特開 2023-31643 配線基板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023031643

(43)【公開日】2023-03-09

(54)【発明の名称】配線基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/10 20060101AFI20230302BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20230302BHJP

【ＦＩ】

H05K3/10 E

H05K3/18 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】21

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021137262

(22)【出願日】2021-08-25

(71)【出願人】

【識別番号】390022471

【氏名又は名称】アオイ電子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】加藤 貴章

(72)【発明者】

【氏名】山地 範男

【テーマコード（参考）】

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E343AA02

5E343AA17

5E343BB02

5E343BB24

5E343BB25

5E343CC62

5E343CC73

5E343DD03

5E343DD33

5E343DD43

5E343GG02

5E343GG16

(57)【要約】

【課題】配線基板の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の上面７上に形成された導体パターン３と、絶縁層２の下面８上に形成された導体パターン４と、絶縁層２の開口部内に形成された電極６と、を備えている。電極６は、導体パターン３と導体パターン４とを電気的に接続する。電極６は、導体パターン３と一体的に形成されており、絶縁層２の上面７側において、電極６の表面は、導体パターン３の表面に対して窪んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する開口部と、を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１主面上に形成された第１導体パターンと、
前記絶縁層の前記第２主面上に形成された第２導体パターンと、
前記開口部内に形成され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続する電極と、
を備え、
前記電極は、前記第２導体パターンと一体的に形成されており、
前記第２主面側において、前記電極の表面は、前記第２導体パターンの表面に対して窪んでいる、配線基板。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板において、
前記第１導体パターンの一部は、前記第１主面側において、前記開口部を覆っている、配線基板。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板において、
前記第２主面側において、前記電極の表面は、前記第２主面よりも高さ位置が低い部分を有する、配線基板。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板において、
前記第２導体パターンおよび前記電極は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを有する、配線基板。

【請求項5】

請求項４記載の配線基板において、
前記シード層は、前記第２主面上と前記開口部の側壁上とに形成されている、配線基板。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板において、
前記シード層は、複数の金属粒子が結合した構造を有する、配線基板。

【請求項7】

請求項５記載の配線基板において、
前記シード層は、複数の銅粒子が結合した構造を有する、配線基板。

【請求項8】

請求項５記載の配線基板において、
前記シード層は、複数の銀粒子が結合した構造を有する、配線基板。

【請求項9】

請求項５記載の配線基板において、
前記シード層は、金属ペーストにより形成されている、配線基板。

【請求項10】

請求項９記載の配線基板において、
前記金属ペーストは、金属ナノ粒子を含有する、配線基板。

【請求項11】

（ａ）第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する開口部と、前記第１主面上に形成された第１導体パターンと、を有する絶縁層を用意する工程、
（ｂ）前記絶縁層の前記第２主面上に第２導体パターンを形成し、前記開口部内に電極を形成する工程、
を含み、
前記電極は、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続し、
前記電極は、前記第２導体パターンと一体的に形成され、
前記電極の表面は、前記第２導体パターンの表面に対して窪んでいる、配線基板の製造方法。

【請求項12】

請求項１１記載の配線基板の製造方法において、
前記第１導体パターンの一部は、前記第１主面側において、前記開口部を覆っている、配線基板の製造方法。

【請求項13】

請求項１１記載の配線基板の製造方法において、
前記第２主面側において、前記電極の表面は、前記第２主面よりも高さ位置が低い部分を有する、配線基板の製造方法。

【請求項14】

請求項１１記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｃ）前記絶縁層の前記第２主面上と前記開口部の側壁上とに、シード層を形成する工程、
（ｄ）前記シード層上に、めっき層を形成する工程、
を含み、
前記第２導体パターンおよび前記電極は、前記シード層と前記めっき層とにより形成される、配線基板の製造方法。

【請求項15】

請求項１４記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、金属ペーストを用いて前記シード層を形成し、
前記（ｄ）工程では、電解めっき法により、前記めっき層を形成する、配線基板の製造方法。

【請求項16】

請求項１５記載の配線基板の製造方法において、
前記金属ペーストは、金属ナノ粒子を含有する、配線基板の製造方法。

【請求項17】

請求項１６記載の配線基板の製造方法において、
前記金属ナノ粒子は、銅ナノ粒子または銀ナノ粒子である、配線基板の製造方法。

【請求項18】

請求項１６記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記絶縁層の前記第２主面上と前記開口部の側壁上とに、前記金属ペーストを印刷法により供給する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程後で、前記（ｄ）工程前に、前記金属ペーストに熱処理を施す工程、
を含む、配線基板の製造方法。

【請求項19】

請求項１８記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ２）工程では、２５０℃から３００℃の温度範囲で前記熱処理を施す、配線基板の製造方法。

【請求項20】

請求項１５記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層は、シリカフィラーを含有する、配線基板の製造方法。

【請求項21】

請求項１５記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層は、酸化シリコンの誘電率以下の誘電率を有する、配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板の回路形成において種々の形成方法が提案されている。その中で、例えばアディティブ方式では、銅パターンを必要なところに形成し絶縁層を介して積層していくことで多層板となる。ところで、多層に形成された配線パターンは、各々表裏の関係となる層間で貫通穴を設けて電気的に導通させビア・フィリングとする必要がある。また、これらの配線パターンやビア・フィリングでは、銅の無電解めっきによるシード層を形成し、その後電解めっきで銅を積層する方法が一般的に行われている。

【0003】

また、一方で、昨今の配線基板では、５Ｇを始めとして高速信号伝搬用途が出現してきており、それに伴い使用される絶縁層はこれまでのＦＲ４材を使用した配線基板から、低誘電率となる材料の必要性が高まっている。

【0004】

特開２０１８－１９５７５４号公報（特許文献１）には、層間絶縁膜貫通電極に関する技術が記載されている。

【0005】

特開２０１９－６２１１３号公報（特許文献２）には、配線層の製造方法に関する技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１８－１９５７５４号公報

【特許文献2】特開２０１９－６２１１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

絶縁体の低誘電率化を実現するために、例えば、エポキシ系の基材にフィラーとしてＳｉＯ_２（酸化シリコン、シリカ）が含有された材料がある。この絶縁材を用いた絶縁層の表裏に形成された配線間の導通を取るためには、要所毎にビアを形成して表裏間で電気的に導通させる必要があり、そのためには先ずレーザー等により貫通穴を絶縁層に形成する。ここで、レーザー光による絶縁層への貫通穴の形成は瞬時の高熱を伴う加工となるため、貫通穴の側壁面では基体となるエポキシが昇華してＳｉＯ_２がリッチな状態となっている。この状態で貫通穴の側壁面にシード層となる銅を無電解めっきで形成しようとすると、次のような懸念が生ずる。すなわち、ＳｉＯ_２上に無電解めっきで銅を付着させる必要があるが、ＳｉＯ_２自体の誘電率が約４であることでＬｏｗ－ｋ材の分類となるため、無電解の銅めっきの還元剤となるパラジウムを化学的な結合で付着させる官能基がＳｉＯ_２上には生成し難くなるため、シード層となるはずの銅が形成できない。また、例え形成できたとしても、貫通穴の側壁面との密着力が悪く信頼性に問題を抱えることになる。

【0008】

更には、配線形成後の配線基板に半導体素子をワイヤーボンディングやフェースダウン等の手法により実装を行った後、エポキシ系の樹脂で封止される。この時、特にハイパワー系の用途等では高熱を伴うことになるため、膨張収縮を繰り返した結果、各部材間の線膨張係数の差による配線基板と封止樹脂との間での剥離が懸念される。

【0009】

配線基板および配線基板を用いて製造した電子装置において、信頼性を向上させることが望まれる。

【0010】

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0011】

一実施の形態によれば、配線基板は、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層の第１主面上に形成された第１導体パターンと、前記絶縁層の第２主面上に形成された第２導体パターンと、前記開口部内に形成され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続する電極と、を備えている。前記電極は、前記第２導体パターンと一体的に形成されている。前記第２主面側において、前記電極の表面は、前記第２導体パターンの表面に対して窪んでいる。

【0012】

一実施の形態によれば、配線基板の製造方法は、（ａ）第１主面および第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する開口部と、前記第１主面上に形成された第１導体パターンと、を有する絶縁層を用意する工程、（ｂ）前記絶縁層の前記第２主面上に第２導体パターンを形成し、前記開口部内に電極を形成する工程、を含む。前記電極は、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に接続する。前記電極は、前記第２導体パターンと一体的に形成され、前記電極の表面は、前記第２導体パターンの表面に対して窪んでいる。

【発明の効果】

【0013】

一実施の形態によれば、高信頼性を有する配線基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】一実施の形態の配線基板の要部断面図である。

【図2】一実施の形態の配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図3】図２に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図4】図３に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図5】図４に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図6】図５に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図7】図６に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図8】検討例の配線基板を示す要部断面図である。

【図9】図８に示される検討例の配線基板上に絶縁体が形成された状態を示す要部断面図である。

【図10】図１に示される配線基板上に絶縁体が形成された状態を示す要部断面図である。

【図11】他の実施の形態の配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図12】図１１に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図13】図１２に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図14】図１３に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図15】他の実施の形態の配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図16】図１５に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図17】図１６に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【図18】図１７に続く配線基板の製造工程中の要部断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

【0016】

（実施の形態１）
＜配線基板の構造について＞
図１を参照して、本実施の形態の配線基板１の構造について説明する。図１は、本実施の形態の配線基板１の要部断面図である。

【0017】

配線基板（プリント基板）１は、絶縁層２と、絶縁層２の上面（主面）７上に形成された導体パターン（導体層）３と、絶縁層２の下面（主面）８上に形成された導体パターン（導体層）４と、絶縁層２の開口部（貫通孔）５内に形成された電極（ビア電極、貫通電極）６と、を有している。

【0018】

ここで、絶縁層２の下面８に形成される導体パターン４は、実際には支持板（後述の支持板２１に対応）上にアディティブ方式等を使用して形成されるが、支持板を含めた構造は図示していない。

【0019】

開口部５は、断面の形状が略直方体となる絶縁層２の上面７と反対側の下面８とを貫通するように形成されている。この時、開口部５は絶縁層２の下面８に配置された導体パターン４上に形成され、その導体パターン４は上面７に形成された導体パターン３と電極６を介して電気的に接続する。この時、電極６の上面７側は窪み部９を有するようにする。具体的には、窪み部９の底部は、絶縁層２の上面７よりも低くするのが望ましい。

【0020】

また、配線基板１を半導体ユニットとして構成するためには、上面７に半導体素子（半導体チップ）をベアチップとして搭載してバンプ接続やワイヤーボンディング接続することにより成し得るが、必要となる外装めっきやベアチップ、接続形態等は図示していない。

【0021】

以下、具体的に説明する。

【0022】

絶縁層２は、絶縁性の基材層（ベース層）として機能する。絶縁層２の上面７と下面８とは、互いに反対側に位置する主面である。導体パターン３により、絶縁層２の上面７上に、すなわち配線基板１の上面側に、配線、端子または電極などが形成される。また、導体パターン４により、絶縁層２の下面８上に、すなわち配線基板１の下面側に、配線、端子または電極などが形成される。

【0023】

電極６は、配線基板１の上面側の導体パターン３と、配線基板１の下面側の導体パターン４とを、電気的に接続するために設けられている。例えば、図１の場合は、配線基板１の上面側の導体パターン３は、導体パターン３ａ，３ｂを含んでおり、配線基板１の下面側の導体パターン４は、導体パターン４ａ，４ｂ，４ｃを含んでおり、配線基板１の上面側の導体パターン３ａと、配線基板１の下面側の導体パターン４ａとが、電極６を介して電気的に接続されている。電極６は、絶縁層２に形成された開口部５内に設けられている。開口部５は、絶縁層２に形成された貫通孔であり、絶縁層２の上面７と下面８との間を貫通している。絶縁層２は、低誘電率の絶縁層であることが好ましく、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）の誘電率以下の誘電率を有することがより好ましい。絶縁層２は、例えば、酸化シリコンのフィラー（シリカフィラー）を含有することにより、低誘電率化されている。

【0024】

配線基板１の下面側の導体パターン４は、導電層からなるが、好ましくは金属層からなり、更に好ましくは、銅（Ｃｕ）層からなる。配線基板１の上面側の導体パターン３は、導電層からなるが、好ましくは金属層からなり、更に好ましくは、銅（Ｃｕ）層からなる。導体パターン３は、シード層１１と、シード層１１上に形成されためっき層（電解めっき層）１２とからなる。すなわち、配線基板１の上面側の導体パターン３は、シード層１１とシード層１１上のめっき層１２との積層膜からなる。めっき層１２は、電解めっき法により形成された電解めっき層であり、金属からなる。シード層１１は、めっき層１２を電解めっき法で形成する際のシード層として機能する。シード層１１は、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなることが好ましく、めっき層１２は、銅（Ｃｕ）からなることが好ましい。このため、シード層１１は、好ましくは銅または銀のシード層であり、めっき層１２は、好ましくは銅めっき層である。

【0025】

絶縁層２の開口部５内の電極６は、配線基板１の上面側の導体パターン３と同工程で形成されており、配線基板１の上面側の導体パターン３と一体的に形成されている。例えば、図１の場合は、絶縁層２の開口部５内の電極６は、配線基板１の上面側の導体パターン３ａと一体的に形成されている。このため、絶縁層２の開口部５内の電極６も、シード層１１と、シード層１１上に形成されためっき層１２とからなる。シード層１１とシード層１１上のめっき層１２との積層膜のうち、絶縁層２の上面７上に形成（配置）されている部分が、導体パターン３であり、シード層１１とシード層１１上のめっき層１２との積層膜のうち、開口部５内に形成（配置）されている部分が、電極６である。すなわち、導体パターン３は、絶縁層２の上面７上に形成（配置）されているシード層１１とその上のめっき層１２とからなり、また、電極６は、絶縁層２の開口部５内に形成（配置）されているシード層１１およびめっき層１２からなる。図１の場合は、絶縁層２の開口部５内の電極６を構成するシード層１１は、絶縁層２の上面７上の導体パターン３ａを構成するシード層１１と一体的に形成されており、かつ、絶縁層２の開口部５内の電極６を構成するめっき層１２は、絶縁層２の上面７上の導体パターン３ａを構成するめっき層１２と一体的に形成されている。

【0026】

絶縁層２の下面８において、絶縁層２の開口部５は導体パターン４（図１の場合は導体パターン４ａ）により覆われている。すなわち、絶縁層２の下面８において、開口部５を覆うように、導体パターン４（図１の場合は導体パターン４ａ）が形成されている。このため、絶縁層２の開口部５の底面は、開口部５を覆う部分の導体パターン４（図１の場合は導体パターン４ａ）により構成されている。電極６を構成するシード層１１は、絶縁層２の開口部５内において、絶縁層２の開口部５の側壁（側面）上と、絶縁層２の開口部５の底面上（すなわち絶縁層２の下面８側において開口部５を覆う導体パターン４上）とに、形成されている。電極６を構成するめっき層１２は、絶縁層２の開口部５内において、シード層１１上に形成されている。

【0027】

電極６（より特定的には電極６を構成するシード層１１）は、開口部５を覆う導体パターン４ａと接することにより、その導体パターン４ａと電気的に接続されている。また、電極６（より特定的には電極６を構成するシード層１１およびめっき層１２）は、絶縁層２の上面７上の導体パターン３ａ（より特定的には導体パターン３ａを構成するシード層１１およびめっき層１２）と一体的に形成されていることにより、その導体パターン３ａと電気的に接続されている。このため、絶縁層２の上面７上の導体パターン３ａと、絶縁層２の下面８上の導体パターン４ａとは、絶縁層２の開口部５内の電極６を介して、電気的に接続される。これにより、配線基板１の上面側の導体パターン３と配線基板１の下面側の導体パターン４とを、必要に応じて電気的に接続することができ、絶縁層２の開口部５内の電極６は、配線基板１の上面側の導体パターン３と配線基板１の下面側の導体パターン４とを電気的に接続する電極（ビア電極または貫通電極）として機能することができる。

【0028】

図１にも示されるように、絶縁層２の上面７側において、開口部５内の電極６の表面（上面）は、電極６と一体的に形成された導体パターン３（図１の場合は導体パターン３ａ）の表面（上面）に対して窪んでいる。具体的には、電極６およびそれと一体的に形成された導体パターン３ａを構成するめっき層１２の表面は、開口部５と平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５と平面視で重なる位置に窪み部（凹部）９を有している。ここで、導体パターン３の表面は、導体パターン３を構成するめっき層１２の表面に対応し、電極６の表面は、導体パターン３を構成するめっき層１２の表面に対応している。また、めっき層１２の表面は、めっき層におけるシード層１１に接する側とは反対側の面に対応している。また、平面視とは、絶縁層２の上面７または下面８に略平行な平面で見た場合に対応している。

【0029】

また、窪み部９の深さはある程度深いことが好ましい。具体的には、窪み部９の底部は、絶縁層２の上面７よりも高さ位置（配線基板１の厚さ方向における高さ位置）が低いことが好ましい。すなわち、絶縁層２の上面７側において、電極６の表面は、絶縁層２の上面７よりも高さ位置が低い部分を有することが好ましい。別の見方をすると、絶縁層２の厚さ方向において、電極６の表面の一部（窪み部９の底部）は、絶縁層２の厚さの途中に位置していることが好ましい。

【0030】

また、配線基板１は、上下を逆にすることもできる。

【0031】

＜配線基板の製造工程について＞
次に、図２～図７を参照して、本実施の形態の配線基板１の製造工程について説明する。図２～図７は、本実施の形態の配線基板１の製造工程中の要部断面図である。

【0032】

本実施の形態の配線基板１を製造するには、まず、図２に示されるように、支持板（支持基板）２１を用意する。支持板２１は、今後の工程を流動させる目的で用いられているため、堅牢性を有していれば良い。例えばガラス基板や銅板等の金属板等が支持板２１として使用できる。

【0033】

次に、図２に示されるように、支持板２１の上面（主面）２１ａ上に、導体パターン４を形成する。また、導体パターン４は、材料は銅を主材とする金属材料であり、セミアディティブやサブトラクティブ等の手法によって形成することができる。

【0034】

次に、図３に示されるように、支持板２１の上面２１ａ上に、導体パターン４を覆うように、絶縁層２を、ラミネートあるいは樹脂硬化等のプロセスを経て形成する。この時、絶縁層２の支持板２１側の面（下面８）は、隙間なく導体パターン４と支持板２１に追従するように密着され、絶縁層２の支持板２１との反対の面である上面７は、支持板２１の上面２１ａと略平行になるように形成される。ここで、絶縁層２は絶縁性を有する材料であり、エポキシ系の樹脂材料等が好適な例として挙げられる。以下の説明では、絶縁層２に低誘電率化を付加した誘電率が約４以下のＬｏｗ－ｋ材として、ＳｉＯ_２が５０ｗｔ％以上含有されたエポキシ樹脂を例に取り説明を行う。

【0035】

絶縁層２の下面８は、支持板２１の上面２１ａに隣接する側の主面であり、支持板２１の上面２１ａは、支持板２１の上面２１ａに隣接する側とは反対側の主面である。支持板２１の上面２１ａ上に、導体パターン４を覆うように、絶縁層２を形成するため、絶縁層２を形成すると、導体パターン４は絶縁層２の下面８上に形成された状態となる。

【0036】

次に、図４に示されるように、絶縁層２の上面７上から絶縁層２に対してレーザー光等を照射することなどにより、絶縁層２に開口部（貫通孔）５を形成する。この開口部５は、絶縁層２の上面７側に形成される導体パターン３と支持板側２１に形成される導体パターン４とを電気的に接続するために設けられるため、導体パターン４上の絶縁層２に形成される。

【0037】

このため、開口部５は、絶縁層２を貫通するように形成されるが、開口部５は、平面視において、導体パターン４に内包される位置に形成される。図４の場合は、開口部５は、平面視において、導体パターン４ａに内包される位置に形成される。ここで、平面視とは、絶縁層２の上面７、絶縁層２の下面８または支持板２１の上面２１ａに略平行な平面で見た場合に対応している。開口部５は、絶縁層２を貫通するが、導体パターン４および支持板２１は貫通せずに、開口部５の底部では、導体パターン４が残存する。

【0038】

この時、絶縁層２の上面７と、導体パターン４の表面とは直角方向となる開口部５の側壁とでは、同一のエポキシ樹脂であっても状態が異なる。即ち、上面７ではエポキシ樹脂で覆われていることに対し、開口部５の側壁面は、レーザー光の照射により露出したものであるため、一瞬にしてエポキシ樹脂が昇華した結果、ＳｉＯ_２がリッチな状態となる。

【0039】

次に、図５に示されるように、絶縁層２の上面７上と、開口部５の側壁（側面）および底面上とに、シード層１１を形成する。開口部５の底面は、導体パターン４（図５の場合は導体パターン４ａ）で構成されているため、絶縁層２の上面７上と、開口部５の側壁上と、開口部５の底面を構成する導体パターン４（４ａ）上とに、シード層１１が形成される。

【0040】

開口部５の側壁は、Ｌｏｗ－ｋの材料として分類されるＳｉＯ_２がリッチな状態となっていることから官能基が生成しづらく、めっき等の手法で開口部５の側壁に金属膜を生成することが高難易度である。このため、シード層１１は、スクリーン印刷等の印刷法を用いて形成することが好ましく、スクリーン印刷等で金属ペースト（厚膜ペースト）を使用してシード層１１を形成する。シード層１１をスクリーン印刷等の印刷法で形成することで、スキージングされるスクリーンの面が、絶縁層２の上面７に近く、開口部５のシード層１１の上面が遠くなる関係になることで、開口部５においては、シード層１１の上面の位置は絶縁層２の上面７よりも低く形成することができる。

【0041】

シード層１１をスクリーン印刷等の印刷法を用いて形成する場合、具体的には、シード層１１用の金属ペーストを印刷用のマスクを用いて絶縁層２の上面７上と開口部５内（開口部５の側壁および底面上）とに供給（印刷）してから、熱処理（焼成）を行うことにより、シード層１１が形成される。

【0042】

シード層１１を印刷法で形成する際に使用する金属ペースト（厚膜ペースト）は、金属（金属粒子）を含有するペースト材であるが、銅（銅粒子）を含有する銅ペーストまたは銀（銀粒子）を含有する銀ペーストが好ましい。また、シード層１１用のペースト材に含有される金属材料（金属粒子）としては、金属ナノ粒子が特に好適であり、従って、銅（Ｃｕ）からなる金属ナノ粒子である銅ナノ粒子、または銀（Ａｇ）からなる金属ナノ粒子である銀ナノ粒子が最も好ましい。ここで、典型的には、平均粒径が１μｍ未満（１～数百ｎｍ）の金属粒子からなる金属材料を金属ナノ粒子と呼ぶ。

【0043】

このため、シード層１１を印刷法で形成する際に使用する金属ペーストは、好ましくは、銅或いは銀の材料を使用した粒径が１μｍ未満の金属材料を主とするフリット型の材料である。銅或いは銀の金属材料の粒径を１μｍ未満とすることで（すなわち銅ナノ粒子または銀ナノ粒子を用いることにより）、銅或いは銀の粒子、各々の金属間結合を促すことができるため、比較的低温での熱処理（印刷後の焼成）でも、シード層１１を的確に形成することができる。このため、銅ナノ粒子または銀ナノ粒子を使用した金属ペーストを用いれば、印刷後の熱処理を、絶縁層２を構成する樹脂の熱分解温度よりも低温で行うことができるため、熱処理に起因した絶縁層２の変質などを防止することができる。具体的には、絶縁層２がエポキシ系の樹脂であれば熱分解温度は通常、最大温度が３００℃程度であるため、印刷後に３００℃以下（２５０～３００℃程度）、最適には２５０℃の低温で焼成してシード層１１を形成することができる。勿論、２００℃程度の焼成温度でもシード層１１を形成することが可能であるが、銅或いは銀の粒子のシンタリングが焼成温度の低下と共に促進しづらくなり、結果としてシード層１１の配線抵抗値が高抵抗となるため、絶縁層２として使用するエポキシ樹脂の特性と合わせて焼成温度を調整することが望ましい。

【0044】

シード層１１は、複数の金属粒子を含有する金属ペーストを用いて形成しているため、シード層１１（熱処理後のシード層１１）は、複数の金属粒子が結合した構造を有する。シード層１１が、複数の金属ナノ粒子を含有する金属ペーストを用いて形成された場合は、シード層１１（熱処理後のシード層１１）は、複数の金属ナノ粒子が結合した構造を有する。シード層１１が、複数の銅ナノ粒子を含有する銅ペーストを用いて形成された場合は、シード層１１（熱処理後のシード層１１）は、複数の銅ナノ粒子が結合した構造を有する。シード層１１が、複数の銀ナノ粒子を含有する銀ペーストを用いて形成された場合は、シード層１１（熱処理後のシード層１１）は、複数の銀ナノ粒子が結合した構造を有する。それら複数の金属ナノ粒子（銅ナノ粒子または銀ナノ粒子）は、ファンデルワールス力およびシンタリング（焼結）により結合している。

【0045】

次に、図６に示されるように、シード層１１上に、電解めっき法を用いて、めっき層１２を形成する。シード層１１は、電解めっきのシード層として機能する。めっき層１２は、好ましくは銅めっき層である。めっき層１２は、絶縁層２の上面７上のシード層１１上と、開口部５内のシード層１１上とに、形成される。

【0046】

絶縁層２の上面７上のシード層１１と、その上のめっき層１２とにより、導体パターン３が絶縁層２の上面７上に形成され、開口部５内のシード層１１とその上のめっき層１２とにより、電極６が絶縁層２の開口部５内に形成される。絶縁層２の上面７上において、導体パターン３が形成されるべきではない領域にもシード層１１が形成されている場合には、シード層１１およびめっき層１２を形成した後に、フォトレジスト技術およびエッチング技術などを用いて、導体パターン３が形成されるべきではない領域におけるシード層１１を除去することができる。

【0047】

すなわち、シード層１１は印刷法を用いて形成するため、シード層１１を選択的に形成することができる。このため、開口部５内と絶縁層２の上面７の所定領域（導体パターン３形成予定領域）上とにシード層１１を形成する場合と、開口部５内と絶縁層２の上面７全体上とにシード層１１を形成する場合とがあり得る。シード層１１形成工程で開口部５内と絶縁層２の上面７全体上とにシード層１１を形成した場合は、めっき層１２形成工程でめっき層１２はシード層１１全体上に形成されるため、シード層１１とめっき層１２との積層膜が、開口部５内と絶縁層２の上面７全体上とに形成されることになる。この場合は、めっき層１２を形成した後に、フォトレジスト技術およびエッチング技術などを用いてシード層１１とめっき層１２との積層膜をパターニングすることにより、導体パターン３および電極６を形成することができる。一方、シード層１１形成工程で、導体パターン３および電極６の形成予定領域にシード層１１を選択的に形成する場合は、めっき層１２形成工程では、そのシード層１１上に選択的にめっき層１２が形成され、そのシード層１１とめっき層１２との積層膜により導体パターン３および電極６が形成される。この場合は、めっき層１２を形成した後のフォトレジスト技術およびエッチング技術などを用いたパターニング工程（シード層１１とめっき層１２との積層膜のパターニング工程）は、行わなくともよい。

【0048】

シード層１１を銅或いは銀の金属ペースト（厚膜ペースト）で形成しているので、印刷後の焼成時に金属粒子がシンタリングを起こし、シード層１１は多孔質な状態となっている。更には、印刷後の焼成温度を低い温度にすると、金属粒子のシンタリングが弱まり、結果として配線抵抗値が上昇することにもなる。しかしながら、シード層１１上に銅（めっき層１２）を電解めっきで一体形成することで、シード層１１の多孔質な部分にも銅メッキ（めっき層１２）が浸入し、それが電気的な接続だけでなくアンカー的に作用する。その結果、シード層１１とめっき層１２との密着強度を上げ、緻密性を増した導体パターン３を形成することができる。

【0049】

更には、シード層１１とめっき層１２とが積層状態となることで電気的には並列関係となる。即ち、シード層１１の焼成温度を低めに設定して形成した結果、配線抵抗が大きくなったとしても、めっき層１２が並列接続された構造となるので、合成抵抗は、銅のバルク値である２μΩｃｍに近づけることが可能となる。

【0050】

次に、導体パターン４、絶縁層２、導体パターン３および電極６からなる構造体から支持板２１を剥離することにより、図７に示されるように、配線基板１を得ることができる。また、支持板２１を剥離した後に配線基板を切断することにより、複数の配線基板１を得る場合もあり得る。また、支持板２１を剥離せずに、支持板２１も配線基板１の一部として用いる場合もあり得るが、その場合は、支持板２１による導体パターン４の短絡が生じないように、支持板２１は絶縁体からなることが好ましい。

【0051】

＜主要な特徴と効果について＞
次に、本実施の形態の主要な特徴と効果について説明する。

【0052】

本実施の形態の配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の一方の主面（ここでは上面７）上に形成された導体パターン３と、絶縁層２の他方の主面（ここでは下面８）上に形成された導体パターン４と、絶縁層２の開口部５内に形成され、導体パターン３と導体パターン４とを電気的に接続する電極６と、を備えている。

【0053】

本実施の主要な特徴のうちの一つは、絶縁層２の開口部５内に形成された電極６は、絶縁層２の主面（ここでは上面７）上に形成された導体パターン３（図１の場合は導体パターン３ａ）と一体的に形成されており、開口部５内の電極６の表面は、導体パターン３（図１の場合は導体パターン３ａ）の表面に対して窪んでいることである。具体的には、電極６およびそれと一体的に形成された導体パターン３ａを構成するめっき層１２の表面は、開口部５と平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５と平面視で重なる位置に窪み部９を有している。

【0054】

図８は、本発明者が検討した検討例の配線基板１０１を示す要部断面図であり、上記図１に相当するものである。図８に示される検討例の配線基板１０１は、絶縁層１０２と、絶縁層１０２の下面上に形成された導体パターン１０４と、絶縁層１０２の上面上に形成された導体パターン１０３と、絶縁層１０２の開口部１０５内に形成され、導体パターン１０３と導体パターン１０４とを電気的に接続する電極１０６と、を備えている。絶縁層１０２の開口部１０５内に形成された電極１０６は、絶縁層１０２の上面上に形成された導体パターン１０３（図８の場合は導体パターン１０３ａ）と一体的に形成されているが、開口部１０５内の電極１０６の表面は、導体パターン１０３（図８の場合は導体パターン１０３ａ）の表面に対して窪んではいない。すなわち、電極１０６および導体パターン１０３は、シード層１１１とその上のめっき層１１２との積層膜により形成されているが、めっき層１１２の表面は、開口部１０５上の表面と開口部１０５上以外の表面とがほぼ面一になるように形成されており、窪んでいない。つまり、めっき層１１２の表面は、開口部１０５と平面視において重なる位置でも窪んではおらず、電極１０６および導体パターン１０３ａにわたってほぼ平坦になっている。

【0055】

このような構造の検討例の配線基板１０１を用いて、種々の電子装置などを製造した場合には、次のような不具合が生じる虞があることが、本発明者の検討により分かった。図９は、図８に示される検討例の配線基板１０１上に、絶縁体１２２が形成された状態を示す要部断面図である。配線基板１０１を用いて種々の電子装置を製造する場合には、配線基板１０１上に種々の絶縁体１２２を形成することが多い。絶縁体１２２は、例えば、配線基板１０１上に電子部品をベアチップとして搭載した場合に、その電子部品を封止するために形成した封止樹脂である。

【0056】

配線基板１０１上に絶縁体１２２を形成した状態では、温度変化が生ずると、双方の熱膨張係数の違いにより配線基板１０１と絶縁体１２２との界面でバイメタル作用により機械的応力が発生する。特にパワー系のような大電流を流すようなアプリケーションでは、それがより顕著になる。このような場合、配線基板１０１と絶縁体１２２との界面で剥離が生ずる懸念がある。また、完全に剥離しないまでも、配線基板１０１と絶縁体１２２との界面より水分等が毛細管現象で配線基板１０１上に浸入することで、信頼性の低下を招くことになる。これは、配線基板１０１や、配線基板１０１を用いて製造した電子装置などにおいて、信頼性の低下につながる。

【0057】

図１０は、図１に示される本実施の形態の配線基板１上に、絶縁体２２が形成された状態を示す要部断面図である。配線基板１を用いて種々の電子装置を製造する場合には、配線基板１上に種々の絶縁体２２を形成することが多い。絶縁体２２は、例えば、配線基板１上に電子部品をベアチップとして搭載した場合に、その電子部品を封止するために形成した封止樹脂である。封止部は、配線基板１上に搭載した電子部品を覆うように、配線基板１上に形成され得る。

【0058】

本実施の形態の配線基板１は、開口部５内の電極６の表面は、電極６と一体的に形成された導体パターン３（導体パターン３ａ）の表面に対して窪んでいる。具体的には、電極６およびそれと一体的に形成された導体パターン３ａを構成するめっき層１２の表面は、開口部５と平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５と平面視で重なる位置に窪み部９を有している。このため、図１０に示されるように、配線基板１上に絶縁体２２が形成された場合は、必然的に窪み部９の中にも絶縁体２２の一部が入り込む状態で充填されることになる。窪み部９に絶縁体２２の一部が入り込んだことによるアンカー効果により、絶縁体２２は配線基板１から剥離しにくくなる。このため、配線基板１上に絶縁体２２を形成した状態で、温度変化が生じても、絶縁体２２が配線基板１から剥離してしまうのを抑制または防止することができる。また、配線基板１と絶縁体２２との界面より水分等が毛細管現象で配線基板１上に浸入することを抑制または防止することができる。これにより、配線基板１の信頼性を向上させることができ、また、配線基板１を用いて製造した電子装置などの信頼性を向上させることができる。

【0059】

また、このアンカー効果を向上させるためには、開口部５の平面寸法（平面積、直径）を絶縁層２の厚みに対してある程度大きくすることが有効である。開口部５の平面寸法を大きくするほど、開口部５内の電極６の表面が、電極６と一体的に形成された導体パターン３の表面に対して窪んだ状態になり易く、また、開口部５の平面寸法を小さくすると、窪み部９が形成しづらくなる。このため、開口部の５の平面寸法は、「（開口部５の直径／絶縁層２の厚み）≧１」の関係が成り立つように設定することが望ましい。すなわち、開口部５の直径は、絶縁層２の厚さ以上に設定することが望ましい。絶縁層２の厚さにもよるが、開口部５の直径（開口径）は、例えば５０～８０μｍ程度とすることができる。

【0060】

また、シード層１１を形成するために使用する金属ペーストの粘度や、めっき層１２を電解めっき法で形成する際の条件などによっても、開口部５内の電極６の表面が、電極６と一体的に形成された導体パターン３（導体パターン３ａ）の表面に対して窪んだ状態になりやすくなる。このため、開口部５の平面寸法、シード層１１およびめっき層１２の厚さ、シード層１１を形成するために使用する金属ペーストの粘度、および、めっき層１２を電解めっき法で形成する際の条件などを、適宜調整することにより、開口部５内の電極６の表面が、電極６と一体的に形成された導体パターン３（導体パターン３ａ）の表面に対して窪んだ状態を、実現することができる。

【0061】

また、上述したアンカー効果を高めるためには、窪み部９の深さはある程度深いことが好ましい。具体的には、窪み部９の底部は、絶縁層２の上面７よりも高さ位置が低いことが好ましい。すなわち、絶縁層２の上面７側において、電極６の表面は、絶縁層２の上面７よりも高さ位置が低い部分を有することが好ましい。別の見方をすると、絶縁層２の厚さ方向において、電極６の表面の一部（窪み部９の底部）は、絶縁層２の厚さの途中に位置していることが好ましい。これにより、窪み部９の深さが深くなるため、窪み部９に絶縁体２２の一部が入り込んだことによるアンカー効果を高めることができ、上記絶縁体２２は配線基板１から更に剥離しにくくなる。

【0062】

また、本実施の形態では、導体パターン３は、金属ペーストを用いて絶縁層２に形成されたシード層１１上にめっき層１２を形成した構造を有している。これにより、絶縁層２が含有するＳｉＯ_２などの低誘電率のフィラーが開口部５の側壁面に露出するような場合であっても、シード層１１を形成する際に、開口部５の側壁に露出しているＳｉＯ_２上に官能基を生成する必要がなくなるため、開口部５の側壁に対する密着性がよい導体パターン３を形成することができる。

【0063】

また、本実施の形態では、シード層１１は金属ペーストで形成されている。具体的には、銅または銀からなる金属ナノ粒子（１μｍ未満の粒子）を主成分とする金属ペースト（金属ナノペースト）を使用して印刷し、印刷後に２５０～３００℃の温度で焼成（熱処理）して、シード層１１を形成している。これは、絶縁層２の主成分がエポキシ等の樹脂であることで、３００℃以上の温度はたいていの場合、熱分解温度の領域となるためである。また、銅または銀からなる金属ナノ粒子を主成分とする金属ペーストは、一般的には２００℃以下の温度で焼成することが推奨されている。しかしながら、銅または銀からなる金属ナノ粒子を主成分とする金属ペーストを使用した場合には、金属同士の金属間結合を促し、金属保有の融点（約１０００℃以上）よりも極めて低い温度でシード層１１を形成できるが、シード層１１の体積抵抗率は、バルク値での抵抗率よりも大きくなってしまう。具体的には、銅または銀の体積抵抗率は、バルク値で双方ともに２μΩｃｍであるところ、印刷後の焼成温度が２００℃以下の場合はシード層１１の体積抵抗率は８～９μΩｃｍ程度となる。ここで、印刷後の焼成温度を２５０～３００℃まで上げることで、シード層１１は２～３μΩｃｍの体積抵抗率となることが実験的に確かめられており、極めてバルク値に近いシード層１１の体積抵抗率が実現できる。

【0064】

更に、シード層１１上に銅などのめっき層１２を積層することで、より安定的な抵抗値を有する配線（導体パターン３）が形成できる。

【0065】

（実施の形態２）
図１１～図１４は、本実施の形態２の配線基板１の製造工程を示す要部断面図である。本実施の形態２の配線基板１を、以下では、符号１ａを付して配線基板１ａと称することとする。

【0066】

本実施の形態２の配線基板１ａの製造工程を、図１１～図１４を参照して説明する。

【0067】

上記実施の形態１とほぼ同様に図２～図４の工程を行って上記図４の構造を得た後、本実施の形態２では、図１１に示されるように、絶縁層２の上面７上と、開口部５の側壁および底面上とに、無電解めっき法を用いてシード層１１ａを形成する。シード層１１ａは、好ましくは、銅の無電解めっき層である。シード層１１ａは、上記シード層１１に相当するものであるが、上記実施の形態１とは異なり、金属ペーストを用いて形成されたものではなく、無電解めっき法により形成される。なお、上記実施の形態１では、絶縁層２は、好ましくは酸化シリコン（ＳｉＯ_２）のフィラーを含有していたが、本実施の形態２では、絶縁層２は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）のフィラーを含まない材料からなる。

【0068】

次に、図１２に示されるように、シード層１１ａ上に、電解めっき法を用いて、めっき層１２ａを形成する。めっき層１２ａは、好ましくは、銅の電解めっき層である。めっき層１２ａは、上記めっき層１２に相当するものであり、上記実施の形態１と同様に、電解めっき法により形成される。絶縁層２の上面７上において、導体パターン３が形成されるべきではない領域にもシード層１１ａおよびめっき層１２ａが形成されている場合には、シード層１１ａおよびめっき層１２ａを形成した後に、シード層１１ａとめっき層１２ａの積層膜をフォトレジスト技術およびエッチング技術などを用いてパターニングする。これにより、図１３に示されるように、導体パターン３が形成されるべきではない領域におけるシード層１１ａおよびめっき層１２ａを除去することができる。

【0069】

絶縁層２の上面７上のシード層１１ａと、その上のめっき層１２ａとにより、導体パターン３が絶縁層２の上面７上に形成され、開口部５内のシード層１１ａとその上のめっき層１２ａとにより、電極６が絶縁層２の開口部５内に形成される。

【0070】

本実施の形態２の電極６および導体パターン３は、上記シード層１１に相当するシード層１１ａが無電解めっき法により形成されていること以外は、上記実施の形態１の電極６および導体パターン３とほぼ同様であるので、ここではその繰り返しの説明は省略する。

【0071】

次に、導体パターン４、絶縁層２、導体パターン３および電極６からなる構造体から支持板２１剥離することで、図１４に示されるように、配線基板１ａを得ることができる。また、上記実施の形態１と同様に、本実施の形態２においても、支持板２１を剥離した後に配線基板を切断することにより、複数の配線基板１ａを得る場合もあり得る。また、支持板２１を剥離せずに、支持板２１も配線基板１ａの一部として用いる場合もあり得る。

【0072】

本実施の形態２の配線基板１ａの場合も、開口部５内の電極６の表面は、電極６と一体的に形成された導体パターン３（導体パターン３ａ）の表面に対して窪んでいる。具体的には、電極６およびそれと一体的に形成された導体パターン３ａを構成するめっき層１２ａの表面は、開口部５と平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５と平面視で重なる位置に窪み部９を有している。このため、配線基板１ａ上に上記絶縁体２２が形成された場合は、その窪み部９に上記絶縁体２２の一部が入り込む（充填される）ことになる。これにより、アンカー効果により、上記絶縁体２２は配線基板１ａから剥離しにくくなるため、配線基板１ａ上に上記絶縁体２２を形成した状態で、温度変化が生じても、上記絶縁体２２が配線基板１ａから剥離してしまうのを抑制または防止することができる。これにより、配線基板１ａの信頼性を向上させることができ、また、配線基板１ａを用いて製造した電子装置などの信頼性を向上させることができる。

【0073】

また、上記実施の形態１で述べたように、絶縁層２がＳｉＯ_２のフィラーを含む場合は、開口部５の側壁上に銅の無電解めっき層を形成することは難しい。実際、配線密度の向上に伴い開口径は小さくなる。その結果、デスミアはドライで処理することになるが、相反して開口部側壁のＳｉＯ_２がリッチな状態となるためである。このため、上記実施の形態１では、シード層１１を、金属ペーストを用いて印刷法で形成している。しかしながら、本実施の形態２で使用した絶縁層２は、低誘電率となるＳｉＯ_２などを含まない材料からなる。そのため、シード層１１ａを、例えば銅の無電解めっき法で形成する際の前処理として、触媒としてのパラジウムを絶縁層２の開口部５の側壁に付着させる時、開口部５の側壁の官能基に化学結合するため、その後の無電解銅めっきも安定的に形成されることになる。このため、無電解めっき法でシード層１１ａを形成することができる。

【0074】

一方、絶縁層２がＳｉＯ_２のフィラーを含む場合は、上記実施の形態１を適用することが望ましい。

【0075】

（実施の形態３）
図１５～図１８は、本実施の形態３の配線基板１の製造工程を示す要部断面図である。本実施の形態３の配線基板１を、以下では、符号１ｂを付して配線基板１ｂと称することとする。

【0076】

本実施の形態３の配線基板１ｂの製造工程を、図１５～図１８を参照して説明する。

【0077】

上記実施の形態１と同様に上記図２～図６の工程を行って上記図６の構造を得た後、本実施の形態３では、図１５に示されるように、絶縁層２の上面７上に、導体パターン３および電極６を覆うように、絶縁層２ｂを形成する。絶縁層２ｂは、例えば、上記絶縁層２と同様の材料からなり、上記絶縁層２と同様の手法を用いて形成することができる。

【0078】

次に、図１６に示されるように、絶縁層２ｂに開口部（貫通孔）５ｂを形成する。開口部５ｂは、上記実施の形態１における開口部５と同様の手法により形成することができ、絶縁層２ｂを貫通するように形成される。但し、開口部５ｂは、平面視において、導体パターン３（図１６の場合は導体パターン３ａ）に内包される位置に形成され、すなわち、開口部５ｂは、導体パターン３（図１６の場合は導体パターン３ａ）を露出させる位置に形成される。開口部５ｂは、絶縁層２ｂを貫通するが、導体パターン３（３ａ）および絶縁層２は貫通せずに、開口部５ｂの底部では、導体パターン３（３ａ）が残存して露出する。

【0079】

次に、図１７に示されるように、絶縁層２ｂの上面上と、開口部５ｂの側壁（側面）および底面上とに、シード層１１ｂを形成する。開口部５ｂの底面は、導体パターン３（図１７の場合は導体パターン３ａ）で構成されているため、絶縁層２ｂの上面上と、開口部５ｂの側壁上と、開口部５ｂの底面を構成する導体パターン３（３ａ）上とに、シード層１１ｂが形成される。シード層１１ｂは、上記実施の形態１におけるシード層１１と同様の手法（金属ペーストを用いた印刷法および印刷後の熱処理）により形成することができる。シード層１１ｂを形成する手法と用いる金属ペーストについては、上記シード層１１を形成する際と同様とすることができるので、ここではその繰り返しの説明は省略する。

【0080】

次に、シード層１１ｂ上に、電解めっき法を用いて、めっき層１２ｂを形成する。めっき層１２ｂの形成法は、上記実施の形態１におけるめっき層１２の形成法と同様である。めっき層１２と同様に、めっき層１２ｂも、好ましくは銅（Ｃｕ）のめっき層である。めっき層１２ｂは、絶縁層２ｂの上面上のシード層１１ｂ上と、開口部５ｂ内のシード層１１ｂ上とに、形成される。

【0081】

絶縁層２ｂの上面上のシード層１１ｂと、その上のめっき層１２ｂとにより、導体パターン２３が絶縁層２ｂの上面上に形成され、開口部５ｂ内のシード層１１ｂとその上のめっき層１２ｂとにより、電極（ビア電極、貫通電極）６ｂが絶縁層２ｂの開口部５ｂ内に形成される。電極６ｂは、絶縁層２ｂの上面に形成された導体パターン２３（図１７の場合は導体パターン２３ａ）と一体的に形成され、かつ、絶縁層２ｂの下面側で開口部５ｂを覆う導体パターン３（図１７の場合は導体パターン３ａ）と接している。このため、絶縁層２ｂの上面の導体パターン２３（２３ａ）と、絶縁層２，２ｂ間に形成されている導体パターン３（３ａ）とは、開口部５ｂ内の電極６ｂを介して電気的に接続される。

【0082】

絶縁層２ｂの上面上において、導体パターン２３が形成されるべきではない領域にもシード層１１ｂが形成されている場合には、シード層１１ｂおよびめっき層１２ｂを形成した後に、フォトレジスト技術およびエッチング技術などを用いて、導体パターン２３が形成されるべきではない領域におけるシード層１１ｂを除去することができる。

【0083】

次に、導体パターン４、絶縁層２、導体パターン３、電極６、絶縁層２ｂ、導体パターン２３および電極６ｂからなる構造体から支持板２１を剥離することにより、図１８に示されるように、配線基板１ｂを得ることができる。また、上記実施の形態１と同様に、本実施の形態３においても、支持板２１を剥離した後に配線基板を切断することにより、複数の配線基板１ｂを得る場合もあり得る。また、支持板２１を剥離せずに、支持板２１も配線基板１ｂの一部として用いる場合もあり得る。

【0084】

本実施の形態３の配線基板１ｂは、複数の絶縁層２，２ｂを有し、各絶縁層２，２ｂを貫通する開口部５，５ｂ内に形成された電極６，６ｂにより、各絶縁層２，２ｂの両面に形成された導体パターンが電気的に接続されている。すなわち、絶縁層２の開口部５内に形成された電極６により、絶縁層２の両面（上面および下面）に形成された導体パターン３，４が電気的に接続され、絶縁層２ｂの開口部５ｂ内に形成された電極６ｂにより、絶縁層２ｂの両面（上面および下面）に形成された導体パターン２３，３が電気的に接続されている。

【0085】

上記実施の形態１と同様に、本実施の形態３においても、開口部５内の電極６の表面は、電極６と一体的に形成された導体パターン３（導体パターン３ａ）の表面に対して窪んでいる。具体的には、電極６およびそれと一体的に形成された導体パターン３ａを構成するめっき層１２の表面は、開口部５と平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５と平面視で重なる位置に窪み部９を有している。このため、絶縁層２ｂを形成すると、絶縁層２ｂの一部が窪み部９に入り込んで充填されることになる。窪み部９に絶縁層２ｂの一部が入り込んだことによるアンカー効果により、絶縁層２ｂは絶縁層２ｂよりも下の構造体から剥離しにくくなる。このため、配線基板１ｂに温度変化が生じても、絶縁層２ｂが絶縁層２ｂよりも下の構造体から剥離してしまうのを抑制または防止することができる。これにより、配線基板１ｂの信頼性を向上させることができ、また、配線基板１ｂを用いて製造した電子装置などの信頼性を向上させることができる。

【0086】

また、本実施の形態３では、開口部５ｂ内の電極６ｂは、開口部５内の電極６と同様の手法により形成され、開口部５内の電極６と同様の構造を有している。このため、開口部５ｂ内の電極６ｂ表面は、電極６ｂと一体的に形成された導体パターン２３（図１８の場合は導体パターン２３ａ）の表面に対して窪んでいる。具体的には、電極６ｂおよびそれと一体的に形成された導体パターン２３ａを構成するめっき層１２ｂの表面は、開口部５ｂと平面視で重なる位置において窪んでおり、開口部５ｂと平面視で重なる位置に窪み部９ｂ（窪み部９に相当）を有している。このため、配線基板１ｂ上に上記絶縁体２２を形成すると、上記絶縁体２２の一部が窪み部９ｂに入り込んで充填されることになる。窪み部９ｂに上記絶縁体２２の一部が入り込んだことによるアンカー効果により、上記絶縁体２２は配線基板１ｂから剥離しにくくなる。このため、配線基板１ｂに温度変化が生じても、上記絶縁体２２が配線基板１ｂから剥離してしまうのを抑制または防止することができる。これにより、配線基板１ｂの信頼性を向上させることができ、また、配線基板１ｂを用いて製造した電子装置などの信頼性を向上させることができる。

【0087】

また、図１５～図１７の工程を繰り返すことにより、配線基板が有する絶縁層および導体パターンの数（層数）を増やすこともできる。

【0088】

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

【符号の説明】

【0089】

１ 配線基板
２，２ｂ 絶縁層
３，３ａ，３ｂ 導体パターン
４，４ａ，４ｂ，４ｃ 導体パターン
５，５ｂ 開口部
６，６ｂ 電極
７ 上面
８ 下面
９，９ｂ 窪み部
１１，１１ａ，１１ｂ シード層
１２，１２ａ，１２ｂ めっき層
２１ 支持板
２２ 絶縁体
２３，２３ａ 導体パターン
１０１ 配線基板
１０２ 絶縁層
１０３，１０３ａ 導体パターン
１０４ 導体パターン
１０５ 開口部
１０６ 電極
１１１ シード層
１１２ めっき層
１２２ 絶縁体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】