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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023183356
(43)【公開日】2023-12-27
(54)【発明の名称】配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20231220BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20231220BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20231220BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20231220BHJP
H05K 3/18 20060101ALI20231220BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K1/09 B
H05K1/11 H
H05K3/40 E
H05K3/18 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022168719
(22)【出願日】2022-10-20
(31)【優先権主張番号】P 2022096919
(32)【優先日】2022-06-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】池田 敬裕
(72)【発明者】
【氏名】山田 恭太郎
(72)【発明者】
【氏名】石川 岳人
(72)【発明者】
【氏名】▲桑▼山 裕紀
(72)【発明者】
【氏名】武田 雄希
【テーマコード（参考）】
4E351
5E317
5E338
5E343
【Ｆターム（参考）】
4E351AA03
4E351AA04
4E351BB33
4E351BB46
4E351BB49
4E351CC03
4E351DD04
4E351DD05
4E351DD06
4E351DD10
4E351DD11
4E351DD17
4E351DD19
4E351GG09
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB03
5E317BB12
5E317BB13
5E317BB14
5E317BB15
5E317BB16
5E317BB17
5E317CC33
5E317CD15
5E317CD18
5E317CD25
5E317GG11
5E338AA02
5E338BB13
5E338BB25
5E338CC06
5E338CD05
5E338EE11
5E343DD25
5E343DD43
5E343EE17
5E343FF16
5E343GG13
(57)【要約】
【課題】第１金属薄膜の下の金属層を保護しつつ、導体パターンと、第１金属薄膜の下の金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
配線回路基板１は、金属支持層１１と、第１金属薄膜１２と、貫通穴１３１を有する絶縁層１３と、貫通穴１３１内において第１金属薄膜１２の上に配置される第２金属薄膜１４と、貫通穴１３１内において第１金属薄膜１２および第２金属薄膜１４を介して金属支持層１１と導通する導体パターン１５とを備える。第１金属薄膜１２は、少なくとも絶縁層１３との接触面Ｓ１において酸化被膜１２１を有する。貫通穴１３１の中央部において、酸化被膜１２１の厚みＴ１を、０にするか、または、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄くする。
【選択図】図２
【解決手段】
配線回路基板１は、金属支持層１１と、第１金属薄膜１２と、貫通穴１３１を有する絶縁層１３と、貫通穴１３１内において第１金属薄膜１２の上に配置される第２金属薄膜１４と、貫通穴１３１内において第１金属薄膜１２および第２金属薄膜１４を介して金属支持層１１と導通する導体パターン１５とを備える。第１金属薄膜１２は、少なくとも絶縁層１３との接触面Ｓ１において酸化被膜１２１を有する。貫通穴１３１の中央部において、酸化被膜１２１の厚みＴ１を、０にするか、または、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄くする。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属支持層と、
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンと
を備え、
前記第１金属薄膜は、少なくとも前記絶縁層との接触面において酸化被膜を有し、
前記貫通穴の中央部において、前記酸化被膜の厚みは、０であるか、または、前記接触面の前記酸化被膜の厚みよりも薄い、配線回路基板。
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンと
を備え、
前記第１金属薄膜は、少なくとも前記絶縁層との接触面において酸化被膜を有し、
前記貫通穴の中央部において、前記酸化被膜の厚みは、０であるか、または、前記接触面の前記酸化被膜の厚みよりも薄い、配線回路基板。
【請求項2】
金属支持層と、
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンと
を備え、
前記貫通穴の中央部において、前記第１金属薄膜の厚みは、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みよりも薄い、配線回路基板。
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンと
を備え、
前記貫通穴の中央部において、前記第１金属薄膜の厚みは、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みよりも薄い、配線回路基板。
【請求項3】
金属支持層と、
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置される第２金属薄膜と、
前記貫通穴内において前記金属支持層の上に配置される第３金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第３金属薄膜の上に配置され、前記第３金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンとを備え、
前記貫通穴の中央部において、前記第３金属薄膜の厚みは、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みと、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みとの合計よりも薄く、かつ、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚み、または、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みよりも厚い、配線回路基板。
前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置される第２金属薄膜と、
前記貫通穴内において前記金属支持層の上に配置される第３金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第３金属薄膜の上に配置され、前記第３金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンとを備え、
前記貫通穴の中央部において、前記第３金属薄膜の厚みは、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みと、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みとの合計よりも薄く、かつ、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚み、または、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みよりも厚い、配線回路基板。
【請求項4】
前記金属支持層と前記第１金属薄膜との間に配置され、前記金属支持層よりも高い導電率を有する中間金属層を、さらに有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記第１金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１つを含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記第１金属薄膜は、クロムからなる、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項7】
請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法であって、
前記金属支持層を準備する第１工程と、
前記第１工程の後、前記第１金属薄膜を形成する第２工程と、
前記第２工程の後、前記絶縁層を形成する第３工程と、
前記第３工程の後、前記貫通穴内の前記第１金属薄膜の表面をエッチングする第４工程と、
前記第４工程の後、前記第２金属薄膜を形成する第５工程と、
前記第５工程の後、前記導体パターンを形成する第６工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。
前記金属支持層を準備する第１工程と、
前記第１工程の後、前記第１金属薄膜を形成する第２工程と、
前記第２工程の後、前記絶縁層を形成する第３工程と、
前記第３工程の後、前記貫通穴内の前記第１金属薄膜の表面をエッチングする第４工程と、
前記第４工程の後、前記第２金属薄膜を形成する第５工程と、
前記第５工程の後、前記導体パターンを形成する第６工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。
【請求項8】
前記第４工程において、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから選択される少なくとも１種を用いたプラズマエッチングにより、前記貫通穴内の前記第１金属薄膜の表面をエッチングする、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、金属支持基板と、金属支持基板の上に配置される第１金属層と、第１金属層の上に配置される絶縁層と、絶縁層の上に配置される第２金属層と、第２金属層の上に配置される導体層とを備え、導体層と金属支持基板とがビアを介して導通している配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－３０６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記した特許文献１に記載される配線回路基板では、導体層と金属支持基板との間で低抵抗の電気的接続を実現するために、ビアが形成される部分の第１金属層を、エッチングにより除去し、第２金属層と導体層とからなるビアを金属支持基板に直接接触させている。
【0005】
そのため、第１金属層だけでなく、第１金属層の下の金属層（金属支持基板）までエッチングされてしまう可能性がある。
【0006】
本発明は、第１金属薄膜の下の金属層を保護しつつ、導体パターンと、第１金属薄膜の下の金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明［１］は、金属支持層と、前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンとを備え、前記第１金属薄膜が、少なくとも前記絶縁層との接触面において酸化被膜を有し、前記貫通穴の中央部において、前記酸化被膜の厚みが、前記接触面の前記酸化被膜の厚みよりも薄いか、または、０である、配線回路基板を含む。
【0008】
このような構成によれば、貫通穴内において、第１金属薄膜の酸化被膜の少なくとも一部だけを除去し、第１金属薄膜を残した状態で、導体パターンと金属支持層とを導通させることができる。
【0009】
そのため、第１金属薄膜によって金属支持層（第１金属薄膜の下の金属層）を保護しつつ、酸化被膜を除去することによって、導体パターンと金属支持層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0010】
本発明［２］は、金属支持層と、前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜の上に配置される第２金属薄膜と、前記第２金属薄膜の上に配置され、前記貫通穴内において前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンとを備え、前記貫通穴の中央部において、前記第１金属薄膜の厚みが、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みよりも薄い、配線回路基板を含む。
【0011】
このような構成によれば、貫通穴内において、第１金属薄膜の一部を除去し、第１金属薄膜を残した状態で、導体パターンと金属支持層とを導通させることができる。
【0012】
そのため、第１金属薄膜によって金属支持層（第１金属薄膜の下の金属層）を保護しつつ、第１金属薄膜を薄くすることによって、導体パターンと金属支持層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0013】
本発明［３］は、金属支持層と、前記金属支持層の上に配置される第１金属薄膜と、前記第１金属薄膜の上に配置され、貫通穴を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置される第２金属薄膜と、前記貫通穴内において前記金属支持層の上に配置される第３金属薄膜と、前記第２金属薄膜の上に配置されるとともに、前記貫通穴内において前記第３金属薄膜の上に配置され、前記第３金属薄膜を介して前記金属支持層と導通する導体パターンとを備え、前記貫通穴の中央部において、前記第３金属薄膜の厚みが、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚みと、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みとの合計よりも薄く、かつ、前記金属支持層と前記絶縁層との間の前記第１金属薄膜の厚み、または、前記絶縁層と前記導体パターンとの間の前記第２金属薄膜の厚みよりも厚い、配線回路基板を含む。
【0014】
このような構成によれば、貫通穴内において、第１金属薄膜の一部を除去し、第１金属薄膜を残した状態で第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を形成すれば、第１金属薄膜を残した状態で、第１金属薄膜と第２金属薄膜とからなる第３金属薄膜を介して、導体パターンと金属支持層とを導通させることができる。
【0015】
そのため、第１金属薄膜によって金属支持層（第１金属薄膜の下の金属層）を保護しつつ、第１金属薄膜を薄くすることによって、導体パターンと金属支持層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0016】
本発明［４］は、前記金属支持層と前記第１金属薄膜との間に配置され、前記金属支持層よりも高い導電率を有する中間金属層を、さらに有する、上記［１］～［３］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0017】
このような構成によれば、金属支持層と第１金属薄膜との間に中間金属層が有る場合でも、第１金属薄膜によって中間金属層（第１金属薄膜の下の金属層）を保護しつつ、導体パターンと中間金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0018】
本発明［５］は、前記第１金属薄膜が、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１つを含有する、上記［１］～［４］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0019】
本発明［６］は、前記第１金属薄膜が、クロムからなる、上記［１］～［４］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0020】
本発明［７］は、上記［１］～［６］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法であって、前記金属支持層を準備する第１工程と、前記第１工程の後、前記第１金属薄膜を形成する第２工程と、前記第２工程の後、前記絶縁層を形成する第３工程と、前記第３工程の後、前記貫通穴内の前記第１金属薄膜の表面をエッチングする第４工程と、前記第４工程の後、前記第２金属薄膜を形成する第５工程と、前記第５工程の後、前記導体パターンを形成する第６工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。
【0021】
本発明［８］は、前記第４工程において、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから選択される少なくとも１種を用いたプラズマエッチングにより、前記貫通穴内の前記第１金属薄膜の表面をエッチングする、上記［７］の配線回路基板の製造方法を含む。
【発明の効果】
【0022】
本発明の配線回路基板によれば、第１金属薄膜の下の金属層（金属支持層または中間金属層）を保護しつつ、導体パターンと、第１金属薄膜の下の金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0023】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図3】図３Ａから図３Ｃは、図１に示す配線回路基板の製造方法を説明するための説明図であって、図３Ａは、金属支持層を準備する工程（第１工程）を示し、図３Ｂは、第１金属薄膜を形成する工程（第２工程）を示し、図３Ｃは、絶縁層を形成する工程（第３工程）を示す。
【発明を実施するための形態】
【0025】
１．配線回路基板
まず、配線回路基板１について説明する。
まず、配線回路基板１について説明する。
【0026】
図１に示すように、配線回路基板１は、第１方向および第２方向に延びる。本実施形態では、配線回路基板１は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１の形状は、限定されない。
【0027】
図２に示すように、配線回路基板１は、金属支持層１１と、第１金属薄膜１２と、絶縁層１３と、第２金属薄膜１４と、導体パターン１５と、カバー層１６とを備える。
【0028】
（１）金属支持層
金属支持層１１は、第１金属薄膜１２と、絶縁層１３と、第２金属薄膜１４と、導体パターン１５と、カバー層１６とを支持する。本実施形態では、金属支持層１１の材料として、例えば、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。
金属支持層１１は、第１金属薄膜１２と、絶縁層１３と、第２金属薄膜１４と、導体パターン１５と、カバー層１６とを支持する。本実施形態では、金属支持層１１の材料として、例えば、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。
【0029】
（２）第１金属薄膜
第１金属薄膜１２は、配線回路基板１の厚み方向において、金属支持層１１の上に配置される。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。第１金属薄膜１２は、金属支持層１１と絶縁層１３との間に配置される。第１金属薄膜１２は、金属支持層１１を保護する。第１金属薄膜１２の材料として、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステン、モリブデン、および、それらの合金が挙げられる。つまり、第１金属薄膜１２は、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１つを含有する。好ましくは、第１金属薄膜１２は、クロムからなる。
第１金属薄膜１２は、配線回路基板１の厚み方向において、金属支持層１１の上に配置される。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。第１金属薄膜１２は、金属支持層１１と絶縁層１３との間に配置される。第１金属薄膜１２は、金属支持層１１を保護する。第１金属薄膜１２の材料として、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステン、モリブデン、および、それらの合金が挙げられる。つまり、第１金属薄膜１２は、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステンおよびモリブデンの少なくとも１つを含有する。好ましくは、第１金属薄膜１２は、クロムからなる。
【0030】
第１金属薄膜１２は、絶縁層１３との接触面Ｓ１、および、第２金属薄膜１４との接触面Ｓ２において、酸化被膜１２１を有する。第２金属薄膜１４との接触面Ｓ２は、絶縁層１３の貫通穴１３１の内側に配置される。貫通穴１３１については、後で説明する。
【0031】
接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みは、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みよりも薄い。詳しくは、少なくとも貫通穴１３１の中央部において、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄い。これにより、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４との間の電気抵抗の低減を図ることができる。これにより、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１を保護しつつ、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0032】
接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、例えば、５ｎｍ以下、好ましくは、３ｎｍ以下である。
【0033】
接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２は、例えば、１ｎｍ以上であり、例えば、１０ｎｍ以下である。
【0034】
接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２を１００％として場合、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、例えば、８５％以下、好ましくは、７０％以下である。
【0035】
また、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１が薄いだけでなく、少なくとも貫通穴１３１の中央部において、第１金属薄膜１２の厚みＴ３が、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４よりも薄い。そのため、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１を保護しつつ、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0036】
貫通穴１３１の中央部の第１金属薄膜１２の厚みＴ３は、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは、７５ｎｍ以下であり、例えば、５ｎｍ以上である。
【0037】
金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４は、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、例えば、５ｎｍ以上である。
【0038】
金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４を１００％とした場合、貫通穴１３１の中央部の第１金属薄膜１２の厚みＴ３は、例えば、９６％以下、好ましくは、９２％以下であり、例えば、５０％以上である。
【0039】
（３）絶縁層
絶縁層１３は、厚み方向において、第１金属薄膜１２の上に配置される。言い換えると、絶縁層１３は、厚み方向において、第１金属薄膜１２を介して、金属支持層１１の上に配置される。絶縁層１３は、金属支持層１１と導体パターン１５との間に配置される。絶縁層１３は、金属支持層１１と導体パターン１５とを絶縁する。絶縁層１３は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。絶縁層１３は、貫通穴１３１を有する。貫通穴１３１は、ビアホールである。
絶縁層１３は、厚み方向において、第１金属薄膜１２の上に配置される。言い換えると、絶縁層１３は、厚み方向において、第１金属薄膜１２を介して、金属支持層１１の上に配置される。絶縁層１３は、金属支持層１１と導体パターン１５との間に配置される。絶縁層１３は、金属支持層１１と導体パターン１５とを絶縁する。絶縁層１３は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。絶縁層１３は、貫通穴１３１を有する。貫通穴１３１は、ビアホールである。
【0040】
（４）第２金属薄膜
第２金属薄膜１４は、厚み方向において、絶縁層１３の上に配置される。第２金属薄膜１４は、絶縁層１３と導体パターン１５との間に配置される。第２金属薄膜１４は、導体パターン１５を保護する。第２金属薄膜１４の材料として、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステン、モリブデン、および、それらの合金が挙げられる。好ましくは、第２金属薄膜１４は、クロムからなる。第２金属薄膜１４は、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の上に配置される。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４とからなる第３金属薄膜１７が形成されている。つまり、配線回路基板１は、貫通穴１３１内において、第３金属薄膜１７を備える。第３金属薄膜１７は、厚み方向において、金属支持層１１の上に配置される。第３金属薄膜１７は、厚み方向において、金属支持層１１と導体パターン１５との間に配置される。
第２金属薄膜１４は、厚み方向において、絶縁層１３の上に配置される。第２金属薄膜１４は、絶縁層１３と導体パターン１５との間に配置される。第２金属薄膜１４は、導体パターン１５を保護する。第２金属薄膜１４の材料として、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、タングステン、モリブデン、および、それらの合金が挙げられる。好ましくは、第２金属薄膜１４は、クロムからなる。第２金属薄膜１４は、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の上に配置される。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４とからなる第３金属薄膜１７が形成されている。つまり、配線回路基板１は、貫通穴１３１内において、第３金属薄膜１７を備える。第３金属薄膜１７は、厚み方向において、金属支持層１１の上に配置される。第３金属薄膜１７は、厚み方向において、金属支持層１１と導体パターン１５との間に配置される。
【0041】
少なくとも貫通穴１３１の中央部において、第３金属薄膜１７の厚みＴ５は、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４と、絶縁層１３と導体パターン１５との間の第２金属薄膜１４の厚みＴ６との合計よりも薄い。また、少なくとも貫通穴１３１の中央部において、第３金属薄膜１７の厚みＴ５は、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４、または、絶縁層１３と導体パターン１５との間の第２金属薄膜の厚みＴ６よりも厚い。そのため、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１を保護しつつ、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0042】
貫通穴１３１の中央部の第３金属薄膜１７の厚みＴ５は、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、１５０ｎｍ以下であり、例えば、１０ｎｍ以上である。
【0043】
絶縁層１３と導体パターン１５との間の第２金属薄膜１４の厚みＴ６は、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下であり、例えば、１０ｎｍ以上である。
【0044】
（５）導体パターン
導体パターン１５は、厚み方向において、第２金属薄膜１４の上に配置される。言い換えると、導体パターン１５は、厚み方向において、第２金属薄膜１４を介して、絶縁層１３の上に配置される。導体パターン１５は、厚み方向において、絶縁層１３に対して、金属支持層１１の反対側に配置される。導体パターン１５は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１５の形状は、限定されない。
導体パターン１５は、厚み方向において、第２金属薄膜１４の上に配置される。言い換えると、導体パターン１５は、厚み方向において、第２金属薄膜１４を介して、絶縁層１３の上に配置される。導体パターン１５は、厚み方向において、絶縁層１３に対して、金属支持層１１の反対側に配置される。導体パターン１５は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１５の形状は、限定されない。
【0045】
本実施形態では、図１に示すように、導体パターン１５は、複数の配線パターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと、グランドパターン１５Ｄとを有する。複数の配線パターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ、および、グランドパターン１５Ｄは、互いに間隔を隔てて、第２方向に並ぶ。
【0046】
（５－１）配線パターン
配線パターン１５Ａは、端子１５１Ａと、端子１５２Ａと、配線１５３Ａとを有する。配線パターン１５Ａは、端子１５１Ａに接続される電子部品と、端子１５２Ａに接続される電子部品とを電気的に接続する。
配線パターン１５Ａは、端子１５１Ａと、端子１５２Ａと、配線１５３Ａとを有する。配線パターン１５Ａは、端子１５１Ａに接続される電子部品と、端子１５２Ａに接続される電子部品とを電気的に接続する。
【0047】
端子１５１Ａは、第１方向における配線回路基板１の一端部に配置される。端子１５１Ａは、角ランド形状を有する。
【0048】
端子１５２Ａは、第１方向における配線回路基板１の他端部に配置される。端子１５２Ａは、角ランド形状を有する。
【0049】
配線１５３Ａの一端は、端子１５１Ａに接続される。配線１５３Ａの他端は、端子１５２Ａに接続される。配線１５３Ａは、端子１５１Ａと端子１５２Ａとを電気的に接続する。
【0050】
配線パターン１５Ｂ，１５Ｃのそれぞれは、配線パターン１５Ａと同様に説明される。そのため、配線パターン１５Ｂ，１５Ｃのそれぞれについての説明は、省略される。
【0051】
（５－２）グランドパターン
グランドパターン１５Ｄは、グランド端子１５１Ｄと、グランド配線１５２Ｄとを有する。グランドパターン１５Ｄは、グランド端子１５１Ｄに接続される電子部品を、金属支持層１１を介してグランドに接続する。
グランドパターン１５Ｄは、グランド端子１５１Ｄと、グランド配線１５２Ｄとを有する。グランドパターン１５Ｄは、グランド端子１５１Ｄに接続される電子部品を、金属支持層１１を介してグランドに接続する。
【0052】
グランド端子１５１Ｄは、第１方向における配線回路基板１の一端部に配置される。グランド端子１５１Ｄは、角ランド形状を有する。端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄ、および、グランド端子１５１Ｄは、互いに間隔を隔てて、第２方向に並ぶ。
【0053】
グランド配線１５２Ｄの一端は、グランド端子１５１Ｄに接続される。グランド配線１５２Ｄの他端は、絶縁層１３の貫通穴１３１を通して金属支持層１１（図２参照）に接続される。
【0054】
詳しくは、図２に示すように、貫通穴１３１内において、グランド配線１５２Ｄの他端は、第２金属薄膜１４の上に配置される。言い換えると、導体パターン１５は、貫通穴１３１内において、第３金属薄膜１７の上に配置される。グランド配線１５２Ｄの他端は、第２金属薄膜１４と接触する。これにより、グランド配線１５２Ｄは、第１金属薄膜１２および第２金属薄膜１４を介して、金属支持層１１と導通する。言い換えると、導体パターン１５は、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２および第２金属薄膜１４（すなわち、第３金属薄膜１７）を介して、金属支持層１１と導通する。
【0055】
（６）カバー層
図１に示すように、カバー層１６は、全ての配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃ、および、グランド配線１５２Ｄを覆う。言い換えると、カバー層１６は、導体パターン１５を覆う。カバー層１６は、厚み方向において、絶縁層１３の上に配置される。なお、カバー層１６は、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、グランド端子１５１Ｄ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを覆わない。カバー層１６は、絶縁性の樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
図１に示すように、カバー層１６は、全ての配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃ、および、グランド配線１５２Ｄを覆う。言い換えると、カバー層１６は、導体パターン１５を覆う。カバー層１６は、厚み方向において、絶縁層１３の上に配置される。なお、カバー層１６は、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、グランド端子１５１Ｄ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを覆わない。カバー層１６は、絶縁性の樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
【0056】
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について説明する。
次に、配線回路基板１の製造方法について説明する。
【0057】
本実施形態では、配線回路基板１は、アディティブ法により製造される。
【0058】
配線回路基板１を製造するには、第１工程（図３Ａ参照）、第２工程（図３Ｂ参照）、第３工程（図３Ｃ参照）、第４工程（図４Ａ参照）、第５工程（図４Ｂ参照）、および、第６工程（図４Ｃ参照）を、順に実行する。つまり、配線回路基板１の製造方法は、第１工程（図３Ａ参照）と、第２工程（図３Ｂ参照）と、第３工程（図３Ｃ参照）と、第４工程（図４Ａ参照）と、第５工程（図４Ｂ参照）と、第６工程（図４Ｃ参照）とを含む。
【0059】
（１）第１工程
図３Ａに示すように、第１工程では、金属支持層１１を準備する。本実施形態では、金属支持層１１は、金属箔のロールから引き出された金属箔である。
図３Ａに示すように、第１工程では、金属支持層１１を準備する。本実施形態では、金属支持層１１は、金属箔のロールから引き出された金属箔である。
【0060】
（２）第２工程
次に、図３Ｂに示すように、第２工程では、第１工程の後、金属支持層１１の上に、第１金属薄膜１２を形成する。第１金属薄膜１２は、例えば、スパッタリングにより形成される。
次に、図３Ｂに示すように、第２工程では、第１工程の後、金属支持層１１の上に、第１金属薄膜１２を形成する。第１金属薄膜１２は、例えば、スパッタリングにより形成される。
【0061】
第２工程の後、第１金属薄膜１２の表面は、次の工程への搬送途中などのタイミングで、空気と接触することにより酸化する。これにより、第１金属薄膜１２の表面に、酸化被膜１２１が形成される。
【0062】
（３）第３工程
次に、図３Ｃに示すように、第３工程では、第２工程の後、第１金属薄膜１２の上に、絶縁層１３を形成する。
次に、図３Ｃに示すように、第３工程では、第２工程の後、第１金属薄膜１２の上に、絶縁層１３を形成する。
【0063】
絶縁層１３を形成するには、まず、第１金属薄膜１２の上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、絶縁層１３が、第１金属薄膜１２の上に形成される。なお、第１金属薄膜１２の一部は、絶縁層１３の貫通穴１３１を介して露出する。
【0064】
（４）第４工程
次に、図４Ａに示すように、第４工程では、第３工程の後、貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２の表面をエッチングする。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の酸化被膜１２１の一部が除去される。これにより、少なくとも貫通穴１３１の中央部において、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄くなる。
次に、図４Ａに示すように、第４工程では、第３工程の後、貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２の表面をエッチングする。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の酸化被膜１２１の一部が除去される。これにより、少なくとも貫通穴１３１の中央部において、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄くなる。
【0065】
第１金属薄膜１２の表面をエッチングする方法として、例えば、プラズマエッチング、ウェットエッチングが挙げられる。
プラズマエッチングの放電方式として、例えば、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ、磁気中性線放電プラズマ、ＤＣプラズマが挙げられる。プラズマエッチングの装置構成として、例えば、平行平板型、バレル型、リモートプラズマ型、イオンビーム型が挙げられる。
また、プラズマ電極面は、第１金属薄膜１２の表面に対して傾斜していてもよい。プラズマ電極に垂直な方向と第１金属薄膜１２の表面に垂直な方向とによって形成される傾斜角度は、例えば、１０°以上、６５°以下である。傾斜角度が上記範囲内であると、エッチング効率の向上を図ることができる。
プラズマエッチングの放電方式として、例えば、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ、磁気中性線放電プラズマ、ＤＣプラズマが挙げられる。プラズマエッチングの装置構成として、例えば、平行平板型、バレル型、リモートプラズマ型、イオンビーム型が挙げられる。
また、プラズマ電極面は、第１金属薄膜１２の表面に対して傾斜していてもよい。プラズマ電極に垂直な方向と第１金属薄膜１２の表面に垂直な方向とによって形成される傾斜角度は、例えば、１０°以上、６５°以下である。傾斜角度が上記範囲内であると、エッチング効率の向上を図ることができる。
【0066】
好ましくは、第４工程において、希ガス、反応性ガスおよびその他のガスから選択される少なくとも１種を用いたプラズマエッチングにより、貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２の表面をエッチングする。希ガスとして、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンが挙げられる。反応性ガスとして、例えば、ハロゲンガスが挙げられる。ハロゲンガスとして、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）、塩素が挙げられる。その他のガスとして、例えば、酸素、窒素、水素が挙げられる。
【0067】
貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２全部をエッチングしようとすると、貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２だけでなく、第１金属薄膜１２の下の金属支持層１１までエッチングされてしまう可能性がある。特に、第１金属薄膜１２をエッチングする方法としてウェットエッチングを採用した場合、エッチング液により、第１金属薄膜１２の下の金属支持層１１、さらには、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２までエッチングされてしまう可能性がある。
【0068】
この点、貫通穴１３１内の第１金属薄膜１２の表面をエッチングすることにより、貫通穴１３１内に第１金属薄膜１２が残る。そのため、第１金属薄膜１２の下の金属支持層１１、さらには、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２がエッチングされてしまうことを抑制できる。
【0069】
特に、プラズマエッチングによって第１金属薄膜１２の表面をエッチングすることにより、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２をエッチングすることなく、貫通穴１３１内の第１金属薄膜の表面をエッチングできる。
【0070】
（５）第５工程
次に、図４Ｂに示すように、第５工程では、第４工程の後、絶縁層１３の上に、第２金属薄膜１４を形成する。第２金属薄膜１４は、例えば、スパッタリングにより形成される。第２金属薄膜１４は、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の上に形成される。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４とからなる第３金属薄膜１７が、金属支持層１１の上に形成される。
次に、図４Ｂに示すように、第５工程では、第４工程の後、絶縁層１３の上に、第２金属薄膜１４を形成する。第２金属薄膜１４は、例えば、スパッタリングにより形成される。第２金属薄膜１４は、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の上に形成される。これにより、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４とからなる第３金属薄膜１７が、金属支持層１１の上に形成される。
【0071】
（６）第６工程
次に、図４Ｃに示すように、第６工程では、第５工程の後、第２金属薄膜１４の上に、導体パターン１５を形成する。
次に、図４Ｃに示すように、第６工程では、第５工程の後、第２金属薄膜１４の上に、導体パターン１５を形成する。
【0072】
詳しくは、第２金属薄膜１４の上に、メッキレジストを貼り合わせて、導体パターン１５が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
【0073】
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、導体パターン１５が形成される部分に第２金属薄膜１４が露出する。なお、露光された部分、すなわち、導体パターン１５が形成されない部分のメッキレジストは、残る。
【0074】
次に、露出した第２金属薄膜１４の上に、電解メッキにより、導体パターン１５を形成する。すると、貫通穴１３１内において、グランド配線１５２Ｄの他端は、第２金属薄膜１４の上に形成される。これにより、グランド配線１５２Ｄは、第１金属薄膜１２および第２金属薄膜１４（すなわち、第３金属薄膜１７）を介して、金属支持層１１と導通する。
【0075】
電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。その後、メッキレジストによって覆われていた第２金属薄膜１４を、エッチングにより除去する。
【0076】
【0077】
３．作用効果
（１）配線回路基板１によれば、図２に示すように、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の酸化被膜１２１の少なくとも一部だけを除去し、第１金属薄膜１２を残した状態で、導体パターン１５と金属支持層１１とを導通させることができる。
（１）配線回路基板１によれば、図２に示すように、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の酸化被膜１２１の少なくとも一部だけを除去し、第１金属薄膜１２を残した状態で、導体パターン１５と金属支持層１１とを導通させることができる。
【0078】
少なくとも貫通穴１３１の中央部において、接触面Ｓ２の酸化被膜１２１の厚みＴ１は、接触面Ｓ１の酸化被膜１２１の厚みＴ２よりも薄い。
【0079】
そのため、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１（第１金属薄膜１２の下の金属層）を保護しつつ、酸化被膜１２１を除去することによって、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0080】
（２）配線回路基板１によれば、図２に示すように、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の一部を除去し、第１金属薄膜１２を残した状態で、導体パターン１５と金属支持層１１とを導通させることができる。
【0081】
少なくとも貫通穴１３１の中央部において、第１金属薄膜１２の厚みＴ３が、金属支持層１１と絶縁層１３との間の第１金属薄膜１２の厚みＴ４よりも薄い。
【0082】
そのため、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１（第１金属薄膜１２の下の金属層）を保護しつつ、第１金属薄膜１２を薄くすることによって、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0083】
（３）配線回路基板１によれば、図３Ｃおよび図４Ａに示すように、貫通穴１３１内において、第１金属薄膜１２の一部を除去し、図４Ｂに示すように、第１金属薄膜１２を残した状態で第１金属薄膜１２の上に第２金属薄膜１４を形成している。
【0084】
そのため、図２に示すように、第１金属薄膜１２を残した状態で、第１金属薄膜１２と第２金属薄膜１４とからなる第３金属薄膜１７を介して、導体パターン１５と金属支持層１１とを導通させることができる。
【0085】
そのため、第１金属薄膜１２によって金属支持層１１（第１金属薄膜１２の下の金属層）を保護しつつ、第１金属薄膜１２を薄くすることによって、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
【0086】
４．変形例
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
【0087】
（１）図５に示すように、貫通穴１３１の中央部において、酸化被膜１２１は、完全に除去されてもよい。言い換えると、貫通穴１３１の中央部において、酸化被膜１２１の厚みは、０であってもよい。なお、第１金属薄膜１２うち、酸化被膜１２１以外の部分は、残る。酸化被膜１２１の厚みが０であると、導体パターン１５と金属支持層１１との間の電気抵抗の低減を、より図ることができる。
【0088】
（２）図６に示すように、配線回路基板１は、中間金属層１００をさらに有してもよい。中間金属層１００は、金属支持層１１と第１金属薄膜１２との間に配置される。
【0089】
中間金属層１００は、金属支持層１１よりも高い導電率を有する。中間金属層１００は、例えば、金、銀および銅からなる群より選択される少なくとも一種を含む。中間金属層１００は、好ましくは、金、銀および銅からなる群より選択される少なくとも一種からなる。金属支持層１１が銅合金である場合、中間金属層１００は、好ましくは、銅からなる。
【0090】
中間金属層１００は、例えば、スパッタリング、メッキ、または、真空蒸着によって、金属支持層１１の上に形成される。
【0091】
（３）変形例（１）または（２）においても、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【0092】
１ 配線回路基板
１１ 金属支持層
１２ 第１金属薄膜
１３ 絶縁層
１４ 第２金属薄膜
１５ 導体パターン
１７ 第３金属薄膜
１００ 中間金属層
１２１ 酸化被膜
１３１ 貫通穴
Ｓ１ 接触面
１１ 金属支持層
１２ 第１金属薄膜
１３ 絶縁層
１４ 第２金属薄膜
１５ 導体パターン
１７ 第３金属薄膜
１００ 中間金属層
１２１ 酸化被膜
１３１ 貫通穴
Ｓ１ 接触面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】