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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023056461
(43)【公開日】2023-04-19
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230412BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20230412BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20230412BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20230412BHJP
H10K 59/00 20230101ALI20230412BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20230412BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20230412BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349B
G09F9/30 349C
G09F9/302 C
H05B33/12 E
H05B33/02
H01L27/32
H05B33/14 A
G02B5/20 101
G02B5/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022068813
(22)【出願日】2022-04-19
(31)【優先権主張番号】10-2021-0133326
(32)【優先日】2021-10-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】ベク，ムン ジュン
(72)【発明者】
【氏名】キム，ヨン ミン
(72)【発明者】
【氏名】キム， ヨン ギュ
(72)【発明者】
【氏名】ノ， ヒョン ウ
(72)【発明者】
【氏名】パク， クン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ハン， ス ジ
【テーマコード（参考）】
2H148
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H148AA00
2H148AA01
2H148BB01
2H148BD02
2H148BD12
2H148BD25
2H148BG01
2H148BH16
3K107AA01
3K107BB01
3K107EE22
3K107EE24
3K107EE27
3K107EE63
5C094BA23
5C094BA27
5C094BA43
5C094BA75
(57)【要約】
【課題】均一な層を形成することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】
一実施形態による表示装置は、基板上に配置された第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域および遮光領域を含む単位画素領域を含み、前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、前記第１画素領域は、発光素子上に位置する第１色変換層、および前記第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含み、前記第２画素領域は発光素子上に位置する第２色変換層、および前記第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含み、前記第３画素領域は、発光素子上に位置する透過層、および前記透過層上に位置する第３色フィルタを含み、前記第１遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタ、および前記第３色フィルタと重なり、前記第２遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタより選択された２つの色フィルタと重なる。
【選択図】図４
【解決手段】
一実施形態による表示装置は、基板上に配置された第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域および遮光領域を含む単位画素領域を含み、前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、前記第１画素領域は、発光素子上に位置する第１色変換層、および前記第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含み、前記第２画素領域は発光素子上に位置する第２色変換層、および前記第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含み、前記第３画素領域は、発光素子上に位置する透過層、および前記透過層上に位置する第３色フィルタを含み、前記第１遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタ、および前記第３色フィルタと重なり、前記第２遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタより選択された２つの色フィルタと重なる。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配置された第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域および遮光領域を含む単位画素領域を含み、
前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、
前記第１画素領域は、
発光素子上に位置する第１色変換層、および
前記第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含み、
前記第２画素領域は、
発光素子上に位置する第２色変換層、および
前記第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含み、
前記第３画素領域は、
発光素子上に位置する透過層、および
前記透過層上に位置する第３色フィルタを含み、
前記第１遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタ、および前記第３色フィルタと重なり、
前記第２遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタより選択された２つの色フィルタと重なる、表示装置。
前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、
前記第１画素領域は、
発光素子上に位置する第１色変換層、および
前記第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含み、
前記第２画素領域は、
発光素子上に位置する第２色変換層、および
前記第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含み、
前記第３画素領域は、
発光素子上に位置する透過層、および
前記透過層上に位置する第３色フィルタを含み、
前記第１遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタ、および前記第３色フィルタと重なり、
前記第２遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタより選択された２つの色フィルタと重なる、表示装置。
【請求項2】
前記単位画素領域で、
前記第１遮光領域が占める面積は前記第２遮光領域が占める面積より小さい、請求項１に記載の表示装置。
前記第１遮光領域が占める面積は前記第２遮光領域が占める面積より小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１遮光領域は、
前記単位画素領域内で隣接して配置された前記第１画素領域および前記第２画素領域の間、隣接して配置された前記第２画素領域および前記第３画素領域の間に位置する、請求項２に記載の表示装置。
前記単位画素領域内で隣接して配置された前記第１画素領域および前記第２画素領域の間、隣接して配置された前記第２画素領域および前記第３画素領域の間に位置する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域は第１方向に沿って配置され、
前記単位画素領域は少なくとも２個の前記第２遮光領域を含み、
前記第２遮光領域、前記第１画素領域、および前記第２遮光領域が第２方向に沿って配置される、請求項２に記載の表示装置。
前記単位画素領域は少なくとも２個の前記第２遮光領域を含み、
前記第２遮光領域、前記第１画素領域、および前記第２遮光領域が第２方向に沿って配置される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１色フィルタは前記第２画素領域および前記第３画素領域と重なる開口部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第２色フィルタは、
前記第１画素領域と重なる第２－１開口部、
前記第３画素領域と重なる第２－２開口部、および
前記第２遮光領域と重なる第２－３開口部を含む、請求項１に記載の表示装置。
前記第１画素領域と重なる第２－１開口部、
前記第３画素領域と重なる第２－２開口部、および
前記第２遮光領域と重なる第２－３開口部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第３色フィルタは、
前記第１画素領域および前記第２画素領域と重なる開口部を含む、請求項１に記載の表示装置。
前記第１画素領域および前記第２画素領域と重なる開口部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１遮光領域の厚さは前記第２遮光領域の厚さと相異なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１遮光領域の厚さは前記第２遮光領域の厚さより大きい、請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記表示装置は、
前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタ上に位置するオーバーコート層、および
前記オーバーコート層上に位置するカバーウィンドウをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタ上に位置するオーバーコート層、および
前記オーバーコート層上に位置するカバーウィンドウをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
色フィルタ等で発生する光損失を減らし、高い色再現率を有する表示装置を実現するために量子ドットのような半導体ナノ結晶を使用した色変換層を含む表示装置が提案されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
実施形態は平坦度が向上したオーバーコート層を含む表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0004】
一実施形態による表示装置は、基板上に配置された第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域および遮光領域を含む単位画素領域を含み、前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、前記第１画素領域は、発光素子上に位置する第１色変換層、および前記第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含み、前記第２画素領域は発光素子上に位置する第２色変換層、および前記第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含み、前記第３画素領域は、発光素子上に位置する透過層、および前記透過層上に位置する第３色フィルタを含み、前記第１遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタ、および前記第３色フィルタと重なり、前記第２遮光領域は前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタより選択された２つの色フィルタと重なる。
【0005】
前記単位画素領域で、前記第１遮光領域が占める面積は前記第２遮光領域が占める面積より小さくてもよい。
【0006】
前記第１遮光領域は、前記単位画素領域内で隣接して配置された前記第１画素領域および前記第２画素領域の間、隣接して配置された前記第２画素領域および前記第３画素領域の間に位置し得る。
【0007】
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域は第１方向に沿って配置され得る。
【0008】
前記単位画素領域は少なくとも２個の前記第２遮光領域を含み、前記第２遮光領域、前記第１画素領域、および前記第２遮光領域が第２方向に沿って配置され得る。
【0009】
前記第１色フィルタは前記第２画素領域および前記第３画素領域と重なる開口部を含み得る。
【0010】
前記第２色フィルタは、前記第１画素領域および前記第３画素領域と重なる第２－１開口部、および前記第２遮光領域と重なる第２－２開口部を含み得る。
【0011】
前記第３色フィルタは、前記第１画素領域および前記第２画素領域と重なる開口部を含み得る。
【0012】
前記第１遮光領域の厚さは前記第２遮光領域の厚さと相異なり得る。
【0013】
前記第１遮光領域の厚さは前記第２遮光領域の厚さより大きくてもよい。
【0014】
前記表示装置は、前記第１色フィルタ、前記第２色フィルタおよび前記第３色フィルタ上に位置するオーバーコート層、および前記オーバーコート層上に位置するカバーウィンドウをさらに含み得る。
【0015】
一実施形態による表示装置は、基板上に繰り返し配置される単位画素領域を含み、前記単位画素領域は画素領域および遮光領域を含み、前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、前記画素領域は、第１色変換層上に位置する第１色フィルタを含む第１画素領域、第２色変換層上に位置する第２色フィルタを含む第２画素領域、および透過層上に位置する第３色フィルタを含む第３画素領域を含み、前記第１遮光領域および前記第２遮光領域は少なくとも２以上の前記第１色フィルタ、第２色フィルタおよび前記第３色フィルタが重なり、前記第１遮光領域の厚さと前記第２遮光領域の厚さが相異なる。
【0016】
一実施形態による表示装置の製造方法は基板上に繰り返し配置される単位画素領域を形成する段階を含み、前記単位画素領域は画素領域および遮光領域を含み、前記遮光領域は第１遮光領域および第２遮光領域を含み、前記第１遮光領域は第１色フィルタ、第２色フィルタおよび第３色フィルタが重なって形成され、前記第２遮光領域は第１色フィルタおよび第３色フィルタが重なって形成され、前記第１遮光領域の厚さは前記第２遮光領域の厚さより大きい。
【発明の効果】
【0017】
実施形態によれば、平坦度が向上したオーバーコート層を含む表示装置およびそれを製造するための製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】一実施形態による表示装置の概略的な分解斜視図である。
【図2】一実施形態による表示パネルの一部領域を具体的に示す平面図である。
【図3】一実施形態による表示パネルの概略的な断面図である。
【図4】一実施形態による表示パネルの断面図である。
【図5】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図6】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図7】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図8】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図11】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図12】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図13】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【図14】一実施形態による色フィルタを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付する図面を参照して本発明の様々な実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は様々な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0020】
本発明を明確に説明するために、公知の技術の説明は省略される場合があり、明細書全体にわたって同一または類似の構成および構成要素に対しては、同じ参照符号が付記される。
【0021】
また、図面に示す各構成および構成要素の大きさ並びに厚さは、説明の便宜上、任意の大きさ並びに厚さで示され、本発明の各構成および構成要素の大きさ並びに厚さは必ずしも示されたところに限定されない。また、図面において、複数の層および各種の領域を明確に表現するために、例えば、各種の層および領域の厚さは誇張して示される。さらに、図面において、説明の便宜上一部の層および領域の厚さは誇張して示される。
【0022】
また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分「上に」または「の上に」あるという時、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合だけでなくその間ある場合も含み、また、その間に他の部分がある場合も含む。ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるという時、その間に他の部分が存在しないことを意味する。また、基準になる部分「上に」または「の上に」あるとは基準になる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の逆方向側に「上に」または「の上に」位置することを意味するものではない。
【0023】
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、特に反対の意味を示す記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0024】
また、明細書全体において、「平面上」という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
【0025】
【0026】
図１を参照すると、一実施形態による表示装置はカバーウィンドウＣＷ、表示パネルＤＰ、そしてハウジングＨＭを含み得る。
【0027】
カバーウィンドウＣＷは絶縁パネルを含み得る。例えば、カバーウィンドウＣＷはガラス、プラスチック、またはこれらの組み合わせで構成されることができる。
【0028】
カバーウィンドウＣＷの前面は表示装置１０００の前面を定義できる。透過領域ＴＡは光学的に透明な領域であり得る。例えば、透過領域ＴＡは約９０％以上の可視光線透過率を有する領域であり得る。
【0029】
遮断領域ＣＢＡは透過領域ＴＡの形状を定義できる。遮断領域ＣＢＡは透過領域ＴＡに隣接して透過領域ＴＡを囲む。遮断領域ＣＢＡは透過領域ＴＡに比べて相対的に光透過率が低い領域であり得る。遮断領域ＣＢＡは光を遮光する不透明な物質を含み得る。
【0030】
遮断領域ＣＢＡは所定のカラーを有することができる。遮断領域ＣＢＡは透過領域ＴＡを定義する透明基板とは別に提供されるベゼル層によって定義されるか、透明基板に挿入または着色して形成されたインク層によって定義できる。
【0031】
表示パネルＤＰでイメージが表示される一面は、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２が定義する面と平行する。イメージが表示される一面の法線方向、すなわち表示パネルＤＰの厚さ方向は第３方向ＤＲ３が指示する。各部材の前面（または上面）と背面（または下面）は第３方向ＤＲ３により区分される。しかし、第１～第３方向ＤＲ１，ＤＲ２，ＤＲ３が指示する方向は相対的な概念で他の方向に変換されることができる。
【0032】
表示パネルＤＰはフラットなリジッド表示パネルであり得るが、これに制限されず、フレキシブル表示パネルでもあり得る。一方、表示パネルＤＰは有機発光表示パネルからなる。ただし、表示パネルＤＰの種類はこれに限定されず、多様な種類のパネルからなる。例えば、表示パネルＤＰは液晶表示パネル、電気泳動表示パネル、エレクトロウェッティング表示パネル等からなってもよい。また、表示パネルＤＰはマイクロ発光ダイオード表示パネル、量子ドット発光ダイオード表示パネル、量子ドット有機発光ダイオード表示パネル等の次世代表示パネルからなってもよい。
【0033】
マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）表示パネルは、１０～１００マイクロメーターの大きさの発光ダイオードが各画素を構成する方式からなる。このようなマイクロ発光ダイオード表示パネルは無機物を使用し、バックライトが省略され得、反応速度が速く、低い電力で高い輝度を実現することができ、曲がるまで割れない等の長所を有する。量子ドット発光ダイオード表示パネルは量子ドットが含まれたフィルムを付着したり、量子ドットが含まれた物質で形成する方式からなる。量子ドットはインジウム、カドミウム等のような無機物からなり、自発光し、直径が数ナノメートル以下からなる粒子を意味する。量子ドットの粒子の大きさを調節することによって、所望する色の光を示すことができる。量子ドット有機発光ダイオード表示パネルは光源として青色有機発光ダイオードを使用し、その上に赤色および緑色の量子ドットが含まれたフィルムを付着したり、赤色および緑色の量子ドットが含まれた物質を蒸着して色を実現する方式からなる。一実施形態による表示パネルＤＰはその他にも多様な表示パネルからなる。
【0034】
図１に示すように表示パネルＤＰはイメージが表示される表示領域ＤＡ、および表示領域ＤＡに隣接する非表示領域ＰＡを含む。非表示領域ＰＡはイメージが表示されない領域である。表示領域ＤＡは一例として四角形状であり得、非表示領域ＰＡは表示領域ＤＡを囲む形状を有することができる。ただし、これに制限されず表示領域ＤＡおよび非表示領域ＰＡの形状は相対的にデザインされてもよい。
【0035】
ハウジングＨＭは所定の内部空間を提供する。表示パネルＤＰはハウジングＨＭの内部に実装する。ハウジングＨＭの内部には表示パネルＤＰ以外に多様な電子部品、例えば電源供給部、ストレージデバイス、音響入出力モジュール等を実装することができる。
【0036】
【0037】
図２を参照すると、表示パネルＤＰは表示領域ＤＡおよび非表示領域ＰＡを含む。非表示領域ＰＡは表示領域ＤＡの縁に沿って定義できる。
【0038】
表示パネルＤＰは複数の画素ＰＸを含む。複数の画素ＰＸは基板ＳＵＢ上の表示領域ＤＡ内に配置される。画素ＰＸそれぞれは有機発光ダイオードとそれに連結された画素駆動回路を含む。
【0039】
各画素ＰＸは例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出し、一例として有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含み得る。表示パネルＤＰは画素ＰＸから放出される光により所定のイメージを提供し、画素ＰＸによって表示領域ＤＡが定義される。本明細書で非表示領域ＰＡは画素ＰＸが配置されていない領域であり、イメージを提供しない領域を示す。
【0040】
表示パネルＤＰは複数の信号線とパッド部を含み得る。複数の信号線は第１方向ＤＲ１に延長したスキャン線ＳＬ、第２方向ＤＲ２に延長したデータ線ＤＬおよび駆動電圧線ＰＬ等を含み得る。
【0041】
スキャン駆動部２０は基板ＳＵＢ上の非表示領域ＰＡに位置する。スキャン駆動部２０はスキャン線ＳＬを通じて各画素ＰＸにスキャン信号を生成して伝達する。一実施形態によるスキャン駆動部２０は表示領域ＤＡの左側および右側に配置される。図２は、スキャン駆動部２０が表示領域ＤＡの両側に配置された構造を図示するが、他の実施形態としてスキャン駆動部は表示領域ＤＡの一側にのみ配置されることもできる。
【0042】
パッド部４０は表示パネルＤＰの一端部に配置され、複数の端子４１，４２，４４，４５を含む。パッド部４０は絶縁層によって覆われずに露出され、フレキシブル印刷回路基板またはＩＣチップのような制御部（図示せず）と電気的に接続される。
【0043】
制御部は外部から伝達される複数の映像信号を複数の映像データ信号に変更し、変更された信号を端子４１を介してデータ駆動部５０に伝達する。また、制御部は垂直同期信号、水平同期信号、およびクロック信号の伝達を受けてスキャン駆動部２０およびデータ駆動部５０の駆動を制御するための制御信号を生成して端子４４，４１を介してそれぞれに伝達する。制御部は端子４２を介して駆動電圧供給ライン６０に駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達する。また、制御部は端子４５を介して共通電圧供給ラインＶＳＳＬそれぞれに共通電圧を伝達する。
【0044】
データ駆動部５０は、非表示領域ＰＡ上に配置され、データ信号を生成して、生成したデータ信号を、データ線ＤＬを通じて各画素ＰＸに伝達する。データ駆動部５０は表示パネルＤＰの一側に配置され、例えばパッド部４０と表示領域ＤＡの間に配置され得る。
【0045】
駆動電圧供給ライン６０は非表示領域ＰＡ上に配置される。例えば、駆動電圧供給ライン６０はデータ駆動部５０および表示領域ＤＡの間に配置される。駆動電圧供給ライン６０は駆動電圧を画素ＰＸに提供する。駆動電圧供給ライン６０は第１方向ＤＲ１に配置され、第２方向ＤＲ２に配置された複数の駆動電圧線ＰＬと連結できる。
【0046】
共通電圧供給ラインＶＳＳＬは非表示領域ＰＡ上に配置され、画素ＰＸの有機発光素子の共通電極に共通電圧を提供する。共通電圧供給ラインＶＳＳＬは基板ＳＵＢの一側面から延びて基板ＳＵＢの縁に沿って３面を囲む閉ループを形成することができる。
共通電圧供給ラインＶＳＳＬはメイン供給ライン７０およびサブ供給ライン７１等を含み得る。
共通電圧供給ラインＶＳＳＬはメイン供給ライン７０およびサブ供給ライン７１等を含み得る。
【0047】
【0048】
まず図３を参照すると、表示領域ＤＡに該当する基板ＳＵＢ上には複数の画素ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３が形成される。それぞれの画素ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３は複数のトランジスタおよびトランジスタと連結された発光素子を含み得る。
【0049】
複数の画素ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３上には封止層ＥＮＣが位置する。表示領域ＤＡは封止層ＥＮＣにより外気または水分等から保護される。封止層ＥＮＣは表示領域ＤＡの前面と重なるように一体で備えられ、非表示領域ＰＡ上にも一部配置され得る。
【0050】
封止層ＥＮＣ上には第１色変換部ＣＣ１、第２色変換部ＣＣ２および透過部ＣＣ３が位置する。第１色変換部ＣＣ１は第１画素ＰＡ１と重なり、第２色変換部ＣＣ２は第２画素ＰＡ２と重なり、透過部ＣＣ３は第３画素ＰＡ３と重なる。
【0051】
第１画素ＰＡ１から放出される光は第１色変換部ＣＣ１を通過して赤色光ＬＲを提供する。第２画素ＰＡ２から放出される光は第２色変換部ＣＣ２を通過して緑色光ＬＧを提供する。第３画素ＰＡ３から放出される光は透過部ＣＣ３を通過して青色光ＬＢを提供する。
【0052】
以下、各画素ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３の積層構造と色変換部ＣＣ１，ＣＣ２および透過部ＣＣ３の積層構造について述べる。図４を参照すると第１～第３画素ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３を含む画素部ＰＰ上に色変換部ＣＣが位置する。
【0053】
図４を参照すると、一実施形態による基板ＳＵＢはガラス等の無機絶縁物質またはポリイミド（ＰＩ）のようなプラスチック等の有機絶縁物質を含み得る。基板ＳＵＢは単層または多層であり得る。基板ＳＵＢは順次積層された高分子樹脂を含む少なくとも一つのベース層と少なくとも一つの無機層が交互に積層された構造を有することができる。
【0054】
基板ＳＵＢは様々な柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有することができる。基板ＳＵＢはリジッド（ｒｉｇｉｄ）基板であるかベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）等が可能なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。
【0055】
基板ＳＵＢの上にはバッファ層ＢＦが位置する。バッファ層ＢＦは基板ＳＵＢからバッファ層ＢＦの上部層、特に半導体層ＡＣＴに不純物が移動することを遮断して半導体層ＡＣＴの特性劣化を防いでストレスを緩和させる。バッファ層ＢＦは窒化ケイ素または酸化ケイ素等の無機絶縁物質または有機絶縁物質を含み得る。バッファ層ＢＦの一部または全体は省略することもできる。
【0056】
バッファ層ＢＦ上に半導体層ＡＣＴが位置する。半導体層ＡＣＴは多結晶ケイ素および酸化物半導体のうち少なくとも一つを含み得る。半導体層ＡＣＴはチャネル領域Ｃ、第１領域Ｐおよび第２領域Ｑを含む。第１領域Ｐおよび第２領域Ｑはそれぞれチャネル領域Ｃの両側に配置されている。チャネル領域Ｃは少量の不純物がドーピングされているか、不純物がドーピングされていない半導体を含み、第１領域Ｐおよび第２領域Ｑはチャネル領域Ｃに比べて多量の不純物がドーピングされている半導体を含み得る。半導体層ＡＣＴは酸化物半導体からなってもよく、この場合は高温等の外部環境に脆弱な酸化物半導体物質を保護するために別途の保護層（図示せず）が追加されてもよい。
【0057】
半導体層ＡＣＴの上には第１ゲート絶縁層ＧＩ１が位置する。
【0058】
第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上にはゲート電極ＧＥおよび下部電極ＬＥが位置する。実施形態によりゲート電極ＧＥおよび下部電極ＬＥは一体に形成できる。
【0059】
ゲート電極ＧＥおよび下部電極ＬＥは銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、チタン（Ｔｉ）およびチタン合金のいずれか一つを含む金属膜が積層された単層または多層膜であり得る。ゲート電極ＧＥは半導体層ＡＣＴのチャネル領域Ｃと重なってもよい。
【0060】
ゲート電極ＧＥおよび第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上には第２ゲート絶縁層ＧＩ２が位置し得る。第１ゲート絶縁層ＧＩ１および第２ゲート絶縁層ＧＩ２はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）およびシリコン窒酸化物（ＳｉＯｘＮｙ）の少なくとも一つを含む単層または多層であり得る。
【0061】
第２ゲート絶縁層ＧＩ２上には上部電極ＵＥが位置する。上部電極ＵＥは下部電極ＬＥと重なり維持キャパシタを形成する。
【0062】
上部電極ＵＥ上には第１層間絶縁層ＩＬ１が位置する。第１層間絶縁層ＩＬ１はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）およびシリコン窒酸化物（ＳｉＯｘＮｙ）の少なくとも一つを含む単層または多層であり得る。
【0063】
第１層間絶縁層ＩＬ１の上にソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥが位置する。ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥは絶縁層に形成された接触孔を介して半導体層ＡＣＴの第１領域Ｐおよび第２領域Ｑとそれぞれ接続される。
【0064】
ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、モルリブデニュム（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、および／または銅（Ｃｕ）等を含み得、それを含む単一層または多層構造であり得る。
【0065】
第１層間絶縁層ＩＬ１、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥの上には第２層間絶縁層ＩＬ２が位置する。第２層間絶縁層ＩＬ２は、Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ（ＰＭＭＡ）やＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系グループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、ポリイミド、アクリル系ポリマー、シロキサン系ポリマー等の有機絶縁物質を含み得る。
【0066】
第２層間絶縁層ＩＬ２の上には第１電極Ｅ１が位置し得る。第１電極Ｅ１は第２層間絶縁層ＩＬ２の接触孔を介してドレイン電極ＤＥと接続できる。
【0067】
第１電極Ｅ１は銀（Ａｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）などの金属を含み得、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含むこともできる。第１電極Ｅ１は金属物質または透明導電性酸化物を含む単一層またはこれらを含む多重層からなる。例えば、第１電極Ｅ１はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）／銀（Ａｇ）／インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の三重膜構造を有することができる。
【0068】
ゲート電極ＧＥ、半導体層ＡＣＴ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥからなるトランジスタは第１電極Ｅ１に連結されて発光素子に電流を供給する。
【0069】
第２層間絶縁層ＩＬ２と第１電極Ｅ１の上には隔壁ＩＬ３が位置する。図示していないが隔壁ＩＬ３上にスペーサ（図示せず）が位置し得る。隔壁ＩＬ３は第１電極Ｅ１の少なくとも一部と重なり発光領域を定義する隔壁開口部を有する。
【0070】
隔壁ＩＬ３はＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ（ＰＭＭＡ）やＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系グループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、ポリイミド、アクリル系ポリマー、シロキサン系ポリマー等の有機絶縁物質を含み得る。
【0071】
第１電極Ｅ１上には発光層ＥＬが位置する。発光層ＥＬの上部および下部には機能層ＦＬ１，ＦＬ２が位置し得る。第１機能層ＦＬ１は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）および正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）の少なくとも一つを含み、第２機能層ＦＬ２は電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）の少なくとも一つを含む多重膜であり得る。機能層ＦＬ１，ＦＬ２は基板ＳＵＢの前面と重なってもよい。
【0072】
機能層ＦＬ１，ＦＬ２の上には第２電極Ｅ２が位置する。第２電極Ｅ２はカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）等を含む反射性金属またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み得る。
【0073】
第１電極Ｅ１、発光層ＥＬ、機能層ＦＬ１、ＦＬ２と第２電極Ｅ２は発光素子を構成することができる。ここで、第１電極Ｅ１は正孔注入電極のアノードであり、第２電極Ｅ２は電子注入電極のカソードであり得る。しかし、実施形態は必ずしもこれに限定されるものではなく、発光表示装置の駆動方法により第１電極Ｅ１がカソードになり、第２電極Ｅ２がアノードになってもよい。
【0074】
第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２からそれぞれ正孔と電子が発光層ＥＬの内部に注入され、注入された正孔と電子が結合したエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるとき発光がなされる。
【0075】
第２電極Ｅ２の上に封止層ＥＮＣが位置する。封止層ＥＮＣは発光素子の上部面だけでなく側面まで覆って密封することができる。発光素子は水分と酸素に非常に脆弱であるので、封止層ＥＮＣが発光素子を密封して外部の水分および酸素の流入を遮断する。
封止層ＥＮＣは複数の層を含み得、そのうちの無機層と有機層をいずれも含む複合膜で形成され得、一例として第１封止無機層ＥＩＬ１、封止有機層ＥＯＬ、第２封止無機層ＥＩＬ２が順次形成された３重層で形成されることができる。
封止層ＥＮＣは複数の層を含み得、そのうちの無機層と有機層をいずれも含む複合膜で形成され得、一例として第１封止無機層ＥＩＬ１、封止有機層ＥＯＬ、第２封止無機層ＥＩＬ２が順次形成された３重層で形成されることができる。
【0076】
第１封止無機層ＥＩＬ１は第２電極Ｅ２をカバーする。第１封止無機層ＥＩＬ１は外部水分や酸素が発光素子に浸透することを防止できる。例えば、第１封止無機層ＥＩＬ１はシリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物またはこれらを組合わせた化合物を含み得る。第１封止無機層ＥＩＬ１は蒸着工程により形成されることができる。
【0077】
封止有機層ＥＯＬは第１封止無機層ＥＩＬ１上に配置され、第１封止無機層ＥＩＬ１に接触する。第１封止無機層ＥＩＬ１の上面に形成された屈曲や第１封止無機層ＥＩＬ１上に存在するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）等は封止有機層ＥＯＬによりカバーされ、第１封止無機層ＥＩＬ１の上面の表面状態が封止有機層ＥＯＬ上に形成される構成に及ぼす影響を遮断することができる。また、封止有機層ＥＯＬは接触する層の間の応力を緩和させることができる。封止有機層ＥＯＬは有機物を含み得、スピンコート、スリットコート、インクジェット工程のような溶液工程により形成されることができる。
【0078】
第２封止無機層ＥＩＬ２は封止有機層ＥＯＬ上に配置され、封止有機層ＥＯＬをカバーする。第２封止無機層ＥＩＬ２は第１封止無機層ＥＩＬ１上に配置されることより相対的に平坦な面に安定的に形成される。第２封止無機層ＥＩＬ２は封止有機層ＥＯＬから放出される水分等を封止して外部から流入すること防止する。第２封止無機層ＥＩＬ２はシリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物またはこれらが組合わせた化合物を含み得る。第２封止無機層ＥＩＬ２は蒸着工程により形成されることができる。
【0079】
本明細書には図示していないが第２電極Ｅ２と封止層ＥＮＣの間に位置するキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）をさらに含み得る。キャッピング層は有機物質を含み得る。キャッピング層は後続の工程、例えばスパッタリング工程から第２電極Ｅ２を保護し、発光素子の出光効率を向上させる。キャッピング層は第１封止無機層ＥＩＬ１より大きい屈折率を有することができる。
【0080】
色変換部ＣＣは画素部ＰＰ上に位置する第１絶縁層Ｐ１を含む。第１絶縁層Ｐ１は表示領域ＤＡ全体と重なるように一体に形成されることができる。第１絶縁層Ｐ１はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）およびシリコン窒酸化物（ＳｉＯｘＮｙ）の少なくとも一つを含む単層または多層であり得る。実施形態により第１絶縁層Ｐ１は省略することもできる。
【0081】
第１絶縁層Ｐ１上には第１遮光層ＢＭ１が位置し得る。第１遮光層ＢＭ１は第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３が位置する領域を定義できる。
【0082】
第１遮光層ＢＭ１により定義される領域内には第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３が位置する。第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３はインクジェット工程により形成されるが、インクジェット工程に制限されず、いかなる製造方法を用いて形成されてもよい。
【0083】
透過層ＣＣＬ３は画素部ＰＰから入射される第１波長の光を透過し、複数の散乱体ＳＣを含み得る。この時、第１波長の光は最大発光ピーク波長が約３８０ｎｍ～約４８０ｎｍ、例えば、約４２０ｎｍ以上、約４３０ｎｍ以上、約４４０ｎｍ以上、または約４４５ｎｍ以上、および約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ以下、または約４５５ｎｍ以下の青色光であり得る。
【0084】
第１色変換層ＣＣＬ１は画素部ＰＰから入射された第１波長の光を赤色光に色変換し、複数の散乱体ＳＣと複数の第１量子ドットＳＮ１を含み得る。この時、赤色光は最大発光ピーク波長が約６００ｎｍ～約６５０ｎｍ、例えば、約６２０ｎｍ～約６５０ｎｍであり得る。
【0085】
第２色変換層ＣＣＬ２は表示パネルから入射された第１波長の光を緑色光に色変換し、複数の散乱体ＳＣと複数の第２量子ドットＳＮ２を含み得る。緑色光は最大発光ピーク波長が約５００ｎｍ～約５５０ｎｍ、例えば、約５１０ｎｍ～約５５０ｎｍであり得る。
複数の散乱体ＳＣは第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３に入射される光を散乱させて光の効率を上げる。
複数の散乱体ＳＣは第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３に入射される光を散乱させて光の効率を上げる。
【0086】
第１量子ドットＳＮ１および第２量子ドットＳＮ２（以下、半導体ナノ結晶ともいう）それぞれは独立して、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素または化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩ－ＩＶ－ＶＩ族化合物、またはこれらの組み合わせを含み得る。前記量子ドットはカドミウムを含まなくてもよい。
【0087】
前記ＩＩ－ＶＩ族化合物はＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物、ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物、およびＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれることができる。前記ＩＩ－ＶＩ族化合物はＩＩＩ族金属をさらに含むこともできる。
【0088】
前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＰＳｂ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物、およびＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、ＩｎＺｎＰ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれることができる。前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＩＩ族金属をさらに含むこともできる（ｅ．ｇ．，ＩｎＺｎＰ）。
【0089】
前記ＩＶ－ＶＩ族化合物はＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物、およびＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれることができる。
【0090】
前記ＩＶ族元素または化合物はＳｉ、Ｇｅおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれる単元素化合物、およびＳｉＣ、ＳｉＧｅおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二元素化合物からなる群より選ばれるがこれに制限されない。
【0091】
前記Ｉ族－ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物の例は、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＧａＳｅ、およびＣｕＩｎＧａＳを含むがこれに制限されない。前記Ｉ－ＩＩ－ＩＶ－ＶＩ族化合物の例はＣｕＺｎＳｎＳｅ、およびＣｕＺｎＳｎＳを含むがこれに制限されない。前記ＩＶ族元素または化合物はＳｉ、Ｇｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる単元素、およびＳｉＣ、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物からなる群より選ばれることができる。
【0092】
前記ＩＩ族－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物はＺｎＧａＳ、ＺｎＡｌＳ、ＺｎＩｎＳ、ＺｎＧａＳｅ、ＺｎＡｌＳｅ、ＺｎＩｎＳｅ、ＺｎＧａＴｅ、ＺｎＡｌＴｅ、ＺｎＩｎＴｅ、ＺｎＧａＯ、ＺｎＡｌＯ、ＺｎＩｎＯ、ＨｇＧａＳ、ＨｇＡｌＳ、ＨｇＩｎＳ、ＨｇＧａＳｅ、ＨｇＡｌＳｅ、ＨｇＩｎＳｅ、ＨｇＧａＴｅ、ＨｇＡｌＴｅ、ＨｇＩｎＴｅ、ＭｇＧａＳ、ＭｇＡｌＳ、ＭｇＩｎＳ、ＭｇＧａＳｅ、ＭｇＡｌＳｅ、ＭｇＩｎＳｅ、およびこれらの組み合わせからなる群より選ばれるがこれに制限されない。
【0093】
前記Ｉ族－ＩＩ族－ＩＶ族－ＶＩ族化合物はＣｕＺｎＳｎＳｅおよびＣｕＺｎＳｎＳから選択されるが、これに制限されない。
【0094】
一実施形態で量子ドットは、カドミウムを含まなくてもよい。量子ドットはインジウムおよびリンを含むＩＩＩ－Ｖ族化合物基盤の半導体ナノ結晶を含み得る。前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物は亜鉛をさらに含み得る。量子ドットは、カルコゲン元素（例えば、硫黄、セレニウム、テルリウム、またはこれらの組み合わせ）および亜鉛を含むＩＩ－ＶＩ族化合物基盤の半導体ナノ結晶を含み得る。
【0095】
量子ドットで、前述した二元素化合物、三元素化合物および／または四元素化合物は均一な濃度で粒子内に存在することができ、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在することもできる。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有することもできる。コアとシェルの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有することができる。
【0096】
いくつかの実施形態で、量子ドットは前述したナノ結晶を含むコアおよび前記コアを囲むシェルを含むコア－シェル構造を有することができる。前記量子ドットのシェルは前記コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割および／または量子ドットに電気泳動特性を付与するための充電層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割をすることができる。前記シェルは単層または多重層であり得る。コアとシェルの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有することができる。前記量子ドットのシェルの例としては金属または非金属の酸化物、半導体化合物またはこれらの組み合わせ等が挙げられる。
【0097】
例えば、前記金属または非金属の酸化物はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ等の二元素化合物、またはＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４等の三元素化合物を例示できるが、本発明はこれに制限されるものではない。
【0098】
また、前記半導体化合物はＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ等を例示できるが、本発明はこれに制限されるものではない。
【0099】
コアとシェルの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有することができる。また、前記半導体ナノ結晶は一つの半導体ナノ結晶コアとそれを囲む多層のシェルを含む構造を有することもできる。一実施形態で、前記多層シェルは２個以上の層、例えば、２個、３個、４個、５個、またはそれ以上の層を有することができる。前記シェルの隣接する２個の層は単一組成または相異なる組成を有することができる。多層シェルでそれぞれの層は、半径に応じて変化する組成を有することができる。
【0100】
量子ドットは約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、さらに好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ，ＦＷＨＭ）を有することができ、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、このような量子ドットを介して発光される光は全方向に放出されるため、光視野角が向上することができる。
【0101】
前記量子ドットは、シェルの物質とコア物質が互いに異なるエネルギーバンドギャップを有することができる。例えば、シェル物質のエネルギーバンドギャップはコア物質よりさらに大きくてもよい。他の実施形態で、シェル物質のエネルギーバンドギャップはコア物質よりさらに小さくてもよい。前記量子ドットは多層のシェルを有することができる。多層のシェルで外側層のエネルギーバンドギャップが内側層（すなわち、コアに近い層）のエネルギーバンドギャップよりさらに大きくてもよい。多層のシェルで外側層のエネルギーバンドギャップが内側層のエネルギーバンドギャップよりさらに小さくてもよい。
【0102】
量子ドットは、組成および大きさを調節して吸収／発光波長を調節することができる。量子ドットの最大発光ピーク波長は、紫外線ないし赤外線波長またはそれ以上の波長範囲を有することができる。
【0103】
量子ドットは（例えば、疎水性残基および／または親水性残基を有する）有機リガンドを含み得る。前記有機リガンド残基は前記量子ドットの表面に結合される。前記有機リガンドは、ＲＣＯＯＨ、ＲＮＨ２、Ｒ２ＮＨ、Ｒ３Ｎ、ＲＳＨ、Ｒ３ＰＯ、Ｒ３Ｐ、ＲＯＨ、ＲＣＯＯＲ、ＲＰＯ（ＯＨ）２、ＲＨＰＯＯＨ、Ｒ２ＰＯＯＨ、またはこれらの組み合わせを含み、ここで、Ｒはそれぞれ独立してＣ３～Ｃ４０（例えば、Ｃ５以上およびＣ２４以下）の置換または未置換のアルキル、置換または未置換のアルケニル等Ｃ３～Ｃ４０の置換または未置換の脂肪族炭化水素基、置換または未置換のＣ６～Ｃ４０のアリール基等Ｃ６～Ｃ４０（例えば、Ｃ６以上およびＣ２０以下）の置換または未置換の芳香族炭化水素基、またはこれらの組み合わせであり得る。
【0104】
前記有機リガンドの例は、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチオール、ブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキサデカンチオール、オクタデカンチオール、ベンジルチオール等のチオール化合物；メタンアミン、エタンアミン、プロパンアミン、ブタンアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミは、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等のアミン類；メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ドデカン酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸、オレイン酸（ｏｌｅｉｃ ａｃｉｄ）、安息香酸等のカルボン酸化合物；メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ペンチルホスフィン、オクチルホスフィン、ジオクチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のホスフィン化合物；メチルホスフィンオキシド、エチルホスフィンオキシド、プロピルホスフィンオキシド、ブチルホスフィンオキシドペンチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、オクチルホスフィンオキシド、ジオクチルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド等のホスフィン化合物またはそのオキシド化合物；ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン化合物またはそのオキシド化合物；ヘキシルホスフィン酸、オクチルホスフィン酸、ドデカンホスフィン酸、テトラデカンホスフィン酸、ヘキサデカンホスフィン酸、オクタデカンホスフィン酸等Ｃ５～Ｃ２０のアルキルホスフィン酸、Ｃ５～Ｃ２０のアルキルホスホン酸；等が挙げられるが、これに制限されるものではない。量子ドットは、疎水性有機リガンドを単独でまたは１種以上の混合物で含み得る。前記疎水性有機リガンドは（例えば、アクリレート基、メタクリレート基等）光重合性残基を含まなくてもよい。
【0105】
第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３上には第２絶縁層Ｐ２が位置し得る。第２絶縁層Ｐ２は第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３を覆って保護することによって、第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３に異物が流入することを防止する。第２絶縁層Ｐ２はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）およびシリコン窒酸化物（ＳｉＯｘＮｙ）の少なくとも一つを含む単層または多層であり得る。
【0106】
第２絶縁層Ｐ２上には第３絶縁層Ｐ３が位置し得る。第３絶縁層Ｐ３は画素部ＰＰ前面と重なるように形成される。第３絶縁層Ｐ３は第１色変換層ＣＣＬ１、第２色変換層ＣＣＬ２および透過層ＣＣＬ３そして第１遮光層ＢＭ１と重なる。第３絶縁層Ｐ３は有機物質または無機物質を含み得る。
【0107】
第３絶縁層Ｐ３上に第４絶縁層Ｐ４が位置し得る。第４絶縁層Ｐ４はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）およびシリコン窒酸化物（ＳｉＯｘＮｙ）の少なくとも一つを含む単層または多層であり得る。
【0108】
実施形態により第２絶縁層Ｐ２、第３絶縁層Ｐ３および第４絶縁層Ｐ４の少なくとも一つは省略することができる。
【0109】
第４絶縁層Ｐ４の上部面上に第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２および第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。
【0110】
第１色フィルタＣＦ１は第１色変換層ＣＣＬ１を通過した赤色光は透過させて、残りの波長の光は吸収できるため、表示装置の外側に放出される赤色光の純度を高める。
【0111】
第２色フィルタＣＦ２は第２色変換層ＣＣＬ２を通過した緑色光は透過させて、残りの波長の光は吸収できるため、表示装置の外側に放出される緑色光の純度を高める。
【0112】
第３色フィルタＣＦ３は透過層ＣＣＬ３を通過した青色光は透過させて、残りの波長の光は吸収できるため、表示装置の外側に放出される青色光の純度を高める。
【0113】
一実施形態による表示パネルは第１色フィルタＣＦ１および第１色変換層ＣＣＬ１と重なる第１画素領域ＰＸ１、第２色フィルタＣＦ２および第２色変換層ＣＣＬ２と重なる第２画素領域ＰＸ２、および第３色フィルタＣＦ３および透過層ＣＣＬ３と重なる第３画素領域ＰＸ３を含み得る。
【0114】
第１画素領域ＰＸ１と第２画素領域ＰＸ２の間、第２画素領域ＰＸ２と第３画素領域ＰＸ３の間、および第３画素領域ＰＸ３と第１画素領域ＰＸ１の間に第１遮光領域ＢＡ１が位置し得る。第１遮光領域ＢＡ１は第１遮光層ＢＭ１と重なる。
【0115】
第１遮光領域ＢＡ１で、第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２および第３色フィルタＣＦ３は互いに重なった形態であり得る。一実施形態による色変換部ＣＣは別途の遮光部が材なくとも複数の色フィルタが重なることによって光を遮断する遮光領域を提供することができる。
【0116】
以下では図５～図１０を参照して一実施形態による画素領域および遮光領域についてより具体的に述べる。図５、図６、図７および図８それぞれは一実施形態による色フィルタを示す平面図であり、図９は図５のＡ－Ａ’を沿って切断した断面図であり、図１０は図５のＢ－Ｂ’を沿って切断した断面図である。前述した構成要素と同じ構成要素に係る説明は省略する。
【0117】
まず図５を参照すると一実施形態による表示パネルは複数の単位画素領域ＰＵを含み得る。複数の単位画素領域ＰＵは第１方向ＤＲ１および第２方向ＤＲ２に沿って繰り返し配置され得る。
【0118】
単位画素領域ＰＵは画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３および遮光領域ＢＡを含み得る。一つの単位画素領域ＰＵは第１色を示す光を放出する第１画素領域ＰＸ１、第２色を示す光を放出する第２画素領域ＰＸ２、第３色を示す光を放出する第３画素領域ＰＸ３を含み得る。遮光領域ＢＡは第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２を含み得る。一例として単位画素領域ＰＵで画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３が占める面積は全体単位画素面積の３０％～４０％であり、遮光領域ＢＡ１，ＢＡ２が占める面積は全体単位画素面積の６０％～７０％であり得る。
【0119】
単位画素領域ＰＵは実施形態により少なくとも１以上の第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２を含み得る。一実施形態による単位画素領域ＰＵは４個の第１遮光領域ＢＡ１と２個の第２遮光領域ＢＡ２を含み得る。
【0120】
第１方向ＤＲ１に沿って第１遮光領域ＢＡ１、第１画素領域ＰＸ１、第１遮光領域ＢＡ１、第２画素領域ＰＸ２、第１遮光領域ＢＡ１、第３画素領域ＰＸ３および第１遮光領域ＢＡ１が位置し得る。また、第２方向ＤＲ２に沿って第２遮光領域ＢＡ２、第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２が配置されるか、第２遮光領域ＢＡ２、画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３のいずれか一つ、および第２遮光領域ＢＡ２が位置し得る。このような配置は多様な実施形態により変わってもよく、これに制限されるものではない。
【0121】
一実施形態によれば第１遮光領域ＢＡ１の面積と第２遮光領域ＢＡ２の面積は異なってもよい。具体的に第１遮光領域ＢＡ１の面積は第２遮光領域ＢＡ２の面積より小さくてもよい。第１遮光領域ＢＡ１は隣接して配置された第１画素領域ＰＸ１と第２画素領域ＰＸ２の間、第２画素領域ＰＸ２と第３画素領域ＰＸ３の間であるか、互いに異なる単位画素領域ＰＵに含まれる第１画素領域ＰＸ１と第３画素領域ＰＸ３の間であり得る。第２遮光領域ＢＡ２は単位画素領域ＰＵで画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３および第１遮光領域ＢＡ１を除いた領域であり、相対的に第１遮光領域ＢＡ１に比べて広い平面面積を有することができる。
【0122】
隣接する単位画素領域ＰＵに位置する第２遮光領域ＢＡ２は互いに連結されることができる。第１方向ＤＲ１に沿って隣接して位置する第２遮光領域ＢＡ２は互いに連結される形態であり得、ストライプ形態を有することができる。
【0123】
以下では単位画素領域ＰＵ上に配置される色フィルタについて具体的に述べる。
【0124】
前述した図面に図６を参照すると、一実施形態による第１色フィルタＣＦ１は第１画素領域ＰＸ１と重なり、第２画素領域ＰＸ２と重なる第１－１開口部ＯＰ１－１および第３画素領域ＰＸ３と重なる第１－２開口部ＯＰ１－２を含み得る。第１色フィルタＣＦ１は第１画素領域ＰＸ１、第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２と重なり得る。第１色フィルタＣＦ１は第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３と重ならずに、離隔することができる。
【0125】
図７を参照すると、一実施形態による第２色フィルタＣＦ２は第２画素領域ＰＸ２と重なる。また、第２色フィルタＣＦ２は第１遮光領域ＢＡ１と重なる。また、第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３および第２遮光領域ＢＡ２と重ならない。第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３および第２遮光領域ＢＡ２と離隔する。
【0126】
第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１と重なる第２－１開口部ＯＰ２－１、第３画素領域ＰＸ３と重なる第２－２開口部ＯＰ２－２、および第２遮光領域ＢＡ２と重なる第２－３開口部ＯＰ２－３を含み得る。
【0127】
図８を参照すると、一実施形態による第３色フィルタＣＦ３は第３画素領域ＰＸ３と重なる。また、第３色フィルタＣＦ３は第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２と重なる。また、第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と重ならない。第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と離隔する。
【0128】
第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１と重なる第３－１開口部ＯＰ３－１、および第２画素領域ＰＸ２と重なる第３－２開口部ＯＰ３－２を含み得る。
【0129】
【0130】
図９を参照すると、第１画素領域ＰＸ１には第１色フィルタＣＦ１が位置し得る。第２画素領域ＰＸ２には第２色フィルタＣＦ２が位置し得る。第３画素領域ＰＸ３には第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。
【0131】
一単位画素領域内で隣接する第１画素領域ＰＸ１と第２画素領域ＰＸ２の間、第２画素領域ＰＸ２と第３画素領域ＰＸ３の間に第１遮光領域ＢＡ１が位置し得る。そして隣接する単位画素領域の間で第１画素領域ＰＸ１と第３画素領域ＰＸ３の間に第１遮光領域ＢＡ１が位置し得る。
【0132】
第１遮光領域ＢＡ１には第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２、および第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。第１遮光領域ＢＡ１は別途の遮光部が無い場合であっても、複数の色フィルタが重なることにより遮光領域を提供することができる。
【0133】
次の図１０を参照すると、一単位画素領域内で第１遮光領域ＢＡ１、第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３を除いた領域は第２遮光領域ＢＡ２と呼ばれる。
【0134】
第２遮光領域ＢＡ２は別途の色変換層が位置しない領域であり、第２遮光領域ＢＡ２には第１絶縁層Ｐ１、第１遮光層ＢＭ１、第２絶縁層Ｐ２、第３絶縁層Ｐ３、第４絶縁層Ｐ４が積層されている。
【0135】
第４絶縁層Ｐ４上には第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３は第２遮光領域ＢＡ２と重なる。
【0136】
第１遮光領域ＢＡ１には第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２および第３色フィルタＣＦ３が位置し、第２遮光領域ＢＡ２には第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。第２遮光領域ＢＡ２では第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３の重畳だけでも十分な遮光機能をすることができる。
【0137】
第１遮光領域ＢＡ１の厚さｔ１は第２遮光領域ＢＡ２の厚さｔ２より大きくてもよい。第１遮光領域ＢＡ１は画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３の間に位置するので、画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３の間の混色を防止するためには十分な厚さが必要である。第２遮光領域ＢＡ２では混色の問題が少ないため、第２遮光領域ＢＡ２を相対的に薄い厚さで提供することができる。
【0138】
色フィルタＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３上にはオーバーコート層ＯＣが位置し得る。オーバーコート層ＯＣは基板ＳＵＢの前面と重なるように形成されてもよい。オーバーコート層ＯＣは有機物質を含み得、平坦化された上部面を提供することができる。
【0139】
色フィルタＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３による段差が大きい場合、オーバーコート層ＯＣも大きな段差を有するように形成される。しかし、一実施形態によれば、相対的に広い面積を有する第２遮光領域ＢＡ２は第１遮光領域ＢＡ１に比べて薄い厚さを有するため、オーバーコート層ＯＣの段差を緩和することができる。一実施形態によればオーバーコート層ＯＣの平坦度を改善することができる。また、オーバーコート層ＯＣ上に配置されるカバーウィンドウが安定的に結合されるため、信頼性が向上した表示装置を提供することができる。
【0140】
本明細書での具体的な説明は省略されるが、一実施形態による表示装置では、第４絶縁層Ｐ４上に第２色フィルタＣＦ２、第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３を順に形成して製造することができる。第２色フィルタＣＦ２、第１色フィルタＣＦ１および第３色フィルタＣＦ３はその順序が変更されてもよい。
【0141】
この時、第１色フィルタＣＦ１は図６に示された形態で形成でき、第２色フィルタＣＦ２は図７に示された形態で形成でき、第３色フィルタＣＦ３は図８に示された形態で形成できる。第１～第３色フィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３の積層により図９および図１０による積層構造を提供することができる。
【0142】
以下では図１１～図１４を参照して一実施形態による単位画素領域について述べる。図１１は一実施形態による単位画素領域を示す平面図であり、図１２は一実施形態による第１色フィルタを示す平面図であり、図１３は一実施形態による第２色フィルタを示す平面図であり、図１４は一実施形態による第３色フィルタを示す平面図である。前述した構成要素と同じ構成要素に係る説明は省略する。
【0143】
図１１を参照すると、単位画素領域ＰＵは第１画素領域ＰＸ１、第２画素領域ＰＸ２、第３画素領域ＰＸ３、第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２を含み得る。
【0144】
第１遮光領域ＢＡ１は隣接する第１画素領域ＰＸ１と第２画素領域ＰＸ２の間、第２画素領域ＰＸ２と第３画素領域ＰＸ３の間、および第３画素領域ＰＸ３と第１画素領域ＰＸ１の間に位置し得る。また、第１遮光領域ＢＡ１は単位画素領域ＰＵの境界化画素領域ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３の間に位置し得る。一実施形態により第１遮光領域ＢＡ１は単位画素領域ＰＵ内で互いに連結してよく、離隔してもよい。
【0145】
第１遮光領域ＢＡ１には第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２、および第３色フィルタＣＦ３が位置し得る。第１遮光領域ＢＡ１は別途の遮光部が無い場合であっても、複数の色フィルタが重なることにより遮光領域を提供することができる。
【0146】
第２遮光領域ＢＡ２は単位画素領域ＰＵ内で第１遮光領域ＢＡ１および画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３以外の領域であり得る。第２遮光領域ＢＡ２は隣接する単位画素領域ＰＵが含む他の第２遮光領域ＢＡ２と連結可能であるが、第２遮光領域ＢＡ２はこのような形態および配置に制限されるものではない。第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２の形態、位置等は画素領域ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３の配置に応じて変わってもよい。
【0147】
第２遮光領域ＢＡ２は図１１に示すように第２画素領域ＰＸ２に隣接する。第１方向ＤＲ１に沿って第２遮光領域ＢＡ２、第２画素領域ＰＸ２および第２遮光領域ＢＡ２が繰り返し配置され得る。
【0148】
前述した図面に図１２を参照すると、一実施形態による第１色フィルタＣＦ１は第１画素領域ＰＸ１と重なり、第２画素領域ＰＸ２と重なる第１－１開口部ＯＰ１－１および第３画素領域ＰＸ３と重なる第１－２開口部ＯＰ１－２を含み得る。第１色フィルタＣＦ１は第１画素領域ＰＸ１、第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２と重なる。第１色フィルタＣＦ１は第２画素領域ＰＸ２および第３画素領域ＰＸ３と重ならず、離隔することができる。
【0149】
図１３を参照すると、一実施形態による第２色フィルタＣＦ２は第２画素領域ＰＸ２と重なる。また、第２色フィルタＣＦ２は第１遮光領域ＢＡ１と重なる。また、第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３および第２遮光領域ＢＡ２と重ならない。第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１、第３画素領域ＰＸ３および第２遮光領域ＢＡ２と離隔する。
【0150】
第２色フィルタＣＦ２は第１画素領域ＰＸ１と重なる第２－１開口部ＯＰ２－１、第３画素領域ＰＸ３と重なる第２－２開口部ＯＰ２－２、および第２遮光領域ＢＡ２と重なる第２－３開口部ＯＰ２－３を含み得る。
【0151】
図１４を参照すると、一実施形態による第３色フィルタＣＦ３は第３画素領域ＰＸ３と重なる。また、第３色フィルタＣＦ３は第１遮光領域ＢＡ１および第２遮光領域ＢＡ２と重なる。また、第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と重ならない。第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１および第２画素領域ＰＸ２と離隔する。
【0152】
第３色フィルタＣＦ３は第１画素領域ＰＸ１と重なる第３－１開口部ＯＰ３－１、および第２画素領域ＰＸ２と重なる第３－２開口部ＯＰ３－２を含み得る。
【0153】
図１１～図１４の実施形態による断面は図９および図１０の断面と同一であるため、以下では説明を省略する。なお、図１１～図１４の実施形態は、図５～図８の実施形態に比べて、第１～第３画素領域の配置および形態が異なり、かつ、第１遮光領域および第２遮光領域の配置および形態が異なる。画素領域および遮光領域の配置および形態は、本明細書に図示された実施形態に制限されるものではなく、変形されて、前述した実施形態に適用されてもよい。
【0154】
下記表１を参照して比較例と実施形態について述べる。比較例は第１色フィルタ～第３色フィルタがすべて重なる第１遮光領域および第２遮光領域を含む。実施形態は第１遮光領域では第１色フィルタ～第３色フィルタが重なり、第２遮光領域では第１色フィルタおよび第３色フィルタが重なる。
【0155】
下記表１を参照すると、実施形態は第２遮光領域で第１色フィルタおよび第３色フィルタのみが重なる場合にも、光効率、反射率、反射色、色一致率およびＷＡＤが比較例とほぼ同等な水準を示した。
【0156】
【表1】
【0157】
また実施形態によれば、第２遮光領域で色フィルタが重なる厚さは第１遮光領域で色フィルタが重なる厚さに対して約２マイクロメーター以上減少し得ることを確認した。
実施形態による表示装置は、第２遮光領域の厚さの減少によって表示パネルの上端部に形成されるオーバーコート層の平坦度を向上させることができる。そのため、オーバーコート層上に形成されるカバーウィンドウが安定的に結合され、信頼性および品質が向上した表示装置を提供することができる。
実施形態による表示装置は、第２遮光領域の厚さの減少によって表示パネルの上端部に形成されるオーバーコート層の平坦度を向上させることができる。そのため、オーバーコート層上に形成されるカバーウィンドウが安定的に結合され、信頼性および品質が向上した表示装置を提供することができる。
【0158】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【0159】
ＳＵＢ 基板
ＰＸ１ 第１画素領域
ＰＸ２ 第２画素領域
ＰＸ３ 第３画素領域
ＰＵ 単位画素領域
ＢＡ 遮光領域
ＢＡ１ 第１遮光領域
ＢＡ２ 第２遮光領域
ＣＦ１ 第１色フィルタ
ＣＦ２ 第２色フィルタ
ＣＦ３ 第３色フィルタ
ＰＸ１ 第１画素領域
ＰＸ２ 第２画素領域
ＰＸ３ 第３画素領域
ＰＵ 単位画素領域
ＢＡ 遮光領域
ＢＡ１ 第１遮光領域
ＢＡ２ 第２遮光領域
ＣＦ１ 第１色フィルタ
ＣＦ２ 第２色フィルタ
ＣＦ３ 第３色フィルタ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】