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特開2023-51838インク組成物、及び該インク組成物によって製造された層を含むディスプレイ装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023051838
(43)【公開日】2023-04-11
(54)【発明の名称】インク組成物、及び該インク組成物によって製造された層を含むディスプレイ装置
(51)【国際特許分類】
G02B 5/20 20060101AFI20230404BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20230404BHJP
H10K 59/00 20230101ALI20230404BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20230404BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20230404BHJP
G02B 1/111 20150101ALI20230404BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20230404BHJP
G02B 5/02 20060101ALI20230404BHJP
【ＦＩ】
G02B5/20 101
H05B33/02
H01L27/32
H05B33/14 A
H05B33/22 Z
G02B5/20
G02B1/111
G09F9/30 349A
G02B5/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022154850
(22)【出願日】2022-09-28
(31)【優先権主張番号】10-2021-0130283
(32)【優先日】2021-09-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】キム スドン
(72)【発明者】
【氏名】キム ミンソク
(72)【発明者】
【氏名】キム スジン
【テーマコード（参考）】
2H042
2H148
2K009
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H042BA02
2H148AA01
2H148AA07
2H148BD25
2H148BD28
2K009CC03
2K009CC09
2K009CC21
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC37
3K107EE22
3K107EE24
3K107EE28
3K107EE32
3K107FF03
3K107FF06
3K107FF07
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094ED03
5C094FB01
5C094GB01
5C094JA13
(57)【要約】
【課題】インク組成物、及び該インク組成物によって製造された層を含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態のディスプレイ装置は、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物を及びそれによって製造された層を含み、前記インク組成物によって製造された層は、１．１～１．５の屈折率を有する。さらに、前記分散剤は、Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、Ｓｉ部分を含むポリエチレン系化合物又はそれらの任意組み合わせを含み、前記モノマーは、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーである。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の一実施形態のディスプレイ装置は、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物を及びそれによって製造された層を含み、前記インク組成物によって製造された層は、１．１～１．５の屈折率を有する。さらに、前記分散剤は、Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、Ｓｉ部分を含むポリエチレン系化合物又はそれらの任意組み合わせを含み、前記モノマーは、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物であり、
前記インク組成物によって製造された層が、１．１～１．５の屈折率を有する、前記インク組成物。
前記インク組成物によって製造された層が、１．１～１．５の屈折率を有する、前記インク組成物。
【請求項2】
前記分散剤は、Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、Ｓｉ部分を含むポリエチレン系化合物、又はそれらの任意組み合わせを含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項3】
前記Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、又はＳｉ部分を含むポリエチレン系化合物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を含む、請求項２に記載のインク組成物。
【請求項4】
前記モノマーが、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーである、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項5】
前記インク組成物の蒸気圧が、１３３．３２２４×１０－６～１３３．３２２４×１０－３Ｐａである、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項6】
前記インク組成物の表面エネルギーが、１×１０－３～２０×１０－３Ｎ／ｍである、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項7】
前記インク組成物の粘度が、１×１０－３Ｐａ・ｓ～４０×１０－３Ｐａ・ｓである、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項8】
前記インク組成物は、溶媒を含まない、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項9】
前記散乱体は、金属酸化物、非金属酸化物又はそれらの任意組み合わせを含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項10】
前記散乱体は、チタン、銀、アルミニウム又はそれらの任意組み合わせの酸化物を含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項11】
前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子をさらに含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項12】
前記粒子が、ＳｉＯ２粒子、ＭｇＦ２粒子又はそれらの任意組み合わせを含む、請求項１１に記載のインク組成物。
【請求項13】
前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子と、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面は、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理された、請求項１に記載のインク組成物。
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面は、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理された、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項14】
複数の発光素子が配置された第１基板と、
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有する、ディスプレイ装置。
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有する、ディスプレイ装置。
【請求項15】
前記光制御手段は、カラーフィルタ層、量子ドット層、散乱層又はそれらの任意組み合わせを含む、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項16】
前記ディスプレイ装置が、屈折率１．１～１．５の低屈折率層を含み、
前記低屈折率層、及び前記インク組成物によって製造された層が隣接する、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
前記低屈折率層、及び前記インク組成物によって製造された層が隣接する、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項17】
前記ディスプレイ装置が無機キャッピング層をさらに含む、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項18】
前記ディスプレイ装置が、屈折率１．１～１．５の低屈折率層と、
無機キャッピング層と、をさらに含み、
前記無機キャッピング層が、前記低屈折率層と直接接触し、
前記無機キャッピング層が、前記インク組成物によって製造された層と直接接触する、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
無機キャッピング層と、をさらに含み、
前記無機キャッピング層が、前記低屈折率層と直接接触し、
前記無機キャッピング層が、前記インク組成物によって製造された層と直接接触する、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項19】
前記インク組成物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物をさらに含み、
前記散乱体の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、バンク表面に吸着された、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
前記散乱体の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、バンク表面に吸着された、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項20】
前記インク組成物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、
屈折率１．１～１．５の粒子と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、バンク表面に吸着された、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
屈折率１．１～１．５の粒子と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、バンク表面に吸着された、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ディスプレイ装置に係り、特に、量子ドット層を使用するディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、有機発光表示装置のようなディスプレイ装置は、アノードとカソードとに注入される正孔と電子とが、発光層で再結合して発光する原理によって光を生成し、画像を実現することにより、例えば、赤色、緑色及び青色のうちいずれか一色で発光する画素を具備し、発光する画素の色の組み合わせにより、所望する色が認識される。
【0003】
そのために、各画素には、白色又は青色のような単色光を生成する発光素子と、その単色光を、赤色、緑色及び青色のうち、所望する色に変換して出光させるための光制御手段として、量子ドット層（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａｙｅｒ）やカラーフィルタなどが具備されている。すなわち、各画素の発光素子が単色光を生成すれば、その単色光が、量子ドット層とカラーフィルタとを通過しながら、赤色、緑色、青色のうち１つの色に変換されて出光され、そのように、適正色に出光された画素の色の組み合わせにより、所望するカラーの画像を実現するのである
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国特許出願公開第１０－２０２０－００３２２９４号明細書
【特許文献2】韓国特許出願公開第１０－２０１９－００６６１０９号明細書
【特許文献3】特開２０１３－２５４０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、１．１～１．５の屈折率を有する層の製造に使用されるインク組成物、及びそれによって製造された層を含むディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一態様によれば、
散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物であり、
前記インク組成物によって製造された層が、１．１～１．５の屈折率を有するインク組成物が提供される。
散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物であり、
前記インク組成物によって製造された層が、１．１～１．５の屈折率を有するインク組成物が提供される。
【0007】
前記分散剤は、Ｓｉ部分（ｍｏｉｅｔｙ）を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、Ｓｉモイエティを含むポリエチレン系化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0008】
前記Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、又はＳｉ部分を含むポリエチレン系化合物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を含むものであってよい。
【0009】
前記モノマーが、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーであってよい。
【0010】
前記インク組成物の蒸気圧が、１３３．３２２４×１０－６～１３３．３２２４×１０－３Ｐａ（１０－６～１０－３ｍｍＨｇ）であってよい。
【0011】
前記インク組成物の表面エネルギーが、１×１０－３～２０×１０－３Ｎ／ｍ（１～２０ｄｙｎｅ／ｃｍ）であってよい。
前記インク組成物の粘度が、１×１０－３Ｐａ・ｓ～４０×１０－３Ｐａ・ｓ（１～４０ｃｐｓ）であってよい。
前記インク組成物の粘度が、１×１０－３Ｐａ・ｓ～４０×１０－３Ｐａ・ｓ（１～４０ｃｐｓ）であってよい。
【0012】
前記インク組成物は、溶媒を含まない。
【0013】
前記散乱体は、金属酸化物、非金属酸化物、又はそれらの任意組み合わせを含んでよい。
【0014】
前記散乱体は、チタン、銀、アルミニウム、又はそれらの任意組み合わせの酸化物であってよい。
【0015】
前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子をさらに含んでよい。
【0016】
前記粒子が、ＳｉＯ２粒子、ＭｇＦ２粒子、又はそれらの任意組み合わせを含んでよい。
【0017】
前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子；及びカルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル酸基及び／又はアミノ基を有する前記化合物によっても表面処理される。
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル酸基及び／又はアミノ基を有する前記化合物によっても表面処理される。
【0018】
他の態様によれば、
複数の発光素子が配置された第１基板と、
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有するディスプレイ装置が提供される。
前記光制御手段は、カラーフィルタ層、量子ドット層、散乱層、又はそれらの任意組み合わせを含んでよい。
複数の発光素子が配置された第１基板と、
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有するディスプレイ装置が提供される。
前記光制御手段は、カラーフィルタ層、量子ドット層、散乱層、又はそれらの任意組み合わせを含んでよい。
【0019】
前記ディスプレイ装置が、屈折率１．１～１．５の低屈折率層を含み、
前記低屈折率層、及び前記インク組成物によって製造された層は、隣接してよい。
前記ディスプレイ装置が無機キャッピング層をさらに含んでよい。
前記低屈折率層、及び前記インク組成物によって製造された層は、隣接してよい。
前記ディスプレイ装置が無機キャッピング層をさらに含んでよい。
【0020】
前記ディスプレイ装置が、屈折率１．１～１．５の低屈折率層、及び無機キャッピング層をさらに含み、
前記無機キャッピング層が、前記低屈折率層と直接接触し、
前記無機キャッピング層が、前記インク組成物によって製造された層と直接接触してよい。
前記無機キャッピング層が、前記低屈折率層と直接接触し、
前記無機キャッピング層が、前記インク組成物によって製造された層と直接接触してよい。
【0021】
前記インク組成物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物をさらに含んでよく、
前記散乱体の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、該バンク表面にも吸着される。
前記散乱体の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、該バンク表面にも吸着される。
【0022】
前記インク組成物が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、
屈折率１．１～１．５の粒子と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、該バンク表面にも吸着されてよい。
屈折率１．１～１．５の粒子と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理され、該バンク表面にも吸着されてよい。
【0023】
前述以外の側面、特徴、利点が、以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【発明の効果】
【0024】
本発明の一実施態様によるインク組成物によって製造された層は、１．１～１．５の低屈折率を有することにより、それを含むディスプレイ装置は、側面輝度が改善されうる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明の一実施態様によるディスプレイ装置の断面図である。
【図3】本発明の他の実施態様によるディスプレイ装置の断面図である。
【図4】本発明の他の実施態様によるディスプレイ装置において、側面輝度が改善された結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0026】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施態様を有することができるが、特定の実施態様を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施態様を参照すれば、明確になるであろう。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施態様に限定されるのではなく、多様な形態にて実現される。
【0027】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施態様について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係る重複説明は、省略する。
【0028】
以下の実施態様において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
以下の実施態様において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施態様において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【0029】
以下の実施態様において、「含む」又は「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴又は構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。
図面としては、説明の便宜のために、構成要素が、その大きさが誇張されてもあり、縮小されてもいる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたものに限定されるものではない。
図面としては、説明の便宜のために、構成要素が、その大きさが誇張されてもあり、縮小されてもいる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたものに限定されるものではない。
【0030】
ある実施態様が異なって実現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明される２つの工程が、実質的に同時に遂行され、又は説明される順序と反対の順序にも進められる。
【0031】
以下の実施態様において、膜、領域、構成要素などが連結されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結されている場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在され、間接連結されている場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されているとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に連結されている場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在され、間接的に電気的連結されている場合も含む。
【0032】
図１は、本発明の一実施態様によるディスプレイ装置の断面図である。ここにおいては、赤色、緑色、青色の３色画素の１セットだけ図示されているが、実際の製品には、そのような３色画素のセットが多数個分布されているとするものである。
【0033】
図示されているように、本実施態様のディスプレイ装置は、発光素子１２０が配置された第１基板１１０と、光制御手段である量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ、散乱層２３０Ｗ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが配置された第２基板２１０とが、充填材３００を介在させて組み合わされた構造によってなる。
【0034】
他の一実施形態によれば、光制御手段である量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ、散乱層２３０Ｗ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが、発光素子１２０上に直接積層されてよい。例えば、第１基板に配置された発光素子１２０上に、光制御手段を直接積層した後、第１基板と第２基板とを組み合わせ、ディスプレイ装置を作製することができる。その場合、該光制御手段間には、バンクが存在する。
【0035】
さらに他の一実施形態によれば、第１基板に配置された発光素子１２０上に、光制御手段である量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ、散乱層２３０Ｗ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂを直接積層した後、第２基板なしにディスプレイ装置を作製することもできる。
【0036】
まず、前記発光素子１２０は、第１電極１２２と第２電極１２４との間に、発光層を含む中間層１２３が介在された構造を有し、２つの電極１２２，１２４から注入される正孔と電子とが、中間層内の発光層で再結合して発光する原理によって光を生成する。そのときに生成される光は、例えば、赤色画素、緑色画素、青色画素のいずれもが同一青色光を生成する。すなわち、発光素子１２０においては同一青色光を生成し、それを、赤色、緑色、青色に変換させる役割は、各画素の前記光制御手段が担当することになる。発光素子１２０に係る具体的な内容は、後述する。
【0037】
参照符号１２１は、第１電極１２２と連結された画素回路を示し、薄膜トランジスタ及びキャパシタのような要素が含まれる。そして、参照符号１３０は、発光素子１２０を覆って保護する薄膜封止層を示し、有機膜又は無機膜の単層膜でもあり、有機膜と無機膜とが相互に積層された多層膜でもある。前記無機膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び／又は酸窒化ケイ素などを含むものでもあり、前記有機膜は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、又はそれらの任意組み合わせ（ａｎｙ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｔｈｅｒｅｏｆ）を含むものでもある。
【0038】
前記光制御手段は、量子ドット層、カラーフィルタ層、散乱層又はそれらの任意組み合わせを含むものでもある。
【0039】
前記光制御手段としては、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ、散乱層２３０Ｗ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが提供されるが量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇは、発光素子１２０で生成された青色光を、赤色又は緑色の所望する色に変換させる役割を行い、カラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂは、変換された色に一部混じってもいる雑光をフィルタリングし、色純度を高める役割を行う。ここで、赤色画素と緑色画素とには、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇとカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇとがいずれも具備されているのに比べ、青色画素には、散乱層２３０Ｗ及び青色カラーフィルタ層２２０Ｂが具備されている理由は、発光素子１２０で生成される光が、例えば、青色光であるためである。すなわち、青色画素としては、光を変色させる必要がなく、散乱層２３０Ｗを通過させさえすればよいので、雑光フィルタリングのための青色カラーフィルタ層２２０Ｂだけ具備されているのである。
【0040】
参照符号２６０は、屈折率約１．２の低屈折率層を示す。従来技術の画素の量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及び散乱層２３０Ｗは、約１．６の屈折率を有する層であった。量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ、散乱層２３０Ｗを通過した側面散乱光は、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及び散乱層２３０Ｗと、低屈折率層２６０との屈折率差により、低屈折率層２６０界面において全反射され、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及び散乱層２３０Ｗ内部で再散乱される。前記低屈折率層２６０は、側面散乱を正面散乱に変え、輝度を上昇させるための目的であった。
【0041】
しかし、画素内部において、全方向発光する量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇと、下部光源を散乱させる散乱層２３０Ｗとの側面散乱程度において違いが生じた。その結果、正面から側面に行くほど輝度が低減されるのが、青色光の場合が、緑色光よりさらに大きいという問題点が生じた（視野角制限）。
【0042】
その制限に対処するため、散乱層２３０Ｗの屈折率と、低屈折率層２６０の屈折率とのマッチングさせることにより、散乱層２３０Ｗと低屈折率層２６０との臨界角の増大が実現され、青色画素からの青色光の側面視野角が改善された。
【0043】
本発明の一実施形態によるインク組成物は、前記組成物に含まれるモノマー又は分散剤に、屈折率を低くすることができる部分（例えば、Ｓｉ部分）を含めるか、あるいは前記組成物に屈折率が低い粒子をさらに含めることにより、それによって製造された散乱層２３０Ｗの屈折率を低くし、散乱層２３０Ｗと低屈折率層２６０との臨界角の増大を実現し、青色画素からの青色光の側面視野角を改善した。
【0044】
一実施形態によれば、前記分散剤は、Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、Ｓｉ部分を含むポリエチレン系化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものでもある。
【0045】
前記分散剤は、前記散乱体表面をコーティングするか、あるいはインク組成物上にそれだけで存在しうる。
【0046】
前記ポリアクリレート系化合物、ポリウレタン系化合物及びポリエチレン系化合物に含まれるＳｉ部分は、インク組成物が硬化されて形成された層の屈折率を低くする役割を行うことができる。
【0047】
一実施形態によれば、前記Ｓｉ部分を含むポリアクリレート系化合物、Ｓｉ部分を含むポリウレタン系化合物、又はＳｉ部分を含むポリエチレン系化合物は、カルボキシル基及び／又はアミノ基を含むものでもある。
【0048】
カルボキシル基及び／又はアミノ基を含むことにより、前記分散剤は、散乱体表面をコーティングすることもできる。本明細書において、「表面処理される」、「表面に吸着される」という表現は、「コーティングされる」という表現と同等の意味を有する。
前記分散剤の含有量は、モノマー１００重量％を基準に、０．０１～２重量％であってよい。該分散剤含有量は、組成物内における他成分の含有量及び分散剤としての役割を考慮するとき、前記範囲が適切でもある。
前記分散剤の含有量は、モノマー１００重量％を基準に、０．０１～２重量％であってよい。該分散剤含有量は、組成物内における他成分の含有量及び分散剤としての役割を考慮するとき、前記範囲が適切でもある。
【0049】
一実施形態によれば、前記モノマーは、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーであってよい。
【0050】
該アクリレート系モノマーがＳｉ部分を含むことにより、インク組成物が硬化され、形成された層の屈折率を低くする役割を行うことができる。
【0051】
例えば、該Ｓｉ部分を含む前記アクリレート系モノマーは、下記化学式１の化合物であってよい。
【0052】
【化1】
前記化学式１で、Ｒ１、Ｒ２は互いに独立して水素、重水素、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であってよい。
【0053】
前記モノマーが、Ｓｉ部分を含むアクリレート系モノマーである場合、分散剤は、一般的に使用されるポリアミン系分散剤を含むものであってよい。
【0054】
一実施形態によれば、前記インク組成物の蒸気圧が、１３３．３２２４×１０－６～１３３．３２２４×１０－３Ｐａ（１０－６～１０－３ｍｍＨｇ）であってよい。
【0055】
一実施形態によれば、前記インク組成物の表面エネルギーが、１×１０－３～２０×１０－３Ｎ／ｍ（１～２０ｄｙｎｅ／ｃｍ）であってよい。
【0056】
一実施形態によれば、前記インク組成物の粘度が、１×１０－３Ｐａ・ｓ～４０×１０－３Ｐａ・ｓ（１～４０ｃｐｓ）であってよい。
【0057】
前記インク組成物の蒸気圧、表面エネルギー及び粘度が前記範囲である場合、前記インク組成物は溶液工程、例えばインクジェット工程に適する。
【0058】
前記インク組成物は、溶媒、例えば有機溶媒を含むものでもあってよいが、好ましくは溶媒を含まない。
【0059】
一実施形態によれば、前記散乱体は、金属酸化物、非金属酸化物又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0060】
一実施形態によれば、前記散乱体は、チタン、銀、アルミニウム又はそれらの任意組み合わせの酸化物を含むものであってよい。
【0061】
例えば、前記散乱体の大きさは、５０～３００ｎｍであってよい。該散乱体サイズが前記範囲である場合、青色光の散乱に最適である。
【0062】
前記散乱体の含有量は、モノマー１００重量％を基準に、１～１０重量％でよい。散乱層２３０Ｗとしての役割及び組成物内における他成分の含有量を考慮するとき、前記範囲が適切である。
【0063】
一実施形態によれば、前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子をさらに含むものであってよい。例えば、前記粒子は、ＳｉＯ２粒子、ＭｇＦ２粒子、又はそれらの任意組み合わせを含むものでよい。
【0064】
例えば、前記粒子の大きさは、１～３００ｎｍでよい。前記粒子の含有量は、モノマー１００重量％を基準に、０．１～２０重量％でよい。
一実施形態によれば、前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子と、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物によっても表面処理される。
一実施形態によれば、前記インク組成物が、屈折率１．１～１．５の粒子と、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物と、をさらに含み、
前記散乱体及び／又は前記粒子の表面が、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物によっても表面処理される。
【0065】
カルボキシル基を有する化合物は、酸価が５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である化合物であってよい。該酸価は、カルボキシル基を有する化合物１ｇ中に含有されているＣＯＯＨを中和するのに必要となるＫＯＨのｍｇ数を言う。
【0066】
アミノ基を有する化合物は、アミン価が５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である化合物であってよい。アミン価は、アミノ基を有する化合物１ｇ当たり滴定されたＫＯＨ消費量のｍｇ数を言う。
【0067】
カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物の酸価及びアミン価が前記範囲である場合、前記散乱体及び／又は前記粒子の表面に配位子に結合し、表面をコーティングすることができる。
【0068】
カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物で表面処理された、例えば、表面コーティングされた前記散乱体及び／又は前記粒子は、例えば、インクジェット工程においてバンク表面に移動し、該バンク表面に吸着される。すなわち、カルボキシル基及び／又はアミノ基を有する前記化合物により、該バンク表面は、前記散乱体及び／又は前記粒子によってもコーティングされる。
【0069】
前記散乱体及び／又は前記粒子によってコーティングされたバンクは、反射、全反射、屈折などを介し、該バンク内に吸収される光を減らし、該バンク外部に抽出される光を増やす。それにより、輝度が上昇し、散乱角度が増大しうる。
【0070】
前述のカルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物の含有量は、モノマー１００重量％を基準に、０．１～１０重量％でもある。散乱体含有量及び屈折率１．１～１．５の粒子の含有量を考慮するとき、前述のカルボキシル基及び／又はアミノ基を有する化合物の含有量範囲は、前記範囲が適切である。
【0071】
本発明の一実施形態による、ディスプレイ装置は、
複数の発光素子が配置された第１基板と、
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有しうる。
複数の発光素子が配置された第１基板と、
前記第１基板上に、前記複数の発光素子に対応する複数の光制御手段と、
前記複数の光制御手段間に配置された複数のバンクと、を含み、
前記光制御手段のうち少なくとも一つが、散乱体、モノマー及び分散剤を含むインク組成物によって製造された層を含み、
前記層が、１．１～１．５の屈折率を有しうる。
【0072】
一実施形態によれば、前記光制御手段は、カラーフィルタ層、量子ドット層、散乱層、又はそれらの任意組み合わせを含むものでもある。
【0073】
前記インク組成物によって製造された前記層は、赤色画素、緑色画素又は青色画素の上部又は下部のうち少なくともいずれか１以上の領域に位置しうる。例えば、前記インク組成物によって製造された前記層は、図１において、前記散乱層２３０Ｗであってよい。
【0074】
参照符号２５０は、各画素間において、遮光用に配置されたブラックマットリックスを示し、参照符号２４０は、各画素の光制御手段の間ごとに、境界をなすバンクを示す
【0075】
一実勢形態によれば、バンク２４０及びブラックマットリックス２５０は、一体にも形成されてもよい。その場合、バンク２４０及びブラックマットリックス２５０を含む一体型が、黒色顔料及び散乱剤を含む。
【0076】
前記バンク２４０は、第１基板１１０側と対面する一側表面が、疎水性である特性を有する。
【0077】
光源（例えば、有機発光素子）から生成された光（例えば、単色光）は、量子ドット層とカラーフィルタとを通過しながら、赤色、緑色、青色のうち１つの色に変換されて出光される。
【0078】
一方、バンク２４０は、バンク組成物を基板上に塗布して硬化させた後、フォトリソグラフィ工程を経ることになる。
【0079】
該バンク組成物は、硬化可能な高分子、フォトレジスト化合物、フッ素含有ポリマー、黒色顔料、散乱剤などと、溶媒とを含み、該バンク組成物を硬化させる場合、該溶媒は、いずれも蒸発する。
【0080】
次に、前記第１基板１１０と第２基板２１０との間には、２枚の基板１１０，２１０間に適正間隔を維持するギャップ維持部の機能と、結合材の機能とを兼ねる充填材３００が介在されている。従って、２枚の基板１１０，２１の間に充填材３００を塗布して組み合わせれば、その充填材３００が、２枚の基板１１０，２１０間のギャップを適切に維持しながら、堅固に結合させる役割を行う。
【0081】
【0082】
まず、図２Ａに図示されているように、第１基板１１０上に発光素子１２０を形成し、薄膜封止層１３０で覆う。
【0083】
そして、前記第２基板２１０には、図２Ｂのように、フォトリソグラフィ工程を介し、ブラックマットリックス２５０とカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂとをそれぞれ形成する。カラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂは、各発光素子１２０と対応する位置に形成される。
【0084】
次に、図２Ｃのように、カラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂとブラックマットリックス２５０との上に、例えば中空シリカ材料を準備し、低屈折率層２６０を形成する。前記低屈折率層２６０は、１．１～１．５の屈折率を有し、０．１～５μｍの厚みを有しうる。
【0085】
選択的には、前記低屈折率層２６０上に、気相化学蒸着法により、無機キャッピング層２７０を形成することができる。
【0086】
前記無機キャッピング層２７０は、Ｓｉ、Ｎ、又はそれらの任意組み合わせの酸化物を含む層であり、１００～１，０００ｎｍの厚みを有しうる。前記無機キャッピング層２７０は、インク組成物によって製造された前記層と同一屈折率を有するか、あるいは屈折率差が０．５以下でもよい。前記無機キャッピング層は省くことができる。その場合、散乱層２３０Ｗ及び低屈折率層２６０は、直接接触する。
【0087】
次に、図２Ｄのように、バンク２４０が、各画素間のカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ間の位置ごとに残るようにパターニングする。
【0088】
その後、図２Ｅのように、赤色画素と緑色画素とには量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇを形成し、青色画素には、散乱層２３０Ｗを形成する。そのとき、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇは、カラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇと互いに重なる位置に形成される。散乱層２３０Ｗは、カラーフィルタ層２２０Ｂと互いに重なる位置に形成される。量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及び散乱層２３０Ｗは、インクジェット工程によって形成することができる。
【0089】
なお、前記量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇに含まれた光変色粒子である量子ドット又はコアは、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素又はその化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでよい。
【0090】
前記ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳのような二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳのような三元素化合物；ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅのような四元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでよい。
【0091】
前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の例は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂのような二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂのような三元素化合物；ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂのような四元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでもある。一方、前記III－Ｖ族半導体化合物は、ＩＩ族元素をさらに含むものでもある。ＩＩ族元素をさらに含むＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の例は、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＺｎＰ、ＩｎＡｌＺｎＰなどを含むものでよい。
【0092】
前記ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＧａＳ、ＧａＳｅ、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＩｎＴｅのような二元素化合物；ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３のような三元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでよい。
【0093】
前記Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２のような三元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでよい。
【0094】
前記ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅのような二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅのような三元素化合物；ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅのような四元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものでよい。
【0095】
前記ＩＶ族元素又はその化合物は、Ｓｉ、Ｇｅのような単一元素化合物；ＳｉＣ、ＳｉＧｅのような二元素化合物；又はそれらの任意組み合わせを含むものでよい。
前述の二元素化合物、三元素化合物及び四元素化合物のような多元素化合物に含まれたそれぞれの元素は、均一な濃度又は不均一な濃度で、粒子内に存在しうる。
前述の二元素化合物、三元素化合物及び四元素化合物のような多元素化合物に含まれたそれぞれの元素は、均一な濃度又は不均一な濃度で、粒子内に存在しうる。
【0096】
一方、前記量子ドットは、当該量子ドットに含まれたそれぞれの元素の濃度が均一な単一構造又はコア・シェルの二重構造を有しうる。例えば、前記コアに含まれた物質と、前記シェルに含まれた物質は、互いに異なってよい。
【0097】
前記量子ドットのシェルは、前記コアの化学的変性を防止し、半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／又は量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割を遂行することができる。前記シェルは、単層又は多重層でよい。該コアと該シェルとの界面は、該シェルに存在する元素の濃度が、中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有しうる。
【0098】
前記量子ドットのシェルの例としては、金属・半金属又は非金属の酸化物、半導体化合物、又はそれらの組み合わせなどを挙げることができる。前述の金属、半金属又は非金属の酸化物の例は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯのような二元素化合物；ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４のような三元素化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものであってよい。前記半導体化合物の例は、本明細書に記載されたような、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；又はそれらの任意組み合わせ；を含むものであってよい。例えば、前記半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、又はそれらの任意組み合わせを含むものでよい。
【0099】
該量子ドットは、約４５ｎｍ以下、具体的には、約４０ｎｍ以下、さらに具体的には、約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ：ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ）を有し、その範囲において、色純度や色再現性を向上させることができる。また、そのような量子ドットを介して発光される光は、全方向に放出されるが、光視野角が向上されうる。
また、該量子ドットの形態は、具体的には、球形、ピラミッド形、多重枝状（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）又は立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノファイバ、ナノ板状粒子のような形態であってよい。
また、該量子ドットの形態は、具体的には、球形、ピラミッド形、多重枝状（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）又は立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノファイバ、ナノ板状粒子のような形態であってよい。
【0100】
前記量子ドットの大きさを調節することにより、エネルギーバンドギャップの調節が可能であるので、該量子ドット発光層において、多様な波長帯の光を得ることができる。従って、互いに異なる大きさの量子ドットを使用することにより、さまざまな波長の光を発光する発光素子を実現できる。具体的には、前記量子ドットの大きさは、赤色、緑色及び／又は青色光が発光されるようにも選択される。また、前記量子ドットの大きさは、多様な色の光が結合され、白色光を発光するように構成されてよい。
【0101】
そのような量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇを形成した後には、図２Ｆのように、第１基板１１０と第２基板２１０との間に充填材３００を塗り、２枚の基板１１０，２１０を組み合わせる。それにより、図１に示されているように、発光素子１２０、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが具備されたディスプレイ装置が実現される。
【0102】
なお、本実施態様としては、発光素子１２０の発光層を含む中間層１２３が、全体画素領域にわたって共通層として形成される場合を例示したが、図３に示されているように、各画素に分離されて形成される変形例も可能である。すなわち、発光層を含む中間層１２３は、共通層として形成することもでき、各画素に分離された状態になるように形成することができることを示している。
【0103】
前記発光層は、有機発光物質又は発光物質を含むものであってよい。
【0104】
発光素子１２０につき、さらに具体的に説明する。
【0105】
［第１電極１２２］
図１の第１電極１２２の下部、又は第２電極１２４の上部には、基板が追加して配置されうる。前記基板としては、ガラス基板又はプラスチック基板を使用することができる。
図１の第１電極１２２の下部、又は第２電極１２４の上部には、基板が追加して配置されうる。前記基板としては、ガラス基板又はプラスチック基板を使用することができる。
【0106】
前記第１電極１２２は、例えば、前記基板上部に、第１電極用物質を、蒸着法又はスパッタリング法などを利用して提供することによっても形成される。前記第１電極１２２がアノードである場合、第１電極用物質として、正孔注入が容易である高仕事関数物質を利用することができる。
【0107】
前記第１電極１２２は、反射型電極、半透過型電極又は透過型電極であってよい。透過型電極である第１電極１２２を形成するために、第１電極用物質として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はそれらの任意組み合わせを利用することができる。又は、半透過型電極又は反射型電極である第１電極１２２を形成するために、第１電極用物質として、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム・インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム・銀（Ｍｇ－Ａｇ）、又はそれらの任意組み合わせを利用することができる。
【0108】
前記第１電極１２２は、単一層によってなる（ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ）単層構造又は複数の層を含む多層構造を有しうる。例えば、前記第１電極１２２は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有してよい。
【0109】
［中間層１２３］
前記第１電極１２２上部には、中間層１２３が配置されている。前記中間層１２３は発光層を含む。
前記第１電極１２２上部には、中間層１２３が配置されている。前記中間層１２３は発光層を含む。
【0110】
前記中間層１２３は、前記第１電極１２２と前記発光層との間に配置された正孔輸送領域（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｏｎ）、及び前記発光層と前記第２電極１２４との間に配置された電子輸送領域（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｏｎ）をさらに含むものであってよい。
【0111】
前記中間層１２３は、各種有機物以外に、有機金属化合物のような金属含有化合物、量子ドットのような無機物などをさらに含むものであってよい。
【0112】
一方、前記中間層１２３は、ｉ）前記第１電極１２２と前記第２電極１２４との間に順次に積層されている２以上の発光単位（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｕｎｉｔ）、及びｉｉ）前記２個の発光単位間に配置された電荷生成層（ｃｈｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含むものであってよい。前記中間層１２３が、前述のような発光単位及び電荷生成層を含む場合、前記発光素子１２０は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）発光素子であってよい。
【0113】
［中間層１２３内の正孔輸送領域］
前記正孔輸送領域は、ｉ）単一物質によってなる単一層によってなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む単一層によってなる単層構造、又はｉｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有しうる。
前記正孔輸送領域は、ｉ）単一物質によってなる単一層によってなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む単一層によってなる単層構造、又はｉｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有しうる。
【0114】
前記正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、発光補助層、電子阻止層、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0115】
例えば、前記正孔輸送領域は、第１電極１２２から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光補助層、正孔注入層／発光補助層、正孔輸送層／発光補助層又は正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の多層構造を有しうる。
【0116】
前記正孔輸送領域は、下記化学式２０１で表される化合物、下記化学式２０２で表される化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい：
【0117】
【化2】
【0118】
【化3】
【0119】
前記化学式２０１及び２０２で、
Ｌ２０１～Ｌ２０４は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｌ２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ２０１）－＊’、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキレン基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０アルケニレン基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０～５の整数のうち一つであり、
ｘａ５は、１～１０の整数のうち一つであり、
Ｒ２０１～Ｒ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｒ２０１とＲ２０２は、選択的に（ｏｐｔｉｏｎａｌｌｙ）、単一結合、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ５アルキレン基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ５アルケニレン基を介して互いに連結され、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０多環基（例えば、カルバゾリル基など）を形成することができ、 Ｒ２０３とＲ２０４は、選択的に、単一結合、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ５アルキレン基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ５アルケニレン基を介して互いに連結され、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０多環基を形成することができ、
ｎａ１は、１～４の整数のうち一つであってよい。
Ｌ２０１～Ｌ２０４は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｌ２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ２０１）－＊’、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキレン基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０アルケニレン基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０～５の整数のうち一つであり、
ｘａ５は、１～１０の整数のうち一つであり、
Ｒ２０１～Ｒ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｒ２０１とＲ２０２は、選択的に（ｏｐｔｉｏｎａｌｌｙ）、単一結合、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ５アルキレン基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ５アルケニレン基を介して互いに連結され、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０多環基（例えば、カルバゾリル基など）を形成することができ、 Ｒ２０３とＲ２０４は、選択的に、単一結合、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ５アルキレン基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ５アルケニレン基を介して互いに連結され、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ８－Ｃ６０多環基を形成することができ、
ｎａ１は、１～４の整数のうち一つであってよい。
【0120】
例えば、前記化学式２０１及び２０２それぞれは、下記化学式ＣＹ２０１～ＣＹ２１７で表された基のうち少なくとも一つを含むものであってよい：
【化4】
【0121】
前記化学式ＣＹ２０１～ＣＹ２１７で、Ｒ１０ｂ及びＲ１０ｃに係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｒ１０ａに係る説明を参照されたい、環ＣＹ２０１～環ＣＹ２０４は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ２０炭素環基又はＣ１－Ｃ２０ヘテロ環基であり、前記化学式ＣＹ２０１～ＣＹ２１７において、少なくとも１つの水素は、本明細書に記載されたようなＲ１０ａで置換又は非置換されうる。
【0122】
前記正孔輸送領域の厚みは、約５ｎｍ～約１，０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約４００ｎｍであってよい。前記正孔輸送領域が、正孔注入層、正孔輸送層又はそれらの任意組み合わせを含む場合、前記正孔注入層の厚みは、約１０ｎｍ～約９００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍであり、前記正孔輸送層の厚みは、約５ｎｍ～約２００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍであってよい。前述の正孔輸送領域、正孔注入層及び正孔輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。
【0123】
前記発光補助層は、発光層から発光される光の波長による光共振距離を補償し、発光効率を上昇させる役割を行う層であり、前記電子阻止層は、発光層から、正孔輸送領域からの電子流出を防止する役割を行う層である。前述の正孔輸送領域に含まれうる物質が、該発光補助層及び該電子阻止層にも含まれる。
【0124】
［ｐ－ドーパント］
前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質を含むものであってよい。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に、均一又は不均一に分散（例えば、電荷生成物質によってなる単一層形態）されることができる。
前記電荷生成物質は、例えば、ｐ－ドーパントであってよい。
前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質を含むものであってよい。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に、均一又は不均一に分散（例えば、電荷生成物質によってなる単一層形態）されることができる。
前記電荷生成物質は、例えば、ｐ－ドーパントであってよい。
【0125】
例えば、前記ｐ－ドーパントのＬＵＭＯ（ｌｏｗｅｓｔ ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギーレベルは、－３．５ｅＶ以下であってよい。
一実施形態によれば、前記ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、シアノ基含有化合物、元素ＥＬ１含有化合物及び元素ＥＬ２含有化合物又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
一実施形態によれば、前記ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、シアノ基含有化合物、元素ＥＬ１含有化合物及び元素ＥＬ２含有化合物又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0126】
前記キノン誘導体の例は、ＴＣＮＱ、Ｆ４－ＴＣＮＱなどを含むものであってよい。
前記シアノ基含有化合物の例は、ＨＡＴ－ＣＮ、下記化学式２２１で表された化合物などを含むものであってよい。
前記シアノ基含有化合物の例は、ＨＡＴ－ＣＮ、下記化学式２２１で表された化合物などを含むものであってよい。
【化5】
【化6】
【0127】
前記化学式２２１で、
Ｒ２２１～Ｒ２２３は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
前記Ｒ２２１～Ｒ２２３のうち少なくとも一つは、互いに独立して、シアノ基；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、又はそれらの任意組み合わせで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基；又はそれらの任意組み合わせ；で置換された、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基又はＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であってよい。
Ｒ２２１～Ｒ２２３は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
前記Ｒ２２１～Ｒ２２３のうち少なくとも一つは、互いに独立して、シアノ基；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、又はそれらの任意組み合わせで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基；又はそれらの任意組み合わせ；で置換された、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基又はＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であってよい。
【0128】
前述の元素ＥＬ１含有化合物及び元素ＥＬ２含有化合物において、元素ＥＬ１は、金属、半金属、又はそれらの組み合わせであり、元素ＥＬ２は、非金属、半金属、又はそれらの組み合わせであってよい。
【0129】
［中間層１２３内の発光層］
前記発光素子１２０がフルカラー発光素子である場合、発光層は、個別の副画素別に、赤色発光層、緑色発光層及び／又は青色発光層にパターニングされてよい。又は前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうち２以上の層が、接触又は離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質のうち２以上の物質が、層区分混合された構造を有し、白色光を発光してもよい。
前記発光素子１２０がフルカラー発光素子である場合、発光層は、個別の副画素別に、赤色発光層、緑色発光層及び／又は青色発光層にパターニングされてよい。又は前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうち２以上の層が、接触又は離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質のうち２以上の物質が、層区分混合された構造を有し、白色光を発光してもよい。
【0130】
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含むものであってよい。前記ドーパントは、リン光ドーパント、蛍光ドーパント又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
前記発光層におけるドーパント含有量は、ホスト１００重量部に対し、約０．０１～約１５重量部であってよい。
前記発光層におけるドーパント含有量は、ホスト１００重量部に対し、約０．０１～約１５重量部であってよい。
【0131】
又は、前記発光層は、量子ドットを含むものであってよい。該量子ドットに係る内容は、前述の箇所を参照されたい。
【0132】
一方、前記発光層は、遅延蛍光物質を含むものであってよい。前記遅延蛍光物質は、発光層において、ホスト又はドーパントの役割を行うことができる。
【0133】
前記発光層の厚みは、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、約２０ｎｍ～約６０ｎｍであってよい。前記発光層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、すぐれた発光特性を示しうる。
【0134】
［ホスト］
前記ホストは、下記化学式３０１で表される化合物を含むものであってよい：
前記ホストは、下記化学式３０１で表される化合物を含むものであってよい：
【0135】
【化7】
【0136】
前記化学式３０１で、
Ａｒ３０１及びＬ３０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｂ１１は、１、２又は３であり、
ｘｂ１は、０～５の整数のうち一つであり、
Ｒ３０１は、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）（Ｑ３０３）、－Ｎ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｂ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３０１）、又はＰ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）であり、
ｘｂ２１は、１～５の整数のうち一つであり、
Ｑ３０１～Ｑ３０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい。
Ａｒ３０１及びＬ３０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｂ１１は、１、２又は３であり、
ｘｂ１は、０～５の整数のうち一つであり、
Ｒ３０１は、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）（Ｑ３０３）、－Ｎ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｂ（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３０１）、又はＰ（＝Ｏ）（Ｑ３０１）（Ｑ３０２）であり、
ｘｂ２１は、１～５の整数のうち一つであり、
Ｑ３０１～Ｑ３０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい。
【0137】
例えば、前記化学式３０１で、ｘｂ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ３０１は、単一結合を介して互いに連結されることができる。
他の例として、前記ホストは、下記化学式３０１－１で表された化合物、下記化学式３０１－２で表された化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい：
他の例として、前記ホストは、下記化学式３０１－１で表された化合物、下記化学式３０１－２で表された化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい：
【0138】
【化8】
【0139】
【化9】
【0140】
前記化学式３０１－１～３０１－２で、
環Ａ３０１～環Ａ３０４は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｘ３０１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ－［（Ｌ３０４）ｘｂ４－Ｒ３０４］、Ｃ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）、又はＳｉ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）であり、
ｘｂ２２及びｘｂ２３は、互いに独立して、０、１又は２であり、
Ｌ３０１、ｘｂ１及びＲ３０１に係る説明は、それぞれ本明細書に記載をを参照し、
Ｌ３０２～Ｌ３０４に係る説明は、互いに独立して、前記Ｌ３０１に係る説明を参照し、
ｘｂ２～ｘｂ４に係る説明は、互いに独立して、前記ｘｂ１に係る説明を参照し、
Ｒ３０２～Ｒ３０５、及びＲ３１１～Ｒ３１４に係る説明は、それぞれ前記Ｒ３０１に係る説明を参照する。
環Ａ３０１～環Ａ３０４は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｘ３０１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ－［（Ｌ３０４）ｘｂ４－Ｒ３０４］、Ｃ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）、又はＳｉ（Ｒ３０４）（Ｒ３０５）であり、
ｘｂ２２及びｘｂ２３は、互いに独立して、０、１又は２であり、
Ｌ３０１、ｘｂ１及びＲ３０１に係る説明は、それぞれ本明細書に記載をを参照し、
Ｌ３０２～Ｌ３０４に係る説明は、互いに独立して、前記Ｌ３０１に係る説明を参照し、
ｘｂ２～ｘｂ４に係る説明は、互いに独立して、前記ｘｂ１に係る説明を参照し、
Ｒ３０２～Ｒ３０５、及びＲ３１１～Ｒ３１４に係る説明は、それぞれ前記Ｒ３０１に係る説明を参照する。
【0141】
［リン光ドーパント］
前記リン光ドーパントは、中心金属として、少なくとも１つの遷移金属を含むものであってよい。
前記リン光ドーパントは、中心金属として、少なくとも１つの遷移金属を含むものであってよい。
【0142】
前記リン光ドーパントは、単座（ｍｏｎｏｄｅｎｔａｔｅ）配位子、二座配位子、三座配位子、四座配位子、五座配位子、六座配位子、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0143】
前記リン光ドーパントは、電気的に中性（ｎｅｕｔｒａｌ）であってよい。
例えば、前記リン光ドーパントは、下記化学式４０１で表される有機金属化合物を含むものであってよい：
例えば、前記リン光ドーパントは、下記化学式４０１で表される有機金属化合物を含むものであってよい：
【0144】
【化10】
【0145】
【化11】
【0146】
前記化学式４０１及び４０２で、
Ｍは、遷移金属（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）又はツリウム（Ｔｍ））であり、
Ｌ４０１は、前記化学式４０２で表される配位子であり、ｘｃ１は、１、２又は３であり、ｘｃ１が２以上である場合、２以上のＬ４０１は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｌ４０２は、有機配位子であり、ｘｃ２は、０、１、２、３又は４であり、ｘｃ２が２以上である場合、２以上のＬ４０２は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｘ４０１及びＸ４０２は、互いに独立して、窒素又は炭素であり、
環Ａ４０１及び環Ａ４０２は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基又はＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｔ４０１は、単一結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｑ４１１）－、－Ｃ（Ｑ４１１）（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝Ｃ（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝又は＝Ｃ＝であり、
Ｘ４０３及びＸ４０４は、互いに独立して、化学結合（例えば、共有結合又は配位結合）、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｑ４１３）、Ｂ（Ｑ４１３）、Ｐ（Ｑ４１３）、Ｃ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）又はＳｉ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）であり、
前述のＱ４１１～Ｑ４１４に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
Ｒ４０１及びＲ４０２は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）（Ｑ４０３）、－Ｎ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｂ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ４０１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）であり、
前述のＱ４０１～Ｑ４０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
ｘｃ１１及びｘｃ１２は、互いに独立して、０～１０の整数のうち一つであり、
前記化学式４０２で＊及び＊’は、それぞれ前記化学式４０１で、Ｍとの結合サイトである。
Ｍは、遷移金属（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）又はツリウム（Ｔｍ））であり、
Ｌ４０１は、前記化学式４０２で表される配位子であり、ｘｃ１は、１、２又は３であり、ｘｃ１が２以上である場合、２以上のＬ４０１は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｌ４０２は、有機配位子であり、ｘｃ２は、０、１、２、３又は４であり、ｘｃ２が２以上である場合、２以上のＬ４０２は、互いに同一であるか、あるいは異なっており、
Ｘ４０１及びＸ４０２は、互いに独立して、窒素又は炭素であり、
環Ａ４０１及び環Ａ４０２は、互いに独立して、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基又はＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
Ｔ４０１は、単一結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｑ４１１）－、－Ｃ（Ｑ４１１）（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝Ｃ（Ｑ４１２）－、－Ｃ（Ｑ４１１）＝又は＝Ｃ＝であり、
Ｘ４０３及びＸ４０４は、互いに独立して、化学結合（例えば、共有結合又は配位結合）、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｑ４１３）、Ｂ（Ｑ４１３）、Ｐ（Ｑ４１３）、Ｃ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）又はＳｉ（Ｑ４１３）（Ｑ４１４）であり、
前述のＱ４１１～Ｑ４１４に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
Ｒ４０１及びＲ４０２は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキル基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）（Ｑ４０３）、－Ｎ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｂ（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ４０１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ４０１）（Ｑ４０２）であり、
前述のＱ４０１～Ｑ４０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
ｘｃ１１及びｘｃ１２は、互いに独立して、０～１０の整数のうち一つであり、
前記化学式４０２で＊及び＊’は、それぞれ前記化学式４０１で、Ｍとの結合サイトである。
【0147】
例えば、前記化学式４０２で、ｉ）Ｘ４０１は、窒素であり、Ｘ４０２は、炭素であるか、あるいはｉｉ）Ｘ４０１とＸ４０２とがいずれも窒素であってよい。
【0148】
他の例として、前記化学式４０２で、ｘｃ１が２以上である場合、２以上のＬ４０１において、２個の環Ａ４０１は、選択的に連結基であるＴ４０２を介して互いに連結されるか、あるいは２個の環Ａ４０２は、選択的に連結基であるＴ４０３を介して互いに連結されうる（下記化合物ＰＤ１～ＰＤ４、及びＰＤ７参照）。
前述のＴ４０２及びＴ４０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｔ４０１に係る説明を参照されたい。
前述のＴ４０２及びＴ４０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｔ４０１に係る説明を参照されたい。
【0149】
前記化学式４０１でＬ４０２は、任意の有機配位子であってよい。例えば、前記Ｌ４０２は、ハロゲン基、ジケトン基（例えば、アセチルアセトネート基）、カルボキシル基（例えば、ピコリネート基）、－Ｃ（＝Ｏ）、イソニトリル基、－ＣＮ基、ホスホロス基（例えば、ホスフィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）基、ホスファイト（ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）基など）、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0150】
［蛍光ドーパント］
前記蛍光ドーパントは、アミノ基含有化合物、スチリル基含有化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
前記蛍光ドーパントは、アミノ基含有化合物、スチリル基含有化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0151】
例えば、前記蛍光ドーパントは、下記化学式５０１で表される化合物を含むものであってよい：
【0152】
【化12】
【0153】
前記化学式５０１で、
Ａｒ５０１、Ｌ５０１～Ｌ５０３、Ｒ５０１及びＲ５０２は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｄ１～ｘｄ３は、互いに独立して、０、１、２又は３であり、
ｘｄ４は、１、２、３、４、５又は６であってよい。
Ａｒ５０１、Ｌ５０１～Ｌ５０３、Ｒ５０１及びＲ５０２は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｄ１～ｘｄ３は、互いに独立して、０、１、２又は３であり、
ｘｄ４は、１、２、３、４、５又は６であってよい。
【0154】
例えば、前記化学式５０１でＡｒ５０１は、３個以上の単環基が互いに縮合された縮合環基（例えば、アントラセニル基、クリセニル基、ピレニル基など）を含むものであってよい。
他の例として、前記化学式５０１でｘｄ４は、２であってよい。
他の例として、前記化学式５０１でｘｄ４は、２であってよい。
【0155】
［遅延蛍光物質］
前記発光層は、遅延蛍光物質を含むものであってよい。
前記発光層は、遅延蛍光物質を含むものであってよい。
【0156】
本明細書において遅延蛍光物質は、遅延蛍光放出メカニズムにより、遅延蛍光を放出することができる任意の化合物のうちからも選択される。
【0157】
前記発光層に含まれた遅延蛍光物質は、前記発光層に含まれた他物質の種類により、ホスト又はドーパントの役割を行うことができる。
【0158】
一実施形態によれば、前記遅延蛍光物質の三重項エネルギーレベル（ｅＶ）と、前記遅延蛍光物質の一重項エネルギーレベル（ｅＶ）との差は、０ｅＶ以上及び０．５ｅＶ以下であってよい。前記遅延蛍光物質の三重項エネルギーレベル（ｅＶ）と、前記遅延蛍光物質の一重項エネルギーレベル（ｅＶ）との差が、前述のような範囲を満足することにより、前記遅延蛍光物質において、三重項状態から重項状態への逆エネルギー移動（ｕｐ－ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）が効果的になされ、前記発光素子１２０の発光効率などが向上されうる。
【0159】
例えば、前記遅延蛍光物質は、ｉ）少なくとも１つの電子ドナー（例えば、カルバゾリル基のようなπ電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環式基（π ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｒｉｃｈ Ｃ３－Ｃ６０ ｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ））、及び少なくとも１つの電子アクセプタ（例えば、スルホキシド基、シアノ基又はπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基（π ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ Ｃ１－Ｃ６０ ｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ））を含む物質、ｉｉ）ホウ素（Ｂ）を共有しながら、２以上の環式基が縮合されたＣ８－Ｃ６０多環基含有物質などを含むものであってよい。
【0160】
［中間層１２３内の電子輸送領域］
前記電子輸送領域は、ｉ）単一物質によってなる単一層によってなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む単一層によってなる単層構造、又はｉｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有しうる。
前記電子輸送領域は、ｉ）単一物質によってなる単一層によってなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む単一層によってなる単層構造、又はｉｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を含む多層構造を有しうる。
【0161】
前記電子輸送領域は、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層、電子注入層、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0162】
例えば、前記電子輸送領域は、発光層から順に積層された電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層、電子調節層／電子輸送層／電子注入層、又はバッファ層／電子輸送層／電子注入層などの構造を有しうる。
【0163】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域における、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層又は電子輸送層）は、少なくとも１つのπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基を含む金属非含有（ｍｅｔａｌ－ｆｒｅｅ）化合物を含むものであってよい。
【0164】
例えば、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１で表された化合物を含むものであってよい。
【0165】
【化13】
【0166】
前記化学式６０１において、
Ａｒ６０１及びＬ６０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｅ１１は、１、２又は３であり、
ｘｅ１は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｒ６０１は、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）であり、
前述のＱ６０１～Ｑ６０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
ｘｅ２１は、１、２、３、４又は５であり、
前述のＡｒ６０１、Ｌ６０１及びＲ６０１のうち少なくとも一つは、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基であってよい。
例えば、前記化学式６０１において、ｘｅ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ６０１は、単一結合を介して互いに連結されうる。
Ａｒ６０１及びＬ６０１は、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｅ１１は、１、２又は３であり、
ｘｅ１は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｒ６０１は、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）であり、
前述のＱ６０１～Ｑ６０３に係る説明は、それぞれ本明細書において、Ｑ１に係る説明を参照されたい、
ｘｅ２１は、１、２、３、４又は５であり、
前述のＡｒ６０１、Ｌ６０１及びＲ６０１のうち少なくとも一つは、互いに独立して、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基であってよい。
例えば、前記化学式６０１において、ｘｅ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ６０１は、単一結合を介して互いに連結されうる。
【0167】
他の例として、前記化学式６０１においてＡｒ６０１は、置換もしくは非置換のアントラセニル基であってよい。
【0168】
さらに他の例として、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１－１で表された化合物を含むものであってよい：
【0169】
【化14】
【0170】
前記化学式６０１－１で、
Ｘ６１４は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４～Ｘ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１～Ｌ６１３に係る説明は、それぞれ前記Ｌ６０１に係る説明を参照されたい、
ｘｅ６１１～ｘｅ６１３に係る説明は、それぞれ前記ｘｅ１に係る説明を参照されたい、
Ｒ６１１～Ｒ６１３に係る説明は、それぞれ前記Ｒ６０１に係る説明を参照されたい、
Ｒ６１４～Ｒ６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であってよい。
Ｘ６１４は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、Ｎ又はＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４～Ｘ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１～Ｌ６１３に係る説明は、それぞれ前記Ｌ６０１に係る説明を参照されたい、
ｘｅ６１１～ｘｅ６１３に係る説明は、それぞれ前記ｘｅ１に係る説明を参照されたい、
Ｒ６１１～Ｒ６１３に係る説明は、それぞれ前記Ｒ６０１に係る説明を参照されたい、
Ｒ６１４～Ｒ６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ６０炭素環基、又は少なくとも１つのＲ１０ａで置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であってよい。
【0171】
例えば、前記化学式６０１及び６０１－１で、ｘｅ１、及びｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して０、１又は２であってよい。
【0172】
前記電子輸送領域の厚みは、約１０ｎｍ～約５００ｎｍ、例えば、約１６ｎｍ～約４００ｎｍであってよい。前記電子輸送領域が、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層、又はそれらの任意組み合わせを含む場合、前述のバッファ層、正孔阻止層又は電子調節層の厚みは、互いに独立して、約２ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、約３ｎｍ～約３０ｎｍで、前記電子輸送層の厚みは、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、約１５ｎｍ～約５０ｎｍであってよい。前記バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層及び／又は電子輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。
【0173】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域内の電子輸送層）は、前述のような物質以外に、金属含有物質をさらに含むものであってよい。
【0174】
前記金属含有物質は、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前記アルカリ金属錯体の金属イオンは、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン、Ｒｂイオン又はＣｓイオンでもあり、前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンは、Ｂｅイオン、Ｍｇイオン、Ｃａイオン、Ｓｒイオン又はＢａイオンであってよい。前記アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体の金属イオンに配位された配位子は、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、シクロペンタジエン又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0175】
例えば、前記金属含有物質は、Ｌｉ錯体を含むものであってよい。前記Ｌｉ錯体は、例えば、下記化合物ＥＴ－Ｄ１（ＬｉＱ）又はＥＴ－Ｄ２を含むものであってよい：
【0176】
【化15】
【0177】
前記電子輸送領域は、第２電極１２４からの電子注入を容易にする電子注入層を含むものであってよい。前記電子注入層は、前記第２電極１２４と直接接触しうる。
【0178】
前記電子注入層は、ｉ）単一物質によってなる単一層によってなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む単一層によってなる単層構造、又はｉｉｉ）複数の互いに異なる物質を含む複数の層を有する多層構造を有しうる。
【0179】
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0180】
前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前記アルカリ土類金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前記希土類金属は、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｇｄ、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0181】
前記アルカリ金属含有化合物、前記アルカリ土類金属含有化合物及び前記希土類金属含有化合物は、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属及び前記希土類金属それぞれの、酸化物、ハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）、テルリド、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0182】
前記アルカリ金属含有化合物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏのようなアルカリ金属酸化物；ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのようなアルカリ金属ハロゲン化物；又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前記アルカリ土類金属含有化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａｘＳｒ１－ｘＯ（ｘは、０＜ｘ＜１を満足する実数である）、ＢａｘＣａ１－ｘＯ（ｘは、０＜ｘ＜１を満足する実数である）のようなアルカリ土類金属化合物を含むものであってよい。前記希土類金属含有化合物は、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３、ＹｂＩ３、ＳｃＩ３、ＴｂＩ３、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。又は、前記希土類金属含有化合物は、ランタニド金属テルリドを含むものであってよい。前記ランタニド金属テルリドの例は、ＬａＴｅ、ＣｅＴｅ、ＰｒＴｅ、ＮｄＴｅ、ＰｍＴｅ、ＳｍＴｅ、ＥｕＴｅ、ＧｄＴｅ、ＴｂＴｅ、ＤｙＴｅ、ＨｏＴｅ、ＥｒＴｅ、ＴｍＴｅ、ＹｂＴｅ、ＬｕＴｅ、Ｌａ２Ｔｅ３、Ｃｅ２Ｔｅ３、Ｐｒ２Ｔｅ３、Ｎｄ２Ｔｅ３、Ｐｍ２Ｔｅ３、Ｓｍ２Ｔｅ３、Ｅｕ２Ｔｅ３、Ｇｄ２Ｔｅ３、Ｔｂ２Ｔｅ３、Ｄｙ２Ｔｅ３、Ｈｏ２Ｔｅ３、Ｅｒ２Ｔｅ３、Ｔｍ２Ｔｅ３、Ｙｂ２Ｔｅ３、Ｌｕ２Ｔｅ３などを含むものであってよい。
【0183】
前記アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体は、ｉ）前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のイオンのうち一つ、及びｉｉ）前記金属イオンと結合した配位子であり、例えば、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、シクロペンタジエン、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0184】
前記電子注入層は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらの任意組み合わせだけによってなっているか、あるいは有機物（例えば、前記化学式６０１で表された化合物）をさらに含むものであってよい。
【0185】
一実施形態によれば、前記電子注入層は、ｉ）アルカリ金属含有化合物（例えば、アルカリ金属ハロゲン化物）によってなるか、あるいはｉｉ）ａ）アルカリ金属含有化合物（例えば、アルカリ金属ハロゲン化物）、及びｂ）アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又はそれらの任意組み合わせによってもなる。例えば、前記電子注入層は、ＫＩ：Ｙｂ共蒸着層、ＲｂＩ：Ｙｂ共蒸着層などであってよい。
前記電子注入層が有機物をさらに含む場合、前述のアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらの任意組み合わせは、前記有機物を含むマトリックスに均一又は不均一に分散されてよい。
前記電子注入層が有機物をさらに含む場合、前述のアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、希土類金属含有化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらの任意組み合わせは、前記有機物を含むマトリックスに均一又は不均一に分散されてよい。
【0186】
前記電子注入層の厚みは、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、約０．３ｎｍÅ～約９ｎｍであってよい。前記電子注入層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入特性を得ることができる。
【0187】
［第２電極１２４］
前述のような中間層１２３上部には、第２電極１２４が配置されている。前記第２電極１２４は、電子注入電極であるカソードであってよいが、そのとき、前記第２電極１２４用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物又はそれらの任意組み合わせを使用することができる。
前述のような中間層１２３上部には、第２電極１２４が配置されている。前記第２電極１２４は、電子注入電極であるカソードであってよいが、そのとき、前記第２電極１２４用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物又はそれらの任意組み合わせを使用することができる。
【0188】
前記第２電極１２４は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム・インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム・銀（Ｍｇ－Ａｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀・イッテルビウム（Ａｇ－Ｙｂ）、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前記第２電極１２４は、透過型電極、半透過型電極又は反射型電極であってよい。
【0189】
前記第２電極１２４は、単一層である単層構造、又は複数の層を有する多層構造を有しうる。
【0190】
［キャッピング層］
第１電極１２２の外側には、第１キャッピング層が配置され、及び／又は第２電極１２４外側には、第２キャッピング層が配置されることができる。具体的には、前記発光素子１２０は、第１キャッピング層、第１電極１２２、中間層１２３及び第２電極１２４が順に積層された構造；第１電極１２２、中間層１２３、第２電極１２４及び第２キャッピング層が順に積層された構造；又は第１キャッピング層、第１電極１２２、中間層１２３、第２電極１２４及び第２キャッピング層が順に積層された構造を有しうる。
発光素子１２０の中間層１２３において、発光層で生成された光は、半透過型電極又は透過型電極である第１電極１２２、及び第１キャッピング層を経て、外部にも取り出され、発光素子１２０の中間層１２３において、発光層で生成された光は、半透過型電極又は透過型電極である第２電極１２４、及び第２キャッピング層を経て外部に取り出されることができる。
第１電極１２２の外側には、第１キャッピング層が配置され、及び／又は第２電極１２４外側には、第２キャッピング層が配置されることができる。具体的には、前記発光素子１２０は、第１キャッピング層、第１電極１２２、中間層１２３及び第２電極１２４が順に積層された構造；第１電極１２２、中間層１２３、第２電極１２４及び第２キャッピング層が順に積層された構造；又は第１キャッピング層、第１電極１２２、中間層１２３、第２電極１２４及び第２キャッピング層が順に積層された構造を有しうる。
発光素子１２０の中間層１２３において、発光層で生成された光は、半透過型電極又は透過型電極である第１電極１２２、及び第１キャッピング層を経て、外部にも取り出され、発光素子１２０の中間層１２３において、発光層で生成された光は、半透過型電極又は透過型電極である第２電極１２４、及び第２キャッピング層を経て外部に取り出されることができる。
【0191】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層は、強め合う干渉の原理（ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ｏｆ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｖｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）により、外部発光効率を向上させる役割を行うことができる。それにより、前記発光素子１２０の光抽出効率が上昇し、前記発光素子１２０の発光効率が向上されうる。
【0192】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層それぞれは、１．６以上の屈折率（５８９ｎｍにおけるもの）を有する物質を含むものであってよい。
【0193】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層は、互いに独立して、有機物を含む有機キャッピング層、無機物を含む無機キャッピング層又は有機物及び無機物を含む複合キャッピング層であってよい。
【0194】
前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、炭素環化合物、ヘテロ環化合物、アミノ基含有化合物、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。前述の炭素環化合物、ヘテロ環化合物及びアミノ基含有化合物は、選択的に、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの任意組み合わせを含む置換基で置換されうる。一実施形態によれば、前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、アミノ基含有化合物を含むものであってよい。
【0195】
例えば、前記第１キャッピング層及び前記第２キャッピング層のうち少なくとも１層は、互いに独立して、前記化学式２０１で表された化合物、前記化学式２０２で表された化合物、又はそれらの任意組み合わせを含むものであってよい。
【0196】
［製造方法］
前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層及び電子輸送領域に含まれた各層は、それぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザ熱転写（ＬＩＴＩ：ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ）法のような多様な方法を利用し、所定領域に形成されてよい。
前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層及び電子輸送領域に含まれた各層は、それぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザ熱転写（ＬＩＴＩ：ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ）法のような多様な方法を利用し、所定領域に形成されてよい。
【0197】
真空蒸着法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、蒸着条件は、例えば、約１００～約５００℃の蒸着温度、約１０－８～約１０－３ｔｏｒｒの真空度、及び約０．００１～約１０ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されてよい。
【0198】
スピンコーティング法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、コーティング条件は、例えば、約２，０００ｒｐｍ～約５，０００ｒｐｍのコーティング速度、及び約８０℃～２００℃の熱処理温度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されてよい。
【0199】
［用語の定義］
本明細書において、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、環形成原子として炭素だけによってなるＣ３－Ｃ６０環式基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、炭素以外に、環形成原子としてヘテロ原子をさらに含むＣ１－Ｃ６０環式基を意味する。前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基それぞれは、１個の環によってなる単環基、又は２以上の環が互いに縮合されている多環基であってよい。例えば、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の環形成原子数は、３～６１個であってよい。
本明細書において、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、環形成原子として炭素だけによってなるＣ３－Ｃ６０環式基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、炭素以外に、環形成原子としてヘテロ原子をさらに含むＣ１－Ｃ６０環式基を意味する。前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基それぞれは、１個の環によってなる単環基、又は２以上の環が互いに縮合されている多環基であってよい。例えば、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の環形成原子数は、３～６１個であってよい。
【0200】
本明細書において、該環式基は、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及び前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基いずれもを含む。
【0201】
本明細書において、π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環式基は、環形成部分として＊－Ｎ＝＊’を含んでいないＣ３－Ｃ６０環式基を意味し、π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基は、環形成部分として＊－Ｎ＝＊’を含むＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基を意味する。
【0202】
例えば、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基は、ｉ）グループＴ１、又はｉｉ）２以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基（例えば、シクロペンタジエニル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンゼン基、ペンタレニル基、ナフチル基、アズレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘプタレニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、インデニル基、フルオニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオニル基、インデノフェナントレニル基又はインデノアントラセニル基）でもあり、
前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、ｉ）グループＴ２、ｉｉ）２以上のグループＴ２が互いに縮合された縮合環基、又はｉｉｉ）１以上のグループＴ２と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、フェナントロリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基など）でもあり、
前記π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環式基は、ｉ）グループＴ１、ｉｉ）２以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基、ｉｉｉ）グループＴ３、ｉｖ）２以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基、又はｖ）１以上のグループＴ３と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基、ボロール基、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基など）でもあり、
前記π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０ 環式基は、ｉ）グループＴ４、ｉｉ）２以上のグループＴ４が互いに縮合された縮合環基、ｉｉｉ）１以上のグループＴ４と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基、ｉｖ）１以上のグループＴ４と、１以上のグループＴ３とが互いに縮合された縮合環基、又はｖ）１以上のグループＴ４、１以上のグループＴ１、及び１以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基（例えば、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、フェナントロリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基など）でもあり、
前記グループＴ１は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロヘプテニル基、アダマンチル基、ノルボルニル（又は、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）基、ノルボルニル基、ビシクロ［１．１．１］ペンチル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、又はベンゼン基であり、
前記グループＴ２は、フラニル基、チオフェニル基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基、ボロール基、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、アザシロリル基、アザボロール基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ジヒドロピロリル基、ピペリジニル基、テトラヒドロピリジニル基、ジヒドロピリジニル基、ヘキサヒドロピリミジル基、テトラヒドロピリミジル基、ジヒドロピリミジル基、ピペラジニル基、テトラヒドロピラジニル基、ジヒドロピラジニル基、テトラヒドロピリダジニル基又はジヒドロピリダジニル基であり、
前記グループＴ３は、フラニル基、チオフェニル基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基又はボロール基であり、
前記グループＴ４は、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、アザシロリル基、アザボロール基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基又はテトラジニル基であってよい。
前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基は、ｉ）グループＴ２、ｉｉ）２以上のグループＴ２が互いに縮合された縮合環基、又はｉｉｉ）１以上のグループＴ２と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、フェナントロリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基など）でもあり、
前記π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環式基は、ｉ）グループＴ１、ｉｉ）２以上のグループＴ１が互いに縮合された縮合環基、ｉｉｉ）グループＴ３、ｉｖ）２以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基、又はｖ）１以上のグループＴ３と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基（例えば、前記Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基、ボロール基、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基など）でもあり、
前記π電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０ 環式基は、ｉ）グループＴ４、ｉｉ）２以上のグループＴ４が互いに縮合された縮合環基、ｉｉｉ）１以上のグループＴ４と、１以上のグループＴ１とが互いに縮合された縮合環基、ｉｖ）１以上のグループＴ４と、１以上のグループＴ３とが互いに縮合された縮合環基、又はｖ）１以上のグループＴ４、１以上のグループＴ１、及び１以上のグループＴ３が互いに縮合された縮合環基（例えば、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、フェナントロリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基など）でもあり、
前記グループＴ１は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロヘプテニル基、アダマンチル基、ノルボルニル（又は、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）基、ノルボルニル基、ビシクロ［１．１．１］ペンチル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、又はベンゼン基であり、
前記グループＴ２は、フラニル基、チオフェニル基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基、ボロール基、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、アザシロリル基、アザボロール基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ジヒドロピロリル基、ピペリジニル基、テトラヒドロピリジニル基、ジヒドロピリジニル基、ヘキサヒドロピリミジル基、テトラヒドロピリミジル基、ジヒドロピリミジル基、ピペラジニル基、テトラヒドロピラジニル基、ジヒドロピラジニル基、テトラヒドロピリダジニル基又はジヒドロピリダジニル基であり、
前記グループＴ３は、フラニル基、チオフェニル基、１Ｈ－ピロリル基、シロリル基又はボロール基であり、
前記グループＴ４は、２Ｈ－ピロリル基、３Ｈ－ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、アザシロリル基、アザボロール基、ピリジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基又はテトラジニル基であってよい。
【0203】
本明細書において、環式基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、π電子過剰Ｃ３－Ｃ６０環式基又はπ電子欠乏性含窒素Ｃ１－Ｃ６０環式基という用語は、当該用語が使用された化学式の構造により、任意の環式基に縮合されている基、一価基又は多価基（例えば、二価基、三価基、四価基）であってよい。例えば「ベンゼン基」は、ベンゾ基、フェニル基、フェニレン基などであってよいが、それは、「ベンゼン基」が含まれた化学式の構造により、当業者が容易に理解することができるであろう。
【0204】
一価Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及び一価Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の例は、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基（ｎｏｎ－ａｒｏｍａｔｉｃ ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ）及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基（ｎｏｎ－ａｒｏｍａｔｉｃ ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ ｈｅｔｅｒｏｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ）を含むものでもあり、二価Ｃ３－Ｃ６０炭素環基及び二価Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基の例は、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、Ｃ６－Ｃ６０アリーレン基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、二価非芳香族縮合多環基及び二価非芳香族ヘテロ縮合多環基を含むものであってよい。
【0205】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基は、一価のＣ１－Ｃ６０の線状又は分枝状の脂肪族炭化水素基を意味し、その具体例には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、３－ペンチル基、ｓｅｃ－イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ｎ－ノニル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0206】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基は、Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間又は末端に、１以上の炭素・炭素二重結合を含む一価炭化水素基を意味し、その具体例には、エテニル基、プロぺニル基、ブテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基は、Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間又は末端に、１以上の炭素－炭素三重結合を含む一価炭化水素基を意味し、その具体例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基は、Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間又は末端に、１以上の炭素－炭素三重結合を含む一価炭化水素基を意味し、その具体例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0207】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基は、－ＯＡ１０１（ここで、Ａ１０１は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。
【0208】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基は、Ｃ３－Ｃ１０一価飽和炭化水素環式基を意味し、その具体例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボナニル基（又は、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［１．１．１］ペンチル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0209】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含む一価のＣ１－Ｃ１０環式基を意味し、その具体例には、１，２，３，４－オキサトリアゾリジニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0210】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基は、一価のＣ３－Ｃ１０環式基であり、環内に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を有するが、芳香族性（ａｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ）を有さない基を意味し、その具体例には、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0211】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含む一価のＣ１－Ｃ１０環式基であり、環内に、少なくとも１つの二重結合を有する。前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基の具体例には、４，５－ジヒドロ－１，２，３，４－オキサトリアゾリル基、２，３－ジヒドロフラニル基、２，３－ジヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0212】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリール基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ６－Ｃ６０アリーレン基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基の具体例には、フェニル基、ペンタレニル基、ナフチル基、アズレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘプタレニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基などが含まれる。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基及びＣ６－Ｃ６０アリーレン基が２以上の環を含む場合、前記２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0213】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基は、炭素原子以外に少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基は、炭素原子以外に、少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子としてさらに含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基の具体例には、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、ベンゾキノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、キノキサリニル基、ベンゾキノキサリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントロリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基などが含まれる。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0214】
本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（ｎｏｎ－ａｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ）を有する一価基（例えば、炭素数８～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族縮合多環基の具体例には、インデニル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、インデノフェナントレニル基、インデノアントラセニル基などが含まれる。本明細書において、二価非芳香族縮合多環基は、前記一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0215】
本明細書において、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として、炭素原子外に、少なくとも１つのヘテロ原子をさらに含み、分子全体が非芳香族性を有する一価基（例えば、炭素数１～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の具体例には、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、ベンゾインドリル基、ナフトインドリル基、イソインドリル基、ベンゾイソインドリル基、ナフトイソインドリル基、ベンゾシロリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、アザカルバゾリル基、アザフルオレニル基、アザジベンゾシロリル基、アザジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基、イミダゾトリアジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリダジニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾシロロカルバゾリル基、ベンゾインドロカルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾナフトフラニル基、ベンゾナフトチオフェニル基、ベンゾナフトシロリル基、ベンゾフロジベンゾフラニル基、ベンゾフロジベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、二価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0216】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基は、－ＯＡ１０２（ここで、Ａ１０２は、Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示し、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基は、－ＳＡ１０３（ここで、Ａ１０３は、Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示す。
【0217】
本明細書において、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基は、－Ａ１０４Ａ１０５（ここで、Ａ１０４は、Ｃ１－Ｃ５４アルキレン基であり、Ａ１０５は、Ｃ６－Ｃ５９アリール基である）を示し、本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基は、－Ａ１０６Ａ１０７（ここで、Ａ１０６は、Ｃ１－Ｃ５９アルキレン基であり、Ａ１０７は、Ｃ１－Ｃ５９ヘテロアリール基である）を示す。
【0218】
本明細書において、「Ｒ１０ａ」は、
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基又はニトロ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）、又はそれらの任意組み合わせで置換もしくは非置換の、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基又はＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）、又はそれらの任意組み合わせで置換もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；あるいは
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）；であってよい。
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基又はニトロ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）、又はそれらの任意組み合わせで置換もしくは非置換の、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基又はＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）、又はそれらの任意組み合わせで置換もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基、Ｃ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；あるいは
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）；であってよい。
【0219】
本明細書において、Ｑ１～Ｑ３、Ｑ１１～Ｑ１３、Ｑ２１～Ｑ２３、及びＱ３１～Ｑ３３は、互いに独立して、水素；重水素；－Ｆ；－Ｃｌ；－Ｂｒ；－Ｉ；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；Ｃ１－Ｃ６０アルキル基；Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基；Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基；Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基；又は重水素、－Ｆ、シアノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、又はそれらの任意組み合わせで置換もしくは非置換の、Ｃ３－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、Ｃ７－Ｃ６０アリールアルキル基又はＣ２－Ｃ６０ヘテロアリールアルキル基；であってよい。
本明細書において、ヘテロ原子は、炭素原子を除いた任意の原子を意味する。前記ヘテロ原子の例は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｅ、又はそれらの任意組み合わせを含む。
本明細書において、ヘテロ原子は、炭素原子を除いた任意の原子を意味する。前記ヘテロ原子の例は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｅ、又はそれらの任意組み合わせを含む。
【0220】
本明細書において、第３列遷移金属（ｔｈｉｒｄ－ｒｏｗ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔａｌ）は、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）又は金（Ａｕ）などを含む。
【0221】
本明細書において、「Ｐｈ」はフェニル基を意味し、「Ｍｅ」はメチル基を意味し、「Ｅｔ」はエチル基を意味し、「ｔｅｒ－Ｂｕ」又は「Ｂｕｔ」は、ｔｅｒｔ－ブチル基を意味し、「ＯＭｅ」はメトキシ基を意味する。
【0222】
本明細書において、「ビフェニル基」は、「フェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ビフェニル基」は、置換基が「Ｃ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0223】
本明細書において、「ターフェニル基」は、「ビフェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ターフェニル基」は、置換基が、「Ｃ６－Ｃ６０アリール基で置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0224】
置換基の定義において、最大炭素数は、例示的なものである。例えば、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基において、最大炭素数６０は例示的なものであり、アルキル基に係る定義は、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基にも同等に適用される。他の場合も同一である。
本明細書において＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において、隣接する原子との結合サイトを意味する。
本明細書において＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において、隣接する原子との結合サイトを意味する。
【0225】
以下において、実施例を挙げ、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の作製及び評価結果について説明する。
【0226】
［インク組成物製造］
［インク組成物１（比較例１）］
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、モノマー（１，６－ヘキサンジオールジアクリレート（ｈｅｘａｎｅｄｉｏｌ ｄｉａｃｒｙｌａｔｅ））１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
［インク組成物１（比較例１）］
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、モノマー（１，６－ヘキサンジオールジアクリレート（ｈｅｘａｎｅｄｉｏｌ ｄｉａｃｒｙｌａｔｅ））１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
【0227】
［インク組成物２（実施例１：低屈折率を誘導するモノマー）］
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、化合物１００のモノマー１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、化合物１００のモノマー１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
【0228】
【化16】
Ｒ１、Ｒ２：ＣＨ３
【0229】
［インク組成物３（実施例２：低屈折率を誘導する分散材）］
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、モノマー（１，６－ヘキサンジオールジアクリレート）１００重量％、分散剤（－［Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）Ｈ－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｎ／分子量：８００～３０，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、モノマー（１，６－ヘキサンジオールジアクリレート）１００重量％、分散剤（－［Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）Ｈ－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｎ／分子量：８００～３０，０００）２重量％を混合し、インク組成物を製造した。
【0230】
［インク組成物４（実施例３：低屈折率粒子を含む）］
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、化合物１００のモノマー１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％、ＳｉＯ２粒子（屈折率：１．５／７０～１５０ｎｍ）５重量％、ステアリン酸３重量％（酸価：６ｍｇＫＯＨ／ｇ）を混合し、インク組成物を製造した。
光開始剤０．１重量％、散乱体ＴｉＯ２（１００～２００ｎｍ）１０重量％、化合物１００のモノマー１００重量％、分散剤（－［ＣＨ２－ＣＨ（ＣＯＯＮａ）－］ｍ／分子量：５００～１５，０００）２重量％、ＳｉＯ２粒子（屈折率：１．５／７０～１５０ｎｍ）５重量％、ステアリン酸３重量％（酸価：６ｍｇＫＯＨ／ｇ）を混合し、インク組成物を製造した。
【0231】
［比較例２］
図１に示されている通りであり、まず、図２Ａに図示されているように、第１基板１１０上に発光素子１２０を形成し、薄膜封止層１３０で覆った。前記発光素子において、中間層に含まれる発光層は、青色発光層を共通層として形成した。
図１に示されている通りであり、まず、図２Ａに図示されているように、第１基板１１０上に発光素子１２０を形成し、薄膜封止層１３０で覆った。前記発光素子において、中間層に含まれる発光層は、青色発光層を共通層として形成した。
【0232】
次に、第２基板２１０には、図２Ｂのように、フォトリソグラフィ工程を介し、ブラックマットリックス２５０とカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂとを、各発光素子１２０と対応する位置にそれぞれ形成した。
【0233】
次に、図２Ｃのように、カラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ上と、ブラックマットリックス２５０上とに、前記屈折率１．２の低屈折率層２６０を形成させた後、無機キャッピング層２７０を形成させた。
【0234】
次に、図２Ｄのように、バンク組成物を、各画素間のカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ間の位置ごとに残るようにパターニングした。
【0235】
その後、図２Ｅのように、赤色画素と緑色画素とに、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇをインクジェット工程で形成し、青色画素は、比較例１のインク組成物で、散乱層２３０Ｗを形成した。
【0236】
次に、図２Ｆのように、第１基板１１０と第２基板２１０との間に充填材３００を塗り、２枚の基板１１０，２１０を組み合わせ、発光素子１２０、量子ドット層２３０Ｒ，２３０Ｇ及びカラーフィルタ層２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが具備されたディスプレイ装置を完成した。
【0237】
［実施例４］
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例１のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例１のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
【0238】
［実施例５］
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例２のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例２のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
【0239】
［実施例６］
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例３のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
散乱層２３０Ｗを形成させるとき、比較例１のインク組成物の代わりに、実施例３のインク組成物を使用したことを除いては、比較例２と同一に、ディスプレイ装置を製造した。
【0240】
比較例２、実施例４～６のディスプレイ装置の散乱層２３０Ｗの屈折率を、表１に示す
【0241】
【表1】
【0242】
比較例２、実施例４～６のディスプレイ装置の視野角を測定し、該結果を図４に示した（図４の緑色画素は、比較例２、実施例４～６がいずれも同等である）。図４のｙ軸は、正規化された（ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ）輝度を示し、ｘ軸は、視野角を示す（０°が正面である）。
【0243】
図４を参照すれば、実施例４のディスプレイ装置の青色画素の視野角が、比較例１のディスプレイ装置の青色画素の視野角よりもすぐれているということが分かる。それは、散乱層２３０Ｗの屈折率、及び低屈折率層２６０の屈折率の差が大きくなく、低屈折率層２６０との境界において入射角が大きい場合にも、全反射が減り、前面に放出される光が多くなったためである（無機キャッピング層２７０は、厚みが非常に薄いので（例えば、約４００ｎｍ）光の進行に影響をほとんど及ばさない）。
【0244】
一方、実施例６のディスプレイ装置の青色画素の視野角が、実施例４のディスプレイ装置の青色画素の視野角よりすぐれているということが分かるが、それは、ステアリン酸により、散乱体及び／又はＳｉＯ２粒子の表面がコーティングされた後、バンク壁面をコーティングしたためである。散乱体及び／又はＳｉＯ２粒子によって壁面がコーティングされたバンクは、散乱された光を反射させたり全反射させたりすることにより、バンクに吸収される光が減り、結果として、抽出される光が多くなり、散乱角度も増大するためである。
【0245】
前述の実施例を参照して説明したが、それらは、例示的なことに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施例の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
【符号の説明】
【0246】
１１０ 第１基板
１２０ 発光素子
１３０ 薄膜封止層
３００ 充填材
２１０ 第２基板
２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ：カラーフィルタ層
２３０Ｒ，Ｇ２３０ 量子ドット層
２３０Ｗ 散乱層
２４０ バンク
２５０ ブラックマットリックス
１２０ 発光素子
１３０ 薄膜封止層
３００ 充填材
２１０ 第２基板
２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ：カラーフィルタ層
２３０Ｒ，Ｇ２３０ 量子ドット層
２３０Ｗ 散乱層
２４０ バンク
２５０ ブラックマットリックス
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図3】
【図4】