特開 2023-38701 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023038701

(43)【公開日】2023-03-17

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20230310BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230310BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 N

H05K3/46 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021145563

(22)【出願日】2021-09-07

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石田 敦

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB04

5E316BB06

5E316BB11

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH06

5E316HH08

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB13

5E338CC05

5E338CD02

5E338CD13

5E338EE11

5E338EE60

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、並列する複数の配線パターン１ａを含む第１導体層１１と、第１導体層１１を覆う第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１における第１導体層１１側と反対側に形成されている第２導体層１２と、を備えている。第２導体層１２は、平面視で複数の配線パターン１ａと重なる被覆部１ｂと、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間隙に向かって被覆部１ｂから突出していて第１絶縁層２１に埋設されている凸部１ｃと、を含んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

並列する複数の配線パターンを含む第１導体層と、
前記第１導体層を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層における前記第１導体層側と反対側に形成されている第２導体層と、
を備える配線基板であって、
前記第２導体層は、
平面視で前記複数の配線パターンと重なる被覆部と、
前記複数の配線パターンを構成する配線パターン同士の間隙に向かって前記被覆部から突出していて前記第１絶縁層に埋設されている凸部と、
を含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体層全体が前記第１絶縁層に埋設されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記被覆部からの前記凸部の突出量は、前記複数の配線パターンと前記被覆部との間隔よりも大きい。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記凸部の先端が、前記複数の配線パターンを構成する配線パターン同士の間に挿入されている。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記凸部は、前記第１導体層に向かって先細りするテーパー形状を有している。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体を含み、
前記ビア導体は、前記被覆部及び前記凸部と一体的に形成されている。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記被覆部及び前記凸部は、前記複数の配線パターンそれぞれを遮蔽するシールドを構成する。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記被覆部及び前記凸部は、前記配線基板の使用時にＧＮＤ電位を有するべき導体である。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体層における前記第２導体層側と反対側に、前記第１導体層及び前記第１絶縁層と接している第２絶縁層を備えており、
前記第１絶縁層は光硬化性の樹脂を含み、
前記第２絶縁層は熱硬化性の樹脂を含んでいる。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体層における前記第２導体層側と反対側に、第２絶縁層を介して第３導体層を備えており、
前記第３導体層は、平面視で前記複数の配線パターンと重なっていて前記被覆部と電気的に接続されている導体パターンを含んでいる。

【請求項11】

並列する複数の配線パターンを含む第１導体層を形成することと、
前記第１導体層を覆う第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層における前記第１導体層側と反対側の表面に溝を形成することと、
前記第１絶縁層の前記表面に、前記複数の配線パターンと平面視で重なる面状パターンを含む第２導体層を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記溝は、前記複数の配線パターンを構成する配線パターン同士の間隙へと窪むように形成され、
前記第２導体層を形成することは、前記溝を導電体で充填することによって、前記面状パターンから前記間隙に向かって前記第１絶縁層内に突出する突起を形成することを含んでいる。

【請求項12】

請求項１１記載の配線基板の製造方法であって、
前記溝を形成することは、前記溝を底面に有する凹部を前記第１絶縁層の前記表面に形成することを含み、
前記第２導体層を形成することは、前記凹部を導電体で充填することによって前記面状パターンを形成することを含んでいる。

【請求項13】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２導体層を形成することは前記第１絶縁層の前記表面を覆うことを含み、
前記配線基板の製造方法は、さらに、前記第２導体層を研磨することによって前記第１絶縁層の前記表面を露出させることを含んでいる。

【請求項14】

請求項１３記載の配線基板の製造方法であって
前記第２導体層を研磨することは、前記第２導体層に含まれる前記面状パターン以外の導体パターンと前記面状パターンとを電気的に分離することを含んでいる。

【請求項15】

請求項１１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第１導体層の一部を前記第１絶縁層から露出させる貫通孔を前記第１絶縁層に形成することを含み、
前記第２導体層を形成することは、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体を前記貫通孔の内部に形成することを含んでいる。

【請求項16】

請求項１１記載の配線基板の製造方法であって、
前記溝を形成することは、前記溝に対応する突出部を有する金型を、前記第１絶縁層の前記表面に押し付けることを含んでいる。

【請求項17】

請求項１６記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記突起の形成の前に、前記溝の内面を削ることを含んでいる。

【請求項18】

請求項１６記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１絶縁層を形成することは、光硬化性樹脂で前記第１導体層を覆うことを含み、
前記溝を形成することは、前記金型を介して前記光硬化性樹脂に光を照射することを含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁体層の一方の面に信号配線層を備えるプリント配線板が開示されている。信号配線層には、差動信号配線対と他の信号配線とが形成されており、さらに、差動信号配線対と他の信号配線との間に二本の接地配線が配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－１２３５２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の方法では、差動信号配線同士の間、及び、各信号配線と接地配線との間で短絡不良が生じたり、その短絡不良に対する懸念が、配線の高密度化及びプリント配線板の小型化を妨げたりすることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、並列する複数の配線パターンを含む第１導体層と、前記第１導体層を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層における前記第１導体層側と反対側に形成されている第２導体層と、を備えている。そして、前記第２導体層は、平面視で前記複数の配線パターンと重なる被覆部と、前記複数の配線パターンを構成する配線パターン同士の間隙に向かって前記被覆部から突出していて前記第１絶縁層に埋設されている凸部と、を含んでいる。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、並列する複数の配線パターンを含む第１導体層を形成することと、前記第１導体層を覆う第１絶縁層を形成することと、前記第１絶縁層における前記第１導体層側と反対側の表面に溝を形成することと、前記第１絶縁層の前記表面に、前記複数の配線パターンと平面視で重なる面状パターンを含む第２導体層を形成することと、を含んでいる。そして、前記溝は、前記複数の配線パターンを構成する配線パターン同士の間隙へと窪むように形成され、前記第２導体層を形成することは、前記溝を導電体で充填することによって、前記面状パターンから前記間隙に向かって前記第１絶縁層内に突出する突起を形成することを含んでいる。

【0007】

本発明の実施形態によれば、良好な品質で信号が伝送される配線パターンを、短絡不良を抑制しながら高密度に配置し得ることがある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3】本発明の一実施形態における複数の配線パターンと凸部との配置例を示す平面図。

【図4】本発明の一実施形態における凸部の他の例を示す断面図。

【図5】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図7】本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図8A】本発明の他の実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図8B】本発明の他の実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、図１のII部の拡大図である。図３には、図１の例の複数の配線パターン１ａ及び導体層１２の凸部１ｃが、図２のIII－III線を通る切断面での断面図において示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２における第１面３ａ側の表面及び第２面３ｂ側の表面それぞれに形成されている導体層３１ａ及び導体層３１ｂとを含んでいる。絶縁層３２には、絶縁層３２を貫通して導体層３１ａと導体層３１ｂとを接続するスルーホール導体３３が設けられている。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に、絶縁層（第２絶縁層）２２、導体層（第１導体層）１１、絶縁層（第１絶縁層）２１、及び導体層（第２導体層）１２を備えている。導体層１１は絶縁層２２の表面２２ａ上に形成されている。絶縁層２１は絶縁層２２及び導体層１１の上に積層されており、絶縁層２２及び導体層１１を覆っている。導体層１２は、絶縁層２１における絶縁層２２及び導体層１１側と反対側に形成されている。一方、絶縁層２２は、表面２２ａにおいて導体層１１及び絶縁層２１と接している。すなわち配線基板１００は、導体層１１における導体層１２側と反対側に、絶縁層２２を備えると共に、絶縁層２２を導体層１１との間に介して導体層３１ａを備えている。コア基板３の第２面３ｂ側には、２つの絶縁層２３のそれぞれと２つの導体層１３のそれぞれとが交互に積層されている。

【0013】

導体層１２及び絶縁層２１の上にはソルダーレジスト５が形成されている。それぞれ外側の導体層１３及び絶縁層２３の上にもソルダーレジスト５が形成されている。各ソルダーレジスト５には、導体層１２の一部又は導体層１３の一部を露出させる開口が設けられている。ソルダーレジスト５は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

【0014】

配線基板１００は、さらに、各絶縁層を介して隣接する導体層同士をそれぞれ接続するビア導体４１～４３を備えている。ビア導体４１は、絶縁層２１を貫通して導体層１１と導体層１２とを接続している。ビア導体４２は、絶縁層２２を貫通して導体層１１と導体層３１ａとを接続している。ビア導体４３は、絶縁層２３を貫通して、導体層１３同士を接続するか、導体層１３と導体層３１ｂとを接続している。

【0015】

絶縁層２１～２３及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

【0016】

絶縁層２１～２３は、先に例示の熱硬化性樹脂の他に、光硬化性の樹脂によって形成されていてもよい。特に絶縁層２１は、後述されるように、光硬化性樹脂を含んでいてもよい。絶縁層２１が光硬化性樹脂を含んでいる場合に絶縁層２２が熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。

【0017】

導体層１１～１３及び導体層３１ａ、３１ｂ、並びに、スルーホール導体３３及びビア導体４１～４３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。これら各導体層、並びに、スルーホール導体３３及び各ビア導体は、図１では簡略化されて一層で描かれているが、２以上の膜体を含む多層構造を有し得る。例えば、導体層３１ａ、３１ｂは、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜からなる３層構造を有し得る。また導体層１１～１３、スルーホール導体３３、及びビア導体４１～４３それぞれも、例えば３層構造や、図２に示されるように２層構造を有し得る。図１の例では、ビア導体４１は導体層１２と一体的に形成されており、ビア導体４２は導体層１１と一体的に形成されている。同様に、各ビア導体４３は各導体層１３と一体的に形成されており、スルーホール導体３３は導体層３１ａ及び導体層３１ｂと一体的に形成されている。

【0018】

導体層１１～１３、及び導体層３１ａ、３１ｂは、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。図１～図３に示されるように、導体層１１は、少なくとも、並列する複数の配線パターン１ａを含んでいる。複数の配線パターン１ａに含まれる各配線パターンは、互いの間に間隔を空けて配置されていて互いに略平行に延びている。

【0019】

一方、導体層１２は、平面視で導体層１１の複数の配線パターン１ａと重なる被覆部１ｂを含んでいる。被覆部１ｂは、絶縁層２１における導体層１２側の表面２１ａを含む平面に沿って広がっている。従って、被覆部１ｂは、絶縁層２１の表面２１ａと略平行に、複数の配線パターン１ａを覆うように四方に広がっている。すなわち、被覆部１ｂは、一定の大きさの面積、好ましくは、複数の配線パターン１ａが配置されている領域よりも大きな面積を有するように設けられている。そのため、被覆部１ｂが有する導体抵抗は、比較的低く、例えば各配線パターン１ａなどの他の導体パターンが有する導体抵抗よりも低いと推察される。従って被覆部１ｂは、低インピーダンスで電位変動の少ない良好なＧＮＤプレーン又は電源プレーンとして機能すると考えられる。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。

【0020】

図１～図３の例では導体層１２全体が絶縁層２１に埋設されている。従って被覆部１ｂも絶縁層２１に埋設されている。図１～図３の例において被覆部１ｂにおける導体層１１と反対側の表面（すなわち導体層１２における導体層１１と反対側の表面）は、絶縁層２１の表面２１ａと略面一である。

【0021】

導体層１２は、さらに、被覆部１ｂから突出していて絶縁層２１に埋設されている凸部１ｃを含んでいる。図１～図３の例の導体層１２は複数の凸部１ｃを含んでいる。凸部１ｃは、被覆部１ｂから導体層１１に向かって延びている。具体的には、各凸部１ｃは、図１及び図２に示されるように、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間隙に向かって延びている。また図３に示されるように、複数の凸部１ｃは平面視において並列している。すなわち各凸部１ｃは、被覆部１ｂに沿って、且つ複数の配線パターン１ａを構成する各配線パターンに沿って延びている。また各凸部１ｃは、互いの間に間隔を空けて配置されていて互いに略平行に延びている。

【0022】

このように本実施形態では、導体層１１の上に絶縁層２１を介して形成されている導体層１２が、導体層１１に含まれる複数の配線パターン１ａの各配線パターン同士の間の部分に延びている凸部１ｃを含んでいる。凸部１ｃは複数の配線パターン１ａを覆っている導体層１２の被覆部１ｂと接続している。被覆部１ｂは、前述したように一定の面積を有するように広がっているので比較的低いインピーダンス及び安定した電位を有し得る。従って被覆部１ｂは、導体層１２側の外部から伝播してくる電磁波から複数の配線パターン１ａを遮蔽する電磁シールドとして機能し得る。すなわち、被覆部１ｂによって複数の配線パターン１ａそれぞれにおけるノイズが抑制される。

【0023】

さらに、凸部１ｃが複数の配線パターン１ａそれぞれの間に向けて延びているため、各凸部１ｃが、複数の配線パターン１ａのうちの隣接する配線パターン同士の間に電磁的に介在する。そのため、低インピーダンスの被覆部１ｂに接続されている各凸部１ｃは、複数の配線パターン１ａのうちの隣接する配線パターン同士の間の電磁シールドとして機能すると考えられる。

【0024】

このように本実施形態では、導体層１２の被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、導体層１１の複数の配線パターン１ａそれぞれを、その周囲の電磁界から遮蔽し得る。すなわち、被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、複数の配線パターン１ａそれぞれを遮蔽する電磁シールドを構成し得る。従って、本実施形態では、複数の配線パターン１ａそれぞれにおいて、外来の電磁波（外来ノイズ）によるノイズの生起が抑制されると考えられる。また、複数の配線パターン１ａそれぞれにおいて、隣接する配線パターンが生成する電磁界によるノイズの生起も抑制されると考えられる。複数の配線パターン１ａそれぞれにおいて、良好な品質で信号が伝送されると考えられる。

【0025】

加えて本実施形態では、複数の配線パターン１ａそれぞれの間の電磁シールドとして機能する凸部１ｃは、複数の配線パターン１ａを含む導体層１１に含まれずに、導体層１２に形成されている。すなわち、凸部１ｃ及び複数の配線パターン１ａは、互いに異なる導体層に形成されている。

【0026】

例えば前述した特許文献１の開示のように信号配線と接地配線とが同一の導体層（信号配線層）に形成されると、その導体層の形成において信号配線と接地配線とが分離される際に両配線間にめっき膜などの導電体が残って短絡不良が生じることがある。例えば電界めっきによる信号配線及び接地配線の形成時に給電層として用いられた金属膜（シード層）がエッチングにより除去される際に、その金属膜が完全に除去されずに残ることがある。そして、このような導電体の残存による短絡不良のリスク回避のために、信号配線と接地配線との狭ピッチ化による配線の高密度化が制限されたり、その結果配線基板の小型化が制限されたりすることがある。

【0027】

これに対して本実施形態では、前述したように、複数の配線パターン１ａそれぞれに対するシールドとなり得る凸部１ｃと、各凸部１ｃによって遮蔽され得る複数の配線パターン１ａとは、互いに異なる導体層に形成されている。従って、各配線パターン１ａと各凸部１ｃとの間で、導電体の残存などによる短絡不良は生じ難いと考えられる。そのため、平面視において、複数の配線パターン１ａそれぞれと複数の凸部１ｃそれぞれとを、例えば、特許文献１の信号配線と接地配線との間隔よりも、平面視において近接させて配置できることがある。配線の高密度化が実現され、配線基板の小型化が促進されることがある。

【0028】

前述したように電磁シールドを構成し得る導体層１２の被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、好ましくは、電源のような安定電位の供給源の出力や、ＧＮＤ（接地）電極などに接続される。すなわち被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、例えば配線基板１００の使用時に電源電位を有するべき導体であってもよい。被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、特に好ましくはＧＮＤ電極に接続される。従って被覆部１ｂ及び凸部１ｃは、配線基板１００の使用時にＧＮＤ電位を有するべき導体であってもよい。さらに、導体層１２全体が、配線基板１００の使用時にＧＮＤ電位を有するべき導体であってもよい。

【0029】

図１及び図２に示されるように、導体層１１と導体層１２とはビア導体４１によって接続されている。ビア導体４１は複数の凸部１ｃが配置されている領域の両側にも設けられている。複数の凸部１ｃの両側に設けられているビア導体４１は、被覆部１ｂに接続されており、被覆部１ｂと導体層１１の導体パッド１１ａとを接続している。導体パッド１１ａは、絶縁層２２を貫通するビア導体４２の所謂ビアパッドであって、ビア導体４２によって導体層３１ａと接続されている。

【0030】

複数の凸部１ｃの両側に設けられているビア導体４１は、被覆部１ｂ及び凸部１ｃと一体的に形成されている。そのため、被覆部１ｂが導体層１１及び導体層３１ａを介して電源の出力やＧＮＤ電極（図示せず）などに接続される場合、被覆部１ｂ及び凸部１ｃから電源の出力やＧＮＤ電極までが小さな導体抵抗を有する経路で結ばれる。従って、被覆部１ｂや凸部１ｃが良好な電磁シールドを形成し得ると考えられる。

【0031】

さらに図１及び図２の例では、導体層３１ａは、平面視で複数の配線パターン１ａと重なっている導体パターン３１０を含んでいる。導体パターン３１０も、被覆部１ｂと同様に、一定の大きさの面積、好ましくは、複数の配線パターン１ａが配置されている領域よりも大きな面積を有するように設けられている。そのため、導体パターン３１０も、低インピーダンスで電位変動の少ない良好なＧＮＤプレーン又は電源プレーンとして機能すると考えられる。すなわち導体パターン３１０は、導体層３１ａよりも絶縁層３２側で生じる電磁界の変化から複数の配線パターン１ａを遮蔽する電磁シールドとして機能し得る。

【0032】

しかも、図１及び図２の例の導体パターン３１０は、ビア導体４２、導体パッド１１ａ、及びビア導体４１を介して被覆部１ｂと電気的に接続されている。すなわち、複数の配線パターン１ａ全体が、電気的に接続された導電体で囲まれるか、少なくとも挟まれている。従って、複数の配線パターン１ａにおけるノイズの生起が一層抑制されると考えられる。

【0033】

図２に示されるように、複数の配線パターン１ａを含む導体層１１、並びに、被覆部１ｂ及び凸部１ｃを含む導体層１２は、２層構造を有していて、それぞれ金属膜１０ａ及び金属膜１０ａ上に形成されためっき膜１０ｂを含んでいる。めっき膜１０ｂは例えば電解めっき膜である。金属膜１０ａは、めっき膜１０ｂが電解めっきによって形成されるときに給電層として用いられる無電解めっき膜又はスパッタリング膜などの膜体である。導体層１２の被覆部１ｂは、絶縁層２１の表面２１ａに形成されている凹部１ｂｂ内に形成されている。各凸部１ｃは、凹部１ｂｂの底面に形成されている溝１ｄ内に形成されている。金属膜１０ａが、凹部１ｂｂ及び溝１ｄの内壁面及び底面に沿って形成されており、凹部１ｂｂ及び溝１ｄの内部のうちの金属膜１０ａに占められていない領域がめっき膜１０ｂで充填されている。

【0034】

図２の例において、導体層１２の被覆部１ｂからの凸部１ｃの突出量Ｅは、複数の配線パターン１ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇよりも大きく、従って被覆部１ｂと複数の配線パターン１ａそれぞれとの間の絶縁層２１の厚さよりも大きい。すなわち、被覆部１ｂにおける導体層１１側の表面と凸部１ｃの先端との距離（配線基板１００の厚さ方向に沿う凸部１ｃの長さ）は、被覆部１ｂと複数の配線パターン１ａそれぞれとの距離よりも長い。そのため、凸部１ｃの先端が、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間に挿入されている。その結果、複数の配線パターン１ａのうちの隣接する配線パターン同士が対向している空間においても、各凸部１ｃが少なくとも部分的に介在している。すなわち、平面視だけでなく図１及び図２のような断面図においても、複数の配線パターン１ａのうちの隣接する配線パターン同士の間に各凸部１ｃが介在している。従って、各凸部１ｃによる複数の配線パターン１ａそれぞれへの高いシールド効果が得られると考えられる。

【0035】

また図１及び図２の例では、導体層１２の凸部１ｃは、被覆部１ｂ側よりも複数の配線パターン１ａ側において小さい幅Ｗを有している。すなわち、凸部１ｃは、導体層１２側から導体層１１側に向かって先細りするテーパー形状を有している。そのため、凸部１ｃの位置がずれても、凸部１ｃと配線パターン１ａとが接触し難く短絡不良が生じ難いと考えられる。

【0036】

導体層１２の凸部１ｃの突出量Ｅは、被覆部１ｂと、複数の配線パターン１ａ及び絶縁層２２の表面２２ａとの間隔に応じた任意の大きさを有し得る。例えば、凸部１ｃの突出量Ｅは、複数の配線パターン１ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇよりも大きく、絶縁層２２の表面２２ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇ１の９０％以下であってもよい。また、凸部１ｃが複数の配線パターン１ａの表面よりも絶縁層２２側に入り込んでいる部分の長さＤは、例えば、複数の配線パターン１ａの厚さの８０％以下である。長さＤは、複数の配線パターン１ａの厚さの４０％以上、８０％以下であってもよい。複数の配線パターン１ａへのシールド作用を有する凸部１ｃの形成が容易であると考えられる。

【0037】

また、凸部１ｃにおける導体層１１側の先端部の幅Ｗは、複数の配線パターン１ａそれぞれ同士の間隔の３０％以上、７０％以下であってもよい。複数の配線パターン１ａへのシールド作用を有する凸部１ｃと配線パターン１ａとの短絡不良が生じ難いと考えられる。

【0038】

図３に示されるように、平面視において、複数の配線パターン１ａと複数の凸部１ｃとは、並列していて同一方向（Ｙ方向）に沿って延びている。そして、複数の配線パターン１ａのそれぞれと複数の凸部１ｃのそれぞれとは、平面視における所定の方向（Ｙ方向と直交するＸ方向）において交互に配置されている。すなわち、複数の配線パターン１ａの全ての隣接する配線パターンが、互いの間に少なくとも複数の凸部１ｃそれぞれの幅以上の間隔を空けて配置される。従って、複数の配線パターン１ａの全ての隣接する配線パターン間で短絡不良が生じ難いと考えられる。

【0039】

また、全ての隣接する配線パターン１ａ同士の間に複数の凸部１ｃそれぞれが介在しているので、複数の配線パターン１ａの全ての配線パターンにおいて、複数の凸部１ｃそれぞれによる隣接する配線パターンからのシールド作用が得られると考えられる。加えて、Ｙ方向において、複数の凸部１ｃそれぞれの長さは複数の配線パターン１ａそれぞれの長さよりも長く、複数の凸部１ｃそれぞれのＹ方向における両端は、複数の配線パターン１ａそれぞれのＹ方向における両端よりも突出している。従って、各配線パターン１ａのためのシールドとして各凸部１ｃが有効に作用すると考えられる。

【0040】

前述したように、図１～図３の例では、凸部１ｃの先端が、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間に挿入されている。しかし、実施形態の配線基板では、凸部１ｃの先端は、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間に必ずしも挿入されない。

【0041】

例えば図４に示される複数の凸部１ｃの他の例（凸部１ｃａ及び凸部１ｃｂ）のように、被覆部１ｂからの複数の凸部１ｃの突出量Ｅ１、Ｅ２は、複数の配線パターン１ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇと略同じでもよく、間隔Ｇよりも短くてもよい。図４の例では、凸部１ｃａの突出量Ｅ１は、複数の配線パターン１ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇと略同じである。また、凸部１ｃｂの突出量Ｅ２は、複数の配線パターン１ａと被覆部１ｂとの間隔Ｇよりも小さい。従って、凸部１ｃａ及び凸部１ｃｂの先端は、いずれも、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間に挿入されていない。

【0042】

しかし、図４の例の凸部１ｃａ及び凸部１ｃｂも、複数の配線パターン１ａそれぞれが形成する磁界に関与し得る。そのため複数の配線パターン１ａそれぞれにおいて、凸部１ｃａ及び凸部１ｃｂが設けられていないときと比べて、隣接する配線パターンがもたらす磁界の変化が影響し難いことがある。すなわち凸部１ｃａ及び／又は凸部１ｃｂのシールド作用が得られることがある。従って、本実施形態の配線基板では、凸部１ｃの先端は、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間に挿入されていなくてもよい。

【0043】

図５には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１０１が示されている。配線基板１０１では、被覆部１ｂ及び凸部１ｃを含む導体層１２、及び絶縁層２１の上に、さらに絶縁層２４が積層されている。そして絶縁層２４の上に導体層１４が形成され、絶縁層２４及び導体層１４を覆うソルダーレジスト５が形成されている。絶縁層２４には、絶縁層２４を貫通して導体層１２と導体層１４とを接続するビア導体４４が形成されている。被覆部１ｂは配線基板１０１の最外層の導体層である導体層１４とビア導体４４によって接続されている。なお、コア基板３の第２面３ｂ側では、３つの導体層１３と３つの絶縁層２３のそれぞれとが交互に積層されている。図５の例のように、実施形態の配線基板において被覆部１ｂ及び凸部１ｃを含む導体層（第２導体層）１２は、実施形態の配線基板の最外層の導体層ではなく、内層の導体層であってもよい。

【0044】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ～図６Ｆを参照して説明される。

【0045】

図６Ａに示されるように、コア基板３が用意される。例えば、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意される。そして、貫通孔の形成及びパネルめっきに続くサブトラクティブ法を用いたパターニングによって、所望の導体パターンを有する導体層（第３導体層）３１ａ及び導体層３１ｂと、スルーホール導体３３とが形成される。図６Ａの例では、導体層３１ａは、後工程で導体層（第１導体層）１１に形成される複数の配線パターン１ａと平面視で重なる導体パターン３１０を有するように形成される。

【0046】

そして、コア基板３の第１面３ａ上に絶縁層（第２絶縁層）２２が形成され、第２面３ｂ上に絶縁層２３が形成される。絶縁層２２及び絶縁層２３の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、絶縁層２２及び絶縁層２３が形成される。フェノール樹脂やＢＴ樹脂などのエポキシ樹脂以外の任意の樹脂を積層することによって絶縁層２２及び絶縁層２３が形成されてもよい。各絶縁層には、ビア導体４２又はビア導体４３を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0047】

そして絶縁層２２の表面２２ａの上に導体層１１が形成される。絶縁層２３の上には導体層１３が形成される。導体層１１は、並列する複数の配線パターン１ａを含むように形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、並列する複数の配線パターン１ａを含む導体層（第１導体層）１１を形成することを含んでいる。

【0048】

導体層１１及び導体層１３は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、導体層１１及び導体層１３それぞれの下地となる絶縁層２２及び絶縁層２３の表面、及び貫通孔４ａ内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。導体層１１の形成時のパターンめっきには、複数の配線パターン１ａや導体パッド１１ａ、１１ｂなどに対応する開口を有するめっきレジストが用いられる。

【0049】

その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、少なくとも配線パターン１ａを含む導体層１１及び所定の導体パターンを含む導体層１３が形成される。貫通孔４ａ内にはビア導体４２又はビア導体４３が形成される。図６Ａの例では、導体層１１は、導体パッド１１ａ、１１ｂも含むように形成されている。導体パッド１１ａ、１１ｂは、ビア導体４２のビアパッドである。導体層１１及び導体層１３、並びに各ビア導体は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。

【0050】

図６Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、導体層１１を覆う絶縁層（第１絶縁層）２１を形成することを含んでいる。図６Ｂの例では、コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに、導体層１３を覆う絶縁層２３が形成されている。しかし、導体層１３を覆う絶縁層２３は、コア基板３の第１面３ａ側への導体層１２（図６Ｆ参照）の形成後に形成されてもよい。

【0051】

絶縁層２１、及び導体層１３上に形成される絶縁層２３は、前述した絶縁層２２の形成方法と同様に、例えば、フィルム状若しくはシート状に成形されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の積層及び熱圧着によって形成されてもよい。しかし、絶縁層２１は、光硬化性樹脂を絶縁層２２及び導体層１１上に積層することによって形成されてもよい。すなわち、絶縁層２１を形成することは、光硬化性樹脂で導体層１１を覆うことを含んでいてもよい。

【0052】

光硬化性樹脂としては、例えば、光によって重合体自体に化学的又は構造的な変化が生じる、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、及びアクリル樹脂などが例示される。また光硬化性樹脂は、光増感剤などの添加によって感光性を付加されたエポキシ樹脂やＢＴ樹脂であってもよい。光硬化性樹脂は、例えば、半硬化状態でシート状若しくはフィルム状に成形された上で、絶縁層２２及び導体層１１の上に積層される。或いは、液状の光感光性樹脂が、絶縁層２２及び導体層１１上に塗布されて半硬化状態まで硬化されてもよい。図６Ｃ及び図６Ｄには、光硬化性樹脂が絶縁層２１に用いられている例が示されている。

【0053】

図６Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、絶縁層２１における導体層１１側と反対側の表面２１ａに溝１ｄを形成することを含んでいる。図６Ｃの例では、平面視で並列する複数の溝１ｄが形成されている。溝１ｄは、導体層１１の複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間隙へと窪むように形成される。溝１ｄは、複数の配線パターン１ａと平面視で略平行に形成される。

【0054】

図６Ｃの例では、複数の溝１ｄと共に、凹部１ｂｂが絶縁層２１の表面２１ａに形成されている。溝１ｄは、具体的には凹部１ｂｂの底面１ｂｃに形成されている。このように本実施形態の配線基板の製造方法において溝１ｄを形成することは、溝１ｄを底面１ｂｃに有する凹部１ｂｂを絶縁層２１の表面２１ａに形成することを含んでいてもよい。底面１ｂｃに複数の溝１ｄを有する凹部１ｂｂは、複数の配線パターン１ａと平面視で重なるように形成される。図６Ｃの例では、凹部１ｂｂは、導体層１１の導体パッド１１ａとも平面視で重なるように形成されている。

【0055】

さらに、図６Ｃの例の絶縁層２１の表面２１ａには、凹部１ｂｂ以外にも、凹部４０が設けられており、凹部４０の一部は、導体層１１の導体パッド１１ｂと平面視で重なるように形成されている。導体パッド１１ｂと重なる凹部４０の底面には窪み４０ａが形成されている。凹部１ｂｂの底面１ｂｃにおける導体パッド１１ａと重なる領域にも窪み４０ａが形成されている。

【0056】

複数の溝１ｄ、凹部１ｂｂ、凹部４０、及び窪み４０ａは、任意の方法で形成され得る。例えば図６Ｃに示されるように、各溝１ｄ、凹部１ｂｂ、凹部４０、及び窪み４０ａに対応する突出部Ｍ１を有する金型Ｍで半硬化状態の絶縁層２１を押圧することによって、複数の溝１ｄが形成されてもよい。すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法において溝１ｄを形成することは、溝１ｄに対応する突出部Ｍ１を有する金型Ｍを絶縁層２１の表面２１ａに押し付けることを含んでいてもよい。突出部Ｍ１を絶縁層２１内にめり込ませることによって、各溝１ｄ、凹部１ｂｂ、凹部４０、及び窪み４０ａが絶縁層２１の表面２１ａに形成される。

【0057】

光硬化性樹脂が絶縁層２１に用いられている場合は、金型Ｍの押圧の後、例えば、紫外光などの適切な波長の光が絶縁層２１に照射される。絶縁層２１への光の照射は、金型Ｍを絶縁層２１から離間させてから行われてもよく、絶縁層２１に金型Ｍを押し当てた状態で行われてもよい。すなわち、金型Ｍ越しに、絶縁層２１の光硬化性樹脂に光が照射されてもよい。その場合、金型Ｍの突出部Ｍ１の形状に忠実な各溝１ｄ、凹部１ｂｂ、凹部４０、及び窪み４０ａが形成されると考えられる。このように本実施形態の配線基板の製造方法において溝１ｄを形成することは、金型Ｍを介して光硬化性樹脂に光を照射することを含んでいてもよい。

【0058】

金型Ｍを介して絶縁層２１に光が照射される場合、光透過性の材料を用いて形成されている金型Ｍが用いられる。金型Ｍに用いられる光透過性の材料としては、ガラス、並びに、アクリル、ポリカーボネート、及びポリスチレンなどの光透過性樹脂が例示される。

【0059】

絶縁層２１への光の照射によって、光硬化性樹脂で形成されている絶縁層２１が、本来の硬度を有するように本硬化する。金型Ｍ越しに絶縁層２１に光が照射された場合は、その照射後に金型Ｍが絶縁層２１から離間される。

【0060】

図６Ｃの例では、金型Ｍを用いて形成される複数の溝１ｄ、凹部１ｂｂ及び凹部４０は、最終的に有するべき深さよりも浅く形成されている。また、各窪み４０ａは、導体パッド１１ａ又は導体パッド１１ｂまで達しておらず、導体パッド１１ａ又は導体パッド１１ｂを露出させていない。

【0061】

そのため、図６Ｄに示されるように、各溝１ｄ、凹部１ｂｂ及び凹部４０それぞれが最終的に有するべき深さを有するまで、各溝１ｄ、凹部１ｂｂ及び凹部４０の深さが深められる。また、導体パッド１１ａ、１１ｂを露出させる貫通孔４ａが形成されるまで、各窪み４０ａ（図６Ｃ参照）の深さが深められる。例えば、各溝１ｄ、凹部１ｂｂ、凹部４０、及び各窪み４０ａの内面（内壁面及び底面）が削られる。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、導体層１１の一部である導体パッド１１ａ、１１ｂを絶縁層２１から露出させる貫通孔４ａを絶縁層２１に形成することを含み得る。また本実施形態の配線基板の製造方法は、溝１ｄの内面を削ることを含み得る。溝１ｄなどの内面は、後述される溝１ｄ内への突起（凸部１ｃ、図６Ｅ参照）の形成の前に削られる。

【0062】

溝１ｄなどが金型を用いて形成される場合、絶縁層２１のうちの溝１ｄなどの周囲の部分は圧縮されているため、残留応力によって後にクラックや変形が生じたり、めっき金属との密着性が不足したりすることがある。そのため、絶縁層２１のうちの溝１ｄなどの周囲の圧縮されている部分が除去されてもよい。そしてその結果、各溝１ｄや凹部１ｂｂなどが、金型による形成時からさらに深掘りされてもよい。各溝１ｄや凹部１ｂｂなどは、例えば、イオンエッチングなどのスパッタリングやブラスト加工によってそれぞれの深さを深められる。

【0063】

なお、複数の溝１ｄ、凹部１ｂｂ、及び凹部４０などは、先に本硬化された状態の絶縁層２１にレーザー光を照射することによって形成されてもよい。例えば、エキシマレーザーなどのＵＶレーザーが用いられてもよく、炭酸ガスレーザー、又はＹＡＧレーザーなどが用いられてもよい。これら複数種のレーザーが組み合わせて用いられてもよい。また、複数の溝１ｄ、凹部１ｂｂ、及び凹部４０などは、本硬化状態の絶縁層２１への適切な開口を有するマスクを用いたブラスト加工によって、金型を用いずに形成されてもよい。

【0064】

その後、絶縁層２１の露出面が、金属との密着強度を高めるべく粗化されてもよい。絶縁層２１の露出面の粗化は、例えば、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理によって行われる。

【0065】

図６Ｅに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁層２１の表面２１ａに導体層（第２導体層）１２を形成することを含んでいる。導体層１２は、導体層１１の複数の配線パターン１ａと平面視で重なる面状パターン（被覆部）１ｂを含むように形成される。面状パターン１ｂは、凹部１ｂｂ内に充填された導電体で形成される。このように導体層１２を形成することは、面状パターン１ｂを形成すべく、絶縁層２１の凹部１ｂｂを導電体で充填することを含み得る。

【0066】

図６Ｅに示されるように導体層１２は、さらに、溝１ｄ内に充填された導電体からなる突起（凸部）１ｃも含んでいる。すなわち導体層１２を形成することは、溝１ｄを導電体で充填することによって、面状パターン１ｂから絶縁層２１内に突出する突起１ｃを形成することを含んでいる。突起１ｃは、複数の配線パターン１ａを構成する配線パターン同士の間隙に向かって面状パターン１ｂから突出している。そのため、各突起１ｃは、複数の配線パターン１ａそれぞれの電磁シールドを構成し得る。

【0067】

図６Ｅの例では、絶縁層２１の表面２１ａの凹部４０内には導体パッド１２ａが形成されている。また貫通孔４ａの内部にビア導体４１が形成されている。ビア導体４１によって、導体層１１と導体層１２とが接続される。例えば導体層１２の面状パターン１ｂと導体層１１の導体パッド１１ａとが接続される。このように導体層１２を形成することは、さらに、導体層１１と導体層１２とを接続するビア導体４１を貫通孔４ａの内部に形成することを含んでいる。

【0068】

図６Ｅの例の導体層１２の一部は、絶縁層２１の表面２１ａに形成されている凹部１ｂｂ及び凹部４０の内部、並びに凹部１ｂｂの底面１ｂｃの溝１ｄの内部に形成されている。すなわち、一部が絶縁層２１内に埋め込まれている導体層１２が形成されている。導体層１２は、さらに絶縁層２１の表面２１ａ上にも形成されており、導体層１２は表面２１ａを覆っている。このように、導体層１２を形成することは絶縁層２１の表面２１ａを覆うことを含み得る。絶縁層２１の表面２１ａを覆うまで導体層１２が形成されるので、導体層１２の形成時に厳密な厚さの制御は求められず、容易に導体層１２が形成され得ることがある。

【0069】

導体層１２の形成では、凹部１ｂｂ、凹部４０、溝１ｄ、及び貫通孔４ａそれぞれの内面上、並びに絶縁層２１の表面２１ａ上に、無電解めっきやスパッタリングなどによって金属膜が形成され、この金属膜を給電層として用いる電解めっきによって金属膜上にめっき膜が形成される。その結果、導体層１２及びビア導体４１が形成される。図６Ｅに示されるように、導体層１２は、絶縁層２１と反対側の表面に、溝１ｄなどに応じた凹凸を備えることがある。

【0070】

図６Ｅの例のように、導体層１２が、一旦、絶縁層２１の表面２１ａ上にも形成される場合、導体層１２のうちの絶縁層２１の表面２１ａ上の部分が、図６Ｆに示されるように除去される。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）やブラスト加工によって、導体層１２における表面２１ａ上の部分が除去される。その結果、表面２１ａが露出する。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、導体層１２を研磨することによって絶縁層２１の表面２１ａを露出させることを含んでいてもよい。

【0071】

また図６Ｆの例では、表面２１ａ上の導体層１２の研磨によって、導体層１２の面状パターン１ｂと導体パッド１２ａとが物理的及び電気的に分離される。このように、本実施形態の配線基板の製造方法において導体層１２の表面を研磨することは、例えば導体パッド１２ａのような導体層１２に含まれる面状パターン１ｂ以外の導体パターンと面状パターン１ｂとを電気的に分離することを含んでいてもよい。導体層１２に所定の導電路が形成される。

【0072】

導体層１２の形成後、コア基板３の第２面３ｂ側の２つの絶縁層２３のうちの外側の絶縁層２３の上にさらに導体層１３が、例えば導体層１１などの形成方法と同様の方法で形成される。なお、前述したように、外側の絶縁層２３は、図６Ｆに示される導体層１２の形成及び研磨後に形成されてもよく、その後、その絶縁層２３の上に導体層１３が形成されてもよい。

【0073】

そして、図１に示されるように、ソルダーレジスト５が絶縁層２１及び導体層１２の上に形成される。コア基板３の第２面３ｂ側の最表層の絶縁層２３及び導体層１３の上にもソルダーレジスト５が形成される。各ソルダーレジスト５は、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状態で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、導体層１２の一部又は導体層１３の一部を露出させる開口が各ソルダーレジスト５に形成される。各ソルダーレジスト５の開口内に露出する導体層１２及び導体層１３それぞれの一部には、無電解めっきなどによるニッケル、パラジウム、金などの金属の析出や、耐熱性有機物の塗布などによって表面処理層（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１００が完成する。

【0074】

図７には、他の実施形態の配線基板の一例である配線基板１０２が示されている。配線基板１０２によって例示される実施形態は、主に導体層１２（第２導体層）の被覆部１ｂが、絶縁層２１（第１絶縁層）内に埋め込まれずにその表面２１ａ上に形成されている点で、図１の配線基板１００によって例示される一実施形態と異なる。導体層１１（第１導体層）の導体パッド１１ｂに接続されている導体パッド１２ａも絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されている。

【0075】

すなわち、導体層１２は、複数の凸部１ｃを除いて絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されている。複数の凸部１ｃだけが絶縁層２１に埋め込まれている。実施形態の配線基板では、配線基板１０２のように、凸部１ｃ以外の導体層１２の導体パターンが絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されていてもよい。実施形態の配線基板の製造が容易なことがある。なお、配線基板１０２は、被覆部１ｂなどの形成位置を除いて図１に例示の配線基板１００と同様の構成要素で構成されていて同様の構造を有している。配線基板１０２において図１に示される配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には、図１に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、繰り返しとなる説明は省略される。

【0076】

図８Ａ及び図８Ｂを参照して、図７に例示の配線基板１０２の製造方法が説明される。主に、図６Ａ～図６Ｆを参照して先に説明された一実施形態の配線基板の製造方法と異なる部分が説明される。

【0077】

先に参照された図６Ｂに示される状態まで製造工程が進められた後、図８Ａに示されるように、金型Ｍａが半硬化状態の絶縁層２１に押圧される。金型Ｍａは、絶縁層２１に形成されるべき複数の溝１ｄ及び窪み４０ａに対応する突出部Ｍａ１を有している。しかし金型Ｍａ１は、先に参照された図６Ｃに示される凹部１ｂｂ及び凹部４０に対応する形状を有していない。そのため、絶縁層２１の表面２１ａには、図６Ｃに例示の凹部１ｂｂ及び凹部４０は形成されない。例えば溝１ｄは図６Ｃに示される凹部１ｂｂの底面ではなく絶縁層２１の表面２１ａに直接形成される。その後、紫外光などの照射によって絶縁層２１が本硬化される。

【0078】

先に図６Ｄを参照して説明された溝１ｄの深掘り、及び窪み４０ａの深掘りによる貫通孔４ａの形成の後、図８Ｂに示されるように、溝１ｄ内に導体層１２の凸部１ｃが形成され、貫通孔４ａ内にビア導体４１が形成される。また、導体層１２の被覆部１ｂ及び導体パッド１２ａなどが絶縁層２１の表面２１ａ上に形成される。すなわち、導体層１２における凸部１ｃ以外の部分が表面２１ａ上に形成される。図８Ｂの例では、コア基板３の第２面３ｂ側の２つの導体層１３のうちの外側の導体層１３も、導体層１２と共に形成される。

【0079】

導体層１２及び導体層１３は、前述した導体層１１の形成方法と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、溝１ｄ及び貫通孔４ａの内面上、並びに絶縁層２１の表面２１ａ上に例えば無電解めっきなどによって金属膜（図示せず）が形成され、被覆部１ｂや導体パッド１２ａなどに対応する開口Ｒ１を有するめっきレジストＲがこの金属膜上に形成される。そして、この金属膜を給電層として用いるパターンめっきによって、導体層１２の被覆部１ｂ、凸部１ｃ、及び導体パッド１２ａ、並びにビア導体４１が形成される。

【0080】

その後、めっきレジストＲが適切な溶剤を用いて除去され、めっきレジストＲの除去によって露出する給電層（金属膜）が除去される。そして、ソルダーレジスト５（図７参照）が両面に形成されることによって配線基板１０２が完成する。

【0081】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。導体層１１、導体層１２、及びこれら両導体層の間に介在する絶縁層２１は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。導体層１１は凸部１ｃを１つだけ含んでいてもよい。

【0082】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば各導体層はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また各絶縁層は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0083】

１００～１０２ 配線基板
１１ 導体層（第１導体層）
１２ 導体層（第２導体層）
１ａ 複数の配線パターン
１ｂ 被覆部（面状パターン）
１ｂｂ 凹部
１ｂｃ 凹部の底面
１ｃ 凸部（突起）
１ｄ 溝
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２１ａ 絶縁層の表面
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
３１ａ 導体層（第３導体層）
３１０ 導体パターン
４ａ 貫通孔
４１～４４ ビア導体
Ｅ、Ｅ１、Ｅ２ 被覆部からの凸部の突出量
Ｇ 複数の配線パターンと被覆部との間隔
Ｍ、Ｍａ 金型
Ｍ１、Ｍａ１ 突出部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図7】

【図8A】

【図8B】