特開 2023-29616 タッチパネル装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023029616

(43)【公開日】2023-03-03

(54)【発明の名称】タッチパネル装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/045 20060101AFI20230224BHJP

【ＦＩ】

G06F3/045 G

【審査請求】有

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023003526

(22)【出願日】2023-01-13

(62)【分割の表示】P 2019061858の分割

【原出願日】2019-03-27

(71)【出願人】

【識別番号】501398606

【氏名又は名称】富士通コンポーネント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】牧内 祐仁

(72)【発明者】

【氏名】上野 豊

(57)【要約】

【課題】 入力座標の検出精度を向上したタッチパネル装置を提供する。
【解決手段】 タッチパネル装置は、台形形状の第１抵抗膜と、前記台形形状の底辺である前記第１抵抗膜の一組の対辺に沿う一組の電極と、タッチ入力に応じて前記第１抵抗膜と接触し、前記一組の電極の間の電圧により前記第１抵抗膜との接触位置に応じた電位を有する第２抵抗膜とを有し、前記第１抵抗膜は、前記一組の電極の間をそれぞれ結ぶ複数の膜片に分割されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

台形形状の第１抵抗膜と、
前記台形形状の底辺である前記第１抵抗膜の一組の対辺に沿う一組の電極と、
タッチ入力に応じて前記第１抵抗膜と接触し、前記一組の電極の間の電圧により前記第１抵抗膜との接触位置に応じた電位を有する第２抵抗膜とを有し、
前記第１抵抗膜は、前記一組の電極の間をそれぞれ結ぶ複数の膜片に分割されていることを特徴とするタッチパネル装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、タッチパネル装置に関する。

【背景技術】

【0002】

抵抗膜方式のタッチパネル装置は、タッチ入力時、一対の抵抗膜が互いに接触した位置に応じた電位を生ずることによりタッチ座標を検出する（例えば特許文献１）。タッチパネル装置の用途の多様化に伴い、タッチ入力の領域が通常の正方形や長方形状ではなく、台形形状であるタッチパネル装置が求められている。

【0003】

これに対し、例えば正方形または長方形の抵抗膜の一部をカバーなどで覆うことによりタッチ入力の領域を台形形状とする手段が用いられる。例えば特許文献２には、台形形状の静電容量結合型座標入力パネルが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１６－１１０２２３号公報

【特許文献2】特開２０１１－８７５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、上記の手段によると、抵抗膜に未使用の部分が存在するため、無駄な部分が生ずるだけでなく、タッチパネル装置のサイズを小型化することが難しい。この問題は、抵抗膜を台形形状とすれば回避されるが、台形形状に合わせた電極の配置によって抵抗膜の電位分布が歪むため、タッチ入力された座標（以下、「入力座標」と表記）の検出精度が低下するおそれがある。

【0006】

そこで本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、入力座標の検出精度を向上したタッチパネル装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

１つの態様では、タッチパネル装置は、台形形状の第１抵抗膜と、前記台形形状の底辺である前記第１抵抗膜の一組の対辺に沿う一組の電極と、タッチ入力に応じて前記第１抵抗膜と接触し、前記一組の電極の間の電圧により前記第１抵抗膜との接触位置に応じた電位を有する第２抵抗膜とを有し、前記第１抵抗膜は、前記一組の電極の間をそれぞれ結ぶ複数の膜片に分割されている。

【発明の効果】

【0008】

本発明によると、タッチパネル装置の入力座標の検出精度を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】タッチパネル装置の一例を示す構成図である。

【図2】タッチパネルの一例を示す構成図である。

【図3】比較例の上部抵抗膜を示す図である。

【図4】実施例の上部抵抗膜を示す図である。

【図5】比較例の下部抵抗膜を示す図である。

【図6】実施例の下部抵抗膜を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

（タッチパネル装置の構成）
図１は、タッチパネル装置の一例を示す構成図である。タッチパネル装置は、タッチパネル１００と、ディスプレイ１０１と、制御装置６とを備える。

【0011】

タッチパネル１００は、抵抗膜方式であり、使用者からタッチ入力を受ける入力面を備える。ディスプレイ１０１は、例えば液晶モニタであり、正面視でタッチパネル１００の入力面に重複する表示面を備える。

【0012】

制御装置６は、例えばマイクロコントローラであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサ４と、プロセッサ４が実行するプログラムが格納されたＲＯＭ（Read Only Memory）５０と、ワークメモリとして機能するＲＡＭ（Random Access Memory）５１と、通信ポート５２とを有する。プロセッサ４は、タッチパネル１００及びディスプレイ１０１に接続され、また、バス６０を介してＲＯＭ５０、ＲＡＭ５１、及び通信ポート５２と接続されている。

【0013】

プロセッサ４は、電源投入時、ＲＯＭ５０からプログラムを読み込むと、機能として、制御部４０、検出部４１、及び表示部４３が形成される。制御部４０は、例えば、タッチパネル１００を駆動するスイッチを制御する。検出部４１は、タッチパネル１００の入力面内の入力座標を、タッチパネル１００の電位に基づき検出する。表示部４３は、ディスプレイ１０１の表示処理を行う。

【0014】

プロセッサ４は、通信ポート５２を介してホスト装置と通信する。ホスト装置は、例えばタッチパネル装置を用いるアプリケーションを実行するコンピュータである。

【0015】

検出部４１は、入力座標をホスト装置に通知する。例えばホスト装置は、入力座標に応じた表示データを表示部４３に出力し、表示部４３は表示データの画像をディスプレイ１０１に表示する。

【0016】

（タッチパネル１００の構成）
図２は、タッチパネル１００の一例を示す構成図である。タッチパネル１００は、互いに対向する上部抵抗膜１０、下部抵抗膜２０、電極１１，１２，２１，２２、接続部２３ａ，２３ｂ、透明基材１３，２４、及びスイッチ３１，３２，３４，３５を備えている。なお、座標系に関し、電極１１，１２に平行な方向をＸ方向とし、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とする。

【0017】

透明基材１４，２４は、例えば台形形状のＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルムである。一方の透明基材１４の表面には上部抵抗膜１０及び電極１１，１２が設けられ、他方の透明基材２４の表面には下部抵抗膜２０、接続部２３ａ，２３ｂ、及び電極２１，２２が設けられている。

【0018】

上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０は、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明な薄膜により形成され、台形形状を有している。なお、上部抵抗膜１０は第１抵抗膜の一例であり、下部抵抗膜２０は第２抵抗膜の一例である。また、上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０の上下方向の配置に限定はない。

【0019】

スイッチ３１，３２，３４，３５としては、トランジスタを挙げるが、これに限定されない。スイッチ３１，３２，３４，３５は、ベースが制御部４０に接続されており、制御部４０によりオンオフ制御される。

【0020】

上部抵抗膜１０のＹ方向の両端には一組の電極１１，１２がそれぞれ設けられている。電極１１，１２は、例えばＩＴＯの薄膜により形成されている。上部抵抗膜１０は、電極１１，１２の間をそれぞれ結ぶ帯状の複数の膜片１０ａに分割されている。

【0021】

電極１１には、スイッチ３１のコレクタ及び検出部４１が接続されている。スイッチ３１のエミッタは接地されている。電極１２には、スイッチ３２のコレクタが接続されており、スイッチ３２のエミッタには、電源電圧Ｖｃｃが印加されている。

【0022】

下部抵抗膜２０のＸ方向の両端には、一組の電極２１，２２がそれぞれ設けられている。電極２１，２２は、接続部２３ａ，２３ｂを介し下部抵抗膜２０にそれぞれ接続されている。

【0023】

接続部２３ａ，２３ｂは、例えばＩＴＯなどの透明な薄膜により形成されている。電極２２には、スイッチ３５のコレクタが接続されており、スイッチ３５のエミッタには、電源電圧Ｖｃｃが印加されている。電極２１には、検出部４１及びスイッチ３４のコレクタが接続されている。スイッチ３４のエミッタは接地されている。

【0024】

上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０は、不図示のドットスペーサーを挟んで対向するように重ね合わされている。入力面Ｓを正面視したとき、上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０の台形形状は重なり合う。上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０は、ドットスペーサーの厚みで規定される間隔だけ離れており、タッチペンなどによるタッチ入力に応じて互いに接触する。このとき、上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０の接触点Ｐの座標は、タッチ入力による入力面Ｓ内の入力座標に一致する。

【0025】

検出部４１は、接触点ＰのＸ座標をＸ方向における下部抵抗膜２０の電位勾配Ｖｘに基づき検出し、接触点ＰのＹ座標をＹ方向における上部抵抗膜１０の電位勾配Ｖｙに基づき検出する。

【0026】

制御部４０は、接触点ＰのＹ座標を検出するとき、スイッチ３１，３２をオンし、スイッチ３４，３５をオフする。これにより、上部抵抗膜１０の電極１１，１２間に電源電圧Ｖｃｃが印加されるので、Ｙ方向に電位勾配Ｖｙが発生する。このため、下部抵抗膜２０は、電源電圧Ｖｃｃにより接触点ＰのＹ座標に応じた電位を有する。検出部４１は接触点Ｐの電位を、下部抵抗膜２０を介し取得する。

【0027】

また、制御部４０は、接触点ＰのＸ座標を検出するとき、スイッチ３４，３５をオンし、スイッチ３１，３２をオフする。これにより、下部抵抗膜２０の電極２１，２２間に電源電圧Ｖｃｃが印加されるので、Ｘ方向に電位勾配Ｖｘが発生する。このため、上部抵抗膜１０は、電源電圧Ｖｃｃにより接触点ＰのＸ座標に応じた電位を有する。検出部４１は、接触点Ｐの電位を、上部抵抗膜１０を介し取得する。

【0028】

検出部４１は、接触点ＰのＸ方向及びＹ方向の各電位をデジタル値に変換し、変換後の値に基づいて接触点ＰのＸ座標及びＹ座標を検出する。Ｘ座標及びＹ座標は、電源電圧Ｖｃｃに対する各電位の比から電極１１，１２，２１，２２間の距離に基づいて算出される。

【0029】

例えば制御部４０は、接触点ＰのＸ座標を検出する状態と、接触点ＰのＹ座標を検出する状態とを、例えば一定の周期で切り替える。このため、スイッチ３１，３２の組とスイッチ３４，３５の組は交互にオンオフされる。

【0030】

上部抵抗膜１０及び下部抵抗膜２０は、以下に述べる構成によりＹ方向及びＸ方向に対して電位がそれぞれ線形的に変化するため、接触点の座標を高精度に検出することが可能となる。これに対し、比較例の上部抵抗膜１０’及び下部抵抗膜２０’は、Ｙ方向及びＸ方向に対して電位がそれぞれ非線形的に変化するため、接触点の座標を高精度に検出することが難しい。

【0031】

（比較例の上部抵抗膜１０’）
図３は、比較例の上部抵抗膜１０’を示す図である。符号Ｇ１ａは、上部抵抗膜１０’の平面図を示し、符号Ｇ１ｂは、Ｙ座標に対する上部抵抗膜１０’の電位Ｅｙの変化を示す。

【0032】

上部抵抗膜１０’は、実施例の上部抵抗膜１０と同様に、台形形状を有し、Ｙ方向の端部に電極１１，１２が設けられている。電極１１，１２は、台形形状の底辺である上部抵抗膜１０’の一組の対辺に沿って設けられている。例えば電極１１は台形形状の下底に沿っており、電極１２は台形形状の上底に沿っている。このため、Ｘ方向において電極１１は電極１２より長い。また、上部抵抗膜１０’は、実施例の上部抵抗膜１０とは異なり、複数の膜片１０ａに分割されていない。なお、電極１１，１２は、Ｘ方向の中心が揃っているが、ずれていてもよい。

【0033】

電極１１，１２間に電源電圧Ｖｃｃが印加されると、上部抵抗膜１０’にはＹ方向に沿った電位勾配Ｖｙが生ずる。電極１１が高電位側であり、電極１２が低電位側である場合、上部抵抗膜１０’内の電位分布は、Ｙ方向の負側に凸な等電位線Ｌｙ’により表される。

【0034】

電極１１，１２は長さが相違するため、電極１１，１２間の距離は、電極１１，１２上の位置に応じて異なる。例えば、電極１１，１２の中央近傍の位置間の距離ｄ２は、電極１１，１２の端部近傍の位置間の距離ｄ１より短い。このため、上部抵抗膜１０’には、電位ＥｙがＹ座標に対して非線形的に変化する部分がある。

【0035】

特性Ｐｘ１は、電極１２の端部近傍のＸ座標ｘ１における電位Ｅｙの変化を示し、特性Ｐｘ２は、電極１１，１２の中心近傍のＸ座標ｘ２（＞ｘ１）における電位Ｅｙの変化を示す。特性Ｐｘ１，Ｐｘ２のＹ座標の範囲はＹＡからＹＢ（＞ＹＡ）までである。

【0036】

特性Ｐｘ１で電位ＥｙはＹ座標に対して線形的に変化するが、特性Ｐｘ２で電位ＥｙはＹ座標に対して非線形的に変化する。このため、Ｙ座標ＹＣが同一であるにも関わらず、Ｘ座標ｘ１，ｘ２に応じて電位Ｅｙが相違する。例えば、Ｙ座標ＹＣの接触点Ｐにおける電位Ｅｙは、Ｘ座標がｘ１である場合、Ｅｃ１となり、Ｘ座標がｘ２である場合、Ｅｃ２（＞Ｅｃ１）となる。

【0037】

したがって、検出部４１は、電位Ｅｙから接触点ＰのＹ座標を正確に検出することができない。

【0038】

（実施例の上部抵抗膜１０）
図４は、実施例の上部抵抗膜１０を示す図である。符号Ｇ２ａは、上部抵抗膜１０の平面図を示し、符号Ｇ２ｂは、Ｙ座標に対する上部抵抗膜１０の電位Ｅｙの変化を示す。図４において、図３と共通する構成及び座標などには同一の符号を付し、その説明は省略する。

【0039】

上部抵抗膜１０は、比較例の上部抵抗膜１０’とは異なり、電極１１，１２の間をそれぞれ結ぶ複数の膜片１０ａに分割されている。膜片１０ａは、例えば製造工程において透明基材１３上に上部抵抗膜１０が形成された後、上部抵抗膜１０をエッチングすることにより得られる。エッチングにより各膜片１０ａの間には、例えば一定の間隔が設けられるため、各膜片１０ａは、電極１１，１２だけを介し互いに電気的に接続される。

【0040】

膜片１０ａは、Ｙ方向の両端の幅が異なるため、台形形状を有しているが、上部抵抗膜１０の分割数が多いほど、長方形に近い形状となる。このため、電極１１，１２間に電源電圧Ｖｃｃが印加された場合、各膜片１０ａの電位は互いに影響せず、膜片１０ａの延びる方向における位置、つまり電極１１，１２からの距離に対して線形的に変化する。したがって、上部抵抗膜１０内の電位分布は、Ｘ方向に対して平行な等電位線Ｌｙにより表される。

【0041】

特性Ｐｘ１，Ｐｘ２は、Ｘ座標ｘ１，ｘ２におけるＹ方向の電位Ｅｙの変化を示す。特性Ｐｘ１，Ｐｘ２は、等電位線ＬｙがＸ方向に平行であるため、同様である。電位Ｅｙは、膜片１０ａ上の位置に対して線形的に変化するため、Ｙ方向に対しても線形的に変化する。このため、例えばＹ座標ＹＣが共通であれば、Ｘ座標ｘ１，ｘ２が異なっても共通の電位Ｅｃが得られる。したがって、電位ＥｙからＹ座標を高精度に検出することができる。

【0042】

このように、上部抵抗膜１０は、台形形状の底辺である一組の対辺に沿って一様な電位Ｅｙを有するように、複数の膜片１０ａに分割されている。このため、電位Ｅｙは、Ｘ座標に影響されず、Ｙ座標に応じて変化する。これは、例えば膜片１０ａを理論的に長方形の導体とみなすために十分な分割数で上部抵抗膜１０を分割することにより可能である。

【0043】

しかし、膜片１０ａの形状は分割元の上部抵抗膜１０の形状より長方形に近いため、上部抵抗膜１０を複数の膜片１０ａに分割すれば、分割数によらず、Ｙ座標の検出精度が改善される。なお、各膜片１０ａの幅及び間隔は一定であることが好ましいが、異なっていてもよい。

【0044】

（比較例の下部抵抗膜２０’）
図５は、比較例の下部抵抗膜２０’を示す図である。符号Ｇ３ａは、下部抵抗膜２０’の平面図を示し、符号Ｇ３ｂは、Ｘ座標に対する下部抵抗膜２０’の電位Ｅｘの変化を示す。

【0045】

下部抵抗膜２０’は、実施例の下部抵抗膜２０と同様に、台形形状を有し、Ｘ方向の端部に電極２１，２２が設けられている。電極２１，２２は、台形形状の脚である下部抵抗膜２０’の一組の対辺に沿って設けられている。また、下部抵抗膜２０’は、実施例とは異なり、接続部２３ａ，２３ｂが設けられていない。このため、電極２１，２２は直接的に下部抵抗膜２０’に接続されている。

【0046】

電極２１，２２間に電源電圧Ｖｃｃが印加されると、下部抵抗膜２０’にはＸ方向に沿った電位勾配Ｖｘが生ずる。ここで、電極２２が高電位側であり、電極２１が低電位側であるとする。上部抵抗膜１０内の電位分布は、電極２１，２２がハの字状に配置されていることから電極２１，２２間の距離がＹ方向に沿って変化するため、Ｙ方向に沿って延び、Ｘ方向において下部抵抗膜２０’の外側から中心に向かって歪曲した等電位線Ｌｘ’により表される。

【0047】

特性Ｐｙ１は、電極２１，２２の下端近傍のＹ座標ｙ１における電位Ｅｘの変化を示し、特性Ｐｙ２は、電極２１，２２の中心近傍のＹ座標ｙ２（＞ｙ１）における電位Ｅｘの変化を示す。特性Ｐｙ１のＸ座標の範囲はＸＡからＸＢ（＞ＸＡ）までであり、特性Ｐｙ２のＸ座標の範囲はＸＡ’からＸＢ’（＞ＸＡ’）までである。

【0048】

電位Ｅｘは、Ｘ方向に沿って非線形に変化する。ここで、Ｘ座標ＸＡ，ＸＡ’の電位Ｅｘは、接触点が電極２２上に位置するため、共通の値Ｅｍａｘとなる。このため、相違するＸ座標ＸＡ，ＸＡ’に対して同一の電位Ｅｍａｘが得られる。

【0049】

また、Ｘ座標ＸＡ’における電位Ｅｘは、Ｙ座標がｙ２である場合、Ｅｍａｘであるが、Ｙ座標がｙ１である場合、Ｅｕ（＜Ｅｍａｘ）である。このため、Ｘ座標ＸＡ’が同一であるにも関わらず、Ｙ座標ｙ１，ｙ２に応じて電位Ｅｘが相違する。

【0050】

一方、Ｘ座標ＸＢ，ＸＢ’の電位Ｅｘは、接触点が電極２１上に位置するため、共通の値Ｅｍｉｎとなる。このため、相違するＸ座標ＸＢ，ＸＢ’に対して同一の電位Ｅｍｉｎが得られる。

【0051】

また、Ｘ座標ＸＢ’における電位Ｅｘは、Ｙ座標がｙ２である場合、Ｅｍｉｎであるが、Ｙ座標がｙ１である場合、Ｅｄ（＞Ｅｍｉｎ）である。このため、Ｘ座標ＸＢ’が同一であるにも関わらず、Ｙ座標ｙ１，ｙ２に応じて電位Ｅｘが相違する。

【0052】

このため、検出部４１は、電位Ｅｘから接触点のＸ座標を正確に検出することができない。

【0053】

（実施例の下部抵抗膜２０）
図６は、実施例の下部抵抗膜２０を示す図である。符号Ｇ４ａは、下部抵抗膜２０の平面図を示し、符号Ｇ４ｂは、Ｘ座標に対する下部抵抗膜２０の電位Ｅｘの変化を示す。図６において、図５と共通する構成及び座標などには同一の符号を付し、その説明は省略する。

【0054】

下部抵抗膜２０は、比較例の下部抵抗膜２０’とは異なり、接続部２３ａ，２３ｂを介して電極２１，２２にそれぞれ接続されている。接続部２３ａ，２３ｂは、台形形状の底辺である下部抵抗膜２０の一組の対辺のうち、短い方の対辺（つまり台形形状の上底）に近い位置ほど高い抵抗値を有する。

【0055】

このため、下部抵抗膜２０の電圧降下が、短い方の対辺に近い位置ほど高くなり、歪曲せずにＹ方向に沿った等電位線Ｌｘが得られる。したがって、Ｘ座標ＸＡにおける電位ＥｍａｘとＸ座標ＸＡ’における電位Ｅｕ’（＜Ｅｍａｘ）を異ならせることができ、Ｘ座標ＸＢにおける電位ＥｍｉｎとＸ座標ＸＢ’における電位Ｅｄ’（＞Ｅｍｉｎ）を異ならせることができる。さらに、特性Ｐｙ１，Ｐｙ２の各電位Ｅｘを、Ｘ座標ＸＡ～ＸＢ’の範囲において同様にＸ方向に対し線形的に変化させることができる。

【0056】

このように接続部２３ａ，２３ｂの抵抗値をＹ方向において変化させることにより、電位Ｅｘを、Ｙ座標によらず、Ｘ座標に応じ線形的に変化させることができる。よって、検出部４１は、電位Ｅｘから接触点のＸ座標を高精度に検出することができる。

【0057】

接続部２３ａ，２３ｂは、例えば複数のブリッジ２３０ａ，２３０ｂを含む。各ブリッジ２３０ａ，２３０ｂは、抵抗体の一例であり、台形形状の脚である下部抵抗膜２０の一組の対辺と電極２２，２１の間をそれぞれ結ぶ。

【0058】

各ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間の間隔Ｄａ，Ｄｂは、台形形状の底辺である下部抵抗膜２０の一組の対辺のうち、短い方の対辺に近いほど広い。つまり、各ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間の間隔Ｄａ，Ｄｂは、下部抵抗膜２０の台形形状の上底に近いほど広い。

【0059】

また、各ブリッジ２３０ａ，２３０ｂは、台形形状の底辺である下部抵抗膜２０の一組の対辺のうち、短い方の対辺に近いほど幅Ｗａ，Ｗｂが狭い。つまり、各ブリッジ２３０ａ，２３０ｂは、下部抵抗膜２０の台形形状の上底に近いほど幅Ｗａ，Ｗｂが狭い。

【0060】

このため、簡単な構成で接続部２３ａ，２３ｂの抵抗値を、下部抵抗膜２０の台形形状の上底に近いほど高くすることができる。なお、抵抗値を変化させるため、ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間隔Ｄａ，Ｄｂ及び幅Ｗａ，Ｗｂに代えて、または加えて、ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの厚さや素材をＹ方向に沿って変化させてもよい。また、本例では、ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間隔Ｄａ，Ｄｂ及び幅Ｗａ，Ｗｂの両方をＹ方向に沿って変化させるが、何れか一方だけを変化させてもよい。

【0061】

このように、接続部２３ａ，２３ｂは、下部抵抗膜２０がＹ方向に沿って一様な電位Ｅｘを有するように、下部抵抗膜２０の台形形状の上底に近い位置ほど高い抵抗値を有する。このため、電位Ｅｘは、Ｙ座標に影響されず、Ｘ座標に応じて変化する。これは、例えば比較例の等電位線Ｌｘ’の歪みが解消し、Ｙ座標によらずに電位Ｅｘが一様となるように、ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間隔Ｄａ，Ｄｂ及び幅Ｗａ，Ｗｂの少なくとも一方のＹ方向の分布を設定することにより可能である。

【0062】

しかし、下部抵抗膜２０の電圧降下が、下部抵抗膜２０の台形形状の上底に近い位置ほど高くなるように、ブリッジ２３０ａ，２３０ｂの間隔Ｄａ，Ｄｂ及び幅Ｗａ，Ｗｂの少なくとも一方を設定すれば、上記のような詳細な設定を行わずに、電極２２，２１をハの字状に配置したことによるＹ方向の電位Ｅｘのずれを低減することができる。このため、Ｘ座標の検出精度が改善される。

【0063】

上述した実施形態は本発明の好適な実施の例である。但し、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施可能である。

【符号の説明】

【0064】

１０，１０’ 上部抵抗膜
１０ａ 膜片
２０，２０’ 下部抵抗膜
１１，１２，２１，２２ 電極
２３ａ，２３ｂ 接続部
２３０ａ，２３０ｂ ブリッジ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】