特開 2023-35852 フルオロオレフィン分解装置およびフルオロオレフィン検知装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023035852

(43)【公開日】2023-03-13

(54)【発明の名称】フルオロオレフィン分解装置およびフルオロオレフィン検知装置

(51)【国際特許分類】

   B01J 23/58 20060101AFI20230306BHJP

   B01J 23/66 20060101ALI20230306BHJP

   B01J 23/652 20060101ALI20230306BHJP

   B01J 23/78 20060101ALI20230306BHJP

   B01J 23/86 20060101ALI20230306BHJP

   B01J 23/656 20060101ALI20230306BHJP

   G01N 27/416 20060101ALI20230306BHJP

【ＦＩ】

B01J23/58 M

B01J23/66 M

B01J23/652 M

B01J23/78 M

B01J23/86 M

B01J23/656 M

G01N27/416 311G

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022112718

(22)【出願日】2022-07-13

(31)【優先権主張番号】P 2021141866

(32)【優先日】2021-08-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000190301

【氏名又は名称】新コスモス電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104433

【弁理士】

【氏名又は名称】宮園 博一

(74)【代理人】

【識別番号】100155608

【弁理士】

【氏名又は名称】大日方 崇

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 達也

【テーマコード（参考）】

4G169

【Ｆターム（参考）】

4G169AA03

4G169AA08

4G169BA03A

4G169BA03B

4G169BA15A

4G169BA15B

4G169BC09A

4G169BC09B

4G169BC10A

4G169BC10B

4G169BC33A

4G169BC33B

4G169BC58A

4G169BC58B

4G169BC62A

4G169BC62B

4G169BC66A

4G169BC66B

4G169BC67A

4G169BC67B

4G169BC68A

4G169BC68B

4G169BC70A

4G169BC70B

4G169BC71A

4G169BC71B

4G169BC72A

4G169BC72B

4G169BC75A

4G169BC75B

4G169CA10

4G169CA19

4G169CD08

4G169DA06

4G169EA03Y

4G169FA02

4G169FB14

4G169FB30

4G169FC08

(57)【要約】

【課題】フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることが可能なフルオロオレフィン検知装置を提供する。
【解決手段】このフルオロオレフィン検知装置１００は、フルオロオレフィンが水素原子を含む分子、例えば水分子が関与して触媒反応するためのフルオロオレフィン分解部３０と、フルオロオレフィン分解部３０によりフルオロオレフィンが触媒反応することにより発生した被検知ガスＧ中の成分を検知するガス検知部４０と、を備える。フルオロオレフィン分解部３０は、フルオロオレフィンが水素原子を含む分子、例えば水分子が関与して触媒反応するための触媒３１ｂを有する触媒筒３１と、触媒反応を引き起こすための加熱機構３２と、を含む。触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するための触媒を有する触媒部と、
触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を備え、
前記触媒は、アルカリ土類金属シリケートを含む、フルオロオレフィン分解装置。

【請求項2】

前記触媒は、前記アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む、請求項１に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項3】

前記触媒は、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項２に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項4】

前記触媒は、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、合計が１００質量％を超えない範囲で含む、請求項１に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項5】

前記触媒は、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項４に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項6】

前記触媒は、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項４に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項7】

前記触媒は、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項４に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項8】

前記加熱機構は、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、前記触媒を加熱するように構成されている、請求項１に記載のフルオロオレフィン分解装置。

【請求項9】

フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するためのフルオロオレフィン分解部と、
前記フルオロオレフィン分解部により前記フルオロオレフィンが触媒反応することにより発生した被検知ガス中の成分を検知するガス検知部と、を備え、
前記フルオロオレフィン分解部は、
前記フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するための触媒を有する触媒部と、
触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を含み、
前記触媒は、アルカリ土類金属シリケートを含む、フルオロオレフィン検知装置。

【請求項10】

前記ガス検知部は、電気化学式のガス検知部を含む、請求項９に記載のフルオロオレフィン検知装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、フルオロオレフィン分解装置およびフルオロオレフィン検知装置に関し、特に、触媒によりフルオロオレフィンを触媒反応させるフルオロオレフィン分解装置およびフルオロオレフィン検知装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体製造工程のドライエッチングガスとして、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン（鎖状フルオロオレフィン）やオクタフルオロシクロペンテン（環状フルオロオレフィン）が知られている。ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンは、1,3-ブタジエンの水素が全てフッ素に置き換わった分子構造である。1,3-ブタジエンは、日本産業衛生学会において、発がん性分類第1群に分類され、人に対して遺伝毒性の誘発が示唆されており、発がん性があると判断されている。また、ACGIH（アメリカ合衆国産業衛生専門議会）では、TWA（時間加重平均値）は2ppmとなっている。そこで、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンやオクタフルオロシクロペンテンは、電気陰性度の大きいフッ素原子によって、二つの二重結合の電子密度が低い状態にあり、電子供与性物質と反応しやすい性質を持つ。ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンは、1,3-ブタジエンとは化学的性質が異なるが、人に対して毒性を示すことが予想されることから、適切に検知される必要がある。また、同様にオクタフルオロシクロペンテンも適切に検知される必要がある。

【0003】

そこで、従来、触媒によりフルオロオレフィンを触媒反応させるフルオロオレフィン検知装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

【0004】

上記特許文献１には、触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させるヘキサフルオロブタジエン測定装置（フルオロオレフィン検知装置）が開示されている。このヘキサフルオロブタジエン測定装置は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを熱分解してフッ化水素を発生させる熱分解炉と、熱分解炉で発生したフッ化水素と反応して呈色する検知紙とを備えている。また、この熱分解炉は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させるための金および白金などの酸化性触媒を含んでいる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特許第４７８９１４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、上記特許文献１では、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させるために白金および金などの酸化性触媒を用いている。ここで、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの二重結合の電子吸引性を考慮すれば、塩基性触媒を含む触媒材料で効率よく触媒反応させることが望まれる。

【0007】

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることが可能なフルオロオレフィン分解装置およびフルオロオレフィン検知装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するために、鋭意検討した結果、本願発明者は、電子を付与する性質を有する塩基性のアルカリ土類金属シリケートを含む触媒が、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることができるという新たな知見を得た。すなわち、この発明の第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置は、フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するための触媒を有する触媒部と、触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を備え、触媒は、アルカリ土類金属シリケートを含む。

【0009】

この発明の第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置では、上記のように、触媒を、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒は塩基性触媒であるため、電子不足の二重結合を有するフルオロオレフィンに対して、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることが可能なフルオロオレフィン分解装置を提供することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0010】

上記第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置において、好ましくは、触媒は、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む。このように構成すれば、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0011】

この場合、好ましくは、触媒は、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つをさらに含む。このように構成すれば、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つにより、触媒反応を促進することができるので、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0012】

上記第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置において、好ましくは、触媒は、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、合計が１００質量％を超えない範囲で含む。このように構成すれば、５０質量％以上のシリカ（二酸化ケイ素：ＳｉＯ₂）と、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシア（酸化マグネシウム：ＭｇＯ）およびカルシア（酸化カルシウム：ＣａＯ）とを含むことにより、触媒を塩基性触媒として用いることができるので、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0013】

この場合、好ましくは、触媒は、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つにより、触媒反応を促進することができるので、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0014】

上記触媒が５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを含む構成において、好ましくは、触媒は、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方により、触媒反応を促進することができるので、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方の添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0015】

上記触媒が５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを含む構成において、好ましくは、触媒は、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトにより、触媒反応を促進することができるので、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0016】

上記第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置において、好ましくは、加熱機構は、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、触媒を加熱するように構成されている。このように構成すれば、加熱温度を１４０℃以上５００℃以下とすることにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒により、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0017】

この発明の第２の局面によるフルオロオレフィン検知装置は、フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するためのフルオロオレフィン分解部と、フルオロオレフィン分解部によりフルオロオレフィンが触媒反応することにより発生した被検知ガス中の成分を検知するガス検知部と、を備え、フルオロオレフィン分解部は、フルオロオレフィンが水素原子を含む分子が関与して触媒反応するための触媒を有する触媒部と、触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を含み、触媒は、アルカリ土類金属シリケートを含む。

【0018】

この発明の第２の局面によるフルオロオレフィン検知装置では、上記のように、触媒を、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、第１の局面によるフルオロオレフィン分解装置と同様に、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることが可能なフルオロオレフィン検知装置を提供することができる。

【0019】

上記第２の局面によるフルオロオレフィン検知装置において、好ましくは、ガス検知部は、電気化学式のガス検知部を含む。このように構成すれば、電気化学式のガス検知部により、フルオロオレフィン分解部によりフルオロオレフィンが触媒反応されることにより発生した被検知ガス中の成分を容易に検知することができる。

【発明の効果】

【0020】

本発明によれば、上記のように、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】一実施形態によるフルオロオレフィン検知装置を示した模式図である。

【図2】ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンとオクタフルオロシクロペンテンを示した図である。

【図3】実施例１による実験結果（Ｐｔ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図4】実施例２による実験結果（Ｒｕ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図5】実施例３による実験結果（Ｐｔ－Ｒｕ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図6】実施例４による実験結果（Ｐｔ－Ｒｈ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図7】実施例５による実験結果（Ａｕ－Ｒｈ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図8】実施例６による実験結果（Ｐｔ－Ｃｒ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図9】実施例７による実験結果（Ｐｔ－Ｒｕ－Ｒｈ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図10】実施例８による実験結果（Ａｕ－Ｒｕ－Ｒｈ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図11】実施例９による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝１：１）を示したグラフである。

【図12】実施例９による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝１：１）を示したグラフである。

【図13】実施例１０による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝１：２）を示したグラフである。

【図14】実施例１０による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝１：２）を示したグラフである。

【図15】実施例１１による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝２：１）を示したグラフである。

【図16】実施例１１による実験結果（Ｐｔ－Ｃｏ／ＡＥＳ触媒 Ｐｔ：Ｃｏ＝２：１）を示したグラフである。

【図17】実施例１２による実験結果（触媒温度と指示値との関係）を示したグラフである。

【図18】実施例１３による実験結果（Ｒｕ－Ｆｅ－Ｃｒ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図19】実施例１４による実験結果（Ｒｕ－Ｐｄ－Ｎｉ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【図20】実施例１５による実験結果（Ｐｔ－Ｒｕ－Ｐｄ－Ｍｎ／ＡＥＳ触媒）を示したグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

【0023】

まず、図１を参照して、一実施形態によるフルオロオレフィン検知装置１００の構成について説明する。

【0024】

（フルオロオレフィン検知装置の全体構成）
図１に示すように、フルオロオレフィン検知装置１００は、フルオロオレフィンを触媒反応させるとともに、フルオロオレフィンが触媒反応されることにより発生した被検知ガス中の成分を検知する装置である。フルオロオレフィン検知装置１００は、たとえば、分析試料中のフルオロオレフィンの検知、雰囲気中のフルオロオレフィンの検知などに用いることができる。具体例としては、フルオロオレフィン検知装置１００は、半導体製造工程のドライエッチングガスとして用いられるヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン（Ｃ_４Ｆ_６）やオクタフルオロシクロペンテン（Ｃ_５Ｆ_８）などのフルオロオレフィンの検知に用いられる。

【0025】

触媒反応対象のフルオロオレフィンは、二重結合で結合された炭素原子にフッ素原子が結合したフッ素化合物であり、アルケンの水素原子が全てもしくは一部フッ素原子で置換された化合物である。また、触媒反応対象のフルオロオレフィンは、鎖状フルオロオレフィンまたは環状フルオロオレフィンである。また、図２に示すように、触媒反応対象のフルオロオレフィンは、電気陰性度が大きいフッ素原子により炭素原子の二重結合の電子が引っ張られているため、炭素原子の二重結合の電子が不足状態（電子密度が低い状態）となっている。また、電子不足の二重結合は、電子を補おうとする化学的性質を有しているため、塩基性触媒に対して反応しやすい。なお、図２では、便宜上、フルオロオレフィンのうち、鎖状フルオロオレフィンの一例であるヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン（Ｃ_４Ｆ_６）を示すとともに、環状フルオロオレフィンの一例であるオクタフルオロシクロペンテン（Ｃ_５Ｆ_８）を示している。触媒反応対象のフルオロオレフィンは、特に限られないが、たとえば、Ｃ_４Ｆ_６（ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン）、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、Ｃ_６Ｆ_８、Ｃ_６Ｆ_１０、Ｃ_５Ｆ_８、および、Ｃ₆Ｆ₆などである。また、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、Ｃ_６Ｆ_８、Ｃ_６Ｆ_１０、Ｃ_５Ｆ_８、および、Ｃ₆Ｆ₆は、たとえば、以下の化学式の化合物である。

【化1】

【0026】

図１に示すように、フルオロオレフィン検知装置１００は、流量制御部１０と、ポンプ２０と、フルオロオレフィン分解部３０と、ガス検知部４０とを備えている。流量制御部１０と、フルオロオレフィン分解部３０と、ガス検知部４０と、ポンプ２０とは、被検知ガスＧ（分析試料のガス、雰囲気中のガスなど）の流れ方向の上流側から下流側に向かって、ガス流路５０により、この順に流体的に接続されている。なお、各構成の接続順は、フルオロオレフィン分解部３０と、ガス検知部４０とがこの順に接続されていれば、特に限られない。また、フルオロオレフィン分解部３０は、特許請求の範囲の「フルオロオレフィン分解装置」の一例である。

【0027】

流量制御部１０は、たとえばマスフローコントローラであり、被検知ガスＧの流量を制御するように構成されている。フルオロオレフィン検知装置１００は、流量制御部１０による被検知ガスＧの流量の制御により、定流量の被検知ガスＧが流れるように構成されている。ポンプ２０は、被検知ガスＧがガス流路５０を介してフルオロオレフィン分解部３０による圧力損失を生じた場合、ガス検知部４０の内蔵ポンプを補助するための駆動源である。

【0028】

フルオロオレフィン分解部３０は、被検知ガスＧ中の鎖状フルオロオレフィンに水素原子を含む分子、例えば水分子を関与させて触媒反応させるように構成されている。具体的には、フルオロオレフィン分解部３０は、触媒筒３１と、加熱機構３２とを含んでいる。触媒筒３１は、筒本体３１ａと、触媒３１ｂとを有している。筒本体３１ａは、たとえば、アルミナ管、石英管などである。筒本体３１ａは、中空の円筒形状を有している。筒本体３１ａには、触媒３１ｂが充填されている。触媒３１ｂは、被検知ガスＧ中のフルオロオレフィンが水素原子を含む分子、例えば水分子が関与した触媒反応するために設けられている。触媒反応は、たとえば、以下の式（１）～（３）に示すようなフルオロオレフィンの水蒸気改質反応を含んでいる。本実施形態のフルオロオレフィン検知装置１００は、フルオロオレフィンの水蒸気改質反応により発生するフッ化水素（化学組成：ＨＦ）を検知する。なお、以下の式（１）～（３）では、便宜上、フルオロオレフィンののうちのＣ_４Ｆ_６の反応を示している。また、触媒筒３１は、特許請求の範囲の「触媒部」の一例である。
Ｃ_４Ｆ_６＋４Ｈ_２Ｏ→６ＨＦ＋４ＣＯ＋Ｈ_２ ・・・（１）
Ｃ_４Ｆ_６＋８Ｈ_２Ｏ→６ＨＦ＋４ＣＯ_２＋５Ｈ_２ ・・・（２）
Ｃ_４Ｆ_６＋６Ｈ_２Ｏ→６ＨＦ＋２ＣＯ＋２ＣＯ_２＋３Ｈ_２ ・・・（３）

【0029】

ここで、本実施形態では、触媒３１ｂは、塩基性材料であるアルカリ土類金属シリケートを含んでいる。触媒３１ｂは、フルオロオレフィンの触媒反応を促進する観点から、塩基性を示す材料であることが好ましい。たとえば、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、希土類酸化物、酸化トリウム（ＩＶ）（化学組成：ＴｈＯ_２）、ジルコニア（化学組成：ＺｒＯ_２）、酸化亜鉛（化学組成：ＺｎＯ）、セピオライト（化学組成：Ｍｇ_４Ｓｉ_１２Ｏ_３０（ＯＨ）_４（ＯＨ_２）_４・８Ｈ_２Ｏ）、ハイドロタルサイト（化学組成：Ｍｇ_６Ａｌ_２ＣＯ_３（ＯＨ）_１６・４Ｈ_２Ｏ）、クリソタイル（化学組成：Ｍｇ_３（Ｓｉ_２Ｏ_５）（ＯＨ）_４）などを含んでいても良い。また、両性を示す材料として、酸化鉄を含んでいても良い。具体的には、マグネタイト（化学組成：Ｆｅ^２+Ｆｅ^３+２Ｏ_４），ヘマタイト（化学組成：Ｆｅ_２Ｏ_３，α-Ｆｅ_２Ｏ_３），マグへマイト（化学組成：Ｆｅ_２Ｏ_３，γ-Ｆｅ_２Ｏ_３）を挙げることができる。好ましくは、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカ（化学組成：ＳｉＯ_２）と、マグネシウム（化学組成：Ｍｇ）と、カルシウム（化学組成：Ｃａ）とを含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、触媒反応を促進する金属として、白金（化学組成：Ｐｔ）と、金（化学組成：Ａｕ）と、ロジウム（化学組成：Ｒｈ）と、ルテニウム（化学組成：Ｒｕ）と、コバルト（化学組成：Ｃｏ）と、クロム（化学組成：Ｃｒ）と、鉄（化学組成：Ｆｅ）と、パラジウム（化学組成：Ｐｄ）と、ニッケル（化学組成：Ｎｉ）と、マンガン（化学組成：Ｍｎ）とのうちの少なくとも１つを含んでいる。触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートを担体（母材）とし、アルカリ土類金属シリケートの担体（母材）に触媒反応を促進させる金属を担持させることにより形成されている。

【0030】

また、より好ましくは、触媒３１ｂは、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシア（化学組成：ＭｇＯ）およびカルシア（化学組成：ＣａＯ）とを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、５８質量％以上のシリカと、１５質量％以上２０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。なお、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂによるフルオロオレフィンの触媒反応の実験については、後述する。

【0031】

また、触媒３１ｂは、無機繊維からなる綿状に形成されている。綿状の触媒３１ｂは、触媒筒３１の筒本体３１ａに充填されている。綿状の触媒３１ｂは、触媒筒３１の筒本体３１ａに充填層を形成するように設けられている。触媒３１ｂの充填層は、両端に配置された触媒３１ｂの保持部材３１ｃにより、触媒筒３１の筒本体３１ａの内部に保持されている。保持部材３１ｃは、たとえば、石英ウールである。なお、保持部材３１ｃは、触媒３１ｂを保持するための部材で、加熱機構３２の温度に耐えうる材料であれば限定されることは無い。

【0032】

加熱機構３２は、触媒反応を引き起こすために触媒筒３１を加熱するように構成されている。具体的には、加熱機構３２は、加熱部３２ａと、断熱部３２ｂとを含んでいる。加熱部３２ａは、触媒筒３１の筒本体３１ａを介して、触媒３１ｂを加熱するように構成されている。加熱部３２ａは、たとえば、電熱線である。電熱線である加熱部３２ａは、たとえば、触媒筒３１の筒本体３１ａを隔てて触媒３１ｂを取り囲むように、コイル状に形成されている。なお、電熱線の形状は、加熱機構３２の温度を一定に保つことができれば限定されることは無い。加熱部３２ａは、触媒３１ｂの充填層の一方端部から他方端部に亘って、触媒３１ｂの充填層と対向するように設けられている。すなわち、加熱部３２ａは、触媒３１ｂの充填層の一方端部から他方端部に亘って、触媒３１ｂを加熱するように構成されている。断熱部３２ｂは、断熱材料により構成されており、加熱部３２ａと触媒筒３１の触媒３１ｂとを取り囲むように設けられている。断熱部３２ｂの断熱材料は、たとえば、生体溶解性繊維断熱材料である。

【0033】

加熱機構３２は、好ましくは、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。より好ましくは、加熱機構３２は、２６０℃以上３６０℃以下の温度範囲において、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。また、加熱機構３２は、略一定の温度になるように、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。触媒筒３１が略一定の温度になるような加熱は、特に限られないが、たとえば、図示しない温度検知部による温度の検知結果に基づいて、ＰＩＤ制御などのフィードバック制御により加熱機構３２の加熱部３２ａを制御することにより行うことが可能である。

【0034】

ガス検知部４０は、フルオロオレフィン分解部３０によりフルオロオレフィンが触媒反応されることにより発生した被検知ガスＧ中の成分（フッ化水素）を検知するように構成されている。ガス検知部４０は、電気化学式のガス検知部（電気化学式のセンサ）を含んでいる。具体的には、ガス検知部４０は、フッ化水素の検知に好適な定電位電解式のガス検知部（定電位電解式のセンサ）を含んでいる。フルオロオレフィン検知装置１００は、ガス検知部４０によりフルオロオレフィンが触媒反応されることにより発生した被検知ガスＧ中の成分（フッ化水素）を検知することにより、フルオロオレフィンを間接的に検知するように構成されている。なお、ガス検知部４０は、被検知ガスＧを流すためのポンプを内蔵するように構成されている。

【0035】

（本実施形態の効果）
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

【0036】

本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂは塩基性触媒であるため、電子不足の二重結合を有するフルオロオレフィンに対して、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、フルオロオレフィンを効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0037】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む。これにより、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0038】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つをさらに含む。これにより、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つにより、触媒反応を促進することができるので、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0039】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、合計が１００質量％を超えない範囲で含む。これにより、５０質量％以上のシリカ（二酸化ケイ素：ＳｉＯ₂）と、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシア（酸化マグネシウム：ＭｇＯ）およびカルシア（酸化カルシウム：ＣａＯ）とを含むことにより、触媒３１ｂを塩基性触媒として用いることができるので、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0040】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。これにより、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つにより、触媒反応を促進することができるので、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つを含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、０．２質量％以上１５質量％以下の、白金と、金と、ロジウムと、ルテニウムと、コバルトと、クロムと、鉄と、パラジウムと、ニッケルと、マンガンとのうちの少なくとも１つの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0041】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。これにより、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方により、触媒反応を促進することができるので、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方を含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、１０質量％以下の白金と、１０質量％以下のコバルトとのうちの少なくとも一方の添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0042】

また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを、合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。これにより、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトにより、触媒反応を促進することができるので、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトを含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。その結果、１質量％以上１１質量％以下の白金およびコバルトの添加触媒により、フルオロオレフィンをより効率よく触媒反応させることができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0043】

また、本実施形態では、上記のように、加熱機構３２は、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、触媒３１ｂを加熱するように構成されている。これにより、加熱温度を１４０℃以上５００℃以下とすることにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂにより、触媒反応を容易に引き起こすことができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。

【0044】

［実施例］
次に、図３～図２０を参照して、本発明の効果を確認するために行った確認実験（実施例１～１５）について説明する。

【0045】

各実施例では、フルオロオレフィン検知装置として、図１に示すフルオロオレフィン検知装置１００を用いた。また、触媒反応対象のフルオロオレフィンとして、半導体製造工程のドライエッチングガスとして用いられるヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンまたはヘキサフルオロシクロペンテンを用いた。また、触媒は、次のように作製した。

【0046】

まず、綿状のアルカリ土類金属シリケート（アルカリ土類金属シリケートウール）を準備した。また、プロピレングリコールと水とを混合した混合溶媒に触媒反応を促進させる金属を含む化合物を溶解した混合溶液を調整した。そして、準備したアルカリ土類金属シリケートウールに、調整した混合溶液を浸み込ませた。そして、混合溶液を浸み込ませたアルカリ土類金属シリケートウールを管状炉で焼成した。これにより、アルカリ土類金属シリケートウールを担体（母材）とし、アルカリ土類金属シリケートウールの担体（母材）に触媒反応を促進させる金属を担持させた触媒を作製した。また、ガス検知部として、定電位電解式のガス検知部を含む、新コスモス電機株式会社のＣＤＳ―７（型番）を用いた。

【0047】

（実施例１）
図３に示すように、実施例１の確認実験では、白金と、アルカリ土類金属シリケート（ＡＥＳ：Ａｌｋａｌｉｎｅ Ｅａｒｔｈ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）とを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１）により、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値（検知量に応じたガス検知部の出力値に対応する値）を得た。また、実施例１では、触媒として、以下の表１に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表1】

【0048】

実施例１のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を２２０℃に加熱しながら、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスを流し、ガス検知部の指示値を得た。図３に示すグラフは、実施例１のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。図３（および図４～図１６、図１８～図２０）に示すグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。なお、図３（および図４～図１６、図１８～図２０）に示すグラフにおいて、ガス検知部の指示値が最後に下降しているのは、被検知ガスの流通を停止したためである。

【0049】

図３に示すグラフから分かるように、実施例１のフルオロオレフィン検知装置では、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金と、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0050】

（実施例２）
図４に示すように、実施例２の確認実験では、ルテニウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例２）により、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例２では、触媒として、以下の表２に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表2】

【0051】

実施例２のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３５０℃に加熱しながら、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスを流し、ガス検知部の指示値を得た。図４に示すグラフは、実施例２のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0052】

図４に示すグラフから分かるように、実施例２のフルオロオレフィン検知装置では、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、ルテニウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例２の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例２の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0053】

（実施例３）
図５に示すように、実施例３の確認実験では、白金およびルテニウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例３）により、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例３では、触媒として、以下の表３に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表3】

【0054】

実施例３のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を１８０℃に加熱しながら、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスを流し、ガス検知部の指示値を得た。図５に示すグラフは、実施例３のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0055】

図５に示すグラフから分かるように、実施例３のフルオロオレフィン検知装置では、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびルテニウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例３の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例３の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0056】

（実施例４）
図６に示すように、実施例４の確認実験では、白金およびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例４）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例４では、触媒として、以下の表４に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表4】

【0057】

実施例４のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３００℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図６に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例４のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0058】

図６に示すグラフから分かるように、実施例４のフルオロオレフィン検知装置では、５つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例４の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例４の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0059】

また、図６に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例４の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0060】

（実施例５）
図７に示すように、実施例５の確認実験では、金およびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例５）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例５では、触媒として、以下の表５に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表5】

【0061】

実施例５のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３５０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図７に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例５のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0062】

図７に示すグラフから分かるように、実施例５のフルオロオレフィン検知装置では、４つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、金およびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例５の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例５の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0063】

また、図７に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例５の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0064】

（実施例６）
図８に示すように、実施例６の確認実験では、白金およびクロムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例６）により、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例６では、触媒として、以下の表６に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表6】

【0065】

実施例６のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３００℃に加熱しながら、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスを流し、ガス検知部の指示値を得た。図８に示すグラフは、実施例６のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0066】

図８に示すグラフから分かるように、実施例６のフルオロオレフィン検知装置では、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびクロムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例６の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例６の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0067】

（実施例７）
図９に示すように、実施例７の確認実験では、白金、ルテニウムおよびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例７）により、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、および、３ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン、並びに、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロシクロペンテンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例７では、触媒として、以下の表７に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表7】

【0068】

実施例７のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３００℃に加熱しながら、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、および、３ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。また、実施例７のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３２０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロシクロペンテンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図９に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例７のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0069】

図９に示すグラフから分かるように、実施例７のフルオロオレフィン検知装置では、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む６つの被検知ガス、および、ヘキサフルオロシクロペンテンを含む６つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金、ルテニウムおよびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例７の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンおよびオクタフルオロシクロペンテンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例７の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンおよびオクタフルオロシクロペンテンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0070】

また、図９に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度もしくはオクタフルオロシクロペンテン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロブタジエン濃度もしくはオクタフルオロシクロペンテン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度とオクタフルオロシクロペンテン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例７の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンとオクタフルオロシクロペンテンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0071】

また、実施例７の触媒により、干渉ガスの影響を調べた。干渉ガスとしては、半導体製造工程の洗浄剤として想定されるアルコール類のうちのエタノールを用いた。エタノールなどのアルコール類は、触媒反応によりカルボン酸を発生させるおそれがある。そして、カルボン酸がガス検知部により検知されるため、エタノールなどのアルコール類がヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンやオクタフルオロシクロペンテンの測定に干渉するおそれがある。実施例７の触媒では、エタノールによるガス検知部の指示値の上昇を低く抑えることができた。これは、エタノールが触媒反応により完全酸化されることにより、カルボン酸にとどまらず、二酸化炭素および水まで分解されたためであると考えられる。このことから、実施例７の触媒を、エタノールの存在下のヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンとオクタフルオロシクロペンテンの測定に容易に用いることができると考えられる。

【0072】

（実施例８）
図１０に示すように、実施例８の確認実験では、金、ルテニウムおよびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例８）により、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例８では、触媒として、以下の表８に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表8】

【0073】

実施例８のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３００℃に加熱しながら、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１０に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例８のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0074】

図１０に示すグラフから分かるように、実施例８のフルオロオレフィン検知装置では、７つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、金、ルテニウムおよびロジウムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例８の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例８の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を好適に引き起こすことができると考えられる。

【0075】

また、図１０に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例８の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0076】

また、実施例８の触媒により、干渉ガスの影響を調べた。干渉ガスとしては、半導体製造工程の洗浄剤として想定されるアルコール類のうちのエタノールを用いた。実施例８の触媒では、エタノールによるガス検知部の指示値の上昇を低く抑えることができた。これは、エタノールが触媒反応により完全酸化されることにより、カルボン酸にとどまらず、二酸化炭素および水まで分解されたためであると考えられる。このことから、実施例８の触媒を、エタノールの存在下のヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの測定に好適に用いることができると考えられる。

【0077】

（実施例９）
図１１および図１２に示すように、実施例９の確認実験では、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例９）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例９では、触媒として、以下の表９に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。また、白金の質量％とコバルトの質量％とが、約１：１になるようにした。

【表9】

【0078】

実施例９のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３２０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１１および図１２に示すグラフは、触媒ごとの各被検知ガスにおける、実施例９のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0079】

図１１および図１２に示すグラフから分かるように、実施例９のフルオロオレフィン検知装置では、５つの触媒のいずれにおいても５つの被検知ガスにおいて、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例９の各触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例９の各触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0080】

また、図１１および図１２に示すグラフから分かるように、５つの触媒のいずれにおいても、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例９の各触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に好適に用いることができると考えられる。

【0081】

また、図１１および図１２に示すグラフから分かるように、白金が０．９質量％でコバルトが０．９質量％の触媒に比べて、白金が１．４質量％でコバルトが１．４質量％の触媒、白金が２質量％でコバルトが２質量％の触媒、白金が３質量％でコバルトが３質量％の触媒、および、白金が４．９質量％でコバルトが５．３質量％の触媒において、ガス検知部の指示値が大きくなった。このことから、白金が１．４質量％以上４．９％以下で、コバルトが１．４質量％以上５．３質量％以下であることが好ましいと考えられる。また、実施例９の触媒では、応答（指示値の上昇）が速かったため、触媒反応によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを迅速に分解できると考えられる。

【0082】

（実施例１０）
図１３および図１４に示すように、実施例１０の確認実験では、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１０）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例１０では、触媒として、以下の表１０に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。また、白金の質量％とコバルトの質量％とが、約１：２になるようにした。

【表10】

【0083】

実施例１０のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３２０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１３および図１４に示すグラフは、触媒ごとの各被検知ガスにおける、実施例１０のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0084】

図１３および図１４に示すグラフから分かるように、実施例１０のフルオロオレフィン検知装置では、５つの触媒のいずれにおいても５つの被検知ガスにおいて、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１０の各触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１０の各触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0085】

また、図１３および図１４に示すグラフから分かるように、５つの触媒のいずれにおいても、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例１０の各触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0086】

また、図１３および図１４に示すグラフから分かるように、白金が０．５質量％でコバルトが１質量％の触媒、および、白金が１質量％でコバルトが２質量％の触媒に比べて、白金が１．６質量％でコバルトが３．２質量％の触媒、白金が２．５質量％でコバルトが５．４質量％の触媒、および、白金が３．３質量％でコバルトが７．１質量％の触媒において、ガス検知部の指示値が大きくなった。このことから、白金が１．６質量％以上３．３質量％以下で、コバルトが３．２質量％以上７．１質量％以下であることが好ましいと考えられる。また、実施例１０の触媒では、応答（指示値の上昇）が速かったため、触媒反応によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを迅速に分解できると考えられる。

【0087】

（実施例１１）
図１５および図１６に示すように、実施例１１の確認実験では、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１１）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例１１では、触媒として、以下の表１１に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。また、白金の質量％とコバルトの質量％とが、約２：１になるようにした。

【表11】

【0088】

実施例１１のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３２０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１５および図１６に示すグラフは、触媒ごとの各被検知ガスにおける、実施例１１のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0089】

図１５および図１６に示すグラフから分かるように、実施例１１のフルオロオレフィン検知装置では、５つの触媒のいずれにおいても５つの被検知ガスにおいて、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金およびコバルトと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１１の各触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１１の各触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0090】

また、図１５および図１６に示すグラフから分かるように、５つの触媒のいずれにおいても、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例１１の各触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0091】

また、図１５および図１６に示すグラフから分かるように、白金が０．９質量％でコバルトが０．５質量％の触媒に比べて、白金が２質量％でコバルトが１質量％の触媒、白金が３．６質量％でコバルトが１．８質量％の触媒、白金が５．１質量％でコバルトが２．７質量％の触媒、および、白金が６．６質量％でコバルトが３．６質量％の触媒において、ガス検知部の指示値が大きくなった。このことから、白金が２質量％以上６．６質量％以下で、コバルトが１質量％以上３．６質量％以下であることが好ましいと考えられる。また、実施例１１の触媒では、応答（指示値の上昇）が速かったため、触媒反応によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを迅速に分解できると考えられる。

【0092】

また、実施例１１の白金が６．６質量％でコバルトが３．６質量％の触媒により、干渉ガスの影響を調べた。干渉ガスとしては、半導体製造工程の洗浄剤として想定されるアルコール類のうちのエタノールを用いた。実施例１１の白金が６．６質量％でコバルトが３．６質量％の触媒では、エタノールによるガス検知部の指示値の上昇を低く抑えることができた。これは、エタノールが触媒反応により完全酸化されることにより、カルボン酸にとどまらず、二酸化炭素および水まで分解されたためであると考えられる。このことから、実施例１１の白金が６．６質量％でコバルトが３．６質量％の触媒を、エタノールの存在下のヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの測定に容易に用いることができると考えられる。

【0093】

（実施例１２）
図１７に示すように、実施例１２の確認実験では、実施例１１の白金が６．６質量％でコバルトが３．６質量％の触媒（表１１の最下段の組成の触媒）を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１２）により、触媒温度の影響を調べた。

【0094】

実施例１２のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構による触媒の加熱温度を変化させながら、２ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン、１２４０ｐｐｍのノベック（ｎｏｖｅｃ７１００）（干渉ガス）、１１９０ｐｐｍのガルデン（ＨＴ―７０）(干渉ガス)、１０７０ｐｐｍのフロリナート(ＦＣ―３２８３)（干渉ガス）、および、１３７０ｐｐｍのエタノール（干渉ガス）を含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。なお、ノベック、ガルデンおよびフロリナートは、半導体製造工程のチラーのフッ素系不活性冷媒や洗浄剤として広く利用されている成分であり、触媒反応によりフッ化水素を発生させるおそれがあるため、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの測定に干渉するおそれがある。また、１２４０ｐｐｍのノベック（干渉ガス）、１１９０ｐｐｍのガルデン（ＨＴ―７０）(干渉ガス)、１０７０ｐｐｍのフロリナート(ＦＣ―３２８３)（干渉ガス）、および、１３７０ｐｐｍのエタノール（干渉ガス）は、通常の半導体製造工程では考えられない程の高濃度のガスである。

【0095】

図１７に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例１２のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の温度変化を示している。図１７に示すグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値を示し、横軸が触媒温度を示している。

【0096】

図１７に示すグラフから分かるように、実施例１２のフルオロオレフィン検知装置では、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、フルオロオレフィンの触媒反応を行うことができた。また、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンに関するガス検知部の指示値は、１４０℃以上３６０℃まで、触媒温度が増加するにつれて増加し、３６０℃以後、概ね横ばいになる傾向を示した。また、ノベックに関するガス検知部の指示値は、１４０℃から２６０℃まで、ゼロであるとともに、２６０℃以後、触媒温度が増加するにつれて増加する傾向を示した。また、ガルデンに関するガス検知部の指示値は、１４０℃から３００℃まで、ゼロであるとともに、３００℃以後、触媒温度が増加するにつれて増加する傾向を示した。また、フロリナートに関するガス検知部の指示値は、１４０℃から３６０℃まで、ゼロであるとともに、３６０℃以後、触媒温度が増加するにつれて増加する傾向を示した。ノベック、ガルデンおよびフロリナートを比較すると、ノベックに比べて、ガルデンおよびフロリナートは、触媒反応しにくい傾向があると考えられる。また、エタノールに関するガス検知部の指示値は、２２０℃まで、触媒温度が増加するにつれて増加し、２２０℃以後、触媒温度が増加するにつれて減少する傾向を示した。

【0097】

触媒温度は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンに関するガス検知部の指示値が大きく、ノベック、ガルデン、フロリナートおよびエタノールのガス検知部の指示値が小さくなる温度であることが好ましいと考えられる。このことから、触媒温度は、２６０℃以上３６０℃以下であることが好ましいと考えられる。また、触媒温度は、３００℃以上３４０℃以下であることがより好ましいと考えられる。また、触媒温度は、３２０℃であることがより好ましいと考えられる。

【0098】

（実施例１３）
図１８に示すように、実施例１３の確認実験では、ルテニウム、鉄およびクロムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１３）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例１３では、触媒として、以下の表１２に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表12】

【0099】

実施例１３のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３８０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１８に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例１３のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0100】

図１８に示すグラフから分かるように、実施例１３のフルオロオレフィン検知装置では、５つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、ルテニウム、鉄およびクロムと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１３の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１３の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0101】

また、図１８に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例１３の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0102】

（実施例１４）
図１９に示すように、実施例１４の確認実験では、ルテニウム、パラジウムおよびニッケルと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１４）により、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例１４では、触媒として、以下の表１３に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表13】

【0103】

実施例１４のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３２０℃に加熱しながら、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、および、５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図１９に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例１４のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0104】

図１９に示すグラフから分かるように、実施例１４のフルオロオレフィン検知装置では、５つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、ルテニウム、パラジウムおよびニッケルと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１４の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１４の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0105】

また、図１９に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例１４の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0106】

（実施例１５）
図２０に示すように、実施例１５の確認実験では、白金、ルテニウム、パラジウムおよびマンガンと、アルカリ土類金属シリケートとを含む触媒を用いたフルオロオレフィン検知装置（実施例１５）により、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、および、１．５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン、並びに、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロシクロペンテンを含む被検知ガスの検知を行い、指示値を得た。また、実施例１５では、触媒として、以下の表１４に示す触媒を用いた。質量％は、触媒作製時の計量値から計算した。

【表14】

【0107】

実施例１５のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３４０℃に加熱しながら、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、および、１．５ｐｐｍのヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。また、実施例１５のフルオロオレフィン検知装置では、加熱機構により触媒を３４０℃に加熱しながら、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１．５ｐｐｍ、２ｐｐｍ、２．５ｐｐｍ、３ｐｐｍ、および、４ｐｐｍのヘキサフルオロシクロペンテンを含む被検知ガスをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図２０に示すグラフは、各被検知ガスにおける、実施例１５のフルオロオレフィン検知装置のガス検知部の指示値の時間変化を示している。

【0108】

図２０に示すグラフから分かるように、実施例１５のフルオロオレフィン検知装置では、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを含む３つの被検知ガス、および、ヘキサフルオロシクロペンテンを含む７つの被検知ガスのいずれにおいても、時間が経過するにつれて、ガス検知部の指示値が上昇した。これは、白金、ルテニウム、パラジウムおよびマンガンと、アルカリ土類金属シリケートとを含む実施例１５の触媒によりヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンおよびオクタフルオロシクロペンテンを触媒反応させることができ、触媒反応により発生したフッ化水素を検知することができたためと考えられる。このことから、実施例１５の触媒は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンおよびオクタフルオロシクロペンテンの触媒反応を容易に引き起こすことができると考えられる。

【0109】

また、図２０に示すグラフから分かるように、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度もしくはオクタフルオロシクロペンテン濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、ヘキサフルオロブタジエン濃度もしくはオクタフルオロシクロペンテン濃度が上昇すると、概ね一定の関係でガス検知部の指示値が上昇する相関が見られた。このことから、ガス検知部の指示値から、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン濃度とオクタフルオロシクロペンテン濃度を容易に測定することができると考えられる。また、実施例１５の触媒を、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンとオクタフルオロシクロペンテンの濃度の測定に容易に用いることができると考えられる。

【0110】

［変形例］
なお、今回開示された実施形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。

【0111】

たとえば、上記実施形態では、フルオロオレフィン検知装置が、流量制御部と、ポンプとを備えている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、フルオロオレフィン分解部と、ガス検知部とを備えていれば、フルオロオレフィン検知装置が、流量制御部と、ポンプとを必ずしも備えていなくてもよい。

【0112】

また、上記実施形態では、触媒が、綿状に形成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、触媒が、粒状、粉末状、シート状、および、タブレット状などに形成されていてもよい。

【0113】

また、上記実施形態では、ガス検知部が、電気化学式のガス検知部を含んでいる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、フルオロオレフィンの触媒反応により発生した成分を検知可能であれば、ガス検知部が、電気化学式以外のガス検知部を含んでいてもよい。

【0114】

また、上記実施形態では、本発明の触媒部が、筒状に形成された触媒筒である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、触媒を配置可能であれば、触媒部の形状は特に限られず、触媒部が、筒状形状以外の形状を有していてもよい。

【符号の説明】

【0115】

３０ フルオロオレフィン分解部（フルオロオレフィン分解装置）
３１ 触媒筒（触媒部）
３１ｂ 触媒
３２ 加熱機構
４０ ガス検知部
１００ フルオロオレフィン検知装置
Ｇ 被検知ガス

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】