(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023031258
(43)【公開日】2023-03-08
(54)【発明の名称】美容装置
(51)【国際特許分類】
A61N 1/36 20060101AFI20230301BHJP
【ＦＩ】
A61N1/36
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022122391
(22)【出願日】2022-07-30
(31)【優先権主張番号】202122011285.7
(32)【優先日】2021-08-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110972294.4
(32)【優先日】2021-08-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】320000849
【氏名又は名称】株式会社日本美容健康総合研究所
(74)【代理人】
【識別番号】100101926
【弁理士】
【氏名又は名称】塚原 孝和
(72)【発明者】
【氏名】佐野 昌己
(72)【発明者】
【氏名】王 輝
【テーマコード（参考）】
4C053
【Ｆターム（参考）】
4C053JJ02
4C053JJ06
4C053JJ24
(57)【要約】 （修正有）
【課題】使用感と利便性を向上させながら、低周波、中周波、高周波のそれぞれの欠点を克服すると同時に、それぞれの利点を活かす複合周波の美容装置を提供する。
【解決手段】複数の電極から成る刺激付与部８と、電子基板９、操作部２、強度表示部４、充電表示部３、充電式電池１０、コントロール部１１、複数のコネクタを内蔵したボディ部１を備える。電極は２つの電極組に分けられ、各電極組は1つ以上の電極で構成される。電極組の間で低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に中周波信号と高周波信号の１種又は２種を開通する。また中周波信号と高周波信号との間に信号オフ期間を設けて、非対称性ハイブリッド波形を形成し、ハイブリッド波を所定期間毎に繰返すように制御する。さらに低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及びパルス幅を調整することができる。
【選択図】図２
【解決手段】複数の電極から成る刺激付与部８と、電子基板９、操作部２、強度表示部４、充電表示部３、充電式電池１０、コントロール部１１、複数のコネクタを内蔵したボディ部１を備える。電極は２つの電極組に分けられ、各電極組は1つ以上の電極で構成される。電極組の間で低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に中周波信号と高周波信号の１種又は２種を開通する。また中周波信号と高周波信号との間に信号オフ期間を設けて、非対称性ハイブリッド波形を形成し、ハイブリッド波を所定期間毎に繰返すように制御する。さらに低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及びパルス幅を調整することができる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
２つ以上の電極から構成した刺激付与部と使用者が片手で把持できるようにデザインされたボディ部を備え、ボディ部には電子基板、操作部、強度表示部、充電表示部、充電式電池、コントロール部、複数のコネクタが内蔵さており、刺激付与部を使用者の身体の表面に当接し、使用者の身体の表面に所定時間毎に低周波と、中周波と高周波の１種または２種とを合成させた非対称性ハイブリッド周波を流すことのできる美容装置であって、次の（１）ないし（４）を備えることを特徴とする。
（１）前記刺激付与部と操作部はそれぞれコントロール部と接続し、操作部は電源スイッチ、強度選択スイッチを有する。
（２）前記コントロール部は操作部で入力される指令を受け、低周波信号、中周波信号または高周波信号を生成し、処理後非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
（３）前記刺激付与部は所定時間毎に前記非対称性ハイブリッド周波電流を出力する。前記刺激付与部の電極は対になる２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組は1つ以上の電極によって構成され、前記対になる２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通するように設計されている。
（４）前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において1回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Aと記し、低周波信号の出力する方向と中周波及び高周波信号の出力する方向を反対に設置すること及び信号オフ期間Aを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、ハイブリッド周波電流を生成する。ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し制御する。
（１）前記刺激付与部と操作部はそれぞれコントロール部と接続し、操作部は電源スイッチ、強度選択スイッチを有する。
（２）前記コントロール部は操作部で入力される指令を受け、低周波信号、中周波信号または高周波信号を生成し、処理後非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
（３）前記刺激付与部は所定時間毎に前記非対称性ハイブリッド周波電流を出力する。前記刺激付与部の電極は対になる２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組は1つ以上の電極によって構成され、前記対になる２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通するように設計されている。
（４）前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において1回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Aと記し、低周波信号の出力する方向と中周波及び高周波信号の出力する方向を反対に設置すること及び信号オフ期間Aを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、ハイブリッド周波電流を生成する。ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し制御する。
【請求項2】
前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間Aになるように制御されることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
【請求項3】
前記強度表示部は強度レベルと同数の強度表示ランプから構成され、充電表示部は1個以上のＬＥＤランプから構成されることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
【請求項4】
前記コントロール部はＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）、波形調整部、充電コントロール部を備える。
前記ＭＣＵは中央処理装置、記憶装置、入出力装置が内蔵され、記憶装置に予め記録された情報に基づき、情報の処理及び入出力を行う。なお、ＭＣＵはＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。
前記ＭＣＵと波形調整部は非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
前記ＭＣＵは前記操作部を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、デューティ比に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間を基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
波形調整部には電圧制御回路とＨブリッジ制御回路が内蔵される。
前記電圧制御回路はＭＣＵから所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成し、操作部を通じて入力された強度指令に基づき、低周波信号、中周波信号及び高周波信号を所定の振幅及びパルス幅で調整し、刺激の強さをコントロールする。その上、異なる強度指令に従い、事前に設定された周波数で低周波、中周波及び高周波を生成する。
前記電圧制御回路はＨブリッジ制御回路を経由して刺激付与部の電極と接続する。
前記Ｈブリッジ制御回路は複数のトランジスタを備え、トランジスタの開閉はＭＣＵによって制御される。前記Ｈブリッジ制御回路はＭＣＵからの指令を受け、予め設定された時間で刺激付与部の電極組の間に開通される低周波信号、中周波信号及び高周波信号の開閉及び流れ方向を制御し、さらに、中周波と高周波を流す期間において予め設定された信号オフ期間Ａで信号の出力を停止させ、刺激の休止期間（インターバル）を設けるように制御する。前記Ｈブリッジ制御回路はトランジスタの開閉を利用し、低周波信号、そして中周波信号と高周波信号の１種または２種を出力する。ＭＣＵからＰＷＭ信号1を受け、低周波信号を出力し、ＭＣＵからＰＷＭ信号２を受け、中周波電流と高周波電流の１種または２種を出力し、さらにトランジスタの開閉をコントロールすることで中周波と高周波を流す期間において所定の時間で信号の出力を停止し、刺激の休止期間を形成し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成し、刺激付与部へ出力する。
前記充電コントロール部は充電電池と充電管理チップＵ２が内蔵され、充電管理チップＵ２の一端は充電電池と接続し、もう一端はＵＳＢコネクタと接続し、美容装置の充電をコントロールすることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
前記ＭＣＵは中央処理装置、記憶装置、入出力装置が内蔵され、記憶装置に予め記録された情報に基づき、情報の処理及び入出力を行う。なお、ＭＣＵはＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。
前記ＭＣＵと波形調整部は非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
前記ＭＣＵは前記操作部を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、デューティ比に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間を基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
波形調整部には電圧制御回路とＨブリッジ制御回路が内蔵される。
前記電圧制御回路はＭＣＵから所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成し、操作部を通じて入力された強度指令に基づき、低周波信号、中周波信号及び高周波信号を所定の振幅及びパルス幅で調整し、刺激の強さをコントロールする。その上、異なる強度指令に従い、事前に設定された周波数で低周波、中周波及び高周波を生成する。
前記電圧制御回路はＨブリッジ制御回路を経由して刺激付与部の電極と接続する。
前記Ｈブリッジ制御回路は複数のトランジスタを備え、トランジスタの開閉はＭＣＵによって制御される。前記Ｈブリッジ制御回路はＭＣＵからの指令を受け、予め設定された時間で刺激付与部の電極組の間に開通される低周波信号、中周波信号及び高周波信号の開閉及び流れ方向を制御し、さらに、中周波と高周波を流す期間において予め設定された信号オフ期間Ａで信号の出力を停止させ、刺激の休止期間（インターバル）を設けるように制御する。前記Ｈブリッジ制御回路はトランジスタの開閉を利用し、低周波信号、そして中周波信号と高周波信号の１種または２種を出力する。ＭＣＵからＰＷＭ信号1を受け、低周波信号を出力し、ＭＣＵからＰＷＭ信号２を受け、中周波電流と高周波電流の１種または２種を出力し、さらにトランジスタの開閉をコントロールすることで中周波と高周波を流す期間において所定の時間で信号の出力を停止し、刺激の休止期間を形成し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成し、刺激付与部へ出力する。
前記充電コントロール部は充電電池と充電管理チップＵ２が内蔵され、充電管理チップＵ２の一端は充電電池と接続し、もう一端はＵＳＢコネクタと接続し、美容装置の充電をコントロールすることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
【請求項5】
前記ＭＣＵと波形調整部は前記低周波信号、中周波信号と高周波信号の振幅及びパルス幅を調整することを特徴とする請求項４に記載の美容装置。
【請求項6】
前記低周波は１～１０００Ｈｚのパルス波で、中周波と高周波はそれぞれ１０００～１００００Ｈｚと１００００Ｈｚ以上のパルス波または矩形波または三角波または正弦波であることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
【請求項7】
前記信号オフ期間Ａは０＜Ａ＜１０００ｍｓの範囲で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の美容装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、美容装置、特に、使用者の身体の表面に当接させ、使用者の身体の表面に低周波電流に加え、中周波電流と高周波電流の１種または２種を合成させた非対称性ハイブリッド周波電流を流すことのできる美容装置に関する。なお、本発明において、「低周波」とは１０００Ｈｚ以下の周波数帯域、「中周波」とは１０００～１００００Ｈｚの周波数帯域、「高周波」とは１００００Ｈｚ以上周波数帯域を指すものであり、美容装置や生体治療器具の分野で通常使用される各周波数帯域を指すものである。また、使用者の身体の表面に電流を流し刺激を与える装置としては、「美容機器」、「生体刺激装置」、「治療器具」などと称する場合もあるが、本発明において以下、統一的に「美容装置」と称する。
【背景技術】
【0002】
従来、使用者の身体の表面に刺激を与えることによってリフトアップ、筋肉トレーニング、リラクゼーション、疲労回復、シワの改善などの美容効果をもたらす手段として、電圧を印加する電気療法による美容処理など多種多様であり、これらの方法を応用する各種の美容装置が開発されてきている。例えば、特許文献１では、２つの電極端子からそれぞれ低周波パルスを出力するような低周波美容装置を提供している。また、低周波電流による身体への不快感を解消するための文献がある。例えば、特許文献２では、高周波のパルスを含んだ低周波パルス群を用いて電流を生体に流す美容装置を開示している。特許文献３では、多段波形に出力される低周波電気信号に中周波の電気信号を重畳させる美容装置を提供している
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１０４６４４号公報
【特許文献2】特開２００５－２２４３８７号公報
【特許文献3】特表２０１１－１８８９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、通常低周波、中周波、高周波はそれぞれの利点と欠点がある。
低周波は筋肉運動を動かす力が強く、体感の刺激感が強いという利点があるものの、皮膚で強い抵抗を受けることになり、強いピリピリ感や痛みを感じやすく、その刺激に耐えられない人が少なくない。また、皮膚の抵抗が大きいため、電流は皮下数ミリしか入らず、深い部分の筋肉に届かず、肝心の筋肉を十分に動かすことができない。さらに刺激を強化するため強度を上げると皮膚に強い痛みが生じてしまう。
一方、中周波は低周波に比べると、波長は短くなり、皮膚抵抗は小さくなり、肌への負担は小さくなる。電流は皮下２～３センチまで届くことは可能になる。ただ、体感の刺激感は低周波より弱く感じることになる。
そして、高周波の波長はさらに短くなり、皮膚抵抗は中周波よりさらに小さく、電流は皮下１０センチ以上届くことができ、血管組織まで到着することができるため、血管を拡張させ、血行を促進し、肩コリや腰コリの改善効果を得られる。ただ、体感の刺激感は中周波よりさらに弱くなる。
低周波は筋肉運動を動かす力が強く、体感の刺激感が強いという利点があるものの、皮膚で強い抵抗を受けることになり、強いピリピリ感や痛みを感じやすく、その刺激に耐えられない人が少なくない。また、皮膚の抵抗が大きいため、電流は皮下数ミリしか入らず、深い部分の筋肉に届かず、肝心の筋肉を十分に動かすことができない。さらに刺激を強化するため強度を上げると皮膚に強い痛みが生じてしまう。
一方、中周波は低周波に比べると、波長は短くなり、皮膚抵抗は小さくなり、肌への負担は小さくなる。電流は皮下２～３センチまで届くことは可能になる。ただ、体感の刺激感は低周波より弱く感じることになる。
そして、高周波の波長はさらに短くなり、皮膚抵抗は中周波よりさらに小さく、電流は皮下１０センチ以上届くことができ、血管組織まで到着することができるため、血管を拡張させ、血行を促進し、肩コリや腰コリの改善効果を得られる。ただ、体感の刺激感は中周波よりさらに弱くなる。
【0005】
上記特許文献１によって提供されている低周波美容装置では単一の低周波を使用しており、使用者の皮膚への負担が高く、深部の筋肉に届かない。また、効果を上げるために出力を上げていくと皮膚の侵害受容器を刺激してしまい、強い痛みを引き起す。さらに、電気刺激信号が規則的で単調であるため、使用者は刺激の慣れを生じやすく、使用する意欲の低下につながるといった問題が生じている。
上記特許文献２によって提供されている美容装置ではデューティ比を変更させて、刺激の強弱を変更させることでソフトな使用感を得られるものの、深部の筋肉を動かす中周波や高周波の成分はないかまたは少ないため、深部の筋肉や血管組織に届かないといった問題点、そして交流電流を使うため、コンパクトな携帯式にすることができず、使用上の不便さを感じやすい問題点は解消されていない。
上記特許文献３に開示されている美容装置では、ピーク電流値を小さくしつつ電気的刺激量を増大させることで、使用者に対して不快感を和らげることができるが、電気刺激信号が規則的で単調であるため、使用者は刺激の慣れを生じ、使用感の低下につながり、継続的長期的使用する意欲がなくなってしまう問題があった。さらに、上記特許文献２と同様に交流電流を使用しているため、使用上の利便性が欠けるという問題点が残る。
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みてなされたもので、使用感と利便性を向上させながら、低周波、中周波、高周波のそれぞれの欠点を克服すると同時に、それぞれの利点を活かす複合周波の美容装置を提供することを目的とする。
上記特許文献２によって提供されている美容装置ではデューティ比を変更させて、刺激の強弱を変更させることでソフトな使用感を得られるものの、深部の筋肉を動かす中周波や高周波の成分はないかまたは少ないため、深部の筋肉や血管組織に届かないといった問題点、そして交流電流を使うため、コンパクトな携帯式にすることができず、使用上の不便さを感じやすい問題点は解消されていない。
上記特許文献３に開示されている美容装置では、ピーク電流値を小さくしつつ電気的刺激量を増大させることで、使用者に対して不快感を和らげることができるが、電気刺激信号が規則的で単調であるため、使用者は刺激の慣れを生じ、使用感の低下につながり、継続的長期的使用する意欲がなくなってしまう問題があった。さらに、上記特許文献２と同様に交流電流を使用しているため、使用上の利便性が欠けるという問題点が残る。
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みてなされたもので、使用感と利便性を向上させながら、低周波、中周波、高周波のそれぞれの欠点を克服すると同時に、それぞれの利点を活かす複合周波の美容装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために、第１の発明は、２つ以上の電極から構成した刺激付与部と使用者が片手で把持できるようにデザインされたボディ部を備え、ボディ部には電子基板、操作部、強度表示部、充電表示部、充電式電池、コントロール部、複数のコネクタが内蔵さており、刺激付与部を使用者の身体の表面に当接し、使用者の身体の表面に所定時間毎に低周波と、中周波と高周波の１種または２種とを合成させた非対称性ハイブリッド周波を流すことのできる美容装置であって、次の（１）ないし（４）を備えることを特徴とする。
（１）前記刺激付与部と操作部はそれぞれコントロール部と接続し、操作部は電源スイッチ、強度選択スイッチを有する。
（２）前記コントロール部は操作部で入力される指令を受け、低周波信号、中周波信号または高周波信号を生成し、処理後非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
（３）前記刺激付与部は所定時間毎に前記非対称性ハイブリッド周波電流を出力する。前記刺激付与部の電極は対になる２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組は１つ以上の電極によって構成され、前記対になる２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通するように設計されている。
（４）前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Ａと記し、低周波信号の出力する方向と中周波及び高周波信号の出力する方向を反対に設置すること及び信号オフ期間Ａを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、ハイブリッド周波電流を生成する。ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し制御する。
（１）前記刺激付与部と操作部はそれぞれコントロール部と接続し、操作部は電源スイッチ、強度選択スイッチを有する。
（２）前記コントロール部は操作部で入力される指令を受け、低周波信号、中周波信号または高周波信号を生成し、処理後非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
（３）前記刺激付与部は所定時間毎に前記非対称性ハイブリッド周波電流を出力する。前記刺激付与部の電極は対になる２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組は１つ以上の電極によって構成され、前記対になる２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通するように設計されている。
（４）前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Ａと記し、低周波信号の出力する方向と中周波及び高周波信号の出力する方向を反対に設置すること及び信号オフ期間Ａを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、ハイブリッド周波電流を生成する。ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し制御する。
【0007】
また、第２の発明は、第１の発明の美容装置において、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間Ａになるように制御される構成とした。
【0008】
また、第３の発明は、第１の発明の美容装置において、前記強度表示部は強度レベルと同数の強度表示ランプから構成され、充電表示部は１個以上のＬＥＤランプから構成される。
【0009】
また、第４の発明は、第１の発明の美容装置において、前記コントロール部はＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）、波形調整部、充電コントロール部を備える。前記ＭＣＵは中央処理装置、記憶装置、入出力装置が内蔵され、記憶装置に予め記録された情報に基づき、情報の処理及び入出力を行う。なお、ＭＣＵはＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。前記ＭＣＵと波形調整部は非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。前記ＭＣＵは前記操作部を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、デューティ比に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間を基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。波形調整部には電圧制御回路とＨブリッジ制御回路が内蔵される。前記電圧制御回路はＭＣＵから所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成し、操作部を通じて入力された強度指令に基づき、低周波信号、中周波信号及び高周波信号を所定の振幅及びパルス幅で調整し、刺激の強さをコントロールする。その上、異なる強度指令に従い、事前に設定された周波数で低周波、中周波及び高周波を生成する。前記電圧制御回路はＨブリッジ制御回路を経由して刺激付与部の電極と接続する。前記Ｈブリッジ制御回路は複数のトランジスタを備え、トランジスタの開閉はＭＣＵによって制御される。前記Ｈブリッジ制御回路はＭＣＵからの指令を受け、予め設定された時間で刺激付与部の電極組の間に開通される低周波信号、中周波信号及び高周波信号の開閉及び流れ方向を制御し、さらに、中周波と高周波を流す期間において予め設定された信号オフ期間Ａで信号の出力を停止させ、刺激の休止期間（インターバル）を設けるように制御する。前記Ｈブリッジ制御回路はトランジスタの開閉を利用し、低周波信号、そして中周波信号と高周波信号の１種または２種を出力する。ＭＣＵからＰＷＭ信号１を受け、低周波信号を出力し、ＭＣＵからＰＷＭ信号２を受け、中周波電流と高周波電流の１種または２種を出力し、さらにトランジスタの開閉をコントロールすることで中周波と高周波を流す期間において所定の時間で信号の出力を停止し、刺激の休止期間を形成し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成し、刺激付与部へ出力する。前記充電コントロール部は充電電池と充電管理チップＵ２が内蔵され、充電管理チップＵ２の一端は充電電池と接続し、もう一端はＵＳＢコネクタと接続し、美容装置の充電をコントロールする。
【0010】
さらに、第５の発明は、第４の発明の美容装置において、前記ＭＣＵと波形調整部は前記低周波信号、中周波信号と高周波信号の振幅及びパルス幅を調整する構成とした。
【0011】
また、第６の発明は、第１の発明の美容装置において、前記低周波は１～１０００Ｈｚのパルス波で、中周波と高周波はそれぞれ１０００～１００００Ｈｚと１００００Ｈｚ以上のパルス波または矩形波または三角波または正弦波である構成とした。
【0012】
また、第７の発明は、第１の発明の美容装置において、前記信号オフ期間Ａは０＜Ａ＜１０００ｍｓの範囲で設けられている構成とした。
【発明の効果】
【0013】
本発明の美容装置は、２つ以上の電極から構成した刺激付与部を備え、電極のうち、対になる２つの電極組に分けられ、対になる２つの電極組の間に低周波信号を出力し、次に低周波信号の流れと反対方向に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に出力し、あるいは中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に流してから、反対方向に低周波信号を出力する。
また、中周波信号と高周波信号を出力する期間において信号オフ期間を１回以上設けるにより非対称性ハイブリッド波形を形成し、ハイブリッド波電流が所定期間ごとに繰り返し流されるように制御され、さらに低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及びパルス幅は調整できることを特徴とする。
本発明は、低周波、中周波、高周波の要素を合わせて入れ込むことで低周波、中周波、高周波のそれぞれの欠点を克服しながら、それぞれの利点を活かし、肌への負担を最小限にしつつ、皮下の浅いところから深いところにわたり筋肉全体に電流を流すことはできるようになり、浅い部分の筋肉と深い部分の筋肉を同時に鍛えることが可能になり、美容効果の向上につながった。
また、低周波、中周波、高周波を合成させることで、単調な刺激ではなく、刺激の変化を感じさせつつも、低周波による肌への負担を和らげ、中周波と高周波が体感されにくいという問題を解消することを実現した。
これと同時に、規則的な電気刺激信号を長く流すと、刺激の慣れが生じやすく、使用する意欲が低下する恐れがあり、これを克服するため、中周波と高周波の電気信号にオフ期間を入れることで、人が指でマッサージするような脈動感が生まれ、さらに一定な刺激ではなく、変化する刺激により優れた使用感を得ることが可能になった。
そして、本発明は、低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及び低周波のパルス幅を調整できるように設計され、使用者は自分自身の状況や使用目的に応じて刺激の強度を選択できるになり、使用の利便性の向上につながった。
さらに、本発明は、中周波と高周波電流の流れる方向を低周波電流の流れる方向と反対にさせ、交互に流せることで、充電電池を使用する携帯式の美容装置でありながら、交流電流の性質を持たせることによって、直流電流によると皮膚の侵害受容器を刺激し痛みを引き起こすといった問題を解消することができ、コンパクトサイズで高効果の美容装置を実現することができた。
また、中周波信号と高周波信号を出力する期間において信号オフ期間を１回以上設けるにより非対称性ハイブリッド波形を形成し、ハイブリッド波電流が所定期間ごとに繰り返し流されるように制御され、さらに低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及びパルス幅は調整できることを特徴とする。
本発明は、低周波、中周波、高周波の要素を合わせて入れ込むことで低周波、中周波、高周波のそれぞれの欠点を克服しながら、それぞれの利点を活かし、肌への負担を最小限にしつつ、皮下の浅いところから深いところにわたり筋肉全体に電流を流すことはできるようになり、浅い部分の筋肉と深い部分の筋肉を同時に鍛えることが可能になり、美容効果の向上につながった。
また、低周波、中周波、高周波を合成させることで、単調な刺激ではなく、刺激の変化を感じさせつつも、低周波による肌への負担を和らげ、中周波と高周波が体感されにくいという問題を解消することを実現した。
これと同時に、規則的な電気刺激信号を長く流すと、刺激の慣れが生じやすく、使用する意欲が低下する恐れがあり、これを克服するため、中周波と高周波の電気信号にオフ期間を入れることで、人が指でマッサージするような脈動感が生まれ、さらに一定な刺激ではなく、変化する刺激により優れた使用感を得ることが可能になった。
そして、本発明は、低周波信号、中周波信号、高周波信号の振幅及び低周波のパルス幅を調整できるように設計され、使用者は自分自身の状況や使用目的に応じて刺激の強度を選択できるになり、使用の利便性の向上につながった。
さらに、本発明は、中周波と高周波電流の流れる方向を低周波電流の流れる方向と反対にさせ、交互に流せることで、充電電池を使用する携帯式の美容装置でありながら、交流電流の性質を持たせることによって、直流電流によると皮膚の侵害受容器を刺激し痛みを引き起こすといった問題を解消することができ、コンパクトサイズで高効果の美容装置を実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の実施の形態及び第１実施例に係る美容装置の外観図である。
【図2】実施の形態及び第１実施例に係る美容装置の内部構造を示す電気ブロック図である。
【図3】ＭＣＵの端子配置を示す平面図である。
【図4】充電コントロール部の回路図である。
【図5】第１実施例の電極を示す回路図である。
【図6】第２実施例の電極を示す回路図である。
【図7】Ｈブリッジ制御回路の回路図である。
【図8】電源スイッチの回路図である。
【図9】強度表示部の回路図である。
【図10】電圧制御回路の回路図である。
【図11】第１実施例に係る美容装置から出力される非対称性ハイブリッド波形の説明図である。
【図12】本発明の第２実施例に係る美容装置の外観図である。
【図13】第２実施例に係る美容装置から出力される非対称性ハイブリッド波形の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
【0016】
ボディ部１には電子基板９が内設され、電子基板９には操作部２、充電表示部３、強度表示部４、充電電池１０、コントロール部１１及び複数のコネクタ１５，１６，１９，２０が設けられている。
【0017】
刺激付与部８と操作部２はそれぞれコントロール部１１と接続し、操作部２で入力される指令はコントロール部１１によって処理を行い、出力信号になって刺激付与部８へ出力する。
コントロール部１１はＭＣＵ１２、波形調整部１３、充電コントロール部１４を備える。なお、ＭＣＵ１２はＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。
コントロール部１１はＭＣＵ１２、波形調整部１３、充電コントロール部１４を備える。なお、ＭＣＵ１２はＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。
【0018】
前記刺激付与部８は使用者の身体の表面に所定時間で低周波電流と、低周波の流れと反対方向に流される中周波電流と高周波電流の１種または２種とを合成させた非対称性ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返して流す。
【0019】
操作部２は電源スイッチ２ａ、強度選択スイッチ２ｂが設けられており、これらのスイッチは一つの操作スイッチで兼ねることができる。また、それぞれ個別に設置しても良い。
電源スイッチ２ａを押し、美容装置の電源をＯＮに、強度選択スイッチ２ｂを押して強度を選択し、選択された強度はボディ部１に設けられた強度表示部４によって確認することができる。
強度表示部４には、強度レベルの数に合わせ同数の強度表示ランプ４ａ～４ｃが設けられ、刺激付与部８の電流刺激の強さレベルが割り当てられている。なお、この強度表示ランプ４ａ～４ｃへの強さのレベルの割り当ては、必要とする強さレベルに応じて任意に割り当てを行えばよい。本実施の形態において、強度表示ランプＬ ４ａ、Ｍ ４ｂとＨ ４ｃが配置されている。
電源スイッチ２ａを押し、美容装置の電源をＯＮに、強度選択スイッチ２ｂを押して強度を選択し、選択された強度はボディ部１に設けられた強度表示部４によって確認することができる。
強度表示部４には、強度レベルの数に合わせ同数の強度表示ランプ４ａ～４ｃが設けられ、刺激付与部８の電流刺激の強さレベルが割り当てられている。なお、この強度表示ランプ４ａ～４ｃへの強さのレベルの割り当ては、必要とする強さレベルに応じて任意に割り当てを行えばよい。本実施の形態において、強度表示ランプＬ ４ａ、Ｍ ４ｂとＨ ４ｃが配置されている。
【0020】
充電表示部３は１つ以上の充電表示ランプ３ａを備え、強度表示ランプ４ａ～４ｃで兼ねることができる。また個別に設置しても良い。
充電口５は一つのＵＳＢコネクタ１５から構成される。
充電電池１０はコネクタ１（１６）と接続した後、２回路に分かれ、一方は接地し、もう一方はＭＣＵ１２のＶＣＣピン（図３参照）と接続し、その上さらに充電管理チップＵ２のＢＡＴピン（図４参照）と接続した後充電管理チップＵ２のＶＣＣピンを経由してＵＳＢコネクタ１５と接続し、ＵＳＢケーブル６を経由して電源アダプタ７と接続する。
充電口５は一つのＵＳＢコネクタ１５から構成される。
充電電池１０はコネクタ１（１６）と接続した後、２回路に分かれ、一方は接地し、もう一方はＭＣＵ１２のＶＣＣピン（図３参照）と接続し、その上さらに充電管理チップＵ２のＢＡＴピン（図４参照）と接続した後充電管理チップＵ２のＶＣＣピンを経由してＵＳＢコネクタ１５と接続し、ＵＳＢケーブル６を経由して電源アダプタ７と接続する。
【0021】
刺激付与部８は２つ以上の電極から構成され、所定の時間で前記の非対称性ハイブリッド周波を出力する。図１に示す美容装置の場合は、刺激付与部８は電極１ ８ａと電極２ ８ｂの２つの電極から構成され、図１２に示す美容装置の場合は、刺激付与部８は電極１ ８ａ、電極２ ８ｂ、電極３ ８ｃと電極４ ８ｄといった４つの電極から構成されている。
図５及び図６に示されているように、刺激付与部８の電極は対になっているＥＭＳ－ＡとＥＭＳ－Ｂの２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組ＥＭＳ－Ａ（ＥＭＳ－Ｂ）は１つ以上の電極が含まれる。
対になる２つの電極組ＥＭＳ－Ａ，ＥＭＳ－Ｂの間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通する。
このとき、図１１と図１３に示すように、前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Ａとし、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間Ａになるように制御する。
このように、低周波信号、中周波信号、高周波信号の流れを反対方向に設置すること及び信号オフ期間Ａを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、前記ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し流す。
図５及び図６に示されているように、刺激付与部８の電極は対になっているＥＭＳ－ＡとＥＭＳ－Ｂの２つの電極組に分けられ、それぞれの電極組ＥＭＳ－Ａ（ＥＭＳ－Ｂ）は１つ以上の電極が含まれる。
対になる２つの電極組ＥＭＳ－Ａ，ＥＭＳ－Ｂの間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通する、あるいは順次に中周波信号と高周波信号の１種または２種を順次に開通し、次に中周波信号と高周波信号と反対方向に前記低周波信号を開通する。
このとき、図１１と図１３に示すように、前記中周波信号と高周波信号を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、信号オフ期間の合計時間を信号オフ期間Ａとし、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号と高周波信号の開通時間の合計と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間Ａになるように制御する。
このように、低周波信号、中周波信号、高周波信号の流れを反対方向に設置すること及び信号オフ期間Ａを設けることにより、非対称性ハイブリッド波形を形成して、前記ハイブリッド周波電流を所定期間ごとに繰り返し流す。
【0022】
次に、コントロール部１１は、図２に示すように、ＭＣＵ１２、波形調整部１３、充電コントロール部１４を備える。
コントロール部１１は操作部２で入力される指令を受け、低周波、中周波または高周波を出力し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
本実施の形態において、前記低周波は１～１０００Ｈｚのパルス波で、中周波と高周波はそれぞれ１０００～１００００Ｈｚと１００００Ｈｚ以上のパルス波または矩形波または三角波または正弦波である。中周波と高周波を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、合計した信号オフ期間Ａは０＜Ａ＜１０００ｍｓの範囲で設けられている。また、低周波信号、中周波信号及び高周波信号を所定の振幅及びパルス幅で調整することができるように設計される。
コントロール部１１は操作部２で入力される指令を受け、低周波、中周波または高周波を出力し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
本実施の形態において、前記低周波は１～１０００Ｈｚのパルス波で、中周波と高周波はそれぞれ１０００～１００００Ｈｚと１００００Ｈｚ以上のパルス波または矩形波または三角波または正弦波である。中周波と高周波を開通する期間において１回以上の信号オフ期間（インターバル）を設け、合計した信号オフ期間Ａは０＜Ａ＜１０００ｍｓの範囲で設けられている。また、低周波信号、中周波信号及び高周波信号を所定の振幅及びパルス幅で調整することができるように設計される。
【0023】
ＭＣＵ１２は中央処理装置、記憶装置、入出力装置が内蔵され、記憶装置に予め記録された情報に基づき、情報の処理及び入出力を行う。
使用者は操作部２の電源スイッチ２ａを押し、美容装置はＯＮの状態になり、さらに、使用者は強度選択スイッチ２ｂを押し、強度を選択する。
ＭＣＵ１２は前記操作部２を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、パルス幅に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部２を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
使用者は操作部２の電源スイッチ２ａを押し、美容装置はＯＮの状態になり、さらに、使用者は強度選択スイッチ２ｂを押し、強度を選択する。
ＭＣＵ１２は前記操作部２を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、パルス幅に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部２を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
【0024】
波形調整部１３には電圧制御回路１７とＨブリッジ制御回路１８が内蔵される。
電圧制御回路１７はＭＣＵ１２と接続し、ＭＣＵ１２から所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成する。さらに操作部２によって入力された強度情報に従い、所定の振幅及びパルス幅で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を調整し、刺激付与部８より出力される電流の強さをコントロールし、異なる強度に応じて事前に設定された周波数で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を生成する。電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
Ｈブリッジ制御回路１８は、図７に示すように、複数のトランジスタＱ３～Ｑ８を備え、これらトランジスタＱ３～Ｑ８の開閉はＭＣＵ１２によって制御される。
すなわち、Ｈブリッジ制御回路１８はＭＣＵ１２からの指令を受け、予め設定された時間で刺激付与部８の電極組の間に低周波信号、中周波信号及び高周波信号の開通または中断及び流れ方向を制御し、さらに、中周波と高周波を流す期間において予め設定された信号オフ期間Ａで信号の出力を停止させ、刺激の休止期間（インターバル）を設ける。
Ｈブリッジ制御回路１８はトランジスタＱ３～Ｑ８の開閉を利用し、低周波信号、そして中周波信号と高周波信号の１種または２種を出力する。ＭＣＵ１２からＰＷＭ信号１を受け、低周波信号を出力し、ＭＣＵ１２からＰＷＭ信号２を受け、中周波電流と高周波電流の１種または２種を出力する。また、トランジスタＱ３～Ｑ８の開閉をコントロールすることで中周波と高周波を流す期間において所定時間Ａで信号の出力を停止し、刺激の休止期間を形成し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成し、刺激付与部８へ出力する。
前記ＭＣＵ１２と波形調整部１３は、低周波信号、中周波信号と高周波信号の振幅及びパルス幅を調整し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
電圧制御回路１７はＭＣＵ１２と接続し、ＭＣＵ１２から所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成する。さらに操作部２によって入力された強度情報に従い、所定の振幅及びパルス幅で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を調整し、刺激付与部８より出力される電流の強さをコントロールし、異なる強度に応じて事前に設定された周波数で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を生成する。電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
Ｈブリッジ制御回路１８は、図７に示すように、複数のトランジスタＱ３～Ｑ８を備え、これらトランジスタＱ３～Ｑ８の開閉はＭＣＵ１２によって制御される。
すなわち、Ｈブリッジ制御回路１８はＭＣＵ１２からの指令を受け、予め設定された時間で刺激付与部８の電極組の間に低周波信号、中周波信号及び高周波信号の開通または中断及び流れ方向を制御し、さらに、中周波と高周波を流す期間において予め設定された信号オフ期間Ａで信号の出力を停止させ、刺激の休止期間（インターバル）を設ける。
Ｈブリッジ制御回路１８はトランジスタＱ３～Ｑ８の開閉を利用し、低周波信号、そして中周波信号と高周波信号の１種または２種を出力する。ＭＣＵ１２からＰＷＭ信号１を受け、低周波信号を出力し、ＭＣＵ１２からＰＷＭ信号２を受け、中周波電流と高周波電流の１種または２種を出力する。また、トランジスタＱ３～Ｑ８の開閉をコントロールすることで中周波と高周波を流す期間において所定時間Ａで信号の出力を停止し、刺激の休止期間を形成し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成し、刺激付与部８へ出力する。
前記ＭＣＵ１２と波形調整部１３は、低周波信号、中周波信号と高周波信号の振幅及びパルス幅を調整し、非対称性ハイブリッド周波電流を生成する。
【0025】
充電コントロール部１４には、図４に示すように、充電管理チップＵ２が配設され、充電管理チップＵ２は充電電池１０とＵＳＢコネクタ１５と接続されている。具体的には、充電管理チップＵ２の一端は充電電池１０と接続し、もう一端はＵＳＢコネクタ１５と接続している。これにより、充電コントロール部１４は、充電電池１０の充電をコントロールする。
【0026】
［実施例１］
次に、本発明の第１実施例について説明する。
図１は、第１実施例の美容装置の外観も示している。
図１と図５で示すように、本実施例においては、刺激付与部８には電極組ＥＭＳ－Ａと電極組ＥＭＳ－Ｂといった２つの電極組を設けており、電極組ＥＭＳ－Ａは美容ローラーの形をとった電極１ ８ａからなり、電極組ＥＭＳ－Ｂは美容ローラーの形をとった電極２ ８ｂからなる。
さらに、本実施例では、低周波と中周波を合成した非対称性ハイブリッド波を採用している（図１１参照）。低周波と中周波の周波数はそれぞれ１００Ｈｚと２５００Ｈｚとに設定されている。
刺激付与部８の二つの美容ローラー（８ａ，８ｂ）を使用者の身体表面に当接させると、刺激付与部８がは使用者の身体表面に所定の時間で低周波と中周波が合成された非対称性ハイブリッド周波を出力し、非対称性ハイブリッド周波が所定の時間内に繰り返し出力するようになっている。
前記中周波信号が開通されている間には信号オフ期間を設ける。前記中周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号の開通時間と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間になる。
次に、本発明の第１実施例について説明する。
図１は、第１実施例の美容装置の外観も示している。
図１と図５で示すように、本実施例においては、刺激付与部８には電極組ＥＭＳ－Ａと電極組ＥＭＳ－Ｂといった２つの電極組を設けており、電極組ＥＭＳ－Ａは美容ローラーの形をとった電極１ ８ａからなり、電極組ＥＭＳ－Ｂは美容ローラーの形をとった電極２ ８ｂからなる。
さらに、本実施例では、低周波と中周波を合成した非対称性ハイブリッド波を採用している（図１１参照）。低周波と中周波の周波数はそれぞれ１００Ｈｚと２５００Ｈｚとに設定されている。
刺激付与部８の二つの美容ローラー（８ａ，８ｂ）を使用者の身体表面に当接させると、刺激付与部８がは使用者の身体表面に所定の時間で低周波と中周波が合成された非対称性ハイブリッド周波を出力し、非対称性ハイブリッド周波が所定の時間内に繰り返し出力するようになっている。
前記中周波信号が開通されている間には信号オフ期間を設ける。前記中周波信号の開通時間の合計は前記低周波信号の開通時間より短く、前記中周波信号の開通時間と低周波の開通時間の時間差は信号オフ期間になる。
【0027】
本実施例においては、操作部２の電源スイッチ２ａと強度選択スイッチ２ｂを一つの操作スイッチで兼用するように設置する。
電源スイッチ２ａ（強度選択スイッチ２ｂ）はコネクタ２（１９）と接続した後、コネクタ３（２０）と接続し、その後２回路に分けて、一方はＭＣＵ１２のＰ３．２／ＩＮＴ０ピン（図３参照）と接続し、抵抗Ｒ２６（図８参照）と接続した後ＵＳＢコネクタ１５のＤ－ピン（図４参照）と繋ぎ、もう一方は直接接地する。
電源スイッチ２ａ（強度選択スイッチ２ｂ）はコネクタ２（１９）と接続した後、コネクタ３（２０）と接続し、その後２回路に分けて、一方はＭＣＵ１２のＰ３．２／ＩＮＴ０ピン（図３参照）と接続し、抵抗Ｒ２６（図８参照）と接続した後ＵＳＢコネクタ１５のＤ－ピン（図４参照）と繋ぎ、もう一方は直接接地する。
【0028】
図１に示すように、強度表示部４は３つの強度表示ランプ４ａ～４ｃでなり、図９に示すように、強度表示ランプ４ａ～４ｃはＬＥＤランプを使用する。それぞれＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３と表示する。
強度表示ランプＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３の一端はそれぞれ抵抗Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２４を通じてそれぞれＭＣＵ１２のＰ２．５ピン、Ｐ２．４ピン、Ｐ２．３ピンと接続し、３つのＬＥＤランプのもう一端はすべて接地する。
ＭＣＵ１２は非対称性ハイブリッド波電流の出力期間において、強度レベルに従い、強度表示部４の強度表示ランプ４ａ～４ｃの開閉を制御する。
強度レベル１の場合、ＬＥＤ１が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ１が点灯する。強度レベル２の場合、ＬＥＤ２が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ２が点灯する。強度レベル３の場合、ＬＥＤ３が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ３が点灯する。
本実施例においては、強度はＬ、Ｍ、Ｈ三つの強度レベルを設ける。
図１に示されているように、強度表示部４には３つの強度表示ランプ４ａ～４ｃが配置され、それぞれは強度表示ランプＬ ４ａ、強度表示ランプＭ ４ｂと強度表示ランプＨ ４ｃである。
即ち、図９の中のＬＥＤ１、ＬＥＤ２とＬＥＤ３はそれぞれ図１の中の強度表示ランプＬ ４ａ、強度表示ランプＭ ４ｂ、強度表示ランプＨ ４ｃに相当する。
強度表示ランプＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３の一端はそれぞれ抵抗Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２４を通じてそれぞれＭＣＵ１２のＰ２．５ピン、Ｐ２．４ピン、Ｐ２．３ピンと接続し、３つのＬＥＤランプのもう一端はすべて接地する。
ＭＣＵ１２は非対称性ハイブリッド波電流の出力期間において、強度レベルに従い、強度表示部４の強度表示ランプ４ａ～４ｃの開閉を制御する。
強度レベル１の場合、ＬＥＤ１が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ１が点灯する。強度レベル２の場合、ＬＥＤ２が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ２が点灯する。強度レベル３の場合、ＬＥＤ３が接続され、強度表示部４の強度表示ランプ３が点灯する。
本実施例においては、強度はＬ、Ｍ、Ｈ三つの強度レベルを設ける。
図１に示されているように、強度表示部４には３つの強度表示ランプ４ａ～４ｃが配置され、それぞれは強度表示ランプＬ ４ａ、強度表示ランプＭ ４ｂと強度表示ランプＨ ４ｃである。
即ち、図９の中のＬＥＤ１、ＬＥＤ２とＬＥＤ３はそれぞれ図１の中の強度表示ランプＬ ４ａ、強度表示ランプＭ ４ｂ、強度表示ランプＨ ４ｃに相当する。
【0029】
図２に示すように、コントロール部１１はＭＣＵ１２、波形調整部１３、充電コントロール部１４を備える。
【0030】
図４に示すように、充電電池１０はコネクタ１（１６）と接続した後、２回路に分かれ、一方は接地し、もう一方は、コントロール部１１のＭＣＵ１２のＶＣＣピン（図３参照）と接続し、その上さらに充電管理チップＵ２のＢＡＴピンと接続した後充電管理チップＵ２のＶＣＣピンを経由してＵＳＢコネクタ１５と接続し、図１に示すＵＳＢケーブル６を経由して電源アダプタ７と接続する。
【0031】
図３に示すＭＣＵ１２は、中央処理装置、記憶装置、入出力装置が内蔵され、記憶装置に予め記録された情報に基づき、情報の処理及び入出力を行う。なお、ＭＣＵ１２はＭＰＵまたはＣＰＵとメモリーなどの周辺装置の組み合わせによって代用することができる。
使用者は操作部２の電源スイッチ２ａを押し、美容装置はＯＮの状態になり、さらに、使用者は強度選択スイッチ２ｂを押し、強度を選択する。ＭＣＵ１２は前記操作部２を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、デューティ比に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部２を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間を基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
使用者は操作部２の電源スイッチ２ａを押し、美容装置はＯＮの状態になり、さらに、使用者は強度選択スイッチ２ｂを押し、強度を選択する。ＭＣＵ１２は前記操作部２を通じて入力された動作指令に従い、記憶装置に予め記録された所定の周波数、デューティ比に基づき、ＰＷＭ信号１、ＰＷＭ信号２を生成する。さらに、操作部２を通じて入力された強度選択指令に従い、強度レベル毎に記憶装置に予め記録された電圧、デューティ比とハイ・レベル期間を基づき、デューティ比と振幅を調整することの可能なＰＷＭ信号Ｈを生成する。
【0032】
波形調整部１３には電圧制御回路１７とＨブリッジ制御回路１８が内蔵される。
電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
図１０に示すように、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２と接続し、ＭＣＵ１２から所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成し、所定の周波数の低周波、中周波と高周波の合成された非対称性ハイブリッド周波を生成する。さらに所定の振幅及びパルス幅で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を調整し、刺激の強さをコントロールする。
電圧制御回路１７は充電電池１０から一つのコイルＬ１を経由して接続され、同時にＭＣＵ１２のＶＣＣピンと並列接続する。その後二つのルートに分岐し、一つはトランジスタＱ９のコレクタ端子と接続する。前記トランジスタＱ９のベース端子は抵抗Ｒ１７を経由し、ＭＣＵ１２のＰ３．７／ＩＮＴ３／ＣＣＰ２ピンと接続し、トランジスタＱ９のエミッタ端子は接地する。もう一つの回路はダイオードＤ３と接続した後さらに２つのコンデンサＣ５とＣ１０とそれぞれ並列接続した後電圧のアウトプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続する。
電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
図１０に示すように、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２と接続し、ＭＣＵ１２から所定の電圧、デューティ比とハイ・レベル期間に基づき生成されたＰＷＭ信号Ｈを受け、所定の電圧を生成し、所定の周波数の低周波、中周波と高周波の合成された非対称性ハイブリッド周波を生成する。さらに所定の振幅及びパルス幅で低周波信号、中周波信号及び高周波信号を調整し、刺激の強さをコントロールする。
電圧制御回路１７は充電電池１０から一つのコイルＬ１を経由して接続され、同時にＭＣＵ１２のＶＣＣピンと並列接続する。その後二つのルートに分岐し、一つはトランジスタＱ９のコレクタ端子と接続する。前記トランジスタＱ９のベース端子は抵抗Ｒ１７を経由し、ＭＣＵ１２のＰ３．７／ＩＮＴ３／ＣＣＰ２ピンと接続し、トランジスタＱ９のエミッタ端子は接地する。もう一つの回路はダイオードＤ３と接続した後さらに２つのコンデンサＣ５とＣ１０とそれぞれ並列接続した後電圧のアウトプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続する。
電圧制御回路１７はＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して刺激付与部８の電極と接続する。
【0033】
Ｈブリッジ制御回路１８には、図７に示すように、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７とＱ８の６つのトランジスタが配設されており、そのうち、Ｑ３とＱ７はＰＮＰ型トランジスタを使用し、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６とＱ８はＮＰＮ型のトランジスタを使用する。
ＮＰＮ型のトランジスタＱ４とＱ６のコレクタ端子は並列にＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続する。
ＮＰＮ型トランジスタＱ４とＱ６のエミッタ端子はＰＮＰ型トランジスタＱ３とＱ７のエミッタ端子と接続し、並列に抵抗Ｒ２０とＲ２３と接続した後、それぞれ電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１）と電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極２）と繋ぐ。
ＰＮＰ型トランジスタＱ３とＱ７のベース端子はそれぞれ抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１６と接続し、Ｑ３とＱ７のコレクタ端子は接地する。
ＮＰＮ型トランジスタＱ５とＱ８のコレクタ端子はそれぞれ抵抗Ｒ１２とＲ１５を経由しＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続し、エミッタ端子はそれぞれ接地し、Ｑ５のベース端子は抵抗Ｒ１１を経由しＭＣＵ１２のＰ３．５／ＣＣＰ０＿２ピンと接続し，ＰＷＭ信号１を受ける。
一方、Ｑ８のベース端子は抵抗Ｒ１４を経由しＣＣＰ１／ＡＤＣ０／Ｐ１．０ピンと接続し、ＰＷＭ信号２を受ける。
ＰＷＭ信号１は低周波信号で、ＰＷＭ信号２は中周波信号である。
トランジスタＱ４とＱ３はトランジスタＱ５によってコントロールされ、トランジスタＱ６とＱ７はトランジスタのＱ８によってコントロールされる。
ＮＰＮ型のトランジスタＱ４とＱ６のコレクタ端子は並列にＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続する。
ＮＰＮ型トランジスタＱ４とＱ６のエミッタ端子はＰＮＰ型トランジスタＱ３とＱ７のエミッタ端子と接続し、並列に抵抗Ｒ２０とＲ２３と接続した後、それぞれ電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１）と電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極２）と繋ぐ。
ＰＮＰ型トランジスタＱ３とＱ７のベース端子はそれぞれ抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１６と接続し、Ｑ３とＱ７のコレクタ端子は接地する。
ＮＰＮ型トランジスタＱ５とＱ８のコレクタ端子はそれぞれ抵抗Ｒ１２とＲ１５を経由しＨブリッジ制御回路１８の電圧インプット側ＥＭＳ－ＶＣＣと接続し、エミッタ端子はそれぞれ接地し、Ｑ５のベース端子は抵抗Ｒ１１を経由しＭＣＵ１２のＰ３．５／ＣＣＰ０＿２ピンと接続し，ＰＷＭ信号１を受ける。
一方、Ｑ８のベース端子は抵抗Ｒ１４を経由しＣＣＰ１／ＡＤＣ０／Ｐ１．０ピンと接続し、ＰＷＭ信号２を受ける。
ＰＷＭ信号１は低周波信号で、ＰＷＭ信号２は中周波信号である。
トランジスタＱ４とＱ３はトランジスタＱ５によってコントロールされ、トランジスタＱ６とＱ７はトランジスタのＱ８によってコントロールされる。
【0034】
Ｈブリッジ制御回路１８は予め設定された時間で使用者に流す周波電流信号の開通、中断及び流れ方向を制御し、中周波と高周波を流す期間において所定時間Ａで一時的に刺激信号の出力を停止し、刺激の休止期間（インターバル）を設けるように制御し、低周波電流、中周波電流、高周波電流を合成させ、非対称性ハイブリッド周波を生成し、刺激付与部８へ出力する。
Ｈブリッジ制御回路１８はＭＣＵ１２及び電圧制御回路１７から受けた信号に従い、トランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、この際に、トランジスタＱ３とＱ６は接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、刺激付与部８の２つの電極組の間では、電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））から電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））へ低周波電流が流される。
次にトランジスタＱ８の接続をＯＮにし、トランジスタＱ５の接続をＯＦＦにし、この際に、トランジスタＱ４とＱ７は接続され、Ｑ３とＱ６の接続はＯＦＦにされ、刺激付与部８の２つの電極組のうち電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））から電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））へ中周波電流が流される。
さらに、所定の時間に達すと、トランジスタＱ８の接続を切断し、中周波電流の信号がＯＦＦされ、信号オフ期間が生成される。その次、またトランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、トランジスタＱ３とＱ６が接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））から電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））へ低周波電流が流され、繰り返しになる。このように、電極組の電極から使用者の身体の表面に非対称性ハイブリッド周波が出力される。
Ｈブリッジ制御回路１８はＭＣＵ１２及び電圧制御回路１７から受けた信号に従い、トランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、この際に、トランジスタＱ３とＱ６は接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、刺激付与部８の２つの電極組の間では、電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））から電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））へ低周波電流が流される。
次にトランジスタＱ８の接続をＯＮにし、トランジスタＱ５の接続をＯＦＦにし、この際に、トランジスタＱ４とＱ７は接続され、Ｑ３とＱ６の接続はＯＦＦにされ、刺激付与部８の２つの電極組のうち電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））から電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））へ中周波電流が流される。
さらに、所定の時間に達すと、トランジスタＱ８の接続を切断し、中周波電流の信号がＯＦＦされ、信号オフ期間が生成される。その次、またトランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、トランジスタＱ３とＱ６が接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、電極組ＥＭＳ－Ａ（美容ローラーの形をと採用した電極１（８ａ））から電極組ＥＭＳ－Ｂ（美容ローラーの形をと採用した電極２（８ｂ））へ低周波電流が流され、繰り返しになる。このように、電極組の電極から使用者の身体の表面に非対称性ハイブリッド周波が出力される。
【0035】
前記ＭＣＵ１２は電流の出力期間において、強度レベルに従い、強度表示部４の強度表示ランプの開閉を制御する。
本実施例の美容装置において、強度Ｌの場合、電圧は２０．２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＬ１、デューティ比はＬＦＤＲＬ１に設定する；強度Ｍの場合、電圧は２２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＭ１、デューティ比はＬＦＤＲＭ１に設定する；強度Ｈの場合、電圧は２３．２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＨ１、デューティ比はＬＦＤＲＨ１に設定する。なお、中周波のデューティ比は強度レベルのＬ，Ｍ，Ｈにおいて同じくＭＨＦＤＲ１に設定し、出力時間はＴ１に設定する。
本実施例の美容装置において、強度Ｌの場合、電圧は２０．２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＬ１、デューティ比はＬＦＤＲＬ１に設定する；強度Ｍの場合、電圧は２２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＭ１、デューティ比はＬＦＤＲＭ１に設定する；強度Ｈの場合、電圧は２３．２Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＨ１、デューティ比はＬＦＤＲＨ１に設定する。なお、中周波のデューティ比は強度レベルのＬ，Ｍ，Ｈにおいて同じくＭＨＦＤＲ１に設定し、出力時間はＴ１に設定する。
【0036】
図１１は本発明の第１実施例の美容装置から出力される非対称性ハイブリッド波の波形図で、横軸は時間、縦軸は電圧を示している。Ｙ軸の負方向に低周波の信号が出力され、Ｙ軸の正方向に中周波の信号が出力される。
低周波の周波数は１００Ｈｚ、中周波の周波数は２５００Ｈｚに設定する。また、Ｙ軸の正方向に中周波信号が出力されない休止期間（インターバル）が設けられ、中周波信号の休止期間の時間合計は反対方向の低周波信号出力時間のＰ１％である。
低周波の周波数は１００Ｈｚ、中周波の周波数は２５００Ｈｚに設定する。また、Ｙ軸の正方向に中周波信号が出力されない休止期間（インターバル）が設けられ、中周波信号の休止期間の時間合計は反対方向の低周波信号出力時間のＰ１％である。
【0037】
充電コントロール部１４は、図４に示すように、充電電池１０及びＵＳＢコネクタ１５と接続している充電管理チップＵ２が内蔵され、美容装置の充電電池１０の充電をコントロールする。充電コントロール部１４はＭＣＵ１２と接続した上充電表示部３と接続し、充電表示ランプ３ａのオンオフをコントロールする。
充電管理チップＵ２にはＢＡＴピン、ＧＮＤピン、ＣＨＲＧピン、ＲＰＯＧピン、ＶＣＣピンが配設されている。
ＧＮＤピンは直接接地し、ＰＲＯＧピンは抵抗Ｒ１経由して接地する。ＢＡＴピンはＭＣＵ１２のＶＣＣピンと繋いた後コネクタ１（１６）を経由して充電電池１０と接続し、充電電池１０へ充電電流を提供する。充電電池１０の両極の間にはコンデンサＣ３が設置される。
ＣＨＲＧピンはＭＣＵ１２のＰ２．０ピンと繋ぎ、ＭＣＵ１２は充電状態の信号を受け、電池は充電中になっている場合、充電表示ランプＬＥＤ１の接続を開通し、充電表示ランプ３ａ（ＬＥＤ１）は点灯する；充電完了した場合、充電表示ランプＬＥＤ１の接続をオフにし、充電表示ランプＬＥＤ１は消灯する。
ＢＡＴピンとＣＨＲＧピンはともに抵抗Ｒ２と接続する。ＶＣＣピンは２つの回路に分岐し、一方はＵＳＢのＶ＋ピンと繋ぎ、もう一方はコンデンサＣ１を経由して接地する。
充電表示ランプ３ａは強度表示ランプ４ａ～４ｃで兼ねることができる。また個別に設置しても良い。
ＵＳＢコネクタ１５はＶ＋ピン、Ｄ－ピン、Ｄ＋ピン、ＩＤピン、Ｇピンが配設されている。Ｖ＋ピンは充電コントロールチップＵ２のＶＣＣピンと繋ぎ、Ｄ－ピンは抵抗Ｒ２６と繋ぎ（図８参照）、Ｄ＋ピンはＭＣＵ１２のＲＸＤピンと接続し、ＩＤピンはＭＣＵ１２のＴＸＤピンと接続し（図３参照）、Ｇピンは直接接地する。
充電管理チップＵ２にはＢＡＴピン、ＧＮＤピン、ＣＨＲＧピン、ＲＰＯＧピン、ＶＣＣピンが配設されている。
ＧＮＤピンは直接接地し、ＰＲＯＧピンは抵抗Ｒ１経由して接地する。ＢＡＴピンはＭＣＵ１２のＶＣＣピンと繋いた後コネクタ１（１６）を経由して充電電池１０と接続し、充電電池１０へ充電電流を提供する。充電電池１０の両極の間にはコンデンサＣ３が設置される。
ＣＨＲＧピンはＭＣＵ１２のＰ２．０ピンと繋ぎ、ＭＣＵ１２は充電状態の信号を受け、電池は充電中になっている場合、充電表示ランプＬＥＤ１の接続を開通し、充電表示ランプ３ａ（ＬＥＤ１）は点灯する；充電完了した場合、充電表示ランプＬＥＤ１の接続をオフにし、充電表示ランプＬＥＤ１は消灯する。
ＢＡＴピンとＣＨＲＧピンはともに抵抗Ｒ２と接続する。ＶＣＣピンは２つの回路に分岐し、一方はＵＳＢのＶ＋ピンと繋ぎ、もう一方はコンデンサＣ１を経由して接地する。
充電表示ランプ３ａは強度表示ランプ４ａ～４ｃで兼ねることができる。また個別に設置しても良い。
ＵＳＢコネクタ１５はＶ＋ピン、Ｄ－ピン、Ｄ＋ピン、ＩＤピン、Ｇピンが配設されている。Ｖ＋ピンは充電コントロールチップＵ２のＶＣＣピンと繋ぎ、Ｄ－ピンは抵抗Ｒ２６と繋ぎ（図８参照）、Ｄ＋ピンはＭＣＵ１２のＲＸＤピンと接続し、ＩＤピンはＭＣＵ１２のＴＸＤピンと接続し（図３参照）、Ｇピンは直接接地する。
【0038】
［実施例２］
最後に、本発明の第２実施例について説明する。
図１２は、第２実施例の美容装置の外観を示している。
図１２に示すように、第２実施例に係る美容装置は、第１実施例と同様に、刺激付与部８と、使用者が片手で把持できるようにデザインされたボディ部１とから構成される。
また、ボディ部１には、図２に示した操作部２、充電口５、強度表示ランプ４ａ～４ｃから構成された強度表示部４が設けられること、そして操作部２の操作方法と強度表示ランプ４ａ～４ｃの設置も第１実施例と共通である。
最後に、本発明の第２実施例について説明する。
図１２は、第２実施例の美容装置の外観を示している。
図１２に示すように、第２実施例に係る美容装置は、第１実施例と同様に、刺激付与部８と、使用者が片手で把持できるようにデザインされたボディ部１とから構成される。
また、ボディ部１には、図２に示した操作部２、充電口５、強度表示ランプ４ａ～４ｃから構成された強度表示部４が設けられること、そして操作部２の操作方法と強度表示ランプ４ａ～４ｃの設置も第１実施例と共通である。
【0039】
第２実施例に係る美容装置の第１実施例と異なるところは、図１２に示すように、刺激付与部８が４つの電極８ａ～８ｄを備え、使用者の身体の表面に低周波電流、中周波電流と高周波電流を合成させた非対称性ハイブリッド周波を流すことができる点である。
図６に示すように、上記４つの電極のうち、電極１（８ａ）と電極２（８ｂ）は一つの電極組ＥＭＳ－Ａになっており、電極３（８ｃ）と電極３（８ｄ）は一つの電極組ＥＭＳ－Ｂになっている。
低周波の周波数は１２８Ｈｚ、中周波の周波数は１７８６Ｈｚ、高周波の周波数は１２０００Ｈｚと設定されている。
２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に中周波信号を開通する第１実施例とは異なり、第２実施例においては、電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号を順次に開通する（図１３参照）。
図６に示すように、上記４つの電極のうち、電極１（８ａ）と電極２（８ｂ）は一つの電極組ＥＭＳ－Ａになっており、電極３（８ｃ）と電極３（８ｄ）は一つの電極組ＥＭＳ－Ｂになっている。
低周波の周波数は１２８Ｈｚ、中周波の周波数は１７８６Ｈｚ、高周波の周波数は１２０００Ｈｚと設定されている。
２つの電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に中周波信号を開通する第１実施例とは異なり、第２実施例においては、電極組の間において順次に低周波信号を開通し、次に低周波信号と反対方向に前記中周波信号と高周波信号を順次に開通する（図１３参照）。
【0040】
すなわち、図７に示すＨブリッジ制御回路１８において、トランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、この際は第１実施例と同様に、刺激付与部８の２つの電極組の間では、電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１、２）から電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極３、４）へ低周波電流が流される。
次にトランジスタＱ８の接続をＯＮにし、トランジスタＱ５の接続をＯＦＦにし、この際に第１実施例と異なり、刺激付与部８の２つの電極組のうち電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極３、４）から電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１、２）へ中周波電流と高周波電流の２種が流される。
さらに、所定の時間に達すと、トランジスタＱ８の接続を切断し、中周波電流と高周波電流の信号がＯＦＦされ、信号オフ期間が生成される。
その次、またトランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、トランジスタＱ３とＱ６が接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１、２）から電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極３、４）へ低周波電流が流され、繰り返しになる。
このように、電極組の電極から使用者の身体の表面に非対称性ハイブリッド周波が出力される。
次にトランジスタＱ８の接続をＯＮにし、トランジスタＱ５の接続をＯＦＦにし、この際に第１実施例と異なり、刺激付与部８の２つの電極組のうち電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極３、４）から電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１、２）へ中周波電流と高周波電流の２種が流される。
さらに、所定の時間に達すと、トランジスタＱ８の接続を切断し、中周波電流と高周波電流の信号がＯＦＦされ、信号オフ期間が生成される。
その次、またトランジスタＱ５の接続をＯＮにし、トランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、トランジスタＱ３とＱ６が接続され、トランジスタＱ４とＱ７の接続はＯＦＦにされ、電極組ＥＭＳ－Ａ（電極１、２）から電極組ＥＭＳ－Ｂ（電極３、４）へ低周波電流が流され、繰り返しになる。
このように、電極組の電極から使用者の身体の表面に非対称性ハイブリッド周波が出力される。
【0041】
次に、電極組ＥＭＳ－Ｂから電極組ＥＭＳ－Ａへ中周波電流と高周波電流の２種を流す状態について詳しく説明する。
ＰＷＭ信号２は中周波電流と高周波電流の２種と設定する場合、トランジスタＱ８をＯＮにし、トランジスタＱ４とＱ７はＯＮに、トランジスタＱ６とＱ３はＯＦＦにされ、ＭＣＵ１２は予め設定された時間、周波数とデューティ比に従い中周波のＰＷＭ信号２を生成し、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２から受けた中周波のＰＷＭ信号２に基づき、デューティ比を調整し、中周波用の電圧を生成し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して電極組ＥＭＳ－Ｂから電極組ＥＭＳ－Ａへ中周波を流す。
予め設定された中周波電流を流す時間が経過したら、その後、一旦所定の時間でトランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、信号オフ期間を設ける。次に所定の時間に達すると、再びトランジスタＱ８をＯＮの状態にし、ＭＣＵ１２は予め設定された時間、周波数とデューティ比に従い高周波のＰＷＭ信号２を生成し、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２から受けた高周波のＰＷＭ信号２に基づき、デューティ比を調整し、高周波用の電圧を生成し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して電極組ＥＭＳ－Ｂから電極組ＥＭＳ－Ａへ高周波を流す。
予め設定された中周波電流を流す時間が経過したら、その後、一旦所定の時間でトランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、信号オフ期間を設ける。
ＰＷＭ信号２は中周波電流と高周波電流の２種と設定する場合、トランジスタＱ８をＯＮにし、トランジスタＱ４とＱ７はＯＮに、トランジスタＱ６とＱ３はＯＦＦにされ、ＭＣＵ１２は予め設定された時間、周波数とデューティ比に従い中周波のＰＷＭ信号２を生成し、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２から受けた中周波のＰＷＭ信号２に基づき、デューティ比を調整し、中周波用の電圧を生成し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して電極組ＥＭＳ－Ｂから電極組ＥＭＳ－Ａへ中周波を流す。
予め設定された中周波電流を流す時間が経過したら、その後、一旦所定の時間でトランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、信号オフ期間を設ける。次に所定の時間に達すると、再びトランジスタＱ８をＯＮの状態にし、ＭＣＵ１２は予め設定された時間、周波数とデューティ比に従い高周波のＰＷＭ信号２を生成し、電圧制御回路１７はＭＣＵ１２から受けた高周波のＰＷＭ信号２に基づき、デューティ比を調整し、高周波用の電圧を生成し、Ｈブリッジ制御回路１８を経由して電極組ＥＭＳ－Ｂから電極組ＥＭＳ－Ａへ高周波を流す。
予め設定された中周波電流を流す時間が経過したら、その後、一旦所定の時間でトランジスタＱ８の接続をＯＦＦにし、信号オフ期間を設ける。
【0042】
本第２実施例の美容装置において、強度Ｌの場合、電圧は９．８Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＬ２、デューティ比はＬＦＤＲＬ２に設定する；強度Ｍの場合、電圧は１１・４Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＭ２、デューティ比はＬＦＤＲＭ２に設定する；強度Ｈの場合、電圧は１２．６Ｖ、低周波のハイ・レベル期間はＬＦＨＴＨ２、デューティ比はＬＦＤＲＨ２に設定する。なお、中周波と高周波のデューティ比は強度Ｌ，Ｍ，Ｈで同じくＭＨＦＤＲ２で、出力時間はＴ２に設定する。
【0043】
図１３は本発明の第２実施例の美容装置から出力される非対称性ハイブリッド波形図で、横軸は時間、縦軸は電圧を示している。
図１３に示すように、第２実施例においては、Ｙ軸の負方向に低周波の信号が出力され、Ｙ軸の正方向に中周波と高周波の信号が出力される。低周波の周波数は１２８Ｈｚ、中周波の周波数は１７８６Ｈｚ、高周波の周波数は１２０００Ｈｚになるように設定する。
また、Ｙ軸の正方向に信号が出力されない休止期間が設けられる。中周波と高周波信号の休止期間の合計時間は反対方向の低周波信号の出力時間のＰ２％である。
図１３に示すように、第２実施例においては、Ｙ軸の負方向に低周波の信号が出力され、Ｙ軸の正方向に中周波と高周波の信号が出力される。低周波の周波数は１２８Ｈｚ、中周波の周波数は１７８６Ｈｚ、高周波の周波数は１２０００Ｈｚになるように設定する。
また、Ｙ軸の正方向に信号が出力されない休止期間が設けられる。中周波と高周波信号の休止期間の合計時間は反対方向の低周波信号の出力時間のＰ２％である。
【0044】
上記したように、第１実施例と第２実施例では低周波はＹ軸の負方向に出力し、中周波と高周波はＹ軸の正方向に出力するように設定されるが、低周波の流れと中周波及び高周波の流れは反対方向であれば、Ｙ軸の方向に限定されず、中周波と高周波の流れをＹ軸の負方向、低周波の流れをＹ軸の正方向になるように設定することもできる。
また、上記実施例で設定された低周波、中周波及び高周波の周波数は一例にすぎず、低周波を１～１０００Ｈｚ、中周波は１０００～１００００Ｈｚ、高周波は１００００Ｈｚ以上の範囲内で適宜に設定することができ、上記範囲内であれば、特に周波数の限定はしない。そして、本発明の第１実施例及び第２実施例の美容装置において、強度に応じて設定された電圧、ハイ・レベル期間、デューティ比は本発明の実施例の１例であって、これに限定するものではない。電圧、ハイ・レベル時間及びデューティ比は必要に合わせて適宜に設定することができる。
さらに、本発明の中周波信号の休止期間は反対方向の低周波信号出力時間に占めるパーセンテージ、限定するものではない。
また、上記実施例で設定された低周波、中周波及び高周波の周波数は一例にすぎず、低周波を１～１０００Ｈｚ、中周波は１０００～１００００Ｈｚ、高周波は１００００Ｈｚ以上の範囲内で適宜に設定することができ、上記範囲内であれば、特に周波数の限定はしない。そして、本発明の第１実施例及び第２実施例の美容装置において、強度に応じて設定された電圧、ハイ・レベル期間、デューティ比は本発明の実施例の１例であって、これに限定するものではない。電圧、ハイ・レベル時間及びデューティ比は必要に合わせて適宜に設定することができる。
さらに、本発明の中周波信号の休止期間は反対方向の低周波信号出力時間に占めるパーセンテージ、限定するものではない。
【0045】
以上のように本発明の実施の形態及び実施例について説明したが、上述した実施の形態及び実施例は本発明の範囲の一部であり、すべてではない。上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正または変形を包含するものである。
【産業上の利用可能性】
【0046】
本発明は、主として人体の顔や体の美容処理として用いられる美容装置で、リフトアップ、筋肉トレーニング、リラクゼーション、疲労回復、シワの改善などに幅広く利用することは可能で、さらに、超音波機能やＲＦなどと組み合わせて利用することもでき、実用上極めて有用性の高いものである。
【符号の説明】
【0047】
１…ボディ部、 ２…操作部、 ２ａ…電源スイッチ、 ２ｂ…強度選択スイッチ、 ３…充電表示部、 ３ａ…充電表示ランプ、 ４…強度表示部、 ４ａ，４ｂ，４ｃ… 強度表示ランプ、 ５…充電口、 ６…ＵＳＢケーブル、 ７…電源アダプタ、 ８…刺激付与部、 ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ…電極、 ９…電子基板、 １０…充電電池、 １１…コントロール部、 １２…ＭＣＵ、 １３…波形調整部、 １４…充電コントロール部、 １５…ＵＳＢコネクタ、 １６…コネクタ１、 １７…電圧制御回路、 １８…Ｈブリッジ制御回路、 １９…コネクタ２、 ２０…コネクタ３。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】