）。

【0251】

［Ａ１７］第１無機膜（２１）を部分的に被覆するように平面視において波線状に湾曲した側壁（５１、５１Ａ～５１Ｄ）を有するレジスト膜（５０）を形成する工程と、前記レジスト膜（５０）の前記側壁（５１、５１Ａ～５１Ｄ）の少なくとも一部を露出させるように前記第１無機膜（２１）および前記レジスト膜（５０）を被覆する第２無機膜（２２）を形成する工程と、前記レジスト膜（５０）を除去することにより、平面視で波線状に湾曲した壁面（３１、３１Ａ～３１Ｄ）を有し、前記第１無機膜（２１）を部分的に露出させる開口（３０）を前記第２無機膜（２２）に形成する工程と、を含む、電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の製造方法。

【0252】

［Ａ１８］前記レジスト膜（５０）の除去工程は、前記レジスト膜（５０）をレジスト剥離液に浸漬する工程を含む、Ａ１７に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の製造方法。

【0253】

［Ａ１９］前記レジスト膜（５０）の除去工程は、前記レジスト膜（５０）に超音波を付与する工程を含む、Ａ１７またはＡ１８に記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の製造方法。

【0254】

［Ａ２０］有機膜（１４）の上に前記第１無機膜（２１）を形成する工程をさらに含む、Ａ１７～Ａ１９のいずれか一つに記載の電子部品（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の製造方法。

【0255】

以上、実施形態について詳細に説明してきたが、これらは技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によって限定される。

【符号の説明】

【0256】

１Ａ 電子部品
１Ｂ 電子部品
１Ｃ 電子部品
２ チップ
７ 受光デバイス
７Ａ 第１受光デバイス
７Ｂ 第２受光デバイス
７Ｃ 第３受光デバイス
７Ｄ 第４受光デバイス
９ 層間絶縁膜
１４ 有機膜
１５ カラーフィルタ膜
１５Ａ 第１カラーフィルタ膜
１５Ｂ 第２カラーフィルタ膜
１５Ｃ 第３カラーフィルタ膜
１５Ｄ 第４カラーフィルタ膜
１６ クリアフィルタ膜
２１ 第１無機膜
２２ 第２無機膜
３０ 開口
３１Ａ 第１壁面
３１Ｂ 第２壁面
３１Ｃ 第３壁面
３１Ｄ 第４壁面
３２ 第１リセス部
３３ 第１突出部
３４ 第２リセス部
３５ 第２突出部
３６ 膜厚漸減部
５０ レジスト膜
５１Ａ 第１レジスト側壁
５１Ｂ 第２レジスト側壁
５１Ｃ 第３レジスト側壁
５１Ｄ 第４レジスト側壁
６２ 突起部
６３ 機能デバイス
Ｌ１ 第１波長
Ｌ２ 第２波長
Ｗ１ 第１波幅
Ｗ２ 第２波幅
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図11A】

【図11B】

【図11C】

【図11D】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】