(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023183161
(43)【公開日】2023-12-27
(54)【発明の名称】電磁波シールド
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20231220BHJP
H01Q 17/00 20060101ALI20231220BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 F
H01Q17/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022096640
(22)【出願日】2022-06-15
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107641
【弁理士】
【氏名又は名称】鎌田 耕一
(74)【代理人】
【識別番号】100163463
【弁理士】
【氏名又は名称】西尾 光彦
(72)【発明者】
【氏名】松▲崎▼ 悠也
【テーマコード（参考）】
5E321
5J020
【Ｆターム（参考）】
5E321AA05
5E321BB01
5E321GG05
5J020EA04
5J020EA08
(57)【要約】
【課題】簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から有利な電磁波シールドを提供する。
【解決手段】電磁波シールド１ａは、第一面１１と、第二面１２とを有する。電磁波シールド１ａは、誘電体を含んでいる。第一面１１は、電磁波を入射させるための面である。第二面１２は、第一面１１に向かって入射した電磁波の少なくとも一部を出射させるための面である。電磁波シールド１ａは、電磁波ＷEMが４５°、６０°、及び７５°の入射角度θで第一面１１に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を満たす。
１０Ｌｏｇ｜ＰR45／ＰT45｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
１０Ｌｏｇ｜ＰR60／ＰT60｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
１０Ｌｏｇ｜ＰR75／ＰT75｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【選択図】図１Ａ
【解決手段】電磁波シールド１ａは、第一面１１と、第二面１２とを有する。電磁波シールド１ａは、誘電体を含んでいる。第一面１１は、電磁波を入射させるための面である。第二面１２は、第一面１１に向かって入射した電磁波の少なくとも一部を出射させるための面である。電磁波シールド１ａは、電磁波ＷEMが４５°、６０°、及び７５°の入射角度θで第一面１１に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を満たす。
１０Ｌｏｇ｜ＰR45／ＰT45｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
１０Ｌｏｇ｜ＰR60／ＰT60｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
１０Ｌｏｇ｜ＰR75／ＰT75｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電磁波シールドであって、
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールド。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールド。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【請求項2】
前記電磁波シールドは、導電性を有する部位を有しない、請求項１に記載の電磁波シールド。
【請求項3】
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の虚部ε”は、０．１以下である、請求項１に記載の電磁波シールド。
【請求項4】
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の実部ε’は、２．０～４．０である、請求項１に記載の電磁波シールド。
【請求項5】
前記電磁波シールドは、前記（Ｉ－１）の条件及び前記（Ｉ－２）の条件の両方を満たす、請求項１に記載の電磁波シールド。
【請求項6】
前記第二面とは反対方向に前記第一面から突出している、又は、前記第一面とは反対方向に前記第二面から突出している、複数の突出部を有する、請求項１に記載の電磁波シールド。
【請求項7】
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの突出長さｐiは、０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
前記複数の突出部の少なくとも１つの突出長さｐiは、０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
【請求項8】
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの幅ｗiは、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
前記複数の突出部の少なくとも１つの幅ｗiは、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
【請求項9】
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記突出部同士の間隔ｉiは、０．５１λ≦ｉi≦１．６λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
前記突出部同士の間隔ｉiは、０．５１λ≦ｉi≦１．６λの条件を満たす、
請求項６に記載の電磁波シールド。
【請求項10】
前記突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、円形、三角形、四角形、及び５つ以上の角を有する多角形からなる群より選択される少なくとも１つを有する、請求項６に記載の電磁波シールド。
【請求項11】
前記複数の突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、格子点上の配置、平行線上の配置、及びランダムな配置からなる群より選択される少なくとも１つの配置をとる、請求項１０に記載の電磁波シールド。
【請求項12】
前記電磁波シールドは、下記（II－１）の条件及び（II－２）の条件からなる群より少なくとも１つの第二条件を満たし、
前記第二条件において、
Ｓpは、前記第一面又は前記第二面の平面視したときの前記複数の突出部の面積であり、
Ｓeは、前記第一面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積であり、
Ｓoは、前記第二面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積である、
請求項６に記載の電磁波シールド。
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
前記第二条件において、
Ｓpは、前記第一面又は前記第二面の平面視したときの前記複数の突出部の面積であり、
Ｓeは、前記第一面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積であり、
Ｓoは、前記第二面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積である、
請求項６に記載の電磁波シールド。
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波シールドに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電磁波の遮蔽のために電波吸収体を用いることが知られている。
【0003】
例えば、特許文献１及び２には、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する電波吸収体が記載されている。これらの電波吸収体は、４５°入射のＴＭ偏波、ＴＥ偏波、又は円偏波に対して所定の吸収性能を発揮する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第６９０１６２９号公報
【特許文献2】特許第６９０１６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１及び２に記載の電波吸収体は、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有している。例えば、抵抗膜は所定の抵抗値を有する必要があり、反射層としては金属膜等の電波を反射可能な部材を用いる必要があると理解される。このため、特許文献１及び２に記載の電波吸収体は、より簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から再検討の余地を有する。
【0006】
そこで、本発明は、簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から有利な電磁波シールドを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、
電磁波シールドであって、
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールドを提供する。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
電磁波シールドであって、
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールドを提供する。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【発明の効果】
【0008】
上記の電磁波シールドは、簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から有利である。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。なお、添付の図面において、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸は互いに直交している。
【0011】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃに示す通り、電磁波シールド１ａは、第一面１１と、第二面１２とを有する。電磁波シールド１ａは、誘電体を含んでいる。第一面１１は、電磁波を入射させるための面である。第一面１１は、例えば、平坦面である。第二面１２は、第一面１１に向かって入射した電磁波の少なくとも一部を出射させるための面である。第二面１２は、例えば平坦面である。
【0012】
図２は、電磁波シールド１ａが満たす条件を説明するための図である。電磁波シールド１ａは、電磁波ＷEMが４５°、６０°、及び７５°の入射角度θで第一面１１に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を満たす。電磁波ＷEMは、１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する。下記の条件において、ＰT45は、入射角度θが４５°であるように送信される電磁波ＷEMの電力［Ｗ］である。ＰR45は、入射角度θが４５°であるように電磁波ＷEMが送信されるときに、受信面ＲＰで受信される電磁波の電力［Ｗ］である。ＰT60は、入射角度θが６０°であるように送信される電磁波ＷEMの電力［Ｗ］である。ＰR60は、入射角度θが６０°であるように電磁波ＷEMが送信されるときに、受信面ＲＰで受信される電磁波の電力［Ｗ］である。ＰT75は、入射角度θが７５°であるように送信される電磁波ＷEMの電力［Ｗ］である。ＰR75は、入射角度θが７５°であるように電磁波ＷEMが送信されるときに、受信面ＲＰで受信される電磁波の電力［Ｗ］である。電磁波ＷEMの入射角度θが４５°、６０°、及び７５°であるそれぞれの場合において、受信面ＲＰは、電磁波シールド１ａの外部に存在する線分ＬＳの端点ＥＰを含んでいる。線分ＬＳは、電磁波シールド１ａにおける電磁波ＷEMの入射点ＩＰから電磁波ＷEMの入射方向と平行な方向に第二面１２と交差して端点ＥＰまで延びている。下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）において「Ｌｏｇ」は常用対数を示す。入射点ＩＰは、例えば、電磁波ＷEMのビームの中心に対応する入射点である。電磁波ＷEMは、例えば、３０ｍｍのビーム径を有する。受信面ＲＰは、端点ＥＰを中心とする線分ＬＳに垂直な直径３０ｍｍの円である。端点ＥＰと電磁波シールド１ａとの距離は、例えば、１００ｍｍ以上である。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【0013】
電力ＰT45、ＰT60、及びＰT75のそれぞれは、上記の通り、送信される電磁波ＷEMの電力を表す。電力ＰT45、ＰT60、及びＰT75は、例えば、電磁波シールド１ａが設置されていない状態で、電磁波ＷEMを送信し、受信面ＲＰでその電磁波ＷEMを受信して測定することも可能である。このため、電力ＰT45、ＰT60、及びＰT75のそれぞれは、送信される電磁波ＷEMを直接的に測定した電力でなくてもよい。
【0014】
上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を電磁波シールド１ａが満たすときに、電磁波シールド１ａに入射するように送信される電磁波ＷEMは、特定の種類の電磁波に限定されない。電磁波ＷEMは、Transverse Magnetic Wave（ＴＭ波）であってもよいし、Transverse Electric Wave（ＴＥ波）であってもよいし、円偏波であってもよいし、その他の種類の電波であってもよい。例えば、ＴＭ波、ＴＥ波、及び円偏波からなる群より選択される少なくとも１つの種類の電磁波を電磁波シールド１ａに入射させたときに、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件が満たされうる。
【0015】
上記の通り、電磁波シールド１ａの第二面１２は、第一面１１に向かって入射した電磁波の少なくとも一部を出射させる。しかし、電磁波シールド１ａは、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を満たすので、斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から有利である。加えて、電磁波シールド１ａは、誘電体を含んでいればよく、誘電体以外の材料を含んでいなくても、上記の条件を満たしうる。このため、電磁波シールド１ａは、簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現する観点から有利である。本明細書において、電磁波シールドは、電磁波のエネルギーを減衰させる機能を発揮しうる物品である。電磁波シールドが電磁波のエネルギーを減衰させる原理は、特定の原理に限定されない。その原理は、例えば、電磁波と電磁波シールドとの相互作用に伴う反射、透過、吸収、回折、及び干渉等の現象、並びに、これらの現象に起因して生じる電磁波の散乱及び拡散等の現象を利用したものでありうる。
【0016】
電磁波シールド１ａは、望ましくは、（Ｉ－１）の条件及び（Ｉ－２）の条件の両方を満たす。この場合、電磁波シールド１ａは、様々な入射角度で斜めに入射する電磁波を遮蔽して、その電磁波の影響が特定領域に及ぶことを防止しやすい。
【0017】
電磁波シールド１ａは、例えば、導電性を有する部位を有しない。電磁波の遮蔽のために、例えば、金属膜等の導電性を有する部位によって電磁波を反射させることが考えられる。一方、電磁波シールド１ａによれば、導電性を有する部位を有していなくても、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件を満たされうる。このため、簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽を実現しやすい。電磁波シールド１ａは、誘電体のみによって構成されていてもよいし、導電性を有する部位を含んでいてもよい。
【0018】
電磁波シールド１ａに含まれる誘電体の比誘電率の虚部ε”は、特定の値に限定されない。例えば、１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数ｆgにおける誘電体の比誘電率の虚部ε”は、０．１以下である。誘電損失を利用して電磁波を減衰させる場合、誘電体の虚部ε”の値が大きいことが望ましいように思われる。一方、電磁波シールド１ａによれば、誘電体の比誘電率の虚部ε”が０．１以下と小さくても、電磁波シールド１ａにおいて、電磁波シールド１ａと電磁波との相互作用に伴い生じる現象を調節することにより、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件が満たされうる。虚部ε”は、０．０５以下であってもよいし、０．０１以下であってもよい。
【0019】
電磁波シールド１ａに含まれる誘電体の比誘電率の実部ε’は、特定の値に限定されない。例えば、周波数ｆgにおける誘電体の比誘電率の実部ε’は、２．０～４．０である。このような場合でも、電磁波シールド１ａにおいて、電磁波シールド１ａと電磁波との相互作用に伴い生じる現象を調整することにより、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件が満たされうる。実部ε’は、３．８以下であってもよいし、３．６以下であってもよいし、３．４以下であってもよいし、３．２以下であってもよいし、３．０以下であってもよいし、２．８以下であってもよいし、２．６以下であってもよいし、２．４以下であってもよい。
【0020】
電磁波シールド１ａに含まれる誘電体は、特定の材料に限定されない。誘電体は、例えば樹脂である。樹脂は、例えば、熱可塑性樹脂である。樹脂は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、アクリロニトリルスチレン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ＡＳＡ樹脂、ＡＥＳ樹脂、ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、ＭＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＰＤＭ、ＰＰＳ、ＰＥＥＫ、ＰＰＥ、ポリサルフォン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、オレフィン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＯ）等の熱可塑性エラストマー、又はアクリルエラストマーである。樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよい。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はシリコーン樹脂である。誘電体は、単一種類の樹脂のみを含んでいてもよいし、複数種類の樹脂を含んでいてもよい。
【0021】
電磁波シールド１ａは、例えば、フィラーを含んでいてもよい。フィラーは、カーボンブラック等の着色材であってもよく、タルク、グラスファイバー、及び鉱物等の無機補強材であってもよく、軟化剤であってもよい。電磁波シールド１ａは、難燃剤及び可塑剤等の添加剤を含んでいてもよい。電磁波シールド１ａは、フィラーを含んでいなくてもよい。この場合、電磁波シールド１ａの製造コストが低くなりやすい。
【0022】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃに示す通り、電磁波シールド１ａは、例えば、複数の突出部１５を有する。複数の突出部１５は、例えば、第二面１２とは反対方向に第一面１１から突出している。複数の突出部１５は、第一面１１とは反対方向に第二面１２から突出していてもよい。このような構成によれば、電磁波シールド１ａが簡素な構成であっても、上記の（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの条件が満たされやすい。
【0023】
電磁波シールド１ａは、例えば、ミリ波レーダ、ミリ波無線通信、及びミリ波センシング等の用途のための電磁波シールドとして使用することができる。電磁波シールド１ａが適用された機器は、例えば、自動車及び無線基地局等に使用できる。電磁波シールド１ａがミリ波レーダ用である場合、２４ＧＨｚ帯、６０ＧＨｚ帯、７６ＧＨｚ帯、及び７９ＧＨｚ帯からなる群より選ばれる１つの周波数帯のミリ波レーダに電磁波シールド１ａを使用できる。なお、電磁波シールド１ａは、特定波長の電磁波のみを遮蔽するものではなく、広い波長領域の電磁波を遮蔽してもよいが、特定の波長λの電磁波を「遮蔽対象」として定めて考えることができる。例えば、実質的に照射される電磁波の周波数が７６～７７ＧＨｚである、即ち実質的な照射波長が３．８９～３．９４ｍｍである車載用ミリ波レーダとともに設置されている電磁波シールドの場合には、中心周波数７６．５ＧＨｚの波長である３．９２ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。使用される電磁波の周波数が７７～８１ＧＨｚである、即ち使用電磁波の波長が３．７０～３．８９ｍｍである車載用ミリ波レーダのための電磁波シールドであると表記されている場合には、中心周波数７９ＧＨｚの波長である３．７９ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。使用される電磁波の周波数が２４．０５～２４．２５ＧＨｚである、即ち使用電磁波の波長が１２．３６～１２．４７ｍｍである車載用ミリ波レーダのための電磁波シールドであると表記されている場合には、中心周波数２４．１５ＧＨｚの波長である１２．４１ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。使用される電磁波の周波数が６０．０～６０．１ＧＨｚである、即ち使用電磁波の波長が４．９９～５．００ｍｍであるミリ波レーダのための電磁波シールドであると表記されている場合には、中心周波数６０．０５ＧＨｚの波長である４．９９ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。使用される電磁波の周波数が２７～２９．５ＧＨｚである、即ち使用電磁波の波長が１０．１６～１１．１０ｍｍであるミリ波無線のための電磁波シールドであると表記されている場合には、中心周波数２８．２５ＧＨｚの波長である１０．６１ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。電磁波シールドが対応周波数７０～９０ＧＨｚ、即ち対応波長が３．３３～４．２８ｍｍであると表記されて販売等されている場合には、中心周波数８０ＧＨｚの波長である３．７５ｍｍを、この電磁波シールドの遮蔽対象である波長λとして判断することができる。
【0024】
突出部１５の突出長さｐiは特定の値に限定されない。突出長さｐiは、突出部１５の突出方向における突出部１５の寸法である。突出長さｐiを前述の電磁波シールドの遮蔽対象となる特定波長λと対比した場合、複数の突出部１５の少なくとも１つの突出長さｐiは、例えば、０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす。これにより、電磁波シールド１ａに波長λの電磁波が斜めに入射するときに電磁波シールド１ａが所望の遮蔽性能を発揮しやすい。図１Ｂに示す通り、電磁波シールド１ａにおいて、突出部１５は第一平面１１に垂直な方向に突出している。
【0025】
突出長さｐiは、０．３０λ以上であってもよいし、０．３５λ以上であってもよいし、０．４０λ以上であってもよいし、０．４５λ以上であってもよいし、０．５０λ以上であってもよい。突出長さｐiは、１．２λ以下であってもよいし、１．１λ以下であってもよいし、１．０λ以下であってもよいし、０．９λ以下であってもよい。
【0026】
複数の突出部１５において、例えば、個数基準で５０％以上の突出部１５が０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす。個数基準で６０％以上の突出部１５が０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たしていてもよい。個数基準で７０％以上の突出部１５が０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たしていてもよい。個数基準で８０％以上の突出部１５が０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たしていてもよい。個数基準で９０％以上の突出部１５が０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たしていてもよい。複数の突出部１５の全てが０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たしていてもよい。
【0027】
突出部１５の幅ｗiは特定の値に限定されない。幅ｗiは、突出部１５をその突出方向と反対方向から見たときの突出部１５の輪郭をその輪郭に接するように一対の平行な直線で挟んだときにその直線同士の距離が最小になる方向におけるその輪郭の寸法である。幅ｗiを前述の電磁波シールドの遮蔽対象となる特定波長λと対比した場合、複数の突出部１５の少なくとも１つの幅ｗiは、例えば、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす。これにより、電磁波シールド１ａに波長λの電磁波が斜めに入射するときに電磁波シールド１ａが所望の遮蔽性能を発揮しやすい。
【0028】
幅ｗiは、０．５５λ以上であってもよいし、０．６０λ以上であってもよいし、０．６５λ以上であってもよいし、０．７０λ以上であってもよいし、０．７５λ以上であってもよい。幅ｗiは、１．５λ以下であってもよいし、１．４λ以下であってもよいし、１．３λ以下であってもよいし、１．２λ以下であってもよいし、１．１λ以下であってもよいし、１．０λ以下であってもよい。
【0029】
複数の突出部１５において、例えば、個数基準で５０％以上の突出部１５が０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす。個数基準で６０％以上の突出部１５が０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たしていてもよい。個数基準で７０％以上の突出部１５が０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たしていてもよい。個数基準で８０％以上の突出部１５が０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たしていてもよい。個数基準で９０％以上の突出部１５が０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たしていてもよい。複数の突出部１５の全てが０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たしていてもよい。
【0030】
突出部１５同士の間隔ｉiは特定の値に限定されない。間隔ｉiは、第一面１１又は第二面１２に平行な方向における突出部１５同士の最短距離である。間隔ｉiを前述の電磁波シールドの遮蔽対象となる特定波長λと対比した場合、間隔ｉiは、例えば、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす。これにより、電磁波シールド１ａに波長λの電磁波が斜めに入射するときに電磁波シールド１ａが所望の遮蔽性能を発揮しやすい。
【0031】
間隔ｉiは、０．５５λ以上であってもよいし、０．６０λ以上であってもよいし、０．６５λ以上であってもよいし、０．７０λ以上であってもよいし、０．７５λ以上であってもよい。間隔ｉiは、１．５λ以下であってもよいし、１．４λ以下であってもよいし、１．３λ以下であってもよい。
【0032】
突出部１５の形状は特定の形状に限定されない。突出部１５は、例えば、第一面１１又は第二面１２の平面視において、円形、三角形、四角形、及び５つ以上の角を有する多角形からなる群より選択される少なくとも１つの形状を有する。図１Ｃに示す通り、電磁波シールド１ａにおいて、突出部１５は、例えば、第一面１１の平面視において、長方形状である。
【0033】
突出部１５は、例えば、円柱、角柱、円錐、角錐、円錐台、及び角錐台からなる群より選ばれる少なくとも１つをなすように形成されている。突出部１５は、条をなすように形成されていてもよい。
【0034】
複数の突出部１５の配置は特定の配置に限定されない。複数の突出部１５は、例えば、第一面１１又は第二面１２の平面視において、格子点上の配置、平行線上の配置、及びランダムな配置からなる群より選択される少なくとも１つの配置をとる。これにより、電磁波シールド１ａに波長λの電磁波が斜めに入射するときに電磁波シールド１ａが広い範囲で所望の遮蔽性能を発揮しやすい。格子点とは、平面格子をなす点である。平面格子とは、平面上の点の配列であって、２つの独立な方向へのそれぞれ一定距離の平行移動で不変な配列である。格子点上の配置によれば、複数の突出部１５の対応する特定位置が平面格子をなすように複数の突出部１５が配置されている。平行線上の配置によれば、複数の突出部１５の対応する特定の線状の部位が平行線をなすように複数の突出部１５が配置されている。ランダムな配置によれば、複数の突出部１５の対応する特定位置又は線状の部位がランダムに配置されている。図１Ｃに示す通り、電磁波シールド１ａにおいて、突出部１５は、第一面１１の平面視において、例えば、等間隔で配置された平行線上の配置をとっている。
【0035】
電磁波シールド１ａは、例えば、下記（II－１）の条件及び（II－２）の条件からなる群より少なくとも１つの条件を満たす。このような構成によれば、電磁波シールド１ａに波長λの電磁波が斜めに入射するときに電磁波シールド１ａが広い範囲で所望の遮蔽性能を発揮しやすい。下記条件において、Ｓpは、第一面１１又は第二面１２を平面視したときの複数の突出部１５の面積である。Ｓeは、第一面１１の平面視における電磁波シールド１ａの全体の面積である。Ｓoは、第二面１２の平面視における電磁波シールド１ａの全体の面積である。
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
【0036】
電磁波シールド１ａが（II－１）の条件を満たす場合、Ｓp／Ｓeは、０．２５以上であってもよいし、０．３０以上であってもよいし、０．３５以上であってもよい。加えて、Ｓp／Ｓeは、０．７５以下であってもよいし、０．７０以下であってもよいし、０．６５以下であってもよいし、０．６０以下であってもよい。
【0037】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃに示す通り、電磁波シールド１ａにおいて、第一面１１及び第二面１２は互いに平行である。この場合、第一面１１と第二面１２との距離ｄiは特定の値に限定されない。距離ｄiは、例えば、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。この場合、電磁波シールド１ａの成形がしやすい。
【0038】
電磁波シールド１ａは、例えば、樹脂成型品である。この場合、電磁波シールド１ａの製造コストが低減されやすい。
【0039】
電磁波シールド１ａは、様々な観点から変更可能である。電磁波シールド１ａは、図３に示す電磁波シールド１ｂ又は図４に示す電磁波シールド１ｃのように変更されてもよい。電磁波シールド１ｂ及び電磁波シールド１ｃのそれぞれは、特に説明する部分を除き、電磁波シールド１ａと同様に構成されている。電磁波シールド１ａの構成要素に対応する、電磁波シールド１ｂ及び電磁波シールド１ｃの構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。電磁波シールド１ａに関する説明は技術的に矛盾しない限り、電磁波シールド１ｂ及び１ｃにも当てはまる。
【0040】
図３に示す通り、電磁波シールド１ｂにおいて、複数の突出部１５は、第一面１１の平面視において正方形状でありうる。加えて、複数の突出部１５は、平行四辺形格子の格子点上の配置をとっている。このような構成によれば、電磁波シールド１ｂに電磁波が様々な方向から斜めに入射するときに電磁波シールド１ｂが所望の遮蔽性能を発揮しやすい。
【0041】
図４に示す通り、電磁波シールド１ｃにおいて、複数の突出部１５は、第一面１１に平行な方向及び第一面１１に垂直な方向から傾斜した方向に沿って突出していてもよい。このような構成によれば、第一面１１が斜面をなすように電磁波シールド１ｃを成形する必要がある場合でも、斜めに入射する電磁波に対して電磁波シールド１ｃが所望の遮蔽性能を発揮しやすい。
【0042】
電磁波シールド１ａ、１ｂ、及び１ｃにおいて、電磁波の遮蔽のために生じる電磁波シールドと電磁波との相互作用は、特定の相互作用に限定されない。電磁波シールド１ａ、１ｂ、及び１ｃのそれぞれは、例えば、第一面１１に向かって入射された電波の少なくとも一部を透過させ、第二面１２から散乱状態の電波を出射させる。換言すると、電磁波シールド１ａ、１ｂ、及び１ｃのそれぞれは、電波透過散乱体として機能しうる。これにより、簡素な構成で斜めに入射する電磁波の遮蔽をより実現しやすい。
【0043】
電磁波シールド１ａ、１ｂ、及び１ｃのそれぞれは、例えば、０．１％以上の散乱率を有する。散乱率とは、第一面１１に向かって電磁波を所定の入射角で入射させたときに出第二面１２から出射される直進透過波の強度に対する特定の透過散乱波の強度の比であり、例えば、以下の式（１）に従って決定される。式（１）における透過散乱波の強度は、例えば、（１５×ｋ）°の散乱角を有する透過散乱波の強度の和である。散乱角は、直進透過波の出射方向と透過散乱波の出射方向とのなす角である。ｋは、１からｎまでの整数である。例えば、入射角が４５°である場合、ｎ＝８であり、入射角が６０°である場合、ｎ＝７であり、入射角が７５°である場合、ｎ＝６である。
散乱率＝透過散乱波の強度／直進透過波の強度 式（１）
散乱率＝透過散乱波の強度／直進透過波の強度 式（１）
【0044】
透過散乱波の強度及び直進透過波の強度は、例えば、第一面１１に向かって電磁波を所定の入射角で入射させたときの直進方向における透過減衰量及び所定の散乱角における透過減衰量を、日本産業規格JIS R 1679:2007を参照して測定することによって決定できる。透過減衰量は、以下の式（２）で表される。式（２）において、Ｐiは受信電力であり、Ｐ0は送信電力である。｜Ｐi／Ｐ0｜が透過波の強度に相当する。
透過減衰量＝｜１０Ｌｏｇ（Ｐi／Ｐ0）｜ 式（２）
透過減衰量＝｜１０Ｌｏｇ（Ｐi／Ｐ0）｜ 式（２）
【0045】
電磁波シールド１ａ、１ｂ、及び１ｃのそれぞれの散乱率は、１％以上であってもよく、５％以上であってもよく、１０％以上であってもよく、２０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、１００％以上であってもよく、１５０％以上であってもよく、２００％以上であってもよい。
【実施例0046】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。
【0047】
［比誘電率］
キーコム社製の電波送受信機EAS02を用いて、２．０ｍｍの厚みのポリプロピレン（ＰＰ）製の平板の７０～９０ＧＨｚにおける反射減衰量を、日本産業規格JIS R 1679:2007を参照して、下記に示す手順に従って測定した。図５Ａに示す通り、サンプルホルダＳＨと、ミリ波レンズＬと、送受信機ＴＲとを配置し、サンプルホルダＳＨにステンレス製の金属板を配置した状態で電波の送受信を行った。金属板は、１５０ｍｍの直径及び２ｍｍの厚みを有していた。金属板によって電波が全量反射する、反射減衰量が０ｄＢである状態を水準とし、ＰＰ樹脂の平板に垂直に電波を入射させたときの反射減衰量の測定の基準とした。金属板の代わりにサンプルホルダＳＨにＰＰ樹脂の平板を配置して電波の送受信を行い、反射減衰量を測定した。
キーコム社製の電波送受信機EAS02を用いて、２．０ｍｍの厚みのポリプロピレン（ＰＰ）製の平板の７０～９０ＧＨｚにおける反射減衰量を、日本産業規格JIS R 1679:2007を参照して、下記に示す手順に従って測定した。図５Ａに示す通り、サンプルホルダＳＨと、ミリ波レンズＬと、送受信機ＴＲとを配置し、サンプルホルダＳＨにステンレス製の金属板を配置した状態で電波の送受信を行った。金属板は、１５０ｍｍの直径及び２ｍｍの厚みを有していた。金属板によって電波が全量反射する、反射減衰量が０ｄＢである状態を水準とし、ＰＰ樹脂の平板に垂直に電波を入射させたときの反射減衰量の測定の基準とした。金属板の代わりにサンプルホルダＳＨにＰＰ樹脂の平板を配置して電波の送受信を行い、反射減衰量を測定した。
【0048】
次に、上記のＰＰ樹脂の平板の７０～９０ＧＨｚにおける透過減衰量をJIS R 1679:2007を参照して測定した。この測定において、図５Ｂに示す測定系を用いた。図５Ｂに示す通り、この測定系において、サンプルホルダＳＨ、ミリ波レンズＬ、送信器Ｔ、及び受信器Ｒを配置した。送信器Ｔから送信され、かつ、ミリ波レンズＬによって３０ｍｍの直径（ビーム径）に調整された電波ＥがサンプルホルダＳＨに照射される。サンプルホルダＳＨには何もセットしない状態で電波Ｅの送受信を行い、透過減衰量が０ｄＢ（電波が全量透過）の状態を各サンプルの面方向に対する垂直入射の透過減衰量測定の基準とした。次に、サンプルホルダＳＨにＰＰ樹脂の平板をセットした後、この平板に垂直な方向に送信器Ｔ及び受信器Ｒが同一直線上に位置するように、受信器Ｒを配置した。この状態で、波長λを有する電波Ｅの送受信を行い、透過減衰量を測定した。透過減衰量は、以下の式（３）で算出される値の絶対値で示される。式（３）において、Ｐiは受信電力であり、Ｐ0は送信電力である。
｜１０Ｌｏｇ（Ｐi／Ｐ0）｜ 式（３）
｜１０Ｌｏｇ（Ｐi／Ｐ0）｜ 式（３）
【0049】
材料のインピーダンスＺ、伝播定数γは以下の式（４）及び（５）で表される。式（４）及び（５）において、Ｚ0は、空気のインピーダンスである。μrは材料の比透磁率であり、μr＝μr'－ｊμr'の関係がある。εrは材料の比誘電率であり、εr＝εr'－ｊεr''の関係がある。λは電波の波長である。ｊは、虚数単位である。
Ｚ＝Ｚ0（μr／εr）0.5 式（４）
γ＝（ｊ２π／λ）εr 0.5μr 0.5 式（５）
Ｚ＝Ｚ0（μr／εr）0.5 式（４）
γ＝（ｊ２π／λ）εr 0.5μr 0.5 式（５）
【0050】
対象の厚みをｔとしたとき、上記のインピーダンスＺ及び伝播定数γから、伝送線路理論により、反射減衰量及び透過減衰量は、以下の式（６）及び（７）で表される。式（６）及び（７）において、Ａ＝ｃｏｓｈ（γｔ），Ｂ＝Ｚｓｉｎｈ（γｔ），Ｃ＝（１／Ｚ）ｓｉｎｈ（γｔ），Ｄ＝ｃｏｓｈ（γｔ）の関係がある。
透過減衰量（ｄＢ）＝２０Ｌｏｇ｛２／（Ａ＋Ｂ／Ｚ0＋ＣＺ0＋Ｄ）｝ 式（６）
反射減衰量（ｄＢ）＝２０Ｌｏｇ｛（Ａ＋Ｂ／Ｚ0－ＣＺ0－Ｄ）／（Ａ＋Ｂ／Ｚ0＋ＣＺ0＋Ｄ） 式（７）
透過減衰量（ｄＢ）＝２０Ｌｏｇ｛２／（Ａ＋Ｂ／Ｚ0＋ＣＺ0＋Ｄ）｝ 式（６）
反射減衰量（ｄＢ）＝２０Ｌｏｇ｛（Ａ＋Ｂ／Ｚ0－ＣＺ0－Ｄ）／（Ａ＋Ｂ／Ｚ0＋ＣＺ0＋Ｄ） 式（７）
【0051】
比透磁率μr及び比誘電率εrの予想値を式（６）及び（７）へ代入し、得られたＺ、γ、及びＰＰ樹脂の平板の厚み２．０ｍｍに基づいて、７０～９０ＧＨｚにおける反射減衰量及び透過減衰量を式（６）及び（７）から算出した。
【0052】
実測値から算出された反射減衰量の曲線と上記の式（４）、（５）、及び（７）から算出された反射減衰量の曲線とに対し、最小二乗法によるカーブフィッティングを行った。加えて、実測値から算出された透過減衰量の曲線と上記の式（４）、（５）、及び（６）から算出された透過減衰量の曲線とに対し、最小二乗法によるカーブフィッティングを行った。このようにして、ＰＰの尤もらしい比誘電率εrを決定した。その結果、ＰＰの比誘電率の実部ε’及び虚部ε”は、それぞれ、２．３０及び０．００であった。
【0053】
［電磁界解析］
Ansys社製の電磁界解析ソフトウェアHFSS“Version. 2021R1”を用いて、図６に示す解析モデルＭ１の電磁界解析を行った。解析モデルＭ１において、計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２が定義されている。解析モデルＭ１において、計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２における電界の強度がマクスウェル方程式を数値的に解くことによって求められた。これらの計算対象空間の内部では有限要素法が適用され、これらの計算対象空間の境界ではモーメント法が適用された。
Ansys社製の電磁界解析ソフトウェアHFSS“Version. 2021R1”を用いて、図６に示す解析モデルＭ１の電磁界解析を行った。解析モデルＭ１において、計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２が定義されている。解析モデルＭ１において、計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２における電界の強度がマクスウェル方程式を数値的に解くことによって求められた。これらの計算対象空間の内部では有限要素法が適用され、これらの計算対象空間の境界ではモーメント法が適用された。
【0054】
計算対象空間Ｖ１には、評価対象Ｓ１が存在していた。上記のＰＰの比誘電率の測定結果に基づいて、評価対象Ｓ１の一部の比誘電率の実部ε’及び虚部ε”を、それぞれ、２．３０及び０．００に設定した。また、表１～表３に示す通り、比較のために、評価対象Ｓ１の別の一部の実部ε’を１．５０～１．９０に設定した。評価対象Ｓ１は、複数の突出部を有する板状であった。評価対象Ｓ１は、平面視で１辺の長さが７０ｍｍの正方形状であり、かつ、２．５ｍｍの厚みを有する平板の一方の主面から、平面視で平行な直線上に等間隔で配置された突条をなす複数の突出部が形成されていた。各突出部の側面は、平板の一方の主面に垂直であり、上記の平行な直線に平行な平面に対して３°の角度で傾斜しており、突出部の突出方向において窄んでいた。突出部の先端部のコーナーは０．５ｍｍの曲率半径を有するように形成されていた。評価対象Ｓ１における突出部の突出長さｐi、平板の一方の主面に平行な方向における突出部同士の間隔ii、及び平板の一方の主面と突出部との境界における突出部の幅ｗiをそれぞれ表１に示すように調整して複数の評価対象Ｓ１を作製した。加えて、評価対象Ｓ１の一方の主面を平面視した場合にその主面において複数の突出部が存在する領域の全体の面積Ｓeに対する複数の突出部が占める面積Ｓpの比Ｓp／Ｓeは表１～３に示す通りであった。評価対象Ｓ１の他方の主面は平坦であった。
【0055】
評価対象Ｓ１に３０ｍｍの直径（ビーム径）を有する７６．５ＧＨｚの周波数（波長λ：約３．９１９ｍｍ）のＴＭ波を評価対象Ｓ１の複数の突出部を有する一方の主面又は評価対象Ｓ１の平坦な他方の主面に対して４５°、６０°、及び７５°の入射角度で入射させたときの計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２における電界強度を計算した。ＴＭ波の電界の振幅方向は、突出部がなす突条の長手方向と平行な成分を有していた。一方、ＴＭ波の電界の振幅方向の平板の一方の主面に平行かつ突出部がなす突条の長手方向に垂直な成分はゼロであった。
【0056】
計算対象空間Ｖ２は、評価対象Ｓ１から離れており、受信面Ｆが存在していた。受信面Ｆは、直径３０ｍｍの円であり、その円の中心には、評価対象Ｓ１におけるＴＭ波の入射点から、他方の主面又は一方の主面と交差しており、かつ、ＴＭ波の入射方向に平行に延びている線分の端点が存在していた。受信面Ｆの中心と評価対象Ｓ１との距離は１２０ｍｍに設定した。上記の線分の評価対象Ｓ１の他方の主面との交点を原点と定めた。入射点は、受信面Ｆの中心及び原点と同一直線上に位置していた。
【0057】
各入射角度θで評価対象Ｓ１に入射させたときのＴＭ波の送信電力ＰTθ[Ｗ]及び受信面Ｆにおける電磁波の受信電力ＰRθ[Ｗ]の計算値に基づいて、下記式（８）から透過減衰量Ｔ［ｄＢ］を求めた。解析モデルにおいて評価対象が配置されていない状態でＴＭ波が送信されたときに受信面Ｆで受信される電磁波の電力を送信電力ＰTθ[Ｗ]とみなした。結果を表１～４に示す。表１～３の解析Ｎｏ．２～２９、３１～５８、及び６０～８１において、評価対象Ｓ１の複数の突出部を有する一方の主面にＴＭ波が入射されたときの電界強度が計算された。表４の解析Ｎｏ．８２～８４において、評価対象Ｓ１の平坦な他方の主面にＴＭ波が入射されたときの電界強度が計算された。解析Ｎｏ．８２、Ｎｏ．８３、及びＮｏ．８４の計算対象空間Ｖ１における評価対象Ｓ１の配置は、それぞれ、解析Ｎｏ．２８、Ｎｏ．５７、及びＮｏ．８１の計算対象空間Ｖ１における評価対象Ｓ１の配置を１８０°反転させたものである。
Ｔ＝｜１０Ｌｏｇ（ＰRθ／ＰTθ）| 式（８）
Ｔ＝｜１０Ｌｏｇ（ＰRθ／ＰTθ）| 式（８）
【0058】
評価対象Ｓ１の代わりに、図７に示す評価対象Ｓ２を用いた以外は解析モデルＭ１と同様にして解析モデルＭ２を作成した。評価対象Ｓ２は、平面視で１辺の長さが７０ｍｍの正方形状であり、かつ、２．５ｍｍの厚みを有する平板である。評価対象Ｓ２の両主面には突出部は存在せず、両主面は平坦である。評価対象Ｓ２の比誘電率の実部及び虚部は、それぞれ、２．３０及び０．００に設定した。
【0059】
評価対象Ｓ１に３０ｍｍの直径（ビーム径）を有する７６．５ＧＨｚの周波数（波長λ：約３．９１９ｍｍ）のＴＭ波を評価対象Ｓ２の複数の一方の主面に対して４５°、６０°、及び７５°の入射角度で入射させたときの計算対象空間Ｖ１及び計算対象空間Ｖ２における電界強度を計算した。各入射角度θで評価対象Ｓ２に入射させたときのＴＭ波の送信電力ＰTθ[Ｗ]及び受信面Ｆにおける電磁波の受信電力ＰRθ[Ｗ]の計算値に基づいて、上記式（８）から透過減衰量Ｔ［ｄＢ］を求めた。結果を表１～３に示す。表１～３における解析Ｎｏ．１、３０、及び５９が評価対象Ｓ２を含む解析モデルＭ２の解析条件及び解析結果を示す。
【0060】
表１～３に示す通り、評価対象Ｓ２を含む解析モデルＭ２に関する、解析Ｎｏ．１、３０、及び５９において、透過減衰量Ｔは５ｄＢ未満であった。加えて、評価対象Ｓ１の比誘電率の実部が２．０未満である、解析Ｎｏ．２、１０、３２、３６、３８～４０において、透過減衰量Ｔは５ｄＢ未満であった。評価対象Ｓ１が複数の突出部を有する解析モデルＭ１において、比誘電率及び突出部の寸法を調整することによって、透過減衰量Ｔを５ｄＢ以上にできることが示唆された。
【0061】
図８Ａは、解析Ｎｏ．２～２８における透過減衰量Ｔと比Ｓp／Ｓeとの関係を示すグラフである。図８Ｂは、解析Ｎｏ．２９及び３１～５７における透過減衰量Ｔと比Ｓp／Ｓeとの関係を示すグラフである。図８Ｃは、解析Ｎｏ．５８及び６０～８１における透過減衰量Ｔと比Ｓp／Ｓeとの関係を示すグラフである。図８Ａ～図８Ｃに示す通り、比Ｓp／Ｓeが小さいと、透過減衰量Ｔが大きくなりやすいことが示唆された。
【0062】
本発明の第１側面は、
電磁波シールドであって、
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールドを提供する。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
電磁波シールドであって、
誘電体を含み、
電磁波を入射させるための第一面と、
前記第一面に向かって入射した前記電磁波の少なくとも一部を出射させるための第二面と、を有し、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数を有する電磁波が４５°、６０°、及び７５°の入射角度で前記第一面に向かって入射するように送信されるときに、下記（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、及び（Ｉ－３）からなる群より選ばれる少なくとも１つの第一条件を満たし、
前記第一条件において、
ＰT45は、前記入射角度が４５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR45は、前記入射角度が４５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第一線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT60は、前記入射角度が６０°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR60は、前記入射角度が６０°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第二線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰT75は、前記入射角度が７５°であるように送信される前記電磁波の電力［Ｗ］であり、
ＰR75は、前記入射角度が７５°であるように前記電磁波が送信されるときに、前記電磁波の前記電磁波シールドにおける入射点から前記電磁波の入射方向と平行な方向に前記第二面と交差して前記電磁波シールドの外部に延びる第三線分の前記外部における端点を含む受信面で受信される電磁波の電力［Ｗ］である、
電磁波シールドを提供する。
｜１０Ｌｏｇ（ＰR45／ＰT45）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－１）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR60／ＰT60）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－２）
｜１０Ｌｏｇ（ＰR75／ＰT75）｜≧５．０［ｄＢ］ （Ｉ－３）
【0063】
本発明の第２側面は、第１側面において、
前記電磁波シールドは、導電性を有する部位を有しない、電磁波シールドを提供する。
前記電磁波シールドは、導電性を有する部位を有しない、電磁波シールドを提供する。
【0064】
本発明の第３側面は、第１側面又は第２側面において、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の虚部ε”は、０．１以下である、電磁波シールドを提供する。
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の虚部ε”は、０．１以下である、電磁波シールドを提供する。
【0065】
本発明の第４側面は、第１側面から第３側面のいずれか１つの側面において、
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の実部ε’は、２．０～４．０である、電磁波シールドを提供する。
１０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲に含まれる少なくとも１つの周波数における前記誘電体の比誘電率の実部ε’は、２．０～４．０である、電磁波シールドを提供する。
【0066】
本発明の第５側面は、第１側面から第４側面のいずれか１つの側面において、
前記電磁波シールドは、前記（Ｉ－１）の条件及び前記（Ｉ－２）の条件の両方を満たす、電磁波シールドを提供する。
前記電磁波シールドは、前記（Ｉ－１）の条件及び前記（Ｉ－２）の条件の両方を満たす、電磁波シールドを提供する。
【0067】
本発明の第６側面は、第１側面から第５側面のいずれか１つの側面において、
前記第二面とは反対方向に前記第一面から突出している、又は、前記第一面とは反対方向に前記第二面から突出している、複数の突出部を有する、電磁波シールドを提供する。
前記第二面とは反対方向に前記第一面から突出している、又は、前記第一面とは反対方向に前記第二面から突出している、複数の突出部を有する、電磁波シールドを提供する。
【0068】
本発明の第７側面は、第６側面において、
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの突出長さｐiは、０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの突出長さｐiは、０．２５λ≦ｐi≦１．３λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
【0069】
本発明の第８側面は、第６側面又は第７側面において、
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの幅ｗiは、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記複数の突出部の少なくとも１つの幅ｗiは、０．５１λ≦ｗi≦１．６λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
【0070】
本発明の第９側面は、第６側面から第８側面のいずれか１つの側面において、
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記突出部同士の間隔ｉiは、０．５１λ≦ｉi≦１．６λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
前記電磁波シールドは、波長λの電磁波を遮蔽対象とし、
前記突出部同士の間隔ｉiは、０．５１λ≦ｉi≦１．６λの条件を満たす、
電磁波シールドを提供する。
【0071】
本発明の第１０側面は、第６側面から第９側面のいずれか１つの側面において、
前記突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、円形、三角形、四角形、及び５つ以上の角を有する多角形からなる群より選択される少なくとも１つを有する、
電磁波シールドを提供する。
前記突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、円形、三角形、四角形、及び５つ以上の角を有する多角形からなる群より選択される少なくとも１つを有する、
電磁波シールドを提供する。
【0072】
本発明の第１１側面は、第１０側面において、
前記複数の突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、格子点上の配置、平行線上の配置、及びランダムな配置からなる群より選択される少なくとも１つの配置をとる、電磁波シールドを提供する。
前記複数の突出部は、前記第一面又は前記第二面の平面視において、格子点上の配置、平行線上の配置、及びランダムな配置からなる群より選択される少なくとも１つの配置をとる、電磁波シールドを提供する。
【0073】
本発明の第１２側面は、第６側面から第１１側面のいずれか１つの側面において、
前記電磁波シールドは、下記（II－１）の条件及び（II－２）の条件からなる群より少なくとも１つの第二条件を満たし、
前記第二条件において、
Ｓpは、前記第一面又は前記第二面の平面視したときの前記複数の突出部の面積であり、
Ｓeは、前記第一面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積であり、
Ｓoは、前記第二面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積である、
電磁波シールドを提供する。。
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
前記電磁波シールドは、下記（II－１）の条件及び（II－２）の条件からなる群より少なくとも１つの第二条件を満たし、
前記第二条件において、
Ｓpは、前記第一面又は前記第二面の平面視したときの前記複数の突出部の面積であり、
Ｓeは、前記第一面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積であり、
Ｓoは、前記第二面の平面視における前記電磁波シールドの全体の面積である、
電磁波シールドを提供する。。
０．２≦Ｓp／Ｓe≦０．８ （II－１）
０．２≦Ｓp／Ｓo≦０．８ （II－２）
【0074】
【表1】
【0075】
【表2】
【0076】
【表3】
【0077】
【表4】
【符号の説明】
【0078】
１ａ、１ｂ、１ｃ 電磁波シールド
１１ 第一面
１２ 第二面
１５ 突出部
ＥＰ 端点
ＲＰ 受信面
ＩＰ 入射点
１１ 第一面
１２ 第二面
１５ 突出部
ＥＰ 端点
ＲＰ 受信面
ＩＰ 入射点
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
