特開 2023-36447 リードフレーム一体型基板、半導体装置、リードフレーム一体型基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023036447

(43)【公開日】2023-03-14

(54)【発明の名称】リードフレーム一体型基板、半導体装置、リードフレーム一体型基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20230307BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20230307BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 Y

H01L25/04 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021143508

(22)【出願日】2021-09-02

(71)【出願人】

【識別番号】000002037

【氏名又は名称】新電元工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池田 康亮

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA01

5F067CC02

5F067CC07

(57)【要約】

【課題】絶縁基板により放熱性を確保しつつ、小型化を図ることができるリードフレーム一体型基板を得る。
【解決手段】リードフレーム一体型基板１１は、リードフレームの一部からなり、基板パターンを構成する基板パターン部１４及びリード端子部１６を有するリードフレーム部１２と、基板パターン部１４及びリード端子部１６に接合された絶縁基板１８とからなる。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームの一部からなり、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部と、
前記基板パターン部及び前記リード端子部に接合された絶縁基板とからなるリードフレーム一体型基板。

【請求項2】

前記絶縁基板は、熱硬化性の樹脂からなる樹脂層を有し、
前記リードフレーム部は、前記樹脂の熱硬化により前記樹脂層と接着されている請求項１に記載のリードフレーム一体型基板。

【請求項3】

前記絶縁基板は、前記リードフレーム部とは反対側に接合された金属層を有する請求項１又は２に記載のリードフレーム一体型基板。

【請求項4】

請求項１～３のいずれかに記載のリードフレーム一体型基板と、
前記リードフレーム部の前記基板パターン部上に配置された半導体素子と、
前記リードフレーム一体型基板及び前記半導体素子を封止した封止樹脂と、を備える半導体装置。

【請求項5】

熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の前記樹脂層と、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部とを重ね合わせる重合工程と、
重合工程後の前記Ｂステージ絶縁基板及び前記リードフレーム部を圧着させつつ加熱し、前記樹脂層と前記基板パターン部及び前記リード端子部とを接合する接合工程と、を有するリードフレーム一体型基板の製造方法。

【請求項6】

基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部の前記基板パターン部に半導体素子を接合する素子接合工程と、
熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の前記樹脂層と、前記素子接合工程後の前記リードフレーム部とをモールド金型のキャビティ内で重ね合わせる金型内重合工程と、
前記モールド金型を用いてトランスファー成形を行い、前記Ｂステージ絶縁基板、前記半導体素子及び前記リードフレーム部を封止する封止樹脂を成形しつつ、前記Ｂステージ絶縁基板と前記基板パターン部及び前記リード部とを接合する金型内接合工程と、を有する半導体素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リードフレーム一体型基板、半導体装置、リードフレーム一体型基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

下記特許文献１に開示された半導体装置は、第１～第３リードと、第３リード上に配置された半導体素子と、半導体素子のソース電極と第１リードを接続する第１金属リボンと、半導体素子のゲート電極と第２リードを接続する第２金属リボンと、第１～第３リードの一部、半導体素子、並びに、第１及び第２金属リボンを封止した封止樹脂とを備えており、第１～第３リードの先端部が封止樹脂の外部に導出されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－１５２０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記の半導体装置は、半導体素子が実装される絶縁基板を備えていないため、半導体装置を小型化することができる。しかしながら、絶縁基板を備える半導体装置と比較して、放熱性や絶縁性が悪いという課題がある。

【0005】

本発明は上記課題を考慮し、絶縁基板により放熱性や絶縁性を確保しつつ、小型化を図ることができるリードフレーム一体型基板及び半導体装置とそれらの製造方法を得ることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るリードフレーム一体型基板は、リードフレームの一部からなり、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部と、前記基板パターン部及び前記リード端子部に接合された絶縁基板とからなる。

【0007】

本発明に係る半導体装置は、上記のリードフレーム一体型基板と、前記リードフレーム部の前記基板パターン部上に配置された半導体素子と、前記リードフレーム一体型基板及び前記半導体素子を封止した封止樹脂と、を備える。

【0008】

本発明に係るリードフレーム一体型基板の製造方法は、熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の前記樹脂層と、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部とを重ね合わせる重合工程と、重合工程後の前記Ｂステージ絶縁基板及び前記リードフレーム部を圧着させつつ加熱し、前記樹脂層と前記基板パターン部及び前記リード端子部とを接合する接合工程と、を有する。

【0009】

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部の前記基板パターン部に半導体素子を接合する素子接合工程と、熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の前記樹脂層と、前記素子接合工程後の前記リードフレーム部とをモールド金型のキャビティ内で重ね合わせる金型内重合工程と、前記モールド金型を用いてトランスファー成形を行い、前記Ｂステージ絶縁基板、前記半導体素子及び前記リードフレーム部を封止する封止樹脂を成形しつつ、前記Ｂステージ絶縁基板と前記基板パターン部及び前記リード部とを接合する金型内接合工程と、を有する。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係るリードフレーム一体型基板によれば、リードフレームの一部からなるリードフレーム部が、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有する。基板パターン部及びリード端子部には、絶縁基板が接合される。この絶縁基板により放熱性や絶縁性を確保することができる。しかも、絶縁基板に形成された基板パターンにリードフレームが接合される構成と比較して、接合のための領域が不要となる分だけ絶縁基板を小型化することができるので、全体構成を小型化することが可能となる。

【0011】

本発明に係る半導体装置によれば、上記のリードフレーム一体型基板が有するリードフレーム部の基板パターン部上に半導体素子が配置され、当該リードフレーム一体型基板及び半導体素子が封止樹脂により封止される。上記のようにリードフレーム一体型基板を小型化することができるため、本半導体装置の小型化が可能となる。

【0012】

本発明に係るリードフレーム一体型基板の製造方法によれば、重合工程では、熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の樹脂層と、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部とが重ね合わされる。接合工程では、重合工程後のＢステージ絶縁基板及びリードフレーム部を圧着させつつ加熱し、樹脂層と基板パターン部及びリード端子部とを接合する。これにより、上記のリードフレーム一体型基板を製造することができる。

【0013】

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、素子接合工程では、基板パターンを構成する基板パターン部及びリード端子部を有するリードフレーム部の前記基板パターン部に半導体素子を接合する。金型内重合工程では、熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層を有するＢステージ絶縁基板の前記樹脂層と、素子接合工程後のリードフレーム部とをモールド金型のキャビティ内で重ね合わせる。金型内接合工程では、前記モールド金型を用いてトランスファー成形を行い、Ｂステージ絶縁基板、半導体素子及びリードフレーム部を封止する封止樹脂を成形しつつ、Ｂステージ絶縁基板と基板パターン部及びリード部とを接合する。これにより、上記の半導体装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。

【図2】第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。

【図3】封止樹脂の図示を省略した図１に対応する斜視図である。

【図4】封止樹脂の図示を省略した図２に対応する平面図である。

【図5】第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。

【図6】第１実施形態に係る半導体装置が備える絶縁基板を示す平面図である。

【図7】図６のＦ７－Ｆ７線に沿った切断面を示す断面図である。

【図8】第１実施形態に係る半導体装置が備えるリードフレーム部を示す平面図である。

【図9】第１実施形態に係るリードフレーム一体型基板を示す平面図である。

【図10】図９のＦ１０－Ｆ１０線に沿った切断面を示す断面図である。

【図11】第１実施形態に係るリードフレーム一体型基板の製造方法における接合工程について説明するための断面図である。

【図12】比較例に係る従来の半導体装置を示す平面図である。

【図13】図１２に示される構成から封止樹脂を省略した状態を示す平面図である。

【図14】比較例に係る従来の半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。

【図15】図１４のＦ１５－Ｆ１５線に沿った切断面を示す断面図である。

【図16】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法において、絶縁基板がモールド金型の下型にセットされた状態を示す断面図である。

【図17】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法における金型内接合工程について説明するための断面図である。

【図18】絶縁基板の位置ずれ防止用のリジェクトピンを備えたモールド金型の下型を示す断面図である。

【図19】図１８に示される下型と、押えピンが設けられたモールド金型の上型とによって、リードフレーム部が絶縁基板に押し付けられた状態を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

＜第１の実施形態＞
以下、図１～図１１を参照して本発明の第１実施形態に係るリードフレーム一体型基板１１、半導体装置１０、及びリードフレーム一体型基板の製造方法について説明する。なお、各図中においては、図面を見易くするため、一部の符号を省略している場合がある。

【0016】

図１～図４に示されるように、本実施形態に係る半導体装置１０は、リードフレーム部１２及び絶縁基板１８からなるリードフレーム一体型基板１１と、半導体素子２４と、リードフレーム一体型基板１１及び半導体素子２４を封止した封止樹脂３４とを備えている。図３及び図４には、図１及び図２に示される構成から封止樹脂３４が除去された状態が図示されている。

【0017】

リードフレーム部１２は、図５に示されるリードフレームＬＦの一部からなり、基板パターンを構成する基板パターン部１４と、リード端子部１６とを有する。リードフレームＬＦは、導電性を有する平板材（ここでは銅板）がエッチングやプレスによる打抜きを施されて製造されたものであり、矩形の平板状に形成されている。基板パターン部１４は、リードフレームＬＦの中央部に形成されており、左右に並んだ二つの略矩形平板状に形成されている。リード端子部１６は、基板パターン部１４からリードフレームＬＦの外周側へ延びるように設けられている。リード端子部１６は、基板パターン部１４の一方側には、基板パターン部１４の一方側から延びる二つのドレイン端子部１６Ａを有している。さらに、リード端子部１６は、基板パターン部１４の他方側には、一つのソース端子部１６Ｂと、二つのゲート端子部１６Ｃと、ソース端子部１６Ｂの基端部側から延びる一つのソースセンス端子１６Ｄ（半導体素子２４のソース電極側の電流検出用端子）と、基板パターン部１４の他方側から延びる二つのドレインセンス端子部１６Ｅ（半導体素子２４のドレイン電極側の電流検出用端子）と、二つのサーミスタ用端子部１６Ｆと、グランド用端子１６Ｇ（必要な端子が増えた場合に追加できるようにと基板のグランドをとるための端子）とを有している。二つのサーミスタ用端子部１６Ｆの基端部側には、二つのサーミスタ用端子部１６Ｆに跨るようにしてサーミスタＳが設けられる（図４参照）。

【0018】

絶縁基板１８は、図６及び図７に示されるように、樹脂層２０と金属層２２とによって構成されている。樹脂層２０は、リードフレーム部１２の基板パターン部１４及びリード端子部１６と接合される。金属層２２は、熱伝導性が高い金属（ここでは銅箔）からなり、樹脂層２０と接合されている。半導体装置１０において、金属層２２の下面が封止樹脂３４から外部に露出するようになっている。

【0019】

樹脂層２０は、熱硬化性の樹脂からなり、当該樹脂の熱硬化によりリードフレーム部１２と樹脂層２０とが接着されるようになっている。熱硬化性の樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂に熱伝導性フィラーが混錬されたものが用いられる。熱伝導性フィラーとしては、例えばアルミナフィラー、窒化ホウ素フィラーが挙げられる。

【0020】

絶縁基板１８は、図５に示されるように、リードフレームＬＦの一部であるリードフレーム部１２と接合される。その後、リードフレーム部１２の基板パターン部１４上に二つの半導体素子２４（図３及び図４参照）が実装される。半導体素子２４は、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。半導体素子２４は、基板パターン部１４に実装される面（絶縁基板１８側の面（下面））に形成されたドレイン電極と、反対側の面（絶縁基板１８とは反対側の面（上面））に形成されたソース電極２６及びゲート電極２８とを有している。

【0021】

図３及び図４に示されるように、半導体素子２４のドレイン電極は、基板パターン部１４上に導電性接合材を介して接合される。半導体素子２４のソース電極２６の上方には、導電性を有する平板材（ここでは銅板）によって構成された導体板３０が配置されている。導体板３０は、二つの半導体素子２４のソース電極２６及びソース端子部１６Ｂの端部側に導電性接合材を介して接合されている。二つの半導体素子２４のゲート電極２８はそれぞれ、ゲート端子部１６Ｃの端部側に接続部材３２を介して電気的に接続されている。接続部材３２は、導電性を有する平板材（ここでは銅板）がプレス成形されて製造されたものであり、ゲート電極２８及びゲート端子部１６Ｃの端部側に導電性接合材を介して接合されている。導電性接合材としては、はんだ、鉛フリーはんだ、導電性および接着性を有する合金又は金属、或いは銀ペーストや銀ナノ粒子を有する導電性接着剤などが用いられる。

【0022】

上記のように、リードフレームＬＦと接合された絶縁基板１８上に半導体素子２４等が実装された状態で、封止樹脂３４のモールド成形が行われる。その後、リードフレーム部１２がリードフレームＬＦの他の部位から切断されて分離される。リードフレーム部１２のリード端子部１６のドレイン端子部１６Ａ、ソース端子部１６Ｂ、ゲート端子部１６Ｃ、ソースセンス端子１６Ｄ、ドレインセンス端子部１６Ｅ、サーミスタ用端子部１６Ｆ及びグランド用端子１６Ｇは、基端部側が封止樹脂３４の内部に封止され、先端部側が封止樹脂３４から外部に突出して配置される（図１及び図２参照）。ドレイン端子部１６Ａ及びソース端子部１６Ｂの突出部分は、封止樹脂３４の側面に沿って延び、さらに封止樹脂３４の上面と対向するように断面略Ｊ字状に曲げられている。これにより、図１及び図２に示される半導体装置１０が完成する。この半導体装置１０は、本実施形態に係るリードフレーム一体型基板１１を備えている。

【0023】

リードフレーム一体型基板１１は、本実施形態に係るリードフレーム一体型基板の製造方法により製造される。この製造方法は、重合工程および接合工程を有する。重合工程では、Ｂステージ絶縁基板１８Ｂとリードフレーム部１２とを重ね合わせる。Ｂステージ絶縁基板１８Ｂは、図６及び図７に示される絶縁基板１８において、樹脂層２０の樹脂が半硬化したものである。リードフレーム部１２は、図８に示されるように、前述した基板パターン部１４及びリード端子部１６を有するものであり、図５に示されるリードフレームＬＦの一部である。重合工程では、図９及び図１０に示されるように、Ｂステージ絶縁基板１８Ｂの樹脂層２０にリードフレーム部１２が重ね合わされる。

【0024】

接合工程では、重合工程後のＢステージ絶縁基板１８Ｂ及びリードフレーム部１２を圧着させつつ加熱し、樹脂層２０と基板パターン部１４及びリード端子部１６とを接合する。この接合工程には、図１１に示される上側治具３６及び下側治具３８が用いられる。上側治具３６は、プレス機の上側天板４０に取り付けられ、下側治具３８は、プレス機の下側天板４２に取り付けられる。

【0025】

上側治具３６及び下側治具３８の間には、重合工程後のＢステージ絶縁基板１８Ｂ及びリードフレーム部１２が配置され、プレス機によってＢステージ絶縁基板１８Ｂの樹脂層２０とリードフレーム部１２とが互いに圧着される。この際には、上側治具３６及び下側治具３８が図示しないヒータにより加熱される。これにより、樹脂層２０とリードフレーム部１２とが熱圧着され、当該熱圧着により硬化する樹脂層２０にリードフレーム部１２が接着される。これにより、リードフレーム一体型基板１１が完成する。なお、本実施形態では、リードフレーム部１２がリードフレームＬＦの他の部位から分離される前に重合工程及び接合工程が行われる。その後、前述した封止樹脂３４のモールド成形が行われる。

【0026】

上記構成のリードフレーム一体型基板１１では、リードフレームＬＦの一部からなるリードフレーム部１２が、基板パターンを構成する基板パターン部１４及びリード端子部１６を有する。基板パターン部１４及びリード端子部１６には、絶縁基板１８が接合される。この絶縁基板１８により放熱性を確保することができる。しかも、絶縁基板に形成された基板パターンにリードフレームが接合される従来の構成と比較して、接合のための領域が不要となる分だけ絶縁基板１８を小型化することができるので、全体構成を小型化することが可能となる。その結果、リードフレーム一体型基板１１を含んで構成された半導体装置１０の小型化が可能となる。

【0027】

上記の効果について、図１２～図１５に示される従来の半導体装置５０（比較例）を用いて補足説明する。なお、図１２～図１５では、本実施形態に係る半導体装置１０と同様の構成に同符号を付している。この半導体装置５０は、本実施形態における絶縁基板１８の代わりに、絶縁性を有するＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板５２を備えている。このＤＣＢ基板５２は、セラミックス基板５４と、セラミックス基板５４の一方の面に形成された配線パターン５６と、セラミックス基板５２の他方の面に形成された放熱用の金属層（図示省略）とを備えている。ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６及び金属層は、例えば銅箔によって構成されている。

【0028】

図１４及び図１５に示されるように、ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６には、入出力配線のために、銅板からなるリードフレームＬＦがはんだ等の導電性接合材を用いて接合される。このリードフレームＬＦは、本実施形態におけるリードフレームＬＦと同様に、銅板にエッチング及びプレスによる打抜きが施されて製造されたものであるが、基板パターン部１４に相当する部分を有していない。

【0029】

また、ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６上には、本実施形態に係る半導体装置１０と同様に、二つの半導体素子２４等が実装される（図１３参照）。そして、リードフレームＬＦと接合されたＤＣＢ基板５２上に半導体素子２４等が実装された状態で、封止樹脂３４のモールド成形が行われる（図１４の二点鎖線参照）。その後、リードフレームＬＦの不要部分が除去されて、ドレイン端子部１６Ａ及びソース端子部１６Ｂが所定形状に曲げられることにより、図１２に示される完成品の状態となる。

【0030】

この半導体装置５０では、ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６とリードフレームＬＦとを接合するための接合領域ＪＡ１、ＪＡ２（図１３参照）を有するため、これらの接合領域ＪＡ１、ＪＡ２の分だけ、本実施形態に係る半導体装置１０よりも大型化する。特に、大電流（例えば３００Ａ～６００Ａ）に対応した仕様では、リード端子部１６の温度上昇を抑制するために接合領域ＪＡ１、ＪＡ２の面積が大きくなるため、半導体装置５０のパッケージサイズが大きくなる傾向がある。また、リードフレームＬＦは、ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６に接合されており、配線パターン５６とリードフレームＬＦとが積層される構成であるため、配線パターン５６の分の銅材が無駄になる。

【0031】

これに対し、本実施形態に係る半導体装置１０では、ＤＣＢ基板５２を用いず、Ｂステージ絶縁基板１８と、基板パターン部１４を有するリードフレーム部１２とを熱圧着するため、上記の接合領域ＪＡ１、ＪＡ２が不要となり、パッケージの大幅な小型化が図れる。また、本実施形態に係る半導体装置１０では、ＤＣＢ基板５２の配線パターン５６に相当する銅材が不要になるだけでなく、リードフレームＬＦにおいてエッチング及びプレス打抜きにより捨てていた銅材が基板パターン部１４として有効活用されるため、銅材の無駄が大幅に少なくなる。その結果、低コスト化が可能となる。さらに、リードフレーム部１２の基板パターン部１４が絶縁基板１８に直接接合されるため、配線長を短くすることができる。その結果、配線抵抗や寄生インダクタンスを低減する事が可能となる。

【0032】

本実施形態では、絶縁基板１８が熱硬化性の樹脂からなる樹脂層２０を有しており、当該樹脂の熱硬化によりリードフレーム部１２が樹脂層２０と接着される。このため、例えばリードフレーム部１２が樹脂層２０とは別の接着剤を用いて樹脂層２０に接着される構成と比較して、製造工程の簡素化が可能となる。

【0033】

さらに、本実施形態では、絶縁基板１８は、リードフレーム部１２とは反対側に接合された金属層２２を有しており、当該金属層２２が封止樹脂３４から露出して配置される。これにより、放熱性を確保することが容易になる。

【0034】

＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、第１実施形態と基本的に同様の構成及び作用については、第１実施形態と同符号を付与しその説明を省略する。

【0035】

図１６には、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法において、絶縁基板１８がモールド金型６０の下型６２にセットされた状態が断面図にて示されている。図１７には、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法における金型内接合工程の状況が図１６に対応した断面図にて示される。

【0036】

第２実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第１実施形態に係る半導体装置１０と同様の半導体装置１０が製造される。この製造方法は、素子接合工程と、金型内重合工程と、金型内接合工程とを有する。素子接合工程では、リードフレーム部１２の基板パターン部１４に半導体素子２４や接続部材３２（図１７では図示省略）等が接合される。

【0037】

金型内重合工程では、図１６に示されるように、Ｂステージ絶縁基板１８Ｂの樹脂層２０と、素子接合工程後のリードフレーム部１２とがモールド金型６０の下型６２のキャビティ６６内で重ね合わされる。この下型６２には、位置ずれ防止用の凹部６２Ａが形成されており、当該凹部６２Ａ内にＢステージ絶縁基板１８Ｂの下面側が挿入される。これにより、下型６２に対するＢステージ絶縁基板１８の位置ずれが防止される。

【0038】

金型内接合工程では、図１７に示されるように、モールド金型６０の上型６４と下型６２を用いてトランスファー成形が行われる。これにより、Ｂステージ絶縁基板１８、半導体素子２４及びリードフレーム部１２を封止する封止樹脂３４を成形しつつ、Ｂステージ絶縁基板１８と基板パターン部１４及びリード端子部１６とを接合する。つまり、金型内接合工程では、モールド樹脂の熱により、Ｂステージ絶縁基板１８の樹脂層２０が加熱されて硬化する。そして、この樹脂層２０の熱硬化によってリードフレーム部１２が樹脂層２０と接着される。

【0039】

その後、リードフレーム部１２がリードフレームＬＦの他の部位から分離され、ドレイン端子部１６Ａ及びソース端子部１６Ｂに曲げ加工が施されることにより、半導体装置１０が完成する。この実施形態では、第１実施形態と比較して、例えば製造工程の工数を削減することができる。それ以外の点では、第１実施形態と基本的に同様の効果が得られる。

【0040】

なお、上記第２実施形態では、下型６２には、位置ずれ防止用の凹部６２Ａが形成された構成にしたが、これに限るものではない。例えば図１８に示される変形例のように、絶縁基板１８の位置ずれ防止用のリジェクトピン６８が下型６２に設けられる構成にしてもよい。この変形例では、図１９に示されるように、上型６４に設けられる押えピン７０によってリードフレーム部１２が絶縁基板１８に押し付けられ、リジェクトピン６８が下型６２内に退避される。その後、キャビティ６６内にモールド樹脂が充填される。

【0041】

また、上記各実施形態では、絶縁基板１８が熱硬化性の樹脂からなる樹脂層２０を有し、当該樹脂の熱硬化によりリードフレーム部１２が樹脂層２０と接着される構成にしたが、これに限るものではない。例えばリードフレーム部１２が樹脂層２０とは別の接着剤を用いて樹脂層２０に接着される構成としてもよい。

【0042】

また、上記各実施形態では、熱硬化性の樹脂が半硬化してなる樹脂層２０を有するＢステージ絶縁基板１８Ｂを用いてリードフレーム一体型基板１１が製造される構成にしたが、これに限るものではない。例えば絶縁基板１８が樹脂層２０の代わりに熱伝導性絶縁シートを有する構成にしてもよい。

【0043】

また、上記各実施形態では、絶縁基板１８が金属層２２を有する構成にしたが、これに限らず、絶縁基板１８が金属層２２を有しない構成にしてもよい。また、金属層の材料は、銅に限らず、アルミニウムやチタンニッケル等の熱伝導性の高い材料であればよい。

【0044】

その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施できる。また、本発明の権利範囲が前記各実施形態に限定されないことは勿論である。

【符号の説明】

【0045】

１０ 半導体装置
１１ リードフレーム一体型基板
１２ リードフレーム部
１４ 基板パターン部
１６ リード端子部
１８ 絶縁基板
１８Ｂ Ｂステージ絶縁基板
２０ 樹脂層
２２ 金属層
２４ 半導体素子
３４ 封止樹脂
６０ モールド金型
ＬＦ リードフレーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】