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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023029306
(43)【公開日】2023-03-03
(54)【発明の名称】多層フィルム及び銅張積層板
(51)【国際特許分類】
B32B 7/025 20190101AFI20230224BHJP
B32B 15/08 20060101ALI20230224BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20230224BHJP
【ＦＩ】
B32B7/025
B32B15/08 J
H05K1/03 630H
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022130675
(22)【出願日】2022-08-18
(31)【優先権主張番号】P 2021134215
(32)【優先日】2021-08-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002174
【氏名又は名称】積水化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】川原 良介
(72)【発明者】
【氏名】内田 徳之
(72)【発明者】
【氏名】小屋原 宏明
【テーマコード（参考）】
4F100
【Ｆターム（参考）】
4F100AB17D
4F100AK02A
4F100AK02C
4F100AK17A
4F100AK17C
4F100AK41B
4F100AK49B
4F100AL01A
4F100AL01C
4F100AL06B
4F100AS00B
4F100BA02
4F100BA03
4F100BA04
4F100BA06
4F100BA07
4F100BA10A
4F100BA10B
4F100BA10C
4F100BA10D
4F100JA02
4F100JA02B
4F100JG05
4F100JG05A
4F100JG05C
(57)【要約】
【課題】伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することのできる、線膨張率の低い多層フィルム、及び、該多層フィルムを用いた銅張積層板を提供する。
【解決手段】表層と基材層とを有する多層フィルムであって、前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である多層フィルム。
【選択図】なし
【解決手段】表層と基材層とを有する多層フィルムであって、前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である多層フィルム。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表層と基材層とを有する多層フィルムであって、
前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、
前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である
ことを特徴とする多層フィルム。
前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、
前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である
ことを特徴とする多層フィルム。
【請求項2】
多層フィルムは、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であることを特徴とする請求項１記載の多層フィルム。
【請求項3】
基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の多層フィルム。
【請求項4】
基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有することを特徴とする請求項３記載の多層フィルム。
【請求項5】
基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以下であることを特徴とする請求項３記載の多層フィルム。
【請求項6】
表層は、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の多層フィルム。
【請求項7】
表層は、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以上であることを特徴とする請求項６記載の多層フィルム。
【請求項8】
表層と基材層との間に他の層を有さないことを特徴とする請求項１又は２記載の多層フィルム。
【請求項9】
基材層の両面に表層を有することを特徴とする請求項１又は２記載の多層フィルム。
【請求項10】
基材層の厚みに対する表層の厚みの比率（表層の厚み／基材層の厚み）が、１以下である、請求項１又は２記載の多層フィルム。
【請求項11】
表層と基材層とを有する多層フィルムであって、
前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、
前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有し、
基材層の両面に表層を有することを特徴とする多層フィルム。
前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、
前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有し、
基材層の両面に表層を有することを特徴とする多層フィルム。
【請求項12】
請求項１又は１１記載の多層フィルムを含む、銅張積層板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、多層フィルム及び銅張積層板に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器に用いられる配線基板として、例えば、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）がある。フレキシブルプリント基板は、絶縁性のベースフィルム上に銅箔を積層した銅張積層板（ＣＣＬ）を用い、例えば、銅箔のエッチング処理等を行うことにより銅配線を形成し、銅配線の保護を目的として更にカバーレイフィルムを貼り合わせること等により作製される。銅張積層板に用いられるベースフィルムには、一般的にポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が用いられている（例えば、特許文献１、２等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－１８８３３９号公報
【特許文献2】特開２０１６－２０５９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、電子機器の分野ではより大容量のデータをより高速に送受信することが求められ、いわゆる第５世代移動通信システム（５Ｇ）の実用化も進められており、これに伴い、伝送信号の高周波数化が進められている。しかしながら、高周波数化により、伝送信号の減衰量（「伝送損失」という）が大きくなるという問題が生じている。銅張積層板に用いられるベースフィルムとしても、このような伝送損失を抑えることができ、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用できる新たなフィルムが求められている。
【0005】
本発明は、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することのできる、線膨張率の低い多層フィルム、及び、該多層フィルムを用いた銅張積層板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示１は、表層と基材層とを有する多層フィルムであって、前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である、多層フィルムである。
本開示２は、多層フィルムが、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下である、本開示１の多層フィルムである。
本開示３は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有する、本開示１又は２の多層フィルムである。
本開示４は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有する、本開示３の多層フィルムである。
本開示５は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以下である、本開示３又は４の多層フィルムである。
本開示６は、表層が、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有する、本開示１、２、３、４又は５の多層フィルムである。
本開示７は、表層が、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以上である、本開示６の多層フィルムである。
本開示８は、表層と基材層との間に他の層を有さない、本開示１、２、３、４、５、６又は７の多層フィルムである。
本開示９は、基材層の両面に表層を有する、本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の多層フィルムである。
本開示１０は、基材層の厚みに対する表層の厚みの比率（表層の厚み／基材層の厚み）が、１以下である、本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の多層フィルムである。
本開示１１は、表層と基材層とを有する多層フィルムであって、前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有し、基材層の両面に表層を有する、多層フィルムである。
本開示１２は、本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１の多層フィルムを含む、銅張積層板である。
以下、本発明を詳述する。
本開示２は、多層フィルムが、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下である、本開示１の多層フィルムである。
本開示３は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有する、本開示１又は２の多層フィルムである。
本開示４は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有する、本開示３の多層フィルムである。
本開示５は、基材層が、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以下である、本開示３又は４の多層フィルムである。
本開示６は、表層が、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有する、本開示１、２、３、４又は５の多層フィルムである。
本開示７は、表層が、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂の含有量が５０重量％以上である、本開示６の多層フィルムである。
本開示８は、表層と基材層との間に他の層を有さない、本開示１、２、３、４、５、６又は７の多層フィルムである。
本開示９は、基材層の両面に表層を有する、本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の多層フィルムである。
本開示１０は、基材層の厚みに対する表層の厚みの比率（表層の厚み／基材層の厚み）が、１以下である、本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の多層フィルムである。
本開示１１は、表層と基材層とを有する多層フィルムであって、前記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが０．００１５以下であり、前記基材層は、線膨張率が５０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含有し、基材層の両面に表層を有する、多層フィルムである。
本開示１２は、本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１の多層フィルムを含む、銅張積層板である。
以下、本発明を詳述する。
【0007】
伝送損失は周波数に比例して大きくなるため、伝送信号が高周波数化すると、伝送損失が大きくなることは避けられない問題である。高周波数帯（例えば、１～８０ＧＨｚ付近）での伝送損失を抑えるためには、例えば、銅張積層板に用いられるベースフィルムとして、高周波数帯での誘電特性に優れたフィルムを用いることが考えられる。即ち、伝送損失は、周波数に加えて、導通部分の周辺に存在する絶縁性部分の誘電率Ｄｋ及び誘電正接Ｄｆにも影響されるため、高周波数帯において誘電率Ｄｋ及び／又は誘電正接Ｄｆが小さいフィルムを用いることで、伝送損失を抑えることが期待される。
【0008】
本発明者らは、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが一定値以下のフィルムを用いることを検討した。しかしながら、このような誘電正接Ｄｆが小さいフィルムは、銅張積層板から配線基板を作製する過程で行われるはんだリフロー等の工程で高温に晒されると変形しやすく、配線基板に反りを生じさせることがあった。
これに対し、本発明者らは、フィルムを表層と基材層とを有する多層構造とし、表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを一定値以下に調整するとともに、基材層の線膨張率を一定値以下に調整することを検討した。本発明者らは、このような多層フィルムであれば、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することができ、また、線膨張率が低く、高温に晒されても配線基板に反りを生じさせにくいことを見出し、本発明を完成させるに至った。
これに対し、本発明者らは、フィルムを表層と基材層とを有する多層構造とし、表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを一定値以下に調整するとともに、基材層の線膨張率を一定値以下に調整することを検討した。本発明者らは、このような多層フィルムであれば、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することができ、また、線膨張率が低く、高温に晒されても配線基板に反りを生じさせにくいことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0009】
本発明の多層フィルムは、表層と基材層とを有する。
上記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの上限が０．００１５である。このような表層を有することで、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆが小さくなり、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用できる多層フィルムとなる。上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい上限は０．００１２、より好ましい上限は０．００１である。
上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの下限は特に限定されず、小さいほど、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆが小さくなるため好ましい。上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい下限は０．０００１である。
なお、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆは、例えば、ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）等を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、４０ｍｍ角の表層のサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により測定することができる。
上記表層は、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの上限が０．００１５である。このような表層を有することで、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆが小さくなり、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用できる多層フィルムとなる。上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい上限は０．００１２、より好ましい上限は０．００１である。
上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの下限は特に限定されず、小さいほど、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆが小さくなるため好ましい。上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい下限は０．０００１である。
なお、２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆは、例えば、ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）等を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、４０ｍｍ角の表層のサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により測定することができる。
【0010】
上記表層を構成する樹脂は特に限定されないが、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが上記範囲を満たすためには、次のような樹脂を含有することが好ましい。即ち、上記表層は、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレントラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することが好ましい。本明細書中、これらの樹脂を「低誘電正接樹脂」ともいう。
【0011】
上記シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）とは、主鎖及び側鎖のうちの一方又は両方に環状オレフィンに由来する構成単位を有するポリマーである。
上記環状オレフィンは特に限定されず、多環式の環状オレフィンであってもよく、単環式の環状オレフィンであってもよい。
上記多環式の環状オレフィンは特に限定されず、例えば、ノルボルネン、メチルノルボルネン、ジメチルノルボルネン、エチルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブチルノルボルネン等のノルボルネン化合物が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、メチルジシクロペンタジエン、ジメチルジシクロペンタジエン等のジシクロペンタジエン化合物も挙げられる。更に、テトラシクロドデセン、メチルテトラシクロドデセン、ジメチルシクロテトラドデセン、トリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン等も挙げられる。
上記単環式の環状オレフィンは特に限定されず、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロオクタトリエン、シクロドデカトリエン等が挙げられる。
上記シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記環状オレフィンは特に限定されず、多環式の環状オレフィンであってもよく、単環式の環状オレフィンであってもよい。
上記多環式の環状オレフィンは特に限定されず、例えば、ノルボルネン、メチルノルボルネン、ジメチルノルボルネン、エチルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブチルノルボルネン等のノルボルネン化合物が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、メチルジシクロペンタジエン、ジメチルジシクロペンタジエン等のジシクロペンタジエン化合物も挙げられる。更に、テトラシクロドデセン、メチルテトラシクロドデセン、ジメチルシクロテトラドデセン、トリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン等も挙げられる。
上記単環式の環状オレフィンは特に限定されず、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロオクタトリエン、シクロドデカトリエン等が挙げられる。
上記シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0012】
上記シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）とは、上述したような環状オレフィンに由来する構成単位と、エチレン、α－オレフィン等の非環状オレフィンに由来する構成単位とを有するポリマーである。
上記α－オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセン、１－エイコセン等の炭素数３～２０の直鎖状α－オレフィンが挙げられる。また、４－メチル－１－ペンテン、３－メチル－１－ペンテン、３－メチル－１－ブテン等の炭素数４～２０の分岐状α－オレフィンも挙げられる。
上記シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記α－オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセン、１－エイコセン等の炭素数３～２０の直鎖状α－オレフィンが挙げられる。また、４－メチル－１－ペンテン、３－メチル－１－ペンテン、３－メチル－１－ブテン等の炭素数４～２０の分岐状α－オレフィンも挙げられる。
上記シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0013】
上記シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）及び上記シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限は１３０℃、好ましい上限は１９０℃であり、より好ましい下限は１４０℃であり、更に好ましい下限は１５０℃である。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）が上記範囲内であれば、上記表層は、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスにより優れたものとなる。
【0014】
上記シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）の市販品として、例えば、日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標）、ＪＳＲ社製の商品名ＡＲＴＯＮ（登録商標）等が挙げられる。上記シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）の市販品として、例えば、ポリプラスチックス社製の商品名ＴＯＰＡＳ（登録商標）（ノルボルネンとエチレンとが共重合したシクロオレフィンコポリマー）、三井化学社製の商品名ＡＰＥＬ（登録商標）等が挙げられる。
【0015】
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）とは、エチレン（Ｃ２Ｈ４）とテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン、Ｃ２Ｆ４）の共重合体である。
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限は４０℃、好ましい上限は１２０℃であり、より好ましい下限は６０℃、より好ましい上限は１００℃である。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）が上記範囲内であれば、上記表層は、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスにより優れたものとなる。
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限は４０℃、好ましい上限は１２０℃であり、より好ましい下限は６０℃、より好ましい上限は１００℃である。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）が上記範囲内であれば、上記表層は、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスにより優れたものとなる。
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0016】
上記エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）の市販品として、例えば、ＡＧＣ社製のＦｌｕｏｎ ＥＴＦＥ等が挙げられる。
【0017】
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）とは、テトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン、Ｃ２Ｆ４）とパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体である。
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限は７０℃、好ましい上限は１１０℃であり、より好ましい下限は８０℃であり、更に好ましい下限は１００℃である。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）が上記範囲内であれば、上記表層は、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスにより優れたものとなる。
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限は７０℃、好ましい上限は１１０℃であり、より好ましい下限は８０℃であり、更に好ましい下限は１００℃である。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）が上記範囲内であれば、上記表層は、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスにより優れたものとなる。
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0018】
上記パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の市販品として、ＡＧＣ社製のＦｌｕｏｎ＋ＴＭ ＥＡ－２０００（登録商標）等が挙げられる。
【0019】
上記表層における上記低誘電正接樹脂（即ち、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂）の含有量は特に限定されない。上記低誘電正接樹脂の含有量は、好ましい下限が５０重量％である。上記低誘電正接樹脂の含有量が５０重量％以上であれば、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが上記範囲に調整されやすくなるため、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆがより小さくなり、伝送信号が高周波数化した場合にもより好適に使用できる多層フィルムとなる。上記低誘電正接樹脂の含有量のより好ましい下限は７０重量％である。
上記低誘電正接樹脂の含有量の上限は特に限定されず、１００重量％であってもよいが、好ましい上限は９０重量％である。上記低誘電正接樹脂の含有量が９０重量％以下であれば、上記表層に他の樹脂、他の成分等を配合することで、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを小さく保ちながら更なる性能を付与することもできる。具体的には例えば、上記表層に上記基材層を構成する樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを小さく保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。上記低誘電正接樹脂の含有量のより好ましい上限は８５重量％、更に好ましい上限は８０重量％である。
上記低誘電正接樹脂の含有量の上限は特に限定されず、１００重量％であってもよいが、好ましい上限は９０重量％である。上記低誘電正接樹脂の含有量が９０重量％以下であれば、上記表層に他の樹脂、他の成分等を配合することで、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを小さく保ちながら更なる性能を付与することもできる。具体的には例えば、上記表層に上記基材層を構成する樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、上記表層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを小さく保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。上記低誘電正接樹脂の含有量のより好ましい上限は８５重量％、更に好ましい上限は８０重量％である。
【0020】
上記表層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２０μｍである。上記表層の厚みが５μｍ以上であれば、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆを充分に小さくすることができる。上記表層の厚みが２０μｍ以下であれば、多層フィルム全体としての線膨張率が高くなりすぎることを防ぐことができる。上記表層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５μｍである。
【0021】
上記基材層は、線膨張率の上限が５０ｐｐｍ／Ｋである。このような基材層を有することで、多層フィルム全体としての線膨張率が低くなり、高温に晒されても配線基板に反りを生じさせにくい多層フィルムとなる。上記基材層の線膨張率の好ましい上限は２５ｐｐｍ／Ｋ、より好ましい上限は２０ｐｐｍ／Ｋである。
上記基材層の線膨張率の下限は特に限定されず、低いほど、多層フィルム全体の線膨張率が低くなるため好ましい。上記基材層の線膨張率の好ましい下限は１０ｐｐｍ／Ｋである。
なお、線膨張率は、例えば、熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）等を用い、幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの基材層のサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により求めることができる。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
上記基材層の線膨張率の下限は特に限定されず、低いほど、多層フィルム全体の線膨張率が低くなるため好ましい。上記基材層の線膨張率の好ましい下限は１０ｐｐｍ／Ｋである。
なお、線膨張率は、例えば、熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）等を用い、幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの基材層のサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により求めることができる。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
【0022】
上記基材層を構成する樹脂は特に限定されないが、上記基材層の線膨張率が上記範囲を満たすためには、次のような樹脂を含有することが好ましい。即ち、上記基材層は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含有することが好ましい。本明細書中、これらの樹脂を「低線膨張率樹脂」ともいう。なかでも、誘電正接Ｄｆの低さと線膨張率の低さとのバランスに優れることから、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）がより好ましい。更に低い誘電正接が好まれることから、液晶ポリマー（ＬＣＰ）が更に好ましい。
【0023】
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）は、ある特定の温度範囲で液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマーであることが好ましい。
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）は特に限定されず、例えば、液晶性芳香族ポリエステル樹脂、液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂、これら液晶性芳香族ポリエステル樹脂又は液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂を同一分子鎖中に部分的に含むポリエステル樹脂等が挙げられる。これらの液晶ポリマー（ＬＣＰ）は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）は特に限定されず、例えば、液晶性芳香族ポリエステル樹脂、液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂、これら液晶性芳香族ポリエステル樹脂又は液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂を同一分子鎖中に部分的に含むポリエステル樹脂等が挙げられる。これらの液晶ポリマー（ＬＣＰ）は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0024】
上記液晶性芳香族ポリエステル樹脂は特に限定されず、例えば、芳香族ヒドロキシカルボン酸からなるポリエステル樹脂が挙げられる。
上記芳香族ヒドロキシカルボン酸は特に限定されず、例えば、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、ｍ－ヒドロキシ安息香酸、ｏ－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、５－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、４’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、３’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、４’－ヒドロキシフェニル－３－安息香酸、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、得られる液晶性芳香族ポリエステル樹脂の物性を調整しやすいことから、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸が好ましい。
上記芳香族ヒドロキシカルボン酸は特に限定されず、例えば、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、ｍ－ヒドロキシ安息香酸、ｏ－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、５－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、４’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、３’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、４’－ヒドロキシフェニル－３－安息香酸、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、得られる液晶性芳香族ポリエステル樹脂の物性を調整しやすいことから、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸が好ましい。
【0025】
また、上記液晶性芳香族ポリエステル樹脂としては、上述したような芳香族ヒドロキシカルボン酸と、芳香族又は脂環式ジカルボン酸と、芳香族、脂環式又は脂肪族ジオールとからなるポリエステル樹脂も挙げられる。
上記芳香族又は脂環式ジカルボン酸は特に限定されず、上記芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、４，４’－ジフェニルジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、１，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジカルボキシビフェニル、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。上記脂環式ジカルボン酸としては、例えば、ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸、デカリンジカルボン酸、テトラリンジカルボン酸等の炭素数８～１２のジカルボン酸、これらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、得られる液晶性芳香族ポリエステル樹脂の物性を調整しやすいことから、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
上記芳香族又は脂環式ジカルボン酸は特に限定されず、上記芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、４，４’－ジフェニルジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、１，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジカルボキシビフェニル、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。上記脂環式ジカルボン酸としては、例えば、ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸、デカリンジカルボン酸、テトラリンジカルボン酸等の炭素数８～１２のジカルボン酸、これらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、得られる液晶性芳香族ポリエステル樹脂の物性を調整しやすいことから、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
【0026】
上記芳香族、脂環式又は脂肪族ジオールは特に限定されず、上記芳香族ジオールとしては、例えば、２，６－ジヒドロキシナフタレン、１，４－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－ジヒドロキシビフェニル、ハイドロキノン、レゾルシン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、３，３’－ジヒドロキシビフェニル、３，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジヒドロキシビフェニルエーテル、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。上記脂環式ジオールとしては、例えば、シクロヘキサンジメタノール、アダマンタンジオール、スピログリコール、トリシクロデカンジメタノール等が挙げられる。上記脂肪族ジオールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，７－ヘプタンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、これらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、重合時の反応性に優れ、得られる液晶性芳香族ポリエステル樹脂の物性を調整しやすいことから、ハイドロキノン、４，４’－ジヒドロキシビフェニルが好ましい。
【0027】
上記液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂は特に限定されず、例えば、上述したような芳香族ヒドロキシカルボン酸と、芳香族ヒドロキシアミン又は芳香族ジアミンとからなるポリエステルアミド樹脂が挙げられる。
上記芳香族ヒドロキシアミンは特に限定されず、例えば、ｐ－アミノフェノール、ｍ－アミノフェノール、４－アミノ－１－ナフトール、５－アミノ－１－ナフトール、８－アミノ－２－ナフトール、４－アミノ－４’－ヒドロキシビフェニル、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。上記芳香族ジアミンは特に限定されず、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、１，８－ジアミノナフタレン、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記芳香族ヒドロキシアミンは特に限定されず、例えば、ｐ－アミノフェノール、ｍ－アミノフェノール、４－アミノ－１－ナフトール、５－アミノ－１－ナフトール、８－アミノ－２－ナフトール、４－アミノ－４’－ヒドロキシビフェニル、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。上記芳香族ジアミンは特に限定されず、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、１，８－ジアミノナフタレン、これらの置換体又は誘導体等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0028】
また、上記液晶性芳香族ポリエステルアミド樹脂としては、上述したような芳香族ヒドロキシカルボン酸と、上述したような芳香族ヒドロキシアミン又は芳香族ジアミンと、上述したような芳香族又は脂環式ジカルボン酸と、上述したような芳香族、脂環式又は脂肪族ジオールとからなるポリエステルアミド樹脂も挙げられる。
【0029】
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）の流動開始温度は特に限定されないが、好ましい下限は２７０℃、好ましい上限は４００℃であり、より好ましい下限は２８０℃、より好ましい上限は３８０℃である。上記流動開始温度が上記範囲内であれば、高耐熱性と成形性を兼ね備えた樹脂となる。
なお、流動開始温度は、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００ポイズ）の粘度を示す温度である。
なお、流動開始温度は、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００ポイズ）の粘度を示す温度である。
【0030】
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）の溶融粘度は特に限定されないが、上記流動開始温度より３０℃高い温度において、径０．５ｍｍ及び長さ１０ｍｍのキャピラリーを使用し、せん断速度１０００秒－１で測定した溶融粘度の好ましい下限は１０Ｐａ・ｓ、好ましい上限は６００Ｐａ・ｓである。上記溶融粘度が上記範囲内であれば、高耐熱性と成形性を兼ね備えた樹脂となる。
【0031】
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）の溶融張力は特に限定されないが、上記流動開始温度より３０℃高い温度において、径０．５ｍｍ及び長さ１０ｍｍのキャピラリーを使用し、引取速度４２ｍ／分で測定した溶融張力の好ましい下限は１ｍＮ、好ましい上限は２０ｍＮである。上記溶融張力が上記範囲内であれば、高耐熱性と成形性を兼ね備えた樹脂となる。
なお、溶融張力は、例えば、キャピログラフ（東洋精機製作所社製）等を用いて測定できる。
なお、溶融張力は、例えば、キャピログラフ（東洋精機製作所社製）等を用いて測定できる。
【0032】
上記液晶ポリマー（ＬＣＰ）の市販品として、例えば、ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標）、東レ社製のシベラス（登録商標）、ポリプラスチックス社製の商品名ラペロス等が挙げられる。
【0033】
上記ポリイミド（ＰＩ）とは、主鎖にイミド骨格を有するポリマーである。
上記ポリイミド（ＰＩ）は特に限定されず、例えば、ジアミン化合物と、芳香族酸無水物とからなるポリイミド等が挙げられる。上記ジアミン化合物は特に限定されず、脂肪族ジアミン化合物であってもよく、芳香族ジアミン化合物であってもよい。上記芳香族酸無水物は特に限定されず、例えば、ピロメリット酸等が挙げられる。
上記ポリイミド（ＰＩ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記ポリイミド（ＰＩ）は特に限定されず、例えば、ジアミン化合物と、芳香族酸無水物とからなるポリイミド等が挙げられる。上記ジアミン化合物は特に限定されず、脂肪族ジアミン化合物であってもよく、芳香族ジアミン化合物であってもよい。上記芳香族酸無水物は特に限定されず、例えば、ピロメリット酸等が挙げられる。
上記ポリイミド（ＰＩ）は１種のみが単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0034】
上記ポリイミド（ＰＩ）の市販品として、例えば、東レ・デュポン社製のカプトンＨ（登録商標）、宇部興産社製のユーピレックス（登録商標）、カネカ社製のアピカルＡＨ（登録商標）、ゼノマックスジャパン社製のゼノマックス（登録商標）等が挙げられる。
【0035】
上記変性ポリイミド（ＭＰＩ）とは、上述したようなポリイミド（ＰＩ）にフッ素樹脂等の低極性材料を配合したものである。
上記変性ポリイミド（ＭＰＩ）の市販品として、例えば、東レ・デュポン社製のカプトンＲＲ（登録商標）、カネカ社製のピクシオ ＩＢ（登録商標）等が挙げられる。
上記変性ポリイミド（ＭＰＩ）の市販品として、例えば、東レ・デュポン社製のカプトンＲＲ（登録商標）、カネカ社製のピクシオ ＩＢ（登録商標）等が挙げられる。
【0036】
上記基材層における上記低線膨張率樹脂（即ち、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂）の含有量は特に限定されないが、好ましい下限が１０重量％である。上記低線膨張率樹脂の含有量が１０重量％以上であれば、上記基材層の線膨張率が上記範囲に調整されやすくなるため、多層フィルム全体としての線膨張率がより低くなり、高温に晒されても配線基板に反りを生じさせにくい多層フィルムとなる。上記低線膨張率樹脂の含有量のより好ましい下限は２０重量％、更に好ましい下限は２５重量％である。
上記低線膨張率樹脂の含有量の上限は特に限定されず、１００重量％であってもよいが、好ましい上限は８０重量％である。上記低線膨張率樹脂の含有量が８０重量％以下であれば、上記基材層に他の樹脂、他の成分等を配合することで、上記基材層の線膨張率を低く保ちながら更なる性能を付与することもできる。具体的には例えば、上記基材層に上記表層を構成する樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、上記基材層の線膨張率を低く保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。上記低線膨張率樹脂の含有量のより好ましい上限は６０重量％、更に好ましい上限は５０重量％である。
上記低線膨張率樹脂の含有量の上限は特に限定されず、１００重量％であってもよいが、好ましい上限は８０重量％である。上記低線膨張率樹脂の含有量が８０重量％以下であれば、上記基材層に他の樹脂、他の成分等を配合することで、上記基材層の線膨張率を低く保ちながら更なる性能を付与することもできる。具体的には例えば、上記基材層に上記表層を構成する樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、上記基材層の線膨張率を低く保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。上記低線膨張率樹脂の含有量のより好ましい上限は６０重量％、更に好ましい上限は５０重量％である。
【0037】
上記基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記基材層の厚みが上記範囲内であれば、多層フィルム全体としての線膨張率を充分に低くすることができる。上記基材層の厚みのより好ましい下限は２０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
【0038】
本発明の多層フィルムは、更に、反応型相溶化剤を含有してもよい。
上記反応型相溶化剤を含有することで、上記表層と上記基材層との間の層間強度が高くなる。なお、上記反応型相溶化剤は、上記表層に配合されてもよく、上記基材層に配合されてもよい。
上記反応型相溶化剤は特に限定されず、例えば、三井化学社製のアドマーＱ、三洋化成社製のユーメックス、三井化学社製のタフマーＭ、住友化学社製のボンドファースト、旭化成社製のタフテックＭ、日油社製のモディパーＣ１４３０Ｇ、日本触媒社製のエポクロスＲＰＳ－１００５等が挙げられる。なかでも、日本触媒社製のエポクロスＲＰＳ－１００５が好ましい。
上記反応型相溶化剤を含有することで、上記表層と上記基材層との間の層間強度が高くなる。なお、上記反応型相溶化剤は、上記表層に配合されてもよく、上記基材層に配合されてもよい。
上記反応型相溶化剤は特に限定されず、例えば、三井化学社製のアドマーＱ、三洋化成社製のユーメックス、三井化学社製のタフマーＭ、住友化学社製のボンドファースト、旭化成社製のタフテックＭ、日油社製のモディパーＣ１４３０Ｇ、日本触媒社製のエポクロスＲＰＳ－１００５等が挙げられる。なかでも、日本触媒社製のエポクロスＲＰＳ－１００５が好ましい。
【0039】
上記反応型相溶化剤の含有量は特に限定されないが、上記表層又は上記基材層における好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％であり、より好ましい下限が３重量％、より好ましい上限が５重量％である。上記反応型相溶化剤の含有量が上記範囲内であれば、上記表層と上記基材層との間の層間強度がより高くなる。
【0040】
本発明の多層フィルムは、必要に応じて、更に、難燃剤、酸化防止剤、光安定化剤、金属不活性化剤、可塑剤、造核剤、透明化剤、帯電防止剤、滑剤等の添加剤を含有してもよい。なお、上記添加剤は、上記表層に配合されてもよく、上記基材層に配合されてもよい。
【0041】
本発明の多層フィルムは、上記表層と上記基材層とをそれぞれ少なくとも１つ有していればその層構造は特に限定されず、上記基材層の片面のみに上記表層を有する二層構造であってもよく、上記基材層の両面に上記表層を有する三層構造であってもよい。また、本発明の多層フィルムは、四層以上の構造であってもよい。
なかでも、上記基材層の両面に上記表層を有することが好ましい。上記基材層の両面に上記表層を有することで、多層フィルムの両側の表面に銅配線を形成する場合にも伝送損失をより抑えることができ、より好適に使用できる多層フィルムとなる。
なかでも、上記基材層の両面に上記表層を有することが好ましい。上記基材層の両面に上記表層を有することで、多層フィルムの両側の表面に銅配線を形成する場合にも伝送損失をより抑えることができ、より好適に使用できる多層フィルムとなる。
【0042】
本発明の多層フィルムは、上記表層と上記基材層との間に他の層を有していてもよいが、上記表層と上記基材層との間に他の層を有さないことが好ましい。即ち、上記表層と上記基材層とが、他の層を介することなく直接積層されていることが好ましい。
上記他の層は特に限定されず、例えば、接着剤層等が挙げられる。接着剤層は一般的に高周波数帯での誘電正接Ｄｆが大きいため、上記表層と上記基材層との間に接着剤層等の他の層を有さないことで、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆがより小さくなる。
なお、例えば、上記表層と上記基材層とをそれぞれ別々に作製し、接着剤層を用いることなく直接積層（単純積層）した場合には、上記表層と上記基材層との間の層間強度が低くなり、剥離しやすくなることがある。本発明の多層フィルムにおいては、接着剤層を用いなくとも、例えば、上記表層と上記基材層とに同じ樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、多層フィルムの高周波数帯での誘電正接Ｄｆを小さく保ち、かつ、線膨張率を低く保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。
上記他の層は特に限定されず、例えば、接着剤層等が挙げられる。接着剤層は一般的に高周波数帯での誘電正接Ｄｆが大きいため、上記表層と上記基材層との間に接着剤層等の他の層を有さないことで、多層フィルム全体としての高周波数帯での誘電正接Ｄｆがより小さくなる。
なお、例えば、上記表層と上記基材層とをそれぞれ別々に作製し、接着剤層を用いることなく直接積層（単純積層）した場合には、上記表層と上記基材層との間の層間強度が低くなり、剥離しやすくなることがある。本発明の多層フィルムにおいては、接着剤層を用いなくとも、例えば、上記表層と上記基材層とに同じ樹脂を配合するとともに共押出成形により多層フィルムを製造することで、多層フィルムの高周波数帯での誘電正接Ｄｆを小さく保ち、かつ、線膨張率を低く保ちながら、上記表層と上記基材層との間の密着性を高め、層間強度を上げることができる。
【0043】
本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆは特に限定されないが、好ましい上限は０．００１５である。このような多層フィルムであれば、伝送信号が高周波数化した場合にもより好適に使用できる。本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆのより好ましい上限は０．００１２、更に好ましい上限は０．００１である。
本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの下限は特に限定されず、小さいほど好ましい。本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい下限は０．０００１である。
本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの下限は特に限定されず、小さいほど好ましい。本発明の多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの好ましい下限は０．０００１である。
【0044】
本発明の多層フィルムの線膨張率は特に限定されないが、好ましい上限が５０ｐｐｍ／Ｋである。このような多層フィルムであれば、高温に晒されても変形しにくく、配線基板に反りを生じさせにくい。本発明の多層フィルムの線膨張率のより好ましい上限は２５ｐｐｍ／Ｋ、更に好ましい上限は２０ｐｐｍ／Ｋである。
本発明の多層フィルムの線膨張率の下限は特に限定されず、低いほど好ましい。本発明の多層フィルムの線膨張率の好ましい下限は１０ｐｐｍ／Ｋである。
本発明の多層フィルムの線膨張率の下限は特に限定されず、低いほど好ましい。本発明の多層フィルムの線膨張率の好ましい下限は１０ｐｐｍ／Ｋである。
【0045】
本発明の多層フィルム全体としての厚みは特に限定されないが、好ましい下限は２０μｍ、好ましい上限は２５０μｍであり、より好ましい下限は３０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
本発明の基材層の厚みに対する表層の厚みの比率（表層の厚み／基材層の厚み）は、４以下であることが好ましく、１以下であることがより好ましく、０．３以下であることが特に好ましい。また、０．０１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上記上限以下であることにより、多層フィルムの線膨張率を低く抑えることが容易となり、上記下限以上であることにより、多層フィルムの誘電正接Ｄｆを低く抑えることが容易となる。基材層の両面に表層を有する場合、上記比率は、基材層の厚みに対する、両方の表層を合わせた厚みの比率のことである。
本発明の基材層の厚みに対する表層の厚みの比率（表層の厚み／基材層の厚み）は、４以下であることが好ましく、１以下であることがより好ましく、０．３以下であることが特に好ましい。また、０．０１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上記上限以下であることにより、多層フィルムの線膨張率を低く抑えることが容易となり、上記下限以上であることにより、多層フィルムの誘電正接Ｄｆを低く抑えることが容易となる。基材層の両面に表層を有する場合、上記比率は、基材層の厚みに対する、両方の表層を合わせた厚みの比率のことである。
【0046】
本発明の多層フィルムを製造する方法は特に限定されないが、共押出成形により多層フィルムを製造する方法が好ましい。なお、本発明の多層フィルムの製造方法としては、上記表層と上記基材層とをそれぞれ別々に作製し、接着剤層を用いることなく直接積層（単純積層）したり、接着剤層を用いて積層したりする方法を採用してもよい。
本発明の多層フィルムを製造する際には、上記基材層の線膨張率が上記範囲を満たすためには、多層フィルムに延伸、アニール処理等を行うことが好ましい。延伸、アニール処理等を行うことで、上記基材層の結晶化度が上がり、線膨張率がより低下する。
本発明の多層フィルムを製造する際には、上記基材層の線膨張率が上記範囲を満たすためには、多層フィルムに延伸、アニール処理等を行うことが好ましい。延伸、アニール処理等を行うことで、上記基材層の結晶化度が上がり、線膨張率がより低下する。
【0047】
上記表層および基材層は、更に熱可塑性エラストマーを含有することで、押出成形等によって良好に製造されやすくなる。
なお、多層フィルムの上記２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを上記範囲に調整するためには、上述したような樹脂を用いることが考えられるが、このような樹脂の種類によっては、製膜性が不充分となるため、押出成形等によって良好に製造できないことがある。
上記熱可塑性エラストマーは特に限定されず、ハードセグメントとソフトセグメントとを有し、ゴム弾性を示す樹脂であることが好ましく、例えば、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。なかでも、上記２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが上記範囲を満たしやすいことから、スチレン系エラストマー及びオレフィン系エラストマーからなる群より選ばれる少なくとも１種のエラストマーが好ましく、スチレン系エラストマーがより好ましい。
なお、多層フィルムの上記２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆを上記範囲に調整するためには、上述したような樹脂を用いることが考えられるが、このような樹脂の種類によっては、製膜性が不充分となるため、押出成形等によって良好に製造できないことがある。
上記熱可塑性エラストマーは特に限定されず、ハードセグメントとソフトセグメントとを有し、ゴム弾性を示す樹脂であることが好ましく、例えば、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。なかでも、上記２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが上記範囲を満たしやすいことから、スチレン系エラストマー及びオレフィン系エラストマーからなる群より選ばれる少なくとも１種のエラストマーが好ましく、スチレン系エラストマーがより好ましい。
【0048】
上記スチレン系エラストマーは特に限定されないが、ハードセグメントとしての芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）と、ソフトセグメントとしての共役ジエン重合体ブロック（Ｂ）とを有するブロック共重合体であることが好ましい。
【0049】
上記芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）とは、芳香族アルケニル化合物に由来する繰り返し単位を有するブロックを意味する。
上記芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）は、芳香族アルケニル化合物に由来する繰り返し単位を主な構成成分としたブロックであればよく、エチレン等の他の化合物に由来する繰り返し単位を含んでいてもよい。
上記芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）としては、ポリアルキルスチレン、ポリハロゲン化スチレン、ポリハロゲン置換アルキルスチレン、ポリアルコキシスチレン、ポリカルボキシアルキルスチレン、ポリアルキルエーテルスチレン、ポリアルキルシリルスチレン、ポリ（ビニルベンジルジメトキシホスファイド）等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）は、芳香族アルケニル化合物に由来する繰り返し単位を主な構成成分としたブロックであればよく、エチレン等の他の化合物に由来する繰り返し単位を含んでいてもよい。
上記芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）としては、ポリアルキルスチレン、ポリハロゲン化スチレン、ポリハロゲン置換アルキルスチレン、ポリアルコキシスチレン、ポリカルボキシアルキルスチレン、ポリアルキルエーテルスチレン、ポリアルキルシリルスチレン、ポリ（ビニルベンジルジメトキシホスファイド）等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0050】
上記ポリアルキルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリジメチルスチレン、ポリｔ－ブチルスチレン等が挙げられる。
上記ポリハロゲン化スチレンは特に限定されず、例えば、ポリクロロスチレン、ポリブロモスチレン、ポリフルオロスチレン等が挙げられる。
上記ポリハロゲン置換アルキルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリクロロメチルスチレン等が挙げられる。
上記ポリアルコキシスチレンは特に限定されず、例えば、ポリメトキシスチレン、ポリエトキシスチレン等が挙げられる。
上記ポリカルボキシアルキルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリカルボキシメチルスチレン等が挙げられる。
上記ポリアルキルエーテルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリビニルベンジルプロピルエーテル等が挙げられる。
上記ポリアルキルシリルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリトリメチルシリルスチレン等が挙げられる。
上記ポリハロゲン化スチレンは特に限定されず、例えば、ポリクロロスチレン、ポリブロモスチレン、ポリフルオロスチレン等が挙げられる。
上記ポリハロゲン置換アルキルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリクロロメチルスチレン等が挙げられる。
上記ポリアルコキシスチレンは特に限定されず、例えば、ポリメトキシスチレン、ポリエトキシスチレン等が挙げられる。
上記ポリカルボキシアルキルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリカルボキシメチルスチレン等が挙げられる。
上記ポリアルキルエーテルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリビニルベンジルプロピルエーテル等が挙げられる。
上記ポリアルキルシリルスチレンは特に限定されず、例えば、ポリトリメチルシリルスチレン等が挙げられる。
【0051】
上記共役ジエン重合体ブロック（Ｂ）とは、共役ジエン化合物に由来する繰り返し単位を有するブロックを意味する。
上記共役ジエン化合物としては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－オクタジエン、１，３－ヘキサジエン、１，３－シクロヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン、ミルセン、クロロプレン等が挙げられる。これらの共役ジエン化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記共役ジエン化合物としては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－オクタジエン、１，３－ヘキサジエン、１，３－シクロヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン、ミルセン、クロロプレン等が挙げられる。これらの共役ジエン化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0052】
上記スチレン系エラストマーのハードセグメント含有量（芳香族アルケニル重合体ブロック（Ａ）の含有量）は特に限定されないが、好ましい下限は３０重量％、好ましい上限は６０重量％である。上記ハードセグメント含有量が６０重量％以下であれば、多層フィルムを押出成形等によって良好に製造することができる。上記ハードセグメント含有量のより好ましい下限は３５重量％、より好ましい上限は５０重量％である。
【0053】
上記スチレン系エラストマーは、水素添加体であってもよい。上記スチレン系エラストマーの水素添加率は特に限定されないが、９５％以上であることが好ましく、９６％以上であることがより好ましい。上記水素添加率の上限は特に限定されず、１００％以下であればよい。
【0054】
上記スチレン系エラストマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、好ましい下限は５万、好ましい上限は１００万であり、より好ましい下限は１０万、より好ましい上限は５０万である。上記重量平均分子量が上記範囲内であれば、多層フィルムを押出成形等によって良好に製造することができる。
【0055】
上記スチレン系エラストマーとして、具体的には例えば、ＳＢＳ（スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体）、ＳＩＳ（スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体）、ＳＥＢＳ（スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体）、ＳＥＰＳ（スチレン－エチレン・プロピレン－スチレンブロック共重合体）等が挙げられる。なかでも、成形性の観点から、ＳＥＰＳ及びＳＥＢＳが好ましい。
【0056】
上記熱可塑性エラストマーの含有量は特に限定されず、上記低誘電正接樹脂や上記低線膨張率樹脂等の他の樹脂と上記熱可塑性エラストマーの種類（特に他の樹脂の種類）に応じて調整すればよい。本発明の表層又は基材層を構成する樹脂全体に占める上記熱可塑性エラストマーの含有量の好ましい下限は１重量％、好ましい上限は３０重量％である。上記熱可塑性エラストマーの含有量が１重量％以上であれば、多層フィルムを押出成形等によって良好に製造することができる。上記熱可塑性エラストマーの含有量が３０重量％以下であれば、多層フィルムの上記２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆが好ましい範囲となりやすい。上記熱可塑性エラストマーの含有量のより好ましい下限は２重量％、より好ましい上限は２０重量％であり、更に好ましい下限は３重量％、更に好ましい上限は１０重量％である。
【0057】
本発明の多層フィルムの用途は特に限定されないが、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することができ、また、線膨張率が低く、高温に晒されても配線基板に反りを生じさせにくいことから、配線基板、特にフレキシブルプリント基板を作製するための銅張積層板に用いられるベースフィルムとして好適に用いられる。本発明の多層フィルムを含む銅張積層板もまた、本発明の一つである。
【発明の効果】
【0058】
本発明によれば、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することのできる、線膨張率の低い多層フィルム、及び、該多層フィルムを用いた銅張積層板を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0059】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【0060】
（実施例１）
（１）多層フィルムの製造
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））６３重量部と、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））７部と、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））３０重量部とを混合し、表層用樹脂組成物を得た。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））５０重量部と、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））４５重量部と、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））５部を混合し、基材層用樹脂組成物を得た。
表層用樹脂組成物、及び、基材層用樹脂組成物を押出機（ジーエムエンジニアリング社製、ＧＭ３０－２８（スクリュー径３０ｍｍ、Ｌ／Ｄ２８））を用いてＴダイ幅４００ｍｍにて三層共押出した。これにより、基材層（厚み４０μｍ）の両面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する三層構造の多層フィルムを得た。
なお、表層のシリンダー温度、基材層のシリンダー温度、及び、金型温度は、それぞれ、融点が最も高い樹脂の融点より２０℃高い温度に設定した。表層のスクリュー回転数を１０ｒｐｍ、基材層のスクリュー回転数を１５ｒｐｍに設定した。押出された溶融樹脂を冷却ロール（温度８０℃）により引取り速度３ｍ／分で引取りながら冷却して製膜した。
（１）多層フィルムの製造
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））６３重量部と、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））７部と、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））３０重量部とを混合し、表層用樹脂組成物を得た。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））５０重量部と、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））４５重量部と、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））５部を混合し、基材層用樹脂組成物を得た。
表層用樹脂組成物、及び、基材層用樹脂組成物を押出機（ジーエムエンジニアリング社製、ＧＭ３０－２８（スクリュー径３０ｍｍ、Ｌ／Ｄ２８））を用いてＴダイ幅４００ｍｍにて三層共押出した。これにより、基材層（厚み４０μｍ）の両面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する三層構造の多層フィルムを得た。
なお、表層のシリンダー温度、基材層のシリンダー温度、及び、金型温度は、それぞれ、融点が最も高い樹脂の融点より２０℃高い温度に設定した。表層のスクリュー回転数を１０ｒｐｍ、基材層のスクリュー回転数を１５ｒｐｍに設定した。押出された溶融樹脂を冷却ロール（温度８０℃）により引取り速度３ｍ／分で引取りながら冷却して製膜した。
【0061】
（２）表層及び基材層の２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの測定
ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、実施例及び比較例と同様にして別途作製した４０ｍｍ角の表層のみ又は基材層のみからなるサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により誘電正接Ｄｆを測定した。
ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、実施例及び比較例と同様にして別途作製した４０ｍｍ角の表層のみ又は基材層のみからなるサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により誘電正接Ｄｆを測定した。
【0062】
（３）表層及び基材層の線膨張率の測定
熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用い、実施例及び比較例と同様にして別途作製した幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの表層のみ又は基材層のみからなるサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により線膨張率を求めた。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用い、実施例及び比較例と同様にして別途作製した幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの表層のみ又は基材層のみからなるサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により線膨張率を求めた。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
【0063】
（実施例２～６、比較例１～２）
表層用樹脂組成物、基材層用樹脂組成物、又は、層構造を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、多層フィルムを得た。使用した樹脂を以下に示す。
表層用樹脂組成物、基材層用樹脂組成物、又は、層構造を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、多層フィルムを得た。使用した樹脂を以下に示す。
【0064】
エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）（ＡＧＣ社製のＦｌｕｏｎ ＥＴＦＥ（登録商標））
シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）（ポリプラスチックス社製の商品名ＴＯＰＡＳ（登録商標））
水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））
パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）（ＡＧＣ社製の商品名Ｆｌｕｏｎ＋ＴＭ ＥＡ－２０００（登録商標））
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））
液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））
シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）（ポリプラスチックス社製の商品名ＴＯＰＡＳ（登録商標））
水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）（旭化成社製の商品名タフテック（登録商標））
パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）（ＡＧＣ社製の商品名Ｆｌｕｏｎ＋ＴＭ ＥＡ－２０００（登録商標））
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＮＯＲ（登録商標））
液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））
【0065】
（実施例７）
実施例７では両面の表層の厚みをそれぞれ２０μｍ、基材層の厚みを１０μｍとしたこと以外は実施例２と同様に多層フィルムを作製した。
実施例７では両面の表層の厚みをそれぞれ２０μｍ、基材層の厚みを１０μｍとしたこと以外は実施例２と同様に多層フィルムを作製した。
【0066】
（実施例８）
多層フィルム全体の厚みを５０μｍとし、両面の表層の厚みをそれぞれ１２．５μｍ、基材層の厚みを２５μｍとしたこと以外は実施例２と同様に多層フィルムを作製した。
多層フィルム全体の厚みを５０μｍとし、両面の表層の厚みをそれぞれ１２．５μｍ、基材層の厚みを２５μｍとしたこと以外は実施例２と同様に多層フィルムを作製した。
【0067】
（比較例３）
ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）（ポリプラスチックス社製の商品名ジュラファイド）を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、表層（厚み５μｍ）となるフィルムを作製した。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、基材層（厚み４０μｍ）となるフィルムを作製した。
得られた表層となるフィルムと基材層となるフィルムとを、層間接着剤を用いて２００℃の温度で熱ラミネートすることにより、基材層（厚み４０μｍ）の片面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する二層構造の多層フィルムを得た。
ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）（ポリプラスチックス社製の商品名ジュラファイド）を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、表層（厚み５μｍ）となるフィルムを作製した。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、基材層（厚み４０μｍ）となるフィルムを作製した。
得られた表層となるフィルムと基材層となるフィルムとを、層間接着剤を用いて２００℃の温度で熱ラミネートすることにより、基材層（厚み４０μｍ）の片面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する二層構造の多層フィルムを得た。
【0068】
（比較例４）
表層用樹脂組成物、基材層用樹脂組成物、又は、層構造を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、多層フィルムを得た。使用した樹脂を以下に示す。
表層用樹脂組成物、基材層用樹脂組成物、又は、層構造を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、多層フィルムを得た。使用した樹脂を以下に示す。
【0069】
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）（ダイセル社製の商品名ベスタキ－プ（登録商標））
液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））
液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））
【0070】
（比較例５）
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）（ダイセル社製の商品名ベスタキ－プ（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、表層（厚み５μｍ）となるフィルムを作製した。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、基材層（厚み４０μｍ）となるフィルムを作製した。
得られた表層となるフィルムと基材層となるフィルムとを、層間接着剤を用いて２００℃の温度で熱ラミネートすることにより、基材層（厚み４０μｍ）の両面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する三層構造の多層フィルムを得た。
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）（ダイセル社製の商品名ベスタキ－プ（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、表層（厚み５μｍ）となるフィルムを作製した。
一方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）（ＪＸ液晶社製の商品名ザイダー（登録商標））を用いて実施例１と同様の条件により単層膜の製膜を行うことにより、基材層（厚み４０μｍ）となるフィルムを作製した。
得られた表層となるフィルムと基材層となるフィルムとを、層間接着剤を用いて２００℃の温度で熱ラミネートすることにより、基材層（厚み４０μｍ）の両面に表層（片面の厚み５μｍ）を有する三層構造の多層フィルムを得た。
【0071】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた多層フィルムについて以下の評価を行った。結果を表１に示した。
実施例及び比較例で得られた多層フィルムについて以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【0072】
（１）多層フィルムの２０ＧＨｚでの誘電正接Ｄｆの測定
ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、４０ｍｍ角の多層フィルムのサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により誘電正接Ｄｆを測定した。誘電正接Ｄｆが０．００１未満であった場合を◎、０．００１以上０．００２未満であった場合を〇、０．００２以上であった場合を×とした。
ＰＮＡネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製）を用い、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準拠して、４０ｍｍ角の多層フィルムのサンプルについて２５℃、２０ＧＨｚで空洞共振法により誘電正接Ｄｆを測定した。誘電正接Ｄｆが０．００１未満であった場合を◎、０．００１以上０．００２未満であった場合を〇、０．００２以上であった場合を×とした。
【0073】
（２）多層フィルムの線膨張率の測定
熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用い、幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの多層フィルムのサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により線膨張率を求めた。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
線膨張率が２５ｐｐｍ／Ｋ未満であった場合を◎、２５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ未満であった場合を〇、５０ｐｐｍ／Ｋ以上であった場合を×とした。
熱機械分析装置ＴＭＡ８３１０（リガク社製）を用い、幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの多層フィルムのサンプルについて、引張モード（初期荷重１０ｍＮ）、昇温速度１０℃／分で２５℃から２００℃まで測定を行い、下記式（１）により線膨張率を求めた。
線膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）＝ΔＬ／（Ｌ・ΔＴ） （１）
（ΔＬは変位量、Ｌはサンプル長さ、ΔＴは変位温度を表す。）
線膨張率が２５ｐｐｍ／Ｋ未満であった場合を◎、２５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ未満であった場合を〇、５０ｐｐｍ／Ｋ以上であった場合を×とした。
【0074】
【表1】
【産業上の利用可能性】
【0075】
本発明によれば、伝送信号が高周波数化した場合にも好適に使用することのできる、線膨張率の低い多層フィルム、及び、該多層フィルムを用いた銅張積層板を提供することができる。