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特開2023-51922基準ターゲット付きプローブ、該プローブを含むプローブシステム、及び関連する方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023051922
(43)【公開日】2023-04-11
(54)【発明の名称】基準ターゲット付きプローブ、該プローブを含むプローブシステム、及び関連する方法
(51)【国際特許分類】
G01R 1/067 20060101AFI20230404BHJP
G01R 1/06 20060101ALI20230404BHJP
G01R 31/28 20060101ALI20230404BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20230404BHJP
【ＦＩ】
G01R1/067 K
G01R1/06 E
G01R1/067 A
G01R31/28 K
H01L21/66 B
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022195451
(22)【出願日】2022-12-07
(62)【分割の表示】P 2020539854の分割
【原出願日】2019-01-17
(31)【優先権主張番号】62/619,282
(32)【優先日】2018-01-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】16/249,044
(32)【優先日】2019-01-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】591065273
【氏名又は名称】フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【弁護士】
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100169823
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 雄郎
(72)【発明者】
【氏名】ジョセフ ジョージ フランケル
(72)【発明者】
【氏名】コビー エル ダックワース
(72)【発明者】
【氏名】根岸 一樹
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基準ターゲット付きプローブ、こうしたプローブを含むプローブシステム、及び関連する方法を開示する。
【解決手段】このプローブ１００は、プローブ本体１１０と、プローブビーム１２０と、被試験デバイス（ＤＵＴ）４２に接触するように構成されたプローブチップ１４０と、プローブビーム１２０に取り付けられた基準ターゲット１５０とを含む。基準ターゲット１５０は、ＤＵＴ４２に対するプローブチップ１４０の位置を測定するための光学システム２０にとって可視であるように構成されている。この方法は、こうしたプローブ１００を利用及び／または製造する方法を含む。
【選択図】図１
【解決手段】このプローブ１００は、プローブ本体１１０と、プローブビーム１２０と、被試験デバイス（ＤＵＴ）４２に接触するように構成されたプローブチップ１４０と、プローブビーム１２０に取り付けられた基準ターゲット１５０とを含む。基準ターゲット１５０は、ＤＵＴ４２に対するプローブチップ１４０の位置を測定するための光学システム２０にとって可視であるように構成されている。この方法は、こうしたプローブ１００を利用及び／または製造する方法を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プローブシステム用のプローブであって、
プローブ本体と、
前記プローブ本体から延びるプローブビームと、
前記プローブ本体から遠い方の前記プローブビームの最先端から延び、被試験デバイス
（ＤＵＴ）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと、
前記プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具えたプロ
ーブにおいて、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、光学システ
ムにとって可視であるように構成されて、前記少なくとも１つのプローブチップの前記Ｄ
ＵＴに対する位置を測定することを促進し、前記基準ターゲットは、前記プローブビーム
における少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学システムによ
って光学的により解像可能であるプローブ。
プローブ本体と、
前記プローブ本体から延びるプローブビームと、
前記プローブ本体から遠い方の前記プローブビームの最先端から延び、被試験デバイス
（ＤＵＴ）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと、
前記プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具えたプロ
ーブにおいて、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、光学システ
ムにとって可視であるように構成されて、前記少なくとも１つのプローブチップの前記Ｄ
ＵＴに対する位置を測定することを促進し、前記基準ターゲットは、前記プローブビーム
における少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学システムによ
って光学的により解像可能であるプローブ。
【請求項2】
前記基準ターゲットが集光反射を生成するように構成され、前記光学システムが前記基
準ターゲットからの前記集光反射を受光するように構成されている、請求項１に記載のプ
ローブ。
準ターゲットからの前記集光反射を受光するように構成されている、請求項１に記載のプ
ローブ。
【請求項3】
前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、かつ前記光学システムの焦点が前記
基準ターゲットに合う際に、前記光学システムが前記基準ターゲットの少なくとも一部分
の基準像を受けるように構成され、前記集光反射が前記基準像よりも小さい、請求項２に
記載のプローブ。
基準ターゲットに合う際に、前記光学システムが前記基準ターゲットの少なくとも一部分
の基準像を受けるように構成され、前記集光反射が前記基準像よりも小さい、請求項２に
記載のプローブ。
【請求項4】
前記基準像が基準像の直径を有し、前記集光反射が集光反射の直径を有し、前記集光反
射の直径が、最大でも前記基準像の直径の２５％である、請求項３に記載のプローブ。
射の直径が、最大でも前記基準像の直径の２５％である、請求項３に記載のプローブ。
【請求項5】
前記集光反射が、前記基準ターゲットの外面から反射した光を含む、請求項２に記載の
プローブ。
プローブ。
【請求項6】
前記集光反射が、前記基準ターゲット内で内部反射した光を含む、請求項２に記載のプ
ローブ。
ローブ。
【請求項7】
前記光学システムの離散した焦点解像範囲内で前記光学システムの焦点が前記基準ター
ゲットに合い、前記離散した焦点解像範囲は、前記光学システムの焦点が前記プローブビ
ームに合うための焦点解像範囲よりも小さいように、前記基準ターゲットが構成されてい
る、請求項１に記載のプローブ。
ゲットに合い、前記離散した焦点解像範囲は、前記光学システムの焦点が前記プローブビ
ームに合うための焦点解像範囲よりも小さいように、前記基準ターゲットが構成されてい
る、請求項１に記載のプローブ。
【請求項8】
前記基準ターゲットが前記プローブビームの上面に取り付けられている、請求項１に記
載のプローブ。
載のプローブ。
【請求項9】
前記基準ターゲットが少なくとも１つの対称軸を含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項10】
前記基準ターゲットが少なくとも実質的に球形である、請求項９に記載のプローブ。
【請求項11】
前記基準ターゲットが光反射性である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項12】
前記基準ターゲットが少なくとも部分的に光学的に透明である、請求項１に記載のプロ
ーブ。
ーブ。
【請求項13】
前記基準ターゲットが基準ターゲットの直径を有し、該基準ターゲットの直径は最大で
も１５０μmである、請求項１に記載のプローブ。
も１５０μmである、請求項１に記載のプローブ。
【請求項14】
前記基準ターゲットが前記プローブビームとは異なる材料で形成されている、請求項１
に記載のプローブ。
に記載のプローブ。
【請求項15】
前記基準ターゲットがガラス球である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項16】
前記基準ターゲットが接着剤で前記プローブビームに取り付けられ、該接着剤がエポキ
シを含む、請求項１に記載のプローブ。
シを含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項17】
前記プローブビームが弾性変形して、前記プローブ本体に対する通常位置と前記プロー
ブ本体に対して偏位した位置との間で遷移するように構成されている、請求項１に記載の
プローブ。
ブ本体に対して偏位した位置との間で遷移するように構成されている、請求項１に記載の
プローブ。
【請求項18】
請求項１に記載のプローブを用意するステップと、
前記光学システムに対する前記基準ターゲットの第１位置を測定するステップと、
前記ＤＵＴを前記プローブに対して平行移動させるステップと、
前記光学システムに対する前記基準ターゲットの第２位置を測定するステップと
を含む方法。
前記光学システムに対する前記基準ターゲットの第１位置を測定するステップと、
前記ＤＵＴを前記プローブに対して平行移動させるステップと、
前記光学システムに対する前記基準ターゲットの第２位置を測定するステップと
を含む方法。
【請求項19】
前記第１位置及び前記第２位置の一方または両方が、前記光学システムに対する前記基
準ターゲットの三次元位置に相当する、請求項１８に記載の方法。
準ターゲットの三次元位置に相当する、請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記第１位置を測定するステップ及び前記第２位置を測定するステップの一方または両
方が、前記光学システムの焦点を走査して、前記基準ターゲットによって生成される集光
反射に焦点を合わせることを含む、請求項１８に記載の方法。
方が、前記光学システムの焦点を走査して、前記基準ターゲットによって生成される集光
反射に焦点を合わせることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項21】
前記走査することが、前記光学システムの焦平面を前記光学システムの光軸に沿って平
行移動させながら、前記プローブの少なくとも一部分の一連の画像を前記光学システムで
記録することを含む、請求項２０に記載の方法。
行移動させながら、前記プローブの少なくとも一部分の一連の画像を前記光学システムで
記録することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記ＤＵＴを前記プローブに対して平行移動させるステップが、前記プローブをほぼ固
定された位置に維持しながら前記ＤＵＴを平行移動させることを含む、請求項１８に記載
の方法。
定された位置に維持しながら前記ＤＵＴを平行移動させることを含む、請求項１８に記載
の方法。
【請求項23】
前記第１位置を測定するステップの前に、前記少なくとも１つのプローブチップを対応
する前記ＤＵＴに接触させるステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
する前記ＤＵＴに接触させるステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項24】
前記第１位置を測定するステップが、前記光学システムと前記基準ターゲットとの間の
第１の高さオフセットを測定することを含み、該第１の高さオフセットは前記光学システ
ムの光軸に平行な方向に沿って測定され、前記第２位置を測定するステップが、前記光学
システムと前記基準ターゲットとの間の第２の高さオフセットを測定することを含み、該
第２の高さオフセットは前記光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定され、前記第
２位置を測定するステップの後に、前記ＤＵＴに対する前記プローブの押し付け距離を測
定するステップをさらに含み、前記押し付け距離は前記第１の高さオフセットと前記第２
の高さオフセットとの差に等しい、請求項１８に記載の方法。
第１の高さオフセットを測定することを含み、該第１の高さオフセットは前記光学システ
ムの光軸に平行な方向に沿って測定され、前記第２位置を測定するステップが、前記光学
システムと前記基準ターゲットとの間の第２の高さオフセットを測定することを含み、該
第２の高さオフセットは前記光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定され、前記第
２位置を測定するステップの後に、前記ＤＵＴに対する前記プローブの押し付け距離を測
定するステップをさらに含み、前記押し付け距離は前記第１の高さオフセットと前記第２
の高さオフセットとの差に等しい、請求項１８に記載の方法。
【請求項25】
少なくとも１つの被試験デバイス（ＤＵＴ）を試験するように構成されたプローブシス
テムであって、
請求項１に記載の少なくとも１つのプローブであって、前記少なくとも１つのＤＵＴの
うちの対応するＤＵＴを試験するように構成されたプローブと；
前記少なくとも１つのプローブが前記対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの
少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具え
たプローブシステムにおいて、
前記プローブシステムが、前記少なくとも１つのプローブの前記少なくとも１つの基準
ターゲットの位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
テムであって、
請求項１に記載の少なくとも１つのプローブであって、前記少なくとも１つのＤＵＴの
うちの対応するＤＵＴを試験するように構成されたプローブと；
前記少なくとも１つのプローブが前記対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの
少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具え
たプローブシステムにおいて、
前記プローブシステムが、前記少なくとも１つのプローブの前記少なくとも１つの基準
ターゲットの位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
【請求項26】
前記少なくとも１つのプローブのうちの対応するプローブを、前記少なくとも１つのＤ
ＵＴのうちの対応するＤＵＴに対して支持して維持するように構成された少なくとも１つ
のプローブホルダ、
前記少なくとも１つのＤＵＴを含む基板を支持するように構成された支持面を規定する
チャック、及び、
請求項１８に記載の方法を実行するようにプログラムされたコントローラ、
のうちの１つ以上をさらに具えている、請求項２５に記載のプローブシステム。
ＵＴのうちの対応するＤＵＴに対して支持して維持するように構成された少なくとも１つ
のプローブホルダ、
前記少なくとも１つのＤＵＴを含む基板を支持するように構成された支持面を規定する
チャック、及び、
請求項１８に記載の方法を実行するようにプログラムされたコントローラ、
のうちの１つ以上をさらに具えている、請求項２５に記載のプローブシステム。
【請求項27】
前記光学システムの光軸に沿った当該光学システムの焦平面の位置を、前記プローブシ
ステムの一部分であって前記光学システムにとって可視である部分の画像と同期して記録
することができるように構成されている、請求項２５に記載のプローブシステム。
ステムの一部分であって前記光学システムにとって可視である部分の画像と同期して記録
することができるように構成されている、請求項２５に記載のプローブシステム。
【請求項28】
前記光学システムが視野を有し、前記少なくとも１つのプローブチップが前記ＤＵＴに
接近する際に、前記少なくとも１つの基準ターゲット及び前記少なくとも１つのプローブ
チップの各々が前記視野内にあるように構成されている、請求項２５に記載のプローブシ
ステム。
接近する際に、前記少なくとも１つの基準ターゲット及び前記少なくとも１つのプローブ
チップの各々が前記視野内にあるように構成されている、請求項２５に記載のプローブシ
ステム。
【請求項29】
前記光学システムが視野を有し、該視野が視野の線寸法を有し、該視野の線寸法は前記
光軸に少なくとも実質的に直交する方向に沿って測定され、前記基準ターゲットが集光反
射を生成するように構成され、該集光反射が集光反射の直径を有し、該集光反射の直径が
、前記視野の線寸法の少なくとも０．１％であり、かつ最大でも前記視野の線寸法の１０
％である、請求項２５に記載のプローブシステム。
光軸に少なくとも実質的に直交する方向に沿って測定され、前記基準ターゲットが集光反
射を生成するように構成され、該集光反射が集光反射の直径を有し、該集光反射の直径が
、前記視野の線寸法の少なくとも０．１％であり、かつ最大でも前記視野の線寸法の１０
％である、請求項２５に記載のプローブシステム。
【請求項30】
基準ターゲット付きプローブを製造する方法であって、
プローブビーム及び少なくとも１つのプローブチップを有するプローブを用意するステ
ップと、
基準ターゲットを前記プローブビームに取り付けるステップとを含み、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが被試験デバイス（ＤＵＴ）に接近する際
に光学システムにとって可視であるように構成されて、前記ＤＵＴに対する前記少なくと
も１つのプローブチップの位置を測定することを促進し、前記基準ターゲットは、前記プ
ローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学
システムによって光学的により解像可能であるように構成されている方法。
プローブビーム及び少なくとも１つのプローブチップを有するプローブを用意するステ
ップと、
基準ターゲットを前記プローブビームに取り付けるステップとを含み、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが被試験デバイス（ＤＵＴ）に接近する際
に光学システムにとって可視であるように構成されて、前記ＤＵＴに対する前記少なくと
も１つのプローブチップの位置を測定することを促進し、前記基準ターゲットは、前記プ
ローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学
システムによって光学的により解像可能であるように構成されている方法。
【請求項31】
前記基準ターゲットを取り付けるステップが、前記基準ターゲットを接着剤で前記プロ
ーブビームに接着することを含む、請求項３０に記載の方法。
ーブビームに接着することを含む、請求項３０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願
本願は、２０１９年１月１６日に出願された米国特許出願第１６／２４９０４４号、及
び２０１８年１月１９日に出願された米国特許仮出願第６２／６１９２８２号による優先
権を主張し、それらの全開示を参照することによって本明細書に含める。
本願は、２０１９年１月１６日に出願された米国特許出願第１６／２４９０４４号、及
び２０１８年１月１９日に出願された米国特許仮出願第６２／６１９２８２号による優先
権を主張し、それらの全開示を参照することによって本明細書に含める。
【0002】
発明の分野
本発明は一般に、基準ターゲット付きプローブ、こうしたプローブを含むプローブシス
テム、及び関連する方法に関するものである。
本発明は一般に、基準ターゲット付きプローブ、こうしたプローブを含むプローブシス
テム、及び関連する方法に関するものである。
【背景技術】
【0003】
発明の背景
プローブシステムを利用して、集積回路デバイスの接点パッドにプローブシステムのプ
ローブを接触させることによって、集積回路デバイスの動作及び／または性能を試験する
ことができる。集積回路デバイスは、数十マイクロメートル（μm）幅のオーダーの接点
パッドを含み得る。従って、プローブを接点パッドに位置合わせすることは、プローブ及
び／または接点パッドの位置、例えば接点パッドに対するプローブの高さの非常に精密な
測定及び操作を必要とすることになる。例えば、プローブと接点パッドとの電気接触を形
成することは、接点パッドをプローブのプローブチップ（プローブ先端）に接触させて、
指定量の押し付けを加えてロバスト（頑健）な接触を保証することを含み得る。ロバスト
で再現可能な試験結果を実現することは、接点パッドを正確な押し付けの度合いでプロー
ブチップに接触させることを必要とし得る。このことは、電気接触を確立する際に接点パ
ッド上のプローブの高さの精密な測定を必要とし得る。こうした測定は、光学顕微鏡のよ
うな光学アセンブリの焦点を接点パッド及び／またはプローブ上に合わせることを含み得
る。しかし、光学アセンブリでプローブを識別すること、及び／または光学アセンブリの
焦点をプローブに合わせることは、高信頼性で一貫して実現することが困難であり得る。
従って、プローブの空間的高さを正確に識別するために光学アセンブリの焦点をプローブ
に合わせることを促進するための特徴を含むプローブの必要性が存在する。
プローブシステムを利用して、集積回路デバイスの接点パッドにプローブシステムのプ
ローブを接触させることによって、集積回路デバイスの動作及び／または性能を試験する
ことができる。集積回路デバイスは、数十マイクロメートル（μm）幅のオーダーの接点
パッドを含み得る。従って、プローブを接点パッドに位置合わせすることは、プローブ及
び／または接点パッドの位置、例えば接点パッドに対するプローブの高さの非常に精密な
測定及び操作を必要とすることになる。例えば、プローブと接点パッドとの電気接触を形
成することは、接点パッドをプローブのプローブチップ（プローブ先端）に接触させて、
指定量の押し付けを加えてロバスト（頑健）な接触を保証することを含み得る。ロバスト
で再現可能な試験結果を実現することは、接点パッドを正確な押し付けの度合いでプロー
ブチップに接触させることを必要とし得る。このことは、電気接触を確立する際に接点パ
ッド上のプローブの高さの精密な測定を必要とし得る。こうした測定は、光学顕微鏡のよ
うな光学アセンブリの焦点を接点パッド及び／またはプローブ上に合わせることを含み得
る。しかし、光学アセンブリでプローブを識別すること、及び／または光学アセンブリの
焦点をプローブに合わせることは、高信頼性で一貫して実現することが困難であり得る。
従って、プローブの空間的高さを正確に識別するために光学アセンブリの焦点をプローブ
に合わせることを促進するための特徴を含むプローブの必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
基準ターゲット付きプローブ、こうしたプローブを含むシステム、及び関連する方法を
本明細書中に開示する。これらのプローブは、プローブ本体と、プローブ本体から延びる
プローブビーム（プローブ梁部）と、少なくとも１つのプローブチップとを含み、プロー
ブチップはプローブ本体から遠い方のプローブビームの最先端から延び、被試験デバイス
（ＤＵＴ：device under test）に接触するように構成されている。これらのプローブは
、プローブビームに取り付けられた基準ターゲットをさらに含む。この基準ターゲットは
、プローブチップがＤＵＴに接近する際に光学システムにとって可視であるように構成さ
れて、ＤＵＴに対するプローブチップの位置の測定を促進する。この基準ターゲットは、
プローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、光学シ
ステムによって光学的により解像可能である。
本明細書中に開示する。これらのプローブは、プローブ本体と、プローブ本体から延びる
プローブビーム（プローブ梁部）と、少なくとも１つのプローブチップとを含み、プロー
ブチップはプローブ本体から遠い方のプローブビームの最先端から延び、被試験デバイス
（ＤＵＴ：device under test）に接触するように構成されている。これらのプローブは
、プローブビームに取り付けられた基準ターゲットをさらに含む。この基準ターゲットは
、プローブチップがＤＵＴに接近する際に光学システムにとって可視であるように構成さ
れて、ＤＵＴに対するプローブチップの位置の測定を促進する。この基準ターゲットは、
プローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、光学シ
ステムによって光学的により解像可能である。
【0005】
このプローブシステムは、少なくとも１つのＤＵＴを試験するように構成され、これら
少なくとも１つのＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成された少なくとも
１つのプローブを含む。このプローブシステムは光学アセンブリをさらに含み、この光学
アセンブリは、プローブが対応するＤＵＴに接近する際に、少なくとも１つのプローブの
少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成されている。このプローブシ
ステムは、少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットの位置の測定を
可能にするように構成されている。
少なくとも１つのＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成された少なくとも
１つのプローブを含む。このプローブシステムは光学アセンブリをさらに含み、この光学
アセンブリは、プローブが対応するＤＵＴに接近する際に、少なくとも１つのプローブの
少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成されている。このプローブシ
ステムは、少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットの位置の測定を
可能にするように構成されている。
【0006】
関連する方法は、基準ターゲットを含むプローブを利用する方法を含む。これらの方法
は、光学システムに対するプローブの基準ターゲットの第１位置を測定するステップと、
ＤＵＴをプローブに対して平行移動させるステップと、光学システムに対する基準ターゲ
ットの第２位置を測定するステップとを含む。
は、光学システムに対するプローブの基準ターゲットの第１位置を測定するステップと、
ＤＵＴをプローブに対して平行移動させるステップと、光学システムに対する基準ターゲ
ットの第２位置を測定するステップとを含む。
【0007】
関連する方法は、それに加えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット付きプローブ
を製造する方法を含むことができる。これらの方法は、プローブビーム及びプローブチッ
プを有するプローブを用意するステップと、基準ターゲットをプローブビームに取り付け
るステップとを含む。
を製造する方法を含むことができる。これらの方法は、プローブビーム及びプローブチッ
プを有するプローブを用意するステップと、基準ターゲットをプローブビームに取り付け
るステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明によるプローブシステムの例を示す概略側面図である。
【図3】本発明による、集光反射の例を基準像上に重ね合わせて示す概略上面図である。
【図4】本発明による、基準ターゲットの外面から反射する光の例を示す概略側面図である。
【図5】本発明による、基準ターゲット内で内部反射される光の例を示す概略側面図である。
【図6】本発明によるプローブの一部分の例を示す部分側面図である。
【図8】本発明による、プローブチップに対してＤＵＴを押し付ける前にＤＵＴに接触しているプローブチップを示す概略側面図である。
【図10】本発明による、ＤＵＴに対するプローブの押し付け距離を測定する方法を示すフローチャートである。
【図11】本発明による、基準ターゲット付きプローブを製造する方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
詳細な説明
図１～１１は、基準ターゲット１５０付きプローブ１００の例、プローブシステムを動
作させる方法及び／または利用する方法２００の例、及び／または基準ターゲット付きプ
ローブを製造する方法３００の例を提供する。図１～１１の各々では、同様の、あるいは
少なくとも実質的に同様の目的を果たす要素には同様のラベルを付け、これらの要素は本
明細書中で図１～１１の各々を参照して説明しないことがある。同様に、図１～１１の各
々では、必ずしもすべての要素にラベルを付けないことがあるが、本明細書中では当該要
素に関連する参照番号を一貫性のために利用することがある。図１～１１のうちの１つ以
上を参照して本明細書中に説明する要素、構成要素、及び／または特徴は、本発明の範囲
から逸脱することなしに、図１～１１のいずれかに含めること、及び図１～１１のいずれ
かと共に利用することがある。
図１～１１は、基準ターゲット１５０付きプローブ１００の例、プローブシステムを動
作させる方法及び／または利用する方法２００の例、及び／または基準ターゲット付きプ
ローブを製造する方法３００の例を提供する。図１～１１の各々では、同様の、あるいは
少なくとも実質的に同様の目的を果たす要素には同様のラベルを付け、これらの要素は本
明細書中で図１～１１の各々を参照して説明しないことがある。同様に、図１～１１の各
々では、必ずしもすべての要素にラベルを付けないことがあるが、本明細書中では当該要
素に関連する参照番号を一貫性のために利用することがある。図１～１１のうちの１つ以
上を参照して本明細書中に説明する要素、構成要素、及び／または特徴は、本発明の範囲
から逸脱することなしに、図１～１１のいずれかに含めること、及び図１～１１のいずれ
かと共に利用することがある。
【0010】
一般に、所定の（即ち、特定の）実施形態に含まれる可能性が高い要素は実線で示すの
に対し、所定の実施形態にとって任意である要素は破線で示す。しかし、実線で示す要素
は必ずしもすべての実施形態にとって不可欠ではなく、実線で示す要素は、本発明の範囲
から逸脱することなしに所定の実施形態から省略することができる。
に対し、所定の実施形態にとって任意である要素は破線で示す。しかし、実線で示す要素
は必ずしもすべての実施形態にとって不可欠ではなく、実線で示す要素は、本発明の範囲
から逸脱することなしに所定の実施形態から省略することができる。
【0011】
図１は、本発明による、一対のプローブ１００を含むプローブシステム１０の概略側面
図であり、図２は、図１のプローブシステムの一部分の概略上面図である。図１は、プロ
ーブシステム１０を２つのプローブ１００を含むように概略的に示しているが、このこと
は要件ではなく、プローブシステムが、１つのプローブ、２つのプローブ、３つのプロー
ブ、４つのプローブ、または５つ以上のプローブのように適切な任意数のプローブを含む
ことができることは、本発明の範囲内である。各プローブ１００は、プローブ本体１１０
と、プローブ本体から延びるプローブビーム１２０と、プローブ本体から遠い方のプロー
ブビームの最先端１２６から延びる少なくとも１つのプローブチップ１４０とを含む。各
プローブチップ１４０は、例えば被試験デバイス（ＤＵＴ）４２の対応する接点パッドを
介して当該ＤＵＴに接触するように構成されている。プローブ１００は、１つのプローブ
チップ、２つのプローブチップ、３つのプローブチップ、または４つ以上のプローブチッ
プのように適切な任意数のプローブチップ１４０を含むことができる。一例として、プロ
ーブ１００は、無線周波数（ＲＦ：radio frequency）試験用に構成されたプローブとす
ることができ、及び／または、信号を送信及び／または受信するように構成された少なく
とも１つのプローブチップ１４０及び／または電気接地を与えるように構成された少なく
とも１つのプローブチップを有することができる。
図であり、図２は、図１のプローブシステムの一部分の概略上面図である。図１は、プロ
ーブシステム１０を２つのプローブ１００を含むように概略的に示しているが、このこと
は要件ではなく、プローブシステムが、１つのプローブ、２つのプローブ、３つのプロー
ブ、４つのプローブ、または５つ以上のプローブのように適切な任意数のプローブを含む
ことができることは、本発明の範囲内である。各プローブ１００は、プローブ本体１１０
と、プローブ本体から延びるプローブビーム１２０と、プローブ本体から遠い方のプロー
ブビームの最先端１２６から延びる少なくとも１つのプローブチップ１４０とを含む。各
プローブチップ１４０は、例えば被試験デバイス（ＤＵＴ）４２の対応する接点パッドを
介して当該ＤＵＴに接触するように構成されている。プローブ１００は、１つのプローブ
チップ、２つのプローブチップ、３つのプローブチップ、または４つ以上のプローブチッ
プのように適切な任意数のプローブチップ１４０を含むことができる。一例として、プロ
ーブ１００は、無線周波数（ＲＦ：radio frequency）試験用に構成されたプローブとす
ることができ、及び／または、信号を送信及び／または受信するように構成された少なく
とも１つのプローブチップ１４０及び／または電気接地を与えるように構成された少なく
とも１つのプローブチップを有することができる。
【0012】
図１～２に概略的に示すように、プローブ１００は、プローブビーム１２０に、例えば
プローブビームの上面１２８に取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲット１５０を
さらに含む。本明細書中に説明するように、各基準ターゲット１５０は、プローブチップ
１４０がＤＵＴ４２に接近する際に光学システムにとって可視であるように構成されて、
例えばＤＵＴ４２に対するプローブチップの位置の測定を促進する。このようにして、図
２は、光学システム２０の視点によって及び／または視点から見た図１のプローブシステ
ム１０の一部分を概略的に示しているように説明することができる。別の言い方をすれば
、図２は光学システム２０の視野を概略的に示しているように説明することができる。図
１～２に概略的にさらに示すように、そして本明細書中に説明するように、プローブシス
テム１０及び／またはプローブ１００は、ｘ次元、ｙ次元、及びｚ次元が互いに直交する
ｘ－ｙ－ｚ座標系を参照して説明することができる。より具体的には、プローブシステム
１０は、光学システム２０が基準ターゲット１５０をｚ次元に少なくとも実質的に平行な
方向に沿って見るように、当該プローブシステムが配向されているように説明することが
できる。
プローブビームの上面１２８に取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲット１５０を
さらに含む。本明細書中に説明するように、各基準ターゲット１５０は、プローブチップ
１４０がＤＵＴ４２に接近する際に光学システムにとって可視であるように構成されて、
例えばＤＵＴ４２に対するプローブチップの位置の測定を促進する。このようにして、図
２は、光学システム２０の視点によって及び／または視点から見た図１のプローブシステ
ム１０の一部分を概略的に示しているように説明することができる。別の言い方をすれば
、図２は光学システム２０の視野を概略的に示しているように説明することができる。図
１～２に概略的にさらに示すように、そして本明細書中に説明するように、プローブシス
テム１０及び／またはプローブ１００は、ｘ次元、ｙ次元、及びｚ次元が互いに直交する
ｘ－ｙ－ｚ座標系を参照して説明することができる。より具体的には、プローブシステム
１０は、光学システム２０が基準ターゲット１５０をｚ次元に少なくとも実質的に平行な
方向に沿って見るように、当該プローブシステムが配向されているように説明することが
できる。
【0013】
各プローブ１００は適切な数の基準ターゲット１５０を含むことができる。一例として
、本明細書中に開示するプローブのいくつかは、各プローブ１００が対応する単一の基準
ターゲット１５０を含む実施形態に関連する。しかし、このことはプローブ１００の必ず
しもすべての例に要求されず、各プローブが、２つの基準ターゲット、３つの基準ターゲ
ット、４つの基準ターゲット、または５つ以上の基準ターゲットのように対応する複数の
基準ターゲット１５０を含むことができることは、本発明の範囲内に加わる。
、本明細書中に開示するプローブのいくつかは、各プローブ１００が対応する単一の基準
ターゲット１５０を含む実施形態に関連する。しかし、このことはプローブ１００の必ず
しもすべての例に要求されず、各プローブが、２つの基準ターゲット、３つの基準ターゲ
ット、４つの基準ターゲット、または５つ以上の基準ターゲットのように対応する複数の
基準ターゲット１５０を含むことができることは、本発明の範囲内に加わる。
【0014】
対応する複数のターゲット１５０付きの複数のプローブ１００を含むプローブシステム
１０の一実施形態では、複数の基準ターゲットのうちの少なくとも１つの基準ターゲット
を、複数の基準ターゲットのうちの他の基準ターゲットと区別して及び／または異なる形
状にして、例えば（当該基準ターゲットに）対応するプローブの識別を促進することがで
きる。別の言い方をすれば、こうした例では、各プローブ１００が、対応する基準ターゲ
ット１５０、あるいは対応する複数の基準ターゲット１５０を含むことができ、これらの
基準ターゲットは、プローブの一意的な識別を可能にするような形状、サイズ、位置、向
き、及び／またはさもなければ構成にすることができる。それに加えて、あるいはその代
わりに、複数の基準ターゲット１５０を含むプローブ１００の一実施形態では、当該プロ
ーブに関連する複数の基準ターゲットのうちの少なくとも１つの基準ターゲットを、当該
プローブに関連する複数の基準ターゲットのうちの他の少なくとも１つの基準ターゲット
と区別して及び／または異なる形状にして、例えば光学システム２０に対するプローブの
位置を三次元で測定することを促進することができる。他の一例として、複数の基準ター
ゲット１５０を含むプローブ１００の一実施形態では、複数の基準ターゲットのうちの少
なくとも２つの基準ターゲットを、これらの基準ターゲットがｘ次元、ｙ次元、及び／ま
たはｚ次元において異なる位置を有するように配置し、これにより、所定のプローブ１０
０に関連する基準ターゲット１５０の観測による当該プローブの一意的な識別を可能にす
ること及び／または促進することができる。
１０の一実施形態では、複数の基準ターゲットのうちの少なくとも１つの基準ターゲット
を、複数の基準ターゲットのうちの他の基準ターゲットと区別して及び／または異なる形
状にして、例えば（当該基準ターゲットに）対応するプローブの識別を促進することがで
きる。別の言い方をすれば、こうした例では、各プローブ１００が、対応する基準ターゲ
ット１５０、あるいは対応する複数の基準ターゲット１５０を含むことができ、これらの
基準ターゲットは、プローブの一意的な識別を可能にするような形状、サイズ、位置、向
き、及び／またはさもなければ構成にすることができる。それに加えて、あるいはその代
わりに、複数の基準ターゲット１５０を含むプローブ１００の一実施形態では、当該プロ
ーブに関連する複数の基準ターゲットのうちの少なくとも１つの基準ターゲットを、当該
プローブに関連する複数の基準ターゲットのうちの他の少なくとも１つの基準ターゲット
と区別して及び／または異なる形状にして、例えば光学システム２０に対するプローブの
位置を三次元で測定することを促進することができる。他の一例として、複数の基準ター
ゲット１５０を含むプローブ１００の一実施形態では、複数の基準ターゲットのうちの少
なくとも２つの基準ターゲットを、これらの基準ターゲットがｘ次元、ｙ次元、及び／ま
たはｚ次元において異なる位置を有するように配置し、これにより、所定のプローブ１０
０に関連する基準ターゲット１５０の観測による当該プローブの一意的な識別を可能にす
ること及び／または促進することができる。
【0015】
図１に概略的にさらに示すように、プローブシステム１０は複数のプローブホルダ１０
２を含むことができ、プローブホルダ１０２は対応する複数のプローブ１００を複数のＤ
ＵＴ４２に対して支持して維持するように構成されている。本明細書中に用いるプローブ
ホルダ１０２は、ポジショナー（保定装置、位置決め装置）１０２と称することもできる
。プローブシステム１０はチャック３０を含むこともでき、チャック３０は、複数のＤＵ
Ｔ４２を含む基板４０を支持するように構成された支持面３２を規定する。図１に追加的
に概略的に示すように、プローブシステム１０はコントローラ５０を含むことができ、コ
ントローラ５０は、プローブシステム１０の動作を制御するように、あるいはプローブシ
ステム１０を自動化するようにプログラムされている。一例として、コントローラ５０は
、本明細書中に説明する方法２００の一部または全部を実行するようにプログラムするこ
とができる。それに加えて、あるいはその代わりに、コントローラ５０は、プローブ１０
０、光学システム２０、及び／またはチャック３０のようなプローブシステム１０のあら
ゆる適切な構成要素を制御するように構成することができる。
２を含むことができ、プローブホルダ１０２は対応する複数のプローブ１００を複数のＤ
ＵＴ４２に対して支持して維持するように構成されている。本明細書中に用いるプローブ
ホルダ１０２は、ポジショナー（保定装置、位置決め装置）１０２と称することもできる
。プローブシステム１０はチャック３０を含むこともでき、チャック３０は、複数のＤＵ
Ｔ４２を含む基板４０を支持するように構成された支持面３２を規定する。図１に追加的
に概略的に示すように、プローブシステム１０はコントローラ５０を含むことができ、コ
ントローラ５０は、プローブシステム１０の動作を制御するように、あるいはプローブシ
ステム１０を自動化するようにプログラムされている。一例として、コントローラ５０は
、本明細書中に説明する方法２００の一部または全部を実行するようにプログラムするこ
とができる。それに加えて、あるいはその代わりに、コントローラ５０は、プローブ１０
０、光学システム２０、及び／またはチャック３０のようなプローブシステム１０のあら
ゆる適切な構成要素を制御するように構成することができる。
【0016】
本明細書中に用いる「上部」、「上方」、「下部」、「下方」等のような位置の用語は
、プローブ１００及び／またはプローブシステム１０の構成要素間の空間的関係を例示的
で非限定的な様式で記述するために用いることができ、一般に、基板４０及び／またはＤ
ＵＴ４２が地面に少なくともほぼ平行に広がり、プローブ１００がＤＵＴの垂直方向上方
にある（これにより、重力がプローブをＤＵＴに向けて偏向させる）構成を参照する。こ
うした用語は前後関係として提供するに過ぎず、プローブ１００及び／またはプローブシ
ステム１０の構成部品を地面に対して常に特定の向きであるものと限定しない。
、プローブ１００及び／またはプローブシステム１０の構成要素間の空間的関係を例示的
で非限定的な様式で記述するために用いることができ、一般に、基板４０及び／またはＤ
ＵＴ４２が地面に少なくともほぼ平行に広がり、プローブ１００がＤＵＴの垂直方向上方
にある（これにより、重力がプローブをＤＵＴに向けて偏向させる）構成を参照する。こ
うした用語は前後関係として提供するに過ぎず、プローブ１００及び／またはプローブシ
ステム１０の構成部品を地面に対して常に特定の向きであるものと限定しない。
【0017】
図１に概略的に示すように、光学システム２０は、光軸２２に沿って画像を取得するよ
うに構成することができ、例えばプローブシステム１０のｚ次元に少なくともほぼ平行に
することができる。例えば、光学システム２０は照明光源２６を含むことができ、照明光
源２６は光軸２２に少なくともほぼ平行に発光して、プローブ１００の基準ターゲット１
５０のようなプローブシステム１００の一部分を照明することができる。光学システム２
０は顕微鏡２８をさらに含むことができ、顕微鏡２８は、基準ターゲット１５０から反射
した、及び／またはさもなければ発光した光を取得するように構成されている。顕微鏡２
８は、可視光顕微鏡及び／または共焦点顕微鏡のようなあらゆる適切な顕微鏡を含むこと
及び／またはあらゆる適切な顕微鏡とすることができる。図１に概略的にさらに示すよう
に、光学システム２０は、光学エンクロージャ（光学用包囲体）２１を含むこと、及び／
または光学エンクロージャ２１内に配置することができ、光学エンクロージャ２１は周辺
光が光学システムの一部分、例えば顕微鏡２８に入ることを規制するように構成されてい
る。
うに構成することができ、例えばプローブシステム１０のｚ次元に少なくともほぼ平行に
することができる。例えば、光学システム２０は照明光源２６を含むことができ、照明光
源２６は光軸２２に少なくともほぼ平行に発光して、プローブ１００の基準ターゲット１
５０のようなプローブシステム１００の一部分を照明することができる。光学システム２
０は顕微鏡２８をさらに含むことができ、顕微鏡２８は、基準ターゲット１５０から反射
した、及び／またはさもなければ発光した光を取得するように構成されている。顕微鏡２
８は、可視光顕微鏡及び／または共焦点顕微鏡のようなあらゆる適切な顕微鏡を含むこと
及び／またはあらゆる適切な顕微鏡とすることができる。図１に概略的にさらに示すよう
に、光学システム２０は、光学エンクロージャ（光学用包囲体）２１を含むこと、及び／
または光学エンクロージャ２１内に配置することができ、光学エンクロージャ２１は周辺
光が光学システムの一部分、例えば顕微鏡２８に入ることを規制するように構成されてい
る。
【0018】
プローブシステム１０は、プローブ１００のプローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近
する際に、光学システム２０の焦点が当該プローブの基準ターゲット１５０に合うように
構成することができる。より具体的には、光学システム２０が焦点範囲を有し、プローブ
チップがＤＵＴ４２に接近する際に、基準ターゲット１５０及びＤＵＴ４２の各々が当該
焦点範囲内にあり、光学システムの焦点が基準ターゲット及びＤＵＴに交互に合うように
することができる。それに加えて、あるいはその代わりに、プローブシステム１０は、光
学システム２０の光軸２２に沿った焦平面（焦点面）の位置を、プローブシステムにおけ
る光学システムにとって可視である部分の画像と同期して記録するように構成することが
できる。このようにして、本明細書中に説明するように、プローブシステム１０は、基準
ターゲットに焦点が最も良く合う際の焦平面の位置の測定により、光軸２２に平行な方向
及び／またはｚ方向に平行な方向に沿った基準ターゲット１５０の位置の精密な測定を可
能にするように構成することができる。
する際に、光学システム２０の焦点が当該プローブの基準ターゲット１５０に合うように
構成することができる。より具体的には、光学システム２０が焦点範囲を有し、プローブ
チップがＤＵＴ４２に接近する際に、基準ターゲット１５０及びＤＵＴ４２の各々が当該
焦点範囲内にあり、光学システムの焦点が基準ターゲット及びＤＵＴに交互に合うように
することができる。それに加えて、あるいはその代わりに、プローブシステム１０は、光
学システム２０の光軸２２に沿った焦平面（焦点面）の位置を、プローブシステムにおけ
る光学システムにとって可視である部分の画像と同期して記録するように構成することが
できる。このようにして、本明細書中に説明するように、プローブシステム１０は、基準
ターゲットに焦点が最も良く合う際の焦平面の位置の測定により、光軸２２に平行な方向
及び／またはｚ方向に平行な方向に沿った基準ターゲット１５０の位置の精密な測定を可
能にするように構成することができる。
【0019】
プローブシステム１０は、少なくとも１つのプローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近
する際に、基準ターゲット１５０及び当該プローブチップの各々が光学システム２０の視
野内にあるように構成することもできる。プローブシステム１０は、ＤＵＴ４２の試験前
、試験中、及び／または試験後に、基準ターゲット１５０及び少なくとも１つのプローブ
チップ１４０の各々が光学システム２０の視野内に留まるようにさらに構成することがで
きる。例えば、ＤＵＴ４２の試験は、当該ＤＵＴの試験中に、当該ＤＵＴ及び／またはプ
ローブチップ１４０の少なくとも一部分が光学システム２０の視野に対して熱的にドリフ
トするように、当該ＤＵＴの温度を調整することを含むことができる。従って、光学シス
テム２０は、ＤＵＴ４２の試験中にプローブチップ１４０及び／または基準ターゲット１
５０の少なくとも一部分が当該光学システムの視野内に留まるほど十分に広い視野を有す
ることができる。
する際に、基準ターゲット１５０及び当該プローブチップの各々が光学システム２０の視
野内にあるように構成することもできる。プローブシステム１０は、ＤＵＴ４２の試験前
、試験中、及び／または試験後に、基準ターゲット１５０及び少なくとも１つのプローブ
チップ１４０の各々が光学システム２０の視野内に留まるようにさらに構成することがで
きる。例えば、ＤＵＴ４２の試験は、当該ＤＵＴの試験中に、当該ＤＵＴ及び／またはプ
ローブチップ１４０の少なくとも一部分が光学システム２０の視野に対して熱的にドリフ
トするように、当該ＤＵＴの温度を調整することを含むことができる。従って、光学シス
テム２０は、ＤＵＴ４２の試験中にプローブチップ１４０及び／または基準ターゲット１
５０の少なくとも一部分が当該光学システムの視野内に留まるほど十分に広い視野を有す
ることができる。
【0020】
例えば、図２に概略的に示すように、光学システム２０の視野は、視野の線寸法２３を
有することができ、及び／または視野の線寸法２３によって特徴付けることができる。視
野の線寸法２３は、視野のあらゆる適切な寸法に相当することができる。例として、図２
に概略的に示すように、視野の線寸法２３は、ｘ次元に沿って、ｙ次元に沿って、及び／
または光軸２２に少なくとも実質的に直交する方向に沿って測定することができる。本明
細書中に用いる視野の線寸法２３は、距離（例えば、長さ）及び／または解像度（例えば
、視野全体にわたる画素（ピクセル）数）のような、視野を測定するためのあらゆる適切
な尺度に相当することができる。例として、視野の線寸法２３は、少なくとも１００マイ
クロメートル（μm）、少なくとも３００μm、少なくとも５００μm、少なくとも１ミリ
メートル（mm）、少なくとも１．５mm、少なくとも２mm、少なくとも３mm、少なくとも５
mm、最大でも７mm、最大でも２．５mm、最大でも１．７mm、最大でも１．２mm、最大でも
７００μm、及び／または最大でも２００μmにすることができる。それに加えて、あるい
はその代わりに、視野の線寸法２３は、少なくとも１００画素、少なくとも３００画素、
少なくとも５００画素、少なくとも１０００画素、少なくとも１３００画素、少なくとも
１５００画素、少なくとも２０００画素、少なくとも２５００画素、最大でも３０００画
素、最大でも２２００画素、最大でも１７００画素、最大でも１２００画素、最大でも７
００画素、及び／または最大でも２００画素にすることができる。
有することができ、及び／または視野の線寸法２３によって特徴付けることができる。視
野の線寸法２３は、視野のあらゆる適切な寸法に相当することができる。例として、図２
に概略的に示すように、視野の線寸法２３は、ｘ次元に沿って、ｙ次元に沿って、及び／
または光軸２２に少なくとも実質的に直交する方向に沿って測定することができる。本明
細書中に用いる視野の線寸法２３は、距離（例えば、長さ）及び／または解像度（例えば
、視野全体にわたる画素（ピクセル）数）のような、視野を測定するためのあらゆる適切
な尺度に相当することができる。例として、視野の線寸法２３は、少なくとも１００マイ
クロメートル（μm）、少なくとも３００μm、少なくとも５００μm、少なくとも１ミリ
メートル（mm）、少なくとも１．５mm、少なくとも２mm、少なくとも３mm、少なくとも５
mm、最大でも７mm、最大でも２．５mm、最大でも１．７mm、最大でも１．２mm、最大でも
７００μm、及び／または最大でも２００μmにすることができる。それに加えて、あるい
はその代わりに、視野の線寸法２３は、少なくとも１００画素、少なくとも３００画素、
少なくとも５００画素、少なくとも１０００画素、少なくとも１３００画素、少なくとも
１５００画素、少なくとも２０００画素、少なくとも２５００画素、最大でも３０００画
素、最大でも２２００画素、最大でも１７００画素、最大でも１２００画素、最大でも７
００画素、及び／または最大でも２００画素にすることができる。
【0021】
光学システム２０は一般に、基準ターゲット１５０からの光を集光して、ＤＵＴ４２に
対するプローブチップ１４０の位置を測定して、光学システムに対するプローブチップの
位置を測定するように、及び／またはプローブチップの偏位を検出するように構成されて
いる。例えば、光学システム２０は、基準ターゲット１５０から反射した光、及び／また
はさもなければ基準ターゲット１５０が発光する光に焦点を合わせるように構成すること
ができ、これにより、対応する焦平面の位置を用いて光軸２２に平行な方向のプローブチ
ップ１４０の高さを測定することができる（図１では、こうした方向にｚ方向のラベルを
付けている）。より具体的には、基準ターゲット１５０から反射した光、及び／またはさ
もなければ基準ターゲット１５０が発光する光が、比較的無反射性の背景に対する高コン
トラストの視覚的基準点を提供することができ、こうした背景は、例えばプローブビーム
１２０を含むこと及び／またはプローブビーム１２０とすることができる。光学システム
１２０は、自動化された焦点最適化ルーチンのようなあらゆる適切なルーチンにより、Ｄ
ＵＴ４２に対するプローブチップ１４０の位置を測定することを促進するように構成する
ことができる。例として、焦点最適化ルーチンは、パターンスコア（パターン得点）ルー
チン及び／または勾配探索ルーチンを含むこと、及び／またはこうしたルーチンとするこ
とができる。それに加えて、あるいはその代わりに、光学システム２０は、ユーザが手動
で基準ターゲット１５０から反射した光に焦点を合わせることを可能にするように構成す
ることができる。
対するプローブチップ１４０の位置を測定して、光学システムに対するプローブチップの
位置を測定するように、及び／またはプローブチップの偏位を検出するように構成されて
いる。例えば、光学システム２０は、基準ターゲット１５０から反射した光、及び／また
はさもなければ基準ターゲット１５０が発光する光に焦点を合わせるように構成すること
ができ、これにより、対応する焦平面の位置を用いて光軸２２に平行な方向のプローブチ
ップ１４０の高さを測定することができる（図１では、こうした方向にｚ方向のラベルを
付けている）。より具体的には、基準ターゲット１５０から反射した光、及び／またはさ
もなければ基準ターゲット１５０が発光する光が、比較的無反射性の背景に対する高コン
トラストの視覚的基準点を提供することができ、こうした背景は、例えばプローブビーム
１２０を含むこと及び／またはプローブビーム１２０とすることができる。光学システム
１２０は、自動化された焦点最適化ルーチンのようなあらゆる適切なルーチンにより、Ｄ
ＵＴ４２に対するプローブチップ１４０の位置を測定することを促進するように構成する
ことができる。例として、焦点最適化ルーチンは、パターンスコア（パターン得点）ルー
チン及び／または勾配探索ルーチンを含むこと、及び／またはこうしたルーチンとするこ
とができる。それに加えて、あるいはその代わりに、光学システム２０は、ユーザが手動
で基準ターゲット１５０から反射した光に焦点を合わせることを可能にするように構成す
ることができる。
【0022】
プローブシステム１０及び／または基準ターゲット１５０は、基準ターゲットがプロー
ブシステムの残りの部分の少なくとも一部に比べて光学システム２０による光学的解像度
がより高くなるように構成することができ、上記少なくとも一部は、例えばプローブビー
ム１２０の上面１２８における基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲッ
トに隣接する部分である。一例として、基準ターゲット１５０が光学システム２０にとっ
て可視である際に、基準ターゲットは、プローブビーム１２０の上面１２８における少な
くとも光学システムにとって可視である部分に比べて、光学システムによる光学的解像度
をより高くすることができる。本明細書中に用いる、（光学システム２０のような）光学
システムの視野内の構成要素を記述するために用いられる「光学的解像度が高い」とは、
一般に、光学システムが、精密かつ高信頼性で当該構成要素を解像すること、当該構成要
素に焦点を合わせること、及び／またはさもなければ当該構成要素の像の品質を最適化す
る能力を参照する。より具体的な例として、プローブ本体１１０、プローブビーム１２０
、及び／またはプローブチップ１４０を光学的に不透明及び／または光吸収性にすること
ができる。追加的な例として、基準ターゲット１５０は、プローブビーム１２０の上面１
２８における少なくとも基準ターゲットを支持する部分よりも光学的に明色にすること、
光学的に高明度にすること、大きな光反射率を有すること、大きな光学コントラストを有
すること、及び／または入射光を散乱させる度合いを大きくすることができる。それに加
えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０、及び／または基準ターゲットによ
って散乱及び／または反射された光に、光学システム２０が離散した焦点解像範囲内で焦
点を合わせることができ、この離散した焦点解像範囲は、光学システムの焦点がプローブ
ビーム１２０に合うための焦点解像範囲よりも小さい。本明細書中に用いる光学システム
２０の焦点解像範囲は、それに加えて、あるいはその代わりに、光学システムの焦点感度
と称することができる。
ブシステムの残りの部分の少なくとも一部に比べて光学システム２０による光学的解像度
がより高くなるように構成することができ、上記少なくとも一部は、例えばプローブビー
ム１２０の上面１２８における基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲッ
トに隣接する部分である。一例として、基準ターゲット１５０が光学システム２０にとっ
て可視である際に、基準ターゲットは、プローブビーム１２０の上面１２８における少な
くとも光学システムにとって可視である部分に比べて、光学システムによる光学的解像度
をより高くすることができる。本明細書中に用いる、（光学システム２０のような）光学
システムの視野内の構成要素を記述するために用いられる「光学的解像度が高い」とは、
一般に、光学システムが、精密かつ高信頼性で当該構成要素を解像すること、当該構成要
素に焦点を合わせること、及び／またはさもなければ当該構成要素の像の品質を最適化す
る能力を参照する。より具体的な例として、プローブ本体１１０、プローブビーム１２０
、及び／またはプローブチップ１４０を光学的に不透明及び／または光吸収性にすること
ができる。追加的な例として、基準ターゲット１５０は、プローブビーム１２０の上面１
２８における少なくとも基準ターゲットを支持する部分よりも光学的に明色にすること、
光学的に高明度にすること、大きな光反射率を有すること、大きな光学コントラストを有
すること、及び／または入射光を散乱させる度合いを大きくすることができる。それに加
えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０、及び／または基準ターゲットによ
って散乱及び／または反射された光に、光学システム２０が離散した焦点解像範囲内で焦
点を合わせることができ、この離散した焦点解像範囲は、光学システムの焦点がプローブ
ビーム１２０に合うための焦点解像範囲よりも小さい。本明細書中に用いる光学システム
２０の焦点解像範囲は、それに加えて、あるいはその代わりに、光学システムの焦点感度
と称することができる。
【0023】
光学システム２０は、基準ターゲット１５０をあらゆる適切な方法で撮像、レンダリン
グ、及び／またはさもなければ表現するように構成することができる。例えば、図３に概
略的に示すように、光学システム２０は、プローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近し、
かつ光学システムの焦点が基準ターゲットに合う際に、基準ターゲット１５０の少なくと
も一部分の基準像１６０を受けるように、及び／または記録するように構成することがで
きる。別の言い方をすれば、基準像１６０は、基準ターゲット１５０における少なくとも
光学システム２０の焦点が合う部分の像を含むこと、及び／またはこうした像とすること
ができる。それに加えて、あるいはその代わりに、図３に概略的にさらに示すように、基
準ターゲット１５０は、基準ターゲット１５０からの集光反射１６２を反射、発生、及び
／またはさもなければ生成するように構成することができ、光学システム２０は、基準タ
ーゲット１５０からの集光反射１６２を受光するように構成することができる。このよう
にして、本明細書中に用いる、光学システム２０の焦点が基準ターゲット１５０に合うこ
とへの言及は、光学システムの焦点が基準像１６０に合うことを参照することができ、及
び／または光学システムの焦点が集光反射１６２に合うことを参照することができる。図
３に概略的に示すように、集光反射１６２は基準像１６０よりも小さくすることができ、
及び／または基準像上に重ね合わせることができる。
グ、及び／またはさもなければ表現するように構成することができる。例えば、図３に概
略的に示すように、光学システム２０は、プローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近し、
かつ光学システムの焦点が基準ターゲットに合う際に、基準ターゲット１５０の少なくと
も一部分の基準像１６０を受けるように、及び／または記録するように構成することがで
きる。別の言い方をすれば、基準像１６０は、基準ターゲット１５０における少なくとも
光学システム２０の焦点が合う部分の像を含むこと、及び／またはこうした像とすること
ができる。それに加えて、あるいはその代わりに、図３に概略的にさらに示すように、基
準ターゲット１５０は、基準ターゲット１５０からの集光反射１６２を反射、発生、及び
／またはさもなければ生成するように構成することができ、光学システム２０は、基準タ
ーゲット１５０からの集光反射１６２を受光するように構成することができる。このよう
にして、本明細書中に用いる、光学システム２０の焦点が基準ターゲット１５０に合うこ
とへの言及は、光学システムの焦点が基準像１６０に合うことを参照することができ、及
び／または光学システムの焦点が集光反射１６２に合うことを参照することができる。図
３に概略的に示すように、集光反射１６２は基準像１６０よりも小さくすることができ、
及び／または基準像上に重ね合わせることができる。
【0024】
光学システム２０が基準像１６０及び集光反射１６２を受光するように構成されている
例では、基準像の形状及び／または外観を基準ターゲット１５０と同様にすることができ
、集光反射は、基準像よりも狭い、及び／または基準像よりも輪郭が尖鋭に定まった集光
スポットを含むこと、及び／またはこうした集光スポットとすることができる。より具体
的な例として、図３に概略的に追加的に示すように、基準像１６０は、基準像の直径１６
１を有すること及び／または基準像の直径１６１によって特徴付けることができ、集光反
射１６２は、集光反射の直径１６３を有すること及び／または集光反射の直径１６３によ
って特徴付けることができ、集光反射の直径は基準像の直径よりも小さい。さらに具体的
な例として、集光反射の直径１６３は、基準像の直径１６１の少なくとも０．１％、基準
像の直径の少なくとも０．２％、基準像の直径の少なくとも０．５％、基準像の直径の少
なくとも１％、基準像の直径の少なくとも２％、基準像の直径の少なくとも５％、基準像
の直径の少なくとも１０％、基準像の直径の少なくとも２０％、基準像の直径の少なくと
も５０％、基準像の直径の少なくとも７０％、最大でも基準像の直径の８５％、最大でも
基準像の直径の６０％、最大でも基準像の直径の５０％、最大でも基準像の直径の３０％
、最大でも基準像の直径の２５％、最大でも基準像の直径の２０％、最大でも基準像の直
径の１５％、最大でも基準像の直径の１０％、最大でも基準像の直径の７％、最大でも基
準像の直径の５％、最大でも基準像の直径の３％、及び／または最大でも基準像の直径の
１％にすることができる。他の一例として、集光反射１６２の集光反射の直径１６３は、
離散した焦点解像範囲内に最小値を有することができ、この離散した焦点解像範囲は特定
の焦点解像範囲よりも小さく、この特定の焦点解像範囲内で基準像１６０の基準像の直径
１６１がそれぞれの最小値を有する。追加的な例として、集光反射の直径１６３は、視野
の線寸法２３の少なくとも０．００００１％、視野の線寸法の少なくとも０．０００１％
、視野の線寸法の少なくとも０．００１％、視野の線寸法の少なくとも０．０１％、視野
の線寸法の少なくとも０．１％、視野の線寸法の少なくとも１％、視野の線寸法の少なく
とも１０％、最大でも視野の線寸法の２０％、最大でも視野の線寸法の１５％、最大でも
視野の線寸法の５％、最大でも視野の線寸法の１％、最大でも視野の線寸法の０．５％、
最大でも視野の線寸法の０．０５％、最大でも視野の線寸法の０．００５％、最大でも視
野の線寸法の０．０００５％、及び／または最大でも視野の線寸法の０．００００５％に
することができる。
例では、基準像の形状及び／または外観を基準ターゲット１５０と同様にすることができ
、集光反射は、基準像よりも狭い、及び／または基準像よりも輪郭が尖鋭に定まった集光
スポットを含むこと、及び／またはこうした集光スポットとすることができる。より具体
的な例として、図３に概略的に追加的に示すように、基準像１６０は、基準像の直径１６
１を有すること及び／または基準像の直径１６１によって特徴付けることができ、集光反
射１６２は、集光反射の直径１６３を有すること及び／または集光反射の直径１６３によ
って特徴付けることができ、集光反射の直径は基準像の直径よりも小さい。さらに具体的
な例として、集光反射の直径１６３は、基準像の直径１６１の少なくとも０．１％、基準
像の直径の少なくとも０．２％、基準像の直径の少なくとも０．５％、基準像の直径の少
なくとも１％、基準像の直径の少なくとも２％、基準像の直径の少なくとも５％、基準像
の直径の少なくとも１０％、基準像の直径の少なくとも２０％、基準像の直径の少なくと
も５０％、基準像の直径の少なくとも７０％、最大でも基準像の直径の８５％、最大でも
基準像の直径の６０％、最大でも基準像の直径の５０％、最大でも基準像の直径の３０％
、最大でも基準像の直径の２５％、最大でも基準像の直径の２０％、最大でも基準像の直
径の１５％、最大でも基準像の直径の１０％、最大でも基準像の直径の７％、最大でも基
準像の直径の５％、最大でも基準像の直径の３％、及び／または最大でも基準像の直径の
１％にすることができる。他の一例として、集光反射１６２の集光反射の直径１６３は、
離散した焦点解像範囲内に最小値を有することができ、この離散した焦点解像範囲は特定
の焦点解像範囲よりも小さく、この特定の焦点解像範囲内で基準像１６０の基準像の直径
１６１がそれぞれの最小値を有する。追加的な例として、集光反射の直径１６３は、視野
の線寸法２３の少なくとも０．００００１％、視野の線寸法の少なくとも０．０００１％
、視野の線寸法の少なくとも０．００１％、視野の線寸法の少なくとも０．０１％、視野
の線寸法の少なくとも０．１％、視野の線寸法の少なくとも１％、視野の線寸法の少なく
とも１０％、最大でも視野の線寸法の２０％、最大でも視野の線寸法の１５％、最大でも
視野の線寸法の５％、最大でも視野の線寸法の１％、最大でも視野の線寸法の０．５％、
最大でも視野の線寸法の０．０５％、最大でも視野の線寸法の０．００５％、最大でも視
野の線寸法の０．０００５％、及び／または最大でも視野の線寸法の０．００００５％に
することができる。
【0025】
集光反射１６２は、当該集光反射に焦点が合う焦点解像範囲によって特徴付けることも
できる。例えば、基準光反射は、（図１～２に概略的に示す）基準ターゲットの直径１５
８よりも小さい離散した焦点解像範囲内で可視であること、及び／または適切に解像する
ことができる。より具体的な例として、基準光反射は、基準ターゲットの直径１５８の最
大でも５０％、最大でも３０％、最大でも２５％、最大でも２０％、最大でも１５％、最
大でも１０％、最大でも７％、最大でも５％、最大でも３％、及び／または最大でも１％
の離散した焦点解像範囲内で、可視であること及び／または適切に解像することができる
。
できる。例えば、基準光反射は、（図１～２に概略的に示す）基準ターゲットの直径１５
８よりも小さい離散した焦点解像範囲内で可視であること、及び／または適切に解像する
ことができる。より具体的な例として、基準光反射は、基準ターゲットの直径１５８の最
大でも５０％、最大でも３０％、最大でも２５％、最大でも２０％、最大でも１５％、最
大でも１０％、最大でも７％、最大でも５％、最大でも３％、及び／または最大でも１％
の離散した焦点解像範囲内で、可視であること及び／または適切に解像することができる
。
【0026】
集光反射１６２は、基準ターゲット１５０の外面から反射した光を含むこと、及び／ま
たは基準ターゲット１５０の外面から反射した光とすることができる。例えば、図４に概
略的に示すように、この集光反射は、照明光源２６が発光して、基準ターゲット１５０の
外面のうち照明光源に面した外面からその後に反射された光を含むことができ、及び／ま
たはこうした光とすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、集光反射１
６２は、基準ターゲット内で内部反射した光を含むことができ、及び／またはこうした光
とすることができる。例えば、図５に概略的に示すように、集光反射は、照明光源２６が
発光して基準ターゲット１５０に入り、基準ターゲットを出る前に少なくとも１回内部反
射して光学システム２０によって集光される光を含むことができ、及び／またはこうした
光とすることができる。
たは基準ターゲット１５０の外面から反射した光とすることができる。例えば、図４に概
略的に示すように、この集光反射は、照明光源２６が発光して、基準ターゲット１５０の
外面のうち照明光源に面した外面からその後に反射された光を含むことができ、及び／ま
たはこうした光とすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、集光反射１
６２は、基準ターゲット内で内部反射した光を含むことができ、及び／またはこうした光
とすることができる。例えば、図５に概略的に示すように、集光反射は、照明光源２６が
発光して基準ターゲット１５０に入り、基準ターゲットを出る前に少なくとも１回内部反
射して光学システム２０によって集光される光を含むことができ、及び／またはこうした
光とすることができる。
【0027】
基準ターゲット１５０は、基準像１６０及び／または集光反射１６２が、プローブビー
ム１２０における基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲットに隣接した
部分の像に比べて大きい光強度及び／または大きい光学コントラストを有するように構成
することができる。従って、光学システム２０は、プローブビーム１２０における基準タ
ーゲットを支持する部分上及び／または基準ターゲットに隣接した部分上よりも精密に、
基準像上に焦点を合わせることができ、これにより、基準ターゲットのないプローブシス
テム１０に比べて、光軸２２に沿った基準ターゲット１５０の位置のより正確な測定を可
能にすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０は
、集光反射１６２が基準像１６０に比べて大きい光強度及び／または大きい光学コントラ
ストを有するように構成することができる。こうした実施形態では、光学システム２０は
、基準像よりも集光反射により正確に焦点を合わせることができ、これにより、集光反射
を生成するように構成された基準ターゲット１５０のないプローブシステム１０に比べて
、光軸２２に沿った基準ターゲット１５０の位置のより正確な測定を可能にすることがで
きる。
ム１２０における基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲットに隣接した
部分の像に比べて大きい光強度及び／または大きい光学コントラストを有するように構成
することができる。従って、光学システム２０は、プローブビーム１２０における基準タ
ーゲットを支持する部分上及び／または基準ターゲットに隣接した部分上よりも精密に、
基準像上に焦点を合わせることができ、これにより、基準ターゲットのないプローブシス
テム１０に比べて、光軸２２に沿った基準ターゲット１５０の位置のより正確な測定を可
能にすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０は
、集光反射１６２が基準像１６０に比べて大きい光強度及び／または大きい光学コントラ
ストを有するように構成することができる。こうした実施形態では、光学システム２０は
、基準像よりも集光反射により正確に焦点を合わせることができ、これにより、集光反射
を生成するように構成された基準ターゲット１５０のないプローブシステム１０に比べて
、光軸２２に沿った基準ターゲット１５０の位置のより正確な測定を可能にすることがで
きる。
【0028】
基準ターゲット１５０は任意の適切な幾何学的形状及び／または外形を有することがで
きる。例えば、基準ターゲット１５０は少なくとも１本の対称軸を有することができ、例
えば基準ターゲットはこの対称軸の周りに回転対称である。こうした実施形態では、回転
対称軸がプローブビームの中心線１３０（図２に概略的に示す）にほぼ平行に延びること
ができ、中心線１３０はプローブビーム１２０の上面１２８に沿って最先端からプローブ
本体１１０に向かって延びる。基準ターゲット１５０は、それに加えて、あるいはその代
わりに、プローブビームの中心線１３０に少なくともほぼ直交して延びる回転対称軸の周
りに回転対称にすることができる。こうした構成は、基準ターゲットをプローブビームに
対して正確な及び／または所定の向きに取り付けることを必要とせずに、光学システム２
０が、基準ターゲット１５０によって反射された光を受光するように適切に配置されるこ
とを促進する。一例として、基準ターゲット１５０を少なくともほぼ球形にして、プロー
ブビーム１２０に対する基準ターゲットの回転配向が変化する際に、基準ターゲットの反
射特性をほぼ一定にすることができる。追加的な例として、基準ターゲット１５０を逆反
射性にすることができ、及び／または、基準ターゲット１５０が直角プリズムのようなプ
リズムを含むことができ、及び／または基準ターゲット１５０をこうしたプリズムにする
ことができる。
きる。例えば、基準ターゲット１５０は少なくとも１本の対称軸を有することができ、例
えば基準ターゲットはこの対称軸の周りに回転対称である。こうした実施形態では、回転
対称軸がプローブビームの中心線１３０（図２に概略的に示す）にほぼ平行に延びること
ができ、中心線１３０はプローブビーム１２０の上面１２８に沿って最先端からプローブ
本体１１０に向かって延びる。基準ターゲット１５０は、それに加えて、あるいはその代
わりに、プローブビームの中心線１３０に少なくともほぼ直交して延びる回転対称軸の周
りに回転対称にすることができる。こうした構成は、基準ターゲットをプローブビームに
対して正確な及び／または所定の向きに取り付けることを必要とせずに、光学システム２
０が、基準ターゲット１５０によって反射された光を受光するように適切に配置されるこ
とを促進する。一例として、基準ターゲット１５０を少なくともほぼ球形にして、プロー
ブビーム１２０に対する基準ターゲットの回転配向が変化する際に、基準ターゲットの反
射特性をほぼ一定にすることができる。追加的な例として、基準ターゲット１５０を逆反
射性にすることができ、及び／または、基準ターゲット１５０が直角プリズムのようなプ
リズムを含むことができ、及び／または基準ターゲット１５０をこうしたプリズムにする
ことができる。
【0029】
基準ターゲット１５０は、例えば基準像１６０及び／または集光反射１６２の形成を促
進するためのあらゆる適切な光学特性を有することができる。例えば、説明したように、
基準ターゲット１５０は少なくとも実質的に光反射性にすることができ、任意で完全に光
反射性にすることができる。より具体的な一例として、基準ターゲット１５０は、完全に
光反射性の表面を有する金属球を含むことができ、あるいはこうした金属球とすることが
できる。それに加えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０は、少なくとも部
分的に光学的に透明にすること、及び／または少なくとも部分的に光学的に半透明にする
ことができる。基準ターゲット１５０は、プラスチック、アクリル、金属、及び／または
ガラスのようなあらゆる適切な材料で形成することができ、及び／またはプローブ本体１
１０、プローブビーム１２０、及び／またはプローブチップ１４０と異なる材料で形成す
ることができる。より具体的な一例として、基準ターゲット１５０をガラス球とすること
ができる。一部の実施形態では、例えばプローブシステム１０の残りの部分との電気的干
渉を回避するために、基準ターゲット１５０を非金属とすることができる。基準ターゲッ
ト１５０はあらゆる適切な方法でプローブビーム１２０に取り付けることができる。一例
として、図１に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は接着剤１７０によってプロ
ーブビーム１５０に取り付けることができ、接着剤１７０は、例えばエポキシ及び／また
は熱エポキシを含むことができ、及び／またはエポキシ及び／または熱エポキシとするこ
とができる。
進するためのあらゆる適切な光学特性を有することができる。例えば、説明したように、
基準ターゲット１５０は少なくとも実質的に光反射性にすることができ、任意で完全に光
反射性にすることができる。より具体的な一例として、基準ターゲット１５０は、完全に
光反射性の表面を有する金属球を含むことができ、あるいはこうした金属球とすることが
できる。それに加えて、あるいはその代わりに、基準ターゲット１５０は、少なくとも部
分的に光学的に透明にすること、及び／または少なくとも部分的に光学的に半透明にする
ことができる。基準ターゲット１５０は、プラスチック、アクリル、金属、及び／または
ガラスのようなあらゆる適切な材料で形成することができ、及び／またはプローブ本体１
１０、プローブビーム１２０、及び／またはプローブチップ１４０と異なる材料で形成す
ることができる。より具体的な一例として、基準ターゲット１５０をガラス球とすること
ができる。一部の実施形態では、例えばプローブシステム１０の残りの部分との電気的干
渉を回避するために、基準ターゲット１５０を非金属とすることができる。基準ターゲッ
ト１５０はあらゆる適切な方法でプローブビーム１２０に取り付けることができる。一例
として、図１に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は接着剤１７０によってプロ
ーブビーム１５０に取り付けることができ、接着剤１７０は、例えばエポキシ及び／また
は熱エポキシを含むことができ、及び／またはエポキシ及び／または熱エポキシとするこ
とができる。
【0030】
プローブ１００、及び／またはそのあらゆる構成要素は、あらゆる適切な寸法及び／ま
たは空間的関係を有することができる。例えば、図１に概略的に示すように、各プローブ
チップ１４０は、プローブビーム１２０の下面１３２からプローブチップの高さ１４２だ
け延びることができ、プローブチップの高さ１４２は、プローブチップがＤＵＴ４２に接
近する際に光軸に平行に測定する。より具体的な例として、プローブチップ１４２の高さ
は、少なくとも１０μm、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも１５０
μm、少なくとも２００μm、少なくとも２５０μm、少なくとも３００μm、少なくとも３
５０μm、少なくとも４００μm、少なくとも４５０μm、少なくとも５００μm、最大でも
４７５μm、最大でも４２５μm、最大でも３７５μm、最大でも３２５μm、最大でも２７
５μm、最大でも２２５μm、最大でも１７５μm、最大でも１２５μm、最大でも７５μm
、及び最大でも２５μmにすることができる。
たは空間的関係を有することができる。例えば、図１に概略的に示すように、各プローブ
チップ１４０は、プローブビーム１２０の下面１３２からプローブチップの高さ１４２だ
け延びることができ、プローブチップの高さ１４２は、プローブチップがＤＵＴ４２に接
近する際に光軸に平行に測定する。より具体的な例として、プローブチップ１４２の高さ
は、少なくとも１０μm、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも１５０
μm、少なくとも２００μm、少なくとも２５０μm、少なくとも３００μm、少なくとも３
５０μm、少なくとも４００μm、少なくとも４５０μm、少なくとも５００μm、最大でも
４７５μm、最大でも４２５μm、最大でも３７５μm、最大でも３２５μm、最大でも２７
５μm、最大でも２２５μm、最大でも１７５μm、最大でも１２５μm、最大でも７５μm
、及び最大でも２５μmにすることができる。
【0031】
同様に、基準ターゲット１５０は、例えば、基準ターゲット１５０によって散乱及び／
または反射された光に光学システム２０の焦点を合わせることを促進するための、プロー
ブビーム１２０に対するあらゆる適切な空間的関係を有することができる。一例として、
図１に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は、プローブビーム１２０の上面１２
８の上方に基準ターゲットの高さ１５２だけ延びることができ、基準ターゲットの高さ１
５２は、プローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近する際に光軸２２に平行な方向に測定
する。より具体的な例として、基準ターゲットの高さ１５２は、少なくとも２５μm、少
なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、
少なくとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００
μm、少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１０００μm、最大でも９５
０μm、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μ
m、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、
及び／または最大でも７５μmにすることができる。基準ターゲット１５０が接着剤１７
０によってプローブビーム１２０に取り付けられる実施形態では、この接着剤は、プロー
ブビームから間隔をおいた位置に基準ターゲットを保持するように機能し、これにより基
準ターゲットの高さ１５２は基準ターゲットの直径１５８よりも大きくなる。しかし、こ
のことは要件ではなく、基準ターゲット１５２の高さは基準ターゲットの直径１５８以下
にすることができる。例えば、基準ターゲット１５０が少なくとも部分的にプローブビー
ム１２０内に入り込むように、基準ターゲットをプローブビームに取り付けることができ
る。他の一例として、基準ターゲット１５０が球の一部分のみを含むことができる。
または反射された光に光学システム２０の焦点を合わせることを促進するための、プロー
ブビーム１２０に対するあらゆる適切な空間的関係を有することができる。一例として、
図１に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は、プローブビーム１２０の上面１２
８の上方に基準ターゲットの高さ１５２だけ延びることができ、基準ターゲットの高さ１
５２は、プローブチップ１４０がＤＵＴ４２に接近する際に光軸２２に平行な方向に測定
する。より具体的な例として、基準ターゲットの高さ１５２は、少なくとも２５μm、少
なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、
少なくとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００
μm、少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１０００μm、最大でも９５
０μm、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μ
m、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、
及び／または最大でも７５μmにすることができる。基準ターゲット１５０が接着剤１７
０によってプローブビーム１２０に取り付けられる実施形態では、この接着剤は、プロー
ブビームから間隔をおいた位置に基準ターゲットを保持するように機能し、これにより基
準ターゲットの高さ１５２は基準ターゲットの直径１５８よりも大きくなる。しかし、こ
のことは要件ではなく、基準ターゲット１５２の高さは基準ターゲットの直径１５８以下
にすることができる。例えば、基準ターゲット１５０が少なくとも部分的にプローブビー
ム１２０内に入り込むように、基準ターゲットをプローブビームに取り付けることができ
る。他の一例として、基準ターゲット１５０が球の一部分のみを含むことができる。
【0032】
他の例として、図１～２に概略的に示すように、基準ターゲット１５０はプローブビー
ム１２０の最先端１２６から軸上オフセット１５４だけ間隔をおくことができ、軸上オフ
セット１５４はプローブビームの中心線１３０に平行な方向に測定する。より具体的な例
として、軸上オフセット１５４は、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくと
も２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大で
も３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び／または最大でも７５μmに
することができる。それに加えて、あるいはその代わりに、軸上オフセット１５４はプロ
ーブビーム１２０のプローブビーム長１２２に対して測定することができ、プローブビー
ム長１２２はプローブビームの中心線１３０に平行な方向に沿って測定する。例として、
軸上オフセット１５４は、最大でもプローブビーム長１２２の０．５倍、最大でもプロー
ブビーム長の０．３倍、最大でもプローブビーム長の０．２５倍、最大でもプローブビー
ム長の０．１倍、最大でもプローブビーム長の０．０５倍、及び／または最大でもプロー
ブビーム長の０．０１倍にすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、軸
上オフセット１５４はプローブビーム幅１２４に対して測定することができ、プローブビ
ーム幅１２４は、図２に示すように、プローブビームの中心線１３０に直交するようにプ
ローブビーム１２０の全体にわたって延びて基準ターゲット１５０の中心と交差する直線
に平行な方向に沿って測定する。例として、軸上オフセット１５４は、最大でもプローブ
ビーム幅１２４の５倍、最大でもプローブビーム幅の３倍、最大でもプローブビーム幅に
等しい、最大でもプローブビーム幅の０．５倍、最大でもプローブビーム幅の０．２５倍
、及び／または最大でもプローブビーム幅の０．１倍にすることができる。
ム１２０の最先端１２６から軸上オフセット１５４だけ間隔をおくことができ、軸上オフ
セット１５４はプローブビームの中心線１３０に平行な方向に測定する。より具体的な例
として、軸上オフセット１５４は、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくと
も２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大で
も３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び／または最大でも７５μmに
することができる。それに加えて、あるいはその代わりに、軸上オフセット１５４はプロ
ーブビーム１２０のプローブビーム長１２２に対して測定することができ、プローブビー
ム長１２２はプローブビームの中心線１３０に平行な方向に沿って測定する。例として、
軸上オフセット１５４は、最大でもプローブビーム長１２２の０．５倍、最大でもプロー
ブビーム長の０．３倍、最大でもプローブビーム長の０．２５倍、最大でもプローブビー
ム長の０．１倍、最大でもプローブビーム長の０．０５倍、及び／または最大でもプロー
ブビーム長の０．０１倍にすることができる。それに加えて、あるいはその代わりに、軸
上オフセット１５４はプローブビーム幅１２４に対して測定することができ、プローブビ
ーム幅１２４は、図２に示すように、プローブビームの中心線１３０に直交するようにプ
ローブビーム１２０の全体にわたって延びて基準ターゲット１５０の中心と交差する直線
に平行な方向に沿って測定する。例として、軸上オフセット１５４は、最大でもプローブ
ビーム幅１２４の５倍、最大でもプローブビーム幅の３倍、最大でもプローブビーム幅に
等しい、最大でもプローブビーム幅の０．５倍、最大でもプローブビーム幅の０．２５倍
、及び／または最大でもプローブビーム幅の０．１倍にすることができる。
【0033】
それに加えて、あるいはその代わりに、図２に概略的に示すように、基準ターゲット１
５０はプローブビームの中心線１３０から軸交差オフセット１５６だけ間隔をおくことが
でき、軸交差オフセット１５６は、プローブビーム１２０の上面１２８に沿ってプローブ
ビームの中心線に直交する方向に測定する。より具体的な例として、軸交差オフセット１
５６は、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも
３００μm、少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２
５０μm、最大でも１５０μm、及び／または最大でも７５μmにすることができる。
５０はプローブビームの中心線１３０から軸交差オフセット１５６だけ間隔をおくことが
でき、軸交差オフセット１５６は、プローブビーム１２０の上面１２８に沿ってプローブ
ビームの中心線に直交する方向に測定する。より具体的な例として、軸交差オフセット１
５６は、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも
３００μm、少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２
５０μm、最大でも１５０μm、及び／または最大でも７５μmにすることができる。
【0034】
基準ターゲット１５０はあらゆる適切なサイズを有することができる。例えば、図１～
２に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は直径１５８を有すること及び／または
直径１５８によって特徴付けることができ、直径１５８は、少なくとも２５μm、少なく
とも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少な
くとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００μm、
少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１０００μm、最大でも９５０μm
、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μm、最
大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び／
または最大でも７５μmである。一般に、基準ターゲットの直径１５８が小さいほど、よ
り狭い及び／またはより輪郭が尖鋭な集光反射１６２を生じさせることができ、このこと
は基準ターゲット１５０の空間的位置のより正確な測定を促進することができる。それに
加えて、あるいはその代わりに、集光反射１６２が光学システム２０にとって光学的に明
確に解像可能であるために十分な信号対ノイズ比で可視であるように、基準ターゲットの
直径１５８が十分に大きいことも好ましくあり得る。別の言い方をすれば、基準ターゲッ
トの直径１５８が十分に大きい際に、集光反射の直径１６３が視野の線寸法２３に対して
十分に大きい比率であるように、集光反射の直径を基準ターゲットの直径１５８に関連付
けることができる。
２に概略的に示すように、基準ターゲット１５０は直径１５８を有すること及び／または
直径１５８によって特徴付けることができ、直径１５８は、少なくとも２５μm、少なく
とも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少な
くとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００μm、
少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１０００μm、最大でも９５０μm
、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μm、最
大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び／
または最大でも７５μmである。一般に、基準ターゲットの直径１５８が小さいほど、よ
り狭い及び／またはより輪郭が尖鋭な集光反射１６２を生じさせることができ、このこと
は基準ターゲット１５０の空間的位置のより正確な測定を促進することができる。それに
加えて、あるいはその代わりに、集光反射１６２が光学システム２０にとって光学的に明
確に解像可能であるために十分な信号対ノイズ比で可視であるように、基準ターゲットの
直径１５８が十分に大きいことも好ましくあり得る。別の言い方をすれば、基準ターゲッ
トの直径１５８が十分に大きい際に、集光反射の直径１６３が視野の線寸法２３に対して
十分に大きい比率であるように、集光反射の直径を基準ターゲットの直径１５８に関連付
けることができる。
【0035】
図６～７はプローブ１００の一部分の一例のより詳細な図示であり、プローブ１００は
、３つのプローブチップ１４０、及び接着剤１７０によってプローブビーム１２０に取り
付けられたガラス球の形態の基準ターゲット１５０を含む。図６～７の例では、接着剤１
７０が基準ターゲット１５０の下部をプローブビーム１２０の上面１２８の上方に維持す
るように機能し、これにより基準ターゲットの高さ１５２が基準ターゲットの直径１５８
よりも大きくなる。図７に示すように、接着剤１７０はプローブビーム１２０の上面１２
８を部分的及び／または実質的に覆うことができ、及び／または基準ターゲット１５０を
部分的及び／または実質的に接着剤内に埋め込むことができる。それに加えて、あるいは
その代わりに、図７にさらに示すように、プローブ１００はプローブビーム１２０の上面
１２８を実質的に覆うエポキシのような第１接着剤１７０を含むことができ、基準ターゲ
ット１５０は第２接着剤１７１により固定することができる。こうした実施形態では、接
着剤１７０がプローブビーム１２０の少なくとも一部分の剛性を増強して、例えば基準タ
ーゲット１５０とプローブチップ１４０との実質的に固定された位置関係を維持すること
ができる。図７に最も良く見られるように、図６～７は、基準ターゲット１５０がプロー
ブビームの中心線１３０から軸交差オフセット１５６だけ間隔をおくプローブ１００の一
例を示すものとして説明することができる。
、３つのプローブチップ１４０、及び接着剤１７０によってプローブビーム１２０に取り
付けられたガラス球の形態の基準ターゲット１５０を含む。図６～７の例では、接着剤１
７０が基準ターゲット１５０の下部をプローブビーム１２０の上面１２８の上方に維持す
るように機能し、これにより基準ターゲットの高さ１５２が基準ターゲットの直径１５８
よりも大きくなる。図７に示すように、接着剤１７０はプローブビーム１２０の上面１２
８を部分的及び／または実質的に覆うことができ、及び／または基準ターゲット１５０を
部分的及び／または実質的に接着剤内に埋め込むことができる。それに加えて、あるいは
その代わりに、図７にさらに示すように、プローブ１００はプローブビーム１２０の上面
１２８を実質的に覆うエポキシのような第１接着剤１７０を含むことができ、基準ターゲ
ット１５０は第２接着剤１７１により固定することができる。こうした実施形態では、接
着剤１７０がプローブビーム１２０の少なくとも一部分の剛性を増強して、例えば基準タ
ーゲット１５０とプローブチップ１４０との実質的に固定された位置関係を維持すること
ができる。図７に最も良く見られるように、図６～７は、基準ターゲット１５０がプロー
ブビームの中心線１３０から軸交差オフセット１５６だけ間隔をおくプローブ１００の一
例を示すものとして説明することができる。
【0036】
図８～９は、ＤＵＴ４２をプローブ１００に対して押し付ける（あるいは等価的には、
プローブ１００をＤＵＴ４２に対して押し付ける）一例を概略的に示す。具体的には、図
８はプローブチップ１４０がＤＵＴ４２との接触に至るプローブシステム１０の一部分の
構成を示すのに対し、図９は、ＤＵＴがプローブに対して上向きに平行移動した後の（即
ち、プローブが実質的に固定されて保持される）、図８のプローブシステムを示す。図８
～９に概略的に示すように、プローブビーム１２０はプローブ本体１１０に対する通常位
置（図８に示し図９に破線で示す）と、プローブ本体に対して偏位した位置（図９に実線
で示す）との間で遷移するように構成されている。別の言い方をすれば、プローブビーム
１２０は、プローブチップ１４０に加えられた力に応答して屈曲、偏向、及び／またはさ
もなければ弾性変形するように構成することができる。こうした構成は、（方法２００に
関して本明細書中により詳細に説明するように）プローブ１００に対するＤＵＴ４２の押
し付けを促進して、例えばプローブチップ１４０とＤＵＴとのロバストな電気接触を保証
することができる。
プローブ１００をＤＵＴ４２に対して押し付ける）一例を概略的に示す。具体的には、図
８はプローブチップ１４０がＤＵＴ４２との接触に至るプローブシステム１０の一部分の
構成を示すのに対し、図９は、ＤＵＴがプローブに対して上向きに平行移動した後の（即
ち、プローブが実質的に固定されて保持される）、図８のプローブシステムを示す。図８
～９に概略的に示すように、プローブビーム１２０はプローブ本体１１０に対する通常位
置（図８に示し図９に破線で示す）と、プローブ本体に対して偏位した位置（図９に実線
で示す）との間で遷移するように構成されている。別の言い方をすれば、プローブビーム
１２０は、プローブチップ１４０に加えられた力に応答して屈曲、偏向、及び／またはさ
もなければ弾性変形するように構成することができる。こうした構成は、（方法２００に
関して本明細書中により詳細に説明するように）プローブ１００に対するＤＵＴ４２の押
し付けを促進して、例えばプローブチップ１４０とＤＵＴとのロバストな電気接触を保証
することができる。
【0037】
説明したように、基準ターゲット１５０は、精密な及び／または一貫した押し付けの度
合いでのプローブ１００に対するＤＵＴ４２の押し付けを促進することができる。例えば
、図９に概略的に示すように、ＤＵＴ４２をプローブ１００に対して押し付けることは、
ＤＵＴをＤＵＴ押し付け距離３４だけ平行移動させること、及び／または（基準ターゲッ
ト１５０のような）プローブ１００の一部分を光軸２２にほぼ平行な方向に沿ってプロー
ブ押し付け距離１８０だけ平行移動させることに相当し得る。プローブ押し付け距離はＤ
ＵＴ押し付け距離にほぼ等しくすることができる。従って、ＤＵＴ４２とプローブ１００
とが互いの接触及び／または非接触に至る間の、及び／または、プローブビーム１２０が
通常位置と偏位した位置との間を遷移する間の、基準ターゲット１５０の高さの測定（例
えば、基準ターゲットによって反射された光に光学システム２０の焦点を合わせることに
よって促進することができる）は、プローブ押し付け距離１８０及び／またはＤＵＴ押し
付け距離３４の測定をもたらすことができる。より具体的には、ＤＵＴ４２をプローブ１
００に対して押し付ける前に、基準ターゲット１５０によって反射された光に光学システ
ム２０の焦点を合わせることは、光軸２２に少なくともほぼ平行な方向に沿って測定され
る、光学システムと基準ターゲットとの間の第１の高さオフセット６２（図８に示す）の
測定をもたらすことができる。同様に、ＤＵＴをプローブに対して押し付けた後に、基準
ターゲットによって反射された光に光学システムの焦点を合わせることは、光軸２２に少
なくともほぼ平行な方向に沿って測定される、光学システムと基準ターゲットとの間の第
２の高さオフセット６４（図９に示す）の測定をもたらすことができる。従って、プロー
ブ押し付け距離１８０は、第１の高さオフセット６２と第２の高さオフセット６４との差
として計算することができる。
合いでのプローブ１００に対するＤＵＴ４２の押し付けを促進することができる。例えば
、図９に概略的に示すように、ＤＵＴ４２をプローブ１００に対して押し付けることは、
ＤＵＴをＤＵＴ押し付け距離３４だけ平行移動させること、及び／または（基準ターゲッ
ト１５０のような）プローブ１００の一部分を光軸２２にほぼ平行な方向に沿ってプロー
ブ押し付け距離１８０だけ平行移動させることに相当し得る。プローブ押し付け距離はＤ
ＵＴ押し付け距離にほぼ等しくすることができる。従って、ＤＵＴ４２とプローブ１００
とが互いの接触及び／または非接触に至る間の、及び／または、プローブビーム１２０が
通常位置と偏位した位置との間を遷移する間の、基準ターゲット１５０の高さの測定（例
えば、基準ターゲットによって反射された光に光学システム２０の焦点を合わせることに
よって促進することができる）は、プローブ押し付け距離１８０及び／またはＤＵＴ押し
付け距離３４の測定をもたらすことができる。より具体的には、ＤＵＴ４２をプローブ１
００に対して押し付ける前に、基準ターゲット１５０によって反射された光に光学システ
ム２０の焦点を合わせることは、光軸２２に少なくともほぼ平行な方向に沿って測定され
る、光学システムと基準ターゲットとの間の第１の高さオフセット６２（図８に示す）の
測定をもたらすことができる。同様に、ＤＵＴをプローブに対して押し付けた後に、基準
ターゲットによって反射された光に光学システムの焦点を合わせることは、光軸２２に少
なくともほぼ平行な方向に沿って測定される、光学システムと基準ターゲットとの間の第
２の高さオフセット６４（図９に示す）の測定をもたらすことができる。従って、プロー
ブ押し付け距離１８０は、第１の高さオフセット６２と第２の高さオフセット６４との差
として計算することができる。
【0038】
図８～９に概略的にさらに示すように、ＤＵＴ４２をプローブ１００に対して押し付け
ることは、プローブ１００の一部分を光軸２２にほぼ直交する方向に沿って平行移動させ
ることに相当し得る。例として、図９に概略的に示すように、ＤＵＴ４２をプローブ１０
０に対して押し付けることは、基準ターゲット１５０を光軸２２にほぼ直交する方向に沿
って基準ターゲットの横方向変位７２だけ平行移動させること、及び／またはプローブチ
ップ１４０を光軸にほぼ直交する方向に沿ってプローブチップの横方向変位７４だけ平行
移動させることに相当し得る。例えば、図９に概略的に示すように、基準ターゲットの横
方向変位７２は、プローブチップの横方向変位７４に比例すること、あるいは実質的に等
しくすることができる。このようにして、基準ターゲットの横方向変位７２の直接の測定
が、プローブチップの横方向変位の間接的測定として機能することができる。図９に概略
的に示すように、基準ターゲットの横方向変位７２及び／またはプローブチップの横方向
変位７４は、プローブシステム１０のｘ方向にほぼ平行な方向に沿った変位に相当するこ
とができる。しかし、それに加えて、基準ターゲットの横方向変位７２及び／またはプロ
ーブチップの横方向変位７４が、ｘ方向に直交する（即ち、図７に示すｙ方向の）成分を
有することができることは、本発明の範囲内である。
ることは、プローブ１００の一部分を光軸２２にほぼ直交する方向に沿って平行移動させ
ることに相当し得る。例として、図９に概略的に示すように、ＤＵＴ４２をプローブ１０
０に対して押し付けることは、基準ターゲット１５０を光軸２２にほぼ直交する方向に沿
って基準ターゲットの横方向変位７２だけ平行移動させること、及び／またはプローブチ
ップ１４０を光軸にほぼ直交する方向に沿ってプローブチップの横方向変位７４だけ平行
移動させることに相当し得る。例えば、図９に概略的に示すように、基準ターゲットの横
方向変位７２は、プローブチップの横方向変位７４に比例すること、あるいは実質的に等
しくすることができる。このようにして、基準ターゲットの横方向変位７２の直接の測定
が、プローブチップの横方向変位の間接的測定として機能することができる。図９に概略
的に示すように、基準ターゲットの横方向変位７２及び／またはプローブチップの横方向
変位７４は、プローブシステム１０のｘ方向にほぼ平行な方向に沿った変位に相当するこ
とができる。しかし、それに加えて、基準ターゲットの横方向変位７２及び／またはプロ
ーブチップの横方向変位７４が、ｘ方向に直交する（即ち、図７に示すｙ方向の）成分を
有することができることは、本発明の範囲内である。
【0039】
以上の説明は主に、基準ターゲット１５０を、ＤＵＴ４２との物理的及び／または電気
的接触を行うように構成されたプローブチップ１４０を含むプローブと共に利用すること
に指向しているが、このことは要件ではなく、基準ターゲット１５０はあらゆる適切なシ
ステムと共に利用することができる。一例として、プローブシステムは、光信号を送信及
び／または受信するように構成された少なくとも１つの光ファイバを含むことができる。
こうした例では、各プローブ１００が光ファイバを含むこと、及び／または各プローブ１
００を光ファイバとすることができ、ＤＵＴ４２は対応する少なくとも１つの回折格子結
合器（グレーティング・カプラ）を含むことができ、この回折格子結合器は、光ファイバ
に物理的に接触せずに、光ファイバへ光信号を送信するように、及び／または光ファイバ
から光信号を受信するように構成されている。こうしたシステムでは、光ファイバと回折
格子結合器とのロバストな結合が、光ファイバと回折格子結合器との精密な機械的及び／
または空間的な位置合わせを必要とし得る。従って、基準ターゲットを光ファイバ（また
は光ファイバのアレイ）と共に利用して、あるいは基準ターゲットを光ファイバ（または
光ファイバのアレイ）に取り付けて、光ファイバ（または光ファイバのアレイ）と対応す
る回折格子結合器（または回折格子結合器のアレイ）との位置合わせを、プローブチップ
１４０とＤＵＴ４２との物理的及び／または電気的接触を参照して本明細書中に説明した
ものと同様な方法で促進することができる。
的接触を行うように構成されたプローブチップ１４０を含むプローブと共に利用すること
に指向しているが、このことは要件ではなく、基準ターゲット１５０はあらゆる適切なシ
ステムと共に利用することができる。一例として、プローブシステムは、光信号を送信及
び／または受信するように構成された少なくとも１つの光ファイバを含むことができる。
こうした例では、各プローブ１００が光ファイバを含むこと、及び／または各プローブ１
００を光ファイバとすることができ、ＤＵＴ４２は対応する少なくとも１つの回折格子結
合器（グレーティング・カプラ）を含むことができ、この回折格子結合器は、光ファイバ
に物理的に接触せずに、光ファイバへ光信号を送信するように、及び／または光ファイバ
から光信号を受信するように構成されている。こうしたシステムでは、光ファイバと回折
格子結合器とのロバストな結合が、光ファイバと回折格子結合器との精密な機械的及び／
または空間的な位置合わせを必要とし得る。従って、基準ターゲットを光ファイバ（また
は光ファイバのアレイ）と共に利用して、あるいは基準ターゲットを光ファイバ（または
光ファイバのアレイ）に取り付けて、光ファイバ（または光ファイバのアレイ）と対応す
る回折格子結合器（または回折格子結合器のアレイ）との位置合わせを、プローブチップ
１４０とＤＵＴ４２との物理的及び／または電気的接触を参照して本明細書中に説明した
ものと同様な方法で促進することができる。
【0040】
図１０は、本発明による、（基準ターゲット１５０のような）基準ターゲットを含む（
プローブ１００のような）プローブを利用する方法２００を示すフローチャートである。
方法２００は、ブロック２１０でプローブを用意するステップを含み、このプローブは、
（プローブ本体１１０のような）プローブ本体と、（プローブビーム１２０のような）プ
ローブビームと、プローブビームから延びる少なくとも１つの（プローブチップ１４０の
ような）プローブチップと、プローブビームに取り付けられた基準ターゲットとを含む。
ブロック２１０でプローブを用意するステップは、（ＤＵＴ４２のような）ＤＵＴに接触
するように構成されたプローブを用意することを含むことができ、こうしたプローブを入
手、購入、及び／または製造することを含むことができる。それに加えて、あるいはその
代わりに、ブロック２１０でプローブを用意するステップは、（プローブシステム１０の
ような）プローブシステムの一部分を形成するプローブを利用することを含むことができ
る。
プローブ１００のような）プローブを利用する方法２００を示すフローチャートである。
方法２００は、ブロック２１０でプローブを用意するステップを含み、このプローブは、
（プローブ本体１１０のような）プローブ本体と、（プローブビーム１２０のような）プ
ローブビームと、プローブビームから延びる少なくとも１つの（プローブチップ１４０の
ような）プローブチップと、プローブビームに取り付けられた基準ターゲットとを含む。
ブロック２１０でプローブを用意するステップは、（ＤＵＴ４２のような）ＤＵＴに接触
するように構成されたプローブを用意することを含むことができ、こうしたプローブを入
手、購入、及び／または製造することを含むことができる。それに加えて、あるいはその
代わりに、ブロック２１０でプローブを用意するステップは、（プローブシステム１０の
ような）プローブシステムの一部分を形成するプローブを利用することを含むことができ
る。
【0041】
図１０に示すように、方法２００は、ブロック２３０で（光学システム２０のような）
光学システムに対する基準ターゲットの第１位置を測定するステップと；ブロック２４０
でプローブに対してＤＵＴを移動させるステップと；ブロック２５０で光学システムに対
する基準ターゲットの第２位置を測定するステップとを追加的に含むことができる。
光学システムに対する基準ターゲットの第１位置を測定するステップと；ブロック２４０
でプローブに対してＤＵＴを移動させるステップと；ブロック２５０で光学システムに対
する基準ターゲットの第２位置を測定するステップとを追加的に含むことができる。
【0042】
ブロック２３０で第１位置を測定するステップは、一般に、光学システムを利用して、
基準ターゲットが反射した、及び／またはさもなければ発光した（集光反射１６２のよう
な）集光反射に焦点を合わせることを含む。この集光反射は、基準ターゲット内で内部反
射した光、及び／または基準ターゲットの外面から反射した光を含むこと、及び／または
こうした光とすることができる。図１０に示すように、ブロック２３０で測定するステッ
プは、ブロック２３２で光学システムの焦点を走査して集光反射に焦点を合わせることを
含むことができる。
基準ターゲットが反射した、及び／またはさもなければ発光した（集光反射１６２のよう
な）集光反射に焦点を合わせることを含む。この集光反射は、基準ターゲット内で内部反
射した光、及び／または基準ターゲットの外面から反射した光を含むこと、及び／または
こうした光とすることができる。図１０に示すように、ブロック２３０で測定するステッ
プは、ブロック２３２で光学システムの焦点を走査して集光反射に焦点を合わせることを
含むことができる。
【0043】
一例として、ブロック２３２で走査することは、光学システムの焦平面を（光軸２２の
ような）光軸に沿って平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一連の画像を
記録することを含むことができる。このようにして、これら一連の画像は、基準ターゲッ
トの第１位置の測定を可能にすることができる。例えば、図１０に示すように、ブロック
２３０で測定するステップは、ブロック２３４で、光軸に平行な方向に測定した、光学シ
ステムと基準ターゲットとの間の（第１の高さオフセット６２のような）第１の高さオフ
セットを測定することを含むことができる。より具体的な例として、ブロック２３４で測
定することは、ブロック２３２での走査中に生成された一連の画像を分析して、集光反射
に焦点が最も良く合う焦平面の位置を識別することを含むことができる。
ような）光軸に沿って平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一連の画像を
記録することを含むことができる。このようにして、これら一連の画像は、基準ターゲッ
トの第１位置の測定を可能にすることができる。例えば、図１０に示すように、ブロック
２３０で測定するステップは、ブロック２３４で、光軸に平行な方向に測定した、光学シ
ステムと基準ターゲットとの間の（第１の高さオフセット６２のような）第１の高さオフ
セットを測定することを含むことができる。より具体的な例として、ブロック２３４で測
定することは、ブロック２３２での走査中に生成された一連の画像を分析して、集光反射
に焦点が最も良く合う焦平面の位置を識別することを含むことができる。
【0044】
ブロック２３４で測定することは、手動で実行することができ、及び／または例えば焦
点最適化ルーチンにより少なくとも部分的に自動で実行することができる。例として、焦
点最適化ルーチンは、パターンスコア・ルーチン及び／または勾配探索ルーチンを含むこ
と、及び／またはこうしたルーチンとすることができる。他の例として、図１０にさらに
示すように、ブロック２３０で測定するステップは、ブロック２３６で基準ターゲットの
第１平面位置を測定することを追加的に含むことができ、第１平面位置は光軸に直交する
方向に沿って測定される。より具体的な例として、ブロック２３６で測定することは、光
学システムの視野内で、集光反射に焦点が最も良く合う際に集光反射が出現する位置を識
別することを含むことができる。このようにして、基準ターゲットの第１位置は、ｘ方向
に沿った、ｙ方向に沿った、及び／またはｚ方向に沿った基準ターゲットの位置に相当す
ることができ、及び／または光学システムに対する基準ターゲットの三次元位置に相当す
ることができる。
点最適化ルーチンにより少なくとも部分的に自動で実行することができる。例として、焦
点最適化ルーチンは、パターンスコア・ルーチン及び／または勾配探索ルーチンを含むこ
と、及び／またはこうしたルーチンとすることができる。他の例として、図１０にさらに
示すように、ブロック２３０で測定するステップは、ブロック２３６で基準ターゲットの
第１平面位置を測定することを追加的に含むことができ、第１平面位置は光軸に直交する
方向に沿って測定される。より具体的な例として、ブロック２３６で測定することは、光
学システムの視野内で、集光反射に焦点が最も良く合う際に集光反射が出現する位置を識
別することを含むことができる。このようにして、基準ターゲットの第１位置は、ｘ方向
に沿った、ｙ方向に沿った、及び／またはｚ方向に沿った基準ターゲットの位置に相当す
ることができ、及び／または光学システムに対する基準ターゲットの三次元位置に相当す
ることができる。
【0045】
ブロック２４０でＤＵＴをプローブに対して平行移動させるステップは、あらゆる適切
な方向に沿って平行移動させることを含むことができる。一例として、ブロック２４０で
平行移動させるステップは、プローブをほぼ固定された位置に維持しながらＤＵＴを平行
移動させることを含むことができる。こうした例では、ブロック２４０で平行移動させる
ステップが、プローブビームをプローブ本体に対して偏向させるように機能することがで
き、及び／またはＤＵＴをプローブに対して押し付けるように記述することができる。そ
れに加えて、あるいはその代わりに、ブロック２４０でＤＵＴをプローブに対して平行移
動させることは、ＤＵＴをほぼ固定された位置に維持しながらプローブを平行移動させる
ことを含むことができる。こうした例では、ブロック２４０で平行移動させるステップは
、プローブをＤＵＴに対して平行移動させることとして記述することができる。ブロック
２４０で平行移動させるステップは、ＤＵＴ及び／またはプローブを互いに向けて平行移
動させることを含むことができ、あるいは、例えばＤＵＴ及び／またはプローブを光軸に
沿って平行移動させることによってＤＵＴとプローブとを互いに離れるように平行移動さ
せることを含むことができる。
な方向に沿って平行移動させることを含むことができる。一例として、ブロック２４０で
平行移動させるステップは、プローブをほぼ固定された位置に維持しながらＤＵＴを平行
移動させることを含むことができる。こうした例では、ブロック２４０で平行移動させる
ステップが、プローブビームをプローブ本体に対して偏向させるように機能することがで
き、及び／またはＤＵＴをプローブに対して押し付けるように記述することができる。そ
れに加えて、あるいはその代わりに、ブロック２４０でＤＵＴをプローブに対して平行移
動させることは、ＤＵＴをほぼ固定された位置に維持しながらプローブを平行移動させる
ことを含むことができる。こうした例では、ブロック２４０で平行移動させるステップは
、プローブをＤＵＴに対して平行移動させることとして記述することができる。ブロック
２４０で平行移動させるステップは、ＤＵＴ及び／またはプローブを互いに向けて平行移
動させることを含むことができ、あるいは、例えばＤＵＴ及び／またはプローブを光軸に
沿って平行移動させることによってＤＵＴとプローブとを互いに離れるように平行移動さ
せることを含むことができる。
【0046】
図１０に示すように、方法２００は、ブロック２４０で平行移動させるステップの後に
、ブロック２５０で、光学システムに対する基準ターゲットの第２位置を測定するステッ
プを含む。ブロック２５０で第２位置を測定するステップは、一般に、光学システムを利
用して、ブロック２４０で平行移動させるステップの後に、基準ターゲットが反射した、
及び／またはさもなければ発光した集光反射に焦点を合わせることを含むことができる。
図１０に示すように、ブロック２５０で測定するステップは、ブロック２５２で光学シス
テムの焦点を走査して集光反射に焦点を合わせることを含むことができる。一例として、
ブロック２５２で走査することは、光学システムの焦平面を光学システムの光軸に沿って
平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の画像を光学システムで記録すること
を含むことができる。このようにして、これら一連の画像は、基準ターゲットの第２位置
の測定を可能にすることができる。
、ブロック２５０で、光学システムに対する基準ターゲットの第２位置を測定するステッ
プを含む。ブロック２５０で第２位置を測定するステップは、一般に、光学システムを利
用して、ブロック２４０で平行移動させるステップの後に、基準ターゲットが反射した、
及び／またはさもなければ発光した集光反射に焦点を合わせることを含むことができる。
図１０に示すように、ブロック２５０で測定するステップは、ブロック２５２で光学シス
テムの焦点を走査して集光反射に焦点を合わせることを含むことができる。一例として、
ブロック２５２で走査することは、光学システムの焦平面を光学システムの光軸に沿って
平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の画像を光学システムで記録すること
を含むことができる。このようにして、これら一連の画像は、基準ターゲットの第２位置
の測定を可能にすることができる。
【0047】
例えば、図１０に示すように、ブロック２５０で測定するステップは、ブロック２５４
で、光軸に平行な方向に沿って測定した、光学システムと基準ターゲットとの間の（第２
の高さオフセット６４のような）第２の高さオフセットを測定することを追加的に含むこ
とができる。より具体的な例として、ブロック２５４で測定することは、ブロック２５２
での測定中に生成された一連の画像を分析して、集光反射に焦点が最も良く合う焦平面の
位置を識別することを含むことができる。ブロック２５４で測定することは、手動で実行
することができ、及び／または例えば焦点最適化ルーチンにより少なくとも部分的に自動
で実行することができる。例として、焦点最適化ルーチンは、パターンスコア・ルーチン
及び／または勾配探索ルーチンを含むこと、及び／またはこうしたルーチンとすることが
できる。他の例として、図１０にさらに示すように、ブロック２５０で測定するステップ
は、ブロック２５６で基準ターゲットの第２平面位置を測定することを追加的に含むこと
ができ、第２平面位置は光軸に直交する方向に沿って測定される。より具体的な例として
、ブロック２５６で測定することは、光学システムの視野内で、集光反射に焦点が最も良
く合う際に集光反射が出現する位置を識別することを含むことができる。このようにして
、基準ターゲットの第２位置は、ｘ方向に沿った、ｙ方向に沿った、及び／またはｚ方向
に沿った基準ターゲットの位置に相当することができ、及び／または光学システムに対す
る基準ターゲットの三次元位置に相当することができる。
で、光軸に平行な方向に沿って測定した、光学システムと基準ターゲットとの間の（第２
の高さオフセット６４のような）第２の高さオフセットを測定することを追加的に含むこ
とができる。より具体的な例として、ブロック２５４で測定することは、ブロック２５２
での測定中に生成された一連の画像を分析して、集光反射に焦点が最も良く合う焦平面の
位置を識別することを含むことができる。ブロック２５４で測定することは、手動で実行
することができ、及び／または例えば焦点最適化ルーチンにより少なくとも部分的に自動
で実行することができる。例として、焦点最適化ルーチンは、パターンスコア・ルーチン
及び／または勾配探索ルーチンを含むこと、及び／またはこうしたルーチンとすることが
できる。他の例として、図１０にさらに示すように、ブロック２５０で測定するステップ
は、ブロック２５６で基準ターゲットの第２平面位置を測定することを追加的に含むこと
ができ、第２平面位置は光軸に直交する方向に沿って測定される。より具体的な例として
、ブロック２５６で測定することは、光学システムの視野内で、集光反射に焦点が最も良
く合う際に集光反射が出現する位置を識別することを含むことができる。このようにして
、基準ターゲットの第２位置は、ｘ方向に沿った、ｙ方向に沿った、及び／またはｚ方向
に沿った基準ターゲットの位置に相当することができ、及び／または光学システムに対す
る基準ターゲットの三次元位置に相当することができる。
【0048】
図１０にさらに示すように、方法２００は、ブロック２３０で基準ターゲットの第１位
置を測定するステップの前に、ブロック２２０でプローブチップをＤＵＴに接触させるス
テップを含むことができる。ブロック２２０で接触させるステップは、プローブチップを
ＤＵＴに対して平行移動させて、プローブチップをＤＵＴの一部分に物理的及び／または
電気的に接触させて、例えばプローブがＤＵＴの電気計測を実行することを含むことがで
きる。ブロック２２０で接触させるステップは、プローブ及び／またはＤＵＴを、ＤＵＴ
の接触面に直交する、あるいは少なくとも実質的に直交する方向に独立して平行移動させ
ることを含むことができる。ブロック２２０で接触させるステップ中に、及び／または接
触させるステップの結果として、プローブチップは、ＤＵＴの接触面の少なくとも一部分
上を、及び／または接触面の一部分を横切るように磨き得る、または滑り得る。こうした
磨きは、プローブチップとＤＵＴとの電気接触を改善することができる。ブロック２２０
で接触させるステップは、手動で実行することができ、あるいは少なくとも部分的に自律
的に実行することができる。
置を測定するステップの前に、ブロック２２０でプローブチップをＤＵＴに接触させるス
テップを含むことができる。ブロック２２０で接触させるステップは、プローブチップを
ＤＵＴに対して平行移動させて、プローブチップをＤＵＴの一部分に物理的及び／または
電気的に接触させて、例えばプローブがＤＵＴの電気計測を実行することを含むことがで
きる。ブロック２２０で接触させるステップは、プローブ及び／またはＤＵＴを、ＤＵＴ
の接触面に直交する、あるいは少なくとも実質的に直交する方向に独立して平行移動させ
ることを含むことができる。ブロック２２０で接触させるステップ中に、及び／または接
触させるステップの結果として、プローブチップは、ＤＵＴの接触面の少なくとも一部分
上を、及び／または接触面の一部分を横切るように磨き得る、または滑り得る。こうした
磨きは、プローブチップとＤＵＴとの電気接触を改善することができる。ブロック２２０
で接触させるステップは、手動で実行することができ、あるいは少なくとも部分的に自律
的に実行することができる。
【0049】
図１０にさらに示すように、方法２００は、ブロック２６０で押し付け距離を測定する
ステップを追加的に含むことができ、この測定は、少なくとも部分的に、基準ターゲット
の第１位置と基準ターゲットの第２位置との差に基づく。例えば、押し付け距離は、第１
の高さオフセットと第２の高さオフセットとの差に等しくすることができる。
ステップを追加的に含むことができ、この測定は、少なくとも部分的に、基準ターゲット
の第１位置と基準ターゲットの第２位置との差に基づく。例えば、押し付け距離は、第１
の高さオフセットと第２の高さオフセットとの差に等しくすることができる。
【0050】
図１１は、本発明による、基準ターゲット付きプローブを製造する方法を示すフローチ
ャートである。方法３００は、ブロック３１０で（プローブ１００のような）プローブを
用意するステップを含み、このプローブは（プローブビーム１２０のような）プローブビ
ームと（プローブチップ１４０のような）プローブチップとを有する。方法３００は、ブ
ロック３２０で（基準ターゲット１５０のような）基準ターゲットをプローブビームに取
り付けるステップをさらに含む。
ャートである。方法３００は、ブロック３１０で（プローブ１００のような）プローブを
用意するステップを含み、このプローブは（プローブビーム１２０のような）プローブビ
ームと（プローブチップ１４０のような）プローブチップとを有する。方法３００は、ブ
ロック３２０で（基準ターゲット１５０のような）基準ターゲットをプローブビームに取
り付けるステップをさらに含む。
【0051】
ブロック３１０でプローブを用意するステップは、ＤＵＴに接触するように構成された
プローブを用意することを含むことができ、こうしたプローブを入手、購入、及び／また
は製造することを含むことができる。それに加えて、あるいはその代わりに、ブロック３
１０でプローブを用意するステップは、（プローブシステム１０のような）プローブシス
テムの一部分を形成するプローブを利用して方法２００を実行することを含むことができ
る。
プローブを用意することを含むことができ、こうしたプローブを入手、購入、及び／また
は製造することを含むことができる。それに加えて、あるいはその代わりに、ブロック３
１０でプローブを用意するステップは、（プローブシステム１０のような）プローブシス
テムの一部分を形成するプローブを利用して方法２００を実行することを含むことができ
る。
【0052】
ブロック３２０で取り付けるステップは、（プローブビーム１２０の上面１２８のよう
な）プローブビームの上面に基準ターゲットを取り付けることを含むことができ、及び／
または、プローブがＤＵＴに接近する際に基準ターゲットの少なくとも一部分が（光学シ
ステム２０のような）光学システムにとって可視であるように、基準ターゲットをプロー
ブビームに取り付けることを含むことができる。ブロック３２０で取り付けるステップは
、基準ターゲットを（接着剤１７０のような）接着剤でプローブビームに接着することを
含むことができ、この接着剤は熱エポキシのようなエポキシを含むこと、及び／またはこ
うしたエポキシとすることができる。ブロック３２０で取り付けるステップは、基準ター
ゲットをプローブビームに対して所定の向きに配置して、例えば基準ターゲットから反射
した光を光学システムが集光することができることを保証することを含むことができる。
その代わりに、基準ターゲットが回転対称である、及び／または球のように回転により不
変な形状である実施形態では、基準ターゲットをプローブビームに対して所定の向きに配
置することを不要にすることができる、というのは、こうした基準ターゲットの反射特性
は、少なくとも部分的に、プローブビームに対する基準ターゲットの向きとは無関係であ
り得るからである。
な）プローブビームの上面に基準ターゲットを取り付けることを含むことができ、及び／
または、プローブがＤＵＴに接近する際に基準ターゲットの少なくとも一部分が（光学シ
ステム２０のような）光学システムにとって可視であるように、基準ターゲットをプロー
ブビームに取り付けることを含むことができる。ブロック３２０で取り付けるステップは
、基準ターゲットを（接着剤１７０のような）接着剤でプローブビームに接着することを
含むことができ、この接着剤は熱エポキシのようなエポキシを含むこと、及び／またはこ
うしたエポキシとすることができる。ブロック３２０で取り付けるステップは、基準ター
ゲットをプローブビームに対して所定の向きに配置して、例えば基準ターゲットから反射
した光を光学システムが集光することができることを保証することを含むことができる。
その代わりに、基準ターゲットが回転対称である、及び／または球のように回転により不
変な形状である実施形態では、基準ターゲットをプローブビームに対して所定の向きに配
置することを不要にすることができる、というのは、こうした基準ターゲットの反射特性
は、少なくとも部分的に、プローブビームに対する基準ターゲットの向きとは無関係であ
り得るからである。
【0053】
本発明では、例示的で非排他的な例のうちのいくつかを流れ図またはフローチャートに
関連して説明及び／または提示し、これらの流れ図またはフローチャートでは、方法を一
連のブロックまたはステップとして図示し説明している。随伴する説明中に特に断りのな
い限り、これらのブロックの順序が流れ図中に示す順序と異なり得ることは、ブロック（
またはステップ）のうちの２つ以上が異なる順序で、及び／または同時に発生することを
含めて本発明の範囲内である。これらのブロックまたはステップを論理回路で実現するこ
とができることも本発明の範囲内であり、これらのブロックまたはステップは論理回路と
して実現するように記述することができる。一部の用途では、これらのブロックまたはス
テップが、機能的に等価な回路または他の論理デバイスによって実行される表現または動
作を表すことができる。図示するブロックは実行可能な命令を表すことができるが、この
ことは要件ではなく、これらの命令は、コンピュータ、プロセッサ、及び／または他の論
理デバイスに、応答させ、動作を実行させ、状態を変化させ、出力または表示を発生させ
、及び／または決定を行わせる。
関連して説明及び／または提示し、これらの流れ図またはフローチャートでは、方法を一
連のブロックまたはステップとして図示し説明している。随伴する説明中に特に断りのな
い限り、これらのブロックの順序が流れ図中に示す順序と異なり得ることは、ブロック（
またはステップ）のうちの２つ以上が異なる順序で、及び／または同時に発生することを
含めて本発明の範囲内である。これらのブロックまたはステップを論理回路で実現するこ
とができることも本発明の範囲内であり、これらのブロックまたはステップは論理回路と
して実現するように記述することができる。一部の用途では、これらのブロックまたはス
テップが、機能的に等価な回路または他の論理デバイスによって実行される表現または動
作を表すことができる。図示するブロックは実行可能な命令を表すことができるが、この
ことは要件ではなく、これらの命令は、コンピュータ、プロセッサ、及び／または他の論
理デバイスに、応答させ、動作を実行させ、状態を変化させ、出力または表示を発生させ
、及び／または決定を行わせる。
【0054】
本明細書中に用いる、第１の実体と第２の実体との間に置かれた「及び／または」とは
、(1)第１の実体、(2)第２の実体、及び(3)第１の実体及び第２の実体、のうちの１つを
意味する。「及び／または」と共に挙げられた複数の実体は、同じ様式で、即ちこのよう
に結合された実体のうちの「１つ以上」と考えるべきである。「及び／または」の節によ
って具体的に識別される実体以外の他の実体が、具体的に識別される実体と関係があって
も無関係でも、任意で存在し得る。従って、非限定的な例として、「Ａ及び／またはＢ」
の参照は、「具えている」のような上限がない文言と共に用いられる際には、一具体例で
はＡのみ（任意でＢ以外の実体を含む）を参照することができ；他の具体例ではＢのみ（
任意でＡ以外の実体を含む）を参照することができ；さらに他の具体例ではＡ及びＢを共
に（任意で他の実体を含めて）参照することができる。これらの実体は、要素、動作、構
造、形状、操作、値、等を参照することができる。
、(1)第１の実体、(2)第２の実体、及び(3)第１の実体及び第２の実体、のうちの１つを
意味する。「及び／または」と共に挙げられた複数の実体は、同じ様式で、即ちこのよう
に結合された実体のうちの「１つ以上」と考えるべきである。「及び／または」の節によ
って具体的に識別される実体以外の他の実体が、具体的に識別される実体と関係があって
も無関係でも、任意で存在し得る。従って、非限定的な例として、「Ａ及び／またはＢ」
の参照は、「具えている」のような上限がない文言と共に用いられる際には、一具体例で
はＡのみ（任意でＢ以外の実体を含む）を参照することができ；他の具体例ではＢのみ（
任意でＡ以外の実体を含む）を参照することができ；さらに他の具体例ではＡ及びＢを共
に（任意で他の実体を含めて）参照することができる。これらの実体は、要素、動作、構
造、形状、操作、値、等を参照することができる。
【0055】
本明細書中に用いる、１つ以上の実体のリストを参照する「少なくとも１つの」とは、
実体のリスト中の任意の１つ以上の実体から選択した少なくとも１つの実体を意味するも
のと理解するべきであるが、実体のリスト内に具体的に挙げたありとあらゆる実体のうち
の少なくとも１つを必ずしも含まず、実体のリスト中の実体の任意の組合せを排除しない
。この定義は、実体のリスト内に具体的に識別され、「少なくとも１つの」が参照する実
体以外の実体が、具体的に識別される実体と関係があっても無関係でも、任意で存在し得
ることを可能にする。従って、非限定的な例として、「Ａ及びＢの少なくとも一方」（ま
たは等価的に「ＡまたはＢの少なくとも一方」、あるいは等価的に「Ａ及び／またはＢの
少なくとも一方」）は、一具体例では、少なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ａ、
Ｂは存在せず（任意でＢ以外の実体を含む）を参照することができ；他の具体例では、少
なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ｂ、Ａは存在せず（任意でＡ以外の実体を含む
）を参照することができ；さらに他の具体例では、少なくとも１つの（任意で２つ以上を
含む）Ａ、少なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ｂ（任意で他の実体を含む）を参
照することができる。換言すれば、「少なくとも１つの」、「１つ以上の」及び「及び／
または」とは、働きにおいて接続語であると共に離接語である上限のない表現である。例
えば、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なく
とも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの１つ以
上」、及び「Ａ、Ｂ、及び／またはＣ」は、Ａを単独で、Ｂを単独で、Ｃを単独で、Ａと
Ｂを一緒に、ＡとＣを一緒に、ＢとＣを一緒に、Ａ、Ｂ、及びＣを一緒に、及び任意で上
記のいずれかと少なくとも１つの他の実体との組合せを意味することができる。
実体のリスト中の任意の１つ以上の実体から選択した少なくとも１つの実体を意味するも
のと理解するべきであるが、実体のリスト内に具体的に挙げたありとあらゆる実体のうち
の少なくとも１つを必ずしも含まず、実体のリスト中の実体の任意の組合せを排除しない
。この定義は、実体のリスト内に具体的に識別され、「少なくとも１つの」が参照する実
体以外の実体が、具体的に識別される実体と関係があっても無関係でも、任意で存在し得
ることを可能にする。従って、非限定的な例として、「Ａ及びＢの少なくとも一方」（ま
たは等価的に「ＡまたはＢの少なくとも一方」、あるいは等価的に「Ａ及び／またはＢの
少なくとも一方」）は、一具体例では、少なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ａ、
Ｂは存在せず（任意でＢ以外の実体を含む）を参照することができ；他の具体例では、少
なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ｂ、Ａは存在せず（任意でＡ以外の実体を含む
）を参照することができ；さらに他の具体例では、少なくとも１つの（任意で２つ以上を
含む）Ａ、少なくとも１つの（任意で２つ以上を含む）Ｂ（任意で他の実体を含む）を参
照することができる。換言すれば、「少なくとも１つの」、「１つ以上の」及び「及び／
または」とは、働きにおいて接続語であると共に離接語である上限のない表現である。例
えば、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なく
とも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの１つ以
上」、及び「Ａ、Ｂ、及び／またはＣ」は、Ａを単独で、Ｂを単独で、Ｃを単独で、Ａと
Ｂを一緒に、ＡとＣを一緒に、ＢとＣを一緒に、Ａ、Ｂ、及びＣを一緒に、及び任意で上
記のいずれかと少なくとも１つの他の実体との組合せを意味することができる。
【0056】
本明細書中に用いる「少なくとも実質的に（ほぼ）」は、度合いまたは関係を修飾する
際には、記載した「実質的な」度合いまたは関係だけでなく、記載した度合いまたは関係
の最大限の範囲も含む。記載した度合いまたは関係の「実質的な」量は、記載した度合い
または関係の少なくとも７５％を含むことができる。例えば、少なくとも実質的に光反射
性の物体は、少なくとも７５％の光反射率を有する物体を含む。他の例として、少なくと
も実質的に第２方向に平行な第１方向は、第１方向に沿った単位ベクトルと第２方向に沿
った単位ベクトルとの内積が少なくとも０．７５の大きさを有するような方向を含む。
際には、記載した「実質的な」度合いまたは関係だけでなく、記載した度合いまたは関係
の最大限の範囲も含む。記載した度合いまたは関係の「実質的な」量は、記載した度合い
または関係の少なくとも７５％を含むことができる。例えば、少なくとも実質的に光反射
性の物体は、少なくとも７５％の光反射率を有する物体を含む。他の例として、少なくと
も実質的に第２方向に平行な第１方向は、第１方向に沿った単位ベクトルと第２方向に沿
った単位ベクトルとの内積が少なくとも０．７５の大きさを有するような方向を含む。
【0057】
本明細書中に用いる「適合された」及び「構成された」は、要素、構成要素、または他
の主体が所定の機能を実行するように設計及び／または意図されていることを意味する。
従って、「適合された」及び「構成された」の用法は、所定の要素、構成要素、または他
の主体が、単に所定の機能を実行する「ことができる」が、当該要素、構成要素、及び／
または他の主体が当該機能を実行する目的で具体的に選択、作製、実現、利用、プログラ
ム、及び／または設計されていることを意味するものと考えるべきでない。特定機能を実
行するように適合されているものとして記載されている要素、構成要素、及び／または他
に挙げた主体を、それに加えて、あるいはその代わりに、当該機能を実行するように構成
されているものとして記載することができること、及びその逆も本発明の範囲内である。
の主体が所定の機能を実行するように設計及び／または意図されていることを意味する。
従って、「適合された」及び「構成された」の用法は、所定の要素、構成要素、または他
の主体が、単に所定の機能を実行する「ことができる」が、当該要素、構成要素、及び／
または他の主体が当該機能を実行する目的で具体的に選択、作製、実現、利用、プログラ
ム、及び／または設計されていることを意味するものと考えるべきでない。特定機能を実
行するように適合されているものとして記載されている要素、構成要素、及び／または他
に挙げた主体を、それに加えて、あるいはその代わりに、当該機能を実行するように構成
されているものとして記載することができること、及びその逆も本発明の範囲内である。
【0058】
本明細書中に用いる「例えば」、「一例として」、及び／または単に「例」とは、本発
明による１つ以上の構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法を参照し
て用いる際には、記載した構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法が
、本発明による構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法の例示的で非
排他的な例であることを伝えることを意図している。従って、記載した構成要素、特徴、
細部、構造、実施形態、及び／または方法は、限定的であること、要件であること、また
は排他的／網羅的であることを意図しておらず；他の構成要素、特徴、細部、構造、実施
形態、及び方法も、構造的及び／または機能的に同様な及び／または等価な構成要素、特
徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法を含めて、本発明の範囲内である。
明による１つ以上の構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法を参照し
て用いる際には、記載した構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法が
、本発明による構成要素、特徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法の例示的で非
排他的な例であることを伝えることを意図している。従って、記載した構成要素、特徴、
細部、構造、実施形態、及び／または方法は、限定的であること、要件であること、また
は排他的／網羅的であることを意図しておらず；他の構成要素、特徴、細部、構造、実施
形態、及び方法も、構造的及び／または機能的に同様な及び／または等価な構成要素、特
徴、細部、構造、実施形態、及び／または方法を含めて、本発明の範囲内である。
【0059】
何らかの特許、特許出願、または他の参考文献が、参照することによって本明細書に含
められ、本開示のうちの含めた部分以外の部分、あるいは他に含められた参考文献のいず
れかと(1)矛盾する様式で用語を定義する、及び／または(2)矛盾する場合、本開示のうち
の含めた部分以外の部分が支配し、この用語及び本明細書中に含めた開示は、その用語が
定義されている参照部分、及び／または含めた開示が元々存在した参照部分のみに対して
支配的である。
められ、本開示のうちの含めた部分以外の部分、あるいは他に含められた参考文献のいず
れかと(1)矛盾する様式で用語を定義する、及び／または(2)矛盾する場合、本開示のうち
の含めた部分以外の部分が支配し、この用語及び本明細書中に含めた開示は、その用語が
定義されている参照部分、及び／または含めた開示が元々存在した参照部分のみに対して
支配的である。
【0060】
本発明によるプローブ、プローブシステム、及び方法の例示的で非排他的な例を、以下
に列挙する段落内に提示する。本明細書中に記載する方法の個別のステップは、以下に列
挙する段落を含めて、記載した動作を実行する「ためのステップ」と追加的または代替的
に称することができることは、本発明の範囲内である。
に列挙する段落内に提示する。本明細書中に記載する方法の個別のステップは、以下に列
挙する段落を含めて、記載した動作を実行する「ためのステップ」と追加的または代替的
に称することができることは、本発明の範囲内である。
【0061】
Ａ１．プローブシステム用のプローブであって、
プローブ本体と；
プローブ本体から延びるプローブビームと；
プローブ本体から遠い方のプローブビームの最先端から延び、被試験デバイス（ＤＵＴ
）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと；
プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具え、
基準ターゲットは、プローブチップがＤＵＴに接近する際に光学システムにとって可視
であるように構成されて、ＤＵＴに対する少なくとも１つのプローブチップの位置を測定
することを促進するプローブ。
プローブ本体と；
プローブ本体から延びるプローブビームと；
プローブ本体から遠い方のプローブビームの最先端から延び、被試験デバイス（ＤＵＴ
）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと；
プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具え、
基準ターゲットは、プローブチップがＤＵＴに接近する際に光学システムにとって可視
であるように構成されて、ＤＵＴに対する少なくとも１つのプローブチップの位置を測定
することを促進するプローブ。
【0062】
Ａ２．段落１のプローブであって、基準ターゲットがプローブビームの上面に取り付けら
れているプローブ。
れているプローブ。
【0063】
Ａ３．段落Ａ１～Ａ２のいずれかのプローブであって、少なくとも１つのプローブチップ
が、１つのプローブチップ、２つのプローブチップ、３つのプローブチップ、または４つ
以上のプローブチップを含むプローブ。
が、１つのプローブチップ、２つのプローブチップ、３つのプローブチップ、または４つ
以上のプローブチップを含むプローブ。
【0064】
Ａ４．段落Ａ１～Ａ３のいずれかのプローブであって、プローブビームが弾性的に屈曲及
び／または偏向して、プローブ本体に対する通常位置とプローブ本体に対して偏位した位
置との間で遷移するプローブ。
び／または偏向して、プローブ本体に対する通常位置とプローブ本体に対して偏位した位
置との間で遷移するプローブ。
【0065】
Ａ５．段落Ａ１～Ａ４のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが、プローブビー
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分に比べて、光学システムによって光学的により解像可能であるプローブ。
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分に比べて、光学システムによって光学的により解像可能であるプローブ。
【0066】
Ａ６．段落Ａ５のプローブであって、基準ターゲットが、プローブビームの上面における
少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲットに隣接した部分よ
りも光学的に明色であること及び光学的に高明度であることの少なくとも一方であるプロ
ーブ。
少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲットに隣接した部分よ
りも光学的に明色であること及び光学的に高明度であることの少なくとも一方であるプロ
ーブ。
【0067】
Ａ７．段落Ａ５～Ａ６のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが、プローブビー
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分よりも大きな光反射率を有すること及び大きな光学コントラストを有する
ことの少なくとも一方であるプローブ。
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分よりも大きな光反射率を有すること及び大きな光学コントラストを有する
ことの少なくとも一方であるプローブ。
【0068】
Ａ８．段落Ａ５～Ａ７のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが、プローブビー
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分よりも大きな度合いで入射光を散乱させるプローブ。
ムの上面における少なくとも基準ターゲットを支持する部分及び／または基準ターゲット
に隣接した部分よりも大きな度合いで入射光を散乱させるプローブ。
【0069】
Ａ９．段落Ａ１～Ａ８のいずれかのプローブであって、光学システムの離散した焦点解像
範囲内で光学システムの焦点が基準ターゲットに合い、この離散した焦点解像範囲は、光
学システムの焦点がプローブビームに合うための焦点解像範囲よりも小さいように、基準
ターゲットが構成されているプローブ。
範囲内で光学システムの焦点が基準ターゲットに合い、この離散した焦点解像範囲は、光
学システムの焦点がプローブビームに合うための焦点解像範囲よりも小さいように、基準
ターゲットが構成されているプローブ。
【0070】
Ａ１０．段落Ａ１～Ａ９のいずれかのプローブであって、プローブチップがＤＵＴに接近
する際に光学システムの焦点が基準ターゲットに合うように、上記プローブシステムが構
成されているプローブ。
する際に光学システムの焦点が基準ターゲットに合うように、上記プローブシステムが構
成されているプローブ。
【0071】
Ａ１１．段落Ａ１～Ａ１０のいずれかのプローブであって、光学システムが焦点範囲を有
し、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、基準ターゲット及びＤＵＴの各々が焦点範
囲内にあるプローブ。
し、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、基準ターゲット及びＤＵＴの各々が焦点範
囲内にあるプローブ。
【0072】
Ａ１２．段落Ａ１～Ａ１１のいずれかのプローブであって、プローブチップがＤＵＴに接
近する際に、かつ光学システムの焦点が基準ターゲットに合う際に、光学システムが基準
ターゲットの少なくとも一部分の基準像を受けるように構成されているプローブ。
近する際に、かつ光学システムの焦点が基準ターゲットに合う際に、光学システムが基準
ターゲットの少なくとも一部分の基準像を受けるように構成されているプローブ。
【0073】
Ａ１３．段落Ａ１～Ａ１２のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが集光反射を
生成するように構成され、光学システムが基準ターゲットからの集光反射を受光するよう
に構成されているプローブ。
生成するように構成され、光学システムが基準ターゲットからの集光反射を受光するよう
に構成されているプローブ。
【0074】
Ａ１４．段落１３のプローブであって、段落Ａ１２に従属する際に、集光反射が基準像よ
りも小さいプローブ。
りも小さいプローブ。
【0075】
Ａ１５．段落１４のプローブであって、基準像が基準像の直径を有し、集光反射が集光反
射の直径を有し、集光反射の直径が、基準像の直径の少なくとも０．１％、基準像の直径
の少なくとも０．２％、基準像の直径の少なくとも０．５％、基準像の直径の少なくとも
１％、基準像の直径の少なくとも２％、基準像の直径の少なくとも５％、基準像の直径の
少なくとも１０％、基準像の直径の少なくとも５０％、基準像の直径の少なくとも７０％
、最大でも基準像の直径の８５％、最大でも基準像の直径の６０％、最大でも基準像の直
径の５０％、最大でも基準像の直径の３０％、最大でも基準像の直径の２５％、最大でも
基準像の直径の２０％、最大でも基準像の直径の１５％、最大でも基準像の直径の１０％
、最大でも基準像の直径の７％、最大でも基準像の直径の５％、最大でも基準像の直径の
３％、及び最大でも基準像の直径の１％のうちの少なくとも１つであるプローブ。
射の直径を有し、集光反射の直径が、基準像の直径の少なくとも０．１％、基準像の直径
の少なくとも０．２％、基準像の直径の少なくとも０．５％、基準像の直径の少なくとも
１％、基準像の直径の少なくとも２％、基準像の直径の少なくとも５％、基準像の直径の
少なくとも１０％、基準像の直径の少なくとも５０％、基準像の直径の少なくとも７０％
、最大でも基準像の直径の８５％、最大でも基準像の直径の６０％、最大でも基準像の直
径の５０％、最大でも基準像の直径の３０％、最大でも基準像の直径の２５％、最大でも
基準像の直径の２０％、最大でも基準像の直径の１５％、最大でも基準像の直径の１０％
、最大でも基準像の直径の７％、最大でも基準像の直径の５％、最大でも基準像の直径の
３％、及び最大でも基準像の直径の１％のうちの少なくとも１つであるプローブ。
【0076】
Ａ１６．段落Ａ１４～Ａ１５のいずれかのプローブであって、集光反射が集光反射の直径
を有し、集光反射の直径が、光学システムの視野の線寸法の少なくとも０．００００１％
、視野の線寸法の少なくとも０．０００１％、視野の線寸法の少なくとも０．００１％、
視野の線寸法の少なくとも０．１％、視野の線寸法の少なくとも１％、視野の線寸法の少
なくとも１０％、最大でも視野の線寸法の２０％、最大でも視野の線寸法の１５％、最大
でも視野の線寸法の５％、最大でも視野の線寸法の１％、最大でも視野の線寸法の０。５
％、最大でも視野の線寸法の０．０５％、最大でも視野の線寸法の０．００５％、最大で
も視野の線寸法の０．０００５％、及び最大でも視野の線寸法の０．００００５％のうち
の少なくとも１つであるプローブ。
を有し、集光反射の直径が、光学システムの視野の線寸法の少なくとも０．００００１％
、視野の線寸法の少なくとも０．０００１％、視野の線寸法の少なくとも０．００１％、
視野の線寸法の少なくとも０．１％、視野の線寸法の少なくとも１％、視野の線寸法の少
なくとも１０％、最大でも視野の線寸法の２０％、最大でも視野の線寸法の１５％、最大
でも視野の線寸法の５％、最大でも視野の線寸法の１％、最大でも視野の線寸法の０。５
％、最大でも視野の線寸法の０．０５％、最大でも視野の線寸法の０．００５％、最大で
も視野の線寸法の０．０００５％、及び最大でも視野の線寸法の０．００００５％のうち
の少なくとも１つであるプローブ。
【0077】
Ａ１７．段落Ａ１３～Ａ１６のいずれかのプローブであって、基準光反射が、離散した焦
点解像範囲内で可視であり、離散した焦点解像範囲は、基準ターゲットの直径の最大でも
５０％、最大でも３０％、最大でも２５％、最大でも２０％、最大でも１０％、最大でも
７％、最大でも５％、最大でも３％、及び最大でも１％のうちの少なくとも１つであるプ
ローブ。
点解像範囲内で可視であり、離散した焦点解像範囲は、基準ターゲットの直径の最大でも
５０％、最大でも３０％、最大でも２５％、最大でも２０％、最大でも１０％、最大でも
７％、最大でも５％、最大でも３％、及び最大でも１％のうちの少なくとも１つであるプ
ローブ。
【0078】
Ａ１８．段落Ａ１３～Ａ１７のいずれかのプローブであって、集光反射が、基準ターゲッ
トの外面から反射した光を含み、任意で、基準ターゲットの外面から反射した光であるプ
ローブ。
トの外面から反射した光を含み、任意で、基準ターゲットの外面から反射した光であるプ
ローブ。
【0079】
Ａ１９．段落Ａ１３～Ａ１８のいずれかのプローブであって、集光反射が、基準ターゲッ
ト内で内部反射した光を含むプローブ。
ト内で内部反射した光を含むプローブ。
【0080】
Ａ２０．段落Ａ１～Ａ１９のいずれかのプローブであって、基準像及び集光反射の少なく
とも一方が、プローブビームにおける基準ターゲットを支持する部分の像に比べて大きい
光強度及び大きい光学コントラストを有するように、基準ターゲットが構成されているプ
ローブ。
とも一方が、プローブビームにおける基準ターゲットを支持する部分の像に比べて大きい
光強度及び大きい光学コントラストを有するように、基準ターゲットが構成されているプ
ローブ。
【0081】
Ａ２１．段落Ａ１３～Ａ２０のいずれかのプローブであって、段落１６に従属する際に、
集光反射が基準像に比べて大きい光強度及び大きい光学コントラストを有するように、基
準ターゲットが構成されているプローブ。
集光反射が基準像に比べて大きい光強度及び大きい光学コントラストを有するように、基
準ターゲットが構成されているプローブ。
【0082】
Ａ２２．段落Ａ１～Ａ２１のいずれかのプローブであって、光学システムが光軸に沿って
画像を取得するように構成され、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、少なくとも１
つのプローブチップの各々が、光軸に平行に測定したプローブビームの下面からプローブ
チップの高さだけ延び、プローブチップの高さは、少なくとも１０μm、少なくとも５０
μm、少なくとも１００μm、少なくとも１５０μm、少なくとも２００μm、少なくとも２
５０μm、少なくとも３００μm、少なくとも３５０μm、少なくとも４００μm、少なくと
も４５０μm、最大でも５００μm、最大でも４７５μm、最大でも４２５μm、最大でも３
７５μm、最大でも３２５μm、最大でも２７５μm、最大でも２２５μm、最大でも１７５
μm、最大でも１２５μm、最大でも７５μm、及び最大でも２５μmのうちの少なくとも１
つであるプローブ。
画像を取得するように構成され、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、少なくとも１
つのプローブチップの各々が、光軸に平行に測定したプローブビームの下面からプローブ
チップの高さだけ延び、プローブチップの高さは、少なくとも１０μm、少なくとも５０
μm、少なくとも１００μm、少なくとも１５０μm、少なくとも２００μm、少なくとも２
５０μm、少なくとも３００μm、少なくとも３５０μm、少なくとも４００μm、少なくと
も４５０μm、最大でも５００μm、最大でも４７５μm、最大でも４２５μm、最大でも３
７５μm、最大でも３２５μm、最大でも２７５μm、最大でも２２５μm、最大でも１７５
μm、最大でも１２５μm、最大でも７５μm、及び最大でも２５μmのうちの少なくとも１
つであるプローブ。
【0083】
Ａ２３．段落Ａ１～Ａ２２のいずれかのプローブであって、光学システムが光軸に沿って
画像を取得するように構成され、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、基準ターゲッ
トがプローブビームの上面の上方に、光軸に平行な方向に測定した基準ターゲットの高さ
だけ延び、基準ターゲットの高さは、少なくとも２５μm、少なくとも５０μm、少なくと
も１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、少な
くとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００μm、少なくとも８００μm、
少なくとも９００μm、少なくとも１０００μm、最大でも９５０μm、最大でも８５０μm
、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μm、最大でも４５０μm、最
大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうち
の少なくとも１つであるプローブ。
画像を取得するように構成され、プローブチップがＤＵＴに接近する際に、基準ターゲッ
トがプローブビームの上面の上方に、光軸に平行な方向に測定した基準ターゲットの高さ
だけ延び、基準ターゲットの高さは、少なくとも２５μm、少なくとも５０μm、少なくと
も１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、少な
くとも５００μm、少なくとも６００μm、少なくとも７００μm、少なくとも８００μm、
少なくとも９００μm、少なくとも１０００μm、最大でも９５０μm、最大でも８５０μm
、最大でも７５０μm、最大でも６５０μm、最大でも５５０μm、最大でも４５０μm、最
大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうち
の少なくとも１つであるプローブ。
【0084】
Ａ２４．段落Ａ１～Ａ２３のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが上記最先端
から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフセットはプローブビームの中心線に平行な
方向に沿って測定され、プローブビームの中心線はプローブビームの上面に沿って上記最
先端からプローブ本体に向かって延び、軸上オフセットは、少なくとも５０μm、少なく
とも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、最
大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び最
大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフセットはプローブビームの中心線に平行な
方向に沿って測定され、プローブビームの中心線はプローブビームの上面に沿って上記最
先端からプローブ本体に向かって延び、軸上オフセットは、少なくとも５０μm、少なく
とも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、少なくとも４００μm、最
大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最大でも１５０μm、及び最
大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
【0085】
Ａ２５．段落Ａ１～Ａ２４のいずれかのプローブであって、プローブビームが、プローブ
ビームの中心線に沿って測定したプローブビーム長を有し、プローブビームの中心線はプ
ローブビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本体まで延び、基準ターゲットが上
記最先端から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフセットは、上記最先端からプロー
ブ本体に向かうプローブビームの中心線に平行な方向に沿って測定され、軸上オフセット
は、最大でもプローブビーム長の０．５倍、最大でもプローブビーム長の０．３倍、最大
でもプローブビーム長の０．２５倍、最大でもプローブビーム長の０．１倍、最大でもプ
ローブビーム長の０．０５倍、及び最大でもプローブビーム長の０．０１倍のうちの少な
くとも１つであるプローブ。
ビームの中心線に沿って測定したプローブビーム長を有し、プローブビームの中心線はプ
ローブビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本体まで延び、基準ターゲットが上
記最先端から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフセットは、上記最先端からプロー
ブ本体に向かうプローブビームの中心線に平行な方向に沿って測定され、軸上オフセット
は、最大でもプローブビーム長の０．５倍、最大でもプローブビーム長の０．３倍、最大
でもプローブビーム長の０．２５倍、最大でもプローブビーム長の０．１倍、最大でもプ
ローブビーム長の０．０５倍、及び最大でもプローブビーム長の０．０１倍のうちの少な
くとも１つであるプローブ。
【0086】
Ａ２６．段落Ａ１～Ａ２５のいずれかのプローブであって、プローブビームがプローブビ
ーム幅を有し、プローブビーム幅は、プローブビームの中心線に直交してプローブビーム
全体にわたって延びて基準ターゲットの中心と交差する直線に平行な方向に沿って測定さ
れ、プローブビームの中心線はプローブビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本
体まで延び、基準ターゲットは上記最先端から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフ
セットはプローブビームの中心線に平行な方向に沿って上記最先端からプローブ本体に向
かって測定され、軸上オフセットは、最大でもプローブビーム幅の５倍、最大でもプロー
ブビーム幅の３倍、最大でもプローブビーム幅の２倍、最大でもプローブビーム幅に等し
い、最大でもプローブビーム幅の０．５倍、最大でもプローブビーム幅の０．２５倍、及
び最大でもプローブビーム幅の０．１倍のうちの少なくとも１つであるプローブ。
ーム幅を有し、プローブビーム幅は、プローブビームの中心線に直交してプローブビーム
全体にわたって延びて基準ターゲットの中心と交差する直線に平行な方向に沿って測定さ
れ、プローブビームの中心線はプローブビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本
体まで延び、基準ターゲットは上記最先端から軸上オフセットだけ間隔をおき、軸上オフ
セットはプローブビームの中心線に平行な方向に沿って上記最先端からプローブ本体に向
かって測定され、軸上オフセットは、最大でもプローブビーム幅の５倍、最大でもプロー
ブビーム幅の３倍、最大でもプローブビーム幅の２倍、最大でもプローブビーム幅に等し
い、最大でもプローブビーム幅の０．５倍、最大でもプローブビーム幅の０．２５倍、及
び最大でもプローブビーム幅の０．１倍のうちの少なくとも１つであるプローブ。
【0087】
Ａ２７．段落Ａ１～Ａ２６のいずれかのプローブであって、基準ターゲットがプローブビ
ームの中心線から軸交差オフセットだけ間隔をおき、プローブビームの中心線はプローブ
ビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本体に向かって延び、軸交差オフセットは
、プローブビームの上面に沿ってプローブビームの中心線に直交する方向に測定され、少
なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、
少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最
大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
ームの中心線から軸交差オフセットだけ間隔をおき、プローブビームの中心線はプローブ
ビームの上面に沿って上記最先端からプローブ本体に向かって延び、軸交差オフセットは
、プローブビームの上面に沿ってプローブビームの中心線に直交する方向に測定され、少
なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少なくとも３００μm、
少なくとも４００μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、最
大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
【0088】
Ａ２８．段落Ａ１～Ａ２７のいずれかのプローブであって、プローブチップ、プローブビ
ーム、及びプローブ本体のうちの１つ以上が光学的に不透明であるプローブ。
ーム、及びプローブ本体のうちの１つ以上が光学的に不透明であるプローブ。
【0089】
Ａ２９．段落Ａ１～Ａ２８のいずれかのプローブであって、プローブチップ、プローブビ
ーム、及びプローブ本体のうちの１つ以上が光吸収性であるプローブ。
ーム、及びプローブ本体のうちの１つ以上が光吸収性であるプローブ。
【0090】
Ａ３０．段落Ａ１～Ａ２９のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくとも
１つの対称軸を含むプローブ。
１つの対称軸を含むプローブ。
【0091】
Ａ３１．段落Ａ３０のプローブであって、基準ターゲットが回転対称軸の周りに回転対称
であり、回転対称軸はプローブビームの中心線にほぼ平行に延びるプローブ。
であり、回転対称軸はプローブビームの中心線にほぼ平行に延びるプローブ。
【0092】
Ａ３２．段落Ａ２８～Ａ３１のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが回転対称
軸の周りに回転対称であり、回転対称軸はプローブビームの中心線にほぼ垂直に延びるプ
ローブ。
軸の周りに回転対称であり、回転対称軸はプローブビームの中心線にほぼ垂直に延びるプ
ローブ。
【0093】
Ａ３３．段落Ａ２８～Ａ３２のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくと
も実質的に球形であるプローブ。
も実質的に球形であるプローブ。
【0094】
Ａ３４．段落Ａ２８～Ａ３３のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが球の一部
分のみを含むプローブ。
分のみを含むプローブ。
【0095】
Ａ３５．段落Ａ１～Ａ３４のいずれかのプローブであって、基準ターゲットがプリズムを
含み、任意で直角プリズムを含むプローブ。
含み、任意で直角プリズムを含むプローブ。
【0096】
Ａ３６．段落Ａ１～Ａ３５のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくとも
実質的に光反射性であり、任意で完全に光反射性であるプローブ。
実質的に光反射性であり、任意で完全に光反射性であるプローブ。
【0097】
Ａ３７．段落Ａ３６のプローブであって、基準ターゲットが、完全に光反射性の表面を有
する金属球を含むプローブ。
する金属球を含むプローブ。
【0098】
Ａ３８．段落Ａ３６～Ａ３７のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが逆反射性
であるプローブ。
であるプローブ。
【0099】
Ａ３９．段落Ａ１～Ａ３８のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくとも
部分的に光学的に透明であるプローブ。
部分的に光学的に透明であるプローブ。
【0100】
Ａ４０．段落Ａ１～Ａ３９のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくとも
部分的に光学的に半透明であるプローブ。
部分的に光学的に半透明であるプローブ。
【0101】
Ａ４１．段落Ａ１～Ａ４０のいずれかのプローブであって、基準ターゲットの直径が、少
なくとも２５μm、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少
なくとも３００μm、少なくとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm
、少なくとも７００μm、少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１００
０μm、最大でも９５０μm、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μ
m、最大でも５５０μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、
最大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
なくとも２５μm、少なくとも５０μm、少なくとも１００μm、少なくとも２００μm、少
なくとも３００μm、少なくとも４００μm、少なくとも５００μm、少なくとも６００μm
、少なくとも７００μm、少なくとも８００μm、少なくとも９００μm、最大でも１００
０μm、最大でも９５０μm、最大でも８５０μm、最大でも７５０μm、最大でも６５０μ
m、最大でも５５０μm、最大でも４５０μm、最大でも３５０μm、最大でも２５０μm、
最大でも１５０μm、及び最大でも７５μmのうちの少なくとも１つであるプローブ。
【0102】
Ａ４２．段落Ａ１～Ａ４１のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが、プローブ
チップ、プローブビーム、及びプローブ本体のうちの少なくとも１つとは異なる材料で形
成されたプローブ。
チップ、プローブビーム、及びプローブ本体のうちの少なくとも１つとは異なる材料で形
成されたプローブ。
【0103】
Ａ４３．段落Ａ１～Ａ４２のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが、プラスチ
ック、アクリル、金属、及びガラスのうちの少なくとも１つで形成されたプローブ。
ック、アクリル、金属、及びガラスのうちの少なくとも１つで形成されたプローブ。
【0104】
Ａ４４．段落Ａ４３のプローブであって、基準ターゲットがガラス球であるプローブ。
【0105】
Ａ４５．段落Ａ１～Ａ４４のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが非金属であ
るプローブ。
るプローブ。
【0106】
Ａ４６．段落Ａ１～Ａ４４のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが接着剤によ
ってプローブビームに取り付けられ、接着剤が任意でエポキシ及び熱エポキシの少なくと
も一方を含むプローブ。
ってプローブビームに取り付けられ、接着剤が任意でエポキシ及び熱エポキシの少なくと
も一方を含むプローブ。
【0107】
Ａ４７．段落Ａ４６のプローブであって、当該プローブがプローブビームの上面を実質的
に覆う第１接着剤を含み、基準ターゲットが第２接着剤により第１接着剤に取り付けられ
たプローブ。
に覆う第１接着剤を含み、基準ターゲットが第２接着剤により第１接着剤に取り付けられ
たプローブ。
【0108】
Ａ４８．段落Ａ１～Ａ４７のいずれかのプローブであって、基準ターゲットが少なくとも
部分的にプローブビーム内に入り込むように、基準ターゲットがプローブビームに取り付
けられたプローブ
部分的にプローブビーム内に入り込むように、基準ターゲットがプローブビームに取り付
けられたプローブ
【0109】
Ｂ１．基準ターゲットを含むプローブを利用する方法であって、
段落Ａ１～Ａ４８のいずれかのプローブを用意するステップと；
光学システムに対する基準ターゲットの第１位置を測定するステップと；
ＤＵＴをプローブに対して平行移動させるステップと；
光学システムに対する基準ターゲットの第２位置を測定するステップと
を含む方法。
段落Ａ１～Ａ４８のいずれかのプローブを用意するステップと；
光学システムに対する基準ターゲットの第１位置を測定するステップと；
ＤＵＴをプローブに対して平行移動させるステップと；
光学システムに対する基準ターゲットの第２位置を測定するステップと
を含む方法。
【0110】
Ｂ２．段落Ｂ１の方法であって、第１位置が光学システムに対する基準ターゲットの三次
元位置に相当する方法。
元位置に相当する方法。
【0111】
Ｂ３．段落Ｂ１～Ｂ２のいずれかの方法であって、第１位置を測定するステップが、光学
システムの焦点を走査して、基準ターゲットによって生成される集光反射に焦点を合わせ
ることを含む方法。
システムの焦点を走査して、基準ターゲットによって生成される集光反射に焦点を合わせ
ることを含む方法。
【0112】
Ｂ４．段落Ｂ３の方法であって、集光反射が、基準ターゲット内で内部反射した光を含む
方法。
方法。
【0113】
Ｂ５．段落Ｂ３～Ｂ４のいずれかの方法であって、集光反射が、基準ターゲットの外面か
ら反射した光を含む方法。
ら反射した光を含む方法。
【0114】
Ｂ６．段落Ｂ３～Ｂ５のいずれかの方法であって、走査することが、光学システムの焦平
面を光学システムの光軸に沿って平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一
連の画像を光学システムで記録することを含む方法。
面を光学システムの光軸に沿って平行移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一
連の画像を光学システムで記録することを含む方法。
【0115】
Ｂ７．段落Ｂ１～Ｂ６のいずれかの方法であって、第１位置を測定するステップが、光学
システムと基準ターゲットとの間の第１の高さオフセットを測定することを含み、第１の
高さオフセットは光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定される方法。
システムと基準ターゲットとの間の第１の高さオフセットを測定することを含み、第１の
高さオフセットは光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定される方法。
【0116】
Ｂ８．段落Ｂ７の方法であって、第１の高さオフセットを測定することが、一連の画像を
分析して、任意で、自動化された焦点最適化ルーチンを利用して、集光反射に焦点が最も
よく合う焦平面の位置を識別する方法。
分析して、任意で、自動化された焦点最適化ルーチンを利用して、集光反射に焦点が最も
よく合う焦平面の位置を識別する方法。
【0117】
Ｂ９．段落Ｂ８の方法であって、自動化された焦点最適化ルーチンが、パターンスコア・
ルーチン及び勾配探索ルーチンのうちの１つ以上を含む方法。
ルーチン及び勾配探索ルーチンのうちの１つ以上を含む方法。
【0118】
Ｂ１０．段落Ｂ１～Ｂ９のいずれかの方法であって、第１位置を測定するステップが、光
学システムの光軸に直交する方向に沿って測定される基準ターゲットの第１平面位置を測
定することを含む方法。
学システムの光軸に直交する方向に沿って測定される基準ターゲットの第１平面位置を測
定することを含む方法。
【0119】
Ｂ１１．段落Ｂ１０の方法であって、基準ターゲットの第１平面位置を測定することが、
集光反射に焦点が最も良く合う際に光学システムの視野内に集光反射が出現する位置を識
別することを含む方法。
集光反射に焦点が最も良く合う際に光学システムの視野内に集光反射が出現する位置を識
別することを含む方法。
【0120】
Ｂ１２．段落Ｂ１～Ｂ１１のいずれかの方法であって、ＤＵＴをプローブに対して平行移
動させるステップが、ＤＵＴを平行移動させてプローブビームをプローブ本体に対して偏
向させることを含む方法。
動させるステップが、ＤＵＴを平行移動させてプローブビームをプローブ本体に対して偏
向させることを含む方法。
【0121】
Ｂ１３．段落Ｂ１～Ｂ１２のいずれかの方法であって、ＤＵＴをプローブに対して平行移
動させるステップが、プローブをほぼ固定された位置に維持しながらＤＵＴを平行移動さ
せることを含む方法。
動させるステップが、プローブをほぼ固定された位置に維持しながらＤＵＴを平行移動さ
せることを含む方法。
【0122】
Ｂ１４．段落Ｂ１～Ｂ１３のいずれかの方法であって、ＤＵＴをプローブに対して平行移
動させるステップが、ＤＵＴをほぼ固定された位置に維持しながらプローブを平行移動さ
せることを含む方法。
動させるステップが、ＤＵＴをほぼ固定された位置に維持しながらプローブを平行移動さ
せることを含む方法。
【0123】
Ｂ１５．段落Ｂ１～Ｂ１４のいずれかの方法であって、ＤＵＴをプローブに対して平行移
動させるステップが、ＤＵＴ及び／またはプローブを互いに向けて平行移動させることを
含む方法。
動させるステップが、ＤＵＴ及び／またはプローブを互いに向けて平行移動させることを
含む方法。
【0124】
Ｂ１６．段落Ｂ１～Ｂ１４のいずれかの方法であって、ＤＵＴ及び／またはプローブを互
いから離れるように平行移動させることを含む方法。
いから離れるように平行移動させることを含む方法。
【0125】
Ｂ１７．段落Ｂ１～Ｂ１６のいずれかの方法であって、第２位置が光学システムに対する
基準ターゲットの三次元位置に相当する方法。
基準ターゲットの三次元位置に相当する方法。
【0126】
Ｂ１８．段落Ｂ１～Ｂ１７のいずれかの方法であって、第２位置を測定するステップが、
光学システムの焦点を走査して、基準ターゲットによって生成される集光反射に焦点を合
わせることを含む方法。
光学システムの焦点を走査して、基準ターゲットによって生成される集光反射に焦点を合
わせることを含む方法。
【0127】
Ｂ１９．段落Ｂ１８の方法であって、走査することが、光学システムの焦平面を光学シス
テムの光軸に沿って移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一連の画像を光学シ
ステムで記録することを含む方法。
テムの光軸に沿って移動させながら、プローブの少なくとも一部分の一連の画像を光学シ
ステムで記録することを含む方法。
【0128】
Ｂ２０．段落Ｂ１～Ｂ１９のいずれかの方法であって、第２位置を測定するステップが、
光学システムと基準ターゲットとの間の第２の高さオフセットを測定することを含み、第
２の高さオフセットは光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定される方法。
光学システムと基準ターゲットとの間の第２の高さオフセットを測定することを含み、第
２の高さオフセットは光学システムの光軸に平行な方向に沿って測定される方法。
【0129】
Ｂ２１．段落Ｂ２０の方法であって、第２の高さオフセットを測定することが、一連の画
像を分析して、任意で、自動化された焦点最適化ルーチンを利用して、集光反射に焦点が
最もよく合う焦平面の位置を識別する方法。
像を分析して、任意で、自動化された焦点最適化ルーチンを利用して、集光反射に焦点が
最もよく合う焦平面の位置を識別する方法。
【0130】
Ｂ２２．段落Ｂ２１の方法であって、自動化された焦点最適化ルーチンが、パターンスコ
ア・ルーチン及び勾配探索ルーチンのうちの１つ以上を含む方法。
ア・ルーチン及び勾配探索ルーチンのうちの１つ以上を含む方法。
【0131】
Ｂ２３．段落Ｂ１～Ｂ２２のいずれかの方法であって、第２位置を測定するステップが、
光学システムの光軸に直交する方向に沿って測定される基準ターゲットの第２平面位置を
測定することを含む方法。
光学システムの光軸に直交する方向に沿って測定される基準ターゲットの第２平面位置を
測定することを含む方法。
【0132】
Ｂ２４．段落Ｂ２３の方法であって、基準ターゲットの第２平面位置を測定することが、
集光反射に焦点が最も良く合う際に光学システムの視野内に集光反射が出現する位置を識
別することを含む方法。
集光反射に焦点が最も良く合う際に光学システムの視野内に集光反射が出現する位置を識
別することを含む方法。
【0133】
Ｂ２５．段落Ｂ１～Ｂ２４のいずれかの方法であって、第１位置を測定するステップの前
に、少なくとも１つのプローブチップを対応するＤＵＴに接触させるステップをさらに含
む方法。
に、少なくとも１つのプローブチップを対応するＤＵＴに接触させるステップをさらに含
む方法。
【0134】
Ｂ２６．段落Ｂ２５の方法であって、少なくとも１つのプローブチップを対応するＤＵＴ
に接触させるステップが、プローブチップをＤＵＴに対して平行移動させて、プローブチ
ップをＤＵＴとの電気接触させることを含む方法。
に接触させるステップが、プローブチップをＤＵＴに対して平行移動させて、プローブチ
ップをＤＵＴとの電気接触させることを含む方法。
【0135】
Ｂ２７．段落Ｂ２５～Ｂ２６のいずれかの方法であって、少なくとも１つのプローブチッ
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
、ＤＵＴの接触面に少なくとも実質的に直交する方向に独立して平行移動させることを含
む方法。
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
、ＤＵＴの接触面に少なくとも実質的に直交する方向に独立して平行移動させることを含
む方法。
【0136】
Ｂ２８．段落Ｂ２５～Ｂ２７のいずれかの方法であって、少なくとも１つのプローブチッ
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、少なくとも１つのプローブチップが、Ｄ
ＵＴの接触面の少なくとも一部分を横切るように磨くことを含む方法。
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、少なくとも１つのプローブチップが、Ｄ
ＵＴの接触面の少なくとも一部分を横切るように磨くことを含む方法。
【0137】
Ｂ２９．段落Ｂ２５～Ｂ２８のいずれかの方法であって、少なくとも１つのプローブチッ
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
手動で平行移動させることを含む方法。
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
手動で平行移動させることを含む方法。
【0138】
Ｂ３０．段落Ｂ２５～Ｂ２８のいずれかの方法であって、少なくとも１つのプローブチッ
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
少なくとも部分的に自律的に平行移動させることを含む方法。
プを対応するＤＵＴとの接触させるステップが、プローブ及びＤＵＴの一方または両方を
少なくとも部分的に自律的に平行移動させることを含む方法。
【0139】
Ｂ３１．段落Ｂ１～Ｂ３０のいずれかの方法であって、第２位置を測定するステップの後
に、ＤＵＴに対するプローブの押し付け距離を測定するステップをさらに含み、押し付け
距離を測定するステップは、少なくとも部分的に、第１位置、第２位置、及び第１位置と
第２位置との差に基づく方法。
に、ＤＵＴに対するプローブの押し付け距離を測定するステップをさらに含み、押し付け
距離を測定するステップは、少なくとも部分的に、第１位置、第２位置、及び第１位置と
第２位置との差に基づく方法。
【0140】
Ｂ３２．段落Ｂ３１の方法であって、押し付け距離が第１の高さオフセットと第２の高さ
オフセットとの差に等しい方法。
オフセットとの差に等しい方法。
【0141】
Ｃ１．少なくとも１つの被試験デバイス（ＤＵＴ）を試験するように構成されたプローブ
システムであって、
段落Ａ１～Ａ４８のいずれかの少なくとも１つのプローブであって、少なくとも１つの
ＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成された少なくとも１つのプローブと
；
少なくとも１つのプローブが対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの少なくと
も一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具えたプロー
ブシステムにおいて、
プローブシステムが、少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットの
位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
システムであって、
段落Ａ１～Ａ４８のいずれかの少なくとも１つのプローブであって、少なくとも１つの
ＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成された少なくとも１つのプローブと
；
少なくとも１つのプローブが対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの少なくと
も一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具えたプロー
ブシステムにおいて、
プローブシステムが、少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットの
位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
【0142】
Ｃ２．段落Ｃ１のプローブシステムであって：
少なくとも１つのプローブのうちの対応するプローブを、少なくとも１つのＤＵＴのう
ちの対応するＤＵＴに対して支持して維持するように構成された少なくとも１つのプロー
ブホルダ；
少なくとも１つのＤＵＴを含む基板を支持するように構成された支持面を規定するチャ
ック；及び、
段落Ｂ１～Ｂ３１のいずれかの方法を実行するようにプログラムされたコントローラ；
のうちの１つ以上をさらに具えているプローブシステム。
少なくとも１つのプローブのうちの対応するプローブを、少なくとも１つのＤＵＴのう
ちの対応するＤＵＴに対して支持して維持するように構成された少なくとも１つのプロー
ブホルダ；
少なくとも１つのＤＵＴを含む基板を支持するように構成された支持面を規定するチャ
ック；及び、
段落Ｂ１～Ｂ３１のいずれかの方法を実行するようにプログラムされたコントローラ；
のうちの１つ以上をさらに具えているプローブシステム。
【0143】
Ｃ３．段落Ｃ２のプローブシステムであって、プローブシステムがコントローラを含み、
コントローラが自動化された焦点最適化ルーチンを実行して光学システムに対する基準タ
ーゲットの位置を測定するプローブシステム。
コントローラが自動化された焦点最適化ルーチンを実行して光学システムに対する基準タ
ーゲットの位置を測定するプローブシステム。
【0144】
Ｃ４．段落Ｃ１～Ｃ３のいずれかのプローブシステムであって、光学システムが：
少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットを照明するように構成さ
れた照明光源；
少なくとも１つの基準ターゲットから反射された光を集光して対応する集光反射を形成
するように構成された顕微鏡、任意で可視光顕微鏡及び／または共焦点顕微鏡；及び、
周辺光が光学システムの少なくとも一部分に入ることを制限するように構成された光学
エンクロージャ；
のうちの１つ以上を含むプローブシステム。
少なくとも１つのプローブの少なくとも１つの基準ターゲットを照明するように構成さ
れた照明光源；
少なくとも１つの基準ターゲットから反射された光を集光して対応する集光反射を形成
するように構成された顕微鏡、任意で可視光顕微鏡及び／または共焦点顕微鏡；及び、
周辺光が光学システムの少なくとも一部分に入ることを制限するように構成された光学
エンクロージャ；
のうちの１つ以上を含むプローブシステム。
【0145】
Ｃ５．段落Ｃ１～Ｃ４のいずれかのプローブシステムであって、光学システムの光軸に沿
った光学システムの焦平面の位置を、プローブシステムの一部分であって光学システムに
とって可視である部分の画像と同期して記録することができるように構成されているプロ
ーブシステム。
った光学システムの焦平面の位置を、プローブシステムの一部分であって光学システムに
とって可視である部分の画像と同期して記録することができるように構成されているプロ
ーブシステム。
【0146】
Ｃ６．段落Ｃ１～Ｃ５のいずれかのプローブシステムであって、光学システムが視野を有
し、少なくとも１つのプローブチップがＤＵＴに接近する際に、少なくとも１つの基準タ
ーゲット及び少なくとも１つのプローブチップの各々がこの視野内にあるように構成され
ているプローブシステム。
し、少なくとも１つのプローブチップがＤＵＴに接近する際に、少なくとも１つの基準タ
ーゲット及び少なくとも１つのプローブチップの各々がこの視野内にあるように構成され
ているプローブシステム。
【0147】
Ｃ７．段落Ｃ１～Ｃ６のいずれかのプローブシステムであって、光学システムの視野が視
野の線寸法を有し、視野の線寸法は光学システムの光軸に少なくとも実質的に直交する方
向に沿って測定され、視野の線寸法は、少なくとも１００マイクロメートル（μm）、少
なくとも３００μm、少なくとも５００μm、少なくとも１ミリメートル（mm）、少なくと
も１．５mm、少なくとも２mm、少なくとも３mm、少なくとも５mm、最大でも７mm、最大で
も２．５mm、最大でも１．７mm、最大でも１．２mm、最大でも７００μm、少なくとも１
００画素、少なくとも３００画素、少なくとも５００画素、少なくとも１０００画素、少
なくとも１３００画素、少なくとも１５００画素、少なくとも２０００画素、少なくとも
２５００画素、最大でも３０００画素、最大でも２２００画素、最大でも１７００画素、
最大でも１２００画素、最大でも７００画素、及び最大でも２００画素のうちの１つ以上
であるプローブシステム。
野の線寸法を有し、視野の線寸法は光学システムの光軸に少なくとも実質的に直交する方
向に沿って測定され、視野の線寸法は、少なくとも１００マイクロメートル（μm）、少
なくとも３００μm、少なくとも５００μm、少なくとも１ミリメートル（mm）、少なくと
も１．５mm、少なくとも２mm、少なくとも３mm、少なくとも５mm、最大でも７mm、最大で
も２．５mm、最大でも１．７mm、最大でも１．２mm、最大でも７００μm、少なくとも１
００画素、少なくとも３００画素、少なくとも５００画素、少なくとも１０００画素、少
なくとも１３００画素、少なくとも１５００画素、少なくとも２０００画素、少なくとも
２５００画素、最大でも３０００画素、最大でも２２００画素、最大でも１７００画素、
最大でも１２００画素、最大でも７００画素、及び最大でも２００画素のうちの１つ以上
であるプローブシステム。
【0148】
Ｃ８．段落Ｃ１～Ｃ７のいずれかのプローブシステムであって、少なくとも１つのプロー
ブのうちの１つ以上のプローブが、複数の対応する基準ターゲットを含むプローブシステ
ム。
ブのうちの１つ以上のプローブが、複数の対応する基準ターゲットを含むプローブシステ
ム。
【0149】
Ｃ９．段落Ｃ８のプローブシステムであって、上記複数の対応する基準ターゲットのうち
の少なくとも１つの基準ターゲットが、上記複数の対応する基準ターゲットのうちの少な
くとも１つの他の基準ターゲットと区別されるプローブシステム。
の少なくとも１つの基準ターゲットが、上記複数の対応する基準ターゲットのうちの少な
くとも１つの他の基準ターゲットと区別されるプローブシステム。
【0150】
Ｃ１０．段落Ｃ１～Ｃ９のいずれかのプローブシステムであって、プローブシステムが複
数のプローブを含み、各プローブが対応する基準ターゲットを含み、基準ターゲットは当
該プローブの一意的な識別を可能にするように構成されているプローブシステム。
数のプローブを含み、各プローブが対応する基準ターゲットを含み、基準ターゲットは当
該プローブの一意的な識別を可能にするように構成されているプローブシステム。
【0151】
Ｄ１．基準ターゲット付きプローブを製造する方法であって、
プローブビーム及び少なくとも１つのプローブチップを有するプローブを用意するステ
ップと；
基準ターゲットをプローブビームに取り付けるステップと
を含む方法。
プローブビーム及び少なくとも１つのプローブチップを有するプローブを用意するステ
ップと；
基準ターゲットをプローブビームに取り付けるステップと
を含む方法。
【0152】
Ｄ２．段落Ｄ１の方法であって、取り付けるステップが、基準ターゲットをプローブビー
ムの上面に取り付けることを含む方法。
ムの上面に取り付けることを含む方法。
【0153】
Ｄ３．段落Ｄ１～Ｄ２のいずれかの方法であって、取り付けるステップが、プローブが被
試験デバイス（ＤＵＴ）に接近する際に、基準ターゲットが光学システムにとって可視で
あるように、基準ターゲットをプローブビームに取り付けることを含む方法。
試験デバイス（ＤＵＴ）に接近する際に、基準ターゲットが光学システムにとって可視で
あるように、基準ターゲットをプローブビームに取り付けることを含む方法。
【0154】
Ｄ４．段落Ｄ１～Ｄ３のいずれかの方法であって、取り付けるステップが、基準ターゲッ
トを接着剤でプローブビームに接着することを含み、接着剤は任意でエポキシ及び熱エポ
キシの少なくとも一方を含む方法。
トを接着剤でプローブビームに接着することを含み、接着剤は任意でエポキシ及び熱エポ
キシの少なくとも一方を含む方法。
【0155】
Ｄ５．段落Ｄ１～Ｄ４のいずれかの方法であって、取り付けるステップが、基準ターゲッ
トをプローブビームに対して所定の向きに配置することを含む方法。
トをプローブビームに対して所定の向きに配置することを含む方法。
【0156】
Ｄ６．段落Ｄ１～Ｄ５のいずれかの方法であって、基準ターゲットが少なくとも実質的に
球形である方法。
球形である方法。
【0157】
Ｄ７．段落Ｄ１～Ｄ６のいずれかの方法であって、プローブが段落Ａ１～Ａ４８のいずれ
かのプローブである方法。
かのプローブである方法。
【産業上の利用可能性】
【0158】
本明細書中に開示するプローブ、プローブシステム、及び方法は、半導体試験産業に適
用可能である。
用可能である。
【0159】
以上に記載した開示は、独立した有用性を有する複数の区別される発明を包含するもの
と確信する。これらの発明の各々は、その好適な形態の形で開示しているが、本明細書中
に開示し図示するその具体的な実施形態は限定的な意味で考慮するべきでない、というの
は、非常に多数の変形例が可能であるからである。本発明の主題は、本明細書中に開示す
る種々の要素、特徴、機能、及び／または特性の、すべての新規で非自明な組合せ及びサ
ブコンビネーション（副次的組合せ）を含む。同様に、本開示、先行する番号付きの段落
、または後に提示する請求項が「１つの」または「第１の」要素を挙げる際に、こうした
請求項は、１つ以上のこうした要素の包含を含むものと理解するべきであり、２つ以上の
こうした要素を要求も排除もしない。
と確信する。これらの発明の各々は、その好適な形態の形で開示しているが、本明細書中
に開示し図示するその具体的な実施形態は限定的な意味で考慮するべきでない、というの
は、非常に多数の変形例が可能であるからである。本発明の主題は、本明細書中に開示す
る種々の要素、特徴、機能、及び／または特性の、すべての新規で非自明な組合せ及びサ
ブコンビネーション（副次的組合せ）を含む。同様に、本開示、先行する番号付きの段落
、または後に提示する請求項が「１つの」または「第１の」要素を挙げる際に、こうした
請求項は、１つ以上のこうした要素の包含を含むものと理解するべきであり、２つ以上の
こうした要素を要求も排除もしない。
【0160】
以下の特許請求の範囲は、開示する発明のうちの１つに指向し新規かつ非自明な特定の
組合せ及びサブコンビネーションを特に指摘するものと確信する。特徴、機能、要素、及
び／または特性の他の組合せ及びサブコンビネーションの形で具体化される発明を、現在
の特許請求の範囲の補正、あるいは本願または関連出願中の新たな請求項の提示により特
許請求することがある。このように補正した請求項または新請求項も、異なる発明に指向
しても同じ発明に指向しても、元の請求項と範囲が異なっても、より広くても、より狭く
ても、同等でも、本開示中の発明の主題に含まれるものと考えられる。
組合せ及びサブコンビネーションを特に指摘するものと確信する。特徴、機能、要素、及
び／または特性の他の組合せ及びサブコンビネーションの形で具体化される発明を、現在
の特許請求の範囲の補正、あるいは本願または関連出願中の新たな請求項の提示により特
許請求することがある。このように補正した請求項または新請求項も、異なる発明に指向
しても同じ発明に指向しても、元の請求項と範囲が異なっても、より広くても、より狭く
ても、同等でも、本開示中の発明の主題に含まれるものと考えられる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【手続補正書】
【提出日】2022-12-27
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プローブシステム用のプローブであって、
プローブ本体と、
前記プローブ本体から延びるプローブビームと、
前記プローブ本体から遠い方の前記プローブビームの最先端から延び、被試験デバイス（ＤＵＴ）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと、
前記プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具えたプローブにおいて、
前記基準ターゲットが前記プローブビームとは異なる材料で形成され、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、光学システムにとって可視であるように構成されて、前記少なくとも１つのプローブチップの前記ＤＵＴに対する位置を測定することを促進し、
前記基準ターゲットは、前記プローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学システムによって光学的により解像可能であるように構成され、
前記基準ターゲットが集光反射を生成するように構成され、
前記光学システムが前記基準ターゲットからの前記集光反射を受光するように構成され、
前記集光反射が、前記基準ターゲット内で内部反射した光を含むプローブ。
プローブ本体と、
前記プローブ本体から延びるプローブビームと、
前記プローブ本体から遠い方の前記プローブビームの最先端から延び、被試験デバイス（ＤＵＴ）に接触するように構成された少なくとも１つのプローブチップと、
前記プローブビームに取り付けられた少なくとも１つの基準ターゲットとを具えたプローブにおいて、
前記基準ターゲットが前記プローブビームとは異なる材料で形成され、
前記基準ターゲットは、前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、光学システムにとって可視であるように構成されて、前記少なくとも１つのプローブチップの前記ＤＵＴに対する位置を測定することを促進し、
前記基準ターゲットは、前記プローブビームにおける少なくとも当該基準ターゲットに隣接した部分に比べて、前記光学システムによって光学的により解像可能であるように構成され、
前記基準ターゲットが集光反射を生成するように構成され、
前記光学システムが前記基準ターゲットからの前記集光反射を受光するように構成され、
前記集光反射が、前記基準ターゲット内で内部反射した光を含むプローブ。
【請求項2】
前記プローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、かつ前記光学システムの焦点が前記基準ターゲットに合う際に、前記光学システムが前記基準ターゲットの少なくとも一部分の基準像を受けるように構成され、前記集光反射が前記基準像よりも小さい、請求項１に記載のプローブ。
【請求項3】
前記基準像が基準像の直径を有し、前記集光反射が集光反射の直径を有し、前記集光反射の直径が、最大でも前記基準像の直径の２５％である、請求項２に記載のプローブ。
【請求項4】
前記光学システムの離散した焦点解像範囲内で前記光学システムの焦点が前記基準ターゲットに合い、前記離散した焦点解像範囲は、前記光学システムの焦点が前記プローブビームに合うための焦点解像範囲よりも小さいように、前記基準ターゲットが構成されている、請求項１に記載のプローブ。
【請求項5】
前記基準ターゲットが前記プローブビームの上面に取り付けられている、請求項１に記載のプローブ。
【請求項6】
前記基準ターゲットが少なくとも１つの対称軸を含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項7】
前記基準ターゲットが少なくとも実質的に球形である、請求項６に記載のプローブ。
【請求項8】
前記基準ターゲットが光反射性である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項9】
前記基準ターゲットが少なくとも部分的に光学的に透明である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項10】
前記基準ターゲットが基準ターゲットの直径を有し、該基準ターゲットの直径は最大でも１５０ミクロン(μm)である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項11】
前記基準ターゲットがガラス球である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項12】
前記基準ターゲットが接着剤で前記プローブビームに取り付けられ、該接着剤がエポキシを含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項13】
前記プローブビームが弾性変形して、前記プローブ本体に対する通常位置と前記プローブ本体に対して偏位した位置との間で遷移するように構成されている、請求項１に記載のプローブ。
【請求項14】
前記集光反射が集光反射の直径を有し、該集光反射の直径は、前記基準ターゲット上に入射する入射光の直径よりも小さい、請求項１に記載のプローブ。
【請求項15】
少なくとも１つの被試験デバイス（ＤＵＴ）を試験するように構成されたプローブシステムであって、
少なくとも１つの、請求項１～１４のいずれかに記載のプローブであって、前記少なくとも１つのＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成されたプローブと、
前記少なくとも１つのプローブが前記対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具えたプローブシステムにおいて、
前記プローブシステムが、前記少なくとも１つのプローブの前記少なくとも１つの基準ターゲットの位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
少なくとも１つの、請求項１～１４のいずれかに記載のプローブであって、前記少なくとも１つのＤＵＴのうちの対応するＤＵＴを試験するように構成されたプローブと、
前記少なくとも１つのプローブが前記対応するＤＵＴに接近する際に、当該プローブの少なくとも一部分の画像を光軸に沿って取得するように構成された光学システムとを具えたプローブシステムにおいて、
前記プローブシステムが、前記少なくとも１つのプローブの前記少なくとも１つの基準ターゲットの位置の測定を可能にするように構成されているプローブシステム。
【請求項16】
前記光学システムの光軸に沿った当該光学システムの焦平面の位置を、前記プローブシステムの一部分であって前記光学システムにとって可視である部分の画像と同期して記録することができるように構成されている、請求項１５に記載のプローブシステム。
【請求項17】
前記光学システムが視野を有し、前記少なくとも１つのプローブチップが前記ＤＵＴに接近する際に、前記少なくとも１つの基準ターゲット及び前記少なくとも１つのプローブチップの各々が前記視野内にあるように構成されている、請求項１５に記載のプローブシステム。
【請求項18】
前記光学システムが視野を有し、該視野が視野の線寸法を有し、該視野の線寸法は前記光軸に少なくとも実質的に直交する方向に沿って測定され、前記基準ターゲットが集光反射を生成するように構成され、該集光反射が集光反射の直径を有し、該集光反射の直径が、前記視野の線寸法の少なくとも０．１％であり、かつ最大でも前記視野の線寸法の１０％である、請求項１５に記載のプローブシステム。
【請求項19】
請求項１～１４のいずれかに記載のプローブを製造する方法であって、
前記プローブ本体を用意するステップであって、前記プローブビームが前記プローブ本体から延び、前記少なくとも１つのプローブチップが前記プローブビームの前記最先端から延びるステップと、
前記少なくとも１つの基準ターゲットを前記プローブビームに取り付けるステップと
を含む方法。
前記プローブ本体を用意するステップであって、前記プローブビームが前記プローブ本体から延び、前記少なくとも１つのプローブチップが前記プローブビームの前記最先端から延びるステップと、
前記少なくとも１つの基準ターゲットを前記プローブビームに取り付けるステップと
を含む方法。
【請求項20】
前記基準ターゲットを取り付けるステップが、前記基準ターゲットを接着剤で前記プローブビームに接着することを含む、請求項１９に記載の方法。
【外国語明細書】