絶縁回路は、共通接地接続を共有しない異なる供給源により電力供給される電気システムを相互接続するためのガルバニック絶縁障壁を横断するデータ及び／又は電力伝達に対するものである。変圧器絶縁アプローチは、スイッチング回路及び磁場に関与し、結果の電磁干渉（ＥＭＩ）は、或る応用例において望ましくない可能性がある。また、変圧器絶縁は、典型的に、付加的な変圧器構成要素を必要とし、またこれらのソリューションは大きい回路面積を必要としコストが嵩む。データ送信のための絶縁を提供するために容量結合又はＡＣ結合が用いられ得るが、キャパシタベースの絶縁ソリューションは、信号エネルギーを吸収し、電力効率低下を引き起こす寄生容量を伴うことがある。また、高電圧降伏電圧定格は、表面誘電体の厚い層を必要とするため、容量結合を用いて実装するためにはコストが嵩む。光絶縁は、光子エミッタ（例えば、発光ダイオード又はＬＥＤ）、光起電力ダイオード（ＰＶＤ）等のレシーバ又はセンサ、及び光結合材料を介し、光を用いてガルバニック絶縁された回路間で電力／電気信号を伝達することにより、変圧器絶縁に関連するＥＭＩ及び回路面積の問題を回避する。光結合デバイス又はオプトカプラは、典型的に、ガラス又は他の透明な材料を間に用いて、ＰＶダイオードの上にＬＥＤ光源をスタックして、ＰＶＤセンサの頂部に対して光子エネルギーを垂直に下向きに伝達する。また、ＬＥＤとＰＶＤとの間の距離を増大することによってのみ高い降伏電圧絶縁定格が達成され得、その結果、許容不能な垂直デバイス高さとなる場合がある。幾つかの高絶縁電圧オプトカプラは、ＬＥＤからの光を光ダイオードに反射させる反射ドームを用い、ＬＥＤによる上方向送信及び光ダイオードによる下方向受信のために並べて配置される。これら従来のオプトカプラアプローチにおいて、光子経路は、シリコンデバイスの表面に対して直交する。ＬＥＤ光源は、典型的に、赤外波長又は赤外波長の近くで光信号を提供し、オプトカプラは、概して、電力効率（例えば、出力電流に対する入力電流の比を表す電流伝達比又はＣＴＲ）が悪くなる。また、共通モード過渡絶縁（ＣＭＴＩ）は、エミッタと検出器との間の容量結合に起因して垂直構成において問題となる。従って、従来の光絶縁技法は、多くの電力伝達応用例に対して充分なソリューションを提供しない。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】低ノイズ、高効率の電力供給応用例、並びに光絶縁されたデータ伝達又は光子検出器応用例において用いることができる高い電流伝達比を備える光絶縁システム及び拡張された横方向ｐｎ接合を備える光子検出器を提供する。
【解決手段】１つ又は複数のＰ型半導体構造１０１及びＮ型半導体構造１０３を備える横方向光起電センサ及びＬＥＤ光源１０８を含み、Ｐ型半導体構造１０１及びＮ型半導体構造１０３は個別に、所与の波長λの光子を受け取るための横方向センサ面１０７ｂと、所与の波長λに対応する半導体構造に対する吸収深さの５倍より大きい有効接合距離Ｄを有する拡張された横方向接合領域とを含む。
【選択図】図１

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