特開 2023-47282 フォトレジストのストリッピング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023047282

(43)【公開日】2023-04-05

(54)【発明の名称】フォトレジストのストリッピング方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/42 20060101AFI20230329BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20230329BHJP

【ＦＩ】

G03F7/42

H01L21/30 572B

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022110601

(22)【出願日】2022-07-08

(31)【優先権主張番号】110135660

(32)【優先日】2021-09-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】311005208

【氏名又は名称】▲き▼邦科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110003214

【氏名又は名称】弁理士法人服部国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】葉 學舜

【テーマコード（参考）】

2H196

5F146

【Ｆターム（参考）】

2H196AA26

2H196AA28

2H196HA28

2H196LA01

2H196LA02

5F146MA07

(57)【要約】

【課題】フォトレジストのストリッピング方法を提供する。
【解決手段】基板に位置しているフォトレジスト層をパターン化し、基板を露出させる開口部を形成し、第一部及び第二部を有している薄膜を形成する。第一部はフォトレジスト層の上面に位置し、第二部は基板の表面に位置し、第一部にテープを貼着し、テープ及び第一部を除去し、フォトレジスト層の上面を露出させ、フォトレジスト層の上面及び側面にフォトレジスト剥離剤を接触させ、フォトレジスト層をストリッピングする。これによりフォトレジスト剥離剤及びフォトレジスト層の接触面積を増加させ、フォトレジスト層を効果的に除去する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の表面にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をパターン化して開口部を形成し、前記開口部から前記基板の前記表面を露出させる工程と、
第一部及び第二部を有している薄膜を形成し、前記第一部は前記フォトレジスト層の上面に形成し、前記第二部は前記基板の前記表面に形成し、前記開口部から前記第二部を露出させる工程と、
前記第一部にテープを貼着し、前記第一部と前記テープとの結合力を前記第一部と前記フォトレジスト層との結合力よりも強くする工程と、
前記テープ及び前記第一部を除去し、前記フォトレジスト層の前記上面を露出させる工程と、
前記フォトレジスト層の前記上面及び側面にフォトレジスト剥離剤を接触させ、前記フォトレジスト層をストリッピングする工程と、を含むことを特徴とするフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項2】

前記薄膜は金属薄膜であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項3】

前記金属薄膜の材質は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン合金（ＴｉＷ）或いは金錫合金（ＡｕＳｎ）であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項4】

前記薄膜は光学薄膜であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項5】

前記光学薄膜の材質は酸化ケイ素（ＳｉＯ_X）または窒化ケイ素（ＳｉＮ_X）であることを特徴とする請求項４に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項6】

前記薄膜はスパッタリングまたは蒸着方式で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項7】

前記フォトレジスト層はポジ型フォトレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項8】

前記フォトレジスト層はネガ型フォトレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項9】

前記開口部の断面は上部が狭く下部が広いことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【請求項10】

前記薄膜の前記第二部は前記フォトレジスト層に未接触であることを特徴とする請求項９に記載のフォトレジストのストリッピング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フォトレジストのストリッピング方法（Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）に関し、より詳しくは、フォトレジスト剥離剤の接触時間を短縮するフォトレジストのストリッピング方法に関する。

【背景技術】

【0002】

リフトオフパターニング（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）プロセスにおいては、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジストを現像してめっきの沈着位置を定義し、薄膜にスパッタリングまたは蒸着を行った後にフォトレジストを除去し、パターンを完成する。リフトオフパターニングプロセスは非エッチング工程であり、プロセスの工程が減少し、且つエッチングによりパターンを形成できない薄膜を製造するために使用でき、例えば光学フィルター膜層または他の光学薄膜を製造する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、前述した従来の技術では、スパッタリングや蒸着は高温環境で実行するが、フォトレジストは長時間高温に曝されると完全に除去し難くなり、フォトレジストの残留物が後続のプロセスに影響し易い。フォトレジストを完全に除去する場合、フォトレジストと剥離液との接触時間を延長する必要がある。

【0004】

そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に至った。

【0005】

本発明は、上述に鑑みてなされたものであり、その目的は、フォトレジストのストリッピング方法を提供することにある。換言すれば、フォトレジスト剥離剤を接触させる前に、テープを使用してフォトレジスト層に位置している薄膜を除去し、フォトレジスト剥離剤をフォトレジスト層の上面及び側面に完全に接触させることで、フォトレジスト剥離剤が接触する時間を短縮させる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、基板の表面にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層をパターン化して開口部を形成し、前記開口部から前記基板の前記表面を露出させる工程と、第一部及び第二部を有している薄膜を形成し、前記第一部は前記フォトレジスト層の上面に形成し、前記第二部は前記基板の前記表面に形成し、前記開口部から前記第二部を露出させる工程と、前記第一部にテープを貼着し、前記第一部と前記テープとの結合力を前記第一部と前記フォトレジスト層との結合力よりも強くする工程と、前記テープ及び前記第一部を除去し、前記フォトレジスト層の前記上面を露出させる工程と、前記フォトレジスト層の前記上面及び側面にフォトレジスト剥離剤を接触させ、前記フォトレジスト層をストリッピングする工程と、を含むことを特徴とするフォトレジストのストリッピング方法である。

【発明の効果】

【0007】

本発明は、上述に説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【図2】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【図3】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【図4】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【図5】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【図6】本発明の一実施例に係るフォトレジストのストリッピング方法を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の実施形態によるフォトレジストのストリッピング方法を図面に基づき説明する。

【0010】

本発明に係るフォトレジストのストリッピング方法について図１から図６に基づいて説明する。

【0011】

まず、図１に示すように、基板１００の表面１１０にフォトレジスト層２００を形成する。基板１００の材質はガラス、セラミック、サファイア、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非結晶シリコンまたは高分子でもよく、フォトレジスト層２００はポジ型フォトレジスト層またはネガ型フォトレジスト層である。

【0012】

次は、図２に示すように、フォトレジスト層２００を形成した後、フォトリソグラフィプロセス（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）によりフォトレジスト層２００をパターン化し、フォトレジスト層２００に少なくとも１つの開口部２１０を形成し、開口部２１０から基板１００の表面１１０を露出させる。好ましくは、開口部２１０の断面は上部が狭く下部が広くなっており、即ち、開口部２１０がフォトレジスト層２００の上面２２０から基板１００の表面１１０にかけて徐々に広くなっている。

【0013】

続いて、図３に示すように、フォトレジスト層２００のパターン化プロセスが完了した後、基板１００及びフォトレジスト層２００に薄膜３００を形成する。薄膜３００は第一部３１０及び第二部３２０を含み、第一部３１０はフォトレジスト層２００の上面２２０に形成し、第二部３２０は基板１００の表面１１０に形成し、且つ開口部２１０から第二部３２０を露出させている。好ましくは、薄膜３００はスパッタリングまたは蒸着方式で基板１００及びフォトレジスト層２００に沈着させ、開口部２１０の断面が上部が狭く下部が広い台形を呈しているため、開口部２１０の上方の開口部の幅に制限され、基板１００に沈着した第二部３２０がフォトレジスト層２００に接触しなくなる。

【0014】

一実施例では、薄膜３００は金属薄膜であり、金属薄膜の材質は金属または合金である。好ましくは、金属薄膜の材質は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケル（Ｎｉ）等の金属、或いはチタンタングステン合金（ＴｉＷ）及び金錫合金（ＡｕＳｎ）等の合金である。他の実施例では、薄膜３００は金属を含まない光学薄膜（光学フィルター膜）であり、好ましくは、光学薄膜の材質は酸化ケイ素（ＳｉＯ_X）または窒化ケイ素（ＳｉＮ_X）である。

【0015】

続いて、図４に示すように、薄膜３００を形成した後、第一部３１０にテープ４００を貼着する。テープ４００は第一部３１０に平坦に貼着し、テープ４００はウェハーを研磨する際に使用する研磨テープであり、ＩＣの保護テープまたは他のテープを保護するために用いられている。続いて、図５に示すように、テープ４００を除去する。第一部３１０とテープ４００との結合力が第一部３１０とフォトレジスト層２００との結合力より強いため、テープ４００を除去する際に、第一部３１０がテープ４００と共に除去され、フォトレジスト層２００の上面２２０が露出される。

【0016】

次は、図６に示すように、テープ４００及び第一部３１０を除去した後、基板１００をフォトレジスト剥離剤（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）中に浸漬し、フォトレジスト剥離剤をフォトレジスト層２００の上面２２０及び側面２３０に接触させることで、フォトレジスト層２００を基板１００から剥離する。また、開口部２１０に形成した第二部３２０がフォトレジスト層２００に接触しないため、フォトレジスト層２００を基板１００から剥離する際に、第二部３２０が引っ張られて基板１００から脱離することがなくなる。

【0017】

好ましくは、フォトレジスト剥離剤は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ、ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）またはジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ、ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）を含むフォトレジスト剥離液であるか、アセトン（ａｃｅｔｏｎｅ）、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ、Ｎ－ｍｅｔｈｙｌ－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ）、イソプロパノール（ＩＰＡ、ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ）等の有機溶剤である。

【0018】

本発明のフォトレジストのストリッピング方法はフォトレジスト剥離剤に接触する前に、テープ４００を使用してフォトレジスト層２００に位置している第一部３１０を除去し、フォトレジスト層２００の上面２２０を露出させている。これにより、フォトレジスト層２００の上面２２０及び側面２３０が共にフォトレジスト剥離剤に接触し、フォトレジスト層２００とフォトレジスト剥離剤との接触面積が増加している。本発明のフォトレジストのストリッピング方法はフォトレジスト層２００とフォトレジスト剥離剤との接触時間を効果的に短縮し、且つ薄膜３００が金属薄膜である場合、テープ４００により事前に薄膜３００の第一部３１０を除去し、金属を完全に回収する。

【0019】

以上、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

【符号の説明】

【0020】

１００ 基板
１１０ 表面
２００ フォトレジスト層
２１０ 開口部
２２０ 上面
２３０ 側面
３００ 薄膜
３１０ 第一部
３２０ 第二部
４００ テープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】