特開2023-182788最適化されたドーピングプロファイルおよび異なる遷移領域の厚さを有するシリコンベース変調器

発明の名称　最適化されたドーピングプロファイルおよび異なる遷移領域の厚さを有するシリコンベース変調器

出願人　シエナ　コーポレーション　（識別番号 519382455）

　　　　特許公開件数ランキング 11775 位（1件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 9051 位（1件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-182788

公報発行日　2023年12月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-182788

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