ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社 > 特開2023-184145
特開 2023-184145出願番号 特願 2022-98120
窒化物半導体発光素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 99位 241件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 125位 165件（※）
公報発行日 2023年12月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-184145 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】出力が向上された窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、ｎ側層形成工程と、活性層形成工程と、ｐ側層形成工程と、を備え、活性層形成工程は、Ｉｎを含む第１厚さの第１井戸層と、ｎ型不純物がドープされた第１障壁層と、を含む第１積層部を形成する第１積層部形成工程であって、第１井戸層を第１温度で形成する工程と、Ｉｎを含み、第１厚さよりも厚い第２厚さの第２井戸層と、ｎ型不純物がドープされた第２障壁層と、を含む第２積層部を形成する第２積層部形成工程であって、第２井戸層を第１温度よりも低い第２温度で形成する工程と、Ｉｎを含み、第２厚さよりも薄い第３厚さの第３井戸層と、ｐ型不純物がドープされた第３障壁層と、を含む第３積層部を形成する第３積層部形成工程であって、第３井戸層を第２温度よりも高い第３温度で形成する工程と、を含む。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、出力が向上された窒化物半導体発光素子を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります