特開2023-35701IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本発明の実施の形態は、温度、湿度等を厳格に所望状態に維持することが求められる製造プラント、及びそのような製造プラントにおける機器の設置方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】所定処理が行われる処理室の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる製造プラントの提供。
【解決手段】一実施の形態に係る製造プラントP1は、気体導入口5Aで受け入れた気体を供給される処理室3を有する処理装置2を備えた処理システム1と、気体を気体供給口11Bから供給する気体供給装置100を備えた熱媒体供給システム10と、気体導入口5Aと気体供給口11Bとを接続するダクト30と、を備える。そして、気体供給口11Bの中心と気体導入口5Aの中心とを結んだ直線L1が鉛直方向となす角度が、0度以上45度以下である。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、例えばEUV(Extreme Ultra Violet)による露光処理により、配線幅が一桁ナノメートルのパターンを有する半導体の製造が実現されている。このような極微細なパターンを適正に形成するには、各種処理を行う処理室の温度や湿度を従前よりも極めて厳しい精度で管理することが求められる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施の形態に係る製造プラントは、気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、0度以上45度以下である。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、所定処理が行われる処理室の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第1の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。
【図2】 図1の矢印IIの方向に半導体製造プラントを見た図である。
【図3】 第2の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。
【図4】 第3の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。
【図5】 第4の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。
【図6】 第5の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。
【図7】 第6の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略的な斜視図である。
【図8】 図7の矢印VIIIの方向に半導体製造プラントを見た図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

P1,P2,P3,P4,P5,P6…半導体製造プラント 1…半導体製造システム 2…処理装置 2A…レジスト膜形成装置 2B…現像装置 3…処理室 3A,3B 4…内部ダクト 4A…第1内部ダクト部 4B…第2内部ダクト部 5A…気体導入口 5B…気体導入口 10…熱媒体供給システム 100…第1気体供給装置 11A…気体取込口 11B…気体供給口 11…筐体 12…取込口フィルタ 13…冷却器 14…加熱器 15…加湿器 16…送風機 17…インバータ 18…コントローラ 200…第2気体供給装置 21A…気体取込口 21B…気体供給口 21…筐体 22…取込口フィルタ 23…冷却器 24…加熱器 25…加湿器 26…送風機 27…インバータ 28…コントローラ 30…第1ダクト 40…第2ダクト UD…鉛直方向 Ca,Cc…気体供給口の中心 Cb,Cd…気体導入口の中心 L1,L2…直線

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