特開 2023-44876 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023044876

(43)【公開日】2023-04-03

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230327BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20230327BHJP

   B08B 3/02 20060101ALI20230327BHJP

   B08B 5/02 20060101ALI20230327BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651L

H01L21/304 648A

H01L21/304 651G

H01L21/304 648L

H01L21/304 648G

H01L21/68 N

B08B3/02 C

B08B5/02 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021152975

(22)【出願日】2021-09-21

(71)【出願人】

【識別番号】000002428

【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100097205

【弁理士】

【氏名又は名称】樋口 正樹

(72)【発明者】

【氏名】中野 晴香

【テーマコード（参考）】

3B116

3B201

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

3B116AA02

3B116AB14

3B116BB22

3B116BB88

3B116CC03

3B116CD11

3B201AA02

3B201AB14

3B201BB22

3B201BB88

3B201BB92

3B201CC12

3B201CD11

5F131AA03

5F131AA10

5F131BA37

5F131CA06

5F131CA09

5F131CA12

5F131DA33

5F131EA06

5F131EA17

5F131EA22

5F131JA16

5F131JA20

5F131JA23

5F131JA24

5F131JA27

5F131JA29

5F157AA17

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB33

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB62

5F157AB75

5F157AB94

5F157AC03

5F157AC54

5F157CB16

5F157CE10

5F157CE53

5F157CE54

5F157CF16

5F157CF22

5F157CF92

5F157DB32

5F157DB37

5F157DB51

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】高い品質をもって基板の処理を行うことが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】前室部１００ａと後室部１００ｂとの境界部分に配置され、基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側斜め下方に向けて気体を噴出する第１気体噴出ノズル２１と、前室部１００ａと後室部１００ｂとを仕切る仕切り部材１０と、を有し、仕切り部材１０は、第１気体噴出ノズル２１より上方の連通部ＳＰを開放する開放位置と連通部ＳＰを閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能な可動仕切り板１０ｃを含み、前室部１００ａには、上排気口１４ａ、１４ｂが形成されるとともに、後室部１００ｂには、気体を導入する気体導入口１８が形成された、構成となる。
【選択図】図３Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導入口が設けられた前室部と排出口が設けられた後室部とを有する乾燥室と、
液体により処理された基板を前記導入口から前記乾燥室に導入し、導入された前記基板を前記排出口に向けて搬送して当該排出口から排出させる搬送機構と、を有し、
前記乾燥室において搬送される前記基板の表面から液分を除去して当該基板を乾燥させる基板処理装置であって、
前記前室部と前記後室部との境界部分に、搬送される前記基板の上面に対向して配置され、前記基板の搬送方向上流側斜め下方に向けて気体を噴出する第１気体噴出ノズルと、
前記前室部と前記後室部との境界部分において当該前室部と当該後室部とを仕切る仕切り部材と、を有し、
前記仕切り部材は、前記前室部と前記後室部との境界部分において前記第１気体噴出ノズルより上方の連通部を開放する開放位置と前記連通部を閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能な可動仕切り板を含み、
前記前室部には、当該前室部内のミスト状液体を気体とともに排出させる排気口が形成されるとともに、前記後室部には、気体を導入する気体導入口が形成された、基板処理装置。

【請求項2】

前記排出口を開放する開放位置と前記排出口を閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能に設けられた出口開閉板、を有する請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記排気口は、前記前室部内のミスト状液体を気体とともに前記基板より上方に排出させるよう前記前室部に形成されたものであって、
前記前室部において前記導入口から導入される前記基板の上面に液体を追加的に供給する追加液供給部と、
前記導入口から前記第１気体噴射ノズルの基板搬方向上流側の所定位置までの範囲に前記追加液供給部を上方から覆うように設けられ、前記排気口が形成されたカバー体と、
前記カバー体の前記排気口から前記前室部の外部に延びる排気管と、
を有する、請求項１または２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記前室部と前記後室部との境界部分に搬送される前記基板の下面に対して配置され、前記基板の搬送方向上流側斜め上方に向けて気体を噴出する第２気体噴出ノズルを備え、
前記前室部には、当該前室部内のミスト状液体を気体とともに前記基板より下方に排出させる下排気口が形成される、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記搬送機構は、それぞれ独立して搬送速度の制御が可能であって、前記前室部に設けられた前機構部と、前記後室部に設けられた後機構部とを有する請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記搬送機構は、ローラコンベアを含み、
前記後機構部のローラ径は、前記前機構部のローラ径より小さく、かつ前記後機構部のローラの配列密度は、前記前機構部のローラの配列密度より高い、請求項５記載の基板処理装置。

【請求項7】

請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置を用い、液体により処理された後に前記導入口から前記乾燥室に順次導入される基板の表面を乾燥させる基板処理方法であって、
前記仕切り部材の前記可動仕切り板が開放位置にある状態で、前記第１気体噴出ノズルから噴出される気体中を前記搬送機構により搬送される基板を通過させる第１ステップと、
前記基板の後端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置を通過した後に、前記可動仕切り板を閉鎖位置にさせる第２ステップと、
前記基板に続く次基板の先端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置より上流側の基準位置に達する前に、前記基板を前記排出口から排出させる第３ステップと、
前記第１基板が前記排出口から排出された後に、前記可動仕切り板を開放位置にさせる第４ステップと、を有する基板処理方法。

【請求項8】

請求項３に記載の基板処理装置を用い、液体により処理された後に前記導入口から前記乾燥室に順次導入される基板の表面を乾燥させる基板処理方法であって、
前記仕切り部材の前記可動仕切り板が開放位置にある状態で、前記第１気体噴出ノズルから噴出される気体中を前記搬送機構により搬送される基板を通過させる第１ステップと、
前記基板の後端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置を通過した後に、前記可動仕切り板を閉鎖状態にさせる第２ステップと、
前記基板に続く次基板の先端が前記カバー体より下流側に移動する前に、前記基板を前記排出口から排出させる第３ステップと、
前記基板が前記排出口から排出された後に、前記可動仕切り板を開放位置にさせる第４ステップと、を有する基板処理方法。

【請求項9】

請求項５または６に記載の基板処理装置を用い、液体により処理された後に前記導入口から前記乾燥室に順次導入される基板の表面を乾燥させる基板処理方法であって、
前記仕切り部材の前記可動仕切り板が開放位置にある状態で、前記第１気体噴出ノズルから噴出される気体中を前記搬送機構により搬送される前記基板を通過させる第１ステップと、
前記基板の後端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置を通過した後に、前記後機構部の搬送速度を前記前機構部の搬送速度より大きくし、前記可動仕切り板を閉鎖位置にさせる第２ステップと、
前前記基板に続く次基板の先端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置より上流側の基準位置に達する前に、前記基板を前記排出口から排出させる第３ステップと、
前記基板が前記排出口から排出された後に、前記可動仕切り板を開放位置にさせる第４ステップと、を有する基板処理方法。

【請求項10】

前記基板処理装置は、前記排出口を開放する開放位置と前記排出口を閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能に設けられた出口開閉板、を有しており、
前記第１ステップは、前記出口開閉板が閉鎖位置にある状態で行われ、
前記第２ステップは、前記基板の後端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置を通過した後に、前記出口開閉板を開放位置にさせるステップを含み、
前記第３ステップは、前記出口開閉板が開放位置になった後で行われ、
前記第４ステップは、前記第１基板が前記排出口から排出された後に、前記出口開閉板を閉鎖位置にさせるステップを含む、請求項７乃至９のいずれかに記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板処理装置及びこの基板処理装置を用いた基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置や半導体装置等の製造工程では、液晶パネル用ガラスやフォトマスク用ガラス等の基板の表面に処理液（例えば、リンス液）を供給してその基板表面を処理（例えば、リンス処理）することがある。このような場合、更に、その液体（処理液）により処理された基板の表面に残留した液体を除去して当該基板の表面を乾燥させる基板処理装置が用いられる。この種の基板処理装置では、チャンバ（乾燥室）内を通る搬送路に対向するように、その搬送方向を横切る方向に延びるスリットを有するエアナイフ（気体噴出ノズル）が設けられている。そして、チャンバ内において、前記エアナイフから高速に噴出される気体（例えば、ドライエア）中を搬送路に沿って移動する基板を通過させることによってその基板表面から液体を除去し、当該基板表面を乾燥させている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－０４５８７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した基板処理装置では、チャンバ内において、基板の表面にエアナイフから高速に噴出されるドライエアが吹き付けられるようになるので、基板表面に残留する液分が高速のドライエアによってミスト状になってチャンバ内に拡散し得る。そのようなミスト状になって拡散する液分がチャンバ内に生じる気体の流れによっては基板の表面に再付着するおそれがある。

【0005】

ミスト状の液分が基板の表面に再付着すると、シミが生じるなど処理不良が発生し、基板表面の状態が損なわれてしまう。また、基板表面の状態が損なわれてしまうと、後工程での処理に悪影響を及ぼすおそれがある。例えば、後工程において基板に対する成膜が行われる場合、基板上のミスト状の液分の再付着があった部分で成膜が十分に行われずにその形成された膜が剥がれ易くなったり、膜が不均一になったりすることで処理不良（成膜不良）が生じる可能性がある。

【0006】

本発明は、高い品質をもって基板の処理を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供するものである。

【0007】

（削除）

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明に係る基板処理装置は、導入口が設けられた前室部と排出口が設けられた後室部とを有する乾燥室と、液体により処理された基板を前記導入口から前記乾燥室に導し、導入された前記基板を前記排出口に向けて搬送して当該排出口から排出させる搬送機構と、を有し、前記乾燥室において搬送される前記基板の表面から液分を除去して当該基板を乾燥させる基板処理装置であって、前記前室部と前記後室部との境界部分に、搬送される前記基板の上面に対向して配置され、前記基板の搬送方向上流側斜め下方に向けて気体を噴出する第１気体噴出ノズルと、前記前室部と前記後室部との境界部分において当該前室部と当該後室部とを仕切る仕切り部材と、を有し、前記仕切り部材は、前記前室部と前記後室部との境界部分において前記第１気体噴出ノズルより上方の連通部を開放する開放位置と前記連通部を閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能な可動仕切り板を含み、前記前室部には、当該前室部内のミスト状液体を気体とともに排出させる排気口が形成されるとともに、前記後室部には、気体を導入する気体導入口が形成された、構成となる。

【0009】

また、本発明に係る基板処理方法は、前記基板処理装置を用い、液体により処理された後に前記導入口から前記乾燥室に順次導入される基板の表面を乾燥させる基板処理方法であって、前記仕切り部材の前記可動仕切り板が開放位置にある状態で、前記第１気体噴出ノズルから噴出される気体中を前記搬送機構により搬送される基板を通過させる第１ステップと、前記基板の後端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置を通過した後に、前記可動仕切り板を閉鎖位置にさせる第２ステップと、前記基板に続く次基板の先端が前記第１気体噴出ノズルに対向する位置より上流側の基準位置に達する前に、前記基板を前記排出口から排出させる第３ステップと、前記第１基板が前記排出口から排出された後に、前記可動仕切り板を開放位置にさせる第４ステップと、を有する構成となる。

【0010】

上述したような構成によれば、第１気体噴出ノズルから気体が噴出される状態の乾燥室内を基板が搬送される際に、前室部と後室部とを仕切る仕切り部材の可動仕切り板を開放位置と閉鎖位置との間で切り換え動作させることにより、前室部及び後室部における気体の流れを制御することができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、第１気体噴出ノズルから気体が噴出される状態の乾燥室内を基板が搬送される際に、前室部及び後室部における気体の流れ制御することができるので、高い品質をもって基板の処理を行うことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1A】図１Ａは、基板処理装置の構造の一例及びその内部の状態の一例を示す側面図である。

【図1B】図１Ｂは、基板処理装置の構造の一例及びその内部の状態の一例を示す平面図である。

【図2A】図２Ａは、基板処理装置の構造の他の一例及びその内部の状態の一例を示す側面図である。

【図2B】図２Ｂは、基板処理装置の構造の他の一例及びその内部の状態の一例を示す平面図である。

【図3A】図３Ａは、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構造及び内部の状態（その１）を示す側面図である。

【図3B】図３Ｂは、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構造及び内部の状態（その１）を示す平面図である。

【図4】図４は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。

【図5A】図５Ａは、本発明の実施の形態に係る基板処理装置における動作手順（その１）を示すフローチャートである。

【図5B】図５Ｂは、本発明の実施の形態に係る基板処理装置における動作手順（その２）を示すフローチャートである。

【図6】図６は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構造及び内部の状態（その２）を示す側面図である。

【図7】図７は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構造及び内部の状態（その３）を示す側面図である。

【図8】図８は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構造及び内部の状態（その４）を示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

基板処理装置の構造の一例と、この基板処理装置による基板処理において起き得る課題を図１Ａ及び図１Ｂを用いて説明する。なお、図１Ａは、基板処理装置の構造の一例及びその内部の状態の一例を示す側面図であり、図１Ｂは、基板処理装置の構造の一例及びその内部の状態の一例を示す平面図である。

【0014】

図１Ａ及び図１Ｂにおいて、この基板処理装置は、基板Ｗの表面をリンス液（純水）によってリンス処理するリンス室２００から続く乾燥室１００を有している。乾燥室１００は、前室部１００ａとその前室部１００ａに続いて配置される後室部１００ｂとを有している。前室部１００ａの後室部１００ｂと対向する側に導入口１１が設けられ、後室部１００ｂの前室部１００ａに対向する側に排出口１２が設けられている。リンス室２００から続くローラコンベア２０（搬送機構）が乾燥室１００（前室部１００ａ、後室部１００ｂ）内に配置されている。ローラコンベア２０は、基板Ｗの搬送方向Ｄに直交する方向に延びる複数のシャフトがその搬送方向Ｄに所定間隔で配列され、それら複数のシャフトのそれぞれに複数のローラが装着された構造となっている（図１Ｂ参照）。ローラコンベア２０は、リンス室２００にて処理された基板Ｗ（液体により処理された基板Ｗ）を導入口１１から乾燥室１００の前室部１００ａに導入し、その前室部１００ａに導入された基板Ｗを更に後室部１００ｂの排出口１２に向けて搬送してその排出口１２から排出させる。

【0015】

前室部１００ａと後室部１００ｂとの境界部分には、それぞれ基板Ｗの搬送方向Ｄを斜めに横切るように延びる上側エアナイフ２１（第１気体噴出ノズル）及び下側エアナイフ２２（第２気体噴出ノズル）が設けられている（図１Ｂ参照）。上側エアナイフ２１はローラコンベア２０によって搬送される基板Ｗの上面に、下側エアナイフ２２はローラコンベア２０によって搬送される基板Ｗの下面にそれぞれ対向するように配置されている。上側エアナイフ２１は、その長手方向に延びるスリットから基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側斜め下方に向けてドライエア（気体）を高速にて噴出する。下側エアナイフ２１は、その長手方向に延びるスリットから基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側斜め上方に向けてドライエア（気体）を高速にて噴出する。

【0016】

また、乾燥室１００の前室部１００ａと後室部１００ｂとの境界部分には、それら前室部１００ａと後室部１００ｂとを仕切る仕切り部材１０が設けられている。この仕切り部材１０は、上側エアナイフ２１と乾燥室１００の天面との間の空間を塞ぐ上側仕切り板１０ａと、下側エアナイフ２１と乾燥室１００の底面との間の空間を塞ぐ下側仕切り板１０ｂとを有している。

【0017】

前室部１００ａには、ローラコンベア２０によって導入口１１から導入される基板Ｗの上面に対向するように追加シャワーユニット１３（追加液供給部）が設けられている。導入口１１から上側エアナイフ２１の基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側の所定位置までの範囲に追加シャワーユニット１３を上方から覆うようにカバー体１４が設けられている。カバー体１４の、基板Ｗの搬送方向Ｄに直交する方向における長さは、少なくとも搬送される基板Ｗより長く設けられる。そのカバー体１４には、基板Ｗの搬送方向Ｄを横切る方向に所定間隔をもって並ぶように２つの上排気口１４ａ、１４ｂが形成されている（図１Ｂ参照）。そして、その上排気口１４ａ、１４ｂのそれぞれに続いて排気管１５ａ、１５ｂが設けられている。排気管１５ａ、１５ｂには吸気機構（図示略）が接続され、その吸気機構の吸気作用によって上排気口１４ａ、１４ｂを通して、前室部１００ａにおける主にローラコンベア２０の上方のカバー体１４で覆われた領域の排気が行われる。

【0018】

なお、前室部１００ａにおいて、ローラコンベア２０を挟んで追加シャワーユニット１３の逆側に遮閉板１６が設けられている。また、前室部１００ａの底面には下排気口１７が形成されている。この下排気口１７も吸気機構（図示略）に接続され、吸気機構の吸気作用によって下排気口１７を通して前室部１００ｂにおける主にローラコンベア２０の下方の領域の排気が行われる。

【0019】

後室部１００ｂの天面には気体導入口１８が形成されている。気体導入口１８はＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタを含む給気機構に接続されており、その給気機構の給気作用によって気体導入口１８から後室部１００ｂ内に清浄なエアがダウンフローＤＦとなって導入される。

【0020】

このような基板処理装置では、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２からドライエアが基板Ｗの搬送方向Ｄの上流側に向けて斜めに噴出する。前室部１００ａにおいて追加シャワーユニット１３から純水がスプレイされるとともに上排気口１４ａ、１４ｂ及び排気管１５ａ、１５ｂを通して排気が行われる。そして、後室部１００ｂにおいて気体導入口１８から清浄なエアがダウンフローＤＦとなって導入される。このような状況において、リンス室２００からリンス処理を終えて表面にリンス液が付着した基板Ｗが、ローラコンベア２０によって、所定の間隔をもって順次導入口１１から前室部１００ａ（乾燥室１００）に導入され、後室部１００ｂの排出口１２に向けて搬送される。

【0021】

乾燥処理を受ける基板Ｗ上で液がまだらに存在する状態になると、乾燥処理を終えたあとにシミ（ウォーターマーク）が生じる原因となる。そこで、ローラコンベア２０によって搬送される基板Ｗは、その上面に対して、追加シャワーユニット１３から追加的にリンス室２００で基板Ｗに供給されるリンス液と同じ液（純水）がスプレイされる。これによって基板Ｗは、上側エアナイフ２１による乾燥処理を受ける直前まで純水の液膜が上面に形成された状態で、上側エアナイフ２１と下側エアナイフ２２との間を移動する。その際、基板Ｗの上面の水分（液分）が上側エアナイフ２１から高速に噴出するドライエアによって除去されて当該上面が乾燥され、基板Ｗの下面の水分（液分）が下側エアナイフ２２から高速に噴出するドライエアによって除去されて当該下面が乾燥される。なお、基板Ｗの上面には、上側エアナイフ２１から高速に噴出されたエアの流れによって、エアの噴出を受ける位置から、基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側に向かって所定距離（所定範囲）、水分が除去されて乾燥した状態となっている。

【0022】

気体導入口１８からダウンフローＤＦとなって導入される清浄なエアによって正圧状態になる後室部１００ｂでは、そのダウンフローＤＦのエアは、仕切り部材１０（上側仕切り板１０ａ、下側仕切り板１０ｂ）によって仕切られた前室部１００ａに進入し難く、主に、排出口１２から外部に流れ出す。このように気体導入口１８からのダウンフローＤＦのエアの影響を受けにくい前室部１００ａでは、上側エアナイフ２１から高速に噴出するドライエアによって基板Ｗの表面に付着した処理液がミスト化し、基板Ｗに再付着することがある。これは、図１Ａに示す基板処理装置において、カバー体１４を設けて、上排気口１４ａ、１４ｂから排気しているものの、ミスト化した水分の一部が上排気口１４ａ、１４ｂから排気されずに搬送中の基板Ｗの上面に戻る流れＦｘが生じ得るためである。このようなミスト状の水分の基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側に戻る流れＦｘにより、水分が除去された基板Ｗの上面にそのミスト状の水分が再付着することがある。基板Ｗにミスト状の水分が再付着すると、後室部１００ｂ側に搬送された基板Ｗの上面にシミが生じる等処理不良が発生し、基板の品質が低下するおそれがある。

【0023】

なお、下側エアナイフ２２から高速に噴出するドライエアは、搬送される基板Ｗの下面に沿って流れて、吸気機構によりエアの引き込みの行われる下排気口１７から排気される。また、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２のそれぞれから高速に噴出して基板Ｗの上面、下面に沿って流れるドライエアの一部は導入口１１からリンス室２００側に流出する。

【0024】

上述したように、図１Ａ及び図１Ｂに示す構造の基板処理装置では、上側エアナイフ２１から高速に噴出するドライエアによって、基板表面から吹き上げられてミスト化した水分の一部が、搬送中の基板Ｗの上面に再付着することがあるが、図２Ａ及び図２Ｂに示す構造の基板処理装置によれば、このミスト化した水分の再付着を抑えることが可能である。図２Ａは、基板処理装置の構造の他の一例及びその内部の状態の一例を示す側面図であり、図２Ｂは、基板処理装置の構造の他の一例及びその内部の状態の一例を示す平面図である。なお、図２Ａ及び図２Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す部分と同じ部分には同じ参照番号が付されている。しかし、この基板処理装置による基板処理においては、上述した図１Ａ及び図１Ｂに示す構造の基板処理装置とは別の課題が生じるので、この点を説明する。

【0025】

この基板処理装置は、前室部１００ａと後室部１００ｂとを仕切る仕切り部材１０の上側仕切り板１０ａを短くして、上側仕切り板１０ａの下縁と上側エアナイフ２１との間に、前室部１００ａと後室部１００ｂとを連通させる連通部ＳＰが形成されることを特徴としている。また、この基板処理装置は、追加シャワーユニット１３を覆うカバー体１４の下流側端部が、前述した基板処理装置（図１Ａ、図１Ｂ参照）のものと比べて、上側エアナイフ２１側（基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側）に寄ったことも特徴としている。カバー体１４の下流側端部の位置は、例えば、上側エアナイフ２１から噴出する高速のドライエアによって基板Ｗの上面の水分が吹き飛ばされて、基板Ｗの上面において水分が除去できる範囲内の上方に設定することができる。より好ましくは、基板Ｗの上面において水分を吹き飛ばすことができる範囲内における搬送方向Ｄの上流端の上方にカバー体１４の下流側端部の位置を設定することができる。なお、図２Ａ及び図２Ｂに示す基板処理装置の構造は、上記特徴を除いて、前述した例のもの（図１及び図１Ｂ参照）と同じである。

【0026】

このような基板処理装置では、前述した例（図１Ａ、図１Ｂ参照）と同様に、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２からドライエアが基板Ｗの搬送方向Ｄの上流側に向けて斜めに噴出する。そして、前室部１００ａでは、追加シャワーユニット１３から純水がスプレイされるとともに上排気口１４ａ、１４ｂ、及び排気管１５ａ、１５ｂを通して排気が行われ、後室部１００ｂでは、気体導入口１８から清浄なエアがダウンフローＤＦとなって導入される。このような状況において、リンス室２００からリンス処理を終えて表面に水分が付着した基板Ｗが、ローラコンベア２０によって、所定の間隔をもって順次導入口１１から前室部１００ａ（乾燥室１００）に導入され、排出口１２に向けて搬送される。そして、上側エアナイフ２１と下側エアナイフ２２との間を通過する基板Ｗの上面及び下面に付着している水分が上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２から高速に吐出するドライエアによって除去されて当該上面及び当該下面が乾燥される。

【0027】

この場合、前室部１００ａと後室部１００ｂとの境界部分に連通部ＳＰを形成することにより、その連通部ＳＰを通して後室部１００ｂから前室部１００ａに導入されるエアの流れが生じることになる。このため、前室部１００ａにおいて、上側エアナイフ２１から基板Ｗの搬送方向Ｄ上流に向けて斜めに噴出するドライエアによって基板Ｗの上面から吹き上げられてミスト化した水分の一部が基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側に戻ることが抑制され得る。また、カバー体１４の下流側端部の位置を前述した例（図１Ａ、図１Ｂ参照）に比べて、上側エアナイフ２１に近づけたことにより、基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側に戻ろうとするそのミスト化された水分をカバー体１４内にとどめて上排気口１４ａ、１４ｂ及び排気管１５ａ、１５ｂを通して排気し得る。これらのことが相まって、搬送される基板Ｗの上面にミスト化された水分が再付着することを防止することができ、前室部１００ａから後室部１００ｂに搬送される基板Ｗの上面にシミが生じるなどの処理不良を防止し、処理不良による基板の品質低下を防止することができる。

【0028】

しかし、乾燥室１００において、ダウンフローＤＦによる流れや、各排気口からの排気作用により、乾燥室１００全体は乾燥室１００の外の雰囲気圧力と比較して負圧となる。このため、排出口１２から乾燥室１００の後室部１００ｂに外気が流入して、その外気が連通部ＳＰを通して前室部１００ａに流入する気流Ｆｏが生じることがある。このような気流Ｆｏが生じる場合、外気のダストレベルの影響を受け、基板Ｗの品質が低下するおそれがある。

【0029】

そこで、本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、乾燥室１００内での上側エアナイフ２１から処理液が付着した基板Ｗ表面に向けてドライエアを高速に噴出させることにともなって基板Ｗの表面の状態が損なわれること、具体的には、基板Ｗから吹き上げられてミスト化した水分の一部が搬送中の基板Ｗの上面に付着して基板Ｗにシミが生じるなどの処理不良が発生し、基板Ｗの品質が低下することを防止する。

【0030】

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。

【0031】

本発明の実施の一形態に係る基板処理装置は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように構成される。図３Ａは、本発明の実施の一形態に係る基板処理装置の構造及びその内部の状態を示す側面図であり、図３Ｂは、本発明の実施の一形態に係る基板処理装置の構造及びその内部の状態を示す平面図である。なお、図３Ａ及び図３Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂ並びに図２Ａ及び図２Ｂに示す部分と同じ部分には同じ参照番号が付されている。

【0032】

図３Ａ及び図３Ｂに示す基板処理装置において、図２Ａ及び図２Ｂに示すものと同様に、仕切り部材１０における上側仕切り板１０ａの下縁と上側エアナイフ２１との間に、前室部１００ａと後室部１００ｂとを連通させる連通部ＳＰが形成されている。カバー体１４の下流側端部の位置が、例えば、上側エアナイフ２１から噴出する高速のドライエアによって基板Ｗの上面の水分を吹き飛ばすことができる範囲内の上方に設定されている。

【0033】

この基板処理装置（図３Ａ及び図３Ｂ参照）は、図２Ａ及び図２Ｂに示すものと、以下の点で相違する。

【0034】

前室部１００ａと後室部１００ｂとを仕切る仕切り部材１０は、上側仕切り板１０ａ及び下側仕切り板１０ｂに加えて、連通部ＳＰを開放する開放位置と連通部ＳＰを閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能な可動仕切り板１０ｃを含む。また、後室部１００ｂには、排出口１２を開放する開放位置と排出口１２を閉鎖する閉鎖位置との間で移動可能な出口開閉板１９が設けられている。

【0035】

搬送機構としてのローラコンベア２０は、リンス室２００から続いて前室部１００ａに配置された前ローラコンベア部２０ａ（前機構部）と、後室部１００ｂに設けられた後ローラコンベア部２０ｂ（後機構部）とを有する構造となっている。後ローラコンベア部２０ｂに含まれる各ローラの径は、前ローラコンベア部２０ａに含まれる各ローラの径より小さく、かつ、後ローラコンベア部２０ｂのローラ及びシャフトの配列密度は、前ローラコンベア部２０ａにおけるそれらの配列密度よりも高い。そして、前ローラコンベア部２０aと、後ローラコンベア部２０ｂとは、後述するように、それぞれ独立して搬送速度の制御が可能である。

【0036】

上側エアナイフ２１の所定部位には、その上側エアナイフ２１の下方を通過する基板Ｗを検出する基板センサ３１が設けられている。また、前室部１００ａにおいて、導入口１１より基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側の所定位置に、基板Ｗを検出して導入口１１から基板Ｗが導入されたことを検出する基板センサ３２が設けられている。さらに、後室部１００ｂにおいて、排出口１２より基板Ｗの搬送方向Ｄ上流側の所定位置に、基板Ｗを検出して基板Ｗが排出口１２から排出されることを検出する基板センサ３３が設けられている。基板センサ３１、３２、３３のそれぞれは、基板Ｗが対向するか否かに応じて状態変化する検出信号を出力する。

【0037】

ローラコンベア２０（前ローラコンベア部２０a、後ローラコンベア部２０ｂ）、可動仕切り板１０ｃ及び出口開閉板１９の駆動・制御系は、例えば、図４に示すように構成される。

【0038】

図４において、この制御・駆動系は、基板センサ３１、３２、３３それぞれからの検出信号を入力する制御装置３０とともに、前ローラコンベア部２０ａの駆動装置３５（例えば、モータ群）、後ローラコンベア部２０ｂの駆動装置３６（例えば、モータ群）、可動仕切り板１０ｃの駆動装置３７（例えば、ソレノイド、モータ等）、及び出口開閉板１９の駆動装置３８（例えば、ソレノイド、モータ等）を含む。制御装置３０は、基板センサ３１、３２、３３からの検出信号の状態に基づいて、即ち、乾燥室１００（前室部１００a、後室部１００ｂ）内を搬送される基板Ｗの位置に基づいて、各駆動装置３５、３６、３７、３８を制御する。それにより、基板Ｗの位置に基づいて、前ローラコンベア部２０ａ、後ローラコンベア部２０ｂ、可動仕切り板１０ｃ、及び出口開閉板１９それぞれの動きが制御される。

【0039】

本発明の実施の形態に係る基板処理装置（図３Ａ、図３Ｂ、図４参照）は、上述した点を除き、前室部１００ａと後室部１００ｂとを連通させる連通部ＳＰが形成される点、及びカバー体１４の下流側端部の位置が、例えば、上側エアナイフ２１から噴出する高速のドライエアによって基板Ｗの上面において水分を吹き飛ばすことができる範囲内の上方に設定されている点を含めて図２Ａ及び図２Ｂに示す基板処理装置と同じ構成となる。

【0040】

制御装置３０は、図５Ａ及び図５Ｂに示す手順に従って前ローラコンベア部２０ａ、後ローラコンベア部２０ｂ、可動仕切り板１０ｃ、及び出口開閉板１９それぞれの動きを制御する。

【0041】

図５Ａにおいて、制御装置３０は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、可動仕切り板１０ｃを開放位置にセットするとともに、出口開閉板１９を閉鎖位置にセットする（Ｓ１１：初期セット）。この状態で、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２からドライエアの噴出が開始される。そして、制御装置３０は、ローラコンベア２０（前ローラコンベア部２０ａ、後ローラコンベア部２０ｂ）を第１の速度（初期値）にて始動させる（Ｓ１２）。その後、制御装置３０は、基板センサ３１からの検出信号の状態に基づいてローラコンベア２０によって搬送される基板Ｗの後端縁が上側エアナイフ２１の下方を通過したか否かを繰り返し判定する状態になる（Ｓ１３）。

【0042】

このような状態で、リンス室２００からリンス処理を終えて表面に水分が付着した基板Ｗが順次導入口１１を通して乾燥室１００（前室部１００ａ）に導入され、その基板Ｗがローラコンベア２０によって排出口１２に向けて搬送される。そして、ローラコンベア２０（前ローラコンベア部２０ａ）によって搬送される基板Ｗが上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２から高速に吐出するドライエア中を通過していく（第１ステップ）。

【0043】

基板Ｗが上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２から高速に噴出するドライエア中を通過していく過程で、基板Ｗの上面の水分が上側エアナイフ２１からのドライエアによって除去されてその上面が乾燥されるとともに、基板Ｗの下面の水分が下側エアナイフ２２からのドライエアによって除去されてその下面が乾燥される。このとき、図３Ａに示すように、気体導入口１８からダウンフローＤＦとなって後室部１００ｂに導入される清浄なエアが、出口開閉板１９によって閉鎖される排出口１２から流出することなく、後室部１００ｂから開放された連通部ＳＰを通して前室部１００aに流入する。後室部１００ｂから連通部ＳＰを通した前室部１００aへのエアの流れによって、乾燥室１００全体が負圧傾向になったとしても、出口開閉板１９によって排出口１２が閉鎖されているので、排出口１２からダストレベルが保証されていない外気が後室部１００ｂに流入する気流は生じない。

【0044】

そして、前室部１００ａでは、後室部１００ｂから開放された連通部ＳＰを通して流入するエアの流れによって、上側エアナイフ２１から噴出するドライエアによって基板Ｗの上面から吹き上げられてミスト化した水分の一部が基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側に戻ることが抑制される。また、カバー体１４の下流側端部が上側エアナイフ２１から噴出する高速のドライエアによって基板Ｗの上面の水分を吹き飛ばすことができる範囲内の上方に設定されているので、基板Ｗの搬送方向Ｄ下流側に戻ろうとするそのミスト化された水分の多くをカバー体１４内にとどめて上排気口１４ａ、１４ｂ及び排気管１５a、１５ｂを通して排気することができる。これらのことが相俟って、搬送される基板Ｗの上面にミスト化された水分が再付着することを確実に防止することができる。

【0045】

なお、下側エアナイフ２２から高速に噴出するドライエアは、前述した例（図１Ａ及び図１Ｂ並びに図２Ａ及び図２Ｂ参照）と同様に、搬送される基板Ｗの下面に沿って流れて、吸気機構により気体の引き込みの行われる下排気口１７から排気される。また、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２のそれぞれから高速に噴出して基板Ｗの上面、下面に沿って流れるドライエアの一部は導入口１１からリンス室２００側に流出する。

【0046】

図５Ａに戻って、制御装置３０は、基板センサ３１からの検出信号の状態に基づいて、ローラコンベア２０によって搬送される基板Ｗの後端縁が上側エアナイフ２１（下側エアナイフ２２）に対向する位置を通過したと判定すると（Ｓ１３でＹＥＳ）、図６に示すように可動仕切り板１０ｃを開放位置から閉鎖位置に移動させるとともに、出口開閉板１９を閉鎖位置から開放位置に移動させる（Ｓ１４：第２ステップ）。そして、前ローラコンベア部２０ａを第１の速度に維持するとともに、後ローラコンベア部２０ｂの搬送速度を前記定速より大きい第２の速度に増大させる（Ｓ１５）。これにより、図６に示すように、次の基板Ｗが導入口１１から第１の速度にて前室部１００ａに導入されて前ローラコンベア部２０ａによって搬送される一方、上側エアナイフ２１（下側エアナイフ２２）を通過して乾燥処理が終了した基板Ｗは、後ローラコンベア部２０ｂにより前記第１の速度より大きい第２の速度にて後室部１００ｂ内を排出口１２に向けて搬送される。

【0047】

このとき、図６とともに図７に示すように、気体導入口１８からダウンフローＤＦとなって導入される清浄なエアによって正圧状態になる後室部１００ｂでは、そのダウンフローＤＦのエアが、開放される排出口１２から外部に流出する。この後室部１００ｂから排出口１２を通したエアの流れによって、乾燥処理の終了した基板Ｗが排出口１２から排出される際に、ダストレベルが保証されない外気が開放される排出口１２から後室部１００ｂ内に流入することが防止される。

【0048】

また、前室部１００ａでは、図７に示すように、リンス室２００で処理されて表面に水分の付着した次の基板Ｗが導入口１１から導入され、その導入された基板Ｗが前ローラコンベア２０ａによって上側エアナイフ２１（下側エアナイフ２２）に向けて搬送される。その過程で、基板Ｗの上面が追加シャワーユニット１３からスプレイされる純水によって、上側エアナイフ２１による乾燥処理を受ける直前まで純水の液膜が上面に形成された状態が維持される。このように追加シャワーユニット１３の下方を移動する基板Ｗの先端縁は、カバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）に達していないので、上側エアナイフ２１から高速に噴出されるドライエアによってその基板Ｗの上面に残った水分がミスト状に吹き上げられることもなく、僅かにそのようなミスト状の水分が発生したとしても、カバー体１４の上排気口１４ａ、１４ｂ及び排気管１５ａ、１５ｂを通して排気することができる。そのため、カバー体１４の下方を搬送される基板Ｗの表面にミスト状の水分が再付着することはない（図７参照）。なお、基板Ｗがカバー体１４の下方の位置にあるときは、その上面に液膜が形成されているため、雰囲気中のミスト状の水分が基板Ｗに付着したとしても処理不良になることはない。

【0049】

制御装置３０は、上述したように、後ローラコンベア部２０ｂの搬送速度を前記第１の速度より大きい第２の速度に増大させた（Ｓ１５）後、図５Ｂに示す手順に移行して、基板センサ３２及び基板センサ３３それぞれからの検出信号の状態に基づいて、リンス室２００から導入される次の基板Ｗの前端縁がカバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）を通過する前に、乾燥処理が終了した基板Ｗが排出口１２から排出されたか否かを判定する（Ｓ１６）。なお、基板センサ３２からの検出信号の状態に基づいて、基板Ｗの先端縁が基板センサ３２の下方を通過してから所定時間経過したときに、基板Ｗの先端縁がカバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）を通過したと判定することができる。また、基板センサ３３からの検出信号の状態に基づいて基板Ｗの後端縁が基板センサ３３の下方を通過してから所定時間経過したときに、基板Ｗが排出口１２から排出されたと判定することができる。

【0050】

そして、制御装置３０は、図８に示す状況のように、リンス室２００から導入される次の基板Ｗの前端縁がカバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）を通過する前に、乾燥処理が終了した基板Ｗが排出口１２から排出されたと判定すると（Ｓ１６でＹＥＳ：第３ステップ）、後ローラコンベア部２０ｂの搬送速度を第１の速度（初期値）に戻す（Ｓ１７）。そして、排出された基板Ｗが乾燥処理すべき最終の基板ではない場合（Ｓ１８でＮＯ）、制御装置３０は、可動仕切り板１０ｃを開放位置に切り換えるとともに、出口開閉板１９を閉鎖位置に切り換える（Ｓ１９：第４ステップ）。これにより、可動仕切り板１０ｃ及び出口開閉板１９のそれぞれは初期状態（連通部ＳＰが開放、排出口１２が閉鎖）に戻る（図３Ａ及び図３Ｂ参照）。

【0051】

以後、リンス室２００から所定の間隔をもってリンス処理済みの基板Ｗが導入口１１から導入される状況において、制御装置３０は、前述した処理（Ｓ１３～Ｓ１９）を繰り返し実行する。そして、排出口１２から排出される基板Ｗが乾燥処理すべき最終の基板であると（Ｓ１８でＹＥＳ）、制御装置３０は、最終の基板が排出口１２から排出された時点で、可動仕切り板１０ｃ、出口開閉板１９、前ローラコンベア部２０a及び後ローラコンベア部２０ｂの動作制御を終了する。

【0052】

なお、後ローラコンベア部２０ｂが不調等の理由により、乾燥処理が終了した基板Ｗが排出口１２から排出される前に、リンス室２００から導入される次の基板Ｗの前端縁がカバー体１４の下流端部の下方位置（基準位置）を通過した場合（Ｓ１６でＮＯ）、図１Ａ及び図１Ｂに示す状況と同じような状況（連通部ＳＰが閉鎖状態、排出口１２が開放状態）になる。このような状況では、前述したように、上側エアナイフ２１及び下側エアナイフ２２のそれぞれから噴出するドライエア中を移動する基板Ｗにミスト状の水分が再付着する可能性がある。このため、このような状況の場合（Ｓ１６でＮＯ）、制御装置３０は、ミスト状の水分の再付着した可能性のある基板Ｗのトレース処理、警報処理等のエラー処理（Ｓ２０）を行う。エラー処理がされた基板Ｗが排出されると（Ｓ２１）、後ローラコンベア部２０ｂの搬送速度を第１の速度（初期値）に戻す（Ｓ１７）。また、このようなエラー処理が繰り返される場合、基板処理装置の動作を停止させることができる。

【0053】

上述した実施の形態に係る基板処理装置によれば、上側エアナイフ２１（下側エアナイフ２２）からドライエアが噴出される状態の乾燥室１００内を基板Ｗが搬送される際に、可動仕切り板１０ｃ及び出口開閉板１９によって前室部１００aと後室部１００ｂとの境界部分の連通部ＳＰの開閉状態及び排出口１２の開閉状態を制御することにより、前室部１００a及び後室部１００ｂにおけるエアの流れを制御することができる。これにより、乾燥室１００内での処理（上側エアナイフ２１から水分の付着する基板Ｗの表面に向けてドライエアを噴出させる処理）にともなって基板Ｗの表面の状態が損なわれること、具体的には、基板Ｗから吹き上げられてミスト化した水分の一部が搬送中の基板Ｗの上面に再付着して基板Ｗの上面にシミが生じるなど処理不良が発生すること、及び排出口１２から流入する外気のダストレベルによって基板Ｗの表面の品質が影響されてしまうこと、を防止することができる。

【0054】

特に、前ローラコンベア部２０a及び後ローラコンベア部２０ｂのそれぞれの搬送速度を個別に制御できるようにして、基板Ｗが上側エアナイフ２１の下方位置（基板センサ３１）を通過するタイミングで、後ローラコンベア部２０ｂの搬送速度を増大させるようにしているので、次の基板Ｗの先端縁がカバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）通過する前に、乾燥処理を終えた先行する基板Ｗを開放される排出口１２から確実に排出させることができる。このため、排出口１２を閉鎖（出口開閉板１９を閉鎖状態）するとともに、連通部ＳＰを開放（可動仕切り板１０ｃを開放状態）させて、気体導入口１８からダウンフローＤＦとして導入される清浄なエアを前室部１００aに導入させた状態（図３Ａ参照）で、確実に、次の基板Ｗを上側エアナイフ２１（下側エアナイフ２２）から噴出されるドライエア中を移動させることができる。よって、水分の付着する次の基板Ｗについても、その上面から吹き上げられてミスト化した水分の一部が搬送中の当該基板Ｗの上面に付着してしまうことを確実に防止することができる。

【0055】

また、搬送速度を増大させる後ローラコンベア部２０ｂの各ローラの径が、前ローラコンベア部２０ａの各ローラの径より小さく、かつ後ローラコンベア部２０ｂのローラ及びシャフトの配列密度が、前ローラコンベア部２０ａのローラ及びシャフトの配列密度より高くなっている。これにより、基板Ｗを支持するローラの数（支持点及び支持面積）が多くなるので、後ローラコンベア部２０ｂによってより高速に基板Ｗを搬送しても、その基板Ｗに対する振動を低減させることができ、基板Ｗの部分的なカケ等の破損を未然に防止することができる。

【0056】

なお、気体（ドライエア）を噴出するノズルは、エアナイフ（上側エアナイフ２１、下側エアナイフ２２）に限定されず、他の種類のノズル、例えば、微細孔を有する複数のノズルが配列されたノズルユニットであってもよい。

【0057】

また、搬送機構（ローラコンベア２０）は、前室部１００ａに設けられる前機構部（前ローラコンベア部２０ａ）と、後室部１００ｂに設けられる後機構部（後ローラコンベア部２０ｂ）とを有する構成に限定されず、図１Ａ及び図１Ｂ並びに図２Ａ及び図２Ｂに示すように、単一の搬送機構（ローラコンベア２０）であってもよい。この場合、搬送機構（ローラコンベア２０）は、全体を通して定速に制御することができる。また、前ローラコンベア部２０ａの各ローラの径と、ローラ及びシャフトの配列密度は、後ローラコンベア２０ｂの各ローラの径と、ローラ及びシャフトの配列密度と同じであってもよい。

【0058】

また、上側エアナイフ２１によって乾燥処理を受ける直前まで液膜を形成しておく必要が無い場合、あるいは追加シャワーユニット１３による純水のスプレイを行わなくても、リンス室２００から基板Ｗの上面に液膜が形成されたまま上側エアナイフ２１の下方まで基板Ｗが搬送される場合、追加シャワーユニット１３は設けなくてもよい。

【0059】

さらに、前室部１００ａにおいて、カバー体１４も設けなくてもよい。カバー体１４を設けなくても、上側エアナイフ２１から高速に噴出するドライエアによって、基板Ｗの上面において水分が除去されている範囲内の上方では、連通部ＳＰを介して清浄なエアが流入するため、ミスト状の水分が再付着することを防止することができる。

【0060】

カバー体１４を設けない場合にも、上側エアナイフ２１から高速に噴出するドライエアによって、基板Ｗの上面において水分が吹き飛ばすことができる範囲内（より好ましくは、基板Ｗの上面において水分が吹き飛ばすことができる範囲内における搬送方向Ｄの上流端）を基準位置として、リンス室２００から導入される次の基板Ｗの前端縁が基準位置を通過する前に、先行する乾燥処理が終了した基板Ｗが排出口１２から排出されるようにすればよい。

【0061】

また、基板センサ３２及び３３からの検出信号の状態に基づいて、制御装置３０は、基板Ｗが排出口１２から排出されるより前に、次の基板Ｗがカバー体１４の下流側端部の下方位置（基準位置）に達すると判定した場合、前ローラコンベア部２１ａの搬送速度を第１の速度より小さい所定速に減少させるようにしてもよい。

【0062】

また、上述の実施の形態に係る基板処理装置においては、上側エアナイフ２１の所定部位に基板センサ３１を設け、基板センサ３１の下方を通過する基板Ｗを検出するとしたが、基板センサ３２による検出信号に基づいて、基板Ｗが基板センサ３２の下方を通過してから所定時間経過したときに、上側エアナイフ２１の下方を通過したと判定してもよい。

【0063】

また、上述の実施の形態に係る基板処理装置においては、排出口１２から外気が流入することを防ぐために、出口開閉板１９を設ける構成としたが、これに限定されない。例えば、外気が流入したとしてもダストレベルに問題が無い場合は、出口開閉板１９は設けなくてもよい。また、各排気口の位置や気体導入口１８の位置及び気体導入口１８から導入されるダウンフローＤＦの流量によっては、排出口１２から外気が流入したとしても、連通部ＳＰを介して前室部１００ａに外気が流入することはない、あるいは流入量がわずかである場合にも、出口開閉板１９は設けなくてもよい。例えば、ダウンフローＤＦの流量が大きい場合には、排出口１２からダウンフローＤＦが排出される流れの方が大きくなるため、排出口１２から外気が流入にすることはなく、外気のダストレベルによって、基板の品質が低下するおそれは少ない。

【0064】

すなわち、乾燥室１００内において、基板Ｗの搬送位置に応じて、少なくとも連通部ＳＰを開閉させることで、乾燥室１００内の気流を制御することができるので、基板の処理不良を防止し、基板処理の品質を向上させることができる。

【0065】

以上、本発明のいくつかの実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

【符号の説明】

【0066】

１０ 仕切り部材
１０ａ 上側仕切り板
１０ｂ 下側仕切り板
１０ｃ 可動仕切り板
１１ 導入口
１２ 排出口
１３ 追加シャワーユニット
１４ａ、１４ｂ 上排出口
１５ａ、１５ｂ 排気管
１６ 遮閉板
１７ 下排気口
１８ 気体導入口
１９ 出口開閉板
２０ ローラコンベア
２０ａ 前ローラコンベア部
２０ｂ 後ローラコンベア部
２１ 上側エアナイフ
２２ 下側エアナイフ
３０ 制御装置
３１、３２、３３ 基板センサ
３５、３６、３７、３８ 駆動装置
１００ 乾燥室
１００ａ 前室部
１００ｂ 後室部
２００ リンス室

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8】