2023-45346 ディッピング装置、ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023045346

(43)【公開日】2023-04-03

(54)【発明の名称】ディッピング装置、ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230327BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311T

H01L21/60 311Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021153695

(22)【出願日】2021-09-22

(71)【出願人】

【識別番号】515085901

【氏名又は名称】ファスフォードテクノロジ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】李 健柱

(72)【発明者】

【氏名】酒井 一信

(72)【発明者】

【氏名】加藤 貴広

【テーマコード（参考）】

5F044

【Ｆターム（参考）】

5F044KK01

5F044LL01

5F044PP15

5F044PP16

5F044PP17

(57)【要約】

【課題】より均一なフラックス薄膜形成が可能な技術を提供することである。
【解決手段】ディッピング装置はスキージ装置とフラックスを成膜するプレートとを備える。前記プレートの表面はナノレベルの算術平均粗さの粗面を有する。前記スキージ装置と前記プレートとを相対的に移動させ、前記スキージ装置から前記プレートの前記粗面に前記フラックスを供給するよう構成される。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

スキージ装置と、
フラックスを成膜するプレートと、
を備え、
前記プレートの表面はナノレベルの算術平均粗さの粗面を有し、
前記スキージ装置と前記プレートとを相対的に移動させ、前記スキージ装置から前記プレートの前記粗面に前記フラックスを供給するよう構成されるディッピング装置。

【請求項2】

請求項１のディッピング装置において、
前記粗面の算術平均粗さは１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるディッピング装置。

【請求項3】

請求項１のディッピング装置において、
前記粗面は前記フラックスの広がる方向に沿った成分の方向を有する連続した溝であるディッピング装置。

【請求項4】

請求項１のディッピング装置において、
前記粗面は前記スキージ装置と前記プレートとの相対的な移動方向に沿った成分の方向を有する連続した溝であるディッピング装置。

【請求項5】

請求項１のディッピング装置において、
前記プレートの表面から前記スキージ装置の底面までの高さが可変であるディッピング装置。

【請求項6】

スキージ装置とフラックスを成膜するプレートとを備え、前記プレートの表面はナノレベルの算術平均粗さの粗面を有し、前記スキージ装置と前記プレートとを相対的に移動させ、前記スキージ装置から前記プレートの前記粗面に前記フラックスを供給するよう構成されるディッピング装置と、
ディッピング装置を制御する制御装置と
を備えるダイボンディング装置。

【請求項7】

請求項６のダイボンディング装置において、
前記制御装置は、ダイのバンプを前記プレートの前記フラックスに浸漬するよう構成されるダイボンディング装置。

【請求項8】

請求項６のダイボンディング装置において、
前記制御装置は、前記スキージ装置を固定すると共に、前記プレートを移動することにより、前記プレートの前記フラックスを成膜するよう構成されるダイボンディング装置。

【請求項9】

請求項８のダイボンディング装置において、
さらに、前記成膜されたフラックスの膜厚を測定する膜厚測定計を備えるダイボンディング装置。

【請求項10】

請求項９のダイボンディング装置において、
前記膜厚測定計はレーザ変位計であるダイボンディング装置。

【請求項11】

請求項９または１０のダイボンディング装置において、
前記制御装置は、前記膜厚測定計により測定したフラックスの膜厚に基づいて成膜するフラックスの膜厚を調整するよう構成されるダイボンディング装置。

【請求項12】

その表面にナノレベルの算術平均粗さの粗面を有するプレートにバンプを有するダイの前記バンプに転写するためのフラックスを成膜するフラックス成膜工程と、
前記ダイをピックアップして前記フラックスに前記バンプを浸漬するフラックス転写工程と、
を含む半導体装置の製造方法。

【請求項13】

請求項１２の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記フラックス成膜工程の後、成膜されたフラックスの膜厚を測定する膜厚測定工程を含む半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示はダイボンディング装置に関し、例えばフラックス転写を行うダイボンディング装置に適用可能である。

【背景技術】

【0002】

ダイと呼ばれる半導体チップを、例えば、配線基板やリードフレームなど（以下、総称して基板という。）の表面に搭載するダイボンディング装置には、分割されたダイを半導体ウエハ（単に、ウエハという。）からピックアップし、ダイを裏返して表面を下（フェースダウン）にして基板に装着する装置（フリップチップボンダ）がある。フリップチップボンダにおいては、ダイの表面に設けられた突起状の接続電極であるバンプにフラックスを塗布するディッピング工程を有するものがある。ここで、フラックスは半田付け促進剤であり、異物や酸化膜を取り除く浄化作用、接合部の酸化を防止する酸化防止作用および溶けた半田が丸くなるのを抑える表面張力低下作用がある。

【0003】

ディッピング工程では、ボンディングヘッドが昇降し、ダイのバンプ面を塗布装置に設けられるフラックスが収納されている凹状の空洞に浸漬してフラックスをバンプに転写する。また、塗布装置は、転写によって失われる空洞のフラックスを補充するための機構を備える。この機構は、空洞を有するプレート上を、底部が開かれフラックスを収納した容器を移動させて行う。このような塗布装置は、特許文献１に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－１７７０３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

一般的に、バンプに転写するフラックスの膜厚はバンプの径の１／３程度が目安になっている。例えば、パンプ径がφ７５～１５０μｍのＣ４（Controlled Collapse Chip Connection）バンプの場合、フラックス膜厚は３０～１００μｍであり、φ５５～１００μｍのＣ２（Chip Connection）バンプ場合、フラックス膜厚は１０～３０μｍである。したがって、狭バンプピッチ化に伴い、さらに、バンプ径が小さくなると、フラックスの膜厚を薄くする必要がある。薄膜化に伴いフラックスの成膜時に、フラックスがプレートに均一に濡れず、ムラが発生し均一な薄膜形成が困難になる。

【0006】

本開示の課題は、より均一なフラックス薄膜形成が可能な技術を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ディッピング装置はスキージ装置とフラックスを成膜するプレートとを備える。前記プレートの表面はナノレベルの算術平均粗さの粗面を有する。前記スキージ装置と前記プレートとを相対的に移動させ、前記スキージ装置から前記プレートの前記粗面に前記フラックスを供給するよう構成される。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、より均一なフラックス薄膜形成が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は実施形態におけるフリップチップボンダの主要部の概略を示す斜視図である。

【図2】図２は図１において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッドおよびトランスファヘッドの動作を説明する図である。

【図3】図３は図１において矢印Ｂ方向から見たときに、中間ステージおよびボンドヘッドの動作を説明する図である。

【図4】図４は図１のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。

【図5】図５は図１に示す第二中間ステージのディッピング機構を第二中間ステージの移動方向に対して垂直な方向から見た側面図である。

【図6】図６は図５に示すＣ－Ｃ線における断面図である。

【図7】図７は図１に示すフリップチップボンダで実施されるフェースダウンボンディング方法を示すフローチャートである。

【図8】図８は図５に示すディッピング機構の要部を示す上面図である。

【図9】図９（ａ）はプレートに粗面が施された場合の接触角を示す図であり、図９（ｂ）はプレートに粗面が施されていない場合の接触角を示す図である。

【図10】図１０はプレートの粗面の有無およびフラックスの粘度ごとのギャップ高が２０μｍにおいて形成されたフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。

【図11】図１１はプレートの粗面の有無およびフラックスの粘度ごとのギャップ高が４０μｍにおいて形成されたフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。

【図12】図１２はフラックスの粘度が１０Ｐａ・ｓの場合のフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。

【図13】図１３はフラックスの粘度が３３Ｐａ・ｓの場合のフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。

【図14】図１４はレーザ変位計を用いた膜厚測定について説明する図である。

【図15】図１５は図１４に示す問題点が実施形態では解決されることを説明する図である。

【図16】図１６は第一変形例におけるディッピング機構の要部を示す上面図である。

【図17】図１７（ａ）は図１６に示す破線Ａ内の上面図であり、図１７（ｂ）は図１６に示すＢ－Ｂ線における断面図である。

【図18】図１８（ａ）は図１６に示す破線Ａ内に相当する箇所における上面図であり、図１８（ｂ）は図１６に示すＢ－Ｂ線に相当する箇所における断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。

【0011】

ダイボンディング装置としてのフリップチップボンダについて説明する。なお、実施形態におけるフリップチップボンダは、例えばチップ面積を超える広い領域に再配線層を形成するパッケージであるファンアウト型パネルレベルパッケージ（Fan Out Panel Level Package：ＦＯＰＬＰ）等の製造に用いられる。

【0012】

（フリップチップボンダの構成）
図１は実施形態におけるフリップチップボンダの概略構成を示す斜視図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッドおよびトランスファヘッドの動作を説明する図である。図３は図１において矢印Ｂ方向から見たときに、中間ステージおよびボンドヘッドの動作を説明する図である。図４は図１に示すダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。

【0013】

図１に示すように、フリップチップボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２と、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、各部の動作を監視し制御する制御装置７と、を備える。フリップチップボンダ１０は、ダイＤの表面（バンプ面）を下にして基板に載置するフェースダウンボンディングを行う。

【0014】

（ダイ供給部）
ダイ供給部１は、ワークの一例である基板Ｐに実装するダイＤを供給する。図４に示すように、ダイ供給部１は、分割されたウエハ１１を保持するウエハ保持台１２と、ウエハ１１からダイＤを突き上げる突上げユニット１３と、を備える。ウエハ保持台１２は、図１に示す駆動機構としてのウエハ保持台テーブル１９によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。ウエハリング１４が収納されたウエハカセット（不図示）はフリップチップボンダ１０の外部から供給される。ウエハリング１４は、ウエハ１１が固定され、ウエハ保持台１２に取り付け可能な治具である。

【0015】

図４に示すように、ウエハ保持台１２は、ウエハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウエハリング１４に保持され複数のダイＤが粘着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、ダイＤを上方に突き上げるための突上げユニット１３と、を有する。所定のダイＤをピックアップするために、突上げユニット１３は、図示しない駆動機構によって上下方向に移動するよう構成されている。

【0016】

ダイシングテープ１６上ではダイＤの表面は上を向いており、フェースダウンボンディングを行うダイＤの表面には、図４に示すように、例えばバンプＤｂが設けられている。なお、バンプＤｂは例えば凸形状でダイＤの表面に離散して複数設けられる。

【0017】

（ピックアップ部）
ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップして反転するピックアップフリップヘッド２１と、ウエハ認識カメラ２４と、トランスファヘッド２５と、トランスファヘッド２５を昇降およびＸ軸方向に沿って移動させる駆動部２７と、を備える。

【0018】

ピックアップフリップヘッド２１は、図示しない駆動部により、昇降、回転及びＸ軸方向に沿って移動する。ピックアップフリップヘッド２１はＹ軸方向に沿う回転軸を中心にＸＺ面内を回転してピックアップしたダイＤを反転する。図２に示すように、ピックアップフリップヘッド２１はダイＤを先端に吸着保持するコレット２２を有し、トランスファヘッド２５はダイＤを先端に吸着保持するコレット２６を有する。ウエハ認識カメラ２４はピックアップされるダイＤの真上に設けられる。このような構成によって、ピックアップフリップヘッド２１は、ウエハ認識カメラ２４の撮像データに基づいてダイＤをピックアップし、ピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転することによりダイＤを反転させて裏面を上に向け、ダイＤをトランスファヘッド２５に渡す姿勢にする。

【0019】

トランスファヘッド２５は、反転したダイＤをピックアップフリップヘッド２１から受けとり、駆動部２７により、Ｘ軸方向に沿って移動して中間ステージ部３に載置するよう構成されている。

【0020】

（中間ステージ部）
中間ステージ部３は、ダイＤが一時的に載置される第一中間ステージ３１＿１、第二中間ステージ３１＿２と、アンダビジョンカメラ３４と、を備える。第一中間ステージ３１＿１および第二中間ステージ３１＿２は図示しない駆動部によりＹ軸方向に沿って移動可能である。また、第二中間ステージ３１＿２は後述するディッピング機構を備えている。

【0021】

図３に示すように、第一中間ステージ３１＿１および第二中間ステージ３１＿２は、Ｙ軸方向において、第一位置Ｐ１、第二位置Ｐ２および第三位置Ｐ３を移動可能である。ここで、第一位置Ｐ１はトランスファヘッド２５とのダイＤの受け渡し位置である。第二位置Ｐ２は第二中間ステージ３１＿２における後述するフラックス成膜位置である。第三位置Ｐ３はボンドヘッド４１とのダイＤの受け渡し位置である。アンダビジョンカメラ３４はボンドヘッド４１によって保持されているダイＤの下面を撮像する。ここで、ダイＤの下面は、バンプＤｂが設けられたダイＤの表面側である。

【0022】

（ボンディング部）
ボンディング部４はボンドヘッド４１と、ボンドヘッドテーブル４５と、ガントリテーブル（Ｙビーム）４３と、ガントリテーブル４３をＸ軸方向に沿って移動させる一対のＸビーム（不図示）と、ボンドカメラ４４と、を備える。図３に示すように、ボンドヘッド４１はダイＤを先端に吸着保持するコレット４２を有する。ボンドヘッド４１は、第一中間ステージ３１＿１または第二中間ステージ３１＿２からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板Ｐ上にボンディングする。ダイＤが基板Ｐにボンディングされる際、基板ＰはボンドステージＢＳに吸着固定されている。ボンドヘッドテーブル４５はボンドヘッド４１をＺ軸方向に沿って移動させる。ガントリテーブル４３はボンドステージＢＳ上を跨るようにＹ軸方向に沿って伸びてその両端がそれぞれＸ軸方向に沿って移動自在に一対のＸビームに支持されている。ガントリテーブル４３はボンドヘッドテーブル４５をＹ軸方向に沿って移動させる。ボンドカメラ４４はボンドヘッドテーブル４５に設けられている。ボンドカメラ４４は基板Ｐの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する。

【0023】

このような構成によって、ボンドヘッド４１は、第一中間ステージ３１＿１または第二中間ステージ３１＿２からダイＤをピックアップし、アンダビジョンカメラ３４およびボンドカメラ４４でボンドヘッド４１がダイＤを保持している状態およびダイＤをボンディングする位置を撮像する。この撮像データに基づいてボンディング位置決め補正位置を算出し、ボンドヘッド４１を移動して基板ＰにダイＤをボンディングする。

【0024】

図示しないが、フリップチップボンダ１０は、基板ＰをＸ軸方向に沿って移動させる一組の平行に設けられた搬送レールと、フリップチップボンダ１０の外部から搬入される基板Ｐを搬送レーンに供給する基板供給部と、ダイＤが載置された基板Ｐをフリップチップボンダ１０の外部に搬出する基板搬出部と、を備える。このような構成によって、基板供給部から基板Ｐを供給し、搬送レールに沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部まで移動して、基板搬出部に基板Ｐを渡す。基板ＰにダイＤをボンディング中に、基板供給部は新たな基板Ｐを供給し、搬送レール上で待機する。

【0025】

制御装置７は、フリップチップボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）やデータを格納する記憶装置（メモリ）と、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。

【0026】

（ディッピング機構）
第二中間ステージ３１＿２に設けられるディッピング機構の構成と動作について図５および図６を用いて説明する。図５は第二中間ステージのディッピング機構を第二中間ステージの移動方向に対して垂直な方向から見た側面図である。図６は図５に示すＣ－Ｃ線における断面図である。

【0027】

ダイＤのバンプＤｂにフラックスを塗布するディッピングは、ダイＤのバンプＤｂをフラックスが収納されている凹状の空洞に浸漬して行う。これをフラックス転写という。また、塗布によって失われる空洞のフラックスを補充する。これをフラックス成膜という。これらのフラックス転写およびフラックス成膜を行う機構をディッピング機構またはディッピング装置という。

【0028】

図５に示すように、ディッピング機構８は、スキージ装置８１と、凹部で形成されたフラックスＦの収容部８２ｄが組み込まれているプレート８２ｐと、を備える。プレート８２ｐはスキージ装置８１の下をＹ軸方向に沿って移動することが可能である。プレート８２ｐが移動することにより収容部８２ｄにはスキージ装置８１からフラックスＦが供給されて均質に成膜される。収容部８２ｄに供給されるフラックスＦは、フラックス単体だけではなく、柔軟性があってフラックスと親和性のある物質、例えば、シリコーンを主原料とする非常にやわらかいゲル状素材にフラックスを混在させたものであってもよい。

【0029】

スキージ装置８１は、フラックスＦが均一に充填され、底部に設けられた開放口から収容部８２ｄにフラックスＦを均一に補充する。スキージ装置８１の底部の開放口は、収容部８２ｄのＸ軸方向の幅以上の長辺を有する。スキージ装置８１のその下方にＹ軸方向に沿って延伸するガイドスライダ８１ｓを備える。

【0030】

プレート８２ｐに設けられた収容部８２ｄは、凹状の形状を有する。トランスファヘッド２５またはボンドヘッド４１は、収容部８２ｄに降下し、ダイＤのバンプＤｂを浸漬させてフラックスを転写する。図５では、収容部８２ｄは、一箇所しか設けられていないが、複数個設けてもよい。収容部８２ｄの深さは、バンプＤｂの厚さ（ｔｂ）のおよそ１／２から２／３の深さを有する。例えば、ｔｂ＝３０μｍならば、収容部８２ｄの深さはおよそ１５μｍから２０μｍとなる。

【0031】

プレート８２ｐは下方にプレート８２ｋを備え、プレート８２ｋは上面にＹ軸方向に沿って延伸するガイドレール８２ｇを備える。ガイドレール８２ｇはガイドスライダ８１ｓの下を移動可能であり、プレート８２ｐはスキージ装置８１の下をＹ軸方向に沿って移動することが可能である。例えば、スキージ装置８１をスキージロック８３で固定し、プレート８２ｐを移動することにより、収容部８２ｄにフラックスを成膜することができる。

【0032】

トランスファヘッド２５またはボンドヘッド４１によりバンプＤｂが設けられたダイＤが収容部８２ｄ内に浸漬されると、すべてのバンプＤｂにはんだ付け用フラックスＦが均一に塗布される。その後、ボンドヘッド４１によりバンプＤｂにフラックスが転写されたダイＤが収容部８２ｄからピックアップまたは引き上げられる。

【0033】

第二中間ステージ３１＿２によるフラックス成膜動作について以下説明する。まず、第二中間ステージ３１＿２はフラックス成膜位置に移動し、図示しない駆動部によりスキージロック８３が下降してスキージ装置８１を固定する。

【0034】

次に、第二中間ステージ３１＿２はＹ軸方向に沿って図の左から右に移動する。これにより、スキージ装置８１に設けられたガイドスライダ８１ｓの下をプレート８２ｋに設けられたガイドレール８２ｇがＹ軸方向に沿って移動し、スキージ装置８１がプレート８２ｐに対して相対的にＹ軸方向に沿ってプレート８２ｐの右端から左端に移動する。その結果、スキージ装置８１内のフラックスＦはプレート８２ｐの収容部８２ｄ内に供給される。次に、第二中間ステージ３１＿２はＹ軸方向に沿って図の右から左に移動させて、スキージ装置８１がプレート８２ｐに対して相対的にＹ軸方向に沿ってプレート８２ｐの左端から右端に移動する。その結果、スキージ装置８１内のフラックスＦはプレート８２ｐの収容部８２ｄ内に供給される。この第二中間ステージ３１＿２の往復動作により、プレート８２ｐの収容部８２ｄ内にフラックスが成膜される。

【0035】

最後に、スキージロック８３が上昇してスキージ装置８１の固定が解除される。

【0036】

次に、フリップチップボンダ１０を用いた半導体装置の製造方法について図１、図２、図４、図５および図７を用いて説明する。図７は図１に示すフリップチップボンダで実施されるフェースダウンボンディング方法を示すフローチャートである。

【0037】

フリップチップボンダ１０においては、複数のフェースダウンボンディング方法の実施が可能である。第一のフェースダウンボンディング方法は、フラックス転写ステージとしての第二中間ステージ３１＿２が使用され、トランスファヘッド２５によりフラックスにダイを浸漬してフラックス転写が行われる。第二のフェースダウンボンディング方法は、第一中間ステージ３１＿１とフラックス転写ステージとしての第二中間ステージ３１＿２とが使用され、ボンドヘッド４１によりフラックスにダイを浸漬してフラックス転写が行われる。第三のフェースダウンボンディング方法は、第二フェースダウンボンディング方法において、フラックス転写の前後においてダイが撮像され、転写ずれが確認される。下記の半導体装置の製造方法においては、第一のフェースダウンボンディング方法を用いた例を説明する。

【0038】

実施形態における半導体装置の製造方法のダイボンディング工程では、まず、図４に示すウエハ１１を分割したダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウエハリング１４をフリップチップボンダ１０に搬入する。制御装置７は、ウエハ１１を保持しているウエハリング１４をダイ供給部１のウエハ保持台１２に載置する。また、基板Ｐを準備し、フリップチップボンダ１０に搬入する。

【0039】

（ステップＳ１：ウエハダイ認識）
制御装置７は、ウエハ保持台テーブル１９によりウエハ保持台１２をダイＤのピックアップが行われる基準位置まで移動する。次いで、制御装置７は、ウエハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤを撮像し、撮像して取得した画像から、ウエハ１１の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整（アライメント）を行う。すなわち、制御装置７はウエハ保持台テーブル１９によりピックアップするダイＤが突上げユニット１３の真上に位置するように図４に示すウエハ保持台１２を移動し、剥離対象ダイを突上げユニット１３とコレット２２に位置決めする。

【0040】

（ステップＳ２：ウエハダイピックアップ）
図２に示すように、制御装置７はダイシングテープ１６の裏面に突上げユニット１３の上面が接触するように突上げユニット１３を上方に移動する。このとき、制御装置７は、ダイシングテープ１６を突上げユニット１３の上面に吸着する。制御装置７は、コレット２２を真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、ダイＤを吸着する。制御装置７はコレット２２を上昇させ、ダイＤをダイシングテープ１６から剥離する。これにより、ダイＤはピックアップフリップヘッド２１によりピックアップされる。

【0041】

（ステップＳ３：ピックアップフリップヘッド移動）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１をピックアップ位置から反転位置に移動する。

【0042】

（ステップＳ４：ピックアップフリップヘッド反転）
図２に示すように、制御装置７はピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転させ、ダイＤのバンプＤｂが形成されている面（表面）を反転させて下方に向け、ダイＤをトランスファヘッド２５に渡す姿勢にする。

【0043】

（ステップＳ５：トランスファヘッド受渡し）
図２に示すように、制御装置７はコレット２６を真空引きしながら下降させ、ピックアップフリップヘッド２１が保持しているダイＤの上に着地させ、ダイＤを吸着する。ピックアップフリップヘッド２１のコレット２２による吸着を解除すると共に、トランスファヘッド２５のコレット２６を上昇させてダイＤをピックアップする。これにより、ダイＤのトランスファヘッド２５への受渡しが行われる。

【0044】

（ステップＳ６：ピックアップフリップヘッド反転）
図２に示すように、制御装置７は、ピックアップフリップヘッド２１を回転し、コレット２２の吸着面を下方に向ける。

【0045】

（ステップＳ７ｂ：トランスファヘッド移動）
図１に示すように、ステップＳ６の前または並行して、制御装置７は駆動部２７によりトランスファヘッド２５をＸ軸方向に沿ってピックアップフリップヘッド２１とのダイＤの受渡し位置である第零位置Ｐ０から第二中間ステージ３１＿２の上方に移動する。ここで、第二中間ステージ３１＿２は、Ｙ軸方向において、第一位置Ｐ１に位置する。

【0046】

（ステップＳ８ｂ：第二中間ステージダイ載置およびフラックス転写）
図１に示すように、制御装置７はトランスファヘッド２５を下降させてトランスファヘッド２５に保持しているダイＤを第二中間ステージ３１＿２に設けられている収容部８２ｄに載置する。これにより、ダイＤのバンプＤｂが収容部８２ｄに成膜されているフラックスＦに浸漬されて、フラックスが転写される。

【0047】

（ステップＳ９ｂ：トランスファヘッド移動）
図１に示すように、制御装置７はトランスファヘッド２５を上昇させてトランスファヘッド２５をＸ軸方向に沿って第零位置Ｐ０に移動する。この状態で、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１を第三位置Ｐ３に移動する。第二中間ステージ３１＿２は第三位置Ｐ３で待機している。

【0048】

（ステップＳ１０ｂ：第二中間ステージ位置移動）
図１に示すように、ステップＳ９ｂの後または並行して、制御装置７は第二中間ステージ３１＿２をＹ軸方向に沿って第一位置Ｐ１から第三位置Ｐ３に移動する。このとき、ダイＤは収容部８２ｄのフラックスに浸漬されている。

【0049】

（ステップＳ１１ｂ：第二中間ステージダイ位置認識）
図１および図３に示すように、ステップＳ１０ｂの後、制御装置７は、ボンドヘッド４１を第三位置Ｐ３に移動する前に、第二中間ステージ３１＿２に載置されているダイＤをボンドカメラ４４により撮像してダイＤの位置を認識する。制御装置７は、認識結果に基づいてボンドヘッド４１によりダイＤの位置を補正する場合もある。

【0050】

（ステップＳ１２ｂ：ボンドヘッド受渡し）
図１に示すように、制御装置７はボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を下降させてボンドヘッド４１のコレットによりバンプＤｂにフラックスＦが転写されたダイＤを吸着する。そして、制御装置７はボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を上昇させてダイＤを第二中間ステージ３１＿２からピックアップする。これにより、ダイＤの受渡しが行われる。この状態で、制御装置７はトランスファヘッド２５によりピックアップフリップヘッド２１からダイＤをピックアップする。

【0051】

（ステップＳ２４ｂ：第二中間ステージ位置移動）
図１に示すように、ステップＳ１４ｂの後または並行して、制御装置７は第二中間ステージ３１＿２をＹ軸方向に沿って第三位置Ｐ３から第二位置Ｐ２に移動する。ここで、第二中間ステージ３１＿２は第二位置Ｐ２に位置するが、第三位置Ｐ３と第一位置Ｐ１との間または移動しないで、第三位置Ｐ３に位置してもよい。

【0052】

（ステップＳ２５ｂ：フラックス成膜）
図１および図５に示すように、制御装置７はスキージロック８３を下降してスキージ装置８１を固定すると共に、第二中間ステージ３１＿２（プレート８２ｐ）をＹ軸方向に沿って第二位置Ｐ２からさらに第一位置Ｐ１とは反対側に移動させる。これにより、プレート８２ｐの収容部８２ｄにスキージ装置８１からフラックスＦが供給され、フラックスが成膜される。そして、制御装置７は、レーザ変位計等の膜厚測定装置９１により成膜したフラックスの膜厚を測定する。この状態で、制御装置７は、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１を第三位置Ｐ３から基板Ｐの上方に移動する。また、駆動部２７によりトランスファヘッド２５を第一位置Ｐ１に移動する。

【0053】

（ステップＳ１３ｂ：第二中間ステージ位置移動）
図１に示すように、制御装置７は第二中間ステージ３１＿２をＹ軸方向に沿って第二位置Ｐ２から第一位置Ｐ１に移動させる。

【0054】

（ステップＳ１４ｂ：ボンドヘッド移動）
図１に示すように、ステップＳ２４ｂと並行して、制御装置７はボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を上降させて、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤを第二中間ステージ３１＿２上からアンダビジョンカメラ３４上に移動する。

【0055】

（ステップＳ１５：ピックアップダイ位置認識）
図１に示すように、制御装置７は、ボンドヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤをアンダビジョンカメラ３４により撮像してダイＤの位置を認識する。

【0056】

（ステップＳ１６：ボンドヘッド移動）
図１に示すように、制御装置７は、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤをアンダビジョンカメラ３４の上方から基板Ｐの上方に移動する。この状態では、第二中間ステージ３１＿２はフラックス成膜動作をしている（ステップＳ２５ｂ）。また、トランスファヘッド２５は、ピックアップフリップヘッド２１からの次のダイＤをピックアップして第一位置Ｐ１へ移動する。第一中間ステージ３１＿１は第三位置Ｐ３で待機している。

【0057】

（ステップＳ１７：ボンド）
図１に示すように、制御装置７は、ボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を下降させて、ボンドヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤを基板Ｐの上にボンドする。この状態では、第二中間ステージ３１＿２はフラックス成膜済みである。また、トランスファヘッド２５は、次のダイＤを保持して第一位置Ｐ１において待機している。第一中間ステージ３１＿１は第三位置Ｐ３で待機している。

【0058】

（ステップＳ１８：ボンドヘッド移動）
制御装置７は、ボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を上降させた後、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１（ボンドカメラ４４）を基板Ｐの上方の外観検査位置に移動する。

【0059】

（ステップＳ１９：ボンド外観検査）
制御装置７はボンドカメラ４４により基板Ｐの上にボンディングされたダイＤを撮像して外観を検査する。

【0060】

（ステップＳ２０ｂ：ボンドヘッド移動）
図１に示すように、制御装置７はボンドヘッドテーブル４５によりボンドヘッド４１を上降させて、Ｘビームおよびガントリテーブル４３によりボンドヘッド４１を基板Ｐの上方の外観検査位置から第三位置Ｐ３に位置する第二中間ステージ３１＿２の上に移動する。この状態では、第二中間ステージ３１＿２はフラックス成膜済みである。また、トランスファヘッド２５は、次のダイＤをピックアップするため第一位置Ｐ１から第零位置Ｐ０に移動している。

【0061】

また、基板ＰへのすべてのダイＤのボンディングが終了した場合、ステップＳ１９の後に、制御装置７は基板搬出部で搬送レールからダイＤがボンディングされた基板Ｐを取り出す。フリップチップボンダ１０から基板Ｐを搬出する。

【0062】

その後、基板Ｐの上に配置された複数のダイ（半導体チップ）を封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成する。その後、封止体から基板Ｐを剥離し、次いで封止体の基板Ｐが貼り付けられていた面上に再配線層を形成してＦＯＰＬＰを製造する。

【0063】

本実施形態における第一のフェースダウンボンディング方法では、図１に示すように、トランスファヘッド２５によってダイＤが第二中間ステージ３１＿２の収容部８２ｄ内のフラックスに浸漬する。ここで、第二中間ステージ３１＿２は、Ｙ軸方向において、トランスファヘッド２５とのダイＤの受け渡し位置である第一位置Ｐ１およびボンドヘッド４１とのダイＤの受け渡し位置である第三位置Ｐ３を移動可能である。また、第二位置Ｐ２において、第二中間ステージ３１＿２は、フラックス成膜を行う。なお、フラックス成膜位置は第二位置Ｐ２以外の位置であってもよく、例えば、第一位置Ｐ１または第三位置Ｐ３であってもよい。

【0064】

本実施形態における第一のフェースダウンボンディング方法では、フラックス転写機能を備え第二中間ステージ３１＿２にトランスファヘッド２５により直接ダイＤを載置する。これにより、フラックス転写をトランスファヘッド２５からボンドヘッド４１にダイＤを引き渡す動作の一連のピックアップ動作中に行うことができる。

【0065】

続いて、本実施形態におけるディッピング機構８のプレート８２ｐについて図８を用いて説明する。図８は図５に示すディッピング機構の要部を示す上面図である。

【0066】

転写プレートとしてのプレート８２ｐに設けられた収容部８２ｄの底の上面（表面）は、少なくとも、バンプＤｂが浸漬する箇所（成膜面）に表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））がナノレベルの安定的な粗面ＲＳが施されている。ナノレベルとは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満である。Ｒａは１００～１０００ｎｍが好ましい。例えば、ＮＡＰ処理（登録商標）を施して、収容部８２ｄの表面にＲａが３００～５００ｎｍの凹凸を形成するようにしてもよい。ここで、プレート８２ｐの部材は、例えば、ＳＵＳ（ステンレス）である。

【0067】

続いて、プレート８２ｐの収容部８２ｄの表面（プレート８２ｐの成膜面）に施された粗面のフラックスに対する濡れ性について図９を用いて説明する。図９（ａ）はプレートに粗面が施された場合の接触角を示す図であり、図９（ｂ）はプレートに粗面が施されていない場合の接触角を示す図である。

【0068】

図９（ａ）に示すように、プレート８２ｐの成膜面に粗面ＲＳを形成する場合、粗面ＲＳによる表面張力の減少（毛細管現象）により接触角（θＢ）が９０度より小さくなり表面のフラックスに対する濡れ性が改善する。なお、図９（ｂ）に示すように、プレート８２ｐの成膜面に粗面を形成しない場合は、接触角（θＡ）が９０度より大きくなる。なお、ナノレベルの粗面はマイクロレベル以上の粗面に比べて粗さが小さいため、フラックスの薄膜に対する凹凸の影響を小さくできる。マイクロレベル以上とは、１μｍ以上をいう。

【0069】

プレート８２ｐの成膜面に形成されたフラックスの膜厚ばらつきについて図１０および図１１を用いて説明する。図１０はプレートの粗面の有無およびフラックスの粘度ごとのギャップ高が２０μｍにおいて形成されたフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。図１１はプレートの粗面の有無およびフラックスの粘度ごとのギャップ高が４０μｍにおいて形成されたフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。ここで、ギャップ高はスキージの高さともいい、収容部８２ｄの表面からスキージ装置８１の底面までの高さである。

【0070】

図１０の（ａ１）および図１１の（ａ１）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面がなく、フラックスの粘度が１０Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ａ２）および図１１の（ａ２）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面があり、フラックスの粘度が１０Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ａ１）および図１０の（ａ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は１３μｍ±２μｍである。図１１の（ａ１）および図１０の（ａ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は２５μｍ±５μｍである。

【0071】

図１０の（ｂ１）および図１１の（ｂ１）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面がなく、フラックスの粘度が２５Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ｂ２）および図１１の（ｂ２）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面があり、フラックスの粘度が２５Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ｂ１）および図１０の（ｂ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は１２μｍ±２μｍである。図１１の（ｂ１）および図１０の（ｂ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は２６μｍ±５μｍである。

【0072】

図１０の（ｃ１）および図の１１（ｃ１）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面がなく、フラックスの粘度が３３Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ｃ２）および図１１の（ｃ２）は、プレート８２ｓの成膜面に粗面があり、フラックスの粘度が３３Ｐａ・ｓである場合である。図１０の（ｃ１）および図１０の（ｃ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は１５μｍ±２μｍである。図１１の（ｃ１）および図１０の（ｃ２）における狙い膜厚範囲（ＴＦＴＲ）は２７μｍ±５μｍである。

【0073】

図１０および図１１に示すように、何れのフラックスの粘度およびギャップ高においても、プレート８２ｐの成膜面に粗面がない場合は、狙い膜厚範囲（設定値）より実測値が小さくなる。また、設定値に対してばらつきも大きい。プレート８２ｐの成膜面に粗面がある場合は、実測値が狙い膜厚範囲内にほぼ収まっている。また、膜厚ばらつきは、粗面がない場合よりも減少している。

【0074】

成膜面の外周内側面によりフラックスが表面張力で引っ張られたり、またスキージに引っ張られたりして、その結果として成膜面中央付近では設定値より小さくなる傾向が生じていると推定される。これに対して、成膜面を粗面化すると、表面張力等に対抗する表面抵抗が粗面表面とフラックスの界面で生まれ、フラックスが流動できないので膜厚が薄くなる傾向が弱まると推定される。

【0075】

狙い膜厚範囲を５μｍ±２０％とする場合の膜厚ばらつきについて図１２および図１３を用いて説明する。図１２はフラックスの粘度が１０Ｐａ・ｓの場合のフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。図１３はフラックスの粘度が３３Ｐａ・ｓの場合のフラックスの膜厚ばらつきを示す図である。

【0076】

図１２に示すように、ａ１における膜厚は４．１μｍ、ａ２における膜厚は４．５μｍ、ａ３における膜厚は４．３μｍである。また、ｂ１における膜厚は４．５μｍ、ｂ２における膜厚は４．９μｍ、ｂ３における膜厚は５．１μｍである。ｃ１における膜厚は４．８μｍ、ｃ２における膜厚は５．０μｍ、ｃ３における膜厚は４．９μｍである。九箇所（ａ１，ａ２，ａ３，ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｃ１，ｃ２，ｃ３）の膜厚は４．１～５．１μｍであり、５μｍ±２０％以内に収まっている。

【0077】

図１３に示すように、ａ１における膜厚は４．１μｍ、ａ２における膜厚は４．６μｍ、ａ３における膜厚は４．２μｍである。また、ｂ１における膜厚は４．８μｍ、ｂ２における膜厚は５．１μｍ、ｂ３における膜厚は５．３μｍである。ｃ１における膜厚は５．１μｍ、ｃ２における膜厚は５．４μｍ、ｃ３における膜厚は５．０μｍである。九箇所（ａ１，ａ２，ａ３，ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｃ１，ｃ２，ｃ３）の膜厚は４．１～５．４μｍであり、５μｍ±２０％以内に収まっている。

【0078】

フラックスの成膜ごとに膜厚測定装置９１を用いてフラックスの膜厚を測定する。フラックスの膜厚測定について図１４および図１５を用いて説明する。図１４はレーザ変位計を用いた膜厚測定について説明する図である。図１５は図１４に示す問題点が実施形態では解決されることを説明する図である。

【0079】

図１４に示すように、膜厚測定装置９１の一例であるレーザ変位計は、例えば、レーザ光の入射光（ＩＬ）を被測定物としての膜ＯＦＭに照射し、その反射光をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等のセンサにより測定し、反射光の受光量（ＡＬＲ）のピーク間の距離（ｈ）に基づいて膜ＯＦＭの厚さを測定する。

【0080】

図１４の左側に示すように、形成される膜が不透明である場合、膜が形成される前の物体表面で入射光（ＩＬ）が反射する反射光（ＲＬ）と、形成された不透明な膜ＯＦＭの表面で入射光（ＩＬ）が反射する表面反射光（ＳＲＬ）と、により膜ＯＦＭの膜厚（ｈ）が計測される。

【0081】

しかし、図１４の右側に示すように、形成される膜が透明である場合、形成された透明な膜ＴＦＭの底面で入射光（ＩＬ）が反射し屈折した光である屈折反射光（ＲＲＬ）を受光するので、表面反射光（ＳＲＬ）と屈折反射光（ＲＲＬ）との分離が難しい。そのため、屈折反射光（ＲＲＬ）に基づく膜厚（ｈ’）を計測する誤計測が生ずる。

【0082】

ＳＵＳ（ステンレス）等の金属の表面では入射光は正反射される（反射しやすい）。一方、図１５に示すように、金属の表面に粗面処理を行うと粗面では入射光は拡散反射される（反射しにくい）。これにより、屈折反射光（ＲＲＬ）の受光量は、透明な膜ＴＦＭの表面で反射する表面反射光（ＳＲＬ）の受光量に比べて小さくなり、表面反射光（ＳＲＬ）と屈折反射光（ＲＲＬ）との分離が容易になる。

【0083】

実施形態によれば、濡れ性が低い低粘性フラックスの凝集を防止し、薄膜（５μｍ以下）でもより均一な膜厚を形成することができる。これにより、バンプ径がφ１０～３０μｍのバンプにフラックスを転写することができる。

【0084】

また、ＳＵＳ等のフラックスに対して親油性の小さい材質で薄膜用転写用プレートを作成することができる。また、転写プレート上の古いフラックスの除去がマイクロレベル以上の荒い粗面に比べて容易となる。また、スキージ機構により薄いフラックス膜を安定的に広げることができる。また、膜厚測定が容易になる。また、狭バンプピッチの半導体製品を安定的に製造することができる。

【0085】

＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

【0086】

（第一変形例）
第一変形例におけるディッピング機構８のプレート８２ｐについて図１６および図１７を用いて説明する。図１６は第一変形例におけるディッピング機構の要部を示す上面図である。図１７（ａ）は図１６に示す破線Ａ内の上面図であり、図１７（ｂ）は図１６に示すＢ－Ｂ線における断面図である。

【0087】

図１６に示すように、転写プレートとしてのプレート８２ｐに設けられた収容部８２ｄの底面は、少なくとも、バンプＤｂが浸漬する箇所に表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））がナノレベルの安定的な粗面ＲＳが施されている。例えば、図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、粗面ＲＳは、ディッピング機構８のスキージ動作においてプレート８２ｐが移動する方向（Ｙ軸方向）に沿った方向にナノレベルの連続した溝を例えばシェーパー方式により形成する。粗面ＲＳはフラックスの広がる方向に沿った成分の方向を有する連続した溝であるのがより好ましい。すなわち、図１６に示すように、粗面ＲＳは、スキージ装置８１から遠い側に位置する収容部８２ｄの二つの角部において、Ｙ軸方向の成分の他にＸ軸方向の成分を含む方向に沿った連続した溝が形成される。スキージ装置８１から近い側に位置する収容部８２ｄの二つの角部はＹ軸方向にのみ沿った連続した溝が形成されてもよいし、Ｙ軸方向の成分の他にＸ軸方向の成分を含む方向に沿った連続した溝が形成されてもよい。収容部８２ｄの底面の表面に形成される溝は、例えばＲａが３００～５００ｎｍである。ここで、プレート８２ｐの部材は、例えば、ＳＵＳである。

【0088】

第一変形例によれば、スキージ動作と平行な１方向の溝により表面張力を減少（毛細管現象）させ、さらにスキージ動作による溝内の液の移動性も高まる。これにより、スキージ動作によるフラックスの伸展を改善し薄膜形成をより安定的に行うことができる。また、継続的に転写プレート（ディッピングプレート）にフラックスの塗布を行う場合、スキージ動作により、溝内の先に塗布した劣化したフラックスも含めて効率的に排出させることが可能となり、劣化したフラックス起因の異物等による製品不良を低減できる。

【0089】

（第二変形例）
第二変形例におけるディッピング機構８のプレート８２ｐについて図１８を用いて説明する。図１８（ａ）は図１６に示す破線Ａ内に相当する箇所における上面図であり、図１８（ｂ）は図１６に示すＢ－Ｂ線に相当する箇所における断面図である。

【0090】

粗面ＲＳは、ディッピング機構８のスキージ動作においてプレート８２ｐが移動する方向（Ｙ軸方向）に沿った方向にナノレベルの連続した研磨溝を形成してもよい。収容部８２ｄの底面の表面に形成される溝は、例えばＲａが３００～５００ｎｍである。ここで、プレート８２ｐの部材は、例えば、ＳＵＳである。

【0091】

以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

【0092】

例えば、実施形態では、スキージ装置８１を固定してプレート８２ｐを移動してフラックスを成膜する例を説明した。しかし、スキージ装置８１がプレート８２ｐに対して相対的移動すればよく、プレート８２ｐを固定してスキージ装置８１を移動してフラックスを成膜するようにしてもよい。

【0093】

また、変形例では、スキージ動作と平行な１方向の溝を設ける例を説明した。しかし、溝が延伸する方向はスキージ動作と平行な方向の成分を有すればよく、例えば、スキージ動作方向と９０度以外の角度、好ましくは４５度以下、より好ましくは０度に近い角度に沿う方向に延伸させてもよく、また、ジグザグ状に延伸させてもよい。

【0094】

また、転写プレートを円形状にし、スキージを回転させるようにしてもよい。この場合は、転写プレートに同心渦状の溝を形成してフラックスの薄膜を形成する。スキージを固定して転写プレートを回転させてもよい。

【0095】

また、スキージ高さを可変にしてもよい。これにより、フラックスの薄膜形成時は、測定された膜厚をもとにスキージの高さの調整を行うことができ、つねに適切な膜厚で処理を行うことが可能となる。劣化したフラックスの排出時は、スキージ高さを狭くする。これにより、転写プレートのナノレベルの粗面（溝を含む）内のフラックスに対する排出性をより大きくすることができる。

【0096】

また、転写プレートの取り外しを簡易的に行うことができるようにしてもよい。これにより、転写プレートの洗浄が容易になる。なお、転写プレートを取り外し洗浄する場合も、ナノレベルの粗面は孔の深さが浅いため洗浄性が高くなる。

【0097】

また、転写プレートを洗浄する場合、スキージからフラックスの溶剤である洗浄用アルコールを吐出しながらスキージを動作させてもよい。これにより、深さの浅いナノレベルの粗面に物理的に洗浄液を行き渡らせることができる、洗浄効率を向上させることができる。

【0098】

また、フラックスの薄膜形成時に超音波（振動）を付加するようにしてもよい。ただし、転写時には付加しない。スキージ動作により、部分的に厚く塗布されている部分をなだらかにでき、転写プレート表面の自由エネルギーが向上して濡れ性が向上する。

【0099】

また、転写プレートの構造上、フラックスが広がり難い位置にフラックスを導くような方向にナノレベルの連続溝を配置してもよい。これにより全体的に濡れ性を改善しつつ、フラックスが広がり難い位置にもフラックスを導き成膜を行うことができる。

【0100】

また、実施形態では、ＦＯＰＬＰの製造に用いるフリップチップボンダの例に説明したが、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ（Fan Out Wafer Level Package：ＦＯＷＬＰ）にも適用できる。

【符号の説明】

【0101】

８・・・ディッピング機構（ディッピング装置）
８１・・・スキージ装置
８２ｐ・・・プレート
ＲＳ・・・粗面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】