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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023023258
(43)【公開日】2023-02-16
(54)【発明の名称】静電スイッチの制御方法、及び、制御装置
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20230209BHJP
G06F 3/02 20060101ALI20230209BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 512
G06F3/02 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021128579
(22)【出願日】2021-08-04
(71)【出願人】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109210
【弁理士】
【氏名又は名称】新居 広守
(74)【代理人】
【識別番号】100137235
【弁理士】
【氏名又は名称】寺谷 英作
(74)【代理人】
【識別番号】100131417
【弁理士】
【氏名又は名称】道坂 伸一
(72)【発明者】
【氏名】清水 寛之
(72)【発明者】
【氏名】丹羽 弘充
(72)【発明者】
【氏名】澤田 昌樹
(72)【発明者】
【氏名】山上 修凡
【テーマコード（参考）】
5B020
【Ｆターム（参考）】
5B020DD02
(57)【要約】
【課題】イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制することが可能な静電スイッチの制御方法等を提供する。
【解決手段】静電スイッチ１の制御方法である。静電スイッチ１は、基板１０と、基板１０に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有する。そして、制御方法は、第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、第ｎ＋１導体部に第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップ（Ｓ１１）と、第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、第ｎ＋１導体部に第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップ（Ｓ１２）とを含み、第１の制御ステップ、及び、第２の制御ステップの一方が実行された後に、第１の制御ステップ、及び、第２の制御ステップの他方が連続して実行される。
【選択図】図４
【解決手段】静電スイッチ１の制御方法である。静電スイッチ１は、基板１０と、基板１０に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有する。そして、制御方法は、第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、第ｎ＋１導体部に第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップ（Ｓ１１）と、第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、第ｎ＋１導体部に第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップ（Ｓ１２）とを含み、第１の制御ステップ、及び、第２の制御ステップの一方が実行された後に、第１の制御ステップ、及び、第２の制御ステップの他方が連続して実行される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
静電スイッチの制御方法であって、
前記静電スイッチは、
基板と、
前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、
前記ｍ個の導体部は、
第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、
前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、
前記制御方法は、
前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップと、
前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップとを含み、
前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される、
静電スイッチの制御方法。
前記静電スイッチは、
基板と、
前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、
前記ｍ個の導体部は、
第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、
前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、
前記制御方法は、
前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップと、
前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップとを含み、
前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される、
静電スイッチの制御方法。
【請求項2】
前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、
前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に第４電位を印加させることを含み、
前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第４電位を印加させることを含み、
前記第４電位は、前記第２電位より低く、かつ、前記第３電位より高い電位である、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に第４電位を印加させることを含み、
前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第４電位を印加させることを含み、
前記第４電位は、前記第２電位より低く、かつ、前記第３電位より高い電位である、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項3】
前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、
前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第２電位と同じ電位である、第５電位を印加させることを含み、
前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第３電位と同じ電位である、第６電位を印加させることを含む、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第２電位と同じ電位である、第５電位を印加させることを含み、
前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第３電位と同じ電位である、第６電位を印加させることを含む、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項4】
前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、
前記制御方法は、さらに、
前記他方の制御ステップが実行された後に、前記第３電位よりも大きい電位である第７電位を印加させる第３の制御ステップと、
前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも高い第８電位を印加させる第４の制御ステップと、
前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも低い第９電位を印加させる第５の制御ステップとを含み、
前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
前記制御方法は、さらに、
前記他方の制御ステップが実行された後に、前記第３電位よりも大きい電位である第７電位を印加させる第３の制御ステップと、
前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも高い第８電位を印加させる第４の制御ステップと、
前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも低い第９電位を印加させる第５の制御ステップとを含み、
前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される、
請求項１に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項5】
前記第１電位は、０電位である、
請求項１～４のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項１～４のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項6】
前記第２電位は、２．５Ｖ以上５Ｖ以下であり、
前記第３電位は、－５Ｖ以上、－２．５Ｖ以下である、
請求項１～５のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
前記第３電位は、－５Ｖ以上、－２．５Ｖ以下である、
請求項１～５のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項7】
前記第３電位は、前記第２電位の極性を反転させた電位である、
請求項６に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項６に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項8】
前記第２電位の印加の開始から前記第３電位の印加の終了までの期間を１周期とすると、
前記１周期は、１２．５μｓ以下である、
請求項１～７のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
前記１周期は、１２．５μｓ以下である、
請求項１～７のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項9】
前記第２電位が印加される期間と、前記第３電位が印加される期間とは、同一の期間である、
請求項１～８のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項１～８のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項10】
前記第３電位は、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させたことにより発生する前記第ｎ＋１導体部を構成する金属のイオンが前記第ｎ導体部に到達する前に印加される、
請求項１～９のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項１～９のいずれか１項に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項11】
前記第４電位は、前記第１電位と同電位である、
請求項２に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項２に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項12】
前記第ｎ＋２導体部は、前記第ｎ導体部と前記第ｎ＋１導体部との間の寄生容量を低減するための電極である、
請求項３に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項３に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項13】
前記第ｎ＋２導体部は、前記第ｎ導体部に付着した水滴を検出するための電極である、
請求項４に記載の静電スイッチの制御方法。
請求項４に記載の静電スイッチの制御方法。
【請求項14】
静電スイッチを制御する制御装置であって、
前記静電スイッチは、
基板と、
前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、
前記ｍ個の導体部は、
第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、
前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、
前記制御装置は、
前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御、及び、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御のうち一方の制御を実行した後、前記第１の制御、及び、前記第２の制御のうち他方の制御を連続して実行する、
制御装置。
前記静電スイッチは、
基板と、
前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、
前記ｍ個の導体部は、
第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、
前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、
前記制御装置は、
前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御、及び、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御のうち一方の制御を実行した後、前記第１の制御、及び、前記第２の制御のうち他方の制御を連続して実行する、
制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、静電スイッチの制御方法、及び、制御装置に関する。
【背景技術】
【0002】
車載機器又は家電機器において、静電スイッチによって操作するシステムが知られている。静電スイッチは、当該静電スイッチの持つ静電容量を利用してタッチ（入力）を検出する（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－７７５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、このような静電スイッチは、高温高湿環境下で長時間使用すると、いわゆるイオンマイグレーションが発生することが知られている。このイオンマイグレーションを放置すると、導体間の短絡を発生させ、静電スイッチの製品寿命の低下につながるので、導体間の短絡の発生を抑制することが求められるが、上記の特許文献１には、導体間の短絡の抑制については開示されていない。
【0005】
そこで、本開示は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制することが可能な静電スイッチの制御方法、及び、制御装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様に係る静電スイッチの制御方法は、静電スイッチの制御方法であって、前記静電スイッチは、基板と、前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、前記ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、前記制御方法は、前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップと、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップとを含み、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される。
【0007】
本開示の一態様に係る制御装置は、静電スイッチを制御する制御装置であって、前記静電スイッチは、基板と、前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、前記ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、前記制御装置は、前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御、及び、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御のうち一方の制御を実行した後、前記第１の制御、及び、前記第２の制御のうち他方の制御を連続して実行する。
【発明の効果】
【0008】
本開示の一態様によれば、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制することが可能な静電スイッチの制御方法等を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
（本開示に至った経緯）
上記の「発明が解決しようとする課題」に記載したように、静電スイッチ（静電容量スイッチ）は、８５℃８５％ｒｈなどの高温高湿環境下で、導体部（例えば、配線パターン（配線））にバイアス電圧が印加されている状態で長時間使用されると、導体近傍の電界現象によって電流が流れる現象、いわゆるイオンマイグレーションが発生することが知られている。
上記の「発明が解決しようとする課題」に記載したように、静電スイッチ（静電容量スイッチ）は、８５℃８５％ｒｈなどの高温高湿環境下で、導体部（例えば、配線パターン（配線））にバイアス電圧が印加されている状態で長時間使用されると、導体近傍の電界現象によって電流が流れる現象、いわゆるイオンマイグレーションが発生することが知られている。
【0011】
イオンマイグレーションは、並んで設けられた配線（２つの配線）がある場合に、水分(湿度)が多い環境条件下で２つの配線に電位差が発生するような電位を印加すると、配線の陽極の金属がイオン化して対向する陰極へ移動し、再び陰極で金属として生成される現象である。陽極においてイオン化した金属は、基板表面又は基板内部に含まれる水分などに溶け出し、電界によるクーロン力により引き寄せられることによって、陰極へ移動する。陰極で生成された金属が成長すると、絶縁不良となり、最終的には配線間が短絡(ショート)する。これにより、製品寿命の低下及びシステムの信頼性の低下などの製品の欠陥を招く。
【0012】
そのため、静電スイッチにおいて、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することが望まれているが、特許文献１には、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することは開示されていない。
【0013】
そこで、本願発明者らは、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することについて鋭意検討を行い、タッチ検出用の電位を２つの配線のうちの一方の配線に印加した後に、当該電位と逆極性の電位を当該一方の配線に印加する、つまり、２つの配線に印加される電位の大小関係を反転させることで、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することが可能であることを見いだした。そして、以下に示す静電スイッチの制御方法及び制御装置を創案した。
【0014】
本開示の一態様に係る静電スイッチの制御方法は、静電スイッチの制御方法であって、前記静電スイッチは、基板と、前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、前記ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、前記制御方法は、前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御ステップと、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御ステップとを含み、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第１の制御ステップ、及び、前記第２の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される。
【0015】
これにより、第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、第ｎ＋１導体部に対して第２電位が印加された後に第３電位が印加されるので、第ｎ＋１導体部に第２電位が印加されている状態のときに第ｎ＋１導体部から第ｎ導体部へ放出された金属イオンを、第ｎ＋１導体部へ引き込む（戻す）ことができる。よって、本開示の一態様に係る静電スイッチの制御方法によれば、イオンマイグレーションによる、第ｎ導体部と第ｎ＋１導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0016】
また、例えば、前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に第４電位を印加させることを含み、前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第４電位を印加させることを含み、前記第４電位は、前記第２電位より低く、かつ、前記第３電位より高い電位であってもよい。
【0017】
これにより、第ｎ＋１導体部に第２電位が印加されている状態のときに第ｎ＋１導体部から第ｎ＋２導体部へ放出された金属イオンを、第ｎ＋１導体部に第３電位が印加されている状態のときに第ｎ＋１導体部へ引き込む（戻す）ことができる。よって、さらに、イオンマイグレーションによる、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0018】
また、例えば、前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、前記第１の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させた状態で、前記ｎ＋２導体部に前記第２電位と同じ電位である、第５電位を印加させることを含み、前記第２の制御ステップは、さらに、前記第ｎ＋１導体部に前記第３電位を印加させた状態で、前記ｎ＋２導体部に前記第３電位と同じ電位である、第６電位を印加させることを含んでもよい。
【0019】
これにより、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部とに同じタイミングで同じ電位が印加されるので、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部との間に電位差が発生しにくい。また、イオンマイグレーションは、電位差が小さい導体間では発生しにくい。よって、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部とに同じタイミングで電位が印加される場合であっても、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部との間に電位差が発生しにくいので、さらに、イオンマイグレーションによる、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0020】
また、例えば、前記ｍ個の導体部は、さらに、前記第ｎ＋１導体部に対して、前記第ｎ導体部が位置する側と反対側の側に配置された第ｎ＋２導体部を備え、前記制御方法は、さらに、前記他方の制御ステップが実行された後に、前記第３電位よりも大きい電位である第７電位を印加させる第３の制御ステップと、前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも高い第８電位を印加させる第４の制御ステップと、前記第ｎ＋１導体部に前記第７電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋２導体部に前記第７電位よりも低い第９電位を印加させる第５の制御ステップとを含み、前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後に、前記第４の制御ステップ、及び、前記第５の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行されてもよい。
【0021】
これにより、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部とに互いに異なるタイミングで電位が印加される場合であっても、イオンマイグレーションによる、第ｎ＋１導体部と第ｎ＋２導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0022】
また、例えば、前記第１電位は、０電位であってもよい。
【0023】
これにより、第１電位が０電位である場合に、イオンマイグレーションによる第ｎ導体部と第ｎ＋１導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0024】
また、例えば、前記第２電位は、２．５Ｖ以上５Ｖ以下であり、前記第３電位は、－５Ｖ以上、－２．５Ｖ以下であってもよい。
【0025】
これにより、第１電位が０電位である場合、第２電位から第１電位を差し引いた電位差と、第１電位から第３電位を差し引いた電位差とを近づけることができるので、イオンマイグレーションによる第ｎ導体部と第ｎ＋１導体部との間の短絡の発生をより抑制することができる。
【0026】
また、例えば、前記第３電位は、前記第２電位の極性を反転させた電位であってもよい。
【0027】
これにより、第２電位から第１電位を差し引いた電位差と、第１電位から第３電位を差し引いた電位差とを等しくすることができる。つまり、第２電位が印加される単位時間当りに第ｎ＋１導体部から放出される金属イオンの量と、第３電位が印加される単位時間当りに第ｎ＋１導体部へ引き込まれる金属イオンの量とを同程度の量とすることができる。よって、長期間使用された場合であっても、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生をより確実に抑制することができる。
【0028】
また、例えば、前記第２電位の印加の開始から前記第３電位の印加の終了までの期間を１周期とすると、前記１周期は、１２．５μｓ以下であってもよい。
【0029】
これにより、第ｎ＋１導体部に第２電位を印加させたことにより発生する第ｎ＋１導体部を構成する金属のイオンが第ｎ導体部に到達する前に、当該イオンを第ｎ＋１導体部へ引き込ませるための第３電位を印加することができる。つまり、第ｎ＋１導体部を構成する金属のイオンが第ｎ導体部に到達し、第ｎ導体部で結晶化することを抑制することができる。よって、長期間使用された場合であっても、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生をさらに確実に抑制することができる。
【0030】
また、例えば、前記第２電位が印加される期間と、前記第３電位が印加される期間とは、同一の期間であってもよい。
【0031】
これにより、第２電位が印加される期間に第ｎ＋１導体部から放出される金属イオンの量と、第３電位が印加される期間に第ｎ＋１導体部へ引き込まれる金属イオンの量とを同程度の量とすることができる。よって、長期間使用された場合であっても、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生をより一層確実に抑制することができる。
【0032】
また、例えば、前記第３電位は、前記第ｎ＋１導体部に前記第２電位を印加させたことにより発生する前記第ｎ＋１導体部を構成する金属のイオンが前記第ｎ導体部に到達する前に印加されてもよい。
【0033】
これにより、第ｎ＋１導体部を構成する金属のイオンが第ｎ導体部に到達し、第ｎ導体部で結晶化することを抑制することができる。よって、長期間使用された場合であっても、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生をより一層確実に抑制することができる。
【0034】
また、例えば、前記第４電位は、前記第１電位と同電位であってもよい。
【0035】
これにより、静電スイッチが第ｎ＋１導体部を挟むように配置された２つの導体部（第ｎ導体部及び第ｎ＋２導体部）を有する構成であり、かつ、当該２つの導体部に同電位が印加される場合であっても、イオンマイグレーションによる、第ｎ＋１導体部と当該２つの導体部との間の短絡の発生を抑制することができる。
【0036】
また、例えば、前記第ｎ＋２導体部は、前記第ｎ導体部と前記ｎ＋１導体部との間の寄生容量を低減するための電極であってもよい。
【0037】
これにより、寄生容量を低減するための電極と第ｎ＋１導体部との間のイオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することができる。
【0038】
また、例えば、前記第ｎ＋２導体部は、前記第ｎ導体部に付着した水滴を検出するための電極であってもよい。
【0039】
これにより、水滴を検出するための電極と第ｎ＋１導体部との間のイオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制することができる。
【0040】
また、本開示の一態様に係る制御装置は、静電スイッチを制御する制御装置であって、前記静電スイッチは、基板と、前記基板に配置されたｍ（ｍは２以上の整数）個の導体部と、を備え、前記ｍ個の導体部は、第ｎ（ｎはｍ－１以上の整数）番目の第ｎ導体部と、前記第ｎ導体部の隣に配置された第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部とを有し、前記制御装置は、前記第ｎ導体部に第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも高い第２電位を印加させる第１の制御、及び、前記第ｎ導体部に前記第１電位を印加させた状態で、前記第ｎ＋１導体部に前記第１電位よりも低い第３電位を印加させる第２の制御のうち一方の制御を実行した後、前記第１の制御、及び、前記第２の制御のうち他方の制御を連続して実行する。
【0041】
これにより、上記の静電スイッチの制御方法と同様の効果を奏する。
【0042】
なお、これらの全般的又は具体的な態様は、システム、方法、集積回路、コンピュータプログラム又はコンピュータで読み取り可能なＣＤ－ＲＯＭ等の非一時的記録媒体で実現されてもよく、システム、方法、集積回路、コンピュータプログラム又は記録媒体の任意な組み合わせで実現されてもよい。プログラムは、記録媒体に予め記憶されていてもよいし、インターネット等を含む広域通信網を介して記録媒体に供給されてもよい。
【0043】
以下、実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0044】
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【0045】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【0046】
また、本明細書及び図面において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、三次元直交座標系の三軸を示している。実施の形態では、Ｚ軸方向を静電スイッチの厚み方向としている。また、本明細書において、「平面視」とは、静電スイッチの各構成要素の積層方向（厚み方向）に沿って静電スイッチを見ることを意味する。
【0047】
また、本明細書において、等しい、平行などの要素間の関係性を示す用語、及び、矩形などの要素の形状を示す用語、並びに、数値、及び、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度（例えば、５％程度）の差異をも含むことを意味する表現である。
【0048】
【0049】
［１．静電スイッチの構成］
まず、本実施の形態に係る静電スイッチの構成について、図１～図３を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る静電スイッチを示す平面図である。図２は、本実施の形態に係る静電スイッチを示す分解斜視図である。なお、静電スイッチ１の構成は、既知の静電スイッチと同じであってもよく、本開示は、後述する制御部（図３に示す制御部９０を参照）の制御方法に特徴を有する。
まず、本実施の形態に係る静電スイッチの構成について、図１～図３を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る静電スイッチを示す平面図である。図２は、本実施の形態に係る静電スイッチを示す分解斜視図である。なお、静電スイッチ１の構成は、既知の静電スイッチと同じであってもよく、本開示は、後述する制御部（図３に示す制御部９０を参照）の制御方法に特徴を有する。
【0050】
本実施の形態に係る静電スイッチ１は、静電容量方式のスイッチであり、ユーザの指等の接触を検出する。静電スイッチ１は、例えば、光源（図示しない）、又は、表示装置（図示しない）などと組み合わされて、タッチ（例えば、タッチ位置）を検出する機能を有する入力装置として用いられる。光源としては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が例示されるがこれに限定されない。また、表示装置としては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ等が例示されるがこれに限定されない。
【0051】
静電スイッチ１は、例えば、車載機器又は電子機器に設けられる。車載機器としては、例えば、エアコン、オーディオ機器、センターインフォメーションディスプレイ、クラスター等の自動車内に設けられる車載ディスプレイが例示される。また、電子機器としては、例えば、携帯電話、携帯ゲーム機、パソコン、冷蔵庫、洗濯機等の家電機器が例示される。
【0052】
静電スイッチ１は、タッチパネル、タッチスイッチ、タッチセンサ、タッチキーとも称される。また、静電スイッチ１は、静電容量式センサの一例である。
【0053】
【0054】
基板１０は、板状又はフィルム状の部材であり、基板１０上に各種配線及び各種樹脂層が形成される。基板１０は、ガラス、樹脂などの透光性を有する材料を含んで構成される。透光性を有する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂などが例示されるが、これに限定されない。また、基板１０は、例えば、可撓性を有していてもよい。
【0055】
基板１０の平面視形状は、例えば、矩形状であるが、これに限定されず、台形状、円形状等であってもよい。
【0056】
基板１０には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）１１が実装されている。ＦＰＣ１１の一端は、例えば、制御部９０が設けられている制御基板（図示せず）に接続される。ＦＰＣ１１のＸ軸プラス側の端部には、例えば、補強板７０が設けられる。なお、可撓性を有する基板１０を用いる場合、基板１０に一体で湾曲可能なテール部を形成し、テール部をＦＰＣ１１として機能させる部位に構成してもよい。このように、基板１０は、ＦＰＣ１１が実装されておらず、テール部により制御基板と接続される構成であってもよい。
【0057】
透明電極２０は、配線３０と電気的に接続されており、タッチを検出するための電極である。透明電極２０は、指等で触れて操作を行うスイッチに対応する機能を有するセンサ電極である。透明電極２０は、電界を発生させるための送信電極であるとも言える。静電スイッチ１が表示装置に取り付けられた場合、例えば、透明電極２０の少なくとも一部は、視認可能な領域に設けられる。
【0058】
透明電極２０は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物によって構成された電極である。本実施の形態において、透明電極２０は、ＩＴＯ膜である。なお、透明電極２０は、例えば、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物により構成されてもよい。また、透明電極２０は、例えば、銀ナノワイヤーインクにより構成されてもよい。また、透明電極２０は、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）と呼ばれる導電性ポリマーにより形成されてもよい。つまり、透明電極２０は、例えば、ＰＥＤＯＴ製であってもよい。
【0059】
透明電極２０の形成方法は、基板１０の全面に上記で例示した電極材料からなる導電膜を形成してから不要部分をエッチング除去する方法が例示される。導電膜の形成は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、及び、ロールコーター法等によって行うことができる。
【0060】
透明電極２０の平面視形状は、例えば、矩形状であるが、これに限定されず、円形状、菱形状、多角形状等であってもよい。
【0061】
配線３０は、透明電極２０からＦＰＣ１１の先端の端子部まで形成されており、制御基板の制御部９０と透明電極２０とを電気的に接続するための配線、及び、ＧＮＤ配線等を含む。平面視において、配線３０は、一部が透明電極２０と重なるように設けられる。
【0062】
配線３０は、例えば、静電スイッチ１が表示装置に取り付けられた場合、視認不可能な領域に設けられ、透明電極２０とは異なる材料により構成される。配線３０は、静電スイッチ１において配線抵抗が上昇すること抑制するために、透明電極２０より抵抗値が低い材料により構成される。また、配線３０は、例えば、不透明な材料により構成されてもよい。これにより、静電スイッチ１における配線抵抗が低減され、タッチの検出感度を高めることができる。
【0063】
配線３０は、例えば、配線パターンに応じた開口を有するスクリーン版を用いたスクリーン印刷等により、透明電極２０が形成された基板１０上に導電性ペーストを塗布して硬化させることで形成される。また、配線３０は、例えば、スクリーン印刷等により透明電極２０が形成された基板１０上の全面に導電性ペーストを塗布して硬化させた後、レーザカットすることにより形成されてもよい。導電性ペーストは、複数の金属粒子、金属粒子同士を結着するバインダ樹脂、溶剤等を含む。金属粒子を構成する材料の具体例としては、銀、銅、ニッケル、スズ、ビスマス、亜鉛、インジウム、又は、パラジウム等が例示される。この中でも、特に、電気抵抗率がより小さく、かつ、安価な銀を用いることが好ましい。本実施の形態では、配線３０は、銀配線である。また、バインダ樹脂の具体例としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等が例示される。
【0064】
第１絶縁層４０は、透光性を有し、透明電極２０及び配線３０を覆うように基板１０上に設けられる保護層である。第１絶縁層４０は、基板１０のＺ軸プラス側の面の全体を覆ってもよい。第１絶縁層４０は、例えば、絶縁性を有する樹脂材料をスクリーン印刷等により塗布して硬化させることで形成される。また、樹脂材料は、既知のいかなる材料が用いられてもよい。
【0065】
第２絶縁層５０は、透光性を有し、第１絶縁層４０上に当該第１絶縁層４０を覆うように設けられる保護層である。第２絶縁層５０は、第１絶縁層４０のピンホールなどの欠陥を低減するために設けられる。第２絶縁層５０は、例えば、第１絶縁層４０のピンホールを埋めることで、ピンホールの発生を抑制する。第２絶縁層５０に用いられる材料は、第１絶縁層４０と同じであってもよい。なお、第２絶縁層５０は、設けられなくてもよい。
【0066】
粘着層６０は、静電スイッチ１とカバーパネル（例えば、強化ガラス又は樹脂板）とを貼り合わせるためのフィルム状の粘着シートである。粘着層６０は、透光性を有する。粘着層６０は、例えば、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）により実現されるが、これに限定されない。粘着層６０は、例えば、透光性及び接着性を有する樹脂により実現されてもよい。粘着層６０は、例えば、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ）により実現されてもよい。
【0067】
なお、カバーパネルには、所望の意匠を表示するためのパターンが形成されていてもよい。例えば、カバーパネルには、透明電極２０の少なくとも一部を視認させる透過部と、配線３０を覆う遮光部とが形成されていてもよい。カバーパネルは透光性を有しており、黒色のインクを塗布することにより遮光部が形成されてもよい。
【0068】
なお、粘着層６０の厚みは、例えば、基板１０のＺ軸プラス側の面に形成された段差を吸収可能な厚みであるとよい。また、粘着層６０のＺ軸プラス側の面には、カバーパネルが貼り合わされていない状態で、保護フィルムが設けられていてもよい。
【0069】
なお、透光性を有する表示装置が静電スイッチ１の前面（Ｚ軸プラス側の面）に配置される場合、粘着層６０は、静電スイッチ１と表示装置とを貼り合わせてもよい。
【0070】
補強板７０は、ＦＰＣ１１のＸ軸プラス側の端部を補強する部材であり、ＦＰＣ１１より剛性が高い部材である。補強板７０は、例えば、ＦＰＣ１１を制御基板のコネクタに差し込む際の作業性の向上のために設けられる。補強板７０は、ＰＥＴ、ポリプロピレン（ＰＰ）等を含んで構成されるプラスチック板である。
【0071】
補強板７０は、平面視において、ＦＰＣ１１の端子８０が形成される面と反対側の面（Ｚ軸マイナス側の面）に設けられており、当該端子８０を覆うように設けられる。
【0072】
端子８０は、制御基板のコネクタに接続される接続端子である。端子８０は、例えば、配線３０上にカーボン印刷を行うことにより、当該配線３０にカーボンインクを塗布することで形成される。
【0073】
ここで、静電スイッチ１の配線３０及び制御基板に設けられる制御部９０について、さらに図３を参照しながら説明する。図３は、本実施の形態に係る静電スイッチ１の各配線３０の模式図及び制御部９０の機能構成を示す図である。図３では、静電スイッチ１の各配線３０を主に図示しており、基板１０等の他の構成の図示を省略している。なお、図３に示す透明電極２０は、視認される部分である「１」のみを図示している。
【0074】
図３に示すように、配線３０は、第１配線Ｗ１（ＳＷ＿１）と、ＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２（ＧＮＤ）及び第３配線Ｗ３（ＧＮＤ））とを有する。また、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３とは、制御基板に設けられた制御部９０に電気的に接続されている。また、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３とは、同じ金属粒子を含んで構成される。本実施の形態では、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３とは、銀配線である。第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、ｍ個の導体部の一例である。本実施の形態では、ｍは３である。
【0075】
第１配線Ｗ１は、制御部９０及び透明電極２０のそれぞれと接続されており、第１配線Ｗ１には、所定の電位が印加される。第１配線Ｗ１は、透明電極２０の周囲を囲む枠状部分（透明電極２０と接続される部分）と、透明電極２０と制御部９０とを接続するための配線部分（例えば、図３に示す制御部９０と透明電極２０とを接続する直線部分）とを有する。
【0076】
第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、制御部９０及び透明電極２０のうち制御部９０のみと接続されており、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３にはＧＮＤ電位が印加される。例えば、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３には、常にＧＮＤ電位が印加されている。第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、電界を発生させるための受信電極であるとも言える。
【0077】
第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、１本の配線であり、第１配線Ｗ１を囲むように形成される。第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、一部が第１配線Ｗ１の直線部分を挟むように形成される。便宜上、１本のＧＮＤ配線のうち、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分を第２配線Ｗ２と記載し、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分を第３配線Ｗ３と記載する。第２配線Ｗ２は、例えば、第１配線Ｗ１の直線部分を延長した延長線とＧＮＤ配線との交点より、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分であり、第３配線Ｗ３は、例えば、当該交点より、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分であるとも言える。第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、同電位である。
【0078】
なお、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、少なくとも一方が設けられていればよい。また、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３は、物理的に分離されていてもよい。
【0079】
なお、図３では、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれとは、互いに平行となる部分を有する例について図示しているが、これに限定されない。
【0080】
このように、静電スイッチ１は、基板１０と、基板１０に配置されたｍ個の配線３０（導体部の一例）とを備える。そして、ｍ個の配線３０は、第１配線Ｗ１（第ｎ＋１番目の第ｎ＋１導体部の一例）と、第１配線Ｗ１の隣に配置された第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の一方（第ｎ番目の第ｎ導体部の一例）とを有する。また、静電スイッチ１は、さらに、第１配線Ｗ１に対して、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の一方が位置する側と反対側に配置された第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方（第ｎ＋２番目の第ｎ＋２導体部の一例）を有していてもよい。ｍ個の導体部は、ｎ番目の導体部（例えば、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の一方）と、ｎ＋１番目の導体部（例えば、第１配線Ｗ１）とを含んで構成される。なお、ｍは、２以上の整数である。また、ｎは、ｍ－１以上の整数であり、例えば、１以上の整数である。
【0081】
また、静電スイッチ１は、基板１０と、基板１０に隣り合って配置された第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２とを備えるとも言える。また、静電スイッチ１は、さらに、第１配線Ｗ１に対して第２配線Ｗ２と反対側に配置された第３配線Ｗ３を備えていてもよい。この場合、第１配線Ｗ１と第３配線Ｗ３とは、隣り合って配置される。
【0082】
なお、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれとの配線間隔（スペース）は、同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。また、第１配線Ｗ１と第２配線Ｗ２との間の間隔、及び、第１配線Ｗ１と第３配線Ｗ３との間の配線間隔の少なくとも一方は、２５０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。つまり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のスペースは、２５０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。
【0083】
例えば、スペースが２５０μｍ未満となると、各配線３０に用いられている金属粒子、印加電位等にもよるが、イオンマイグレーションによる短絡の発生を効果的に抑制できない場合がある。また、スペースが１０００μｍより大きくなると、各配線３０に用いられている金属粒子、印加電位等にもよるが、イオンマイグレーションによる短絡の発生が問題とならない場合がある。なお、スペースは、２５０μｍ以上１０００μｍ以下であることに限定されず、２５０μｍ未満、又は、１０００μｍより大きくてもよい。
【0084】
制御部９０は、ＦＰＣ１１及び配線３０（例えば、第１配線Ｗ１）を介して、透明電極２０に接続されており、静電スイッチ１においてタッチを検出するための制御を行う。また、制御部９０は、さらに、静電スイッチ１においてイオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御を行う。本開示は、制御部９０がイオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御を行う点に特徴を有する。制御部９０の制御方法については、後述する。制御部９０は、静電スイッチ１を制御する制御装置の一例である。
【0085】
制御部９０は、電圧駆動部９１と、タッチ検出部９２とを有する。制御部９０は、例えば、プロセッサにより実現される。例えば、プロセッサが記憶部（図示しない）に記憶されているプログラム（コンピュータプログラム）に従って動作することにより、制御部９０の各種機能が実現される。また、制御部９０は、例えば、静電スイッチ１が搭載される機器に内蔵されている。
【0086】
電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１と、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３とに、所定のタイミングに所定の電位（例えば、パルス電位）を供給する。電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に、タッチ検出時と、イオンマイグレーションによる短絡の抑制時とにおいて、互いに異なる電位を供給する。電圧駆動部９１は、例えば、第１配線Ｗ１に、タッチ検出時と、イオンマイグレーションによる短絡の抑制時とにおいて、互いに極性が異なる電位を供給する。また、電圧駆動部９１は、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３に、タッチ検出時と、イオンマイグレーションによる短絡の抑制時とにおいて、同じ電位を供給する。電圧駆動部９１は、タッチ検出時に第１配線Ｗ１に供給する電位と、イオンマイグレーションによる短絡の抑制時に第１配線Ｗ１に供給する電位との間の電位を、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３に常に供給する。
【0087】
電圧駆動部９１は、例えば、正電位（例えば、後述する電位ｖ１）及び負電位（後述する電位ｖ２）、及び、ＧＮＤ電位を出力可能に構成される。電圧駆動部９１は、例えば、交流電力を整流して正電位及び負電位を生成可能な整流回路を有していてもよい。また、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ電位に接続されてもよい。ＧＮＤ電位は、０電位又は接地電位とも称される。
【0088】
タッチ検出部９２は、静電スイッチ１の静電容量値の変化を検知して押圧の有無、及び、押圧位置を検出する。電圧駆動部９１によりタッチ検出用の電位が供給されると、隣接する透明電極２０と第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３との間に電界が形成される。指が透明電極２０と第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３とに近づくと、電界の一部が指に移り、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３で検知する電界が減少し、その結果、隣接する透明電極２０と第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３との間の静電容量（相互容量）も減少する。タッチ検出部９２は、この静電容量の減少を捉え、指の接近を検出する。なお、投影型の静電容量方式（例えば、相互容量方式）におけるタッチの検出方法は、公知の技術であり、既知のいかなる検出方法が用いられてもよい。
【0089】
［２．静電スイッチの動作］
続いて、上記のように構成される静電スイッチ１の動作について、図４及び図５を参照しながら説明する。以下では、静電スイッチ１における、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御方法について説明する。
続いて、上記のように構成される静電スイッチ１の動作について、図４及び図５を参照しながら説明する。以下では、静電スイッチ１における、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御方法について説明する。
【0090】
図４は、本実施の形態に係る静電スイッチ１の制御方法を示すフローチャートである。図４は、静電スイッチ１を制御する制御部９０の制御方法を示す。図５は、本実施の形態に係る各配線３０に印加される電位を示す図である。図５では、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれにおいて、印加される電位の時間変化を示す。図５の縦軸は、各配線３０に印加される電位（Ｖ）を示しており、横軸は時間（ｔ）を示している。また、図５では、銀イオン（Ａｇイオン）の移動を矢印で示している。なお、本明細書において、図５に示す電位ｖ１の印加の開始タイミングである時刻ｔ１から、電位ｖ２の印加の終了タイミングである時刻ｔ３までの期間ｐ３を１周期とする。
【0091】
図４に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１に、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ１１）。ステップＳ１１は、タッチ検出のためのステップである。ＧＮＤ電位は、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との間の容量を計測するための基準電位であり、第１電位の一例である。本実施の形態では、第１電位は、０電位であるが、これに限定されない。また、検出電位は、第２電位の一例であり、本実施の形態では電位ｖ１である。なお、ステップＳ１１は、第１の制御ステップの一例である。
【0092】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１は、陽極であり、ＧＮＤ配線は、陰極である。陽極は相対的に電位が高い配線を指し、陰極は相対的に電位が低い配線を指す。
【0093】
図５に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間ｐ１で、第１配線Ｗ１に電位ｖ１を印加し、かつ、ＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３）にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。電位ｖ１は、第１配線Ｗ１に接続された透明電極２０をスイッチとして機能させるための電位である。
【0094】
この時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間ｐ１では、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線のうち第１配線Ｗ１の方が電位が高いので、高温高湿環境下において、第１配線Ｗ１からＡｇイオン（Ａｇ＋）が放出され、放出されたＡｇイオンが第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれへ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１の銀がイオン化して第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれに向けて移動する。
【0095】
なお、電位ｖ１は、タッチ検出可能な電位であればよく、例えば、２．５Ｖ以上５Ｖ以下の電位である。
【0096】
従来の静電スイッチであれば、期間ｐ１のみが繰り返し実行されるので、第１配線Ｗ１の銀がイオン化してＧＮＤ配線へ移動することのみが繰り返されるので、絶縁不良となり、最終的には配線間が短絡(ショート)することが起こり得る。そこで、本開示では、さらにステップＳ１２の動作が実行される。
【0097】
図４を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、時刻ｔ２に、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ１２）。電圧駆動部９１は、例えば、ＧＮＤ配線へのＧＮＤ電位の印加を継続したまま、第１配線Ｗ１に印加する電位を、検出電位から復元電位に切り替える。ステップＳ１２は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ１２は、例えば、ステップＳ１１の後に行われる。ステップＳ１１とステップＳ１２とは、例えば、連続して行われる。復元電位は、第３電位の一例であり、本実施の形態では電位ｖ２である。なお、ステップＳ１２は、第２の制御ステップの一例である。
【0098】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１は、陰極であり、ＧＮＤ配線は、陽極である。つまり、電圧駆動部９１は、時刻ｔ２において、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線の陽極と陰極との関係（電位の大小関係）を反転させる。
【0099】
図５に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間ｐ２で、第１配線Ｗ１に電位ｖ２を印加し、かつ、ＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３）にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間ｐ２では、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線のうちＧＮＤ配線の方が電位が高いので、高温高湿環境下において、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれからＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第１配線Ｗ１へ引き込まれる。つまり、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれの銀がイオン化して第１配線Ｗ１に向けて移動する。
【0100】
このとき、期間ｐ１で第１配線Ｗ１から第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３のそれぞれへ移動したＡｇイオンが、第１配線Ｗ１へ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１の状態（例えば、金属粒子の量）が、期間ｐ１の前の第１配線Ｗ１の状態に戻りうる（復元しうる）。これにより、期間ｐ１で移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線とが短絡することを抑制することができる。
【0101】
なお、電位ｖ２は、ＧＮＤ電位より低い電位であればよく、例えば、－５．０Ｖ以上、－２．５Ｖ以下の電位である。電位ｖ２は、電位ｖ１によるＡｇイオンの移動距離と同程度の移動距離を反対方向へ移動可能な電位であるとよい。
【0102】
電圧駆動部９１は、期間ｐ２において第１配線Ｗ１に、期間ｐ１のときに第１配線Ｗ１に印加した電位ｖ１と逆極性の電位ｖ２を印加する。電位ｖ１及びｖ２は、例えば、絶対値が等しく、極性が反対である電位である。電位ｖ２は、電位ｖ１の極性を反転させた電位であるとも言える。
【0103】
そして、時刻ｔ３において、第１配線Ｗ１には、ＧＮＤ電位が印加される。つまり、時刻ｔ３において、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線とは、同電位となる。
【0104】
上記のように、電圧駆動部９１は、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の一方にＧＮＤ電位を印加させた状態で、つまり当該一方にＧＮＤ電位を印加している間に、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも高い電位ｖ１を印加させる。そして、電圧駆動部９１は、その後、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の一方にＧＮＤ電位を印加させた状態で、つまり当該一方にＧＮＤ電位を印加している間に、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも低い電位ｖ２を印加させる。
【0105】
また、電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に電位ｖ１を印加させた状態で、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方にＧＮＤ電位（第４電位の一例）を印加させ、第１配線Ｗ１に電位ｖ２を印加させた状態で、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方にＧＮＤ電位（第４電位の一例）を印加させてもよい。第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方に印加されるＧＮＤ電位（０電位）は、電位ｖ１より低く、かつ、電位ｖ２より高い電位である。なお、第４電位は、電位ｖ１より低く、かつ、電位ｖ２より高い電位であれば、ＧＮＤ電位であることに限定されない。また、第４電位は、例えば、第１電位と同電位であるが、これに限定されない。このように、第１の制御ステップ（Ｓ１１）は、さらに、第１配線Ｗ１に電位ｖ１を印加させた状態で、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方に第４電位を印加させることを含み、第２の制御ステップ（Ｓ１２）は、さらに、第１配線Ｗ１に電位ｖ２を印加させた状態で、第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３の他方に第４電位を印加させることを含んでいてもよい。
【0106】
なお、図５の例では、電位ｖ１が印加される期間ｐ１と、電位ｖ２が印加される期間ｐ２とは、同一の長さの期間であるが、これに限定されず、電位ｖ２の値等に応じて適宜決定されればよい。また、電位ｖ２は、第１配線Ｗ１に電位ｖ１を印加させたことにより発生する第１配線Ｗ１を構成する銀（金属の一例）のイオンがＧＮＤ配線に到達する前に印加されるとよい。時刻ｔ２は、第１配線Ｗ１を構成する銀のイオンがＧＮＤ配線に到達する前のタイミングであってもよい。当該タイミングは、例えば、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との配線間隔、印加電位等に応じて変化しうる。当該タイミングは、事前の実験等により取得されうる。
【0107】
なお、ステップＳ１１とステップＳ１２とは順番が入れ替えられてもよい。つまり、静電スイッチ１の制御方法は、第１の制御ステップ及び第２の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後、第１の制御ステップ及び第２の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される。一方の制御ステップが実行された直後に他方の制御ステップが実行されるとも言える。なお、直後とは、一方の制御ステップと他方の制御ステップとの間に、他の制御ステップが含まれないことを意味する。
【0108】
なお、図５では、期間ｐ１の直後に期間ｐ２が実行される（第１の制御ステップの後に第２の制御ステップが実行される）例を示しているが、期間ｐ１と期間ｐ２との間に他の期間が含まれてもよい。例えば、期間ｐ１と期間ｐ２との間に、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線が同電位（例えば、ＧＮＤ電位）となる期間が設けられてもよい。また、例えば、期間ｐ２は、時刻ｔ２以降において、第１配線Ｗ１に再度電位ｖ１が印加される前に、行われてもよい。しかしながら、イオンマイグレーションによる短絡の発生を効果的に抑制する観点から、期間ｐ１の直後に期間ｐ２が実行されるとよい。
【0109】
なお、時刻ｔ１以前から時刻ｔ３以降にわたり、ＧＮＤ配線にはＧＮＤ電位が印加されている。また、時刻ｔ１以前、及び、時刻ｔ３以降において、第１配線Ｗ１にもＧＮＤ電位が印加されている。つまり、時刻ｔ１以前、及び、時刻ｔ３以降において、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線とには電位差は生じておらず、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との間でイオンマイグレーションは発生しない。
【0110】
なお、第１電位、第２電位及び第３電位の相対関係（例えば、大小関係）を維持していれば、第１電位は０電位であることに限定されず、かつ、第３電位は第２電位と逆極性の電位であることに限定されない。例えば、第１電位が５Ｖであり、第２電位が１０Ｖであり、第３電位が０Ｖであってもよい。つまり、静電スイッチ１における基準電位が０電位ではなく、５Ｖ等であってもよい。
【0111】
なお、タッチ検出部９２は、期間ｐ１におけるタッチを検出し、かつ、期間ｐ２におけるタッチを検出しないように構成される。
【0112】
［３．実験結果］
上記のように構成された静電スイッチ１におけるイオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果について、図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら説明する。図６Ａは、イオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果を示す第１図である。図６Ｂは、イオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果を示す第２図である。図６Ａでは、周波数が６０ｋＨｚ以上の場合の実験結果を示しており、図６Ｂでは、周波数が５０ｋＨｚ以下の場合の実験結果を示している。ここでの周波数は、図５に示す期間ｐ３を１周期とした場合の周波数である。また、期間ｐ１及びｐ２は、等しいとする。
上記のように構成された静電スイッチ１におけるイオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果について、図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら説明する。図６Ａは、イオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果を示す第１図である。図６Ｂは、イオンマイグレーションによる短絡の抑制の効果を検証するための実験結果を示す第２図である。図６Ａでは、周波数が６０ｋＨｚ以上の場合の実験結果を示しており、図６Ｂでは、周波数が５０ｋＨｚ以下の場合の実験結果を示している。ここでの周波数は、図５に示す期間ｐ３を１周期とした場合の周波数である。また、期間ｐ１及びｐ２は、等しいとする。
【0113】
図６Ａ及び図６Ｂにおける実験に用いた静電スイッチ１は、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との配線間隔（配線クリアランス）が０．２５ｍｍであり、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線は銀配線である。実験において印加された電位は、電位ｖ１が５Ｖであり、電位ｖ２が－５Ｖである。図６Ａ及び図６Ｂでは、この条件のときに、周波数を変更していき、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との間の絶縁抵抗を計測した結果を示している。実験では、６０００ｓの間、電位ｖ１及びｖ２を連続して繰り返し印加している。つまり、実験では、６０００ｓの間、図５に示す期間ｐ３を繰り返し実行している。なお、図６Ｂに示す周波数０．０１ｋＨｚの結果は、６０ｓの間、電位ｖ１及びｖ２を連続して繰り返し印加したときの結果を示す。
【0114】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、周波数が低くなるほど、試験後の絶縁抵抗が低下していることがわかる。周波数が３０ｋＨｚ以下では目視でわかるレベルのイオンマイグレーションによる絶縁不良（例えば、周波数が３０ｋＨｚにおける矢印箇所）が発生しており、絶縁抵抗が試験前と比べて大幅に低下している。一方、周波数が５０ｋＨｚ以上７０ｋＨｚ以下である場合、目視でわかるレベルのイオンマイグレーションによる絶縁不良の発生はないが、周波数が３０ｋＨｚ以下に比べて絶縁抵抗の低下幅が大幅に少ない。また、周波数が８０ｋＨｚ以上である場合、絶縁抵抗は試験の前後で同じ（変化無し）である。このことから、イオンマイグレーションによる短絡を発生させないためには、周波数が８０ｋＨｚ以上であるとよい。言い換えると、１周期（期間ｐ３）は、１２．５μｓ以下であるとよい。
【0115】
また、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制する観点から、周波数は高いとよい。周波数の上限値は、例えば、静電スイッチ１用のＩＣのＭａｘ周波数、例えば、タッチを検出可能な上限の周波数であってもよい。例えば、周波数の上限値は、４００ｋＨｚであってもよい。言い換えると、１周期（期間ｐ３）は、２．５μｓ以上であってもよい。
【0116】
また、周波数が５０ｋＨｚ以上と５０ｋＨｚ未満とで試験前後での絶縁抵抗変化率が大きく異なる。例えば、周波数が５０ｋＨｚ以上の場合の絶縁抵抗変化率を用いた近似関数（例えば、一次近似関数）と、５０ｋＨｚ未満の場合の絶縁抵抗変化率を用いた近似関数（例えば、一次近似関数）とは、大きく傾きが異なる。このことから、周波数が５０ｋＨｚ以上（１周期が２０μｍ以下）であれば、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制する効果が期待できる。
【0117】
なお、上記の数値は、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線が銀配線である場合の例であり、他の金属粒子を含む配線が形成される場合には当該数値は変化しうる。実験等により金属粒子に応じた周波数が設定されるとよい。
【0118】
なお、周波数が３０ｋＨｚ以下において絶縁抵抗が大幅に低下している理由は、周波数が低いと第１配線Ｗ１でイオン化した銀が、電位ｖ２が印加されるときには既にＧＮＤ配線において結晶化している、つまり電位ｖ２の印加タイミングが遅いことが考えられる。
【0119】
なお、イオンマイグレーションによる導体間の短絡は、配線間隔が狭いほど発生しやすい。そのため、配線間隔が０．２５ｍｍより大きい場合にも、上記で示した周波数を用いることが可能である。
【0120】
（実施の形態の変形例１）
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図７～図１１を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態との相違点を中心に説明し、実施の形態と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図７～図１１を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態との相違点を中心に説明し、実施の形態と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0121】
まず、本変形例に係る静電スイッチの構成について、図７を参照しながら説明する。図７は、本変形例に係る静電スイッチの各配線３０の模式図及び制御部９０の機能構成を示す図である。本変形例に係る静電スイッチ１は、タッチ検出用の配線が複数形成されている点において、実施の形態に係る静電スイッチ１と相違する。
【0122】
図７に示すように、本変形例に係る静電スイッチ１は、実施の形態の静電スイッチ１に加えて、タッチ検出用の配線である第４配線Ｗ４（ＳＷ＿Ｎ）と、第５配線Ｗ５（ＳＷ＿Ｎ＋１）とを有する。第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５は、並んで配置される。また、ＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３）は、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５を一括して囲むように設けられる。第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５のそれぞれは、同一の金属粒子を含んで構成されており、本変形例では、銀配線である。また、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５は、互いに異なる透明電極２０と接続されている。第４配線Ｗ４は、第ｎ＋２番目の第ｎ＋２導体部の一例である。また、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５は、ｍ個の導体部の一例である。本変形例では、ｍは５である。
【0123】
続いて、上記のように構成される静電スイッチ１における、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御方法について、図８～図１１を参照しながら説明する。制御方法としては、２つあり、まずは図８及び図９を参照しながら１つ目の制御方法を説明する。図８及び図９は、３つの透明電極２０へのタッチの検出を、時分割で行う場合の制御方法の一例を示す。具体的には、図８は、本変形例に係る静電スイッチの制御方法の第１例を示すフローチャートであり、図９は、本変形例に係る各配線３０に印加される電位の第１例を示す図である。図９では、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５のそれぞれにおいて、印加される電位の時間変化を示す。図９の縦軸は、各配線３０に印加される電位（Ｖ）を示しており、横軸は時間（ｔ）を示している。
【0124】
図８に示すように、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ２１）。ステップＳ２１は、図７に示す「１」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０に対するタッチ検出のためのステップである。ステップＳ２１では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第１配線Ｗ１のみに電位（例えば、電位ｖ１）が印加され、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加される。なお、ステップＳ２１は、第１の制御ステップの一例である。
【0125】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１は、陽極であり、当該第１配線Ｗ１を挟むように配置される第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４は、陰極である。
【0126】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間、第１配線Ｗ１に電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間では、高温高湿環境下において、第１配線Ｗ１からＡｇイオン（Ａｇ＋）が放出され、放出されたＡｇイオンが第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４のそれぞれへ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１の銀がイオン化して第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４のそれぞれへ移動する。
【0127】
なお、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間において、第４配線Ｗ４、第５配線Ｗ５及び第２配線Ｗ２はそれぞれ同電位であるので、第４配線Ｗ４、第５配線Ｗ５及び第２配線Ｗ２の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0128】
図８を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ２２）。ステップＳ２２は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ２２では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第１配線Ｗ１のみに逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）が印加され、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加される。ステップＳ２２は、例えば、ステップＳ２１とステップＳ２３との間に行われる。ステップＳ２２は、例えば、ステップＳ２３が実行される前、つまり第１配線Ｗ１の隣の配線に電位ｖ１が印加される前に行われる。なお、ステップＳ２２は、第２の制御ステップの一例である。
【0129】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１は、陰極であり、当該第１配線Ｗ１を挟むように配置される第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４は、陽極である。
【0130】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間、第１配線Ｗ１にステップＳ２１で印加された電位と逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間では、高温高湿環境下において、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４のそれぞれからＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第１配線Ｗ１へ引き込まれる。つまり、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４のそれぞれの銀がイオン化して第１配線Ｗ１に向けて移動する。
【0131】
このとき、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間に第１配線Ｗ１から第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４のそれぞれへ移動したＡｇイオンが、第１配線Ｗ１へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間で移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第１配線Ｗ１と第３配線Ｗ３又は第４配線Ｗ４とが短絡することを抑制することができる。
【0132】
そして、時刻ｔ１３において、第１配線Ｗ１には、ＧＮＤ電位（第７電位の一例）が印加される。つまり、時刻ｔ１３において、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５は、同電位となる。なお、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位が印加されるステップは、第３の制御ステップの一例である。第３の制御ステップは、第１の制御ステップ（Ｓ２１）、及び、第２の制御ステップ（Ｓ２２）のうち他方の制御ステップが実行された後に実行される。
【0133】
図８を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ２３）。ステップＳ２３は、図７に示す「Ｎ」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０に対するタッチ検出のためのステップである。ステップＳ２３では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第４配線Ｗ４のみに電位（例えば、電位ｖ１）が印加され、第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加される。なお、ステップＳ２３は、第４の制御ステップの一例である。
【0134】
このとき、例えば、第４配線Ｗ４は、陽極であり、当該第４配線Ｗ４を挟むように配置される第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５は、陰極である。
【0135】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間、第４配線Ｗ４に電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、第２配線Ｗ２及び第５配線Ｗ５にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間では、高温高湿環境下において、第４配線Ｗ４からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５のそれぞれへ引き込まれる。つまり、第４配線Ｗ４の銀がイオン化して第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５のそれぞれに向けて移動する。
【0136】
なお、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間において、第１配線Ｗ１及び第３配線Ｗ３、並びに、第２配線Ｗ２及び第５配線Ｗ５はそれぞれ同電位であるので、第１配線Ｗ１及び第３配線Ｗ３の間、並びに、第２配線Ｗ２及び第５配線Ｗ５の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0137】
図８を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ２４）。ステップＳ２４は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ２４では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第４配線Ｗ４のみに逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）が印加され、第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加されている。ステップＳ２４は、例えば、ステップＳ２３とステップＳ２５との間に行われる。ステップＳ２４は、例えば、ステップＳ２５が実行される前、つまり第４配線Ｗ４の隣の配線に電位ｖ１が印加される前に行われる。なお、ステップＳ２４は、第５の制御ステップの一例である。
【0138】
このとき、例えば、第４配線Ｗ４は、陰極であり、当該第４配線Ｗ４を挟むように配置される第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５は、陽極である。
【0139】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１５から時刻ｔ１６までの期間、第４配線Ｗ４にステップＳ２３で印加された電位と逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ１５から時刻ｔ１６までの期間では、高温高湿環境下において、第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５のそれぞれからＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第４配線Ｗ４へ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５のそれぞれの銀がイオン化して第４配線Ｗ４に向けて移動する。
【0140】
このとき、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間に第４配線Ｗ４から第１配線Ｗ１及び第５配線Ｗ５のそれぞれへ移動したＡｇイオンが、第４配線Ｗ４へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間で移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第４配線Ｗ４と第１配線Ｗ１又は第５配線Ｗ５とが短絡することを抑制することができる。
【0141】
そして、時刻ｔ１６において、第４配線Ｗ４には、ＧＮＤ電位（第７電位の一例）が印加される。つまり、時刻ｔ１６において、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５は、同電位となる。
【0142】
図８を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第５配線Ｗ５にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ２５）。ステップＳ２５は、図７に示す「Ｎ＋１」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０に対するタッチ検出のためのステップである。ステップＳ２５では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第５配線Ｗ５のみに電位（例えば、電位ｖ１）が印加され、第１配線Ｗ１及び第４配線Ｗ４にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加される。
【0143】
このとき、例えば、第５配線Ｗ５は、陽極であり、当該第５配線Ｗ５を挟むように配置される第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４は、陰極である。
【0144】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間、第５配線Ｗ５に電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、第１配線Ｗ１及び第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間では、高温高湿環境下において、第５配線Ｗ５からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４のそれぞれへ引き込まれる。つまり、第５配線Ｗ５の銀がイオン化して第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４のそれぞれに向けて移動する。
【0145】
なお、時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間において、第１配線Ｗ１、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４はそれぞれ同電位であるので、第１配線Ｗ１、第３配線Ｗ３及び第４配線Ｗ４の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0146】
図８を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第５配線Ｗ５にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ２６）。ステップＳ２６は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ２６では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のうち第５配線Ｗ５のみに逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）が印加され、第１配線Ｗ１及び第４配線Ｗ４にはＧＮＤ配線と同様にＧＮＤ電位が印加されている。ステップＳ２６は、例えば、次の配線（例えば、第１配線Ｗ１）に電位ｖ１が印加される前に行われる。
【0147】
このとき、例えば、第５配線Ｗ５は、陰極であり、当該第５配線Ｗ５を挟むように配置される第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４は、陽極である。
【0148】
図９に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ１８から時刻ｔ１９までの期間、第５配線Ｗ５にステップＳ２５で印加された電位と逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、第１配線Ｗ１及び第４配線Ｗ４にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ１８から時刻ｔ１９までの期間では、高温高湿環境下において、第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４のそれぞれからＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第５配線Ｗ５へ引き込まれる。つまり、第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４のそれぞれの銀がイオン化して第５配線Ｗ５へ移動する。
【0149】
このとき、時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間に第５配線Ｗ５から第２配線Ｗ２及び第４配線Ｗ４のそれぞれへ移動したＡｇイオンが、第５配線Ｗ５へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間で移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第５配線Ｗ５と第２配線Ｗ２又は第４配線Ｗ４とが短絡することを抑制することができる。
【0150】
そして、時刻ｔ１９において、第５配線Ｗ５には、ＧＮＤ電位（第７電位の一例）が印加される。つまり、時刻ｔ１９において、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５は、同電位となる。
【0151】
このように、電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に電位ｖ２を印加させた後に、電位ｖ２よりも大きい電位（本変形例ではＧＮＤ電位であり、第７電位の一例）を印加させ、第１配線Ｗ１に第７電位を印加させた状態で、第４配線Ｗ４に第７電位よりも高い電位（例えば、電位ｖ１であり、第８電位の一例）を印加させ、その後、第１配線Ｗ１に第７電位を印加させた状態で、第４配線Ｗ４に第７電位よりも低い電位（例えば、電位ｖ２であり、第９電位の一例）を印加させてもよい。
【0152】
なお、ステップＳ２１とステップＳ２２、ステップＳ２３とステップＳ２４、及び、ステップＳ２５とステップＳ２６のそれぞれは順番が入れ替えられてもよい。例えば、静電スイッチ１の制御方法は、第４の制御ステップ及び第５の制御ステップのうち一方の制御ステップが実行された後、第４の制御ステップ及び第５の制御ステップのうち他方の制御ステップが連続して実行される。一方の制御ステップが実行された直後に他方の制御ステップが実行されるとも言える。なお、直後とは、一方の制御ステップと他方の制御ステップとの間に、他の制御ステップが含まれないことを意味する。
【0153】
なお、例えば、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間に第１配線Ｗ１に印加される電位、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５までの期間に第４配線Ｗ４に印加される電位、及び、時刻ｔ１７から時刻ｔ１８までの期間に第５配線Ｗ５に印加される電位のそれぞれは、例えば、等しい電位（例えば電位ｖ１）である。また、例えば、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間に第１配線Ｗ１に印加される電位、時刻ｔ１５から時刻ｔ１６までの期間に第４配線Ｗ４に印加される電位、及び、時刻ｔ１８から時刻ｔ１９までの期間に第５配線Ｗ５に印加される電位のそれぞれは、例えば、等しい電位（例えば電位ｖ２）である。
【0154】
なお、例えば、時刻ｔ１１と時刻ｔ１２との間の期間、及び、時刻ｔ１２と時刻ｔ１３との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。また、例えば、時刻ｔ１４と時刻ｔ１５との間の期間、及び、時刻ｔ１５と時刻ｔ１６との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。また、例えば、時刻ｔ１７と時刻ｔ１８との間の期間、及び、時刻ｔ１８と時刻ｔ１９との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。
【0155】
なお、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４までの期間、及び、時刻ｔ１６から時刻ｔ１７までの期間は、設けられなくてもよい。
【0156】
続いて、図１０及び図１１を参照しながら２つ目の制御方法を説明する。図１０及び図１１は、３つの透明電極２０へのタッチの検出を、同時に行う場合の制御方法の一例を示す。具体的には、図１０は、本変形例に係る静電スイッチ１の制御方法の第２例を示すフローチャートであり、図１１は、本変形例に係る各配線３０に印加される電位の第２例を示す図である。図１１では、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５のそれぞれにおいて、印加される電位の時間変化を示す。図１１の縦軸は、電位（Ｖ）を示しており、横軸は時間（ｔ）を示している。
【0157】
図１０に示すように、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれにＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ３１）。ステップＳ３１は、図７に示す「１」、「Ｎ」及び「Ｎ＋１」のいずれをタッチしたかを検出するためのステップである。ステップＳ３１では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに、同時に共通の電位（例えば、電位ｖ１）が印加される。なお、ステップＳ３１は、第１制御ステップの一例である。
【0158】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５は、陽極であり、ＧＮＤ配線は、陰極である。
【0159】
図１１に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間では、高温高湿環境下において、第１配線Ｗ１からＡｇイオン（Ａｇ＋）が放出され、放出されたＡｇイオンが第３配線Ｗ３へ引き込まれ、かつ、第５配線Ｗ５からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第２配線Ｗ２へ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１の銀がイオン化して第３配線Ｗ３に向けて移動し、かつ、第５配線Ｗ５の銀がイオン化して第２配線Ｗ２に向けて移動する。
【0160】
ここで、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５は同電位であり、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0161】
図１０を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ３２）。ステップＳ３２は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ３２では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに、ステップＳ３１で印加された電位と逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）が印加される。ステップＳ３２では、第１配線Ｗ１、及び、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ１から電位ｖ２に同時に切り替えられる。なお、ステップＳ３２は、第２制御ステップの一例である。
【0162】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５は、陰極であり、ＧＮＤ配線は、陽極である。
【0163】
図１１に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの期間、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれにステップＳ３１で印加された電位と逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの期間では、高温高湿環境下において、第２配線Ｗ２からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第５配線Ｗ５へ引き込まれ、かつ、第３配線Ｗ３からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第１配線Ｗ１へ引き込まれる。つまり、第２配線Ｗ２の銀がイオン化して第５配線Ｗ５へ移動し、かつ、第３配線Ｗ３の銀がイオン化して第１配線Ｗ１へ移動する。
【0164】
このとき、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間に第１配線Ｗ１から第３配線Ｗ３へ移動したＡｇイオンが、第１配線Ｗ１へ引き込まれ、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間に第５配線Ｗ５から第２配線Ｗ２へ移動したＡｇイオンが、第５配線Ｗ５へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間で移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第１配線Ｗ１及び第３配線Ｗ３、又は、第２配線Ｗ２及び第５配線Ｗ５が短絡することを抑制することができる。
【0165】
そして、時刻ｔ２３では、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ２からＧＮＤ電位に同時に切り替えられる。つまり、時刻ｔ２３において、第１配線Ｗ１～第５配線Ｗ５は、同電位となる。
【0166】
なお、時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの期間において、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれは同電位であり、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0167】
このように、本変形例に係る電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に電位ｖ１（第２電位の一例）を印加している間に、第４配線Ｗ４に電位ｖ１と同じ電位（第５電位の一例）を印加し、第１配線Ｗ１に電位ｖ２（第３電位の一例）を印加している間に、第４配線Ｗ４に電位ｖ２と同じ電位（第６電位の一例）を印加させてもよい。
【0168】
なお、例えば、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間に、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに印加される電位は等しく、時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの期間に、第１配線Ｗ１、第４配線Ｗ４及び第５配線Ｗ５のそれぞれに印加される電位は等しい。また、時刻ｔ２１と時刻ｔ２２との間の期間、及び、時刻ｔ２２と時刻ｔ２３との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。
【0169】
上記のように、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御方法として、上記の図８及び図９に示す制御方法と、図１０及び図１１に示す制御方法との２通りが存在する。例えば、静電スイッチ１を制御する制御部９０の仕様（ＩＣの仕様）に応じて、いずれかの制御方法が採用される。
【0170】
（実施の形態の変形例２）
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図１２～図１４を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態との相違点を中心に説明し、実施の形態と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図１２～図１４を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態との相違点を中心に説明し、実施の形態と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0171】
まず、本変形例に係る静電スイッチの構成について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、本変形例に係る静電スイッチの各配線３０の模式図及び制御部９０の機能構成を示す図である。本変形例に係る静電スイッチ１は、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３）との間に、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）が配置されている点において、実施の形態に係る静電スイッチ１と相違する。
【0172】
図１２に示すように、本変形例に係る静電スイッチ１は、実施の形態の静電スイッチ１に加えて、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）を有する。シールド配線は、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との間の寄生容量を削減するための配線であり、第１配線Ｗ１とＧＮＤ配線との間において、第１配線Ｗ１を一括して囲むように設けられる。シールド配線は、制御部９０と接続されており、シールド配線には、第１配線Ｗ１と同じ電位が印加される。
【0173】
第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれは、同一の金属粒子を含んで構成されており、本変形例では、銀配線である。また、第１配線Ｗ１と、シールド配線と、ＧＮＤ配線とは、少なくとも一部において並んで配置される。シールド配線は、第ｎ＋２番目の第ｎ＋２導体部の一例である。第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は、ｍ個の導体部の一例である。本変形例では、ｍは５である。
【0174】
便宜上、１本のシールド配線のうち、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分を第６配線Ｗ６と記載し、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分を第７配線Ｗ７と記載する。第６配線Ｗ６は、例えば、第１配線Ｗ１の直線部分を延長した延長線とシールド配線との交点より、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分であり、第７配線Ｗ７は、例えば、当該交点より、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分であるとも言える。第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は、同電位である。
【0175】
なお、シールド配線の形成方法は、実施の形態における第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線と同じであってもよい。また、シールド配線は、実施の形態における配線３０に含まれる。
【0176】
続いて、上記のように構成される静電スイッチ１における、イオンマイグレーションによる短絡の発生を抑制するための制御方法について、図１３及び図１４を参照しながら説明する。図１３は、本変形例に係る静電スイッチ１の制御方法を示すフローチャートである。図１４は、本変形例に係る各配線３０に印加される電位を示す図である。図１４の縦軸は、各配線３０に印加される電位（Ｖ）を示しており、横軸は時間（ｔ）を示している。図１４では、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２、第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれにおいて、印加される電位の時間変化を示す。なお、図１４において、シールド配線を、「Ｓｈｉｅｌｄ」と記載する。
【0177】
図１３に示すように、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１及びシールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ４１）。つまり、電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１及びシールド配線に同じ電位を印加する。ステップＳ４１は、図１２に示す「１」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０に対するタッチ検出のためのステップである。ステップＳ４１では、第１配線Ｗ１及びシールド配線に共通の電位（例えば、電位ｖ１）が同時に印加され、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位が印加される。なお、ステップＳ４１は、第１の制御ステップの一例である。
【0178】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１及びシールド配線は、陽極であり、ＧＮＤ配線は、陰極である。
【0179】
図１４に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに共通の電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間では、高温高湿環境下において、第６配線Ｗ６からＡｇイオン（Ａｇ＋）が放出され、放出されたＡｇイオンが第２配線Ｗ２へ引き込まれ、かつ、第７配線Ｗ７からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第３配線Ｗ３へ引き込まれる。つまり、シールド配線の銀がイオン化してＧＮＤ配線に向けて移動する。
【0180】
ここで、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は同電位であり、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0181】
図１３を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ４２）。ステップＳ４２は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ４２では、第１配線Ｗ１及びシールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）のそれぞれに、同時に逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）が印加される。ステップＳ４２では、第１配線Ｗ１、及び、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ１から電位ｖ２に同時に切り替えられるとも言える。なお、ステップＳ４２は、第２の制御ステップの一例である。
【0182】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は、陰極であり、ＧＮＤ配線は、陽極である。
【0183】
図１４に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ３２から時刻ｔ３３までの期間、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれにステップＳ３１で印加された電位と逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ３２から時刻ｔ３３までの期間では、高温高湿環境下において、第２配線Ｗ２からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第６配線Ｗ６へ引き込まれ、かつ、第３配線Ｗ３からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第７配線Ｗ７へ引き込まれる。つまり、ＧＮＤ配線の銀がイオン化してシールド配線に向けて移動する。
【0184】
このとき、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に第６配線Ｗ６から第２配線Ｗ２へ移動したＡｇイオンが、第６配線Ｗ６へ引き込まれ、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に第７配線Ｗ７から第３配線Ｗ３へ移動したＡｇイオンが、第７配線Ｗ７へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第６配線Ｗ６及び第２配線Ｗ２、又は、第７配線Ｗ７及び第３配線Ｗ３が短絡することを抑制することができる。
【0185】
そして、時刻ｔ３３では、第１配線Ｗ１、及び、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ２からＧＮＤ電位に同時に切り替えられる。つまり、時刻ｔ３３において、第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は、同電位となる。
【0186】
なお、時刻ｔ３２から時刻ｔ３３までの期間において、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれは同電位であり、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0187】
このように、本変形例に係る電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に電位ｖ１（第２電位の一例）を印加している間に、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７に電位ｖ１と同じ電位（第５電位の一例）を印加し、第１配線Ｗ１に電位ｖ２（第３電位の一例）を印加している間に、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７に電位ｖ２と同じ電位（第６電位の一例）を印加させる。
【0188】
なお、例えば、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに印加される電位は等しく、時刻ｔ３２から時刻ｔ３３までの期間に、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに印加される電位は等しい。また、時刻ｔ３１と時刻ｔ３２との間の期間、及び、時刻ｔ３２と時刻ｔ３３との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。
【0189】
（実施の形態の変形例３）
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図１５～図１７を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態の変形例２との相違点を中心に説明し、実施の形態の変形例２と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る静電スイッチの制御方法及び制御装置について、図１５～図１７を参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態の変形例２との相違点を中心に説明し、実施の形態の変形例２と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0190】
まず、本変形例に係る静電スイッチの構成について、図１５を参照しながら説明する。図１５は、本変形例に係る静電スイッチの各配線３０の模式図及び制御部９０の機能構成を示す図である。本変形例に係る静電スイッチ１は、シールド配線とＧＮＤ配線との間に、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）が配置されている点において、実施の形態の変形例２に係る静電スイッチ１と相違する。
【0191】
図１５に示すように、本変形例に係る静電スイッチ１は、実施の形態の変形例２の静電スイッチ１に加えて、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）を有する。ガード配線は、第１配線Ｗ１と接続された透明電極２０に水滴が付着していることを検知するための配線であり、シールド配線とＧＮＤ配線との間において、シールド配線を一括して囲むように設けられる。ガード配線は、制御部９０と接続されており、ガード配線には、第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位が印加されているときのシールド配線と同じ電位が印加される。
【0192】
第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれは、同一の金属粒子を含んで構成されており、本変形例では、銀配線である。また、第１配線Ｗ１と、シールド配線と、ガード配線と、ＧＮＤ配線とは、少なくとも一部において並んで配置される。ガード配線は、第ｎ＋２番目の第ｎ＋２導体部の一例である。また、第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９は、ｍ個の導体部の一例である。本変形例では、ｍは７である。
【0193】
便宜上、１本のガード配線のうち、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分を第８配線Ｗ８と記載し、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分を第９配線Ｗ９と記載する。第８配線Ｗ８は、例えば、第１配線Ｗ１の直線部分を延長した延長線とガード配線との交点より、第１配線Ｗ１の一方側に配置された部分であり、第９配線Ｗ９は、例えば、当該交点より、第１配線Ｗ１の他方側に配置された部分であるとも言える。第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９は、同電位である。
【0194】
なお、ガード配線の形成方法は、実施の形態における第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線と同じであってもよい。また、ガード配線は、実施の形態における配線３０に含まれる。
【0195】
なお、本変形例において、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）は、設けられなくてもよい。
【0196】
続いて、上記のように構成される静電スイッチ１における、イオンマイグレーションの発生を抑制するための制御方法について、図１６及び図１７を参照しながら説明する。図１６は、本変形例に係る静電スイッチ１の制御方法を示すフローチャートである。図１７は、本変形例に係る各配線３０に印加される電位を示す図である。図１７の縦軸は、各配線３０に印加される電位（Ｖ）を示しており、横軸は時間（ｔ）を示している。図１７では、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２、第３配線Ｗ３、及び、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれにおいて、印加される電位の時間変化を示す。なお、図１７において、ガード配線を、「Ｇｕａｒｄ」と記載する。
【0197】
図１６に示すように、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線（第２配線Ｗ２及び第３配線Ｗ３）、及び、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１及びシールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ５１）。つまり、電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１及びシールド配線に同じ電位を印加する。ステップＳ５１は、図１５に示す「１」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０に対するタッチ検出のためのステップである。ステップＳ５１では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、及び、シールド配線に共通の電位（例えば、電位ｖ１）が印加され、ＧＮＤ配線及びガード配線にＧＮＤ電位が印加される。
【0198】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１及びシールド配線は、陽極であり、ガード配線は、陰極である。
【0199】
図１７に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに共通の電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線及びガード配線にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間では、高温高湿環境下において、第６配線Ｗ６からＡｇイオン（Ａｇ＋）が放出され、放出されたＡｇイオンが第８配線Ｗ８へ引き込まれ、かつ、第７配線Ｗ７からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第９配線Ｗ９へ引き込まれる。つまり、シールド配線の銀がイオン化してガード配線へ移動する。
【0200】
ここで、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は同電位であり、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0201】
図１６を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線及びガード配線にＧＮＤ電位を印加させた状態で、第１配線Ｗ１及びシールド配線にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ５２）。ステップＳ５２は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ５２では、タッチ検出用の配線である第１配線Ｗ１、及び、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）のそれぞれに、同時に逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）が印加される。
【0202】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７は、陰極であり、ガード配線は、陽極である。
【0203】
図１７に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれにステップＳ５１で印加された電位と逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線及びガード配線にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間では、高温高湿環境下において、第８配線Ｗ８からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第６配線Ｗ６へ引き込まれ、かつ、第９配線Ｗ９からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第７配線Ｗ７へ引き込まれる。つまり、ガード配線の銀がイオン化してシールド配線に向けて移動する。
【0204】
このとき、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間に第６配線Ｗ６から第８配線Ｗ８へ移動したＡｇイオンが、第６配線Ｗ６へ引き込まれ、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間に第７配線Ｗ７から第９配線Ｗ９へ移動したＡｇイオンが、第７配線Ｗ７へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間に移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第６配線Ｗ６及び第８配線Ｗ８、又は、第７配線Ｗ７及び第９配線Ｗ９が短絡することを抑制することができる。
【0205】
なお、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間において、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれは同電位であり、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間に電位差はないので、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0206】
図１６を再び参照して、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線及び第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位を印加させた状態で、ガード配線及びシールド配線にＧＮＤ電位よりも高い検出電位を印加させる（Ｓ５３）。つまり、電圧駆動部９１は、ガード配線及びシールド配線に同じ電位を印加する。ステップＳ５３は、図１５に示す「１」に対するタッチ（操作）を受け付ける透明電極２０又は透明電極２０の周辺に水滴が付着しているか否かの検出のためのステップである。ステップＳ５３では、水滴検出用の配線であるガード配線、及び、シールド配線に共通の電位（例えば、電位ｖ１）が印加され、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線にＧＮＤ電位が印加される。
【0207】
このとき、例えば、ガード配線及びシールド配線は、陽極であり、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線は、陰極である。
【0208】
図１７に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれに共通の電位（例えば、電位ｖ１）を印加し、かつ、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線にＧＮＤ電位（＜電位ｖ１）を印加する。この時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間では、高温高湿環境下において、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第１配線Ｗ１へ引き込まれ、かつ、第８配線Ｗ８からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第２配線Ｗ２へ引き込まれ、かつ、第９配線Ｗ９からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第３配線Ｗ３へ引き込まれる。つまり、シールド配線の銀がイオン化して第１配線Ｗ１へ移動し、ガード配線の銀がイオン化してＧＮＤ配線へ移動する。
【0209】
ここで、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれは同電位であり、第６配線Ｗ６及び第８配線Ｗ８の間、並びに、第７配線Ｗ７及び第９配線Ｗ９の間に電位差はないので、第６配線Ｗ６及び第８配線Ｗ８の間、並びに、第７配線Ｗ７及び第９配線Ｗ９の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0210】
図１６を再び参照して、次に、電圧駆動部９１は、ＧＮＤ配線及び第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位を印加させた状態で、ガード配線及びシールド配線にＧＮＤ電位よりも低い復元電位を印加させる（Ｓ５４）。ステップＳ５４は、イオンマイグレーションによる導体間の短絡の発生を抑制するためのステップである。ステップＳ５４では、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）、及び、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）のそれぞれに、同時にステップＳ５３で印加された電位と逆極性の電位（例えば、電位ｖ２）が印加される。ステップＳ５４では、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）、及び、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ１から電位ｖ２に同時に切り替えられるとも言える。
【0211】
このとき、例えば、第１配線Ｗ１及びＧＮＤ配線は、陽極であり、シールド配線及びガード配線は、陰極である。
【0212】
図１７に示すように、電圧駆動部９１は、時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれにステップＳ５３で印加された電位と逆極性の共通の電位（例えば、電位ｖ２）を印加し、かつ、ＧＮＤ配線及び第１配線Ｗ１にＧＮＤ電位（＞電位ｖ２）を印加する。この時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間では、高温高湿環境下において、第１配線Ｗ１からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７へ引き込まれ、かつ、第２配線Ｗ２からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第８配線Ｗ８へ引き込まれ、かつ、第３配線Ｗ３からＡｇイオンが放出され、放出されたＡｇイオンが第９配線Ｗ９へ引き込まれる。つまり、第１配線Ｗ１の銀がイオン化してシールド配線へ移動し、かつ、ＧＮＤ配線の銀がイオン化してガード配線へ移動する。
【0213】
このとき、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間に第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７から第１配線Ｗ１へ移動したＡｇイオンが、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７へ引き込まれ、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間に第８配線Ｗ８から第２配線Ｗ２へ移動したＡｇイオンが、第８配線Ｗ８へ引き込まれ、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間に第９配線Ｗ９から第３配線Ｗ３へ移動したＡｇイオンが、第９配線Ｗ９へ引き込まれる。これにより、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間に移動したＡｇイオンによりデンドライトが発生し、第１配線Ｗ１及びシールド配線、又は、ＧＮＤ配線及びガード配線が短絡することを抑制することができる。
【0214】
そして、時刻ｔ４６では、シールド配線（第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７）、及び、ガード配線（第８配線Ｗ８及び第９配線Ｗ９）のそれぞれに印加される電位が、電位ｖ２からＧＮＤ電位に同時に切り替えられる。つまり、時刻ｔ４６において、第１配線Ｗ１～第３配線Ｗ３、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９は、同電位となる。
【0215】
なお、時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間において、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれは同電位であり、第６配線Ｗ６及び第８配線Ｗ８の間、並びに、第７配線Ｗ７及び第９配線Ｗ９の間に電位差はないので、第６配線Ｗ６及び第８配線Ｗ８の間、並びに、第７配線Ｗ７及び第９配線Ｗ９の間でのイオンマイグレーションは発生しない。
【0216】
このように、本変形例に係る電圧駆動部９１は、第１配線Ｗ１に電位ｖ２を印加させた後に、電位ｖ２よりも大きい電位（例えば、ＧＮＤ電位であり、第７電位の一例）を印加させ、第１配線Ｗ１に第７電位を印加させた状態で、ガード配線に第７電位よりも高い電位（例えば、電位ｖ１であり、第８電位の一例）を印加させ、その後、第１配線Ｗ１に第７電位を印加させた状態で、ガード配線に第７電位よりも低い電位（例えば、電位ｖ２であり、第９電位の一例）を印加させる。
【0217】
なお、例えば、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間に、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに印加される電位は等しく、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間に、第１配線Ｗ１、第６配線Ｗ６及び第７配線Ｗ７のそれぞれに印加される電位は等しい。また、時刻ｔ４１と時刻ｔ４２との間の期間、及び、時刻ｔ４２と時刻ｔ４３との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。
【0218】
なお、例えば、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間に、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれに印加される電位は等しく、時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間に、第６配線Ｗ６～第９配線Ｗ９のそれぞれに印加される電位は等しい。また、時刻ｔ４４と時刻ｔ４５との間の期間、及び、時刻ｔ４５と時刻ｔ４６との間の期間は、例えば、同じ長さの期間である。
【0219】
なお、時刻ｔ４３から時刻ｔ４４までの期間は、設けられなくてもよい。
【0220】
（その他の実施の形態）
以上、一つ又は複数の態様に係る静電スイッチの制御方法等について、実施の形態及び各変形例（以降において、実施の形態等とも記載する）に基づいて説明したが、本開示は、この実施の形態等に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態等に施したものや、異なる実施の形態等における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示に含まれてもよい。
以上、一つ又は複数の態様に係る静電スイッチの制御方法等について、実施の形態及び各変形例（以降において、実施の形態等とも記載する）に基づいて説明したが、本開示は、この実施の形態等に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態等に施したものや、異なる実施の形態等における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示に含まれてもよい。
【0221】
例えば、上記実施の形態等では、タッチ検出用の配線（第１配線、第４配線及び第５配線）、ＧＮＤ配線、シールド配線及びガード配線のそれぞれは、同じ金属粒子を含む例について説明したが、これに限定されず、少なくとも１つの配線は他と異なる金属粒子を含んでいてもよい。
【0222】
また、上記実施の形態等で説明した制御方法は、例えば、静電スイッチが所定の環境条件下におかれた状態で動作するときのみ実行されてもよい。例えば、上記の制御方法は、静電スイッチが所定の高温高湿条件下におかれた状態で動作するときに実行されてもよい。例えば、所定の高温高湿条件下以外の状態で動作するときは、逆極性の電位は印加されなくてもよい。この場合、制御部は、静電スイッチの周囲の温湿度の計測結果を温湿度センサ等から取得し、取得した計測結果に基づいて、上記の制御方法を実行するか否か（逆極性の電位を印加するか否か）を判定してもよい。
【0223】
また、上記実施の形態等では、電圧駆動部が整流回路を有する構成であることを例示したが、電圧駆動部の構成はこれに限定されない。電圧駆動部は、静電スイッチを制御するための電位を生成する電源回路（例えば、図５に示す電位ｖ１を生成する電源回路、及び、図５に示す電位ｖ２を生成する電源回路）と接続されており、配線ごとにいずれかの電位を印加するためのスイッチを有する構成であってもよい。また、電圧駆動部は、電圧変換を行うためのコンバータ回路を有する構成であってもよい。
【0224】
また、上記実施の形態等における図７に示す配線パターンに、さらに、シールド配線、及び、ガード配線の少なくとも１つが設けられてもよい。例えば、図７に示す配線パターンにシールド配線が設けられる場合、第１配線、第４配線及び第５配線のいずれかに電位ｖ１が又はｖ２が印加される場合、シールド電極にも当該いずれかと同じ電位が印加される。また、例えば、図７に示す配線パターンにシールド配線及びガード配線が設けられる場合、第１配線、第４配線及び第５配線の全てにＧＮＤ電位が印加され、かつ、シールド配線に電位ｖ１又はｖ２が印加されている場合、ガード配線にもシールド配線と同じ電位が印加される。
【0225】
また、上記実施の形態等における図７に示す配線パターンに、さらに、シールド配線、及び、ガード配線の少なくとも１つが設けられ、かつ、図１０及び図１１に示す動作が行われてもよい。例えば、図７に示す配線パターンにシールド配線が設けられる場合、第１配線、第４配線、第５配線及びシールド配線のそれぞれに同時に電位ｖ１又はｖ２が印加される。また、例えば、図７に示す配線パターンにシールド配線及びガード配線が設けられる場合、第１配線、第４配線、第５配線、シールド配線及びガード配線のそれぞれに同時に電位ｖ１又はｖ２が印加される。
【0226】
また、上記実施の形態等では、第ｎ導体部がＧＮＤ配線である例について説明したが、これに限定されず、第ｎ導体部は、第１配線、第４配線、第５配線、シールド配線及びガード配線のいずれかの配線であってもよい。第ｎ導体部及び第ｎ＋１導体部は、隣り合う配線、例えば、少なくとも一部が対向して配置される配線であればよい。例えば、第１配線及び第４配線の一方が第ｎ導体部であり、第１配線及び第４配線の他方が第ｎ＋１導体部であってもよい。
【0227】
また、上記実施の形態等では、静電スイッチは、車載機器又は電子機器に設けられる例について説明したが、これに限定されず、ＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｔｅｌｌｅｒ Ｍａｃｈｉｎｅ）、券売機、工場の設備機器など様々な機器に設けられてもよい。
【0228】
また、上記実施の形態等では、静電スイッチは、指によるタッチ入力（指入力）における位置を検出する例について説明したが、スタイラスと呼ばれるペンによるタッチ入力（ペン入力）を検出可能であることはいうまでもない。
【0229】
また、上記実施の形態等における各層の形成方法は、上記に限定されず、既知のいかなる方法により形成されてもよい。例えば、配線及び絶縁層の形成方法としてスクリーン印刷を例示したが、形成方法は、スクリーン印刷に限定されない。
【0230】
また、上記実施の形態等における静電スイッチの制御方法は、通常のスイッチをマトリクス状に配置した構成の静電スイッチに対しても適用可能である。このような静電スイッチは、平面視において、基板上に第１方向に延在し１以上の電極ＰＡＤを有する複数の第１透明電極と、当該基板上に第１方向と交差する第２方向に延在し１以上の電極ＰＡＤを有する複数の第２透明電極とを備え、タッチ位置を検出する。複数の第１透明電極のそれぞれと、及び、複数の第２透明電極のそれぞれと、制御部とを電気的に接続するために、銀配線等が用いられる。
【0231】
また、上記実施の形態等において、各構成要素は、専用のハードウェアで構成されるか、各構成要素に適したソフトウェアプログラムを実行することによって実現されてもよい。各構成要素は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）又はプロセッサなどのプログラム実行部が、ハードディスク又は半導体メモリなどの記録媒体に記録されたソフトウェアプログラムを読み出して実行することによって実現されてもよい。
【0232】
また、フローチャートにおける各ステップが実行される順序は、本開示を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記ステップの一部が他のステップと同時（並列）に実行されてもよいし、上記ステップの一部は実行されなくてもよい。
【0233】
また、ブロック図における機能ブロックの分割は一例であり、複数の機能ブロックを一つの機能ブロックとして実現したり、一つの機能ブロックを複数に分割したり、一部の機能を他の機能ブロックに移してもよい。また、類似する機能を有する複数の機能ブロックの機能を単一のハードウェア又はソフトウェアが並列又は時分割に処理してもよい。
【0234】
また、上記実施の形態等に係る制御装置は、単一の装置として実現されてもよいし、複数の装置（例えば、複数のＩＣ）により実現されてもよい。制御装置が複数の装置によって実現される場合、当該制御装置が有する各構成要素は、複数の装置にどのように振り分けられてもよい。制御装置が複数の装置で実現される場合、当該複数の装置間の通信方法は、特に限定されず、無線通信であってもよいし、有線通信であってもよい。また、装置間では、無線通信及び有線通信が組み合わされてもよい。
【0235】
また、上記実施の形態等で説明した制御装置の各構成要素は、ソフトウェアとして実現されても良いし、典型的には、集積回路であるＬＳＩとして実現されてもよい。これらは、個別に１チップ化されてもよいし、一部又は全てを含むように１チップ化されてもよい。ここでは、ＬＳＩとしたが、集積度の違いにより、ＩＣ、システムＬＳＩ、スーパーＬＳＩ、ウルトラＬＳＩと呼称されることもある。また、集積回路化の手法はＬＳＩに限るものではなく、専用回路、専用のプログラムを実行する汎用回路、又は、汎用プロセッサで実現してもよい。ＬＳＩ製造後に、プログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）又は、ＬＳＩ内部の回路セルの接続若しくは設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。更には、半導体技術の進歩又は派生する別技術によりＬＳＩに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて構成要素の集積化を行ってもよい。
【0236】
システムＬＳＩは、複数の処理部を１個のチップ上に集積して製造された超多機能ＬＳＩであり、具体的には、マイクロプロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などを含んで構成されるコンピュータシステムである。ＲＯＭには、コンピュータプログラムが記憶されている。マイクロプロセッサが、コンピュータプログラムに従って動作することにより、システムＬＳＩは、その機能を達成する。
【0237】
また、本開示の一態様は、図４、図８、図１０、図１３及び図１６のいずれかに示される静電スイッチの制御方法に含まれる特徴的な各ステップをコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであってもよい。また、本開示の一態様は、そのようなプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な非一時的な記録媒体であってもよい。例えば、そのようなプログラムを記録媒体に記録して頒布又は流通させてもよい。例えば、頒布されたプログラムを、他のプロセッサを有する装置にインストールして、そのプログラムをそのプロセッサに実行させることで、その装置に、上記各処理を行わせることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【0238】
本開示は、特に高温高湿下での使用が想定される静電スイッチ等に有用である。
【符号の説明】
【0239】
１ 静電スイッチ
１０ 基板
１１ ＦＰＣ
２０ 透明電極
３０ 配線
４０ 第１絶縁層
５０ 第２絶縁層
６０ 粘着層
７０ 補強板
８０ 端子
９０ 制御部（制御装置）
９１ 電圧駆動部
９２ タッチ検出部
ｐ１、ｐ２、ｐ３ 期間
ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ１１、ｔ１２、ｔ１３、ｔ１４、ｔ１５、ｔ１６、ｔ１７、ｔ１８、ｔ１９、ｔ２１、ｔ２２、ｔ２３、ｔ３１、ｔ３２、ｔ３３、ｔ４１、ｔ４２、ｔ４３、ｔ４４、ｔ４５、ｔ４６ 時刻
ｖ１ 電位（第２電位）
ｖ２ 電位（第３電位）
Ｗ１ 第１配線
Ｗ２ 第２配線
Ｗ３ 第３配線
Ｗ４ 第４配線
Ｗ５ 第５配線
Ｗ６ 第６配線
Ｗ７ 第７配線
Ｗ８ 第８配線
Ｗ９ 第９配線
１０ 基板
１１ ＦＰＣ
２０ 透明電極
３０ 配線
４０ 第１絶縁層
５０ 第２絶縁層
６０ 粘着層
７０ 補強板
８０ 端子
９０ 制御部（制御装置）
９１ 電圧駆動部
９２ タッチ検出部
ｐ１、ｐ２、ｐ３ 期間
ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ１１、ｔ１２、ｔ１３、ｔ１４、ｔ１５、ｔ１６、ｔ１７、ｔ１８、ｔ１９、ｔ２１、ｔ２２、ｔ２３、ｔ３１、ｔ３２、ｔ３３、ｔ４１、ｔ４２、ｔ４３、ｔ４４、ｔ４５、ｔ４６ 時刻
ｖ１ 電位（第２電位）
ｖ２ 電位（第３電位）
Ｗ１ 第１配線
Ｗ２ 第２配線
Ｗ３ 第３配線
Ｗ４ 第４配線
Ｗ５ 第５配線
Ｗ６ 第６配線
Ｗ７ 第７配線
Ｗ８ 第８配線
Ｗ９ 第９配線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】