特開 2023-37405 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023037405

(43)【公開日】2023-03-15

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20230308BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021144132

(22)【出願日】2021-09-03

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】後藤 修平

(72)【発明者】

【氏名】川合 悟

【テーマコード（参考）】

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E317AA06

5E317AA07

5E317BB02

5E317BB03

5E317BB12

5E317BB15

5E317CC32

5E317CC35

5E317CC52

5E317CD25

5E317GG09

(57)【要約】

【課題】配線基板が有する導体パッドの電気特性の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層２と、第１絶縁層２上に形成され、第１導体パッド３ａを含んでいる第１導体層と、第１絶縁層２上に形成され、第１導体パッド３ａの上面及び側面の全体を露出させる開口を有しているソルダーレジスト層４と、を含んでいて、第１面及び第１面の反対面である第２面を有する。第１導体パッド３ａは、第１絶縁層２の表面に沿って延在するパッド本体３Ｂと、パッド本体３Ｂの上面及び側面を被覆し、パッド本体３Ｂと異なる材料で形成されている保護層３Ｐとを有し、パッド本体３Ｂの周縁部において、パッド本体３Ｂの下面が第１絶縁層２の上面から離間するノッチ部が形成されており、ノッチ部は保護層３Ｐで充填されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、第１導体パッドを含んでいる第１導体層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記第１導体パッドの上面及び側面の全体を露出させる開口を有しているソルダーレジスト層と、
を含んでいて、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する配線基板であって、
前記第１導体パッドは、前記第１絶縁層の表面に沿って延在するパッド本体と、前記パッド本体の上面及び側面を被覆し、前記パッド本体と異なる材料で形成されている保護層とを有し、
前記パッド本体の周縁部において、前記パッド本体の下面が前記第１絶縁層の上面から離間するノッチ部が形成されており、
前記ノッチ部は前記保護層で充填されている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記保護層の前記第１絶縁層と接触する部分が、平面視における前記第１導体パッドの外周縁を構成している。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記保護層は、前記ノッチ部において、平面視における前記第１導体パッドの外側へ向かって膨らむ拡張部を有している。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記ノッチ部における前記パッド本体の下面と前記第１絶縁層の上面との間隔は、前記第１導体パッドの外周に向かって拡大している。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記ノッチ部は、前記第１絶縁層の上面から前記パッド本体の厚さの１／３以下の領域内に形成されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１面は部品が実装される部品実装面であり、前記第１導体層は前記第２面側に形成されている。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体パッドは矩形の平面形状を有している。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記パッド本体は銅を含み、前記保護層はニッケルを含んでいる。

【請求項9】

請求項８記載の配線基板であって、前記保護層は、ニッケル層、パラジウム層、及び金層を含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層（ソルダーレジスト層）の上面上に突出する突起電極（バンプ）が開示されている。突起電極は、絶縁層の上面に延在する突起金属層と、突起金属層を部分的に被覆する表面金属層とを有している。突起金属層の外周には、突起金属層の下面と絶縁層との間に空間を形成する切り欠きが設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－８２１３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されている表面金属層は、突起金属層の側面及び上面のみを被覆し、絶縁層の上面と接触しないように形成されている。表面金属層と突起金属層との接合強度は比較的低いものと考えられる。表面金属層と突起金属層とが剥離し、突起電極の電気特性が低下する場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、第１導体パッドを含んでいる第１導体層と、前記第１絶縁層上に形成され、前記第１導体パッドの上面及び側面の全体を露出させる開口を有しているソルダーレジスト層と、を含んでいて、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有している。前記第１導体パッドは、前記第１絶縁層の表面に沿って延在するパッド本体と、前記パッド本体の上面及び側面を被覆し、前記パッド本体と異なる材料で形成されている保護層とを有し、前記パッド本体の周縁部において、前記パッド本体の下面が前記第１絶縁層の上面から離間するノッチ部が形成されており、前記ノッチ部は前記保護層で充填されている。

【0006】

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる、側面及び上面が露出する形態の導体パッドにおいて保護層とパッド本体との強固な接合が実現され、保護層とパッド本体との剥離などの不良の発生が抑制される、電気特性の向上した導体パッドが提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。

【図3】図１におけるIII部の拡大図。

【図4】図３におけるIV部の拡大図。

【図5】本発明の一実施形態の配線基板の他の例の、図４に対応する拡大図。

【図6A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。また図２には、図１における紙面下側から見た配線基板１の平面図が示されている。図２のＩ－Ｉ線に沿った断面図が図１である。また図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層２０と、絶縁層２０の両面それぞれに交互に積層された導体層及び絶縁層とを含んでいる。絶縁層２０の一方の面２０ａ上には、３つの導体層３１のそれぞれと２つの絶縁層２１のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層２３（第２絶縁層）が積層されている。そして絶縁層２３上に導体層（第２導体層）３３が形成されている。

【0010】

絶縁層２０の一方の面２０ａの反対面である他方の面２０ｂ上には、３つの導体層３２のそれぞれと２つの絶縁層２２のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層（第１絶縁層）２が積層されている。そして絶縁層２の表面（上面）２ａ上に導体層（第１導体層）３が形成されている。すなわち、導体層３の背面（下面）３ａ３が絶縁層２と接して形成されている。

【0011】

絶縁層２３及び導体層３３上には、ソルダーレジスト層４０が形成されている。絶縁層２の上にはソルダーレジスト層４が形成されている。実施形態の配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の表面２ａ上に形成されている導体層３と、絶縁層２の表面２ａ上に形成されているソルダーレジスト層４と、を少なくとも含んでいる。

【0012】

配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面１１、及び第１面１１の反対面である第２面１２を有している。配線基板１において、絶縁層２３、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０は配線基板１の第１面１１側に形成されており、配線基板１の第１面１１側の表層部を形成している。第１面１１は、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０それぞれにおける露出面によって構成されている。また、絶縁層２、導体層３、及びソルダーレジスト層４は、配線基板１の第２面１２側に形成されており、配線基板１の第２面１２側の表層部を形成している。第２面１２は、絶縁層２、導体層３、及びソルダーレジスト層４それぞれにおける露出面によって構成されている。詳しくは後述するように、第１面１１は外部の部品Ｅ１が実装され得る部品実装面を構成し、第２面１２は外部要素Ｅ２と接続される接続面を構成し得る。

【0013】

なお、配線基板１の説明においては、配線基板１を構成する各要素における、絶縁層２０から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、絶縁層２０に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。各絶縁層２、２１、２２、２３、及び、各導体層３、３１、３２、３３の説明において、絶縁層２０を向く面は「下面」と称され絶縁層２０と反対側を向く面は「上面」とも称される。従って、実施形態の配線基板において、第１絶縁層２の第１導体層３を向く面（表面）２ａは第１絶縁層２の上面２ａとも称される。第１導体層３の第１絶縁層２を向く面（背面）３ａ３は、第１導体層３の下面３ａ３とも称される。第１導体層３の下面３ａ３と反対側の表面３ａ１は、第１導体層３の上面３ａ１とも称される。

【0014】

絶縁層２０には、導体層３１と導体層３２とを接続するスルーホール導体２０ｃが形成されている。絶縁層２０、その一方の面２０ａ上の導体層３１及び他方の面２０ｂ上の導体層３２は、配線基板１のコア基板を構成している。絶縁層２、２１、２２、２３それぞれには、絶縁層２、２１、２２、２３それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２ｖが形成されている。

【0015】

絶縁層２、２０、２１、２２、２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

【0016】

ソルダーレジスト層４、４０は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層４０は、導体層３３の一部又は全部を露出させる開口４０ａを有している。図１の例では、開口４０ａは、導体層３３を部分的に露出させている。ソルダーレジスト層４は、導体層３を露出させる開口４ａを有している。

【0017】

導体層３、３１、３２、３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。導体層３、３１、３２、３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、図１では見易さのために簡略化され単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。しかし、導体層３及び導体層３１、３２、３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、単一の金属層だけを含む単層構造を有していてもよい。

【0018】

各導体層は、所定の導体パッド及び／又は配線パターンを有するようにパターニングされている。図１の例の配線基板１では、導体層３３は複数の導体パッド（部品実装パッド）３３ａを有するようにパターニングされている。すなわち配線基板１は第１面１１に形成されている複数の部品実装パッド３３ａを含んでいる。図１の例では、各部品実装パッド３３ａは、所謂ＳＭＤパッド（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプの導体パッドである。すなわち、各部品実装パッド３３ａの周縁部がソルダーレジスト層４０に覆われており、各部品実装パッド３３ａの周縁部以外の部分がソルダーレジスト層４０の開口４０ａに露出している。

【0019】

各部品実装パッド３３ａは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される部品Ｅ１がその表面に載置される導体パッド（第２導体パッド）である。すなわち第１面１１は配線基板１の部品実装面である。部品実装パッド３３ａには、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して部品Ｅ１の電極Ｅ１１が電気的及び機械的に接続される。部品Ｅ１としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、及び、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示される。部品Ｅ１は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、部品Ｅ１はこれらに限定されない。

【0020】

本実施形態では、導体層３は導体パッド（第１導体パッド）３ａを含んでいる。導体パッド３ａは、ソルダーレジスト層４の開口４ａによって露出されている。具体的には、導体パッド３ａにおける絶縁層２と反対側を向く上面３ａ１、及び導体パッド３ａの側面３ａ２全体がソルダーレジスト層４に覆われずに露出している。すなわち、導体パッド３ａは、その平面視における外周縁がソルダーレジスト層の開口によって画定されない、所謂ＮＳＭＤパッド（Ｎｏｎ－Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプの導体パッドである。なお導体パッド３ａの側面３ａ２は、導体パッド３ａにおける絶縁層２を向く下面３ａ３と上面３ａ１との間の表面であって、図２に示されるように、平面視において導体パッド３ａの外周縁を構成する表面である。なお「平面視」は、導体パッド３ａなどの対象物を配線基板１の厚さ方向（Ｚ方向）と平行な視線で見ることを意味しており、図２は、配線基板１の導体パッド３ａが形成されている第２面１２側からの平面視における平面図を示している。

【0021】

導体パッド３ａが露出する第２面１２は、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素Ｅ２に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素Ｅ２に接続される接続面であり得る。また、図１の例の配線基板１において、第２面１２は、第１面１１と同様に半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。

【0022】

第２面１２が外部要素Ｅ２との接続面である場合、第２面１２は外部要素Ｅ２との接続部を備え得る。図１の例の配線基板１は導体パッド３ａにおいて外部要素Ｅ２と接続される。従って図１の例の導体パッド３ａは、配線基板１において外部要素Ｅ２に接続される接続パッドであり、図１の配線基板１における外部要素Ｅ２との接続パッドは導体パッド３ａからなる。前述したように、導体パッド３ａの上面３ａ１の全体及び側面３ａ２の全体がソルダーレジスト層４に覆われずに開口４ａ内に露出している。従って、配線基板１と外部要素Ｅ２とが大きな面積で強固に接続され得る。

【0023】

図２に示されるように、導体パッド３ａは、矩形の平面形状を有し得る。「平面形状」は、導体パッド３ａのような対象物の平面視における形状である。ここで「矩形」は、互いに略平行な２つの辺（線分）と、その２つの辺に略直交する互いに平行な２つの辺（線分）とによって囲まれる形状を意味している。この「矩形」において、互いに隣接すると共に直交する二辺は、必ずしもその交点において直角の交角をなすように互いに接していなくてもよく、曲線を介して結合されていてもよい。導体パッド３ａは、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素Ｅ２の電極Ｅ２１に電気的及び機械的に接続され得る。外部要素Ｅ２は、前述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板１よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド３ａは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

【0024】

次に、図１における、導体パッド３ａを含むIII部の拡大図である図３を参照して、導体パッド３ａについて詳述される。図１では、配線基板１において導体パッド３ａは見易さのために簡略化されて単層で示されているが、図３に示されるように、導体層３に含まれる導体パッド３ａは、金属膜３０ａ及びめっき膜３０ｂを含むパッド本体３Ｂと、パッド本体３Ｂの上面及び側面を被覆する保護層３Ｐとを有している。金属膜３０ａは絶縁層２の上面２ａ上に形成されており、めっき膜３０ｂは、金属膜３０ａにおける絶縁層２と反対側の表面上に形成されている。金属膜３０ａは、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。めっき膜３０ｂは、例えば金属膜３０ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。なお、図３には示されていないが、図１に示される配線基板１の導体層３３、絶縁層２１又は絶縁層２２上に形成されている導体層３１及び導体層３２、ビア導体２ｖ、並びにスルーホール導体２０ｃも、図３に示されるパッド本体３Ｂと同様に、金属膜及びめっき膜を含む構造を有し得る。

【0025】

保護層３Ｐは、例えばパッド本体３Ｂの上面及び側面などの露出部分の防食及び／又は防錆のために形成される被膜である。保護層３Ｐはパッド本体３Ｂとは異なる材料を含む被膜である。パッド本体３Ｂが銅で形成されている場合、保護層３Ｐは、ニッケル、パラジウム、銀、金、若しくはこれらの合金によって形成され得る。図示される例では、保護層３Ｐは、パッド本体３Ｂ側に形成されている下層３ｐ１と下層３ｐ１を被覆する中間層３ｐ２と、中間層３ｐ２上に形成されている上層３ｐ３とを含む３層構造を有している。例えば、下層３ｐ１はニッケルを含み、中間層３ｐ２はパラジウムを含み、上層３ｐ３は金を含む。

【0026】

次いで、図３において一点鎖線で囲われるパッド本体３Ｂの周縁近傍のIV部の拡大図である図４を参照して、導体パッド３ａについてさらに詳述される。導体パッド３ａを構成するパッド本体３Ｂの下面３ｂｕは、パッド本体３Ｂの平面方向（絶縁層２の上面２ａの延在方向）における周縁部において、絶縁層２の上面２ａから離間している。パッド本体３Ｂの下面３ｂｕと絶縁層２の上面２ａとが離間することによって、図３において２点鎖線で囲われる、パッド本体３Ｂの下面３ｂｕと絶縁層２の上面２ａとの間の領域である、ノッチ部Ｎが形成されている。ノッチ部Ｎは、後述されるように、導体層３のパターン形成時（すなわちパッド本体３Ｂの形成時）において、絶縁層２の上面２ａから金属膜３０ａを部分的に除去する工程において形成され得る。

【0027】

パッド本体３Ｂの絶縁層２と接する部分以外の表面の全域は保護層３Ｐによって被覆される。特に、ノッチ部Ｎを構成する、絶縁層２から離間するパッド本体３Ｂの下面３ｂｕも保護層３Ｐによって被覆される。従って、保護層３Ｐとパッド本体３Ｂとの接合面積は、パッド本体の側面及び上面のみが保護層で被覆される場合と比較すると、比較的接合面積が広く確保され得る。パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面における剥離などの不良の発生が抑制される場合があると考えられる。

【0028】

さらに、保護層３Ｐはノッチ部Ｎを構成する絶縁層２の上面２ａをも被覆し、ノッチ部Ｎを完全に充填している。このような形態を有することに因り、パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面に掛かり得る応力が、絶縁層２へと効果的に分散される場合がある。具体的には、配線基板１を外部要素に接続する場合などにおける導体パッド３ａの上面３ａ１に対する外力に起因してパッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面に掛かり得る応力は、保護層３Ｐの絶縁層２との接触部を介して絶縁層２へと効果的に分散され得る。パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面における剥離などの不良の発生がさらに効果的に抑制され得ると考えられる。保護層３Ｐの絶縁層２の上面２ａと接触する部分の最も外側は、平面視における導体パッド３ａの外周縁を構成している。

【0029】

特に、本実施形態における導体パッド３ａにおいては、パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面は、保護層３Ｐと絶縁層２との界面と連続している。従って、パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面は、特にその端部において応力が集中する部分が形成されにくく、効果的に界面の剥離が抑制され得ると考えられる。

【0030】

図示される例では、互いに離間しているパッド本体３Ｂの下面３ｂｕと絶縁層２の表面２ａとの間隔はパッド本体３Ｂの周縁に向かうに従って拡大している。換言すると、パッド本体３Ｂの周縁部を表面２ａから離間させているノッチ部Ｎの幅（表面２ａとパッド本体３Ｂとの離間距離）は、導体パッド３ａの外周に向かうほど大きくなっている。すなわち、ノッチ部Ｎの幅はパッド本体３Ｂの周縁で最大となる。ノッチ部Ｎがこのような形状を有することにより、例えばめっき液を用いるノッチ部Ｎ内への保護層３Ｐの形成においてボイドなどの不良の発生が抑制されて、比較的良好に保護層３Ｐが形成されている。

【0031】

なお、ノッチ部Ｎの幅はパッド本体３Ｂの厚さの１／３以下であることが好ましい。すなわち、ノッチ部Ｎは絶縁層２の上面２ａから、パッド本体３Ｂの厚さの１／３以内の領域に形成され得る。このような態様により、ノッチ部Ｎは、パッド本体３Ｂの中心部に向かって比較的鋭利な形状を有し得る。従って、保護層３Ｐが、アンカー効果によってパッド本体３Ｂ及び絶縁層２と比較的強固に結合され得る。導体パッド３ａに掛かる外力に対して、保護層３Ｐとパッド本体３Ｂとの界面が剥離する虞がさらに低減される場合がある。

【0032】

保護層３Ｐとパッド本体３Ｂとの界面に掛かり得る応力を、さらに効果的に絶縁層２へと分散させる観点から、保護層３Ｐと絶縁層２との接触面積は拡大され得る。図５には、パッド本体３Ｂのノッチ部Ｎの近傍において、保護層３Ｐの絶縁層２との接触部が、平面視における導体パッド３ａの外側へ向かって拡張（膨張）する、拡張部ＥＸが形成されている例が示される。

【0033】

拡張部ＥＸは、保護層３Ｐの形成において、パッド本体３Ｂのノッチ部近傍における、めっき析出用の触媒の付与状態の調整によって、形成され得る。拡張部ＥＸが形成されていることによって、導体パッド３ａと絶縁層２との接触面積が増大する。特に、パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面と連続する、保護層３Ｐと絶縁層２との界面の面積が拡張され得る。従って、上述した、パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面に掛かり得る応力が、さらに効果的に、絶縁層２に分散され得ると考えられる。パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとの界面の剥離は、より効果的に抑制されると考えられる。

【0034】

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図６Ａ～図６Ｆを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法の一例が概説される。

【0035】

図６Ａに示されるように、コア基板１０が用意され、コア基板１０の一面１０ａ側に絶縁層２１が積層され、その絶縁層２１上に導体層３１が形成される。同様に、コア基板１０の他面１０ｂ側に、絶縁層２２が積層され、その絶縁層２２上に導体層３２が形成される。そしてコア基板１０の両面において、各絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返され、コア基板１０の一面１０ａ側及び他面１０ｂ側に、最表層の絶縁層２３及び最表層の絶縁層２が形成される。

【0036】

コア基板１０の用意では、例えば、絶縁層２０を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層３１、３２を絶縁層２０の両面に形成すると共にスルーホール導体２０ｃを絶縁層２０内に形成することによってコア基板１０が用意される。絶縁層２１、２２、及び、絶縁層２１又は絶縁層２２上の導体層３１、３２は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層は、フィルム上のエポキシ樹脂を、コア基板１０又は先に形成されている各絶縁層及び各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成及びパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア導体２ｖが各絶縁層内に形成され得る。

【0037】

次いで図６Ｂに示されるように、導体層３、３３が絶縁層上に形成される。導体層３、３３は、導体層３１、３２と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。絶縁層２の表面２ａ上、及びレーザー光の照射などによって形成された絶縁層２の貫通孔内に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜が形成される。コア基板１０の一面１０ａ側の絶縁層２３上にも同様に金属膜が形成される。絶縁層２に形成された金属膜上への、パッド本体３Ｂが形成されるべき位置に対応する開口パターンが形成されためっきレジストの形成、及び、開口内へのめっき膜の形成、並びに、めっきレジスト剥離後の金属膜の除去により、パッド本体３Ｂが形成される。絶縁層２３上でも同様の工程で、導体パッド３３ａが形成される。

【0038】

図６Ｃには、図６Ｂにおけるパッド本体３Ｂの周縁部であるＣ部の、パッド本体３Ｂの形成において、めっきレジストが剥離された後、金属膜３０ａがエッチングにより除去される前の状態における拡大図が示されている。上述しためっきレジスト剥離後に露出する金属膜３０ａは、強塩基溶液を使用するクイックエッチングにより除去され得る。このエッチングにおいては、エッチング液の回り込みの差異により、パッド本体３０Ｂを構成するめっき膜３０ｂの上面と金属膜３０ａの側面とが接する隅部において、局所的に速度の大きいエッチングが実現され得る。その結果、図６Ｄに示されるように、めっき膜３０ｂの直下に位置する金属膜３０ａが楔状にエッチングされ得る。また、図示されるように、エッチングにおいてめっき膜３０ｂの金属膜３０ａとの接触部近傍も部分的にエッチングされる場合がある。周縁部にノッチ部Ｎを有するパッド本体３Ｂが形成される。

【0039】

次いで、図６Ｅに示されるように、ソルダーレジスト層４０が絶縁層２３及び導体層３３上に形成され、ソルダーレジスト層４が絶縁層２及び導体層３上に形成される。ソルダーレジスト層４、４０それぞれには、開口４ａ又は開口４０ａが設けられる。ソルダーレジスト層４、４０は、それぞれ、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、開口４ａ、４０ａが、それぞれ形成される。開口４ａからは、パッド本体３Ｂが完全に露出する。開口４０ａからは、導体層３３の一部が露出する。

【0040】

次いで、配線基板１の表面に露出するパッド本体３Ｂの表面に保護層３Ｐが形成される。パッド本体３Ｂの周縁部の拡大図である図６Ｆに示されるように、開口４ａ内に露出するパッド本体３Ｂの表面に保護層３Ｐが形成される。先ず、例えば、ニッケル化合物及びヒドラジンなどを含む無電解ニッケルめっき液が用いられ、無電解ニッケルめっき層が下層３ｐ１としてパッド本体３Ｂの露出面全体を被覆するように形成される。保護層３Ｐを構成する下層３ｐ１はパッド本体３Ｂのノッチ部Ｎを完全に充填するように形成される。なお、下層３ｐ１の析出に先立って、パラジウムなどのめっき析出用の触媒が、ノッチ部Ｎ近傍の絶縁層２の上面に付与され得る。

【0041】

続いて、下層３ｐ１の表面に、中間層３ｐ２として無電解パラジウムめっき層が形成される。例えば、パラジウム化合物及び次亜リン酸化合物などを含む還元型無電解パラジウムめっき液を使用して、無電解パラジウムめっき層が形成される。続いて、中間層３ｐ２上に、上層３ｐ３として、例えば無電解金めっき層が形成される。例えば、金化合物及びヘキサメチレンテトラミンなどを含む還元型無電解金メッキ液を使用して、無電解金メッキ層が形成される。パッド本体３Ｂと保護層３Ｐとによって構成される導体パッド３ａの形成が完了する。下層３ｐ１、中間層３ｐ２、上層３ｐ３夫々の層厚は、めっき液の濃度、温度、浸漬時間などによって調整され得る。パッド本体３Ｂ表面への保護層３Ｐの形成と同時に、配線基板１において導体パッド３ａと反対側に露出する導体パッド３３ａの表面にも保護膜が形成されてよい。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

【0042】

なお、図５に示される形態の、拡張部ＥＸを有する保護層３Ｐが形成される場合には、下層３ｐ１形成時の、ノッチ部Ｎ近傍の絶縁層２の上面へのめっき析出用の触媒の付与状態、及び、下層３ｐ１を析出させる無電解めっきにおける、めっき液の濃度、温度、浸漬時間などの調整によって、平面方向に拡張する下層３ｐ１が形成され得る。

【0043】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は所謂両面基板であってもよく、片面基板であってもよい。縁部において下層の絶縁層の表面から離間する導体パッドのパッド本体は、配線基板の両方の表面に設けられていてもよく、いずれか一方の表面だけに設けられていてもよい。ソルダーレジスト層４は、開口４ａ内に導体パッド３ａの全体を露出させながら、導体層３における導体パッド３ａ以外の部分を覆っていてもよい。

【符号の説明】

【0044】

１ 配線基板
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ 上面
３ 導体層（第１導体層）
３ａ 導体パッド（第１導体パッド）
３Ｂ パッド本体
３Ｐ 保護層
３ｐ１ 下層
３ｐ２ 中間層
３ｐ３ 上層
４、４０ ソルダーレジスト層
４ａ、４０ａ 開口
１１ 第１面
１２ 第２面
３０ａ 金属膜
３０ｂ めっき膜
２０、２１、２２、２３ 絶縁層
３１、３２、３３ 導体層
Ｅ２ 外部要素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】