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特開2023-32894ＧａＮ基板の表面加工方法およびＧａＮ基板の製造方法
発明の名称 ＧａＮ基板の表面加工方法およびＧａＮ基板の製造方法
出願人 三桜工業株式会社 （識別番号 390039929）
特許公開件数ランキング 1605 位（12件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1868 位（8件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学 （識別番号 304021288）
特許公開件数ランキング 1605 位（29件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1163 位（28件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2023-32894
公報発行日 2023年3月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-32894
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