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特開2023-26341コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング及びアイソレータ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023026341
(43)【公開日】2023-02-24
(54)【発明の名称】コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング及びアイソレータ
(51)【国際特許分類】
H01P 1/36 20060101AFI20230216BHJP
【ＦＩ】
H01P1/36 A
【審査請求】有
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022119417
(22)【出願日】2022-07-27
(31)【優先権主張番号】202110922239.4
(32)【優先日】2021-08-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】522300363
【氏名又は名称】西南応用磁学研究所
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｕｔｈｗｅｓｔ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ２６８， Ｎｏｒｔｈ Ｂｉｎｈｅ Ｒｏａｄ， Ｍｉａｎｙａｎｇ， Ｓｉｃｈｕａｎ ６２１０００， Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100146374
【弁理士】
【氏名又は名称】有馬 百子
(72)【発明者】
【氏名】楊 勤
(72)【発明者】
【氏名】張 華峰
(72)【発明者】
【氏名】馮 楠軒
(72)【発明者】
【氏名】趙 春美
(57)【要約】
【課題】ポートの静電容量が向上でき、６００～７００ＭＨｚの集中定数サーキュレータ／アイソレータといった内部素子の完全国産化ができ、単一のコンデンサのサイズが減少でき、単一のコンデンサの厚さが増加でき、コンデンサの作製に寄与し、低周波部品の作製材料のコストを削減できる、コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング及びアイソレータを提供する。。
【解決手段】ピン金属部分６１、キャリア金属部分６２、及びプラスチック部分６３を備え、キャリア金属部分６２に、形状及び大きさが同じで３つのコンデンサ接地ピンが設けられる。３つのコンデンサ接地ピンがいずれも内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９とを収容するための収容チャンバー６２ｅが形成され、上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９が収容チャンバー６２ｅ内で上下に並列に接続される。
【選択図】図６
【解決手段】ピン金属部分６１、キャリア金属部分６２、及びプラスチック部分６３を備え、キャリア金属部分６２に、形状及び大きさが同じで３つのコンデンサ接地ピンが設けられる。３つのコンデンサ接地ピンがいずれも内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９とを収容するための収容チャンバー６２ｅが形成され、上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９が収容チャンバー６２ｅ内で上下に並列に接続される。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ピン金属部分（６１）、キャリア金属部分（６２）、及びプラスチック部分（６３）を備えるコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジングであって、
前記キャリア金属部分（６２）には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）、及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）と、中間接地板（６２ｄ）と、が設けられており、
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）と中間接地板（６２ｄ）とは、左右に対向して設けられ、前記第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）と第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）とは、左右に対向して設けられ、
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）、及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）は、いずれもキャリア金属部分の縁から上方へ伸びて内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサ（８）と下層チップコンデンサ（９）とを収容するための収容チャンバー（６２ｅ）が形成され、
前記収容チャンバー（６２ｅ）の底部は、中間接地板（６２ｄ）の上面に揃える、
ことを特徴とするコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
前記キャリア金属部分（６２）には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）、及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）と、中間接地板（６２ｄ）と、が設けられており、
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）と中間接地板（６２ｄ）とは、左右に対向して設けられ、前記第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）と第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）とは、左右に対向して設けられ、
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）、及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）は、いずれもキャリア金属部分の縁から上方へ伸びて内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサ（８）と下層チップコンデンサ（９）とを収容するための収容チャンバー（６２ｅ）が形成され、
前記収容チャンバー（６２ｅ）の底部は、中間接地板（６２ｄ）の上面に揃える、
ことを特徴とするコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項2】
前記ピン金属部分（６１）及びキャリア金属部分（６２）は、リン青銅材料をプレス加工して洋白で電気めっきすることにより成形される、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項3】
前記リン青銅材料は、Ｃ５１９１リン青銅材料である、
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項4】
前記プラスチック部分（６３）は、ＬＣＰプラスチックで射出成形される、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項5】
前記ＬＣＰプラスチックの規格はＥ１３０ｉである、
ことを特徴とする請求項４に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項４に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項6】
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）は、上部幅が上層チップコンデンサ（８）の幅よりも短い、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項7】
前記第１コンデンサ接地ピン（６２ａ）、第２コンデンサ接地ピン（６２ｂ）及び第３コンデンサ接地ピン（６２ｃ）は、上部曲げ位置の幅が０．３ｍｍ～０．４ｍｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか１項に記載のプラスチックパッケージハウジングによって作製されるアイソレータであって、
上から下に順番に組み立てられる上金属ハウジング（１）、ストロンチウム永久磁石（２）、上層チップコンデンサ（８）、中心導体モジュール（３）、下層チップコンデンサ（９）、ＲＦ抵抗（５）、プラスチックパッケージハウジング（６）、及び下金属ハウジング（７）を備え、
前記上層チップコンデンサ（８）と下層チップコンデンサ（９）とは、前記収容チャンバー（６２ｅ）内で上下に並列に接続されている、
ことを特徴とするアイソレータ。
上から下に順番に組み立てられる上金属ハウジング（１）、ストロンチウム永久磁石（２）、上層チップコンデンサ（８）、中心導体モジュール（３）、下層チップコンデンサ（９）、ＲＦ抵抗（５）、プラスチックパッケージハウジング（６）、及び下金属ハウジング（７）を備え、
前記上層チップコンデンサ（８）と下層チップコンデンサ（９）とは、前記収容チャンバー（６２ｅ）内で上下に並列に接続されている、
ことを特徴とするアイソレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マイクロ波部品の技術分野に関し、特に、コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング、及びこのプラスチックパッケージハウジングからなるアイソレータに関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在の５Ｇ通信のＳｕｂ６ＧＨｚ周波数帯域の範囲は４５０ＭＨｚ～６ＧＨｚであり、低周波通信（通信については、ミリ波が高周波と呼ばれる。）の分野に属している。低周波通信は、その長い伝送距離及び強力な浸透能力により、各国の通信事業者に支持されている。中国広電（ＣＢＮ）及び中国移動（ＣＭＣＣ）は、７００ＭＨｚの周波数帯域での展開を加速しており、トルコの通信事業者であるＴｕｒｋＴｅｌｅｋｏｍは、５Ｇ通信でのＮ７１周波数帯域（６１７ＭＨｚ～６９８ＭＨｚ）の適用を模索してきた。低周波通信基地局の設備としては、システムにおいて小型化という特徴の備える集中定数（Ｌｕｍｐｅｄ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）アイソレータ／アイソレータをより緊急に必要とする。
【0003】
現在、従来の低周波集中定数の非相反磁気部品であるアイソレータは、図１に示すように構成され、主に、上金属ハウジング１、ストロンチウム永久磁石（Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ Ｍａｇｎｅｔ）２、中心導体モジュール３、単層チップコンデンサ４、ＲＦ抵抗５、プラスチックパッケージハウジング６、及び下金属ハウジング７を備える。ここで、上金属ハウジング１及び下金属ハウジング７は、いずれも鉄製の金属ハウジングであり、部品に対して閉磁気回路を提供する。ストロンチウム永久磁石２は、部品に対して外部から印加された定磁場を提供する。中心導体モジュール３は、回路の非相反接合（ｎｏｎｒｅｃｉｐｒｏｃｉｔｙ）であり、エネルギー循環を機能する。単層チップコンデンサ４と中心導体モジュール３とは、ＬＣループを構成する。ＲＦ抵抗５は、５０オームの整合負荷を提供する。プラスチックパッケージハウジング６は、信号伝送用の伝送経路を提供するとともに、内部素子（単層チップコンデンサ４とＲＦ抵抗５とが含まれる。）の溶接取付用のキャリアである。
【0004】
上記の従来の低周波集中定数アイソレータの構造において、そのプラスチックパッケージハウジング６は、具体的に図２に示すように構成され、主に、ピン金属部分６１、キャリア金属部分６２、及びプラスチック部分６３を備える。ここで、ピン金属部分６１は、２つの個別のピン（信号伝送を提供するものである。）である。キャリア金属部分６２は、接地及び素子の溶接取付用キャリアの位置を提供する。プラスチック部品６３は、２つの金属部分（即ち、ピン金属部分６１及びキャリア金属部分６２）の組み合わせに対してキャリアを提供し、内部素子に対して保護バリアを提供する。
【0005】
上記の従来のプラスチックパッケージハウジングのコンデンサの取付位置は、図３に示すように、図中の２．２ｍｍ＊１ｍｍ及び３．３ｍｍ＊１ｍｍのサイズでの位置がコンデンサの取付位置であり、コンデンサの最大制作サイズが２．０５ｍｍ＊０．９５ｍｍである。
【0006】
上記の従来のプラスチックパッケージハウジングには、主に以下の問題がある。
低周波数集中定数の非相反磁気部品は、静電容量値が周波数の低下と伴って増加するように設計されており、現在、コンデンサのセラミック材料が、１４０の誘電率しか達成できない。７５８ＭＨｚ～８０３ＭＨｚの集中定数アイソレータ／アイソレーションについては、現在、最大コンデンサ取付サイズが２．１ｍｍ＊１ｍｍになりコンデンサの厚さが約０．１ｍｍ～０．１３ｍｍになるようにプラスチックパッケージハウジングを設計しないと、その１７ＰＦ～２２ＰＦである静電容量値の設計要求が満たさない。高誘電率のセラミック材料の開発が難しいため、厚さが０．１６ｍｍ以下であるコンデンサを作製する場合、作製されたコンデンサの容量の離散性が大きくなり、大量に供給できず、現在、低周波数集中定数アイソレータ／サーキュレータの量産ができなくなってしまう。上記の従来のコンデンサ及びプラスチックパッケージハウジングの設計を継続して採用すると、後続の通信で使用される６００ＭＨｚ～７００ＭＨｚの集中定数サーキュレータ／アイソレータの設計が非常に困難になってしまう。
低周波数集中定数の非相反磁気部品は、静電容量値が周波数の低下と伴って増加するように設計されており、現在、コンデンサのセラミック材料が、１４０の誘電率しか達成できない。７５８ＭＨｚ～８０３ＭＨｚの集中定数アイソレータ／アイソレーションについては、現在、最大コンデンサ取付サイズが２．１ｍｍ＊１ｍｍになりコンデンサの厚さが約０．１ｍｍ～０．１３ｍｍになるようにプラスチックパッケージハウジングを設計しないと、その１７ＰＦ～２２ＰＦである静電容量値の設計要求が満たさない。高誘電率のセラミック材料の開発が難しいため、厚さが０．１６ｍｍ以下であるコンデンサを作製する場合、作製されたコンデンサの容量の離散性が大きくなり、大量に供給できず、現在、低周波数集中定数アイソレータ／サーキュレータの量産ができなくなってしまう。上記の従来のコンデンサ及びプラスチックパッケージハウジングの設計を継続して採用すると、後続の通信で使用される６００ＭＨｚ～７００ＭＨｚの集中定数サーキュレータ／アイソレータの設計が非常に困難になってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジングを提供することにより、プラスチックパッケージハウジングのサイズ及びコンデンサの取付サイズが一定である場合、より低い周波数帯域のアイソレータの設計が達成できること、を目的のその１つとするものである。本発明は、低周波数帯域のサーキュレータの設計に適用されてもよい。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するために、本発明に係る技術案は、以下の通りである。
ピン金属部分、キャリア金属部分、及びプラスチック部分を備えるコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジングであって、前記キャリア金属部分には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンと、中間接地板と、が設けられており、前記第１コンデンサ接地ピンと中間接地板とは、左右に対向して設けられ、前記第２コンデンサ接地ピンと第３コンデンサ接地ピンとは、左右に対向して設けられ、前記第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンは、いずれも内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサと下層チップコンデンサとを収容するための収容チャンバーが形成され、前記収容チャンバーの底部は、中間接地板の上面に揃える、コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
ピン金属部分、キャリア金属部分、及びプラスチック部分を備えるコンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジングであって、前記キャリア金属部分には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンと、中間接地板と、が設けられており、前記第１コンデンサ接地ピンと中間接地板とは、左右に対向して設けられ、前記第２コンデンサ接地ピンと第３コンデンサ接地ピンとは、左右に対向して設けられ、前記第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンは、いずれも内側に曲げられることにより、上層チップコンデンサと下層チップコンデンサとを収容するための収容チャンバーが形成され、前記収容チャンバーの底部は、中間接地板の上面に揃える、コンデンサ並列接続に基づくアイソレータ用プラスチックパッケージハウジング。
【0009】
好ましい技術案において、前記ピン金属部分及びキャリア金属部分は、リン青銅材料をプレス加工して洋白で電気めっきすることにより成形される。より好ましくは、Ｃ５１９１リン青銅が用いられ、好ましくは、その厚さが０．１３ｍｍである。これにより、チップコンデンサを強固に溶接することが確保できる。当業者にとっては、プラスチックパッケージハウジングの金属部分を作製するために他の規格の既知材料を使用することによっても本発明が達成できること、を理解すべきである。
【0010】
好ましい技術案において、前記プラスチック部分は、ＬＣＰプラスチックで射出成形され、ＬＣＰプラスチックの規格はＥ１３０ｉであることが好ましい。この規格のプラスチックは、成形後の流動性及び強度がよい。当業者にとっては、プラスチックパッケージハウジングのプラスチック部分を作製するために他の規格の既知材料を使用することによっても本発明が達成できること、を理解すべきである。
【0011】
好ましい技術案において、前記第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン及び第３コンデンサ接地ピンは、上部幅が上層チップコンデンサの幅よりも短く、好ましくは０．１ｍｍだけ短い。上層チップコンデンサは、このように設計される場合、溶接時に、半田の短絡を起こしにくい。
【0012】
好ましい技術案において、前記第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンは、上部曲げ位置の幅が０．３ｍｍ～０．４ｍｍである。
【0013】
本発明は、上記プラスチックパッケージハウジングによって作製されるアイソレータを提供することを目的のその２つとするものである。その技術案は、上から下に順番に組み立てられる上金属ハウジング、ストロンチウム永久磁石、上層チップコンデンサ、中心導体モジュール、下層チップコンデンサ、ＲＦ抵抗、プラスチックパッケージハウジング、及び下金属ハウジングを備え、前記プラスチックパッケージハウジングは、ピン金属部分、キャリア金属部分、及びプラスチック部分を備え、前記キャリア金属部分には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンが設けられており、前記第１コンデンサ接地ピン、第２コンデンサ接地ピン、及び第３コンデンサ接地ピンは、いずれも内側に曲げられることにより収容チャンバーが形成され、前記上層チップコンデンサと下層チップコンデンサとは、前記収容チャンバー内で上下に並列に接続されている。
【発明の効果】
【0014】
本発明は従来技術と比べて、その利点が次の通りである。本発明は、従来のプラスチックパッケージハウジングの設計と比べて、ポートの静電容量が向上でき、６００～７００ＭＨｚの集中定数アイソレータ／サーキュレータといった内部素子の完全国産化が達成でき、単一のコンデンサのサイズが減少でき、単一のコンデンサの厚さが増加でき、コンデンサの作製に寄与し、低周波部品の作製材料のコストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明について、添付の図面を参照してさらに説明する。
【0017】
実施例１
低周波集中定数アイソレータは、図４に示すように、上から下に順番に組み立てられる上金属ハウジング１、ストロンチウム永久磁石２、上層チップコンデンサ８、中心導体モジュール３、下層チップコンデンサ９、ＲＦ抵抗５、プラスチックパッケージハウジング６、及び下金属ハウジング７を備え、
低周波集中定数アイソレータは、図４に示すように、上から下に順番に組み立てられる上金属ハウジング１、ストロンチウム永久磁石２、上層チップコンデンサ８、中心導体モジュール３、下層チップコンデンサ９、ＲＦ抵抗５、プラスチックパッケージハウジング６、及び下金属ハウジング７を備え、
【0018】
前記プラスチックパッケージハウジング６は、図５及び図６に示すように構成され、２つのピン金属部分（それぞれが出力ポート信号伝送ピン６１ａ、入力ポート信号伝送ピン６１ｂである。）、キャリア金属部分６２、及びプラスチック部分６３を備え、前記キャリア金属部分６２には、形状及び大きさが同じである第１コンデンサ接地ピン６２ａ、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ、及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃと、中間接地板６２ｄと、が設けられており、前記第１コンデンサ接地ピン６２ａと中間接地板６２ｄとは、左右に対向して設けられ、前記第２コンデンサ接地ピン６２ｂと第３コンデンサ接地ピン６２ｃとは、左右に対向して設けられ、前記第１コンデンサ接地ピン６２ａ、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ、及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃは、いずれも内側に曲げられることにより収容チャンバー６２ｅが形成され、前記上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９とは、前記収容チャンバー６２ｅ内で上下に並列に接続されており、上層チップコンデンサ８と下層チップコンデンサ９との間には、中心導体伝送線１０が設けられる。
【0019】
本実施例において、プラスチックパッケージハウジング６の金属部分であるピン金属部分６１及びキャリア金属部分６２は、いずれも厚さが０．１３ｍｍであるＣ５１９１リン青銅材料をプレス加工して洋白で電気めっきすることにより成形される。これにより、チップコンデンサを強固に溶接することが確保できる。
【0020】
本実施例において、前記プラスチックパッケージハウジング６のプラスチック部分６３は、Ｅ１３０ｉのＬＣＰプラスチックで射出成形さる。この規格のプラスチックは、成形後の流動性及び強度がよい。
【0021】
本実施例において、前記プラスチックパッケージハウジング６において設計された第１コンデンサ接地ピン６２ａ、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃは、上部幅が上層チップコンデンサ８の幅よりも０．１ｍｍだけ短い。上層チップコンデンサは、このように設計される場合、溶接時に、半田の短絡を起こしにくい。
【0022】
前記プラスチックパッケージハウジング６には、図７に示すように、入料時の上部にある３つのコンデンサ接地ピン（即ち、第１コンデンサ接地ピン６２ａ、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ、及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃ）がプラスチック部分６３の側壁に上向きで平行し、プレス成形時に、上部コンデンサ接地ピンの予定曲げ箇所に対してパンチング処理を行うことにより曲げ溝６２ｆが形成される。パンチング溝は、６０°の三角溝設計を採用することにより、曲げ位置の幅を０．３～０．４ｍｍにし、その後の組立・成形に寄与する。
【0023】
本実施例の設計によると、このように設計されたプラスチックパッケージハウジングは、ポート静電容量が従来のプラスチックパッケージハウジングの設計の限界容量である１６～２１ＰＦから２０～３２ＰＦの制限容量に増加され、コンデンサのサイズが従来設計の２．１５ｍｍ＊０．９５ｍｍから１．５ｍｍ＊０．９５ｍｍ～２．０ｍｍ＊０．９５ｍｍに減少され、単一のコンデンサの厚さが従来設計の０．１２ｍｍ～０．１５ｍｍから０．１７ｍｍ～０．２５ｍｍに増加されることができる。これにより、コンデンサの作製に寄与し、低周波部品作製用のコンデンサ材料のコストは、従来設計の１８元～２０元から８元～１２元に低減されることができる。
【0024】
本実施例では、６００ＭＨｚ～７００ＭＨｚの周波数帯域範囲においてＮ７１周波数帯域における６１７ＭＨｚ～６５２ＭＨｚ対してアイソレータの設計が行われる。シミュレーション計算の電気的性能曲線の結果は、図８～１０に示されている。
【0025】
図面から分かるように、この規格の製品のシミュレーション設計は、定在波比が１．４以下になり、挿入損失が０．６ｄＢ以下になり、アイソレーションが１５ｄＢ以下になることができる。工程経験によると、この規格の製品は、最終的に、－４０℃～１２５℃の場合に、定在波比＜１．８、挿入損失＜１．１ｄＢ、アイソレーション＞１０ｄＢを達成でき、この周波数帯域のアイソレータに対するユーザーの指標要求を満たす。
【0026】
６１７ＭＨｚ～６５２ＭＨｚのアイソレータの３つのポートのシミュレーション設計静電容量値は、２２．８３ＰＦ、２１．７２ＰＦ、及び２５．２６ＰＦである。工程の経験、及びシミュレーションモデルと実際の実装静電容量値との差別に基づき得られた、この規格のアイソレータが必要とする３つのポートの実際静電容量値は、最終的に、２４ＰＦ～２５ＰＦ、２３ＰＦ～２４ＰＦ、２７ＰＦ～２８ＰＦになる。
【0027】
本発明に係るプラスチックパッケージハウジングの設計及び国内のチップコンデンサの作製能力によると、以下の厚さ及び静電容量値の有するコンデンサを選択してこの規格のアイソレータに適合させることができる。
【0028】
２４ＰＦ～２５ＰＦの静電容量値が要求されるものは、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝２ｍｍ＊０．９１ｍｍ＊０．１７ｍｍであり静電容量値が１３．２５ＰＦであるコンデンサと、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝１．８ｍｍ＊０．９ｍｍ＊０．１８ｍｍであり静電容量値が１１．１ＰＦであるコンデンサと、という２つのコンデンサからなる。
【0029】
２３ＰＦ～２４ＰＦの静電容量値が要求されるものは、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝２ｍｍ＊０．９１ｍｍ＊０．１７ｍｍであり静電容量値が１３．２５ＰＦであるコンデンサと、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝１．８ｍｍ＊０．９ｍｍ＊０．１９ｍｍであり静電容量が１０．５ＰＦであるコンデンサと、という２つのコンデンサからなる。
【0030】
２７ＰＦ～２８ＰＦの静電容量値が要求されるものは、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝３ｍｍ＊０．９ｍｍ＊０．２５ｍｍであり静電容量値が１３．４ＰＦであるコンデンサと、サイズがＬ＊Ｗ＊Ｔ＝２．５ｍｍ＊０．９ｍｍ＊０．２ｍｍであり静電容量値が１３．９ＰＦであるコンデンサと、という２つのコンデンサからなる。
【0031】
実施例２
本実施例は、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃの上部幅が上層チップコンデンサ８の幅よりも０．３ｍｍだけ短いことの以外、実施例１と同じである。
本実施例は、第２コンデンサ接地ピン６２ｂ及び第３コンデンサ接地ピン６２ｃの上部幅が上層チップコンデンサ８の幅よりも０．３ｍｍだけ短いことの以外、実施例１と同じである。
【0032】
上記の説明は、本発明の好ましい実施例にすぎず、本発明を限定することを意図するものではない。本発明の精神および原則の範囲内でなされた修正、同等の交換、及び改善などは、いずれも本発明の保護範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【0033】
１ 上金属ハウジング、２ ストロンチウム永久磁石、３ 中心導体モジュール、４ 単層チップコンデンサ、５ ＲＦ抵抗、６ プラスチックパッケージハウジング、６１ ピン金属部分、６１ａ 出力ポート信号伝送ピン、６１ｂ 入力ポート信号伝送ピン、６２ キャリア金属部分、６２ａ 第１コンデンサ接地ピン、６２ｂ 第２コンデンサ接地ピン、６２ｃ 第３コンデンサ接地ピン、６２ｄ 中間接地板、６２ｅ 収容チャンバー、６２ｆ 曲げ溝、６３ プラスチック部分、７ 下金属ハウジング、８ 上層チップコンデンサ、９ 下層チップコンデンサ、１０ 中心導体伝送線。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
