特開 2023-53484 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023053484

(43)【公開日】2023-04-13

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/338 20060101AFI20230406BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20230406BHJP

   H01L 29/41 20060101ALI20230406BHJP

   H01L 29/417 20060101ALI20230406BHJP

   H01L 21/288 20060101ALI20230406BHJP

【ＦＩ】

H01L29/80 U

H01L29/80 H

H01L21/28 301B

H01L29/44 L

H01L29/50 J

H01L21/288 E

H01L21/28 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021162544

(22)【出願日】2021-10-01

(71)【出願人】

【識別番号】000154325

【氏名又は名称】住友電工デバイス・イノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】北嶋 翔平

(72)【発明者】

【氏名】河西 亮

【テーマコード（参考）】

4M104

5F102

【Ｆターム（参考）】

4M104AA04

4M104AA07

4M104BB05

4M104BB09

4M104BB36

4M104CC01

4M104CC03

4M104DD08

4M104DD52

4M104DD53

4M104DD72

4M104DD94

4M104FF02

4M104FF13

4M104FF17

4M104GG12

4M104HH20

5F102GB01

5F102GB02

5F102GC01

5F102GD01

5F102GJ02

5F102GJ04

5F102GL04

5F102GM04

5F102GQ01

5F102GS02

5F102GS04

5F102GT01

5F102GV06

5F102GV08

5F102HB01

5F102HB07

5F102HB09

5F102HC01

5F102HC16

5F102HC24

(57)【要約】

【課題】良好な生産性を確保しながら、エッチングストッパの腐食を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上面に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上面にエッチングストッパを形成する工程と、前記基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、前記開口部を通じて、前記基板及び前記半導体層に前記基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図１７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の上面に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上面にエッチングストッパを形成する工程と、
前記基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、
前記開口部を通じて、前記基板及び前記半導体層に前記基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記エッチングストッパと同時にゲート電極を形成する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記エッチングストッパ及び前記ゲート電極を形成する工程は、前記半導体層にショットキー接触する第１金属膜を形成する工程を有する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１金属膜はＮｉ膜である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記第１金属膜の上面にＰｄ膜を形成する工程と、
前記Ｐｄ膜の上面にＡｕ膜を形成する工程と、
を有する請求項３又は請求項４に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】

前記基板は、ＳｉＣ基板であり、
前記半導体層は、窒化物半導体層である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】

前記めっき膜を除去する工程の後、前記シード膜を除去する工程を有する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記シード膜を除去する工程の後、前記エッチングストッパの下面と、前記貫通孔の内壁面と、前記基板の下面とに導電膜を形成する工程を有する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】

ＳｉＣ基板の上面に窒化物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層の上面に、前記窒化物半導体層にショットキー接触するＮｉ膜を含むゲート電極及びエッチングストッパを同時に形成する工程と、
前記ＳｉＣ基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、
前記開口部を通じて、前記ＳｉＣ基板及び前記窒化物半導体層に、前記ＳｉＣ基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、
前記めっき膜を除去する工程の後、前記シード膜を除去する工程と、
前記シード膜を除去する工程の後、前記エッチングストッパの下面と、前記貫通孔の内壁面と、前記ＳｉＣ基板の下面とに導電膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の上に半導体層が形成され、半導体層の上に金属製のエッチングストッパが形成され、基板及び半導体層にエッチングストッパに達する貫通孔が形成され、基板の下面に貫通孔を通じてエッチングストッパに接続された裏面電極が形成された半導体装置が知られている。このような半導体装置を製造する場合、基板の下面に金属マスクを形成して基板のエッチングを行うことで、貫通孔を形成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第０１／０７６８７号

【特許文献2】特開２０１９－１４５５４６号公報

【特許文献3】特開２０２０－１７６４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体層の上にはエッチングストッパの他に電極が形成される。エッチングストッパを電極と同時に同じ材料を用いて形成すると、金属マスクを除去する際にエッチングストッパが腐食されやすい。エッチングストッパは、半導体層に形成されるトランジスタ等の半導体素子に接続されるため、エッチングストッパが腐食されると、半導体素子の特性に影響が及ぶおそれがある。

【0005】

エッチングを基板と半導体層との界面の近傍で一旦停止して金属膜を除去し、その後に、貫通孔をエッチングストッパに到達させることで、エッチングストッパの腐食を防止することは可能である。しかしながら、基板のエッチングレートを低く制御しなければ、エッチングを基板と半導体層との界面の近傍で停止することは困難であり、基板のエッチングレートを低くした場合には、エッチングにかかる時間が長くなる。また、電極とは異なる材料を用いてエッチングストッパを形成することで、エッチングストッパの腐食を防止することは可能である。しかしながら、この場合には、エッチングストッパを形成するための工程が必要となり、生産性が低下する。

【0006】

本開示は、良好な生産性を確保しながら、エッチングストッパの腐食を防止できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の半導体装置の製造方法は、基板の上面に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上面にエッチングストッパを形成する工程と、前記基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、前記開口部を通じて、前記基板及び前記半導体層に前記基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、を有する。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、良好な生産性を確保しながら、エッチングストッパの腐食を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図2】図２は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図3】図３は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図4】図４は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図5】図５は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図6】図６は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図7】図７は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図8】図８は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図9】図９は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図10】図１０は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図11】図１１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図12】図１２は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１２）である。

【図13】図１３は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１３）である。

【図14】図１４は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１４）である。

【図15】図１５は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１５）である。

【図16】図１６は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１６）である。

【図17】図１７は、アノード反応を生じさせる構成の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。

【0011】

〔１〕 本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法は、基板の上面に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上面にエッチングストッパを形成する工程と、前記基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、前記開口部を通じて、前記基板及び前記半導体層に前記基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、を有する。

【0012】

めっき膜を電解液中でのアノード反応により除去するため、めっき膜の除去の際のエッチングストッパの腐食を防止できる。

【0013】

〔２〕 〔１〕において、前記エッチングストッパと同時にゲート電極を形成する工程を有してもよい。エッチングストッパをゲート電極と同時に形成することで、別々に形成する場合と比較して高い生産性が得られる。

【0014】

〔３〕 〔２〕において、前記エッチングストッパ及び前記ゲート電極を形成する工程は、前記半導体層にショットキー接触する第１金属膜を形成する工程を有してもよい。この場合、良好なゲート制御性を得やすい。

【0015】

〔４〕 〔３〕において、前記第１金属膜はＮｉ膜であってもよい。Ｎｉは、仕事関数が大きくショットキー障壁を形成しやすい材料である。

【0016】

〔５〕 〔３〕又は〔４〕において、前記第１金属膜の上面にＰｄ膜を形成する工程と、前記Ｐｄ膜の上面にＡｕ膜を形成する工程と、を有してもよい。この場合、低抵抗の配線を構成しやすい。

【0017】

〔６〕 〔１〕～〔５〕において、前記基板は、ＳｉＣ基板であり、前記半導体層は、窒化物半導体層であってもよい。この場合、高耐圧で高速動作が可能な高電子移動度トランジスタを構成しやすい。

【0018】

〔７〕 〔１〕～〔６〕において、前記めっき膜を除去する工程の後、前記シード膜を除去する工程を有してもよい。シード膜は、例えばドライエッチングにより除去でき、シード膜の除去の際にもエッチングストッパの腐食を防止できる。

【0019】

〔８〕 〔７〕において、前記シード膜を除去する工程の後、前記エッチングストッパの下面と、前記貫通孔の内壁面と、前記基板の下面とに導電膜を形成する工程を有してもよい。この場合、導電膜を裏面電極として使用でき、また、導電膜を通じて放熱することができる。

【0020】

〔９〕 本開示の他の一態様に係る半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板の上面に窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層の上面に、前記窒化物半導体層にショットキー接触するＮｉ膜を含むゲート電極及びエッチングストッパを同時に形成する工程と、前記ＳｉＣ基板の下面に、シード膜及びめっき膜を含み、平面視で前記エッチングストッパの内側に開口部を備えた金属マスクを形成する工程と、前記開口部を通じて、前記ＳｉＣ基板及び前記窒化物半導体層に、前記ＳｉＣ基板の前記下面から前記エッチングストッパに達する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程の後、電解液中でのアノード反応により前記めっき膜を除去する工程と、前記めっき膜を除去する工程の後、前記シード膜を除去する工程と、前記シード膜を除去する工程の後、前記エッチングストッパの下面と、前記貫通孔の内壁面と、前記ＳｉＣ基板の下面とに導電膜を形成する工程と、を有する。

【0021】

めっき膜を電解液中でのアノード反応により除去するため、めっき膜の除去の際のエッチングストッパの腐食を防止できる。また、高耐圧で高速動作が可能な高電子移動度トランジスタを構成しやすい。

【0022】

［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0023】

本開示の実施形態はＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（high electron mobility transistor：ＨＥＭＴ）を含む半導体装置の製造方法に関する。図１～図１６は、実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す断面図である。

【0024】

本実施形態では、まず、図１に示すように、例えば有機金属気相成長（metal organic chemical vapor deposition：ＭＯＣＶＤ）法により、基板１の上面にＧａを含む窒化物半導体層１０を形成する。窒化物半導体層１０は、例えば、チャネル層及びバリア層を含む。基板１は、例えばＧａＮ系半導体の成長用基板であり、一例では半絶縁性のＳｉＣ基板である。例えば、チャネル層はＧａＮ層であり、バリア層はＡｌＧａＮ層である。窒化物半導体層１０は半導体層の一例である。例えば、基板１の厚さを１００μｍ程度とし、窒化物半導体層１０の厚さを０．４μｍ程度とする。

【0025】

次に、図２に示すように、ソース用の開口部２１Ｓと、ドレイン用の開口部２１Ｄと、ゲート用の開口部２１Ｇとを備えた第１絶縁膜２１を、窒化物半導体層１０の上面に形成する。第１絶縁膜２１は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜である。

【0026】

次に、図３に示すように、開口部２１Ｓの内側にソース電極３１を形成し、開口部２１Ｄの内側にドレイン電極３２を形成する。ソース電極３１及びドレイン電極３２の形成では、まず、ソース電極３１及びドレイン電極３２を構成する複数の金属層を蒸着し、例えばＴａ層を蒸着した後にＡｌ層を蒸着して積層構造を形成する。その後、この積層構造を熱処理して合金化（アロイ）を行う。ソース電極３１は、窒化物半導体層１０が露出する開口部３１Ｓを備えるように形成する。

【0027】

次に、図４に示すように、ソース用の開口部２２Ｓと、ゲート用の開口部２２Ｇとを備えた第２絶縁膜２２を、ソース電極及びドレイン電極３２を覆うように、第１絶縁膜２１及び窒化物半導体層１０の上面に形成する。第２絶縁膜２２は、例えばＳｉＮ膜である。

【0028】

次に、図５に示すように、開口部２２Ｇ及び開口部２１Ｇを通じて窒化物半導体層１０にショットキー接触するゲート電極３３を形成すると共に、開口部３１Ｓの内側において、窒化物半導体層１０の上面にエッチングストッパ３０を形成する。図６に示すように、ゲート電極３３及びエッチングストッパ３０の形成は、窒化物半導体層１０の上面にＮｉ膜７１を形成し、Ｎｉ膜７１の上面にＰｄ膜７２を形成し、Ｐｄ膜７２の上面にＡｕ膜７３を形成する。つまり、エッチングストッパ３０及びゲート電極３３を、同じ材料を用いて同時に形成する。Ｎｉ膜７１は、ＧａＮ系ＨＥＭＴのゲート電極３３において良好なショットキー障壁を形成するために好ましい。Ａｕ膜７３は、電気抵抗の低減のために好ましい。Ｐｄ膜７２は、Ｎｉ膜７１とＡｕ膜７３との間の相互拡散の抑制のために好ましい。例えば、Ｎｉ膜７１の厚さを６０ｎｍ程度とし、Ｐｄ膜７２の厚さを４０ｎｍ程度とし、Ａｕ膜７３の厚さを３５０ｎｍ程度とする。

【0029】

次に、図７に示すように、第２絶縁膜２２、エッチングストッパ３０及び窒化物半導体層１０を覆う第３絶縁膜４１を形成し、エッチングストッパ３０に達する開口部４１Ａを第３絶縁膜４１に形成し、エッチングストッパ３０に接触する配線４２を開口部４１Ａ内に形成する。配線４２は、例えばソース電極３１に電気的に接続される。配線４２の形成と同時に、ドレイン電極３２に電気的に接続される配線（図示せず）と、ゲート電極３３に電気的に接続される配線（図示せず）とを形成してもよい。

【0030】

次に、図８に示すように、基板１の下面の上にシード膜５１を形成する。シード膜５１は、後にドライエッチングにより除去される。このため、シード膜５１の材料は、エッチングガスと反応して生成する物質の沸点が低い材料であることが好ましい。シード膜５１の材料としては、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＷが挙げられる。

【0031】

次に、図９に示すように、貫通孔を形成する予定の領域を覆うマスク６１をシード膜５１の下面に形成する。マスク６１は、例えばフォトレジストマスクである。

【0032】

次に、図１０に示すように、シード膜５１の下面でマスク６１から露出した部分の上にめっき膜５２を形成する。めっき膜５２の材料としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金が挙げられる。

【0033】

次に、図１１に示すように、マスク６１を除去する。更に、シード膜５１のめっき膜５２から露出する部分を除去する。この結果、シード膜５１及びめっき膜５２を含み、貫通孔を形成する予定の領域に開口部５０Ａを備えた金属マスク５０が基板１の下面に形成される。

【0034】

次に、図１２に示すように、金属マスク５０を用いて、基板１及び窒化物半導体層１０のドライエッチングを行うことにより、エッチングストッパ３０に達する貫通孔６２を基板１及び窒化物半導体層１０に形成する。このドライエッチングでは、例えば、ＳＦ_６及びＯ_２の混合ガスを用い、ＳＦ_６の流量を６５ｓｃｃｍとし、Ｏ_２の流量を１３０ｓｃｃｍとし、処理チャンバ内の圧力を０．５Ｐａとし、バイアスパワーを４００Ｗとする。このドライエッチングは、例えば時間制御により停止する。例えば、図１３に示すように、貫通孔６２はＡｕ膜７３の厚さ方向の途中まで達していてもよい。貫通孔６２がＮｉ膜７１又はＰｄ膜７２の厚さ方向の途中まで達していてもよい。

【0035】

次に、図１４に示すように、めっき膜５２を除去する。めっき膜５２は、電解液中でのアノード反応により除去する。ここで、めっき膜５２を除去する方法について説明する。図１７は、アノード反応を生じさせる電気化学反応装置の一例を示す図である。

【0036】

図１７に示す電気化学反応装置２００の一例では、処理層９１内に電解液９２が入れられ、電解液９２中に陽極９４及び陰極９５が挿入されている。陽極９４は金属製である。陽極９４は直流電源９３の正極に接続され、陰極９５は直流電源９３の負極に接続される。この例では、金属製の陽極９４から金属の陽イオン９６が溶け出し、電解液９２中の陽イオン９６が金属として陰極９５の表面に析出する。従って、陽極９４にめっき膜５２を用いることで、めっき膜５２を溶解させて除去できる。このようなアノード反応は、逆めっきとよばれることがある。電解液９２の成分は、めっき膜５２の材料に応じて決定する。

【0037】

次に、図１５に示すように、シード膜５１を除去する。シード膜５１は、例えばＣＦ_４を用いたドライエッチングにより除去できる。電解液中でのアノード反応によりめっき膜５２を除去する際に、シード膜５１も合わせて除去しても良い。

【0038】

次に、図１６に示すように、エッチングストッパ３０の下面と、貫通孔６２の内壁面と、基板１の下面とに導電膜６３を形成する。導電膜６３は、例えば半導体装置１００の裏面電極として用いられる。導電膜６３は、例えば図示されていない配線層を設け、金属製のエッチングストッパ３０を介して電気的にソース電極３１に接続される。導電膜６３を接地することで、ソース電極３１に接地電位が印加される。導電膜６３は、例えばＡｕ膜を含む。導電膜６３の形成では、シード膜の形成及びめっき膜の形成を行ってもよい。

【0039】

このようにして半導体装置１００を製造できる。

【0040】

この製造方法では、めっき膜５２を電解液中でのアノード反応により除去するため、めっき膜５２の除去の際のエッチングストッパ３０の腐食を防止できる。

【0041】

なお、貫通孔６２を形成した後に、酸性溶液を用いてめっき膜５２を除去する場合には、貫通孔６２に露出するＮｉ膜７１が腐食されてしまう。

【0042】

基板１と窒化物半導体層１０との界面の近傍でエッチングを一旦停止し、めっき膜５２を除去し、その後に、貫通孔６２をエッチングストッパ３０に到達させることも考えられる。この場合、基板１のエッチングレートを低く制御しなければ、エッチングを基板１と窒化物半導体層１０との界面の近傍で停止することは困難である。そして、基板１のエッチングレートを低くした場合には、エッチングにかかる時間が長くなる。

【0043】

また、ゲート電極３３とは異なる材料を用いてエッチングストッパ３０を形成することで、エッチングストッパ３０の腐食を防止することも考えられる。この場合、ゲート電極３３を形成する工程の他に、エッチングストッパ３０を形成するための工程が必要となり、生産性が低下する。

【0044】

基板１がＳｉＣ基板であり、窒化物半導体層１０が形成されていることで、高耐圧で高速動作が可能なＨＥＭＴを構成しやすい。本実施形態では、基板１がＳｉＣ基板であっても、貫通孔６２を形成するためのエッチングを時間制御によりエッチングストッパ３０で容易に停止できるため、貫通孔６２を高速で形成できる。

【0045】

また、シード膜５１は、例えばドライエッチングにより除去できるため、シード膜５１の除去の際にもエッチングストッパ３０の腐食を防止できる。更に、導電膜６３は裏面電極として使用できる。また、導電膜６３を通じてＨＥＭＴで発生した熱を基板１の下面側に伝達しやすい。導電膜６３をヒートスプレッダ等に接合することで、放熱性を向上できる。

【0046】

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

【符号の説明】

【0047】

１：基板
１０：窒化物半導体層
２１：第１絶縁膜
２１Ｄ、２１Ｇ、２１Ｓ：開口部
２２：第２絶縁膜
２２Ｇ、２２Ｓ：開口部
３０：エッチングストッパ
３１：ソース電極
３１Ｓ：開口部
３２：ドレイン電極
３３：ゲート電極
４１：第３絶縁膜
４１Ａ：開口部
４２：配線
５０：金属マスク
５０Ａ：開口部
５１：シード膜
５２：めっき膜
６１：マスク
６２：貫通孔
６３：導電膜
７１：Ｎｉ膜
７２：Ｐｄ膜
７３：Ａｕ膜
９１：処理層
９２：電解液
９３：直流電源
９４：陽極
９５：陰極
９６：陽イオン
１００：半導体装置
２００：電気化学反応装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】