特開 2023-21709 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023021709

(43)【公開日】2023-02-14

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20230207BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230207BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20230207BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501D

H05K3/46 N

H01L23/12 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021126749

(22)【出願日】2021-08-02

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】後藤 修平

(72)【発明者】

【氏名】川合 悟

【テーマコード（参考）】

5E316

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA43

5E316BB13

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE02

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E319AA08

5E319AB05

5E319AC02

5E319AC17

5E319CC33

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】導体パッドを有する配線基板の接続信頼性の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層１０と、第１絶縁層１０の表面上に形成されていて、導体パッド１１ｅを構成する導体膜を含む第１導体層１１と、第１絶縁層１０の表面上に形成されていて、導体パッド１１ｅにおける第１絶縁層１０側の表面の反対面１１ａおよび側面１１ｃの全面を露出させる開口１２ａを備えるソルダーレジスト層１２とを含み、第１面および第１面の反対面である第２面を有する配線基板１であって、導体パッド１１ｅは、導体膜の表面を被覆する金属膜１１３を含み、導体パッド１１ｅの反対面１１ａと側面１１ｃとの交差部が丸まっている。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面上に形成されていて、導体パッドを構成する導体膜を含む第１導体層と、
前記第１絶縁層の表面上に形成されていて、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層側の表面の反対面および側面の全面を露出させる開口を備えるソルダーレジスト層と
を含み、第１面および前記第１面の反対面である第２面を有する配線基板であって、
前記導体パッドは、前記導体膜の表面を被覆する金属膜を含み、
前記導体パッドの前記反対面と前記側面との交差部が丸まっている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記金属膜は、無電解めっき膜で形成されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記金属膜は、ニッケルを主成分とする金属からなる。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は、前記導体膜を構成する無電解めっき膜および電解めっき膜を含む。

【請求項5】

請求項４記載の配線基板であって、
前記電解めっき膜のうちの前記導体パッドに含まれる部分は、平面と平面との交差部である角部を有し、
前記金属膜は前記角部を被膜している。

【請求項6】

請求項４記載の配線基板であって、
前記電解めっき膜のうちの前記導体パッドに含まれる部分は、側面視において角丸形状の角部を有し、
前記金属膜は前記角丸形状に沿って前記角部を被膜している。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、前記ソルダーレジストから露出した前記導体パッドの表面がドーム形である。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１面は部品が実装される部品実装面であり、
前記第１導体層は前記第２面側に形成されている。

【請求項9】

請求項８記載の配線基板であって、前記導体パッドは外部要素に接続される接続パッドである。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドが前記第１絶縁層に形成されるビア導体の真上に形成される。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、表面にソルダーレジストが配設された多層配線基板が開示されている。そして、ソルダーレジストの開口中の絶縁層上に、ソルダーレジストから離れた状態で、接合によって半導体素子の端子部と接続されるパッド部が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－２２７１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の多層配線基板では、パッド部の形成のためのベース基材であるＣｕ層上とソルダーレジストのパッド部の開口の絶縁層上に、半導体素子の端子部との半田接合強度を高めるためのバリア性のめっき層が配設されている。端子部とパッド部との接触信頼性が不十分である場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面上に形成されていて、導体パッドを構成する導体膜を含む第１導体層と、前記第１絶縁層の表面上に形成されていて、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層側の表面の反対面および側面の全面を露出させる開口を備えるソルダーレジスト層とを含み、第１面および前記第１面の反対面である第２面を有している。そして、前記導体パッドは、前記導体膜の表面を被覆する金属膜を含み、前記導体パッドの前記反対面と前記側面との交差部が丸まっている。

【0006】

本発明の実施形態によれば、実装される電子部品の端子との接続信頼性が向上されている信頼性の高い配線基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1A】本発明の一実施形態の配線基板の一例を部分的に示す断面図。

【図1B】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を部分的に示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図3A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図3G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１Ａは、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の一部の断面図である。図１Ｂには、一実施形態の配線基板の他の例の一部の断面図が示されている。図２には、実施形態の配線基板１の一例の断面図が示されている。図１Ａおよび１Ｂは、図２に示される配線基板１の一点鎖線で囲われている部分Ｉ部の例を拡大して説明する図である。

【0009】

図１Ａまたは１Ｂに示されるように、配線基板１は、第１絶縁層１０と、第１絶縁層１０上に形成されている第１導体層１１および第１ソルダーレジスト層１２と、を備えている。第１導体層１１は、導体パッド１１ｅを含んでいる。第１ソルダーレジスト層１２は、導体パッド１１ｅを露出させる開口１２ａを有している。実施形態の配線基板１では、導体パッド１１ｅの、第１絶縁層１０と反対側の上面１１ａおよび側面１１ｃを含む表面の全面が開口１２ａから露出されている。

【0010】

導体パッド１１ｅにおいて、導体パッド１１ｅの上面１１ａと側面１１ｃとによって形成される角部は、平面と平面との交差部ではなく、曲面を有する曲部となるように形成されている。すなわち、導体パッド１１ｅの上面１１ａと側面１１ｃとの交差部は丸まっている。

【0011】

導体パッド１１ｅは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素Ｓ１に（図２参照）と接続され得る。すなわち本実施形態の配線基板１は、導体パッド１１ｅにおいて外部要素Ｓ１と接続される。したがって、導体パッド１１ｅは、配線基板１において外部要素Ｓ１に接続される接続パッドである。

【0012】

図２に示されるように、実施形態の配線基板１は、絶縁層２０と、絶縁層２０の両面それぞれに交互に積層された導体層および絶縁層とを含む多層積層板である。配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面１ａ、および第１面１ａの反対面である第２面１ｂを有している。図２の例では、絶縁層２０の上面２０ａ上には、４つの導体層２１のそれぞれと３つの絶縁層２２のそれぞれとが交互に積層され、最外層の絶縁層２２および導体層２１上には、ソルダーレジスト層２３が形成されている。最外層の絶縁層２２および導体層２１ならびにソルダーレジスト層２３の露出面によって、第１面１ａが構成されている。

【0013】

なお、図２における配線基板１の説明では、配線基板の厚さ方向において絶縁層２０から遠い側は「上側」、「上方」、「外側」、または単に「上」もしくは「外」、とも称され、絶縁層２０に近い側は「下側」、「下方」、「内側」、または単に「下」もしくは「内」、とも称される。

【0014】

第１絶縁層１０、第１導体層１１および第１ソルダーレジスト層１２は、配線基板１の第２面１ｂを構成している。３つの導体層２１のそれぞれと２つの絶縁層２２のそれぞれとが、絶縁層２０の上面２０ａの反対面である下面２０ｂ上に交互に積層されている。その上に、さらに絶縁層（第１絶縁層）１０が積層され、絶縁層１０上に導体層（第１導体層）１１が形成されている。第１絶縁層１０上には第１ソルダーレジスト層１２が形成されている。

【0015】

絶縁層２０には、その両面に形成されている導体層２１同士を接続するスルーホール導体２０ｃが形成されている。絶縁層２０と、絶縁層２０の上面２０ａ上の導体層２１および下面２０ｂ上の導体層２１とで、配線基板１のコア基板が構成されている。絶縁層２２および第１絶縁層１０それぞれには、絶縁層２０および第１絶縁層１０それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２ｖが形成されている。

【0016】

絶縁層２０、２２および第１絶縁層１０は、それぞれ、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などが例示される。各絶縁層はガラス繊維などからなる芯材を含んでいてもよい。例えば、各絶縁層は、ガラス繊維のような補強材にエポキシまたは他の樹脂組成物を含浸させた材料によって形成されていてもよい。各絶縁層は、さらに、無機フィラーを含んでいてもよい。各絶縁層に含まれる無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどからなる微粒子が例示され得る。ソルダーレジスト層１２、２３は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。

【0017】

導体層２１および第１導体層１１、ビア導体２ｖ、ならびにスルーホール導体２０ｃは、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、および／または、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。従って、導体層２１、第１導体層１１、ビア導体２ｖやスルーホール導体２０ｃは、図２では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る（図１Ａおよび１Ｂ参照）。例えば、絶縁層２０の上面２０ａに形成されている導体層２１および下面２０ｂに形成されている導体層２１は、金属箔、無電解めっき膜、および電解めっき膜を含む３層構造を有し得る。また、導体層２１および第１導体層１１は、例えば無電解めっき膜および電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

【0018】

ビア導体２ｖは、各絶縁層２２および第１絶縁層１０それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。スルーホール導体２０ｃも絶縁層２０を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成され得る。ビア導体２ｖは、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。したがって、例えば、ビア導体２ｖと導体層２１および第１導体層１１とは、同一の、例えば銅またはニッケルなどからなるめっき膜（無電解めっき膜および電解めっき膜）によって形成されている。

【0019】

各導体層は、所定の導体パッドおよび／または配線パターンを有するようにパターニングされている。図１の例の配線基板１では、第１面１ａ側の最外層の導体層２１は複数の部品実装パッド２１ｅを有するようにパターニングされている。すなわち配線基板１は第１面１ａに形成されている複数の部品実装パッド２１ｅを含んでいる。複数の部品実装パッド２１ｅは、第１面１ａ側の最外層の絶縁層２２上に形成されている。

【0020】

ソルダーレジスト層２３は、部品実装パッド２１ｅを露出させる開口２３ａを有している。ソルダーレジスト層２３の開口２３ａに部品実装パッド２１ｅの表面が露出している。部品実装パッド２１ｅの形状は、任意の形状とされてよく、例えばソルダーレジスト層２３の開口２３ａにより画定され得る。

【0021】

各部品実装パッド２１ｅは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される部品Ｅ１がその表面に載置される導体パッドである。すなわち第１面１ａは配線基板１の部品実装面である。部品実装パッド２１ｅには、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して部品Ｅ１の電極Ｅ１１が電気的および機械的に接続される。

【0022】

部品Ｅ１としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、および、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示される。部品Ｅ１は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、部品Ｅ１はこれらに限定されない。

【0023】

本実施形態の配線基板１において、第２面１ｂは、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素Ｓ１に配線基板１自体が実装される場合の、外部要素Ｓ１に接続される接続面である。配線基板１は、例えば、第１面１ａに実装される半導体集積回路などの部品Ｅ１のパッケージの一部を構成してもよく、その場合、配線基板１は、図２に示されるように第２面１ｂを外部要素Ｓ１に向けて、外部要素Ｓ１に部品Ｅ１と共に実装され得る。しかし、第２面１ｂは、第１面１ａと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。

【0024】

第２面１ｂが外部要素Ｓ１との接続面である場合、第２面１ｂは、外部要素Ｓ１との接続部を備え得る。したがって、図２の例の配線基板１において、配線基板１の第２面１ｂ側の最外層の導体層は、外部要素Ｓ１に接続される接続パッドである導体パッド１１ｅを含む第１導体層１１である。すなわち、図１Ａおよび１Ｂに拡大図で示されている導体パッド１１ｅは、実施形態の配線基板１の第２面１ｂ側に形成されている。導体パッド１１ｅの上面および側面を含む表面の全面は、第１絶縁層上に形成されているソルダーレジスト層１２の開口１２ａから露出している。第２面１ｂにおいて、導体パッド１１ｅは、配線基板１の第２面１ｂに接続される外部要素Ｓ１の配線パターンなどに応じて任意の位置に、任意の数で形成され得る。

【0025】

導体パッド１１ｅは、図２に示されるように、例えば、外部要素Ｓ１の電極Ｓ１１にピンを介して電気的および機械的に接続され得る。導体パッド１１ｅは、側面視で略半矩形で、かつ矩形の角部が丸まっている角丸形状で形成されている。このため、外部要素Ｓ１との接続時に、位置ずれや傾きが生じた場合でも、外部要素Ｓ１の接続用のピンと導体パッド１１ｅとの接触面積が確保されやすいと考えられる。外部要素Ｓ１の端子との高い接触信頼性が得られると考えられる。

【0026】

図１Ａおよび１Ｂを参照して、導体パッド１１ｅがさらに説明される。なお、添付の図面においては、導体パッド１１ｅを含む各構成要素の正確なサイズや形状、および／または、各構成要素同士のサイズや形状の正確な比率を示すことは意図されていない。例えば、導体パッド１１ｅの長手方向（第１絶縁層１０の表面に沿う方向）の長さと短手方向（厚さ方向）の長さとの比率は、図１Ａや図１Ｂに示される比率に限定されない。任意の比率の半矩形状が形成されてよい。

【0027】

導体パッド１１ｅを含む第１導体層１１は、前述のように、無電解めっき膜１１１および電解めっき膜１１２からなる２層構造の導体膜を含んでいる。第１導体層１１はビア導体２ｖによって、第１導体層１１の下層の導体層２１（図２参照）に接続されている。導体パッド１１ｅは、図１Ａおよび１Ｂに示されるように、第１絶縁層１０に形成されているビア導体２ｖの真上に形成され得る。図１Ａおよび１Ｂに示される導体パッド１１ｅでは、導体パッド１１ｅのソルダーレジスト層１２の開口１２ａから露出されている表面は金属膜１１３で被覆されている。金属膜１１３は任意の金属で構成されてよく、例えば金属膜１１３はめっき膜であってもよい。例えば、金属膜１１３は、無電解めっき膜である。金属膜１１３は例えば、無電解ニッケルめっき膜で構成され得る。

【0028】

図１Ａに示されるように、図１Ａの導体パッド１１ｅでは、側面視で導体パッド１１ｅの外側角部分が角丸形状となるように、金属膜１１３が電解めっき膜１１２を被膜するように形成されている。金属膜１１３は、好ましくは、２層構造の導体膜の表面上に厚付けされている。外側角部分の角丸形状が得られやすい場合がある。例えば、金属膜１１３は、５μｍ以上であって、９μｍ以下程度の厚みで導体膜上に形成され得る。導体パッド１１ｅを構成している２層構造の導体膜においては、その上面と側面との交差部は平面と平面で形成される角部である。この角部を金属膜１１３が被膜している。この結果、第１絶縁層１０上に露出している導体パッド１１ｅの外縁は丸みを帯びた形状となる。外部要素Ｓ１との接続のための接続用ピンが配線基板１に対して傾斜して導体パッド１１ｅに接触した場合であっても、接続用ピンと導体パッド１１ｅの良好な接触が得られ得ると考えられる。配線基板１の実装性が向上する場合がある。

【0029】

図１Ａでは、導体パッド１１ｅの外側角部分は曲部となるように形成されているが、導体パッド１１ｅの上面１１ａは、配線基板１の厚さ方向と直交する面と平行な頂面を含んでいる。しかしながら、導体パッド１１ｅの外側角部分の曲率半径がより大きくなるように、すなわち、導体パッド１１ｅの上面１１ａが球面に近づくように、金属膜１１３が電解めっき膜１１２上に形成されてもよい。

【0030】

図１Ｂには、導体パッド１１ｅの他の例が示されている。図１Ｂに示される導体パッド１１ｅでは、導体パッド１１ｅを構成している２層構造の導体膜において外側角部分が角丸形状となるように、電解めっき膜１１２の外側角部分が丸みを帯びた形状で形成されている。そして、電解めっき膜１１２のこの角丸形状に沿って、２層構造の導体膜の表面を覆う金属膜１１３が形成されている。図１Ｂの場合においても、導体パッド１１ｅの外側角部分を角丸形状とするために、金属膜１１３は、２層構造の導体膜の表面上に厚付けされ得る。図１Ａの場合と同様に、例えば、金属膜１１３は、５μｍ以上であって、９μｍ以下程度の厚みを有するように導体膜の表面上に形成される。この結果、図１Ｂの導体パッド１１ｅにおいても、導体パッド１１ｅの外側角部分は角丸形状を有している。導体パッド１１ｅの上面１１ａは、球面に近づくように形成されていてもよい。例えば、電解めっき膜１１２の外側角部分の曲率半径がより大きく、すなわち電解めっき膜１１２の表面が球面に近づくように形成され、そして、金属膜１１３が、電解めっき膜１１２上に、導体パッド１１ｅの上面１１ａが球面に近づくように形成されてもよい。この形状の導体パッド１１ｅの一例が図１Ｂに示されている。図１Ｂの例において、ソルダーレジスト層１２の開口１２ａから露出されている導体パッド１１ｅの表面は、上方に向かって膨らんだドーム形の形状を有している。導体パッド１１ｅの表面積が増加し、外部要素Ｓ１との接続のための接続用ピンとの接続信頼性が向上する場合がある。

【0031】

実施形態の配線基板１は、一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。例えば、絶縁層２０を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって、所定の導体パターンを含む導体層２１が絶縁層２０の両面に形成される。それと共に、絶縁層２０に設けられた貫通孔内を埋めることによってスルーホール導体２０ｃが形成され、配線基板１のコア基板が用意される。

【0032】

絶縁層２０の上面２０ａ側に絶縁層２２が積層され、その絶縁層２２上に導体層２１が形成される。同様に、絶縁層２０の下面２０ｂ側に、絶縁層２２が積層され、その絶縁層２２上に導体層２１が形成される。そしてコア基板の両面において、各絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返される。絶縁層２２および絶縁層２２上の導体層２１は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層は、フィルム状のエポキシ樹脂を、コア基板または先に形成されている各絶縁層および各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成およびパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア導体２ｖが各絶縁層内に形成され得る。

【0033】

絶縁層２０の上面２０ａ側および下面２０ｂ側に、最表層の絶縁層（絶縁層２２および第１絶縁層１０）が形成される。最表層の絶縁層２２上にさらに最表層の導体層２１が形成される。最表層の導体層２１は、部品実装パッド２１ｅを含むように、適切な開口パターンを有するめっきジスト（図示せず）を用いるセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。

【0034】

そして、図２に示されているように、ソルダーレジスト層２３が最表層の絶縁層２２および最表層の導体層２１上に形成される。ソルダーレジスト層２３には、開口２３ａが設けられる。ソルダーレジスト層２３は、例えば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光および現像、またはレーザー加工などによって、開口２３ａが形成される。開口２３ａによって部品実装パッド２１ｅが画定される。

【0035】

絶縁層２０の下面２０ｂ側には、第１絶縁層１０上に導体パッド１１ｅを含む第１導体層１１が形成される。図３Ａ～３Ｇを参照して、図１Ｂに示される導体パッド１１ｅを含む第１導体層１１を例に、その製造方法の一例が、具体的に説明される。

【0036】

図３Ａに示されるように、ビア導体形成用の貫通孔を含む第１絶縁層１０上に、第１絶縁層１０の表面全面への無電解めっきなどにより、シード金属膜となる無電解めっき膜１１１が形成される。次いで、図３Ｂに示されるように、無電解めっき膜１１１上に、所定の箇所に開口５０ａを有するめっきレジスト５０が形成される。続いて、図３Ｃに示されるように、開口５０ａ内に電解めっき膜１１２が形成される。ビア導体形成用の貫通孔内に電解めっき膜１１２が充填される。

【0037】

めっきレジスト５０が除去された（図３Ｄ参照）後、露出した無電解めっき膜１１１および電解めっき膜１１２の表面がエッチングされる。エッチングにより、無電解めっき膜１１１の電解めっき膜１１２に覆われていない部分が除去される。無電解めっき膜１１１および電解めっき膜１１２により、第１導体層１１の所定の導体パターンが形成されている。導体パターンの形成と同時かつ一体的に、ビア導体形成用の貫通孔内にビア導体２ｖが形成される。

【0038】

エッチングにより、電解めっき膜１１２の露出面、特にパターニングされた電解めっき膜１１２の外側角部分も溶解される。電解めっき膜１１２に覆われていない無電解めっき膜１１１の消失後もエッチングを継続するなど、エッチング量を適宜調整することにより、外側角部分が所望の程度溶解して丸みを帯びた電解めっき膜１１２が形成される（図３Ｅ参照）。

【0039】

その後、図３Ｆに示されているように、ソルダーレジスト層１２が、第１絶縁層１０上に形成される。ソルダーレジスト層１２は、ソルダーレジスト層２３と同様の材料で形成され得る。また、ソルダーレジスト層１２には、開口２３ａと同様な方法で開口１２ａが設けられる。開口１２ａは、電解めっき膜１１２の露出面の全面を開口１２ａから露出させるように形成される。

【0040】

その後、図３Ｇに示されているように、電解めっき膜１１２および無電解めっき膜１１１の露出部分の表面に、金属膜１１３が形成される。金属膜１１３は例えば、無電解めっきにより、露出部分の表面に沿って、例えば導体パッド１１ｅの上面１１ａが球面に近づくように形成される。この結果、無電解めっき膜１１１、電解めっき膜１１２および金属膜１１３によって構成される、外側角部分が角丸形状を有し、上面１１ａが上方に向かって膨らんだ形状である導体パッド１１ｅが、第１絶縁層１０上に形成される。図１Ｂに示される導体パッド１１ｅを所望のパターンで含む第１導体層１１が完成される。以上の工程を経ることにより図２に示される配線基板１であって、第１導体層１１が図１Ｂに示される導体パッド１１ｅを含む配線基板１が完成する。

【0041】

第１導体層１１が、図１Ａに示される導体パッド１１ｅを含む場合、図３Ｄおよび図３Ｅを参照して説明されたエッチングの工程は、無電解めっき膜１１１の電解めっき膜１１２に覆われていない部分が除去された時点で終了され得る。したがって、電解めっき膜１１２の外側角部分は、電解めっき膜１１２の側面と電解めっき膜１１２の上面との交差部であり、曲面を有さない。ソルダーレジスト層１２およびその開口１２ａが形成された後、電解めっき膜１１２および無電解めっき膜１１１の露出部分の表面に、金属膜１１３が形成される。金属膜１１３は、図１Ｂに示される導体パッド１１ｅと同様に、無電解めっきにより、露出部分の表面に沿って形成され得る。しかし、図１Ｂに示される導体パッド１１ｅとは異なり、図１Ａに示される導体パッド１１ｅでは、電解めっき膜１１２の外側角部分は曲面を有していないため、金属膜１１３は、この外側角部分を被膜するように、さらに無電解めっきの条件を調整することなどによって、より厚いめっき厚をもつように形成される。この結果、外側角部分が角丸形状を有する、図１Ａに示される導体パッド１１ｅが形成される。図１Ａに示される導体パッド１１ｅを所望のパターンで含む第１導体層１１が完成される。

【0042】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造や材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は、任意の積層構造を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層および絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は所謂両面基板であってもよく、片面基板であってもよい。例えば、第１導体層１１には、導体パッド１１ｅの他にも異なる導体パターンが含まれ得る。また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、前述された工程のうちの一部の工程が省略されてもよく、前述された各工程以外に任意の別の工程が追加されてもよい。

【符号の説明】

【0043】

１ 配線基板
１ａ 配線基板の第１面
１ｂ 配線基板の第２面
２ｖ ビア導体
１０ 第１絶縁層
１１ 第１導体層
１１ｅ 導体パッド
１２、２３ ソルダーレジスト層
２０、２２ 絶縁層
２１ 導体層
２１ｅ 部品実装パッド
１２ａ、２３ａ 開口
１１１ 無電解めっき膜
１１２ 電解めっき膜
１１３ 金属膜
Ｓ１ 外部要素

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】