(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023026369
(43)【公開日】2023-02-24
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/16 20060101AFI20230216BHJP
G03F 7/30 20060101ALI20230216BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20230216BHJP
【ＦＩ】
G03F7/16 502
G03F7/30 501
H01L21/30 564C
H01L21/30 564D
H01L21/30 577
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022126225
(22)【出願日】2022-08-08
(31)【優先権主張番号】10-2021-0106786
(32)【優先日】2021-08-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】リ，スン－ギュ
(72)【発明者】
【氏名】リ，ジュン－ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】ペク，へ ビン
(72)【発明者】
【氏名】リ，デ ウン
(72)【発明者】
【氏名】パク，ドン ウン
【テーマコード（参考）】
2H196
2H225
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H196AA25
2H196CA14
2H196GA29
2H225CA12
2H225EA13N
2H225EA13P
5F146JA02
5F146JA09
5F146JA13
5F146JA15
(57)【要約】
【課題】本発明の実施例は、基板の位置別に処理液の蒸発率の差を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は、基板に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、前記塗布工程が終わった基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、前記第１ユニットと前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は、前記第１ユニットで前記塗布工程が終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで第１回転速度で回転されるように制御することを特徴とする。
【選択図】図８
【解決手段】本発明の実施例は、基板に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、前記塗布工程が終わった基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、前記第１ユニットと前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は、前記第１ユニットで前記塗布工程が終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで第１回転速度で回転されるように制御することを特徴とする。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
基板に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、
前記塗布工程が終わった基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、
前記第１ユニットと前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は、
前記第１ユニットで前記塗布工程の終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで第１回転速度で回転されるように制御する基板処理装置。
基板に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、
前記塗布工程が終わった基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、
前記第１ユニットと前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は、
前記第１ユニットで前記塗布工程の終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで第１回転速度で回転されるように制御する基板処理装置。
【請求項2】
前記塗布工程は、
回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、
回転する基板に第２液を供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去(Edge Bead Removal：EBR)段階を含み、
前記制御機は、
前記液供給段階で前記基板が第２回転速度で回転し、前記エッジビッド除去段階で前記基板が第３回転速度で回転するように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、
回転する基板に第２液を供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去(Edge Bead Removal：EBR)段階を含み、
前記制御機は、
前記液供給段階で前記基板が第２回転速度で回転し、前記エッジビッド除去段階で前記基板が第３回転速度で回転するように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御機は、
前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅いように制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅いように制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記制御機は、
前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１回転速度は１０rpm乃至２０rpmであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記制御機は、
前記返送ロボットが設定位置に位置すれば、前記第１回転速度で回転中の前記基板が停止されるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記返送ロボットが設定位置に位置すれば、前記第１回転速度で回転中の前記基板が停止されるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１ユニットは、
前記塗布工程が遂行される内部空間を有して、一側壁に前記基板が搬出入されるドアが形成される工程チャンバを含み、
前記設定位置は、
前記返送ロボットが前記ドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
前記塗布工程が遂行される内部空間を有して、一側壁に前記基板が搬出入されるドアが形成される工程チャンバを含み、
前記設定位置は、
前記返送ロボットが前記ドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第１液は感光液を含み、
前記第２液はシンナー(Thinner)を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記第２液はシンナー(Thinner)を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第１ユニットは、
内部空間を有する工程チャンバと、
前記内部空間に提供され、液処理工程が遂行される液処理ユニットと、
前記工程チャンバ上部に配置されて前記内部空間に下降気流を提供する気流供給ユニットを含み、
前記液処理ユニットは、
ハウジングと、
前記ハウジング内に提供され、基板を処理する処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間内で前記基板を支持及び回転させる支持ユニットと、そして
前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
内部空間を有する工程チャンバと、
前記内部空間に提供され、液処理工程が遂行される液処理ユニットと、
前記工程チャンバ上部に配置されて前記内部空間に下降気流を提供する気流供給ユニットを含み、
前記液処理ユニットは、
ハウジングと、
前記ハウジング内に提供され、基板を処理する処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間内で前記基板を支持及び回転させる支持ユニットと、そして
前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記装置は前記基板に熱処理工程を遂行する第２ユニットをさらに含み、
前記返送ユニットは前記基板を前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に返送することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記返送ユニットは前記基板を前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に返送することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
基板を処理する方法において、
回転する基板に膜を形成する塗布工程を遂行する塗布段階と、
前記塗布工程が終わった基板を返送ロボットに返送する返送段階と、及び
前記塗布段階と前記返送段階との間に前記塗布工程が終わった基板が待機する待機段階を含むが、
前記待機段階で前記基板は第１回転速度で回転する基板処理方法。
回転する基板に膜を形成する塗布工程を遂行する塗布段階と、
前記塗布工程が終わった基板を返送ロボットに返送する返送段階と、及び
前記塗布段階と前記返送段階との間に前記塗布工程が終わった基板が待機する待機段階を含むが、
前記待機段階で前記基板は第１回転速度で回転する基板処理方法。
【請求項12】
前記第１回転速度は前記塗布段階で回転する基板の速度より遅い速度であることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記塗布段階は、
第２回転速度で回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、及び
第３回転速度で回転する基板に第２液を供給して基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去段階を含むが、
前記第３回転速度は前記第２回転速度より遅い速度であり、
前記第１回転速度は前記第３回転速度より遅い速度であることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
第２回転速度で回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、及び
第３回転速度で回転する基板に第２液を供給して基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去段階を含むが、
前記第３回転速度は前記第２回転速度より遅い速度であり、
前記第１回転速度は前記第３回転速度より遅い速度であることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記第１回転速度は１０rpm乃至１２rpmであることを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記第１液は感光液であり、
前記第２液はシンナー(Thinner)であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
前記第２液はシンナー(Thinner)であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記待機段階で待機中の前記基板は、
前記返送ロボットが設定位置に位置されるまで前記第１回転速度で回転するが、前記返送ロボットが前記設定位置に到逹すれば回転を停止することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
前記返送ロボットが設定位置に位置されるまで前記第１回転速度で回転するが、前記返送ロボットが前記設定位置に到逹すれば回転を停止することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記設定位置は、
前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記塗布工程が終わった基板に熱処理工程を遂行する段階をさらに含み、
前記返送ロボットは、
前記基板を前記塗布工程が遂行される第１ユニットと前記熱処理工程が遂行される第２ユニットの間に返送することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
前記返送ロボットは、
前記基板を前記塗布工程が遂行される第１ユニットと前記熱処理工程が遂行される第２ユニットの間に返送することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項19】
基板を処理する装置において、
回転する基板上に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、
前記基板に熱処理工程を遂行する第２ユニットと、
前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に前記基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、
前記第１ユニット、前記第２ユニット、そして、前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は前記第１ユニットで前記塗布工程の終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで前記塗布工程で回転する基板の回転速度より遅い第１回転速度で回転されるように制御するが、
前記返送ロボットが設定位置に位置するまで前記基板が前記第１回転速度で回転するように制御することを特徴とする基板処理装置。
回転する基板上に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、
前記基板に熱処理工程を遂行する第２ユニットと、
前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に前記基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、
前記第１ユニット、前記第２ユニット、そして、前記返送ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は前記第１ユニットで前記塗布工程の終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで前記塗布工程で回転する基板の回転速度より遅い第１回転速度で回転されるように制御するが、
前記返送ロボットが設定位置に位置するまで前記基板が前記第１回転速度で回転するように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項20】
前記塗布工程は、
第２回転速度で回転する基板で感光液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、
第３回転速度で回転する基板にシンナーを供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去段階を含み、
前記制御機は前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅くて、前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御し、
前記設定位置は前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
第２回転速度で回転する基板で感光液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、
第３回転速度で回転する基板にシンナーを供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去段階を含み、
前記制御機は前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅くて、前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御し、
前記設定位置は前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施例は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そして、イオン注入などのような多様な工程が遂行される。このような工程らのうちで写真工程は基板の表面にはフォトレジストのような感光液を塗布して膜を形成する塗布工程、基板に形成された膜に回路パターンを転写する露光工程、露光処理された領域またはその反対領域で選択的に基板上に形成された膜を除去する現像工程を含む。
【0003】
一般に基板処理設備の一層には複数の処理チャンバらが配置され、一つの返送ロボットが複数の処理チャンバらの間に基板を返送する。複数の処理チャンバで基板に対する処理工程が同時にまたは微小な間隔で終わる場合一つの返送ロボットによって後続チャンバに返送されなければならないのため、処理が終わった一部基板らは処理チャンバ内で待機しなければならない場合がある。この場合、基板が停止された状態で待機することが一般的である。
【0004】
処理チャンバ内部には下降気流が供給されるが、加工誤差、渦流などによって下降気流が均一ではない状態で処理チャンバ内に供給される場合がある。この時、処理チャンバ内で停止された状態で待機する場合、不均一な下降気流によって基板の位置別に処理液の蒸発率差が発生される問題がある。すなわち、強い気流が供給される基板の領域に塗布された処理液の蒸発率は大きくて、相対的に弱い気流が供給される基板の領域に塗布された処理液の蒸発率は低くなる。この場合、蒸発率差によって基板に塗布された処理液の厚さ(Thickness)均一度が低下される問題がある。また、処理液の厚さ均一度の低下はパターンのCD(Critical Dimentsion)不均一をもたらすようになる問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国特許公開第10-2012-0121361号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の実施例は、基板の位置別に処理液の蒸発率の差を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0007】
また、本発明の実施例は基板上に塗布された液膜の厚さ均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0008】
また、本発明の実施例は基板上に形成されたパターンのCD(Critical Dimension)精密度を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0009】
本発明が解決しようとする課題はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の課題らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本実施例は、基板を処理する装置を開示する。
【0011】
基板処理装置は基板に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、前記塗布工程が終わった基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、前記第１ユニットと前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は、前記第１ユニットで前記塗布工程の終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで第１回転速度で回転されるように制御する。
【0012】
前記塗布工程は、回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、回転する基板に第２液を供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去(Edge Bead Removal：EBR)段階を含み、前記制御機は、前記液供給段階で前記基板が第２回転速度で回転し、前記エッジビッド除去段階で前記基板が第３回転速度で回転するように制御することができる。
【0013】
前記制御機は、前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅いように制御することができる。
【0014】
前記制御機は、前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御することができる。
【0015】
前記第１回転速度は１０rpm乃至２０rpmであることがある。
【0016】
前記制御機は、前記返送ロボットが設定位置に位置すれば、前記第１回転速度で回転中の前記基板が停止されるように制御することができる。
【0017】
前記第１ユニットは、前記塗布工程が遂行される内部空間を有して、一側壁に前記基板が搬出入されるドアが形成される工程チャンバを含み、前記設定位置は、前記返送ロボットが前記ドアの前に位置される位置であることができる。
【0018】
前記第１液は感光液を含み、前記第２液はシンナー(Thinner)を含むことができる。
【0019】
前記第１ユニットは、内部空間を有する工程チャンバと、前記内部空間に提供され、液処理工程が遂行される液処理ユニットと、前記工程チャンバ上部に配置されて前記内部空間に下降気流を提供する気流供給ユニットを含み、前記液処理ユニットは、ハウジングと、前記ハウジング内に提供され、基板を処理する処理空間を有する処理容器と、前記処理空間内で前記基板を支持及び回転させる支持ユニットと、そして、前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットを含むことができる。
【0020】
本実施例は、基板を処理する方法を開示する。
【0021】
基板処理方法は回転する基板に膜を形成する塗布工程を遂行する塗布段階と、前記塗布工程が終わった基板を返送ロボットに返送する返送段階と、及び前記塗布段階と前記返送段階との間に前記塗布工程の終わった基板が待機する待機段階を含むが、前記待機段階で前記基板は第１回転速度で回転する。
【0022】
前記第１回転速度は前記塗布段階で回転する基板の速度より遅い速度であることができる。
【0023】
前記塗布段階は、第２回転速度で回転する基板に第１液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、及び第３回転速度で回転する基板に第２液を供給して基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去(Edge Bead Removal：EBR)段階を含むが、前記第３回転速度は前記第２回転速度より遅い速度であり、前記第１回転速度は前記第３回転速度より遅い速度であることができる。
【0024】
前記第１回転速度は１０rpm乃至１２rpmであることがある。
【0025】
前記第１液は感光液であり、前記第２液はシンナー(Thinner)であることがある。
【0026】
前記待機段階で待機中の前記基板は、前記返送ロボットが設定位置に位置されるまで前記第１回転速度で回転するが、前記返送ロボットが前記設定位置に到逹すれば回転を停止することができる。
【0027】
前記設定位置は、前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることができる。
【0028】
前記塗布工程が終わった基板に熱処理工程を遂行する段階をさらに含み、前記返送ロボットは、前記基板を前記塗布工程が遂行される第１ユニットと前記熱処理工程が遂行される第２ユニットの間に返送することができる。
【0029】
本実施例は、基板を処理する装置を開示する。
【0030】
基板処理装置は回転する基板上に膜を形成する塗布工程を遂行する第１ユニットと、前記基板に熱処理工程を遂行する第２ユニットと、前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に前記基板を返送する返送ロボットを含む返送ユニットと、前記第１ユニット、前記第２ユニット、そして、前記返送ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は前記第１ユニットで前記塗布工程が終わった基板が前記返送ユニットによって返送される前まで前記塗布工程で回転する基板の回転速度より遅い第１回転速度で回転されるように制御するが、前記返送ロボットが設定位置に位置するまで前記基板が前記第１回転速度で回転するように制御する。
【0031】
前記塗布工程は、第２回転速度で回転する基板に感光液を供給して基板上に膜を形成する液供給段階と、第３回転速度で回転する基板にシンナー(Thinner)を供給して前記基板上に形成された前記膜のうちで前記基板のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去(Edge Bead Removal：EBR)段階を含み、前記制御機は前記第１回転速度が前記第３回転速度より遅くて、前記第３回転速度が第２回転速度より遅いように制御し、前記設定位置は前記返送ロボットが前記塗布工程が遂行される工程チャンバのドアの前に位置される位置であることができる。
【発明の効果】
【0032】
本発明の実施例によれば、基板の位置別に処理液の蒸発率の差を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【0033】
また、本発明の実施例によれば、基板上に塗布された液膜の厚さ均一性を向上させることができる。
【0034】
また、本発明の実施例によれば、基板上に形成されたパターンのCD(Critical Dimension)精密度を向上させることができる。
【0035】
本発明の効果が上述した効果らで制限されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図である。
【図7】本発明の実施例による回転される基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造を概略的に見せてくれる断面図である。
【図8】本発明の一実施例による基板処理方法のフローチャートである。
【図14】本発明の一実施例による基板処理方法によって基板を処理する場合基板の位置別に液の蒸発状態を概略的に示した図面である。
【図15】比較例による基板処理方法による時、基板の位置別液の蒸発状態を概略的に示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
【0038】
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，”含む”または”有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
【0039】
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【0040】
用語“及び/または”は該当列挙された項目のうちで何れか一つ及び一つ以上のすべての組合を含む。また、本明細書で“連結される”という意味はA部材とB部材が直接連結される場合だけではなく、A部材とB部材との間にC部材が介在されてA部材とB部材が間接連結される場合も意味する。
【0041】
本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
【0042】
本実施例の装置は円形基板に対して写真工程を遂行することに使用されることができる。特に、本実施例の装置は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行することに使用されることができる。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されないで、基板を回転させながら基板に処理液を供給する多様な種類の工程に使用されることができる。下では基板でウェハーが使用された場合を例を挙げて説明する。
【0043】
【0044】
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図であり、図２は図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを見せてくれる基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
【0045】
図１乃至図３を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０はインデックスモジュール(index module)１００、処理モジュール（treating module)３００、そして、インターフェースモジュール（interface module)５００を含む。一実施例によって、インデックスモジュール１００、処理モジュール３００、そして、インターフェースモジュール５００は順次に一列に配置される。以下で、インデックスモジュール１００、処理モジュール３００、そして、インターフェースモジュール５００が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といって、第１方向１２及び第２方向１４にすべて垂直な方向を第３方向１６で定義する。
【0046】
インデックスモジュール１００は基板(W)が収納された容器(F)から基板(W)を処理モジュール３００に返送し、処理が完了された基板(W)を容器(F)に収納する。インデックスモジュール１００の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール１００はロードポート１１０とインデックスフレーム１３０を有する。インデックスフレーム１３０を基準でロードポート１１０は処理モジュール３００の反対側に位置される。基板(W)らが収納された容器(F)はロードポート１１０に置かれる。ロードポート１１０は複数個が提供されることができるし、複数ロードポート１１０は第２方向１４に沿って配置されることができる。
【0047】
容器(F)としては前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod：FOUP)のような密閉用容器(F)が使用されることがある。容器(F)はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１１０に置かれることができる。
【0048】
インデックスフレーム１３０の内部にはインデックスロボット１３２が提供される。インデックスフレーム１３０内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール１３６が提供され、インデックスロボット１３２はガイドレール１３６上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１３２は基板(W)が置かれるハンドを含んで、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
【0049】
処理モジュール３００は基板(W)に対して塗布工程及び現像工程を遂行することができる。処理モジュール３００は容器(F)に収納された基板(W)の伝達を受けて基板処理工程を遂行することができる。処理モジュール３００は塗布ブロック３００a及び現像ブロック３００bを有する。塗布ブロック３００aは基板(W)に対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３００bは基板(W)に対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３００aは複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供される。現像ブロック３００bは複数個が提供され、現像ブロック３００bらはお互いに積層されるように提供される。図１の実施例によれば、塗布ブロック３００aは２個が提供され、現像ブロック３００bは２個が提供される。塗布ブロック３００aらは現像ブロック３００bらの下に配置されることができる。一例によれば、２個の塗布ブロック３００aらはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。また、２個の現像ブロック３００bらはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。
【0050】
図３を参照すれば、塗布ブロック３００aは熱処理チャンバ３２０、返送チャンバ３５０、塗布処理チャンバ３６０、そして、バッファーチャンバ３１２、３１６を有する。熱処理チャンバ３２０は基板(W)に対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。塗布処理チャンバ３６０は基板(W)上に液を供給して膜を形成する。膜はフォトレジスト膜または反射防止膜であることができる。返送チャンバ３５０は塗布ブロック３００a内で熱処理チャンバ３２０と塗布処理チャンバ３６０との間に基板(W)を返送する。
【0051】
返送チャンバ３５０はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。返送チャンバ３５０には返送ロボット３５２が提供される。返送ロボット３５２は熱処理チャンバ３２０、塗布処理チャンバ３６０、そして、バッファーチャンバ３１２、３１６との間に基板を返送する。一例によれば、返送ロボット３５２は基板(W)が置かれるハンド３５４を有して、ハンド３５４は前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。返送チャンバ３５０内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３５６が提供され、返送ロボット３５２はガイドレール３５６上で移動可能に提供されることができる。
【0052】
図４は、図３の返送ロボットを概略的に見せてくれる平面図である。図３を参照すれば、ハンド３５４はベース３５４a及び支持突起３５４bを有する。ベース３５４aは円周の一部が折曲された環形のリング形状を有することができる。ベース３５４aは基板(W)の直径より大きい内径を有する。支持突起３５４bはベース３５４aからその内側に延長される。支持突起３５４bは複数個が提供され、基板(W)の縁領域を支持する。一例によって、支持突起３５４bは等間隔で４個が提供されることができる。
【0053】
熱処理チャンバ３２０は複数個で提供される。熱処理チャンバ３２０らは第１方向１２に沿って羅列されるように配置される。熱処理チャンバ３２０らは返送チャンバ３５０の一側に位置される。
【0054】
【0055】
【0056】
ハウジング３２１は概して直方体の形状で提供される。ハウジング３２１の側壁には基板(W)が出入りされる搬入口(図示せず)が形成される。搬入口は開放された状態で維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア(図示せず)が提供されることができる。冷却ユニット３２２、加熱ユニット３２３、そして、返送プレート３２４はハウジング３２１内に提供される。冷却ユニット３２２及び加熱ユニット３２３は第２方向１４に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２は加熱ユニット３２３に比べて返送チャンバ３５０にさらに近く位置されることができる。
【0057】
冷却ユニット３２２は冷却板３２２aを有する。冷却板３２２aは上部から眺める時概して円形の形状を有することができる。冷却板３２２aには冷却部材３２２bが提供される。一例によれば、冷却部材３２２bは冷却板３２２aの内部に形成され、冷却流体が流れる流路で提供されることができる。
【0058】
加熱ユニット３２３は加熱板３２３a、カバー３２３c、そして、ヒーター３２３bを有する。加熱板３２３aは上部から眺める時概して円形の形状を有する。加熱板３２３aは基板(W)より大きい直径を有する。加熱板３２３aにはヒーター３２３bが設置される。ヒーター３２３bは電流が印加される発熱低抗体で提供されることができる。加熱板３２３aには第３方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３２３eらが提供される。リフトピン３２３eは加熱ユニット３２３外部の返送手段から基板(W)の引受を受けて加熱板３２３a上に下ろすか、または加熱板３２３aから基板(W)を持ち上げて加熱ユニット３２３外部の返送手段に引き継ぐ。一例によれば、リフトピン３２３eは３個が提供されることができる。カバー３２３cは内部に下部が開放された空間を有する。カバー３２３cは加熱板３２３aの上部に位置されて駆動機３２３dによって上下方向に移動される。カバー３２３cが移動されてカバー３２３cと加熱板３２３aが形成する空間は基板(W)を加熱する加熱空間で提供される。
【0059】
返送プレート３２４は概して円盤形状で提供され、基板(W)と対応される直径を有する。返送プレート３２４の縁にはノッチ３２４bが形成される。ノッチ３２４bは上述した返送ロボット３５２のハンド３５４に形成された突起３５４bと対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４bはハンド３５４に形成された突起３５４bと対応される数で提供され、突起３５４bと対応される位置に形成される。ハンド３５４と返送プレート３２４が上下方向に整列された位置でハンド３５４と返送プレート３２４の上下位置が変更すれば、ハンド３５４と返送プレート３２４との間に基板(W)の伝達がなされる。返送プレート３２４はガイドレール３２４d上に装着され、駆動機３２４cによってガイドレール３２４dに沿って移動されることができる。返送プレート３２４にはスリット形状のガイド溝３２４aが複数個提供される。ガイド溝３２４aは返送プレート３２４の末端で返送プレート３２４の内部まで延長される。ガイド溝３２４aはその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４aらは第１方向１２に沿ってお互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４aは返送プレート３２４と加熱ユニット３２３との間に基板(W)の引受引継がなされる時返送プレート３２４とリフトピン３２３eがお互いに干渉されることを防止する。
【0060】
基板(W)の冷却は基板(W)が置かれた返送プレート３２４が冷却板３２２aに接触された状態でなされる。冷却板３２２aと基板(W)との間に熱伝達がよくなされるように返送プレート３２４は熱伝導性が高い材質で提供される。一例によれば、返送プレート３２４は金属材質で提供されることができる。
【0061】
熱処理チャンバ３２０らのうちで一部の熱処理チャンバ３２０に提供された加熱ユニット３２３は基板(W)加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板(W)付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン(HMDS：hexamethyldisilane)ガスであることができる。
【0062】
塗布処理チャンバ３６０は複数個で提供される。塗布処理チャンバ３６０らのうちで一部はお互いに積層されるように提供されることができる。塗布処理チャンバ３６０らは返送チャンバ３５０の一側に配置される。塗布処理チャンバ３６０らは第１方向１２に沿って並んで配列される。塗布処理チャンバ３６０らのうちである一部はインデックスモジュール１００と隣接した位置に提供される。以下、これら塗布処理チャンバ３６０を前端液処理チャンバ３６２(front liquid treating chamber)と称する。塗布処理チャンバ３６０らのうちで他の一部はインターフェースモジュール５００と隣接した位置に提供される。以下、これら塗布処理チャンバ３６０を後端液処理チャンバ３６４(rear heat treating chamber)と称する。
【0063】
前端液処理チャンバ３６２は基板(W)上に第１処理液を塗布し、後端液処理チャンバ３６４は基板(W)上に第２処理液を塗布する。第１処理液と第２処理液はお互いに相異な種類の液であることができる。一実施例によれば、第１処理液は反射防止膜であり、第２処理液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１処理液はフォトレジストであり、第２処理液は反射防止膜であることができる。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１処理液と第２処理液は等しい種類の液であり、これらはすべてフォトレジストであることができる。
【0064】
以下では、本発明の工程チャンバらのうちで回転する基板上に液を供給して基板に膜を形成する基板処理装置の構造に対して詳しく説明する。以下では基板処理装置がフォトレジストを塗布する装置の場合を例を挙げて説明する。しかし、基板処理装置は回転する基板(W)に保護膜または反射防止膜のような膜を形成する装置であることができる。また、選択的に基板処理装置は基板(W)に現像液のような処理液を供給する装置であることができる。
【0065】
図７は、本発明の実施例による回転される基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造を概略的に見せてくれる断面図である。
【0066】
図７を参照すれば、基板処理装置はハウジング１１００、処理容器１２００、基板支持ユニット１４００、そして、液供給ユニット１６００を含む。
【0067】
ハウジング１１００は内部空間１１２０を有する直四角の桶形状で提供される。ハウジング１１００の一側には開口１１０２が形成される。開口１１０２は基板(W)が搬出入される通路で機能する。開口１１０２にはドア１１０４が設置され、ドア１１０４は開口１１０２を開閉する。
【0068】
ハウジング１１００の内部空間１１２０には処理容器１２００が提供される。処理容器１２００は処理空間１２８０を有する。処理空間１２８０は上部が開放されるように提供される。
【0069】
支持ユニット１４００は処理容器１２００の処理空間１２８０内で基板(W)を支持する。支持ユニット１４００は支持板１４２０、回転軸１４４０、そして、駆動機１４６０を有する。支持板１４２０はその上部面が円形で提供される。支持板１４２０は基板(W)より小さな直径を有する。支持板１４２０は真空圧によって基板(W)を支持するように提供される。選択的に支持板１４２０は基板(W)を支持する機械的クランピング構造を有することができる。支持板１４２０の底面中央には回転軸１４４０が結合され、回転軸１４４０には回転軸１４４０に回転力を提供する駆動機１４６０が提供される。駆動機１４６０はモータであることができる。
【0070】
液供給ユニット１６００は基板(W)上に液を供給する。液供給ユニット１６００は基板(W)上に多様な種類の液を供給することができる。一例によれば、液供給ユニット１６００は基板(W)上に塗布液、エッジビッド除去液などを供給することができる。
【0071】
液供給ユニット１６００は膜形成ユニットとエッジビッド除去ユニットを含む。膜形成ユニットは基板(W)上に第１液(L１)を供給する第１ノズル１６２０、ガイド部材(図示せず)、そして、アーム(図示せず)を含む。第１液(L１)はフォトレジストのような塗布液であることができる。ガイド部材及びアームは第１ノズル１６２０を工程位置と待機位置に移動させる。ここで、工程位置は第１ノズル１６２０が基板(W)と見合わせる位置であり、待機位置は工程位置を脱した位置で定義する。ガイド部材はアームを水平方向に移動させるガイドレール(図示せず)を含む。ガイドレールは処理容器１２００の一側に位置される。ガイドレールはその長さ方向が水平方向を向けるように提供される。一例によれば、ガイドレールの長さ方向を第１方向と平行な方向を向けるように提供されることができる。ガイドレールにはアームが設置される。アームはガイドレールの内部に提供されたリニアモータ(図示せず)によって移動されることができる。アームは上部から眺める時ガイドレールと垂直な長さ方向を向けるように提供される。アームの一端はガイドレールに装着される。アームの他端底面には第１ノズル１６２０が設置される。選択的にアームは長さ方向が第３方向を向ける回転軸に結合されて回転されることができる。
【0072】
エッジビッド除去ユニットはエッジビッド除去(EBR:Edge Bead Removal)工程を遂行する。エッジビッド除去ユニットは基板(W)上に形成された膜のうちでエッジ領域に形成された塗布液膜を除去する。エッジビッド除去ユニットは基板(W)のエッジ部を塗布液膜から露出させる。エッジビッド除去ユニットは第２液(L２)を供給する第２ノズル１６４０、ガイド部材(図示せず)、アーム(図示せず)、そして、洗浄部材(図示せず)を含む。エッジビッド除去ユニットのガイド部材及びアームは膜形成ユニットのガイド部材及びアームと等しい形状を有するように提供される。エッジビッド除去ユニットのガイド部材及びアームは膜形成ユニットと独立的に駆動されることができる。エッジビッド除去ユニットのガイド部材及びアームに対する詳細な説明は略する。
【0073】
第２ノズル１６４０は基板(W)上に塗布された液膜上に第２液(L２)を吐出する。第２ノズル１６４０は基板(W)のエッジ部に第２液(L２)を供給する。第２液(L２)はエッジビッド除去液を含む。例えば、第１液(L１)は有機物質であり、第２液(L２)は有機物質と反応することができる液であることができる。第１液(L１)はフォトレジストのような感光液であり、第２液(L２)はシンナー(Thinner)であることができる。
【0074】
ハウジング１１００の上壁には内部空間に下降気流を供給するファンフィルターユニット１２６０が配置される。ファンフィルターユニット１２６０は外部の空気を内部空間に導入するファンと外部の空気を濾過するフィルターを有する。
【0075】
ハウジング１１００で処理容器１２００の外側には処理容器１２００とハウジング１１００との間の空間に供給される気流を排気する外側排気管１１４０と、処理容器１２００の内部空間に供給される気流を排気する内側排気管１１６０が連結される。外側排気管１１４０と内側排気管１１６０には排気空間内の気流を強制吸いこむように圧力調節部材(図示せず)が設置される。圧力調節部材はポンプであることができる。
【0076】
処理容器１２００は外側コップ１２２０と内側コップ１２４０を有する。
外側コップ１２２０は支持ユニット１４００及びこれに支持された基板(W)を囲むように提供される。外側コップ１２２０は底壁１２２２、側壁１２２４、そして、上壁１２２６を有する。外側コップ１２２０の内部は上述した処理空間１２８０に提供される。
外側コップ１２２０は支持ユニット１４００及びこれに支持された基板(W)を囲むように提供される。外側コップ１２２０は底壁１２２２、側壁１２２４、そして、上壁１２２６を有する。外側コップ１２２０の内部は上述した処理空間１２８０に提供される。
【0077】
底壁１２２２は円形で提供され、中央に開口を有する。側壁１２２４は底壁１２２２の外側端から上部に延長される。側壁１２２４はリング形状で提供され、底壁１２２２に垂直するように提供される。一例によれば側壁１２２４は支持板１４２０の上面と同一高さまで延長されるか、または支持板１４２０の上面より少し低い高さまで延長される。上壁１２２６はリング形状を有して、中央に開口を有する。上壁１２２６は側壁１２２４の上端から外側コップ１２２０の中心軸を向けて上向き傾くように提供される。
【0078】
内側コップ１２４０は外側コップ１２２０の内側に位置される。内側コップ１２４０は内壁１２４２、外壁１２４４、そして、上壁１２４６を有する。内壁１２４２は上下方向に貫通された貫通孔を有する。内壁１２４２は駆動機１４６０を囲むように配置される。内壁１２４２は駆動機１４６０が処理空間１２８０内の気流に露出されることを最小化する。支持ユニット１４００の回転軸１４４０及び/または駆動機１４６０は貫通孔を通じて上下方向に延長される。内壁１２４２の下端は外側コップ１２２０の底壁１２２２に位置されることができる。外壁１２４４は内壁１２４２と離隔されるように、そして、内壁１２４２を囲むように配置される。外壁１２４４は外側コップ１２２０の側壁１２２４と離隔されるように位置される。内壁１２４２は外側コップ１２２０の底壁１２２２から上部に離隔されるように配置される。上壁１２４６は外壁１２４４の上端と内壁１２４２の上端を連結する。上壁１２４６はリング形状を有して、支持板１４２０を囲むように配置される。一例によれば、上壁１２４６は上にふくらんでいる形状を有する。上壁１２４６は外壁１２４４の上端から回転軸１４４０を向けて上向き傾いた外側上壁１２４６aと、これから内壁１２４２の上端まで下向き傾いた内側上壁１２４６bを有する。支持板１４２０は内側上壁１２４６bによって取り囲まれた空間に位置されることができる。一例によれば、上壁１２２６のうちで最頂点は支持板１４２０より外側に位置され、支持ユニット１４００に支持された基板(W)の末端より内側に位置されることができる。
【0079】
処理容器１２００の処理空間１２８０には気液分離板１２３０が提供されることができる。気液分離板１２３０は外側コップ１２２０の底壁１２２２から上部に延長されるように提供されることができる。気液分離板１２３０はリング形状で提供されることができる。気液分離板１２３０は上部から眺める時外側コップ１２２０の側壁１２２４と内側コップ１２４０の外壁１２４４との間に位置されることができる。選択的に気液分離板１２３０は上部から眺める時内側コップ１２４０の外壁１２４４と重畳されるように位置されるか、または内側コップ１２４０の外壁１２４４より内側に位置されることができる。一例によれば、気液分離板１２３０の上端は内側コップ１２４０の外壁１２４４の下端より低い位置に位置されることができる。
【0080】
外側コップ１２２０の底壁１２２２には内側排気管１１６０が連結される。内側排気管１１６０は処理容器１２００の内部空間１２８０に流入される気流を排気する。内側排気管１１６０は外側コップ１２２０より内側コップ１２４０に近く位置される。上部から眺める時、内側排気管１１６０は内側コップ１２４０と重畳されるように提供される。
【0081】
外側コップ１２２０の底壁１２２２には処理液を排出する排出管１２５０が連結される。排出管１２５０は外側コップ１２２０の側壁１２２４と内側コップ１２４０の外壁１２４４との間に流入された処理液を処理容器１２００の外部に排出する。一例によれば、外側コップ１２２０の側壁１２２４と気液分離板１２３０との間の空間は処理液を排出する排出空間に提供され、排出管１２５０は排出空間に処理液を排出するように提供される。外側コップ１２２０の側壁１２２４と内側コップ１２４０の外壁１２４４との間の空間に流れる気流は外側コップ１２２０の側壁１２２４と底壁１２２２、そして、気液分離板１２３０によって取り囲まれた空間に流入されて内側排気管１１６０を通じて排気される。この過程で気流内に含有された処理液は排出空間で排出管１２５０を通じて処理容器１２００の外部に排出され、気流は処理容器１２００の排気ユニット(図示せず)によって排気される。
【0082】
排出管１２５０は一つまたは複数個が提供されることができる。排出管１２５０が複数個が提供される場合、排出管１２５０は内側コップ１２４０の円周方向に沿って複数個提供されることができる。
【0083】
基板処理装置１０００は昇降ユニット１７００を含む。昇降ユニット１７００は処理容器１２００と支持ユニット１４００との間の相対高さを調節する。昇降ユニット１７００は処理容器１２００を上下方向に移動させる。具体的に、昇降ユニット１７００は支持板１４２０と外側コップ１２２０の相対高さを調節することができる。一例によれば昇降ユニット１７００は外側コップ１２２０を上下方向に昇下降させることができる。例えば、支持板１４２０に基板(W)をローディングするか、または支持板１４２０から基板(W)をアンローディングする時基板(W)を返送する返送ロボット３５２が外側コップ１２２０と干渉することを防止するように支持板１４２０は外側コップ１２２０の上端より高い高さに位置する。また、工程を進行時には基板(W)が処理空間内に位置するように支持板１４２０が外側コップ１２２０の上端より低い高さに位置する。
【0084】
昇降ユニット１７００はブラケット１７２０、移動軸１７４０、そして、駆動機１７６０を含む。ブラケット１７２０は処理容器１２００と移動軸１７４０を連結する。ブラケット１７２０は処理容器１２００の外側コップ１２２０に固定される。ブラケット１７２０は外側コップ１２２０の側壁１２２４に固定設置される。移動軸１７４０はその長さ方向が上下方向を向けるように提供される。移動軸１７４０の上端はブラケット１７２０に固定結合される。移動軸１７４０は駆動機１７６０から動力の提供を受けることができる。移動軸１７４０は駆動機１７６０から上下方向に移動され、処理容器１２００は移動軸１７４０と共に昇降移動される。駆動機１７６０は移動軸１７４０に動力を提供する。駆動機１７６０は移動軸１７４０が往復直線運動または昇降運動されるように動力を提供する。例えば、駆動機１７６０はシリンダーまたはモータであることができる。
【0085】
制御機１８００は基板処理装置１０の全体動作を制御することができる。制御機１８００は基板処理装置１０の各構成を制御することができる。制御機１８００はCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory)を含むことができる。CPUはこれらの記憶領域に記憶された各種レシピによって所望の処理を行う。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、プロセス圧力、プロセス温度、各種ガス流量などが入力されている。一方、これらプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリーに記憶されても良い。また、レシピはCD-ROM、DVDなどの可搬性のコンピューターによって判読可能な記憶媒体に収容された状態で記憶領域の所定位置にセットするようにしても良い。
【0086】
制御機１８００は基板(W)の回転速度を制御する。一例で、制御機１８００は支持ユニット１４００の制御を通じて基板(W)の回転速度を制御することができる。制御機１８００は基板(W)に第１液(L１)が供給される液供給段階が遂行される時は基板(W)が第２回転速度(v２)で回転されるように制御し、基板(W)に第２液(L２)が供給されるエッジビッド除去段階が遂行される時は基板(W)が第３回転速度(v３)で回転されるように制御し、塗布工程が終わって待機中の待機段階では基板(W)が第１回転速度(v１)で回転されるように制御する。制御機１８００は第１回転速度(v１)が第２回転速度(v２)と第３回転速度(v３)より遅い速度を有するように制御する。また、制御機１８００は第３回転速度(v３)が第２回転速度(v２)より遅い速度を有するように制御する。一例で、制御機１８００は第１回転速度(v１)が１０乃至２０rpmを有するように制御する。
【0087】
【0088】
【0089】
基板処理方法は、基板搬入段階(S１００)、塗布段階(S２００)、待機段階(S３００)、返送段階(S４００)及び熱処理段階(S５００)を含む。
【0090】
図８及び図９を参考すれば、基板(W)は基板処理装置１０００のハウジング１１００内部に搬入される(S１００)。基板(W)は返送ロボット３５２によってハウジング１１００内部に投入され、この時ドア１１０４が開放される。基板(W)はロボット３５２のハンド３５４に安着されたまま開口１１０２を通じてハウジング１１００内に搬入されるユニット１４００に安着される。
【0091】
塗布段階(S２００)は回転する基板(W)に膜を形成する塗布工程を遂行する。塗布段階(S２００)は第２回転速度(v２)で回転する基板(W)に第１液(L１)を供給して基板上に膜を形成する液供給段階(S２２０)と(図８、図１０参照)、第３回転速度(v３)で回転する基板(W)に第２液(L２)を供給して基板(W)上に形成された前記膜のうちで基板(W)のエッジ領域の膜を除去するエッジビッド除去段階(S２４０)を含む(図８、図１１及び図１２参照)。この時、制御機１８００はエッジビッド除去段階で基板(W)の第３回転速度(v３)が液供給段階で基板(W)の第２回転速度(v２)より遅いように制御する。すなわち、第３回転速度(v３)は第２回転速度(v２)より遅いことがある。
【0092】
図８及び図１３を参照すれば、待機段階(S３００)は塗布段階(S２００)が終わった基板(W)が熱処理チャンバ３２０に返送される前に塗布処理チャンバ３６０で待機する段階である。この時、制御機１８００は待機中の前記基板(W)が第１回転速度(v１)で回転された状態を維持しながら待機するように制御する。第１回転速度(v１)は第２回転速度(v２)及び第３回転速度(v３)より遅い速度である。一例で、第１回転速度(v１)は１０rpm乃至２０rpmであることがある。制御機１８００は返送ロボット３５２が設定位置に位置されるまで待機中の基板(W)を第１回転速度(v１)で回転させる。制御機１８００は前記返送ロボットが前記設定位置に到逹すれば、回転を停止させ、返送ロボット３５２が基板(W)をピックアップ(Pick Up)して熱処理チャンバ３２０に返送する。この時、設定位置は返送ロボット３５２が塗布工程が遂行される基板処理装置１０００のドア１１０４前に位置される位置を意味する。すなわち、制御機１８００は塗布工程が終わった基板(W)に対して返送ロボット３５２がドア１１０４前に位置するまで基板(W)を第１回転速度(v１)で回転させ、返送ロボット３５２がドア１１０４前に位置されれば基板(W)の回転を停止する。
【0093】
以後、返送ロボット３５２が開口１１０２を通じてハウジング１１００内に流入されて停止された基板(W)をピックアップする。返送ロボット３５２は塗布工程が終わった基板(W)を後続処理工程が遂行されるチャンバに返送する(返送段階(S４００))。一例で後続処理は熱処理工程であることができるし、この場合返送ロボット３５２は基板(W)を熱処理チャンバ３２０に返送する。熱処理チャンバ３２０に返送された基板(W)は基板(W)上の塗布液膜を安定化させる熱処理工程が遂行される(熱処理段階(S５００)。
【0094】
基板処理装置１０００はハウジング１１００の上壁に配置されて内部空間１１２０に下降気流を提供する気流供給ユニットを含む。気流供給ユニットはファンフィルターユニット１２６０で提供される。ハウジング１１００の内部空間１１２０にはファンフィルターユニット１２６０によって下降気流が形成される。ファンフィルターユニット１２６０は外部空気が流入される流入口と、流入口を通じて流入された空気が拡散される拡散空間と、拡散空間に流入された空気がダウンフローされる複数のホールを有するケース(図示せず)を含む。流入口には外部空気を拡散空間に供給する供給配管(図示せず)を含む。この時、連結配管はその長さ方向がハウジング１１００の側壁と並んだ方向に延長される第１配管部分と、一端が第１配管部分の長さ方向と交差される方向に延長されて他端が流入口に連結される第１配管部分を含む。外部空気は第１配管部分、第２配管部分、そして、流入口を順番どおり通過して拡散空間に供給される。この時、外部空気が第１配管部分と第２配管部分が会う部分(折れる部分)で連結配管の内側壁にぶつかって渦流が発生されることがある。渦流によって外部空気の流れが円滑ではなくなって、ハウジング１１００の内部空間１１２０にダウンフローされる空気が不均一な状態で供給されることができる。また、拡散空間に流入された空気がダウンフローされる複数のホールの加工誤差によって同一な大きさを有することができなくなって、内部空間１１２０に供給される空気が不均一な状態で供給されることがある。
【0095】
図１４は、本発明の一実施例による基板処理方法によって基板を処理する場合基板の位置別液の蒸発状態を概略的に示した図面であり、図１５は比較例による基板処理方法による時、基板の位置別液の蒸発状態を概略的に示した図面である。
【0096】
基板(W)が回転される状態で工程が遂行される塗布段階では内部空間１１２０内の気流不均衡に影響を受けないで基板(W)上に均一な厚さ(Thickness)を有する液膜を形成することができる。しかし、図１５に示されたように、塗布工程が終わった基板(W)が返送ロボット３５２によって返送されるまで基板(W)を停止状態で待機する場合、ハウジング１１００の内部空間１１２０の気流不均衡は基板(W)に塗布された液膜に影響を及ぼす。一例で、停止状態で待機中である基板(W)はハウジング１１００の内部空間１１２０の気流不均衡によって基板(W)の位置別塗布液蒸発率の差が発生されることがある。この場合、基板(W)に塗布された液膜の厚さが基板(W)の位置別に相異になって液膜の均一性(Uniformity)を確保することができない。延いては、液膜の均一性(Uniformity)の低下は、基板(W)に蝕刻液を供給してパターンを形成するエッチング過程で不均一な蝕刻を誘発するようになって、この場合パターンのCD(Critical Dimension)が不均一になる問題に直結される。
【0097】
しかし、本発明の一実施例によれば、図１５に示されたように待機状態で基板(W)を低速回転状態で維持することによって気流による局所的な基板(W)位置別塗布液蒸発率の差を抑制することができる。また、塗布液膜の厚さ均一度が向上されることができる。また、パターンのCD均一度が向上されることができる。
【0098】
【0099】
インターフェースモジュール５００は処理モジュール３００を外部の露光装置７００と連結する。インターフェースモジュール５００はインターフェースフレーム５１０、付加工程チャンバ５２０、インターフェースバッファー５３０、そして、インターフェースロボット５５０を有する。
【0100】
インターフェースフレーム５１０の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバ５２０、インターフェースバッファー５３０、そして、インターフェースロボット５５０はインターフェースフレーム５１０の内部に配置される。付加工程チャンバ５２０は塗布ブロック３００aで工程が完了された基板(W)が露光装置７００に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に付加工程チャンバ５２０は露光装置７００で工程が完了した基板(W)が現像ブロック３００bに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一例によれば、付加工程は基板(W)のエッジ領域を露光するエッジ露光工程、または基板(W)の上面を洗浄する上面洗浄工程、または、基板(W)の下面を洗浄する下面洗浄工程であることができる。付加工程チャンバ５２０は複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバ５２０はすべて同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に付加工程チャンバ５２０らのうちで一部はお互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
【0101】
インターフェースバッファー５３０は塗布ブロック３００a、付加工程チャンバ５２０、露光装置７００、そして、現像ブロック３００bの間に返送される基板(W)が返送途中に一時的にとどまる空間を提供する。インターフェースバッファー５３０は複数個が提供され、複数のインターフェースバッファー５３０らはお互いに積層されるように提供されることができる。
【0102】
一例によれば、返送チャンバ３５０の長さ方向の延長線を基準で一側面には付加工程チャンバ５２０が配置され、他の側面にはインターフェースバッファー５３０が配置されることができる。
【0103】
インターフェースロボット５５０は塗布ブロック３００a、付加工程チャンバ５２０、露光装置７００、そして、現像ブロック３００bの間に基板(W)を返送する。インターフェースロボット５５０は基板(W)を返送する返送ハンドを有することができる。インターフェースロボット５５０は１個または複数個のロボットで提供されることができる。一例によれば、インターフェースロボット５５０は第１ロボット５５２及び第２ロボット５５４を有する。第１ロボット５５２は塗布ブロック３００a、付加工程チャンバ５２０、そして、インターフェースバッファー５３０の間に基板(W)を返送し、第２ロボット５５４はインターフェースバッファー５３０と露光装置７００との間に基板(W)を返送し、第２ロボット５５４はインターフェースバッファー５３０と現像ブロック３００bとの間に基板(W)を返送するように提供されることができる。
【0104】
第１ロボット５５２及び第２ロボット５５４はそれぞれ基板(W)が置かれる返送ハンドを含んで、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６に平行な軸を基準にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
【0105】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0106】
１００ インデックスモジュール
３００ 処理モジュール
５００ インターフェースモジュール
７００ 露光モジュール
１１００ ハウジング
１２００ 処理容器
１４００ 支持ユニット
１６００ 液供給ユニット
１７００ 昇降ユニット
１８００ 制御機
３００ 処理モジュール
５００ インターフェースモジュール
７００ 露光モジュール
１１００ ハウジング
１２００ 処理容器
１４００ 支持ユニット
１６００ 液供給ユニット
１７００ 昇降ユニット
１８００ 制御機
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】