特開 2023-39809 ロータリーキルンの供給装置およびロータリーキルン

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023039809

(43)【公開日】2023-03-22

(54)【発明の名称】ロータリーキルンの供給装置およびロータリーキルン

(51)【国際特許分類】

   F27B 7/32 20060101AFI20230314BHJP

   F27B 7/06 20060101ALI20230314BHJP

   F27D 3/16 20060101ALI20230314BHJP

【ＦＩ】

F27B7/32

F27B7/06

F27D3/16

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021147108

(22)【出願日】2021-09-09

(71)【出願人】

【識別番号】390008431

【氏名又は名称】高砂工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115646

【弁理士】

【氏名又は名称】東口 倫昭

(74)【代理人】

【識別番号】100115657

【弁理士】

【氏名又は名称】進藤 素子

(74)【代理人】

【識別番号】100196759

【弁理士】

【氏名又は名称】工藤 雪

(72)【発明者】

【氏名】大島 士月

(72)【発明者】

【氏名】土井 理成

(72)【発明者】

【氏名】中村 寿樹

【テーマコード（参考）】

4K055

4K061

【Ｆターム（参考）】

4K055AA06

4K055MA02

4K055MA17

4K061AA08

4K061BA00

4K061CA21

4K061DA05

4K061EA03

4K061EA07

4K061FA11

4K061GA03

(57)【要約】

【課題】被処理物が残留しにくく、被処理物が損傷を受けにくく、コンタミネーションが発生しにくいロータリーキルンの供給装置およびロータリーキルンを提供することを課題とする。
【解決手段】ロータリーキルン１の供給装置４は、ロータリーキルン１の回転筒部２の内部空間Ｃに被処理物Ｗを供給する。供給装置４は、筒体４３０を有する供給フィーダー４３を備える。筒体４３０は、筒内通路Ｍと搬入口４３０ｃと搬出口４３０ｄと筒内ガス導入口４３１ａ、４３２ａとを有する。筒内ガス導入口４３１ａ、４３２ａは、被処理物Ｗを搬送する搬送ガスＧを筒内通路Ｍに導入する。内部空間Ｃにおいては、大気以外の雰囲気下で、被処理物Ｗに熱処理が施される。搬送ガスＧは、大気以外の雰囲気ガスである。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ロータリーキルンの回転筒部の内部空間に被処理物を供給するロータリーキルンの供給装置であって、
筒体を有する供給フィーダーを備え、
前記筒体は、前記内部空間に連通する筒内通路と、前記被処理物を前記筒内通路に搬入する搬入口と、前記被処理物を前記筒内通路から搬出する搬出口と、前記被処理物を搬送する搬送ガスを前記筒内通路に導入する筒内ガス導入口と、を有し、
前記内部空間においては、大気以外の雰囲気下で、前記被処理物に熱処理が施され、
前記搬送ガスは、大気以外の雰囲気ガスであるロータリーキルンの供給装置。

【請求項2】

前記筒体には、軸方向一端から軸方向他端に向かって、軸方向一端開口と、前記搬入口と、前記筒内通路と、前記搬出口と、軸方向他端開口と、が配置され、
前記筒体における、前記軸方向一端開口と前記搬入口との間の区間を通路外区間、前記搬入口と前記搬出口との間の区間を通路内区間として、
前記筒内ガス導入口は、前記通路外区間および前記通路内区間のうち、少なくとも一方に前記搬送ガスを導入する請求項１に記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項3】

前記供給フィーダーは、前記筒体の前記軸方向他端開口を封止する下流側端板を有し、
前記搬出口は、前記下流側端板に隣接して配置される請求項２に記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項4】

前記筒体は、蓋取付口を有し、
前記供給フィーダーは、蓋体を有し、
前記蓋体は、前記蓋取付口に着脱可能に取り付けられ、前記筒内ガス導入口を有する請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項5】

前記搬入口の上流側に配置される供給シュートを備え、
前記供給シュートの内部には、前記被処理物が搬送されるシュート内通路が配置され、
前記供給シュートは、前記搬送ガス、または前記シュート内通路における前記搬送ガスの流動を抑制可能なシールガスを前記シュート内通路に導入するシュート内ガス導入口を有する請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項6】

前記筒体は、複数の前記筒内ガス導入口を有し、
前記筒内ガス導入口が前記筒内通路に前記搬送ガスを導入するタイミングは、上流側から下流側に向かって、複数の前記筒内ガス導入口で、順次、受け継がれる請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項7】

前記ロータリーキルンは、バッチ式のロータリーキルンである請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のロータリーキルンの供給装置。

【請求項8】

請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のロータリーキルンの供給装置を備えるロータリーキルン。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、例えば、医薬品、電池材料などの被処理物を炉内に供給するロータリーキルンの供給装置およびロータリーキルンに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載のロータリーキルンは、スクリューフィーダーを備えている。スクリューフィーダーは、ロータリーキルンの回転筒部の内部空間に、被処理物を供給するために用いられる。スクリューフィーダーは、パイプとスクリューとを備えている。スクリューは、パイプの内部に、回転可能に収容されている。スクリューの回転に伴い、被処理物は回転筒部の内部空間に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－０７５１９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、スクリューフィーダーを用いると、パイプの内部に被処理物が残留しやすい。また、パイプとスクリューとの摩擦により、被処理物が損傷を受けやすい。また、パイプとスクリューとの摩擦により、スクリューやパイプの摩耗片が被処理物に混入しやすい。つまり、コンタミネーションが発生しやすい。そこで、本発明は、被処理物が残留しにくく、被処理物が損傷を受けにくく、コンタミネーションが発生しにくいロータリーキルンの供給装置、および当該供給装置を備えるロータリーキルンを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するため、本発明のロータリーキルンの供給装置（以下、適宜、「ロータリーキルンの供給装置」を「供給装置」と略称する。）は、ロータリーキルンの回転筒部の内部空間に被処理物を供給するロータリーキルンの供給装置であって、筒体を有する供給フィーダーを備え、前記筒体は、前記内部空間に連通する筒内通路と、前記被処理物を前記筒内通路に搬入する搬入口と、前記被処理物を前記筒内通路から搬出する搬出口と、前記被処理物を搬送する搬送ガスを前記筒内通路に導入する筒内ガス導入口と、を有し、前記内部空間においては、大気以外の雰囲気下で、前記被処理物に熱処理が施され、前記搬送ガスは、大気以外の雰囲気ガスであることを特徴とする。また、本発明のロータリーキルンは、上述の供給装置を備えることを特徴とする。

【発明の効果】

【0006】

本発明の供給装置およびロータリーキルンによると、搬送ガスの気流により、回転筒部の内部空間に被処理物を供給することができる。このため、筒内通路に被処理物が残留しにくい。また、被処理物が損傷を受けにくい。また、コンタミネーションが発生しにくい。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第一実施形態のロータリーキルンの軸方向断面図である。

【図2】図２は、図１の枠ＩＩ内の拡大図である。

【図3】図３は、図１の枠ＩＩＩ内の拡大図である。

【図4】図４は、熱処理方法の供給工程におけるバルブの制御方法のフローチャートである。

【図5】図５は、第二実施形態の供給部の軸方向断面図である。

【図6】図６は、熱処理方法の供給工程におけるバルブの制御方法のフローチャートである。

【図7】図７は、その他の実施形態の供給部の軸方向断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明の供給装置およびロータリーキルンの実施の形態について説明する。

【0009】

＜第一実施形態＞
［ロータリーキルンの構成］
まず、本実施形態のロータリーキルンの構成について説明する。以降の図において、左側は上流側（供給側）に、右側は下流側（排出側）に、各々対応している。図１に、本実施形態のロータリーキルンの軸方向断面図を示す。図２に、図１の枠ＩＩ内の拡大図を示す。図３に、図１の枠ＩＩＩ内の拡大図を示す。図１～図３に示すように、ロータリーキルン１は、主に、回転筒部２と、回転支持部３と、供給部４と、熱処理部５と、排出部６と、を備えている。供給部４は、本発明の「ロータリーキルンの供給装置」の概念に含まれる。ロータリーキルン１は、被処理物Ｗに一定量ごとに熱処理を施すバッチ式のロータリーキルンである。

【0010】

（回転支持部３）
架台９は、駆動機構（図略。例えば電動ジャッキ、油圧シリンダなど）により、左側が上昇し右側が下降する方向に、傾動可能である。回転支持部３は、架台９に配置されている。回転支持部３は、一対の上流側ローラー３０と、一対の下流側ローラー３１と、上流側摺動シール部３２と、下流側摺動シール部３３と、を備えている。

【0011】

上流側ローラー３０は、後述する熱処理部５の左側に配置されている。一対の上流側ローラー３０は、前後方向（炉幅方向）に並んで配置されている。下流側ローラー３１は、熱処理部５の右側に配置されている。一対の下流側ローラー３１は、前後方向に並んで配置されている。上流側摺動シール部３２は、上流側ローラー３０の左側に配置されている。下流側摺動シール部３３は、下流側ローラー３１の右側に配置されている。

【0012】

（回転筒部２）
回転筒部２は、回転支持部３により、回転可能に支持されている。回転筒部２は、外筒２０と、連結筒２１と、内筒２２と、を備えている。回転筒部２の内部には、内部空間Ｃが設定されている。外筒２０は、外筒本体２００と、上流側タイヤ２０１と、下流側タイヤ２０２と、スプロケット２０３と、を備えている。

【0013】

外筒本体２００は、回転軸Ａを中心とする円筒状を呈している。外筒本体２００は、左右方向に延在している。外筒本体２００の右端付近は、下流側摺動シール部３３に摺接している。

【0014】

上流側タイヤ２０１は、外筒本体２００の左端付近に環装されている。上流側タイヤ２０１は、環状を呈している。上流側タイヤ２０１は、一対の上流側ローラー３０に、転動可能に載置されている。下流側タイヤ２０２は、外筒本体２００の右端付近に環装されている。下流側タイヤ２０２は、環状を呈している。下流側タイヤ２０２は、一対の下流側ローラー３１に、転動可能に載置されている。

【0015】

スプロケット２０３は、上流側タイヤ２０１の左側に併設されている。スプロケット２０３には、駆動力伝達用のチェーン（図略）が巻装されている。駆動装置（図略）からの駆動力は、チェーンを介して、スプロケット２０３に伝達される。当該駆動力により、外筒本体２００つまり外筒２０は、上流側ローラー３０、下流側ローラー３１上で、回転軸Ａ（外筒本体２００の径方向中心軸）の軸周りに、正方向および逆方向（正方向に対して反対方向）に回転可能である。

【0016】

連結筒２１は、外筒本体２００の左側に連結されている。連結筒２１は、回転軸Ａを中心とする円筒状を呈している。連結筒２１は、上流側摺動シール部３２に摺接している。連結筒２１は、外筒２０と共に、回転軸Ａの軸周りに、正方向および逆方向に回転可能である。

【0017】

内筒２２は、外筒２０の径方向内側に配置されている。内筒２２は、外筒２０および連結筒２１と共に、回転軸Ａの軸周りに、正方向および逆方向に回転可能である。内筒２２は、内筒本体２２０と、上流側送りフィン２２１と、下流側送りフィン２２２と、複数の掻き上げフィン２２３と、を備えている。

【0018】

内筒本体２２０は、回転軸Ａを中心とする円筒状を呈している。内筒本体２２０は、左右方向に延在している。内筒本体２２０の内部（後述する熱処理部５の断熱材５１、ヒーター５２の径方向内側）には、熱処理帯Ｂが設定されている。熱処理帯Ｂは、内部空間Ｃの中間部である。熱処理帯Ｂにおいては、被処理物Ｗに、大気以外の雰囲気下で、所定の熱処理が施される。外筒本体２００に対して、内筒本体２２０は着脱可能である。

【0019】

上流側送りフィン２２１は、内筒本体２２０の内周面に配置されている。上流側送りフィン２２１は、熱処理帯Ｂの左端付近に配置されている。上流側送りフィン２２１は、螺旋状を呈している。上流側送りフィン２２１は、回転軸Ａを中心に、５４０°（１．５回転）の範囲に亘って延在している。下流側送りフィン２２２は、内筒本体２２０の内周面に配置されている。下流側送りフィン２２２は、熱処理帯Ｂの右端付近に配置されている。下流側送りフィン２２２は、螺旋状を呈している。下流側送りフィン２２２は、回転軸Ａを中心に、５４０°（１．５回転）の範囲に亘って延在している。上流側送りフィン２２１の螺旋巻回方向と、下流側送りフィン２２２の螺旋巻回方向と、は互いに反対である。例えば、左側から見て、上流側送りフィン２２１は時計回りに巻回されている。他方、下流側送りフィン２２２は反時計回りに巻回されている。

【0020】

内筒２２が正方向に回転する場合、被処理物Ｗは、上流側送りフィン２２１により、右側に送られる。また、被処理物Ｗは、下流側送りフィン２２２により、左側に送られる。すなわち、被処理物Ｗは、熱処理帯Ｂに近接する方向に送られる。内筒２２が逆方向に回転する場合、被処理物Ｗは、上流側送りフィン２２１により、左側に送られる。また、被処理物Ｗは、下流側送りフィン２２２により、右側に送られる。すなわち、被処理物Ｗは、熱処理帯Ｂから離間する方向に送られる。

【0021】

複数の掻き上げフィン２２３は、内筒本体２２０の内周面に配置されている。掻き上げフィン２２３は、上流側送りフィン２２１と下流側送りフィン２２２との間に配置されている。掻き上げフィン２２３は、熱処理帯Ｂに配置されている。

【0022】

（熱処理部５）
熱処理部５は、架台９に配置されている。熱処理部５は、ハウジング５０と、断熱材５１と、ヒーター（熱源）５２と、を備えている。回転筒部２は、熱処理部５を左右方向に貫通している。回転筒部２の左右方向中間部分は、熱処理部５に収容されている。ハウジング５０は、円筒状を呈している。断熱材５１は、ハウジング５０の内面に積層されている。ヒーター５２は、断熱材５１に埋設されている。ヒーター５２の内周面は、外筒本体２００の外周面に、径方向に対向している。

【0023】

（供給部４）
供給部４は、回転筒部２の左側に配置されている。供給部４は、供給フード４０と、供給シュート４１と、供給容器４２と、供給フィーダー４３と、二つのバイブレーター４４ａ、４４ｂと、ガス供給源（例えばガスタンク、ガス配管など）４５と、ＭＦＣ（マスフローコントローラー）４６と、共用配管（ガス供給配管）Ｌ３と、五つの配管（ガス供給配管）Ｌ４～Ｌ８と、五つのバルブＶ４～Ｖ８を備えている。供給フード４０は、回転筒部２の左端（詳しくは、連結筒２１の左端）を、左側から覆っている。図２に示すように、供給フード４０には、配管Ｌ１の上流端が連なっている。配管Ｌ１の下流端は、バルブ（図略）を介して、真空ポンプ９１に連なっている。

【0024】

供給フィーダー４３は、筒体４３０と、三つの蓋体４３１と、上流側端板４３２と、下流側端板４３３と、を備えている。上流側端板４３２は、本発明の「蓋体」の概念に含まれる。

【0025】

筒体４３０は、左右方向（軸方向）に延在する半円筒状を呈している。筒体４３０は、供給フード４０を左右方向に貫通している。筒体４３０は、左端開口４３０ａと、右端開口４３０ｂと、搬入口４３０ｃと、搬出口４３０ｄと、三つの蓋取付口４３０ｅと、を備えている。左端開口４３０ａは、本発明の「軸方向一端開口」、「蓋取付口」の概念に含まれる。右端開口４３０ｂは、本発明の「軸方向他端開口」の概念に含まれる。筒体４３０の内部には、左右方向に延在する筒内通路Ｍが配置されている。筒内通路Ｍは、内部空間Ｃ（具体的には熱処理帯Ｂ）に連通している。

【0026】

左端開口４３０ａは、筒体４３０の左端（軸方向一端）に配置されている。右端開口４３０ｂは、筒体４３０の右端（軸方向他端）に配置されている。搬入口４３０ｃは、筒体４３０の筒壁の左端開口４３０ａ付近に配置されている。搬入口４３０ｃは、筒壁の上端位置（上端を含む位置）に配置されている。被処理物Ｗは、搬入口４３０ｃを介して、後述するシュート内通路Ｎから筒内通路Ｍに、搬入される。

【0027】

搬出口４３０ｄは、筒体４３０の筒壁の右端開口４３０ｂ付近に配置されている。搬出口４３０ｄは、筒壁の下端位置（下端を含む位置）に配置されている。搬出口４３０ｄは、後述する下流側端板４３３に隣接して配置されている。被処理物Ｗは、搬出口４３０ｄを介して、筒内通路Ｍから熱処理帯Ｂに、搬出される。

【0028】

三つの蓋取付口４３０ｅは、筒体４３０の筒壁における、搬入口４３０ｃと搬出口４３０ｄとの間に、所定間隔ずつ離間して、左右方向に並んで配置されている。三つの蓋取付口４３０ｅは、筒壁の上端位置に配置されている。

【0029】

筒体４３０における、左端開口４３０ａと搬入口４３０ｃ左端との間の区間は、通路外区間Ｐ１である。左端開口４３０ａは、通路外区間Ｐ１に配置されている。筒体４３０における、搬入口４３０ｃ右端と搬出口４３０ｄ左端との間の区間は、通路内区間Ｐ２である。三つの蓋取付口４３０ｅは、通路内区間Ｐ２に配置されている。

【0030】

三つの蓋体４３１は、各々、蓋取付口４３０ｅに着脱可能に取り付けられている。蓋体４３１には、下流側ガス導入口４３１ａが開設されている。下流側ガス導入口４３１ａは、本発明の「筒内ガス導入口」の概念に含まれる。被処理物Ｗを搬送する搬送ガスＧは、下流側ガス導入口４３１ａを介して、配管Ｌ６～Ｌ８から筒内通路Ｍ（通路内区間Ｐ２）に、導入される。搬送ガスＧは、大気以外の雰囲気ガスである。

【0031】

上流側端板４３２は、筒体４３０の左端開口４３０ａを封止している。上流側端板４３２には、上流側ガス導入口４３２ａが開設されている。上流側ガス導入口４３２ａは、本発明の「筒内ガス導入口」の概念に含まれる。被処理物Ｗを搬送する搬送ガスＧは、上流側ガス導入口４３２ａを介して、配管Ｌ５から通路外区間Ｐ１に、導入される。搬送ガスＧは、大気以外の雰囲気ガスである。下流側端板４３３は、筒体４３０の右端開口４３０ｂを封止している。

【0032】

供給シュート４１は、供給フィーダー４３の搬入口４３０ｃの上側（上流側）に連結されている。供給シュート４１は、上下方向に延在している。供給シュート４１の内部には、上下方向に延在するシュート内通路Ｎが配置されている。シュート内通路Ｎは、搬入口４３０ｃを介して、筒内通路Ｍに連通している。

【0033】

供給シュート４１は、下側から上側に向かって、シュート本体４１０と、バルブアセンブリ４１１と、を備えている。シュート本体４１０は、上下方向に延在する筒状を呈している。シュート本体４１０の下端部には、上側から下側に向かって尖る、テーパー筒部４１０ａが配置されている。バルブアセンブリ４１１は、バルブ４１１ａと、バルブケース４１１ｂと、を備えている。バルブケース４１１ｂは、筒状を呈している。バルブ４１１ａは、バルブケース４１１ｂに装着されている。バルブ４１１ａは、いわゆるバタフライバルブである。また、バルブ４１１ａは、開閉時にバルブケース４１１ｂに摺動しない非摺動バルブである。バルブ４１１ａは、バルブケース４１１ｂの内部空間（つまりシュート内通路Ｎ）を開放、遮断可能である。バルブケース４１１ｂには、シュート内ガス導入口４１１ｃが開設されている。シュート内ガス導入口４１１ｃは、バルブ４１１ａの上側（上流側）に配置されている。被処理物Ｗを搬送する搬送ガスＧは、シュート内ガス導入口４１１ｃを介して、配管Ｌ４からシュート内通路Ｎにおけるバルブ４１１ａの上流側に、導入される。搬送ガスＧは、大気以外の雰囲気ガスである。

【0034】

供給容器４２は、供給シュート４１の上側に連結されている。供給容器４２は、容器本体４２０と、蓋体４２１と、を備えている。蓋体４２１は、容器本体４２０の上端開口を封止している。供給容器４２（具体的には、閉状態のバルブ４１１ａの上側の空間）には、熱処理前の被処理物Ｗが貯留される。

【0035】

ＭＦＣ４６は、ガス供給源４５の下流側（搬送ガスＧの流動方向における下流側）に接続されている。ＭＦＣ４６は、共用配管Ｌ３を介して、五つの配管（ガス供給配管）Ｌ４～Ｌ８に接続されている。バルブＶ４は配管Ｌ４に、バルブＶ５は配管Ｌ５に、バルブＶ６は配管Ｌ６に、バルブＶ７は配管Ｌ７に、バルブＶ８は配管Ｌ８に、各々配置されている。

【0036】

バイブレーター４４ａは、下流側端板４３３に配置されている。バイブレーター４４ａは、下流側端板４３３を加振可能である。バイブレーター４４ｂは、シュート本体４１０のテーパー筒部４１０ａに配置されている。バイブレーター４４ｂは、テーパー筒部４１０ａを加振可能である。

【0037】

（排出部６）
排出部６は、回転筒部２の右側に配置されている。排出部６は、排出フード６０と、排出シュート６１と、排出容器６２と、を備えている。排出フード６０は、回転筒部２の右端を、右側から覆っている。図２に示すように、排出フード６０には、配管Ｌ２の下流端が連なっている。配管Ｌ２の上流端は、バルブ（図略）を介して、ＭＦＣ９２と、ガス供給源４５と、に連なっている。排出シュート６１は、排出フード６０の下側（下流側）に連結されている。排出シュート６１は、上下方向に延在している。排出シュート６１には、蛇腹部６１０が配置されている。蛇腹部６１０は、架台９傾動時の排出フード６０の移動量に応じて、変形可能である。排出容器６２は、排出シュート６１の下側に連結されている。排出容器６２には、熱処理後の被処理物Ｗが貯留される。

【0038】

［熱処理方法］
次に、本実施形態のロータリーキルンによる熱処理方法について説明する。熱処理方法は、供給工程と、熱処理工程と、片寄せ工程と、排出工程と、を有している。なお、熱処理工程中、ガス供給源４５は、配管Ｌ２を介して、炉内空間（具体的には、供給フード４０、回転筒部２、排出フード６０の内部空間）Ｄに所定の雰囲気ガスを供給する。また、真空ポンプ９１は、配管Ｌ１を介して、炉内空間Ｄを減圧する。

【0039】

（供給工程）
本工程においては、まず、架台９つまり外筒２０、内筒２２を水平に配置する。次に、蓋体４２１を開け、供給容器４２に、熱処理前の被処理物Ｗを、所定量（１バッチ分）だけ搬入する。続いて、蓋体４２１を閉める。そして、外筒２０、内筒２２を正方向に回転させる。

【0040】

それから、供給部４を駆動する。すなわち、搬送ガス（炉内空間Ｄの雰囲気ガスと同じガス）Ｇの気流により、供給容器４２から熱処理帯Ｂに被処理物Ｗを搬送する。具体的には、バルブ４１１ａを開状態に切り換え、シュート内通路Ｎを開放する。また、バイブレーター４４ａ、４４ｂの振動を開始する。また、バルブＶ４～Ｖ８を開閉制御し、シュート内通路Ｎに搬送ガスＧを導入する。なお、本工程におけるバルブＶ４～Ｖ８の制御方法については、後述する。

【0041】

（熱処理工程）
本工程においては、内筒２２を正方向に回転させたまま、かつ内筒２２を水平に保持したまま、所定の温度パターン（温度一定の場合を含む）で、所定の時間だけ、熱処理帯Ｂの被処理物Ｗに、熱処理を施す。熱処理中、被処理物Ｗは、内筒２２の回転に伴い、揺動する。また、被処理物Ｗは、複数の掻き上げフィン２２３により掻き上げられ、自重により流下する。

【0042】

ここで、内筒２２は正方向に回転している。このため、上流側送りフィン２２１付近の被処理物Ｗは、上流側送りフィン２２１により、下流側（熱処理帯Ｂ側）に送られる。並びに、下流側送りフィン２２２付近の被処理物Ｗは、下流側送りフィン２２２により、上流側（熱処理帯Ｂ側）に送られる。したがって、被処理物Ｗは熱処理帯Ｂに滞留する。

【0043】

（片寄せ工程）
本工程においては、内筒２２を正方向に回転させたまま、架台９つまり外筒２０、内筒２２を、左側から右側に向かって下降するように、傾動させる。内筒２２の傾動により、熱処理帯Ｂにおいて、被処理物Ｗは下流側に寄せられる。すなわち、被処理物Ｗは、上流側送りフィン２２１から離間し、下流側送りフィン２２２に近接するように、内筒本体２２０内部を流下する。

【0044】

（排出工程）
本工程においては、外筒２０および内筒２２の回転方向を反転させる。すなわち、外筒２０および内筒２２を逆方向に回転させる。このため、被処理物Ｗは、下流側送りフィン２２２により、熱処理帯Ｂから下流側に送られる。被処理物Ｗは、排出シュート６１を介して、排出容器６２に貯留される。

【0045】

このようにして、１バッチ分の被処理物Ｗの熱処理が実行される。この後、被処理物Ｗの処理量（バッチ数）に応じて、上述の熱処理方法（供給工程、熱処理工程、片寄せ工程、排出工程）が繰り返し実行される。

【0046】

［供給工程におけるバルブの制御方法］
次に、上述の供給工程におけるバルブの制御方法について説明する。なお、当該制御方法は、ロータリーキルンの制御装置（ＰＬＣ（プログラマブルロジックコントローラー）、コンピューターなど）により、自動的に実行される。図４に、供給工程におけるバルブの制御方法のフローチャートを示す。

【0047】

図４に示すように、供給工程（被処理物Ｗの気流搬送時）においては、まず、前述したように、バルブ４１１ａを開状態に切り換え、シュート内通路Ｎを開放する（Ｓ１（ステップ１、以下同様））。シュート内通路Ｎの開放に伴い、被処理物Ｗは、自重により、搬入口４３０ｃを介して、供給容器４２から筒内通路Ｍに流下する。

【0048】

次に、バルブＶ５を開状態に切り換え、配管Ｌ５のガス通路を開放する（Ｓ２）。すなわち、ＭＦＣ４６を、上流側ガス導入口４３２ａに連通させる。続いて、ガス供給源４５から、ＭＦＣ４６、共用配管Ｌ３、配管Ｌ５、上流側ガス導入口４３２ａを介して、通路外区間Ｐ１に、搬送ガスＧを供給する。当該搬送ガスＧの気流により、搬入口４３０ｃから筒内通路Ｍに流れ込んだ被処理物Ｗを、右側（下流側）に搬送する。また、搬送ガスＧの供給に併せて、図２に示す真空ポンプ９１は、配管Ｌ１を介して、炉内空間Ｄを減圧する。なお、当該減圧は、次工程である熱処理工程まで継続される。

【0049】

続いて、バルブＶ５を閉状態に切り換え、配管Ｌ５のガス通路を遮断する。並びに、バルブＶ６を開状態に切り換え、配管Ｌ６のガス通路を開放する（Ｓ３）。すなわち、ＭＦＣ４６を、左右三つの下流側ガス導入口４３１ａのうち、左端（上流端）の下流側ガス導入口４３１ａに連通させる。続いて、ガス供給源４５から、ＭＦＣ４６、共用配管Ｌ３、配管Ｌ６、左端の下流側ガス導入口４３１ａを介して、通路内区間Ｐ２に、搬送ガスＧを供給する。当該搬送ガスＧの気流により、筒内通路Ｍを搬送中の被処理物Ｗを、右側（下流側）に搬送する。

【0050】

それから、バルブＶ６を閉状態に切り換え、配管Ｌ６のガス通路を遮断する。並びに、バルブＶ７を開状態に切り換え、配管Ｌ７のガス通路を開放する（Ｓ４）。すなわち、ＭＦＣ４６を、左右三つの下流側ガス導入口４３１ａのうち、中央の下流側ガス導入口４３１ａに連通させる。続いて、ガス供給源４５から、ＭＦＣ４６、共用配管Ｌ３、配管Ｌ７、中央の下流側ガス導入口４３１ａを介して、通路内区間Ｐ２に、搬送ガスＧを供給する。当該搬送ガスＧの気流により、筒内通路Ｍを搬送中の被処理物Ｗを、右側（下流側）に搬送する。

【0051】

その後、バルブＶ７を閉状態に切り換え、配管Ｌ７のガス通路を遮断する。並びに、バルブＶ８を開状態に切り換え、配管Ｌ８のガス通路を開放する（Ｓ５）。すなわち、ＭＦＣ４６を、左右三つの下流側ガス導入口４３１ａのうち、右端（下流端）の下流側ガス導入口４３１ａに連通させる。続いて、ガス供給源４５から、ＭＦＣ４６、共用配管Ｌ３、配管Ｌ８、右端の下流側ガス導入口４３１ａを介して、通路内区間Ｐ２に、搬送ガスＧを供給する。当該搬送ガスＧの気流により、筒内通路Ｍを搬送中の被処理物Ｗを、右側（下流側）に搬送する。搬送された被処理物Ｗは、搬出口４３０ｄを介して、熱処理帯Ｂに搬出される。その後、バルブＶ８を閉状態に切り換え、配管Ｌ８のガス通路を遮断する。（Ｓ６）。

【0052】

ステップ１（Ｓ１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ１以下の場合（Ｓ７）、供給容器４２に被処理物Ｗが残留している。この場合、ステップ２（Ｓ２）からステップ６（Ｓ６）までの処理が、繰り返し実行される。

【0053】

ステップ１（Ｓ１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ１超過の場合（Ｓ７）、供給容器４２は空になっている。この場合、バルブＶ４を開状態に切り換え、配管Ｌ４のガス通路を開放する（Ｓ８）。すなわち、ＭＦＣ４６を、シュート内ガス導入口４１１ｃに連通させる。続いて、ガス供給源４５から、ＭＦＣ４６、共用配管Ｌ３、配管Ｌ４、シュート内ガス導入口４１１ｃを介して、シュート内通路Ｎにおけるバルブ４１１ａの上流側に、搬送ガスＧを供給する。当該搬送ガスＧの気流により、バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗを吹き飛ばす。その後、バルブＶ４を閉状態に切り換え、配管Ｌ４のガス通路を遮断する（Ｓ９）。

【0054】

続いて、ステップ１０（Ｓ１０）～ステップ１４（Ｓ１４）において、上述のステップ２（Ｓ２）～ステップ６（Ｓ６）と、同様の処理を行う。当該処理により、バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗは、熱処理帯Ｂに搬出される。その後、バルブ４１１ａを閉状態に切り換え、シュート内通路Ｎを遮断する。

【0055】

このように、供給工程において、複数のバルブＶ５～Ｖ８は、上流側から下流側に向かって、段階的に開閉制御される。すなわち、配管Ｌ５～Ｌ８のガス通路を開放する開状態が、上流側から下流側に向かって、複数のバルブＶ５～Ｖ８で順次受け継がれることにより、被処理物Ｗの搬送位置に応じて搬送ガスＧの気流が供給される。当該気流により、被処理物Ｗは搬送される。

【0056】

［作用効果］
次に、本実施形態の供給部（供給装置）およびロータリーキルンの作用効果について説明する。図３に示すように、本実施形態の供給部４によると、上流側ガス導入口４３２ａ、三つの下流側ガス導入口４３１ａから筒内通路Ｍに、搬送ガスＧを導入することができる。このため、搬送ガスＧの気流により、熱処理帯Ｂに被処理物Ｗを供給することができる。したがって、スクリューフィーダーを用いる場合と比較して、筒内通路Ｍに被処理物Ｗが残留しにくい。また、被処理物Ｗが、摺動や摩擦熱により、損傷を受けにくい。また、コンタミネーションが発生しにくい。

【0057】

本実施形態の供給部４によると、シュート内ガス導入口４１１ｃからシュート内通路Ｎに、搬送ガスＧを導入することができる。このため、被処理物Ｗの自重および搬送ガスＧの気流により、筒内通路Ｍに被処理物Ｗを供給することができる。したがって、シュート内通路Ｎに被処理物Ｗが残留しにくい。また、シュート内ガス導入口４１１ｃは、バルブ４１１ａの上側（上流側）に配置されている。このため、搬送ガスＧにより、バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗを流下させることができる。この点においても、シュート内通路Ｎに被処理物Ｗが残留しにくい。

【0058】

供給部４は、駆動部（例えば、スクリューフィーダーにおけるスクリュー回転用のモーター）を備えていない。このため、構成が簡単である。また、筒内通路Ｍには、挿入物（例えば、スクリューフィーダーにおけるスクリュー）が配置されていない。この点においても、構成が簡単である。また、筒内通路Ｍの通路断面積を大きくすることができる。

【0059】

また、筒内通路Ｍに挿入物が配置されていないため、簡単に筒内通路Ｍを洗浄することができる。洗浄においては、例えば、シュート内ガス導入口４１１ｃ、下流側ガス導入口４３１ａ、上流側ガス導入口４３２ａのうち、少なくとも一つのガス導入口から筒内通路Ｍにガスを吹き込み、筒内通路Ｍの残留物（被処理物Ｗ、ゴミなど）を吹き飛ばしてもよい。

【0060】

また、ロータリーキルン１の制御装置を用いて、筒内通路Ｍを自動洗浄することができる。例えば、当該制御装置を用いて、図４のステップ２（Ｓ２）からステップ６（Ｓ６）までの処理を一回、あるいは複数回実行することにより、筒内通路Ｍを自動洗浄することができる。

【0061】

シュート内通路Ｎは上下方向に、筒内通路Ｍは左右方向に、各々延在している。このため、シュート内通路Ｎと筒内通路Ｍとは、搬入口４３０ｃ付近において、直角に連通している。したがって、シュート内通路Ｎを流下する被処理物Ｗに自重が作用していることとも相俟って、搬入口４３０ｃの真下位置（筒内通路Ｍの上流端付近）には、被処理物Ｗが滞留しやすい。この点、上流側ガス導入口４３２ａは、通路外区間Ｐ１に搬送ガスＧを導入している。すなわち、上流側ガス導入口４３２ａは、搬入口４３０ｃの真下位置に、左側から、搬送ガスＧを導入している。したがって、搬入口４３０ｃの真下位置に被処理物Ｗが滞留するのを抑制することができる。また、下流側ガス導入口４３１ａは、通路内区間Ｐ２に搬送ガスＧを導入している。このため、筒内通路Ｍを流動する被処理物Ｗを、搬送ガスＧの気流により、付勢することができる。

【0062】

下流側端板４３３は、筒体４３０の右端開口４３０ｂを封止している。このため、搬送ガスＧの気流により、右端開口４３０ｂから熱処理帯Ｂに、被処理物Ｗが飛散するのを抑制することができる。また、搬出口４３０ｄは、下流側端板４３３に隣接して配置されている。このため、下流側端板４３３により堰き止められた被処理物Ｗを、搬出口４３０ｄから搬出することができる。したがって、熱処理帯Ｂの所定の位置（搬出口４３０ｄの真下位置）に、被処理物Ｗを集中的に搬出することができる。また、搬出口４３０ｄは、下向きに開口している。このため、被処理物Ｗの自重を利用して、被処理物Ｗを搬出することができる。また、搬入口４３０ｃは、上向きに開口している。このため、被処理物Ｗの自重を利用して、被処理物Ｗを搬入することができる。

【0063】

供給工程おける搬送ガスＧは、熱処理工程における炉内空間Ｄの雰囲気ガスと同一である。このため、搬送ガスＧが被処理物Ｗの熱処理に与える影響を小さくすることができる。配管Ｌ６～Ｌ８（左右三つの下流側ガス導入口４３１ａに対応）の下流端（ガス吹出口）は、筒体４３０の内周面に対して、径方向外側に配置されている。このため、配管Ｌ６～Ｌ８の下流端が被処理物Ｗに干渉するのを、抑制することができる。

【0064】

供給工程において、複数のバルブＶ５～Ｖ８は、上流側から下流側に向かって、段階的に開閉制御される。当該開閉制御に応じて、筒内ガス導入口（上流側ガス導入口４３２ａ、三つの下流側ガス導入口４３１ａ）が筒内通路Ｍに搬送ガスＧを導入するタイミングは、上流側から下流側に向かって、複数の筒内ガス導入口で、順次、受け継がれる。このため、筒内通路Ｍにおける被処理物Ｗの搬送位置に応じて、搬送ガスＧの気流を付勢することができる。

【0065】

本実施形態のロータリーキルン１はバッチ式である。すなわち、ロータリーキルン１は、バッチ毎に被処理物Ｗに熱処理を施す。仮に、ｎ（ｎは自然数）番目のバッチの被処理物Ｗの熱処理後に、被処理物Ｗが搬送通路（シュート内通路Ｎ、筒内通路Ｍ）に残留している場合を想定する。この場合、ｎ番目のバッチの被処理物Ｗが、ｎ＋１番目のバッチの被処理物Ｗに、混入するおそれがある。

【0066】

この点、本実施形態の供給部４によると、搬送ガスＧの気流により、被処理物Ｗを搬送している。筒内通路Ｍには、挿入物が配置されていない。このため、被処理物Ｗが搬送通路に残留しにくい。したがって、ｎ番目のバッチの被処理物Ｗが、ｎ＋１番目のバッチの被処理物Ｗに、混入するおそれが小さい。このように、本実施形態の供給部４は、バッチ式のロータリーキルン１に用いるのに、好適である。特に、本実施形態の供給部４は、ｎ番目のバッチとｎ＋１番目のバッチとで被処理物Ｗが変更される場合に好適である。すなわち、本実施形態の供給部４は、複数種類の被処理物Ｗに熱処理を施すロータリーキルン１に用いるのに、好適である。

【0067】

また、本実施形態の供給部４は、シュート内ガス導入口４１１ｃを備えている。このため、シュート内ガス導入口４１１ｃからシュート内通路Ｎに導入される搬送ガスＧにより、バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗを除去することができる。この点においても、被処理物Ｗが搬送通路に残留しにくい。

【0068】

供給部４のバイブレーター４４ａは、下流側端板４３３に配置されている。このため、下流側端板４３３付近を振動させることができる。したがって、下流側端板４３３付近（例えば、搬出口４３０ｄ）に被処理物Ｗが滞留するのを、抑制することができる。

【0069】

供給部４のバイブレーター４４ｂは、テーパー筒部４１０ａに配置されている。このため、テーパー筒部４１０ａ付近を振動させることができる。したがって、テーパー筒部４１０ａ付近（例えば、テーパー筒部４１０ａ内部、搬入口４３０ｃ）に被処理物Ｗが滞留するのを、抑制することができる。

【0070】

＜第二実施形態＞
本実施形態の供給部およびロータリーキルンと第一実施形態の供給部およびロータリーキルンとの相違点は、主に、二系統のガス供給ルートが設定されている点である。ここでは、相違点についてのみ説明する。

【0071】

まず、本実施形態の供給部の構成について説明する。図５に、本実施形態の供給部の軸方向断面図を示す。なお、図３と対応する部位については、同じ符号で示す。図５に示すように、シュート内ガス導入口４１１ｃは、バルブ４１１ａの下側（下流側）に配置されている。

【0072】

二系統のガス供給ルートのうち、一方は、ガス供給源４５ａとシュート内ガス導入口４１１ｃとの間に配置されている。具体的には、ガス供給源４５ａは、シールガス（例えば窒素）Ｇａを供給可能である。ＭＦＣ４６ａは、ガス供給源４５ａの下流側に接続されている。ＭＦＣ４６ａは、配管Ｌ４を介して、シュート内ガス導入口４１１ｃに接続されている。バルブＶ４は、配管Ｌ４に配置されている。

【0073】

二系統のガス供給ルートのうち、他方は、ガス供給源４５ｂと、上流側ガス導入口４３２ａおよび三つの下流側ガス導入口４３１ａと、の間に配置されている。具体的には、ガス供給源４５ｂは、搬送ガス（例えばアンモニア）Ｇｂを供給可能である。搬送ガスＧｂは、熱処理工程における炉内空間Ｄの雰囲気ガスと同じガスである。ＭＦＣ４６ｂは、ガス供給源４５ｂの下流側に接続されている。ＭＦＣ４６ｂは、共用配管Ｌ９を介して、四つの配管Ｌ５～Ｌ８に接続されている。バルブＶ５は配管Ｌ５に、バルブＶ６は配管Ｌ６に、バルブＶ７は配管Ｌ７に、バルブＶ８は配管Ｌ８に、各々配置されている。

【0074】

次に、本実施形態の供給部の供給工程におけるバルブの制御方法について説明する。なお、当該制御方法は、ロータリーキルンの制御装置により、自動的に実行される。図６に、供給工程におけるバルブの制御方法のフローチャートを示す。なお、図４と対応する部位については、同じ符号で示す。

【0075】

図６に示すように、供給工程においては、まず、バルブ４１１ａを開状態に切り換え、シュート内通路Ｎを開放する（Ｓ２１）。次に、ステップ２２（Ｓ２２）～ステップ２６（Ｓ２６）において、図４のステップ２（Ｓ２）～ステップ６（Ｓ６）と、同様の処理を行う。搬送ガスＧｂにより、供給容器４２の被処理物Ｗは、熱処理帯Ｂに搬送される。

【0076】

ステップ２１（Ｓ２１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ２以下の場合（図４のＳ２７）、シュート内通路Ｎにおいて、被処理物Ｗが、シュート内ガス導入口４１１ｃを上回って、滞留している。このため、被処理物Ｗが、シュート内ガス導入口４１１ｃを閉塞している。この場合、ステップ２２（Ｓ２２）からステップ２６（Ｓ２６）までの処理が、繰り返し実行される。

【0077】

時間の経過（被処理物Ｗの搬送）に伴い、シュート内通路Ｎにおける被処理物Ｗの滞留量は減少する。ステップ２１（Ｓ２１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ２超過の場合（Ｓ２７）、シュート内通路Ｎにおいて、被処理物Ｗが、シュート内ガス導入口４１１ｃを下回る。つまり、被処理物Ｗが、シュート内ガス導入口４１１ｃを開放する。この場合、バルブＶ４を開状態に切り換え、配管Ｌ４のガス通路を開放する（Ｓ２８）。すなわち、ＭＦＣ４６ａを、シュート内ガス導入口４１１ｃに連通させる。続いて、ガス供給源４５ａから、ＭＦＣ４６ａ、配管Ｌ４、シュート内ガス導入口４１１ｃを介して、シュート内通路Ｎにおけるバルブ４１１ａの下側（下流側）に、シールガスＧａを導入する。

【0078】

以下、シュート内ガス導入口４１１ｃよりも上流側の空間（シュート内通路Ｎの上側部分、供給容器４２の内部空間）を、容器側空間Ｈ１と称す。また、シュート内ガス導入口４１１ｃよりも下流側の空間（シュート内通路Ｎの下側部分、筒内通路Ｍ、炉内空間Ｄ）を、炉内側空間Ｈ２と称す。

【0079】

シュート内通路Ｎに導入されたシールガスＧａにより、容器側空間Ｈ１は、炉内側空間Ｈ２から隔離される。このため、炉内側空間Ｈ２から容器側空間Ｈ１への搬送ガスＧｂの流入が抑制される。また、シールガスＧａにより、バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗがシュート内通路Ｎを流下する。

【0080】

続いて、ステップ２９（Ｓ２９）～ステップ３３（Ｓ３３）において、図４のステップ２（Ｓ２）～ステップ６（Ｓ６）、図６のステップ２２（Ｓ２２）～ステップ２６（Ｓ２６）と、同様の処理を行う。搬送ガスＧｂにより、シュート内通路Ｎの被処理物Ｗは、熱処理帯Ｂに搬送される。

【0081】

ステップ２１（Ｓ２１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ３以下の場合（Ｓ３４）、シュート内通路Ｎに被処理物Ｗが残留している。この場合、ステップ２９（Ｓ２９）からステップ３３（Ｓ３３）までの処理が、繰り返し実行される。

【0082】

ステップ２１（Ｓ２１）からの経過時間ｔが所定時間Ｔ３超過の場合（Ｓ３４）、シュート内通路Ｎは空になっている。この場合、バルブ４１１ａを閉状態に切り換え、シュート内通路Ｎを遮断する（Ｓ３５）。その後、バルブＶ４を閉状態に切り換え、配管Ｌ４のガス通路を遮断する（Ｓ３６）。

【0083】

本実施形態の供給部およびロータリーキルンと、第一実施形態の供給部およびロータリーキルンとは、構成が共通する部分に関しては、同様の作用効果を有する。本実施形態の供給部４によると、ガス供給源４５ａからシールガスＧａをシュート内通路Ｎに導入することができる。並びに、ガス供給源４５ｂから搬送ガスＧｂを筒内通路Ｍに導入することができる。このため、シールガスＧａにより容器側空間Ｈ１を炉内側空間Ｈ２から隔離した状態で、搬送ガスＧｂにより被処理物Ｗを搬送することができる。したがって、搬送ガスＧｂが炉内側空間Ｈ２から容器側空間Ｈ１に流入するのを抑制することができる。よって、供給容器４２を搬送ガスＧｂに曝したくない場合などに好適である。

【0084】

また、図６のステップ３５（Ｓ３５）、ステップ３６（Ｓ３６）に示すように、シュート内通路Ｎを遮断した後で、つまり物理的に供給容器４２をシュート内通路Ｎから隔離した後で、シュート内通路ＮへのシールガスＧａの導入は停止される。このため、供給工程の終期において、供給容器４２に搬送ガスＧｂが流入するのを抑制することができる。

【0085】

＜その他＞
以上、本発明の供給装置およびロータリーキルンの実施の形態について説明した。しかしながら、実施の形態は上記形態に特に限定されるものではない。当業者が行いうる種々の変形的形態、改良的形態で実施することも可能である。

【0086】

図７に、その他の実施形態の供給部の軸方向断面図を示す。なお、図３と対応する部位については、同じ符号で示す。図７に示すように、供給部４は、複数の蓋体４３１Ａ～４３１Ｅを備えている。蓋体４３１Ｂは、蓋体４３１Ａに対して、下流側ガス導入口４３１ａの口径（開口面積）が大きい。蓋体４３１Ｃは、蓋体４３１Ａに対して、下流側ガス導入口４３１ａが左寄りに配置されている。蓋体４３１Ｄは、蓋体４３１Ａに対して、配管Ｌ６の角度（水平方向に対する蓋体４３１Ｄへの挿入角度）が小さい。蓋体４３１Ｅには、下流側ガス導入口４３１ａが配置されていない。このように、蓋取付口４３０ｅに対して、複数種類の蓋体４３１Ａ～４３１Ｅを、交換可能に配置してもよい。こうすると、被処理物Ｗの種類や搬送量、搬送ガスＧの種類やガス量などに応じて、複数種類の蓋体４３１Ａ～４３１Ｅを使い分けることができる。蓋取付口４３０ｅに対する蓋体４３１Ａ～４３１Ｅの取付構造は特に限定しない。例えば、ボルト、クランプなどを用いてもよい。

【0087】

図７に示すように、供給部４は、複数の上流側端板４３２Ａ～４３２Ｅを備えている。上流側端板４３２Ａ～４３２Ｅは、本発明の「蓋体」の概念に含まれる。上流側端板４３２Ｂは、上流側端板４３２Ａに対して、上流側ガス導入口４３２ａ口径（開口面積）が小さい。上流側端板４３２Ｃは、上流側端板４３２Ａに対して、上流側ガス導入口４３２ａが下寄りに配置されている。上流側端板４３２Ｄは、上流側端板４３２Ａに対して、配管Ｌ５の角度（水平方向に対する上流側端板４３２Ｄへの挿入角度）が大きい。上流側端板４３２Ｅには、上流側ガス導入口４３２ａが配置されていない。このように、左端開口（蓋取付口）４３０ａに対して、複数種類の上流側端板４３２Ａ～４３２Ｅを、交換可能に配置してもよい。こうすると、被処理物Ｗの種類や搬送量、搬送ガスＧの種類やガス量などに応じて、複数種類の上流側端板４３２Ａ～４３２Ｅを使い分けることができる。左端開口（蓋取付口）４３０ａに対する上流側端板４３２Ａ～４３２Ｅの取付構造は特に限定しない。例えば、ボルト、クランプなどを用いてもよい。

【0088】

また、図３に示す筒体４３０と蓋体４３１とは一体であってもよい。同様に、筒体４３０と上流側端板４３２とは一体であってもよい。また、単一の下流側ガス導入口４３１ａに対して、複数種類の配管Ｌ６～Ｌ８を、交換可能に配置してもよい。同様に、単一の上流側ガス導入口４３２ａに対して、複数種類の配管Ｌ５を交換可能に配置してもよい。

【0089】

図４のステップ７（Ｓ７）においては、時間経過（タイマー）により、供給容器４２が空になったことを検出したが、荷重変化（ロードセル）により、供給容器４２が空になったことを検出してもよい。図６のステップ２７（Ｓ２７）、ステップ３４（Ｓ３４）についても、同様である。このように、被処理物Ｗの量を検出する手段は特に限定しない。

【0090】

図４のステップ（Ｓ１０）～ステップ１４（Ｓ１４）の処理（バルブ４１１ａに付着した被処理物Ｗを吹き飛ばし、搬送する処理）の回数は特に限定しない。一回でも複数回でもよい。

【0091】

炉内空間Ｄの雰囲気ガス、搬送ガスＧ、Ｇｂ、シールガスＧａは特に限定しない。炉内空間Ｄの雰囲気ガス、搬送ガスＧ、Ｇｂ、シールガスＧａは、大気以外の雰囲気ガスであってもよい。すなわち、大気（ロータリーキルン１の設置場所の炉外の大気）に対して、成分および圧力のうち、少なくとも一方が異なるガスであってもよい。例えば、大気と比較して、酸素濃度が低いガス、あるいは酸素濃度が高いガスであってもよい。また、大気と比較して高圧の空気（圧縮空気）であってもよい。また、大気と比較して、酸素、窒素以外の成分が含まれないガスであってもよい。炉内空間Ｄの雰囲気ガス、搬送ガスＧ、Ｇｂ、シールガスＧａは、具体的には、アンモニア、不活性ガス（ヘリウム、アルゴン、窒素、二酸化炭素など）、還元性ガス（水素、一酸化炭素、炭化水素など）、酸化性ガス（酸素、水蒸気）などであってもよい。また、炉内空間Ｄの雰囲気ガス、搬送ガスＧ、Ｇｂ、シールガスＧａは、大気であってもよい。また、炉内空間Ｄの雰囲気は、真空（大気圧よりも低い圧力の雰囲気）であってもよい。炉内空間Ｄの雰囲気ガス、搬送ガスＧ、Ｇｂ、シールガスＧａの異同は特に限定しない。これらのガスは、各々、異なるガスであってもよい。また、少なくとも二つのガスが同一のガスであってもよい。

【0092】

搬送ガスＧ、Ｇｂは、熱処理工程における炉内空間Ｄの雰囲気に応じて、選択することができる。例えば、熱処理工程において炉内空間Ｄに所定の雰囲気ガスが供給される場合（図２に示すガス供給源４５から雰囲気ガスを供給し、真空ポンプ９１により排気する場合）、搬送ガスＧ、Ｇｂは当該雰囲気ガスであってもよい。また、熱処理工程において炉内空間Ｄが真空の場合（（図２に示す配管Ｌ２を遮断し、真空ポンプ９１により排気する場合）、搬送ガスＧ、Ｇｂは不活性ガスであってもよい。

【0093】

シールガスＧａは、搬送ガスＧｂ、供給容器４２の材質などに応じて、選択することができる。シールガスＧａは、搬送ガスＧｂと異なるガスであってもよい。また、シールガスＧａは、供給容器４２に影響を与えないガスであればよい。例えば、シールガスＧａは不活性ガスであってもよい。

【0094】

供給工程の際、炉内空間Ｄを真空ポンプ９１により減圧してもよい。こうすると、搬送ガスＧにより左側から被処理物Ｗを圧送しながら、真空ポンプ９１により右側（炉内空間Ｄ側）から被処理物Ｗを吸引することができる。また、供給工程の際、炉内空間Ｄを減圧しなくてもよい。例えば、図１に示す排出シュート６１から排出容器６２を取り外し、排出シュート６１の下端（下流端）が開放された状態で供給工程を実行してもよい。

【0095】

シュート内ガス導入口４１１ｃ、上流側ガス導入口４３２ａ、下流側ガス導入口４３１ａの各々から導入される搬送ガスＧは、同一であっても、異なっていてもよい。これらの搬送ガスＧのうち、少なくとも二つが同一であってもよい。また、これらの搬送ガスＧが、全て異なっていてもよい。

【0096】

シュート内ガス導入口４１１ｃ、上流側ガス導入口４３２ａ、下流側ガス導入口４３１ａの配置数、位置、形状、大きさ等は特に限定しない。これらのガス導入口のうち、少なくとも一つは配置しなくてもよい。搬入口４３０ｃ、搬出口４３０ｄの位置、形状、大きさ等は特に限定しない。搬出口４３０ｄを、内部空間Ｃのうち、熱処理帯Ｂよりも上流側に配置してもよい。右端開口４３０ｂを、搬出口４３０ｄとして用いてもよい。左端開口４３０ａを、搬入口４３０ｃとして用いてもよい。シュート内ガス導入口４１１ｃとバルブ４１１ａとの位置関係は特に限定しない。図３に示すように、シュート内ガス導入口４１１ｃをバルブ４１１ａの上流側に配置してもよい。また、図５に示すように、シュート内ガス導入口４１１ｃをバルブ４１１ａの下流側に配置してもよい。また、バルブ４１１ａの上流側および下流側に、一対のシュート内ガス導入口４１１ｃを配置してもよい。

【0097】

配管Ｌ１にガス供給源４５（ＭＦＣ９２含む）を、配管Ｌ２に真空ポンプ９１を、各々接続してもよい。また、ガス供給源４５を駆動せずに、真空ポンプ９１を駆動し、炉内空間Ｄを減圧してもよい。また、配管Ｌ１に対して、ガス供給源４５、真空ポンプ９１を切り換え接続可能としてもよい。同様に、配管Ｌ２に対して、ガス供給源４５、真空ポンプ９１を切り換え接続可能としてもよい。

【0098】

ガス供給源４５、４５ａ、４５ｂの種類は特に限定しない。ガスタンク、配管、コンプレッサ、ポンプなどであってもよい。ＭＦＣ４６、４６ａ、４６ｂ、９２は配置しなくてもよい。真空ポンプ９１の種類は特に限定しない。ドライポンプ（回転式真空ポンプ）、ルーツポンプ、メカニカルブースターポンプ、油回転ポンプ、エゼクタポンプ、油拡散ポンプ、クライオポンプ、ターボ分子ポンプなどであってもよい。真空ポンプ９１の配置数は特に限定しない。単一であっても複数であってもよい。真空ポンプ９１の代わりに、送風機（ブロア）を配置してもよい。炉内空間Ｄ用のガス供給源４５と搬送通路（シュート内通路Ｎ、筒内通路Ｍ）用のガス供給源４５とは、同一であっても異なっていてもよい。

【0099】

バルブ（４１１ａ、Ｖ４～Ｖ８）の種類は特に限定しない。バタフライバルブ、ゲートバルブ（スライドバルブ）、グローブバルブ、ボールバルブ、ニードルバルブ、ダイヤフラムバルブ、フラップバルブ、電磁バルブなどであってもよい。また、バルブの制御方法は、手動であっても、自動であってもよい。

【0100】

筒体４３０、外筒本体２００、内筒本体２２０の径方向断面形状は特に限定しない。円筒状、多角形筒状などであってもよい。回転筒部２の構成は特に限定しない。外筒２０、内筒２２を備える二重筒式であっても、内筒２２だけの単筒式であってもよい。上流側送りフィン２２１、下流側送りフィン２２２、掻き上げフィン２２３の位置、形状、長さ等は特に限定しない。これらのフィンは、配置しても、配置しなくてもよい。供給容器４２と排出容器６２とは構成が同一であってもよい。こうすると、二つの容器を共用化することができる。ロータリーキルン１の種類は特に限定しない。外熱式であっても、内熱式であってもよい。また、バッチ式であっても、連続式であってもよい。連続式の場合、回転筒部２は、左側から右側に向かって下降するように、所定の角度で傾斜している。供給工程、熱処理工程、排出工程は並行して実行される。また、供給部４（供給装置）は、ロータリーキルン１から独立して用いることもできる。例えば、ロータリーキルン１以外の炉などの処理装置（被処理物Ｗに対して所定の処理を施す装置）に、被処理物Ｗを供給する際に用いることもできる。

【0101】

被処理物Ｗの種類（材質、特性、形状、大きさなど）は特に限定しない。材質は、有機物、無機物、金属などであってもよい。形状は、粉状物、粒状物、塊状物などであってもよい。具体的には、医薬品、電池材料（正極材、負極材、電解質）、食品、廃棄物などであってもよい。好ましくは、気流搬送しやすい粉状物である方がよい。

【0102】

バイブレーター４４ａ、４４ｂの代わりに、ノッカーを配置してもよい。また、バイブレーター４４ａ、４４ｂは配置しなくてもよい。筒体４３０の延在方向は特に限定しない。水平方向、水平方向に対して傾斜する方向（上流側から下流側に向かって下降する方向、あるいは上昇する方向）などであってもよい。

【符号の説明】

【0103】

１：ロータリーキルン、２：回転筒部、２０：外筒、２００：外筒本体、２０１：上流側タイヤ、２０２：下流側タイヤ、２０３：スプロケット、２１：連結筒、２２：内筒、２２０：内筒本体、２２１：上流側送りフィン、２２２：下流側送りフィン、２２３：掻き上げフィン、３：回転支持部、３０：上流側ローラー、３１：下流側ローラー、３２：上流側摺動シール部、３３：下流側摺動シール部、４：供給部（ロータリーキルンの供給装置）、４０：供給フード、４１：供給シュート、４１０：シュート本体、４１０ａ：テーパー筒部、４１１：バルブアセンブリ、４１１ａ：バルブ、４１１ｂ：バルブケース、４１１ｃ：シュート内ガス導入口、４２：供給容器、４２０：容器本体、４２１：蓋体、４３：供給フィーダー、４３０：筒体、４３０ａ：左端開口（軸方向一端開口、蓋取付口）、４３０ｂ：右端開口（軸方向他端開口）、４３０ｃ：搬入口、４３０ｄ：搬出口、４３０ｅ：蓋取付口、４３１：蓋体、４３１Ａ～４３１Ｅ：蓋体、４３１ａ：下流側ガス導入口（筒内ガス導入口）、４３２：上流側端板（蓋体）、４３２Ａ～４３２Ｅ：上流側端板（蓋体）、４３２ａ：上流側ガス導入口（筒内ガス導入口）、４３３：下流側端板、４４ａ：バイブレーター、４４ｂ：バイブレーター、４５：ガス供給源、４５ａ：ガス供給源、４５ｂ：ガス供給源、４６：ＭＦＣ、４６ａ：ＭＦＣ、４６ｂ：ＭＦＣ、５：熱処理部、５０：ハウジング、５１：断熱材、５２：ヒーター、６：排出部、６０：排出フード、６１：排出シュート、６１０：蛇腹部、６２：排出容器、９：架台、９１：真空ポンプ、９２：ＭＦＣ、Ａ：回転軸、Ｂ：熱処理帯、Ｃ：内部空間、Ｄ：炉内空間、Ｇ：搬送ガス、Ｇａ：シールガス、Ｇｂ：搬送ガス、Ｈ１：容器側空間、Ｈ２：炉内側空間、Ｌ１～Ｌ２：配管、Ｌ３：共用配管、Ｌ４～Ｌ８：配管、Ｌ９：共用配管、Ｍ：筒内通路、Ｎ：シュート内通路、Ｐ１：通路外区間、Ｐ２：通路内区間、Ｖ４～Ｖ８：バルブ、Ｗ：被処理物

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】