公報発行日 2023年12月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-184478 ログイン済みの方はこのURLへ
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【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。
本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造することができる。
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