(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023184331
(43)【公開日】2023-12-28
(54)【発明の名称】電子部品、コイル部品、および電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 17/00 20060101AFI20231221BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20231221BHJP
H01F 27/28 20060101ALI20231221BHJP
【ＦＩ】
H01F17/00 B
H01F41/04 C
H01F27/28 104
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022098412
(22)【出願日】2022-06-17
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001081
【氏名又は名称】弁理士法人クシブチ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川上 祐輝
(72)【発明者】
【氏名】冨永 隆一朗
(72)【発明者】
【氏名】國森 敬介
(72)【発明者】
【氏名】吉岡 由雅
【テーマコード（参考）】
5E043
5E062
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E043AA08
5E043EA04
5E043EB05
5E062DD01
5E062FF01
5E070AA01
5E070AB01
5E070BA12
5E070CB03
5E070CB04
5E070CB13
5E070CB17
5E070CB18
5E070EA01
5E070EB04
(57)【要約】
【課題】絶縁層に埋設された回路パターンを備える電子部品において、回路パターンと絶縁層外の配線導体との間での接続信頼性を向上する。
【解決手段】電子部品は、絶縁層と、絶縁層に埋設された回路パターンと、絶縁層の外に形成された配線導体と、絶縁層の開口を介して、上記回路パターンの一部である回路接続部と上記配線導体とを接続する層間接続部と、を備え、回路パターンは、上記回路接続部の上記層間接続部の直下の部分の厚みが、上記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い。
【選択図】図２
【解決手段】電子部品は、絶縁層と、絶縁層に埋設された回路パターンと、絶縁層の外に形成された配線導体と、絶縁層の開口を介して、上記回路パターンの一部である回路接続部と上記配線導体とを接続する層間接続部と、を備え、回路パターンは、上記回路接続部の上記層間接続部の直下の部分の厚みが、上記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層と、前記絶縁層に埋設された回路パターンと、前記絶縁層の外に形成された配線導体と、前記絶縁層の開口を介して、前記回路パターンの一部である回路接続部と前記配線導体とを接続する層間接続部と、を備え、
前記回路パターンは、前記回路接続部の前記層間接続部の直下の部分の厚みが、前記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い、
電子部品。
前記回路パターンは、前記回路接続部の前記層間接続部の直下の部分の厚みが、前記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い、
電子部品。
【請求項2】
前記回路パターンは、前記回路接続部の幅が、前記回路接続部以外の部分の幅より広い、
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記回路パターンの、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った断面の形状は、前記配線導体に近い側の辺である上辺の長さが、前記上辺に対向する下辺の長さより短い台形形状であり、
前記回路パターンは、前記回路接続部における前記台形形状の前記上辺の幅が、前記回路接続部以外の部分における前記台形形状の上辺の幅よりも広い、
請求項１に記載の電子部品。
前記回路パターンは、前記回路接続部における前記台形形状の前記上辺の幅が、前記回路接続部以外の部分における前記台形形状の上辺の幅よりも広い、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項4】
前記回路パターンは、前記配線導体から遠い側の面である底面に、前記回路パターンに沿って延在するシードパターンを有し、
前記底面に沿って延在する前記シードパターンは、前記回路接続部における幅が、前記回路接続部以外の部分における幅よりも広い、
請求項１に記載の電子部品。
前記底面に沿って延在する前記シードパターンは、前記回路接続部における幅が、前記回路接続部以外の部分における幅よりも広い、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記絶縁層の主面に直交する方向に積み重ねられた少なくとも２つの前記回路パターンを備える、
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【請求項6】
前記回路パターンは、コイルを構成する、
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電子部品であるコイル部品。
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電子部品であるコイル部品。
【請求項7】
金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、
前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、
を備え、
前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、
前記回路パターンを形成する前記工程では、前記電解めっきにおける電流密度を１０ＡＳＤ以上に設定することにより、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、
電子部品の製造方法。
前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、
を備え、
前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、
前記回路パターンを形成する前記工程では、前記電解めっきにおける電流密度を１０ＡＳＤ以上に設定することにより、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、
電子部品の製造方法。
【請求項8】
金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、
前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、
を備え、
前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、かつ前記金属層上に形成された感光性樹脂の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によって前記感光性樹脂を露光することにより、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った前記絶縁壁の断面を、前記金属層に向かって幅が減少する逆テーパ状に形成し、
前記回路パターンを形成する前記工程では、前記逆テーパ状の絶縁壁により、前記幅広の開口部よりも、それ以外の開口部において、前記開口部に流入するめっき液の循環を起こりにくくすることで、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、
電子部品の製造方法。
前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、
を備え、
前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、かつ前記金属層上に形成された感光性樹脂の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によって前記感光性樹脂を露光することにより、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った前記絶縁壁の断面を、前記金属層に向かって幅が減少する逆テーパ状に形成し、
前記回路パターンを形成する前記工程では、前記逆テーパ状の絶縁壁により、前記幅広の開口部よりも、それ以外の開口部において、前記開口部に流入するめっき液の循環を起こりにくくすることで、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品、コイル部品、および電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、めっき配線により形成されたスパイラル状の回路パターンを含む複数の配線層と、めっき配線間および配線層間に形成された絶縁層と、各配線層の回路パターンの一部を電気的に接続する層間接続部と、で形成されたコイル部を、磁性紛含有樹脂に埋め込んで構成されるコイル部品が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１３６４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記のコイル部品では、動作時における温度上昇や環境温度の変化に伴って、層間接続部に応力が加わる。この応力は層間接続部の底面に集中し、そこを起点に接続が破断すると考えられる。このため、隣接する２つの配線層間での回路パターンの距離が広く、層間接続部が厚いと、発生する応力も大きなものとなり、層間接続部の接続信頼性が低下してしまうことが懸念される。また、一の配線層の回路パターンの上に他の配線層の回路パターンをめっき形成する場合に、厚い層間接続部の上部に他の配線層の回路パターンを連続してめっき形成すると、上記他の配線層の回路パターンの上面には、層間接続部に対応する位置に凹みが生じやすく、この凹みが、これらの配線層の間における回路パターンの接続信頼性を低下させてしまうおそれがある。
【0005】
本発明の目的は、絶縁層に埋設された回路パターンを備える電子部品において、回路パターンと絶縁層外の配線導体との間での接続信頼性を向上することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一の態様は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設された回路パターンと、前記絶縁層の外に形成された配線導体と、前記絶縁層の開口を介して、前記回路パターンの一部である回路接続部と前記配線導体とを接続する層間接続部と、を備え、前記回路パターンは、前記回路接続部の前記層間接続部の直下の部分の厚みが、前記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い、電子部品である。
本発明の他の態様は、金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記電解めっきにおける電流密度を１０ＡＳＤ以上に設定することにより、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法である。
本発明の他の態様は、金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて前記回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、かつ前記金属層上に形成された感光性樹脂の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によって前記感光性樹脂を露光することにより、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った前記絶縁壁の断面を、前記金属層に向かって幅が減少する逆テーパ状に形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記逆テーパ状の絶縁壁により、前記幅広の開口部よりも、それ以外の開口部において、前記開口部に流入するめっき液の循環を起こりにくくすることで、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法である。
本発明の他の態様は、金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記電解めっきにおける電流密度を１０ＡＳＤ以上に設定することにより、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法である。
本発明の他の態様は、金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて前記回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、かつ前記金属層上に形成された感光性樹脂の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によって前記感光性樹脂を露光することにより、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った前記絶縁壁の断面を、前記金属層に向かって幅が減少する逆テーパ状に形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記逆テーパ状の絶縁壁により、前記幅広の開口部よりも、それ以外の開口部において、前記開口部に流入するめっき液の循環を起こりにくくすることで、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、絶縁層に埋設された回路パターンを備える電子部品において、回路パターンと絶縁層外の配線導体との間での接続信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の第１の実施形態に係るコイル部品の内部構造を示す模式図である。
【図6】本発明の第２の実施形態に係るコイル部品の内部構造を示す模式図である。
【図11】本発明の第３の実施形態に係るコイル部品の内部構造を示す模式図である。
【図16】本発明の第４の実施形態に係るコイル部品の内部構造を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
以下の実施形態では、電子部品の一例としてコイル部品を説明する。なお、図面は、一部に模式図を含む場合がある。また、模式図における寸法や比率は実際の数値と異なる場合がある。
以下の実施形態では、電子部品の一例としてコイル部品を説明する。なお、図面は、一部に模式図を含む場合がある。また、模式図における寸法や比率は実際の数値と異なる場合がある。
【0010】
［第１実施形態］
まず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係るコイル部品１の内部構造を示す模式図である。
コイル部品１は、絶縁層１１と、絶縁層１１に埋設された回路パターン１２と、を備える。なお、絶縁層１１と回路パターン１２とは、配線層１０を構成する。配線層１０は、図示上方から視た平面視がリング状であり、回路パターン１２は、その内部において上記平面視においてスパイラル状に形成されてコイル部を形成する。ここで、図１は、回路パターン１２の延在方向に直交する面に沿った断面を示している。
まず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係るコイル部品１の内部構造を示す模式図である。
コイル部品１は、絶縁層１１と、絶縁層１１に埋設された回路パターン１２と、を備える。なお、絶縁層１１と回路パターン１２とは、配線層１０を構成する。配線層１０は、図示上方から視た平面視がリング状であり、回路パターン１２は、その内部において上記平面視においてスパイラル状に形成されてコイル部を形成する。ここで、図１は、回路パターン１２の延在方向に直交する面に沿った断面を示している。
【0011】
絶縁層１１は、絶縁性材料を主材とし、例えば絶縁性樹脂である。なお、絶縁性材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を主材とするフィラー材を含んでいてもよい。
配線層１０は、磁性粉を含む樹脂である素体２に埋設されている。素体２の主面方向と配線層１０の主面方向とは略平行である。
配線層１０は、磁性粉を含む樹脂である素体２に埋設されている。素体２の主面方向と配線層１０の主面方向とは略平行である。
【0012】
回路パターン１２は、配線層１０の主面方向に沿って上記スパイラル状に形成された一本の導体である。絶縁層１１は、配線層１０の主面方向に延在して回路パターン１２を支持する支持層１１ａを含む。
【0013】
回路パターン１２の端部である回路接続部１２ａは、絶縁層１１の外に形成された配線導体である引き出し配線１４を介して、素体２の一の主面に形成された外部電極１５に接続されている。外部電極１５が形成された素体２の主面を、電極面２ａと称する。電極面２ａには、外部電極１５以外の部分にソルダーレジスト１６が塗布されている。ここで、配線層１０の主面は、その面内に凹凸を含んでもよく、主面法線を含む断面視において歪みを含んでもよい。
【0014】
図２は、図１に示すＡ部における配線層１０の部分詳細図である。図１に示す図示右方の配線層１０の部分も同様に構成されている。
本実施形態では、引き出し配線１４に接続された回路パターン１２の回路接続部１２ａの幅は、回路パターン１２の他の回路部分１２ｂの幅よりも広い。なお、「回路パターン１２の幅」とは、回路パターン１２の延在方向に直交する面に沿った断面における最大幅を意味する。
本実施形態では、引き出し配線１４に接続された回路パターン１２の回路接続部１２ａの幅は、回路パターン１２の他の回路部分１２ｂの幅よりも広い。なお、「回路パターン１２の幅」とは、回路パターン１２の延在方向に直交する面に沿った断面における最大幅を意味する。
【0015】
そして、特に、本実施形態では、引き出し配線１４にそれぞれ接続された回路パターン１２の回路接続部１２ａの厚みｔ１は、回路パターン１２の回路接続部１２ａ以外の部分である回路部分１２ｂの厚みｔ２より厚い。これにより、コイル部品１では、回路パターンの全体が同じ厚みで形成される従来の構成に比べて、回路パターン１２の回路接続部１２ａと引き出し配線１４との間の距離を縮めて、層間接続部１３（図示点線で囲まれた部分）の厚みを薄くして、回路パターン１２と引き出し配線１４とを接続することができる。なお、厚みｔ１は、より正確には、回路接続部１２ａの層間接続部１３直下の部分の厚みであり、厚みｔ２は、回路部分１２ｂの平均厚みである。また、回路接続部１２ａの層間接続部１３直下の部分の厚みを測定する際、回路接続部１２ａと層間接続部１３との境界については、透過型電子顕微鏡で撮像された断面画像に表示された界面を基準にすればよい。
ただし 、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、というとき、それぞれの厚みを厳密かつ精細に測定する必要はない。例えば、図２のようにある断面において、厚みｔ１の最大値が、厚みｔ２より明らかに大きい場合は、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。また、例えば、測定された厚みｔ１の最大値に対して、回路部分１２ｂの各箇所で厚みｔ２が当該最大値を超えることなく、かつ回路部分１２ｂが当該最大値を下回る箇所を少しでも含んでいれば、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。また、例えば、回路部分１２ｂの一部の箇所で、厚みｔ２が測定された厚みｔ１の最大値と同等となったとしても、その一部の箇所の回路部分１２ｂにおける割合以上に厚みｔ２が当該最大値を下回る箇所の割合が多ければ、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。
ただし 、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、というとき、それぞれの厚みを厳密かつ精細に測定する必要はない。例えば、図２のようにある断面において、厚みｔ１の最大値が、厚みｔ２より明らかに大きい場合は、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。また、例えば、測定された厚みｔ１の最大値に対して、回路部分１２ｂの各箇所で厚みｔ２が当該最大値を超えることなく、かつ回路部分１２ｂが当該最大値を下回る箇所を少しでも含んでいれば、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。また、例えば、回路部分１２ｂの一部の箇所で、厚みｔ２が測定された厚みｔ１の最大値と同等となったとしても、その一部の箇所の回路部分１２ｂにおける割合以上に厚みｔ２が当該最大値を下回る箇所の割合が多ければ、厚みｔ１が厚みｔ２より厚い、と言える。
【0016】
その結果、コイル部品１では、環境温度の変動等に起因して層間接続部１３に加わる応力を低減して、絶縁層１１に埋設された回路パターン１２と引き出し配線１４との接続信頼性を向上することができる。
【0017】
コイル部品１は、例えば、以下のように作製され得る。
図３、図４、及び図５は、コイル部品１の製造工程を示す図である。
図３において、まず、基板３を準備し（Ｓ１００）、基板３上に、絶縁層１１の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ１０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ１０４）。シード層５ａは、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ；セミアディティブ工法）によるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
図３、図４、及び図５は、コイル部品１の製造工程を示す図である。
図３において、まず、基板３を準備し（Ｓ１００）、基板３上に、絶縁層１１の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ１０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ１０４）。シード層５ａは、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ；セミアディティブ工法）によるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
【0018】
次に、シード層５ａの上にレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路パターン１２を形成するための開口部を設ける。これにより、開口部を設けられたレジスト６として、シード層５ａ上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する（Ｓ１０６）。続いて、当該絶縁壁の間であるレジスト６の開口部に沿って電解めっきにより銅金属をめっき成長して回路パターン１２を形成し（Ｓ１０８）、レジスト６およびシード層５ａを除去する（Ｓ１１０）。ここで、ステップＳ１０６では、回路接続部１２ａを形成する位置において、レジスト６の間隔をそれ以外の間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成しておく。さらに、ステップＳ１０８では、電解めっきにおける電流密度は、１０ＡＳＤ（Ａｍｐｅｒｅ ｐｅｒ Ｓｑｕａｒｅ Ｄｅｃｉｍｅｔｅｒ）以上の高電流密度に設定することにより、幅広の開口部のめっきの成長速度をそれ以外の開口部よりも有意に高めて、幅広の開口部に形成される回路接続部１２ａに、それ以外の回路部分１２ｂよりも厚みが厚い回路パターン１２を形成する。
【0019】
図４を参照し、次に、回路パターン１２を覆うように絶縁性樹脂をパターンニングして、絶縁層１１を形成する（Ｓ１１２）。これにより、回路パターン１２が絶縁層１１に埋設された配線層１０が形成される。
【0020】
次に、絶縁層１１の上面にシード層５ｂを形成する（Ｓ１１４）。続いて、シード層５ｂ上にレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路接続部１２ａ上にレジスト６の開口を形成する（Ｓ１１６）。そして、レジスト６の開口部においてシード層５ｂを用いた電解めっきを行い、回路接続部１２ａの上部に引き出し配線１４を形成したのち（Ｓ１１８）、レジスト６を除去する（Ｓ１２０）。
【0021】
図５を参照し、次に、配線層１０および引き出し配線１４を覆うように上部磁性層７を形成し、表面を研削して引き出し配線１４の上面を露出させる（Ｓ１２２）。続いて、基板３を剥離したのち（Ｓ１２４）、下部磁性層８を形成する（Ｓ１２６）。これにより、上部磁性層７および下部磁性層８で構成される素体２に、配線層１０および引き出し配線１４が埋設される。
【0022】
次に、素体２の図示上側の主面に、引き出し配線１４の表面を避けてソルダーレジスト１６を塗布し（Ｓ１２８）、引き出し配線１４の上部に外部電極１５の導体を、たとえばめっきにより形成して（Ｓ１３０）、コイル部品１が完成する。
【0023】
［第２実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態に係るコイル部品２０の内部構造を示す模式図である。また、図７は、図６におけるＢ部の部分詳細図である。図６および図７において、図１および図２に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１および図２に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１及び図２についての説明を援用する。
次に、第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態に係るコイル部品２０の内部構造を示す模式図である。また、図７は、図６におけるＢ部の部分詳細図である。図６および図７において、図１および図２に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１および図２に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１及び図２についての説明を援用する。
【0024】
コイル部品２０は、コイル部品１と同様の構成を有するが、配線層１０に代えて配線層２１を有する。配線層２１は、配線層１０と同様の構成を有するが、絶縁層１１および回路パターン１２に代えて、絶縁層２２および回路パターン２３を有する。絶縁層２２は、絶縁層１１の支持層１１ａと同様の支持層２２ａを有する。また、回路パターン２３は、回路パターン１２の回路接続部１２ａおよび回路部分１２ｂと同様の、回路接続部２３ａおよび回路部分２３ｂを有する。
【0025】
回路パターン２３は、回路パターン１２と同様の構成を有するが、回路パターン２３の延在方向に直交する面に沿った断面の形状が、回路パターン１２と異なる。すなわち、回路パターン２３の断面形状は、配線層２１の外に形成された引き出し配線１４に近い側の辺である上辺の長さが当該上辺に対向する下辺の長さより短い台形形状である。また、回路パターン２３は、回路接続部２３ａにおける上記台形形状の上辺の幅Ｗ１が、回路接続部２３ａ以外の部分である回路部分２３ｂにおける上記台形形状の上辺の幅Ｗ２よりも広い。
【0026】
上記の構成を有するコイル部品２０では、台形断面を有する回路パターン２３は、例えば、支持層２１ａと、支持層２１ａ上において回路パターン２３を幅方向から挟む位置に設けられる一対の絶縁壁と、が形成する台形断面形状の開口部内においてめっき成長により形成され得る。この場合、めっき成長が行われる台形断面形状の開口部の上辺の狭い開口からめっき液が流入するので（図８のステップＳ２０６、Ｓ２０８参照）、矩形断面の回路パターンを形成する場合に比べて、上記開口部におけるめっき液の循環が起きにくく、開口の幅の差に対するめっき成長速度の差が大きくなる。
【0027】
このため、コイル部品２０では、回路部分２３ｂに比べて、幅広の回路接続部２３ａの厚みをより厚く形成することができ、層間接続部１３の厚みをより容易に低減することができる。その結果、回路接続部２３ａと引き出し配線１４との間の層間接続部１３の厚みを薄くして、環境温度の変動等に起因して層間接続部１３に加わる応力を低減し、回路パターン２３と引き出し配線１４との接続信頼性を向上することができる。
【0028】
コイル部品２０は、例えば、以下のように作製され得る。
図８、図９、及び図１０は、コイル部品２０の製造工程を示す図である。
図８において、まず、基板３を準備し（Ｓ２００）、基板３上に、絶縁層２２の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ２０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ２０４）。シード層５ａは、ＳＡＰによるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
図８、図９、及び図１０は、コイル部品２０の製造工程を示す図である。
図８において、まず、基板３を準備し（Ｓ２００）、基板３上に、絶縁層２２の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ２０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ２０４）。シード層５ａは、ＳＡＰによるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
【0029】
次に、シード層５ａの上に感光性樹脂のレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路パターン２３を形成するための開口部６ａ、６ｂを設ける（Ｓ２０６）。このとき、基板３上において、フォトリソグラフィに用いる投影露光装置のフォーカス位置を、例えば、ネガタイプのレジスト６の表面よりも上方向にずらして設定する。これにより、現像後においてシード層５ａ上に残るレジスト６は、基板３の方向に向かって幅が減少する逆テーパ形状となる。
【0030】
ここで、ステップＳ２０６において金属層であるシード層５ａ上に残るレジスト６は、本開示における金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁に相当する。なお、レジスト６がポジタイプである場合には、投影露光装置のフォーカス位置を、レジスト６の表面より下方向にずらすことで、同様の逆テーパ形状の断面を形成することができる。すなわち、レジスト６がネガタイプであっても、ポジタイプであっても、レジスト６の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によってレジスト６を露光することにより、レジスト６の断面を、逆テーパ形状に形成できる。
【0031】
続いて、レジスト６の開口部に沿って電解めっきにより銅金属をめっき成長して断面台形の回路パターン２３を形成し（Ｓ２０８）、レジスト６およびシード層５ａを除去する（Ｓ２１０）。ステップＳ２０６において形成されるレジスト６の壁の断面は逆テーパ状に形成されるため、これらの壁の間に形成される開口部６ａ、６ｂは、レジスト壁が矩形である場合に比べてめっき液が流入する幅が狭くなる。
【0032】
このため、レジスト６の逆テーパ状の壁の間隔が狭くなるにしたがって、めっき成長の速度は大きく低下する。このため、台形断面の回路パターン２３を形成する本実施形態のコイル部品２０では、上述したコイル部品１の場合（図３のステップＳ１０８）に比べてステップＳ２０８におけるめっき成長の際の電流密度をより低く設定した状態で、回路部分２３ｂに対して回路接続部２３ａの厚みを、容易により厚く形成することができる。
【0033】
図９を参照し、次に、回路パターン２３を覆うように絶縁性樹脂をパターンニングして、絶縁層２２を形成する（Ｓ２１２）。これにより、回路パターン２３が絶縁層２２に埋設された配線層２１が形成される。
【0034】
次に、絶縁層２２の上面にシード層５ｂを形成する（Ｓ２１４）。続いて、シード層５ｂ上にレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路接続部２３ａ上にレジスト６の開口を形成する（Ｓ２１６）。そして、レジスト６の開口部においてシード層５ｂを用いた電解めっきを行って、回路接続部２３ａの上部に引き出し配線１４を形成したのち（Ｓ２１８）、レジスト６を除去する（Ｓ２２０）。
【0035】
図１０を参照し、次に、配線層２１および引き出し配線１４を覆うように上部磁性層７を形成し、表面を研削して引き出し配線１４の上面を露出させる（Ｓ２２２）。続いて、基板３を剥離したのち（Ｓ２２４）、下部磁性層８を形成する（Ｓ２２６）。これにより、上部磁性層７および下部磁性層８で構成される素体２に、配線層２１および引き出し配線１４が埋設される。
【0036】
次に、素体２の図示上側の主面に、引き出し配線１４の表面を避けてソルダーレジスト１６を塗布し（Ｓ２２８）、引き出し配線１４の上部に外部電極１５の導体を、たとえばめっきにより形成して（Ｓ２３０）、コイル部品２０が完成する。
【0037】
［第３実施形態］
次に、第３の実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第３の実施形態に係るコイル部品３０の内部構造を示す模式図である。また、図１２は、図１１におけるＣ部の部分詳細図である。図１１および図１２において、図１および図２に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１および図２に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１及び図２についての説明を援用する。
次に、第３の実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第３の実施形態に係るコイル部品３０の内部構造を示す模式図である。また、図１２は、図１１におけるＣ部の部分詳細図である。図１１および図１２において、図１および図２に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１および図２に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１及び図２についての説明を援用する。
【0038】
コイル部品３０は、コイル部品１と同様の構成を有するが、配線層１０に代えて配線層３１を有する。配線層３１は、配線層１０と同様の構成を有するが、回路パターン１２に代えて回路パターン３３を有する。回路パターン３３は、回路パターン１２の回路接続部１２ａおよび回路部分１２ｂと同様の回路接続部３３ａおよび回路部分３３ｂを有する。回路パターン３３は、回路パターン１２と同様の構成を有するが、絶縁層１１の一部である支持層１１ａ上に形成されたシードパターン３４を含む。シードパターン３４は、ＳＡＰを用いためっき成長により回路パターン３３を作製する際に用いられる。シードパターン３４は、回路パターン３３のうち回路接続部３３ａが含むシードパターン３４ａと、回路部分３３ｂが含むシードパターン３４ｂと、を含む。
【0039】
そして、本実施形態では、特に、回路部分３３ｂが含むシードパターン３４ｂの幅Ｗ４に対し、回路接続部３３ａが含むシードパターン３４ａの幅Ｗ３が広い。
これにより、コイル部品３０では、回路パターン３３の形成時における、回路接続部３３ａのめっき成長速度を、回路部分３３ｂのめっき成長速度より高めて、回路部分３３ｂに対し回路接続部３３ａの厚みを厚くすることができる。その結果、回路接続部３３ａと引き出し配線１４との間の層間接続部１３の厚みを薄くして、環境温度の変動等に起因して層間接続部１３に加わる応力を低減し、回路パターン３３と引き出し配線１４との接続信頼性を向上することができる。
これにより、コイル部品３０では、回路パターン３３の形成時における、回路接続部３３ａのめっき成長速度を、回路部分３３ｂのめっき成長速度より高めて、回路部分３３ｂに対し回路接続部３３ａの厚みを厚くすることができる。その結果、回路接続部３３ａと引き出し配線１４との間の層間接続部１３の厚みを薄くして、環境温度の変動等に起因して層間接続部１３に加わる応力を低減し、回路パターン３３と引き出し配線１４との接続信頼性を向上することができる。
【0040】
コイル部品３０は、例えば、以下のように作製され得る。
図１３、図１４、及び図１５は、コイル部品３０の製造工程を示す図である。
図１３において、まず、基板３を準備し（Ｓ３００）、基板３上に、絶縁層１１の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ３０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ３０４）。シード層５ａは、ＳＡＰによるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
図１３、図１４、及び図１５は、コイル部品３０の製造工程を示す図である。
図１３において、まず、基板３を準備し（Ｓ３００）、基板３上に、絶縁層１１の一部となる絶縁性樹脂である樹脂層４を形成する（Ｓ３０２）。次に、樹脂層４の上にシード層５ａを形成する（Ｓ３０４）。シード層５ａは、ＳＡＰによるめっき成長を行うための、銅金属から成る給電膜であり、スパッタまたは無電解めっきを用いて形成され得る金属層である。
【0041】
次に、フォトリソグラフィによりシード層５ａをパターンニングして、シードパターン３４を形成する（Ｓ３０６）。シードパターン３４は、後の工程において回路パターン３３のめっき成長に用いられる。シードパターン３４は、回路接続部３３ａのめっき成長に用いられるシードパターン３４ａと、回路部分３３ｂのめっき成長に用いられるシードパターン３４ｂと、を含む。
【0042】
次に、シード層５ａの上にレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路パターン３３を形成するための開口部を設ける（Ｓ３０８）。
【0043】
続いて、レジスト６の開口部に沿って電解めっきにより銅金属をめっき成長して回路パターン３３を形成し（Ｓ３１０）、レジスト６およびシード層５ａを除去する（Ｓ３１２）。
【0044】
図１４を参照し、次に、回路パターン３３を覆うように絶縁性樹脂をパターンニングして、絶縁層１１を形成する（Ｓ３１４）。これにより、回路パターン３３が絶縁層１１に埋設された配線層３１が形成される。
【0045】
次に、絶縁層１１の上面にシード層５ｂを形成する（Ｓ３１６）。続いて、シード層５ｂ上にレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィを用いたパターンニングにより、回路接続部３３ａ上にレジスト６の開口を形成する（Ｓ３１８）。そして、レジスト６の開口部においてシード層５ｂを用いた電解めっきを行い、回路接続部３３ａの上部に引き出し配線１４を形成したのち（Ｓ３２０）、レジスト６を除去する（Ｓ３２２）。
【0046】
図１５を参照し、次に、配線層３１および引き出し配線１４を覆うように上部磁性層７を形成し、表面を研削して引き出し配線１４の上面を露出させる（Ｓ３２４）。続いて、基板３を剥離したのち（Ｓ３２６）、下部磁性層８を形成する（Ｓ３２８）。これにより、上部磁性層７および下部磁性層８で構成される素体２に、配線層３１および引き出し配線１４が埋設される。
【0047】
次に、素体２の図示上側の主面に、引き出し配線１４の表面を避けてソルダーレジスト１６を塗布し（Ｓ３３０）、引き出し配線１４の上部に外部電極１５の導体を、たとえばめっきにより形成して（Ｓ３３２）、コイル部品３０が完成する。
【0048】
［第４実施形態］
次に、第４の実施形態について説明する。
図１６は、本発明の第４の実施形態に係るコイル部品４０の内部構造を示す模式図である。図１６において、図１に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１についての説明を援用する。
次に、第４の実施形態について説明する。
図１６は、本発明の第４の実施形態に係るコイル部品４０の内部構造を示す模式図である。図１６において、図１に示すコイル部品１の構成要素と同じ構成要素については、図１に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１についての説明を援用する。
【0049】
コイル部品４０は、素体２の主面方向に積み重ねられた２つの配線層４１および４２を備える。配線層４１および４２は、それぞれ、配線層１０と同様に、絶縁層４３、４４に回路パターン４５、４６が埋設されている。
【0050】
回路パターン４５は、回路パターン１２と同様に、回路接続部４５ａと回路部分４５ｂとを備える。回路接続部４５ａは、絶縁層４３の開口を介して、層間接続部１３により、配線層４１の外に形成された配線導体である引き出し配線１４と接続されている。そして、回路パターン４５は、回路パターン１２と同様に、回路接続部４５ａの厚みが、回路接続部４５ａ以外の部分である回路部分４５ｂの厚みより厚い。
【0051】
回路パターン４６は、回路パターン１２と同様に、回路接続部４６ａと回路部分４６ｂとを備える。回路接続部４６ａは、絶縁層４４の開口を介して、層間接続部４７により、配線層４２の外に形成された配線導体である配線層４１の回路パターン４５の回路部分４５ｂと接続されている。そして、回路パターン４６は、回路パターン１２と同様に、回路接続部４６ａの厚みが、回路接続部４６ａ以外の部分である回路部分４６ｂの厚みより厚い。
【0052】
これにより、コイル部品４０では、コイル部品１と同様に、回路パターン４５の回路接続部４５ａと引き出し配線１４との間の距離を縮めて、層間接続部１３の厚みを薄くして回路パターン４５と引き出し配線１４とを接続することができる。同様に、コイル部品４０では、回路パターン４６の回路接続部４６ａと配線層４１の回路パターン４５との間の距離を縮めて、層間接続部４７の厚みを薄くして回路パターン４６と回路パターン４５とを接続することができる。
【0053】
その結果、コイル部品４０では、環境温度の変動等に起因して層間接続部１３および４７に加わる応力を低減して、引き出し配線１４、回路パターン４５、および回路パターン４６の間の接続信頼性を向上することができる。
【0054】
なお、本実施形態では、コイル部品４０は、２つの配線層４１、４２を備えるものとしたが、積み重ねられた３以上の配線層を有するものとしてもよい。これらの積み重ねられる配線層のそれぞれの回路パターンは、コイル部品４０の設計に応じて、それらの回路パターンの任意の場所に、それぞれの配線層の外の配線導体につながる回路接続部を設けることができる。
【0055】
［その他の実施形態］
上述した実施形態では、配線層を有する電子部品の一例としてコイル部品１、２０、３０、４０を示したが、本発明が実施され得る電子部品は、その一部に配線層１０、２１、３１、４１、または４２と同様の断面構造を有する配線層を一つ以上含む、コイル部品以外の任意の電子部品であり得る。そのような配線層の平面視は、リング状に限らず、電子部品における回路設計に応じて、任意の形状を有し得る。
また、上述した実施形態では、回路パターン１２は、スパイラル状であったが、これに限られず、１ターン未満の周回形状や、直線状、ミアンダ状などであってもよい。
また、上述した実施形態では、外部電極１５は、引き出し配線１４の端面上に別途形成されていたが、これに限られず、外部電極１５が、引き出し配線１４の端面であってもよい。すなわち、配線導体が引き出し配線１４かつ外部電極１５であってもよい。外部電極１５は、塗布、めっき、スパッタなどの任意の形成方法を用いて形成され、材料も銅、銀、ニッケル、錫、金など、任意のものであり得る。また、外部電極１５は、異なる層を複数有する積層構造であってもよい。
また、上述した実施形態では、絶縁層１１は、絶縁性樹脂であったが、ガラスやアルミナ、フェライトなどの焼結体であってもよい。また、絶縁層１１は、素体２と同じ構成を有して素体２と一体化していてもよい。
上述した実施形態では、配線層を有する電子部品の一例としてコイル部品１、２０、３０、４０を示したが、本発明が実施され得る電子部品は、その一部に配線層１０、２１、３１、４１、または４２と同様の断面構造を有する配線層を一つ以上含む、コイル部品以外の任意の電子部品であり得る。そのような配線層の平面視は、リング状に限らず、電子部品における回路設計に応じて、任意の形状を有し得る。
また、上述した実施形態では、回路パターン１２は、スパイラル状であったが、これに限られず、１ターン未満の周回形状や、直線状、ミアンダ状などであってもよい。
また、上述した実施形態では、外部電極１５は、引き出し配線１４の端面上に別途形成されていたが、これに限られず、外部電極１５が、引き出し配線１４の端面であってもよい。すなわち、配線導体が引き出し配線１４かつ外部電極１５であってもよい。外部電極１５は、塗布、めっき、スパッタなどの任意の形成方法を用いて形成され、材料も銅、銀、ニッケル、錫、金など、任意のものであり得る。また、外部電極１５は、異なる層を複数有する積層構造であってもよい。
また、上述した実施形態では、絶縁層１１は、絶縁性樹脂であったが、ガラスやアルミナ、フェライトなどの焼結体であってもよい。また、絶縁層１１は、素体２と同じ構成を有して素体２と一体化していてもよい。
【0056】
また、上述した実施形態に示す特徴構成やその製造方法は、任意の電子部品において相互に組み合わせて用いることができる。例えば、一つの電子部品の中で、配線層１０、２１、３１、４１、４２と同様の構成を有する任意の数の配線層を任意に組み合わせて用いてもよい。また、例えば、第２、第３、第４実施形態において、第１実施形態の高電流密度の電解めっきを組み合わせてもよいし、第１、第３および第４実施形態において、第２実施形態の逆テーパ状の絶縁壁を組み合わせてもよく、第１、第２、第４実施形態において、第３実施形態のシードパターンを組み合わせてもよい。特に、前記回路接続部の厚みを、前記回路接続部以外の部分の厚みより厚くする方法については、第１、第２、第３実施形態に例示した方法のいずれであってもよいし、これに限定されない。
【0057】
なお、上述した全ての実施形態は、本発明の一態様を例示したものであって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変形及び応用が可能である。
【0058】
また、上述した実施形態における水平、及び垂直等の方向や各種の数値、形状、材料は、特段の断りがない限り、それら方向や数値、形状、材料と同じ作用効果を奏する範囲（いわゆる均等の範囲）を含む。
【0059】
［上記実施形態がサポートする構成］
上述した実施形態は、以下の構成をサポートする。
上述した実施形態は、以下の構成をサポートする。
【0060】
（構成１）絶縁層と、前記絶縁層に埋設された回路パターンと、前記絶縁層の外に形成された配線導体と、前記絶縁層の開口を介して、前記回路パターンの一部である回路接続部と前記配線導体とを接続する層間接続部と、を備え、前記回路パターンは、前記回路接続部の前記層間接続部の直下の部分の厚みが、前記回路接続部以外の部分の平均厚みより厚い、電子部品。
構成１の電子部品によれば、絶縁層に埋設された回路パターンの一部である回路接続部と配線導体との間の距離を縮めて層間接続部の厚みを薄くできるので、回路パターンと絶縁層外の配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
構成１の電子部品によれば、絶縁層に埋設された回路パターンの一部である回路接続部と配線導体との間の距離を縮めて層間接続部の厚みを薄くできるので、回路パターンと絶縁層外の配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
【0061】
（構成２）前記回路パターンは、前記回路接続部の幅が、前記回路接続部以外の部分の幅より広い、構成１に記載の電子部品。
構成２の電子部品によれば、回路パターンにおいて、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
構成２の電子部品によれば、回路パターンにおいて、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
【0062】
（構成３）前記回路パターンの、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った断面の形状は、前記配線導体に近い側の辺である上辺の長さが、前記上辺に対向する下辺の長さより短い台形形状であり、前記回路パターンは、前記回路接続部における前記台形形状の前記上辺の幅が、前記回路接続部以外の部分における前記台形形状の上辺の幅よりも広い、構成１に記載の電子部品。
構成３の電子部品によれば、回路パターンをめっき成長で形成する際に、回路パターンの幅に対するめっき成長速度の差を大きくして、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
構成３の電子部品によれば、回路パターンをめっき成長で形成する際に、回路パターンの幅に対するめっき成長速度の差を大きくして、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
【0063】
（構成４）前記回路パターンは、前記配線導体から遠い側の面である底面に、前記回路パターンに沿って延在するシードパターンを有し、前記底面に沿って延在する前記シードパターンは、前記回路接続部における幅が、前記回路接続部以外の部分における幅よりも広い、構成１又は２に記載の電子部品。
構成４の電子部品によれば、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
構成４の電子部品によれば、回路接続部の厚みを、回路接続部以外の部分の厚みに対し容易に厚く形成することができる。
【0064】
（構成５）前記絶縁層の主面に直交する方向に積み重ねられた少なくとも２つの前記回路パターンを備える、構成１ないし４のいずれかに記載の電子部品。
構成５の電子部品によれば、積み重ねられた複数の回路パターン間の接続において、層間接続部の厚みを薄くして、接続の信頼性を向上することができる。
構成５の電子部品によれば、積み重ねられた複数の回路パターン間の接続において、層間接続部の厚みを薄くして、接続の信頼性を向上することができる。
【0065】
（構成６）前記回路パターンは、コイルを構成する、構成１ないし５のいずれかに記載の電子部品であるコイル部品。
構成６のコイル部品によれば、回路パターンと他の導体との良好な接続状態を確立して、信頼性を向上することができる。
構成６のコイル部品によれば、回路パターンと他の導体との良好な接続状態を確立して、信頼性を向上することができる。
【0066】
（構成７）金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記電解めっきにおける電流密度を１０ＡＳＤ以上に設定することにより、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法。
構成７の電子部品の製造方法によれば、上記幅広の開口部に形成する回路パターンの厚みを、それ以外の開口部に形成する回路パターンの厚みに対し容易に厚く形成することができるので、上記幅広の開口部において回路パターンの上部に配線導体を形成する場合に、当該回路パターンと配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
構成７の電子部品の製造方法によれば、上記幅広の開口部に形成する回路パターンの厚みを、それ以外の開口部に形成する回路パターンの厚みに対し容易に厚く形成することができるので、上記幅広の開口部において回路パターンの上部に配線導体を形成する場合に、当該回路パターンと配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
【0067】
（構成８）金属層上に所定の間隔で配列された複数の絶縁壁を形成する工程と、前記絶縁壁の間に金属を電解めっきによりめっき成長させて前記回路パターンを形成する工程と、を備え、前記絶縁壁を形成する前記工程では、少なくとも一部の前記間隔をそれ以外の前記間隔よりも大きくした幅広の開口部を形成し、かつ前記金属層上に形成された感光性樹脂の表面に対しオフフォーカスに設定された投影露光装置からの照射光によって前記感光性樹脂を露光することにより、前記回路パターンの延在方向に直交する面に沿った前記絶縁壁の断面を、前記金属層に向かって幅が減少する逆テーパ状に形成し、前記回路パターンを形成する前記工程では、前記逆テーパ状の絶縁壁により、前記幅広の開口部よりも、それ以外の開口部において、前記開口部に流入するめっき液の循環を起こりにくくすることで、前記幅広の開口部に、それ以外の開口部よりも厚みが厚い回路パターンを形成する、電子部品の製造方法。
構成８の電子部品の製造方法によれば、上記幅広の開口部に形成する回路パターンの厚みを、それ以外の開口部に形成する回路パターンの厚みに対し容易に厚く形成することができるので、上記幅広の開口部において回路パターンの上部に配線導体を形成する場合に、当該回路パターンと配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
構成８の電子部品の製造方法によれば、上記幅広の開口部に形成する回路パターンの厚みを、それ以外の開口部に形成する回路パターンの厚みに対し容易に厚く形成することができるので、上記幅広の開口部において回路パターンの上部に配線導体を形成する場合に、当該回路パターンと配線導体との間の接続信頼性を向上することができる。
【符号の説明】
【0068】
１、２０、３０、４０…コイル部品、２…素体、３…基板、４…樹脂層、５ａ、５ｂ…シード層、６…レジスト、６ａ、６ｂ…開口部、７…上部磁性層、８…下部磁性層、１０、２１、３１、４１、４２…配線層、１１、２２、４３、４４…絶縁層、１１ａ、３２ａ…支持層、１２、３３、４５、４６…回路パターン、１２ａ、２３ａ、４５ａ、４６ａ…回路接続部、１２ｂ、２３ｂ、４５ｂ、４６ｂ…回路部分、１３、４７…層間接続部、１４…引き出し配線、１５…外部電極、１６…ソルダーレジスト、３４、３４ａ、３４ｂ…シードパターン。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】