特開 2023-4297 プラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023004297

(43)【公開日】2023-01-17

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/46 20060101AFI20230110BHJP

   C23C 16/505 20060101ALI20230110BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20230110BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20230110BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20230110BHJP

【ＦＩ】

C23C16/46

C23C16/505

H01L21/302 101C

H01L21/31 C

H05H1/46 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021105896

(22)【出願日】2021-06-25

(71)【出願人】

【識別番号】000003942

【氏名又は名称】日新電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】酒井 敏彦

(72)【発明者】

【氏名】東 大介

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA03

2G084AA04

2G084AA05

2G084BB21

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD03

2G084DD12

2G084DD55

2G084DD65

2G084FF01

2G084FF06

2G084FF31

2G084FF39

4K030CA04

4K030CA06

4K030CA07

4K030CA12

4K030CA17

4K030DA01

4K030FA03

4K030GA02

4K030GA12

4K030JA10

4K030KA23

4K030KA26

4K030KA41

4K030LA02

4K030LA18

5F004AA01

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB26

5F004BC05

5F004BC06

5F004CA04

5F045AA08

5F045BB02

5F045DP03

5F045EB08

5F045EB13

5F045EH11

5F045EK11

5F045EN04

5F045GB05

(57)【要約】

【課題】プラズマ処理中の被処理基板の温度を一定温度に保つことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置（１）は、被処理基板の予備加熱処理を行う予備加熱室（４）と、被処理基板が載置されるステージを有するとともに、ステージ上の被処理基板に対して、所定のプラズマ処理を行う処理室（５）と、予備加熱室（４）から、予備加熱処理された被処理基板をステージ上に搬送する搬送機構（２Ａ）と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理基板の予備加熱処理を行う予備加熱室と、
前記被処理基板が載置されるステージを有するとともに、前記ステージ上の前記被処理基板に対して、所定のプラズマ処理を行う処理室と、
前記予備加熱室から、前記予備加熱処理された前記被処理基板を前記ステージ上に搬送する搬送機構と、を備える、プラズマ処理装置。

【請求項2】

プラズマ処理装置の各部を制御する制御部を更に備え、
前記ステージは、内部に所要の温度に調整された熱媒体が循環する流路を有し、
前記制御部は、前記プラズマ処理中に、前記ステージを予め定められた設定温度となるように制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記ステージの内部には、互いに独立した複数の前記流路が設けられている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、
前記予備加熱処理が行われたときの前記被処理基板の温度が、前記プラズマ処理中の、前記ステージに載置された前記被処理基板の温度よりも高い温度となるように、前記予備加熱室を制御する、請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、
前記プラズマ処理中の前記被処理基板の温度が、前記ステージの温度よりも高い温度である状態で、前記ステージの温度を制御する、請求項２から４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

真空容器内に配置したアンテナを用いて当該真空容器内に誘導結合型のプラズマを発生させるプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、その種別に応じて、発生させたプラズマを用いた所定のプラズマ処理を被処理基板に施す。

【0003】

プラズマ処理を実行しているときの、プラズマによる被処理基板の加熱を低減するために、プラズマを励起するための高周波電力を２７．１２ＭＨｚ以上の周波数とする技術も提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８－１８９９６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、上記のような従来のプラズマ処理装置では、プラズマ処理とともに開始されるプラズマによる被処理基板の加熱に起因して、プラズマ処理中の被処理基板の温度を一定温度に保つことが難しいという問題点を生じることがあった。

【0006】

本開示は上記の問題点を鑑みてなされたものであり、プラズマ処理中の被処理基板の温度を一定温度に保つことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、被処理基板の予備加熱処理を行う予備加熱室と、前記被処理基板が載置されるステージを有するとともに、前記ステージ上の前記被処理基板に対して、所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記予備加熱室から、前記予備加熱処理された前記被処理基板を前記ステージ上に搬送する搬送機構と、を備える。

【発明の効果】

【0008】

本開示の一態様によれば、プラズマ処理中の被処理基板の温度を一定温度に保つことができるプラズマ処理装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。

【図2】予備加熱室の要部構成を説明する図である。

【図3】処理室の要部構成を説明する図である。

【図4】プラズマ処理装置の動作例を説明するグラフである。

【図5】処理室でのプラズマ処理中の動作例を説明する図である。

【図6】本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の要部構成を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

〔実施形態１〕
以下、本開示の実施形態１について、図１から図３を用いて詳細に説明する。図１は、本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図２は、予備加熱室４の要部構成を説明する図である。図３は、処理室５の要部構成を説明する図である。

【0011】

なお、以下の説明では、所定のプラズマ処理として、誘導結合型のプラズマを使用したプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって被処理基板上に成膜を行うプラズマ装置を例示して説明する。しかしながら、本開示のプラズマ処理装置は、所定のプラズマ処理として、例えば、被処理基板に所定物を形成するスパッタリング処理、または被処理基板から所定物を除去するエッチング処理あるいはアッシング処理を実施するプラズマ処理装置にも適用することができる。

【0012】

＜プラズマ処理装置１＞
図１に示すように、本実施形態のプラズマ処理装置１は、搬送室２と、ロードロック室３と、予備加熱室４と、処理室５と、当該プラズマ処理装置１の各部を制御する制御部１０とを備える。搬送室２、ロードロック室３、予備加熱室４、及び処理室５は、各々所定の真空度に保たれる真空容器を備えている。

【0013】

搬送室２は、搬送機構２Ａを備えている。搬送機構２Ａは、制御部１０からの指示に従って、搬送室２、ロードロック室３、予備加熱室４、及び処理室５の各間で当該被処理基板Ｓを搬送する。被処理基板Ｓは、例えば、液晶パネルディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルディスプレイなどに用いられるガラス基板、合成樹脂基板であり得る。また被処理基板Ｓは、各種用途に用いられる半導体基板であり得る。プラズマ処理装置１は、上記所定のプラズマ処理によってバリア（防湿）膜などの所定の被膜を被処理基板Ｓ上に成膜する。

【0014】

ロードロック室３には、被処理基板Ｓがプラズマ処理装置１と当該プラズマ処理装置１の外部との間で搬入出される。ロードロック室３に搬入された被処理基板Ｓは、ロードロック室３が真空引きされた後に、搬送機構２Ａによって予備加熱室４及び処理室５の順番に順次搬送される。そして、所定の被膜が成膜された被処理基板Ｓは、搬送機構２Ａによって処理室５からロードロック室３に搬送されて、プラズマ処理装置１から外部に搬出される。

【0015】

予備加熱室４は、被処理基板Ｓの予備加熱処理を行う。具体的には、図２に示すように、予備加熱室４は、真空容器４Ａと、予備加熱用ステージ４Ｂとを備えている。予備加熱室４では、例えば、予備加熱用ステージ４Ｂの内部に設けられたヒータ（図示せず）によって当該予備加熱用ステージ４Ｂ上に載置された被処理基板Ｓに対し予備加熱処理を行う。

【0016】

予備加熱処理は、後続の処理室５でのプラズマ処理に応じて、被処理基板Ｓに対する予備加熱温度が予め定められており、この予備加熱温度を基に上記ヒータの制御動作も予め決定されている。そして、制御部１０は、予め決定された制御動作を使用して、ヒータを制御することにより、被処理基板Ｓの温度を直接的に検出する温度センサを設けることなく、予備加熱用ステージ４Ｂ上の被処理基板Ｓの温度を予め定められた予備加熱温度とする。

【0017】

尚、この説明以外に、例えば、予備加熱室４の内部に、被処理基板Ｓの温度を直接的に検出する熱電対、測温抵抗体などの温度センサを設置して、制御部１０が当該温度センサの検出結果を用いたフィードバック制御を行うことにより、予備加熱処理を実施する構成でもよい。

【0018】

また、上記の説明では、ヒータを備えたヒータステージを予備加熱用ステージ４Ｂに用いた場合について説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、ＲＦコイル、ハロゲンランプ、赤外線ヒータ等の電磁エネルギー源からの電磁エネルギーの伝達による被処理基板Ｓの直接の加熱、ステージを介しての被処理基板Ｓの加熱、またはプラズマ放電を用いて予備加熱処理を行う構成でもよい。

【0019】

処理室５は、制御部１０からの指示に従って、被処理基板Ｓに対して、所定のプラズマ処理を行う。具体的には、図３に示すように、処理室５は、真空容器５Ａと、被処理基板Ｓが載置されるステージ５Ｂと、ステージ５Ｂを真空容器５Ａの内部で支持する支持部５Ｃとを備える。真空容器５Ａの内部には、誘導結合型のプラズマを当該真空容器５Ａの内部に生成するアンテナ８がステージ５Ｂの上方に設けられている。

【0020】

アンテナ８の両端部は、真空容器５Ａの外部に気密に引き出されている。また、アンテナ８の一方の端部及び他方の端部には、インピーダンス調整部７Ａ及びインピーダンス調整部７Ｂがそれぞれ設けられている。インピーダンス調整部７Ａは、不図示の整合回路を備えており、整合回路を介してアンテナ８の一方の端部が電源６に接続されている。また、インピーダンス調整部７Ｂは、不図示の可変コンデンサを備えており、アンテナ８の他方の端部は可変コンデンサを介して接地されている。

【0021】

電源６は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、インピーダンス調整部７Ａを介してアンテナ８の一方の端部に供給する。処理室５では、制御部１０が上記可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ８に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。

【0022】

また、処理室５には、上記所定のプラズマ処理に対応した、上記被膜の成膜用ガスを含んだ処理ガスを真空容器５Ａの内部に導入する処理ガス供給部を備えており（図示せず）、処理ガスの雰囲気化で当該プラズマ処理が行われるようになっている。

【0023】

また、ステージ５Ｂは、その内部に所要の温度に調整された熱媒体（例えば、水）が流れる流路１２を有する。この流路１２は、支持部５Ｃの内部に設けられて真空容器５Ａの外部に引き出された配管１３に接続されている。また、処理室５には、温度調整部１１が真空容器５Ａの外部で配管１３に接続されており、温度調整部１１は、制御部１０からの指示に従って、図３に矢印Ａ及び矢印Ｂで示すように、流路１２及び配管１３を循環して流れる熱媒体の温度を調整する。

【0024】

また、処理室５は、ステージ５Ｂの温度を検出する温度センサを備えており（図示せず）、当該温度センサの検出結果は、制御部１０に出力される。制御部１０は、入力した温度センサの検出結果を用いたフィードバック制御を行うことにより、上記プラズマ処理中に、ステージ５Ｂを予め定められた設定温度となるように制御する。

【0025】

制御部１０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行う機能ブロックである。

【0026】

制御部１０は、予備加熱室４に指示を出力して、当該予備加熱室４での上記予備加熱処理を制御するとともに、処理室５に指示を出力して、当該処理室５での上記プラズマ処理を制御する。予備加熱処理及びプラズマ処理の詳細については、後述する。

【0027】

＜動作例＞
図４及び図５を参照して、本実施形態のプラズマ処理装置１の動作について具体的に説明する。図４は、プラズマ処理装置１の動作例を説明するグラフである。図５は、処理室５でのプラズマ処理中の動作例を説明する図である。

【0028】

図４に示すように、本実施形態のプラズマ処理装置１では、制御部１０が搬送機構２Ａを制御して、ロードロック室３から予備加熱室４の予備加熱用ステージ４Ｂ上に被処理基板Ｓを搬送させる。その後、制御部１０は、予備加熱室４において、上記ヒータを用いて、時点０から時点Ｔ１までの期間Ｋ１の間に、予備加熱用ステージ４Ｂ上の被処理基板Ｓに予備加熱処理を行わせる。

【0029】

また、制御部１０は、予備加熱処理が行われたときの被処理基板Ｓの温度が、プラズマ処理中の、ステージ５Ｂに載置された被処理基板Ｓの温度よりも高い温度となるように、予備加熱室４を制御する。具体的には、制御部１０は、被処理基板Ｓの温度が図５の曲線６０にて示すように、例えば、７０℃未満の温度からプラズマ処理中の処理温度、例えば、１５０℃を超える上記予備加熱温度まで上昇させる。

【0030】

続いて、制御部１０は、時点Ｔ１で予備加熱処理の終了を検知すると、搬送機構２Ａを制御して、時点Ｔ１から時点Ｔ２までの期間Ｋ２の間に、予備加熱室４から、予備加熱処理された被処理基板Ｓを処理室５のステージ５Ｂ上に搬送させる。

【0031】

その後、制御部１０は、時点Ｔ２でステージ５Ｂ上に被処理基板Ｓが搬送されたことを検知すると、時点Ｔ２から時点Ｔ３までの期間Ｋ３の間に、ステージ５Ｂ上の被処理基板Ｓにプラズマ処理を行わせる。つまり、この期間Ｋ３では、制御部１０は、電源６からアンテナ８に高周波電流を供給させて、アンテナ８から被処理基板Ｓへのプラズマ点灯ＰＬを行わせる。

【0032】

また、制御部１０は、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度が、ステージ５Ｂの温度よりも高い温度である状態で、ステージ５Ｂの温度を制御する。具体的には、制御部１０は、図４の一点鎖線５０にて示すように、温度調整部１１を制御して、ステージ５Ｂの温度を上記処理温度よりも低い設定温度、例えば、７０℃で維持させる。また、この設定温度は、後に詳述するように、プラズマ処理中の被処理基板Ｓでの冷却と加熱と適切なバランスを保てるように決定されている。

【0033】

また、このプラズマ点灯ＰＬの期間Ｋ３では、図５に示すように、プラズマＰがステージ５Ｂ上の被処理基板Ｓに照射される。この結果、図５に矢印Ｈ１にて示すように、被処理基板Ｓは、プラズマＰによって加熱される。更に、このプラズマ点灯の期間Ｋ３では、図５に矢印Ｈ２にて示すように、被処理基板Ｓからステージ５Ｂ側に熱が放熱される。そして、制御部１０が、温度調整部１１を制御することにより、ステージ５Ｂの温度は上記設定温度で容易に一定とされる。

【0034】

以上のように、プラズマ処理中でのステージ５Ｂの設定温度が、被処理基板Ｓの処理温度よりも低くすることにより、当該被処理基板Ｓでの熱の流入及び流出を適切に行わせることができ、図４に曲線６０にて示すように、被処理基板Ｓの温度をプロセス温度で安定させることができる。この結果、被処理基板Ｓでの被膜の成膜処理を精度良く行うことが可能となる。

【0035】

具体的にいえば、処理室５では、被処理基板Ｓがステージ５Ｂに載置されることで被処理基板Ｓの冷却が開始され、プラズマ処理の開始で当該被処理基板Ｓの加熱が開始される。そして、本実施形態のプラズマ処理装置１では、ステージ５Ｂの設定温度がプラズマ処理中の被処理基板Ｓでの冷却と加熱と適切なバランスを保てるように決定されているので、図５に矢印Ｈ１及び矢印Ｈ２にて示したように、プラズマ処理の開始に伴う被処理基板Ｓの温度上昇が相殺される。これにより、上記のように、被処理基板Ｓの温度をプロセス温度で安定させることができ、当該被処理基板Ｓでの被膜の成膜処理を精度良く行うことができる。

【0036】

また、処理室５では、被処理基板Ｓがステージ５Ｂに載置されることで被処理基板Ｓの冷却が開始されるので、ステージ５Ｂに被処理基板Ｓを載置した時点から、上記プラズマ点灯ＰＬの期間Ｋ３の開始を直ちに行うことが被膜の高精度な成膜処理を容易に行える点で好ましい。

【0037】

以上のように構成された本実施形態のプラズマ処理装置１は、被処理基板Ｓの予備加熱処理を行う予備加熱室４と、被処理基板Ｓが載置されるステージ５Ｂを有するとともに、ステージ５Ｂ上の被処理基板Ｓに対して、所定のプラズマ処理を行う処理室５とを備える。また、プラズマ処理装置１は、予備加熱室４から、予備加熱処理された被処理基板Ｓをステージ５Ｂ上に搬送する搬送機構２Ａを有する。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度を一定温度に保つことができるプラズマ処理装置１を構成することができる。尚、ここでいう、一定温度とは、実質的に一定な温度であればよく、常に特定の一つの温度であることに限定されない。

【0038】

また、本実施形態のプラズマ処理装置１では、予備加熱室４を設けて予備加熱処理を実施しているので、予備加熱室４を設けていない上記従来例に比べて、処理室５でのプラズマ処理を円滑に行うことができ、生産性を容易に向上させることができる。また、上記従来例に比べて、プラズマ処理を実行する際に、被処理基板Ｓの温度を、例えば、常温からプロセス温度まで急激に上昇させる必要がないので、被処理基板Ｓでの熱ダメージを抑制することも可能となり、被処理基板Ｓに被膜を精度よく成膜することができる。

【0039】

特に、プロセス温度が、比較的低温（例えば、１５０℃以下）である場合には、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度制御は比較的高温である場合に比べて難しいが、予備加熱処理を行うことにより、比較的低温のプロセス温度であっても、図４の曲線６０に示したように、被処理基板Ｓの温度を安定して成膜を行うことができる。この結果、本実施形態のプラズマ処理装置１では、例えば、有機ＥＬ発光層等の有機層が形成された被処理基板に対しても、当該有機層にダメージを与えるのを極力抑制しつつ、当該有機層を覆う封止膜を適切に成膜することが可能となる。

【0040】

また、本実施形態のプラズマ処理装置１では、制御部１０は、予備加熱処理が行われたときの被処理基板Ｓの温度が、プラズマ処理中の、ステージ５Ｂに載置された被処理基板Ｓの温度よりも高い温度となるように、予備加熱室４を制御する。これにより、本実施形態のプラズマ処理装置１では、搬送機構２Ａによって被処理基板Ｓが搬送されたときでの当該被処理基板Ｓでの温度の低下の影響を抑制することができ、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度をより確実に一定温度に保つことができる。

【0041】

また、本実施形態のプラズマ処理装置１では、制御部１０は、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度が、ステージ５Ｂの温度よりも高い温度である状態で、ステージ５Ｂの温度を制御する。これにより、本実施形態のプラズマ処理装置１では、プラズマ処理中において被処理基板Ｓ側からステージ５Ｂ側への放熱を適切に行わせることが可能となり、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度をより確実に一定温度に保つことができる。

【0042】

予備加熱処理にプラズマ放電を用いた場合には、プラズマの密度分布や、プラズマによる加熱とステージ側面等からの放熱によって生じるステージ面内の非定常な温度分布などに起因して、予備加熱処理対象の被処理基板Ｓを均一に加熱できないという問題を生じることがある。これに対して、本実施形態では、ヒータを備えた予備加熱室４で予備加熱処理を行っているので、均一な予備加熱処理が可能となる。また、被処理基板Ｓのサイズ増大に伴い、予備加熱用ステージ４Ｂを大きくしたときでも、ヒータの加熱範囲を容易に大きくすることができ、被処理基板Ｓの温度の均一性をより簡単、かつ、確実に確保することができる。

【0043】

〔実施形態２〕
本開示の実施形態２について、図６を用いて具体的に説明する。図６は、本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の要部構成を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0044】

本実施形態２と上記実施形態１との主な相違点は、ステージ５Ｂの内部において、互いに独立した複数の流路を設けた点である。

【0045】

本実施形態のプラズマ処理装置１では、図６に示すように、ステージ５Ｂの内部に、複数、例えば、第１の流路１２Ｐと、第１の流路１２Ｐとは別個に設けられた第２の流路１２Ｓとが設けられている。第１の流路１２Ｐでは、熱媒体が図６の矢印Ａ１及び矢印Ｂ１にて示すように、当該第１の流路１２Ｐ内を循環する。また、第２の流路１２Ｓでは、熱媒体が図６の矢印Ａ２及び矢印Ｂ２にて示すように、当該第２の流路１２Ｓ内を循環する。

【0046】

また、第１の流路１２Ｐ及び第２の流路１２Ｓは、各々、温度調整部１１に互いに独立して接続されており、制御部１０からの指示に応じて、循環する熱媒体の温度が所望の温度に制御される。

【0047】

以上の構成により、本実施形態のプラズマ処理装置１は、第１の実施形態のものと同様な効果を奏する。また、本実施形態のプラズマ処理装置１では、ステージ５Ｂの内部に、第１の流路１２Ｐと、第２の流路１２Ｓとが設けられているので、被処理基板Ｓの大きさに合わせてステージ５Ｂを大型化したときでも、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度を一定温度に保つことができる。

【0048】

また、本実施形態のプラズマ処理装置１では、第１の流路１２Ｐ及び第２の流路１２Ｓをステージ５Ｂの内部に設けているので、プラズマ点灯時でのプラズマの密度分布の影響を緩和することができる。すなわち、プラズマの密度が、アンテナ８の直下のステージ５Ｂの中央部に比べて比較的小さいステージ５Ｂの周囲部においても、中央部を流れる第２の流路１２Ｓの熱媒体の温度よりも当該周囲部を流れる第１の流路１２Ｐの熱媒体の温度を高くすることにより、プラズマ処理中の被処理基板Ｓの温度を均一な温度とすることができる。

【0049】

〔まとめ〕
上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、被処理基板の予備加熱処理を行う予備加熱室と、前記被処理基板が載置されるステージを有するとともに、前記ステージ上の前記被処理基板に対して、所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記予備加熱室から、前記予備加熱処理された前記被処理基板を前記ステージ上に搬送する搬送機構と、を備える。

【0050】

上記構成によれば、プラズマ処理中の被処理基板の温度を一定温度に保つことができるプラズマ処理装置を提供することができる。

【0051】

上記一側面に係るプラズマ処理装置において、プラズマ処理装置の各部を制御する制御部を更に備え、前記ステージは、内部に所要の温度に調整された熱媒体が循環する流路を有し、前記制御部は、前記プラズマ処理中に、前記ステージを予め定められた設定温度となるように制御してもよい。

【0052】

上記構成によれば、制御部は熱媒体を用いてプラズマ処理中に被処理基板を載置したステージの温度を制御するので、プラズマ処理中の被処理基板の温度を確実に一定温度に保つことができる。

【0053】

上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記ステージの内部には、互いに独立した複数の前記流路が設けられてもよい。

【0054】

上記構成によれば、被処理基板の大きさに合わせてステージを大型化したときでも、プラズマ処理中の当該被処理基板の温度を確実に一定温度に保つことができる。

【0055】

上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記予備加熱処理が行われたときの前記被処理基板の温度が、前記プラズマ処理中の、前記ステージに載置された前記被処理基板の温度よりも高い温度となるように、前記予備加熱室を制御してもよい。

【0056】

上記構成によれば、搬送機構によって被処理基板が搬送されたときでの当該被処理基板での温度の低下の影響を抑制することができ、プラズマ処理中の被処理基板の温度をより確実に一定温度に保つことができる。

【0057】

上記一側面に係るプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記プラズマ処理中の前記被処理基板の温度が、前記ステージの温度よりも高い温度である状態で、前記ステージの温度を制御してもよい。

【0058】

上記構成によれば、プラズマ処理中において被処理基板側からステージ側への放熱を適切に行わせることが可能となり、プラズマ処理中の被処理基板の温度をより確実に一定温度に保つことができる。

【0059】

本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0060】

１ プラズマ処理装置
２Ａ 搬送機構
４ 予備加熱室
５ 処理室
５Ｂ ステージ
１０ 制御部
１２、１２Ｐ、１２Ｓ 流路
Ｓ 被処理基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】