知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023024963
(43)【公開日】2023-02-21
(54)【発明の名称】発光素子、及びそれを含む電子装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/00 20230101AFI20230214BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20230214BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20230214BHJP
C07D 403/10 20060101ALI20230214BHJP
C07D 491/048 20060101ALI20230214BHJP
C07D 487/04 20060101ALI20230214BHJP
C07D 471/04 20060101ALI20230214BHJP
C07D 251/24 20060101ALI20230214BHJP
C07D 403/04 20060101ALI20230214BHJP
C07D 471/22 20060101ALI20230214BHJP
C07D 495/04 20060101ALI20230214BHJP
C07D 405/04 20060101ALI20230214BHJP
C07D 413/04 20060101ALI20230214BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20230214BHJP
【ＦＩ】
H05B33/14 B
H05B33/22 B
H05B33/12 C
C07D403/10
C07D491/048
C07D487/04 137
C07D471/04 102
C07D251/24
C07D403/04
C07D471/22
C07D495/04 103
C07D405/04
C07D413/04
C07D471/04 112T
C09K11/06 660
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022126392
(22)【出願日】2022-08-08
(31)【優先権主張番号】10-2021-0104807
(32)【優先日】2021-08-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(72)【発明者】
【氏名】朴 興 洙
(72)【発明者】
【氏名】康 南 洙
(72)【発明者】
【氏名】李 松 恩
(72)【発明者】
【氏名】李 鍾 源
(72)【発明者】
【氏名】李 ▲ヒョン▼ 植
(72)【発明者】
【氏名】韓 ▲ウォン▼ 錫
【テーマコード（参考）】
3K107
4C050
4C063
4C065
4C071
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC03
3K107CC21
3K107DD52
3K107DD53
3K107DD64
3K107DD67
3K107DD68
3K107DD69
3K107DD74
3K107DD78
3K107FF13
3K107FF14
3K107FF19
4C050AA01
4C050AA07
4C050AA08
4C050BB04
4C050BB07
4C050CC04
4C050CC16
4C050EE01
4C050FF01
4C050GG01
4C050HH01
4C050HH04
4C063AA01
4C063BB01
4C063BB02
4C063BB06
4C063CC43
4C063CC54
4C063CC76
4C063DD06
4C063DD29
4C063EE10
4C065AA04
4C065AA19
4C065BB04
4C065BB09
4C065CC01
4C065CC03
4C065DD02
4C065DD04
4C065EE02
4C065EE04
4C065HH01
4C065HH02
4C065JJ01
4C065KK02
4C065KK09
4C065LL01
4C065PP03
4C065PP11
4C071AA01
4C071AA08
4C071BB01
4C071CC01
4C071CC21
4C071EE13
4C071FF03
4C071JJ05
4C071LL05
(57)【要約】
【課題】発光素子、及びそれを含む電子装置を提供する。
【解決手段】発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子である。
【選択図】図１
【解決手段】発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい、発光素子。
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい、発光素子。
【請求項2】
前記第１バッファ層が前記発光層と接触する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項3】
前記第２バッファ層が前記電子輸送層と接触する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項4】
前記第１バッファ層が前記第２バッファ層と接触する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項5】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギー、及び前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーが、次の数式１を満足する、請求項１に記載の発光素子。
＜数式１＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１－ＥＬＵＭＯ＿Ｈ－１｜≦０．２０ｅＶ
＜数式１＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１－ＥＬＵＭＯ＿Ｈ－１｜≦０．２０ｅＶ
【請求項6】
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギー、及び前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーが次の数式２を満足する、請求項１に記載の発光素子。
＜数式２＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－３｜≧０．２０ｅＶ
＜数式２＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－３｜≧０．２０ｅＶ
【請求項7】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギー、及び前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーが次の数式３を満足する、請求項１に記載の発光素子。
＜数式３＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１｜≦０．２０ｅＶ
＜数式３＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１｜≦０．２０ｅＶ
【請求項8】
前記発光層が他のホスト化合物をさらに含み、
前記他のホスト化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
前記他のホスト化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項9】
前記ホスト化合物（Ｈ－１）のモル％は、前記発光層の全体のホスト化合物を基準に、９０モル％ないし１０モル％である、請求項８に記載の発光素子。
【請求項10】
前記第１バッファ層が他の電子輸送性化合物をさらに含み、
前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値よりも大きいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値よりも大きいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項11】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のモル％は、前記第１バッファ層の全体の化合物を基準に、９０モル％ないし３０モル％である、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項12】
前記第２バッファ層が他の電子輸送性化合物をさらに含み、
前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値よりも大きいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値よりも大きいか、あるいはそれと同じである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項13】
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のモル％は、前記第２バッファ層の全体化合物を基準に、９０モル％ないし３０モル％である、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項14】
前記ドーパント化合物（Ｄ）がリン光ドーパント化合物である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項15】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）が下記化合物１-１～１-２３のうちから選択される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項16】
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）が下記化合物２-１～２-１２のうちから選択される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項17】
前記ドーパント化合物（Ｄ）が、下記化合物Ｇ－１ないしＧ－１２のうちから選択された、請求項１に記載の発光素子。
【請求項18】
前記中間層が、ｍ個の発光ユニットと、隣接した前記発光ユニットとの間に介在された（ｍ－１）個の電荷生成ユニットを含み、
前記ｍ個の発光ユニットのうちいずれか１個のユニットが、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含む、請求項１に記載の発光素子。
前記ｍ個の発光ユニットのうちいずれか１個のユニットが、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項19】
請求項１ないし１８のうちいずれか１項に記載の発光素子を含む、電子装置。
【請求項20】
前記ｍ個の発光ユニットが、１ないし７個の青色発光ユニットを含む、請求項１９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子、及びそれを含む電子装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光素子（light emitting device）は、自発光型素子であり、従来の素子に比べ、視野角が広く、コントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が短く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性にすぐれる。
【0003】
前記発光素子は、基板の上側に第１電極が配されており、前記第１電極の上側に、正孔輸送領域（hole transport region）、発光層、電子輸送領域（electron transport region）及び第２電極が順次に形成されている構造を有することができる。前記第１電極から注入された正孔は、正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、第２電極から注入された電子は、電子輸送領域を経由して発光層に移動する。前記正孔及び前記電子といったキャリアは、発光層領域にて再結合して光が生成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国公開特許第2019-0123821号公報
【特許文献2】韓国公開特許第2019-0108217号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、従来技術よりも効率及び寿命が向上された素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一態様によれば、
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子が提供される。
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子が提供される。
【0007】
他の一態様によれば、
前記発光素子を含む電子装置が提供される。
前記発光素子を含む電子装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
一具現例による発光素子は、従来技術より効率及び寿命が向上された結果を示す。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】一具現例による発光素子の構造を概略的にそれぞれ示した図である。
【図2】一具現例による発光素子の構造を概略的にそれぞれ示した図である。
【図3】本発明の一具現例による発光装置の断面図である。
【図4】本発明の他の具現例による発光装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
従来技術のリン光緑色発光層を含む発光素子の場合、電子輸送層から発光層への電子注入が早く、リン光緑色発光層における励起子プロファイルは、正孔輸送領域の側に偏っている。すなわち、該発光層と該正孔輸送領域との界面近辺で励起子が形成される。
【0011】
また、緑色発光層への迅速な電子注入により、狭い再結合ゾーン（narrow recombination zone）が形成されるのであり、そのような狭い再結合ゾーンにおいて、三重項（triplet）が発光に寄与するというよりも、三重項・三重項消滅（ＴＴＡ：triplet-triplet annihilation）発生により、ロールオフ（roll-off）現象が生じた。
【0012】
一態様による発光素子は、
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい。
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配され、発光層を含む中間層と、を含む発光素子であり、
前記発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、
前記中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）を含む電子輸送層を含み、
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯ（lowest unoccupied molecular orbital）エネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい。
【0013】
本発明の一具現例による発光素子において、電子輸送層からの浅い（shallow）ＬＵＭＯを有する第２バッファ層を介して電子が注入される。その場合、該電子輸送層と該第２バッファ層とのＬＵＭＯ差によるバリア（barrier）によって電子注入が調節される。
【0014】
ホスト化合物（Ｈ－１）と、第１バッファ層の第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）とのＬＵＭＯ差は、小さく、第２バッファ層の第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）と、第１バッファ層の第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）とのＬＵＭＯ差も小さく、発光層への電子注入は、円滑である。
【0015】
前記ホスト化合物（Ｈ－１）は、例えば、電子輸送性ホスト化合物でありうる。
【0016】
一方、第２バッファ層によって電子注入が調節されることから、発光層における電子と正孔との再結合ゾーン（recombination zone）が、相対的に広く形成されるのであり、該再結合ゾーンが、該発光層と正孔輸送層との界面から、発光層の内側に移動する。
【0017】
また、広い（broad）再結合ゾーンの形成により、発光層内三重項・三重項消滅（ＴＴＡ）の発生確率が低くなり、ロールオフが改善される。
【0018】
本発明の一具現例によれば、
前記第１電極がアノードであり、前記第２電極がカソード（cathode）であり、
前記第１電極と前記発光層との間に配置され、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、またはその任意の組み合わせを含む正孔輸送領域、及び／または
前記第２電極と前記発光層との間に配され、正孔阻止層、電子注入層、またはその任意の組み合わせを含む電子輸送領域をさらに含むものでありうる。
前記第１電極がアノードであり、前記第２電極がカソード（cathode）であり、
前記第１電極と前記発光層との間に配置され、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、またはその任意の組み合わせを含む正孔輸送領域、及び／または
前記第２電極と前記発光層との間に配され、正孔阻止層、電子注入層、またはその任意の組み合わせを含む電子輸送領域をさらに含むものでありうる。
【0019】
前記電子輸送領域は、前記電子輸送層を含むものでありうる。
【0020】
一具現例によれば、前記第１バッファ層が前記発光層と接触しうる。例えば、前記第１バッファ層は、前記発光層と物理的に直接接触しうる。
【0021】
一具現例によれば、前記第２バッファ層が前記電子輸送層と接触しうる。例えば、前記第２バッファ層は、前記電子輸送層と物理的に直接接触しうる。
【0022】
一具現例によれば、前記第１バッファ層が前記第２バッファ層と接触しうる。例えば、前記第１バッファ層は、前記第２バッファ層と物理的に直接接触しうる。
【0023】
一具現例によれば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギー、及び前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーが、次の数式１を満足しうる。
【0024】
＜数式１＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１－ＥＬＵＭＯ＿Ｈ－１｜≦０．２０ｅＶ
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１－ＥＬＵＭＯ＿Ｈ－１｜≦０．２０ｅＶ
【0025】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーと、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーとの差が０．２０ｅＶを超える場合、ホストへの電子注入が相対的に円滑ではなく、発光層における電荷の均衡が最適状態を外れてしまう。
【0026】
一具現例によれば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーと、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーとが、次の数式３を満足しうる。
【0027】
＜数式３＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１｜≦０．２０ｅＶ
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－１｜≦０．２０ｅＶ
【0028】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーと、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーとの差が０．２０ｅＶを超える場合、電子注入方向への電子フローが相対的に円滑ではなく、発光層における電荷均衡が最適状態を外れてしまう。
【0029】
前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギー、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギー、及び前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの関係が、前記数式１，３を満足する場合、発光層への電子注入が相対的に円滑である。その結果、該発光層における電荷均衡が最適状態でありうる。
【0030】
一具現例によれば、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーと、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーとが、次の数式２を満足しうる。
【0031】
＜数式２＞
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－３｜≧０．２０ｅＶ
｜ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－２－ＥＬＵＭＯ＿ＥＴ－３｜≧０．２０ｅＶ
【0032】
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーと、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーとの差が０．２０ｅＶに及ばない場合、電子輸送層と第２バッファ層とのＬＵＭＯ差によるバリア（barrier）が低く、電子注入の調節が困難になる。その結果、発光層の内側の電子と正孔との再結合ゾーンが、発光層と正孔輸送層との界面に移動することになり、正孔輸送層の劣化が、早い時期に生じてしまう。
【0033】
前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーと、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーとの関係が、前記数式２を満足する場合、電子注入の調節が容易である。
【0034】
例えば、前記ホスト化合物（Ｈ－１）、例えば、電子輸送性ホスト化合物のＬＵＭＯエネルギーは、－２．５ｅＶないし－２．７ｅＶでありうる。
【0035】
例えば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーは、－２．５ｅＶないし－２．８ｅＶでありうる。
【0036】
例えば、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーは、－２．１ｅＶないし－２．４ｅＶでありうる。
【0037】
例えば、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーは、－２．６ｅＶないし－２．８ｅＶでありうる。
【0038】
一具現例によれば、前記発光層は、単一ホストを含むものでありうるか、あるいは混合されたホストを含むものでありうる。
【0039】
例えば、前記発光層が他のホスト化合物、例えば、正孔輸送性ホスト化合物をさらに含む場合、前記他のホスト化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値は、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さいか、あるいはそれと同じでありうる。
【0040】
その場合、例えば、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のモル％は、前記発光層の全体のホスト化合物を基準に、９０モル％ないし１０モル％でありうる。電子は、ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯに流れるために、ホスト化合物（Ｈ－１）のモル％が、１０モル％以上であることが要求される。
【0041】
一具現例によれば、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、それぞれ第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のみを含むものでありうる。あるいは、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、互いに独立して、他の輸送性化合物をさらに含むものでありうる。
【0042】
例えば、前記第１バッファ層が他の電子輸送性化合物をさらに含む場合、前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値は、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より大きいか、あるいはそれと同じでありうる。すなわち、第１バッファ層において、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）が最も浅いＬＵＭＯを有する。該第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯに電子が流れる。
【0043】
その場合、例えば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のモル％は、前記第１バッファ層の全体化合物を基準に、９０モル％ないし３０モル％でありうる。電子は、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯに流れるために、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のモル％が、３０モル％以上であることが要求される。
【0044】
例えば、前記第２バッファ層が他の電子輸送性化合物をさらに含む場合、前記他の電子輸送性化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より大きいか、あるいはそれと同じでありうる。すなわち、第２バッファ層において、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）が最も浅いＬＵＭＯを有する。該第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯに電子が流れる。
【0045】
その場合、例えば、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のモル％は、前記第２バッファ層の全体の化合物を基準に、９０モル％ないし３０モル％でありうる。電子は、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯに流れるために、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のモル％が、３０モル％以上であることが要求される。
【0046】
一具現例によれば、前記ドーパント化合物（Ｄ）が、リン光ドーパント化合物でありうる。ドーパントに係わる、さらに具体的な内容は、後述する。
【0047】
一具現例によれば、前記発光層は、緑色発光層または赤色発光層でありうる。
【0048】
一具現例によれば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）及び第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）が、互いに独立して、下記化学式３１２－１ないし３１２－４、及び３１３のうちの、いずれか一つで表される化合物でありうる。
【0049】
＜化学式３１２－１＞
【0050】
＜化学式３１２－２＞
【0051】
＜化学式３１２－３＞
【0052】
＜化３１２－４＞
【0053】
＜化学式３１３＞
【0054】
＜化学式３１３Ａ＞
【0055】
前記化学式３１２－１ないし３１２－４，３１３及び３１３Ａで、
Ｘ３２１ないしＸ３２８は、互いに独立して、ＮまたはＣ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］（Ｎ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］またはＣ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］）であり、
Ｙ３２１は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］＝Ｃ［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］＝Ｎ－＊’または＊－Ｎ＝Ｃ［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’であり、
Ｘ３２１ないしＸ３２８は、互いに独立して、ＮまたはＣ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］（Ｎ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］またはＣ［（Ｌ３２４）ｘｂ２４－Ｒ３２４］）であり、
Ｙ３２１は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］＝Ｃ［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’、＊－Ｃ［（Ｌ３２５）ｘｂ２５－Ｒ３２５］＝Ｎ－＊’または＊－Ｎ＝Ｃ［（Ｌ３２６）ｘｂ２６－Ｒ３２６］－＊’であり、
【0056】
ｋ２１は、０、１または２であり、ｋ２１が０である場合、Ｙ３２１が存在せず、
ｘｂ２１ないしｘｂ２６は、互いに独立して、０、１、２、３、４または５であり、
Ａ３１、Ａ３２及びＡ３４は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基またはＣ１－Ｃ３０のヘテロ環基であり、
ｘｂ２１ないしｘｂ２６は、互いに独立して、０、１、２、３、４または５であり、
Ａ３１、Ａ３２及びＡ３４は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基またはＣ１－Ｃ３０のヘテロ環基であり、
【0057】
Ａ３３は、前記化学式３１３Ａで表される基であり、
Ｘ３１は、Ｎ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］［（Ｌ３３６）ｘｂ３６－（Ｒ３３６）］またはＳｉ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］［（Ｌ３３６）ｘｂ３６－（Ｒ３３６）］であり、
Ｘ３１は、Ｎ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］［（Ｌ３３６）ｘｂ３６－（Ｒ３３６）］またはＳｉ［（Ｌ３３５）ｘｂ３５－（Ｒ３３５）］［（Ｌ３３６）ｘｂ３６－（Ｒ３３６）］であり、
【0058】
ｘｂ３１ないしｘｂ３６は、互いに独立して、０、１、２、３、４または５であり、
ｘｂ４２ないしｘｂ４４は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｘｂ４２ないしｘｂ４４は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
【0059】
Ｌ３２１ないしＬ３２６、及びＬ３３１ないしＬ３３６は、互いに独立して、単結合、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリーレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリーレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の二価の非芳香族縮合多環基（non-aromatic condensed polycyclic group）、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の二価の非芳香族ヘテロ縮合多環基（non-aromatic condensed heteropolycyclic group）であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリーレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリーレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の二価の非芳香族縮合多環基（non-aromatic condensed polycyclic group）、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の二価の非芳香族ヘテロ縮合多環基（non-aromatic condensed heteropolycyclic group）であり、
【0060】
Ｒ３２１ないしＲ３２６、及びＲ３３１ないしＲ３３６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０のアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０のアルキニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のアルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリール基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリールオキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリールチオ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリール基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリールオキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリールチオ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、
－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｎ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｐ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１）（Ｑ２）、または、－Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ１）（Ｑ２）であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０のアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０のアルキニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のアルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０のシクロアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０のヘテロシクロアルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリール基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリールオキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０のアリールチオ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリール基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリールオキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロアリールチオ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、
－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｎ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｐ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１）（Ｑ２）、または、－Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ１）（Ｑ２）であり、
【0061】
Ｒ３２１ないしＲ３２４のうちの、隣接する２つ以上の置換基は、任意選択的に（optionally）互いに結合することで、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基を形成することができ、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基を形成することができ、
【0062】
前記Ｒ１０ａは、
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基またはニトロ基；
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基またはニトロ基；
【0063】
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０のヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０のアリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０のヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）、または、これらの任意の組み合わせでされたか、置換もしくは非置換の、Ｃ１－Ｃ６０のアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０のアルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０のアルキニル基またはＣ１－Ｃ６０のアルコキシ基；
【0064】
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ６０のアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０のアルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０のアルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０のアルコキシ基、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０のヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０のアリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０のヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）、または、これらの任意の組み合わせで置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０のヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０のアリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０のアリールアルキル基、またはＣ２－Ｃ６０のヘテロアリールアルキル基；あるいは、
【0065】
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）；であり、
【0066】
Ｑ１ないしＱ３、Ｑ１１ないしＱ１３、Ｑ２１ないしＱ２３、Ｑ３１ないしＱ３３は、互いに独立して、
水素；重水素；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；Ｃ１－Ｃ６０のアルキル基；Ｃ２－Ｃ６０のアルケニル基；Ｃ２－Ｃ６０のアルキニル基；Ｃ１－Ｃ６０のアルコキシ基；あるいは、
重水素、－Ｆ、シアノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、またはその任意の組み合わせで置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０のヘテロ環基、Ｃ７－Ｃ６０のアリールアルキル基、またはＣ２－Ｃ６０のヘテロアリールアルキル基である。
水素；重水素；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；Ｃ１－Ｃ６０のアルキル基；Ｃ２－Ｃ６０のアルケニル基；Ｃ２－Ｃ６０のアルキニル基；Ｃ１－Ｃ６０のアルコキシ基；あるいは、
重水素、－Ｆ、シアノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、またはその任意の組み合わせで置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０の炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０のヘテロ環基、Ｃ７－Ｃ６０のアリールアルキル基、またはＣ２－Ｃ６０のヘテロアリールアルキル基である。
【0067】
一具現例によれば、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）が下記化合物のうちから選択されうる。
【0068】
＜ＥＴ－１-１～ＥＴ－１-１０＞
【0069】
＜ＥＴ－１-１１～ＥＴ－１-２３＞
【0070】
一具現例によれば、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）が下記化合物のうちから選択されうる。
【0071】
＜ＥＴ－２-１～ＥＴ－２-６＞
【0072】
＜ＥＴ－２-７～ＥＴ－２-１２＞
【0073】
＜ＥＴ－２-１３～ＥＴ－２-１４＞
【0074】
一具現例によれば、前記ドーパント化合物（Ｄ）は、最大発光波長が４９０ｎｍないし５８０ｎｍでありうる。例えば、前記ドーパント化合物（Ｄ）は、最大発光波長が５１０ｎｍないし５４５ｎｍでありうる。
【0075】
一具現例によれば、前記中間層が、ｍ個の発光ユニットと、隣接した前記発光ユニットとの間に介在された（ｍ－１）個の電荷生成ユニットを含み、
前記ｍ個の発光ユニットのうちの、いずれか１個のユニットが、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含むものでありうる。
前記ｍ個の発光ユニットのうちの、いずれか１個のユニットが、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含むものでありうる。
【0076】
前記発光素子は、前記ｍ個の発光ユニットのうちの隣接した発光ユニット同士の間に介在された（ｍ－１）個の電荷生成ユニットを含む。
【0077】
図２を参照すれば、中間層が、ｍ個の発光ユニット１４５（１），…，１４５（ｍ－１），１４５（ｍ）と、隣接した前記発光ユニットとの間に介在された（ｍ－１）個の電荷生成ユニット（図示せず）と、を含み、前記ｍ個の発光ユニットのうちいずれか一つが、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含む発光素子を含むものでありうる。
【0078】
例えば、ｍが２である場合、第１電極、第１発光ユニット、第１電荷生成ユニット及び第２発光ユニットが、この順に配置されうる。このように配置されるとき、前記第１発光ユニットは、第１色光を放出し、前記第２発光ユニットは、第２色光を放出するのであって、前記第１色光の最大発光波長と、前記第２色光の最大発光波長とが、互いに、同一であるか、あるいは異なるのでありうる。ここで、該第１発光ユニット及び該第２発光ユニットのうちの、いずれか１個のユニットは、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含む。
【0079】
他の例として、ｍが３である場合、第１電極、第１発光ユニット、第１電荷生成ユニット、第２発光ユニット、第２電荷生成ユニット及び第３発光ユニットが、この順に配置されうる。このように配置されるとき、前記第１発光ユニットは、第１色光を放出し、前記第２発光ユニットは、第２色光を放出し、前記第３発光ユニットは、第３色光を放出するのであって、前記第１色光の最大発光波長、前記第２色光の最大発光波長、及び前記第３色光の最大発光波長が、互いに、同一であるか、あるいは異なるのでありうる。ここで、該第１発光ユニット、該第２発光ユニット及び該第３発光ユニットのうちの１個以上のユニットは、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含むものでありうる。
【0080】
他の例として、ｍが４である場合、第１電極、第１発光ユニット、第１電荷生成ユニット、第２発光ユニット、第２電荷生成ユニット、第３発光ユニット、第３電荷生成ユニット及び第４発光ユニットが順に配されうる。このように配置されるとき、前記第１発光ユニットは、第１色光を放出し、前記第２発光ユニットは、第２色光を放出し、前記第３発光ユニットは、第３色光を放出し、前記第４発光ユニットは、第４色光を放出するのであって、前記第１色光の最大発光波長、前記第２色光の最大発光波長、前記第３色光の最大発光波長と、前記第４色光の最大発光波長とが、互いに同一でありうるのであり、あるいは異なるのでありうる。
【0081】
ここで、該第１発光ユニット、該第２発光ユニット、該第３発光ユニット及び該第４発光ユニットのうち１個以上のユニットは、前記発光層、前記第１バッファ層、前記第２バッファ層及び前記電子輸送層を含むものでありうる。
【0082】
ｍが５ないし７である場合も、同等に適用される。
【0083】
例えば、ｍが４以上である場合、
１個以上の発光ユニットは、発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（Ｔ－３）を含む電子輸送層を含み、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子でありうるのであり、
残りの３個以上の発光ユニットは、青色発光層を含む発光素子でありうる。
１個以上の発光ユニットは、発光層が、ホスト化合物（Ｈ－１）及びドーパント化合物（Ｄ）を含み、中間層が、第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）を含む第１バッファ層、第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）を含む第２バッファ層、及び第３電子輸送性化合物（Ｔ－３）を含む電子輸送層を含み、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記ホスト化合物（Ｈ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第３電子輸送性化合物（ＥＴ－３）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、前記第２電子輸送性化合物（ＥＴ－２）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、前記第１電子輸送性化合物（ＥＴ－１）のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい発光素子でありうるのであり、
残りの３個以上の発光ユニットは、青色発光層を含む発光素子でありうる。
【0084】
一具現例によれば、前記ｍ個の発光ユニットのうちの少なくとも１つの発光ユニットから放出される最大発光波長は、残りの発光ユニットのうちの少なくとも１つの発光ユニットから放出される光の最大発光波長と異なりうる。
【0085】
図２を参照し、前記ｍ個の発光ユニットのうち、第１電極にｍ番目に近い発光ユニットを、第ｍ発光ユニット（ＥＬＵ（ｍ））と称することができる。
【0086】
前記ｍ個の発光ユニットのうち、前記第１電極に最も近い発光ユニットは、第１発光ユニット（ＥＬＵ（１））と呼び、前記第１電極に最も遠い発光ユニットは、第ｍ発光ユニット（ＥＬＵ（ｍ））と呼ぶのであり、前記第１発光ユニット（ＥＬＵ（１））ないし前記第ｍ発光ユニット（ＥＬＵ（ｍ））は、この順に配置される。すなわち、前記第１電極（ＥＬＵ（１））と前記第ｍ発光ユニット（ＥＬＵ（ｍ））との間には、第（ｍ－１）発光ユニット（ＥＬＵ（ｍ－１）が介在される。
【0087】
前記電荷生成ユニットのうちの少なくとも一つが、ｎ型電荷生成層（ｎ－ＣＧＬ）、ｐ型電荷生成層（ｐ－ＣＧＬ）及び／または正孔輸送領域を含むものでありうる。
【0088】
前記正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0089】
一具現例として、前記（ｍ－１）個の電荷生成ユニットのうち、第１電極に（ｍ－１）番目に近い電荷生成ユニットを、第（ｍ－１）電荷生成ユニットと称することができる。
【0090】
一具現例によれば、前記第（ｍ－１）電荷生成ユニット（ＣＧＵ（ｍ－１））は、第（ｍ－１）ｎ型電荷生成層、第（ｍ－１）ｐ型電荷生成層及び／または第（ｍ－１）正孔輸送領域を含むものでありうる。
【0091】
例えば、前記第（ｍ－１）電荷生成ユニット（ＣＧＵ（ｍ－１））において、前記第（ｍ－１）ｎ型電荷生成層（ｎＣＧＬ（ｍ－１））、第（ｍ－１）ｐ型電荷生成層（ｐＣＧＬ（ｍ－１））及び第（ｍ－１）正孔輸送領域が、この順に積層されうる。
【0092】
一具現例によれば、前記第（ｍ－１）ｐ型電荷生成層（ｐＣＧＬ（ｍ－１））は、前記第（ｍ－１）ｎ型電荷輸送層（ｎＣＧＬ（ｍ－１））及び前記正孔輸送領域と、直接に接することができる。
【0093】
さらに他の態様によれば、前述のような発光素子を含む電子装置が提供される。前記電子装置は、薄膜トランジスタをさらに含むものでありうる。例えば、前記電子装置は、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタをさらに含み、前記発光素子の第１電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に連結されうる。
【0094】
なお、前記電子装置は、カラーフィルタ、色変換層、タッチスクリーン層、偏光層、またはこれらの任意の組み合わせをさらに含むものでありうる。前記電子装置に係わるさらに詳細な説明は、本明細書に記載されたところを参照する。
【0095】
本明細書において「中間層」は、前記発光素子において、第１電極と第２電極との間に配置された単一及び／または複数の全ての層を示す用語である。
【0096】
【0097】
以下、図１を参照し、本発明の一具現例による発光素子１０の構造及び製造方法について説明すれば、次の通りである。
【0098】
［第１電極１１０］
図１の第１電極１１０の下側、または第２電極１５０の上側には、基板が追加して配置されうる。前記基板として、ガラス基板またはプラスチック基板を使用することができる。または、前記基板は、可撓性基板でありうるのであり、例えば、ポリイミド（polyimide）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（polycarbonate）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphtalate）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（polyetherimide）、またはこれらの任意の組み合わせといった、耐熱性及び耐久性にすぐれるプラスチックを含むものでありうる。
図１の第１電極１１０の下側、または第２電極１５０の上側には、基板が追加して配置されうる。前記基板として、ガラス基板またはプラスチック基板を使用することができる。または、前記基板は、可撓性基板でありうるのであり、例えば、ポリイミド（polyimide）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（polycarbonate）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphtalate）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（polyetherimide）、またはこれらの任意の組み合わせといった、耐熱性及び耐久性にすぐれるプラスチックを含むものでありうる。
【0099】
前記第１電極１１０は、例えば、前記基板の上側に、第１電極用物質を、蒸着法またはスパッタリング法などを利用して提供することによって形成されうる。前記第１電極１１０がアノードである場合、第１電極用の物質として、正孔注入が容易である高仕事関数物質を利用することができる。
【0100】
前記第１電極１１０は、反射型電極、半透過型電極または透過型電極でありうる。該透過型電極である第１電極１１０を形成するために、第１電極用物質として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはその任意の組み合わせを利用することができる。または、該半透過型電極または該反射型電極である第１電極１１０を形成するために、第１電極用の物質として、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム・インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム・銀（Ｍｇ－Ａｇ）、またはこれらの任意の組み合わせを利用することができる。
【0101】
前記第１電極１１０は、単一層からなる単層構造、または複数の層を含む多層構造を有することができる。例えば、前記第１電極１１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができる。
【0102】
［中間層１３０］
前記第１電極１１０の上部には、中間層１３０が配置されている。前記中間層１３０は、発光層を含む。
前記第１電極１１０の上部には、中間層１３０が配置されている。前記中間層１３０は、発光層を含む。
【0103】
前記中間層１３０は、前記第１電極１１０と前記発光層との間に配置された正孔輸送領域（hole transport region）、及び、前記発光層と前記第２電極１５０との間に配置された電子輸送領域（electron transport region）を、さらに含むものでありうる。
【0104】
前記中間層１３０は、各種有機物以外に、有機金属化合物のような金属含有化合物、量子点のような無機物もさらに含むものでありうる。
【0105】
一方、前記中間層１３０は、i）前記第１電極１１０と前記第２電極１５０との間に順次に積層されている２以上の発光層、及びii）前記２個の発光層の間に配置された電荷生成層を含むものでありうる。前記中間層１３０が、前述のような発光層及び電荷生成層を含む場合、前記発光素子１０は、タンデム（tandem）発光素子でありうる。
【0106】
［中間層１３０における正孔輸送領域］
前記正孔輸送領域は、i）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ii）複数の互いに異なる物質を含む単一層からなる単層構造、またはiii）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有することができる。
前記正孔輸送領域は、i）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ii）複数の互いに異なる物質を含む単一層からなる単層構造、またはiii）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有することができる。
【0107】
前記正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、発光補助層、電子阻止層、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0108】
例えば、前記正孔輸送領域は、第１電極１１０から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光補助層、正孔注入層／発光補助層、正孔輸送層／発光補助層、または正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の多層構造を有することができる。
【0109】
例えば、前記正孔輸送領域は、第１電極１１０から順に積層された正孔輸送層／発光補助層、または正孔輸送層／電子阻止層の多層構造を有することができる。
【0110】
前記正孔輸送領域は、下記化学式２０１で表される化合物、下記化学式２０２で表される化合物、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0111】
＜化学式２０１＞
【0112】
＜化学式２０２＞
【0113】
前記化学式２０１及び２０２にて、
Ｌ２０１ないしＬ２０４は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
Ｌ２０１ないしＬ２０４は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
【0114】
Ｌ２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ２０１）－＊’、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０のアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０のアルケニレン基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
【0115】
ｘａ１ないしｘａ４は、互いに独立して、０ないし５の整数のうち一つであり、
ｘａ５は、１ないし１０の整数のうち一つであり、
Ｒ２０１ないしＲ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
ｘａ５は、１ないし１０の整数のうち一つであり、
Ｒ２０１ないしＲ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０の炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０のヘテロ環基であり、
【0116】
Ｒ２０１とＲ２０２は、任意選択的に、単一結合、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ５のアルキレン基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ５のアルケニレン基を介して互いに連結されることで、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０の多環基（例えば、カルバゾール基など）を形成することができ（例えば、下記化合物ＨＴ１６を参照する）、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ５のアルキレン基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ５のアルケニレン基を介して互いに連結されることで、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０の多環基（例えば、カルバゾール基など）を形成することができ（例えば、下記化合物ＨＴ１６を参照する）、
【0117】
Ｒ２０３とＲ２０４は、任意選択的に、単一結合、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ５のアルキレン基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ５のアルケニレン基を介して互いに連結されることで、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０の多環基を形成することができ、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ５のアルキレン基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ５のアルケニレン基を介して互いに連結されることで、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０の多環基を形成することができ、
【0118】
ｎａ１は、１ないし４の整数のうちの一つでありうる。
【0119】
例えば、前記化学式２０１及び２０２のそれぞれは、下記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２１７で表された基のうちの少なくとも一つを含むものでありうる。
【0120】
＜ＣＹ２０１～ＣＹ２１７＞
【0121】
前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２１７にて、Ｒ１０ｂ及びＲ１０ｃに係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｒ１０ａに係わる説明を参照し、環ＣＹ２０１ないし環ＣＹ２０４は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ２０炭素環基またはＣ１－Ｃ２０ヘテロ環基であり、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２１７において、少なくとも１つの水素は、本明細書に記載されたようなＲ１０ａで置換されるか、または非置換でありうる。
【0122】
一具現例によれば、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２１７において、環ＣＹ２０１ないし環ＣＹ２０４は、互いに独立して、ベンゼン基、ナフタレン基、フェナントレン基またはアントラセン基でありうる。
【0123】
他の具現例によれば、前記化学式２０１及び２０２のそれぞれは、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２０３で表された基のうち少なくとも一つを含むものでありうる。
【0124】
さらに他の他の具現例によれば、前記化学式２０１は、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２０３で表された基のうち少なくとも一つ、及び前記化学式ＣＹ２０４ないしＣＹ２１７で表された基のうち少なくとも一つをそれぞれ含むものでありうる。
【0125】
さらに他の具現例によれば、前記化学式２０１でｘａ１は、１であり、Ｒ２０１は、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２０３のうちの一つで表された基であり、ｘａ２は、０であり、Ｒ２０２は、前記化学式ＣＹ２０４ないしＣＹ２０７のうち一つで表された基でありうる。
【0126】
さらに他の具現例によれば、前記化学式２０１及び２０２のそれぞれは、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２０３で表された基を含まないものでありうる。
【0127】
さらに他の、他の具現例によれば、前記化学式２０１及び２０２のそれぞれは、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２０３で表された基を含まず、前記化学式ＣＹ２０４ないしＣＹ２１７で表された基のうち少なくとも一つを含むものでありうる。
【0128】
さらに他の例として、前記化学式２０１及び２０２のそれぞれは、前記化学式ＣＹ２０１ないしＣＹ２１７で表された基を含まないものでありうる。
【0129】
例えば、前記正孔輸送領域は、下記化合物ＨＴ１ないしＨＴ４６のうちの一つ、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＤＡＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、β－ＮＰＢ、ＴＰＤ、spiro－ＴＰＤ、spiro－ＮＰＢ、メチル化された－ＮＰＢ、ＴＡＰＣ、ＨＭＴＰＤ、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0130】
＜ＨＴ１～ＨＴ６＞
【0131】
＜ＨＴ７～ＨＴ１２＞
【0132】
＜ＨＴ１３～ＨＴ１８＞
【0133】
＜ＨＴ１９～ＨＴ２４＞
【0134】
＜ＨＴ２５～ＨＴ３０＞
【0135】
＜ＨＴ３１～ＨＴ３６＞
【0136】
＜ＨＴ３７～ＨＴ３９＞
【0137】
＜ＨＴ４０～ＨＴ４４＞
【0138】
＜ＨＴ４５～ＨＴ４６＞
【0139】
＜ｍ－ＭＴＤＡＴＡ～ＨＭＴＰＤ＞
【0140】
前記正孔輸送領域の厚みは、約５０Åないし約１０，０００Å、例えば、約１００Åないし約４，０００Åでありうる。前記正孔輸送領域が、正孔輸送層、電子阻止層、またはこれらの任意の組み合わせを含む場合、前記正孔輸送層の厚みは、約５０Åないし約２，０００Å、例えば、約１００Åないし約１，５００Åでありうる。前記正孔輸送領域及び前記正孔輸送層の厚みが、前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。
【0141】
前記発光補助層は、発光層によって放出される光の波長による光学的な共振距離を補償し、光放出効率を上昇させる役割を行う層であり、前記電子阻止層は、発光層から正孔輸送領域への電子の流出を防止する役割を行う層である。前述の正孔輸送領域に含まれうる物質が、該発光補助層及び該電子阻止層に含まれうる。
【0142】
［ｐ－ドーパント］
前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質を含むものでありうる。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に、均一にまたは不均一に分散されているのでありうる（例えば、電荷生成物質からなる単一層形態でありうる）。
前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質を含むものでありうる。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に、均一にまたは不均一に分散されているのでありうる（例えば、電荷生成物質からなる単一層形態でありうる）。
【0143】
前記電荷生成物質は、例えば、ｐ－ドーパントでありうる。
【0144】
例えば、前記ｐ－ドーパントのＬＵＭＯエネルギーレベルは、－３．５ｅＶ以下でありうる。
【0145】
一具現例によれば、前記ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、シアノ基含有化合物、元素ＥＬ１含有化合物及び元素ＥＬ２含有化合物、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0146】
前記キノン誘導体の例は、ＴＣＮＱ、Ｆ４－ＴＣＮＱを含むものでありうる。
【0147】
前記シアノ基含有化合物の例は、ＨＡＴ－ＣＮ、下記化学式２２１で表された化合物を含むものでありうる。
【0148】
＜ｐ－ドーパントの例＞
【0149】
＜化学式２２１＞
【0150】
前記化学式２２１にて、
Ｒ２２１ないしＲ２２３は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａでされたか、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｒ２２１ないしＲ２２３は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａでされたか、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
【0151】
前記Ｒ２２１ないしＲ２２３のうちの少なくとも一つは、互いに独立して、
シアノ基；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；
シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、またはこれらの任意の組み合わせで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基；あるいは、これらの任意の組み合わせ；
でもって置換された、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基またはＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基でありうる。
シアノ基；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；
シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、またはこれらの任意の組み合わせで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基；あるいは、これらの任意の組み合わせ；
でもって置換された、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基またはＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基でありうる。
【0152】
前記元素ＥＬ１含有化合物及び前記元素ＥＬ２含有化合物において、元素ＥＬ１は、金属、半金属、またはその組み合わせであり、元素ＥＬ２は、非金属、半金属、またはその組み合わせでありうる。
【0153】
前記金属の例は、アルカリ金属（例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）など）；アルカリ土類金属（例えば、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）など）；遷移金属（例えば、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）など）；ポスト遷移金属（例えば、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）など）；ランタニド金属（例えば、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）など）；などを含むものでありうる。
【0154】
前記半金属の例は、シリコン（Ｓｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）などを含むものでありうる。
【0155】
前記非金属の例は、酸素（Ｏ）、ハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉなど）などを含むものでありうる。
【0156】
例えば、前記元素ＥＬ１含有化合物及び前記元素ＥＬ２含有化合物は、金属酸化物、金属ハロゲン化物（例えば、金属フッ化物、金属塩化物、金属臭化物、金属ヨウ化物など）、半金属ハロゲン化物（例えば、半金属フッ化物、半金属塩化物、半金属臭化物、半金属ヨウ化物など）、金属テルリド、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0157】
前記金属酸化物の例は、タングステン酸化物（例えば、ＷＯ、Ｗ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、Ｗ２Ｏ５）、バナジウム酸化物（例えば、ＶＯ、Ｖ２Ｏ３、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５）、モリブデン酸化物（ＭｏＯ、Ｍｏ２Ｏ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、Ｍｏ２Ｏ５）、レニウム酸化物（例えば、ＲｅＯ３）などを含むものでありうる。
【0158】
前記金属ハロゲン化物の例は、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、遷移金属ハロゲン化物、ポスト遷移金属ハロゲン化物、ランタニド金属ハロゲン化物などを含むものでありうる。
【0159】
前記アルカリ金属ハロゲン化物の例は、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ、ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＲｂＢｒ、ＣｓＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｓＩなどを含むものでありうる。
【0160】
前記アルカリ土類金属ハロゲン化物の例は、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＢｅＣｌ２、ＭｇＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＳｒＣｌ２、ＢａＣｌ２、ＢｅＢｒ２、ＭｇＢｒ２、ＣａＢｒ２、ＳｒＢｒ２、ＢａＢｒ２、ＢｅＩ２、ＭｇＩ２、ＣａＩ２、ＳｒＩ２、ＢａＩ２などを含むものでありうる。
【0161】
前記遷移金属ハロゲン化物の例は、チタンハロゲン化物（例えば、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、ＴｉＩ４）、ジルコニウムハロゲン化物（例えば、ＺｒＦ４、ＺｒＣｌ４、ＺｒＢｒ４、ＺｒＩ４）、ハフニウムハロゲン化物（例えば、ＨｆＦ４、ＨｆＣｌ４、ＨｆＢｒ４、ＨｆＩ４）、バナジウムハロゲン化物（例えば、ＶＦ３、ＶＣｌ３、ＶＢｒ３、ＶＩ３）、ニオブハロゲン化物（例えば、ＮｂＦ３、ＮｂＣｌ３、ＮｂＢｒ３、ＮｂＩ３）、タンタルハロゲン化物（例えば、ＴａＦ３、ＴａＣｌ３、ＴａＢｒ３、ＴａＩ３）、クロムハロゲン化物（例えば、ＣｒＦ３、ＣｒＣｌ３、ＣｒＢｒ３、ＣｒＩ３）、モリブデンハロゲン化物（例えば、ＭｏＦ３、ＭｏＣｌ３、ＭｏＢｒ３、ＭｏＩ３）、タングステンハロゲン化物（例えば、ＷＦ３、ＷＣｌ３、ＷＢｒ３、ＷＩ３）、マンガンハロゲン化物（例えば、ＭｎＦ２、ＭｎＣｌ２、ＭｎＢｒ２、ＭｎＩ２）、テクネチウムハロゲン化物（例えば、ＴｃＦ２、ＴｃＣｌ２、ＴｃＢｒ２、ＴｃＩ２）、レニウムハロゲン化物（例えば、ＲｅＦ２、ＲｅＣｌ２、ＲｅＢｒ２、ＲｅＩ２）、鉄ハロゲン化物（例えば、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＦｅＩ２）、ルテニウムハロゲン化物（例えば、ＲｕＦ２、ＲｕＣｌ２、ＲｕＢｒ２、ＲｕＩ２）、オスミウムハロゲン化物（例えば、ＯｓＦ２、ＯｓＣｌ２、ＯｓＢｒ２、ＯｓＩ２）、コバルトハロゲン化物（例えば、ＣｏＦ２、ＣｏＣｌ２、ＣｏＢｒ２、ＣｏＩ２）、ロジウムハロゲン化物（例えば、ＲｈＦ２、ＲｈＣｌ２、ＲｈＢｒ２、ＲｈＩ２）、イリジウムハロゲン化物（例えば、ＩｒＦ２、ＩｒＣｌ２、ＩｒＢｒ２、ＩｒＩ２）、ニッケルハロゲン化物（例えば、ＮｉＦ２、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＩ２）、パラジウムハロゲン化物（例えば、ＰｄＦ２、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、ＰｄＩ２）、白金ハロゲン化物（例えば、ＰｔＦ２、ＰｔＣｌ２、ＰｔＢｒ２、ＰｔＩ２）、銅ハロゲン化物（例えば、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ）、銀ハロゲン化物（例えば、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ）、金ハロゲン化物（例えば、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ）などを含むものでありうる。
【0162】
前記ポスト遷移金属ハロゲン化物の例は、亜鉛ハロゲン化物（例えば、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２）、インジウムハロゲン化物（例えば、ＩｎＩ３）、スズハロゲン化物（例えば、ＳｎＩ２）などを含むものでありうる。
【0163】
前記ランタニド金属ハロゲン化物の例は、ＹｂＦ、ＹｂＦ２、ＹｂＦ３、ＳｍＦ３、ＹｂＣｌ、ＹｂＣｌ２、ＹｂＣｌ３、ＳｍＣｌ３、ＹｂＢｒ、ＹｂＢｒ２、ＹｂＢｒ３、ＳｍＢｒ３、ＹｂＩ、ＹｂＩ２、ＹｂＩ３、ＳｍＩ３などを含むものでありうる。
【0164】
前記半金属ハロゲン化物の例は、アンチモンハロゲン化物（例えば、ＳｂＣｌ５）などを含むものでありうる。
【0165】
前記金属テルリドの例は、アルカリ金属テルリド（例えば、Ｌｉ２Ｔｅ、Ｎａ２Ｔｅ、Ｋ２Ｔｅ、Ｒｂ２Ｔｅ、Ｃｓ２Ｔｅなど）、アルカリ土類金属テルリド（例えば、ＢｅＴｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＴｅなど）、遷移金属テルリド（例えば、ＴｉＴｅ２、ＺｒＴｅ２、ＨｆＴｅ２、Ｖ２Ｔｅ３、Ｎｂ２Ｔｅ３、Ｔａ２Ｔｅ３、Ｃｒ２Ｔｅ３、Ｍｏ２Ｔｅ３、Ｗ２Ｔｅ３、ＭｎＴｅ、ＴｃＴｅ、ＲｅＴｅ、ＦｅＴｅ、ＲｕＴｅ、ＯｓＴｅ、ＣｏＴｅ、ＲｈＴｅ、ＩｒＴｅ、ＮｉＴｅ、ＰｄＴｅ、ＰｔＴｅ、Ｃｕ２Ｔｅ、ＣｕＴｅ、Ａｇ２Ｔｅ、ＡｇＴｅ、Ａｕ２Ｔｅ）、ポスト遷移金属テルリド（例えば、ＺｎＴｅ）、ランタニド金属テルリド（例えば、ＬａＴｅ、ＣｅＴｅ、ＰｒＴｅ、ＮｄＴｅ、ＰｍＴｅ、ＥｕＴｅ、ＧｄＴｅ、ＴｂＴｅ、ＤｙＴｅ、ＨｏＴｅ、ＥｒＴｅ、ＴｍＴｅ、ＹｂＴｅ、ＬｕＴｅ）などを含むものでありうる。
【0166】
［中間層１３０における発光層］
前記発光素子１０がフルカラー発光素子である場合、発光層は、個別副画素別に、赤色発光層、緑色発光層及び／または青色発光層にもパターニングされる。または、前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうちの２つ以上の層が、接触または離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色光放出物質、緑色光放出物質及び青色光放出物質のうちの２つ以上の物質が、層の区分なしに混合された構造を有し、白色光を放出することができる。
前記発光素子１０がフルカラー発光素子である場合、発光層は、個別副画素別に、赤色発光層、緑色発光層及び／または青色発光層にもパターニングされる。または、前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうちの２つ以上の層が、接触または離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色光放出物質、緑色光放出物質及び青色光放出物質のうちの２つ以上の物質が、層の区分なしに混合された構造を有し、白色光を放出することができる。
【0167】
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含むものでありうる。前記ホスト及び前記ドーパントは、前述のホスト及びドーパントの内容を参照しうる。
【0168】
前記発光層においてドーパントの含量は、ホスト１００重量部につき、約０．０１ないし約１５重量部でありうる。
【0169】
前記発光層の厚みは、約１００Åないし約１，０００Å、例えば、約２００Åないし約６００Åでありうる。前記発光層の厚みが、前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧上昇なしに、優れた発光特性を示すことができる。
【0170】
［ホスト］
前記ホストは、下記化学式３０１で表される化合物を含むものでありうる。
前記ホストは、下記化学式３０１で表される化合物を含むものでありうる。
【0171】
＜化学式３０１＞
［Ａｒ３０１］ｘｂ１１－［（Ｌ３０１）ｘｂ１－Ｒ３０１］ｘｂ２１
［Ａｒ３０１］ｘｂ１１－［（Ｌ３０１）ｘｂ１－Ｒ３０１］ｘｂ２１
【0172】
前記化学式３０１にて、
Ａｒ３０１及びＬ３０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ａｒ３０１及びＬ３０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
【0173】
ｘｂ１１は、１、２または３であり、
ｘｂ１は、０ないし５の整数のうち一つであり、
ｘｂ１は、０ないし５の整数のうち一つであり、
【0174】
Ｒ３０１は、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）（Ｑ３０３）、－Ｎ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｂ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）（Ｑ３０３）、－Ｎ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｂ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）であり、
【0175】
ｘｂ２１は、１ないし５の整数のうちの一つであり、
Ｑ３０１ないしＱ３０３に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係わる説明を参照する。
Ｑ３０１ないしＱ３０３に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係わる説明を参照する。
【0176】
例えば、前記化学式３０１で、ｘｂ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ３０１は、単結合を介して互いに連結されうる。
【0177】
他の例として、前記ホストは、下記化学式３０１－１で表された化合物、下記化学式３０１－２で表された化合物、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0178】
＜化学式３０１－１＞
【0179】
＜化学式３０１－２＞
【0180】
前記化学式３０１－１ないし３０１－２にて、
環Ａ３０１ないし環Ａ３０４は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
環Ａ３０１ないし環Ａ３０４は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
【0181】
Ｘ３０１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ－［（Ｌ３０４）ｘｂ４－Ｒ３０４］、Ｃ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）またはＳｉ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）であり、
ｘｂ２２及びｘｂ２３は、互いに独立して、０、１または２であり、
ｘｂ２２及びｘｂ２３は、互いに独立して、０、１または２であり、
【0182】
Ｌ３０１、ｘｂ１及びＲ３０１に係わる説明は、それぞれ本明細書に記載されたところを参照し、
Ｌ３０２ないしＬ３０４に係わる説明は、互いに独立して、前記Ｌ３０１に係わる説明を参照し、
ｘｂ２ないしｘｂ４に係わる説明は、互いに独立して、前記ｘｂ１に係わる説明を参照し、
Ｒ３０２ないしＲ３０５、及びＲ３１１ないしＲ３１４に係わる説明は、それぞれ前記Ｒ３０１に係わる説明を参照する。
Ｌ３０２ないしＬ３０４に係わる説明は、互いに独立して、前記Ｌ３０１に係わる説明を参照し、
ｘｂ２ないしｘｂ４に係わる説明は、互いに独立して、前記ｘｂ１に係わる説明を参照し、
Ｒ３０２ないしＲ３０５、及びＲ３１１ないしＲ３１４に係わる説明は、それぞれ前記Ｒ３０１に係わる説明を参照する。
【0183】
さらに他の例として、前記ホストは、アルカリ土類金属錯体、ポスト遷移金属錯体、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。例えば、前記ホストは、Ｂｅ錯体（例えば、下記化合物Ｈ５５）、Ｍｇ錯体、Ｚｎ錯体、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0184】
さらに他の例として、前記ホストは、下記化合物Ｈ１ないしＨ１２４のうちの一つ、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、２－メチル－９，１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）、９，１０－ジ－（２－ナフチル）－２－ｔ－ブチル－アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３－ジ－９－カルバゾリルベンゼン（ｍＣＰ）、１，３，５－トリ（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ＴＣＰ）、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる：
【0185】
＜Ｈ１～Ｈ１２＞
【0186】
＜Ｈ１３～Ｈ２０＞
【0187】
＜Ｈ２１～Ｈ２８＞
【0188】
＜Ｈ２９～Ｈ３５＞
【0189】
＜Ｈ３６～Ｈ４３＞
【0190】
＜Ｈ４４～Ｈ５０＞
【0191】
＜Ｈ５１～Ｈ６１＞
【0192】
＜Ｈ６２～Ｈ７１＞
【0193】
＜Ｈ７２～Ｈ７９＞
【0194】
＜Ｈ８０～Ｈ８８＞
【0195】
＜Ｈ８９～Ｈ９９＞
【0196】
＜Ｈ１００～Ｈ１０７＞
【0197】
＜Ｈ１０８～Ｈ１１７＞
【0198】
＜Ｈ１１８～Ｈ１２４＞
【0199】
［リン光ドーパント］
前記リン光ドーパントは、中心金属として、少なくとも１つの遷移金属を含むものでありうる。
前記リン光ドーパントは、中心金属として、少なくとも１つの遷移金属を含むものでありうる。
【0200】
前記リン光ドーパントは、一座（monodenate）リガンド、二座リガンド、三座リガンド、四座リガンド、五座リガンド、六座リガンド、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0201】
前記リン光ドーパントは、電気的に中性（neutral）でありうる。
【0202】
例えば、前記リン光ドーパントは、下記化学式４０１で表される有機金属化合物を含むものでありうる：
【0203】
＜化学式４０１＞
Ｍ（Ｌ４０１）ｘｃ１（Ｌ４０２）ｘｃ２
Ｍ（Ｌ４０１）ｘｃ１（Ｌ４０２）ｘｃ２
【0204】
＜化学式４０２＞
【0205】
前記化学式４０１及び４０２にて、
Ｍは、遷移金属（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ、またはツリウム（Ｔｍ））であり、
Ｍは、遷移金属（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ、またはツリウム（Ｔｍ））であり、
【0206】
Ｌ４０１は、前記化学式４０２で表されるリガンドであり、ｘｃ１は、１、２または３であり、ｘｃ１が２以上である場合、２つ以上のＬ４０１は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｌ４０２は、有機リガンドであり、ｘｃ２は、０、１、２、３または４であり、ｘｃ２が２以上である場合、２つ以上のＬ４０２は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｌ４０２は、有機リガンドであり、ｘｃ２は、０、１、２、３または４であり、ｘｃ２が２以上である場合、２つ以上のＬ４０２は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
【0207】
Ｘ４０１及びＸ４０２は、互いに独立して、窒素または炭素であり、
環Ａ４０１及び環Ａ４０２は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、またはＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
環Ａ４０１及び環Ａ４０２は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、またはＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
【0208】
Ｔ４０１は、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｑ４１１）－、－Ｃ（Ｑ４１１）（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝Ｃ（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝または＝Ｃ＝であり、
Ｘ４０３及びＸ４０４は、互いに独立して、化学結合（例えば、共有結合または配位結合）、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｑ４１３）、Ｂ（Ｑ４１３）、Ｐ（Ｑ４１３）、Ｃ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）またはＳｉ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）であり、
Ｘ４０３及びＸ４０４は、互いに独立して、化学結合（例えば、共有結合または配位結合）、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｑ４１３）、Ｂ（Ｑ４１３）、Ｐ（Ｑ４１３）、Ｃ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）またはＳｉ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）であり、
【0209】
前記Ｑ４１１ないしＱ４１４に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係わる説明を参照し、
【0210】
Ｒ４０１及びＲ４０２は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）（Ｑ４０３）、－Ｎ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｂ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ４０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキル基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）（Ｑ４０３）、－Ｎ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｂ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ４０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）であり、
【0211】
前記Ｑ４０１ないしＱ４０３に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係わる説明を参照し、
ｘｃ１１及びｘｃ１２は、互いに独立して、０ないし１０の整数のうち一つであり、
前記化学式４０２で、＊及び＊’は、それぞれ前記化学式４０１で、Ｍとの結合サイトである。
ｘｃ１１及びｘｃ１２は、互いに独立して、０ないし１０の整数のうち一つであり、
前記化学式４０２で、＊及び＊’は、それぞれ前記化学式４０１で、Ｍとの結合サイトである。
【0212】
例えば、前記化学式４０２にて、i）Ｘ４０１は窒素であってＸ４０２は炭素であるか、あるいは、ii）Ｘ４０１とＸ４０２とがいずれも窒素でありうる。
【0213】
他の例として、前記化学式４０２にて、ｘｃ１が２以上である場合、２以上のＬ４０１において、２個の環Ａ４０１は、選択的に、連結基であるＴ４０２を介して互いに連結されるか、あるいは２個の環Ａ４０２は、選択的に、連結基であるＴ４０３を介して互いに連結されうる（下記化合物ＰＤ１ないしＰＤ４、及び下記化学式ＰＤ７参照）。前記Ｔ４０２及び前記Ｔ４０３に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｔ４０１に係わる説明を参照する。
【0214】
前記化学式４０１でＬ４０２は、任意の有機リガンドでありうる。例えば、前記Ｌ４０２は、ハロゲン基、ジケトン基（例えば、アセチルアセトネート基）、カルボン酸基（例えば、ピコリネート基）、－Ｃ（＝Ｏ）、イソニトリル基、－ＣＮ基、ホスホラス(phosphorous; リン)基（例えば、ホスフィン（phosphine）基、ホスファイト（phosphite）基）、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0215】
前記リン光ドーパントは、例えば、下記化合物ＰＤ１ないしＰＤ２５、下記Ｇ－１ないしＧ－１２のうちの一つ、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0216】
＜ＰＤ１～ＰＤ１０＞
【0217】
＜ＰＤ１１～ＰＤ２０＞
【0218】
＜ＰＤ２１～ＰＤ２５＞
【0219】
＜Ｇ－１～Ｇ－１２＞
【0220】
前記蛍光ドーパントは、アミン基含有化合物、スチリル基含有化合物、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0221】
例えば、前記蛍光ドーパントは、下記化学式５０１で表される化合物を含むものでありうる。
【0222】
＜化学式５０１＞
【0223】
前記化学式５０１で、
Ａｒ５０１、Ｌ５０１ないしＬ５０３、Ｒ５０１及びＲ５０２は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｄ１ないしｘｄ３は、互いに独立して、０、１、２または３であり、
ｘｄ４は、１、２、３、４、５または６でありうる。
Ａｒ５０１、Ｌ５０１ないしＬ５０３、Ｒ５０１及びＲ５０２は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｄ１ないしｘｄ３は、互いに独立して、０、１、２または３であり、
ｘｄ４は、１、２、３、４、５または６でありうる。
【0224】
例えば、前記化学式５０１でＡｒ５０１は、３個以上の単環基が互いに縮合された縮合環基（例えば、アントラセン基、クリセン基、ピレン基）を含むものでありうる。
【0225】
他の例として、前記化学式５０１にて、ｘｄ４は、２でありうる。
【0226】
例えば、前記蛍光ドーパントは、下記化合物ＦＤ１ないしＦＤ３６のうちの一つ、ＤＰＶＢｉ、ＤＰＡＶＢｉ、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0227】
＜ＦＤ１～ＦＤ８＞
【0228】
＜ＦＤ９～ＦＤ１４＞
【0229】
＜ＦＤ１５～ＦＤ２１＞
【0230】
＜ＦＤ２２～ＦＤ２７＞
【0231】
＜ＦＤ２８～ＦＤ３３＞
【0232】
＜ＦＤ３４～ＦＤ３６＞
【0233】
＜ＤＰＶＢｉ、ＤＰＡＶＢｉ＞
【0234】
［遅延蛍光ドーパント］
前記発光層は、遅延蛍光ドーパントを含むものでありうる。
前記発光層は、遅延蛍光ドーパントを含むものでありうる。
【0235】
本明細書において、遅延蛍光ドーパントは、遅延蛍光放出メカニズムにより、遅延蛍光を放出することができる任意の化合物のうちからも選択される。
【0236】
前記発光層に含まれた遅延蛍光ドーパントは、前記発光層に含まれた他物質の種類により、ホストまたはドーパントの役割を行うことができる。
【0237】
一具現例によれば、前記遅延蛍光ドーパントの三重項エネルギーレベル（ｅＶ）と、前記遅延蛍光ドーパントの一重項エネルギーレベル（ｅＶ）との差は、０ｅＶ以上０．５ｅＶ以下でありうる。前記遅延蛍光ドーパントの三重項エネルギーレベル（ｅＶ）と、前記遅延蛍光ドーパントの一重項エネルギーレベル（ｅＶ）との差が、前述のような範囲を満足することにより、前記遅延蛍光ドーパントにおいて、三重項状態から一重項状態への逆エネルギー移動（up-conversion）が効果的になされ、前記発光素子１０の発光効率などが向上されうる。
【0238】
例えば、前記遅延蛍光ドーパントは、i）少なくとも１つの電子ドナー（例えば、カルバゾール基のようなπ電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環基（π electron－rich Ｃ３－Ｃ６０ cyclic group））、及び少なくとも１つの電子アクセプタ（例えば、スルホキシド基、シアノ基、π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基（π electroｎ－deficient nitrogen－containing Ｃ１－Ｃ６０cyclic group））を含む物質、ii）ホウ素（Ｂ）を共有しながら縮合された２つ以上の環式基を含むＣ８－Ｃ６０多環基を含む物質などを含むものでありうる。
【0239】
前記遅延蛍光ドーパントの例は、下記化合物ＤＦ１ないしＤＦ９のうち少なくとも一つを含むものでありうる。
【0240】
＜ＤＦ１～ＤＦ７＞
【0241】
＜ＤＦ８～ＤＦ９＞
【0242】
［量子点(量子ドット)］
前記電子装置は、量子点を含むものでありうる。例えば、前記電子装置は、色変換層を含むものでありうるのであり、前記色変換層は、量子点を含むものでありうる。
前記電子装置は、量子点を含むものでありうる。例えば、前記電子装置は、色変換層を含むものでありうるのであり、前記色変換層は、量子点を含むものでありうる。
【0243】
本明細書において量子点は、半導体化合物の結晶を意味し、該結晶の大きさにより、多様な発光の波長の光を放出することができる任意の物質を含むものでありうる。
【0244】
前記量子点の直径は、例えば、約１ｎｍないし１０ｎｍでありうる。
【0245】
前記量子点は、湿式化学工程、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition）工程、分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）工程、またはそれらと類似した工程によっても合成される。
【0246】
前記湿式化学工程は、有機溶媒と前駆体物質とを混合した後、量子点の粒子結晶を成長させる方法である。前記結晶が成長する際、該有機溶媒が、自然に量子点結晶表面に配位された分散剤の役割を行い、前記結晶の成長を調節するので、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシ（ＭＢＥ）といった気相蒸着法よりも、さらに容易であり、低コストの工程を通じて、量子点粒子の成長を制御することができる。
【0247】
前記量子点は、II－VI族半導体化合物；III－Ｖ族半導体化合物；III－VI族半導体化合物；Ｉ－III－VI族半導体化合物；IV－VI族半導体化合物；IV族元素またはその化合物；あるいはその任意の組み合わせ；を含むものでありうる。
【0248】
前記II－VI族半導体化合物の例は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳのような二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳのような三元素化合物；ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅのような四元素化合物；またはこれらの任意の組み合わせ；を含むものでありうる。
【0249】
前記III－Ｖ族半導体化合物の例は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂのような二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂのような三元素化合物；ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂのような四元素化合物；またはこれらの任意の組み合わせ；を含むものでありうる。一方、前記III－Ｖ族半導体化合物は、II族元素をさらに含むものでありうる。II族元素をさらに含むIII－Ｖ族半導体化合物の例は、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＺｎＰ、ＩｎＡｌＺｎＰなどを含むものでありうる。
【0250】
前記III－VI族半導体化合物の例は、ＧａＳ、ＧａＳｅ、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＩｎＴｅのような二元素化合物；ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３のような三元素化合物；またはその任意の組み合わせ；を含むものでありうる。
【0251】
前記Ｉ－III－VI族半導体化合物の例は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２のような三元素化合物；またはその任意の組み合わせ；を含むものでありうる。
【0252】
前記IV－VI族半導体化合物の例は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅのような二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅのような三元素化合物；ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅのような四元素化合物；またはその任意の組み合わせ；を含むものでありうる。
【0253】
前記IV族元素またはその化合物は、Ｓｉ、Ｇｅのような単一元素化合物；ＳｉＣ、ＳｉＧｅのような二元素化合物；またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0254】
前記二元素化合物、三元素化合物及び四元素化合物のような多元素化合物に含まれたそれぞれの元素は、均一な濃度または不均一な濃度に粒子内に存在しうる。
【0255】
一方、前記量子点は、当該量子点に含まれたそれぞれの元素の濃度が均一な単一構造、またはコア・シェルの二重構造を有することができる。例えば、前記コアに含まれた物質と、前記シェルに含まれた物質は、互いに異なりうる。
【0256】
前記量子点のシェルは、前記コアの化学的変性を防止し、半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／または量子点に電気泳動特性を付与するためのチャージング層（charging layer）の役割を遂行することができる。前記シェルは、単層または多重層でありうる。コアとシェルとの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（gradient）を有することができる。
【0257】
前記量子点のシェルの例としては、金属、半金属または非金属の酸化物、半導体化合物、またはそれらの組み合わせなどを挙げることができる。前述の金属、半金属または非金属の酸化物の例は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯのような二元素化合物；ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４のような三元素化合物；またはその任意の組み合わせ；を含むものでありうる。前記半導体化合物の例は、本明細書に記載されたような、II－VI族半導体化合物；III－Ｖ族半導体化合物；III－VI族半導体化合物；Ｉ－III－VI族半導体化合物；IV－VI族半導体化合物；またはこれらの任意の組み合わせ；を含むものでありうる。例えば、前記半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、またはこれらの任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0258】
該量子点は、約４５ｎｍ以下、具体的には、約４０ｎｍ以下、さらに具体的には、約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ）を有することができ、この範囲において、色純度や色再現性を向上させることができる。また、そのような量子点を介して発光される光は、全方向に放出されるが、光視野角が向上されうる。
【0259】
また、該量子点の形態は、具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム型（multi-arm）または立方体（cubic）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノファイバ、ナノ板状粒子のような形態でありうる。
【0260】
前記量子点の大きさを調節することにより、エネルギーバンドギャップの調節が可能であるので、量子点発光層において、多様な波長帯の光を得ることができる。従って、互いに異なる大きさの量子点を使用することにより、さまざまな波長の光を放出する発光素子を具現することができる。具体的には、前記量子点の大きさは、赤色光、緑色光及び／または青色光が放出されるようにも選択される。また、前記量子点の大きさは、多様な色の光が結合され、白色光を放出するようにも構成される。
【0261】
［中間層１３０における電子輸送領域］
前記電子輸送領域は、i）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ii）複数の互いに異なる物質を含む単一層からなる単層構造、またはiii）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有することができる。
前記電子輸送領域は、i）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ii）複数の互いに異なる物質を含む単一層からなる単層構造、またはiii）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有することができる。
【0262】
前記電子輸送領域は、バッファ層、電子輸送層、正孔阻止層、電子注入層、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記バッファ層は、前述の第１バッファ層及び第２バッファ層を含むものでありうる。
【0263】
例えば、前記電子輸送領域は、発光層から順に積層された第１バッファ層／第２バッファ層／電子輸送層の構造を含むものでありうる。
【0264】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域において、正孔阻止層または電子輸送層）は、少なくとも１つのπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基を含む金属非含有（metal-free）化合物を含むものでありうる。
【0265】
例えば、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１で表された化合物を含むものでありうる。
【0266】
＜化６０１＞
［Ａｒ６０１］ｘｅ１１－［（Ｌ６０１）ｘｅ１－Ｒ６０１］ｘｅ２１
［Ａｒ６０１］ｘｅ１１－［（Ｌ６０１）ｘｅ１－Ｒ６０１］ｘｅ２１
【0267】
前記化学式６０１にて、
Ａｒ６０１及びＬ６０１は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ａｒ６０１及びＬ６０１は、互いに独立して、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
【0268】
ｘｅ１１は、１、２または３であり、
ｘｅ１は、０、１、２、３、４または５であり、
ｘｅ１は、０、１、２、３、４または５であり、
【0269】
Ｒ６０１は、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）であり、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、
－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）、または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）であり、
【0270】
前記Ｑ６０１ないしＱ６０３に係わる説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係わる説明を参照し、
【0271】
ｘｅ２１は、１、２、３、４または５であり、
前述のＡｒ６０１、Ｌ６０１及びＲ６０１のうち少なくとも一つは、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基でありうる。
前述のＡｒ６０１、Ｌ６０１及びＲ６０１のうち少なくとも一つは、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基でありうる。
【0272】
例えば、前記化学式６０１で、ｘｅ１１が２以上である場合、２つ以上のＡｒ６０１は、単結合を介して互いに連結されうる。
【0273】
他の例として、前記化学式６０１にて、Ａｒ６０１は、置換もしくは非置換のアントラセン基でありうる。
【0274】
さらに他の例として、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１－１で表された化合物を含むものでありうる。
【0275】
＜化６０１－１＞
【0276】
前記化学式６０１－１にて、
Ｘ６１４は、ＮまたはＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、ＮまたはＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、ＮまたはＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４ないしＸ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１ないしＬ６１３に係わる説明は、それぞれ前記Ｌ６０１に係わる説明を参照し、
ｘｅ６１１ないしｘｅ６１３に係わる説明は、それぞれ前記ｘｅ１に係わる説明を参照し、
Ｘ６１４は、ＮまたはＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、ＮまたはＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、ＮまたはＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４ないしＸ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１ないしＬ６１３に係わる説明は、それぞれ前記Ｌ６０１に係わる説明を参照し、
ｘｅ６１１ないしｘｅ６１３に係わる説明は、それぞれ前記ｘｅ１に係わる説明を参照し、
【0277】
Ｒ６１１ないしＲ６１３に係わる説明は、それぞれ前記Ｒ６０１に係わる説明を参照し、
【0278】
Ｒ６１４ないしＲ６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基でありうる。
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、または、
少なくとも１つのＲ１０ａで置換されたか、もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基でありうる。
【0279】
例えば、前記化学式６０１及び６０１－１にて、ｘｅ１、及びｘｅ６１１ないしｘｅ６１３は、互いに独立し、０、１または２でありうる。
【0280】
前記電子輸送領域は、下記化合物ＥＴ１ないしＥＴ４５のうちの一つ、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0281】
＜ＥＴ１～ＥＴ１６＞
【0282】
＜ＥＴ１７～ＥＴ２５＞
【0283】
＜ＥＴ２６～ＥＴ３２＞
【0284】
＜ＥＴ３３～ＥＴ４０＞
【0285】
＜ＥＴ４１～ＥＴ４５＞
【0286】
＜Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ＞
【0287】
前記第１バッファ層、及び第２バッファ層に含まれる化合物については、前述のところを参照する。
【0288】
前記電子輸送領域の厚みは、約１００Åないし約５，０００Å、例えば、約１６０Åないし約４，０００Åでありうる。前記電子輸送領域が、正孔阻止層、電子輸送層、またはその任意の組み合わせを含む場合、正孔阻止層または電子輸送層の厚みは、互いに独立して、約２０Åないし約１，０００Å、例えば、約３０Åないし約３００Åであり、前記電子輸送層の厚みは、約１００Åないし約１，０００Å、例えば、約１５０Åないし約５００Åでありうる。前記正孔阻止層及び／または電子輸送層の厚みが、前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。
【0289】
前記第１バッファ層の厚み、及び前記第２バッファ層の厚みは、互いに独立して、約１０Åないし約５００Å、例えば、約３０Åないし約３００Å、例えば、約６０Åないし約１５０Åでありうる。第１バッファ層及び第２バッファ層の厚みが１０Å未満である場合、電子注入制御が困難であり、第１バッファ層及び第２バッファ層の厚みが５００Åを超える場合、駆動電圧が急激に上昇される。
【0290】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域における電子輸送層）は、前述のような物質以外に、金属含有物質をさらに含むものでありうる。
【0291】
前記金属含有物質は、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記アルカリ金属錯体の金属イオンは、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン、ＲｂイオンまたはＣｓイオンでもあり、前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンは、Ｂｅイオン、Ｍｇイオン、Ｃａイオン、ＳｒイオンまたはＢａイオンでありうる。前記アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体の金属イオンに配位されたリガンドは、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、シクロペンタジエン、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0292】
例えば、前記金属含有物質は、Ｌｉ錯体を含むものでありうる。前記Ｌｉ錯体は、例えば、下記の化合物ＥＴ－Ｄ１（ＬｉＱ）または化合物ＥＴ－Ｄ２を含むものでありうる。
【0293】
＜ＥＴ－Ｄ１～ＥＴ－Ｄ２＞
【0294】
前記電子輸送領域は、第２電極１５０からの電子注入を容易にする電子注入層を含むものでありうる。前記電子注入層は、前記第２電極１５０と直接（directly）接触しうる。
【0295】
前記電子注入層は、i）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ii）複数の互いに異なる物質を含む単一層からなる単層構造、またはiii）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を有する多層構造を有しうる。
【0296】
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0297】
前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記アルカリ土類金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記希土類金属はＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｇｄ、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0298】
前記アルカリ金属含有化合物、前記アルカリ土類金属含有化合物及び前記希土類金属含有化合物は、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属及び前記希土類金属それぞれの、酸化物、ハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物）、テルリド、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0299】
前記アルカリ金属含有化合物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏのようなアルカリ金属酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのようなアルカリ金属ハロゲン化物、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記アルカリ土類金属含有化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａｘＳｒ１－ｘＯ（ｘは、０＜ｘ＜１を満足する実数である）、ＢａｘＣａ１－ｘＯ（ｘは、０＜ｘ＜１を満足する実数である）のようなアルカリ土類金属化合物を含むものでありうる。前記希土類金属含有化合物は、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３、ＹｂＩ３、ＳｃＩ３、ＴｂＩ３、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。または、前記希土類金属含有化合物は、ランタニド金属テルリドを含むものでありうる。前記ランタニド金属テルリドの例は、ＬａＴｅ、ＣｅＴｅ、ＰｒＴｅ、ＮｄＴｅ、ＰｍＴｅ、ＳｍＴｅ、ＥｕＴｅ、ＧｄＴｅ、ＴｂＴｅ、ＤｙＴｅ、ＨｏＴｅ、ＥｒＴｅ、ＴｍＴｅ、ＹｂＴｅ、ＬｕＴｅ、Ｌａ２Ｔｅ３、Ｃｅ２Ｔｅ３、Ｐｒ２Ｔｅ３、Ｎｄ２Ｔｅ３、Ｐｍ２Ｔｅ３、Ｓｍ２Ｔｅ３、Ｅｕ２Ｔｅ３、Ｇｄ２Ｔｅ３、Ｔｂ２Ｔｅ３、Ｄｙ２Ｔｅ３、Ｈｏ２Ｔｅ３、Ｅｒ２Ｔｅ３、Ｔｍ２Ｔｅ３、Ｙｂ２Ｔｅ３、Ｌｕ２Ｔｅ３などを含むものでありうる。
【0300】
前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体及び前記希土類金属錯体は、i）前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のイオンのうち一つ、及びii）前記金属イオンと結合したリガンドとして、例えば、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、シクロペンタジエン、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0301】
前記電子注入層は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはその任意の組み合わせだけによってなるか、あるいは有機物（例えば、前記化学式６０１で表された化合物）をさらに含むものでありうる。
【0302】
一具現例によれば、前記電子注入層は、i）アルカリ金属含有化合物（例えば、アルカリ金属ハロゲン化物）によってなるか、あるいはii）ａ）アルカリ金属含有化合物（例えば、アルカリ金属ハロゲン化物）、及びｂ）アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはその任意の組み合わせによってもなる。例えば、前記電子注入層は、ＫＩ：Ｙｂ共蒸着層、ＲｂＩ：Ｙｂ共蒸着層などでありうる。
【0303】
前記電子注入層が有機物をさらに含む場合、前述のアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはその任意の組み合わせは、前記有機物を含むマトリックス中に、均一または不均一に分散されているのでありうる。
【0304】
前記電子注入層の厚みは、約１Åないし約１００Å、約３Åないし約９０Åでありうる。前記電子注入層の厚みが、前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧上昇なしに、満足すべき電子注入特性を得ることができる。
【0305】
［第２電極１５０］
前述のような中間層１３０上部には、第２電極１５０が配されている。前記第２電極１５０は、電子注入電極であるカソードでありうるが、このとき、前記第２電極１５０用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、またはその任意の組み合わせを使用することができる。
前述のような中間層１３０上部には、第２電極１５０が配されている。前記第２電極１５０は、電子注入電極であるカソードでありうるが、このとき、前記第２電極１５０用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、またはその任意の組み合わせを使用することができる。
【0306】
前記第２電極１５０は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム・インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム・銀（Ｍｇ－Ａｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀・イッテルビウム（Ａｇ－Ｙｂ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記第２電極１５０は、透過型電極、半透過型電極または反射型電極でありうる。
【0307】
前記第２電極１５０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有しうる。
【0308】
［キャッピング層］
第１電極１１０の外側には、第１キャッピング層が配されるか、かつ／あるいは第２電極１５０外側には、第２キャッピング層が配されうる。具体的には、前記発光素子１０は、第１キャッピング層、第１電極１１０、中間層１３０及び第２電極１５０が順に積層された構造；第１電極１１０、中間層１３０、第２電極１５０及び第２キャッピング層が順に積層された構造；または第１キャッピング層、第１電極１１０、中間層１３０、第２電極１５０及び第２キャッピング層が順に積層された構造を有しうる。
第１電極１１０の外側には、第１キャッピング層が配されるか、かつ／あるいは第２電極１５０外側には、第２キャッピング層が配されうる。具体的には、前記発光素子１０は、第１キャッピング層、第１電極１１０、中間層１３０及び第２電極１５０が順に積層された構造；第１電極１１０、中間層１３０、第２電極１５０及び第２キャッピング層が順に積層された構造；または第１キャッピング層、第１電極１１０、中間層１３０、第２電極１５０及び第２キャッピング層が順に積層された構造を有しうる。
【0309】
発光素子１０の中間層１３０における発光層で生成された光は、半透過型電極または透過型電極である第１電極１１０及び第１キャッピング層を経て、外部に取り出され、発光素子１０の中間層１３０における発光層で生成された光は、半透過型電極または透過型電極である第２電極１５０及び第２キャッピング層を経て、外部に取り出されうる。
【0310】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層は、補強干渉の原理により、外部発光効率を向上させる役割を行うことができる。それにより、前記発光素子１０の光抽出効率が上昇され、前記発光素子１０の発光効率が向上されうる。
【0311】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層それぞれは、１．６以上の屈折率（５８９ｎｍにおけるもの）を有する物質を含むものでありうる。
【0312】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層は、互いに独立して、有機物を含む有機キャッピング層、無機物を含む無機キャッピング層、または有機物及び無機物を含む有機・無機複合キャッピング層でありうる。
【0313】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、炭素環化合物、ヘテロ環化合物、アミン基含有化合物、ポルフィン誘導体（porphine derivatives）、フタロシアニン誘導体（phthalocyanine derivativeｓ）、ナフタロシアニン誘導体（naphthalocyanine derivatives）、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。前記炭素環化合物、前記ヘテロ環化合物及び前記アミン基含有化合物は、選択的に、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはこれらの任意の組み合わせを含む置換基で置換されうる。一具現例によれば、前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、アミン基含有化合物を含むものでありうる。
【0314】
例えば、前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、前記化学式２０１で表された化合物、前記化学式２０２で表された化合物、またはその任意の組み合わせを含むものでありうる。
【0315】
さらに他の具現例によれば、前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、前記化合物ＨＴ２８ないしＨＴ３３のうち一つ、下記化合物ＣＰ１ないしＣＰ６のうち一つ、β－ＮＰＢ、またはその任意の化合物を含むものでありうる。
【0316】
＜ＣＰ１～ＣＰ６、β－ＮＰＢ＞
【0317】
［電子装置］
前記発光素子は、各種電子装置にも含まれる。例えば、前記発光素子を含む電子装置は、発光装置、認証装置などでありうる。
前記発光素子は、各種電子装置にも含まれる。例えば、前記発光素子を含む電子装置は、発光装置、認証装置などでありうる。
【0318】
前記電子装置（例えば、発光装置）は、前記発光素子以外に、i）カラーフィルタ、ii）色変換層、またはiii）カラーフィルタ及び色変換層をさらに含むものでありうる。前記カラーフィルタ及び／または前記色変換層は、発光素子から放出される光の少なくとも１つの進行方向上に配されうる。例えば、前記発光素子から放出される光は、青色光でありうる。前記発光素子に係わる説明は、前述のところを参照する。一具現例によれば、前記色変換層は、量子点を含むものでありうる。前記量子点は、例えば、本明細書に記載されたような量子点でありうる。
【0319】
前記電子装置は、第１基板を含むものでありうる。前記第１基板は、複数の副画素領域を含み、前記カラーフィルタは、前記複数の副画素領域それぞれに対応する複数のカラーフィルタ領域を含み、前記色変換層は、前記複数の副画素領域それぞれに対応する複数の色転換領域を含みうる。
【0320】
前記複数の副画素領域同士の間に、画素定義膜が配置され、それぞれの副画素領域が区画される。
【0321】
前記カラーフィルタは、複数のカラーフィルタ領域、及び複数のカラーフィルタ領域同士の間に配された遮光パターンをさらに含みうるのであり、前記色変換層は、複数の色転換領域、及び複数の色転換領域間に配された遮光パターンをさらに含みうる。
【0322】
前記複数のカラーフィルタ領域（または、複数の色転換領域）は、第１色光を放出する第１領域；第２色光を放出する第２領域；及び／または第３色光を放出する第３領域を含み、前記第１色光、前記第２色光及び／または前記第３色光は、互いに異なる最大発光波長を有しうる。例えば、前記第１色光は、赤色光であり、前記第２色光は、緑色光であり、前記第３色光は、青色光でありうる。例えば、前記複数のカラーフィルタ領域（または、複数の色転換領域）は、量子点を含むものでありうる。具体的には、前記第１領域は、赤色量子点を含み、前記第２領域は、緑色量子点を含み、前記第３領域は、量子点を含まないものでありうる。該量子点に係わる説明は、本明細書に記載されたところを参照する。前記第１領域、前記第２領域及び／または前記第３領域は、それぞれ散乱体をさらに含むものでありうる。
【0323】
例えば、前記発光素子は、第１光を放出し、前記第１領域は、前記第１光を吸収し、第１－１色光を放出し、前記第２領域は、前記第１光を吸収し、第２－１色光を放出し、前記第３領域は、前記第１光を吸収し、第３－１色光を放出することができる。ここで、前記第１－１色光、前記第２－１色光及び前記第３－１色光は、互いに異なる最大発光波長を有しうる。具体的には、前記第１光は、青色光でありうるのであり、前記第１－１色光は、赤色光でありうるのであり、前記第２－１色光は、緑色光でありうるのであり、前記第３－１色光は、青色光でありうる。
【0324】
前記電子装置は、前述のような発光素子以外に、薄膜トランジスタをさらに含むものでありうる。前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及び活性層を含むものでありうるのであり、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一つと、前記発光素子の第１電極及び第２電極のうちいずれか一つは、電気的に連結されうる。
【0325】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜をさらに含むものでありうる。
【0326】
前記活性層は、結晶質シリコン、非晶質シリコン、有機半導体、酸化物半導体などを含むものでありうる。
【0327】
前記電子装置は、発光素子を密封する密封部をさらに含むものでありうる。前記密封部は前記カラーフィルタ及び／または色変換層と、前記発光素子との間に配置されうる。前記密封部は、前記発光素子からの光が外部に取り出されるようにしながら、同時に前記発光素子に、外気及び水分が浸透することを遮断する。前記密封部は、透明なガラス基板またはプラスチック基板を含む密封基板でありうる。前記密封部は、有機層及び／または無機層を１層以上含む薄膜封止層でありうる。前記密封部が該薄膜封止層である場合、前記電子装置は、フレキシブルでありうる。
【0328】
前記密封部上には、前記カラーフィルタ及び／または色変換層以外に、前記電子装置の用途により、多様な機能層が追加して配置されうる。前記機能層の例は、タッチスクリーン層、偏光層などを含むものでありうる。前記タッチスクリーン層は、減圧式タッチスクリーン層、静電式タッチスクリーン層または赤外線式タッチスクリーン層でありうる。前記認証装置は、例えば、生体（例えば、指先、瞳）の生体情報を利用し、個人を認証する生体認証装置でありうる。
【0329】
前記認証装置は、前述のような発光素子以外に、生体情報収集手段をさらに含むものでありうる。
【0330】
前記電子装置は、各種ディスプレイ、光源、照明、パソコン（例えば、モバイル型パソコン）、携帯電話、デジタル写真機、電子手帳、電子辞典、電子ゲーム機、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、プロジェクタなどにも応用される。
【0331】
【0332】
図３の電子装置は、基板１００、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光素子、及び発光素子を密封する封止部３００を含む。
【0333】
前記基板１００は、可撓性基板、ガラス基板または金属基板でありうる。前記基板１００上には、バッファ層２１０が配されうる。前記バッファ層２１０は、基板１００を介する不純物の浸透を防止し、基板１００上部に、平坦な面を提供する役割を行うことができる。
【0334】
前記バッファ層２１０上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が配されうる。前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、活性層２２０、ゲート電極２４０、ソース電極２６０及びドレイン電極２７０を含むものでありうる。
【0335】
前記活性層２２０は、シリコンまたはポリシリコンのような無機半導体、有機半導体、または酸化物半導体を含みうるのであり、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む。
【0336】
前記活性層２２０の上部には、活性層２２０とゲート電極２４０とを絶縁するためのゲート絶縁膜２３０が配され、ゲート絶縁膜２３０上部には、ゲート電極２４０が配置されうる。
【0337】
前記ゲート電極２４０の上部には、層間絶縁膜２５０が配されうる。前記層間絶縁膜２５０は、ゲート電極２４０とソース電極２６０との間、及びゲート電極２４０とドレイン電極２７０との間に配され、それらを絶縁する役割を行う。
【0338】
前記層間絶縁膜２５０上には、ソース電極２６０及びドレイン電極２７０が配されうる。層間絶縁膜２５０及びゲート絶縁膜２３０は、活性層２２０のソース領域及びドレイン領域が露出されるようにも形成され、そのような活性層２２０の露出されたソース領域及びドレイン領域と接するように、ソース電極２６０及びドレイン電極２７０が配されうる。
【0339】
そのような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、発光素子に電気的に連結され、発光素子を駆動させることができ、パッシベーション層２８０で覆われて保護される。パッシベーション層２８０は、無機絶縁膜、有機絶縁膜、またはその組み合わせを含むものでありうる。パッシベーション層２８０上には、発光素子が具備される。前記発光素子は、第１電極１１０、中間層１３０及び第２電極１５０を含む。
【0340】
前記第１電極１１０は、パッシベーション層２８０上に配置されうる。パッシベーション層２８０は、ドレイン電極２７０の全体を覆わず、所定領域を露出させるようにも配置され、露出されたドレイン電極２７０と連結されるように、第１電極１１０が配置されうる。
【0341】
前記第１電極１１０上に、絶縁物を含む画素定義膜２９０が配置されうる。画素定義膜２９０は、第１電極１１０の所定領域を露出させ、露出された領域に、中間層１３０が形成されうる。画素定義膜２９０は、ポリイミド系またはポリアクリル系の有機膜でありうる。図３に図示されていないが、中間層１３０のうち一部以上の層は、画素定義膜２９０の上側にまで延長され、共通層の形態に配置されうる。
【0342】
前記中間層１３０上には、第２電極１５０が配され、第２電極１５０上には、キャッピング層１７０が追加して形成されうる。キャッピング層１７０は、第２電極１５０を覆うようにも形成される。
【0343】
前記キャッピング層１７０上には、封止部３００が配されうる。封止部３００は、発光素子上に配され、水分や酸素から発光素子を保護する役割を行うことができる。封止部３００は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはその任意の組み合わせを含む無機膜；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、エポック時計収支（例えば、ＡＧＥ（aliphatic glycidyl ether））、またはその任意の組み合わせを含む有機膜；または無機膜と有機膜との組み合わせ；を含むものでありうる。
【0344】
図４は、本発明の他の具現例による電子装置の断面図である。
【0345】
図４の電子装置は、封止部３００上部に、遮光パターン５００及び機能性領域４００が追加して配されているという点を除いては、図３の発光装置と同一発光装置である。前記機能性領域４００は、i）カラーフィルタ領域、ii）色転換領域、またはiii）カラーフィルタ領域と色転換領域との組み合わせでありうる。一具現例によれば、図４の電子装置に含まれた発光素子は、タンデム発光素子でありうる。
【0346】
［製造方法］
前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層は、それぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザ熱転写（ＬＩＴＩ：laser induced thermal imaging）法といった多様な方法を利用し、所定領域に形成されうる。
前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層は、それぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザ熱転写（ＬＩＴＩ：laser induced thermal imaging）法といった多様な方法を利用し、所定領域に形成されうる。
【0347】
該真空蒸着法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、蒸着条件は、例えば、約１００℃ないし約５００℃の蒸着温度、約１０－８ないし約１０－３ｔｏｒｒの真空度、及び約０．０１ないし約１００Å／ｓｅｃの蒸着速度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されうる。
【0348】
該スピンコーティング法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、コーティング条件は、例えば、約２，０００ｒｐｍないし約５，０００ｒｐｍのコーティング速度、及び約８０℃ないし２００℃の熱処理温度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されうる。
【0349】
［用語の定義］
本明細書において、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、環形成原子として、炭素だけからなるＣ３－Ｃ６０環基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、炭素以外に、環形成原子として、ヘテロ原子をさらに含むＣ１－Ｃ６０環基を意味する。前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、及び前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基それぞれは、１個の環からなる単環基、または２以上の環が互いに縮合されている多環基でありうる。例えば、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の環形成原子数は、３個ないし６１個でありうる。
本明細書において、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、環形成原子として、炭素だけからなるＣ３－Ｃ６０環基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、炭素以外に、環形成原子として、ヘテロ原子をさらに含むＣ１－Ｃ６０環基を意味する。前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、及び前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基それぞれは、１個の環からなる単環基、または２以上の環が互いに縮合されている多環基でありうる。例えば、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の環形成原子数は、３個ないし６１個でありうる。
【0350】
本明細書において、環式基は、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、及び、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基いずれをも含む。
【0351】
本明細書において、π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環基は、環形成モイエティとして、＊－Ｎ＝＊’を含まないＣ３－Ｃ６０環基を意味し、π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基は、環形成モイエティとして、＊－Ｎ＝＊’を含むＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基を意味する。
【0352】
例えば、
前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、i）グループＴ１、またはii）２つ以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基（例えば、シクロペンタジエン基、アダマンタン基、ノルボルナン基、ベンゼン基、ペンタレン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ペリレン基、ペンタフェン基、ヘプタレン基、ナフタセン基、ピセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、インデン基、フルオレン基、スピロ－ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、インデノフェナントレン基またはインデノアントラセン基）でありうるのであり、
前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、i）グループＴ１、またはii）２つ以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基（例えば、シクロペンタジエン基、アダマンタン基、ノルボルナン基、ベンゼン基、ペンタレン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ペリレン基、ペンタフェン基、ヘプタレン基、ナフタセン基、ピセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、インデン基、フルオレン基、スピロ－ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、インデノフェナントレン基またはインデノアントラセン基）でありうるのであり、
【0353】
前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、i）グループＴ２、ii）２つ以上のグループＴ２が互いに縮合された縮合環基、またはiii）１つ以上のグループＴ２と、１つ以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、ピロール基、チオフェン基、フラン基、インドール基、ベンゾインドール基、ナフトインドール基、イソインドール基、ベンゾイソインドール基、ナフトイソインドール基、ベンゾシロール基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾフラン基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、ベンゾシロロカルバゾール基、ベンゾインドロカルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾナフトフラン基、ベンゾナフトチオフェン基、ベンゾナフトシロール基、ベンゾフロジベンゾフラン基、ベンゾフロジベンゾチオフェン基、ベンゾチエノジベンゾチオフェン基、ピラゾール基、イミダゾール基、トリアゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、チアジアゾール基、ベンゾピラゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイソキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾイソチアゾール基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、トリアジン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、ベンゾイソキノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノキサリン基、キナゾリン基、ベンゾキナゾリン基、フェナントロリン基、シンノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、イミダゾトリアジン基、イミダゾピラジン基、イミダゾピリダジン基、アザカルバゾール基、アザフルオレン基、アザジベンゾシロール基、アザジベンゾチオフェン基、アザジベンゾフラン基）でありうるのであり、
【0354】
前記π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環基は、i）グループＴ１、ii）２つ以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基、iii）グループＴ３、iv）２つ以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基、またはv）１つ以上のグループＴ３と、１つ以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、１Ｈ－ピロール基、シロール基、ボロール（borole）基、２Ｈ－ピロール基、３Ｈ－ピロール基、チオフェン基、フラン基、インドール基、ベンゾインドール基、ナフトインドール基、イソインドール基、ベンゾイソインドール基、ナフトイソインドール基、ベンゾシロール基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾフラン基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、ベンゾシロロカルバゾール基、ベンゾインドロカルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾナフトフラン基、ベンゾナフトチオフェン基、ベンゾナフトシロール基、ベンゾフロジベンゾフラン基、ベンゾフロジベンゾチオフェン基、ベンゾチエノジベンゾチオフェン基）でありうるのであり、
【0355】
前記π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基は、i）グループＴ４、ii）２つ以上のグループＴ４が互いに縮合された縮合環基、iii）１つ以上のグループＴ４と、１つ以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基、iv）１つ以上のグループＴ４と、１つ以上のグループＴ３とが互いに縮合された縮合環基、またはv）１つ以上のグループＴ４、１つ以上のグループＴ１、及び１以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基（例えば、ピラゾール基、イミダゾール基、トリアゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、チアジアゾール基、ベンゾピラゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイソキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾイソチアゾール基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、トリアジン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、ベンゾイソキノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノキサリン基、キナゾリン基、ベンゾキナゾリン基、フェナントロリン基、シンノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、イミダゾトリアジン基、イミダゾピラジン基、イミダゾピリダジン基、アザカルバゾール基、アザフルオレン基、アザジベンゾシロール基、アザジベンゾチオフェン基、アザジベンゾフラン基）でありうるのであり、
【0356】
前記グループＴ１は、シクロプロパン基、シクロブタン基、シクロペンタン基、シクロヘキサン基、シクロヘプタン基、シクロオクタン基、シクロブテン基、シクロペンテン基、シクロペンタジエン基、シクロヘキセン基、シクロヘキサジエン基、シクロヘプテン基、アダマンタン基、ノルボルナン（または、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン）基、ノルボルネン基、ビシクロ［１．１．１］ペンタン基、ビシクロ［２．１．１］ヘキサン基、ビシクロ［２．２．２］オクタン基またはベンゼン基でありうるのであり、
【0357】
前記グループＴ２は、フラン基、チオフェン基、１Ｈ－ピロール基、シロール基、ボロール基、２Ｈ－ピロール基、３Ｈ－ピロール基、イミダゾール基、ピラゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、チアジアゾール基、アザシロール基、アザボロール基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、トリアジン基、テトラジン基、ピロリジン基、イミダゾリジン基、ジヒドロピロール基、ピペリジン基、テトラヒドロピリジン基、ジヒドロピリジン基、ヘキサヒドロピリミジン基、テトラヒドロピリミジン基、ジヒドロピリミジン基、ピペラジン基、テトラヒドロピラジン基、ジヒドロピラジン基、テトラヒドロピリダジン基またはジヒドロピリダジン基でありうるのであり、
【0358】
前記グループＴ３は、フラン基、チオフェン基、１Ｈ－ピロール基、シロール基またはボロール基でありうるのであり、
【0359】
前記グループＴ４は、２Ｈ－ピロール基、３Ｈ－ピロール基、イミダゾール基、ピラゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、チアジアゾール基、アザシロール基、アザボロール基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、トリアジン基またはテトラジン基でありうる。
【0360】
本明細書において、環式基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環基またはπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環基という用語は、当該用語が使用された化学式の構造により、任意環式基に縮合されている基、一価基または多価基（例えば、二価基、三価基、四価基）でありうる。例えば、「ベンゼン基」は、ベンゾ基、フェニル基、フェニレン基などでありうるが、それは、「ベンゼン基」が含まれた化学式の構造により、当業者が容易に理解することができるであろう。
【0361】
例えば、一価Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及び一価Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の例は、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基を含むものでありうるのであり、二価Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及び二価Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の例は、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、Ｃ６－Ｃ６０アリーレン基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、二価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価非芳香族ヘテロ縮合多環基を含むものでありうる。
【0362】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基は、Ｃ１－Ｃ６０の線状または分枝状の脂肪族炭化水素一価基を意味し、その具体例には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、３－ペンチル基、ｓｅｃ－イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ｎ－ノニル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0363】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基は、Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素・炭素二重結合を含む一価炭化水素基を意味し、その具体例には、エテニル基、プロぺニル基、ブテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0364】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基は、Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素・炭素三重結合を含む一価炭化水素基を意味し、その具体例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0365】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基は、－ＯＡ１０１（ここで、Ａ１０１は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。
【0366】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基は、Ｃ３－Ｃ１０一価飽和炭化水素環基を意味し、その具体例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボルナニル基（または、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基）、ビシクロ［１．１．１］ペンチル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0367】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含むＣ１－Ｃ１０一価環基を意味し、その具体例には、１，２，３，４－オキサトリアゾリジニル基（１，２，３，４－oxatriazolidinyl）、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0368】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基は、Ｃ３－Ｃ１０一価環基であり、環内に、少なくとも１つの炭素・炭素二重結合を有するが、芳香族性（aromaticity）を有さない基を意味し、その具体例には、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0369】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含むＣ１－Ｃ１０一価環基であり、環内に、少なくとも１つの二重結合を有する。前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基の具体例には、４，５－ジヒドロ－１，２，３，４－オキサトリアゾリル基、２，３－ジヒドロフラニル基、２，３－ジヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0370】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリール基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ６－Ｃ６０アリーレン基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基の具体例には、フェニル基、ペンタレニル基、ナフチル基、アズレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘプタレニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基などが含まれる。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基及びＣ６－Ｃ６０アリーレン基が、２以上の環を含む場合、前記２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0371】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基の具体例には、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、ベンゾキノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントロリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基などが含まれる。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0372】
本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（non-aromaticity）を有する一価基（例えば、Ｃ８－Ｃ６０である）を意味する。前記一価非芳香族縮合多環基の具体例には、インデニル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、インデノフェナントレニル基、インデノアントラセニル基などが含まれる。本明細書において、二価非芳香族縮合多環基は、前記一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0373】
本明細書において、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素原子外に、少なくとも１つのヘテロ原子をさらに含み、分子全体が非芳香族性を有する一価基（例えば、Ｃ１－Ｃ６０である）を意味する。前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の具体例には、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、二価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0374】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基は、－ＯＡ１０２（ここで、Ａ１０２は、前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示し、前記Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基は、－ＳＡ１０３（ここで、Ａ１０３は、前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示す。
【0375】
本明細書において、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基は、－Ａ１０４Ａ１０５（ここで、Ａ１０４は、Ｃ１－Ｃ５４アルキレン基であり、Ａ１０５は、Ｃ６－Ｃ５９アリール基である）を示し、本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基は、－Ａ１０６Ａ１０７（ここで、Ａ１０６は、Ｃ１－Ｃ５９アルキレン基であり、Ａ１０７は、Ｃ１－Ｃ５９ヘテロアリール基である）を示す。
【0376】
本明細書において、「Ｒ１０ａ」は、
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基またはニトロ基；
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基またはニトロ基；
【0377】
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）、またはその任意の組み合わせ
でもって置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基またはＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
でもって置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基またはＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
【0378】
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）、またはその任意の組み合わせ
でもって置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基またはＣ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；あるいは
でもって置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基またはＣ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；あるいは
【0379】
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）または－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）；でありうる。
【0380】
本明細書において、Ｑ１ないしＱ３、Ｑ１１ないしＱ１３、Ｑ２１ないしＱ２３、及びＱ３１ないしＱ３３は、互いに独立して、
水素；重水素；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；Ｃ１－Ｃ６０アルキル基；Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基；Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基；Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基；
水素；重水素；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；Ｃ１－Ｃ６０アルキル基；Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基；Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基；Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基；
【0381】
重水素、－Ｆ、シアノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、またはその任意の組み合わせでもって置換されたか、もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、あるいはＣ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；でありうる。
【0382】
本明細書において、ヘテロ原子は、炭素原子を除いた任意の原子を意味する。前記ヘテロ原子の例は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｅ、またはその任意の組み合わせを含む。
【0383】
本明細書において、第３列遷移金属（third-row transition metal）は、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）または金（Ａｕ）などを含む。
【0384】
本明細書において、「Ｐｈ」は、フェニル基を意味し、「Ｍｅ」は、メチル基を意味し、「Ｅｔ」は、エチル基を意味し、「ｔｅｒ－Ｂｕ」または「Ｂｕｔ」は、ｔｅｒｔ－ブチル基を意味し、「ＯＭｅ」は、メトキシ基を意味する。
【0385】
本明細書において、「ビフェニル基」は、「フェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ビフェニル基」は、置換基が「Ｃ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0386】
本明細書において、「ターフェニル基」は、「ビフェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ターフェニル基」は、置換基が「Ｃ６－Ｃ６０アリール基で置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0387】
本明細書において、＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において、隣接原子との結合サイトを意味する。
【0388】
以下において、実施例を挙げ、本発明の一具現例による化合物及び発光素子についてさらに具体的に説明する。
【実施例0389】
発光素子の作製
＜比較例１（no buffer layer）＞
１５Ω／ｃｍ２（８００Å）ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯガラス基板（コーニング（Corning）社製）を、５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、１５分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に設置した。
＜比較例１（no buffer layer）＞
１５Ω／ｃｍ２（８００Å）ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯガラス基板（コーニング（Corning）社製）を、５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、１５分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に設置した。
【0390】
前記ガラス基板のＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯアノード上に、ＨＡＴ－ＣＮを５０Å厚に蒸着し、正孔注入層を形成し、前記正孔注入層上に、ＨＬＴ１を６００Å厚に蒸着し、正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に、ＢＨ及びＢＤを９７：３の重量比で共蒸着し、２００Å厚の第１発光層（青色）を形成し、前記第１発光層上に、ＴＰＭ－ＴＡＺ及びＬｉＱを１：１の重量比で共蒸着し、２００Å厚の電子輸送層を形成した。
【0391】
続けて、ＢＣＰ及びＬｉを、９９：１の重量比で共蒸着し、１５０Å厚のｎ型電荷生成層を形成し、前記ｎ型電荷生成層上に、ＨＡＴ－ＣＮを５０Å厚に蒸着し、ｐ型電荷生成層を形成した。
【0392】
前記ｐ型電荷生成層上に、ＨＬＴ１を５００Å厚に蒸着し、正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に、ＢＨ及びＢＤを９７：３の重量比で共蒸着し、２００Å厚の第２発光層（青色）を形成し、前記第２発光層上に、ＴＰＭ－ＴＡＺ及びＬｉＱを１：１の重量比で共蒸着し、２００Å厚の電子輸送層を形成した。
【0393】
続けて、ＢＣＰ及びＬｉを、９９：１の重量比で共蒸着し、１５０Å厚のｎ型電荷生成層を形成し、前記ｎ型電荷生成層上にＨＡＴ－ＣＮを５０Å厚に蒸着し、ｐ型電荷生成層を形成した。
【0394】
続けて、ＨＬＴ１を４００Å厚に蒸着し、正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に、ＢＨ及びＢＤを９７：３の重量比で共蒸着し、２００Å厚の第３発光層（青色）を形成し、前記第３発光層上に、ＴＰＭ－ＴＡＺ及びＬｉＱを１：１の重量比で共蒸着し、２００Å厚の電子輸送層を形成した。
【0395】
続けて、ＢＣＰ及びＬｉを９９：１の重量比で共蒸着し、１５０Å厚のｎ型電荷生成層を形成し、前記ｎ型電荷生成層上にＨＡＴ－ＣＮを５０Å厚に蒸着し、ｐ型電荷生成層を形成した。
【0396】
続けて、ＨＬＴ１を６００Å厚に蒸着し、正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に、化合物ＧＨ１及びＧＨ２をホスト（重量比５：５）にし、Ｇ－９をドーパントとして同時蒸着し、２００Å厚に第４発光層（緑色）を形成した（ドーピング濃度３重量％）。
【0397】
前記第４発光層上に、ＥＴＬ１及びＬｉＱを１：１の重量比で共蒸着し、３００Å厚の電子輸送層を形成した。
【0398】
続けて、Ｙｂを１０Å厚に蒸着した後、Ａｇ及びＭｇを９：１の重量比で１００Å厚に共蒸着し、カソードを形成することにより、タンデム(tandem)型発光素子を作製した。
【0399】
【0400】
【0401】
＜比較例２＞
前記第４発光層上に、化合物１－２３を２００Å厚に蒸着し、単一バッファ層を形成した後、電子輸送層を形成したことを除いては、比較例１と同等に発光素子を作製した。
前記第４発光層上に、化合物１－２３を２００Å厚に蒸着し、単一バッファ層を形成した後、電子輸送層を形成したことを除いては、比較例１と同等に発光素子を作製した。
【0402】
＜比較例３＞
前記第４発光層上に、化合物２－１４を２００Å厚に蒸着し、単一バッファ層を形成した後、電子輸送層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
前記第４発光層上に、化合物２－１４を２００Å厚に蒸着し、単一バッファ層を形成した後、電子輸送層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
【0403】
＜比較例４＞
前記第４発光層上に、化合物２－１４を１００Å厚に蒸着し、第１バッファ層を形成した後、続けて、化合物１－２３を１００Å厚に蒸着し、第２バッファ層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
前記第４発光層上に、化合物２－１４を１００Å厚に蒸着し、第１バッファ層を形成した後、続けて、化合物１－２３を１００Å厚に蒸着し、第２バッファ層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
【0404】
＜実施例１＞
前記第４発光層上に、化合物１－２３を１００Å厚に蒸着し、第１バッファ層を形成した後、続けて、化合物２－１４を１００Å厚に蒸着し、第２バッファ層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
前記第４発光層上に、化合物１－２３を１００Å厚に蒸着し、第１バッファ層を形成した後、続けて、化合物２－１４を１００Å厚に蒸着し、第２バッファ層を形成したことを除いては、比較例２と同等に発光素子を作製した。
【0405】
比較例１ないし４、及び実施例１で作製された発光素子の特性を評価するために、電流密度１０ｍÅ／ｃｍ２における駆動電圧、効率、寿命を測定した。結果を表２に示した。
【0406】
発光素子の駆動電圧及び電流密度は、ソースメーター（２４００シリーズ；Keithley Instrument社製）を利用して測定し、効率は、ハママツホトニクス社の測定装置Ｃ９９２０－２－１２を使用して測定した。
【0407】
なお、発光層（緑色）のホスト化合物ＧＨ－１，ＧＨ－２、バッファ層化合物１－２３，２－１４、電子輸送層化合物ＥＴＬ１のＬＵＭＯエネルギー値を下記表１に示した。
【0408】
【表1】
【0409】
【表2】
【0410】
前記表２において、Ｇ－ＥＭＬは、緑色発光層を意味する。
【0411】
実施例１の発光素子は、比較例１，３，４の発光素子対比で、駆動電圧が低いということが分かる。
【0412】
なお、輝度が高いほどに効率が低下する程度を見ると、実施例１の発光素子は、全ての比較例の発光素子に比べて、ロールオフ現象が改善されているということが分かる。
【0413】
実施例１は、２層のバッファ層を含み、第１バッファ層化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、ホスト化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２バッファ層化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、電子輸送層化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さく、第２バッファ層化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値が、第１バッファ層化合物のＬＵＭＯエネルギーの絶対値より小さい。
【0414】
比較例１は、バッファ層を含まず、比較例２，３は、単一バッファ層を含み、比較例４は、２層のバッファ層を含むが、化合物間のＬＵＭＯエネルギーの関係が前述の数式１ないし数式３をいずれも満足しない。
【0415】
好ましい一実施形態によると、下記のとおりである。
【0416】
本件の背景及び課題は下記(i)～(iv)のとおりである。
【0417】
(i) 従来技術によるリン光緑色発光層を含む発光素子の場合に下記の問題があることを見出すに至った。
(a) 励起子プロファイルは、正孔輸送領域の側に偏っており、そのため、「発光層と該正孔輸送領域との界面近辺で励起子が形成される」。（[0010]）
(b) また、「狭い再結合ゾーン（narrow recombination zone）が形成されるので」、「三重項・三重項消滅（ＴＴＡ：triplet-triplet annihilation）発生により、ロールオフ（roll-off）現象が生じた。」（[0011]）
(a) 励起子プロファイルは、正孔輸送領域の側に偏っており、そのため、「発光層と該正孔輸送領域との界面近辺で励起子が形成される」。（[0010]）
(b) また、「狭い再結合ゾーン（narrow recombination zone）が形成されるので」、「三重項・三重項消滅（ＴＴＡ：triplet-triplet annihilation）発生により、ロールオフ（roll-off）現象が生じた。」（[0011]）
【0418】
(ii) 特許文献１では、蒸着工程にてマスクが画素電極の上側の層に損傷を与えるという問題に対処すべく、バッファ層のHOMOエネルギー順位を、各発光層のHOMOエネルギー順位よりも高く設定することが提案されている。また、バッファ層のLUMOエネルギー順位について、電子制御層のLUMOエネルギー順位と、発光層のLUMOエネルギー順位との間の値としうることが開示されている。
【0419】
(iii) また、例えば、特許文献２では、リン光緑色発光層を含む複数の発光層が重ね合わされた発光素子が開示されている。
(iv) しかし、特許文献１～２には、上記問題点を解決することについて、別段の開示や示唆が含まれておらず、上記問題点についての言及もない。
(iv) しかし、特許文献１～２には、上記問題点を解決することについて、別段の開示や示唆が含まれておらず、上記問題点についての言及もない。
【0420】
本件発明は、好ましい一実施形態によると、下記Ａ１～Ａ３のとおりとする。また、下記Ａ４～Ａ１０の少なくともいずれかとすることができる。
【0421】
Ａ１ リン光緑色発光層を含む発光ユニットは、互いに順に直接に接触する、リン光緑色発光層、第１バッファ層、第２バッファ層、及び電子輸送層を含み、これらにそれぞれ含有される、ホスト化合物（Ｈ－１）、及び第１～３電子輸送性化合物（ＥＴ－１～ＥＴ－３）は、LUMOエネルギーの絶対値の大小関係が下記のとおりとする。
Ｈ－１＞ＥＴ－１＞ＥＴ－２＜ＥＴ－３
Ｈ－１＞ＥＴ－１＞ＥＴ－２＜ＥＴ－３
【0422】
Ａ２ 隣接する層同士の間での上記化合物のLUMOエネルギーの差は、０．２０ｅＶ以下であり、例えば、０．０２ｅＶ以上、０．０３ｅＶ以上、０．０４ｅＶ以上、または０．０５ｅＶ以上である。
【0423】
Ａ３ また、上記４つの化合物のLUMOエネルギーの絶対値を、下記のとおりとする。
Ｈ－１ －２．５ｅＶ～－２．７ｅＶ
ＥＴ－１ －２．５ｅＶ～－２．８ｅＶ
ＥＴ－２ －２．１ｅＶ～－２．４ｅＶ
ＥＴ－３ －２．６ｅＶ～－２．８ｅＶ
Ｈ－１ －２．５ｅＶ～－２．７ｅＶ
ＥＴ－１ －２．５ｅＶ～－２．８ｅＶ
ＥＴ－２ －２．１ｅＶ～－２．４ｅＶ
ＥＴ－３ －２．６ｅＶ～－２．８ｅＶ
【0424】
Ａ４ リン光緑色発光層を含む発光ユニットは、互いに重ね合わされ得るのであり（例えば表１）、青色や赤色などの発光層を含む発光ユニットと重ね合わされうる。
【0425】
Ａ５ リン光緑色発光層、第１バッファ層、第２バッファ層、及び電子輸送層において、Ｈ－１、ＥＴ－１、ＥＴ－２、及びＥＴ－３は、それぞれ、９０モル％ないし３０モル％で含まれ、より好ましくは、例えば、４０モル％以上、５０モル％以上、６０モル％以上または７０モル％以上で、かつ、９５モル％以下、９０モル％以下または８５モル％以下で含まれる。
【0426】
Ａ６ ＥＴ－１及びＥＴ－２は、一般化学式３１２－１ないし３１２－４、及び３１３のいずれかである。
【0427】
Ａ７ ＥＴ－１は、ＥＴ－１-1～ＥＴ－１-２３（[0068]～[0069]）から選択され、ＥＴ－２は、ＥＴ－２-1～ＥＴ－２-２３（[0071]～[0073]）から選択される。
【0428】
Ａ８ Ｈ－１は、ＨＴ１～ＨＴ４６など（[0130]～[0138]）から選択される。
【0429】
Ａ９ ＥＴ－３は、ＥＴ１～ＥＴ４５など（[0281]～[0285]）から選択される
【0430】
Ａ１０ リン光緑色発光層にＨ－１とともに含まれるリン光ドーパントは、一般化学式４０２のものであり、ＰＤ１ないしＰＤ２５及びＧ－１ないしＧ－１２（請求項１７及び[0215]～[0219]）から選択され、特には、Ｇ－１ないしＧ－１２から選択される。
【符号の説明】
【0431】
１０ 発光素子
１００ 基板
１１０ 第１電極
１３０ 中間層
１５０ 第２電極
２１０ バッファ層
２２０ 活性層
２３０ ゲート絶縁膜
２４０ ゲート電極
２５０ 層間絶縁膜
２６０ ソース電極
２７０ ドレイン電極
２８０ パッシベーション層
２９０ 画素定義膜
３００ 封止部
４００ 機能性領域
５００ 遮光パターン
１００ 基板
１１０ 第１電極
１３０ 中間層
１５０ 第２電極
２１０ バッファ層
２２０ 活性層
２３０ ゲート絶縁膜
２４０ ゲート電極
２５０ 層間絶縁膜
２６０ ソース電極
２７０ ドレイン電極
２８０ パッシベーション層
２９０ 画素定義膜
３００ 封止部
４００ 機能性領域
５００ 遮光パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
