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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023050491
(43)【公開日】2023-04-11
(54)【発明の名称】ミスト装置、及びこれを備えた水回り機器
(51)【国際特許分類】
B05B 17/06 20060101AFI20230404BHJP
A61H 33/10 20060101ALI20230404BHJP
A47K 4/00 20060101ALI20230404BHJP
A47K 3/28 20060101ALI20230404BHJP
【ＦＩ】
B05B17/06
A61H33/10 A
A47K4/00
A47K3/28
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021160613
(22)【出願日】2021-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000010087
【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100144451
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 博子
(74)【代理人】
【識別番号】100159846
【弁理士】
【氏名又は名称】藤木 尚
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 啓太
(72)【発明者】
【氏名】大江 俊春
(72)【発明者】
【氏名】原島 立成
(72)【発明者】
【氏名】川瀬 元太
(72)【発明者】
【氏名】碇 洋平
(72)【発明者】
【氏名】牧 愛子
【テーマコード（参考）】
2D132
4C094
4D074
【Ｆターム（参考）】
2D132FC01
2D132FD01
2D132FK03
2D132GA11
4C094DD09
4C094EE03
4C094EE17
4C094EE33
4D074AA02
4D074BB03
4D074DD03
4D074DD11
4D074DD22
4D074DD32
4D074DD62
(57)【要約】
【課題】滞留空間内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制できるミスト装置を提供する。
【解決手段】本発明のミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部１０と、を備え、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留されるように構成され、ミスト生成部８は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備える。
【選択図】図１０
【解決手段】本発明のミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部１０と、を備え、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留されるように構成され、ミスト生成部８は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備える。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
水回り機器に用いられるミスト装置であって、
貯水された水からミストを生成するミスト生成部と、
上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成され、
上記ミスト生成部は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部を備える、ミスト装置。
貯水された水からミストを生成するミスト生成部と、
上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成され、
上記ミスト生成部は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部を備える、ミスト装置。
【請求項2】
上記ミスト生成部は、水を貯める貯水部と、
貯水部内の水に超音波を発振して、ミストを生じさせる超音波振動子と、を備え、
上記ミスト生成部は、さらに、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記貯水部内の水の温度低下を抑制するヒータを備える、請求項１に記載のミスト装置。
貯水部内の水に超音波を発振して、ミストを生じさせる超音波振動子と、を備え、
上記ミスト生成部は、さらに、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記貯水部内の水の温度低下を抑制するヒータを備える、請求項１に記載のミスト装置。
【請求項3】
上記ミスト生成部は、上記貯水部において上記超音波振動子が配置されるミスト生成側部と、上記貯水部内に水を給水する給水路が接続される給水側部との間に設けられる壁部であって、上記壁部は、上記ミスト生成側部と上記給水側部との間で水を連通させるように構成されると共に、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記給水側部に供給された水による波立ちが上記ミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている、上記壁部と、を備える、請求項２に記載のミスト装置。
【請求項4】
上記ミスト生成部の上記壁部は、上記ミスト生成側部における給水規定水位までの水の容積が、上記給水側部における給水規定水位までの水の容積よりも大きくなるような位置に設けられる、請求項３に記載のミスト装置。
【請求項5】
上記ミスト生成部の上記ヒータは、少なくとも上記ミスト生成側部に設けられている、請求項３又は４に記載のミスト装置。
【請求項6】
上記ミスト生成部の上記ヒータは、上記ミスト生成側部から上記給水側部まで延びている、請求項５に記載のミスト装置。
【請求項7】
上記超音波振動子は複数設けられ、上記ヒータは、複数の上記超音波振動子の配列の方向に延びている、請求項５又は６に記載のミスト装置。
【請求項8】
上記ミスト生成部は、貯水部において超音波振動子が配置されるミスト生成側部と、上記貯水部内に水を給水する給水装置が配置される給水側部との間に設けられる壁部であって、上記壁部は、上記ミスト生成側部と上記給水側部との間で水を連通させるように構成されると共に、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記給水側部に供給された水による波立ちが上記ミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている、上記壁部と、を備える、請求項１に記載のミスト装置。
【請求項9】
水回り機器であって、
請求項１乃至８の何れか１項に記載のミスト装置と、
上記ミスト装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部と、を備える水回り機器。
請求項１乃至８の何れか１項に記載のミスト装置と、
上記ミスト装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部と、を備える水回り機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミスト装置に係り、特に、水回り機器に用いられるミスト装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、特許文献１に示すように、サウナ浴をするための浴槽サウナ装置が知られており、このような浴槽サウナ装置は、ミストを用いたサウナ空間を形成するために浴槽本体の上部に設けられる浴槽蓋を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８－０１８１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に示すような浴槽サウナ装置においては、サウナ空間を形成するために浴槽蓋が必要であることから、使用者の位置が拘束されてしまい快適性が損なわれると共に、使用者の利便性に欠けるという問題があった。
【0005】
これに対し、本発明の発明者らは、浴槽蓋を省略して上方が開放された浴槽本体内にミストを滞留させることを鋭意研究をおこなった。
【0006】
しかしながら、浴槽本体内にミストを滞留させることができたとしても、浴槽本体に供給されるミストの供給量が低下してきてしまうことにより、浴槽本体内にミストを滞留させた状態を維持できなくなるという問題が新たに生じた。
【0007】
そこで、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、滞留空間内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制できるミスト装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態は、水回り機器に用いられるミスト装置であって、貯水された水からミストを生成するミスト生成部と、上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成され、上記ミスト生成部は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部を備えることを特徴としている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部を備える。これにより、滞留空間内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制でき、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部を備える。これにより、滞留空間内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制でき、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0009】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部は、水を貯める貯水部と、貯水部内の水に超音波を発振して、ミストを生じさせる超音波振動子と、を備え、上記ミスト生成部は、さらに、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記貯水部内の水の温度低下を抑制するヒータを備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部は、上記ミスト供給流量低下抑制部として、上記貯水部内の水の温度低下を抑制するヒータを備える。これにより、貯水部内の水の温度低下を抑制でき、貯水部内の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下を抑制し、ミストの供給量の低下を抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。なお、仮に貯水部内の水の温度が低下する場合には、超音波振動子の同じ出力に対して、貯水部内の水からのミストの生成量が低下され、滞留空間に供給されるミストの量が減少され、ミストが滞留空間内に滞留された状態が維持しにくくなる。本実施形態の構成によればこのような状態を抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部は、上記ミスト供給流量低下抑制部として、上記貯水部内の水の温度低下を抑制するヒータを備える。これにより、貯水部内の水の温度低下を抑制でき、貯水部内の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下を抑制し、ミストの供給量の低下を抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。なお、仮に貯水部内の水の温度が低下する場合には、超音波振動子の同じ出力に対して、貯水部内の水からのミストの生成量が低下され、滞留空間に供給されるミストの量が減少され、ミストが滞留空間内に滞留された状態が維持しにくくなる。本実施形態の構成によればこのような状態を抑制できる。
【0010】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部は、上記貯水部において上記超音波振動子が配置されるミスト生成側部と、上記貯水部内に水を給水する給水路が接続される給水側部との間に設けられる壁部であって、上記壁部は、上記ミスト生成側部と上記給水側部との間で水を連通させるように構成されると共に、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記給水側部に供給された水による波立ちが上記ミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている、上記壁部と、を備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記壁部は、上記給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水面が乱れて、ミスト生成側部の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。また、壁部により波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくすると共に、壁部により給水側部に供給された水の温度がミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水の温度低下を抑制でき、貯水部内の水からのミストの生成量が低下することをより抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記壁部は、上記給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水面が乱れて、ミスト生成側部の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。また、壁部により波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくすると共に、壁部により給水側部に供給された水の温度がミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水の温度低下を抑制でき、貯水部内の水からのミストの生成量が低下することをより抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0011】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部の上記壁部は、上記ミスト生成側部における給水規定水位までの水の容積が、上記給水側部における給水規定水位までの水の容積よりも大きくなるような位置に設けられる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成側部における給水規定水位までの水の容積が、上記給水側部における給水規定水位までの水の容積よりも大きくなっている。これにより、ミスト生成側部においてミストの生成に伴ってミスト生成側部側の水が冷却されることによるミスト生成側部の水の温度低下の影響を受けにくくできる。また、仮に給水時に給水側部に比較的低い温度の水が供給される場合であっても、ミスト生成側部側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部の水が温度低下の影響を受けにくくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成側部における給水規定水位までの水の容積が、上記給水側部における給水規定水位までの水の容積よりも大きくなっている。これにより、ミスト生成側部においてミストの生成に伴ってミスト生成側部側の水が冷却されることによるミスト生成側部の水の温度低下の影響を受けにくくできる。また、仮に給水時に給水側部に比較的低い温度の水が供給される場合であっても、ミスト生成側部側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部の水が温度低下の影響を受けにくくできる。
【0012】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部の上記ヒータは、少なくとも上記ミスト生成側部に設けられている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部の上記ヒータは、少なくとも上記ミスト生成側部に設けられている。これにより、ミスト生成側部においてミストの生成に伴ってミスト生成側部側の水が冷却されることによりミスト生成側部の水の温度が低下することを抑制しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部の上記ヒータは、少なくとも上記ミスト生成側部に設けられている。これにより、ミスト生成側部においてミストの生成に伴ってミスト生成側部側の水が冷却されることによりミスト生成側部の水の温度が低下することを抑制しやすくできる。
【0013】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部の上記ヒータは、上記ミスト生成側部から上記給水側部まで延びている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部の上記ヒータは、上記ミスト生成側部から上記給水側部まで延びている。これにより、給水時に給水側部に供給された水が給水側部からヒータにより加熱されることができる。よって、給水時に給水側部に供給された水により、ミスト生成側部側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部の水が温度低下の影響を受けにくくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部の上記ヒータは、上記ミスト生成側部から上記給水側部まで延びている。これにより、給水時に給水側部に供給された水が給水側部からヒータにより加熱されることができる。よって、給水時に給水側部に供給された水により、ミスト生成側部側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部の水が温度低下の影響を受けにくくできる。
【0014】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記超音波振動子は複数設けられ、上記ヒータは、複数の上記超音波振動子の配列の方向に延びている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記超音波振動子は複数設けられ、上記ヒータは、複数の上記超音波振動子の配列の方向に延びている。これにより、ミスト生成側部内の複数の超音波振動子の周囲の水の温度のむらを低減できる。よって、ミスト生成側部内の水を全体的に昇温させ、ミストの生成効率を上昇できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記超音波振動子は複数設けられ、上記ヒータは、複数の上記超音波振動子の配列の方向に延びている。これにより、ミスト生成側部内の複数の超音波振動子の周囲の水の温度のむらを低減できる。よって、ミスト生成側部内の水を全体的に昇温させ、ミストの生成効率を上昇できる。
【0015】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部は、上記貯水部において上記超音波振動子が配置されるミスト生成側部と、上記貯水部内に水を給水する給水装置が配置される給水側部との間に設けられる壁部であって、上記壁部は、上記ミスト生成側部と給水側部との間で水を連通させるように構成されると共に、上記ミスト供給流量低下抑制部として機能し、上記給水側部に供給された水による波立ちが上記ミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている、上記壁部と、を備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記壁部は、上記給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水面が乱れることにより、ミスト生成側部の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記壁部は、上記給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成側部に伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部に供給された水による波立ちがミスト生成部側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部の水面が乱れることにより、ミスト生成側部の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0016】
本発明の一実施形態は、水回り機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、上記ミスト装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【0017】
本発明のミスト装置によれば、滞留空間内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略斜視図である。
【図2】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略構成図である。
【図3】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
【図4】本発明の第１実施形態によるミスト装置の内部構成を示す概略構成図である。
【図5】本発明の第１実施形態によるミスト装置の内部構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部及び給水路等を示す斜視図である。
【図11】本発明の第１実施形態によるミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図12】本発明の第１実施形態によるミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図13】本発明の第１実施形態によるミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図14】本発明の第１実施形態によるミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図15】本発明の第１実施形態によるミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図16】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図17】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図18】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図19】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図20】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図21】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図22】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部の動作を説明する図である。
【図23】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおいて浴槽本体内の水温と浴室の室温との温度差と、ミストの供給流量とに関して、滞留空間内に滞留状態を形成するか否かを示す図である。
【図24】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおいて浴槽本体内の水温と浴室の室温との温度差と、ミストの供給流量とに関して、滞留空間内に滞留状態を形成するか否かを示す図である。
【図25】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおけるミストの雰囲気温度の測定方法、水温の測定方法及び浴室内の室温の測定方法を説明する図である。
【図26】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおけるミストの流量の計測装置及び計測方法を説明する図である。
【図27】本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおけるミストの粒径の計測装置の斜視図である。
【図28】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の上面図である。
【図29】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径を、粒子径分布測定装置により測定した粒子径分布データの一例を示す図である。
【図30】本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト供給部から供給されるミストが浴槽本体内において滞留しているかの判定に用いる透過率の測定装置を示す図である。
【図31】本発明の第２実施形態によるミスト装置を備えた洗い場床装置の斜視図である。
【図32】本発明の第３実施形態によるミスト装置を備えたシャワールーム装置の斜視図である。
【図33】本発明の第４実施形態によるミスト装置を備えた洗面装置の斜視図である。
【図34】本発明の第５実施形態によるミスト装置を備えたキッチンシンク装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下では、本明細書に開示する本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明から、当業者にとって、本発明の多くの改良や他の実施の形態が明らかである。従って、以下の説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更することができる。
【0020】
以下、添付図面を参照して本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えた水受け機器であるミストシステムについて説明する。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略構成図であり、図３は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト装置１を備えた水回り機器であるミストシステム２は、浴室３に設けられる。ミストシステム２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器として機能する。また、ミストシステム２は、水を使う場所の機器として使用されるいわゆる水回り機器である。水回り機器（水受け機器）は、浴室、浴室の洗い場床、シャワールーム、トイレ、手洗い機器、洗面台、キッチン等で吐水された水を受ける水受け部分を有している機器である。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムの概略構成図であり、図３は本発明の第１実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト装置１を備えた水回り機器であるミストシステム２は、浴室３に設けられる。ミストシステム２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器として機能する。また、ミストシステム２は、水を使う場所の機器として使用されるいわゆる水回り機器である。水回り機器（水受け機器）は、浴室、浴室の洗い場床、シャワールーム、トイレ、手洗い機器、洗面台、キッチン等で吐水された水を受ける水受け部分を有している機器である。
【0021】
ミスト装置１は、水受け機器の浴槽本体、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンク等に用いられるミスト装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含まれる。ミストシステム２は、ミスト装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。ミストシステム２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。ミストシステム２は、後述するように、浴槽本体６内に、室温よりも加温された温水層Ｘ（図２参照）と、温水層の上方の滞留空間４内において加温されているミストにより形成されたミストの滞留層Ｃと、が形成されるように構成されている。浴室３は、浴槽本体６のみが配置される部屋に限られず、トイレ、手洗い機器、洗面台、又はこれらの組合せを備えていてもよい。
【0022】
浴槽本体６は、ミストシステム２の浴槽本体６が配置される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する。浴槽本体６は、浴槽であり、内側の滞留空間４内に水が貯水できるようになっている。浴槽本体６は、上面視で長方形に形成され、長方形の長辺側に長辺側部分６ｄが形成され、短辺側に短辺側部分６ｅが形成されている。短辺側部分６ｅは、長辺側部分６ｄに比べて浴槽の幅が短くなっている。浴槽本体６のミスト供給部１０と対向する短辺側側壁６ｆ（図３参照）は、上方が外側に傾斜するように形成されている。浴槽本体６は、例えば２００Ｌ～５００Ｌの範囲内の容積を有している。例えば、浴槽本体６は、３００Ｌの容積であり、浴槽本体６の温水層Ｘの容積は、１３０Ｌであり、滞留空間４の容積は１７０Ｌ（水が貯水されていない場合は例えば３００Ｌ）である。
【0023】
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図３に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され（温水層Ｘが形成され）、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図３においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような凹凸形状とされてもよい。ミストシステム２は、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成されている。
【0024】
供給装置７は、浴槽本体６や洗い場側の水栓装置等に水を供給する供給装置である。供給装置７は、例えば給湯機であり、水道等の供給源から供給され加温されていない水や、加熱された水(いわゆる湯)を供給することができる。供給装置７は、浴槽本体６に形成された給水口６ｇと接続され、給水口６ｇから浴槽本体６内に水を供給できるように構成されている。供給装置７は、給水路１４を介してミスト装置１とも接続され、水をミスト装置１にも供給できる。なお、ミスト装置１は、供給装置７を介さずに、水道等の給水源と直接に接続されていてもよい。また、ミスト装置１には、供給装置７と給水源の両方が接続されていてもよい。供給装置７には、水道等の給水源から水が供給される。供給装置７は、給水制御部２５と電気的に接続されている。本実施形態の供給装置７は、浴槽本体６内の水を取水口である給水口６ｇから取込んだ上で内部でこの水を加熱して浴槽本体６内に戻す追い焚き装置としての機能を有している。追い焚き装置は、浴槽本体６内にすでに貯水されている水を再加熱する。なお、供給装置７は、追い焚き装置としての機能を有していなくともよい。なお、供給装置７は、給水口６ｇから浴槽本体６内に水を供給しているが、変形例として、供給装置７は、浴槽本体６に設けられた浴槽本体への給水用の水栓装置と接続され、この水栓装置から浴槽本体６内に水を供給してもよい。なお、浴槽本体６への給水用の水栓装置は、供給装置７を介さずに、給水源と直接接続されていてもよい。また、水栓装置には、供給装置７と給水源の両方が接続されていてもよい。
【0025】
次に、図１乃至図５により、上述した本発明の第１実施形態によるミスト装置をより詳細に説明する。
ミストシステム２は、ミスト装置１を備える。図３に示すように、ミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０と、浴室３内の室温を調整するように温風や冷風を送出可能な浴室空調機８０と（図１参照）、使用者の操作入力を受け付けるミスト装置操作部２８と、ミスト生成部８におけるミストの生成やミスト供給部１０によるミストの供給を制御するミスト装置制御部２６と、を備えている。ミスト装置１は、横長の箱型のケーシング９（図４参照）内にミスト生成部８が設けられ、ミスト生成部８と接続されたミスト供給部１０がケーシング９の正面側から下方に延びるように形成されている。
ミストシステム２は、ミスト装置１を備える。図３に示すように、ミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０と、浴室３内の室温を調整するように温風や冷風を送出可能な浴室空調機８０と（図１参照）、使用者の操作入力を受け付けるミスト装置操作部２８と、ミスト生成部８におけるミストの生成やミスト供給部１０によるミストの供給を制御するミスト装置制御部２６と、を備えている。ミスト装置１は、横長の箱型のケーシング９（図４参照）内にミスト生成部８が設けられ、ミスト生成部８と接続されたミスト供給部１０がケーシング９の正面側から下方に延びるように形成されている。
【0026】
ミスト生成部８は、加熱された水から加温されたミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで加温されたミストを生成する。よって、ミスト生成部８は、浴室内の室温よりも加温されているミストを生成する。ミスト生成部８は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅの上方において壁Ｗに取付けられている。よって、加温されているミストにはミスト生成後に加温されたものも含まれる。
【0027】
図５に示すように、ミスト生成部８は、内部に水を貯める貯水部１２と、水を給水源から貯水部１２に給水する給水路１４と、水を貯水部１２から排水管に排水する排水路１６と、貯水部１２の内側の底部に設けられた超音波振動子１８と、貯水部１２の内側の底部に設けられたヒータ２０と、貯水部１２の内側に設けられた水温検知手段である水温計測器２２と、貯水部１２の外側に設けられた気温検知手段である室内温度計測器２４（図３参照）と、貯水部１２内の水の水位の上昇により、フロートが軸部上を給水規定水位まで上昇したときに給水停止信号を発信するフロートスイッチ２９と、貯水部１２内の水の水位が給水規定水位Ｑ１を超えてさらに上昇し、水が上端開口部の高さ位置を上回ってオーバーフローした際には、水が上端開口部から排水管側に排水されるようになっているオーバーフロー管３１と、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０と、を備えている。
【0028】
貯水部１２は、直方体形状のミスト生成部８の内部の貯水空間として形成されている。貯水部１２の上部に給水路１４が接続され、貯水部１２の下部に排水路１６が接続されている。貯水部１２の中央近傍の側壁にミスト供給部１０が接続されている。給水路１４には、給水路１４を開閉する給水路電磁弁３０が設けられている。給水路１４は、供給装置７に接続されている。給水路電磁弁３０は、給水部としてミスト生成部８内の水の温度よりも低い温度の水をミスト生成部８に供給する機能を有する。なお、供給装置７は、ミスト生成部８内の水の温度（例えば約６０℃）よりも低い温度（例えば約３８℃）の水をミスト生成部８に供給するようになっている。排水路１６には、排水路１６を開閉する排水路電磁弁３２が設けられている。また、排水路１６には、貯水部１２から水を排水させるための排水ポンプ３３が設けられている。また、オーバーフロー管３１は、貯水部１２内の給水側部１２ａに設けられている。オーバーフロー管３１の上端は、給水規定水位Ｑ１よりわずかに上方に位置し、貯水部１２内の水が溢れ出ないように構成されている。貯水部１２の下部には、故障等による漏水を排出する排出弁４１が設けられている。
【0029】
超音波振動子１８は、貯水部１２内の水に超音波を発振して、液面の水を振動させ、液面に生じた水柱から水を微粒子状に分離させ、所定の粒径のミスト（霧）を生じさせることができる。超音波振動子１８は、ミスト装置制御部２６と電気的に接続され、超音波振動子１８の超音波の発振出力、周波数等を調整することにより、発生させるミストの粒径を変更できるようになっている。超音波振動子１８は、所定の発振出力によりザウタ―平均粒径が３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるミストを生じさせるようになっている。超音波振動子１８は、所定の粒径のミストを生じさせる他の装置、例えばスチームによるミスト装置、圧力噴霧によるミスト装置、アーク放電によるミスト装置等に変更されてもよい。また、本実施形態においては、超音波振動子１８は、貯水部１２内に複数並んで設けられている。超音波振動子１８は、ミスト装置１のケーシング内において超音波振動子１８を駆動させる発振器１９（図４参照）と接続されている。
【0030】
水温計測器２２は、貯水部１２内の水の水温を検知する。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２と電気的に接続され、ミスト装置制御部２６が貯水部１２内の水の水温を認識できる。水温計測器２２は、例えばサーミスタである。室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５の貯水部１２の外側の空気の温度を検知する。ミスト装置制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、ミスト装置制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、ミスト装置制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
【0031】
フロートスイッチ２９は、水位と連動して上下動できるフロートを有している。フロートスイッチ２９は、水位がフロート上端の給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知できる。また、フロートスイッチ２９は、水位がフロート下端の下端水位に到達したことも検知できる。このような給水規定水位の検知と、下端水位の検知は別々のフロートにより行われていてもよい。フロートスイッチ２９は、ミスト装置制御部２６と電気的に接続されている。
【0032】
ミスト供給部１０は、ミスト生成部８により生成されたミストを、浴槽本体６が配置される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１０は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅの上方に配置されている。ミスト供給部１０は浴槽本体６内の水の溢れ部より上方に配置される。ミスト供給部１０は、図３に示す流路の断面により示されるように、ミスト生成部８から滞留空間４の一端の上部まで横向きに延びるミスト供給流路１１と、ミスト供給流路１１の下流端と接続され下方向きに開口する出口であるミスト供給口部１３を備える。ミスト供給流路１１は、正面から（滞留空間４側から）見て、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給口部１３は、ミスト供給流路１１の下流端から下方向に延びている。ミスト供給口部１３は、下方側に延びるダクト状の流路を形成している。ミスト供給口部１３は、下方向きに開口する開口部を形成している。ミスト供給口部１３は、その開口部の正面から見た場合（ミスト供給口部１１３の下方から上方を見た場合）、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給口部１３の下端１３ａは、浴槽本体６内の水の溢れ部６ｃより上方に配置される。よって、浴槽本体６内の水が汚水の流れとしてミスト供給口部１３から上流側に侵入することを抑制できる。変形例として溢れ部６ｃは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口でもよい。
【0033】
ミスト供給部１０は、例えば、０．０３ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌ～１．５ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌの範囲の単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。ミスト供給部１０は、例えば、浴槽本体６の体積３３０Ｌの滞留空間４に１１ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。また、例えば、ミスト供給部１０は、他の水受け機器等の体積４．３２Ｌの滞留空間４に６ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。
【0034】
ミストシステム２のミスト装置１は、滞留空間４内に滞留状態を形成するミストを滞留空間４内に供給する。ミスト装置１は、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６内から上方に向かう上昇気流の力を利用しながら、滞留状態と近い密度状態を有するミストの立上雲状体（例えば図３０に示すような浴槽本体６の上縁である溢れ面６ｂを超えてさらに上昇する所定の密度のミストの集合体）を上記浴槽本体の溢れ部より上方まで立ち上がるように形成した後、供給されたミストがミストの滞留層Ｃを上記浴槽本体６の滞留空間４内に形成するように構成される。滞留層Ｃは完全な層である必要は無く、ミストの雲状体が層を形成するように一定の高さに存在していればよい。ミスト装置１は、ミストの立上雲状体を形成する程度まで上昇しつつも、滞留状態に戻れるミストを供給している。なお、ミスト装置１は、ミストの立上雲状体を形成せずにミストの滞留層Ｃを形成してもよい。
【0035】
浴室空調機８０は、浴槽本体６の設けられた空間内の温度よりも高い温度の温風、空間内の温度よりも高い温度の冷風、空間内の温度とほぼ同じ温度の送風を送出可能である。浴室空調機８０は、浴室の天井に設けられている。ミストシステム２は、浴室空調機８０を制御して浴室内の温度を調整でき、浴槽本体６内に貯留される水の温度とミストの供給開始前の浴槽本体６が使用される浴室内の温度との温度差により浴槽本体６内から上方に向かう上昇気流の強さを制御できるように構成されている。なお、ミスト装置１は、浴室内の温度が適切な温度であるような場合には、浴室空調機８０を作動させないことにより、上昇気流を調整していてもよい。すなわち、ミストシステム２は、必ずしも浴室空調機８０を備えなくてもよい。
【0036】
給水制御部２５は、浴槽本体６や洗い場側の水栓装置への水の供給を制御する。給水制御部２５は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいて水の給水、後述する所定のモード等を実行するように接続された機器を制御する。給水制御部２５は、供給装置７、操作部２７、ミスト装置制御部２６、浴室空調機８０等と電気的に接続されている。これらの電気的な接続は、無線通信等により行われてもよい。給水制御部２５とミスト装置制御部２６、及び／又は操作部２７等との電気的な接続は、無線通信等により行われてもよい。例えば、給水制御部２５とミスト装置制御部２６、及び／又は操作部２７等とは、無線通信により制御されてもよい。
【0037】
給水制御部２５は、ミスト装置１の動作とは独立して、浴槽本体６に水を供給するように動作できる。なお、給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６と連携することにより、ミスト装置１の動作と関係して動作することも可能となっている。給水制御部２５と、ミスト装置制御部２６とは、相互に通信しており一つの制御部として機能している。このように、給水制御部２５と、ミスト装置制御部２６とは、本実施形態においては別の制御部として説明されているが、一つに統合された形態の制御部であってもよく、又はさらに細分化される等の異なる形態の制御部として存在していてもよい。
【0038】
操作部２７は、浴室内の浴槽本体６の周囲の壁面に設けられている浴室操作部２７ａと、さらに浴室外の壁面に設けられている浴室外操作部２７ｂとを備えている。浴室外操作部２７ｂは例えばキッチンや廊下等に設けられている。操作部２７は、無線通信等により遠隔操作可能な操作部で構成されてもよい。例えば、操作部２７は、所定のプログラムを使用することにより使用者のスマートフォン等により構成されてもよい。
【0039】
ミスト装置操作部２８は、使用者の操作入力をミスト装置制御部２６に伝達する。ミスト装置操作部２８は、浴室内の浴槽本体６の周囲の壁面に設けられている浴室操作部２８ａと、さらに浴室外の壁面に設けられている浴室外操作部２８ｂとを備えている。浴室外操作部２８ｂは例えば浴室の手前の部屋や廊下等に設けられている。ミスト装置操作部２８は、無線通信等により遠隔操作可能な操作部で構成されてもよい。例えば、ミスト装置操作部２８は、所定のプログラムを使用することにより使用者のスマートフォン等により構成され、インターネットを介してミスト装置制御部２６と接続されてもよい。ミスト装置操作部２８は、ミストを供給する場合のミストシステム２への水の貯水操作、水の温度設定等も行うことができる。ミスト装置操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。
【0040】
ミスト装置制御部２６は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいてミストの生成、後述する所定のモード等を実行するように接続された機器を制御する。ミスト装置制御部２６は、超音波振動子１８、ヒータ２０、水温計測器２２、室内温度計測器２４、ミスト装置操作部２８、浴室空調機８０等と電気的に接続されている。ミスト装置制御部２６は、さらに、給水路１４に設けられた給水路電磁弁３０と、排水路に設けられた排水路電磁弁３２とも電気的に接続され、これらを制御できる。
【0041】
ミスト装置制御部２６は、制御部として、ミスト生成部を制御する機能を備えている。ミスト装置制御部２６は、ミスト生成部８によりミストを生成させるミスト生成モード２６ａを備えている。ミスト装置制御部２６は、ミスト生成モードを記憶装置に記憶されたプログラムにより実行できる。ミスト生成モードは、本実施形態において開示されているミスト生成部８の動作の全てを実行するものである必要は無く、動作のうち少なくともミストを生成させる動作を実行させるものであればよい。
【0042】
次に、図３乃至図１０により、上述した本発明の第１実施形態によるミスト装置のミスト生成部のミスト供給流量低下抑制部４０をより詳細に説明する。
ミスト供給流量低下抑制部４０は、ミストの生成量の低下を抑制する。後述する図２３等に示すように、ミストの生成量及びミストの供給流量が低下すれば、滞留空間４から失われるミスト量＞ミストの供給流量となって滞留が形成されない状態となる可能性がある。ミスト供給流量低下抑制部４０がミストの生成量及び供給量の低下を抑制することで、ミストが滞留空間内に滞留された状態を形成しやすくでき、さらにこの状態を維持しやすくできる。ミスト供給流量低下抑制部４０がミストの供給量の低下を抑制できるので、ミスト装置１は滞留空間４内に滞留が形成されるようなミストの供給流量を維持しやすくできる。
ミスト供給流量低下抑制部４０は、ミストの生成量の低下を抑制する。後述する図２３等に示すように、ミストの生成量及びミストの供給流量が低下すれば、滞留空間４から失われるミスト量＞ミストの供給流量となって滞留が形成されない状態となる可能性がある。ミスト供給流量低下抑制部４０がミストの生成量及び供給量の低下を抑制することで、ミストが滞留空間内に滞留された状態を形成しやすくでき、さらにこの状態を維持しやすくできる。ミスト供給流量低下抑制部４０がミストの供給量の低下を抑制できるので、ミスト装置１は滞留空間４内に滞留が形成されるようなミストの供給流量を維持しやすくできる。
【0043】
ミスト生成部８のヒータ２０は、ミスト供給流量低下抑制部４０として機能し、貯水部１２内の水の温度低下を抑制する。ミスト生成部８は、さらに、貯水部１２において超音波振動子１８が配置されるミスト生成側部１２ｂと、貯水部１２内に水を給水する給水装置が配置される給水側部１２ａと、の間に設けられる壁部４２と、を備える。
【0044】
図７に示すように、ミスト生成部８のヒータ２０は、少なくともミスト生成側部１２ｂに設けられている。ヒータ２０は、ミスト生成側部１２ｂから給水側部１２ａまで延びている。ヒータ２０は、複数の超音波振動子１８の配列の方向Ｉに延びている。超音波振動子１８の配列の方向Ｉは、複数の超音波振動子１８の並ぶ方向であり、例えば複数の超音波振動子１８の中心点を結ぶ線の延びる方向である。配列の方向Ｉは、複数の超音波振動子１８の中心点を結ぶ線が描けない場合には、複数の超音波振動子１８の中心点の近くを通る近似線の延びる向きである。
【0045】
ミスト生成部８の壁部４２は、ミスト供給流量低下抑制部４０として機能し、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達しにくくなるように形成されている。壁部４２は、ミスト生成側部１２ｂと給水側部１２ａとの間で水を連通させるように構成される。壁部４２は、板状の部材である。壁部４２は、貯水部１２の上部から貯水部１２の高さの半分より下方の位置まで延びている。壁部４２の下端４２ａは、貯水部１２の高さの半分より下方の位置に位置している。壁部４２の下端４２ａは、給水規定水位Ｑ１よりも下方に位置している。従って、壁部４２は、給水側部１２ａに供給された水による波立ちが少なくとも壁部４２の一部に当たり、ミスト生成側部１２ｂに伝達しにくくなるように形成されている。なお、壁部４２の下端４２ａは、水位変化の下端である下端水位Ｑ２（図２１参照）よりも下方に位置していることが好ましい。これにより、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成側部１２ｂにより伝達しにくくなる。ミスト生成部８は、ヒータ２０と壁部４２との少なくともいずれか一方を備えることにより、ミスト供給流量低下抑制部４０として機能できる。
【0046】
図１０に示すように、壁部４２は、高さ方向にはその上端４２ｂから下端４２ａまで、前後方向には貯水部１２の前面側壁１２ｃから後面側壁１２ｄまで延びる壁面を形成している。壁部４２は、前後方向において前面側壁１２ｃから後面側壁１２ｄまで形成されていなくてもよい。また、壁部４２は、前後方向の全ての位置において上端４２ｂから下端４２ａまで形成されていなくともよい。例えば、壁部４２の下端４２ａの一部が上方に切り欠かれるように凹形状を形成していてもよい。また、例えば、下端４２ａの一部が下方に突出するように凸形状を形成していてもよい。
【0047】
壁部４２は、上面視で、給水側部１２ａと、ミスト生成側部１２ｂとの間を仕切るように配置される。壁部４２は、ミスト生成側部１２ｂにおける給水規定水位Ｑ１までの水の容積（底部から給水規定水位Ｑ１までの貯水容積）が、給水側部１２ａにおける給水規定水位Ｑ１までの水の容積（底部から給水規定水位Ｑ１までの貯水容積）よりも大きくなるような位置に設けられる。図８及び図１０に示すように、壁部４２は、ヒータ２０の上部に配置される。上面視で、壁部４２は、ヒータ２０の上方においてヒータ２０を左右に横断するように延びている。
【0048】
次に、図３、図１１乃至図１５により、上述した本発明の第１実施形態によるミスト装置の動作を説明する。
図３に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路電磁弁３０及び排水路電磁弁３２は閉弁されている。貯水部１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒータ２０は停止された状態である。
図３に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路電磁弁３０及び排水路電磁弁３２は閉弁されている。貯水部１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒータ２０は停止された状態である。
【0049】
使用者がミスト装置操作部２８を操作しミスト装置１のミストの供給制御を開始させる。ミストの供給開始前に、室内温度計測器２４は、室内空間５の空気の温度を測定し、ミスト装置制御部２６は、室内空間５の空気の温度を認識する。ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を開弁し、水を給水路１４から貯水部１２内に供給する。排水路電磁弁３２は閉弁されたままである。貯水部１２内に予め決められた水量の水が貯溜されると、給水路電磁弁３０は閉弁される。次に、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０を作動させ、水を給水された水の水温から６０℃以上まで加熱する。ミスト装置制御部２６は、水が６０℃以上まで加熱された後、所定の温度のミストを供給するようにミストの温度を調整する。次いで、ミスト装置制御部２６は、ミスト生成モードを実行して、超音波振動子１８を作動させ、貯水部１２内にミストを生じさせる。
【0050】
図１１においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内へのミストの供給が開始された直後の状態が示される。貯水部１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、矢印Ｆ１に示すように、ミスト供給部１０から、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
【0051】
図１２においては、ミストの供給開始から約数秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留しやすくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。ミストは、ミスト供給部１０側から徐々に供給及び追加され、滞留空間４内の水面上又は底部上においてミスト供給部１０側から反対側の短辺に向けて徐々に進む。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留しやすくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。ミストは、ミスト供給部１０側から徐々に供給及び追加され、滞留空間４内の水面上又は底部上においてミスト供給部１０側から反対側の短辺に向けて徐々に進む。
【0052】
【0053】
図１４に示すように、ミストが浴槽本体６の反対側の短辺まで到達した図１３の状態からさらにミストが供給され滞留空間４内にミストが充填される。ミストがミスト供給部と反対側の短辺側部分６ｅに到達したときミストが一時的にこの短辺側部分６ｅ側において立ち上るように溢れ部６ｃより上方まで上昇する。従って、仮に使用者の顔がこの短辺側部分６ｅ側に近い位置にある場合、ミストの領域を使用者の顔の近傍領域に立ち昇らせることができる。一方で、ミストの一部が一時的に溢れ面６ｂより上方まで上昇したとしても、ミストの主流が浴槽本体６から拡散しつつ立ち上り続けてしまうような流れは形成されず、一定程度上昇したとしても滞留空間４内に向けて下降する流れを形成し、ミストの主流は、滞留空間４内（主に溢れ面６ｂより下方の領域内）において滞留しており、滞留空間４内において滞留層Ｃを形成している。この間も、ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。
【0054】
図１５に示すように、ミストがさらに供給されると、増加されたミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになる。ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストは水Ｂに落下して吸収されることにより消失する、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着されることにより消失する、又は浴槽本体６の上端部６aの縁を超えて拡散する。消失するまでの時間はミストの粒径によって異なる。このようにミストは消失又は拡散されるものの、消失や拡散するまでに新しいミストが供給されることにより、滞留空間４内にミストの滞留層を形成できる。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留空間４の頂部までミストが満たされているように滞留層Ｃが視認される。滞留層Ｃは、滞留空間４から放散して室内空間全体に広がるミストとは区別される。
【0055】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０（図３参照））に、上記浴槽本体６の深さＬ１に相当する高さを加えた高さ位置Ｍ１よりも下方に形成される。滞留境界面６６はミストが空気中に一定以上の濃度となっている滞留層Ｃと、ミストが空気中に一定未満の濃度となっている空気層Ｊとの間の境界領域を示している。滞留境界面６６は、ミストが滞留しながらある程度動いているため、上下方向にやや高さを持った領域として規定される。なお、浴槽本体６の溢れ部である溢れ面６ｂは、浴槽本体６の側壁のうち最も高さが低い部分、すなわち水が浴槽本体６の上限まで溜まると最初に溢れ出す部分である。
【0056】
例えば、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ位置Ｍ０よりも上方に形成されている。このとき例えば、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）の２００ｍｍ上方の高さ位置よりも下方に形成されてもよく、また例えば、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）の１００ｍｍ上方の高さ位置よりも下方に形成されてもよい。このように、滞留境界面６６が浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さよりも高い位置となる場合には、使用者は浴槽を越える位置までのミスト入浴効果、すなわち湯船より高い高さまでの温浴効果を得ることができる。ミスト生成部８を駆動（使用）している間は、ミストが浴槽本体６内に供給されミストの滞留が継続されている。ミスト装置１は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、浴槽本体６内の水温と室温との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
【0057】
次に、図１６乃至図２２を参照して、ミスト装置１のミスト生成部におけるミストの生成動作を説明する。
図１６に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、ミスト生成部８内の貯水部１２は、水が貯水されていない空の状態となっている。ミスト装置１のミストの供給動作が開始されると、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０（図５参照）を開弁し、水を、矢印Ｆ１１に示すように、給水路１４から貯水部１２内に供給する。排水路電磁弁３２は閉弁されたままである。次いで、図１７に示すように、ミスト装置制御部２６は、水の給水中にヒータ２０を作動させ、水の加熱を開始させる。図１８に示すように、貯水部１２内の水位が給水規定水位Ｑ１に到達すると、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位に到達したことを検出し、ミスト装置制御部２６に伝達する。ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を閉弁し、給水を停止させる。その後、引き続きヒータ２０が水を加熱し、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内の水を所定の温度（例えば６０℃）まで加熱させる。
図１６に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、ミスト生成部８内の貯水部１２は、水が貯水されていない空の状態となっている。ミスト装置１のミストの供給動作が開始されると、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０（図５参照）を開弁し、水を、矢印Ｆ１１に示すように、給水路１４から貯水部１２内に供給する。排水路電磁弁３２は閉弁されたままである。次いで、図１７に示すように、ミスト装置制御部２６は、水の給水中にヒータ２０を作動させ、水の加熱を開始させる。図１８に示すように、貯水部１２内の水位が給水規定水位Ｑ１に到達すると、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位に到達したことを検出し、ミスト装置制御部２６に伝達する。ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を閉弁し、給水を停止させる。その後、引き続きヒータ２０が水を加熱し、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内の水を所定の温度（例えば６０℃）まで加熱させる。
【0058】
図１９に示すように、ミスト装置制御部２６は、超音波振動子１８を作動させ、貯水部１２内にミストを生じさせる。超音波振動子１８により発生された超音波が、水面からミストを生成させる。より詳細には、超音波が水面に立ち上がるような液柱を断続的に形成させるとともにこの液中から水のミストを微粒子状に分離させ、ミストを生成する。このようにして生じたミストは、矢印Ｆ１２に示すように、ミスト生成部８からミスト供給部１０に供給され、ミスト供給部１０から下方側の滞留空間４内に供給される。
【0059】
なお、このとき、ミストが６０℃近くの比較的暖かい温度を有し、ミストが生じる水面の温度も６０℃近くの比較的暖かい温度を有しているので、水面から上昇気流が生じ、貯水部１２内の形状により、矢印Ｆ１３に示すような空気の流れが生じる。このような空気の流れＦ１３がミストをミスト生成部８からミスト供給部１０、及び滞留空間４に供給しやすくできる。一方で、空気の流れＦ１３により、貯水部１２内の水の温度は徐々に冷却されることとなる。本実施形態においてはヒータ２０が水を加熱しているので、水温の低下が抑制でき、水温の低下により液柱からのミストの分離がしにくくなってミスト生成量が低下されてしまうという事象が生じることを抑制できる。
【0060】
生成されるミストは、約６０℃の所定の温度を有している。ミストの温度が約６０℃であるので上昇気流又は自身の上方移動を発生させやすくなっている。ミストは比較的高い温度を維持しながら、ミスト生成部の上部に向けて上り、ミスト生成部の上部からミスト供給部１０に移動し、ミスト供給部１０から滞留空間４に向けて下降する。また、生成されるミストは、所定の大きさの粒径を有している。
【0061】
図２０に示すように、ミストの生成が継続されると、貯水部１２内の水が徐々に減少され、水位が下降する。フロートスイッチ２９は水位が下端水位Ｑ２（図２１参照）に到達したことを検知し、ミスト装置制御部２６が、給水路電磁弁３０を開弁させ、給水路１４からの給水を開始させる。なお、水位が下降する間も、超音波振動子１８は駆動され、ミストの生成は継続されている。
【0062】
図２２において、矢印Ｆ１４に示すように、給水路１４からの水が貯水部１２内の給水側部１２ａに流入される。貯水部１２内の給水側部１２ａに流入された水は、矢印Ｆ１５に示すように、壁部４２の下方から貯水部１２内のミスト生成側部１２ｂに移動される。給水路１４からの給水は、水位が再び給水規定水位Ｑ１まで上昇するまで継続される。
【0063】
ミスト装置制御部２６は、給水中もヒータ２０により水を加熱させる。給水側部１２ａに流入された水は、所定の水温よりも低いので、矢印Ｆ１５に示すように、壁部４２の下方からミスト生成側部１２ｂに移動する途中からヒータ２０により加熱される。ヒータ２０は、壁部４２の近傍又はミスト生成側部１２ｂの入口１２ｅから水を加熱する。よって、ミスト生成側部１２ｂ側の水の温度低下を抑制できる。ヒータ２０はミスト生成側部１２ｂ側のほぼ全体を横断するように配置されているので、ミスト生成側部１２ｂ側の水を全体的に温めることができる。
なお、仮に、水の温度が低下された場合には、超音波振動子１８により水面に生じる水柱からのミストの分離効率（ミストの生成効率）が、水の温度が比較的高い場合における水柱からのミストの分離効率と比べて低下してしまう。水の粘度は温度が低くなるにつれて上昇するため、水の温度が低下した部分において水の粘度が上がりミストの分離及び生成がしにくくなる。これに対し、本実施形態においては、水の温度低下を抑制しているので、水柱からのミストの分離効率の低下を抑制し、ミストの生成量及び生成効率の低下を抑制できる。
なお、仮に、水の温度が低下された場合には、超音波振動子１８により水面に生じる水柱からのミストの分離効率（ミストの生成効率）が、水の温度が比較的高い場合における水柱からのミストの分離効率と比べて低下してしまう。水の粘度は温度が低くなるにつれて上昇するため、水の温度が低下した部分において水の粘度が上がりミストの分離及び生成がしにくくなる。これに対し、本実施形態においては、水の温度低下を抑制しているので、水柱からのミストの分離効率の低下を抑制し、ミストの生成量及び生成効率の低下を抑制できる。
【0064】
壁部４２の過半の下端部は、水中にあるため、給水側部１２ａに供給された水による波立ちが、壁部４２によって遮られ、ミスト生成側部１２ｂに伝達しにくくできる。
仮に給水により生じた波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達される場合には、超音波振動子１８により水面に生じる水柱が乱れ、水柱がうまく形成されなかったり、向きや長さが乱れるなどして、水柱から生じるミストが減少する。よって、ミストの生成量が低下する事象が生じてしまう。本実施形態においては、波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達されにくくすることにより、ミスト生成側部１２ｂにおけるミストの生成量及び生成効率の低下を抑制できる。なお、貯水部１２内の水位が給水規定水位Ｑ１にあるとき、超音波振動子１８から発する超音波のエネルギーが水面に作用しやすくされ、水柱からのミストの生成量及び生成効率が最も高められるように構成されている。
仮に給水により生じた波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達される場合には、超音波振動子１８により水面に生じる水柱が乱れ、水柱がうまく形成されなかったり、向きや長さが乱れるなどして、水柱から生じるミストが減少する。よって、ミストの生成量が低下する事象が生じてしまう。本実施形態においては、波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達されにくくすることにより、ミスト生成側部１２ｂにおけるミストの生成量及び生成効率の低下を抑制できる。なお、貯水部１２内の水位が給水規定水位Ｑ１にあるとき、超音波振動子１８から発する超音波のエネルギーが水面に作用しやすくされ、水柱からのミストの生成量及び生成効率が最も高められるように構成されている。
【0065】
貯水部１２内の水位が給水規定水位Ｑ１に到達すると、フロートスイッチ２９が給水規定水位Ｑ１を検知し、ミスト装置制御部２６は、給水を停止させる（図１９参照）。以後は、引き続き、ミストが生成される。ミスト装置制御部２６は、図１９から図２２までに示すような動作を繰り返すように、各部を制御する。使用者がミスト装置操作部２８を操作してミストの生成終了を入力する場合には、ミスト装置制御部２６は、超音波振動子１８、ヒータ２０を停止させ、給水路電磁弁３０を閉弁させる。その後、排水路電磁弁３２を駆動させ、貯水部１２内の水を排水させ、ミスト装置１の駆動を終了する。
【0066】
図１５、図２３及び図２４に示すように、ミストシステム２のミスト装置１による供給されるミストは、滞留空間４内に滞留状態を形成できる。このメカニズムについて説明する。
基本的なメカニズムとしては、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じる上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留される。すなわち、ミストの重さがミストを上昇させようとする力よりも大きいことにより、ミストが滞留状態を形成する。従って、ミストシステム２のミスト装置１は、このような条件を満たすミストを供給することにより、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成しやすくできる。上昇気流は、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じるが、ミストの温度（ミストの雰囲気温度）とミストの滞留層を形成している状態における浴室の室温との温度差によっても生じる。また、ミストの重さには、ミストの粒径とミストの密度が影響する。ミストの供給量が多くなるとミストの密度が高まる及び／又はミスト同士が結合してミストの粒径が大きくなる等してミストの集合体の重さが重くなる。従って、ミストの供給量が多くなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。一方で、ミストの供給量が少なくなるとミストが滞留状態を形成しにくくなる。また、供給されるミストの粒径が大きくなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。また、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成するためには、滞留空間４が大きいほど、ミストの供給量が多く必要となる。滞留空間４が比較的小さい場合には、ミストの供給量が少なくとも、より少ない供給量でミストを満たされやすくなり、ミストの密度が高まりやすくなるため、より少ない供給量で滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。また、ミスト供給時にミストが有している運動エネルギーが大きい場合にはミストが放散しやすくなるので、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。ミストの供給量が比較的少ない場合には、ミストが気化されやすくなるため、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。本発明の発明者らは、このような知見を基にして、以下のように、ミストが滞留空間４内に滞留されやすくなる状態の知見を得た。
基本的なメカニズムとしては、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じる上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留される。すなわち、ミストの重さがミストを上昇させようとする力よりも大きいことにより、ミストが滞留状態を形成する。従って、ミストシステム２のミスト装置１は、このような条件を満たすミストを供給することにより、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成しやすくできる。上昇気流は、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じるが、ミストの温度（ミストの雰囲気温度）とミストの滞留層を形成している状態における浴室の室温との温度差によっても生じる。また、ミストの重さには、ミストの粒径とミストの密度が影響する。ミストの供給量が多くなるとミストの密度が高まる及び／又はミスト同士が結合してミストの粒径が大きくなる等してミストの集合体の重さが重くなる。従って、ミストの供給量が多くなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。一方で、ミストの供給量が少なくなるとミストが滞留状態を形成しにくくなる。また、供給されるミストの粒径が大きくなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。また、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成するためには、滞留空間４が大きいほど、ミストの供給量が多く必要となる。滞留空間４が比較的小さい場合には、ミストの供給量が少なくとも、より少ない供給量でミストを満たされやすくなり、ミストの密度が高まりやすくなるため、より少ない供給量で滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。また、ミスト供給時にミストが有している運動エネルギーが大きい場合にはミストが放散しやすくなるので、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。ミストの供給量が比較的少ない場合には、ミストが気化されやすくなるため、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。本発明の発明者らは、このような知見を基にして、以下のように、ミストが滞留空間４内に滞留されやすくなる状態の知見を得た。
【0067】
次に、図２３を参照して、ミストが滞留空間４内に滞留されやすくなる状態を説明する。
図２３に示すように、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を変えて、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるかの評価をおこなった。このとき、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さは５０ｍｍであり、ミストのザウタ―平均粒径は、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。なお、浴槽本体６内に水が貯水されない場合には、浴槽本体６内の水温は、浴槽本体６の温度、すなわち室温として評価される。
図２３に示すように、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を変えて、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるかの評価をおこなった。このとき、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さは５０ｍｍであり、ミストのザウタ―平均粒径は、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。なお、浴槽本体６内に水が貯水されない場合には、浴槽本体６内の水温は、浴槽本体６の温度、すなわち室温として評価される。
【0068】
図２３において、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]に対し、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]を変えて、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、７．９[℃]、１１．５[℃]、１７．０[℃]、２２．０[℃]と見出されている。この複数の温度を通る仮想境界線Ｐ１は、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。同様に、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、４．０[℃]、４．３[℃]、７．６[℃]、８．２[℃]、７．５[℃]と見出されている。この複数の温度を通る仮想境界線Ｐ２は、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。
【0069】
図２３において、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域Ｎ１においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的強い領域であり、滞留空間４内においてミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも小さくなっているため、ミストが上昇気流により滞留空間４より上方に浮遊及び放散されている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ２においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的弱い領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きくなっているため、ミストが上昇気流により上昇されにくく、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストが滞留状態となっている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ３においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が一定程度生じる領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きいものの、ミストの重さと上昇気流により作用される力が比較的近くなっているため、ミストが上昇気流により一旦溢れ面６ｂより上方の位置まで立ち上るように上昇し、立上雲状体を形成した後、徐々にミストが滞留空間４に向けて下降して、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストの滞留状態を形成する。
ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ２においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的弱い領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きくなっているため、ミストが上昇気流により上昇されにくく、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストが滞留状態となっている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ３においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が一定程度生じる領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きいものの、ミストの重さと上昇気流により作用される力が比較的近くなっているため、ミストが上昇気流により一旦溢れ面６ｂより上方の位置まで立ち上るように上昇し、立上雲状体を形成した後、徐々にミストが滞留空間４に向けて下降して、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストの滞留状態を形成する。
【0070】
なお、図２４に示すように、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さを１１０ｍｍと変更し、図２３と同様の測定が行われた。すなわち、図２４におけるミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂからの高さが、図２３における高さよりもより高くなっている。図２４においては、ミスト供給部１０の下端の高さ以外のパラメータについては、図２３と同様に設定されている。
【0071】
図２４においては、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]に対し、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]を変えて、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体４の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２[℃]、７．２[℃]、１０．１[℃]、１５．５[℃]、１７．２[℃]、２０．５[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ３は、この複数の温度を通るように算出され、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。
また、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２．５[℃]、３．３[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ４は、この複数の温度を通るように算出され、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。よって、図２４においても、図２３と同様に、領域Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３が示される。
また、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２．５[℃]、３．３[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ４は、この複数の温度を通るように算出され、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。よって、図２４においても、図２３と同様に、領域Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３が示される。
【0072】
図２４においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内に供給されるミストが水面まで落下する高さが、図２３における落下する高さよりも高くなり、ミストが下降中に拡散してミストの密度が下がりやすくなる。よって、滞留空間４内等にミストの重さが軽くなりミストが浮遊及び放散しやすくなる。また、図２４においてミスト供給部１０から滞留空間４内に供給されるミストが水面まで落下する高さが、図２３における落下する高さよりも高くなり、ミストはより速い速度を有する。従って、ミストの速度が予め低い場合と比べて、ミストの速度が比較的速い場合には、ミストの運動エネルギーが高くなり、ミストが浮遊及び放散しやすくなる。また、ミストがミストの供給側と反対側の短辺側部分６ｅに到達した場合に、壁面に沿って上昇しやすくなる。従って、仮想境界線Ｐ３は、仮想境界線Ｐ１よりも低い温度となり、水温と室温との差異から生じる上昇気流がより弱い場合（ΔＴが小さい場合）であっても、ミストが上昇気流により滞留空間４より上方に浮遊及び放散することが分かる。また、仮想境界線Ｐ４は、仮想境界線Ｐ２よりも低い温度となり、水温と室温との差異から生じる上昇気流がより弱い場合（ΔＴが小さい場合）であっても、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となることを示している。
【0073】
図２３及び図２４に示すような浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]の関係は、浴槽本体６に対して示されている。本発明者らは、同様の関係の傾向が浴槽本体６のみならず浴槽本体６よりも滞留空間４の容積が異なる他の水受け機器、例えば浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンク、トイレ等にも成立することを確認した。例えば、これらの各機器においては、滞留空間４の容積が浴槽本体６内の容積と比べて比較的小さくなる。
図２３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が小さくなる場合には、ミストの密度が高まりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図２３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が大きくなる場合には、ミストの密度が低くなりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。
図２３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が小さくなる場合には、ミストの密度が高まりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図２３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が大きくなる場合には、ミストの密度が低くなりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。
【0074】
図２３及び図２４においては、超音波振動子１８により生成されるミストの粒径は所定の粒径となっているが、ミストの生成の手段（遠心分離機等）や超音波振動子の周波数等を変更することによりミストの粒径を変更することも可能である。図２３において用いられているミストの粒径に比べて、ミストの粒径が大きくなる場合には、ミストの重さが重くなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。また、図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図２３において用いられているミストの粒径に比べて、ミストの粒径が小さくなる場合には、ミストの重さが軽くなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図２３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。また、図２３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。このようにして、滞留空間４の容積が変わった場合や、ミストの粒径が変わった場合についても図２３及び図２４等に基づいてミストが滞留空間４内に滞留される状態と滞留されない状態との関係を理解可能である。
【0075】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６内のミストの雰囲気温度の測定方法について説明する。空気の温度を計測できる温度測定装置、例えばサーミスタ９５を用いて浴槽本体６内のミストの雰囲気温度[℃]を測定する。浴槽本体６内のミストの雰囲気温度を測定したいときにサーミスタ９５を配置して測定を行う。サーミスタ９５の温度測定部は、浴槽本体６の長辺の中央部且つ短辺の中央部且つ浴槽本体６内に貯水されている水の表面から溢れ面６ｂまでの高さの中央部に配置され、ミストの温度の測定を行うようになっている。例えば、浴槽本体６内のミストの雰囲気温度は、ミスト供給を開始した後、十分に時間が経過（例えば２５００[ｓ]経過）し、温度上昇がほぼ止まった温度により測定される。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0076】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６内の水温（湯温）の測定方法について説明する。水温を計測できる温度測定装置、例えばサーミスタ９９を用いて浴槽本体６内の水温[℃]を測定する。浴槽本体６内の水温を測定したいときにサーミスタ９９を浴槽本体内の所定位置に配置して水温の測定を行う。サーミスタ９９の温度測定部は、浴槽本体６の長辺の中央部且つ短辺の中央部且つ浴槽本体６内に貯水されている水の深さの中央部に配置され、水温の測定を行うようになっている。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0077】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６の設けられた浴室内の室温の測定方法について説明する。ミスト生成部８は、室内温度計測器２４を備えるので、室温は基本的に室内温度計測器２４により測定される。
ミスト生成部８が、室内温度計測器２４を備えていない場合や、室内温度計測器２４により室温が測定できない（又はしにくい）場合には、サーミスタ８６を浴室空間内の浴槽本体近傍の所定位置に配置して室温の測定を行う。このサーミスタ８６の温度測定部は、例えば、浴槽本体６の側方側に２００ｍｍの位置且つ浴槽本体の長辺方向に沿って紙面奥側の壁から２００ｍｍ手前側の位置、且つ床面より１０００ｍｍ上方の位置に配置され、室温の測定を行うようになっている。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
ミスト生成部８が、室内温度計測器２４を備えていない場合や、室内温度計測器２４により室温が測定できない（又はしにくい）場合には、サーミスタ８６を浴室空間内の浴槽本体近傍の所定位置に配置して室温の測定を行う。このサーミスタ８６の温度測定部は、例えば、浴槽本体６の側方側に２００ｍｍの位置且つ浴槽本体の長辺方向に沿って紙面奥側の壁から２００ｍｍ手前側の位置、且つ床面より１０００ｍｍ上方の位置に配置され、室温の測定を行うようになっている。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0078】
次に、図２６を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの流量の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの流量の流量計測装置９０は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０と、ミスト生成部８とミスト供給部１０とを貯水タンク上に支持する支持構造体９１と、水を貯水する貯水タンク９２と、貯水タンク９２から水をミスト生成部８に供給する給水ポンプ９４と、ミスト供給部１０から供給されるミストを流量計測装置９０の外方に送り出すファン９６と、重量を測定する電子天秤９８と、を備えている。ミスト生成部８の超音波振動子１８は支持構造体９１に取付けられた発振回路９３により駆動される。給水ポンプ９４及びファン９６は、支持構造体９１により支持されている。すなわち、流量計測装置９０は、ミスト生成に用いられる水及びミスト生成に用いるミスト生成部８等が電子天秤９８上に載せられた状態で構成されている。電子天秤９８には、Ａ＆Ｄ社製ＧＦ－３２Ｋを用いる。
ミストの流量の流量計測装置９０は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０と、ミスト生成部８とミスト供給部１０とを貯水タンク上に支持する支持構造体９１と、水を貯水する貯水タンク９２と、貯水タンク９２から水をミスト生成部８に供給する給水ポンプ９４と、ミスト供給部１０から供給されるミストを流量計測装置９０の外方に送り出すファン９６と、重量を測定する電子天秤９８と、を備えている。ミスト生成部８の超音波振動子１８は支持構造体９１に取付けられた発振回路９３により駆動される。給水ポンプ９４及びファン９６は、支持構造体９１により支持されている。すなわち、流量計測装置９０は、ミスト生成に用いられる水及びミスト生成に用いるミスト生成部８等が電子天秤９８上に載せられた状態で構成されている。電子天秤９８には、Ａ＆Ｄ社製ＧＦ－３２Ｋを用いる。
【0079】
流量計測装置９０において、ミスト生成前の状態において、ミスト生成部８、ミスト供給部１０、支持構造体９１、水の貯水されている貯水タンク９２、給水ポンプ９４、及びファン９６の重量（以下、ミスト生成部８等の重量と称する）を、電子天秤９８に載せた状態で測定する。以後、これらのミスト生成部８等を電子天秤９８上に載せた状態のままミストの生成を行う。このような流量計測装置９０において、給水ポンプ９４によりミスト生成部８に給水を行うと共に、オーバーフロー管３１から水を排水することで水位をほぼ固定する。超音波振動子１８を駆動することによりミストを生成し、ミスト供給部１０から流出したミストをファン９６により流量計測装置９０の外方に送り出す。超音波振動子１８の駆動開始後、１分の経過時点において、超音波振動子１８の駆動を停止させ、電子天秤９８により、ミスト生成部８等の重量を測定する。よって、以下の式、「ミスト生成時減少量＝ミストの生成前のミスト生成部８等の重量－ミストの生成後のミスト生成部８等の重量」、によりミスト生成時減少量を求めることができる。その上で、以下の式、「ミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]＝ミスト生成時減少量－蒸発量」、によりミストの供給流量を求めることができる。このようにして得られるミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]は、同様の一連の３回のミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]の測定を行い、測定結果の平均を行って、最終的なミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を決定する。また、蒸発量は、測定中の自らの自然蒸発量を考慮するものである。従って、流量計測装置９０において、超音波振動子１８を駆動せず、１分間経過後の重量減少量を測定する。同様の３回の重量減少量の測定を行い、測定結果の平均を行って、最終的な重量減少量を蒸発量として決定し、上述のミスト供給流量の算定に用いる。
【0080】
流量計測装置９０においては、ミスト以外の水（例えば超音波振動子により生じる水柱の水滴等）が流量計測装置９０の外部に飛び出さないように測定を行っている。また、生成されたミストがミスト供給部１０において一部水に戻った場合にもこの水が貯水タンク９２等に戻るように流量計測装置９０が構成される。ファン９６はミストがミスト供給部１０及びミスト生成部８内に淀むことなく外方に流れることができる程度の風量及び向きで設定される。
【0081】
次に、図２７乃至図２９を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの粒径の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５７が取り付けられている。ミストの粒径を測定しようとする場合には、ミストの粒径の計測装置３７を浴槽本体６の代わりに配置するようにしてミストの粒径の測定を行う。ミスト供給部１０の下端と計測装置３７との位置関係は、ミスト供給部１０と浴槽本体６との位置関係とほぼ同様となるように計測装置３７が配置され、ミスト供給部１０から浴槽本体６へのミストの供給と同様に、ミスト供給部１０から計測装置３７へのミストの供給が行われる。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５７が取り付けられている。ミストの粒径を測定しようとする場合には、ミストの粒径の計測装置３７を浴槽本体６の代わりに配置するようにしてミストの粒径の測定を行う。ミスト供給部１０の下端と計測装置３７との位置関係は、ミスト供給部１０と浴槽本体６との位置関係とほぼ同様となるように計測装置３７が配置され、ミスト供給部１０から浴槽本体６へのミストの供給と同様に、ミスト供給部１０から計測装置３７へのミストの供給が行われる。
【0082】
図２８に示すように、粒子径分布測定装置５３は、開口５２の近傍且つ正面に粒径計測レーザーの計測領域Ｅが位置するように配置された粒径計測レーザー５４を備えている。上面視で、粒径計測レーザー５４のレーザー光が仮想滞留空間３４の長辺と平行になるように粒径計測レーザー５４が配置されている。粒径計測レーザー５４から発信されるレーザー光が通過する計測領域Ｅが開口５２の正面に位置している。計測領域Ｅは、開口５２から１５０ｍｍの距離に位置する。粒子径分布測定装置５３は、さらに、このレーザー光の回折・散乱光を検出するように計測レンズ５６を備えている。
【0083】
この開口に蓋５７を取付けた状態で、仮想滞留空間３４内にミストの供給を開始する。ミスト供給部１０からのミストの供給口は図示を省略している。ミストの供給開始から１分後に蓋５７を開放し、ミストを粒径計測レーザー５４の計測領域Ｅに向けて漏出させる。粒径計測レーザー５４の透過率６０％～９０％の状態で計測レンズ５６により散乱光分布を計測する。例えば、粒径計測レーザー５４及び計測レンズ５６は、マイクロトラック・ベル株式会社製のスプレー粒子径分布測定装置のエアロトラック LDSA-SPRシリーズのLDSA-SPR1500Aを使用する。粒子径分布データを１０回測定し、この粒子径分布データをＰＣに記録する。ＰＣにおいて１０回の粒子径分布データを平均化する。図２９には、粒子径分布測定装置５３により測定された粒子径分布データの一例を示す。図２９においては、左側縦軸において頻度[％]を示し、右側縦軸において累積[％]を示し、横軸において粒径[μｍ]を示している。例えば、ＰＣは、このように得られた粒子径分布データを分析し、例えば粒子径分布データの２０％タイル値粒径Ｇを粒径データとして取得し、又は例えばザウター平均粒径Ｈを粒径データとして取得してもよい。ザウター平均粒径は、全粒子の全表面積に対する全粒子の全体積と同じ表面積対体積率を有する粒径を示す。ザウター平均粒径により平均粒径をもとめることにより少ない数の大粒径を有する粒子による測定値への影響を抑制できる。このようにしてミスト供給部１０から供給されるミストの主な（例えば半分以上の）粒径が計測できる。本実施形態におけるミスト装置１から供給されるミストのザウター平均粒径Ｈは、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。
【0084】
ミスト生成部８の超音波振動子１８の出力を変更する、超音波振動子１８の振動周波数を変更する又はミスト生成手段を遠心分離装置等に変更すること等により、ミストのザウター平均粒径Ｈを変更することができる。例えばミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径Ｈを、３．１μｍ以上且つ４０μｍ以下の範囲内で変更して設定することも可能である。
【0085】
次に、図３０を参照して、浴槽本体６内の滞留空間４において、ミストが滞留状態となっているか（ミストの滞留層Ｃを形成しているか）否かの判定装置及びその判定方法について説明する。
図３０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図３０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
【0086】
例えば、図１５に示すように、滞留空間４内部にミストが滞留している状態では、内部透過率が低下する。一方で、ミストは主に滞留空間４内部に留まっており、滞留境界面６６より上方において測定される外部透過率は、比較的高い値となっている。よって、内部透過率／外部透過率＜１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。なお、内部透過率が１５％以下の範囲内にあることによって、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定してもよい。
【0087】
次に、図３０を参照して、透過率の測定装置６８について説明する。
滞留状態が形成されているかについては、透過率の測定装置６８を浴槽本体６に取付けることにより判定可能である。透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に測定部が配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、内部透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留層Ｃの上端の滞留境界面６６よりも上方となると想定される位置）において水平方向に離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、外部透過率を測定する。このようにして滞留空間４内の内部透過率と、外部透過率とをそれぞれ測定できる。
測定装置６８のより具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。光量は、例えば１５００～４５００で行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから滞留層Ｃが形成されて以後、例えば30秒間の透過率のデータを平均して算出する。例えば、ミストの立上雲状態の判定測定を行う場合は平均算出は行わず、時間経過のデータにより判定する。
滞留状態が形成されているかについては、透過率の測定装置６８を浴槽本体６に取付けることにより判定可能である。透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に測定部が配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、内部透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留層Ｃの上端の滞留境界面６６よりも上方となると想定される位置）において水平方向に離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、外部透過率を測定する。このようにして滞留空間４内の内部透過率と、外部透過率とをそれぞれ測定できる。
測定装置６８のより具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。光量は、例えば１５００～４５００で行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから滞留層Ｃが形成されて以後、例えば30秒間の透過率のデータを平均して算出する。例えば、ミストの立上雲状態の判定測定を行う場合は平均算出は行わず、時間経過のデータにより判定する。
【0088】
次に、本実施形態の構成による効果を説明する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備える。これにより、滞留空間４内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制でき、ミストが滞留空間４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８は、ミストの生成量の低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備える。これにより、滞留空間４内に滞留されるようなミストの生成量の低下を抑制でき、ミストが滞留空間４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0089】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８は、ミスト供給流量低下抑制部４０として、貯水部１２内の水の温度低下を抑制するヒータ２０を備える。これにより、貯水部１２内の水の温度低下を抑制でき、貯水部１２内の水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下を抑制し、ミストの供給量の低下を抑制して、ミストが滞留空間４内に滞留された状態を維持しやすくできる。なお、仮に貯水部１２内の水の温度が低下する場合には、超音波振動子１８の同じ出力に対して、貯水部１２内の水からのミストの生成量が低下され、滞留空間４に供給されるミストの量が減少され、ミストが滞留空間４内に滞留された状態が維持しにくくなる。本実施形態の構成によればこのような状態を抑制できる。
【0090】
このように構成された本発明の一実施形態においては、壁部４２は、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成部８側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部１２ｂの水面が乱れて、ミスト生成側部１２ｂの水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。また、壁部４２により波立ちがミスト生成部８側に伝達されにくくすると共に、壁部４２により給水側部１２ａに供給された水の温度がミスト生成部８側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部１２ｂの水の温度低下を抑制でき、貯水部１２内の水からのミストの生成量が低下することをより抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0091】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成側部１２ｂにおける給水規定水位Ｑ１までの水の容積が、給水側部１２ａにおける給水規定水位Ｑ１までの水の容積よりも大きくなっている。これにより、ミスト生成側部１２ｂにおいてミストの生成に伴ってミスト生成側部１２ｂ側の水が冷却されることによるミスト生成側部１２ｂの水の温度低下の影響を受けにくくできる。また、仮に給水時に給水側部１２ａに比較的低い温度の水が供給される場合であっても、ミスト生成側部１２ｂ側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部１２ｂの水が温度低下の影響を受けにくくできる。
【0092】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８のヒータ２０は、少なくともミスト生成側部１２ｂに設けられている。これにより、ミスト生成側部１２ｂにおいてミストの生成に伴ってミスト生成側部１２ｂ側の水が冷却されることによりミスト生成側部１２ｂの水の温度が低下することを抑制しやすくできる。
【0093】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８のヒータ２０は、ミスト生成側部１２ｂから給水側部１２ａまで延びている。これにより、給水時に給水側部１２ａに供給された水が給水側部１２ａからヒータ２０により加熱されることができる。よって、給水時に給水側部１２ａに供給された水により、ミスト生成側部１２ｂ側の水が冷却されにくくでき、ミスト生成側部１２ｂの水が温度低下の影響を受けにくくできる。
【0094】
このように構成された本発明の一実施形態においては、超音波振動子１８は複数設けられ、ヒータ２０は、複数の超音波振動子１８の配列の方向に延びている。これにより、ミスト生成側部１２ｂ内の複数の超音波振動子１８の周囲の水の温度のむらを低減できる。よって、ミスト生成側部１２ｂ内の水を全体的に昇温させ、ミストの生成効率を上昇できる。
【0095】
このように構成された本発明の一実施形態においては、壁部４２は、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成側部１２ｂに伝達しにくくなるように形成されている。これにより、給水側部１２ａに供給された水による波立ちがミスト生成部８側に伝達されにくくでき、ミスト生成側部１２ｂの水面が乱れることにより、ミスト生成側部１２ｂの水からのミストの生成量が低下することを抑制できる。従って、ミストの生成量の低下をより抑制し、ミストの供給量の低下をより抑制して、ミストが滞留空間４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0096】
また、本発明の一実施形態は、水回り機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、ミスト装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６とを備えることを特徴としている。
【0097】
次に、図３１により、本発明の第２実施形態によるミスト装置を備えた水受け機器（水回り機器）である洗い場床装置を説明する。第２実施形態は、本発明によるミスト装置を浴室の洗い場床に適用した例である。図３１は本発明の第２実施形態によるミスト装置を備えた洗い場床装置の斜視図である。
【0098】
第２実施形態によるミスト装置は、上述した第１実施形態によるミスト装置と基本構造が類似しているため、本発明の第２実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第２実施形態による洗い場床装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態によるミストシステムの動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0099】
図３１に示すように、本発明の第２実施形態によるミスト装置１を備えた水受け機器である洗い場床装置１０２は、浴室３に設けられる。洗い場床装置１０２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。洗い場床装置１０２は、さらに、ミスト装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間１０４を形成する洗い場床本体１０６を備えている。洗い場床装置１０２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器である。ミスト装置１の構成は第１実施形態と同様であるので、ミスト装置１の内部構造等は図示を省略されている。
【0100】
洗い場床本体１０６は、洗い場床装置１０２が使用される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間１０４を形成する。洗い場床本体１０６は、浴室の壁面、浴槽本体の外壁、浴室のドア等により形成され、内側の滞留空間１０４内に水が流れることができるようになっている。このような構造により、洗い場床本体１０６は、ミストが滞留空間１０４内に滞留されるようになっている。洗い場床本体１０６の容積は、浴槽本体６の容積よりも大きくなっている。滞留空間１０４は、例えば洗い場床本体１０６の壁を規定するような浴槽本体６の上端部まで形成されている。
【0101】
ミスト装置１は、水受け機器である洗い場床装置１０２に用いられる。ミスト装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト装置１を用いた洗い場床装置１０２において、ミスト供給部１０から供給されたミストが洗い場床本体１０６の滞留空間１０４内に滞留されるように構成される。図３１において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0102】
このように構成された第２実施形態の構造によれば、加熱されたミストが洗い場床本体１０６の滞留空間１０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストにより洗い場床本体１０６を温めて洗い場床や滞留空間１０４を暖房できる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間１０４においてミスト浴をすることもできる。また例えば、加熱されたミストにより、洗い場床本体１０６を温めるとともに洗い場床本体１０６に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくすることができる。
【0103】
ミスト装置１のミスト生成部８は、貯水部１２内の水の温度低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備えている。これにより、ミスト生成部８のミスト供給流量低下抑制部４０により、ミストの生成量の低下を抑制できる。よって、ミストが滞留空間１０４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0104】
また、本発明の一実施形態は、水受け機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、ミスト装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間１０４を形成する洗い場床本体１０６とを備えることを特徴としている。
【0105】
次に、図３２により、本発明の第３実施形態によるミスト装置を備えた水受け機器（水回り機器）であるシャワールーム装置を説明する。第３実施形態は、本発明によるミスト装置をシャワールームに適用した例である。図３２は本発明の第３実施形態によるミスト装置を備えたシャワールーム装置の斜視図である。
【0106】
第３実施形態によるミスト装置は、上述した第１実施形態によるミスト装置と基本構造が類似しているため、本発明の第３実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第３実施形態によるシャワールーム装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態によるミストシステムの動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0107】
図３５に示すように、本発明の第３実施形態によるミスト装置１を備えた水受け機器であるシャワールーム装置２０２は、シャワールーム２０３に設けられる。シャワールーム２０３は、上面視で一辺が０．８ｍ～２ｍ程度の長方形の領域に、半円径の領域が追加された形状に形成され、比較的狭いスペースの室内を形成する。シャワールーム装置２０２には、水の供給を行う供給装置２０７が設けられている。シャワールーム装置２０２は、さらに、ミスト装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間２０４を形成するシャワールーム本体２０６を備えている。シャワールーム装置２０２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器である。ミスト装置１の構成は第１実施形態と同様であるので、ミスト装置１の内部構造等は図示を省略されている。シャワールーム２０３は、シャワー用の供給装置２０７のみが配置される部屋に限られず、トイレ、手洗い機器、洗面台、又はこれらの組合せを備えていてもよい。
【0108】
シャワールーム本体２０６は、シャワールーム装置２０２が使用される室内空間２０５に向けて上方が開放された滞留空間２０４を形成する。シャワールーム本体２０６は、シャワールームの壁面、シャワールームのドア等により形成され、内側の滞留空間２０４内に水が流れることができるようになっている。このような構造により、シャワールーム本体２０６は、ミストが滞留空間２０４内に滞留されるようになっている。なお、本実施形態によれば、シャワールーム２０３の室内空間２０５と滞留空間２０４との境が構造により明確に区画されていなくても、滞留空間２０４が規定できることを示している。室内空間２０５と滞留空間２０４との境は、ミスト装置１のミスト供給能力を考慮して異なる位置に設定される。滞留空間２０４は、ミスト装置１のミスト供給能力を考慮してミストを溜めようとする空間として任意に設定できる。このような滞留空間２０４は、室内空間２０５に向けて上方が開放された滞留空間である。なお、本実施形態に限られず、室内空間２０５と滞留空間２０４との境が構造により明確に区画されていなくても、滞留空間２０４は、同様の趣旨により設定可能である。滞留空間２０４は、例えば座っている使用者の顔程度の高さ（或いは例えばシャワールームの内部空間の全体の高さのうち３分の１程度の高さ）まで形成されている。
【0109】
ミスト装置１は、シャワールーム装置２０２に用いられる。ミスト装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間２０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストがシャワールーム本体２０６の滞留空間２０４内に滞留されるように構成される。図３２において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0110】
このように構成された第３実施形態の構造によれば、加熱されたミストがシャワールーム本体２０６の滞留空間２０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストによりシャワールーム本体２０６を温めてシャワールームの床や滞留空間２０４を暖房できる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間２０４においてミスト浴をすることもできる。また、加熱されたミストが比較的高い位置まで滞留されることにより、使用者が滞留空間２０４内において内部の椅子２０８に座った状態や立った状態でもミスト浴をできる。また例えば、加熱されたミストにより、シャワールーム本体２０６を温めるとともにシャワールーム本体２０６に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【0111】
ミスト装置１のミスト生成部８は、貯水部１２内の水の温度低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備えている。これにより、ミスト生成部８のミスト供給流量低下抑制部４０により、ミストの生成量の低下を抑制できる。よって、ミストが滞留空間２０４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0112】
また、本発明の一実施形態は、水受け機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、ミスト装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間２０４を形成するシャワールーム本体２０６とを備えることを特徴としている。
【0113】
次に、図３３により、本発明の第４実施形態によるミスト装置を備えた水受け機器（水回り機器）である洗面装置を説明する。第４実施形態は、本発明によるミスト装置を洗面装置に適用した例である。図３３は本発明の第４実施形態によるミスト装置を備えた洗面装置の斜視図である。
【0114】
第４実施形態によるミスト装置は、上述した第１実施形態によるミスト装置と基本構造が類似しているため、本発明の第４実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第４実施形態による洗面装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態によるミストシステムの動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0115】
図３３に示すように、本発明の第４実施形態によるミスト装置１を備えた水受け機器である洗面装置３０２は、洗面室３０３のカウンター等に設けられる。洗面装置３０２には、水の供給を行う供給装置３０７が設けられている。洗面装置３０２は、さらに、ミスト装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間３０４を形成する洗面本体３０６を備えている。洗面装置３０２は吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器である。ミスト装置１の構成は第１実施形態と同様であるので、ミスト装置１の内部構造等は図示を省略されている。また、供給装置３０７に接続される給水制御部２５及び給水制御部２５に接続された操作部２７等は同様に配置されるため図示を省略されている。また、ミスト装置１におけるミスト装置制御部２６及びミスト装置制御部２６に接続されたミスト装置操作部２８等は同様に配置されるため図示を省略されている。
【0116】
洗面本体３０６は、洗面装置３０２が使用される室内空間３０５に向けて上方が開放された滞留空間３０４を形成する。洗面本体３０６は、内側の滞留空間３０４内に水が貯水できるようになっている。このような構造により、洗面本体３０６は、ミストが滞留空間３０４内に滞留されるようになっている。滞留空間３０４は、洗面本体３０６の上端部まで形成される。
【0117】
ミスト装置１は、洗面装置３０２に用いられる。ミスト装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間３０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留されるように構成される。図３６において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0118】
このように構成された第４実施形態の構造によれば、加熱されたミストが洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストを洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留させ、使用者が顔又は手、足等の体の一部をミストに当てることにより、保湿、洗浄性能の向上、温浴、美容効果等を得られる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間３０４において体の一部のミスト浴をすることもできる。また例えば、加熱されたミストにより、洗面本体３０６を温めるとともに洗面本体３０６内の滞留空間３０４内に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【0119】
ミスト装置１のミスト生成部８は、貯水部１２内の水の温度低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備えている。これにより、ミスト生成部８のミスト供給流量低下抑制部４０により、ミストの生成量の低下を抑制できる。よって、ミストが滞留空間３０４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0120】
また、本発明の一実施形態は、水受け機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、ミスト装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間３０４を形成する洗面本体３０６とを備えることを特徴としている。
【0121】
次に、図３７により、本発明の第５実施形態によるミスト装置を備えた水受け機器（水回り機器）であるキッチンシンク装置を説明する。第５実施形態は、本発明によるミスト装置をキッチンシンク装置に適用した例である。図３７は本発明の第５実施形態によるミスト装置を備えたキッチンシンク装置の斜視図である。
【0122】
第５実施形態によるミスト装置は、上述した第１実施形態によるミスト装置と基本構造が類似しているため、本発明の第５実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第５実施形態によるキッチンシンク装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態によるミストシステムの動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0123】
図３７に示すように、本発明の第５実施形態によるミスト装置１を備えた水回り機器であるキッチンシンク装置４０２は、洗面室４０３に設けられる。キッチンシンク装置４０２には、水の供給を行う供給装置４０７が設けられている。キッチンシンク装置４０２は、さらに、ミスト装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間４０４を形成するキッチンシンク本体４０６を備えている。キッチンシンク装置４０２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器である。ミスト装置１の構成は第１実施形態と同様であるので、ミスト装置１の内部構造等は図示を省略されている。供給装置４０７に接続される給水制御部２５及び給水制御部２５に接続された操作部２７等は同様に配置されるため図示を省略されている。また、ミスト装置１におけるミスト装置制御部２６及びミスト装置制御部２６に接続されたミスト装置操作部２８等は同様に配置されるため図示を省略されている。
【0124】
キッチンシンク本体４０６は、キッチンシンク装置４０２が使用される室内空間４０５に向けて上方が開放された滞留空間４０４を形成する。キッチンシンク本体４０６は、内側の滞留空間４０４内に水が貯水できるようになっている。このような構造により、キッチンシンク本体４０６は、ミストが滞留空間４０４内に滞留されるようになっている。滞留空間４０４は、キッチンシンク本体４０６の上端部まで形成される。
【0125】
ミスト装置１は、キッチンシンク装置４０２に用いられる。ミスト装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストがキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留されるように構成される。図３３において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0126】
このように構成された第５実施形態の構造によれば、加熱されたミストがキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストをキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留させ、食器類、洗いたい機器等をミストに当てることにより、洗いたい対象物を温め、付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄することができる。また、加熱されたミストを洗いたい対象物に当てることで、洗浄に至らないまでも、汚れを落ちやすくできる。また、加熱されたミストをキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留させ、キッチンシンク本体４０６内の使用者の手指を温めながら、使用者が作業できる。また例えば、加熱されたミストにより、キッチンシンク本体４０６を温めるとともにキッチンシンク本体４０６内の滞留空間４０４内に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【0127】
ミスト装置１のミスト生成部８は、貯水部１２内の水の温度低下を抑制するミスト供給流量低下抑制部４０を備えている。これにより、ミスト生成部８のミスト供給流量低下抑制部４０により、ミストの生成量の低下を抑制できる。よって、ミストが滞留空間４０４内に滞留された状態を維持しやすくできる。
【0128】
また、本発明の一実施形態は、水受け機器であって、本発明の一実施形態のミスト装置と、ミスト装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間４０４を形成するキッチンシンク本体４０６とを備えることを特徴としている。
【符号の説明】
【0129】
１ ：ミスト装置
２ ：ミストシステム
４ ：滞留空間
６ ：浴槽本体
８ ：ミスト生成部
１０ ：ミスト供給部
１２ ：貯水部
１２ａ ：給水側部
１２ｂ ：ミスト生成側部
１４ ：給水路
１８ ：超音波振動子
２０ ：ヒータ
４０ ：ミスト供給流量低下抑制部
４２ ：壁部
１０２ ：洗い場床装置
１０４ ：滞留空間
１０６ ：洗い場床本体
２０２ ：シャワールーム装置
２０４ ：滞留空間
２０６ ：シャワールーム本体
３０２ ：洗面装置
３０３ ：洗面室
３０４ ：滞留空間
３０６ ：洗面本体
４０２ ：キッチンシンク装置
４０３ ：洗面室
４０４ ：滞留空間
４０６ ：キッチンシンク本体
Ｂ ：水
Ｃ ：滞留層
Ｗ ：壁
Ｘ ：温水層
２ ：ミストシステム
４ ：滞留空間
６ ：浴槽本体
８ ：ミスト生成部
１０ ：ミスト供給部
１２ ：貯水部
１２ａ ：給水側部
１２ｂ ：ミスト生成側部
１４ ：給水路
１８ ：超音波振動子
２０ ：ヒータ
４０ ：ミスト供給流量低下抑制部
４２ ：壁部
１０２ ：洗い場床装置
１０４ ：滞留空間
１０６ ：洗い場床本体
２０２ ：シャワールーム装置
２０４ ：滞留空間
２０６ ：シャワールーム本体
３０２ ：洗面装置
３０３ ：洗面室
３０４ ：滞留空間
３０６ ：洗面本体
４０２ ：キッチンシンク装置
４０３ ：洗面室
４０４ ：滞留空間
４０６ ：キッチンシンク本体
Ｂ ：水
Ｃ ：滞留層
Ｗ ：壁
Ｘ ：温水層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】