(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023021055
(43)【公開日】2023-02-09
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230202BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20230202BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20230202BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651
H01L21/304 643
H01L21/304 642A
H01L21/304 642F
H01L21/304 651J
H01L21/304 651G
H01L21/304 651B
H01L21/304 651Z
H01L21/304 648A
H01L21/68 N
H01L21/306 J
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022120432
(22)【出願日】2022-07-28
(31)【優先権主張番号】10-2021-0100118
(32)【優先日】2021-07-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】チェ，ジュン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】チャン，キュ ファン
(72)【発明者】
【氏名】キム，チュル グー
(72)【発明者】
【氏名】チェ，ジャン ボン
(72)【発明者】
【氏名】リー，ヤン イル
【テーマコード（参考）】
5F043
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA35
5F043EE02
5F043EE07
5F043EE36
5F131AA02
5F131BA18
5F131BA37
5F131BB03
5F131CA32
5F131DA43
5F131DA52
5F131DA63
5F131EC22
5F131GA03
5F131GA27
5F131GA43
5F157AA09
5F157AB02
5F157AB03
5F157AB13
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB34
5F157AB45
5F157AB48
5F157AB51
5F157AB62
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC56
5F157BB02
5F157BB09
5F157BB23
5F157CB14
5F157CB22
5F157CB26
5F157CF14
5F157CF60
5F157CF99
5F157DA21
5F157DB32
5F157DB51
5F157DC90
(57)【要約】 （修正有）
【課題】バッチ式処理方法の量産性を保ちながらパターンリーニング現象やウォーターマークの発生を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置３００は、処理液Ｌ３が収容される収容空間３１２を有して複数の基板を液処理する処理槽３１０と、処理液に浸された状態の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材３３０と、を含む。平姿勢に変換された基板は、ウェッティングモジュール３５０によりウェッティング液を供給された後、枚葉式で液処理及び乾燥処理される。
【選択図】図９
【解決手段】基板処理装置３００は、処理液Ｌ３が収容される収容空間３１２を有して複数の基板を液処理する処理槽３１０と、処理液に浸された状態の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材３３０と、を含む。平姿勢に変換された基板は、ウェッティングモジュール３５０によりウェッティング液を供給された後、枚葉式で液処理及び乾燥処理される。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
処理液が収容される収容空間を有して、複数の基板を液処理する処理槽と、及び
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含む、ことを特徴とする基板処理装置。
処理液が収容される収容空間を有して、複数の基板を液処理する処理槽と、及び
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含む、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記処理槽の上部に設置され、前記処理液から脱して外部に露出される基板にウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記ウェッティングモジュールは、
前記ウェッティング液をストリーム、またはスプレー方式で前記ウェッティング液を噴射するように構成されるウェッティングノズルを含む、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記ウェッティング液をストリーム、またはスプレー方式で前記ウェッティング液を噴射するように構成されるウェッティングノズルを含む、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液は、
前記収容空間に収容された前記処理液と同じ種類の液である、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記収容空間に収容された前記処理液と同じ種類の液である、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記ウェッティングモジュールは、
上部から眺める時、前記ウェッティングノズルを基板の半径方向に沿って移動させる移動部材を含む、ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
上部から眺める時、前記ウェッティングノズルを基板の半径方向に沿って移動させる移動部材を含む、ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項6】
基板を臨時保管するバッファー部と、及び
前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する返送ユニットを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する返送ユニットを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記バッファー部は、
基板を支持する支持棚と、
前記支持棚に支持された基板にウェッティング液を噴射するウェッティングノズルと、及び
前記支持棚に支持された基板の下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁を含む、ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
基板を支持する支持棚と、
前記支持棚に支持された基板にウェッティング液を噴射するウェッティングノズルと、及び
前記支持棚に支持された基板の下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁を含む、ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記ウェッティングノズルは、
複数で提供され、前記ウェッティングノズルらのうちで何れか一つと前記ウェッティングノズルらのうちで他の一つはお互いに向い合う位置に設置される、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
複数で提供され、前記ウェッティングノズルらのうちで何れか一つと前記ウェッティングノズルらのうちで他の一つはお互いに向い合う位置に設置される、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記支持棚、前記ウェッティングノズル、そして、前記排水隔壁は、それぞれ基板と対応されるように複数で提供され、
前記返送ユニットは、
複数枚の基板を返送するバッチハンドを含むが、
前記バッチハンドがグリップする複数枚の基板間の間隔は、
前記支持棚らの間の間隔と同一である、ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
前記返送ユニットは、
複数枚の基板を返送するバッチハンドを含むが、
前記バッチハンドがグリップする複数枚の基板間の間隔は、
前記支持棚らの間の間隔と同一である、ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記ウェッティングノズルが噴射する前記ウェッティング液は、前記収容空間に収容された前記処理液と同じ種類の液である、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記収容空間に収容された前記処理液に浸され、基板らを収納する収納空間を有する収納容器と、及び
前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させる昇降部材を含み、
前記姿勢変換部材は、
前記収納容器に装着可能であり、前記収納容器を回転させる回転部と、及び
前記処理槽に設置され、前記回転部に装着された前記収納容器を水平方向に移動させる移動部を含み、
前記収納容器の一面-前記収納容器が回転されて基板の姿勢が前記水平姿勢に変換された時、前記一面は前記ウェッティングモジュールと向い合い-は開放される、ことを特徴とする請求項２乃至請求項５のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させる昇降部材を含み、
前記姿勢変換部材は、
前記収納容器に装着可能であり、前記収納容器を回転させる回転部と、及び
前記処理槽に設置され、前記回転部に装着された前記収納容器を水平方向に移動させる移動部を含み、
前記収納容器の一面-前記収納容器が回転されて基板の姿勢が前記水平姿勢に変換された時、前記一面は前記ウェッティングモジュールと向い合い-は開放される、ことを特徴とする請求項２乃至請求項５のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記装置は、
基板を返送するハンドを有する返送ユニットと、及び
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記昇降部材が前記収納容器を上の方向に移動させて外部に露出された基板を前記収納容器から搬出するように前記昇降部材、そして、前記返送ユニットを制御する、ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
基板を返送するハンドを有する返送ユニットと、及び
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記昇降部材が前記収納容器を上の方向に移動させて外部に露出された基板を前記収納容器から搬出するように前記昇降部材、そして、前記返送ユニットを制御する、ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板を処理する装置において、
バッチ式で複数の基板を同時に液処理する第１工程処理部と、及び
枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、
前記第１工程処理部は、
処理液が収容される収容空間を有する処理槽と、及び
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含む、ことを特徴とする基板処理装置。
バッチ式で複数の基板を同時に液処理する第１工程処理部と、及び
枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、
前記第１工程処理部は、
処理液が収容される収容空間を有する処理槽と、及び
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含む、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項14】
前記第１工程処理部は、
前記水平姿勢に変換された基板を上の方向に移動させ、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出されるようにする昇降部材をさらに含む、ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記水平姿勢に変換された基板を上の方向に移動させ、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出されるようにする昇降部材をさらに含む、ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記第１工程処理部は、
基板を収納する収納空間を有する複数の収納容器を含み、
前記姿勢変換部材は前記収納容器のうちで何れか一つを回転させて収納された基板らを前記水平姿勢に変換し、
前記昇降部材は前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させる、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
基板を収納する収納空間を有する複数の収納容器を含み、
前記姿勢変換部材は前記収納容器のうちで何れか一つを回転させて収納された基板らを前記水平姿勢に変換し、
前記昇降部材は前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させる、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記第２工程処理部は、
基板を臨時保管するバッファー部を含み、
前記第１工程処理部は、
前記昇降部材によって前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する第１返送ユニットをさらに含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
基板を臨時保管するバッファー部を含み、
前記第１工程処理部は、
前記昇降部材によって前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する第１返送ユニットをさらに含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記第２工程処理部は、
枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと、及び
前記バッファー部と前記枚葉式処理チャンバの間で基板を返送する第２返送ユニットをさらに含み、
前記第２返送ユニットは、
前記バッファー部から複数の基板を搬出して前記枚葉式処理チャンバに返送するように複数の返送ハンドを有する、ことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと、及び
前記バッファー部と前記枚葉式処理チャンバの間で基板を返送する第２返送ユニットをさらに含み、
前記第２返送ユニットは、
前記バッファー部から複数の基板を搬出して前記枚葉式処理チャンバに返送するように複数の返送ハンドを有する、ことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記バッファー部は、
枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと積層されるように配置されるが、前記枚葉式処理チャンバの上部に配置される、ことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと積層されるように配置されるが、前記枚葉式処理チャンバの上部に配置される、ことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項19】
基板を処理する装置において、
バッチ式で複数の基板を液処理する第１工程処理部と、及び
前記第１工程処理部で処理された基板を処理し、枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、
前記第１工程処理部は、
処理液が収容される収容空間を有する複数の処理槽と、
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換させる姿勢変換部材と、及び
前記処理槽の上部に設置され、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出される基板にウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含み、
前記処理槽らのうちで何れか一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と同じ種類の液であり、
前記処理槽らのうちで他の一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と他の種類の液である、ことを特徴とする基板処理装置。
バッチ式で複数の基板を液処理する第１工程処理部と、及び
前記第１工程処理部で処理された基板を処理し、枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、
前記第１工程処理部は、
処理液が収容される収容空間を有する複数の処理槽と、
前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換させる姿勢変換部材と、及び
前記処理槽の上部に設置され、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出される基板にウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含み、
前記処理槽らのうちで何れか一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と同じ種類の液であり、
前記処理槽らのうちで他の一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と他の種類の液である、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項20】
前記第２工程処理部は、
基板を臨時保管するバッファー部を含み、
前記第１工程処理部は、
前記収容空間に収容された前記処理液に浸され、前記姿勢変換部材によって回転される収納空間を有する収納容器と、
前記姿勢変換部材によって回転された前記収納容器を上下方向に移動させる昇降部材と、及び
前記昇降部材によって外部に露出された基板を前記バッファー部に返送し、複数枚の基板を返送するバッチハンドを有する返送ユニットをさらに含み、
前記バッファー部は、
基板を支持する支持棚らと、
前記支持棚に支持されたそれぞれの基板にウェッティング液を噴射する第２ウェッティングノズルらと、
前記支持棚に支持された基板らそれぞれの下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁らと、及び
前記支持棚に設置され、基板の支持如何をセンシングするセンサーを含む、ことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
基板を臨時保管するバッファー部を含み、
前記第１工程処理部は、
前記収容空間に収容された前記処理液に浸され、前記姿勢変換部材によって回転される収納空間を有する収納容器と、
前記姿勢変換部材によって回転された前記収納容器を上下方向に移動させる昇降部材と、及び
前記昇降部材によって外部に露出された基板を前記バッファー部に返送し、複数枚の基板を返送するバッチハンドを有する返送ユニットをさらに含み、
前記バッファー部は、
基板を支持する支持棚らと、
前記支持棚に支持されたそれぞれの基板にウェッティング液を噴射する第２ウェッティングノズルらと、
前記支持棚に支持された基板らそれぞれの下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁らと、及び
前記支持棚に設置され、基板の支持如何をセンシングするセンサーを含む、ことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するため、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして、薄膜蒸着などの多様な工程らを通じて所望するパターンをウェハーなどを基板上に形成する。それぞれの工程には多様な処理液、処理ガスらが使用され、工程が進行中にはパーティクル、そして、工程副産物が発生する。このような基板上の薄膜、パーティクル、そして、工程副産物を基板から除去するためにそれぞれの工程前後には基板に対する液処理工程が遂行される。一般な液処理工程は基板をケミカル及びリンス液で処理した後乾燥処理する。液処理工程では基板上のSiNをストリップ（Strip）することができる。
【0003】
また、基板をケミカル、そして、リンス液で処理する方法は複数枚の基板をまとめて処理するバッチ式(Batch)処理方法、そして、基板を１枚ずつ処理する枚葉式処理方法で大きく分けることができる。
【0004】
複数枚の基板をまとめて処理するバッチ式処理方法は、ケミカルまたはリンス液が底流する処理槽内に複数枚の基板を垂直姿勢にまとめて浸漬することによって基板処理を実行する。このために、基板処理の量産性がすぐれて、また、各基板間の処理品質が均一である。しかし、バッチ式処理方法は上面にパターンが形成された複数枚の基板が垂直姿勢に浸漬される。これに、基板上に形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、基板を持ち上げるなどの過程で基板上に形成されたパターンにパターンリーニング(Pattern Leaning)現象が発生されることがある。また、複数枚の基板が一度に空気中に露出された状態で早い時間内に乾燥処理が行われない場合、空気中に露出された複数枚の基板のうちで一部にはウォーターマーク(Water Mark)が発生される恐れがある。
【0005】
反面、基板を１枚ずつ処理する枚葉式処理方法の場合、水平姿勢で回転する単一の基板に対してケミカルまたはリンス液を供給することに基板処理を実行する。また、枚葉式処理方法では、返送される基板が水平姿勢を維持するために上述したパターンリーニング現象が発生される危険が少なくて、また、１枚ずつ基板を処理して処理された基板を直ちに乾燥処理するか、または液処理を遂行するために上述したウォーターマークの発生危険が少ない。しかし、枚葉式処理方法の場合基板処理の量産性が落ちて、バッチ式処理方法と比べる時相対的に各基板間の処理品質が不均一である。
【0006】
また、基板を回転させてスピン乾燥する場合、基板上に形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、基板上に形成されたパターンが崩れるリーニング現象が発生される恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】韓国特許公開第10-2006-0073468号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0009】
また、本発明は基板処理の量産性を改善することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0010】
また、本発明は各基板間の処理品質の均一性をより高めることができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0011】
また、本発明は基板上にウォーターマークが発生される危険を最小化できる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0012】
また、本発明は基板上に形成されたパターンにリーニング現象が発生されることを最小化できる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0013】
また、本発明は高アスペクト比を有するパターンが形成された基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0014】
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載らから通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、処理液が収容される収容空間を有して、複数の基板を液処理する処理槽と、及び前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含むことができる。
【0016】
一実施例によれば、前記処理槽の上部に設置され、前記処理液から脱して外部に露出される基板でウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含むことができる。
【0017】
一実施例によれば、前記ウェッティングモジュールは、前記ウェッティング液をストリーム、またはスプレー方式で前記ウェッティング液を噴射するように構成されるウェッティングノズルを含むことができる。
【0018】
一実施例によれば、前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液は、前記収容空間に収容された前記処理液と同じ種類の液であることがある。
【0019】
一実施例によれば、前記ウェッティングモジュールは、上部から眺める時、前記ウェッティングノズルを基板の半径方向に沿って移動させる移動部材を含むことができる。
【0020】
一実施例によれば、基板を臨時保管するバッファー部と、及び前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する返送ユニットを含むことができる。
【0021】
一実施例によれば、前記バッファー部は、基板を支持する支持棚と、前記支持棚に支持された基板にウェッティング液を噴射するウェッティングノズルと、及び前記支持棚に支持された基板の下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁を含むことができる。
【0022】
一実施例によれば、前記ウェッティングノズルは、複数で提供され、前記ウェッティングノズルらのうちで何れか一つと前記ウェッティングノズルらのうちで他の一つはお互いに向い合う位置に設置されることができる。
【0023】
一実施例によれば、前記支持棚、前記ウェッティングノズル、そして、前記排水隔壁は、それぞれ基板と対応されるように複数で提供され、前記返送ユニットは、複数枚の基板を返送するバッチハンドを含むが、前記バッチハンドがグリップする複数枚の基板間の間隔は、前記支持棚らの間の間隔と同一なことがある。
【0024】
一実施例によれば、前記ウェッティングノズルが噴射する前記ウェッティング液は、前記収容空間に収容された前記処理液と同じ種類の液であることがある。
【0025】
一実施例によれば、前記収容空間に収容された前記処理液に浸され、基板らを収納する収納空間を有する収納容器と、及び前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させる昇降部材を含み、前記姿勢変換部材は、前記収納容器に装着可能であり、前記収納容器を回転させる回転部と、及び前記処理槽に設置され、前記回転部に装着された前記収納容器を水平方向に移動させる移動部を含み、前記収納容器の一面-前記収納容器が回転されて基板の姿勢が前記水平姿勢に変換された時、前記一面は前記ウェッティングモジュールと向い合い-は開放されることがある。
【0026】
一実施例によれば、前記装置は、基板を返送するハンドを有する返送ユニットと、及び制御機をさらに含み、前記制御機は、前記昇降部材が前記収納容器を上の方向に移動させて外部に露出された基板を前記収納容器から搬出するように前記昇降部材、そして、前記返送ユニットを制御することができる。
【0027】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、バッチ式で複数の基板を同時に液処理する第１工程処理部と、及び枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、前記第１工程処理部は、処理液が収容される収容空間を有する処理槽と、及び前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部材を含むことができる。
【0028】
一実施例によれば、前記第１工程処理部は、前記水平姿勢に変換された基板を上の方向に移動させ、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出されるようにする昇降部材をさらに含むことができる。
【0029】
一実施例によれば、前記第１工程処理部は、基板を収納する収納空間を有する複数の収納容器を含み、前記姿勢変換部材は前記収納容器のうちで何れか一つを回転させて収納された基板らを前記水平姿勢に変換し、前記昇降部材は前記収納容器に収納されて前記水平姿勢に変換された基板を上下方向に移動させることができる。
【0030】
一実施例によれば、前記第２工程処理部は、基板を臨時保管するバッファー部を含み、前記第１工程処理部は、前記昇降部材によって前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出された基板を前記バッファー部に返送する第１返送ユニットをさらに含むことができる。
【0031】
一実施例によれば、前記第２工程処理部は、枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと、及び前記バッファー部と前記枚葉式処理チャンバの間で基板を返送する第２返送ユニットをさらに含み、前記第２返送ユニットは、前記バッファー部から複数の基板を搬出して前記枚葉式処理チャンバに返送するように複数の返送ハンドを有することができる。
【0032】
一実施例によれば、前記バッファー部は、枚葉式で基板を処理する枚葉式処理チャンバと積層されるように配置されるが、前記枚葉式処理チャンバの上部に配置されることができる。
【0033】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、バッチ式で複数の基板を液処理する第１工程処理部と、及び前記第１工程処理部で処理された基板を処理し、枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理する第２工程処理部を含み、前記第１工程処理部は、処理液が収容される収容空間を有する複数の処理槽と、前記処理液に浸された状態の基板の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換させる姿勢変換部材と、及び前記処理槽の上部に設置され、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出される基板でウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含み、前記処理槽らのうちで何れか一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と同じ種類の液であり、前記処理槽らのうちで他の一つに収容される前記処理液は前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液と他の種類の液であることがある。
【0034】
一実施例によれば、前記第２工程処理部は、基板を臨時保管するバッファー部を含み、前記第１工程処理部は、前記収容空間に収容された前記処理液に浸され、前記姿勢変換部材によって回転される収納空間を有する収納容器と、前記姿勢変換部材によって回転された前記収納容器を上下方向に移動させる昇降部材と、及び前記昇降部材によって外部に露出された基板を前記バッファー部に返送し、複数枚の基板を返送するバッチハンドを有する返送ユニットをさらに含み、前記バッファー部は、基板を支持する支持棚らと、前記支持棚に支持されたそれぞれの基板にウェッティング液を噴射する第２ウェッティングノズルらと、前記支持棚に支持された基板らそれぞれの下部に配置されて前記ウェッティング液を排水する排水隔壁らと、及び前記支持棚に設置され、基板の支持如何をセンシングするセンサーを含むことができる。
【0035】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、処理液が収容される収容空間を有して、複数の基板を液処理する処理槽と、及び前記処理槽の上部に設置され、前記収容空間に収容された前記処理液から脱して外部に露出される基板にウェッティング液を噴射するウェッティングモジュールを含むことができる。
【0036】
一実施例によれば、前記ウェッティングモジュールが噴射する前記ウェッティング液は、前記収容空間に収容される前記処理液と同じ種類の液であることがある。
【0037】
一実施例によれば、前記ウェッティング液、そして、前記処理液は水を含むことができる。
【0038】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、バッチ式で複数の基板を液処理する処理槽と、枚葉式で一つの基板を液処理または乾燥処理するチャンバと、及び前記処理槽、そして、前記チャンバの間で基板が返送される経路上に配置され、基板を臨時保管するバッファー部を含み、前記バッファー部は、基板を支持する支持棚と、及び前記支持棚に支持された基板にウェッティング液を噴射するウェッティングノズルを含むことができる。
【0039】
一実施例によれば、前記バッファー部は、前記支持棚に支持された基板の下部に配置され、前記ウェッティング液を排水する排水隔壁を含むことができる。
【0040】
一実施例によれば、前記排水隔壁は、前記ウェッティング液を受ける液受け空間が形成され、前記液受け空間は、前記液受け空間に収容された前記ウェッティング液を排出するドレンラインと連結されることができる。
【0041】
一実施例によれば、前記支持棚に設置され、基板の支持如何をセンシングするセンサーをさらに含み、前記ウェッティングノズルは、前記センサーの基板支持如何のセンシング如何によって前記ウェッティング液を噴射することができる。
【0042】
また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板処理方法は、垂直姿勢の基板をバッチ式で液処理する第１液処理段階と、前記基板の姿勢を前記垂直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更段階と、及び前記水平姿勢に変更された前記基板にウェッティング液を供給するウェッティング段階と、を含むことができる。
【0043】
一実施例によれば、前記ウェッティング段階以後、水平姿勢の前記基板を枚葉式で乾燥する乾燥段階を含むことができる。
【0044】
一実施例によれば、前記乾燥段階には、前記基板に超臨界状態の処理流体を供給して前記基板を乾燥することができる。
【0045】
一実施例によれば、前記ウェッティング段階以後、水平姿勢の前記基板を枚葉式で液処理する第２液処理段階を含むことができる。
【0046】
一実施例によれば、前記第１液処理段階は、お互いに相異な処理槽らで複数回遂行されるが、前記処理槽らのうちで何れか一つに収容される処理液と、前記処理槽らのうちで他の一つに収容される処理液の種類はお互いに相異なことがある。
【0047】
一実施例によれば、前記ウェッティング段階に前記基板に供給される前記ウェッティング液は、前記処理槽らのうちで他の一つに収容される処理液と同じ種類の液であることがある。
【0048】
一実施例によれば、前記ウェッティング液は、水を含む液であることがある。
【0049】
一実施例によれば、前記ウェッティング液は、前記基板にストリームまたはスプレー方式で噴射されることができる。
【0050】
一実施例によれば、前記姿勢変更段階は、前記基板が前記第１液処理段階が遂行される処理槽に収容された処理液に浸された状態で遂行されることができる。
【0051】
一実施例によれば、前記ウェッティング段階は、前記垂直姿勢で前記水平姿勢に変換された前記基板が前記処理槽に収容された前記処理液から脱するようにその位置が変更されれば、前記処理槽の上部から前記基板に前記ウェッティング液を噴射して遂行されることができる。
【0052】
一実施例によれば、前記ウェッティング段階は、前記垂直姿勢から前記水平姿勢に変換された前記基板が前記処理槽に収容された前記処理液から脱して基板を臨時保管するバッファー部に搬入されれば、前記バッファー部に設置されたウェッティングノズルが前記基板に前記ウェッティング液を噴射して遂行されることができる。
【発明の効果】
【0053】
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
【0054】
また、本発明の一実施例によれば、基板処理の量産性を改善することができる。
【0055】
また、本発明の一実施例によれば、各基板間の処理品質の均一性をより高めることができる。
【0056】
また、本発明の一実施例によれば、基板上にウォーターマークが発生される危険を最小化できる。
【0057】
また、本発明の一実施例によれば、基板上に形成されたパターンにリーニング現象が発生されることを最小化できる。
【0058】
また、本発明の一実施例によれば、高アスペクト比を有するパターンが形成された基板を効率的に処理することができる。
【0059】
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0060】
【図1】本発明の一実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。
【図12】図４の第３バッチ式液処理チャンバで基板が搬出された以後、収納容器に収納された基板らのうちで最上端に配置された基板を空気中に露出させ、露出された基板にウェッティング液を噴射する姿を見せてくれる図面である。
【図14】基板にウェッティング液を噴射する他の実施例を見せてくれる図面である。
【図15】同じく、基板にウェッティング液を噴射する他の実施例を見せてくれる図面である。
【図19】本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。
【図20】本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた概略的な図面である。
【図21】本発明の他の実施例による第２返送ユニットが基板を返送する姿を見せてくれる図面である。
【図22】同じく、本発明の他の実施例による第２返送ユニットが基板を返送する姿を見せてくれる図面である。
【図23】本発明の他の実施例による液処理チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる図面である。
【図25】本発明の他の実施例による基板処理装置を上部から眺めた図面である。
【発明を実施するための形態】
【0061】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
【0062】
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
【0063】
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【0064】
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。
【0065】
ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。
【0066】
異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。
【0067】
また、以下で説明する基板(W)を返送する構成ら、例えば、以下の返送ユニットまたは返送ロボットらは、返送モジュールと呼ばれることもある。
【0068】
【0069】
【0070】
図１乃至図３を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０は、第１工程処理部１００、第２工程処理部２００、そして、制御機６００を含むことができる。第１工程処理部１００、そして、第２工程処理部２００は上部から眺める時、第１方向(X)に沿って配列されることができる。以下では、上部から眺める時、第１方向(X)に垂直な方向を第２方向(Y)と称して、第１方向(X)及び第２方向(Y)に垂直な方向を第３方向(Z)と称する。
【0071】
第１工程処理部１００はバッチ(Batch)式で複数の基板(W)をまとめて液処理することができる。例えば、第１工程処理部１００はバッチ(Batch)式で複数の基板(W)をまとめて洗浄処理することができる。第１工程処理部１００では垂直姿勢(基板(W)の上面または下面が地面に垂直な方向と平行な姿勢)の複数の基板(W)らを同時に処理することができる。第１工程処理部１００は第１ロードポートユニット１１０、第１インデックスチャンバ１２０、第１返送チャンバ１３０、バッチ式液処理チャンバ１４０、そして、第２返送チャンバ１５０を含むことができる。
【0072】
第１ロードポートユニット１１０は少なくとも一つ以上のロードポトらを含むことができる。第１ロードポートユニット１１０が有するロードポトらには少なくとも一つ以上の基板(W)が収納された容器(F)が置かれることができる。容器(F)には複数の基板(W)らが収納されることができる。例えば、容器(F)には２５枚の基板が収納されることができる。容器(F)はカセット(Cassette)、ポッド(FOD)、フープ(FOUP)などと呼ばれることができる。容器(F)は容器返送装置によって第１ロードポートユニット１１０にローディング(Loading)されることができる。第１ロードポートユニット１１０に置かれる容器(F)に収納された基板(W)らは未処理された基板(W)、または液処理が要求される基板(W)らであることがある。また、第１ロードポートユニット１１０には未処理された基板(W)が収納された容器(F)だけ置かれることができる。すなわち、第１ロードポートユニット１１０は処理が要求される基板(W)がローディング(Loading)される役割を遂行することができる。
【0073】
第１インデックスチャンバ１２０には第１ロードポートユニット１１０が結合されることができる。第１インデックスチャンバ１２０と第１ロードポートユニット１１０は第２方向(Y)に沿って配列されることができる。第１インデックスチャンバ１２０は第１返送ロボット１２２、そして、姿勢変更ユニット１２４を含むことができる。第１返送ロボット１２２は第１ロードポートユニット１１０に安着された容器(F)から未処理された、または処理が要求される基板(W)を搬出することができる。第１返送ロボット１２２は容器(F)から基板(W)を搬出して第１インデックスチャンバ１２０内に提供された収納容器(C)に基板(W)を搬入することができる。第１返送ロボット１２２は複数枚(例えば、２５枚)の基板(W)を同時に把持及び返送することができるバッチハンドを有することができる。
【0074】
収納容器(C)は概して桶形状を有することができる。収納容器(C)は内部に収納空間を有することができる。収納容器(C)の収納空間には複数の基板(W)が収納されることができる。例えば、収納容器(C)の収納空間には５０枚の基板(W)が収納されることができる。収納容器(C)は、収納容器(C)が有する面らのうちで少なくともふたつ以上の面が開放された桶形状を有することができる。収納容器(C)の収納空間には基板(W)を支持/把持する支持部材が提供されることができる。
【0075】
容器(F)から搬出された基板(W)が収納容器(C)に搬入が完了すれば、収納容器(C)は第１インデックスチャンバ１２０内に配置された姿勢変更ユニット１２４に返送されることができる。姿勢変更ユニット１２４は収納容器(C)を回転させることができる。例えば、姿勢変更ユニット１２４は収納容器(C)の開放された部分が上部に向けるように収納容器(C)を回転させることができる。収納容器(C)の開放された部分が上部に向けるように回転されれば、収納容器(C)に収納された基板(W)は水平姿勢(基板(W)の上面及び下面が地面と水平な姿勢)から垂直姿勢にその姿勢が変更されることができる。水平姿勢は基板(W)上面(例えば、パターンが形成された面)がX-Y平面と並んでいるような状態を意味し、垂直姿勢は基板(W)の上面がX-Z平面またはY-Z平面と並んでいるような状態を意味することができる。
【0076】
第１返送チャンバ１３０は第１インデックスチャンバ１２０と接続されることができる。第１返送チャンバ１３０は第１返送ユニット１３２を含むことができる。第１返送ユニット１３２は物体を返送することができる返送ハンドを含むことができる。また、第１返送ユニット１３２が有する返送ハンドは第１方向(X)、第２方向(Y)、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。また、第１返送ユニット１３２が有する返送ハンドは第３方向(Z)を回転軸に回転可能に提供されることができる。第１返送ユニット１３２は第１インデックスチャンバ１２０から少なくとも一つ以上の基板(W)を搬出して後述するバッチ式液処理チャンバ１４０に搬入させることができる。例えば、第１返送ユニット１３２は複数の基板(W)を一度に第１インデックスチャンバ１２０から搬出して後述するバッチ式液処理チャンバ１４０に搬入させることができる。例えば、第１返送ユニット１３２のハンドは姿勢変更ユニット１２４によって回転された収納容器(C)を第１インデックスチャンバ１２０から搬出し、搬出された収納容器(C)をバッチ式液処理チャンバ１４０に搬入させることができる。
【0077】
バッチ式液処理チャンバ１４０は上部から眺める時、第１返送チャンバ１３０と並んで配置されることができる。例えば、バッチ式液処理チャンバ１４０は上部から眺める時にバッチ式液処理チャンバ１４０は複数の基板(W)を一度に液処理することができる。バッチ式液処理チャンバ１４０では処理液を利用して複数の基板(w)を一度に洗浄処理することができる。バッチ式液処理チャンバ１４０では処理液を利用して複数の基板(W)を一度に液処理することができる。バッチ式液処理チャンバ１４０に使用される処理液はケミカル及び/またはリンス液であることがある。例えば、ケミカルは強酸または強塩基の性質を有するケミカルであることができる。また、リンス液は純水であることがある。例えば、ケミカルはAPM(Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture、HPM(Hydrochloricacid-Hydrogen Peroxide Mixture、FPM(Hydrofluoricacid-Hydrogen Peroxide Mixture、DHF(Diluted Hydrofluoric acid、SiNを除去するケミカル、リン酸を含むケミカル、硫酸を含むケミカルなどで適切に選択されることができる。リンス液は水を含む液であることがある。例えば、リンス液は純水、またはオゾン水などで適切に選択されることができる。
【0078】
また、バッチ式液処理チャンバ１４０は第１バッチ式液処理チャンバ１４１、第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３を含むことができる。第１バッチ式液処理チャンバ１４１、そして、第２バッチ式液処理チャンバ１４２ではケミカルを使って基板(W)を処理することができる。また、第３バッチ式液処理チャンバ１４３ではリンス液を使って基板(W)をリンス処理することができる。
【0079】
また、第１バッチ式液処理チャンバ１４１で使用する処理液、第２バッチ式液処理チャンバ１４２で使用する処理液、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３で使用する処理液はお互いに相異なことがある。
【0080】
また、前述した第１返送ユニット１３２は第１バッチ式液処理チャンバ１４１及び/または第２バッチ式液処理チャンバ１４２から基板(W)を処理した以後、収納容器(C)を第３バッチ式液処理チャンバ１４３に返送し、収納容器(C)に収納された基板(W)をリンス液で処理することができる。バッチ式液処理チャンバ１４０に対する詳しい内容は後述する。
【0081】
第２返送チャンバ１５０は上部から眺める時、第１返送チャンバ１３０、そして、バッチ式液処理チャンバ１４０と並んで配列されることができる。例えば、第２返送チャンバ１５０は第１返送チャンバ１３０と第２方向(Y)に沿って並んで配列されることができる。また、第２返送チャンバ１５０はバッチ式液処理チャンバ１４０と第１方向(X)に沿って並んで配列されることができる。また、第２返送チャンバ１５０は第３バッチ式液処理チャンバ１４３と第２工程処理部２００との間に配置されることができる。例えば、第２返送チャンバ１５０は第３バッチ式液処理チャンバ１４３と後述する第１バッファー部２１０との間に配置されることができる。
【0082】
第２返送チャンバ１５０は基板(W)を返送することができる。第２返送チャンバ１５０はバッチ式液処理チャンバ１４０から基板(W)を搬出し、後述する第１バッファー部２１０に返送することができる。第２返送チャンバ１５０は返送ハンドを有する第２返送ユニット１５２を含むことができる。第２返送ユニット１５２が有する返送ハンドは、第１方向(X)、第２方向(Y)、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。また、第２返送ユニット１５２が有する返送ハンドは第３方向(Z)に沿って回転可能に提供されることができる。また、第２返送ユニット１５２が有する返送ハンドはバッチ式液処理チャンバ１４０が含む第３バッチ式液処理チャンバ１４３から基板(W)を搬出して第１バッファー部２１０に返送することができる。また、第２返送ユニット１５２が有する返送ハンドは水平姿勢の基板(W)を第３枚葉式液処理チャンバ１４３から搬出して第１バッファー部２１０に返送することができる。また、返送ユニット１５２は後述する第３バッチ式液処理チャンバ１４３の上端より高い位置で基板(W)を搬出して後述する第１バッファー部２１０で搬入させることができる。
【0083】
第２工程処理部２００は第１工程処理部１００で処理された基板(W)を処理することができる。第２工程処理部２００は第１工程処理部１００で処理された基板(W)を処理し、枚葉式で基板(W)を液処理または乾燥処理することができる。第２工程処理部２００は第１バッファー部２１０、第３返送チャンバ２２０、枚葉式液処理チャンバ２３０、乾燥チャンバ２４０、第２バッファー部２５０、第２インデックスチャンバ２６０、そして、第２ロードポートユニット２７０を含むことができる。枚葉式液処理チャンバ２３０と乾燥チャンバ２４０はすべて枚葉式処理チャンバで称されることができる。
【0084】
第１バッファー部２１０は上部から眺める時、前述した第２返送チャンバ１５０と第１方向(X)に沿って並んで配列されることができる。例えば、第１バッファー部２１０は第２返送チャンバ１５０の一側に配置されることができる。第１バッファー部２１０は第１工程処理部１００で液処理された基板(W)らを臨時保管する貯蔵空間を有することができる。第１バッファー部２１０は後述する第３バッチ式液処理チャンバ１４３で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢が変更された基板(W)らを水平姿勢に保存することができる。
【0085】
また、第１バッファー部２１０は枚葉式処理チャンバらのうちで少なくとも一部と積層されるように配置されることができる。例えば、第１バッファー部２１０下には後述する乾燥チャンバ２４０または枚葉式液処理チャンバ２３０が配置されることができる。例えば、第１バッファー部２１０下には後述する枚葉式液処理チャンバ２３０が配置されることができる。第１バッファー部２１０の下に配置される枚葉式液処理チャンバ２３０は一つ、または複数個であることがある。すなわち、第１バッファー部２１０は第２返送ユニット１５２が返送する基板(W)を直ちに収納するように枚葉式処理チャンバと積層されるように提供されるが、枚葉式処理チャンバより上部に配置されることができる。
【0086】
第３返送チャンバ２２０は上部から眺める時、後述する乾燥チャンバ２４０らの間に配置されることができる。また、第３返送チャンバ２２０は上部から眺める時、後述する枚葉式液処理チャンバ２３０と第１バッファー部２１０との間に配置されることができる。第３返送チャンバ２２０は第３返送ユニット２２２を含むことができる。第３返送ユニット２２２は第１バッファー部２１０から基板(W)を搬出して乾燥チャンバ２４０または枚葉式液処理チャンバ２３０に返送する返送ハンドを含むことができる。第３返送ユニット２２２が有するハンドは、基板(W)を１枚ずつ返送する枚葉ハンドであることができる。第３返送ユニット２２２が有する返送ハンドは、第１方向(X)、第２方向(Y)、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。また、第３返送ユニット２２２が有する返送ハンドは第３方向(Z)を回転軸にして回転可能に提供されることができる。
【0087】
枚葉式液処理チャンバ２３０は上部から眺める時、第３返送チャンバ２２０の一側、そして、他側に配置されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０らのうちで一部は上述したように第１バッファー部２１０と積層されるように配置されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０らのうちで一部は第１バッファー部２１０の下部に配置されることができる。
【0088】
枚葉式液処理チャンバ２３０は水平姿勢の基板(W)を回転させるが、回転される基板(W)に処理液を供給して基板(W)を処理することができる。枚葉式液処理チャンバ２３０では基板(W)を１枚ずつ処理することができる。枚葉式液処理チャンバ２３０に供給される処理液は有機溶剤であることができる。例えば、枚葉式液処理チャンバ２３０に供給される処理液はイソプロピルアルコール(IPA)であることがある。枚葉式液処理チャンバ２３０では回転する基板(W)に有機溶剤を供給し、基板(W)を回転させて基板(W)を乾燥処理することができる。これと異なり、枚葉式液処理チャンバ９２３０では回転する基板(W)に有機溶剤を供給し、基板(W)が有機溶剤に濡れた状態で後述する乾燥チャンバ２４０に返送され、乾燥チャンバ２４０から基板(W)が乾燥されることができる。枚葉式液処理チャンバ２３０に対する詳しい説明は後述する。
【0089】
乾燥チャンバ２４０では超臨界流体を利用して基板(W)を処理することができる。乾燥チャンバ２４０は一つの基板(W)を枚葉式で乾燥処理する超臨界チャンバであることができる。乾燥チャンバ２４０は超臨界流体を利用して基板(W)を乾燥処理する超臨界チャンバであることができる。乾燥チャンバ２４０に対する詳しい説明は後述する。
【0090】
第２バッファー部２５０は第３返送チャンバ２３０と後述する第２インデックスチャンバ２６０の間に配置されることができる。第２バッファー部２５０は枚葉式処理チャンバと第２ロードポートユニット２７０との間に配置されることができる。
【0091】
第２バッファー部２５０は第１バッファー部２１０と類似に基板(W)が臨時保管または貯蔵される空間を提供することができる。例えば、第２バッファー部２５０は枚葉式処理チャンバである枚葉式液処理チャンバ２３０及び/または乾燥チャンバ２４０で処理された基板(W)を臨時保管することができる。第２バッファー部２５０は図２に示されたように複層構造を有することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、第２バッファー部２５０は単層構造を有することもできる。
【0092】
第２インデックスチャンバ２６０は第２バッファー部２５０及び第３返送チャンバ２２０と並んで配列されることができる。第２インデックスチャンバ２６０は第２バッファー部２５０及び第３返送チャンバ２２０と第２方向(Y)に沿って並んで配列されることができる。前述した第３返送チャンバ２２０の第３返送ユニット２２２は枚葉式液処理チャンバ２３０または乾燥チャンバ２４０で処理された水平姿勢の基板(W)を搬出し、搬出された基板(W)を第２バッファー部２５０に返送することができる。第２インデックスチャンバ２６０の第２返送ロボット２６２は基板(W)を第２バッファー部２５０から搬出することができる。
【0093】
第２返送ロボット２６２の有するハンドは、基板(W)を１枚ずつ返送する枚葉ハンドであることができる。第２返送ロボット２６２が有する返送ハンドは第１方向(X)、第２方向(Y)、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。また、第２返送ロボット２６２が有する返送ハンドは第３方向(Z)を回転軸にして回転可能に提供されることができる。
【0094】
第２ロードポートユニット２７０は少なくとも一つ以上のロードポートを含むことができる。第２ロードポートユニット２７０が有するロードポートには複数の基板(W)を収納することができる容器(F)が置かれることができる。例えば、第２ロードポートユニット２７０に置かれる容器(F)は第１工程処理部１００及び第２工程処理部２００で処理が完了された基板(W)らが収納されることができる。第２ロードポートユニット２７０に置かれる容器(F)は第１工程処理部１００及び第２工程処理部２００で処理が完了された基板(W)らだけ収納されることができる。すなわち、第２ロードポートユニット２７０は処理された基板(W)を基板処理装置からアンローディング(Unloading)する機能を遂行することができる。
【0095】
前述した第２返送ロボット２６２は処理された基板(W)を第２ロードポートユニット２７０が有するロードポートに置かれた容器(F)に搬入することができる。容器(F)は上述した物品返送装置(例えば、OHT)によって基板処理装置１０の外部に返送されることができる。
【0096】
制御機６００は基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御機６００は基板処理装置１０が有する構成らを制御することができる。例えば、制御機６００は基板処理装置１０が基板(W)を処理する工程を遂行できるように基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御機６００はバッチ式液処理チャンバ１４０、第２返送ユニット１５２、第１バッファー部２１０、第３返送ユニット２２２、そして、第２返送ロボット２６２を制御することができる。また、制御機６００は後述する液供給源３１５、液排出ライン３１６、姿勢変換部材３３０、昇降部材３４０、そして、加熱部材３２０などを制御することができる。
【0097】
また、制御機６００は基板処理装置１０の制御を実行するマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置１０を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１０で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されることがある。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されていることがあって、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。
【0098】
【0099】
図４を参照すれば、バッチ式液処理チャンバ１４０は上述したように第１バッチ式液処理チャンバ１４１、第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３を含むことができる。第１バッチ式液処理チャンバ１４１、第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３は第１方向(X)に沿って並んで配列されることができる。
【0100】
第１バッチ式液処理チャンバ１４１、そして、第２バッチ式液処理チャンバ１４２はお互いに同一または類似な構造を有することができる。例えば、第１バッチ式液処理チャンバ１４１と第２バッチ式液処理チャンバ１４２は使用する処理液の種類が相異であるだけで、お互いに同一または類似な構造を有することができる。例えば、第１バッチ式液処理チャンバ１４１では第１処理液(L１)を利用して基板(W)を処理することができる。例えば、第２バッチ式液処理チャンバ１４２では第２処理液(L２)を利用して基板(W)を処理することができる。第１処理液(L１)は上述したケミカルらのうちで何れか一つであることがある。第２処理液(L２)は上述したケミカルらのうちで他の一つであることができる。
【0101】
第１バッチ式液処理チャンバ１４１は第１処理槽１４１a、第１液供給ライン１４１b、第１液排出ライン１４１c、第１加熱部材１４１d、そして、第１液供給源１４１eを含むことができる。第２バッチ式液処理チャンバ１４２は第２処理槽１４２a、第２液供給ライン１４２b、第２液排出ライン１４２c、第２加熱部材１４２d、そして、第２液供給源１４２eを含むことができる。第１液供給ライン１４１b、第１液排出ライン１４１c、第１加熱部材１４１d、そして、第１液供給源１４１eは第２処理槽１４２a、第２液供給ライン１４２b、第２液排出ライン１４２c、第２加熱部材１４２d、そして、第２液供給源１４２eと概して同一または類似な構造及び機能を遂行することができる。これに、以下では第１バッチ式液処理チャンバ１４１を中心に説明する。
【0102】
第１処理槽１４１aは第１処理液(L１)が収容される収容空間を有することができる。第１処理槽１４１aは上部が開放された桶形状を有することができる。第１処理槽１４１aには収容空間に収容された第１処理液(L１)の温度を調節する加熱部材１４１dが提供されることができる。また、第１液供給源１４１eと連結された第１液供給ライン１４１bは第１処理槽１４１aの収容空間に第１処理液(L１)を供給することができるし、第１液排出ライン１４２cは収容空間に供給された第１処理液(L１)を外部に排出することができる。また、収納容器(F)は一側が開放された桶形状を有して、内部に収納空間を有することができる。また、収納容器(F)は複数の基板(W)が収納されたまま第１処理槽１４１aの収容空間に供給された第１処理液(L１)に浸されることがある。また、収納容器(C)には少なくとも一つ以上の通孔らが形成され、収納容器(C)に収納された基板(W)らは第１処理液(L１)に浸漬されることがある。第１処理液(L１)によって処理された基板(W)らは第１返送ユニット１３２によって第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３に順次に返送され、第２処理液(L２)、そして、第３処理液(L３)によって順次に処理されることができる。第３処理液(L３)は上述したリンス液であることがある。
【0103】
図５は、図４の第３バッチ式液処理チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる斜視図であり、図６は図４の第３バッチ式液処理チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる断面図である。図５、そして、図６を参照すれば、第３バッチ式液処理チャンバ１４３に提供される基板処理装置３００は処理槽３１０、液供給ライン３１４、液供給源３１５、液排出ライン３１６、加熱部材３２０、姿勢変換部材３３０、昇降部材３４０、そして、ウェッティングモジュール３５０を含むことができる。
【0104】
処理槽３１０は内部に第３処理液(L３)が収容される収容空間３１２を有することができる。処理槽３１０は上部が開放された桶形状を有することができる。処理槽３１０は底部、そして、上部から眺める時底部の縁領域から上の方向に延長される側部を含むことができる。
【0105】
また、液供給源３１５は収容空間３１２に処理液を供給することができる。液供給源３１５は収容空間３１２に第３処理液(L３)を供給することができる。液供給源３１５は収容空間３１２にリンス液を供給することができる。液供給源３１５は液供給ライン３１４と連結されることができる。液供給ライン３１４の一端は収容空間３１２と連結され、液供給ライン３１４の他端は液供給源３１５と連結されることができる。液供給源３１５は液供給ライン３１４にリンス液を供給し、液供給ライン３１４は収容空間３１２にリンス液を供給することができる。また、収容空間３１２で使用された第３処理液(L３)は、液排出ライン３１６を通じて外部に排出されることができる。
【0106】
加熱部材３２０は収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)の温度を調節することができる。例えば、加熱部材３２０は収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)を設定温度で加熱することができる。加熱部材３２０は処理槽３１０の底部、そして、側部に提供されることができる。例えば、加熱部材３２０は処理槽３１０内に提供されることができる。加熱部材３２０は冷熱または温熱を発生させて収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)の温度を調節することができる。加熱部材３２０はヒーターであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材３２０は収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)の温度を調節することができる公知された装置で多様に変形されることができる。選択的に加熱部材３２０は設置されないこともある。
【0107】
姿勢変換部材３３０は第３処理液(L３)に浸された状態の基板(W)の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換することができる。例えば、姿勢変換部材３３０は第３処理液(L３)に浸された状態の収納容器(C)を回転させることができる。姿勢変換部材３３０は第３処理液(L３)に浸された状態の収納容器(C)を回転させ、収納容器(C)に収納された基板(W)らの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換させることができる。姿勢変換部材３３０は移動部３３２、そして、回転部３３４を含むことができる。
【0108】
移動部３３２は処理槽３１０に設置されることができる。移動部３３２は第１方向(X)に沿って移動可能に構成されることができる。移動部３３２は処理槽３１０の側部に設置されることができる。例えば、移動部３３２は処理槽３１０の側部にわたって設置されるように、開放された部分が下に向ける
形状を有することができる。移動部３３２は上述したように第１方向(X)に沿って移動可能に構成され、後述する回転部３３４に装着された収納容器を水平方向である第１方向(X)に沿って移動させることができる。
【数1】
【0109】
回転部３３４は移動部３３２に設置されることができる。回転部３３４は収納容器(C)に形成された装着溝(図示せず)に装着可能に提供されることができる。回転部３３４は収納容器(C)に装着可能に提供され、収納容器(C)を回転させることができる。例えば、回転部３３４は軸形状を有して、その回転軸が第２方向(Y)と平行なことがある。また、回転部３３４は収納容器(C)が収容空間３１２に浸されているうちに、収納容器(C)を把持することができる。
【0110】
昇降部材３４０は水平姿勢に変換された基板(W)を上下方向に移動させることができる。例えば、昇降部材３４０は収納容器(C)を上下方向に移動させることができる。昇降部材３４０は姿勢変換部材３３０によって回転された収納容器(C)を上下方向に移動させることができる。昇降部材３４０は収納容器(C)に着脱可能に提供されることができる。昇降部材３４０はシャフト３４２、そして、駆動機３４４を含むことができる。シャフト３４２は駆動機３４４が発生させる駆動力によって上下方向に移動されることができる。駆動機３４４は空圧、油圧シリンダーまたはモータであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、駆動機３４４はシャフト３４２を上下方向に移動させることができる公知された装置で多様に変形されることができる。
【0111】
また、シャフト３４２は上部から眺める時、処理槽３１０の底部に提供されるが、前述した第１バッファー部２１０と隣接した領域に配置されることができる。シャフト３４２は軸形状を有することができる。シャフト３４２は姿勢変換部材３３０によって回転された収納容器(C)の位置をガイドする、ガイド軸として役割を遂行することができる。例えば、シャフト３４２は姿勢変換部材３３０によって回転された収納容器(C)の底面に形成された整列溝(CG)に挿入されて収納容器(C)の位置をガイドすることができる。また、前述した例で言及した昇降部材３４０はガイド部材(Guide Member)などとも呼ばれることがある。
【0112】
ウェッティングモジュール３５０は基板(W)にウェッティング液(WL)を供給することができる。ウェッティング液(WL)は純水であることができる。ウェッティング液(WL)は第３処理液(L３)と同一な種類の薬液であることができる。ウェッティング液(WL)は基板(W)の濡れ性を維持させることができる。ウェッティングモジュール３５０は昇降部材３４０が基板(W)を移動させる領域の上部に設置されることができる。ウェッティングモジュール３５０は第３バッチ式液処理チャンバ１４３の内側天井壁に設置されるか、またはウェッティングモジュール３５０の噴射位置を変更させることができるアームに設置されることもできる。
【0113】
ウェッティングモジュール３５０はウェッティングノズル（第１ウェッティングノズルの一例)３５２及び移動部材３５４を含むことができる。ウェッティングノズル３５２は基板(W)にウェッティング液(WL)を噴射するように構成されることができる。ウェッティングノズル３５２はウェッティング液(WL)をストリームまたはスプレー方式で噴射できるように構成されることができる。移動部材３５４はウェッティングノズル３５２の位置を変更するように提供されることができる。移動部材３５４は第３バッチ式液処理チャンバ１４３の内側天井壁に設置されるガイドレールであるか、またはウェッティングノズル３５２の位置を変更させるアームであることができる。移動部材３５４は第３処理液(L３)から脱して外部に露出される基板(W)の半径方向にウェッティングノズル３５２の位置を変更させることができる。移動部材３５４は基板(W)の一領域(例えば、中心領域)にまずウェッティング液(WL)を噴射し、以後、濡れ状態が維持されることができないと判断される他の領域(例えば、縁領域)に移動してウェッティング液(WL)を噴射することができる。濡れ状態の判断は移動部材３５４または第３バッチ式液処理チャンバ１４３の内側天井壁に設置されることができるイメージ獲得モジュール(例えば、カメラ)を通じて濡れ状態を判断することもできる。
【0114】
【0115】
図７を参照すれば、複数の基板(W)、例えば２５～５０枚程度の基板(W)が収納された収納容器(C)は収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)に浸漬されることがある。例えば、収納容器(C)は第３処理液(L３)に浸され、第３処理液(L３)は収納容器(C)の収納空間に流入されて基板(W)らを処理することができる。この時、収納容器(C)に収納された基板(W)らは垂直姿勢を維持することができる。また、第３処理液(L３)によって基板(W)らが処理されるうちに姿勢変換部材３３０の回転部は収納容器(C)を把持することができる。
【0116】
図８を参照すれば、第３処理液(L３)によって基板(W)らの処理が完了すれば、姿勢変換部材３３０の回転部３３４は収納容器(C)を回転させることができる。姿勢変換部材３３０の回転部３３４は収納容器(C)を第２方向(Y)と平行な回転軸を中心に収納容器(C)を回転させることができる。収納容器(C)が回転されれば、収納容器(C)に収納された複数の基板(W)らの姿勢は垂直姿勢から水平姿勢に変換されることができる。この時、回転部３３４は収納容器(C)が収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)に浸された状態で収納容器(C)を回転させることができる。これは収納容器(C)が外部に露出(例えば、空気中に露出)された状態で回転される場合、収納容器(C)に収納された基板(W)らが乾燥することができるためである。
【0117】
図９を参照すれば、回転部３３４によって回転された収納容器(C)は回転部３３４に装着された状態で第１方向(X)に沿って移動されることができる。例えば、収納容器(C)は上述した昇降部材３４０の上部に移動されることができる。また、収納容器(C)の水平方向での移動は、収容空間３１２に供給された第３処理液(L３)に浸漬された状態でなされることができる。これは収納容器(C)が外部に露出(例えば、空気中に露出)された状態で移動される場合、収納容器(C)に収納された基板(W)らが乾燥することができるためである。
【0118】
図１０を参照すれば、昇降部材３４０のシャフト３４２は上の方向に移動され、収納容器(C)に形成された整列溝(CG)に挿入されることができる。整列溝(CG)に挿入されれば、回転部３３４は第２方向(Y)に沿って移動されて収納容器(C)から分離されることができる。以後、シャフト３４２は収納容器(C)を上の方向に移動させ、収納容器(C)に収納された基板(W)らのうちで一部を外部に露出(例えば、空気中に露出)させることができる。例えば、シャフト３４２は収納容器(C)を上の方向に移動させ、収納容器(C)に収納された基板(W)らのうちで最上端に配置された基板(W)のみを外部に露出(例えば、空気中に露出)させることができる。これは、以後に第２返送ユニット１５２によって収納容器(C)から搬出される最上端に配置された基板(W)を除いて、残り基板(W)らが乾燥することを防止、すなわち、濡れ性を維持するためのことである。また、最上端に配置された基板(W)の場合にも、その濡れ性を維持させることができるようにウェッティングモジュール３５０が最上端に配置された基板(W)にウェッティング液(WL)を供給することができる。また、ウェッティングモジュール３５０が供給するウェッティング液(WL)に伝達されるように、収納容器(C)は姿勢変換部材３３０によって回転された状態でその上部面が開放された形態を有することができる。ウェッティング液(WL)は第３処理液(L３)と同じ種類の液であることがある。例えば、ウェッティング液(WL)と第３処理液(L３)は水を含む薬液であることができる。例えば、ウェッティング液(WL)と第３処理液(L３)は上述したリンス液であることがある。
【0119】
図１１を参照すれば、収納容器(C)の最上端に配置された基板(W)は第２返送ユニット１５２によって収納容器(C)から搬出されて第１バッファー部２１０に返送されることができる。
【0120】
図１２を参照すれば、前述したように最上端に配置された基板(W)が収納容器(C)に搬出された以後、昇降部材３４０のシャフト３４２はもう一度さらに上の方向に収納容器(C)を移動させることができる。これに、収納容器(C)に収納された基板(W)らのうちで最上端に配置された基板(W)だけが外部に露出(例えば、空気中に露出)されることができる。これは、以後に第２返送ユニット１５２によって収納容器(C)から搬出される最上端に配置された基板(W)を除いて、残り基板(W)らが乾燥することを防止、すなわち、濡れ性を維持するためである。この場合にも、ウェッティングモジュール３５０が最上端に配置された基板(W)にウェッティング液(WL))を供給することができる。
【0121】
図１３を参照すれば、収納容器(C)の最上端に配置された基板(W)は第２返送ユニット１５２によって収納容器(C)から搬出されて第１バッファー部２１０に返送されることができる。
【0122】
前述した例では、垂直姿勢から水平姿勢に変換された基板(W)が昇降部材３４０によって処理槽３１０に収容された第３処理液(L３)から脱するようにその位置が変更されれば、処理槽３１０の上部でウェッティングモジュール３５０がウェッティング液(WL)を噴射することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。
【0123】
【0124】
図１４乃至図１６に示されたように第１バッファー部２１０は、第１バッファー部２１０には上述した貯蔵空間に搬入された基板(W)らが乾燥することを防止するように(基板(W)の濡れ性を維持するように)、貯蔵空間にウェッティング液(WL)を供給する構造を有することができる。また、第１バッファー部２１０に貯蔵された基板(W)らは、第１バッファー部２１０内で区画されたそれぞれの貯蔵空間らに貯蔵されることができる。
【0125】
第１バッファー部２１０は支持棚２１２、排水隔壁２１４、ウェッティングノズル２１６、第２ウェッティングノズルの一例)、そして、ドレンライン２１８を含むことができる。
【0126】
支持棚２１２、排水隔壁２１４、ウェッティングノズル２１６は複数で提供され、第１バッファー部２１０に搬入される基板(W)らごとに対応されるように提供されることができる。支持棚２１２は第１バッファー部２１０が提供する空間で基板(W)を支持することができる。また、支持棚２１２には重さセンサー(図示せず)が設置されることができる。重さセンサーは、支持棚２１２に支持される基板(W)の重さをセンシングして、基板(W)上に供給されたウェッティング液(WL)の量がどの位であるを確認することができるようにする。
【0127】
制御機６００は支持棚２１２に支持される基板(W)の重さに根拠し、ウェッティングノズル２１６で噴射する単位時間当りウェッティング液(WL)の量を調節することができる。支持棚２１２は基板(W)の一側及び他側の下面を支持できるように提供されることができる。
【0128】
ウェッティングノズル２１６はウェッティング液(WL)をストリームまたはスプレー方式で噴射するように構成されることができる。ウェッティングノズル２１６は複数で提供され、ウェッティングノズル２１６らのうちで何れか一つとウェッティングノズル２１６らのうちで他の一つはお互いに見合わせるように配置されることができる。すなわち、各基板(W)に一対のウェッティングノズル２１６が基板(W)上にウェッティング液(WL)を噴射することができる。ウェッティングノズル２１６は第１バッファー部２１０の貯蔵空間に返送された基板(W)の濡れ性を維持することができる薬液、またはミストを供給するノズルを具備することができる。薬液またはミストはイソプロピルアルコール(IPA)、前述したケミカル、そして、上述したリンス液のうちで選択されたウェッティング液(WL)を供給することができる。
【0129】
排水隔壁２１４は支持棚２１２より下に配置されることができる。排水隔壁２１４は支持棚２１２に支持された基板(W)らそれぞれの下部に配置されることができる。排水隔壁２１４はウェッティングノズル２１６が噴射するウェッティング液(WL)を受ける、液受けが役割を遂行し、それぞれの基板(W)が配置される空間をお互いに区切ることができる。排水隔壁２１４は液受け空間を有するように上部が開放された四角型の桶形状を有して、排水隔壁２１４が有する液受け空間はドレンライン２１８と連結されることができる。これに、ウェッティングノズル２１６が噴射するウェッティング液(WL)は外部に排出されることができる。
【0130】
また、前述した例ではウェッティング液(WL)をウェッティングモジュール３５０が基板(W)上に供給するか、または第１バッファー部２１０でウェッティング液(WL)を供給することを例に挙げて説明したが、基板処理装置１０はウェッティングモジュール３５０がウェッティング液(WL)を供給し、第１バッファー部２１０でもウェッティング液(WL)を供給するように構成されることもできる。
【0131】
図１７は、図１の枚葉式液処理チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる図面である。枚葉式液処理チャンバ２３０に提供される基板処理装置４００はハウジング４１０、処理容器４２０、支持ユニット４４０、昇降ユニット４６０、そして、液供給ユニット４８０を含むことができる。
【0132】
ハウジング４１０は内部に処理空間４１２を有する。ハウジング４１０は内部に空間を有する桶形状を有することができる。ハウジング４１０が有する内部空間４１２には処理容器４２０、支持ユニット４４０、昇降ユニット４６０、液供給ユニット４８０が提供されることができる。ハウジング４１０は正断面から眺める時四角の形状を有することができる。しかし、これに限定されるものではなくて、ハウジング４１０は処理空間４１２を有することができる多様な形状で変形されることができる。
【0133】
処理容器４２０は上部が開放された桶形状を有する。処理容器４２０は内部回収桶４２２及び外部回収桶４２６を有する。それぞれの回収桶４２２、４２６は工程に使用された処理液らのうちでお互いに相異な処理液を回収する。内部回収桶４２２は基板支持ユニット４４０を囲む環形のリング形状で提供され、外部回収桶４２６は内部回収桶４２６を囲む環形のリング形状で提供される。内部回収桶４２２の内側空間４２２a及び内部回収桶４２２は内部回収桶４２２に処理液が流入される第１流入口４２２aとして機能する。内部回収桶４２２と外部回収桶４２６の間空間４２６aは外部回収桶４２６に処理液が流入される第２流入口４２６aとして機能する。一例によれば、それぞれの流入口４２２a、４２６aはお互いに相異な高さに位置されることができる。それぞれの回収桶４２２、４２６の底面の下には回収ライン４２２b、４２６bが連結される。それぞれの回収桶４２２、４２６に流入された処理液らは回収ライン４２２b、４２６bを通じて外部の処理液再生システム(図示せず)に提供されて再使用されることができる。
【0134】
支持ユニット４４０は処理空間４１２で基板(W)を支持する。支持ユニット４４０は工程が進行中に基板(W)を支持及び回転させる。支持ユニット４４０は支持板４４２、支持ピン４４４、チャックピン４４６、そして、回転駆動部材４４８、４４９を有する。
【0135】
支持板４４２は概して円形の板形状で提供され、上面及び底面を有する。下部面は上部面に比べて小さな直径を有する。すなわち、支持板４４２は上部面が広くて下部面が狭い上広下狭の形状を有することができる。上面及び底面はその中心軸がお互いに一致するように位置される。また、支持板４４２には加熱手段(図示せず)が提供されることができる。支持板４４２に提供される加熱手段は支持板４４２に置かれた基板(W)を加熱することができる。加熱手段は熱を発生させることができる。加熱手段が発生させる熱は温熱または冷熱であることができる。加熱手段が発生させた熱は支持板４４２に置かれた基板(W)に伝達することができる。また、基板(W)に伝達された熱は基板(W)に供給された処理液を加熱することができる。加熱手段はヒーター及び/または冷却コイルであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱手段は公知の装置で多様に変形されることができる。
【0136】
支持ピン４４４は複数個提供される。支持ピン４４４は支持板４４２の上面の縁部に所定間隔で離隔されるように配置されて支持板４４２で上部に突き出される。支持ピン４４４らはお互いの間に組合によって全体的に環形のリング形状を有するように配置される。支持ピン４４４は支持板４４２の上部面から基板(W)が一定距離で離隔されるように基板(W)の後面縁を支持する。
【0137】
チャックピン４４６は複数個提供される。チャックピン４４６は支持板４４２の中心で支持ピン４４４より遠く離れるように配置される。チャックピン４４６は支持板４４２の上面から上に突き出されるように提供される。チャックピン４４６は支持板４４２が回転される時基板(W)が正位置から側方向に離脱されないように基板(W)の側部を支持する。チャックピン４４６は支持板４４２の半径方向に沿って外側位置と内側位置との間に直線移動が可能になるように提供される。外側位置は内側位置に比べて支持板４４２の中心から遠く離れた位置である。基板(W)が支持板４４２にローディングまたはアンローディング時チャックピン４４６は外側位置に位置され、基板(W)に対して工程遂行時チャックピン４４６は内側位置に位置される。内側位置はチャックピン４４６と基板(W)の側部がお互いに接触される位置であり、外側位置はチャックピン４４６と基板(W)がお互いに離隔される位置である。
【0138】
回転駆動部材４４８、４４９は支持板４４２を回転させる。支持板４４２は回転駆動部材４４８、４４９によって自己中心軸を中心に回転可能である。回転駆動部材４４８、４４９は支持軸４４８及び駆動部４４９を含む。支持軸４４８は第４方向１６を向ける桶形状を有する。支持軸４４８の上端は支持板４４２の底面に固定結合される。一例によれば、支持軸４４８は支持板４４２の底面中心に固定結合されることができる。駆動部４４９は支持軸４４８が回転されるように駆動力を提供する。支持軸４４８は駆動部４４９によって回転され、支持板４４２は支持軸４４８と共に回転可能である。
【0139】
昇降ユニット４６０は処理容器４２０を上下方向に直線移動させる。処理容器４２０が上下に移動されることによって支持板４４２に対する処理容器４２０の相対高さが変更される。昇降ユニット４６０は基板(W)が支持板４４２にローディングされるか、またはアンローディングされる時支持板４４２が処理容器４２０の上部に突き出されるように処理容器４２０は下降される。また、工程が進行される時には基板(W)に供給された処理液の種類によって処理液が既設定された回収桶４２２、４２６に流入されることができるように処理容器４２０の高さが調節する。昇降ユニット４６０はブラケット４６２、移動軸４６４、そして、駆動機４６６を有する。ブラケット４６２は処理容器４２０の外壁に固定設置され、ブラケット４６２には駆動機４６６によって上下方向に移動される移動軸４６４が固定結合される。選択的に、昇降ユニット４６０は支持板４４２を上下方向に移動させることができる。
【0140】
液供給ユニット４８０は基板(W)に処理液を供給することができる。処理液は有機溶剤、前述したケミカルまたはリンス液であることがある。有機溶剤はイソプロピルアルコール(IPA)液であることがある。
【0141】
液供給ユニット４８０は移動部材４８１、そして、ノズル４８９を含むことができる。移動部材４８１はノズル４８９を工程位置及び待機位置に移動させる。工程位置はノズル４８９が支持ユニット４４０に支持された基板(W)と対向される位置である。一例によれば、工程位置は基板(W)の上面に処理液を吐出する位置である。また、工程位置は第１供給位置及び第２供給位置を含む。第１供給位置は第２供給位置より基板(W)の中心にさらに近い位置であり、第２供給位置は基板の端部を含む位置であることができる。選択的に第２供給位置は基板の端部に隣接した領域であることができる。待機位置はノズル４８９が工程位置を脱した位置で定義する。一例によれば、待機位置は基板(W)に工程処理前または工程処理が完了された以後にノズル４８９が待機する位置であることができる。
【0142】
移動部材４８１はアーム４８２、支持軸４８３、そして、駆動機４８４を含む。支持軸４８３は処理容器４２０の一側に位置される。支持軸４８３はその長さ方向が第４方向を向けるロード形状を有する。支持軸４８３は駆動機４８４によって回転可能になるように提供される。支持軸４８３は昇降移動が可能になるように提供される。アーム４８２は支持軸４８３の上端に結合される。アーム４８２は支持軸４８４から垂直に延長される。アーム４８２の末端にはノズル４８９が結合される。支持軸４８３が回転されることによってノズル４８９はアーム４８２と共にスイング移動されることができる。ノズル４８９はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的にアーム４８２はその長さ方向を向けて前進及び後進移動が可能になるように提供されることができる。上部から眺める時ノズル４８９が移動される経路は工程位置で基板(W)の中心軸と一致することができる。
【0143】
図１８は、図１の乾燥チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる図面である。図１８を参照すれば、乾燥チャンバ５００は超臨界状態の乾燥用流体(G)を利用して基板(W)上に残留する処理液を除去することができる。乾燥チャンバ５００は超臨界流体を利用して基板(W)上に残留する処理液(例えば、リンス液または有機溶剤)を除去する超臨界チャンバであることができる。例えば、乾燥チャンバ５００は超臨界状態の二酸化炭素(CO２)を利用して基板(W)上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。
【0144】
乾燥チャンバ５００はボディー５１０、加熱部材５２０、流体供給ユニット５３０、流体排気ユニット５５０、そして、昇降部材５６０を含むことができる。ボディー５１０は基板(W)が処理される内部空間５１８を有することができる。ボディー５１０は基板(W)が処理される内部空間５１８を提供することができる。ボディー５１０は超臨界状態の乾燥用流体(G)によって基板(W)が乾燥処理される内部空間５１８を提供することができる。
【0145】
ボディー５１０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４を含むことができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４はお互いに組合されて前記内部空間５１８を形成することができる。基板(W)は内部空間５１８で支持されることができる。例えば、基板(W)は内部空間５１８で支持部材(図示せず)によって支持されることができる。支持部材は基板(W)の縁領域の下面を支持するように構成されることができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つは昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動されることができる。例えば、下部ボディー５１４は昇降部材５６０と結合され、昇降部材５６０によって上下方向に移動されることができる。これに、ボディー５１０の内部空間５１８は選択的に密閉されることができる。前述した例では下部ボディー５１４が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上部ボディー５１２が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することもできる。
【0146】
加熱部材５２０は内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を加熱することができる。加熱部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を超臨界状態に相変化させることができる。また、加熱部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される超臨界状態の乾燥用流体(G)が超臨界状態を維持するようにできる。
【0147】
また、加熱部材５２０はボディー５１０内に埋設されることができる。例えば、加熱部材５２０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つに埋設されることができる。例えば、加熱部材５２０は下部ボディー５１４内に提供されることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることができる多様な位置に提供されることができる。また、加熱部材５２０はヒーターであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることができる公知された装置で多様に変形されることができる。
【0148】
流体供給ユニット５３０はボディー５１０の内部空間５１８に乾燥用流体(G)を供給することができる。流体供給ユニット５３０が供給する乾燥用流体(G)は二酸化炭素(CO２)を含むことができる。流体供給ユニット５３０は流体供給源５３１、第１供給ライン５３３、第１供給バルブ５３５、第２供給ライン５３７、そして、第２供給バルブ５３９を含むことができる。
【0149】
流体供給源５３１はボディー５１０の内部空間５１８に供給される乾燥用流体(G)を貯蔵及び/または供給することができる。流体供給源５３１は第１供給ライン５３３及び/または第２供給ライン５３７に乾燥用流体(G)を供給することができる。例えば、第１供給ライン５３３には第１供給バルブ５３５が設置されることができる。また、第２供給ライン５３７には第２供給バルブ５３９が設置されることができる。第１供給バルブ５３５と第２供給バルブ５３９はオン/オフバルブであることができる。第１供給バルブ５３５と第２供給バルブ５３９のオン/オフによって、第１供給ライン５３３または第２供給ライン５３７に選択的に乾燥用流体(G)が流れることができる。
【0150】
前述した例では一つの流体供給源５３１に第１供給ライン５３３、そして、第２供給ライン５３７が連結されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、流体供給源５３１は複数で提供され、第１供給ライン５３３は複数の流体供給源５３１のうちで何れか一つと連結され、第２供給ライン５３７は流体供給源５３１らのうちで他の一つと連結されることもできる。
【0151】
また、第１供給ライン５３３はボディー５１０の内部空間５１８の上部で乾燥用ガスを供給する上部供給ラインであることができる。例えば、第１供給ライン５３３はボディー５１０の内部空間５１８に上から下に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第１供給ライン５３３は上部ボディー５１２に連結されることができる。また、第２供給ライン５３７はボディー５１０の内部空間５１８の下部で乾燥用ガスを供給する下部供給ラインであることができる。例えば、第２供給ライン５３７はボディー５１０の内部空間５１８に下から上に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第２供給ライン５３７は下部ボディー５１４に連結されることができる。
【0152】
流体排気ユニット５５０はボディー５１０の内部空間５１８から乾燥用流体(G)を排気することができる。
【0153】
図１９は、本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。本発明の一実施例による基板処理方法は、上述した基板処理装置１０によって遂行されることもできる。
【0154】
本発明の一実施例による基板処理方法は、第１液処理段階(Ｓ１０)、姿勢変更段階(Ｓ２０)、ウェッティング段階(Ｓ３０)、第２液処理段階(Ｓ４０)、そして、乾燥段階(Ｓ５０)を含むことができる。第１液処理段階(Ｓ１０)、姿勢変更段階(Ｓ２０)、ウェッティング段階(Ｓ３０)、第２液処理段階(Ｓ４０)、そして、乾燥段階(Ｓ５０)は順次に遂行されることができる。
【0155】
第１液処理段階(Ｓ１０)はバッチ式で複数の基板(W)を同時に液処理する段階であることができる。第１液処理段階(Ｓ１０)はバッチ式液処理チャンバ１４０で遂行されることができる。第１液処理段階(Ｓ１０)は垂直姿勢の基板(W)をバッチ式で液処理することができる。第１液処理段階(Ｓ１０)は複数回遂行されることができる。例えば、第１液処理段階(Ｓ１０)は第１バッチ式液処理チャンバ１４１、第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３それぞれの処理槽３１０で複数回遂行されることができる。前述したように第１バッチ式液処理チャンバ１４１、第２バッチ式液処理チャンバ１４２、そして、第３バッチ式液処理チャンバ１４３それぞれで使用する処理液の種類はお互いに相異なことがある。
【0156】
第１液処理段階(Ｓ１０)らのうちで最後の第１液処理段階(Ｓ１０)は第３バッチ式液処理チャンバ１４３で遂行されることができる。
【0157】
姿勢変更段階(Ｓ２０)には第３バッチ式液処理チャンバ１４３の処理槽３１０でリンス処理された基板(W)の姿勢を変更することができる。姿勢変更段階(Ｓ２０)は基板(W)が処理槽３１０に収容された第３処理液(L３)に浸された状態で遂行されることができる。姿勢変更段階(Ｓ２０)には基板(W)の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更することができる。姿勢変更段階(Ｓ２０)は上述した姿勢変換部材３３０によって遂行されることができる。また、姿勢変更段階(Ｓ２０)には基板(W)の位置を第３処理液(L３)から脱するように変更することができる。例えば、姿勢変換部材３３０によって水平姿勢に姿勢が変更された基板(W)は、昇降部材３４０によって上方向に位置が変更されて処理槽３１０に収容された第３処理液(L３)から脱して外部に露出されることがある。
【0158】
ウェッティング段階(Ｓ３０)には第３処理液(L３)から脱して外部に露出された基板(W)にウェッティング液(WL)を噴射して基板(W)の自然乾燥を防止することができる。ウェッティング液(WL)は上述した第３処理液(L３)と同じ種類の液であることがある。また、ウェッティング液(WL)は上述した第１処理液(L１)及び/または第２処理液(L２)とは異なる種類の液であることがある。
【0159】
また、ウェッティング段階(Ｓ３０)はウェッティングモジュール３５０を遂行することができる。例えば、ウェッティング段階(Ｓ３０)は、処理槽３１０の上部で基板(W)にウェッティング液(WL)を噴射するウェッティングモジュール３５０によって遂行されることができる。
【0160】
また、ウェッティング段階(Ｓ３０)は第１バッファー部２１０が遂行することもできる。例えば、ウェッティング段階(Ｓ３０)は基板(W)が第１バッファー部２１０に搬入されれば、第１バッファー部２１０が有するウェッティングノズル２１６がウェッティング液(WL)を基板(W)に噴射することができる。
【0161】
ウェッティング段階(Ｓ３０)が遂行されることによって、基板(W)が枚葉式処理チャンバに搬入される以前に自然乾燥されることを最小化できる。
【0162】
第２液処理段階(Ｓ４０)は枚葉式で基板(W)を液処理することができる。第２液処理段階(Ｓ４０)はバッチ式液処理チャンバ１４０から基板(W)が第１バッファー部２１０に搬入され、第１バッファー部２１０で臨時保管された基板(W)が枚葉式液処理チャンバ２３０に返送されれば、枚葉式液処理チャンバ２３０で遂行されることができる。第２液処理段階(Ｓ４０)には基板(W)上にIPAのような有機溶剤を供給することができる。基板(W)上に供給された有機溶剤は、基板(W)上に残留する第３処理液(L３)またはウェッティング液(WL)と置き換えされることができる。
【0163】
乾燥段階(Ｓ５０)は枚葉式で基板(W)を乾燥処理することができる。乾燥段階(Ｓ５０)は、第２液処理段階(Ｓ４０)で液処理された基板(W)が乾燥チャンバ２４０に返送されれば、乾燥チャンバ２４０で遂行されることができる。乾燥段階(Ｓ５０)には基板(W)で超臨界状態の処理流体(例えば、超臨界状態の二酸化炭素)を基板(W)上に供給して基板上に残留する有機溶剤、ウェッティング液(WL)または第３処理液(L３)などを除去することができる。
【0164】
場合によっては、乾燥段階(Ｓ５０)は乾燥チャンバ２４０で遂行されないで、枚葉式液処理チャンバ２３０から基板(W)を早い速度で回転させて基板(W)を乾燥させることもできる。
【0165】
前述したように、本発明の一実施例による基板処理装置１０はバッチ式液処理チャンバ１４０、そして、枚葉式液処理チャンバ２３０をすべて含むことができる。これに、バッチ式液処理方法、そして、枚葉式液処理方法が有する利点をすべて有することができる。
【0166】
例えば、バッチ式液処理チャンバ１４０では複数の基板(W)らを一度に処理することができて、基板(W)処理の量産性が非常に優秀であり、基板(W)らの間の処理均一度が非常に高い。また、基板(W)に形成されたパターンが高アスペクト比を有する場合、バッチ式液処理チャンバ１４０でまだ処理されることができなかった(例えば、まだ蝕刻されることができなかった部分)を枚葉式液処理チャンバ２３０でケミカル、リンス液などを供給して補うことができる。また、枚葉式液処理チャンバ２３０または第１バッファー部２１０に供給される有機溶剤によってウェッティングされた基板(W、例えば、ウェハー)は超臨界流体を供給して基板(W)を乾燥する乾燥チャンバ２４０に返送されることができる。超臨界流体は基板(W)上に形成されたパターンの間の空間に対して高い浸透力を有して、基板(W)を回転させないで基板(W)を乾燥することができて、前述したパターンリーニング現象が発生されることを最小化できる。また、本発明の基板処理装置１０は枚葉式液処理方法、バッチ式液処理方法、そして、超臨界流体を利用して基板(W)を乾燥する方法をすべて遂行可能であり、パーティクル(Partcle)、落性及び流れ性によるディフェクト(Defect)を改善することができる。また、バッチ式液処理チャンバ１４０で処理可能な基板(W)の数が相対的に多くて、多くの数の液処理チャンバが要求されないので、基板処理装置１０が有するフットプリント(Footprint)を減少させることができる利点がある。また、前述したように枚葉式液処理チャンバ２３０をさらに具備することで、バッチ式液処理チャンバ１４０のみを利用して基板(W)を処理時発生されることができる基板(W)上のパターンにSiO２の異常成長に対する問題を解消することができる。
【0167】
また、本発明の一実施例による基板処理装置１０のように、バッチ式液処理チャンバ１４０、そして、枚葉式液処理チャンバ２３０をすべて具備する場合基板(W)の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更することが必須である。これに、本発明の一実施例による基板処理装置１０は姿勢変換部材３３０を具備して基板(W)の姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変換する。この時、基板(W)の濡れ性を最大限維持するように(そうでなければ基板(W)が乾燥されてウォーターマークが発生されることがあるので)、基板(W)の姿勢変更は処理液(L)に基板(W)が浸漬された状態でなされる。また、基板(W)をバッチ式液処理チャンバ１４０から搬出して第１バッファー部２１０に返送時、返送対象である基板(W)を除いて残り基板(W)らは処理液(L)に浸漬された状態を維持し、基板(W)が乾燥されてウォーターマークが発生されることを最小化できる。
【0168】
また、前述した基板処理装置１０には複数の収納容器(C)が提供される。複数の収納容器(C)らのうちで一部はバッチ式液処理チャンバ１４０で基板(W)を液処理することに使用されることができるし、他の一部は第１インデックスチャンバ１２０から基板(W)を収納し、基板(W)の姿勢を変換することに使用されることができる。
【0169】
前述した例では、第１工程処理部１００のバッチ式液処理チャンバ１４０らの間に基板(W)を返送時、収納容器(C)を第１返送ユニット１３２が返送することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。図２０を参照すれば、第１返送ユニット１３２は複数枚(例えば、２５枚)の基板(W)を一度に返送するバッチハンドを有することができるし、第１返送ユニット１３２は収納容器(C)ではない複数枚の基板(W)らのみをバッチ式液処理チャンバ１４０らの間に搬送させることができる。また、第１返送ユニット１３２がバッチハンドを有する場合、バッチ式液処理チャンバ１４０らそれぞれには収納容器(C)が配置されているか、または複数枚の基板(W)を支持する支持部材が設置されることがある。また、前述した例では第１返送ロボット１２２が基板(W)を１枚ずつ返送することを例に挙げて説明したが、第１返送ロボット１２２も複数枚の基板(W)を一度に返送するバッチハンドを有することもできる。
【0170】
前述した例では、第２返送ユニット１５２が第３バッチ式液処理チャンバ１４３から基板(W)を搬出時、１枚式基板(W)を搬出する枚葉ハンドを有することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。図２１、そして、図２２に示されたように、第２返送ユニット１５２aは、複数枚の基板(W)を一度に搬送させることができるバッチハンドを有することができる。この場合、昇降部材３４０は収納容器(C)に収納された基板(W)らすべてが第３処理液(L３)から脱して外部に露出されるように収納容器(C)を移動させることができる。複数枚の基板(W)が外部に露出すれば、第２返送ユニット１５２は基板(W)らを収納容器(C)から搬出して第１バッファー部２１０に返送することができる。この時、バッチハンドがグリップした複数枚の基板(W)の間の間隔は支持棚２１２らの間の間隔とお互いに同一なことがある。
【0171】
前述した例では第２工程処理部２００に基板(W)を１枚ずつ処理する枚葉式液処理チャンバ２３０が提供されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２３及び図２４に示されたように複数枚の基板(W)を同時に処理する液処理チャンバ２９０が第２工程処理部２００に提供されることもある。
【0172】
液処理チャンバ２９０は支持ユニット２９２、そして、液供給ユニット２９３を含むことができる。支持ユニット２９２は複数枚の基板(W)を支持するように支持溝２９２bらが形成された一対の支持胴体２９２a及び駆動部２９２cを含むことができる。駆動部２９２cは支持胴体２９２aを側方向に移動させることができる。
【0173】
液供給ユニット３９３は支持胴体２９２aに支持された基板(W)に処理液を供給するノズル２９２a及び液供給部２９３bを含むことができる。ノズル２９２aには少なくとも一つ以上のノズルホール２９３cが形成されていることがあって、ノズル２９２aは上部から眺める時、基板(W)の外側に位置する待機位置及び基板(W)の中央領域に処理液を供給することができる位置である工程位置の間で移動されることができる。
【0174】
前述した例では第３返送ユニット２２２が基板(W)を１枚ずつ第１バッファー部２１０から搬出して枚葉式処理チャンバに返送することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２５に示されたように第３返送ユニット２２２は複数の返送ハンドを有することができる。第３返送ユニット２２２は第１バッファー部２１０から複数の基板(W)を搬出して枚葉式処理チャンバに同時に基板(W)を返送することができるようになる。この場合、基板(W)返送に所要される時間を最小化できる。
【0175】
前述した例では、本発明の一実施例による基板処理装置１０が枚葉式液処理チャンバ２３０、そして、乾燥チャンバ２４０をすべて具備することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板処理装置１０は枚葉式液処理チャンバ２３０、そして、乾燥チャンバ２４０のうちで何れか一つのみを含むことができる。
【0176】
前述した例では、バッチ式液処理チャンバ１４０で搬出された基板(W)が枚葉式液処理チャンバ２３０に返送され、枚葉式液処理チャンバ２３０で基板(W)処理を終えた後、基板(W)が乾燥チャンバ２４０に返送されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、パーティクル水準が良ければ、バッチ式液処理チャンバ１４０で基板(W)は直ちに乾燥チャンバ２４０に返送されることもできる。
【0177】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0178】
F 容器
C 収納容器
W 基板
１０ 基板処理装置
１００ 第１工程処理部
１１０ 第１ロードポートユニット
１２０ 第１インデックスチャンバ
１２２ 第１返送ロボット
１２４ 姿勢変更ユニット
１３０ 第１返送チャンバ
１３２ 第１返送ユニット
１４０ バッチ式液処理チャンバ
１４１ 第１バッチ式液処理チャンバ
１４１a 第１処理槽
１４１b 第１液供給ライン
１４１c 第１液排出ライン
１４１d 第１加熱部材
１４１e 第１液供給源
１４２ 第２バッチ式液処理チャンバ
１４２a 第２処理槽
１４２b 第２液供給ライン
１４２c 第２液排出ライン
１４２d 第２加熱部材
１４２e 第２液供給源
１４３ 第３バッチ式液処理チャンバ
１５０ 第２返送チャンバ
１５２ 第２返送ユニット
２００ 第２工程処理部
２１０ 第１バッファー部
２２０ 第３返送チャンバ
２２２ 第３返送ユニット
２３０ 枚葉式液処理チャンバ
２４０ 乾燥チャンバ
２５０ 第２バッファー部
２６０ 第２インデックスチャンバ
２６２ 第２返送ロボット
２７０ 第２ロードポートユニット
３００ 第３バッチ式液処理チャンバに提供される基板処理装置
３１０ 処理槽
３１２ 収容空間
３１４ 液供給ライン
３１５ 液供給源
３１６ 液排出ライン
３２０ 加熱部材
３３０ 姿勢変換部材
３３２ 移動部
３３４ 回転部
３４０ 昇降部材
３４２ シャフト
３４４ 駆動機
６００ 制御機
C 収納容器
W 基板
１０ 基板処理装置
１００ 第１工程処理部
１１０ 第１ロードポートユニット
１２０ 第１インデックスチャンバ
１２２ 第１返送ロボット
１２４ 姿勢変更ユニット
１３０ 第１返送チャンバ
１３２ 第１返送ユニット
１４０ バッチ式液処理チャンバ
１４１ 第１バッチ式液処理チャンバ
１４１a 第１処理槽
１４１b 第１液供給ライン
１４１c 第１液排出ライン
１４１d 第１加熱部材
１４１e 第１液供給源
１４２ 第２バッチ式液処理チャンバ
１４２a 第２処理槽
１４２b 第２液供給ライン
１４２c 第２液排出ライン
１４２d 第２加熱部材
１４２e 第２液供給源
１４３ 第３バッチ式液処理チャンバ
１５０ 第２返送チャンバ
１５２ 第２返送ユニット
２００ 第２工程処理部
２１０ 第１バッファー部
２２０ 第３返送チャンバ
２２２ 第３返送ユニット
２３０ 枚葉式液処理チャンバ
２４０ 乾燥チャンバ
２５０ 第２バッファー部
２６０ 第２インデックスチャンバ
２６２ 第２返送ロボット
２７０ 第２ロードポートユニット
３００ 第３バッチ式液処理チャンバに提供される基板処理装置
３１０ 処理槽
３１２ 収容空間
３１４ 液供給ライン
３１５ 液供給源
３１６ 液排出ライン
３２０ 加熱部材
３３０ 姿勢変換部材
３３２ 移動部
３３４ 回転部
３４０ 昇降部材
３４２ シャフト
３４４ 駆動機
６００ 制御機
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】