特開2023-184478IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。


[式中、Ar1-Ar3は其々ナフタレン等;R1-R3は其々-O-R10、-O-CO-R10等;R10は式(IC)で表される基]
【選択図】なし

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを形成する塩を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、以下の発明を含む。 [1]式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。 TIFF 2023184478000003.tif 57 149 [式(I)中、 Ar1、Ar2・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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