特開2023-51759フォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023051759
(43)【公開日】2023-04-11
(54)【発明の名称】フォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/54 20120101AFI20230404BHJP
G03F 1/46 20120101ALI20230404BHJP
G03F 1/80 20120101ALI20230404BHJP
【ＦＩ】
G03F1/54
G03F1/46
G03F1/80
【審査請求】未請求
【請求項の数】25
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022131956
(22)【出願日】2022-08-22
(31)【優先権主張番号】P 2021162042
(32)【優先日】2021-09-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001508
【氏名又は名称】弁理士法人 津国
(72)【発明者】
【氏名】田辺 勝
(72)【発明者】
【氏名】浅川 敬司
(72)【発明者】
【氏名】中村 仁美
(72)【発明者】
【氏名】安森 順一
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BA12
2H195BB14
2H195BC05
2H195BC14
2H195BC24
(57)【要約】
【課題】高い耐静電破壊特性を有するとともに、従来よりもローディング効果を低減することができる等のフォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えばＦＰＤ製造用のフォトマスクブランクは、透明基板と、該透明基板上に遮光膜とを有し、遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする。これにより、従来のフォトマスクブランクよりも耐静電破壊特性を良好とし、またローディング効果を低減することができる。
【選択図】図１
【解決手段】例えばＦＰＤ製造用のフォトマスクブランクは、透明基板と、該透明基板上に遮光膜とを有し、遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする。これにより、従来のフォトマスクブランクよりも耐静電破壊特性を良好とし、またローディング効果を低減することができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明基板と、該透明基板上に設けられた遮光膜とを有するフォトマスクブランクであって、
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、
前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、
前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項2】
前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項3】
前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、
前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項4】
前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクブランク。
【請求項5】
前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、
前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項6】
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項7】
前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクブランク。
【請求項8】
前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項9】
前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項８に記載のフォトマスクブランク。
【請求項10】
前記遮光膜上に、該遮光膜とはエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜を有していることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項11】
前記エッチングマスク膜がクロム（Ｃｒ）を含有することを特徴とする請求項１０に記載のフォトマスクブランク。
【請求項12】
前記エッチングマスク膜が、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項１１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項13】
透明基板と、該透明基板上に設けられた転写用パターンを備える遮光膜とを有するフォトマスクであって、
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、
前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスク。
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、
前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項14】
前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
【請求項15】
前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、
前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
【請求項16】
前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする請求項１５に記載のフォトマスク。
【請求項17】
前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、
前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
【請求項18】
前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
【請求項19】
前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項１８に記載のフォトマスク。
【請求項20】
前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
【請求項21】
前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項２０に記載のフォトマスク。
【請求項22】
請求項１に記載のフォトマスクブランクを準備する工程と、
前記遮光膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記遮光膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項23】
請求項１０に記載のフォトマスクブランクを準備する工程と、
前記エッチングマスク膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記エッチングマスク膜をウェットエッチングして、前記遮光膜の上にエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記エッチングマスク膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記エッチングマスク膜をウェットエッチングして、前記遮光膜の上にエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項24】
請求項２２または２３に記載のフォトマスクの製造方法により得られたフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項25】
請求項１３に記載のフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば表示装置製造用のフォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）を代表とするＦＰＤ（Flat Panel Display）等の表示装置においては、画面の大型化、広視野角化とともに、高精細化、高速表示化が急速に進んでいる。そのため、ＦＰＤを製造する際の露光プロセスに用いるフォトマスクにおいても、大サイズの透明基板上に微細で高精度な転写用パターンが形成されたバイナリマスクまたは位相シフトマスクなどが用いられる。
【0003】
フォトマスクブランクは、フォトマスクの原版である。フォトマスクは、例えば、透明基板と、該透明基板上に、ウェットエッチングによって遮光膜がパターニングされてなる遮光膜パターンとを有する。
【0004】
このようなＦＰＤの製造に用いられるフォトマスクにおいては、露光工程中または搬送等のハンドリング中に静電気を帯び、部分的に転写用パターンに静電破壊を起こすことがある。特にパターンが微細化された高精度なフォトマスクにおいては、微細化されたパターン間での静電破壊が起きることがあり、そのためフォトマスクおよびフォトマスクブランクの高い耐静電破壊特性が求められている。
【0005】
例えば特許文献１には、遮光膜を、Ｃｒ系材料に替えて、ＭｏＳｉ系材料、ＴａＳｉ系材料、ＺｒＳｉ系材料等で形成することが記載されている。
【0006】
また、例えば特許文献２には、遮光膜のシート抵抗値を１０Ω／ｓｑ以下にすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０２０－１４０１０６号公報
【特許文献2】特開２０１９－１６８５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上述のように、ＦＰＤの製造に用いられるフォトマスクにおいては、パターン間での静電破壊を抑制あるいは回避するため、より高い耐静電破壊特性が求められている。
【0009】
また、遮光膜を含む光学膜のエッチングにおいては、パターン密度が高い領域と粗い領域との間でエッチングレートに差が発生するローディング効果が生じることがある。近年の高精細（例えば１０００ｐｐｉ以上）のＦＰＤ製造においては、高解像のパターン転写を可能にするために、ホール径で６μｍ以下、ライン幅で４μｍ以下、具体的には、径または幅寸法が１．５μｍ以下の転写用パターンが形成されたフォトマスクが要求されることがある。したがって、微細なパターンを精度よく形成するには、ローディング効果を低減することも有用である。
【0010】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、高い耐静電破壊特性を有するとともに、従来よりもローディング効果を低減することができるフォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
【0012】
（構成１）
本発明の構成１は、透明基板と、該透明基板上に設けられた遮光膜とを有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクブランクである。
本発明の構成１は、透明基板と、該透明基板上に設けられた遮光膜とを有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクブランクである。
【0013】
（構成２）
本発明の構成２は、前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１のフォトマスクブランクである。
本発明の構成２は、前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１のフォトマスクブランクである。
【0014】
（構成３）
本発明の構成３は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする構成１のフォトマスクブランクである。
本発明の構成３は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする構成１のフォトマスクブランクである。
【0015】
（構成４）
本発明の構成４は、前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成３のフォトマスクブランクである。
本発明の構成４は、前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成３のフォトマスクブランクである。
【0016】
（構成５）
本発明の構成５は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする構成１～４の何れかのフォトマスクブランクである。
本発明の構成５は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする構成１～４の何れかのフォトマスクブランクである。
【0017】
（構成６）
本発明の構成６は、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする構成１～５の何れかのフォトマスクブランクである。
本発明の構成６は、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする構成１～５の何れかのフォトマスクブランクである。
【0018】
（構成７）
本発明の構成７は、前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成６のフォトマスクブランクである。
本発明の構成７は、前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成６のフォトマスクブランクである。
【0019】
（構成８）
本発明の構成８は、前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする構成１～７の何れかのフォトマスクブランクである。
本発明の構成８は、前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする構成１～７の何れかのフォトマスクブランクである。
【0020】
（構成９）
本発明の構成９は、前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成８のフォトマスクブランクである。
本発明の構成９は、前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成８のフォトマスクブランクである。
【0021】
（構成１０）
本発明の構成１０は、前記遮光膜上に、該遮光膜とはエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜を有していることを特徴とする構成１～９の何れかのフォトマスクブランクである。
本発明の構成１０は、前記遮光膜上に、該遮光膜とはエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜を有していることを特徴とする構成１～９の何れかのフォトマスクブランクである。
【0022】
（構成１１）
本発明の構成１１は、前記エッチングマスク膜がクロム（Ｃｒ）を含有することを特徴とする構成１０のフォトマスクブランクである。
本発明の構成１１は、前記エッチングマスク膜がクロム（Ｃｒ）を含有することを特徴とする構成１０のフォトマスクブランクである。
【0023】
（構成１２）
本発明の構成１２は、前記エッチングマスク膜が、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成１１のフォトマスクブランクである。
本発明の構成１２は、前記エッチングマスク膜が、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成１１のフォトマスクブランクである。
【0024】
（構成１３）
本発明の構成１３は、透明基板と、該透明基板上に設けられた転写用パターンを備える遮光膜とを有するフォトマスクであって、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクである。
本発明の構成１３は、透明基板と、該透明基板上に設けられた転写用パターンを備える遮光膜とを有するフォトマスクであって、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有し、前記遮光膜のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とするフォトマスクである。
【0025】
（構成１４）
本発明の構成１４は、前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１３のフォトマスクである。
本発明の構成１４は、前記遮光膜のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１３のフォトマスクである。
【0026】
（構成１５）
本発明の構成１５は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする構成１３のフォトマスクである。
本発明の構成１５は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層のシート抵抗値が４０Ω／ｓｑ以上であることを特徴とする構成１３のフォトマスクである。
【0027】
（構成１６）
本発明の構成１６は、前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１５のフォトマスクである。
本発明の構成１６は、前記遮光層のシート抵抗値が９０Ω／ｓｑ以下であることを特徴とする構成１５のフォトマスクである。
【0028】
（構成１７）
本発明の構成１７は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする構成１３～１６の何れかのフォトマスクである。
本発明の構成１７は、前記遮光膜は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層が窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を更に含有することを特徴とする構成１３～１６の何れかのフォトマスクである。
【0029】
（構成１８）
本発明の構成１８は、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする構成１３～１７の何れかのフォトマスクである。
本発明の構成１８は、前記遮光膜が、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記遮光層上に表面反射防止層を有していることを特徴とする構成１３～１７の何れかのフォトマスクである。
【0030】
（構成１９）
本発明の構成１９は、前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成１８のフォトマスクである。
本発明の構成１９は、前記表面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成１８のフォトマスクである。
【0031】
（構成２０）
本発明の構成２０は、前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする構成１３～１８の何れかのフォトマスクである。
本発明の構成２０は、前記遮光膜がチタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなる遮光層を含み、前記透明基板と前記遮光層との間に裏面反射防止層を有していることを特徴とする構成１３～１８の何れかのフォトマスクである。
【0032】
（構成２１）
本発明の構成２１は、前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成２０のフォトマスクである。
本発明の構成２１は、前記裏面反射防止層が、チタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする構成２０のフォトマスクである。
【0033】
（構成２２）
本発明の構成２２は、構成１～９の何れかのフォトマスクブランクを準備する工程と、前記遮光膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成２２は、構成１～９の何れかのフォトマスクブランクを準備する工程と、前記遮光膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【0034】
（構成２３）
本発明の構成２３は、構成１０～１２の何れかのフォトマスクブランクを準備する工程と、前記エッチングマスク膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記エッチングマスク膜をウェットエッチングして、前記遮光膜の上にエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成２３は、構成１０～１２の何れかのフォトマスクブランクを準備する工程と、前記エッチングマスク膜の上に設けられたレジスト膜パターンをマスクにして前記エッチングマスク膜をウェットエッチングして、前記遮光膜の上にエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に転写用パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【0035】
（構成２４）
本発明の構成２４は、構成２２または２３のフォトマスクの製造方法により得られたフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
本発明の構成２４は、構成２２または２３のフォトマスクの製造方法により得られたフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
【0036】
（構成２５）
本発明の構成２５は、構成１３～２１の何れかのフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
本発明の構成２５は、構成１３～２１の何れかのフォトマスクを露光装置のマスクステージに載置し、前記フォトマスク上に形成された前記転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジストに露光転写する露光工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【0037】
本発明によれば、例えばＦＰＤ製造用のフォトマスクブランク及びフォトマスクにおいて、従来よりも耐静電破壊特性を高めることができる。また、ローディング効果を低減することができるため、高精度のフォトマスクを安定して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】本発明の第１の実施形態によるフォトマスクブランクの膜構成を示す模式断面図である。
【図2】本発明の第２の実施形態によるフォトマスクブランクの膜構成を示す模式断面図である。
【図3】本発明の第１の実施形態によるフォトマスクブランクの模式断面図であって、特に遮光膜の層構成を詳細に示す断面図である。
【図4A】第１の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を示す模式断面図である。
【図4B】第１の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を更に示す模式断面図である。
【図4C】第１の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を更に示す模式断面図である。
【図4D】第１の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を更に示す模式断面図である。
【図5A】第２の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を示す模式断面図である。
【図5B】第２の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を更に示す模式断面図である。
【図5C】第２の実施形態によるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する工程を更に示す模式断面図である。
【図6】実施例においてローディング効果の度合いを測定するために用いた遮光膜パターンの模式平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。なお、フォトマスクブランク１０は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）を代表とするＦＰＤ（Flat Panel Display）等の表示装置をフォトリソグラフィ工程により製造するために用いられるフォトマスク１００の原版に相当する。
【0040】
図１は、本発明の第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０の膜構成を示す模式縦断面図である。本実施形態によるフォトマスクブランク１０は、透明基板２０と、透明基板２０上に形成されたパターン形成用薄膜である遮光膜３０と、遮光膜３０上に形成されたエッチングマスク膜４０とを備える。
【0041】
図２は、本発明の第２の実施形態によるフォトマスクブランク１０の膜構成を示す模式図である。本実施形態によるフォトマスクブランク１０は、透明基板２０と、透明基板２０上に形成された遮光膜３０とを備える。
【0042】
＜透明基板２０＞
透明基板２０は、露光光に対して透明である。透明基板２０は、表面反射ロスが無いとしたときに、露光光に対して８５％以上の透過率、好ましくは９０％以上の透過率を有するものである。透明基板２０は、ケイ素と酸素を含有する材料からなり、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、および低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などのガラス材料で構成することができる。表示装置用途で使用される透明基板２０は、一般に矩形状の基板である。具体的には、透明基板２０の主表面（遮光膜３０が形成される面）の短辺の長さが３００ｍｍ以上であるものを使用することができる。第１、第２の各実施形態のフォトマスクブランク１０では、主表面の短辺の長さが３００ｍｍ以上の大きなサイズの透明基板２０を用いることができる。
透明基板２０は、露光光に対して透明である。透明基板２０は、表面反射ロスが無いとしたときに、露光光に対して８５％以上の透過率、好ましくは９０％以上の透過率を有するものである。透明基板２０は、ケイ素と酸素を含有する材料からなり、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、および低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などのガラス材料で構成することができる。表示装置用途で使用される透明基板２０は、一般に矩形状の基板である。具体的には、透明基板２０の主表面（遮光膜３０が形成される面）の短辺の長さが３００ｍｍ以上であるものを使用することができる。第１、第２の各実施形態のフォトマスクブランク１０では、主表面の短辺の長さが３００ｍｍ以上の大きなサイズの透明基板２０を用いることができる。
【0043】
＜遮光膜３０＞
パターン形成用薄膜である遮光膜３０は、遮光層３１のみからなる単層構造であってもよい。また、遮光膜３０は、遮光層３１と、表面反射防止層３２および／または裏面反射防止層３３とを備える多層構造であってもよい。ここで、図３は、一例として、遮光膜３０が遮光層３１、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の３層からなるフォトマスクブランク１０を模式的に示した縦断面図である。図３の例によると、表面反射防止層３２は、遮光層３１の上面（透明基板２０がある側とは反対側の面）に設けられ、裏面反射防止層３３は、透明基板２０と遮光層３１との間に設けられる。
パターン形成用薄膜である遮光膜３０は、遮光層３１のみからなる単層構造であってもよい。また、遮光膜３０は、遮光層３１と、表面反射防止層３２および／または裏面反射防止層３３とを備える多層構造であってもよい。ここで、図３は、一例として、遮光膜３０が遮光層３１、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の３層からなるフォトマスクブランク１０を模式的に示した縦断面図である。図３の例によると、表面反射防止層３２は、遮光層３１の上面（透明基板２０がある側とは反対側の面）に設けられ、裏面反射防止層３３は、透明基板２０と遮光層３１との間に設けられる。
【0044】
遮光膜３０は、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系の材料で形成することができる。一般に、パターンが微細になるにつれて、パターン密度が高い領域と粗い領域との間でエッチングレートに差が生じるローディング効果を考慮することが有用であるが、本発明者らの検討によれば、遮光膜３０にチタンシリサイド系材料を用いることで、クロム系化合物および表示装置製造用のフォトマスクブランクに汎用される他の金属シリサイド系材料と比較してローディング効果が低減することが確認されている。他の金属シリサイド系材料とは、例えば、ＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）系材料やＺｒＳｉ（ジルコニウムシリサイド）系材料である。
【0045】
また、第１、第２の各実施形態のフォトマスクブランク１０によれば、遮光膜３０をウェットエッチングして形成される遮光膜パターン（転写用パターン）のエッジ断面形状を透明基板２０の主表面に対して略垂直にすることができる。特に第１、第２の各実施形態では、均質で組成傾斜のない材料でパターンの良好なエッジ断面形状を実現できる。そのため、パターン精度やパネル品質保証の精度を向上させつつ、遮光膜３０の成膜時の工程制御が容易となる。
【0046】
遮光層３１におけるチタン（Ｔｉ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比率は、１：１．４から１：３．４までの範囲であることが好ましい。チタンの比率が小さすぎると、十分な遮光性を確保することが困難となる。また、チタンの比率の上限は、耐薬性や耐光性の観点から、上述のとおりとすることが好ましい。
【0047】
遮光膜３０を構成する遮光層３１は、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）をさらに含有することができる。遮光膜３０がこれらの元素を含有することにより、ウェットエッチャントに対するエッチングレートを制御してパターンの断面のエッジ形状を良好にすることができる。
【0048】
具体的に、遮光層３１において、窒素（Ｎ）の含有率は０～１０原子％であることが好ましい。また、酸素（Ｏ）の含有率は０～５原子％であることが好ましい。遮光層は、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含まなくてもよい。
【0049】
また、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３は、それぞれ、チタン（Ｔｉ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含有するチタンシリサイド系材料からなり、かつ、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）をさらに含有することができる。これらの元素を含むことにより、露光光または描画光（フォトマスク製造時におけるレジスト膜への描画の際に用いる光）に対する反射率を低下させることができる。表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３において、窒素（Ｎ）の含有率は１０～５５原子％であることが好ましい。また、酸素（Ｏ）の含有率は０～１０原子％であることが好ましい。表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３は、酸素（Ｏ）を含まなくてもよい。
【0050】
また、第１、第２の各実施形態のフォトマスクブランク１０において、耐静電破壊特性を高めるために、遮光膜３０のシート抵抗値は４０Ω／ｓｑ以上であることが好ましく、４２Ω／ｓｑ以上であることがより好ましい。例えば遮光膜３０に含まれる窒素（Ｎ）またはケイ素（Ｓｉ）の量を増やすことでシート抵抗値を高くすることができる。一方、窒素（Ｎ）やケイ素（Ｓｉ）の含有量が増えると遮光性の低下（言い換えると透過率が高くなる）を招く。また、ケイ素の含有量が大きい場合には、透明基板とのエッチング選択性が小さくなる。これらのことから、遮光膜３０のシート抵抗値は９０Ω／ｓｑ以下に設定されることが好ましい。遮光膜３０が遮光層３１のみからなる単層構造の場合には、同様の目的のため、遮光層３１のシート抵抗値は４０Ω／ｓｑ以上であることが好ましく、これに加えて９０Ω／ｓｑ以下であることがより好ましい。
【0051】
なお、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の膜厚は、遮光層３１の膜厚に比べて非常に小さい。このため、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３のシート抵抗値は、無視できるほど小さい。したがって、遮光膜３０が表面反射防止層３２および／または裏面反射防止層３３を含む場合であっても、遮光膜３０のシート抵抗値は、遮光層３１のシート抵抗値と実質的に同じであると言える。また、表面反射防止層３２が非常に薄いことから、シート抵抗値を測定するためのプローブをフォトマスクブランクの遮光膜３０に接触させたとき、プローブが表面反射防止層３２を突き抜けて遮光層３１に接触する。したがって、遮光層３１上に表面反射防止層３２が形成されている場合であっても、遮光膜３０のシート抵抗値は、実質的に遮光層３１のシート抵抗値と同じになると言える。上述のとおり、裏面反射防止層３３が形成されていても、そのシート抵抗値は、無視できるほどに小さい。
【0052】
発明者らの検討によれば、遮光膜の導電性が高い（すなわちシート抵抗値が小さい）場合、パターニングされた遮光膜の一部（透明基板が露出した領域に外周を囲まれてなる孤立パターンなど）に、一気に放電電流が流れるため、この遮光膜の一部が溶解し、結果的に遮光膜パターンがダメージを受けると考えられる。
【0053】
一方、本発明が提案するように、遮光膜の導電性が低い（すなわちシート抵抗値が大きい）場合には、万が一静電気の放電が生じたとしても、導電性が高い遮光膜のように遮光膜パターンに一気に放電電流が流れるということは生じにくいため、遮光膜パターンが溶解せず、結果的に、高い静電破壊特性を有することができると考えられる。
【0054】
遮光膜３０および／または遮光層３１が、上記範囲のシート抵抗値を有することにより、例えばＦＰＤ製造用の大型で高精細なフォトマスク１００およびその原版であるフォトマスクブランク１０の静電破壊を効果的に抑制することができる。
【0055】
第１、第２の各実施形態のフォトマスクブランク１０の遮光膜３０は、露光光に対して、遮光性を有する。具体的には、遮光膜３０の光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）は、２以上であることができる。遮光膜３０の光学濃度は、好ましくは３以上であり、より好ましくは３．５以上であり、さらに好ましくは４以上である。なお、フォトマスクブランク１０が、遮光膜３０と透明基板２０との間に、該遮光膜３０とは異なるその他の膜を備える場合、遮光膜３０と該その他の膜との積層状態での光学濃度が上述の範囲となるように、遮光膜３０の光学濃度を設定すればよい。光学濃度は、分光光度計またはＯＤメーターなどを用いて測定することができる。
【0056】
遮光膜３０の裏面反射率は、３６５ｎｍ～４３６ｎｍの波長域において１５％以下であると好ましく、１２％以下であるとより好ましく、１０％以下であるとさらに好ましい。あるいは、遮光膜３０の裏面反射率は、３６５ｎｍ～４３６ｎｍの波長域内の代表波長において、１５％以下であると好ましく、１２％以下であるとより好ましく、１０％以下であるとさらに好ましい。また、遮光膜３０の裏面反射率は、露光光にｊ線（波長３１３ｎｍ）が含まれる場合、３１３ｎｍから４３６ｎｍの波長域の光に対して１５％以下であると好ましく、１２％以下であるとより好ましい。遮光膜３０の裏面反射率は、さらに好ましくは１０％以下であることが望ましい。または、遮光膜３０の裏面反射率は、３１３ｎｍから４３６ｎｍの波長域内の代表波長において、１５％以下であると好ましく、１２％以下であるとより好ましく、１０％以下であるとさらに好ましい。また、遮光膜３０の裏面反射率は、３６５ｎｍ～４３６ｎｍの波長域において０．２％以上であり、３１３ｎｍから４３６ｎｍの波長域の光に対して０．２％以上であると好ましい。遮光膜３０の表面反射率も同様である。
【0057】
裏面反射率および表面反射率は、分光光度計などを用いて測定することができる。
【0058】
遮光膜３０の膜厚は、６０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であるとより好ましい。一方、遮光膜３０の膜厚は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であるとより好ましい。また、遮光層３１の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であるとより好ましい。一方、遮光層３１の膜厚は、１２０ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であるとより好ましい。また、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の膜厚は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。一方、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の膜厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【0059】
遮光膜３０が多層構造（表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３のうち少なくともいずれかを有する構造）の場合において、遮光膜３０の全体の厚さに対する遮光層３１の厚さの比率は、０．５以上であることが好ましく、０．５よりも大きいことがより好ましく、０．６以上であるとさらに好ましい。一方、遮光膜３０の全体の厚さに対する遮光層３１の厚さの比率は、０．９以下であると好ましい。
【0060】
単層構造の遮光膜３０の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、３．０以上である好ましい。一方、単層構造の遮光膜３０の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、４．５以下であると好ましい。また、単層構造の遮光膜３０の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、１．５以上である好ましく、２．０以上であるとより好ましい。一方、単層構造の遮光膜３０の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、３．５以下であると好ましく、３．０以下であるとより好ましい。
【0061】
遮光膜３０が多層構造（表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３のうち少なくともいずれかを有する構造）の場合において、遮光層３１の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、３．０以上である好ましい。一方、遮光層３１の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、４．５以下であると好ましい。また、遮光層３１の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、１．５以上である好ましく、２．０以上であるとより好ましい。一方、遮光層３１の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、３．５以下であると好ましく、３．０以下であるとより好ましい。
【0062】
表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、２．０以上である好ましい。一方、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の波長４０５ｎｍの光における屈折率ｎは、２．８以下であると好ましい。また、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、０．２以上である好ましい。一方、表面反射防止層３２および裏面反射防止層３３の波長４０５ｎｍの光における消衰係数ｋは、０．８以下であると好ましい。
【0063】
遮光膜３０は、スパッタリング法などの公知の成膜方法により形成することができる。
【0064】
＜エッチングマスク膜４０＞
第１の実施形態の表示装置製造用フォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の上に、遮光膜３０に対してエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜４０を備えている。
第１の実施形態の表示装置製造用フォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の上に、遮光膜３０に対してエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜４０を備えている。
【0065】
エッチングマスク膜４０は、遮光膜３０の上側（透明基板２０とは反対側）に配置され、遮光膜３０をエッチングするエッチング液に対してエッチング耐性を有する（遮光膜３０とはエッチング選択性が異なる）材料からなる。また、エッチングマスク膜４０は、露光光の透過を遮る機能を有することができる。さらにエッチングマスク膜４０は、遮光膜３０側より入射される光に対する遮光膜３０の膜面反射率が３５０ｎｍ～４３６ｎｍの波長域において１５％以下となるように、膜面反射率を低減する機能を有してもよい。
【0066】
エッチングマスク膜４０は、クロム（Ｃｒ）を含有するクロム系材料から構成されることが好ましい。エッチングマスク膜４０は、クロムを含有し、実質的にケイ素を含まない材料から構成されることがより好ましい。実質的にケイ素を含まないとは、ケイ素の含有量が２原子％未満であることを意味する（ただし、遮光膜３０とエッチングマスク膜４０との界面の組成傾斜領域を除く）。クロム系材料として、より具体的には、クロム（Ｃｒ）、または、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つとを含有する材料が挙げられる。また、クロム系材料として、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つとを含み、さらに、フッ素（Ｆ）を含む材料が挙げられる。例えば、エッチングマスク膜４０を構成する材料として、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＦ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、およびＣｒＣＯＮＦが挙げられる。
【0067】
エッチングマスク膜４０は、スパッタリング法などの公知の成膜方法により形成することができる。
【0068】
エッチングマスク膜４０は、機能に応じて組成が均一な単一の膜で構成することができる。また、エッチングマスク膜４０は、組成が異なる複数の膜で構成することができる。また、エッチングマスク膜４０は、厚さ方向に組成が連続的に変化する単一の膜からなることができる。
【0069】
なお、図１に示す第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０上にエッチングマスク膜４０を備えている。第１の実施形態のフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０上にエッチングマスク膜４０を備え、エッチングマスク膜４０上にレジスト膜を備える構造のフォトマスクブランク１０を含む。
【0070】
＜フォトマスクブランク１０の製造方法＞
次に、フォトマスクブランク１０の製造方法について説明する。図１に示す第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の形成工程と、エッチングマスク膜４０の形成工程によって製造される。図２に示す第２の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の形成工程によって製造される。
次に、フォトマスクブランク１０の製造方法について説明する。図１に示す第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の形成工程と、エッチングマスク膜４０の形成工程によって製造される。図２に示す第２の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０の形成工程によって製造される。
【0071】
以下、各工程を詳細に説明する。
【0072】
＜＜遮光膜形成工程＞＞
まず、透明基板２０を準備する。透明基板２０は、露光光に対して透明であれば、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、および低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などから選択されるガラス材料で構成されることができる。
まず、透明基板２０を準備する。透明基板２０は、露光光に対して透明であれば、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、および低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などから選択されるガラス材料で構成されることができる。
【0073】
次に、透明基板２０上に、スパッタリング法により、遮光膜３０を形成する。
【0074】
遮光膜３０の成膜は、所定のスパッタターゲットを用いて、所定のスパッタガス雰囲気で行うことができる。所定のスパッタターゲットとは、例えば、遮光膜３０を構成する材料の主成分となるチタンとケイ素を含むチタンシリサイドターゲット、またはチタンとケイ素と窒素を含むチタンシリサイドターゲットである。所定のスパッタガス雰囲気とは、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスからなるスパッタガス雰囲気、または、上記不活性ガスと、窒素ガスと、場合により、酸素ガス、二酸化炭素ガス、一酸化窒素ガスおよび二酸化窒素ガスからなる群より選ばれるガスとを含む混合ガスからなるスパッタガス雰囲気である。遮光膜３０の形成は、スパッタリングを行う際における成膜室内のガス圧力が、０．３Ｐａ以上３．０Ｐａ以下、好ましくは０．４３Ｐａ以上２．０Ｐａ以下になる状態で行うことができる。
【0075】
遮光膜３０の組成および厚さは、遮光膜３０が上述の光学濃度となるように調整される。遮光膜３０の組成は、スパッタターゲットを構成する元素の含有比率（例えば、チタンの含有率とケイ素の含有率との比）、スパッタガスの組成および流量などにより制御することができる。遮光膜３０の厚さは、スパッタパワー、およびスパッタリング時間などにより制御することができる。また、遮光膜３０は、インライン型スパッタリング装置を使用して形成することが好ましい。スパッタリング装置がインライン型スパッタリング装置の場合、基板の搬送速度によっても、遮光膜３０の厚さを制御することができる。
【0076】
遮光膜３０が、単一の膜（遮光層３１）からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を適宜調整して１回だけ行う。遮光膜３０が、遮光層３１に加えて、表面反射防止層３２および／または裏面反射防止層３３を含む場合のように、遮光膜３０が組成の異なる複数の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を適宜調整して複数回行う。スパッタターゲットを構成する元素の含有比率が異なるターゲットを使用して遮光膜３０を成膜してもよい。成膜プロセスを複数回行う場合、スパッタターゲットに印加するスパッタパワーを成膜プロセス毎に変更してもよい。
【0077】
＜＜表面処理工程＞＞
遮光膜３０は、チタン、ケイ素および窒素以外に酸素を含有するチタンシリサイド材料（チタンシリサイド酸化窒化物）からなることができる。ただし、酸素の含有量は、０原子％超５原子％以下である。このように遮光膜３０が酸素を含む場合、遮光膜３０の表面について、チタンの酸化物の存在によるエッチング液による浸み込みを抑制するため、遮光膜３０の表面酸化の状態を調整する表面処理工程を行うようにしてもよい。なお、遮光膜３０が、チタンと、ケイ素と、窒素を含有するチタンシリサイド窒化物からなる場合、上述の酸素を含有するチタンシリサイド材料と比べて、チタンの酸化物の含有率が小さい。そのため、遮光膜３０の材料が、チタンシリサイド窒化物の場合は、上記表面処理工程を行うようにしてもよいし、行わなくてもよい。
遮光膜３０は、チタン、ケイ素および窒素以外に酸素を含有するチタンシリサイド材料（チタンシリサイド酸化窒化物）からなることができる。ただし、酸素の含有量は、０原子％超５原子％以下である。このように遮光膜３０が酸素を含む場合、遮光膜３０の表面について、チタンの酸化物の存在によるエッチング液による浸み込みを抑制するため、遮光膜３０の表面酸化の状態を調整する表面処理工程を行うようにしてもよい。なお、遮光膜３０が、チタンと、ケイ素と、窒素を含有するチタンシリサイド窒化物からなる場合、上述の酸素を含有するチタンシリサイド材料と比べて、チタンの酸化物の含有率が小さい。そのため、遮光膜３０の材料が、チタンシリサイド窒化物の場合は、上記表面処理工程を行うようにしてもよいし、行わなくてもよい。
【0078】
遮光膜３０（遮光層３１または表面反射防止層３２）の表面酸化の状態を調整する表面処理工程としては、酸性の水溶液で表面処理する方法、アルカリ性の水溶液で表面処理する方法、アッシング等のドライ処理で表面処理する方法などが挙げられる。
【0079】
このようにして、第２の実施形態のフォトマスクブランク１０を得ることができる。
【0080】
＜＜エッチングマスク膜形成工程＞＞
第１の実施形態のフォトマスクブランク１０は、さらに、エッチングマスク膜４０を有する。以下のエッチングマスク膜形成工程をさらに行う。なお、エッチングマスク膜４０は、クロムを含有し、実質的にケイ素を含まない材料から構成されることが好ましい。
第１の実施形態のフォトマスクブランク１０は、さらに、エッチングマスク膜４０を有する。以下のエッチングマスク膜形成工程をさらに行う。なお、エッチングマスク膜４０は、クロムを含有し、実質的にケイ素を含まない材料から構成されることが好ましい。
【0081】
遮光膜形成工程の後、遮光膜３０（遮光層３１または表面反射防止層３２）の表面の表面酸化の状態を調整する表面処理を必要に応じて行い、その後、スパッタリング法により、遮光膜３０上にエッチングマスク膜４０を形成する。エッチングマスク膜４０は、インライン型スパッタリング装置を使用して形成することが好ましい。スパッタリング装置がインライン型スパッタリング装置の場合、透明基板２０の搬送速度によっても、エッチングマスク膜４０の厚さを制御することができる。
【0082】
エッチングマスク膜４０の成膜は、クロムまたはクロム化合物（酸化クロム、窒化クロム、炭化クロム、酸化窒化クロム、窒化炭化クロム、および酸化窒化炭化クロム等）を含むスパッタターゲットを使用して、不活性ガスからなるスパッタガス雰囲気、または不活性ガスと、活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行うことができる。不活性ガスは、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことができる。活性ガスは、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、二酸化炭素ガス、炭化水素系ガスおよびフッ素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことができる。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガスおよびスチレンガス等が挙げられる。
【0083】
エッチングマスク膜４０が、組成の均一な単一の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を変えずに１回だけ行う。エッチングマスク膜４０が、組成の異なる複数の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、成膜プロセス毎にスパッタガスの組成および流量を変えて複数回行う。エッチングマスク膜４０が、厚さ方向に組成が連続的に変化する単一の膜からなる場合、上述した成膜プロセスを、スパッタガスの組成および流量を成膜プロセスの経過時間とともに変化させながら１回だけ行う。
【0084】
このようにして、エッチングマスク膜４０を有する第１の実施形態のフォトマスクブランク１０を得ることができる。
【0085】
なお、図１に示す第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０は、遮光膜３０上にエッチングマスク膜４０を備えているため、フォトマスクブランク１０を製造する際に、エッチングマスク膜形成工程を行う。また、遮光膜３０上にエッチングマスク膜４０を備え、エッチングマスク膜４０上にレジスト膜を備えるフォトマスクブランク１０を製造する際は、エッチングマスク膜形成工程後に、エッチングマスク膜４０上にレジスト膜を形成する。また、図２に示す第２の実施形態によるフォトマスクブランク１０において、遮光膜３０上にレジスト膜を備えるフォトマスクブランク１０を製造する際は、遮光膜形成工程後に、レジスト膜を形成する。
【0086】
＜フォトマスク１００の製造方法＞
次に、フォトマスク１００の製造方法について説明する。
次に、フォトマスク１００の製造方法について説明する。
【0087】
＜第１の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法＞
図４Ａから図４Ｄは、図１に示した第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造する方法を説明するための模式図である。第１の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法は、フォトマスクブランク１０を準備する工程と、エッチングマスク膜４０の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したレジスト膜パターンをマスクにしてエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、遮光膜３０の上にエッチングマスク膜パターン４０ａを形成する工程と、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、遮光膜３０をウェットエッチングして、透明基板２０上に転写用パターン３０ａを形成する工程と、を有する。
図４Ａから図４Ｄは、図１に示した第１の実施形態によるフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造する方法を説明するための模式図である。第１の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法は、フォトマスクブランク１０を準備する工程と、エッチングマスク膜４０の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したレジスト膜パターンをマスクにしてエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、遮光膜３０の上にエッチングマスク膜パターン４０ａを形成する工程と、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、遮光膜３０をウェットエッチングして、透明基板２０上に転写用パターン３０ａを形成する工程と、を有する。
【0088】
なお、本明細書における転写用パターンとは、透明基板２０上に形成された少なくとも１つの光学膜をパターニングすることによって、得られるものである。上記の光学膜は、遮光膜３０、または、遮光膜３０およびエッチングマスク膜４０とすることができ、その他の膜（位相シフト膜、半透光膜、導電性の膜など）がさらに含まれてもよい。すなわち、転写用パターンは、パターニングされた遮光膜、またはパターニングされた遮光膜およびエッチングマスク膜を含むことができ、パターニングされたその他の膜がさらに含まれてもよい。
【0089】
【0090】
まず、図１に示したフォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜に所望のパターンを描画・現像を行うことにより、レジスト膜パターン５０を形成する（図４Ａ参照、レジスト膜パターン５０の形成工程）。次に、該レジスト膜パターン５０をマスクにしてエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、遮光膜３０上にエッチングマスク膜パターン４０ａを形成する（図４Ｂ参照、エッチングマスク膜パターン４０ａの形成工程）。次に、上記エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、遮光膜３０をウェットエッチングして透明基板２０上に遮光膜パターン３０ａを形成する（図４Ｃ参照、遮光膜パターン３０ａの形成工程）。その後、エッチングマスク膜パターン４０ａを剥離する工程をさらに含むことができる（図４Ｄ参照）。
【0091】
さらに具体的には、レジスト膜パターン５０の形成工程では、まず、フォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上に、レジスト膜を形成する。使用するレジスト膜材料は、特に制限されない。レジスト膜は、例えば、３５０ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光に対して感光するものであればよい。また、レジスト膜は、ポジ型、ネガ型のいずれであっても構わない。
【0092】
その後、３５０ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いて、レジスト膜に所望のパターンを描画する。レジスト膜に描画するパターンは、遮光膜３０に形成するパターンである。レジスト膜に描画するパターンとして、ラインアンドスペースパターンおよびホールパターンが挙げられる。
【0093】
その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、図４Ａに示されるように、エッチングマスク膜４０上にレジスト膜パターン５０を形成する。
【0094】
＜＜＜エッチングマスク膜パターン４０ａの形成工程＞＞＞
エッチングマスク膜パターン４０ａの形成工程では、まず、レジスト膜パターン５０をマスクにしてエッチングマスク膜４０をエッチングして、エッチングマスク膜パターン４０ａを形成する。エッチングマスク膜４０は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成することができる。エッチングマスク膜４０をエッチングするエッチング液は、エッチングマスク膜４０を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング液が挙げられる。
エッチングマスク膜パターン４０ａの形成工程では、まず、レジスト膜パターン５０をマスクにしてエッチングマスク膜４０をエッチングして、エッチングマスク膜パターン４０ａを形成する。エッチングマスク膜４０は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成することができる。エッチングマスク膜４０をエッチングするエッチング液は、エッチングマスク膜４０を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング液が挙げられる。
【0095】
その後、レジスト剥離液を用いて、または、アッシングによって、図４Ｂに示されるように、レジスト膜パターン５０を剥離する。場合によっては、レジスト膜パターン５０を剥離せずに、次の遮光膜パターン３０ａの形成工程を行ってもよい。
【0096】
＜＜＜遮光膜パターン３０ａの形成工程＞＞＞
遮光膜パターン３０ａの形成工程では、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして遮光膜３０をウェットエッチングして、図４Ｃに示されるように、遮光膜パターン３０ａを形成する。遮光膜パターン３０ａとして、ラインアンドスペースパターンおよびホールパターンが挙げられる。遮光膜３０をエッチングするエッチング液は、遮光膜３０を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。例えば、エッチング液Ａ（フッ化水素アンモニウムと過酸化水素とを含むエッチング液など）やエッチング液Ｂ（フッ化アンモニウムとリン酸と過酸化水素とを含むエッチング液など）が挙げられる。
遮光膜パターン３０ａの形成工程では、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして遮光膜３０をウェットエッチングして、図４Ｃに示されるように、遮光膜パターン３０ａを形成する。遮光膜パターン３０ａとして、ラインアンドスペースパターンおよびホールパターンが挙げられる。遮光膜３０をエッチングするエッチング液は、遮光膜３０を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。例えば、エッチング液Ａ（フッ化水素アンモニウムと過酸化水素とを含むエッチング液など）やエッチング液Ｂ（フッ化アンモニウムとリン酸と過酸化水素とを含むエッチング液など）が挙げられる。
【0097】
遮光膜パターン３０ａの断面形状を良好にするために、ウェットエッチングは、遮光膜パターン３０ａにおいて透明基板２０が露出するまでの時間（ジャストエッチング時間）よりも長い時間（オーバーエッチング時間）で行うことが好ましい。オーバーエッチング時間としては、透明基板２０への影響等を考慮すると、ジャストエッチング時間に、そのジャストエッチング時間の２０％の時間を加えた時間内とすることが好ましく、ジャストエッチング時間の１０％の時間を加えた時間内とすることがより好ましい。
【0098】
その後、必要に応じて、エッチングマスク膜パターン４０ａを剥離して、フォトマスク１００が得られる。なお、レジスト膜パターン５０を剥離せずに遮光膜パターン３０ａの形成工程を行った場合には、エッチングマスク膜パターン４０ａを剥離する前に、レジスト剥離液を用いて、または、アッシングによって、レジスト膜パターン５０を剥離する。
【0099】
このようにして、フォトマスク１００を得ることができる。すなわち、第１の実施形態にかかるフォトマスク１００が有する転写用パターンは、遮光膜パターン３０ａを含むことができ、さらにエッチングマスク膜パターン４０ａを含んでもよい。なお、エッチングマスク膜４０が、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料からなる場合には、耐静電破壊特性を向上させる観点から、エッチングマスク膜４０を剥離することが好ましい。
【0100】
第１の実施形態のフォトマスク１００の製造方法によれば、図１に示すフォトマスクブランク１０を用いるため、エッジ断面形状が良好な遮光膜パターン３０ａを形成することができる。
【0101】
また、遮光膜パターン３０ａの形成工程におけるローディング効果を低減することができる。したがって、高精細な遮光膜パターン３０ａを含む転写用パターンを精度よく転写可能なフォトマスク１００を製造することができる。このように製造されたフォトマスク１００は、ラインアンドスペースパターンおよび／またはコンタクトホールの微細化に対応することができる。
【0102】
さらに、後述するように、遮光膜パターン３０ａのシート抵抗値を４０Ω／ｓｑ以上にしたことにより、耐静電破壊特性を高めることができる。
【0103】
＜＜第２の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法＞＞
図５Ａから図５Ｃは、図２に示したフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造する方法を説明するための模式図である。第２の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法は、フォトマスクブランク１０を準備する工程と、遮光膜３０の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜３０をウェットエッチングして、透明基板２０上に転写用パターンを形成する工程とを有する。
図５Ａから図５Ｃは、図２に示したフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造する方法を説明するための模式図である。第２の実施形態によるフォトマスク１００の製造方法は、フォトマスクブランク１０を準備する工程と、遮光膜３０の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜３０をウェットエッチングして、透明基板２０上に転写用パターンを形成する工程とを有する。
【0104】
【0105】
まず、図２に示したフォトマスクブランク１０の上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜に所望のパターンを描画・現像を行うことにより、レジスト膜パターン５０を形成する（図５Ａ、レジスト膜パターン５０の形成工程）。次に、該レジスト膜パターン５０をマスクにして遮光膜３０をウェットエッチングして、透明基板２０上に遮光膜パターン３０ａを形成する（図５Ｂおよび図５Ｃ、遮光膜パターン３０ａの形成工程）。
【0106】
さらに具体的には、レジスト膜パターンの形成工程では、まず、図２に示す第２の実施形態のフォトマスクブランク１０の遮光膜３０上に、レジスト膜を形成する。使用するレジスト膜材料は、上記で説明したのと同様である。なお、必要に応じてレジスト膜を形成する前に、遮光膜３０（遮光層３１または表面反射防止層３２）とレジスト膜との密着性を良好にするため、遮光膜３０に表面改質処理を行うことができる。上述と同様に、レジスト膜を形成した後、例えば３５０ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いて、レジスト膜に所望のパターンを描画する。その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、図５Ａに示されるように、遮光膜３０上にレジスト膜パターン５０を形成する。
【0107】
＜＜＜遮光膜パターン３０ａの形成工程＞＞＞
遮光膜パターン３０ａの形成工程では、レジスト膜パターンをマスクにして遮光膜３０をエッチングして、図５Ｂに示されるように、遮光膜パターン３０ａを形成する。遮光膜３０をエッチングするエッチング液およびオーバーエッチング時間は、上述の図４Ｃに示した実施形態での説明と同様である。
遮光膜パターン３０ａの形成工程では、レジスト膜パターンをマスクにして遮光膜３０をエッチングして、図５Ｂに示されるように、遮光膜パターン３０ａを形成する。遮光膜３０をエッチングするエッチング液およびオーバーエッチング時間は、上述の図４Ｃに示した実施形態での説明と同様である。
【0108】
その後、レジスト剥離液を用いて、または、アッシングによって、レジスト膜パターン５０を剥離する（図５Ｃ）。
【0109】
このようにして、フォトマスク１００を得ることができる。なお、第２の実施形態にかかるフォトマスク１００が有する転写用パターンは、遮光膜パターン３０ａのみで構成されているが、他の膜パターンをさらに含むこともできる。他の膜としては、例えば、位相シフト膜、半透光膜、導電性の膜などが挙げられる。
【0110】
この第２の実施形態のフォトマスク１００の製造方法によれば、図２に示すフォトマスクブランク１０を用いるため、エッジ断面形状が良好な遮光膜パターン３０ａを形成することができる。
【0111】
また、遮光膜パターン３０ａの形成工程におけるローディング効果を低減させることができる。したがって、高精細な遮光膜パターン３０ａを含む転写用パターンを精度よく転写可能なフォトマスク１００を製造することができる。このように製造されたフォトマスク１００は、ラインアンドスペースパターンおよび／またはコンタクトホールの微細化に対応することができる。
【0112】
さらに、後述するように、遮光膜パターン３０ａのシート抵抗値を４０Ω／ｓｑ以上にしたことにより、耐静電破壊特性を高めることができる。
【0113】
＜表示装置の製造方法＞
第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法について説明する。第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法は、上述の実施形態のフォトマスク１００を露光装置のマスクステージに載置し、フォトマスク１００上に形成された転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に露光転写する露光工程を有する。
第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法について説明する。第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法は、上述の実施形態のフォトマスク１００を露光装置のマスクステージに載置し、フォトマスク１００上に形成された転写用パターンを、表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に露光転写する露光工程を有する。
【0114】
具体的には、第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法は、上述したフォトマスクブランク１０を用いて製造されたフォトマスク１００を露光装置のマスクステージに載置する工程（マスク載置工程）と、表示装置用の基板上のレジスト膜に転写用パターンを露光転写する工程（露光工程）とを含む。以下、各工程を詳細に説明する。
【0115】
＜＜載置工程＞＞
載置工程では、第１、第２の実施形態のフォトマスク１００を露光装置のマスクステージに載置する。ここで、フォトマスク１００は、露光装置の投影光学系を介して表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に対向するように配置される。
載置工程では、第１、第２の実施形態のフォトマスク１００を露光装置のマスクステージに載置する。ここで、フォトマスク１００は、露光装置の投影光学系を介して表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に対向するように配置される。
【0116】
＜＜パターン転写工程＞＞
パターン転写工程では、フォトマスク１００に露光光を照射して、表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に遮光膜パターン３０ａを含む転写用パターンを転写する。露光光は、３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域からある波長域をフィルターなどでカットし選択された単色光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域を有する光源から発した単色光である。例えば、露光光は、ｉ線、ｈ線およびｇ線のうち少なくとも１つを含む複合光、またはｉ線の単色光である。露光光として複合光を用いることにより、露光光強度を高くしてスループットを向上することができる。そのため、表示装置の製造コストを下げることができる。
パターン転写工程では、フォトマスク１００に露光光を照射して、表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に遮光膜パターン３０ａを含む転写用パターンを転写する。露光光は、３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域からある波長域をフィルターなどでカットし選択された単色光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域を有する光源から発した単色光である。例えば、露光光は、ｉ線、ｈ線およびｇ線のうち少なくとも１つを含む複合光、またはｉ線の単色光である。露光光として複合光を用いることにより、露光光強度を高くしてスループットを向上することができる。そのため、表示装置の製造コストを下げることができる。
【0117】
第１、第２の実施形態の表示装置の製造方法によれば、高解像度、微細なラインアンドスペースパターンおよび／またはコンタクトホールを有する、高精細の表示装置を製造することができる。
【実施例0118】
以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0119】
実施例１．
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
実施例１のフォトブランクを製造するため、まず、透明基板２０として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
実施例１のフォトブランクを製造するため、まず、透明基板２０として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
【0120】
その後、合成石英ガラス基板を、主表面を下側に向けてトレイ（図示せず）に搭載し、インライン型スパッタリング装置のチャンバー内に搬入した。
【0121】
透明基板２０の主表面上に遮光膜３０としての遮光層３１を形成するため、まず、第１チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入した。そして、チタンとケイ素を含む第１スパッタターゲット（チタン：ケイ素＝１：３）に所定のスパッタパワーを印加して、スパッタリングすることにより、透明基板２０の主表面上にチタンとケイ素からなるチタンシリサイドの遮光膜３０（遮光層３１）を成膜した。
【0122】
そして、遮光層３１が成膜された透明基板２０を第２チャンバー内に搬入し、第２チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ２）ガスとで構成される混合ガスを導入した。そして、クロムからなる第２スパッタターゲットに所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、遮光層３１上にクロムと窒素を含有するクロムの窒化物のエッチングマスク膜４０を成膜した。
【0123】
このようにして、透明基板２０上に、遮光層３１のみからなる遮光膜３０とエッチングマスク膜４０が形成されたフォトマスクブランク１０を得た。
【0124】
得られたフォトマスクブランク１０における遮光膜３０の諸特性について以下のように測定した。
［光学濃度（ＯＤ）］
遮光層３１のみからなる遮光膜３０の光学濃度（ＯＤ）を分光光度計で測定した結果、３．６であった（波長４０５ｎｍ）。遮光膜３０の光学濃度の測定には、同一のトレイにセットして作製された、合成石英ガラス基板の主表面上に遮光層３１のみからなる遮光膜３０が成膜された遮光膜付き基板（ダミー基板）を用いた。遮光膜３０の光学濃度は、エッチングマスク膜４０を形成する前に遮光膜付き基板（ダミー基板）をチャンバーから取り出し、測定した。
［光学濃度（ＯＤ）］
遮光層３１のみからなる遮光膜３０の光学濃度（ＯＤ）を分光光度計で測定した結果、３．６であった（波長４０５ｎｍ）。遮光膜３０の光学濃度の測定には、同一のトレイにセットして作製された、合成石英ガラス基板の主表面上に遮光層３１のみからなる遮光膜３０が成膜された遮光膜付き基板（ダミー基板）を用いた。遮光膜３０の光学濃度は、エッチングマスク膜４０を形成する前に遮光膜付き基板（ダミー基板）をチャンバーから取り出し、測定した。
【0125】
［シート抵抗］
また、上記ダミー基板を用いて、４端子法によって、実施例１の遮光膜３０のシート抵抗を測定したところ、６２．９Ω／ｓｑであった。
また、上記ダミー基板を用いて、４端子法によって、実施例１の遮光膜３０のシート抵抗を測定したところ、６２．９Ω／ｓｑであった。
【0126】
さらに、遮光膜３０に対してＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向の組成分析を行った。実際の測定には、ダミー基板を用いた。その結果、遮光膜３０は、透明基板２０と遮光膜３０との界面の組成傾斜領域を除いて、深さ方向に向かって、各構成元素の含有率はほぼ一定だった。具体的な膜組成（原子％）は、チタンが３８％、ケイ素が５５％、窒素が５原子％、酸素が２％であった。
【0127】
Ｂ．フォトマスクおよびその製造方法
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
【0128】
その後、レジスト膜パターン５０をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むＣｒエッチング液によりエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、エッチングマスク膜パターン４０ａを形成した。そして、レジスト膜パターン５０を剥離した。次に、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素との混合溶液を純水で希釈したチタンシリサイドエッチング液により遮光膜３０をウェットエッチングして、遮光膜パターン３０ａを形成した。さらに、エッチングマスク膜４０を上記Ｃｒエッチング液で剥離した。
【0129】
得られたフォトマスク１００の製造時におけるローディング効果について、試験を行った。まず、上述の方法により、パターンピッチが４μｍの複数のラインアンドスペースパターン、該複数のラインアンドスペースパターンの外周を囲む透光領域（透明基板が露出している領域）および該透光領域の外周を囲む遮光領域を含むフォトマスク１００を用意した（図６参照）。図６において、白色領域が遮光膜パターン（ラインパターンおよび遮光領域）を示しており、灰色領域が、スペースパターンおよび透光領域を示している。なお、ローディング効果に関する試験においては、遮光膜パターン３０ａ（ラインパターンおよび遮光領域）上には、エッチングマスク膜が存在する状態とした。他の実施例および比較例も同様である。なお、遮光膜３０のエッチングの際には、ローディング効果の有無および度合いの差を明確にするため、ジャストエッチング時間に対して２００％のオーバーエッチングタイムで行った。
【0130】
本実施例１では、図６に示すように、パターンが密であるＰｏｉｎｔ１における遮光膜３０のサイドエッチング量Ｐ１（遮光膜３０からなるラインパターンのエッジの後退量）と、パターンが疎であるＰｏｉｎｔ３における遮光膜３０のサイドエッチング量Ｐ３（遮光膜３０からなる遮光帯の外枠側のエッジの後退量）との比Ｐ１／Ｐ３を算出することにより、ローディング効果の度合いを確認した。サイドエッチング量（エッジの後退量）とは、エッチングマスク膜パターン４０ａのエッジ位置から遮光膜３０がどれだけサイドエッチングされたかを意味する。具体的には、フォトマスク１００の断面図において、エッチングマスク膜パターン４０ａのエッジから遮光膜３０のエッジまでの距離（寸法）を算出することにより、サイドエッチング量を求めた。
【0131】
Ｐ１／Ｐ３は、Ｐｏｉｎｔ３でのエッチングレートに対するＰｏｉｎｔ１でのエッチングレートの比を意味する。Ｐ１／Ｐ３が１に近いほど、Ｐｏｉｎｔ１とＰｏｉｎｔ３との間でエッチングレートの差が小さいことを意味し、ローディング効果を低減できていると言える。Ｐｏｉｎｔ１におけるサイドエッチング量は、Ｐｏｉｎｔ３におけるサイドエッチング量に対して±２０％以内であることが望ましい。よって、エッチングレートの比Ｐ１／Ｐ３が０．８以上１．２以下の範囲内であれば、ローディング効果を良好に低減できており、Ｐ１／Ｐ３が０．８未満または１．２より大きければ、ローディング効果を良好に低減できていないものとして判断した。
【0132】
実施例１のフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスク１００においては、Ｐ１／Ｐ３が０．９３であった。すなわち、実施例１のフォトマスクブランク１０はローディング効果を良好に低減できていることが明らかとなった。また、得られたフォトマスクについて、静電破壊試験を行ったところ、良好な結果が得られた。
【0133】
実施例２．
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
実施例２のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
実施例１と同じ方法により、合成石英ガラス基板を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。そして、第１チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスおよび窒素（Ｎ２）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、チタンとケイ素を含む第１スパッタターゲット（チタン：ケイ素＝１：３）に所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、透明基板２０の主表面上にチタンとケイ素と窒素とを含有するチタンシリサイドの窒化物の裏面反射防止層３３を成膜した。
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
実施例２のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
実施例１と同じ方法により、合成石英ガラス基板を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。そして、第１チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスおよび窒素（Ｎ２）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、チタンとケイ素を含む第１スパッタターゲット（チタン：ケイ素＝１：３）に所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、透明基板２０の主表面上にチタンとケイ素と窒素とを含有するチタンシリサイドの窒化物の裏面反射防止層３３を成膜した。
【0134】
次に、裏面反射防止層３３が成膜された透明基板２０を第２チャンバー内に搬入した。第２チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入した。そして、チタンとケイ素を含む第２スパッタターゲット（チタン：ケイ素＝１：３）に所定のスパッタパワーを印加して、スパッタリングすることにより、裏面反射防止膜３３上にチタンとケイ素からなるチタンシリサイドの遮光層３１を成膜した。
【0135】
そして、裏面反射防止層３３と遮光層３１が成膜された透明基板２０を第３チャンバー内に搬入した。第３チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスおよび窒素（Ｎ２）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、チタンとケイ素を含む第３スパッタターゲット（チタン：ケイ素＝１：３）に所定スパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングにより、遮光層３１上にモリブデンとケイ素と窒素とを含有するチタンシリサイドの窒化物の表面反射防止層３２を成膜した。
【0136】
そして、表面反射防止層３２が成膜された透明基板２０を第４チャンバー内に搬入し、第４チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスと、窒素（Ｎ２）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、クロムからなる第４スパッタターゲットに所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、表面反射防止層３２上にクロムと窒素を含有するクロムの窒化物のエッチングマスク膜４０を成膜した。
【0137】
このようにして、透明基板２０上に、裏面反射防止層３３と遮光層３１と表面反射防止層３２との積層構造を有する遮光膜３０およびエッチングマスク膜４０が形成されたフォトマスクブランク１０を得た。
【0138】
得られたフォトマスクブランク１０における、裏面反射防止層３３、遮光層３１、および表面反射防止層３２の積層構造からなる遮光膜３０の光学濃度を分光光度計で測定した結果、４．９であった（波長４０５ｎｍ）。また、実施例２の遮光膜３０のシート抵抗を、実施例１と同様の方法で測定したところ、４２．８Ω／ｓｑであった。なお、実施例１と同様に、遮光膜３０の光学濃度およびシート抵抗の測定には、同一のトレイにセットして作製された、合成石英ガラス基板の主表面上に遮光膜３０が成膜された遮光膜付き基板（ダミー基板）を用いた。
【0139】
さらに、遮光膜３０に対してＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向の組成分析を行った。実際の測定には、ダミー基板を用いた。その結果、遮光膜３０は、透明基板２０と裏面反射防止層３３との界面の組成傾斜領域、裏面反射防止層３３と遮光層３１との界面の組成傾斜領域、および遮光層３１と表面反射防止層３２との界面の組成傾斜領域を除いて、深さ方向に向かって、それぞれの層における各構成元素の含有率はほぼ一定だった。具体的な膜組成は、遮光層３１においては、チタンが３７原子％、ケイ素が６０原子％、窒素が３原子％であった。表面反射防止層３２においては、チタンが１０原子％、ケイ素が３７原子％、窒素が５３原子％であった。裏面反射防止層においては、チタンが１０原子％、ケイ素が３７原子％、窒素が５３原子％であった。
【0140】
さらに、遮光膜３０の表面反射率は３．３％（波長４０５ｎｍ）であり、裏面反射率は、４％（波長４０５ｎｍ）であった。すなわち、実施例２のフォトマスクブランク１０は、パターン描画時やパターン転写時の精度を向上させることができるものであった。
【0141】
Ｂ．フォトマスクおよびその製造方法
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジスト膜を塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジストを形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０のエッチングマスク膜４０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジスト膜を塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジストを形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
【0142】
その後、レジスト膜パターン５０をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むＣｒエッチング液によりエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、エッチングマスク膜パターン４０ａを形成した。そして、レジスト膜パターン５０を剥離した。次に、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素との混合溶液を純水で希釈したチタンシリサイドエッチング液により遮光膜３０をウェットエッチングして、遮光膜パターン３０ａを形成した。さらに、エッチングマスク膜パターン４０ａを上記Ｃｒエッチング液で剥離した。
【0143】
得られたフォトマスク１００の製造時におけるローディング効果について、実施例１と同様の試験を行ったところ、実施例２のフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスク１００においても、実施例１のフォトマスクブランク１０と同等の結果が得られた。また、得られたフォトマスクの耐静電破壊特性についても、実施例１と同等に良好な結果が得られた。したがって、実施例２のフォトマスク１００も、ローディング効果を良好に低減できるとともに、高い耐静電破壊特性を有すると言える。
【0144】
比較例１．
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
比較例１のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備し、この合成石英ガラス基板を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
比較例１のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備し、この合成石英ガラス基板を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。
【0145】
スパッタリングターゲットとしては、Ｃｒ（クロム）ターゲットを用いた。そして、スパッタリングガスとして、ＡｒガスとＮ２ガスとの混合ガスをチャンバー内に導入して、ＣｒＮ（窒化クロム）層を成膜し、次いで、ＡｒガスとＣＨ４ガスとをスパッタリングガスとしてＣｒＣ層を成膜し、次いで、ＡｒガスとＮＯガスとをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ層を２５ｎｍ、連続成膜した。このようにして、透明基板２０上に、遮光膜３０が形成されたフォトマスクブランク１０を得た。
【0146】
得られたフォトマスクブランク１０における遮光膜３０の光学濃度を分光光度計で測定した結果、３．０であった（波長４０５ｎｍ）。また、実施例２の遮光膜３０のシート抵抗を、実施例１と同様の方法で測定したところ、２３Ω／ｓｑであった。なお、実施例１と同様に、遮光膜３０の光学濃度およびシート抵抗の測定には、同一のトレイにセットして作製された、合成石英ガラス基板の主表面上に遮光膜３０が成膜された遮光膜付き基板（ダミー基板）を用いた。
【0147】
Ｂ．フォトマスクおよびその製造方法
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０の遮光膜３０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、遮光膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
上述のようにして製造されたフォトマスクブランク１０を用いてフォトマスク１００を製造するため、まず、フォトマスクブランク１０の遮光膜３０上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、遮光膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
【0148】
その後、レジスト膜パターン５０をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むＣｒエッチング液により遮光膜３０をウェットエッチングして、遮光膜パターン３０ａを形成した。さらに、レジスト膜パターン５０を剥離した。
【0149】
得られたフォトマスク１００の製造時におけるローディング効果について、実施例１と同様の試験を行った。その結果、Ｐ１／Ｐ３が１．３であった。すなわち、比較例１のフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスク１００においては、ローディング効果を低減できていなかった。したがって、比較例１のフォトマスクブランク１０は、微細なパターンを精度よく形成するには十分ではないと言える。
【0150】
また、得られたフォトマスクの耐静電破壊特性についても調べたところ、遮光膜パターンの破壊が見られた。すなわち、比較例１のフォトマスクブランク１０およびフォトマスク１０は、高い耐静電破壊特性を有するとは言えなかった。
【0151】
比較例２．
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
比較例２のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。そして、この合成石英ガラス基板（透明基板２０）を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。この合成石英ガラス基板の主表面上に遮光膜３０を形成するため、まず、第１チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスとで構成される混合ガスを導入した。そして、モリブデンとケイ素を含む第１スパッタターゲット（モリブデン：ケイ素＝１：４）に所定のスパッタパワーを印加して、スパッタリングすることにより、透明基板２０の主表面上にモリブデンとケイ素からなるモリブデンシリサイドの遮光層３１を成膜した。
Ａ．フォトマスクブランクおよびその製造方法
比較例２のフォトマスクブランクを製造するため、実施例１と同様に、透明基板として、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。そして、この合成石英ガラス基板（透明基板２０）を、インライン型のスパッタリング装置のチャンバーに搬入した。この合成石英ガラス基板の主表面上に遮光膜３０を形成するため、まず、第１チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスとで構成される混合ガスを導入した。そして、モリブデンとケイ素を含む第１スパッタターゲット（モリブデン：ケイ素＝１：４）に所定のスパッタパワーを印加して、スパッタリングすることにより、透明基板２０の主表面上にモリブデンとケイ素からなるモリブデンシリサイドの遮光層３１を成膜した。
【0152】
次に、遮光層３１が成膜された透明基板２０を第２チャンバー内に搬入し、第２チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスと、一酸化窒素（ＮＯ）ガスおよびヘリウム（Ｈｅ）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、モリブデンとケイ素を含む第２スパッタターゲット（モリブデン：ケイ素＝１：４）に所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、遮光層３１上にモリブデンとケイ素と酸素と窒素を含有するモリブデンシリサイドの酸化窒化物の表面反射防止層３２を成膜した。
【0153】
そして、遮光層３１、表面反射防止層３２が成膜された透明基板２０を第３チャンバー内に搬入し、第３チャンバー内に、アルゴン（Ａｒ）ガスと、窒素（Ｎ２）ガスで構成される混合ガスを導入した。そして、クロムからなる第３スパッタターゲットに所定のスパッタパワーを印加して、反応性スパッタリングすることにより、表面反射防止層３２上にクロムと窒素を含有するクロムの窒化物のエッチングマスク膜４０を成膜した。
【0154】
このようにして、透明基板上に、遮光膜３０およびエッチングマスク膜４０が形成されたフォトマスクブランクを得た。
【0155】
実施例１と同様に、ダミー基板を用いて、得られたフォトマスクブランクにおける遮光膜の光学濃度を分光光度計で測定した結果、４．０であった（波長４０５ｎｍ）。また、上記ダミー基板を用いて、比較例２の遮光膜３０のシート抵抗を測定したところ、８０Ω／ｓｑであった。
【0156】
Ｂ．フォトマスクおよびその製造方法
上述のようにして製造されたフォトマスクブランクを用いて、フォトマスクを製造するため、まず、遮光膜の表面（表面反射防止層の表面）に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
上述のようにして製造されたフォトマスクブランクを用いて、フォトマスクを製造するため、まず、遮光膜の表面（表面反射防止層の表面）に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジストを塗布した。その後、加熱・冷却工程を経て、フォトレジスト膜を形成した。その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜を描画し、現像・リンス工程を経て、エッチングマスク膜上に、ラインアンドスペースパターンを含むレジスト膜パターン５０を形成した。
【0157】
その後、レジスト膜パターン５０をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むＣｒエッチング液によりエッチングマスク膜４０をウェットエッチングして、エッチングマスク膜パターン４０ａを形成した。そして、レジスト膜パターン５０を剥離した。次に、エッチングマスク膜パターン４０ａをマスクにして、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素との混合溶液を純水で希釈したモリブデンシリサイドエッチング液により遮光膜３０をウェットエッチングして、遮光膜パターン３０ａを形成した。さらに、エッチングマスク膜パターン４０ａを上記Ｃｒエッチング液で剥離した。
【0158】
得られたフォトマスク１００の製造時におけるローディング効果について、実施例１と同様の試験を行った。その結果、比較例２のフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスク１００においては、Ｐ１／Ｐ３が０．２５と１．０から大きく乖離した値となり、ローディング効果を低減できていなかった。
【0159】
また、得られたフォトマスクの耐静電破壊特性についても調べたところ、比較例２は、シート抵抗が４０Ω／ｓｑ以上であったため、実施例１と同等に良好な耐静電破壊耐性を有していた。しかしながら、上述のとおり、比較例２では、Ｐ１／Ｐ３が１よりもはるかに小さな値となっており、ローディング効果を低減できていないものであった。すなわち、比較例２のフォトマスクブランク１０は、微細なパターンを精度よく形成するには十分ではないと言える。
【符号の説明】
【0160】
１０ フォトマスクブランク
２０ 透明基板
３０ 遮光膜（パターン形成用薄膜）
３０ａ 遮光膜パターン
３１ 遮光層
３２ 表面反射防止層
３３ 裏面反射防止層
４０ エッチングマスク膜
５０ レジスト膜パターン
１００ フォトマスク
２０ 透明基板
３０ 遮光膜（パターン形成用薄膜）
３０ａ 遮光膜パターン
３１ 遮光層
３２ 表面反射防止層
３３ 裏面反射防止層
４０ エッチングマスク膜
５０ レジスト膜パターン
１００ フォトマスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
