ホーム > 特許ランキング > 上海晶科緑能企業管理有限公司
▶ 上海晶科緑能企業管理有限公司の特許一覧 ▶ ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023033039
(43)【公開日】2023-03-09
(54)【発明の名称】溶接ストリップ及びセルモジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 31/05 20140101AFI20230302BHJP
H01L 31/048 20140101ALI20230302BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 570
H01L31/04 560
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021159500
(22)【出願日】2021-09-29
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2023-02-15
(31)【優先権主張番号】202110980119.X
(32)【優先日】2021-08-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】521376620
【氏名又は名称】上海晶科緑能企業管理有限公司
(71)【出願人】
【識別番号】519095522
【氏名又は名称】ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100104134
【弁理士】
【氏名又は名称】住友 慎太郎
(74)【代理人】
【識別番号】100156225
【弁理士】
【氏名又は名称】浦 重剛
(74)【代理人】
【識別番号】100168549
【弁理士】
【氏名又は名称】苗村 潤
(74)【代理人】
【識別番号】100200403
【弁理士】
【氏名又は名称】石原 幸信
(74)【代理人】
【識別番号】100206586
【弁理士】
【氏名又は名称】市田 哲
(72)【発明者】
【氏名】バイ ヤン
(72)【発明者】
【氏名】ワン ルーチュアン
(72)【発明者】
【氏名】タオ ウーソン
【テーマコード（参考）】
5F151
5F251
【Ｆターム（参考）】
5F151BA18
5F151EA02
5F151EA19
5F151JA23
5F251BA18
5F251EA02
5F251EA19
5F251JA23
(57)【要約】
【課題】本発明は、溶接ストリップを開示する。
【解決手段】前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は頂辺、第１側辺及び第２側辺を含み、前記第１側辺と前記頂辺の延長線とは第１夾角を形成し、前記第２側辺と前記頂辺の延長線とは第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角はいずれも４２．５°よりも大きくなる。従来技術に比べて、本発明では、溶接ストリップに第１側辺及び第２側辺を有する反射部を形成することによって、前記第１夾角及び前記第２夾角はいずれも４２．５°よりも大きい鋭角であるとすることで、太陽光が反射部における第１側辺及び第２側辺に照射された後に反射光が形成され、溶接ストリップでの反射光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射され、全反射された太陽光が光電変換に再び参加し、反射光の利用率を向上させる。
【選択図】図１
【解決手段】前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は頂辺、第１側辺及び第２側辺を含み、前記第１側辺と前記頂辺の延長線とは第１夾角を形成し、前記第２側辺と前記頂辺の延長線とは第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角はいずれも４２．５°よりも大きくなる。従来技術に比べて、本発明では、溶接ストリップに第１側辺及び第２側辺を有する反射部を形成することによって、前記第１夾角及び前記第２夾角はいずれも４２．５°よりも大きい鋭角であるとすることで、太陽光が反射部における第１側辺及び第２側辺に照射された後に反射光が形成され、溶接ストリップでの反射光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射され、全反射された太陽光が光電変換に再び参加し、反射光の利用率を向上させる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
溶接ストリップであって、
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とする溶接ストリップ。
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とする溶接ストリップ。
【請求項2】
前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項3】
前記第１側辺及び／又は第２側辺は、複数の連続的な折り曲げ辺部を含み、複数の前記折り曲げ辺部と前記基部の底辺の延長線との夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項4】
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項5】
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項４に記載の溶接ストリップ。
【請求項6】
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とする請求項５に記載の溶接ストリップ。
【請求項7】
前記基部は、幅が０．４１ｍｍであり、高さが０．２ｍｍであり、或いは幅が０．４ｍｍであり、高さが０．１７ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．１ｍｍである、ことを特徴とする請求項６に記載の溶接ストリップ。
【請求項8】
前記基部は、さらに第３側辺と第４側辺を含み、前記第３側辺と前記第４側辺は、対向して設けられ、
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項9】
前記溶接ストリップは、銅基板及び前記銅基板の表面に被覆された半田層を含み、前記銅基板の材料は、純銅、無酸素銅又はタフピッチ銅を選択して使用し、前記半田層の材料は、純錫材料、錫鉛混合材又は錫鉛銀混合材を選択して使用する、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項10】
前記半田層の厚さは、１０～１５μｍである、ことを特徴とする請求項９に記載の溶接ストリップ。
【請求項11】
セルモジュールであって、
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とするセルモジュール。
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とするセルモジュール。
【請求項12】
前記溶接ストリップは、さらに扁平部を含み、前記扁平部は、前記本体部に接続され、前記本体部は、前記セルのメイングリッド線に溶接され、前記扁平部は、２つの前記セルの間に位置する、ことを特徴とする請求項１１に記載のセルモジュール。
【請求項13】
前記扁平部は、扁平な細長い構造であり、前記扁平部の底辺は、前記基部の底辺と平行である、ことを特徴とする請求項１２に記載のセルモジュール。
【請求項14】
前記第５夾角と前記第６夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする請求項１１に記載のセルモジュール。
【請求項15】
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％である、ことを特徴とする請求項１１に記載のセルモジュール。
【請求項16】
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項１５に記載のセルモジュール。
【請求項17】
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とする請求項１６に記載のセルモジュール。
【請求項18】
前記基部は、さらに第７側辺と第８側辺を含み、前記第７側辺と前記第８側辺は、対向して設けられ、前記第７側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第５側辺に接続され、前記第８側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第６側辺に接続され、前記第７側辺と前記底辺との間、及び前記第８側辺と前記底辺との間には、それぞれ弧面遷移が形成されている、ことを特徴とする請求項１１に記載のセルモジュール。
【請求項19】
前記基部と前記セルとの間には、クラスター層が形成され、前記クラスター層は、前記半田層が溶融堆積して形成される、ことを特徴とする請求項１１に記載のセルモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光起電力溶接ストリップの技術分野に関し、特に溶接ストリップ及びセルモジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
溶接ストリップは、相互接続ストリップ又はバスバーとも呼ばれ、光起電力モジュールの溶接過程における重要な原材料であり、溶接ストリップは、一般的に、溶接又は導電性接着剤による接着の方式によってセルを互いに接続して電流を合流するものであり、溶接ストリップの品質の良否は、光起電力モジュールの電流の収集効率に直接的に影響を与え、光起電力モジュールの電力に対して相当大きく影響する。従来の一般的な溶接ストリップの横断面は、矩形状や円形状であることが多く、さらに三角形状であることがごく少ない。
【0003】
溶接ストリップの断面が矩形状である場合、矩形状の溶接ストリップの表面に照射された異なる角度の入射ビームの大部分は、下方セルの表面ではなく、上方ガラスに直接的に反射されてしまうため、反射光損失となる。
【0004】
溶接ストリップの断面が円形状である場合、円形状の溶接ストリップの表面に照射された異なる角度の入射ビームの大部分は、複数の方向に散乱され、ごく一部の反射光のみがセルの表面に直接的に到達し、すなわち、反射光の利用率が低く、かつ円形状の溶接ストリップの直径が増加するにつれて、入射光の相対面に溶接ストリップの影が生じることによって、円形状溶接ストリップの低照射条件での発電量が少ないことをもたらす。そして、太陽電池との溶接接触面が小さいため、溶接の長期信頼性のリスクは、一般的な断面が矩形状の溶接ストリップよりも高い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、従来技術における技術問題を解決するために、溶接ストリップ及びセルモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、溶接ストリップを提供し、前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記第１側辺および前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺および前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺と前記頂辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺と前記頂辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である。
【0007】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも６０°～７０°である。
【0008】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記第１側辺及び／又は第２側辺は、複数の連続的な折り曲げ辺部を含み、複数の前記折り曲げ辺部と前記頂辺の延長線との夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である。
【0009】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％である。
【0010】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下である。
【0011】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである。
【0012】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記基部は、幅が０．４１ｍｍであり、高さが０．２ｍｍであり、或いは幅が０．４ｍｍであり、高さが０．１７ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．１ｍｍである。
【0013】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記基部は、底辺と、第３側辺と、第４側辺とを含み、前記第３側辺と前記第４側辺は、対向して設けられ、
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成する。
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成する。
【0014】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である。
【0015】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記第３夾角及び／又は前記第４夾角は、鋭角である。
【0016】
上記のような溶接ストリップであって、好ましくは、前記溶接ストリップは、銅基板及び前記銅基板の表面に被覆された半田層を含み、前記銅基板の材料は、純銅、無酸素銅又はタフピッチ銅を選択して使用し、前記半田層の材料は、純錫材料、錫鉛混合材又は錫鉛銀混合材を選択して使用する。
【0017】
上記したような溶接ストリップであって、好ましくは、前記半田層の厚さは、１０～１５μｍである。
【0018】
本発明は、セルモジュールをさらに提供し、前記セルモジュールは、バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、前記バックシートと前記セルとの間、および、前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも、突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角はいずれも、４２．５°よりも大きい鋭角である。
【0019】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記溶接ストリップは、さらに扁平部を含み、前記扁平部は、前記本体部に接続され、前記本体部は、前記セルのメイングリッド線に溶接され、前記扁平部は、２つの前記セルの間に位置する。
【0020】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記扁平部は、扁平な細長い構造であり、前記扁平部の底辺は、前記基部の底辺に平行である。
【0021】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記第１夾角と前記第２夾角はいずれも、６０°～７０°の間にある。
【0022】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％である。
【0023】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下である。
【0024】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである。
【0025】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記基部は、幅が０．４１ｍｍであり、高さが０．２ｍｍであり、又は幅が０．４ｍｍであり、高さが０．１７ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．１ｍｍである。
【0026】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記基部は、さらに第７側辺と第８側辺を含み、前記第７側辺と前記第８側辺は、対向して設けられ、前記第７側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第５側辺に接続され、前記第８側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第６側辺に接続され、前記第７側辺と前記底辺との間、及び前記第８側辺と前記底辺との間には、それぞれ弧面遷移が形成されている。
【0027】
上記したようなセルモジュールであって、好ましくは、前記基部と前記セルとの間には、クラスター層が形成され、前記クラスター層は、前記半田層が溶融堆積することによって形成される。
【発明の効果】
【0028】
従来技術に比べて、本発明は、溶接ストリップに第１側辺及び第２側辺を有する反射部を形成することによって、前記第１夾角及び前記第２夾角がいずれも４２．５°よりも大きい鋭角になり、太陽光が反射部における第１側辺及び第２側辺に照射された後に反射光が形成され、溶接ストリップでの反射光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射されるようになり、全反射された太陽光を光電変換に再び参加させて、反射光の利用率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の実施形態１の構造概略図である。
【図2】本発明の実施形態１の軸測図である。
【図3】本発明の実施形態１の寸法の構造概略図である。
【図4】本発明の実施形態１の別の寸法の構造概略図である。
【図5】本発明の実施形態１の溶接ストリップ反射光の構造概略図である。
【図6】本発明の実施形態２の構造概略図である。
【図7】本発明の実施形態２の溶接ストリップ反射光の構造概略図である。
【図8】セルモジュールの構造概略図である。
【図9】セルモジュールの平面図である。
【図10】セルモジュールの溶接ストリップの構造概略図である。
【図11】従来技術における三角形溶接ストリップを溶接した後の斜辺での半田層の凝集構造概略図である。
【図12】本発明のセルモジュールの溶接ストリップ半田層の凝集構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下に図面を参照して説明する実施形態は例示的なものであり、本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明を限定するものではないと解釈されるべきである。
【0031】
実施形態１
【0032】
図１及び図２に示すように、本発明の実施形態は、溶接ストリップ１６を提供し、溶接ストリップ１６は、長尺状構造であり、前記溶接ストリップ１６の横断面は、基部１及び前記基部１の上方に設けられた反射部２を含み、前記反射部２と前記基部１は、一体構造であることが好ましく、あくまで機能を説明するために、それを２つの部分に分けるだけである。前記反射部２は、頂辺３と、第１側辺４と、第２側辺５とを含み、前記第１側辺４及び前記第２側辺５の一端は、前記頂辺３に接続され、前記第１側辺４及び前記第２側辺５の他端は、前記基部１に接続され、前記第１側辺４と前記基部１の底辺８の延長線とは、第１夾角６を形成し、前記第２側辺５と前記基部の底辺８の延長線とは、第２夾角７を形成し、前記第１夾角６及び前記第２夾角７は、いずれも４２．５°よりも大きく且つ９０°（９０°を含まない）よりも小さくなる。
【0033】
本実施形態において、第１夾角６及び／又は第２夾角７が４２．５°よりも大きく且つ９０°よりも小さいと、図５に示すように、前記溶接ストリップ１６における第２側辺５に垂直な反射光線が封止ガラス１３に照射された後、その入射角（反射光線と封止ガラス１３の法線との夾角）が第２夾角７に等しくなり、光の全反射原理に基づいて、溶接ストリップ１６での反射光がセルモジュールのガラスと空気の界面層で全反射されるようになり、全反射された太陽光を光電変換に再び参加させて、反射光の利用率を向上させることができる。
【0034】
好ましくは、前記第１夾角６と前記第２夾角７が４２．５°よりも大きく、４２．５°は太陽光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射される臨界角であり、第１夾角６と前記第２夾角７がこの臨界角以上であると、溶接ストリップ１６における反射光がセル１４に再び全反射され、光電変換に参加するようになる。第１夾角６と第２夾角７がこの角度よりも小さくなる場合、溶接ストリップ１６における反射光が全反射の要件を満たすことができず、セルモジュールの封止ガラス１３を通過して利用されなくなる。
【0035】
さらに、前記第１夾角６と前記第２夾角７の数値は等しく、すなわち、第１側辺４と第２側辺５は基部１の底辺８の垂直二等分線に対して対称に設けられ、その構造は対称に分布し、加工成形しやすく、かつ太陽光を両側のセル１４に均一に反射することができ、反射効率を向上させる。
【0036】
さらに、前記第１夾角６と前記第２夾角７は、いずれも６０°～７０°であり、このようにすることによって、一方では、前記第１夾角６と前記第２夾角７は、太陽光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射される臨界角よりも大きいという目的を達成することができ、他方では、溶接ストリップ１６は溶接過程において、半田層１８が溶融して堆積することによって、第１側辺４と第２側辺５の厚さを増加させ、さらに第１夾角６と第２夾角７を減少させることを防止することもでき、前記第１夾角６と前記第２夾角７をともに６０°～７０°にすることによって、適切な余裕を確保することができ、半田層１８の堆積が発生する場合にも、第１夾角６と第２夾角７は、依然として太陽光がセルモジュールのガラスと空気の界面層で全反射される臨界角よりも大きくされる。
【0037】
さらに、前記溶接ストリップ１６の横断面高さは、０．３ｍｍよりも小さく、このような設計によって、丸線溶接ストリップ１６と同じ銅基板１７の場合（すなわち、電力が一致するように保つ）、溶接ストリップ１６の高さが低くされるため、封止接着フィルム１５の坪量を軽減して、コストを低減させることができる。溶接ストリップ１６がセル１４に溶接された後、セル１４と封止ガラス１３との間に封止接着フィルム１５が充填され、溶接ストリップ１６の高さによってセル１４と封止ガラス１３との間の隙間が決定されるため、溶接ストリップ１６の高さが低くされる場合、それに伴ってセル１４と封止ガラス１３との間の隙間も減少できるので、充填される封止接着フィルム１５の体積を減少させることができる。
【0038】
さらに、前記基部１は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部２の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである。このように、溶接ストリップ１６の幅は高さに対して一定の拡張量を持つようになり、溶接過程において反転しにくくなり、従来技術において三角溶接ストリップの溶接プロセスの難しさの問題を解決することができる。
【0039】
図３に示すように、溶接ストリップ１６の寸法が高さ０．３ｍｍ×幅０．４１ｍｍであることを例にして、同じ銅基板１７の丸線セグメント溶接ワイヤと比較する。
【0040】
１．コストについて
【0041】
０．３ｍｍ×０．４１ｍｍの高さが０．３ｍｍであるため、丸線０．３５ｍｍの溶接ストリップに比べて低坪量の接着フィルム封止材料を使用することができ、モジュールの一枚の接着フィルムのコストを４～５元（ＣＮＹ）だけ低減することができる。
【0042】
２．電力について
【0043】
１８２－７２ＨＣモジュールを例にして、Ｔ型０．３ｍｍ×０．４１ｍｍの溶接ストリップ１６は反射設計であるため、丸線０．３５ｍｍモジュールの電力よりも１Ｗ程度向上させることができる。
【0044】
図４に示すように、溶接ストリップ１６の寸法が高さ０．２７ｍｍ×幅０．４ｍｍであることを例にして、同じ銅基板１７の丸線セグメント溶接ワイヤと比較する。
【0045】
１．コストについて
【0046】
０．２７ｍｍ×０．４ｍｍの高さが０．２７ｍｍであるため、丸線０．３５ｍｍの溶接ストリップに比べて低坪量の接着フィルム封止材料を使用することができ、モジュールの一枚の接着フィルムのコストを４．３～５．３元（ＣＮＹ）だけ低減することができる。
【0047】
２．電力について
【0048】
１８２－７２ＨＣモジュールを例にして、Ｔ型０．２７ｍｍ×０．４ｍｍの溶接ストリップ１６は反射設計であるため、丸線０．３５ｍｍモジュールの電力よりも１Ｗ程度向上させることができる。
【0049】
従来技術において、図１１に示すように、溶接ストリップの断面は三角形状であり、設計構想において斜面である２つの斜辺を有効側辺として提供しようとし、有効な光反射多重化面積の増加を意図していたが、溶接後は斜辺での半田層が溶融して斜辺の中間部位に凝集することによって、溶接後、溶接ストリップの２つの斜辺は斜面から中間箇所において大幅に外向きに突出する円弧状に類似した表面になり、丸溶接ワイヤに類似する表面によって光反射多重化能力の損失をもたらす。
【0050】
上記技術問題を解決するために、前記基部１は、さらに第３側辺９及び第４側辺１０を含み、前記第３側辺９と前記第４側辺１０は、対向して設けられ、ここで、前記第３側辺９の対向する両端は、それぞれ前記底辺８と前記第１側辺４に接続され、前記第３側辺９と前記底辺８とは、第３夾角１１を形成し、前記第４側辺１０の対向する両端は、それぞれ前記底辺８と前記第２側辺５に接続され、前記第４側辺１０と前記底辺８とは、第４夾角１２を形成する。ここで、第３夾角１１と第４夾角１２は、直角であることが好ましく、このようにするによって、上方が等脚台形状で且つ下方が矩形状である構造を形成することができ、光反射の要件を満たすようになり、かつ三角溶接ストリップ１６のように、溶接後、斜辺に半田層１８が凝集する現象が発生することはなく、図１２に示すように、前記基部１と前記セル１４との間にクラスター層が形成され、半田層１８が底部へと滑り移動し、斜辺に半田層１８が凝集せず、良い光反射効果を有する。
【0051】
さらに、前記第３夾角１１と第４夾角１２は、いずれも鈍角であり、１２０°であることが好ましく、すなわち、第３側辺９と第４側辺１０が上から下へ徐々に内向きに傾斜し、菱形に類似する構造を形成し、溶接した後、第３側辺９と第４側辺１０が内向きに傾斜するため、基部の矩形構造設計に対して、第３側辺９と第４側辺１０はそれぞれ前記電池片１４の頂部と一定の退避空間を形成するので、半田層１８は溶接した後に第１側辺４と第２側辺５から退避空間内に滑り移動して堆積し、電池片１４の表面への遮蔽を低減させる。
【0052】
前記溶接ストリップ１６は、銅基板１７及び前記銅基板１７の表面に被覆された半田層１８を含み、前記銅基板１７の材料は、純銅、無酸素銅又はタフピッチ銅を選択して使用し、前記半田層１８の材料は、純錫材料、錫鉛混合材又は錫鉛銀混合材を選択して使用する。前記銅基板１７は電流伝送に用いられ、前記半田層１８はセル１４の表面のグリッド線と溶接するために用いられ、半田層１８の厚さは１０～１５μｍに制御され、銅基板１７に均一に被覆されている。
【0053】
実施形態２
【0054】
本実施形態と実施形態１との主な相違点は、実施形態１において、第１側辺４及び／又は第２側辺５がおおむね滑らかな表面であり、それで生じる反射光の角度が単一であり、カバー範囲が広くないことに対して、本実施形態において、図６及び図７に示すように、前記第１側辺４及び／又は第２側辺５が複数の連続的な折り曲げ辺部１９を含み、複数の前記折り曲げ辺部１９と前記基部１の底辺８の延長線との夾角がいずれも前記所定の角度よりも大きくなる。このように、各折り曲げ辺部で反射した太陽光の角度がすべて異なり、それによって光電変換に再び参加する太陽光のカバー範囲を向上させることができる。
【0055】
図７に示すように、前記溶接ストリップ１６での折り曲げ辺部１９に垂直な反射光線は封止ガラス１３に照射された後、この入射角（反射光線と封止ガラス１３の法線との夾角）は第２夾角７に等しく、光の全反射原理に基づいて、溶接ストリップ１６での反射光はセルモジュールのガラスと空気の界面層で全反射されるようになり、それによって全反射された太陽光を再び光電変換に参加させて、反射光の利用率を向上させる。
【0056】
さらに、前記折り曲げ辺部１９と前記基部１の底辺８の延長線との夾角は、上から下へ順に増大し、勾配を有する段階的な傾斜表面を形成し、それによって溶接層が熔融過程において、各折り曲げ辺部１９に沿って滑り落ちることが可能であるため、第１側辺４及び／又は第２側辺５に凝集が発生することによって、光反射効果に影響を与え、太陽光の利用率を低下させてしまうことはない。
【0057】
本発明は、さらにセルモジュールを提供し、図８及び図９に示すように、前記セルモジュールは、セル１４及び前述した溶接ストリップ１６を含み、前記溶接ストリップ１６の基部１は、前記セル１４に溶接される。隣接するセル１４同士は、溶接ストリップ１６によって互いに電気的に接続され、かつ溶接ストリップ１６を利用して電流を伝送する。
【0058】
図１０に示すように、前記溶接ストリップ１６の横断面は、基部１及び前記基部１の上方に設けられた反射部２を含み、前記反射部２は、頂辺３と、第５側辺２０と、第６側辺２１とを含み、溶接ストリップ１６は溶接過程において、その半田層１８（特に溶接点に近い位置で）の半田が溶融し、一定の流動堆積が発生するため、前記第５側辺２０及び前記第６側辺２１がすべて僅かに突出した弧面構造になり、それと同時に頂辺３は弧面構造であってもよく、それは第５側辺２０と第６側辺２１を接続し、前記第５側辺２０及び前記第６側辺２１の一端は前記頂辺３に接続され、前記第５側辺２０及び前記第６側辺２１の他端は前記基部１に接続され、前記第５側辺２０の接線と前記基部１の底辺の延長線とは第５夾角２４を形成し、前記第６側辺２１の接線と前記基部１の底辺の延長線とは第６夾角２５を形成し、前記第５側辺２０及び前記第６側辺２１の接線はいずれも外へ凸の弧面の最も遠い点における接線であり、前記第５夾角２４及び前記第６夾角２５はいずれも４２．５°～９０°（９０°を含まない）である。
【0059】
溶接ストリップ１６の溶接後、半田層１８が溶融し、第５側辺２０と第６側辺２１が外へ凸の弧面構造を形成し、前記第５側辺２０及び第６側辺２１の中点における接線と前記基部１の底辺８の延長線との間の夾角が４２．５°よりも大きく、前記第５側辺２０及び第６側辺２１の中点の所在する位置が前記弧面構造の最も突出した箇所であり、好ましくは、この中点が弧面構造の中部にあり、前記溶接ストリップ１６において、第５側辺２０及び第６側辺２１に垂直な反射光線が封止ガラス１３に照射された後、その入射角（反射光線と封止ガラス１３の法線との夾角）が前記第５夾角２４と前記第６夾角２５に等しく、光の全反射原理に基づいて、溶接ストリップ１６での反射光がセルモジュールのガラスと空気の界面層で全反射されるようになり、それによって全反射された太陽光を光電変換に再び参加させて、反射光の利用率を向上させる。
【0060】
さらに、前記溶接ストリップ１６は、本体部及び扁平部を含み、前記本体部は、前記セル１４のメイングリッド線と溶接するために用いられ、前記扁平部は、２つの隣接する前記セル１４の間に位置し、セル間隔をなくし、単位面積あたりのモジュール電力を増加させる。中間の扁平部によっては、セル１４の上下間隔を減少させ、ＥＶＡ使用量を減少させ、隠れクラックを減少させ、光起電力モジュールの信頼性を向上させる。
【0061】
さらに、前記扁平部は、扁平な細長い構造であり、かつ前記扁平部の底辺は前記基部の底辺と平行であり、それによって溶接ストリップが溶接過程で反転することを防止することができる。
【0062】
セルモジュールは、さらに封止ガラス１３及びバックシート１２を含み、バックシート１２はセル１４の下方に設けられ、封止ガラス１３はセル１４の上方に位置し、封止ガラス１３とセル１４との間には、封止接着フィルム１５が充填されている。
【0063】
さらに、前記基部１は、さらに第７側辺２２と第８側辺２３を含み、前記第７側辺２２と前記第８側辺２３が対向して設けられ、ここで、前記第７側辺２２の対向する両端がそれぞれ前記底辺８と前記第５側辺２０に接続され、前記第８側辺２３の対向する両端がそれぞれ前記底辺８と前記第６側辺２１に接続され、前記第７側辺２２と前記底辺８との間、及び前記第８側辺２３と前記底辺８との間には、それぞれ弧面遷移が形成されている。
【0064】
前記第７側辺２２と前記底辺８との間、及び前記第８側辺２３と前記底辺８との間には、それぞれ弧面遷移が形成されているため、矩形状の基部に対して、丸み面取りの設計を加えることに相当し、それによって半田層１８を溶接ストリップ１６の底部に堆積することに有利であり、かつ電池片１４への衝突損傷を低減することに有利である。
【0065】
さらに、前記第５夾角２４と前記第６夾角２５はいずれも６０°～７０°であり、このようにすることによって、一方では、前記第５夾角２４と前記第６夾角２５は、太陽光が光起電力モジュールのガラスと空気の界面層で全反射される臨界角よりも大きいという目的を達成することができ、他方では、溶接ストリップ１６は溶接過程において、半田層１８が熔融して堆積することによって、第５側辺２０と第６側辺２１の厚さを増加させ、さらに第５夾角２４と前記第６夾角２５を減少させることを防止することもでき、前記第５夾角２４と前記第６夾角２５をともに６０°～７０°にすることによって、適切な余裕を確保することができ、半田層１８の堆積が発生する場合にも、第５夾角２４と前記第６夾角２５は、依然として太陽光がセルモジュールのガラスと空気の界面層で全反射される臨界角よりも大きくされる。
【0066】
さらに、前記溶接ストリップ１６の横断面高さは、０．３ｍｍよりも小さく、このような設計によって、丸線溶接ストリップ１６と同じ銅基板１７の場合（すなわち、電力が一致するように保つ）、溶接ストリップ１６の高さが低くされるため、封止接着フィルム１５の坪量を軽減して、コストを低減させることができる。溶接ストリップ１６がセル１４に溶接された後、セル１４と封止ガラス１３との間に封止接着フィルム１５が充填され、溶接ストリップ１６の高さによってセル１４と封止ガラス１３との間の隙間が決定されるため、溶接ストリップ１６の高さが低くされる場合、それに伴ってセル１４と封止ガラス１３との間の隙間も減少できるので、充填される封止接着フィルム１５の体積を減少させることができる。
【0067】
さらに、前記基部１は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部２の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである。このように、溶接ストリップ１６の幅は高さに対して一定の拡張量を持つようになり、溶接過程において反転しにくくなり、従来技術において三角溶接ストリップの溶接プロセスの難しさの問題を解決することができる。前記溶接ストリップ１６の溶接後、図１２に示すように、前記基部１と前記セル１４との間にクラスター層が形成され、半田層１８が底部へと滑り移動し、溶接ストリップ１６の台形構造の斜辺に半田層１８が凝集せず、前記溶接ストリップ１６の半田層１８が前記基部１の底部のみに凝集し、良い光反射効果を有する。
【0068】
以上、図面に示す実施形態に基づいて本発明の構造、特徴及び作用効果を詳細に説明し、上記したことは、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、本発明は、図面に示される実施範囲を限定するものではなく、本発明の構想に基づいて行われた変更、又は同等変化の等価実施形態に修正することは、依然として明細書及び図示に含まれた精神を超えない場合、いずれも本発明の保護範囲内に含まれるべきである。
【符号の説明】
【0069】
１…基部、２…反射部、３…頂辺、４…第１側辺、５…第２側辺、６…第１夾角、７…第２夾角、８…底辺、９…第３側辺、１０…第４側辺、１１…第３夾角、１１…第４夾角、１２…バックシート、１３…封止ガラス、１４…セル、１５…封止接着フィルム、１６…溶接ストリップ、１７…銅基板、１８…半田層、１９…折り曲げ辺部、２０…第５側辺、２１…第６側辺、２２…第７側辺、２３…第８側辺、２４…第５夾角、２５…第６夾角。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【手続補正書】
【提出日】2022-04-06
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
溶接ストリップであって、
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とする溶接ストリップ。
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とする溶接ストリップ。
【請求項2】
前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項3】
前記第１側辺及び／又は第２側辺は、複数の連続的な折り曲げ辺部を含み、複数の前記折り曲げ辺部と前記基部の底辺の延長線との夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項4】
前記基部は、幅が０．４１ｍｍであり、高さが０．２ｍｍであり、或いは幅が０．４ｍｍであり、高さが０．１７ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．１ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項5】
前記基部は、さらに第３側辺と第４側辺を含み、前記第３側辺と前記第４側辺は、対向して設けられ、
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項6】
前記溶接ストリップは、銅基板及び前記銅基板の表面に被覆された半田層を含み、前記銅基板の材料は、純銅、無酸素銅又はタフピッチ銅を選択して使用し、前記半田層の材料は、純錫材料、錫鉛混合材又は錫鉛銀混合材を選択して使用する、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項7】
前記半田層の厚さは、１０～１５μｍである、ことを特徴とする請求項６に記載の溶接ストリップ。
【請求項8】
セルモジュールであって、
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とするセルモジュール。
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは０．０９±０．０１ｍｍである、ことを特徴とするセルモジュール。
【請求項9】
前記溶接ストリップは、さらに扁平部を含み、前記扁平部は、前記本体部に接続され、前記本体部は、前記セルのメイングリッド線に溶接され、前記扁平部は、２つの前記セルの間に位置する、ことを特徴とする請求項８に記載のセルモジュール。
【請求項10】
前記第５夾角と前記第６夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする請求項８に記載のセルモジュール。
【請求項11】
前記基部は、さらに第７側辺と第８側辺を含み、前記第７側辺と前記第８側辺は、対向して設けられ、前記第７側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第５側辺に接続され、前記第８側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第６側辺に接続され、前記第７側辺と前記底辺との間、及び前記第８側辺と前記底辺との間には、それぞれ弧面遷移が形成されている、ことを特徴とする請求項８に記載のセルモジュール。
【請求項12】
前記基部と前記セルとの間には、クラスター層が形成され、前記クラスター層は、半田層が溶融堆積して形成される、ことを特徴とする請求項８に記載のセルモジュール。
【手続補正書】
【提出日】2022-10-18
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
溶接ストリップであって、
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第１側辺及び前記第２側辺は、直線であり、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍであり、
前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする溶接ストリップ。
前記溶接ストリップの横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第１側辺と、第２側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第１側辺及び前記第２側辺は、直線であり、前記第１側辺及び前記第２側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第１側辺及び前記第２側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第１側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第１夾角を形成し、前記第２側辺の延長線と前記基部の底辺の延長線とは、第２夾角を形成し、前記第１夾角及び前記第２夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．０９±０．０１ｍｍであり、
前記第１夾角と前記第２夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とする溶接ストリップ。
【請求項2】
前記基部は、幅が０．４１ｍｍであり、高さが０．２ｍｍであり、或いは幅が０．４ｍｍであり、高さが０．１７ｍｍであり、前記反射部の高さは、０．１ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項3】
前記基部は、さらに第３側辺と第４側辺を含み、前記第３側辺と前記第４側辺は、対向して設けられ、
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
前記第３側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第１側辺に接続され、前記第３側辺と前記底辺とは、第３夾角を形成し、
前記第４側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第２側辺に接続され、前記第４側辺と前記底辺とは、第４夾角を形成し、
前記第３夾角と前記第４夾角は、いずれも９０°～１２０°である、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項4】
前記溶接ストリップは、銅基板及び前記銅基板の表面に被覆された半田層を含み、前記銅基板の材料は、純銅、無酸素銅又はタフピッチ銅を選択して使用し、前記半田層の材料は、純錫材料、錫鉛混合材又は錫鉛銀混合材を選択して使用する、ことを特徴とする請求項１に記載の溶接ストリップ。
【請求項5】
前記半田層の厚さは、１０～１５μｍである、ことを特徴とする請求項４に記載の溶接ストリップ。
【請求項6】
セルモジュールであって、
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは０．０９±０．０１ｍｍであり、
前記第５夾角と前記第６夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とするセルモジュール。
バックシートと、封止ガラスと、セルとを含み、
隣接する前記セル同士は、溶接ストリップによって電性的に接続され、前記バックシートは、前記セルの下方に設けられ、前記封止ガラスは、前記セルの上方に位置し、
前記バックシートと前記セルとの間、及び前記封止ガラスと前記セルとの間には、封止接着フィルムが充填され、
前記溶接ストリップは、本体部を含み、前記本体部の横断面は、基部及び前記基部の上方に設けられた反射部を含み、前記反射部は、頂辺と、第５側辺と、第６側辺とを含み、前記反射部の前記頂辺は、前記基部の底辺と平行であり、前記第５側辺と前記第６側辺は、いずれも突出した弧面構造であり、前記第５側辺及び前記第６側辺の一端は、前記頂辺に接続され、前記第５側辺及び前記第６側辺の他端は、前記基部に接続され、前記第５側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第５夾角を形成し、前記第６側辺の中点での接線と前記基部の底辺の延長線とは、第６夾角を形成し、前記第５夾角及び前記第６夾角は、いずれも４２．５°よりも大きい鋭角であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、横断面幅の６０～８０％であり、
前記溶接ストリップの横断面高さは、０．３ｍｍ以下であり、
前記基部は、幅が０．４±０．１ｍｍであり、高さが０．１８±０．０２ｍｍであり、前記反射部の高さは０．０９±０．０１ｍｍであり、
前記第５夾角と前記第６夾角は、いずれも６０°～７０°である、ことを特徴とするセルモジュール。
【請求項7】
前記溶接ストリップは、さらに扁平部を含み、前記扁平部は、前記本体部に接続され、前記本体部は、前記セルのメイングリッド線に溶接され、前記扁平部は、２つの前記セルの間に位置する、ことを特徴とする請求項６に記載のセルモジュール。
【請求項8】
前記基部は、さらに第７側辺と第８側辺を含み、前記第７側辺と前記第８側辺は、対向して設けられ、前記第７側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第５側辺に接続され、前記第８側辺の対向する両端は、それぞれ前記底辺と前記第６側辺に接続され、前記第７側辺と前記底辺との間、及び前記第８側辺と前記底辺との間には、それぞれ弧面遷移が形成されている、ことを特徴とする請求項６に記載のセルモジュール。
【請求項9】
前記基部と前記セルとの間には、クラスター層が形成され、前記クラスター層は、半田層が溶融堆積して形成される、ことを特徴とする請求項６に記載のセルモジュール。