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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023050496
(43)【公開日】2023-04-11
(54)【発明の名称】ミストシステム
(51)【国際特許分類】
A61H 33/10 20060101AFI20230404BHJP
A47K 3/00 20060101ALI20230404BHJP
【ＦＩ】
A61H33/10 D
A47K3/00 Z
A61H33/10 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021160619
(22)【出願日】2021-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000010087
【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100144451
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 博子
(74)【代理人】
【識別番号】100159846
【弁理士】
【氏名又は名称】藤木 尚
(72)【発明者】
【氏名】原島 立成
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 啓太
(72)【発明者】
【氏名】川瀬 元太
(72)【発明者】
【氏名】碇 洋平
(72)【発明者】
【氏名】牧 愛子
(72)【発明者】
【氏名】大江 俊春
【テーマコード（参考）】
2D005
4C094
【Ｆターム（参考）】
2D005FA06
4C094AA01
4C094BB14
4C094BC30
4C094DD09
4C094DD14
4C094EE03
4C094EE20
4C094FF09
4C094GG03
4C094GG04
(57)【要約】
【課題】浴槽本体内に温水層とミスト滞留層とを形成でき、使用者のリラックス効果を向上させながら使用者を温めることができるミストシステムを提供する。
【解決手段】本発明のミストシステム２は、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体６と、浴槽本体への水の供給を制御する給水制御部２５と、浴室内の室温よりも加温されているミストを生成するミスト生成部８と、ミスト生成部により生成されたミストを上記浴槽本体内に供給するミスト供給部１０と、を備え、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成され、浴槽本体内に、室温よりも加温された温水層Ｘと、温水層の上方の滞留空間内においてミストにより形成されたミスト滞留層Ｃと、が形成される。
【選択図】図３
【解決手段】本発明のミストシステム２は、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体６と、浴槽本体への水の供給を制御する給水制御部２５と、浴室内の室温よりも加温されているミストを生成するミスト生成部８と、ミスト生成部により生成されたミストを上記浴槽本体内に供給するミスト供給部１０と、を備え、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成され、浴槽本体内に、室温よりも加温された温水層Ｘと、温水層の上方の滞留空間内においてミストにより形成されたミスト滞留層Ｃと、が形成される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ミストシステムであって、
上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体と、
上記浴槽本体への水の供給を制御する制御部と、
浴室内の室温よりも加温されているミストを生成するミスト生成部と、
上記ミスト生成部により生成されたミストを上記浴槽本体内に供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留するように構成され、
上記浴槽本体内に、上記室温よりも加温された温水層と、
上記温水層の上方の上記滞留空間内においてミストにより形成されたミスト滞留層と、が形成される、ミストシステム。
上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体と、
上記浴槽本体への水の供給を制御する制御部と、
浴室内の室温よりも加温されているミストを生成するミスト生成部と、
上記ミスト生成部により生成されたミストを上記浴槽本体内に供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留するように構成され、
上記浴槽本体内に、上記室温よりも加温された温水層と、
上記温水層の上方の上記滞留空間内においてミストにより形成されたミスト滞留層と、が形成される、ミストシステム。
【請求項2】
上記制御部は、使用者の操作指令を受けて上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定できる水位設定モードを備える、請求項１に記載のミストシステム。
【請求項3】
上記制御部の上記水位設定モードは、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くす機能を有するように設定される、請求項２に記載のミストシステム。
【請求項4】
上記制御部は、所定のプログラムの判断により上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動設定される水位自動設定モードを備える、請求項１に記載のミストシステム。
【請求項5】
さらに、上記浴槽本体内の水を取水口から取込んだ上でこの水を加熱して上記浴槽本体内に戻す追い焚き装置を備え、
上記制御部の上記水位自動設定モードは、上記追い焚き装置の上記取水口よりも高い位置に上記温水層の水位を自動設定する、請求項４に記載のミストシステム。
上記制御部の上記水位自動設定モードは、上記追い焚き装置の上記取水口よりも高い位置に上記温水層の水位を自動設定する、請求項４に記載のミストシステム。
【請求項6】
上記制御部は、上記温水層の水位の設定を複数記憶する、請求項２乃至５の何れか１項に記載のミストシステム。
【請求項7】
上記制御部は、上記ミスト滞留層の下方に形成された上記温水層を形成する温水層形成モードを、ミストを供給しない入浴用の上記浴槽本体への給水のための給水モードと、別のモードとして備えている、請求項１乃至６の何れか１項に記載のミストシステム。
【請求項8】
上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記温水層形成モードにより上記温水層を形成した後に、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記温水層形成モードにより上記温水層を形成した後に、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
【請求項9】
上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記ミスト生成モードによりミストを生成させた後に、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記ミスト生成モードによりミストを生成させた後に、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
【請求項10】
上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させながら、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、
上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させながら、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる、請求項１乃至７の何れか１項に記載のミストシステム。
【請求項11】
上記制御部は、さらに、上記浴槽本体内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モードを備えている、請求項２乃至１０の何れか１項に記載のミストシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミストシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、特許文献１に示すように、サウナ浴をするための浴槽サウナ装置が知られており、このような浴槽サウナ装置は、ミストを用いたサウナ空間を形成するために浴槽本体の上部に設けられる浴槽蓋を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８－０１８１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に示すような浴槽サウナ装置においては、サウナ空間を形成するために浴槽蓋が必要であることから、使用者の位置が拘束されてしまい快適性が損なわれると共に、使用者の利便性に欠けるという問題があった。
【0005】
これに対し、単に浴槽蓋を取り外した状態とすると、ミストが浴室に放散してしまい、ミストを浴槽内に滞留させることができないという問題があった。
【0006】
さらに、単に浴槽蓋を取り外した状態で、浴槽内に温水を入れた状態でミストを供給すると、ミストが浴室に放散されやすくなり、ミストを浴槽本体内に滞留させることがより難しくなっているという問題があった。
【0007】
そこで、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体内に温水層とミスト滞留層とを形成できるミストシステムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態は、ミストシステムであって、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体と、上記浴槽本体への水の供給を制御する制御部と、浴室内の室温よりも加温されているミストを生成するミスト生成部と、上記ミスト生成部により生成されたミストを上記浴槽本体内に供給するミスト供給部と、を備え、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留するように構成され、上記浴槽本体内に、上記室温よりも加温された温水層と、上記温水層の上方の上記滞留空間内においてミストにより形成されたミスト滞留層と、が形成されることを特徴としている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留するように構成され、上記浴槽本体の上記滞留空間内に、上記室温よりも加温された温水層と、上記温水層の上方の滞留空間内においてミストが滞留しているミストの滞留層と、が形成される。これにより、浴槽本体内の温水層により使用者に浮遊感を与えつつ使用者を温めることができ、さらに、加温されたミストにより形成されたミスト滞留層により、温水層が浴槽本体の上部まで形成されている場合と比べて使用者に与える水圧の負荷を軽減しつつ使用者を温めることができる。また、浴槽本体内にミスト滞留層が形成されていることにより使用者に視覚的な癒し効果を与えることができる。従って、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）を向上させながら使用者を温めることができる。従って、入浴時の使用者の快適性を向上できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留するように構成され、上記浴槽本体の上記滞留空間内に、上記室温よりも加温された温水層と、上記温水層の上方の滞留空間内においてミストが滞留しているミストの滞留層と、が形成される。これにより、浴槽本体内の温水層により使用者に浮遊感を与えつつ使用者を温めることができ、さらに、加温されたミストにより形成されたミスト滞留層により、温水層が浴槽本体の上部まで形成されている場合と比べて使用者に与える水圧の負荷を軽減しつつ使用者を温めることができる。また、浴槽本体内にミスト滞留層が形成されていることにより使用者に視覚的な癒し効果を与えることができる。従って、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）を向上させながら使用者を温めることができる。従って、入浴時の使用者の快適性を向上できる。
【0009】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、使用者の操作指令を受けて上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定できる水位設定モードを備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、使用者の操作指令を受けて上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定できる水位設定モードを備える。これにより、ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定でき、使用者の好みに応じて温水層とミスト滞留層との位置を変更でき、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）をより向上させながら使用者を温めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、使用者の操作指令を受けて上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定できる水位設定モードを備える。これにより、ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を設定でき、使用者の好みに応じて温水層とミスト滞留層との位置を変更でき、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0010】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部の上記水位設定モードは、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くす機能を有するように設定される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部の上記水位設定モードは、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くす機能を有するように設定される。これにより、ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くすことができ、温水層のないミストサウナのようなミストのみの入浴を実現できる。よって、使用者の水圧負荷低減効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部の上記水位設定モードは、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くす機能を有するように設定される。これにより、ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位を無くすことができ、温水層のないミストサウナのようなミストのみの入浴を実現できる。よって、使用者の水圧負荷低減効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0011】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、所定のプログラムの判断により上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動設定される水位自動設定モードを備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、温水層の水位の設定について使用者の操作指令を必要とせず所定のプログラムの判断により上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動設定される水位自動設定モードを備える。これにより、制御部が、使用者の操作入力を受けずとも、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動的に設定でき、使用者の操作入力の手間を省いて使用者のリラックス効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、温水層の水位の設定について使用者の操作指令を必要とせず所定のプログラムの判断により上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動設定される水位自動設定モードを備える。これにより、制御部が、使用者の操作入力を受けずとも、上記浴槽本体内の上記ミスト滞留層の下方に形成される上記温水層の水位が自動的に設定でき、使用者の操作入力の手間を省いて使用者のリラックス効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0012】
本発明の一実施形態において、好ましくは、さらに、上記浴槽本体内の水を取水口から取込んだ上でこの水を加熱して上記浴槽本体内に戻す追い焚き装置を備え、上記制御部の上記水位自動設定モードは、上記追い焚き装置の上記取水口よりも高い位置に上記温水層の水位を自動設定する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部の上記水位自動設定モードは、上記追い焚き装置の上記取水口よりも高い位置に上記温水層の水位を自動設定する。これにより、追い焚き装置により浴槽本体内の水を再加熱して、温水層の温度の低下を抑制しながら、ミスト浴を行うことができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部の上記水位自動設定モードは、上記追い焚き装置の上記取水口よりも高い位置に上記温水層の水位を自動設定する。これにより、追い焚き装置により浴槽本体内の水を再加熱して、温水層の温度の低下を抑制しながら、ミスト浴を行うことができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
【0013】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、上記温水層の水位の設定を複数記憶する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、上記温水層の水位の設定を複数記憶する。これにより、制御部は、温水層の水位の設定を複数記憶することができる。よって、個々の使用者に合わせた設定を複数記憶でき、また同じ使用者に対しても異なる水位の設定を複数記憶できる。よって、ミスト入浴時に温水層の水位を設定する手間を省くことができると共に、使用者に合わせた水位の設定をしやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、上記温水層の水位の設定を複数記憶する。これにより、制御部は、温水層の水位の設定を複数記憶することができる。よって、個々の使用者に合わせた設定を複数記憶でき、また同じ使用者に対しても異なる水位の設定を複数記憶できる。よって、ミスト入浴時に温水層の水位を設定する手間を省くことができると共に、使用者に合わせた水位の設定をしやすくできる。
【0014】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、上記ミスト滞留層の下方に形成された上記温水層を形成する温水層形成モードを、ミストを供給しない入浴用の上記浴槽本体への給水のための給水モードと、別のモードとして備えている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、上記ミスト滞留層の下方に形成された上記温水層を形成する温水層形成モードを、ミストを供給しない入浴用の上記浴槽本体への給水のための給水モードと、別のモードとして備えている。これにより、ミストを供給する場合の温水層の形成と、ミストを供給しない入浴用の浴槽本体への給水とで、水位の設定を変えやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、上記ミスト滞留層の下方に形成された上記温水層を形成する温水層形成モードを、ミストを供給しない入浴用の上記浴槽本体への給水のための給水モードと、別のモードとして備えている。これにより、ミストを供給する場合の温水層の形成と、ミストを供給しない入浴用の浴槽本体への給水とで、水位の設定を変えやすくできる。
【0015】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成した後に、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成した後に、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。これにより、先に温水層を形成するので、滞留空間の容積が減少され、ミスト生成に使用される水の量を節約できる。また、使用者が先に温水層に入浴した状態で、ミスト滞留層が形成されていく様子を見ることができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成した後に、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。これにより、先に温水層を形成するので、滞留空間の容積が減少され、ミスト生成に使用される水の量を節約できる。また、使用者が先に温水層に入浴した状態で、ミスト滞留層が形成されていく様子を見ることができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
【0016】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、上記ミスト生成モードによりミストを生成させた後に、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成モードによりミストを生成させた後に、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させる。これにより、ミストの供給開始初期に浴槽本体に温水層が形成されておらずミストに作用する上昇気流が弱くなりやすいため、比較的少ないミスト流量でもミスト滞留層を形成しやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成モードによりミストを生成させた後に、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させる。これにより、ミストの供給開始初期に浴槽本体に温水層が形成されておらずミストに作用する上昇気流が弱くなりやすいため、比較的少ないミスト流量でもミスト滞留層を形成しやすくできる。
【0017】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、上記浴槽本体内に上記温水層を形成する温水層形成モードと、上記ミスト生成部によりミストを生成させるミスト生成モードとを備え、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させながら、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させながら、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。これにより、温水層の形成と、ミスト滞留層の形成とを同時に行うため、両者の形成までの時間をより短縮できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温水層形成モードにより上記温水層を形成させながら、上記ミスト生成モードによりミストを生成させる。これにより、温水層の形成と、ミスト滞留層の形成とを同時に行うため、両者の形成までの時間をより短縮できる。
【0018】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記制御部は、さらに、上記浴槽本体内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モードを備えている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、さらに、上記浴槽本体内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モードを備えている。これにより、一旦浴槽本体内に水が貯水されている場合であっても、水位変更モードにより、後に他の設定の水位に水位を変更してミスト入浴ができ、使用者に応じた水位の設定が容易となる。従って、使用者の使い勝手をより向上させることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記制御部は、さらに、上記浴槽本体内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モードを備えている。これにより、一旦浴槽本体内に水が貯水されている場合であっても、水位変更モードにより、後に他の設定の水位に水位を変更してミスト入浴ができ、使用者に応じた水位の設定が容易となる。従って、使用者の使い勝手をより向上させることができる。
【発明の効果】
【0019】
本発明のミストシステムによれば、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体内に温水層とミスト滞留層とを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の一実施形態によるミストシステムの概略斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態によるミストシステムの概略構成図である。
【図3】本発明の一実施形態によるミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
【図4】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置の内部構成を示す概略構成図である。
【図5】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置の内部構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置のミスト装置操作部を示す図である。
【図7】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図8】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図9】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図10】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図11】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図12】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図13】本発明の一実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおいて浴槽本体内の水温と浴室の室温との温度差と、ミストの供給流量とに関して、滞留空間内に滞留状態を形成するか否かを示す図である。
【図14】本発明の一実施形態によるミスト装置を備えたミストシステムにおいて浴槽本体内の水温と浴室の室温との温度差と、ミストの供給流量とに関して、滞留空間内に滞留状態を形成するか否かを示す図である。
【図15】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用の給水動作を示すフローチャートである。
【図16】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用のミスト供給の準備動作を示すフローチャートである。
【図17】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用のミスト供給動作を示すフローチャートである。
【図18】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用準備動作を示すフローチャートである。
【図19】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用準備動作を示すフローチャートである。
【図20】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用準備動作を示すフローチャートである。
【図21】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用の給水動作を示すフローチャートである。
【図22】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用のミスト供給の準備動作を示すフローチャートである。
【図23】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用のミスト供給動作を示すフローチャートである。
【図24】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミスト入浴用準備動作を示すフローチャートである。
【図25】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミストの雰囲気温度の測定方法、水温の測定方法及び浴室内の室温の測定方法を説明する図である。
【図26】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミストの流量の計測装置及び計測方法を説明する図である。
【図27】本発明の一実施形態によるミストシステムにおけるミストの粒径の計測装置の斜視図である。
【図28】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の上面図である。
【図29】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト供給部から供給されるミストの粒径を、粒子径分布測定装置により測定した粒子径分布データの一例を示す図である。
【図30】本発明の一実施形態によるミストシステムのミスト供給部から供給されるミストが浴槽本体内において滞留しているかの判定に用いる透過率の測定装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下では、本明細書に開示する本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明から、当業者にとって、本発明の多くの改良や他の実施の形態が明らかである。従って、以下の説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更することができる。
【0022】
以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態によるミストシステムについて説明する。
図１は本発明の一実施形態によるミストシステムの斜視図であり、図２は本発明の一実施形態によるミストシステムの概略構成図であり、図３は本発明の一実施形態によるミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態によるミストシステム２は、浴室３に設けられる。ミストシステム２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器（水回り機器）として機能する。
図１は本発明の一実施形態によるミストシステムの斜視図であり、図２は本発明の一実施形態によるミストシステムの概略構成図であり、図３は本発明の一実施形態によるミストシステムを浴槽本体の長辺方向に沿って切った概略断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態によるミストシステム２は、浴室３に設けられる。ミストシステム２は、吐水された水を受ける水受け部分を有する水受け機器（水回り機器）として機能する。
【0023】
ミスト装置１は、浴槽本体６に用いられるミスト装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含まれる。
ミストシステム２は、ミスト装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。ミストシステム２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。ミストシステム２は、後述するように、浴槽本体６内に、室温よりも加温された温水層Ｘ（図２参照）と、温水層の上方の滞留空間４内において加温されているミストにより形成されたミストの滞留層Ｃと、が形成されるように構成されている。浴室３は、浴槽本体６のみが配置される部屋に限られず、トイレ、手洗い機器、洗面台、又はこれらの組合せを備えていてもよい。
ミストシステム２は、ミスト装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。ミストシステム２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。ミストシステム２は、後述するように、浴槽本体６内に、室温よりも加温された温水層Ｘ（図２参照）と、温水層の上方の滞留空間４内において加温されているミストにより形成されたミストの滞留層Ｃと、が形成されるように構成されている。浴室３は、浴槽本体６のみが配置される部屋に限られず、トイレ、手洗い機器、洗面台、又はこれらの組合せを備えていてもよい。
【0024】
浴槽本体６は、ミストシステム２の浴槽本体６が配置される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する。浴槽本体６は、浴槽蓋のない状態で上方に開口する滞留空間４を形成する。浴槽本体６は、浴槽であり、内側の滞留空間４内に水が貯水できるようになっている。浴槽本体６は、上面視で長方形に形成され、長方形の長辺側に長辺側部分６ｄが形成され、短辺側に短辺側部分６ｅが形成されている。短辺側部分６ｅは、長辺側部分６ｄに比べて浴槽の幅が短くなっている。浴槽本体６のミスト供給部１０と対向する短辺側側壁６ｆ（図３参照）は、上方が外側に傾斜するように形成されている。浴槽本体６は、例えば２００Ｌ～５００Ｌの範囲内の容積を有している。例えば、浴槽本体６は、３００Ｌの容積であり、浴槽本体６の温水層Ｘの容積は、１３０Ｌであり、滞留空間４の容積は１７０Ｌ（水が貯水されていない場合は例えば３００Ｌ）である。
【0025】
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図３に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され（温水層Ｘが形成され）、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図３においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような凹凸形状とされてもよい。ミストシステム２は、ミスト供給部から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成されている。
【0026】
供給装置７は、浴槽本体６や洗い場側の水栓装置等に水を供給する供給装置である。供給装置７は、例えば給湯機であり、水道等の供給源から供給され加温されていない水や、加熱された水(いわゆる湯)を供給することができる。供給装置７は、浴槽本体６に形成された給水口６ｇと接続され、給水口６ｇから浴槽本体６内に水を供給できるように構成されている。供給装置７は、給水路１４を介してミスト装置１とも接続され、水をミスト装置１にも供給できる。なお、ミスト装置１は、供給装置７を介さずに、水道等の給水源と直接に接続されていてもよい。また、ミスト装置１には、供給装置７と給水源の両方が接続されていてもよい。供給装置７には、水道等の給水源から水が供給される。供給装置７は、給水制御部２５と電気的に接続されている。本実施形態の供給装置７は、浴槽本体６内の水を取水口である給水口６ｇから取込んだ上で内部でこの水を加熱して浴槽本体６内に戻す追い焚き装置としての機能を有している。追い焚き装置は、浴槽本体６内にすでに貯水されている水を再加熱する。なお、供給装置７は、追い焚き装置としての機能を有していなくともよい。なお、供給装置７は、給水口６ｇから浴槽本体６内に水を供給しているが、変形例として、供給装置７は、浴槽本体６に設けられた浴槽本体への給水用の水栓装置と接続され、この水栓装置から浴槽本体６内に水を供給してもよい。なお、浴槽本体６への給水用の水栓装置は、供給装置７を介さずに、給水源と直接接続されていてもよい。また、水栓装置には、供給装置７と給水源の両方が接続されていてもよい。
【0027】
次に、図１乃至図７により、上述した本発明の一実施形態によるミストシステムをより詳細に説明する。
ミストシステム２は、ミスト装置１を備える。図３に示すように、ミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０と、浴室３内の室温を調整するように温風や冷風を送出可能な浴室空調機８０（図１参照）と、ヒータ２０と、使用者の操作入力を受け付けるミスト装置操作部２８と、ミスト生成部８におけるミストの生成やミスト供給部１０によるミストの供給を制御するミスト装置制御部２６と、を備えている。ミスト装置１は、横長の箱型のケーシング９（図４参照）内にミスト生成部８が設けられ、ミスト生成部８と接続されたミスト供給部１０がケーシング９の正面側から下方に延びるように形成されている。
ミストシステム２は、ミスト装置１を備える。図３に示すように、ミスト装置１は、貯水された水からミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０と、浴室３内の室温を調整するように温風や冷風を送出可能な浴室空調機８０（図１参照）と、ヒータ２０と、使用者の操作入力を受け付けるミスト装置操作部２８と、ミスト生成部８におけるミストの生成やミスト供給部１０によるミストの供給を制御するミスト装置制御部２６と、を備えている。ミスト装置１は、横長の箱型のケーシング９（図４参照）内にミスト生成部８が設けられ、ミスト生成部８と接続されたミスト供給部１０がケーシング９の正面側から下方に延びるように形成されている。
【0028】
ミスト生成部８は、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成する。よって、ミスト生成部８は、浴室内の室温よりも加温されているミストを生成する。よって、加温されているミストにはミスト生成後に加温されたものも含まれる。ミスト生成部８は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅの上方において壁Ｗに取付けられている。
【0029】
図５に示すように、ミスト生成部８は、内部に水を貯める貯水部１２と、水を給水源から貯水部１２に給水する給水路１４と、水を貯水部１２から排水管に排水する排水路１６と、貯水部１２の内側の底部に設けられた超音波振動子１８と、貯水部１２の内側に設けられた水温検知手段である水温計測器２２と、貯水部１２の外側に設けられた気温検知手段である室内温度計測器２４（図３参照）と、貯水部１２内の水の水位の上昇により、フロートが軸部上を給水規定水位まで上昇したときに給水停止信号を発信するフロートスイッチ２９と、貯水部１２内の水の水位が給水規定水位Ｑ１を超えてさらに上昇し、水が上端開口部の高さ位置を上回ってオーバーフローした際には、水が上端開口部３８ｂから排水管側に排水されるようになっているオーバーフロー管３１と、を備えている。
【0030】
貯水部１２は、直方体形状のミスト生成部８の内部の貯水空間として形成されている。貯水部１２の上部に給水路１４が接続され、貯水部１２の下部に排水路１６が接続されている。貯水部１２の中央近傍の側壁にミスト供給部１０が接続されている。給水路１４には、給水路１４を開閉する給水路電磁弁３０が設けられている。給水路１４は、供給装置７に接続されている。排水路１６には、排水路１６を開閉する排水路電磁弁３２が設けられている。また、排水路１６には、貯水部１２から水を排水させるための排水ポンプ３３が設けられている。また、オーバーフロー管３１は、貯水部１２内の給水側部１２ａに設けられている。オーバーフロー管３１の上端は、給水規定水位Ｑ１よりわずかに上方に位置し、貯水部１２内の水が溢れ出ないように構成されている。貯水部１２の下部には、故障等による漏水を排出する排出弁４１が設けられている。
【0031】
超音波振動子１８は、貯水部１２内の水に超音波を発振して、液面の水を振動させ、液面に生じた水柱から水を微粒子状に分離させ、所定の粒径のミスト（霧）を生じさせることができる。超音波振動子１８は、ミスト装置制御部２６と電気的に接続され、超音波振動子１８の超音波の発振出力、周波数等を調整することにより、発生させるミストの粒径を変更できるようになっている。超音波振動子１８は、所定の発振出力によりザウタ―平均粒径が３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるミストを生じさせるようになっている。超音波振動子１８は、所定の粒径のミストを生じさせる他の装置、例えばスチームによるミスト装置、圧力噴霧によるミスト装置、アーク放電によるミスト装置等に変更されてもよい。また、本実施形態においては、超音波振動子１８は、貯水部１２内に複数並んで設けられている。超音波振動子１８は、ミスト装置１のケーシング内において超音波振動子１８を駆動させる発振器１９（図４参照）と接続されている。
【0032】
ヒータ２０は、ミスト生成部８内の貯水部１２の内側の水中の底部に設けられている。ヒータ２０は、貯水部１２内の水を加熱するように構成されている。ヒータ２０は、ミスト生成部８内の貯水部１２内に限られず、貯水部１２内の空中に設けられてもよく、ミスト供給部１０に設けられてもよい。よって、ヒータ２０は、貯水部１２内のミスト又は空気を加熱するように構成されていてもよい。例えば、ヒータ２０は、供給装置７から供給された水（例えば４０℃程度まで加温された水）を６０℃以上まで加熱することができる。
【0033】
水温計測器２２は、貯水部１２内の水の水温を検知する。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２と電気的に接続され、ミスト装置制御部２６が貯水部１２内の水の水温を認識できる。水温計測器２２は、例えばサーミスタである。室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５の貯水部１２の外側の空気の温度を検知する。ミスト装置制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、ミスト装置制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、ミスト装置制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
【0034】
フロートスイッチ２９は、水位と連動して上下動できるフロートを有している。フロートスイッチ２９は、水位がフロート上端の給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知できる。また、フロートスイッチ２９は、水位がフロート下端の下端水位に到達したことも検知できる。このような給水規定水位の検知と、下端水位の検知は別々のフロートにより行われていてもよい。フロートスイッチ２９は、ミスト装置制御部２６と電気的に接続されている。
【0035】
ミスト供給部１０は、ミスト生成部８により生成されたミストを、浴槽本体６が配置される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１０は、後述するように、滞留空間４内に滞留されるミストを浴槽本体６内に供給する。
【0036】
ミスト供給部１０は、ミスト生成部８により生成されたミストを、浴槽本体６が配置される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１０は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅの上方に配置されている。ミスト供給部は上記浴槽本体内の水の溢れ部より上方に配置される。ミスト供給部１０は、図３に示す流路の断面により示されるように、ミスト生成部８から滞留空間４の一端の上部まで横向きに延びるミスト供給流路１１と、ミスト供給流路１１の下流端と接続され下方向きに開口する出口であるミスト供給口部１３を備える。ミスト供給流路１１は、正面から（滞留空間４側から）見て、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給口部１３は、ミスト供給流路１１の下流端から下方向に延びている。ミスト供給口部１３は、下方側に延びるダクト状の流路を形成している。ミスト供給口部１３は、下方向きに開口する開口部を形成している。ミスト供給口部１３は、その開口部の正面から見た場合（ミスト供給口部１１３の下方から上方を見た場合）、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給口部１３の下端１３ａは、浴槽本体６内の水の溢れ面６ｂより上方に配置される。よって、浴槽本体６内の水が汚水の流れとしてミスト供給口部１３から上流側に侵入することを抑制できる。変形例として溢れ面６ｂは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口でもよい。
【0037】
ミスト供給部１０は、例えば、０．０３ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌ～１．５ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌの範囲の単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。ミスト供給部１０は、例えば、浴槽本体６の体積３３０Ｌの滞留空間４に１１ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。また、例えば、ミスト供給部１０は、他の水受け機器等の体積４．３２Ｌの滞留空間４に６ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。
【0038】
ミストシステム２のミスト装置１は、滞留空間４内に滞留状態を形成するミストを滞留空間４内に供給する。ミスト装置１は、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。
【0039】
ミスト装置１は、ミスト供給部１０から供給されたミストが上記浴槽本体内から上方に向かう上昇気流の力を利用しながら、滞留状態と近い密度状態を有するミストの立上雲状体を上記浴槽本体の溢れ部より上方まで立ち上がるように形成した後、供給されたミストがミストの滞留層Ｃを上記浴槽本体の上記滞留空間内に形成するように構成される。よって、ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミストの立上雲状体（例えば図３０に示すように浴槽本体６の上縁である溢れ面６ｂを超えてさらに上昇する所定の密度のミストの集合体）を上記浴槽本体の溢れ部より上方まで立ち上がるように形成した後、供給されたミストがミストの滞留層を上記浴槽本体６の滞留空間４内に形成するようなミストを供給する。滞留層Ｃは完全な層である必要は無く、ミストの雲状体が層を形成するように一定の高さに存在していればよい。ミスト装置１は、ミストの立上雲状体を形成する程度まで上昇しつつも、滞留状態に戻れるミストを供給している。なお、ミスト装置１は、ミストの立上雲状体を形成せずにミストの滞留層Ｃを形成してもよい。
【0040】
ミスト装置１は、供給されたミストがミストの滞留層を上記浴槽本体の上記滞留空間内に形成した後、上記滞留空間内のミストの一部を上記浴槽本体の水の溢れ部よりも上方まで上昇させるように構成されている。ミスト装置１は、例えばミスト雰囲気温度を利用した上昇力により、滞留空間内のミストの一部を上記浴槽本体の水の溢れ部よりも上方まで上昇させるように構成されている。ミスト装置は、上記ミスト供給部から供給された上記浴槽本体内のミストの温度（ミスト雰囲気温度）と、ミストの供給開始前の上記浴槽本体が使用される浴室内の温度との温度差により上記浴槽本体内のミストに上方に向かう上昇力を生じさせるようになっている。
【0041】
浴室空調機８０は、浴槽本体６の設けられた空間内の温度よりも高い温度の温風、空間内の温度よりも高い温度の冷風、空間内の温度とほぼ同じ温度の送風を送出可能である。浴室空調機８０は、浴室の天井に設けられている。ミストシステム２は、浴室空調機８０を制御して浴室内の温度を調整でき、浴槽本体６内に貯留される水の温度とミストの供給開始前の浴槽本体６が使用される浴室内の温度との温度差により浴槽本体６内から上方に向かう上昇気流を制御できるように構成されている。なお、ミスト装置１は、浴室内の温度が適切な温度であるような場合には、浴室空調機８０を作動させずに、上昇気流を形成させてもよい。すなわち、ミストシステム２は、必ずしも浴室空調機８０を備えなくてもよい。
【0042】
ミスト装置操作部２８は、浴室内の浴槽本体６の周囲の壁面に設けられている浴室操作部２８ａと、さらに浴室外の壁面に設けられている浴室外操作部２８ｂとを備えている。浴室外操作部２８ｂは例えば浴室の手前の部屋や廊下等に設けられている。ミスト装置操作部２８は、無線通信等により遠隔操作可能な操作部で構成されてもよい。例えば、ミスト装置操作部２８は、所定のプログラムを使用することにより使用者のスマートフォン等により構成され、インターネットを介してミスト装置制御部２６と接続されてもよい。
【0043】
図６に示すように、ミスト装置操作部２８は、例えば、ミストなし入浴用の給水を行うための「湯ボタン」と、ミスト入浴用の給水を行うための「湯ミストボタン」とを備えている。ミスト装置操作部２８は、例えば、「湯ボタン」が押された（選択された）場合に、次の階層のボタンとして、ミストなし入浴用（ミストを供給しない入浴用）の浴槽本体内に貯水する水量を設定する「ミストなし入浴用水量設定ボタン」と、ミストなし入浴用（ミストを供給しない入浴用）の浴槽本体内への給水を開始させる「ミストなし入浴用給水開始操作ボタン」とを表示させる。ミスト装置操作部２８は、例えば、「湯ミストボタン」が押された（選択された）場合に、次の階層のボタンとして、ミスト入浴用（ミストを供給する入浴用）の浴槽本体内に貯水する水量を手動で設定する「ミスト入浴用水量設定ボタン（手動）」と、ミスト入浴用（ミストを供給する入浴用）の浴槽本体内に貯水する水量を自動で設定する「ミスト入浴用水量設定ボタン（自動）」と、ミスト入浴用（ミストを供給する入浴用）の浴槽本体内への給水を開始させる「ミスト入浴用給水開始操作ボタン」と、浴槽本体内へのミスト供給の準備を開始させる「ミスト準備開始操作ボタン」とを表示させる。
【0044】
給水制御部２５は、浴槽本体６や洗い場側の水栓装置への水の供給を制御する。給水制御部２５は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいて水の給水、後述する所定のモード等を実行するように接続された機器を制御する。給水制御部２５は、供給装置７、操作部２７、ミスト装置制御部２６、浴室空調機８０等と電気的に接続されている。これらの電気的な接続は、無線通信等により行われてもよい。給水制御部２５とミスト装置制御部２６、及び／又は操作部２７等との電気的な接続は、無線通信等により行われてもよい。例えば、給水制御部２５とミスト装置制御部２６、及び／又は操作部２７等とは、無線通信により制御されてもよい。
【0045】
給水制御部２５は、ミスト装置１の動作とは独立して、浴槽本体６に水を供給するように動作できる。なお、給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６と連携することにより、ミスト装置１の動作と関係して動作することも可能となっている。給水制御部２５と、ミスト装置制御部２６とは、相互に通信しており一つの制御部として機能している。このように、給水制御部２５と、ミスト装置制御部２６とは、本実施形態においては別の制御部として説明されているが、一つに統合された形態の制御部であってもよく、又はさらに細分化される等の異なる形態の制御部として存在していてもよい。
【0046】
給水制御部２５は、制御部として、操作指令を受けて浴槽本体６内のミストの滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を設定できる水位設定モード２５ａを備える。給水制御部２５の水位設定モードは、浴槽本体６内のミストの滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を無くす機能を有するように設定される。給水制御部２５は、温水層の水位の設定について使用者の操作指令を必要とせず所定のプログラムの判断により浴槽本体６内のミストの滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位が自動設定される水位自動設定モード２５ｂを備える。給水制御部２５の水位自動設定モード２５ｂの所定のプログラムは、例えば室内温度計測器２４により計測された温度に基づいて季節等の時期を判定し、判定した時期ごとに温水層Ｘの水位を設定する。例えば夏期は湯量を少なくし、冬期は湯量を多くする。また、所定のプログラムは、例えば事前に入力された情報、使用者の体格等に応じて、水位を設定する。水位自動設定モード２５ｂの設定によれば、給水制御部２５は、操作指令を受けて動作する水位設定モード２５ａを実行させずに、水位自動設定モード２５ｂを実行するように設定できる。供給装置７が追い焚き装置としての機能を有する場合には、水位自動設定モード２５ｂは、追い焚き装置の取水口である給水口６ｇよりも高い位置に温水層Ｘの水位を自動設定する。
なお、給水制御部２５は、水位設定モード２５ａと水位自動設定モード２５ｂとのうちいずれか一方を備える形態により構成されてもよい。
なお、給水制御部２５は、水位設定モード２５ａと水位自動設定モード２５ｂとのうちいずれか一方を備える形態により構成されてもよい。
【0047】
給水制御部２５は、温水層Ｘの水位の設定を複数記憶する機能を備えている。給水制御部２５は、このような機能により、水位設定モード２５ａ及び水位自動設定モード２５ｂのいずれにおいても温水層Ｘの水位の設定を複数記憶させておくことができる。よって、個々の使用者に合わせた設定を複数記憶でき、また同じ使用者に対しても異なる水位の設定を複数記憶できる。また、自動設定される水位についても、状況に応じたより細かい水位の設定が可能となる。給水制御部２５は、ミストの滞留層Ｃの下方に形成された温水層Ｘを形成する温水層形成モード２５ｄを、ミストを供給しない入浴用の浴槽本体６への給水のための給水モード２５ｅと、別のモードとして備えている。給水制御部２５は、温水層形成モード２５ｄにおいて所定の水位の温水層Ｘを形成するように給水を行う。給水制御部２５は、給水モード２５ｅにおいてミストを供給しないような一般的な入浴用に浴槽本体６内に所定の水位の水を貯めるように給水を行う。
【0048】
給水制御部２５は、浴槽本体６内に温水層Ｘを形成する温水層形成モード２５ｄを備えている。給水制御部２５は、温水層形成モード２５ｄにより温水層Ｘを形成した後に、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させるようになっている。給水制御部２５は、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させた後に、温水層形成モード２５ｄにより温水層Ｘを形成させてもよい。給水制御部２５は、温水層形成モード２５ｄにより温水層Ｘを形成させながら、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させてもよい。給水制御部２５は、さらに、浴槽本体６内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モード２５ｆを備えている。給水制御部２５は、浴槽本体６の内部に連通する排水弁等（図示せず）を操作して浴槽本体６の水位を減少させることも可能となっている。供給装置７は水位変更モード２５ｆを実現するために水を排水する排水弁等を備えている。給水制御部２５が水位変更モード２５ｆを備えていることにより、例えば、前の使用者よりも次の使用者が設定した水位の方が高い（又は低い）場合は、次の使用者からの操作指令を受けて、給水制御部２５が浴槽本体６内の水を排水し（又は浴槽本体６内に水を供給し）、次の使用者が設定した水位に変更する。そのため、次の使用者が自身で水位を変更せずとも、使用者に応じた水位の設定が容易となる。従って、使用者の使い勝手をより向上させることができる。
【0049】
操作部２７は、浴室内の浴槽本体６の周囲の壁面に設けられている浴室操作部２７ａと、さらに浴室外の壁面に設けられている浴室外操作部２７ｂとを備えている。浴室外操作部２７ｂは例えばキッチンや廊下等に設けられている。操作部２７は、無線通信等により遠隔操作可能な操作部で構成されてもよい。例えば、操作部２７は、所定のプログラムを使用することにより使用者のスマートフォン等により構成されてもよい。
【0050】
ミスト装置操作部２８は、使用者の操作指令（操作入力）をミスト装置制御部２６に伝達する。ミスト装置操作部２８は、浴室内の浴槽本体６の周囲の壁面に設けられている。なお、ミスト装置操作部２８は、さらに任意的に浴室外の壁面に設けられていてもよい。ミスト装置操作部２８は、無線通信等によりミスト装置制御部２６と電気的に接続された遠隔操作可能な操作部、例えばリモコン端末やスマートフォン等のミスト装置操作部２８により構成され、インターネットを介して給水制御部２５と接続されてもよい。ミスト装置操作部２８は、ミストを供給する場合のミストシステム２への水の貯水操作、水の温度設定等も行うことができる。ミスト装置操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。
【0051】
ミスト装置制御部２６は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいてミストの生成、後述する所定のモード等を実行するように接続された機器を制御する。ミスト装置制御部２６は、超音波振動子１８、ヒータ２０、水温計測器２２、室内温度計測器２４、ミスト装置操作部２８、浴室空調機８０等と電気的に接続されている。ミスト装置制御部２６は、さらに、給水路１４に設けられた給水路電磁弁３０と、排水路に設けられた排水路電磁弁３２とも電気的に接続され、これらを制御できる。ミスト装置制御部２６とミスト装置操作部２８等との電気的な接続は、無線通信等により行われてもよい。例えば、ミスト装置制御部２６は、スマートフォン等のミスト装置操作部２８によりインターネットを介して無線通信により制御されてもよい。
【0052】
ミスト装置制御部２６は、制御部として、ミスト生成部を制御する機能を備えている。ミスト装置制御部２６は、ミスト生成部８によりミストを生成させるミスト生成モード２６ａを備えている。ミスト装置制御部２６は、これらのモードを記憶装置に記憶されたプログラムにより実行できる。ミスト生成モードは、本実施形態において開示されているミスト生成部８の動作の全てを実行するものである必要は無く、動作のうち少なくともミストを生成させる動作を実行させるものであればよい。
【0053】
次に、図２、図７乃至図１２により、上述した本発明の一実施形態によるミスト装置の動作を説明する。
図３に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路電磁弁３０及び排水路電磁弁３２は閉弁されている。貯水部１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒータ２０は停止された状態である。
図３に示すように、ミスト装置１の動作の開始前の待機状態においては、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路電磁弁３０及び排水路電磁弁３２は閉弁されている。貯水部１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒータ２０は停止された状態である。
【0054】
使用者がミスト装置操作部２８を操作しミスト装置１のミストの供給制御を開始させる。ミストの供給開始前に、室内温度計測器２４は、室内空間５の空気の温度を測定し、ミスト装置制御部２６は、室内空間５の空気の温度を認識する。ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を開弁し、水を給水路１４から貯水部１２内に供給する。排水路電磁弁３２は閉弁されたままである。貯水部１２内に予め決められた水量の水が貯溜されると、給水路電磁弁３０は閉弁される。次に、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０を作動させ、水を給水された水の水温から６０℃以上まで加熱する。ミスト装置制御部２６は、水が６０℃以上まで加熱された後、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前のミストシステム２が使用される浴室３内の温度との温度差が、０℃以上とされるように、貯水部１２内の水の温度をヒータ２０の起動及び停止により調整する。次いで、ミスト装置制御部２６は、ミスト生成モードを実行して、超音波振動子１８を作動させ、貯水部１２内にミストを生じさせる。
【0055】
図７においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内へのミストの供給が開始された直後の状態が示される。
貯水部１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、矢印Ｆ１に示すように、ミスト供給部１０から、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
貯水部１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、矢印Ｆ１に示すように、ミスト供給部１０から、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
【0056】
図８においては、ミストの供給開始から約数秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前のミストシステム２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。ミストは、ミスト供給部１０側から徐々に供給及び追加され、滞留空間４内の水面上又は底部上においてミスト供給部１０側から反対側の短辺に向けて徐々に進む。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前のミストシステム２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。ミストは、ミスト供給部１０側から徐々に供給及び追加され、滞留空間４内の水面上又は底部上においてミスト供給部１０側から反対側の短辺に向けて徐々に進む。
【0057】
【0058】
図１０に示すように、ミストが浴槽本体６の反対側の短辺まで到達した図９の状態からミストの立上雲状体Ｒが浴槽本体６の溢れ面６ｂより上方まで立ち上がるように形成される。ミスト供給部１０から供給されたミストは、ミスト供給部１０と反対側の短辺側部分６ｅ側の短辺側側壁６ｆに沿って上昇し、上縁である溢れ面６ｂを超えてさらに上昇する。所定の密度のミストの集合体（立上雲状体Ｒ）が溢れ面６ｂより上方まで形成される。立上雲状体Ｒにおいては、ミストが空気中に一定以上の濃度となっている。後述するような滞留空間４外部に配置されたレーザー装置と、レーザーを受ける透過率計測装置とを立上雲状体Ｒの形成される場所に配置することにより、立上雲状体Ｒの透過率を測定し、透過率が、好ましくは少なくとも９０％より小さい値とされ、より好ましくは８０％～５％の範囲内の値とされ、さらに、このような測定値の透過率が１秒以上持続する場合に、所定の密度の立上雲状体Ｒが形成されていると判定できる。立上雲状体Ｒは、滞留層Ｃの密度に比較的近いミストの密度を有している。一定以上の密度のミストの集合体が溢れ面６ｂより上方まで立ち上がったものを、立上雲状体Ｒとしている。立上雲状体Ｒは、ミストの滞留層Ｃと連続して形成されており、立上雲状体Ｒは、ミストの滞留層Ｃ（ミストが滞留している部分）から上方に延びるように形成されている。
【0059】
ミストの供給開始時点から、浴槽本体６内に貯留される水の温度とミストの供給開始前の浴槽本体６が使用される浴室内の温度との温度差により浴槽本体６内から上方に向かう上昇気流が形成されている。よって、ミストが供給開始直後から上昇気流により上昇しやすくなっており、立上雲状体Ｒが溢れ面６ｂより上方に向けて形成されやすくなっている。
【0060】
図１０に示すように、立上雲状体Ｒが溢れ面６ｂより約２０ｃｍ～約３０ｃｍ上方まで立ち上がった後、一部のミストは浮遊や放散し、大半のミストは再び徐々に浴槽本体６内の滞留空間４に向けて戻るように下降する、また一部のミストは移動の途中で気化して消滅する。溢れ面６ｂより上方まで立ち上った立上雲状体Ｒは、一部のミストが気化することにより周囲の熱を吸収して周囲を冷却する効果を有する。従って、仮に使用者の顔がこの短辺側部分６ｅ側に近い位置にある場合、ミストの領域を使用者の顔の近傍領域に立ち昇らせることができ、立上雲状体Ｒの一部のミストの気化熱により、使用者の顔の周囲を冷却する効果を有する。従って、使用者の顔をやや冷却する効果を与えることができる。一方で、ミストの一部が一時的に溢れ面６ｂより上方まで上昇したとしても、ミストの主流が浴槽本体６から拡散しつつ立ち上り続けてしまうような流れは形成されず、ミストの主流は、滞留空間４内（主に溢れ面６ｂより下方の領域内）において滞留しており、滞留空間４内において滞留層Ｃを形成している。この間も、ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。
【0061】
図１１に示すように、図１０の状態からさらにミストが滞留空間４内に供給されるとともに、立上雲状体Ｒから下降するミストが滞留空間４内に再び戻って滞留している。
図１２に示すように、ミストがさらに供給されると、増加されたミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになる。ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストは水Ｂに落下して吸収されることにより消失する、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着されることにより消失する、又は浴槽本体６の上端部６aの縁を超えて拡散する。消失するまでの時間はミストの粒径によって異なる。このようにミストは消失又は拡散されるものの、消失や拡散するまでに新しいミストが供給されることにより、滞留空間４内にミストの滞留層を形成できる。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留空間４の頂部までミストが満たされているように滞留層Ｃが視認される。
図１２に示すように、ミストがさらに供給されると、増加されたミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになる。ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストは水Ｂに落下して吸収されることにより消失する、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着されることにより消失する、又は浴槽本体６の上端部６aの縁を超えて拡散する。消失するまでの時間はミストの粒径によって異なる。このようにミストは消失又は拡散されるものの、消失や拡散するまでに新しいミストが供給されることにより、滞留空間４内にミストの滞留層を形成できる。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留空間４の頂部までミストが満たされているように滞留層Ｃが視認される。
【0062】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０（図２参照））に、上記浴槽本体６の深さＬ１に相当する高さを加えた高さ位置Ｍ１よりも下方に形成される。滞留境界面６６はミストが空気中に一定以上の濃度となっている滞留層Ｃと、ミストが空気中に一定未満の濃度となっている空気層Ｊとの間の境界領域を示している。滞留境界面６６は、ミストが滞留しながらある程度動いているため、上下方向にやや高さを持った領域として規定される。なお、浴槽本体６の溢れ部である溢れ面６ｂは、浴槽本体６の側壁のうち最も高さが低い部分、すなわち水が浴槽本体６の上限まで溜まると最初に溢れ出す部分である。
【0063】
例えば、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ部である溢れ面６ｂの高さ位置Ｍ０よりも上方に形成されている。このとき例えば、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）の２００ｍｍ上方の高さ位置Ｍ３よりも下方に形成されてもよく、また例えば、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）の１００ｍｍ上方の高さ位置Ｍ２よりも下方に形成されてもよい。このように、滞留境界面６６が浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さよりも高い位置となる場合には、使用者は浴槽を越える位置までのミスト入浴効果、すなわち湯船より高い高さまでの温浴効果を得ることができる。ミスト生成部８を駆動（使用）している間は、ミストが浴槽本体６内に供給されミストの滞留が継続されている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、ミストの温度と室内の温度との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
【0064】
供給されたミストがミストの滞留層Ｃを浴槽本体６の滞留空間４内に形成した後、滞留空間４内のミストの一部が浴槽本体６の水の溢れ部６Ｃよりも上方まで上昇される。例えば、滞留層Ｃの一部が盛り上がるようにして上昇して溢れ部６Ｃよりも上方まで上昇される。すなわち、比較的短時間において、滞留層Ｃから溢れ部６Ｃよりも上方まで立ち上がる比較的小さい立上雲状体Ｒが形成される。立上雲状体Ｒが形成されているかどうかの判定は、前述同様に透過率により判定可能である。これにより、滞留層が形成された後の滞留空間内のミストの一部が溢れ部よりも上方まで上昇されやすくなり、ミストが上昇して気化され、この気化熱により使用者の顔付近を冷やすことができると共に、身体をミストの滞留層によりミスト浴として温めることができる。
【0065】
図１２に示すように、ミストの滞留層が浴槽本体６の滞留空間４内に形成された後、引き続きミスト供給部１０から浴槽本体６にミストの供給を行うことで、滞留空間４内に入りきれなくなったミストを溢れさせ、ミストを浴槽本体６の隣の床面側に供給することも可能となる。これにより、浴室内の床面からもミストが気化でき、その気化熱により浴室内の空間をより効率よく冷却できる。よって、浴槽本体から出ている使用者の顔をより冷やすことができると共に、身体をミストの滞留層によりミスト浴として温めることができる。使用者がミスト装置１の使用を終了する場合には、使用者はミスト装置操作部２８を操作し、ミスト装置制御部２６のミスト生成モードの実行が終了される。
【0066】
図１２に示すように、ミストシステム２のミスト装置１による供給されるミストは、滞留空間４内に滞留状態を形成できる。このメカニズムについて説明する。
基本的なメカニズムとしては、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じる上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留される。すなわち、ミストの重さがミストを上昇させようとする力よりも大きいことにより、ミストが滞留状態を形成する。従って、ミストシステム２のミスト装置１は、このような条件を満たすミストを供給することにより、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。上昇気流は、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じるがミストの温度（ミストの雰囲気温度）とミストの滞留層を形成している状態における浴室の室温との温度差によっても生じる。ミストの重さには、ミストの粒径とミストの密度が影響する。ミストの供給量が多くなるとミストの密度が高まる及び／又はミスト同士が結合してミストの粒径が大きくなる等してミストの集合体の重さが重くなる。従って、ミストの供給量が多くなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。一方で、ミストの供給量が少なくなるとミストが滞留状態を形成しにくくなる。また、供給されるミストの粒径が大きくなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。また、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成するためには、滞留空間４が大きいほど、ミストの供給量が多く必要となる。滞留空間４が比較的小さい場合には、ミストの供給量が少なくとも、より少ない供給量でミストを満たされやすくなり、ミストの密度が高まりやすくなるため、より少ない供給量で滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。また、ミスト供給時にミストが有している運動エネルギーが大きい場合にはミストが放散しやすくなるので、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。ミストの供給量が比較的少ない場合には、ミストが気化されやすくなるため、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。よって、本発明の発明者らは、このような知見を基にして、以下のように、ミストが滞留空間４内に滞留される条件の知見を得た。
基本的なメカニズムとしては、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じる上昇気流によってミストを上昇させようとする力が、ミスト供給部１０から供給されたミストの重さを超えないことによりミストが滞留空間４内に滞留される。すなわち、ミストの重さがミストを上昇させようとする力よりも大きいことにより、ミストが滞留状態を形成する。従って、ミストシステム２のミスト装置１は、このような条件を満たすミストを供給することにより、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。上昇気流は、浴槽本体６内の水温と浴室の室温との温度差ΔＴによって生じるがミストの温度（ミストの雰囲気温度）とミストの滞留層を形成している状態における浴室の室温との温度差によっても生じる。ミストの重さには、ミストの粒径とミストの密度が影響する。ミストの供給量が多くなるとミストの密度が高まる及び／又はミスト同士が結合してミストの粒径が大きくなる等してミストの集合体の重さが重くなる。従って、ミストの供給量が多くなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。一方で、ミストの供給量が少なくなるとミストが滞留状態を形成しにくくなる。また、供給されるミストの粒径が大きくなるとミストが滞留状態を形成しやすくなる。また、滞留空間４内にミストの滞留状態を形成するためには、滞留空間４が大きいほど、ミストの供給量が多く必要となる。滞留空間４が比較的小さい場合には、ミストの供給量が少なくとも、より少ない供給量でミストを満たされやすくなり、ミストの密度が高まりやすくなるため、より少ない供給量で滞留空間４内にミストの滞留状態を形成できる。また、ミスト供給時にミストが有している運動エネルギーが大きい場合にはミストが放散しやすくなるので、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。ミストの供給量が比較的少ない場合には、ミストが気化されやすくなるため、ミストが滞留状態を形成しにくくなる。よって、本発明の発明者らは、このような知見を基にして、以下のように、ミストが滞留空間４内に滞留される条件の知見を得た。
【0067】
次に、図１３を参照して、ミストが滞留空間４内に滞留状態を形成するか否かを説明する。
図１３に示すように、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を変えて、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるかの評価をおこなった。このとき、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さは５０ｍｍであり、ミストのザウタ―平均粒径は、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。なお、浴槽本体６内に水が貯水されない場合には、浴槽本体６内の水温は、浴槽本体６の温度、すなわち室温として評価される。
図１３に示すように、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を変えて、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるかの評価をおこなった。このとき、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さは５０ｍｍであり、ミストのザウタ―平均粒径は、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。なお、浴槽本体６内に水が貯水されない場合には、浴槽本体６内の水温は、浴槽本体６の温度、すなわち室温として評価される。
【0068】
図１３において、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]に対し、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]を変えて、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、７．９[℃]、１１．５[℃]、１７．０[℃]、２２．０[℃]と見出されている。この複数の温度を通る仮想境界線Ｐ１は、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。同様に、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、４．０[℃]、４．３[℃]、７．６[℃]、８．２[℃]、７．５[℃]と見出されている。この複数の温度を通る仮想境界線Ｐ２は、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。
【0069】
図１３において、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域Ｎ１においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的強い領域であり、滞留空間４内においてミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも小さくなっているため、ミストが上昇気流により滞留空間４より上方に浮遊及び放散されている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ２においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的弱い領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きくなっているため、ミストが上昇気流により上昇されにくく、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストが滞留状態となっている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ３においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が一定程度生じる領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きいものの、ミストの重さと上昇気流により作用される力が比較的近くなっているため、ミストが上昇気流により一旦溢れ面６ｂより上方の位置まで立ち上るように上昇し、立上雲状体を形成した後、徐々にミストが滞留空間４に向けて下降して、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストの滞留状態を形成する。
ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ２においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が比較的弱い領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きくなっているため、ミストが上昇気流により上昇されにくく、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストが滞留状態となっている。
ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域Ｎ３においては、水温と室温との差異から生じる上昇気流が一定程度生じる領域であり、滞留空間４内におけるミストの重さ（重力）が、上昇気流がミストに作用する力よりも大きいものの、ミストの重さと上昇気流により作用される力が比較的近くなっているため、ミストが上昇気流により一旦溢れ面６ｂより上方の位置まで立ち上るように上昇し、立上雲状体を形成した後、徐々にミストが滞留空間４に向けて下降して、滞留空間４内且つ溢れ面６ｂより下方の位置においてミストの滞留状態を形成する。
【0070】
なお、図１４に示すように、ミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂ（上部リム部）からの高さを１１０ｍｍと変更し、図１３と同様の測定が行われた。すなわち、図１４におけるミスト供給部１０の下端の溢れ面６ｂからの高さが、図１３における高さよりもより高くなっている。図１４においては、ミスト供給部１０の下端の高さ以外のパラメータについては、図１３と同様に設定されている。
【0071】
図１４においては、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]に対し、浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]を変えて、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体４の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２[℃]、７．２[℃]、１０．１[℃]、１５．５[℃]、１７．２[℃]、２０．５[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ３は、この複数の温度を通るように算出され、ミストが滞留空間４外に浮遊してミストが滞留空間４内に滞留されない状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。
また、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２．５[℃]、３．３[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ４は、この複数の温度を通るように算出され、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。よって、図１４においても、図１３と同様に、領域Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３が示される。
また、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留されるか、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成されることなくミストが滞留空間４内に滞留されるかの境となるポイントとなる温度差ΔＴ[℃]が０[℃]、２．５[℃]、３．３[℃]と見出されている。仮想境界線Ｐ４は、この複数の温度を通るように算出され、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域と、ミストの立上雲状体が浴槽本体の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となる領域との境を示す。よって、図１４においても、図１３と同様に、領域Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３が示される。
【0072】
図１４においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内に供給されるミストが水面まで落下する高さが、図１３における落下する高さよりも高くなり、ミストが下降中に拡散してミストの密度が下がりやすくなる。よって、滞留空間４内等にミストの重さが軽くなりミストが浮遊及び放散しやすくなる。また、図１４においてミスト供給部１０から滞留空間４内に供給されるミストが水面まで落下する高さが、図１３における落下する高さよりも高くなり、ミストはより速い速度を有する。従って、ミストの速度が予め低い場合と比べて、ミストの速度が比較的速い場合には、ミストの運動エネルギーが高くなり、ミストが浮遊及び放散しやすくなる。また、ミストがミストの供給側と反対側の短辺側部分６ｅに到達した場合に、壁面に沿って上昇しやすくなる。従って、仮想境界線Ｐ３は、仮想境界線Ｐ１よりも低い温度となり、水温と室温との差異から生じる上昇気流がより弱い場合（ΔＴが小さい場合）であっても、ミストが上昇気流により滞留空間４より上方に浮遊及び放散することが分かる。また、仮想境界線Ｐ４は、仮想境界線Ｐ２よりも低い温度となり、水温と室温との差異から生じる上昇気流がより弱い場合（ΔＴが小さい場合）であっても、ミストの立上雲状体が浴槽本体６の溢れ部より上方まで形成された後にミストが滞留空間４内に滞留される状態となることを示している。
【0073】
図１３及び図１４に示すような浴槽本体６内の水温と浴室内の室温との温度差ΔＴ[℃]に対する、ミストの供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]の関係は、浴槽本体６に対して示されている。本発明者らは、同様の関係の傾向が浴槽本体６のみならず浴槽本体６よりも滞留空間４の容積が異なる他の水受け機器、例えば浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンク、トイレ等にも成立することを確認した。例えば、これらの各機器においては、滞留空間４の容積が浴槽本体６内の容積と比べて比較的小さくなる。
図１３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が小さくなる場合には、ミストの密度が高まりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図１３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が大きくなる場合には、ミストの密度が低くなりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。
図１３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が小さくなる場合には、ミストの密度が高まりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図１３に示すような浴槽本体６の滞留空間４の容積に比べて、滞留空間の容積が大きくなる場合には、ミストの密度が低くなりやすくなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。
【0074】
図１３及び図１４においては、超音波振動子１８により生成されるミストの粒径は所定の粒径となっているが、ミストの生成の手段（遠心分離機等）や超音波振動子の周波数等を変更することによりミストの粒径を変更することも可能である。図１３において用いられているミストの粒径に比べて、ミストの粒径が大きくなる場合には、ミストの重さが重くなり、ミストが滞留状態を形成しやすくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ５により示す）。また、図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も上方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ６により示す）。逆に、図１３において用いられているミストの粒径に比べて、ミストの粒径が小さくなる場合には、ミストの重さが軽くなり、ミストが滞留状態を形成しにくくなるので、図１３中の仮想境界線Ｐ１の位置が下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ７により示す）。また、図１３中の仮想境界線Ｐ２の位置も下方に移動される（例えば仮想境界線Ｐ８により示す）。
このようにして、滞留空間４の容積が変わった場合や、ミストの粒径が変わった場合についても図１３及び図１４等に基づいてミストが滞留空間４内に滞留される状態と滞留されない状態との関係を理解可能である。
このようにして、滞留空間４の容積が変わった場合や、ミストの粒径が変わった場合についても図１３及び図１４等に基づいてミストが滞留空間４内に滞留される状態と滞留されない状態との関係を理解可能である。
【0075】
つぎに、図１５～図２４を参照して、本発明の一実施形態によるミストシステム２のミスト入浴用の温水層及びミスト滞留層の形成動作（作用）について説明する。給水制御部２５の水位設定モード２５ａ、水位自動設定モード２５ｂ等により、さまざまなパターンのミスト入浴用の温水層及びミスト滞留層の形成動作が可能となっているので、形成動作の例を説明する。ここで、図１５～図２４において、Ｓは各ステップを示している。
【0076】
先ず、図１５乃至図１７に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、それぞれ使用者の手動操作を受けて行う動作について説明する。図１５乃至図１７を合わせてミスト入浴用の温水層及びミスト滞留層の形成動作が完了する。
先ず、図１５に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用の給水を行う動作について説明する。
Ｓ１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作指令（ミスト入浴用給水開始操作）を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ１を省略してＳ２に進んでもよい。
Ｓ２において、操作部２７が使用者の操作入力により給水開始の操作指令を受け、給水制御部２５が温水層Ｘの形成のための給水を開始させるため、Ｓ３に進む。
Ｓ３において、供給装置７が浴槽本体６内に水の供給を開始し、Ｓ４に進む。
Ｓ４において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位（水量）まで給水したか否かを判定する。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水していないと判断する場合には、Ｓ４に戻る。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水したと判断する場合には、Ｓ５に進む。
Ｓ５において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水されたので、供給装置７による浴槽本体６内への水の供給を終了させ、エンドに進む。
先ず、図１５に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用の給水を行う動作について説明する。
Ｓ１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作指令（ミスト入浴用給水開始操作）を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ１を省略してＳ２に進んでもよい。
Ｓ２において、操作部２７が使用者の操作入力により給水開始の操作指令を受け、給水制御部２５が温水層Ｘの形成のための給水を開始させるため、Ｓ３に進む。
Ｓ３において、供給装置７が浴槽本体６内に水の供給を開始し、Ｓ４に進む。
Ｓ４において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位（水量）まで給水したか否かを判定する。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水していないと判断する場合には、Ｓ４に戻る。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水したと判断する場合には、Ｓ５に進む。
Ｓ５において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水されたので、供給装置７による浴槽本体６内への水の供給を終了させ、エンドに進む。
【0077】
また、図１６に示すように、ミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用のミスト供給の準備を行う動作について説明する。
Ｓ１１において、ミスト装置操作部２８がミスト入浴用のミスト供給の準備開始のための使用者の操作入力を受け、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始するため、Ｓ１２に進む。
Ｓ１２において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始し、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を開状態とさせ、給水路１４から貯水部１２に給水を開始させ、Ｓ１３に進む。
Ｓ１３において、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内に水が所定量まで給水されたか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知しておらず、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されていないと判断する場合には、Ｓ１３に戻る。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知し、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されたと判断する場合には、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を閉状態とさせ、給水路１４から貯水部１２への給水を停止させ、Ｓ１４に進む。
Ｓ１４において、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０による水の加熱を開始させ、Ｓ１５に進む。
Ｓ１１において、ミスト装置操作部２８がミスト入浴用のミスト供給の準備開始のための使用者の操作入力を受け、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始するため、Ｓ１２に進む。
Ｓ１２において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始し、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を開状態とさせ、給水路１４から貯水部１２に給水を開始させ、Ｓ１３に進む。
Ｓ１３において、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内に水が所定量まで給水されたか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知しておらず、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されていないと判断する場合には、Ｓ１３に戻る。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知し、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されたと判断する場合には、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を閉状態とさせ、給水路１４から貯水部１２への給水を停止させ、Ｓ１４に進む。
Ｓ１４において、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０による水の加熱を開始させ、Ｓ１５に進む。
【0078】
Ｓ１５において、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下の温度となったか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２が測定した貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下となっていない場合には、貯水部１２において生成されることができるミストの温度が６０℃に到達しておらず、さらなる水の加熱が必要であると判断できるので、Ｓ１５に戻る。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２が測定した貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下となっている場合には、貯水部１２において生成されることができるミストの温度が６０℃に到達したと判断できるので、Ｓ１６に進む。
Ｓ１６において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、エンドに進む。
Ｓ１６において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、エンドに進む。
【0079】
また、図１７に示すように、ミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用のミスト供給を行う動作について説明する。例えば、以下のＳ２１乃至Ｓ２４は、Ｓ１乃至Ｓ５よりも時期的に後のタイミングで実行される。
Ｓ２１において、ミスト装置操作部２８が使用者の操作入力によりミスト供給開始の操作指令を受け、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始させるため、Ｓ２２に進む。
Ｓ２２において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始させた後、ミスト供給の準備が完了しているか否かを判定する。給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備が完了していないと判断する場合には、Ｓ２２に戻る。Ｓ２２に戻る際に、ミスト装置制御部２６がＳ１１が実行されていないと判断する場合には、ミスト装置制御部２６は、Ｓ１２乃至Ｓ１６を実行してから、Ｓ２２に戻る。給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６が別の処理動作により実行されたＳ１６によりミスト供給の準備が完了していると判断する場合には、Ｓ２３に進む。
Ｓ２１において、ミスト装置操作部２８が使用者の操作入力によりミスト供給開始の操作指令を受け、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始させるため、Ｓ２２に進む。
Ｓ２２において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始させた後、ミスト供給の準備が完了しているか否かを判定する。給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備が完了していないと判断する場合には、Ｓ２２に戻る。Ｓ２２に戻る際に、ミスト装置制御部２６がＳ１１が実行されていないと判断する場合には、ミスト装置制御部２６は、Ｓ１２乃至Ｓ１６を実行してから、Ｓ２２に戻る。給水制御部２５は、ミスト装置制御部２６が別の処理動作により実行されたＳ１６によりミスト供給の準備が完了していると判断する場合には、Ｓ２３に進む。
【0080】
Ｓ２３において、ミスト装置制御部２６が超音波振動子１８を駆動させることによりミストを生成させ、ミスト供給を開始させ、Ｓ２４に進む。
Ｓ２４において、ミスト供給部１０から供給されたミストにより、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成される。ミスト装置制御部２６は、使用者のミスト装置操作部２８の操作によりミスト装置操作部２８がミスト供給終了入力を受けた場合には、ミスト装置１のミスト供給動作を終了させるため、エンドに進む。
Ｓ２４において、ミスト供給部１０から供給されたミストにより、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成される。ミスト装置制御部２６は、使用者のミスト装置操作部２８の操作によりミスト装置操作部２８がミスト供給終了入力を受けた場合には、ミスト装置１のミスト供給動作を終了させるため、エンドに進む。
【0081】
次に、図１８に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、一度の使用者の手動操作を受けて一連の動作として行う動作について説明する。ミスト入浴用の浴槽本体への給水をミスト入浴用のミスト供給よりも先に行っている。
Ｓ３１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ３２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ３１を省略してＳ３２に進んでもよい。
Ｓ３２において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ３３、Ｓ３６及びＳ４１をいずれも実行させる。
Ｓ３１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ３２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ３１を省略してＳ３２に進んでもよい。
Ｓ３２において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ３３、Ｓ３６及びＳ４１をいずれも実行させる。
【0082】
Ｓ３３において、給水制御部２５が温水層Ｘを形成させるため、供給装置７が浴槽本体６内に水の供給を開始し、Ｓ３４に進む。
Ｓ３４において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位（水量）まで給水したか否かを判定する。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水していないと判断する場合には、Ｓ３４に戻る。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水したと判断する場合には、Ｓ３５に進む。
Ｓ３５において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水されたので、供給装置７による浴槽本体６内への水の供給を終了させ、エンドに進む。
Ｓ３４において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位（水量）まで給水したか否かを判定する。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水していないと判断する場合には、Ｓ３４に戻る。給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水したと判断する場合には、Ｓ３５に進む。
Ｓ３５において、給水制御部２５は、供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水されたので、供給装置７による浴槽本体６内への水の供給を終了させ、エンドに進む。
【0083】
Ｓ３６において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備を開始し、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を開状態とさせ、給水路１４から貯水部１２に給水を開始させ、Ｓ３７に進む。Ｓ３７において、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内に水が所定量まで給水されたか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知しておらず、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されていないと判断する場合には、Ｓ３７に戻る。ミスト装置制御部２６は、フロートスイッチ２９が水位が給水規定水位Ｑ１に到達したことを検知し、貯水部１２内に水が所定量まで貯水されたと判断する場合には、ミスト装置制御部２６は、給水路電磁弁３０を閉状態とさせ、給水路１４から貯水部１２への給水を停止させ、Ｓ３８に進む。
Ｓ３８において、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０による水の加熱を開始させ、Ｓ３９に進む。
Ｓ３８において、ミスト装置制御部２６は、ヒータ２０による水の加熱を開始させ、Ｓ３９に進む。
【0084】
Ｓ３９において、ミスト装置制御部２６は、貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下の温度となったか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２が測定した貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下となっていない場合には、貯水部１２において生成されることができるミストの温度が６０℃に到達しておらず、さらなる水の加熱が必要であると判断できるので、Ｓ３９に戻る。ミスト装置制御部２６は、水温計測器２２が測定した貯水部１２内の水の水温が６０℃以上且つ６５℃以下となっている場合には、貯水部１２において生成されることができるミストの温度が６０℃に到達してミストの供給準備が完了したと判断できるので、Ｓ４０に進む。
Ｓ４０において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、エンドに進む。
Ｓ４０において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、エンドに進む。
【0085】
Ｓ４１において、ミスト装置制御部２６は、Ｓ３５及びＳ４０となったか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は、Ｓ３５（供給装置７が水を浴槽本体６内に設定した水位まで給水したと判断する）、及びＳ４０（ミストの供給準備が完了したと判断する）の両方を満たしていない場合には、Ｓ４１に戻る。ミスト装置制御部２６は、Ｓ３５及びＳ４０の両方を満たしている場合には、ミストの供給準備が整っていると判断できるので、Ｓ４２に進む。Ｓ４２において、ミスト装置制御部２６が超音波振動子１８を駆動させることによりミストを生成させ、ミスト供給を開始させ、Ｓ４３に進む。Ｓ４３において、ミスト供給部１０から供給されたミストにより、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成される。ミスト装置制御部２６は、使用者のミスト装置操作部２８の操作によりミスト装置操作部２８がミスト供給終了入力を受けた場合には、ミスト装置１のミスト供給動作を終了させるため、エンドに進む。
【0086】
次に、図１９に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、一度の使用者の手動操作を受けて一連の動作として行う動作について説明する。ミスト入浴用のミスト供給をミスト入浴用の浴槽本体への給水よりも先に行っている。
Ｓ５１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ５２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ５１を省略してＳ５２に進んでもよい。
Ｓ５２において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ５３に進む。
Ｓ５３乃至Ｓ５６は、Ｓ３６乃至Ｓ３９と同様であるので説明を省略する。
Ｓ５７において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、ミスト供給を開始させるため、Ｓ５８に進む。
Ｓ５８において、ミスト装置制御部２６が超音波振動子１８を駆動させることによりミストを生成させ、ミスト供給を開始させ、Ｓ５９に進む。
Ｓ５９においては、ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間が経過したか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間、例えば２分間が経過していない場合には、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成されるために十分な時間が経過していないと判断できるので、Ｓ５９に戻る。ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間、例えば２分間が経過した場合には、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成されるために十分な時間が経過したと判断できるので、Ｓ６０に進む。
Ｓ５１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ５２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ５１を省略してＳ５２に進んでもよい。
Ｓ５２において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ５３に進む。
Ｓ５３乃至Ｓ５６は、Ｓ３６乃至Ｓ３９と同様であるので説明を省略する。
Ｓ５７において、ミスト装置制御部２６は、ミスト供給の準備が完了したと判断し、ミスト供給を開始させるため、Ｓ５８に進む。
Ｓ５８において、ミスト装置制御部２６が超音波振動子１８を駆動させることによりミストを生成させ、ミスト供給を開始させ、Ｓ５９に進む。
Ｓ５９においては、ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間が経過したか否かを判定する。ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間、例えば２分間が経過していない場合には、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成されるために十分な時間が経過していないと判断できるので、Ｓ５９に戻る。ミスト装置制御部２６は超音波振動子１８を駆動させてから所定時間、例えば２分間が経過した場合には、浴槽本体６内にミストの滞留状態が形成されるために十分な時間が経過したと判断できるので、Ｓ６０に進む。
【0087】
Ｓ６０乃至Ｓ６２は、Ｓ３３乃至Ｓ３５と同様であるので説明を省略する。給水制御部２５は、Ｓ６２の実行後、エンドに進む。
【0088】
次に、図２０に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、一度の使用者の手動操作を受けて一連の動作として行う動作について説明する。ミスト入浴用のミスト供給をミスト入浴用の浴槽本体への給水と並行して行っている。
Ｓ７１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ７２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ７１を省略してＳ７２に進んでもよい。
Ｓ７２乃至Ｓ７７は、Ｓ５２乃至Ｓ５７と同様であるので説明を省略する。
Ｓ７７において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備が完了したと判断した後、ミスト供給を開始させるため、Ｓ７８を実行すると共に、浴槽本体６内への水の供給を開始させるため、Ｓ８０を実行する。
Ｓ７８及びＳ７９は、Ｓ２３乃至Ｓ２４と同様であるので説明を省略する。
Ｓ８０及びＳ８２は、Ｓ３乃至Ｓ５と同様であるので説明を省略する。
Ｓ７１において、操作部２７がミスト入浴用の水量の設定に関する使用者の操作入力を受け、給水制御部２５が実行する水位設定モード２５ａにより、ミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位が設定され、Ｓ７２に進む。なお、使用者が予めミスト入浴用の水量の設定をし、給水制御部２５がこの水量設定を記憶しているような場合には、Ｓ７１を省略してＳ７２に進んでもよい。
Ｓ７２乃至Ｓ７７は、Ｓ５２乃至Ｓ５７と同様であるので説明を省略する。
Ｓ７７において、ミスト装置制御部２６がミスト供給の準備が完了したと判断した後、ミスト供給を開始させるため、Ｓ７８を実行すると共に、浴槽本体６内への水の供給を開始させるため、Ｓ８０を実行する。
Ｓ７８及びＳ７９は、Ｓ２３乃至Ｓ２４と同様であるので説明を省略する。
Ｓ８０及びＳ８２は、Ｓ３乃至Ｓ５と同様であるので説明を省略する。
【0089】
次に、図２１乃至図２３に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、それぞれ使用者の手動操作を受けて行う動作について説明する。ここで、給水制御部２５が水位自動設定モードにより温水層Ｘの水位を自動設定している。図２１乃至図２３を合わせてミスト入浴用の温水層及びミスト滞留層の形成動作が完了する。
先ず、図２１に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用の給水を行う動作について説明する。
Ｓ９１において、操作部２７が使用者の操作入力により給水開始の操作指令を受け、給水制御部２５が温水層Ｘの形成のための給水を開始させるため、Ｓ９２に進む。
Ｓ９２においては、給水制御部２５は、室内温度計測器２４により検知された浴室の室温を取得し、Ｓ９３に進む。
Ｓ９３においては、給水制御部２５は、水位自動設定モード２５ｂにより浴室の室温等に基づいてミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位を決定し、Ｓ９４に進む。例えば、浴室の室温が１５℃以下であれば、１８０Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水する。また、例えば、浴室の室温が１６℃～２３℃の範囲であれば、１３０Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水し、また例えば、浴室の室温が２４℃以上であれば、１００Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水する。
Ｓ９４乃至Ｓ９６は、Ｓ３乃至Ｓ５と同様であるので説明を省略する。給水制御部２５は、Ｓ９６を実行後、エンドに進む。
図２２に示すようなＳ１０１乃至Ｓ１０６は、Ｓ１１乃至Ｓ１６と同様であるので説明を省略する。
図２３に示すようなＳ１１０乃至Ｓ１１３は、Ｓ２１乃至Ｓ２４と同様であるので説明を省略する。
先ず、図２１に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６が使用者の手動操作を受けてミスト入浴用の給水を行う動作について説明する。
Ｓ９１において、操作部２７が使用者の操作入力により給水開始の操作指令を受け、給水制御部２５が温水層Ｘの形成のための給水を開始させるため、Ｓ９２に進む。
Ｓ９２においては、給水制御部２５は、室内温度計測器２４により検知された浴室の室温を取得し、Ｓ９３に進む。
Ｓ９３においては、給水制御部２５は、水位自動設定モード２５ｂにより浴室の室温等に基づいてミスト入浴用の水量である温水層Ｘの水位を決定し、Ｓ９４に進む。例えば、浴室の室温が１５℃以下であれば、１８０Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水する。また、例えば、浴室の室温が１６℃～２３℃の範囲であれば、１３０Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水し、また例えば、浴室の室温が２４℃以上であれば、１００Ｌの水量を温水層Ｘとして貯水する。
Ｓ９４乃至Ｓ９６は、Ｓ３乃至Ｓ５と同様であるので説明を省略する。給水制御部２５は、Ｓ９６を実行後、エンドに進む。
図２２に示すようなＳ１０１乃至Ｓ１０６は、Ｓ１１乃至Ｓ１６と同様であるので説明を省略する。
図２３に示すようなＳ１１０乃至Ｓ１１３は、Ｓ２１乃至Ｓ２４と同様であるので説明を省略する。
【0090】
次に、図２４に示すように、給水制御部２５及びミスト装置制御部２６がミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給を、一度の使用者の手動操作を受けて一連の動作として行う動作について説明する。ここで、給水制御部２５が水位自動設定モードにより温水層Ｘの水位を自動設定している。
Ｓ１２１において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ１２２、Ｓ１２７及びＳ１３２をいずれも実行させる。
Ｓ１２２乃至Ｓ１２６は、Ｓ９２乃至Ｓ９６と同様であるので説明を省略する。
Ｓ１２７乃至Ｓ１３１は、Ｓ３６乃至Ｓ４０と同様であるので説明を省略する。
Ｓ１３２乃至Ｓ１３４は、Ｓ４１乃至Ｓ４３と同様であるので説明を省略する。
Ｓ１２１において、操作部２７が使用者の操作入力（ミスト入浴開始操作）によりミスト入浴開始の操作指令（ミスト入浴用の給水、ミスト入浴用のミスト供給の準備、ミスト入浴用のミスト供給の全てを含むミスト入浴の準備の操作指令）を受けた場合に、Ｓ１２２、Ｓ１２７及びＳ１３２をいずれも実行させる。
Ｓ１２２乃至Ｓ１２６は、Ｓ９２乃至Ｓ９６と同様であるので説明を省略する。
Ｓ１２７乃至Ｓ１３１は、Ｓ３６乃至Ｓ４０と同様であるので説明を省略する。
Ｓ１３２乃至Ｓ１３４は、Ｓ４１乃至Ｓ４３と同様であるので説明を省略する。
【0091】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６内のミストの雰囲気温度の測定方法について説明する。空気の温度を計測できる温度測定装置、例えばサーミスタ９５を用いて浴槽本体６内のミストの雰囲気温度[℃]を測定する。浴槽本体６内のミストの雰囲気温度を測定したいときにサーミスタ９５を配置して測定を行う。サーミスタ９５の温度測定部は、浴槽本体６の長辺の中央部且つ短辺の中央部且つ浴槽本体６内に貯水されている水の表面から溢れ面６ｂまでの高さの中央部に配置され、ミストの温度の測定を行うようになっている。例えば、浴槽本体６内のミストの雰囲気温度は、ミスト供給を開始した後、十分に時間が経過（例えば２５００[ｓ]経過）し、温度上昇がほぼ止まった温度により測定される。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0092】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６内の水温（湯温）の測定方法について説明する。水温を計測できる温度測定装置、例えばサーミスタ９９を用いて浴槽本体６内の水温[℃]を測定する。浴槽本体６内の水温を測定したいときにサーミスタ９９を浴槽本体内の所定位置に配置して水温の測定を行う。サーミスタ９９の温度測定部は、浴槽本体６の長辺の中央部且つ短辺の中央部且つ浴槽本体６内に貯水されている水の深さの中央部に配置され、水温の測定を行うようになっている。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0093】
次に、図２５を参照して、浴槽本体６の設けられた浴室内の室温の測定方法について説明する。ミスト生成部８は、室内温度計測器２４を備えるので、室温は基本的に室内温度計測器２４により測定される。ミスト生成部８が、室内温度計測器２４を備えていない場合や、室内温度計測器２４により室温が測定できない（又はしにくい）場合には、サーミスタ８６を浴室空間内の浴槽本体近傍の所定位置に配置して室温の測定を行う。このサーミスタ８６の温度測定部は、例えば、浴槽本体６の側方側に２００ｍｍの位置且つ浴槽本体の長辺方向に沿って紙面奥側の壁から２００ｍｍ手前側の位置、且つ床面より１０００ｍｍ上方の位置に配置され、室温の測定を行うようになっている。測定時には測定対象の温度に極端な勾配が生じないように留意している。
【0094】
次に、図２６を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの流量の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの流量の流量計測装置９０は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０と、ミスト生成部８とミスト供給部１０とを貯水タンク上に支持する支持構造体９１と、水を貯水する貯水タンク９２と、貯水タンク９２から水をミスト生成部８に供給する給水ポンプ９４と、ミスト供給部１０から供給されるミストを流量計測装置９０の外方に送り出すファン９６と、重量を測定する電子天秤９８と、を備えている。ミスト生成部８の超音波振動子１８は支持構造体９１に取付けられた発振回路９３により駆動される。給水ポンプ９４及びファン９６は、支持構造体９１により支持されている。すなわち、流量計測装置９０は、ミスト生成に用いられる水及びミスト生成に用いるミスト生成部８等が電子天秤９８上に載せられた状態で構成されている。電子天秤９８には、Ａ＆Ｄ社製ＧＦ－３２Ｋを用いる。
ミストの流量の流量計測装置９０は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０と、ミスト生成部８とミスト供給部１０とを貯水タンク上に支持する支持構造体９１と、水を貯水する貯水タンク９２と、貯水タンク９２から水をミスト生成部８に供給する給水ポンプ９４と、ミスト供給部１０から供給されるミストを流量計測装置９０の外方に送り出すファン９６と、重量を測定する電子天秤９８と、を備えている。ミスト生成部８の超音波振動子１８は支持構造体９１に取付けられた発振回路９３により駆動される。給水ポンプ９４及びファン９６は、支持構造体９１により支持されている。すなわち、流量計測装置９０は、ミスト生成に用いられる水及びミスト生成に用いるミスト生成部８等が電子天秤９８上に載せられた状態で構成されている。電子天秤９８には、Ａ＆Ｄ社製ＧＦ－３２Ｋを用いる。
【0095】
流量計測装置９０において、ミスト生成前の状態において、ミスト生成部８、ミスト供給部１０、支持構造体９１、水の貯水されている貯水タンク９２、給水ポンプ９４、及びファン９６の重量（以下、ミスト生成部８等の重量と称する）を、電子天秤９８に載せた状態で測定する。以後、これらのミスト生成部８等を電子天秤９８上に載せた状態のままミストの生成を行う。このような流量計測装置９０において、給水ポンプ９４によりミスト生成部８に給水を行うと共に、オーバーフロー管３１から水を排水することで水位をほぼ固定する。超音波振動子１８を駆動することによりミストを生成し、ミスト供給部１０から流出したミストをファン９６により流量計測装置９０の外方に送り出す。超音波振動子１８の駆動開始後、１分の経過時点において、超音波振動子１８の駆動を停止させ、電子天秤９８により、ミスト生成部８等の重量を測定する。よって、以下の式、「ミスト生成時減少量＝ミストの生成前のミスト生成部８等の重量－ミストの生成後のミスト生成部８等の重量」、によりミスト生成時減少量を求めることができる。その上で、以下の式、「ミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]＝ミスト生成時減少量－蒸発量」、によりミストの供給流量を求めることができる。このようにして得られるミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]は、同様の３回のミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]の測定を行い、測定結果の平均を行って、最終的なミスト供給流量[ｍｌ／ｍｉｎ]を決定する。また、蒸発量は、測定中の自らの自然蒸発量を考慮するものである。従って、流量計測装置９０において、超音波振動子１８を駆動せず、１分間経過後の重量減少量を測定する。同様の一連の３回の重量減少量の測定を行い、測定結果の平均を行って、最終的な重量減少量を蒸発量として決定し、上述のミスト供給流量の算定に用いる。
【0096】
流量計測装置９０においては、ミスト以外の水（例えば超音波振動子により生じる水柱の水滴等）が流量計測装置９０の外部に飛び出さないように測定を行っている。また、生成されたミストがミスト供給部１０において一部水に戻った場合にもこの水が貯水タンク９２等に戻るように流量計測装置９０が構成される。ファン９６はミストがミスト供給部１０及びミスト生成部８内に淀むことなく外方に流れることができる程度の風量及び向きで設定される。
【0097】
次に、図２７乃至図２９を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの粒径の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５７が取り付けられている。ミストの粒径を測定しようとする場合には、ミストの粒径の計測装置３７を浴槽本体６の代わりに配置するようにしてミストの粒径の測定を行う。ミスト供給部１０の下端と計測装置３７との位置関係は、ミスト供給部１０と浴槽本体６との位置関係とほぼ同様となるように計測装置３７が配置され、ミスト供給部１０から浴槽本体６へのミストの供給と同様に、ミスト供給部１０から計測装置３７へのミストの供給が行われる。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５７が取り付けられている。ミストの粒径を測定しようとする場合には、ミストの粒径の計測装置３７を浴槽本体６の代わりに配置するようにしてミストの粒径の測定を行う。ミスト供給部１０の下端と計測装置３７との位置関係は、ミスト供給部１０と浴槽本体６との位置関係とほぼ同様となるように計測装置３７が配置され、ミスト供給部１０から浴槽本体６へのミストの供給と同様に、ミスト供給部１０から計測装置３７へのミストの供給が行われる。
【0098】
図２８に示すように、粒子径分布測定装置５３は、開口５２の近傍且つ正面に粒径計測レーザーの計測領域Ｅが位置するように配置された粒径計測レーザー５４を備えている。上面視で、粒径計測レーザー５４のレーザー光が仮想滞留空間３４の長辺と平行になるように粒径計測レーザー５４が配置されている。粒径計測レーザー５４から発信されるレーザー光が通過する計測領域Ｅが開口５２の正面に位置している。計測領域Ｅは、開口５２から１５０ｍｍの距離に位置する。粒子径分布測定装置５３は、さらに、このレーザー光の回折・散乱光を検出するように計測レンズ５６を備えている。
【0099】
この開口に蓋５７を取付けた状態で、仮想滞留空間３４内にミストの供給を開始する。ミスト供給部１０からのミストの供給口は図示を省略している。ミストの供給開始から１分後に蓋５７を開放し、ミストを粒径計測レーザー５４の計測領域Ｅに向けて漏出させる。粒径計測レーザー５４の透過率６０％～９０％の状態で計測レンズ５６により散乱光分布を計測する。例えば、粒径計測レーザー５４及び計測レンズ５６は、マイクロトラック・ベル株式会社製のスプレー粒子径分布測定装置のエアロトラック LDSA-SPRシリーズのLDSA-SPR1500Aを使用する。粒子径分布データを１０回測定し、この粒子径分布データをＰＣに記録する。ＰＣにおいて１０回の粒子径分布データを平均化する。図２９には、粒子径分布測定装置５３により測定された粒子径分布データの一例を示す。図２９においては、左側縦軸において頻度[％]を示し、右側縦軸において累積[％]を示し、横軸において粒径[μｍ]を示している。例えば、ＰＣは、このように得られた粒子径分布データを分析し、例えば粒子径分布データの２０％タイル値粒径Ｇを粒径データとして取得し、又は例えばザウター平均粒径Ｈを粒径データとして取得してもよい。ザウター平均粒径は、全粒子の全表面積に対する全粒子の全体積と同じ表面積対体積率を有する粒径を示す。ザウター平均粒径により平均粒径をもとめることにより少ない数の大粒径を有する粒子による測定値への影響を抑制できる。このようにしてミスト供給部１０から供給されるミストの主な（例えば半分以上の）粒径が計測できる。本実施形態におけるミスト装置１から供給されるミストのザウター平均粒径Ｈは、３．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となっている。ミスト生成部８の超音波振動子１８の出力を変更する、超音波振動子１８の振動周波数を変更する又はミスト生成手段を遠心分離装置等に変更すること等により、ミストのザウター平均粒径Ｈを変更することができる。例えばミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径Ｈを、３．１μｍ以上且つ４０μｍ以下の範囲内で変更して設定することも可能である。
【0100】
次に、図３０を参照して、浴槽本体６内の滞留空間４において、ミストが滞留状態となっているか（ミストの滞留層Ｃを形成しているか）否かの判定装置及びその判定方法について説明する。
図３０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図３０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
【0101】
例えば、図１２に示すように、滞留空間４内部にミストが滞留している状態では、内部透過率が低下する。一方で、ミストは主に滞留空間４内部に留まっており、滞留境界面６６より上方において測定される外部透過率は、比較的高い値となっている。よって、内部透過率／外部透過率＜１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。なお、内部透過率が１５％以下の範囲内にあることによって、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定してもよい。
【0102】
次に、図２５を参照して、透過率の測定装置６８について説明する。
滞留状態が形成されているかについては、透過率の測定装置６８を浴槽本体６に取付けることにより判定可能である。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に測定部が配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、内部透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留層Ｃの上端の滞留境界面６６よりも上方となると想定される位置）において水平方向に離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、外部透過率を測定する。このようにして滞留空間４内の内部透過率と、外部透過率とをそれぞれ測定できる。
測定装置６８のより具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。光量は、例えば１５００～４５００で行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから滞留層Ｃが形成されて以後、例えば30秒間の透過率のデータを平均して算出する。例えば、ミストの立上雲状態の判定測定を行う場合は平均算出は行わず、時間経過のデータにより判定する。
滞留状態が形成されているかについては、透過率の測定装置６８を浴槽本体６に取付けることにより判定可能である。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に測定部が配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、内部透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留層Ｃの上端の滞留境界面６６よりも上方となると想定される位置）において水平方向に離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、外部透過率を測定する。このようにして滞留空間４内の内部透過率と、外部透過率とをそれぞれ測定できる。
測定装置６８のより具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。光量は、例えば１５００～４５００で行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから滞留層Ｃが形成されて以後、例えば30秒間の透過率のデータを平均して算出する。例えば、ミストの立上雲状態の判定測定を行う場合は平均算出は行わず、時間経過のデータにより判定する。
【0103】
次に、本実施形態の構成による効果を説明する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部１０から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成され、浴槽本体６の滞留空間４内に、室温よりも加温された温水層Ｘと、温水層Ｘの上方の滞留空間４内においてミストが滞留しているミストの滞留層Ｃと、が形成される。これにより、浴槽本体６内の温水層Ｘにより使用者に浮遊感を与えつつ使用者を温めることができ、さらに、加温されたミストにより形成されたミスト滞留層Ｃにより、温水層Ｘが浴槽本体６の上部まで形成されている場合と比べて使用者に与える水圧の負荷を軽減しつつ使用者を温めることができる。また、浴槽本体６内にミスト滞留層Ｃが形成されていることにより使用者に視覚的な癒し効果を与えることができる。従って、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）を向上させながら使用者を温めることができる。従って、入浴時の使用者の快適性を向上できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部１０から供給されたミストが滞留空間４内に滞留するように構成され、浴槽本体６の滞留空間４内に、室温よりも加温された温水層Ｘと、温水層Ｘの上方の滞留空間４内においてミストが滞留しているミストの滞留層Ｃと、が形成される。これにより、浴槽本体６内の温水層Ｘにより使用者に浮遊感を与えつつ使用者を温めることができ、さらに、加温されたミストにより形成されたミスト滞留層Ｃにより、温水層Ｘが浴槽本体６の上部まで形成されている場合と比べて使用者に与える水圧の負荷を軽減しつつ使用者を温めることができる。また、浴槽本体６内にミスト滞留層Ｃが形成されていることにより使用者に視覚的な癒し効果を与えることができる。従って、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）を向上させながら使用者を温めることができる。従って、入浴時の使用者の快適性を向上できる。
【0104】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５は、使用者の操作指令を受けて浴槽本体６内のミスト滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を設定できる水位設定モード２５ａを備える。これにより、ミスト滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を設定でき、使用者の好みに応じて温水層Ｘとミスト滞留層Ｃとの位置を変更でき、使用者のリラックス効果（例えば水圧負荷低減効果及び癒し効果）をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0105】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５の水位設定モード２５ａは、浴槽本体６内のミスト滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を無くす機能を有するように設定される。これにより、ミスト滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位を無くすことができ、温水層Ｘのないミストサウナのようなミストのみの入浴を実現できる。よって、使用者の水圧負荷低減効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0106】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５は、温水層の水位の設定について使用者の操作指令を必要とせず所定のプログラムの判断により浴槽本体６内のミスト滞留層Ｃの下方に形成される温水層Ｘの水位が自動設定される水位自動設定モード２５ｂを備える。これにより、給水制御部２５が、使用者の操作入力を受けずとも、浴槽本体６内のミスト滞留層Ｃの下方に形成される上記温水層Ｘの水位が自動的に設定でき、使用者の操作入力の手間を省いて使用者のリラックス効果をより向上させながら使用者を温めることができる。
【0107】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５の水位自動設定モード２５ｂは、追い焚き装置の取水口よりも高い位置に温水層Ｘの水位を自動設定する。これにより、追い焚き装置により浴槽本体６内の水を再加熱して、温水層Ｘの温度の低下を抑制しながら、ミスト浴を行うことができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
【0108】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５は、温水層Ｘの水位の設定を複数記憶する。これにより、給水制御部２５は、温水層Ｘの水位の設定を複数記憶することができる。よって、個々の使用者に合わせた設定を複数記憶でき、また同じ使用者に対しても異なる水位の設定を複数記憶できる。よって、ミスト入浴時に温水層Ｘの水位を設定する手間を省くことができると共に、使用者に合わせた水位の設定をしやすくできる。
【0109】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５は、ミスト滞留層Ｃの下方に形成された温水層Ｘを形成する温水層形成モード２５ｄを、ミストを供給しない入浴用の上記浴槽本体６への給水のための給水モード２５ｅと、別のモードとして備えている。仮に給水制御部２５が温水層形成モードと給水モードとを共通の同じモードとして備えた場合、ミストを供給しない入浴と、ミスト滞留層を形成しつつ温水層Ｘを形成する入浴とのどちらかを選択する度に、その選択に合わせて水位を変更する必要が生じる。それに対し、本発明では、上述のように、温水層形成モード２５ｄと給水モード２５ｅとを別のモードとして備えているため、ミストを供給する場合の温水層Ｘの形成と、ミストを供給しない入浴用の浴槽本体６への給水とで、水位の設定を変えやすくできる。
【0110】
このように構成された本発明の一実施形態においては、温水層形成モード２５ｄにより温水層Ｘを形成した後に、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させる。これにより、先に温水層Ｘを形成するので、滞留空間４の容積が減少され、ミスト生成に使用される水の量を節約できる。また、使用者が先に温水層Ｘに入浴した状態で、ミスト滞留層Ｃが形成されていく様子を見ることができ、使用者のリラックス効果をさらに向上させながら使用者を温めることができる。
【0111】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させた後に、温水層形成モード２５ｄにより温水層Ｘを形成させる。これにより、ミストの供給開始初期に浴槽本体６に温水層Ｘが形成されておらずミストに作用する上昇気流が弱くなりやすいため、比較的少ないミスト流量でもミスト滞留層Ｃを形成しやすくできる。
【0112】
このように構成された本発明の一実施形態においては、温水層形成モード２５ｄにより上記温水層Ｘを形成させながら、ミスト生成モード２６ａによりミストを生成させる。これにより、温水層Ｘの形成と、ミスト滞留層Ｃの形成とを同時に行うため、両者の形成までの時間をより短縮できる。
【0113】
このように構成された本発明の一実施形態においては、給水制御部２５は、さらに、上記浴槽本体６内の水を増加又は減少させて、変更前の水位から他の設定の水位に水位を変更させる水位変更モード２５ｆを備えている。これにより、一旦浴槽本体６内に水が貯水されている場合であっても、水位変更モード２５ｆにより、後に他の設定の水位に水位を変更してミスト入浴ができ、使用者に応じた水位の設定が容易となる。従って、使用者の使い勝手をより向上させることができる。
【符号の説明】
【0114】
１ ：ミスト装置
２ ：ミストシステム
３ ：浴室
４ ：浴槽本体
４ ：滞留空間
６ ：浴槽本体
６Ｃ ：溢れ部
７ ：供給装置
８ ：ミスト生成部
１０ ：ミスト供給部
２５ａ ：水位設定モード
２５ｂ ：水位自動設定モード
２５ｄ ：温水層形成モード
２５ｅ ：給水モード
２５ｆ ：水位変更モード
２６ａ ：ミスト生成モード
Ａ ：使用者
Ｃ ：ミスト滞留層
Ｘ ：温水層
２ ：ミストシステム
３ ：浴室
４ ：浴槽本体
４ ：滞留空間
６ ：浴槽本体
６Ｃ ：溢れ部
７ ：供給装置
８ ：ミスト生成部
１０ ：ミスト供給部
２５ａ ：水位設定モード
２５ｂ ：水位自動設定モード
２５ｄ ：温水層形成モード
２５ｅ ：給水モード
２５ｆ ：水位変更モード
２６ａ ：ミスト生成モード
Ａ ：使用者
Ｃ ：ミスト滞留層
Ｘ ：温水層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】