特開 2023-39130 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023039130

(43)【公開日】2023-03-20

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20230313BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021146136

(22)【出願日】2021-09-08

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高橋 通昌

(72)【発明者】

【氏名】後藤 英之

(72)【発明者】

【氏名】石川 清大

(72)【発明者】

【氏名】大野 彩美

【テーマコード（参考）】

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E343AA02

5E343AA16

5E343AA17

5E343AA18

5E343AA19

5E343AA36

5E343BB23

5E343BB24

5E343BB44

5E343BB48

5E343CC48

5E343DD33

5E343DD43

5E343EE33

5E343EE34

5E343EE35

5E343EE36

5E343EE37

5E343GG04

(57)【要約】

【課題】層間密着性の良好な配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、絶縁層１１及び第１導体層１２１を備えるベース基板ＢＳと、第１導体層１２１上に接着層１１０を介して積層される第１絶縁層１１１と、第１絶縁層１１１上に形成される第２導体層１２２と、を備えている。接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面、及び、第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の表面粗さは、第１絶縁層１１１と第２導体層１２２との界面の表面粗さよりも大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層及び第１導体層を備えるベース基板と、
前記第１導体層上に接着層を介して積層される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成される第２導体層と、を備える配線基板であって、
前記接着層と前記第１絶縁層との界面、及び、前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第１絶縁層の表面粗さは、前記第１絶縁層と前記第２導体層との界面の表面粗さよりも大きい。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記接着層と前記第１絶縁層との界面のＪＩＳＢ０６０１－２００１に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓは１．３μｍ以上、且つ５μｍ以下であり、前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第１絶縁層の表面の十点平均粗さＲｚｊｉｓは０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下であり、前記第１絶縁層と前記第２導体層との界面の十点平均粗さＲｚｊｉｓは０．５μｍ以上、且つ１．３μｍ以下である。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記ベース基板の前記第１導体層の導体パターンから露出する前記絶縁層と前記接着層との界面の表面粗さは、前記第１絶縁層と前記第２導体層との界面の表面粗さよりも大きい。

【請求項4】

請求項３記載の配線基板であって、前記ベース基板の前記第１導体層の導体パターンから露出する前記絶縁層と前記接着層との界面のＪＩＳＢ０６０１－２００１に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓは、０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体層上及び前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第１絶縁層上に、第２絶縁層が形成されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記接着層は熱硬化性樹脂を含み、前記第１絶縁層は熱可塑性樹脂を含む。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、前記第１絶縁層は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のいずれかを含む。

【請求項8】

請求項６記載の配線基板であって、前記接着層は、熱硬化性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂のいずれかを含む。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層は芯材を含み、前記芯材は、ＰＴＦＥ繊維、石英繊維、Ｄガラス繊維のいずれかを含む。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層及び前記接着層を貫通して前記第２導体層と前記第１導体層とを接続するビア導体を含む。

【請求項11】

請求項１記載の配線基板であって、前記ベース基板は、絶縁層の両面に導体層が形成されたコア基板を有している。

【請求項12】

第１導体層を備えるベース基板を用意することと、
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する第１絶縁層であって、前記第１面の表面粗さが前記第２面の表面粗さより大きい前記第１絶縁層の、前記第１面及び前記第２面に金属箔を備える金属積層板を用意することと、
前記金属積層板の前記第１面に設けられた前記金属箔を除去して前記第１面を露出させることと、
前記第１導体層と前記第１絶縁層の前記第１面との間に接着層を介在させ、前記ベース基板と前記接着層と前記金属積層板とを一括積層することと、
前記第１絶縁層の前記第２面上に第２導体層を形成することと、を含む、配線基板の製造方法であって、
前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第２面に粗化処理を行うことを含む。

【請求項13】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記金属積層板における、前記第１面のＪＩＳＢ０６０１－２００１に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓは１．３μｍ以上、且つ５μｍ以下であり、前記第２面の十点平均粗さＲｚｊｉｓは０．５μｍ以上、且つ１．３μｍ以下である。

【請求項14】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記粗化処理は、前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第２面がＪＩＳＢ０６０１－２００１に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下となるように行うことを含む。

【請求項15】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記第２導体層上及び前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第１絶縁層上に、第２絶縁層を形成することをさらに含む。

【請求項16】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記第１絶縁層は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のいずれかを含む。

【請求項17】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記第１絶縁層及び前記接着層を貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールに導体を充填してビア導体を形成することを含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、内層回路基板の内層導体回路が形成される上下面に、銅箔を貼り付けた層間絶縁層を積層し、層間絶縁層の銅箔側に導体回路を形成する、プリント配線板の製造方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７－１２９２６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のプリント配線板の製造方法では、層間絶縁層と内層回路基板との密着性を良好に確保できない場合があると考えられる。内層回路基板の表面（上下面）と層間絶縁層との剥離などの不良が発生する虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、絶縁層及び第１導体層を備えるベース基板と、前記第１導体層上に接着層を介して積層される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成される第２導体層と、を備えている。前記接着層と前記第１絶縁層との界面、及び、前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第１絶縁層の表面粗さは、前記第１絶縁層と前記第２導体層との界面の表面粗さよりも大きい。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、第１導体層を備えるベース基板を用意することと、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する第１絶縁層であって、前記第１面の表面粗さが前記第２面の表面粗さより大きい前記第１絶縁層の、前記第１面及び前記第２面に金属箔を備える金属積層板を用意することと、前記金属積層板の前記第１面に設けられた前記金属箔を除去して前記第１面を露出させることと、前記第１導体層と前記第１絶縁層の前記第１面との間に接着層を介在させ、前記ベース基板と前記接着層と前記金属積層板とを一括積層することと、前記第１絶縁層の前記第２面上に第２導体層を形成することと、を含んでいる。前記第２導体層の導体パターンから露出する前記第２面に粗化処理を行うことを含む。

【0007】

本発明の実施形態によれば、絶縁層と導体層と、並びに絶縁層同士の密着性が良好な配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１に示される一実施形態の配線基板の断面図における部分拡大図。

【図3】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図における部分拡大図。

【図4A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。

【図4F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。

【図4I】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。

【図4J】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。実施形態の配線基板は、絶縁層の表面に導体層が設けられたベース基板、及び、ベース基板の導体層上に積層される絶縁層及び導体層によって構成される。実施形態の配線基板の一例として図１に示される配線基板１は、コア基板１００及び、コア基板１００の両面のそれぞれに交互に積層される絶縁層１１及び導体層１２によって構成されるベース基板ＢＳを備えている。コア基板１００は、絶縁層１０１及び絶縁層１０１の両面に形成される導体層１０２によって構成されている。図示の例では、コア基板１００の厚さ方向における一方の面Ｆ１上には、２層の絶縁層１１及び２層の導体層１２、１２１が交互に積層され、一方の面Ｆ１と反対側の他方の面Ｆ２上には、２層の絶縁層１１及び２層の導体層１２が交互に積層されている。

【0010】

なお、配線基板１の説明では、コア基板１００の厚さ方向における中心から遠い側は「上側」、「外側」、又は単に「上」、「外」とも称され、コア基板１００の厚さ方向における中心に近い側は「下側」、「内側」、又は単に「下」、「内」とも称される。従って、配線基板１を構成する各要素の説明においては、コア基板１００を向く面は「下面」とも称され、コア基板１００と反対側を向く面は「上面」とも称される。

【0011】

ベース基板ＢＳにおける、コア基板１００の一方の面Ｆ１側の最も外側の表面は、導体層１２１及び導体層１２１の導体パターンから露出する絶縁層１１の上面で構成されている。ベース基板ＢＳの表面を構成する導体層１２１の上面、及び、導体層１２１のパターンから露出する絶縁層１１の上面は、絶縁層１１０によって被覆されている。絶縁層１１０の上側には絶縁層１１１が形成され、絶縁層１１１の上側には導体層１２２が形成されている。導体層１２２上には、例えばソルダーレジスト層である絶縁層１１２が形成され得る。すなわち、配線基板１における、ベース基板ＢＳの一方の外側は、絶縁層１１０、絶縁層１１１、導体層１２２、及び、絶縁層１１２によって構成され得る。詳しくは図２を参照して後述されるように、配線基板１における、ベース基板ＢＳの上面に、絶縁層１１０を介して絶縁層１１１が積層される構造により、ベース基板ＢＳと絶縁層１１１との密着性が向上し得る。

【0012】

図示される例では、ベース基板ＢＳの、コア基板１００の他方の面Ｆ２側における最も外側の表面の上側には絶縁層１１が積層され、その外側には配線基板１の表面を構成する導体層１２及び絶縁層１１２が形成されている。

【0013】

図示される例では、ベース基板ＢＳの厚さ方向における最外の２つの表面の一方には、２層の絶縁層１１０、１１１を介して導体層１２２が形成されており、他方では、絶縁層１１のみを介して導体層１２が形成されている。しかしながら、実施形態の配線基板はこの構成に限定されず、ベース基板ＢＳの最外の２つの表面それぞれの上側に、２層の絶縁層を介して最外の導体層が形成される、ベース基板ＢＳを中心として対称な層構造を有してもよい。

【0014】

配線基板１における、絶縁層１１２及び導体層１２２それぞれの露出面によって構成される最外の表面は、Ａ面Ｆａと称される。配線基板１における、Ａ面Ｆａと反対側の、絶縁層１１２及び絶縁層１１２から露出する導体層１２それぞれの露出面によって構成される最外の表面は、Ｂ面Ｆｂと称される。すなわち、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面としてＡ面Ｆａ、及びＡ面Ｆａの反対面であるＢ面Ｆｂを有している。

【0015】

配線基板１が有する各導体層１０２、１２、１２１、１２２は、任意の導体パターンを有するようにパターニングされている。図示の例では、Ａ面Ｆａを構成する最外の導体層１２２は、配線基板１の使用時において配線基板１に実装され得る部品が有する接続用の端子と電気的及び機械的に接続し得るパターンに形成されている導体パッド１２２ｐを有している。すなわち、Ａ面Ｆａを構成する導体パッド１２２ｐは外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用され、配線基板１のＡ面Ｆａは複数の部品が搭載され得る部品実装面であり得る。導体パッド１２２ｐには、例えば、はんだなどの接合材（図示せず）を介して外部の部品の電極が電気的及び機械的に接続され得る。外部の部品として、例えばベアチップ半導体などの電子部品が部品実装面に実装され得る。

【0016】

図１に示される例の配線基板１における、Ａ面Ｆａに対して反対側の面であるＢ面Ｆｂは、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、Ｂ面Ｆｂは、Ａ面Ｆａと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。Ｂ面Ｆｂを構成する導体パッド１２ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

【0017】

コア基板１００の絶縁層１０１には、コア基板１００における一方の面Ｆ１を構成する導体層１０２と他方の面Ｆ２を構成する導体層１０２とを接続するスルーホール導体１０３が形成されている。絶縁層１１、１１０、１１１には、絶縁層１１、１１０、１１１を挟む導体層同士を接続するビア導体１３が形成されている。特に、ベース基板ＢＳの最外の表面を構成する導体層１２１と、絶縁層１１１上に形成される導体層１２２とは、絶縁層１１０及び絶縁層１１１を連続して貫通するビア導体１３によって接続されている。

【0018】

図示の例では、スルーホール導体１０３は、一方の面Ｆ１及び他方の面Ｆ２の両側からコア基板１００の厚さにおける中央部分に向かって縮径するテーパー形状を有し、各ビア導体１３は、配線基板の外側から内側に向かって縮径するテーパー形状を有している。スルーホール導体１０３は長さ方向（コア基板１００の厚さ方向）において径の大きさが略同一に形成されてもよく、あるいは、片方の面から他方の面に向って（例えば、一方の面Ｆ１から他方の面Ｆ２に向って）縮径するテーパー形状を有してもよい。

【0019】

絶縁層１０１、１１、１１０、１１１、１１２は、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成され得る。例えば、絶縁層１０１、１１は、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。例えば、ソルダーレジスト層であり得る絶縁層１１２は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

【0020】

特に、ベース基板ＢＳの導体層１２１上に積層され、ベース基板ＢＳと絶縁層１１１との接着層として機能し得る絶縁層１１０は、熱硬化性樹脂を含み得る。また、絶縁層１１０を介してベース基板ＢＳの上側に積層される絶縁層１１１は、熱可塑性樹脂を含み得る。

【0021】

具体的には、絶縁層１１０は、熱硬化性樹脂のなかでも比較的、誘電率及び誘電正接の低い熱硬化性ポリイミド樹脂を含み得る。絶縁層１１０は、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含んでもよい。また、絶縁層１１１は、熱可塑性樹脂のなかでも比較的、誘電率及び誘電正接の低い、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のうちのいずれかを含み得る。なお、絶縁層１１１は熱可塑性樹脂のみで構成される必要はなく、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合材料が用いられてもよい。例えば、ポリフェニレンオキサイド樹脂又はポリブタジエン系樹脂等の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を使用して相互侵入高分子網目構造樹脂（ＩＰＮ）とした複合材料も使用され得る。

【0022】

配線基板１を構成する絶縁層１１０、１１１が比較的低誘電率の絶縁性樹脂によって構成されることで、配線基板１における高周波信号の伝送が良好に実施され得る。絶縁層１１０、１１１に誘電率及び誘電正接が比較的低い絶縁性樹脂が用いられることにより、絶縁層１１０、１１１に接する導体層１２１、１２２において搬送され得る高周波信号の誘電損失が比較的小さく抑えられ得る。また、さらには、詳しくは図２を参照して後述するように、絶縁層１１１の上下面における絶縁層１１０、１１２との密着性が良好に確保されていることで、配線基板１における剥離の発生は効果的に抑制され、配線基板１における高周波信号の伝送における信頼性が向上されている。

【0023】

各絶縁層１０１、１１、１１０、１１１は、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。また、絶縁層１０１、１１、１１１は補強材（芯材）を含み得る。絶縁層１０１、１１、１１１に含まれ得る芯材としてはガラス繊維が例示される。特に、上述したように、配線基板１における高周波信号の伝送の誘電損失を抑制する観点から、絶縁層１１１が含み得る芯材は、比較的低誘電率であるものが好ましく、具体的には、芯材は、ＰＴＦＥ繊維、石英繊維、Ｄガラス繊維のいずれかを含むことが好ましい。また、ポリパラフェニレンフタルアミド繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサドール繊維（ＰＢＯ）等のアラミド繊維も含まれ得る。同様に、配線基板１の高周波特性を向上させる観点から、絶縁層１０１、１１、１１０、１１１が含み得るフィラーとしては比較的小さい値の誘電率及び誘電正接を有するフィラーが採用されることが好ましい。例えば、酸化ケイ素、又は窒化ホウ素などを含むフィラーが好ましく使用され得る。

【0024】

配線基板１を構成する各導体層１０２、１２、１２１、１２２、ビア導体１３、及びスルーホール導体１０３は適切な導電性を有する任意の材料（例えば銅、又はニッケル等）で形成される。配線基板１を構成する各導体層１０２、１２、１２１、１２２、ビア導体１３、スルーホール導体１０３は図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。各導体層１０２、１２、１２１、１２２は、例えば、金属箔層（好ましくは銅箔）、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜層（好ましくは無電解銅めっき膜）、電解めっき膜層（好ましくは電解銅めっき膜）によって、又はこれらの組み合わせによって構成され得る。

【0025】

続いて、本実施形態の配線基板における、ベース基板ＢＳ上に形成される層構成について、図２を参照して詳述される。図２は、図１における、ベース基板ＢＳの最外の導体層１２１、導体層１２１上に形成される絶縁層１１０、絶縁層１１１、導体層１２２、及び絶縁層１１２を含む、一点鎖線で囲われる領域IIの拡大図である。なお、以下の説明において、導体層１２１は第１導体層１２１とも称され、絶縁層１１０は接着層１１０とも称され、絶縁層１１１は第１絶縁層１１１とも称され、導体層１２２は第２導体層１２２とも称され、絶縁層１１２は第２絶縁層１１２とも称される。

【0026】

図２に示されるように、ベース基板ＢＳの最外層を構成する第１導体層１２１の上側には、接着層１１０を介して第１絶縁層１１１が積層され、第１絶縁層１１１上には、第２導体層１２２が形成されている。なお、図示のように、第１導体層１２１及びビア導体１３は、金属膜層１２ｂ及び電解めっき膜層１２ｃの２層構造を有しており、第２導体層１２２は金属箔層１２ａ、金属膜層１２ｂ、及び電解めっき膜層１２ｃの３層構造を有している。接着層１１０は、上述したように、例えば熱硬化性樹脂を用いて形成され、特に、第１導体層１２１と密着性良く積層される。接着層１１０は、第１導体層１２１と良好に密着すると共に第１絶縁層１１１とも良好に密着し、第１導体層１２１と第１絶縁層１１１との間に介在することで、第１導体層１２１上への絶縁層１１１の密着性の良好な積層を実現させている。

【0027】

接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面は密着性向上のために粗面とされている。接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面の粗さは、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１））に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．５μｍ以上、且つ１．３μｍ以下、とされ得る、金属箔層１２ａと第１絶縁層１１１との界面の表面粗さよりも大きい。具体的には、接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面の表面粗さは、十点平均粗さＲｚｊｉｓで１．３μｍ以上、且つ５μｍ以下、とされ得る。なお「界面の表面粗さ」とは、界面を構成する２つの構成要素それぞれの表面の粗さを意味している。接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面が比較的粗く形成されていることによって、接着層１１０と第１絶縁層１１０との密着強度が高まり、接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面における剥離などの不良の発生が抑制され得る。

【0028】

さらに、第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の表面の粗さも、第１絶縁層１１１と第２導体層１２２（金属箔層１２ａ）との界面の表面粗さよりも大きいものとされる。具体的には、第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の表面の粗さは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１））に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下とされ得る。換言すれば、第２導体層１２２上、及び第２導体層の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１上に第２絶縁層１１２が形成される場合には、第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２との界面の表面粗さは、十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下とされ得る。これにより、第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２とは比較的良好な密着性を有し得る。

【0029】

例えば、第１導体層１２１、及び／又は、第２導体層１２２において高周波信号が伝送される場合、第１導体層１２１と第２導体層１２２との間に介在する層間絶縁層を、例えば熱可塑性樹脂である第１絶縁層１１１のみで構成すると、剥離などの不良が発生しやすい場合がある。具体的には、第１絶縁層１１１と第１導体層１２１との間における十分な密着強度が得られず、第１絶縁層１１１と第１導体層１２１との剥離が生じ得る。このような問題に対して、本実施形態では、第１導体層１２１と第１絶縁層１１１との間に、第１導体層１２１との密着性が比較的良好な、例えば熱硬化性樹脂を含む接着層１１０を介在させている。加えて、接着層１１０と第１絶縁層１１１との界面は比較的大きい粗さに形成されており、接着層１１０と第１絶縁層１１１とは良好な強度で密着し得る。さらには、第１絶縁層１１１の上面（第２絶縁層１１２との界面）も比較的大きい粗さに形成されており第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２とは良好な強度で密着し得る。このような構成により、実施形態の配線基板における剥離の発生が抑制され得る。

【0030】

さらには、第１導体層１２１の導体パターンから露出する絶縁層１１の上面（絶縁層１１と接着層１１０との界面）も粗面とされ得る。具体的には、第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２との界面と同様に、第１絶縁層１１１と第２導体層１２２との界面の粗さよりも大きい粗さとされ、十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下とされ得る。接着層１１０と絶縁層１１との密着強度が向上し得る。

【0031】

図１及び図２を参照して上述された、配線基板１において第１導体層１２１上に形成される、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む構成は、第２導体層１２２の上側にさらに繰り返して形成される場合がある。具体的には、図３に示されるように、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む構成と同様の、接着層１１０ａ、第３絶縁層１１１ａ、及び第３導体層１２２ａからなる構成が、第２導体層１２２の上側にさらに積層され得る。図３に示される例では、第３導体層１２２ａ上、及び、第３導体層１２２ａの導体パターンから露出する第３絶縁層１１１ａ上には第２絶縁層１１２が形成されている。第３導体層１２２ａの上側には、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む層構造と同様の構成が、さらに任意の数積層されてもよい。

【0032】

次に、図４Ａ～図４Ｊを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明される。先ず、ベース基板ＢＳが用意される。ベース基板ＢＳの用意では、先ず、図４Ａに示されるように、コア基板１００が形成される。コア基板１００の形成では、例えば、コア絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１０２を絶縁層１０１の両面に形成すると共に、スルーホール導体１０３を絶縁層１０１内に形成することによってコア基板１００が用意される。

【0033】

次いで、図４Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２が積層される。コア基板１００の他方の面Ｆ２上にも絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２が積層される。例えば絶縁層１１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２は、絶縁層１１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１３ａを充填するビア導体１３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。開口１３ａは、絶縁層１１への炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどの照射によって形成され得る。

【0034】

続いて、図４Ｃに示されるように、導体層１２の外側には、上述された絶縁層１１及び導体層１２の形成と同様の方法で、さらに絶縁層及び導体層の形成が繰り返される。コア基板１００の一方の面Ｆ１側及び他方の面Ｆ２側において、導体層１２の上に絶縁層１１が積層され、さらに絶縁層１１の上に導体層１２１、１２が形成される。ベース基板ＢＳの形成が完了する。

【0035】

各導体層１２、１２１の導体パターンから露出する絶縁層１１の上面には、その上側に積層される絶縁層との密着性を向上させるための処理が施され得る。具体的には、ＣＦ₄又はＣＦ₄＋Ｏ₂を用いるプラズマ処理、コロナ放電処理、ＵＶ照射処理、アルカリ液処理、サンドブラスト処理などで、導体層１２のパターンから露出する絶縁層１１の上面に粗化処理が施され得る。例えば、ベース基板ＢＳの最外の導体層１２のパターンから露出する絶縁層１１の上面は、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１））に準拠して測定される十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下とされ得る。なお、絶縁層１１上面への粗化処理は、絶縁層１１上への導体層１２、１２１の形成前に施される場合もあり、この場合、絶縁層１１の上面の全域が粗面とされ得る。

【0036】

次いで、図４Ｄに示されるように、接着層（接着シート）１１０及び金属積層板１１１ｐが用意される。接着層１１０は、例えば熱硬化性樹脂を含んでおり、熱硬化性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、又はビスマレイミドトリアジン樹脂を含む材料で構成されている。金属積層板１１１ｐは、第１面ＦＦ及び第１面ＦＦと反対側の第２面ＦＳを有する第１絶縁層１１１と、第１面ＦＦ及び第２面ＦＳ上に設けられた金属箔（例えば銅箔）１２ａを有している。

【0037】

第１絶縁層１１１は、図４Ｄにおける領域Ｅの拡大図である図４Ｅに示されるように、第１面ＦＦと第２面ＦＳとで異なる表面粗さを有している。用意される金属積層板１１１ｐは、例えば、未硬化状態の第１絶縁層１１１の第１面ＦＦと第２面ＦＳとに、粗度の異なる粗面を有する金属箔１２ａが、粗面を第１絶縁層１１１側に向けて付着されることで形成されている。第１面ＦＦの表面粗さは、後述される工程における接着層１１０との密着の観点から望ましい程度の粗さであり、第２面ＦＳの表面粗さは、金属箔１２ａとの密着の観点から望ましい程度の粗さであり得る。第１面ＦＦの表面粗さは、第２面ＦＳの表面粗さよりも大きい。具体的には、例えば、第１面ＦＦの表面粗さは、十点平均粗さＲｚｊｉｓで１．３μｍ以上、且つ５μｍ以下とされ、第２面ＦＳの表面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．５μｍ以上、且つ１．３μｍ以下とされ得る。

【0038】

次いで、図４Ｆに示されるように、金属積層板１１１ｐの第１面ＦＦに付着する金属箔１２ａが、エッチングにより除去される。第１絶縁層１１１の第１面ＦＦが露出する。金属積層板１１１ｐは、金属積層板１１１ｐとベース基板ＢＳとの間に半硬化状態の接着層１１０が介在した状態で、露出する第１面ＦＦをベース基板ＢＳ側に向けて配置される。続いて、ベース基板ＢＳ、接着層１１０、及び金属積層板１１１ｐは、例えば、加圧プレスによって一括積層される。

【0039】

ベース基板ＢＳ、接着層１１０、及び金属積層板１１１ｐの一括積層により、接着層１１０はベース基板ＢＳの第１導体層１２１に対して密着性良く積層される。また、接着層１１０上に積層される第１絶縁層１１１は、その比較的表面粗さの大きい第１面ＦＦのアンカー効果によって、接着層１１０に対して比較的強い密着強度で積層される。なお、ベース基板ＢＳの形成後、コア基板１００の一方の面Ｆ１側において接着層１１０及び第１絶縁層１１１が積層される工程中、ベース基板ＢＳの他方の面Ｆ２側における最外の表面は、例えばＰＥＴなどの適切な保護板により適切に保護され得る。

【0040】

図４Ｇに示されるように、コア基板１００の他方の面Ｆ２側において絶縁層１１が積層される。他方の面Ｆ２側における絶縁層１１の積層は、上述の、ベース基板ＢＳ、接着層１１０、及び金属積層板１１１ｐの一括積層において実施されてもよい。続いて、コア基板１００の一方の面Ｆ１側では、接着層１１０及び第１絶縁層１１１を貫通する開口１３ａが形成され、例えば、サブトラクティブ法により、第２導体層１２２がビア導体１３と同時に形成される。第２導体層１２２は、金属箔を用いるセミアディティブ法（ＭＳＡＰ）を用いて形成されてもよい。コア基板１００の他方の面Ｆ２側においても、一方の面Ｆ１側に応じた方法によって導体層１２が形成される。

【0041】

次いで、図４Ｈに示すように、第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の上面に粗化処理が施される。具体的には、例えば、コロナ放電、プラズマ処理などにより第１絶縁層１１１の粗化処理が施される。例えば、過マンガン酸塩等の酸化剤を含む薬液を使用する湿式処理によっても、第１樹脂絶縁層１１１の上面が粗化され得る。この処理により、第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の上面は、例えば、十点平均粗さＲｚｊｉｓで０．９μｍ以上、且つ３．２μｍ以下とされ得る。

【0042】

次いで、図４Ｉに示すように、例えばソルダーレジスト層である第２絶縁層１１２が第２導体層１２２及び第２導体層１２２の導体パターンから露出する第１絶縁層１１１の上に形成される。第２絶縁層１１２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって、接続パッド１２２ｐを露出する開口１１２ａを有するように形成される。

【0043】

図４Ｊに示されるように、コア基板１００の他方の面Ｆ２側においても、必要に応じて、導体層１２のパターンから露出する絶縁層１１の上面に粗化処理が施され、その上に絶縁層１１２が形成される。開口１１２ａから露出する接続パッド１２２ｐ、１２ｐには、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上により、配線基板１の形成が完了する。

【0044】

なお、図３に示される、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む層構造が繰り返して積層される配線基板を製造する場合には、図４Ｈに示される工程の後に、さらに、図４Ｄ～４Ｈに示される工程が繰り返され得る。この、図４Ｄ～４Ｈに示される工程の繰り返しは任意の回数行われてもよく、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む層構造は、任意の数、反復して積層される配線基板が製造され得る。

【0045】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状を備えるものに限定されない。例えば、ベース基板ＢＳはコア基板１００を有する態様に限定されない。実施形態の配線基板においては、ベース基板ＢＳは少なくとも絶縁層１１及び絶縁層１１上に形成される第１導体層１２１を有していればよい。また、例えば、ベース基板ＢＳは、コア基板１００のみで構成されてもよく、この場合、接着層１１０及び第１絶縁層１１１は導体層１０２上に積層され得る。また、第２導体層１２２及び第２絶縁層１１２の上側にはさらに、任意の数の導体層及び絶縁層が積層されてもよい。

【0046】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。実施形態の配線基板の製造方法においては、先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてよい。本実施形態の製造方法では、ベース基板ＢＳの用意におけるコア基板１００の形成は省略され得る。また、ベース基板ＢＳ、接着層１１０、第１絶縁層１１１、及び第２導体層１２２の積層後、第２導体層１２２の上側に、さらに絶縁層１１及び導体層１２の積層が、任意の回数繰り返されてもよい。

【符号の説明】

【0047】

１ 配線基板
１００ コア基板
１１ 絶縁層
１１０ 絶縁層（接着層）
１１０ａ 接着層
１１１ 絶縁層（第１絶縁層）
１１１ａ 第３絶縁層
ＢＳ ベース基板
ＦＦ 第１面
ＦＳ 第２面
１２ 導体層
１２１ 導体層（第１導体層）
１２２ 導体層（第２導体層）
１２２ａ 第３導体層
１１２ 絶縁層（第２絶縁層）
１３ ビア導体
１０３ スルーホール導体
１２ａ 金属箔（金属箔層）
１２ｂ 金属膜層
１２ｃ 電解めっき膜層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】