特開 2023-38882 カーボン・ウエハー（αスズ）

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023038882

(43)【公開日】2023-03-17

(54)【発明の名称】カーボン・ウエハー（αスズ）

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/12 20060101AFI20230310BHJP

【ＦＩ】

H01L29/14

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】書面

(21)【出願番号】P 2021170537

(22)【出願日】2021-09-07

(71)【出願人】

【識別番号】518440899

【氏名又は名称】パテントフレア株式会社

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 学

(57)【要約】

【課題】集積回路の基板材料には、ケイ素（シリコン）などの半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は、常温（１５℃前後）から２００℃くらいまで電気伝導率が安定しているが、低温状態においては、電気伝導率の低下など、集積回路としての機能が低下するという課題があった。
【解決手段】ケイ素（シリコン）より、低温状態における電気伝導率が高い半導体であるαスズを集積回路の基板材料として使用することで、低温度での機能低下という課題を解決する。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

炭素族元素であるスズを、集積回路の基板などに使われる半導体材料として使用する方法。
炭素族元素であるスズを、単体又はケイ素（シリコン）などと組み合わせて、集積回路の基板などに使われる半導体材料として使用することで、低温度による性能低下を抑え、電気伝導率を向上させる方法。
（炭素族元素とは、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛の５元素の総称である。
炭素は非金属元素であるが、鉛およびβスズは、金属的性質（良導体）を示し、ケイ素、ゲルマニウム、αスズは、金属（良導体）と非金属 の中間（半導体）の性質を示す。）
この半導体の性質を示すαスズを単体又はケイ素（シリコン）などと組み合わせて集積回路の基板などに使われる半導体材料として使用する方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法を使用した部品、装置。

【請求項3】

請求項２に記載の部品、装置を製造する装置。

【請求項4】

請求項２に記載の部品、装置を使用した役務、事業。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、集積回路における半導体技術に関する。

【背景技術】

【0002】

集積回路の技術

【0003】

炭素族元素の物質特性

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

集積回路の基板材料には、ケイ素（シリコン）などの半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は、常温（１５℃前後）から２００℃くらいまで電気伝導率が安定しているが、低温状態においては、電気伝導率の低下など、集積回路としての機能が低下するという課題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

ケイ素（シリコン）より、低温状態における電気伝導率が高い半導体であるαスズを集積回路の基板材料として使用することで、低温度での機能低下という課題を解決する。