特開 2023-41469 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023041469

(43)【公開日】2023-03-24

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20230316BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021148861

(22)【出願日】2021-09-13

(71)【出願人】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100180806

【弁理士】

【氏名又は名称】三浦 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100160716

【弁理士】

【氏名又は名称】遠藤 力

(72)【発明者】

【氏名】太田 良純

(72)【発明者】

【氏名】栗城 新吾

(72)【発明者】

【氏名】秋山 貴

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA42

5F142AA56

5F142BA32

5F142CA11

5F142CD02

5F142CD18

5F142CD44

5F142CD47

5F142CD49

5F142CG06

5F142DB24

5F142FA30

(57)【要約】

【課題】キャビティ構造の筐体を使用し、且つ、狭ピッチで配置された配線パターン上に発光素子を実装可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、凹状の収容部が形成されたセラミックス製の筐体１０と、収容部に配置され、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２と、第１配線パターンに接続される第３配線パターン３１及び第２配線パターンに接続される第４配線パターン３２を有し、収容部に配置される配線基板１３と、配線基板の表面に配置されると共に、第３配線パターン及び第４配線パターンに接続される発光素子１４と、収容部を密封する密封部材１６とを有し、第１配線パターンの間、第２配線パターンの間、及び第１配線パターンと第２配線パターンとの間の最小の離隔距離である第１離隔距離は、第３配線パターンの間、第４配線パターンの間、及び第３配線パターンと第４配線パターンとの間の最小の離隔距離である第２離隔距離よりも長い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

凹状の収容部が形成されたセラミックス製の筐体と、
前記筐体に配置される一対の電極と、
前記収容部に配置され、前記一対の電極のそれぞれに接続される第１配線パターン及び第２配線パターンと、
第１配線パターンに接続される第３配線パターン及び第２配線パターンに接続される第４配線パターンを有し、前記収容部に配置される配線基板と、
前記第３配線パターンに接続されるアノード及び前記第４配線パターンに接続されるカソードを有し、前記配線基板の表面に配置され、前記一対の電極に電圧が印加されることに応じて光を出射する発光素子と、
前記発光素子から出射される光を透過すると共に、前記収容部を密封する密封部材と、を有し、
前記第１配線パターンの間、前記第２配線パターンの間、及び前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの間の最小の離隔距離である第１離隔距離は、前記第３配線パターンの間、前記第４配線パターンの間、及び前記第３配線パターンと前記第４配線パターンとの間の最小の離隔距離である第２離隔距離よりも長い、
ことを特徴とする発光装置。

【請求項2】

前記アノードの間、前記カソードの間、及び前記アノードと前記カソードとの間の最小の離隔距離である第３離隔距離は、前記第１離隔距離よりも短く、前記第２離隔距離よりも長い、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記筐体は、平板状の基部と、基部の表面の外縁に沿って配置される枠状の壁部とを有し、
前記配線基板の厚さは、前記基部の厚さよりも薄い、請求項１又は２に記載の発光装置。

【請求項4】

前記配線基板は、前記第３配線パターン及び前記第４配線パターンが配置され、平面視したときに前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンが視認可能なように一対の切欠きが形成される基台を更に有し、
前記第３配線パターンは、前記一対の切欠きの一方を介して前記第１配線パターンにボンディングワイヤによって接続され、
前記第４配線パターンは、前記一対の切欠きの他方を介して前記第２配線パターンにボンディングワイヤによって接続される、請求項１に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

赤色光、緑色光、青色光を出射する発光装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載される発光装置では、発光素子は、セラミックス基板上に高密度に実装されるので、発光径が小さい光を発光できると共に、発光に伴う発熱による影響を抑制することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１２７１４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載される発光装置では、セラミックス基板及び金属枠により形成される収容部に発光素子が収容されるため、セラミックス基板及び金属枠を樹脂材によって覆うことで、収容部の気密性の低下が防止される。しかしながら、特許文献１に記載される発光装置は、気密性の低下を防止するために、樹脂材によってセラミックス基板及び金属枠を覆うため、小型化が容易ではない。

【0005】

平面状の基部及び基部の表面の外縁に沿って配置される枠状の壁部により凹状の収容部が形成されたキャビティ構造のセラミックス基板を筐体として使用することで、樹脂材によって外枠を覆うことなく気密性が高い発光装置が形成可能である。しかしながら、キャビティ構造のセラミックス基板では、キャビティ構造形成後にフォトリソグラフィ法による配線パターン形成をするにはレジストを塗布する必要があるがキャビティ構造によりレジストを均一に塗布するのは困難である。したがって、配線パターンは、キャビティ形成前のグリーンシート上に印刷法により形成する必要がある。印刷法はスクリーン印刷が一般的でフォトリソグラフィ法に比べて限界配線幅が太く、配線ピッチも広い。また、キャビティ形成前の焼成前に形成するため、焼成中に構造が変化して配線パターン間に短絡が発生するおそれがあり、配線ピッチをその分広げる必要がある。一方、発光素子の小型化に伴って、狭ピッチで配置された配線パターン上に発光素子を配置することが望まれるが、キャビティ構造のセラミックス基板に狭ピッチで配置された配線パターンを形成することは容易ではない。

【0006】

本発明は、このような課題を解決するものであり、キャビティ構造の筐体を使用し、且つ、狭ピッチで配置された配線パターン上に発光素子を実装可能な発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る発光装置は、凹状の収容部が形成されたセラミックス製の筐体と、筐体に配置される一対の電極と、収容部に配置され、一対の電極のそれぞれに接続される第１配線パターン及び第２配線パターンと、第１配線パターンに接続される第３配線パターン及び第２配線パターンに接続される第４配線パターンを有し、収容部に配置される配線基板と、第３配線パターンに接続されるアノード及び第４配線パターンに接続されるカソードを有し、配線基板の表面に配置され、一対の電極に電圧が印加されることに応じて光を出射する発光素子と、発光素子から出射される光を透過すると共に、収容部を密封する密封部材とを有し、第１配線パターンの間、第２配線パターンの間、及び第１配線パターンと第２配線パターンとの間の最小の離隔距離である第１離隔距離は、第３配線パターンの間、第４配線パターンの間、及び第３配線パターンと第４配線パターンとの間の最小の離隔距離である第２離隔距離よりも長い。

【0008】

さらに、本発明に係る発光装置では、アノードの間、カソードの間、及びアノードとカソードとの間の最小の離隔距離である第３離隔距離は、第１離隔距離よりも短く、第２離隔距離よりも長いことが好ましい。

【0009】

さらに、本発明に係る発光装置では、筐体は、平板状の基部と、基部の表面の外縁に沿って配置される枠状の壁部とを有し、配線基板の厚さは、基部の厚さよりも薄いことが好ましい。

【0010】

さらに、本発明に係る発光装置では、配線基板は、第３配線パターン及び第４配線パターンが配置され、平面視したときに第１配線パターン及び第２配線パターンが視認可能なように一対の切欠きが形成される基台を更に有し、第３配線パターンは、一対の切欠きの一方を介して第１配線パターンにボンディングワイヤによって接続され、第４配線パターンは、一対の切欠きの他方を介して第２配線パターンにボンディングワイヤによって接続されることが好ましい。

【発明の効果】

【0011】

本発明に係る発光装置は、キャビティ構造の筐体を使用し、且つ、狭ピッチで配置された配線パターン上に発光素子を実装することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】第１実施形態に係る発光装置の斜視図である。

【図2】図１に示す収容部の平面図である。

【図3】図２に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【図4】図１に示す配線基板、発光素子及び過電圧保護素子を除去した状態の収容部の平面図である。

【図5】（ａ）は配線基板の平面図であり、（ｂ）は配線基板の底面図である。

【図6】図１に示す発光素子の底面図である。

【図7】図１に示す発光装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図8】第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。

【図9】図８に示す配線基板の平面図である。

【図10】第１変形例に係る発光装置の平面図である。

【図11】第２変形例に係る発光装置の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図面を参照して、本発明に係る発光装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。

【0014】

（第１実施形態に係る発光装置の構成および機能）
図１は第１実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図２は図１に示す収容部の平面図であり、図３は図２に示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。

【0015】

発光装置１は、筐体１０と、第１配線パターン１１と、第２配線パターン１２と、配線基板１３と、発光素子１４と、過電圧保護素子１５と、密封部材１６と、第１電極１７と、第２電極１８とを有する。発光装置１は、第１電極１７と第２電極１８との間に電圧が印加されることに応じて、光を出射する。

【0016】

筐体１０は、光で劣化しにくく、熱伝導率が高い絶縁部材である窒化アルミ（ＡｌＮ）等のセラミックスにより形成される高温焼成積層セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics、ＨＴＣＣ）部材、又はセラミックスにガラス等が含有された低温焼成積層セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics、ＬＴＣＣ）部材である。筐体１０は、平板状の基部１０ａと、基部１０ａの表面の外縁に沿って配置される枠状の壁部１０ｂと、第１貫通電極１０ｃと、第２貫通電極１０ｄとを有する。筐体１０は、平面状の基部１０ａ及び基部１０ａの表面の外縁に沿って配置される枠状の壁部１０ｂによって凹状の収容部１９が形成されるキャビティ構造を有する。筐体１０は、基部１０ａ及び壁部１０ｂの焼成前のグリーンシートを一体化して焼成することで、一体成形される。

【0017】

第１貫通電極１０ｃ及び第２貫通電極１０ｄは、基部１０ａの表面と裏面との間を貫通する貫通孔に配置され、銅等の導電性部材で形成される。第１貫通電極１０ｃは第１配線パターン１１と第１電極１７とを接続し、第２貫通電極１０ｄは第２配線パターン１２と第２電極１８とを接続する。

【0018】

第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２は、基部１０ａの表面に配置される。第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）等の導電性薄膜である基層、及び基層上に積層されるメッキ層により形成される。メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）層、ニッケル層上に積層されるパラジム（Ｐｄ）層、及びパラジム層上に積層される金（Ａｕ）層により形成される。

【0019】

図４は、配線基板１３、発光素子１４及び過電圧保護素子１５を除去した状態の収容部１９の平面図である。

【0020】

第１配線パターン１１は、第１基部２１と、第１突起部２２を有する。第１基部２１は、矩形の平面形状を有し、一対の短辺、及び一対の長辺の一方は、筐体１０の壁部１０ｂの内壁に対向するように配置される。第１突起部２２は、矩形の平面形状を有し、第１基部２１の一対の長辺の他方の中央部に、第２配線パターン１２に向かって突出するように配置される。第２配線パターン１２は、第２基部２３と、第２突起部２４とを有し、第１配線パターン１１と線対称となる平面形状を有する。

【0021】

第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２は、基部１０ａの焼成前のグリーンシートに配置されるため、同一の配線ルールに基づいて配置される。第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２の配線幅、配線間の離隔距離、及び配線ピッチは、焼成後、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２に断線及び短絡が発生しないように、比較的長くなる。

【0022】

第１配線パターン１１の間、第２配線パターン１２の間、及び第１配線パターン１１と第２配線パターン１２との間の最小の離隔距離である第１離隔距離Ｄ１は、第１突起部２２と第２突起部２４との間の距離である。

【0023】

図５（ａ）は配線基板１３の平面図であり、図５（ｂ）は配線基板１３の底面図である。

【0024】

配線基板１３は、基台３０と、第３配線パターン３１と、第４配線パターン３２と、第５配線パターン３３と、第６配線パターン３４と、第１内部電極３５と、第２内部電極３６とを有する。基台３０は、光で劣化しにくく、熱伝導率が高い絶縁部材である窒化アルミ（ＡｌＮ）等のセラミックスにより形成されるＨＴＣＣ基板、又はセラミックスにガラス等が含有されたＬＴＣＣ基板であり、矩形の平面形状を有する。基台３０の厚さは、筐体１０の基部１０ａの厚さよりも薄い。基台３０は、第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２は基台３０の表面に配置され、第５配線パターン３３及び第６配線パターン３４は基台３０の裏面に配置される。

【0025】

第３配線パターン３１、第４配線パターン３２、第５配線パターン３３及び第６配線パターン３４は、銅等の導電性部材で形成された薄膜である。第３配線パターン３１は、第４配線パターン３２に向かって延伸する矩形状の５本の歯３１ａを有する櫛歯状の平面形状を有する。第４配線パターン３２は、第３配線パターン３１に向かって延伸する矩形状の６本の歯３２ａを有する櫛歯状の平面形状を有する。第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２は、金（Ａｕ）及び錫（Ｓｎ）を含有する導電性の接続部材３７を介して発光素子１４に接続される。発光素子との接続ははんだや金バンプなどの導電性接着部材であればこれに限定されない。第５配線パターン３３及び第６配線パターン３４は、矩形の平面形状を有し、基台３０の裏面に配置される。第５配線パターン３３は接続部材３７を介して第１配線パターン１１の第１突起部２２に接続され、第６配線パターン３４は接続部材３７を介して第２配線パターン１２の第２突起部２４に接続される。

【0026】

第３配線パターン３１～第６配線パターン３４は、同一の基台３０に配置されるため、同一の配線ルールに基づいて配置される。第３配線パターン３１～第６配線パターン３４は、基台３０の焼成後に配線層として金属層をメッキし、フォトリソ工程によりパターニングし配線パターンを形成するため、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２の配線ルールよりも細い配線ルールにより配置することができる。

【0027】

第３配線パターン３１の間、第４配線パターン３２の間、及び第３配線パターン３１と第４配線パターン３２との間の最小の離隔距離である第２離隔距離Ｄ２は、第３配線パターン３１の歯３１ａと、第４配線パターン３２の歯３２ａとの間の距離である。

【0028】

第３配線パターン３１～第６配線パターン３４の配線ルールに基づく最小離隔距離である第２離隔距離Ｄ２は、第１配線パターン１１～第２配線パターン１２の配線ルールに基づく最小離隔距離である第１離隔距離Ｄ１よりも短い。第２離隔距離Ｄ２は、第１離隔距離Ｄ１の半分以下であることが好ましく、第１離隔距離Ｄ１の１／４以下であることがより好ましく、第１離隔距離Ｄ１の１／１０以下であることがより好ましい。

【0029】

第１内部電極３５及び第２内部電極３６は、銅等の導電性部材で形成され、基台３０の表面から裏面に貫通する貫通孔に配置される。第１内部電極３５は第３配線パターン３１と第５配線パターン３３との間を接続し、第２内部電極３６は第４配線パターン３２と第６配線パターン３４との間を接続する。配線基板１３は、細かい配線ルールで配線可能であり、第１内部電極３５及び第２内部電極３６を、発光素子１４のアノード基部４３、カソード接続面４９に対向し、はみ出さない位置に配置することで、放熱経路を短くし、放熱性をアップさせると共に、平面視したときの配線基板１３と発光素子１４の面積を略同一にでき、小型化できる。つまり、配線基板１３の裏面の少なくとも一部に重なる範囲で正負の電気経路を配置することができる。

【0030】

図６は、発光素子１４の底面図である。

【0031】

発光素子１４は、半導体層４０と、アノード４１と、カソード４２とを有し、アノード４１とカソード４２との間に順方向電圧が印加されることに応じて光を出射するＬＥＤダイであり、矩形の平面形状を有する。

【0032】

アノード４１は、アノード基部４３と、第１アノード接続面４４と、第２アノード接続面４５と、第３アノード接続面４６と、第４アノード接続面４７と、第５アノード接続面４８とを有し、カソード４２に向かって延伸する５個の歯を有する櫛状の平面形状を有する。アノード基部４３は、矩形状の平面形状を有し、内側の長辺から５本の歯が互いに平行に延伸する。アノード基部４３は絶縁膜（図示していない）で覆われていて、その一部を開口することで、第１アノード接続面４４～第４アノード接続面４８を形成している。第１アノード接続面４４～第５アノード接続面４８のそれぞれは、アノード基部４３の長辺から延伸するアノード４１の５つの歯に配置される。

【0033】

第１アノード接続面４４～第５アノード接続面４８のそれぞれは、接続部材３７を介して第３配線パターン３１に接続される。第１アノード接続面４４～第５アノード接続面４８は、リフローなどの加熱により接続部材３７が溶解した後に固化することで、第３配線パターン３１に接続される。

【0034】

カソード４２は、アノード４１の歯と互い違いに配置される歯を有する櫛型の平面形状を有し、アノード４１と同様に絶縁膜を開口したカソード接続面４９を有する。カソード接続面４９はアノード基部４３に対向する辺の両端の近傍に配置される。アノード４１とカソード４２は、互い違いに配置される歯を有し、発光素子１４の裏面において、電流経路がほぼ均等になる形状であり、電流密度をほぼ一定にすることができるから、発光素子１４内部からの光の取り出し効率が向上し、発光強度が向上している。なお、発光素子１４は、小型化するため、アノード４１とカソード４２がかなり近接する形状になっている。

【0035】

アノード４１の間、カソード４２の間、及びアノード４１とカソード４２との間の最小の離隔距離である第３離隔距離Ｄ３は、アノード４１とカソード４２との間の距離である。第３離隔距離Ｄ３は、第１離隔距離Ｄ１よりも短く、第２離隔距離Ｄ２よりも長い。

【0036】

過電圧保護素子１５は、アノード及びカソードを有するツェナーダイオードであり、ボンディングワイヤ１５ａを介して第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２に接続される。過電圧保護素子１５は、降伏電圧が印加されることに応じて電流を流し、発光素子１４に過電圧が印加されることを防止する。なお、過電圧保護素子１５は、発光素子１４への過電圧の印加を防止可能なツェナーダイオード以外のバリスタ等の電子部品であってもよい。

【0037】

密封部材１６は、ガラス等の光透過部材である。密封部材１６は、金属接合等の合成樹脂によって形成された接着部材を使用しない接続方法によって壁部１０ｂの上面に接合される。密封部材１６が配置されることによって、密封される収容部１９は、例えば真空状態であってもよく、窒素ガス及びアルゴンガス等の不活性ガスが充填されてもよい。

【0038】

第１電極１７及び第２電極１８は、銅等の導電性部材で形成され、基部１０ａの裏面に配置される裏面電極である。第１電極１７は、第１貫通電極１０ｃ、第１配線パターン１１、第５配線パターン３３、第１内部電極３５及び第３配線パターン３１を介して発光素子１４のアノード４１に接続される。また、第１電極１７は、第１貫通電極１０ｃ及び第１配線パターン１１を介して過電圧保護素子１５のアノードに接続される。第２電極１８は、第２貫通電極１０ｄ、第２配線パターン１２、第６配線パターン３４、第２内部電極３６及び第４配線パターン３２を介して発光素子１４のカソード４２に接続される。また、第１電極１７は、第２貫通電極１０ｄ及び第２配線パターン１２を介して過電圧保護素子１５のカソードに接続される。

【0039】

図７は、発光装置１の製造方法を示すフローチャートである。

【0040】

まず、筐体準備工程において、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２が表面に配置されると共に、密封部材１６を接続する接続部材が壁部１０ｂの上面に配置される筐体１０が準備される（Ｓ１０１）。次いで、第１接続部材配置工程において、接続部材３７が第１配線パターン１１の第１突起部２２及び第２配線パターン１２の第２突起部２４それぞれの表面に配置される（Ｓ１０２）。次いで、配線基板配置工程において、配線基板１３が第１配線パターン１１の第１突起部２２及び第２配線パターン１２の第２突起部２４を覆うように配置される（Ｓ１０３）。次いで、第２接続部材配置工程において、接続部材３７が、例えば、メタルマスクを使用した印刷方式によって、ほぼ均一な厚みになるように、配線基板１３の第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２の表面に配置される（Ｓ１０４）。

【0041】

次いで、素子配置工程において、発光素子１４及び過電圧保護素子１５が配置される（Ｓ１０５）。発光素子１４は配線基板１３の第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２を覆うように配置され、過電圧保護素子１５は第１配線パターン１１と第２配線パターン１２との間に配置される。リフローなどの加熱工程において、配線基板１３、発光素子１４及び過電圧保護素子１５が配置された筐体１０が加熱され（Ｓ１０６）、配線基板１３、発光素子１４及び過電圧保護素子１５が固定される。次いで、ワイヤボンディング工程において、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２と過電圧保護素子１５との間がボンディングワイヤ１５ａによって接続される（Ｓ１０７）。そして、密封部材配置工程において、密封部材１６が筐体１０の壁部１０ｂの上面に接続される（Ｓ１０８）ことで、発光装置１は製造される。

【0042】

（第１実施形態に係る発光装置の作用効果）
発光装置１では、発光素子１４は、基部１０ａの表面に配置される第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２よりも細かい配線ルールで配置可能な第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２を有する配線基板１３を介して実装される。発光装置１では、発光素子１４は、細かい配線ルールで配置可能な第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２を有する配線基板１３を介して実装されるので、狭ピッチで配置された配線パターンに実装することができる。

【0043】

また、発光装置１では、筐体１０に形成された収容部１９に発光素子１４が収容されるので、発光素子１４が収容される収容部１９の気密性が低下するおそれは低い。

【0044】

また、発光装置１では、発光素子１４は、櫛型のアノードを有するので、半導体多層膜４０に均一性が高い電流を供給することができる。発光素子１４は、細かい配線ルールで配置可能な第３配線パターン３１にアノードが接続されるので、発光素子１４が小型化した場合でも、櫛型のアノードに配線パターンを接続することができる。発光装置１は、配線基板１３が、細かい配線ルールで配置可能な第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２を有するから、発光素子１４が有する細かい配線ルールで配置された第１アノード接続面４４～第５アノード接続面４８、カソード接続面４９とを接続することができる。なお、発光素子１４のカソード４２のアノード４１の歯と互い違いに配置される歯を有する櫛型の平面形状部分と、配線基板１３の歯３２ａを、全面に渡って接続してもよい。配線基板１３と発光素子１４がより強固に接合できる。

【0045】

また、発光装置１では、配線基板１３は、熱伝導率が高いセラミックス基板なので、発光素子１４が発光するときに放出される熱が配線基板１３及び筐体１０を介して効率よく外部に放熱できる。また、発光装置１では、基台３０の厚さは、筐体１０の基部１０ａの厚さよりも薄いので、配線基板１３を介して効率よく放熱できる。

【0046】

また、発光装置１では、過電圧保護素子１５は、低コスト且つ接続が容易なボンディングワイヤを介して第１配線パターン及び前記第２配線パターンに接続されるので、過電圧保護素子１５を低コスト且つ簡単に実装することができる。

【0047】

また、発光装置１では、過電圧保護素子１５は、配線基板１３を介することなく筐体１０の表面に直接配置されるので、発光素子１４よりも低い位置に配置することができる。発光装置１は、過電圧保護素子１５が発光素子１４よりも低い位置に配置され、過電圧保護素子１５に吸収される光量を少なくできるので、発光効率の低下を抑制することができる。なお、過電圧保護素子１５は、発光素子１４と共に配線基板１３に実装されてもよい。

【0048】

図８は第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。

【0049】

発光装置２は、配線基板５３を配線基板１３の代わりに有することが発光装置１と相違する。配線基板５３以外の発光装置２の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0050】

図９は、配線基板５３の平面図である。

【0051】

配線基板５３は、基台６０、第３配線パターン６１及び第４配線パターン６２を有し、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２にボンディングワイヤ６３を介して接続される。基台６０は、第３配線パターン６１及び第４配線パターン６２の配列方向の長さが基台３０よりも長いことが基台３０と相違する。第３配線パターン６１及び第４配線パターン６２の配列方向の長さ以外の基台６０の構成及び機能は、基台３０の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0052】

第３配線パターン６１及び第４配線パターン６２は、ボンディング領域６４及び６５を有することが第３配線パターン３１及び第４配線パターン３２と相違する。ボンディング領域６４及び６５は、ボンディングワイヤ６３が接続される領域である。

【0053】

発光装置２では、第３配線パターン６１及び第４配線パターン６２は、ボンディングワイヤ６３を介して第１配線パターン及び前記第２配線パターンに接続されるので、ＬＴＣＣ）基板を使用しないので、配線基板５３は、低コスト且つ簡単に実装可能である。

【0054】

（変形例に係る発光装置）
発光装置１及び２は、過電圧保護素子１５を有するが、実施形態に係る発光装置は、過電圧保護素子を有さなくともよい。

【0055】

図１０は、第１変形例に係る発光装置の平面図である。

【0056】

発光装置３は、筐体７０、第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２を筐体１０、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２の代わりに有することが発光装置１と相違する。また、発光装置３は、密封部材７６、第１電極７７及び第２電極７８を密封部材１６、第１電極１７及び第２電極１８の代わりに有することが発光装置１と相違する。また、発光装置３は、過電圧保護素子１５を有さないことが発光装置１と相違する。筐体７０～第２配線パターン７２及び密封部材７６～第２電極７８以外の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0057】

筐体７０は、収容部７９の形状が筐体１０と相違する。収容部７９の形状以外の筐体７０の構成及び機能は、筐体１０の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。収容部７９は、配線基板１３を近接して囲む平面形状を有する。収容部７９の内壁と配線基板１３の外縁との離隔距離は、収容部７９に配線基板１３を配置可能な最小距離である。

【0058】

第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２は、第１配線パターン１１及び第２配線パターン１２と同様に、基層上に積層されるメッキ層により形成される。第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２は、矩形の平面形状を有し、平面視したときに、配線基板１３に全面に亘って覆われるように配置される。

【0059】

密封部材７６は、密封部材１６と同様に、光を透過する光透過部材であり、筐体７０に接合されることにより、収容部７９を密封する。

【0060】

第１電極７７及び第２電極７８は、銅第１電極１７及び第２電極１８と同様に、銅等の導電性部材で形成され、筐体７０の裏面に配置される裏面電極である。第１電極７７及び第２電極７８は、平面視したときに、配線基板１３に全面に亘って覆われるように配置される。

【0061】

発光装置３は、第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２が全体に亘って配線基板１３に覆われるように配置されるので、平面サイズを小さくすることができる。また、発光装置３は、第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２と共に第１電極７７及び第２電極７８が全体に亘って配線基板１３に覆われるように配置されるので、平面サイズを更に小さくすることができる。発光装置３は、平面視したとき、配線基板１３の外周に囲まれた範囲内に全ての正負の電気経路が存在している。

【0062】

図１１は、第２変形例に係る発光装置の平面図である。

【0063】

発光装置４は、配線基板８３を配線基板１３の代わりに有することが発光装置３と相違する。配線基板８３以外の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置３の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0064】

配線基板８３は、基台９０と、第３配線パターン９１と、第４配線パターン９２とを有する。基台９０は、基台３０と同様に、窒化アルミ（ＡｌＮ）等のセラミックスにより形成されるＨＴＣＣ基板、又はセラミックスにガラス等が含有されたＬＴＣＣ基板であり、一対の切欠き９０ａ及び９０ｂが形成された略矩形の平面形状を有する。

【0065】

一対の切欠き９０ａ及び９０ｂは、平面視したときに第１配線パターン７１に及び第２配線パターン７２が視認可能なように形成される。第３配線パターン９１は、一対の切欠きの一方である切欠き９０ａを介して第１配線パターン７１にボンディングワイヤ９３によって接続される。第４配線パターン９２は、一対の切欠きの他方である切欠き９０ｂを介して第２配線パターン７２にボンディングワイヤ９３によって接続される。

【0066】

発光装置４は、発光装置３と同様に、第１配線パターン７１及び第２配線パターン７２が全体に亘って配線基板１３に覆われるように配置されるので、平面サイズを小さくすることができる。

【符号の説明】

【0067】

１～４ 発光装置
１０、７０ 筐体
１１、７１ 第１配線パターン
１２、７２ 第２配線パターン
１３、５３、８３ 配線基板
１４ 発光素子
１５ 過電圧保護素子
１６、７６ 密封部材
１７、７７ 第１電極
１８、７８ 第２電極
１９、７９ 収容部
３１、９１ 第３配線パターン
３２、９２ 第４配線パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】