(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023038881
(43)【公開日】2023-03-17
(54)【発明の名称】カーボン・ウエハー(アモルファス)
(51)【国際特許分類】
H01L 29/161 20060101AFI20230310BHJP
C01B 32/00 20170101ALN20230310BHJP
【FI】
H01L29/161
C01B32/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】書面
(21)【出願番号】P 2021170536
(22)【出願日】2021-09-07
(71)【出願人】
【識別番号】518440899
【氏名又は名称】パテントフレア株式会社
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 学
【テーマコード(参考)】
4G146
【Fターム(参考)】
4G146AA01
4G146AD02
4G146AD30
4G146CB19
4G146CB32
(57)【要約】
【課題】集積回路の基板材料には、シリコンなどの半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は「大量の電流や高い電圧に対して多くの電気エネルギーが熱エネルギーに変換されてしまい、電気伝導率の低下など集積回路としての機能が低下する」という課題があった。
【解決手段】半導体材料であるシリコンなどと良導体であり、耐熱性も高い炭素同素体の無定形炭素を組み合わせて集積回路の基板に加工することで、大量の電流や高い電圧に対して半導体材料に生じる余分な熱エネルギー、電気エネルギーを炭素同素体材料が吸収し、半導体材料の電気伝導率の低下による集積回路の機能低下という課題を解決する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
炭素同素体である無定形炭素を集積回路の基板などに使われる半導体材料として使用する方法。
炭素同素体である無定形炭素をケイ素(シリコン)などと組み合わせて、集積回路の基板などに使われる半導体材料として使用することで、熱エネルギーによる性能低下を抑え、電気伝導率を向上させる方法。
(無定形炭素とは、はっきりした結晶状態を示さない炭素同素体で、石炭、木炭、カーボンブラックなどがある。)
【請求項2】
請求項1に記載の方法を使用した部品、装置。
【請求項3】
請求項2に記載の部品、装置を製造する装置。
【請求項4】
請求項2に記載の部品、装置を使用した役務、事業。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積回路における半導体技術に関する。
【背景技術】
【0002】
集積回路の技術
【0003】
炭素同素体、無定形炭素の物質特性
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
集積回路の基板材料には、シリコンなどの半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は「大量の電流や高い電圧に対して多くの電気エネルギーが熱エネルギーに変換されてしまい、電気伝導率の低下など集積回路としての機能が低下する」という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【0005】
半導体材料であるシリコンなどと良導体であり、耐熱性も高い炭素同素体の無定形炭素を組み合わせて集積回路の基板に加工することで、大量の電流や高い電圧に対して半導体材料に生じる余分な熱エネルギー、電気エネルギーを炭素同素体材料が吸収し、半導体材料の電気伝導率の低下による集積回路の機能低下という課題を解決する。