(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023042093
(43)【公開日】2023-03-27
(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/22 20060101AFI20230317BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20230317BHJP
H10K 59/00 20230101ALI20230317BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20230317BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20230317BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20230317BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20230317BHJP
【ＦＩ】
H05B33/22 Z
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/10
G09F9/30 365
G09F9/00 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021149195
(22)【出願日】2021-09-14
(71)【出願人】
【識別番号】514188173
【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】鬼丸 俊昭
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC26
3K107CC45
3K107DD88
3K107DD89
3K107FF09
3K107GG06
3K107GG24
3K107GG28
3K107GG57
5C094AA31
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA15
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB15
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH15
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】バンクの欠陥部に隣接する画素がリペア処理によって発光しなくなることを抑制する。
【解決手段】有機ＥＬ表示パネル１は、複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の画素電極２０と、複数の列バンク３０と、複数の行バンク４０と、複数の発光層５０と、共通電極６０と、を備える。有機ＥＬ表示パネル１は、列バンク３２に設けられた欠陥部Ｄと、欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２の画素電極２１、２２上に設けられた複数の第１絶縁部７０および複数の第２絶縁部８０と、を有する。複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および他方側に位置し、かつ、列バンク３２と列バンク３２の両隣に位置する列バンク３１、３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。複数の第２絶縁部８０は、列バンク３２と列バンク３１、３２との間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。
【選択図】図６
【解決手段】有機ＥＬ表示パネル１は、複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の画素電極２０と、複数の列バンク３０と、複数の行バンク４０と、複数の発光層５０と、共通電極６０と、を備える。有機ＥＬ表示パネル１は、列バンク３２に設けられた欠陥部Ｄと、欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２の画素電極２１、２２上に設けられた複数の第１絶縁部７０および複数の第２絶縁部８０と、を有する。複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および他方側に位置し、かつ、列バンク３２と列バンク３２の両隣に位置する列バンク３１、３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。複数の第２絶縁部８０は、列バンク３２と列バンク３１、３２との間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、
前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、
前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、
を備える有機ＥＬ表示パネルであって、
前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、
前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、
前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、
を有し、
前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、
前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、
前記第２絶縁部は、前記第１方向から見た場合に、前記第１絶縁部に接する第１領域と、前記第１領域が設けられた面とは異なる面に設けられ、前記発光層に接する第２領域と、を有し、
前記第１絶縁部は、前記画素電極に接する底面の縁端から上方に向かって傾斜する側面を有し、
前記発光層は、前記画素電極に接する底面から上方に向かって傾斜する端部を有し、
前記第２絶縁部の前記第１領域は前記第１絶縁部の前記側面に接し、前記第２領域は前記発光層の前記端部に接している
有機ＥＬ表示パネル。
前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、
前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、
前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、
を備える有機ＥＬ表示パネルであって、
前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、
前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、
前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、
を有し、
前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、
前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、
前記第２絶縁部は、前記第１方向から見た場合に、前記第１絶縁部に接する第１領域と、前記第１領域が設けられた面とは異なる面に設けられ、前記発光層に接する第２領域と、を有し、
前記第１絶縁部は、前記画素電極に接する底面の縁端から上方に向かって傾斜する側面を有し、
前記発光層は、前記画素電極に接する底面から上方に向かって傾斜する端部を有し、
前記第２絶縁部の前記第１領域は前記第１絶縁部の前記側面に接し、前記第２領域は前記発光層の前記端部に接している
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項2】
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部よりも、前記発光層を形成するためのインクに対して親液性を有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項3】
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部よりも、前記発光層を形成するためのインクに対して撥液性を有する材料の割合が少ない
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項4】
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部から見て前記欠陥部が存在する側の前記第１絶縁部の側面に接している
請求項１～３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１～３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項5】
前記第１絶縁部は、前記行バンクから見て前記欠陥部が存在する側の前記行バンクの側面に接している
請求項１～４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１～４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項6】
前記欠陥部は、前記２つの列バンク、前記複数の第１絶縁部および前記複数の第２絶縁部によって囲まれている
請求項１～５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１～５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項7】
基板と、
前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、
前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、
前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、
を備える有機ＥＬ表示パネルであって、
前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、
前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、
前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、
を有し、
前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、
前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、
前記２つの画素のそれぞれの前記複数の第１絶縁部によって挟まれた領域において、
前記発光層は、直接または前記第２絶縁部を介して、前記画素電極の全面を覆っている
有機ＥＬ表示パネル。
前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、
前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、
前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、
を備える有機ＥＬ表示パネルであって、
前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、
前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、
前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、
を有し、
前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、
前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、
前記２つの画素のそれぞれの前記複数の第１絶縁部によって挟まれた領域において、
前記発光層は、直接または前記第２絶縁部を介して、前記画素電極の全面を覆っている
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項8】
基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記第１方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクを形成する、および、前記第２方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクを形成するバンク形成工程と、
前記複数の画素電極のうち、前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部に近接する画素電極上に、複数の第１絶縁部を形成する第１絶縁部形成工程と、
前記複数の第１絶縁部とは異なる材料を含む複数の第２絶縁部を、前記欠陥部に近接する画素電極上に形成する第２絶縁部形成工程と、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に複数の発光層を形成する発光層形成工程と、
前記複数の発光層上に共通電極を形成する共通電極形成工程と、
を含み、
前記第１絶縁部形成工程において、前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置するように、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する列バンクとの間において前記第１方向に沿って形成され、
前記第２絶縁部形成工程において、前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記両隣に位置する列バンクとの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って形成される
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記第１方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクを形成する、および、前記第２方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクを形成するバンク形成工程と、
前記複数の画素電極のうち、前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部に近接する画素電極上に、複数の第１絶縁部を形成する第１絶縁部形成工程と、
前記複数の第１絶縁部とは異なる材料を含む複数の第２絶縁部を、前記欠陥部に近接する画素電極上に形成する第２絶縁部形成工程と、
前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に複数の発光層を形成する発光層形成工程と、
前記複数の発光層上に共通電極を形成する共通電極形成工程と、
を含み、
前記第１絶縁部形成工程において、前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置するように、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する列バンクとの間において前記第１方向に沿って形成され、
前記第２絶縁部形成工程において、前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記両隣に位置する列バンクとの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って形成される
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項9】
前記発光層形成工程において、前記発光層は前記画素電極上に発光層形成用のインクを塗布することで形成され、
前記第２絶縁部に対する前記インクの接触角は、前記第１絶縁部に対する前記インクの接触角よりも小さい
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記第２絶縁部に対する前記インクの接触角は、前記第１絶縁部に対する前記インクの接触角よりも小さい
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルは、行列状に配列された複数の画素と、格子状に設けられた複数のバンクと、を備えている。複数の画素のそれぞれは、画素電極（陽極）、発光層および共通電極（陰極）が順に積層された構造を有している。発光層は、例えば、赤、緑または青の発光材料を含み、隣り合うバンクの間に発光材料を含む発光層用インクを塗布することで形成される。
【0003】
例えば、バンクに異物や欠けなどの欠陥部がある場合、発光層用インクを塗布したときに欠陥部に隣接する２つの画素の発光層用インクが混色することがある。特許文献１には、欠陥部に隣接する２つの画素の画素電極に絶縁材料を塗布してリペア処理をした後に、発光層用インクを塗布することで、混色が拡大することを抑制する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－１０１５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、特許文献１に開示された方法では、リペア処理された画素、すなわちバンクの欠陥部に隣接する画素が発光しなくなることがある。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、バンクの欠陥部に隣接する画素が、リペア処理によって発光しなくなることを抑制する有機ＥＬ表示パネル等を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの一態様は、基板と、前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、を備える有機ＥＬ表示パネルであって、前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、を有し、前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、前記第２絶縁部は、前記第１方向から見た場合に、前記第１絶縁部に接する第１領域と、前記第１領域が設けられた面とは異なる面に設けられ、前記発光層に接する第２領域と、を有し、前記第１絶縁部は、前記画素電極に接する底面の縁端から上方に向かって傾斜する側面を有し、前記発光層は、前記画素電極に接する底面から上方に向かって傾斜する端部を有し、前記第２絶縁部の前記第１領域は前記第１絶縁部の前記側面に接し、前記第２領域は前記発光層の前記端部に接している。
【0008】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの一態様は、基板と、前記基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に配列された複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極と、前記第１方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクと、前記第２方向に沿って配列された前記複数の画素の間に位置し、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクと、前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層上に設けられた共通電極と、を備える有機ＥＬ表示パネルであって、前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部と、前記複数の画素のうち前記欠陥部に隣接する２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第１絶縁部と、前記第１絶縁部とは異なる材料を含み、前記２つの画素のそれぞれの画素電極上に設けられた複数の第２絶縁部と、を有し、前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置し、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１方向に沿って設けられ、前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記２つの列バンクとのそれぞれの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って設けられており、前記２つの画素のそれぞれの前記複数の第１絶縁部によって挟まれた領域において、前記発光層は、直接または前記第２絶縁部を介して、前記画素電極の全面を覆っている。
【0009】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板の主面に平行な第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に沿って行列状に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記第１方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第２方向に沿って延伸する複数の列バンクを形成する、および、前記第２方向に沿って配置された前記複数の画素電極の間において、前記第１方向に沿って延伸する複数の行バンクを形成するバンク形成工程と、前記複数の画素電極のうち、前記複数の列バンクの少なくとも１つの列バンクに設けられた欠陥部に近接する画素電極上に、複数の第１絶縁部を形成する第１絶縁部形成工程と、前記複数の第１絶縁部とは異なる材料を含む複数の第２絶縁部を、前記欠陥部に近接する画素電極上に形成する第２絶縁部形成工程と、前記複数の画素電極を覆うように、前記複数の列バンクの間に複数の発光層を形成する発光層形成工程と、前記複数の発光層上に共通電極を形成する共通電極形成工程と、を含み、前記第１絶縁部形成工程において、前記複数の第１絶縁部は、前記欠陥部から見て前記第２方向の一方側および前記一方側の反対である他方側に位置するように、かつ、前記欠陥部を有する列バンクと当該列バンクの両隣に位置する列バンクとの間において前記第１方向に沿って形成され、前記第２絶縁部形成工程において、前記複数の第２絶縁部は、前記欠陥部を有する列バンクと前記両隣に位置する列バンクとの間において前記第１絶縁部に接するように前記第１方向に沿って形成される。
【発明の効果】
【0010】
本発明の有機ＥＬ表示パネル等によれば、バンクの欠陥部に隣接する画素が、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】有機ＥＬ表示パネルの一部を示す平面図である。
【図3】比較例の有機ＥＬ表示パネルの一部の平面図であり、列バンクに欠陥部が設けられた例を示す図である。
【図5】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置を示す模式図である。
【図6】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの一部の平面図であり、列バンクに欠陥部が設けられた例を示す図である。
【図8】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図9A】有機ＥＬ表示パネルの製造工程の一部を示す図である。
【図9B】有機ＥＬ表示パネルの製造工程の一部を示す図である。
【図9C】有機ＥＬ表示パネルの製造工程の一部を示す図である。
【図9D】有機ＥＬ表示パネルの製造工程の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
【0013】
図１は、有機ＥＬ表示パネル１の一部を示す平面図である。図２は、有機ＥＬ表示パネルを図１のＩＩ－ＩＩ線から見た断面図である。なお、図１および図２は、有機ＥＬ表示パネル１の全領域のうち欠陥部が無い領域を示している。また、図１では、後述する発光層５０および共通電極６０の図示を省略している。
【0014】
図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１は、行列状に配列された複数の画素Ｐと、格子状に設けられた複数の列バンク３０および複数の行バンク４０と、を備えている。複数の列バンク３０は、第１方向Ｘに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延伸している。複数の行バンク４０は、第２方向Ｙに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに沿って延伸している。列バンク３０の高さは、行バンク４０の高さよりも高くなるように形成されている。なお、図１に示す第３方向Ｚは、有機ＥＬ表示パネル１の光出射方向である。
【0015】
図２に示すように、複数の画素Ｐのそれぞれは、陽極となる画素電極２０、電圧が印加されることで発光する発光層５０、および、陰極となる共通電極６０が順に積層された構造を有している。発光層５０は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）または青（Ｂ）の発光材料を含む。発光層５０は、隣り合う列バンク３０の間の画素電極２０上および行バンク４０上に、発光材料を含む発光層用インクを塗布することで形成される。
【0016】
図３は、比較例の有機ＥＬ表示パネル１０１の一部の平面図であり、列バンク３０に欠陥部Ｄが設けられた例を示す図である。図４は、比較例の有機ＥＬ表示パネル１０１を図３のＩＶ－ＩＶ線から見た断面図である。図３でも、発光層１５０および共通電極１６０の図示を省略している。
【0017】
【0018】
列バンク３０に欠陥部Ｄが設けられると、発光層用インクを塗布したときに、欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐの発光層用インクが混色することがある。そこで、比較例の有機ＥＬ表示パネル１０１では、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐの画素電極２０上に撥液性を有する絶縁部材１７０を形成してリペア処理をした後、発光層用インクを塗布している。このように、撥液性を有する絶縁部材１７０を形成した後に発光層用インクを塗布することで、第２方向Ｙに隣り合う画素Ｐの発光層１５０を分断し、発光層用インクの混色が拡大することを抑制できる。
【0019】
しかしながら、絶縁部材１７０は撥液性を有するため、画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに発光層用インクが絶縁部材１７０からはじかれ、画素電極２０が発光層１５０で覆われず、画素電極２０の露出した領域が形成される。そのため、発光層１５０上に共通電極１６０を形成したときに、共通電極１６０の一部が画素電極２０の露出した領域に電気的に接触し（ショートし）、発光層１５０が発光しなくなるという問題がある。このように、比較例の有機ＥＬ表示パネル１０１では、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなる、すなわち滅点になるという問題がある。
【0020】
それに対し、本発明の有機ＥＬ表示パネルは、以下に示す構成を有することで、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0021】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【0022】
各図において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を付している。また、各図は、模式図であり、膜厚および各部の大きさの比などは、必ずしも厳密に表したものではない。
【0023】
【0024】
図５は、有機ＥＬ表示パネル１を備える表示装置２を示す模式図である。
【0025】
表示装置２は、有機ＥＬ表示パネル１と、有機ＥＬ表示パネル１に接続された駆動制御回路部５とを備えている。
【0026】
駆動制御回路部５は、有機ＥＬ表示パネル１に含まれる薄膜トランジスタ等を駆動する複数の駆動回路７、および、複数の駆動回路７を制御する制御回路６を有している。
【0027】
有機ＥＬ表示パネル１は、行列状に配置された複数の画素Ｐを有している。例えば、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルでは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）による３種類の画素Ｐを有している。３種類の画素Ｐのうち、異なる色の画素Ｐは第１方向Ｘに沿ってこの順で繰り返し配置され、同じ色の画素Ｐは第２方向Ｙに沿って配置されている（図１参照）。これらの画素Ｐは、サブ画素と呼ばれることもあるが、本実施の形態では、赤、緑、青のそれぞれの画素を画素Ｐと呼ぶ。なお、複数の画素Ｐは、３種類の画素Ｐに限られず、赤、緑、青、白（Ｗ）による４種類の画素であってもよい。
【0028】
【0029】
図６は、有機ＥＬ表示パネル１の一部の平面図であり、列バンク３０に欠陥部Ｄが設けられた例を示す図である。図７は、有機ＥＬ表示パネル１を図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線から見た断面図である。図６では、発光層５０および共通電極６０の図示を省略している。以下、有機ＥＬ表示パネル１を表示パネル１と呼ぶ場合がある。
【0030】
表示パネル１は、基板１０と、複数の画素Ｐのそれぞれに１対１で対応する複数の画素電極２０と、基板１０上に設けられた複数の列バンク３０および複数の行バンク４０と、複数の発光層５０（図７参照）と、共通電極６０（図７参照）とを備えている。また、本実施の形態の表示パネル１は、複数の第１絶縁部７０と、複数の第２絶縁部８０と、を備えている。
【0031】
図６には、複数の列バンク３０の一例である列バンク３１、３２および３３が示され、複数の行バンク４０の一例である行バンク４１、４２が示されている。同図には、複数の画素Ｐの一例として画素Ｐ１およびＰ２が示され、複数の画素電極２０の一例である画素電極２１および２２が示されている。同図には、複数の第１絶縁部７０の一例である第１絶縁部７１、７２、７３および７４が示され、複数の第２絶縁部８０の一例である、第２絶縁部８１、８２、８３および８４が示されている。
【0032】
基板１０には、複数の画素Ｐを発光制御する複数の薄膜トランジスタなどが設けられている（図示省略）。複数の薄膜トランジスタのそれぞれは、基板１０上に設けられた複数の画素電極２０に接続されている。
【0033】
複数の画素電極２０は、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って行列状に配置されている。画素電極２０は、光の反射率が高い導電性材料、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、モリブデンなどによって形成される。
【0034】
複数の列バンク３０は、第１方向Ｘに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第２方向Ｙに沿って延伸している。基板１０の主面１０ａを基準としたときの高さは、列バンク３０は、行バンク４０よりも高くなるように形成されている（図７参照）。列バンク３０は、絶縁性を有する材料、例えばアクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する熱硬化樹脂などによって形成されている。また、列バンク３０は、発光層５０を形成するための発光層用インクに対して撥液性を有する材料を含んでいる。
【0035】
複数の行バンク４０は、第２方向Ｙに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに沿って延伸している。すなわち行バンク４０は、列バンク３０に直交している。行バンク４０は、絶縁性を有する材料、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラックフェノール樹脂などによって形成されている。また、行バンク４０は、発光層用インクに対して親液性を有する材料を含んでいる。
【0036】
発光層５０は、例えば有機材料に溶媒を混合した発光溶液を塗布することで形成される。有機材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【0037】
複数の発光層５０は、複数の列バンク３０の間に設けられている。発光層５０は、例えば、隣り合う列バンク３０の間に発光層用インクを塗布することで形成されるが、行バンク４０は親液性を有しているため、画素電極２０上だけでなく行バンク４０上にも形成される。つまり、発光層５０は、第２方向Ｙに沿って配置された複数の画素電極２０および複数の行バンク４０を覆うように、第２方向Ｙに沿って帯状に形成される。なお、本実施の形態の発光層５０は、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐにおいて、分断された状態となっている。これについては後述する。
【0038】
共通電極６０は、複数の発光層５０上に設けられている。共通電極６０も、発光層５０と同様に、複数の列バンク３０の間に設けられている。共通電極６０は、例えばスパッタ法または蒸着法により、発光層５０を覆うように第２方向Ｙに沿って帯状に設けられている。なお、共通電極６０は、複数の発光層５０および複数の列バンク３０の全面を覆うように形成されていてもよい。
【0039】
ここで、複数の列バンク３０のうちの１つの列バンク３２に欠陥部Ｄが設けられた例について説明する。欠陥部Ｄとは、列バンク３０において異物が設けられた部分または列バンク３０において欠けが生じている部分である。図６および図７には、列バンク３２の一部が決壊した状態の欠陥部Ｄが示されている。
【0040】
表示パネル１では、異なる色の複数の画素Ｐが複数の列バンク３０によって仕切られ、同じ色の複数の画素Ｐが複数の行バンク４０によって仕切られている。そのため、例えば列バンク３２に欠陥部Ｄが設けられると、発光層用インクを塗布してから乾燥するまでの間に、欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２の発光層用インクが混色することがある。
【0041】
そこで、本実施の形態でも比較例と同様に、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐの画素電極２０上に複数の第１絶縁部７０を形成するリペア処理を施す。リペア処理は、例えば、第１絶縁部７０を形成するための絶縁材料を、針を用いて塗布する処理である。なお、リペア処理は、インクジェット法またはディスペンス法等によって実行されてもよい。
【0042】
図６に示すように、複数の第１絶縁部７０は、複数の画素電極２０のうち欠陥部Ｄに隣接する２つの画素電極２１、２２に設けられる。例えば、複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側（第２方向Ｙのマイナス側）および一方側の反対である他方側（第２方向Ｙのプラス側）に位置し、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１方向Ｘに沿って設けられている。
【0043】
具体的には、第１絶縁部７１は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側に位置し、列バンク３２と列バンク３１との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第１絶縁部７２は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの他方側に位置し、列バンク３２と列バンク３１との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第１絶縁部７３は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側に位置し、列バンク３２と列バンク３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第１絶縁部７４は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの他方側に位置し、列バンク３２と列バンク３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。なお、上記における第２方向Ｙの一方側とは、例えば、欠陥部Ｄが端から数えて第ｋ（ｋは１以上の整数）の行バンク４０と第（ｋ＋１）の行バンク４０との間に設けられている場合、欠陥部Ｄから見て第ｋの行バンク４０側を意味する。第２方向Ｙの他方側とは、欠陥部Ｄから見て第（ｋ＋１）の行バンク４０側を意味する。
【0044】
また、第１絶縁部７１、７３は、行バンク４１の２つの側面４０ａのうち、行バンク４１から見て欠陥部Ｄが存在する側（第２方向Ｙのプラス側）の側面４０ａに接している。第１絶縁部７２、７４は、行バンク４２の２つの側面４０ａのうち、行バンク４２から見て欠陥部Ｄが存在する側（第２方向Ｙのマイナス側）の側面４０ａに接している。この第１絶縁部７０は、行バンク４０よりも高さが高く、また、行バンク４０よりも幅が狭くなるように形成される。
【0045】
第１絶縁部７０は、発光層５０を形成するための発光層用インクに対して撥液性を有する材料、例えば、フッ素樹脂を含む樹脂によって形成されている。第１絶縁部７０の樹脂としては、光や熱で硬化させることが可能な樹脂、例えばポリイミドやアクリル、または、アクロイル基、アリル基、ビニル基などを有する樹脂にフッ素を導入したフッ化ポリマーなどの樹脂材料が用いられる。
【0046】
第１絶縁部７０を、撥液性を有する材料とすることで、隣り合う列バンク３０の間に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０上に形成されなくなる。そのため、第２方向Ｙにおいて隣り合う画素Ｐの発光層用インクが繋がらずに分断して形成され、発光層用インクの混色が拡大することを抑制できる。
【0047】
しかしながら、第１絶縁部７０は撥液性を有するため、画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０からはじかれてしまう。そこで、本実施の形態の表示パネル１では、さらに、第１絶縁部７０とは異なる材料を含む第２絶縁部８０が設けられている。
【0048】
図６に示すように、複数の第２絶縁部８０は、複数の画素電極２０のうち欠陥部Ｄに隣接する２つの画素電極２１、２２に設けられる。例えば、複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において、第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。
【0049】
具体的には、第２絶縁部８１は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側に位置し、列バンク３２と列バンク３１との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第２絶縁部８２は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの他方側に位置し、列バンク３２と列バンク３１との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第２絶縁部８３は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側に位置し、列バンク３２と列バンク３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。第２絶縁部８４は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの他方側に位置し、列バンク３２と列バンク３３との間において第１方向Ｘに沿って設けられている。この第２絶縁部８０は、行バンク４０よりも高さが低く、また、行バンク４０よりも幅が狭くなるように形成される。欠陥部Ｄは、２つの列バンク３１、３３、複数の第１絶縁部７１～７４、および、複数の第２絶縁部８１～８４によって囲まれた構造となっている。
【0050】
第２絶縁部８０は、光や熱で硬化させることが可能な樹脂、例えばポリイミドやアクリル、または、アクロイル基、アリル基、ビニル基などを有する樹脂材料で形成されている。第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも発光層用インクに対して親液性を有している。言い換えると、第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも、発光層用インクに対して撥液性を有する材料の割合が少ない。なお、親液性は、接触角によって評価することができ、接触角が小さいほど親液性を有するといえる。本実施の形態では、第２絶縁部８０に対する発光層用インクの接触角は、第１絶縁部７０に対する発光層用インクの接触角よりも小さい。例えば、第２絶縁部８０に対する発光層用インクの接触角は３０°以下であり、第１絶縁部７０に対する発光層用インクの接触角は５０°以上である。なお、第２絶縁部８０には、第１絶縁部７０に対しても親液性を有する材料が含まれている。
【0051】
さらに、画素Ｐの断面構造について、図７を参照しながら詳しく説明する。ここでは画素Ｐ１を例に挙げて説明するが、画素Ｐ２も同様である。また、ここでは、一方側の第１絶縁部７１および第２絶縁部８１を例に挙げて説明するが、他方側の第１絶縁部７２および第２絶縁部８２も同様である。
【0052】
図７に示すように、第１絶縁部７１は、行バンク４１の２つの側面４０ａのうち、行バンク４１から見て欠陥部Ｄが存在する側の側面４０ａに接するように画素電極２０上に形成されている。第１絶縁部７１は、画素電極２０に接する底面７０ｃ、および、底面７０ｃの縁端から上方に向かって傾斜する側面７０ａを有している。第１絶縁部７１の側面７０ａは、底面７０ｃの近くの裾野部分においてスロープ状となっている。
【0053】
第２絶縁部８１は、第１絶縁部７１の側面７０ａと発光層５０との間に設けられ、第１絶縁部７１に接する第１領域８０ａと、発光層５０に接する第２領域８０ｂとを有している。第１領域８０ａおよび第２領域８０ｂは、第２絶縁部８１の表面の異なる面に設けられている。
【0054】
第１領域８０ａは、第２絶縁部８１から見て第１絶縁部７１側に位置している。また、第１領域８０ａは、第１絶縁部７０から見て欠陥部Ｄが存在する側の第１絶縁部７１の側面７０ａの裾野部分に接している。
【0055】
第２領域８０ｂは、第２絶縁部８１から見て画素Ｐ１内の発光層５０側に位置し、発光層５０の端部５０ｄに接している。具体的には、発光層５０は、画素電極２１に接する底面５０ｃから上方に向かって傾斜する端部５０ｄを有し、第２絶縁部８１の第２領域８０ｂは、この端部５０ｄの下面に接している。つまり、発光層５０は、２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの複数の第１絶縁部７０によって挟まれた領域（発光領域）において、直接または第２絶縁部８１を介して、画素電極２０の全面を覆っている。表示パネル１が、第１絶縁部７０に加えさらに第２絶縁部８１を有することで、例えば画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０にはじかれてしまうという現象を抑えることができる。
【0056】
このように本実施の形態の表示パネル１は、第１絶縁部７０に加えさらに第２絶縁部８０を有している。第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と、２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。これによれば、画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０の画素電極２０に接する裾近傍においてはじかれてしまうことを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。言い換えると、画素電極２０の全面を発光層５０で覆うことができる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、第１絶縁部７０のリペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0057】
【0058】
【0059】
まず、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って行列状に複数の画素電極２０を形成する（ステップＳ１１）。次に、第１方向Ｘに沿って配置された複数の画素電極２０の間において、第２方向Ｙに沿って延伸する複数の列バンク３０を形成する。また、第２方向Ｙに沿って配置された複数の画素電極２０の間において、第１方向Ｘに沿って延伸する複数の行バンク４０を形成する（ステップＳ１２）。
【0060】
これらのステップＳ１１およびＳ１２により、基板１０上に複数の画素電極２０、複数の列バンク３０および複数の行バンク４０が形成される（図９Ａ参照）。
【0061】
次に、列バンク３０の欠陥有無の検査が行われる。図９Ａに示すように、列バンク３０に欠陥部Ｄが存在する場合、以降に示すリペア処理が実行される。以下では、複数の列バンク３０のうち列バンク３２に欠陥部Ｄが存在する例について説明する。
【0062】
次に、複数の画素電極２０のうち、列バンク３２に設けられた欠陥部Ｄに近接する画素電極２０（図９Ｂに示す画素電極２１）上に、複数の第１絶縁部７０を形成する（ステップＳ１３）。このステップにおいて、複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および他方側に位置するように、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する列バンク３１、３３との間において第１方向Ｘに沿って形成される。なお、第１絶縁部７０は、例えば、針の先端に保持された撥液性を有する絶縁材料を画素電極２０上に転写することで形成される。
【0063】
次に、複数の第１絶縁部７０とは異なる材料を含む複数の第２絶縁部８０を、欠陥部Ｄに近接する画素電極２０（図９Ｃに示す画素電極２１）に形成する（ステップＳ１４）。このステップにおいて、複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と両隣に位置する列バンクと３１、３３との間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って形成される。第２絶縁部８０は、例えば、針の先端に保持された親液性を有する絶縁材料を画素電極２０上に転写することで形成される。第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも発光層用インクに対して親液性を有している。言い換えると、第２絶縁部８０に対する発光層用インクの接触角は、第１絶縁部７０に対する発光層用インクの接触角よりも小さい。
【0064】
次に、複数の画素電極２０を覆うように、複数の列バンク３０の間に複数の発光層５０を形成する（ステップＳ１５）（図９Ｄ参照）。発光層５０は、発光材料を含む発光層用インクをインクジェット法などによって塗布することで形成される。発光層用インクは、例えば、塗布直後は行バンク４０の高さよりも高く、乾燥後は行バンク４０の高さよりも低くなる。
【0065】
次に、複数の発光層５０上に共通電極６０を形成する（ステップＳ１６）（図７参照）。共通電極６０は、共通電極６０となる金属材料をスパッタリングまたは蒸着することで形成される。これらのステップＳ１１～Ｓ１６が実行されることで、表示パネル１が作製される。
【0066】
この表示パネル１の製造方法は、第１絶縁部７０を形成するステップの後に、第２絶縁部８０を形成するステップを含む。第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と、両隣に位置する列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられる。これによれば、発光層５０を形成するステップにて画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０の画素電極２０に接する裾近傍においてはじかれてしまうことを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、共通電極６０を形成するステップにて、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、第１絶縁部７０のリペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0067】
また、有機ＥＬ表示パネル１の製造工程では、発光層５０を形成する前に列バンク３０の欠陥有無の検査が行われるが、実際には混色が発生しない程度でも欠陥として扱われ、リペア処理が行われることがある。リペア処理が行われた場合、比較例に示した方法では画素電極２０と共通電極１６０とがショートして滅点となる。それに対し本実施の形態の方法では、画素電極２０と共通電極６０とがショートすることを防止できるので、実際には混色が発生しない程度であるが検査にて欠陥とされた画素Ｐを、滅点とせずに発光させることができる。
【0068】
［効果等］
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１は、基板１０と、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って行列状に配列された複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の画素電極２０と、第１方向Ｘに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第２方向Ｙに沿って延伸する複数の列バンク３０と、第２方向Ｙに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに沿って延伸する複数の行バンク４０と、複数の画素電極２０を覆うように、複数の列バンク３０の間に設けられた複数の発光層５０と、複数の発光層５０上に設けられた共通電極６０と、を備える。また、有機ＥＬ表示パネル１は、複数の列バンク３０の少なくとも１つの列バンク（例えば列バンク３２）に設けられた欠陥部Ｄと、複数の画素Ｐのうち欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第１絶縁部７０と、第１絶縁部７０とは異なる材料を含み、２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第２絶縁部８０と、を有する。複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および一方側の反対である他方側に位置し、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１方向Ｘに沿って設けられている。複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と２つの列バンク３１、３２とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。第２絶縁部８０は、第１方向Ｘから見た場合に、第１絶縁部７０に接する第１領域８０ａと、第１領域８０ａが設けられた面とは異なる面に設けられ、発光層５０に接する第２領域８０ｂと、を有している。第１絶縁部７０は、画素電極２０に接する底面７０ｃの縁端から上方に向かって傾斜する側面７０ａを有している。発光層５０は、画素電極２０に接する底面５０ｃから上方に向かって傾斜する端部５０ｄを有している。第２絶縁部８０の第１領域８０ａは第１絶縁部７０の側面７０ａに接し、第２領域８０ｂは発光層５０の端部５０ｄに接している。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１は、基板１０と、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って行列状に配列された複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の画素電極２０と、第１方向Ｘに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第２方向Ｙに沿って延伸する複数の列バンク３０と、第２方向Ｙに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに沿って延伸する複数の行バンク４０と、複数の画素電極２０を覆うように、複数の列バンク３０の間に設けられた複数の発光層５０と、複数の発光層５０上に設けられた共通電極６０と、を備える。また、有機ＥＬ表示パネル１は、複数の列バンク３０の少なくとも１つの列バンク（例えば列バンク３２）に設けられた欠陥部Ｄと、複数の画素Ｐのうち欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第１絶縁部７０と、第１絶縁部７０とは異なる材料を含み、２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第２絶縁部８０と、を有する。複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および一方側の反対である他方側に位置し、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１方向Ｘに沿って設けられている。複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と２つの列バンク３１、３２とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。第２絶縁部８０は、第１方向Ｘから見た場合に、第１絶縁部７０に接する第１領域８０ａと、第１領域８０ａが設けられた面とは異なる面に設けられ、発光層５０に接する第２領域８０ｂと、を有している。第１絶縁部７０は、画素電極２０に接する底面７０ｃの縁端から上方に向かって傾斜する側面７０ａを有している。発光層５０は、画素電極２０に接する底面５０ｃから上方に向かって傾斜する端部５０ｄを有している。第２絶縁部８０の第１領域８０ａは第１絶縁部７０の側面７０ａに接し、第２領域８０ｂは発光層５０の端部５０ｄに接している。
【0069】
このように、第１絶縁部７０に加え、画素電極２０上にさらに第２絶縁部８０を設けることで、例えば画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０の画素電極２０に接する裾近傍においてはじかれてしまうことを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、第１絶縁部７０のリペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0070】
また、第２絶縁部８０が上記の第１領域８０ａおよび第２領域８０ｂを有することで、画素電極２０が露出しないように、画素電極２０上に発光層５０を設けることができる。そのため、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0071】
また、第２絶縁部８０の第１領域８０ａが第１絶縁部７０の側面７０ａに接し、第２領域８０ｂが発光層５０の端部５０ｄに接していることで、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができる。そのため、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0072】
また、第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも、発光層５０を形成するためのインクに対して親液性を有していてもよい。
【0073】
このように、第２絶縁部８０が親液性を有することで、発光層用インクを塗布したときに第２絶縁部８０と発光層用インクとを密着させることができる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0074】
また、第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも、発光層５０を形成するためのインクに対して撥液性を有する材料の割合が少なくてもよい。
【0075】
この第２絶縁部８０によれば、発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第２絶縁部８０に対してはじかれることを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0076】
また、第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０から見て欠陥部Ｄが存在する側の第１絶縁部７０の側面７０ａに接していてもよい。
【0077】
これによれば、画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０の画素電極２０に接する裾近傍においてはじかれてしまうことを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0078】
また、第１絶縁部７０は、行バンク４０から見て欠陥部Ｄが存在する側の行バンク４０の側面４０ａに接していてもよい。
【0079】
これによれば、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐ以外の画素に、発光層用インクの混色が拡大することを抑制できる。
【0080】
また、欠陥部Ｄは、２つの列バンク３１、３３、複数の第１絶縁部７０および複数の第２絶縁部８０によって囲まれていてもよい。
【0081】
これによれば、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐ以外の画素に、発光層用インクの混色が拡大することを抑制できる。また、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0082】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１は、基板１０と、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って行列状に配列された複数の画素Ｐのそれぞれに対応する複数の画素電極２０と、第１方向Ｘに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第２方向Ｙに沿って延伸する複数の列バンク３０と、第２方向Ｙに沿って配列された複数の画素Ｐの間に位置し、第１方向Ｘに沿って延伸する複数の行バンク４０と、複数の画素電極２０を覆うように、複数の列バンク３０の間に設けられた複数の発光層５０と、複数の発光層５０上に設けられた共通電極６０と、を備える。また、有機ＥＬ表示パネル１は、複数の列バンク３０の少なくとも１つの列バンク（例えば列バンク３２）に設けられた欠陥部Ｄと、複数の画素Ｐのうち欠陥部Ｄに隣接する２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第１絶縁部７０と、第１絶縁部７０とは異なる材料を含み、２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの画素電極２１、２２上に設けられた複数の第２絶縁部８０と、を有する。複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および一方側の反対である他方側に位置し、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する２つの列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１方向Ｘに沿って設けられている。複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と２つの列バンク３１、３２とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられている。２つの画素Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの複数の第１絶縁部７０によって挟まれた領域において、発光層５０は、直接または第２絶縁部８０を介して、画素電極２０の全面を覆っている。
【0083】
このように、発光層５０が、直接または第２絶縁部８０を介して、画素電極２０の全面を覆っていることで、列バンク３０の欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、第１絶縁部７０のリペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0084】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の製造方法は、基板１０の主面１０ａに平行な第１方向Ｘおよび第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って行列状に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、第１方向Ｘに沿って配置された複数の画素電極２０の間において、第２方向Ｙに沿って延伸する複数の列バンク３０を形成する、および、第２方向Ｙに沿って配置された複数の画素電極２０の間において、第１方向Ｘに沿って延伸する複数の行バンク４０を形成するバンク形成工程と、複数の画素電極２０のうち、複数の列バンク３０の少なくとも１つの列バンク（例えば列バンク３２）に設けられた欠陥部Ｄに近接する画素電極２１、２２上に、複数の第１絶縁部７０を形成する第１絶縁部形成工程と、複数の第１絶縁部７０とは異なる材料を含む複数の第２絶縁部８０を、欠陥部Ｄに近接する画素電極２１、２２上に形成する第２絶縁部形成工程と、複数の画素電極２０を覆うように、複数の列バンク３０の間に複数の発光層５０を形成する発光層形成工程と、複数の発光層５０上に共通電極６０を形成する共通電極形成工程と、を含む。第１絶縁部形成工程において、複数の第１絶縁部７０は、欠陥部Ｄから見て第２方向Ｙの一方側および一方側の反対である他方側に位置し、かつ、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と当該列バンク３２の両隣に位置する列バンク３１、３３との間において第１方向Ｘに沿って形成されている。第２絶縁部形成工程において、複数の第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と両隣に位置する列バンク３１、３３との間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って形成される。
【0085】
この製造方法では、第１絶縁部７０を形成するステップの後に、第２絶縁部８０を形成するステップがある。第２絶縁部８０は、欠陥部Ｄを有する列バンク３２と、両隣に位置する列バンク３１、３３とのそれぞれの間において第１絶縁部７０に接するように第１方向Ｘに沿って設けられる。これによれば、発光層５０を形成するステップにて画素電極２０上に発光層用インクを塗布したときに、発光層用インクが第１絶縁部７０の画素電極２０に接する裾近傍においてはじかれてしまうことを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、共通電極６０を形成するステップにて、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、第１絶縁部７０のリペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0086】
また、発光層形成工程において、発光層５０は画素電極２０上に発光層形成用のインクを塗布することで形成され、第２絶縁部８０に対するインクの接触角は、第１絶縁部７０に対するインクの接触角よりも小さくてもよい。
【0087】
この接触角の関係によれば、発光層形成用のインクを塗布したときに第２絶縁部８０に対してインクがはじかれることを抑制できる。そのため、画素電極２０が露出しないように画素電極２０上に発光層５０を設けることができ、画素電極２０と共通電極６０とが電気的に接触することを抑制できる。これにより、欠陥部Ｄに隣接する画素Ｐが、リペア処理によって発光しなくなることを抑制できる。
【0088】
（その他の形態）
以上、本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上、本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【0089】
例えば、有機ＥＬ表示パネル１の発光層５０は、正孔注入層、有機層および電子注入層が順に積層されることで形成されていてもよい。例えば、第２絶縁部８０は、第１絶縁部７０よりも、正孔注入層を形成するためのインクに対して親液性を有していてもよい。また、正孔注入層を形成するためのインクの接触角は、第２絶縁部８０に対する接触角のほうが第１絶縁部７０に対する接触角よりも小さくてもよい。
【0090】
上記の有機ＥＬ表示パネル１では、ディスプレイの水平方向を第１方向Ｘとし、垂直方向を第２方向Ｙとしているが、それに限られず、表示装置２の水平方向を第２方向Ｙとし、垂直方向を第１方向Ｘとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0091】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、高い表示品位が要求されるディスプレイ装置等に有用である。
【符号の説明】
【0092】
１ 有機ＥＬ表示パネル
２ 表示装置
５ 駆動制御回路部
６ 制御回路
７ 駆動回路
１０ 基板
１０ａ 主面
２０、２１、２２ 画素電極
３０、３１、３２、３３ 列バンク
４０、４１、４２ 行バンク
４０ａ 側面
５０ 発光層
５０ｃ 底面
５０ｄ 端部
６０ 共通電極
７０、７１、７２、７３、７４ 第１絶縁部
７０ａ 側面
７０ｃ 底面
８０、８１、８２、８３、８４ 第２絶縁部
８０ａ 第１領域
８０ｂ 第２領域
Ｄ 欠陥部
Ｐ 画素
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
２ 表示装置
５ 駆動制御回路部
６ 制御回路
７ 駆動回路
１０ 基板
１０ａ 主面
２０、２１、２２ 画素電極
３０、３１、３２、３３ 列バンク
４０、４１、４２ 行バンク
４０ａ 側面
５０ 発光層
５０ｃ 底面
５０ｄ 端部
６０ 共通電極
７０、７１、７２、７３、７４ 第１絶縁部
７０ａ 側面
７０ｃ 底面
８０、８１、８２、８３、８４ 第２絶縁部
８０ａ 第１領域
８０ｂ 第２領域
Ｄ 欠陥部
Ｐ 画素
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】